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CIRCUITI DISACCOPPIATORI DI
TENSIONE E DI CORRENTE


7.1 Trasferimento di segnale tra stadi
7.2 Disaccoppiatori di tensione
7.2.1 Stadio Source follower
7.2.2 Distorsione di uno stadio Source follower
7.2.3 Ottimizzazione dei collegamenti
7.2.4 Stadio Emitter follower
7.3 Distorsione di pi stadi in cascata
7.4 Stadi disaccoppiatori con carichi attivi
7.5 Disaccoppiatori di corrente
7.6 Effetti della resistenza finita dei transistori

Appunti del corso di Elettronica Analogica- Prof. Marco Sampietro POLIMI 2
7.1 TRASFERIMENTO DI SEGNALE TRA STADI

I circuiti amplificanti introdotti nei capitoli precedenti non vengono, in genere,
usati da soli. E pi facile vederli connessi tra di loro a formare circuiti complessi
che realizzino desiderate funzioni, come ad esempio amplificare un segnale,
filtrarlo in frequenza, pilotare degli attuatori esterni o altro. Nel realizzare i
collegamenti necessari a questi scopi sarebbe molto comodo che le caratteristiche
di ogni singolo stadio progettato singolarmente (polarizzazione, guadagno,
distorsione, ecc.) non venissero modificate quando collegato con il successivo
stadio, cos da poter calcolare separatamente le singole caratteristiche e poi
comporle tra loro nel definire le caratteristiche globale del circuito multistadio. Se
ad esempio si disponesse di due amplificatori con guadagno 10 e fosse richiesto un
amplificatore con guadagno 100, sarebbe comodo poter semplicemente collegarli
in cascata, uno dopo laltro. Sappiamo che ci pu avvenire solo se vengono
rispettate alcune fondamentali regole di accoppiamento tra stadi, riassunte nei
seguenti punti:
- La tensione di polarizzazione del nodo di uscita dello stadio precedente deve
coincidere con la tensione di polarizzazione del nodo di ingresso dello stadio
seguente. Se la salvaguardia della polarizzazione dei due stadi non fosse
possibile, bisogna ricorrere allaccoppiamento tramite una capacit in serie,
come gi visto nel par.5.2
- Se devo trasmettere un segnale di tensione da uno stadio al successivo senza
perderne una frazione significativa, necessario che limpedenza di uscita
dello stadio precedente sia la pi bassa possibile, sicuramente pi bassa
dellimpedenza di ingresso dello stadio seguente (da cui il suggerimento a
fare limpedenza di ingresso dello stadio successivo la pi alta possibile);
- Se devo trasmettere un segnale di corrente da uno stadio al successivo senza
perderne una frazione significativa, necessario che limpedenza di uscita
dello stadio precedente sia la pi alta possibile, sicuramente pi alta
dellimpedenza di ingresso dello stadio seguente (da cui il suggerimento a
fare limpedenza di ingresso dello stadio successivo la pi bassa possibile).

Un semplice esempio che riassume le problematiche del collegamento tra stadi pu
essere trovato nel circuito della Fig.7.1, dove ad un amplificatore viene collegato
un carico resistivo esterno.
Lamplificatore da solo (Fig.7.1(a) in cui V
T
=0.6V, k=4mA/V
2
) presenterebbe un
guadagno G=-g
m
R
D
=-10 ed una resistenza di uscita pari a 2.5kO. Se ora gli
collegassimo direttamente al Drain una resistenza R
L
=1kO (Fig.7.1(b)) essa
provocherebbe sia una variazione del valore di polarizzazione (la tensione di uscita
passerebbe da V
u
=2.5V a V
u
=0.71V), sia una riduzione del guadagno su segnale a
G=-g
m
(R
D
||R
L
)=-2.8. Lintroduzione di una capacit di disaccoppiamento
Appunti del corso di Elettronica Analogica- Prof. Marco Sampietro POLIMI 3
(Fig.7.1(c)) risolve solo parzialmente il problema. La polarizzazione infatti
verrebbe salvaguardata ma il guadagno sarebbe comunque ridotto a G=-2.8 perch
alle frequenze di lavoro il condensatore sarebbe un cortocircuito e quindi il segnale
di corrente erogato dal transistore vedrebbe comunque sul collettore il parallelo tra
R
D
ed R
L
. Solo se R
L
>>R
D
gli effetti limitanti del collegamento diretto del carico
R
L
sarebbero trascurabili: cio solo se limpedenza di uscita dellamplificatore
risultasse molto pi bassa del carico collegato. E chiaro che diminuire il valore di
R
D
non la soluzione corretta perch provocherebbe una diminuzione del
guadagno.

7.2 DISACCOPPIATORI DI TENSIONE

Per non alterare le prestazioni dello stadio amplificatore di tensione ogni volta che
lo si deve collegare ad un carico esterno R
L
, una possibilit quella di interporre
tra lamplificatore ed il carico un nuovo circuito, chiamato di disaccoppiamento o
buffer. Poich si vuole che il segnale di tensione presente alluscita
dellamplificatore si trasmetta al meglio al carico, questo nuovo circuito da
interporre tra i due deve essere un lettore ideale della tensione ai capi di R
D
(e
quindi deve avere impedenza di ingresso la pi elevata possibile) e deve poterla
erogare ai capi di R
L
senza alterarne il valore grazie ad una impedenza di uscita la
pi bassa possibile.
(a)
R
1
390k
R
D
2.5k
+ 5V
1 mA
R
2
110k v
in
1kO
sensore
C=
amplificatore
V
u
=+2.5V

(b)
R
1
390k
R
D
2.5k
+ 5V
1 mA
R
2
110k
V
u
=0.71V
R
L
1k
v
in
1kO
sensore
C=
amplificatore
(c)
R
1
390k
R
D
2.5k
+ 5V
1 mA
R
2
110k
VD=+2.5V
R
L
1k
v
in
1kO
sensore
C=
amplificatore
C=


Fig. 7.1 Conseguenze prodotte dal collegamento di un carico esterno
R
L
=1kO ad un amplificatore avente una resistenza di uscita di
R
D
=2.5kO.
Appunti del corso di Elettronica Analogica- Prof. Marco Sampietro POLIMI 4

7.2.1 Stadio Source follower

Gli stadi amplificatori con resistenza di degenerazione visti nel capitolo
precedente soddisfano in gran parte a questi requisiti purch vengano utilizzati in
maniera alternativa a quella allora discussa, prelevando ora il segnale dal morsetto
di Source (Emettitore) invece che da quello di Drain (Collettore).
Consideriamo infatti il circuito della Fig.7.2 che ben conosciamo ed analizziamone
le caratteristiche nella nuova modalit duso in cui luscita presa al Source. Con
laiuto del circuito equivalente per piccoli segnali a destra della figura troviamo
- il trasferimento tra ingresso ed uscita, pari a
G
v
v
R
g R
u
in
s
m s
= =
+ 1
(7.1)
Esso sempre inferiore allunit, ma vi si avvicina sempre di pi quanto
pi R
S
>1/g
m
. Proprio per questo aspetto, cio per il fatto che la variazione
del potenziale del Source segue la variazione della tensione del Gate, lo
stadio prende il nome di Source follower.
- la resistenza di ingresso pari a
R
in
= R
1
||R
2
. (7.2))
Baster quindi scegliere valori elevati di resistenze di polarizzazione per
avere complessivamente una elevata impedenza di ingresso dello stadio,
come desiderato. Vedremo presto che molto spesso il partitore R1 e R2
pu essere addirittura eliminato, perch si usa la tensione stazionaria di
uscita dello stadio precedente per polarizzare il Gate. In questo caso la
R
1
R
D
+ V
DD
R
2 R
S
v
in
C=
V
u
v
in
1/g
m
R
S
V
u


Fig. 7.2 Circuito amplificatore con resistenza di degenerazione di Source
utilizzato come disaccoppiatore di tensione prendendone luscita
sul Source. A destra il relativo circuito equivalente per il calcolo
del trasferimento del segnale.
Appunti del corso di Elettronica Analogica- Prof. Marco Sampietro POLIMI 5
resistenza di ingresso del follower diventa la resistenza del Gate del
MOSFET, che possiamo considerare infinita.
- la resistenza di uscita pari a
R
u
=R
S
||1/g
m
. (7.3)
Poich abbiamo interesse che R
S
>>1/g
m
per avere guadagno pi prossimo
a 1, limpedenza di uscita sostanzialmente pari a 1/gm. Nellipotesi che
V
A
= (cio resistenza di Early infinita), essa relativamente piccola e non
dipende da nientaltro del circuito se non dal MOSFET e da come stato
polarizzato.

Notate che la resistenza R
D
sul Drain non ha alcun effetto nel trasferimento n
ha ora pi alcuna utilit in quanto la variazione di tensione ai suoi capi non
pi di interesse. Essa quindi opportuno che venga tolta, risparmiando cos
un componente (nei circuiti integrati questo vuol dire risparmiare spazio, e
quindi costi) ed assicurandoci la massima dinamica possibile positiva fino
allalimentazione V
DD
senza mai fare uscire il MOSFET dalla sua corretta
zona di funzionamento (perch il Drain, che ora sta alla tensione V
DD
, sar
sempre pi in alto del Gate o al limite allo stesso potenziale).

Riassumendo, questo circuito utilizzabile come disaccoppiatore per segnali di
tensione perch:
- limpedenza di ingresso molto alta. Il circuito quindi non carica
impedenzialmente lo stadio che lo pilota.
- limpedenza di uscita molto bassa, prossima a 1/g
m
. Il circuito quindi si
presenta in uscita come un buon generatore di tensione con una resistenza
serie facilmente pi piccola del carico successivo.
- modifica poco il guadagno del circuito globale, perch il suo trasferimento
molto vicino allunit.
- ha estesa dinamica lineare, perch, nellipotesi praticamente sempre
verificata di avere il Drain direttamente collegato allalimentazione senza
laggiunta della inutile resistenza R
D
, il Gate pu essere fatto salire fino
allalimentazione senza che il MOSFET esca dalla corretta zona di
funzionamento.


Appunti del corso di Elettronica Analogica- Prof. Marco Sampietro POLIMI 6
E 7.1 (a) Calcolare la tensione V
u
di polarizzazione delluscita, il guadagno di
tensione G=v
u
/v
in
, limpedenza di ingresso e limpedenza di uscita del
buffer della figura seguente (|V
T
|=0.8V, |k|=10mA/V
2
) quando R
L
=.
+ 3 V
v
u
buffer
v
a
1k
Eq. Thevenin
amplificatore
v
in
50k
250k
480
R
L


(b) Calcolare il minimo valore che pu assumere un carico esterno R
L

collegato alla sua uscita oltre cui il guadagno complessivo del circuito
tra ingresso V
a
ed uscita V
u
diminuirebbe di pi del 20% rispetto al caso
di R
L
=.

(a) La tecnica di calcolo della polarizzazione di uno stadio Source follower del
tutto analoga a quella di uno stadio amplificatore con la resistenza di
degenerazione sul Source. Il partitore di Gate impone V
G
=+0.5V e, impostando il
bilancio di correnti nel nodo di Source, si ottiene I
D
=2.5mA, V
u
=+1.8V e
g
m
=10mA/V (1/g
m
=100O). Se R
L
=, lo stadio singolo avrebbe un guadagno tra
v
in
e v
u
pari a G=0.83.
Limpedenza di ingresso del buffer vale Z
in
=42kO, valore molto alto
rispetto alla resistenza di uscita da 1kO dello stadio precedente per cui il segnale
v
A
verr trasmesso sostanzialmente invariato al Gate del MOSFET (v
in=
v
A
).
Limpedenza di uscita del buffer, cio limpedenza vista guardando
indietro dal morsetto di uscita (V
u
), data dal parallelo tra 1/g
m
e 480O e vale
Z
u
=83O.
(b) Su segnale il condensatore di uscita diventa un cortocircuito e la resistenza di
carico R
L
viene vista dal MOSFET in parallelo a 480O. Pertanto, il guadagno
complessivo diventa
L
m
L
R 480
g
1
R 480
G
+
=
Per avere G=0.83-0.83
.
20/100=0.66, si ottiene R
L
=2400O. Valori di R
L
minori di
questo provocherebbero durante il trasferimento una perdita di segnale maggiore
del 20%.



Appunti del corso di Elettronica Analogica- Prof. Marco Sampietro POLIMI 7
7.2.2 Distorsione di uno stadio Source follower

Per calcolare la distorsione di un buffer di tensione a MOSFET si applica lo stesso
ragionamento fatto nel Cap.5 per il calcolo della distorsione degli amplificatori
con la resistenza di degenerazione. Innanzitutto quindi si calcola la frazione del
segnale di ingresso che si ritrova ai morsetti del transistore (v
gs
) secondo la
partizione lineare :
v v
g
g R
gs in
m
m s
=
+
1
1
. (7.4)
Poich un buon buffer ha R
s
>>1/g
m
, v
gs
risulter in generale molto piccolo e quindi
ci aspettiamo una distorsione piccola perch il termine quadratico della relazione
caratteristica risulter corrispondentemente molto piccolo. In effetti il valore di
non linearit complessiva dello stadio, gi calcolati nel Cap.5, risulta pari a
( )
S m od
gs
R g 1
1
V 2
v
+

= c (7.5)
ed quindi molto piccolo. Ricordiamo infatti che c il termine 1/(1+g
m
.
R
s
)
migliorativo dovuto alleffetto di retroazione della resistenza R
s
nel diminuire
ulteriormente leffettiva (e gi piccola) frazione di segnale v
gs
applicata al
MOSFET. Conseguentemente la distorsione di seconda armonica sar anchessa in
generale piccolissima e pari a
2
HD
2
c
= (7.6)
Per quanto detto, un buffer ben progettato non aggiunge una distorsione
significativa ad un circuito. Questultima normalmente prodotta dagli stadi
amplificanti e non dagli stadi a follower.
Appunti del corso di Elettronica Analogica- Prof. Marco Sampietro POLIMI 8
E 7.2 (a) Dopo averlo polarizzato, calcolare la massima ampiezza di un
segnale sinusoidale applicabile al seguente circuito (|V
T
|=0.55V,
|k|=400A/V
2
) prima che esca dalla corretta zona di funzionamento:
+ 3 V
v
u
buffer
v
in
10kO
R
S
1920O
R
L
5kO
- 3 V

(b) Calcolare la distorsione HD
2
introdotta dal circuito nel trasferimento
del segnale dallingresso V
in
alluscita V
u
quando in ingresso viene
applicata una sinusoide di tensione alla frequenza di 10kHz ed ampia
0.2V.

(a) La polarizzazione impone V
G
=0V da cui V
u
=+1.8V e I
D
=625A (g
m
=1mA/V
and 1/g
m
=1kO). Il guadagno per piccolo segnale conseguentemente pari a
G=0.58. La resistenza di ingresso virtualmente infinita ed assicura che non ci
sia caduta di tensione ai capi della resistenza da 10kO. Limpedenza di uscita
come vista dal carico vale Z
u
=658O da confrontarsi con i 5kO di R
L
.
Sulla semionda negativa del segnale, il MOSFET tender a portare pi corrente,
che proverr dalla resistenza di 1920O e dal carico R
L
. Nessuno di questi due
percorsi pone limitazioni e pertanto possiamo pensare che il Gate del MOSFET
possa raggiungere i -3V. Quindi lampiezza negativa della sinusoide dingresso
pu arrivare fino a -3V.
Sulla semionda positiva, viceversa, la salita del Source impone al circuito di
fornire corrente a R
L
e nello stesso tempo di diminuire la corrente in R
S
. Pertanto,
sempre meno corrente rimarr disponibile per scorrere nel MOSFET. Il massimo
della semionda positiva applicabile allingresso lo si otterr al raggiungimento
della condizione in cui il MOSFET non porta pi corrente. Essa equivale a dire
che tutta la corrente prima portata dal MOSFET (625A) va ora nelle due
resistenze:
A 625
1920
v
k 5
v
u u
=
O
+
O

Da cui si ottiene v
u
=0.867V. Essendo minore del valore trovato per la semionda
negativa, concludiamo dicendo che lampiezza massima della sinusoide in
ingresso v
in
=0.867V.
(b) Dato il segnale di 0.2V di ingresso, la frazione che cade tra Gate e Source
pari a v
sg
=84mV. Pertanto:

Appunti del corso di Elettronica Analogica- Prof. Marco Sampietro POLIMI 9
007 . 0
39 . 2
1
5 . 2
84
2
1
) 1 (
1
2 2
1
2
= =
+
=
V
mV
R R g V
v
HD
L S m od
gs

Che corrisponde allo 0.7% di componente a frequenza doppia (20kHz) della
principale.


E 7.3 Si consideri il seguente stadio Source follower. Il MOSFET abbia V
T
=1V
e k=1mA/V
2
. Si vuole valutare il trasferimento di un impulso
rettangolare, di ampiezza 1V e di durata 100s, erogato dalla sorgente
in assenza ed in presenza di una componente capacitiva di carico.
v
u
E = + 6 V
- E = - 6 V
10 nF C
100k
100k
v
in
1 V
1k
4k R
100 s

a) Valutare dapprima lampiezza del segnale v
u
(t) in assenza di C.
b) Giustificare perch il segnale di ampiezza 1V pu essere considerato
un piccolo segnale per il transistore.
c) Discutere qualitativamente cosa accade in presenza di C e
commentare se il segnale pu essere ancora considerato un piccolo
segnale.
d) Valutare dettagliatamente landamento dei transitori supponendo che
C=10nF.

(a) - Dallo studio della polarizzazione si trova: V
GS
=2V, I
D
=1mA, 1/g
m
=500O.
Giacch la resistenza del generatore sorgente piccola rispetto alle resistenze del
partitore di polarizzazione, il segnale da 1V trasferito pressoch senza
attenuazione sul Gate del MOSFET e la frazione del segnale v
in
che trasferita ai
capi del resistore R pari a 0.89V. A seguito dellapplicazione del segnale
rettangolare, il potenziale del nodo duscita varier quindi da -2V a -1.11V.
(b) - Per valutare se lapprossimazione di piccolo segnale, implicita nella
scrittura della precedente relazione, valida o meno, si deve confrontare la
variazione della tensione di comando del MOSFET determinata dal segnale
(V
gs
=0.11V) con il valore 2(V
GS
-V
T
)=2V. Con questi valori il segnale pu essere
ancora considerato piccolo. La non linearit corrispondente sarebbe solo dello
0.6%.
Appunti del corso di Elettronica Analogica- Prof. Marco Sampietro POLIMI 10
(c) - In presenza di un carico capacitivo, non possibile variare istantaneamente
la tensione ai capi del condensatore. Quindi v
u
non potr pi seguire
istantaneamente landamento dei fronti di salita e di discesa del segnale v
in
.
Incominciamo a considerare cosa accade sul fronte di salita di v
in
. In condizioni
stazionarie V
GS
=2V, V
u
=-2V e la tensione ai capi del condensatore 4V. Quando
v
in
aumenta di 1V, la tensione ai capi di C resta invariata ed il segnale v
in

determina una variazione di 1V della tensione V
gs
che aumenta istantaneamente
da 2V a 3V. La corrente nel FET passa quindi dal valore stazionario di 1mA a
4mA. Questa corrente va a depositarsi in parte sul piatto del condensatore e solo
la progressiva carica di C porta il potenziale V
u
al valore finale stazionario di
V
u
=-1.1V. La carica di C non esponenziale perch la tensione di comando V
gs

del FET, e quindi la corrente I
d
, cambia durante il transitorio in modo
complesso. Per i valori in gioco il segnale non pu certo considerarsi piccolo.
Sul fronte di discesa di v
in
, la tensione V
gs
, che aveva raggiunto il valore
di circa 2.1V, portata istantaneamente a 1.1V. Il MOSFET porta quindi
pochissima corrente, molto meno di quella che la tensione ai capi di C impone
nella resistenza da 4kO, attivando cos la scarica della capacit. Solo alla fine del
transitorio di scarica di C si ripristinano le condizioni iniziali di polarizzazione.
Si noti che, se lampiezza del segnale fosse stata maggiore di 1.1V, il FET si
sarebbe addirittura spento (V
gs
<V
T
) durante il fronte di discesa.
(d) - Giacch in presenza di C il segnale v
in
non pu pi essere considerato un
piccolo segnale, per avere landamento dettagliato del transitorio si dovrebbe
utilizzare la caratteristica quadratica del FET
( ) ( ) I k V V k v V V
D GS T in u T
= =
2 2

assieme al bilancio di correnti sul Source
I
V E
R
C
dV
dt
D
u u
=
+
+
Lequazione differenziale che si ottiene non pi lineare e si pu risolvere
numericamente a partire dalle condizioni iniziali date dalla polarizzazione.
Una stima per eccesso e per difetto dei tempi di transizione delluscita v
u
pu
essere comunque ottenuta utilizzando lapprossimazione di piccolo segnale.
Infatti sul fronte di salita di v
in
, la tensione V
gs
varia istantaneamente da 2V a 3V
e quindi, progressivamente, si riporta a 2.1V. Corrispondentemente, il valore
minimo della resistenza di canale 1/g
m
si ha per V
gs
=3V ed pari a 250O, mentre
il valore massimo lungo il transitorio si ha alla fine per V
gs
=2.1V e cio 450O.
Quindi la resistenza di piccolo segnale ai capi di C, cio R||1/g
m
, varia da 235O a
405O. Il transitorio non esponenziale di v
u
sar inizialmente tangente al
transitorio esponenziale con costante di tempo 10nFx235O=2.3s, quindi
incomincer a rallentare; una stima per eccesso del tempo di salita ( 10%-90%)
pari a 2.2x10nFx405O=8.9s.
Appunti del corso di Elettronica Analogica- Prof. Marco Sampietro POLIMI 11
Viceversa, allinizio del fronte di discesa di v
in
, V
gs
varia da 2.1V a 1.1V e quindi
1/g
m
diventa 4.5kO. Landamento sar inizialmente tangente allandamento
esponenziale con costante di tempo 10nFx(4.5kO||4kO)=21s (tempo si salita
2.2x21s=46s), e poi diventer pi veloce. Alla fine del transitorio V
gs
=2V e
1/g
m
=500O. Il transitorio sar certamente pi lungo di
2.2x10nF(500O||4kO)=9.8s.
Si noti come la risposta del follower sia asimmetrica. Il transitorio di salita tende
ad essere pi breve del transitorio di discesa, proprio perch il MOSFET
sollecitato a portare pi corrente nel transitorio di salita di quanto non faccia nel
transitorio di discesa.


7.2.3 Ottimizzazione dei collegamenti

La Fig.7.3 mostra come utilizzare il Source follower appena studiato per risolvere
il problema evidenziato nella Fig.7.1 semplicemente aggiungendo il
disaccoppiatore tra lamplificatore ed il carico.
Guardando attentamente il circuito si scopre che esso potrebbe essere semplificato
nei collegamenti lasciandone invariata la funzionalit. In particolare si nota che il
partitore R
1
ed R
2
del buffer non strettamente necessario: togliendo le due
resistenze e la capacit di disaccoppiamento, si pu pensare di collegare il Gate del
buffer direttamente al Drain dello stadio di guadagno che lo precede, come
mostrato nella Fig.7.4. Questa operazione riduce il numero di componenti nel
circuito (vantaggioso in un circuito integrato), elimina una capacit di
disaccoppiamento (sempre vantaggioso), mostra una impedenza pi elevata
allingresso del buffer (vantaggioso nel migliorare il trasferimento dl segnale) ed
ha la sola piccola conseguenza di porre il Gate del buffer ad un valore di
R
1
390k
R
D
2.5k
+ 5V
1 mA
R
2
110k
+2.5V
R
L
1k
v
in
1kO
sensore
C=
amplificatore
R
1
+ V
DD
R
2 R
S
follower
V
u


Fig. 7.3 Circuito a pi stadi completo di amplificatore e di Source
follower per pilotare efficacemente un carico esterno R
L
.
Appunti del corso di Elettronica Analogica- Prof. Marco Sampietro POLIMI 12
potenziale leggermente diverso da quello prima imposto dal partitore resistivo.
Poich questultimo valore non ha alcuna importanza nel buon funzionamento del
MOSFET del buffer, non ce ne preoccupiamo.

E 7.4 Considerare il seguente circuito, in cui T
1
: V
T
=0.6V, k=1mA/V
2
e V
A
=
e T
2
: V
T
=0.5V, k=500A/V
2
e V
A
= .
R
1
2.14M
R
D
14.5k
+ 12V
R
2
260k
V
B
v
in
C=
v
u
R
3
6k
- 12V
R
S
1k
T1
T2

(a) Calcolare la potenza assorbita dalle alimentazioni in assenza di
segnale ed il tempo di operativit del circuito se alimentato da una
batteria da 3200mAh.
(b) Calcolare il guadagno totale del circuito ed il valore minimo di una
resistenza di carico R
L
applicabile in AC esternamente alluscita del
circuito, oltre cui il guadagno totale diventa minore di (-5).
(c) Calcolare la distorsione di seconda armonica del circuito completo
quando in ingresso viene applicata una sinusoide di 100mV.
(d) Calcolare la massima ampiezza di una sinusoide applicabile
allingresso, oltre cui uno dei transistori esce dalla corretta zona di
funzionamento.
R
1
390k
R
D
2.5k
+ 5V
R
2
110k
R
L
1k
v
in
1kO
sensore
C=
amplificatore
R
S
follower
V
u


Fig. 7.4 Ottimizzazione del circuito a pi stadi con accoppiamento
diretto del follower allo stadio di guadagno.
Appunti del corso di Elettronica Analogica- Prof. Marco Sampietro POLIMI 13

(a) Il primo stadio, con il MOSFET a canale n, svolge la funzione di amplificare
il segnale di ingresso. Il follower presenta una resistenza infinita sul Gate e quindi
non perturba lamplificazione fornita dal primo stadio. Per il primo stadio si ha:
V
G
=-9.4V, I
D
=1mA, g
m1
=2mA/V, V
B
=-2.5V. La tensione tra Gate e Drain
assicura il buon funzionamento del MOSFET. Nel secondo stadio si ha: I
D
=2mA
e V
U
=0V. Anche in questo caso il transistore correttamente polarizzato. La
potenza assorbita dalle alimentazioni in assenza di segnale pari a circa 72mW
ed il tempo operativo con una carica della batteria di circa 1060 ore, equivalenti
a 44 giorni.
(b) Il guadagno del primo stadio risulta essere G~-9.7. Ai fini della trasmissione
del segnale, il circuito equivalente Thevenin di T
2
uguale a quello riportato
nella Fig.7.2. Il generatore di tensione pari alla variazione del potenziale di v
B
e
la resistenza serie di appena 1/g
m2
=500O. Il trasferimento del follower
G=0.92.
Il guadagno totale del circuito G
tot
=-8.9. Un carico resistivo esterno R
L
su
segnale sarebbe visto dal transistore T2 in parallelo ad R3 degradando il
trasferimento del follower. Se R
L
<545O il guadagno totale del circuito sarebbe
minore di G=-5.
(c) Il primo stadio amplificante, a fronte del segnale di 100mV erogato dal
generatore, viene ad avere ai capi di T1 una v
gs
=33mV che produce una
corrispondente c
1
=0.55% . Lo stadio successivo si ritrova al suo ingresso un
segnale v
B
=966mV a cui corrisponde una v
gs
=74mV e quindi una c
2
=0.14%. La
non linearit complessiva quindi dellordine del 0.7% e ci aspettiamo una
distorsione di seconda armonica dellordine del 0.35%.
(d) Quando la semionda allingresso positiva, T1 tende a portare pi corrente,
V
B
diminuisce come pure diminuisce luscita. Il transistore che pone dei vincoli a
questi spostamenti solo T1 in quanto sale il suo Gate e scende il suo Drain e
questo movimento reciproco non deve andare a porre il Drain sotto di pi di una
soglia al valore assunto dal Gate. Formalizzando questa relazione, si ottiene:
T in in
V 9 . 6 7 . 9 v v + = + , da cui si ricava v
in
=700mV come valore di ampiezza
massima applicabile.
Quando la semionda allingresso negativa, V
B
tender a salire portandosi dietro
V
u
. In questo caso sar ovviamente T2 ad imporre un limite a questo spostamento
nel momento in cui si spegne. Questo avverr quando V
u
=+12V, cio quando
V
B
=11.5V, che corrisponde ad una corrente circolante in T1 pari a i
D
=35A.
Questo valore corrisponde ad una tensione del Source di V
S
=35mV. Poich T1
praticamente spento, la sua V
GS
~V
T
e quindi la V
G
~-11.4V. Ricordando che in
polarizzazione il nodo stava a -9.4V, questo si ottiene quando il segnale di
ingresso v
in
=-2V. Per confronto con il risultato della semionda positiva si
conclude che la massima ampiezza di una sinusoide applicabile allingresso del
circuito 700mV.


Appunti del corso di Elettronica Analogica- Prof. Marco Sampietro POLIMI 14
7.2.4 Stadio Emitter follower

Gli stadi disaccoppiatori di tensione possono naturalmente essere realizzati anche
con transistori bipolari. Il principio di funzionamento del tutto simile, come
simile lorganizzazione dei collegamenti e simili le motivazioni duso. Le uniche
differenze, importanti ma non essenziali, nascono dalla particolarit della
giunzione base-emettitore. Questo comporta che la resistenza di ingresso del
buffer a BJT, come vista guardando nella Base del transistore, sar pari a (vedi
Fig. 7.5):
E
m
B
R
g
Z | +
|
~ (7.7)
Il suo valore dipender quindi, a differenza del Source follower, molto
strettamente dalle caratteristiche del transistore (|), da come stato polarizzato
(g
m
) e da come collegato in uscita (R
E
). Solo con particolari attenzioni in fase di
progetto sar quindi possibile raggiungere valori elevati, ma mai il valore infinito
che si ha guardando il Gate di un MOSFET !
Anche la resistenza di uscita dello stadio richiede cautela nellessere calcolato e
risulta pari a:
|
|
.
|

\
|
|
+ ~
s B
m
E U
R R
g
1
R Z (7.8)
Anche in questo caso il valore dipende non solo dalle caratteristiche di
polarizzazione del transistore (1/g
m
), come gi avveniva con il MOSFET, ma anche
da come il BJT pilotato dallo stadio precedente (R
s
/|). Ciononostante poich la
transconduttanza di un BJT generalmente molto maggiore di quella di un
MOSFET a pari correnti circolanti, limpedenza di uscita del buffer con BJT pu
+ V
SS
Z
B
buffer
v
S
R
E
- V
DD
C=
R
B
R
S
v
in
v
u


Fig. 7.5 Stadio Emitter follower.
Appunti del corso di Elettronica Analogica- Prof. Marco Sampietro POLIMI 15
essere progettata molto minore di quella mostrata da un Source follower. Questo
il grande vantaggio dei buffers a BJT e ne giustifica luso appena possibile.
Da ultimo, il trasferimento del segnale di tensione dalla Base del BJT alluscita
vale:
E m
E
in
u
R g 1
R
v
v
G
+
= =
(7.9)
Esso sempre inferiore allunit, ma vi si avvicina sempre pi quanto pi R
S
>1/g
m
.
Anche in questo caso, la variazione del potenziale dellEmettitore segue la
variazione della tensione della Base, da cui il nome di Emitter follower dato
spesso allo stadio.
Riassumendo, il circuito tratteggiato nella Fig.7.5 utilizzabile come
disaccoppiatore per segnali di tensione perch:
- limpedenza di ingresso alta. Il circuito quindi tende a non caricare
eccessivamente lo stadio che lo pilota.
- limpedenza di uscita pu essere molto bassa, prossima a 1/g
m
se progettato
con cura e quindi con una resistenza serie spesso pi piccola rispetto ad un
buffer a MOSFET.
- non modifica il guadagno del circuito globale, perch il suo trasferimento
praticamente unitario.
- introduce una limitatissima distorsione, perch i) la frazione del segnale di
ingresso che si ritrova linearmente ai morsetti del transistore (v
be
) piccola,
ed precisamente data da:
E m
m
in be
R g 1
g 1
v v
+
=
. (7.10)
e perch ii) la presenza della resistenza R
E
di degenerazione opera un effetto
retroattivo diminuendo ulteriormente il valore di v
be
di un fattore pari a
(1+g
m
.
R
E
), cos da avere
( )
E m th
be
R g V
v
HD
+
=
1
1
2 2
1
2
(7.11)
- ha estesa dinamica lineare, perch, nellipotesi praticamente sempre
verificata di avere il Collettore direttamente collegato allalimentazione, la
Base pu essere fatta salire fino allalimentazione senza che il BJT esca dalla
corretta zona di funzionamento.

Appunti del corso di Elettronica Analogica- Prof. Marco Sampietro POLIMI 16
E 7.5 Studiare le prestazioni dellemitter follower (|=200) della figura
seguente
+ 3V
v
in
R
E
=330O
R
g
=1k
v
u

collegato in DC allo stadio precedente schematizzato con un generatore
di segnale di tensione v
in
con resistenza serie di 1kO.
(a) Calcolare il trasferimento ingresso/uscita del circuito.
(b) Calcolarne le impedenze di ingresso e di uscita.
(c) Calcolarne la dinamica di ingresso.

(a) Nellipotesi di I
B
=0A, la polarizzazione darebbe: V
B
=0V, V
u
=0.7V e
I
C
=7mA, a cui corrisponde g
m
=280mA/V (1/g
m
=3.6O). La corrente ora I
B
~35A
in effetti porterebbe V
B
~35mV, valore che non modifica significamente i valori
prima trovati. Ai fini del trasferimento del segnale dal generatore v
in
alluscita
v
u
, si noti che il circuito equivalente visibile se ci si pone nel punto di uscita e si
guarda nellEmettitore
v
in
1/g
m
R
E
330O
V
u
R
g
/|

dove (1/g
m
+R
g
/|)=8.6O. Il guadagno v
u
/v
in
quindi pari a G=0.97.
(b) La resistenza di ingresso (|/g
m
+|
.
R
E
)=66kO. Limpedenza di uscita vale
R
E
,,(1/g
m
+R
g
/|)=8.6O.
(c) v
in
+~2.3V; v
in
-~-0.5V

Appunti del corso di Elettronica Analogica- Prof. Marco Sampietro POLIMI 17
E 7.6 Riprendere il circuito dellesercizio E7.4 e sostituire il follower a
MOSFET con uno a BJT, mantenendo circa uguale la corrente in T2.
R
1
2.14M
R
D
14.5k
+ 12V
R
2
260k
V
B
v
in
C=
v
u
R
3
6k
- 12V
R
S
1k
T1
T2

Confrontare i due circuiti per quanto riguarda limpedenza di uscita.
In entrambi i casi calcolare il minimo valore di un eventuale carico
esterno R
L
applicabile alluscita sotto cui il guadagno complessivo si
ridurrebbe del 20% rispetto al caso di R
L
assente.


7.3 DISTORSIONE DI PIU STADI IN CASCATA

Nel caso in cui uno stadio amplificatore fosse immediatamente seguito da
un altro stadio amplificatore ed i due circuiti fossero perfettamente disaccoppiati
(avessero cio impedenze di ingresso e di uscita ideali tali da non modificare i loro
singoli guadagni), il guadagno complessivo per piccoli segnali del circuito
completo sarebbe pari al prodotto del guadagno due stadi singoli. Questo il caso
anche di uno stadio amplificatore seguito da un follower. Considerando che

1 1 1
G v R g v v
in L m in G
= =
e che
2 2 2
G v R g v v
G L m G u
= =
la relazione tra ingresso ed uscita diventa:
2 1
G G v v
in u
=
Se ora volessimo calcolare la non linearit complessiva del circuito, il calcolo
sarebbe simile ma le singole espressioni verrebbero modificate ricordando la
(5.11) nelle:
) 1 ( ) 1 (
1 1 1 1 1
c c + = + = G v R g v v
in L m in G

e
) 1 ( ) 1 (
2 2 2 2 2
c c + = + = G v R g v v
G L m G u


da cui si ottiene lespressione complessiva
) ) ( 1 ( ) 1 ( ) 1 (
2 1 2 1 2 1 2 1 2 1
c c c c c c + + = = G G v G G v v
in in u

(7.12)
Appunti del corso di Elettronica Analogica- Prof. Marco Sampietro POLIMI 18
Essa mostra come la distorsione complessiva di un circuito sia praticamente pari
alla somma delle due distorsioni (c
1
+c
2
) dei singoli stadi. Infatti il prodotto (c
1
c
2
)
facilmente trascurabile essendo i due valori ben pi piccoli di 1.


7.4 STADI DISACCOPPIATORI CON CARICHI ATTIVI

Proviamo ad analizzare criticamente il ruolo e la funzione della resistenza di
degenerazione R
S
presente nel buffer della Fig.7.2:
- abbiamo interesse a scegliere R
S
grande perch cos facendo il guadagno di
tensione si avvicina maggiormente allunit, ma
- contemporaneamente vogliamo che il transistore porti molta corrente per avere
una transconduttanza elevata cos da ottenere una bassa resistenza di uscita e
quindi pilotare carichi pi difficili.
Queste due esigenze sono contrastanti e se attuate porterebbero ad un aumento
della tensione di alimentazione e quindi della potenza dissipata stazionariamente
dal circuito.
Ai fini dellamplificazione, la funzione della resistenza R
S
solo quella di
presentare una impedenza alta su cui iniettare la corrente di segnale erogata dal
transistore. Quindi naturale pensare che essa possa essere sostituita con un
generatore di corrente, come mostrato nella Fig.7.6. Il vantaggio di questa
sostituzione che un generatore di corrente, a differenza della semplice resistenza,
non necessita di una caduta di tensione stazionaria ai suoi capi proporzionale alla
impedenza offerta sul segnale. Quindi lintroduzione, al posto di R
S
, di un
generatore di corrente, libera il follower dal vincolo imposto dalla legge di Ohm.
R
1
+ V
DD
R
2
v
in
C=
V
u
v
in
1/g
m
R ~
V
u
=V
in
I
D


Fig. 7.6 Generatore di corrente usato come carico attivo in un buffer di
tensione, in modo da fissare la corrente di polarizzazione del
MOSFET indipendentemente dalla tensione di alimentazione e
definire precisamente limpedenza di uscita del circuito.
Appunti del corso di Elettronica Analogica- Prof. Marco Sampietro POLIMI 19
Cos facendo la tensione di alimentazione, lamplificazione, la corrente di
polarizzazione e limpedenza di uscita diventano grandezze tra loro pi
indipendenti e quindi il progetto risulta pi semplice ed efficace.
In particolare:
- a parit di tensione di alimentazione si ottiene un guadagno pi prossimo ad
uno;
- il transistore pu essere polarizzato con la corrente pi adatta ad ottenere la
transconduttanza voluta, indipendentemente dalla tensione di alimentazione,
potendo pi facilmente pilotare carichi R
L
molto pi piccoli.

La sostituzione di un resistore con un carico attivo (cos spesso chiamato un
generatore di corrente quando posto lungo il percorso del segnale) molto
comune nei circuiti integrati dove necessario ridurre loccupazione di area di
ciascun componente circuitale e minimizzare la presenza di resistenze perch
occupano pi spazio di quello generalmente necessario per un transistore. Il
circuito della Fig.7.7 beneficia di quanto detto e mostra come il circuito della
Fig.7.4 potesse essere ulteriormente migliorato.

R
1
390k
R
D
2.5k
+ 5V
R
2
110k
R
L
1k
v
in
1kO
sensore
C=
amplificatore follower
V
u


Fig. 7.7 Generatore di corrente usato come carico attivo in un buffer di
tensione, in modo da fissare la corrente di polarizzazione del
MOSFET (e quindi la sua resistenza di uscita) mantenendo
piccola la tensione di alimentazione.
Appunti del corso di Elettronica Analogica- Prof. Marco Sampietro POLIMI 20
E 7.7 Studiare le prestazioni del seguente circuito in cui i transistori a canale
n e p hanno uguali parametri : |V
T
|=0.45V, |V
A
|= e |k|=2mA/V
2
.
v
in
v
u
R
1
4k
T1
+ 1.8V
1kO
T2 T3

In particolare calcolare:
(a) il guadagno G=v
u
/v
in
.
(b) limpedenza di uscita.
(c) la massima dinamica possibile del segnale di ingresso.
(d) la distorsione introdotta su un segnale sinusoidale di 100mV.

(a) Luso di un generatore di corrente a specchio come carico di degenerazione
sul Source permette di realizzare, grazie alla resistenza infinita del carico stesso,
un follower con trasferimento esattamente pari a G=1 qualunque sia il risultato
della polarizzazione, a patto che tutti i transistori lavorino nello loro corretta zona
di funzionamento. Poich il calcolo della polarizzazione porta ad una corrente
circolante pari a I
D
~250A e V
u
=+0.8V, effettivamente tutti i transistori stanno
operando in saturazione.
(b) Limpedenza di uscita risulta pari a 715O.
(c) v
in+
=0.65V; v
in-
=-0.45V
(d) La distorsione rigorosamente nulla, fintanto che non si attacca un carico
esterno al morsetto di uscita. A quel punto sia il guadagno che la distorsione
cambiano dalla situazione ideale e assumono un valore finito (G diverso da 1,
THD diversa da 0).


Appunti del corso di Elettronica Analogica- Prof. Marco Sampietro POLIMI 21
E 7.8 Si consideri il seguente circuito in cui tutti i BJT hanno |=100.
+ 5 V
- 5 V
50k
10 F
380
50k
50
e
5k
5k
8.6k
R
R
in
u
R
1
2
3
4
R
R
R
T
1
T
2
10.5 mA R
5
6
R
3.5 V
- 5V

a) Studiarne la polarizzazione
b) Valutare, per segnali di frequenza maggiore di 3kHz erogati da un
generatore di resistenza serie 5kO, la resistenza di ingresso R
in
;
lamplificazione, la resistenza di uscita R
u
.
c) Dimensionare il generatore di corrente con un BJT.

(a) - V
in
=0V, I
C1
=10mA, V
u
=0V, I
C2
=1mA
(b) - Per segnali di frequenza maggiore di 5kHz il condensatore un
cortocircuito, quindi R
in
50kO,,50kO,,(|+1)52O=4.17kO.
(c) - La resistenza vista sul Collettore di T
1
pari a 8.6kO,,(|+1)5kO circa
8.6kO. v
u
/v
in
= -R
in
/(5kO+R
in
)8.6kO/50O= -95.
(d) - La resistenza duscita 5kO,,[8.6kO/(|+1)+ 25O]=111O.

Appunti del corso di Elettronica Analogica- Prof. Marco Sampietro POLIMI 22
E 7.9 Si consideri il seguente circuito (V
T
=0.6V, k=4mA/V
2
), ottimizzazione di
quello delle Fig.7.1 e 7.4 appena visti.
R
1
390k
R
D
2.5k
+ 5V
R
2
110k
R
L
1k
v
in
1kO
sensore
C=
amplificatore follower
V
u
C=
specchio carico
R
x


a) Dimensionare R
x
in modo che limpedenza di uscita del follower sia
pari a 200O. Calcolare il corrispondente guadagno complessivo del
circuito e la sua dinamica di uscita ai capi del carico R
L
.
c) Ridimensionare Rx e modificare i MOSFET del follower e dello
specchio scegliendo un nuovo valore di k in modo che limpedenza di
uscita sia inferiore a 10O con una dinamica di uscita almeno di 0.5V.

(a) Affinch limpedenza di uscita sia 200O, la corrente deve essere 1.56mA. Il
MOSFET del follower ed anche quelli dello specchio (perch tutti uguali)
avranno (V
GS
-V
T
)=0.625V. Ne consegue che R
x
=2.4kO e G
tot
=v
u
/v
in
=-8.3. La
dinamica di uscita negativa limitata dal MOSFET dello specchio che entra in
zona ohmica a v
u-
=-650mV. La dinamica positiva di poco inferiore al limite
lineare di v
u
=2.5V concesso dallo spostamento del Gate del follower fino
allalimentazione. Infatti la corrispondente salita delluscita impone un passaggio
maggiore di corrente in R
L
, e quindi nel follower, con conseguente maggiore
overdrive che riduce un po lescursione netta di v
u
.
(b) Ricordando che I/k=(V
GS
-V
T
)
2
e che I k g
m
= 2 basterebbe aumentare
sia k che I della stessa quantit, nel nostro caso di un fattore 20 (k=80mA/V
2
, per
cui transistori con W 20 volte pi grande, e I=32mA per cui R
x
=118O), per non
avere la desiderata 1/g
m
=10O senza modificare loverdrive dei transistori e
quindi mantenendo la stessa dinamica trovata al punto (a) che sufficiente.

Appunti del corso di Elettronica Analogica- Prof. Marco Sampietro POLIMI 23
7.5 DISACCOPPIATORI DI CORRENTE

A differenza dei disaccoppiatori di tensione, i circuiti disaccoppiatori
per segnali di corrente devono essere in grado di leggere un segnale di corrente da
un generatore (o semplicemente dallo stadio che sta a monte) ed erogarlo,
pressoch senza attenuazioni ma con una resistenza equivalente molto pi alta, ad
un carico posto a valle. Il problema che questi disaccoppiatori risolvono quello
della solo parziale erogazione della corrente ad un carico quando questultimo ha
un valore di resistenza elevato rispetto alla resistenza di uscita della sorgente.
Mandare una corrente ad un carico resistivo elevato infatti difficile, come
mostrato nella Fig.7.8: se R
S
=R
L
, solo met della corrente I
S
disponibile viene
effettivamente inviata in R
L
!
Lo stadio di disaccoppiamento deve quindi essere in ingresso un ottimo lettore di
corrente (avere cio una resistenza dingresso R
IN
molto bassa cos da assorbire la
maggior quantit possibile della corrente disponibile a monte) e presentarsi in
uscita come un ottimo generatore di corrente (avere cio una resistenza duscita
R
U
molto alta cosicch la corrente disponibile venga inviata quanta pi possibile al
carico R
L
anche se questultimo di valore elevato).
Queste caratteristiche sono di nuovo ben soddisfatte dal semplice
transistore: basta infatti pensare di utilizzare un transistore con lingresso nel
Source (Emettitore), la cui impedenza pari a 1/g
m
, e luscita nel Drain
(Collettore), la cui impedenza al pi r
0
. Un collegamento possibile di un
MOSFET per realizzare la funzione descritta riportato nella Fig.7.9. Stadi di
questo tipo, in cui il Gate (Base) connesso ad un punto a potenziale fisso, sono
anche per questo detti stadi Gate (Base) a massa. In queste configurazioni si
sfrutta la propriet dei transistori di trasmettere il segnale di corrente pressoch
inalterato tra Source (Emettitore) e Drain (Collettore), di presentare al Source
(Emettitore) una bassa impedenza (1/g
m
) e di erogare la corrente dal morsetto di
R
S I
S
sorgente carico
R
L
I
L
R
S I
S
sorgente buffer
R
IN
R
S
I
B
R
U
R
L
I
B
carico
R
L
I
L


Fig. 7.8 Schema di trasferimento di un segnale di corrente i
s
al carico R
L

tramite un buffer di corrente.
Appunti del corso di Elettronica Analogica- Prof. Marco Sampietro POLIMI 24
Drain (Collettore) ad alta impedenza (r
o
).
Nellesempio specifico della figura, il FET polarizzato attraverso R
1
. Sul
segnale, il condensatore di disaccoppiamento un cortocircuito ed il segnale di
corrente erogato, i
s
, si ripartisce tra le tre resistenze R
s
,R
1
e la resistenza vista nel
Source, 1/g
m
. Se si progettato il circuito in modo che 1/g
m
<<R
S
, la corrente i
s

iniettata per la maggior parte nel terminale di Source e da l trasferita al Drain ed
erogata ai morsetti di R
L
anche nel caso di R
L
grande. Se R
L
fosse stata collegata
direttamente al generatore i
s
, la partizione con R
s
avrebbe ridotto la quantit in
essa circolante.


E 7.10
Si consideri il circuito della Fig.7.9. Sia R
s
=1kO, E=5V, il MOSFET
abbia V
T
=1V e k=-10mA/V
2
ed R
L
=1kO.
a) Determinare la frazione di corrente che sarebbe fluita nel carico se
R
L
fosse stata connessa direttamente al generatore reale di segnale,
senza linterposizione dello stadio disaccoppiatore.
b) Polarizzare il FET affinch la sua resistenza di ingresso sia <100O .
c) Determinare C perch siano trasmessi i segnali maggiori di 1kHz.
d) Rappresentare su di un grafico landamento del potenziale V
u
a
seguito dellapplicazione di un segnale i
s
=A1(t) con A=0.1mA.
e) Quali caratteristiche dovrebbe avere il MOSFET per consentire
laccoppiamento in continua tra lo stadio ed il generatore?

(a) - 50%
(b) - V
GS
<0.5V; per esempio con V
GS
=0.4V, I
D
=3.6mA, R
1
=1.4kO, 1/g
m
=83O,
V
GD
=1.4V (FET in saturazione).
(c) - C>160nF


Fig. 7.9 Esempio di circuito di disaccoppiamento per segnali di corrente
utilizzante un pMOSFET polarizzato con il Gate a massa.
Appunti del corso di Elettronica Analogica- Prof. Marco Sampietro POLIMI 25
(d) - V
u
transisce a gradino da -1.4V a -1.5V, quindi ritorna al suo valore
stazionario con una costante di tempo pari a circa 160s, per la presenza del
condensatore di disaccoppiamento.
(e) - Il MOSFET dovrebbe operare a V
GS
=0, quindi deve essere un MOSFET a
svuotamento come quello nella figura. Tuttavia il MOSFET dato per V
GS
=0
porterebbe troppa corrente, 10mA, e quindi opererebbe in zona ohmica. Infatti
gi con 4mA in R
L
il FET al bordo della condizione di saturazione (V
GS
=1V).
Si dovrebbe scegliere, quindi, un MOSFET con k minore. Se k=3.6mA/V
2
il FET
avrebbe la corrente di 3.6mA per V
GS
=0. Ovviamente bisognerebbe ritoccare il
valore di R
L
.

E 7.11 Sia dato il circuito della figura seguente.

R
v
L
u
R
1
i
s
+ 6 V
4k
6k
R
50 O
10k
o
700
v
in
- 6 V
V =5.3 V
z
E

La corrente di segnale erogata da un generatore forzante trasmessa
attraverso un cavo coassiale di impedenza caratteristica 50O ed uno
stadio Base a massa su una resistenza di carico R
L
.
a) Studiare la polarizzazione dello stadio.
b) Scegliere il valore di R
o
per terminare correttamente il cavo coassiale
su una resistenza pari a 50O.
c) Valutare lintervallo di valori in cui pu variare il segnale i
s
senza far
uscire il BJT dalla sua zona attiva di funzionamento.

(a) - V
E
=0V, I
C
=1mA, V
u
=-2V, 1/g
m
=25O.
(b) - R
o
=25O.
(c) - Lintervallo -1mA<i
s
<0.45mA. Il primo limite imposto dalla
interdizione del BJT a cui sarebbe sottratta tutta la corrente di polarizzazione e si
troverebbe quindi con corrente nulla. Il secondo determinato dalla condizione
di saturazione (V
EC
>0.2V).


Appunti del corso di Elettronica Analogica- Prof. Marco Sampietro POLIMI 26
E 7.12 Nel circuito studiato nellesercizio precedente, si aggiunga alla
resistenza R
L
lo stadio della figura seguente, che realizza un follower per
erogare il segnale di tensione a bassa impedenza.

R
L
R
1
i
s
+ 6 V
4k
6k
R
50 O
o v
i n
- 6 V
12k
1.9k
1.5k
700
5.3V
v
u
10k

a) Calcolare il valore stazionario di V
u
.
b) Valutare la resistenza duscita del circuito.
c) Valutare il trasferimento v
u
/i
s




7.6 EFFETTI DELLA RESISTENZA DI USCITA FINITA DEI
TRANSISTORI

Fino ad ora abbiamo immaginato che i transistori utilizzati nei circuiti
disaccoppiatori avessero una resistenza di uscita infinita, conseguenza di una
V
A
=. Vediamo come la presenza di una resistenza r
0
di Drain (Collettore) finita
altera il comportamento dei circuiti fin qui visti. Con riferimento al caso del
disaccoppiatore di tensione (Fig.7.10) la resistenza r
0
del transistore pu essere
vista su segnale come posta tra Source (Emettitore) e lalimentazione. Pertanto:
- r
0
vista in parallelo a R
S
quando si calcola il trasferimento tra ingresso ed
uscita. Poich in un progetto ben fatto R
S
scelta grande, anzi spesso
corrisponde alla resistenza di uscita di un generatore di corrente, essa stessa
data da r
0
o maggiore, leffetto di r
0
di definire limpedenza di carico
interna del follower che si colloca in parallelo al carico esterno R
L
.
- r
0
vista in parallelo a 1/g
m
quando si calcola la resistenza di uscita del
buffer.
Appunti del corso di Elettronica Analogica- Prof. Marco Sampietro POLIMI 27
Poich in un progetto ben fatto r
0
>>1/g
m
, la presenza di r
0
non influisce sulle
prestazioni del circuito. Un valore finito di r
0
pregiudica le prestazioni del circuito
solo se diventa di valore confrontabile con 1/g
m
.


E 7.13 Riprendere il circuito dellesercizio E7.9 considerando ora V
A
=8V per
tutti i transistori.
R
1
390k
R
D
2.5k
+ 5V
R
2
110k
R
L
1k
v
in
1kO
sensore
C=
V
u
C=
carico
R
x
r
0
r
0
r
0 r
0


a) Calcolare la nuova polarizzazione del circuito.
b) Calcolare il guadagno totale e confrontarlo con quello calcolato
quando V
A
=.

R
L
R
S
V
u
V
in
r
0


Fig. 7.10 Visualizzazione della resistenza finita r
0
in uno stadio a follower
di tensione.