Fonctionnement des ordinateurs

Par : Nozha CHERIF

Nozha.cherif@esprit.tn

Fonctionnement des ordinateurs

Chapitre 3

Les mmoires

Par : Nozha CHERIF

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PLAN
Dfinition Critres de diffrences entre les types de mmoires Classification 1 des mmoires Classification 2 des mmoires Les mmoires mortes Les mmoires vives
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Dfinition
La mmoire est tout dispositif capable de retenir des donnes stockes sous la forme de suites de bits, afin qu'on puisse les rcuprer si ncessaire et les traiter.

Toutes les mmoires ne sont pas faites de la mme faon et il en existe diffrents types, chacun ayant ses avantages et ses inconvnients.

Critres de diffrence entre les mmoires:

La capacit: nombre maximal de
bits qu'elle peut stocker.
Quelques mesures : un kibioctet = 1024 octets un mbioctet = 1 1 048 576 octets un gibioctet = 1 073 741 824 octets. De mme: un kibibit = 1024 bits un mbibit = 1 1 048 576 bits un gibibit = 1 073 741 824 bits.

Volatilit :
Mmoires Non-volatiles Conservent leurs informations quand on coupe le courant

Mmoires Volatiles Perdent leurs informations lors d'une coupure de l'alimentation

Accs linformation :
Comment les informations stockes en mmoire sont elles accdes: lecture seulement? criture seulement? Lecture et criture?
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Classification 1 des mmoires

On peut classer les mmoires selon leur loignement du processeur:
+ cher

Cot

Classification 1 des mmoires

les registres sont les lments de mmoire les plus rapides. Ils sont situs au niveau du processeur, fonctionnent sa vitesse et servent au stockage des oprandes et rsultats intermdiaires. la mmoire cache: Les donnes que le processeur traite doivent tre facilement accessibles proximit immdiate du CPU dans les mmoires caches disposes sur la mme puce que le processeur. Ce sont des mmoires trs rapides. Elles mettent la disposition du processeur les copies de quelques ensembles de donnes et d'instructions prises dans la mmoire centrale trop lente par rapport au processeur. Il y a gnralement deux niveaux de cache. La cache de niveau 1 tant plus rapide mais de taille plus restreinte que la cache de niveau 2.

Classification 1 des mmoires

la mmoire centrale contient les programmes (code + donnes) et est plus lente que les deux mmoires prcdentes, se prsente sous forme de barrettes disposes proximit du processeur et relies lui par le bus systme. Les informations y sont stockes sous forme lectronique comme pour les mmoires caches et les registres mais avec une technologie diffrente qui permet d'avoir pour une quantit plus importante de donnes pour un cot moindre. Elle est en contrepartie plus lente.C'est la raison pour laquelle les donnes y sont lues non pas une par une mais par blocs mis porte de main du processeur par l'entremise de la mmoire cache.
La mmoire d'appui est l'quivalent de la mmoire cache pour la mmoire de masse, prsente dans les systmes volus. la mmoire de masse est un support de stockage gnralement de grande capacit et sert au stockage et l'archivage des informations.Exemple: Les disques durs conservent les donnes sous forme magntique, les disques 8 optiques CD-ROM ou DVD

Classification 2 des mmoires

Les mmoires mortes (1/4)

Les mmoires mortes ou ROM (Read Only Memory) : o non volatiles o accdes en lecture en fonctionnement normal. o leur contenu: du code et des donnes qui ne sont pas amens changer souvent, contiennent des donnes indispensables au dmarrage comme: Le BIOS Basic Input/Output System est un programme permettant de piloter les interfaces d'entre-sortie principales du systme. Le chargeur d'amorce: un programme permettant de charger le systme d'exploitation en mmoire (vive) et de le lancer

Les ROM ont petit petit volu de mmoires mortes figes des mmoires programmables, puis reprogrammables. On distingue alors plusieurs types.
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Les mmoires mortes (2/4)

ROM Read Only Memory classiques:
Sont programmes ds la fabrication, inscrite directement sur une plaque de silicium. Le principe de ralisation de ces mmoires est le rseau de diodes.
Les niveaux '1' sont fournis au travers de rsistances lectriques relies la tension d'alimentation du circuit. Par endroits, des diodes forcent les bits de la ligne slectionne vers une tension qui correspond au niveau logique 0.

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Les mmoires mortes (3/4)

PROM Programmable ROM :
*mises au point la fin des annes 70 par la firme Texas Instruments. *caractrises par des milliers de fusibles ayant la possibilit d'tre grills grce dispositif appel programmateur de PROM qui produit une tension de 12 volts ce qui leur donnera l'tat 0. Cela est irrversible . *Elles sont programmables une seule fois et considres par la suite comme ROM classique.

EPROM Erasable Programmable ROM :

*peuvent tre effaces et rcrites plusieurs fois.
*Pour effacer une EPROM, il faut la retirer du circuit et soumettre la puce lectronique qu'elle contient, travers une fentre transparente en quartz un rayonnement ultra-violet. C'est un processus contraignant, (seule technologie d'effacement disponible l'poque). *Principe : Une charge d'lectrons est stocke dans la grille d'un transistor MOS ; une tension d'environ 25 V (environ moiti moins pour les modles rcents) est requise pour ce stockage lors de la programmation du composant. Si l'on 12 illumine la puce avec des UV-C, l'on fournit assez d'nergie aux lectrons pigs

Les mmoires mortes (4/4)

EEPROM Electrically Erasable Programmable ROM :
o peut tre efface plusieurs fois par un simple courant lectrique, sans qu'il ne soit ncessaire de la retirer de l'appareil qui la contient.

Flash :
o o o Cest une variante des mmoires EEPROM. Contrairement aux EEPROM classiques, utilisant 2 3 transistors par bit mmoriser, la Flash EPROM utilise un seul transistor. EEPROM classique peut-tre crite et lue mot par mot, alors que la Flash ne peut tre efface que par pages (la taille des pages tant en constante diminution). Les oprations dcriture et deffacement se font plus rapidement. Il sagit de la mmoire amovible idale pour les appareils photos numriques, les GSM, les PDA et linformatique embarque. On qualifie de flashage l'action consistant reprogrammer une EEPROM.
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Les mmoires vives

Les mmoires vives ou RAM (Random Access Memory) : o volatiles o Stocke le programme en cours dexcution. o Accessible en lecture et criture. o Mode daccs: alatoire (contrairement laccs squentiel avec les
anciennes mmoires o il fallait dfiler des kyrielle dinformations avant de trouver celles que lon cherche)

Il y a deux technologies de fabrication: statique et dynamique chacune son domaine dapplication.

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Les mmoires vives

SRAM: Static RAM:
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peu coteuses. Elles sont principalement utilises pour la mmoire centrale de l'ordinateur. Chaque bit d'une SRAM est form par une bascule constitue par 4 6 transistors. L'information stocke peut tre maintenue sans dgradation pendant une centaine d'heures. L'intrt de ce type de mmoire est sa vitesse.

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Les mmoires vives

DRAM: Dynamic RAM:
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Chaque bit d'une DRAM est constitu par un transistor et un condensateur : le condensateur dtermine la valeur du bit : le bit vaut 1 si le condensateur est charg, il vaut 0 dans le cas contraire. le transistor gre l'accs au condensateur L'inconvnient des DRAM est que le condensateur possde une tendance naturelle se dcharger. Pour que l'information reste cohrente, on va devoir raliser un rafrachissement de la mmoire toutes les quelques millisecondes. Ce rafrachissement consiste lire et rcrire la donne. Les avantages de la DRAM sont : - sa grande densit d'intgration (car un bit est reprsent par un transistor)

- son faible cot de fabrication - sa faible consommation lectrique (entre 1/6 1/2 de celle des SRAM). - En revanche le temps d'accs de la DRAM est plus important que celui de la SRAM (environ 50-70 ns).
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Les mmoires vives

DRAM: Dynamic RAM:
o Mmoire asynchrone : pour ce type de mmoire, l'intervalle de temps entre deux accs mmoire conscutif n'est pas rgulier. Le processeur ne sait donc pas quand l'information qu'il attend est disponible et doit attendre (wait-state) que la mmoire lui transmette les donnes. o Mmoire synchrone : la cadence de sortie des informations est rgulire, on vite ainsi les tats d'attente (wait state) du processeur.

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Les mmoires vives

Types de DRAM:
La proccupation des constructeurs de mmoire est triple : ils cherchent obtenir des mmoires de plus en plus grosses et de plus en plus rapides un prix toujours moindre.

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Structure interne de la RAM

Structure simple (linaire):

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Structure interne de la RAM

Structure matrice :
Adressage en lignes et colonnes (rows and columns) La distinction numro de ligne/ numro de colonne (multiplexs sur les mmes contacts) est rendue possible par l'ajout de signaux sur le bus de contrle : RAS (Row address Strobe) et CAS (Column address Strobe)

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Caractristiques
Temps daccs:
Les mmoires statiques (SRAM) ont des temps d'accs trs courts adapts aux frquences des processeurs qui en font les candidates idales pour les mmoires cache. Les mmoires dynamiques (DRAM) ont des temps d'accs suprieurs. Elles sont organises en matrices et l'adressage qui y slectionne successivement les lignes et les colonnes, ncessite un temps de latence qui vaut plusieurs cycles du processeur. Pour gagner du temps, les barrettes mmoires sont organises en bancs, gnralement quatre, entre lesquels sont distribues une une les adresses successives. Ainsi s'il faut accder quatre donnes contigus, l'accs la premire require des priodes d'attente qui ne sont plus ncessaires pour les trois donnes suivantes puisque les quatre adressages ont pu se faire presque simultanment. On dit que les donnes sont traites en mode rafale (burst mode).
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Les barrettes mmoires RAM

SIMM: Single Inline Memory Module:
o modules mmoire une range de contacts. En fait, il y a des contacts sur les deux faces mais ils sont relis par des trous mtalliss. o Modles trs anciens pour RAM dynamiques FPM et EDO o Les SIMM 30 broches mmorisent les donnes par mots de 8 bits. Elles taient utilises l'poque des 486 et taient montes par "bancs" de quatre barrettes puisque le bus de donnes y avait une largeur de 32 bits. o Les SIMM 72 broches mmorisent les donnes par mots de 32 bits. Puisque le bus du Pentium communique sur une largeur de 64 bits, il faut monter ces barrettes par bancs de deux.

DIMM: Double Inline Memory Module:

o modules mmoire deux ranges de contacts. En augmentant le nombre de contacts par rapport aux barrettes SIMM les donnes peuvent tre changes par groupes de 64 bits, soit huit octets en une fois. Modles actuels pour SDRAM et DDRSDRAM

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