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memorias caractersticas , funcionamiento

Las Memorias RAM La memoria principal o RAM (acrnimo de Random Access Memory, Memoria de Acceso Aleatorio) es donde el PC guarda los datos que est utilizando en el momento. Se llama de acceso aleatorio porque el procesador accede a la informacin que est en la memoria en cualquier punto sin tener que acceder a la informacin anterior y posterior. Es la memoria que se actualiza constantemente mientras el PC est en uso y que pierde sus datos cuando el PC se apaga. FUNCIONAMIENTO DE LA MEMORIA RAM

Cuando las aplicaciones se ejecutan, primeramente deben ser cargadas en memoria RAM. El procesador entonces efecta accesos a dicha memoria para cargar instrucciones y enviar o retomar datos. Reducir el tiempo necesario para acceder a la memoria, ayuda a mejorar las prestaciones del sistema. La diferencia entre la RAM y otros tipos de memoria de almacenamiento, como los disquetes o discos duros, es que la RAM es mucho ms rpida, y se borra al apagar el PC. Es una memoria dinmica, lo que indica la necesidad de recordar los datos a la memoria cada pequeo periodo de tiempo, para impedir que esta pierda la informacin. Eso se llama Refresco. Cuando se pierde la alimentacin, la memoria pierde todos los datos. Random Access, acceso aleatorio, indica que cada posicin de memoria puede ser leda o escrita en cualquier orden. Lo contrario seria el acceso secuencial, en el cual los datos tienen que ser ledos o escritos en un orden predeterminado. Las memorias poseen la ventaja de contar con una mayor velocidad, mayor capacidad de almacenamiento y un menor consumo. Es preciso considerar que a cada bit de la memoria le corresponde un pequeo condensador al que le aplicamos una pequea carga elctrica y que mantienen durante un tiempo en funcin de la constante de descarga. Generalmente el refresco de memoria se realiza cclicamente y cuando esta trabajando el DMA. El refresco de la memoria en modo normal esta a cargo del controlador del canal que tambin cumple la funcin de optimizar el tiempo requerido para la operacin del refresco. Posiblemente, en ms de una ocasin en el PC aparecen errores de en la memoria debido a que las memorias que se estn utilizando son de una velocidad inadecuada que se descargan antes de poder ser refrescadas. Las posiciones de memoria estn organizadas en filas y en columnas. Cuando se quiere acceder a la RAM se debe empezar especificando la fila, despus la columna y por ltimo se debe indicar si deseamos escribir o leer en esa posicin. En ese momento la RAM coloca los datos de esa posicin en la salida, si el acceso es de lectura o toma los datos y los almacena en la posicin seleccionada, si el acceso es de escritura. La cantidad de memoria Ram de nuestro sistema afecta notablemente a las prestaciones,

fundamentalmente cuando se emplean sistemas operativos actuales. En general, y sobretodo cuando se ejecutan mltiples aplicaciones, puede que la demanda de memoria sea superior a la realmente existente, con lo que el sistema operativo fuerza al procesador a simular dicha memoria con el disco duro (memoria virtual). Los sistemas avanzados emplean RAM entrelazada, que reduce los tiempos de acceso mediante la segmentacin de la memoria del sistema en dos bancos coordinados. Durante una solicitud particular, un banco suministra la informacin al procesador, mientras que el otro prepara datos para el siguiente ciclo; en el siguiente acceso, se intercambian los papeles. Hay que tener en cuenta que el bus de datos del procesador debe coincidir con el de la memoria, y en el caso de que no sea as, esta se organizar en bancos, habiendo de tener cada banco la cantidad necesaria de mdulos hasta llegar al ancho buscado. el PC slo trabaja con bancos completos, y stos slo pueden componerse de mdulos del mismo tipo y capacidad. Como existen restricciones a la hora de colocar los mdulos, hay que tener en cuenta que no siempre podemos alcanzar todas las configuraciones de memoria. Tenemos que rellenar siempre el banco primero y despus el banco nmero dos, pero siempre rellenando los dos zcalos de cada banco (en el caso de que tengamos dos) con el mismo tipo de memoria. Tipos de memorias RAM: DRAM (Dynamic RAM), RAM dinmica SRAM (Static RAM), RAM esttica Los dos tipos difieren en la tecnologa que usan para almacenar los datos. La RAM dinmica necesita ser refrescada cientos de veces por segundo, mientras que la RAM esttica no necesita ser refrescada tan frecuentemente, lo que la hace ms rpida, pero tambin ms cara que la RAM dinmica. Ambos tipos son voltiles, lo que significa que pueden perder su contenido cuando se desconecta la alimentacin.

Siglas de Static Random Access Memory, es un tipo de memoria que es ms rpida y fiable que la ms comn DRAM (Dynamic RAM). El trmino esttica viene derivado del hecho que necesita ser refrescada menos veces que la RAM dinmica. Los chips de RAM esttica tienen tiempos de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos, mientras que las RAM dinmicas estn por encima de 30, y las memorias bipolares y ECL se encuentran por debajo de 10 nanosegundos. Un bit de RAM esttica se construye con un --- como circuito flip-flop que permite que la corriente fluya de un lado a otro basndose en cual de los dos transistores es activado. Las RAM estticas no precisan de circuiteria de refresco como sucede con las RAMs dinmicas, pero precisan ms espacio y usan ms energa. La SRAM, debido a su alta velocidad, es usada como memoria cach. LA MEMORIA CACHE ES DEL TIPO SRAM Memorias cach: Son memorias de pequea capacidad. Normalmente una pequea fraccin de la memoria principal. Y pequeo tiempo de acceso. Este nivel de memoria se coloca entre la CPU y la memoria central para nivelar velocidades y se la denomina L2(Nivel 2) y L1(Nivel 1).

DRAM

DRAM: acrnimo de Dynamic Random Access Memory, o simplemente RAM ya que es la original, y por tanto la ms lenta. Usada hasta la poca del 386, su velocidad de refresco tpica es de 80 70 nanosegundos (ns), tiempo ste que tarda en vaciarse para poder dar entrada a la siguiente serie de datos. Por ello, la ms rpida es la de 70 ns. Fsicamente, aparece en forma de DIMMs o de SIMMs, siendo estos ltimos de 30 contactos. FPM (Fast Page Mode): a veces llamada DRAM, puesto que evoluciona directamente de ella, y se usa desde hace tanto que pocas veces se las diferencia. Algo ms rpida, tanto por su estructura (el modo de Pgina Rpida) como por ser de 70 60 ns. Es lo que se da en llamar la RAM normal o estndar. Usada hasta con los primeros Pentium, fsicamente aparece como SIMMs de 30 72 contactos (los de 72 en los Pentium y algunos 486). Para acceder a este tipo de memoria se debe especificar la fila (pgina) y seguidamente la columna. Para los sucesivos accesos de la misma fila slo es necesario especificar la columna, quedando la columna seleccionada desde el primer acceso. Esto hace que el tiempo de acceso en la misma fila (pgina) sea mucho ms rpido. Era el tipo de memoria normal en los PC 386, 486 y los primeros Pentium y lleg a alcanzar velocidades de hasta 60 ns. Se presentaba en mdulos SIMM de 30 contactos (16 bits) para los 386 y 486 y en mdulos de 72 contactos (32 bits) para las ltimas placas 486 y las placas para Pentium.

EDO o EDO-RAM: Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la FPM. Permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores estn saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo ms rpida (un 5%, ms o menos). Mientras que la memoria tipo FPM slo poda acceder a un solo byte (una instruccin o valor) de informacin de cada vez, la memoria EDO permite mover un bloque completo de memoria a la cach interna del procesador para un acceso ms rpido por parte de ste. La estndar se encontraba con refrescos de 70, 60 50 ns. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168. La ventaja de la memoria EDO es que mantiene los datos en la salida hasta el siguiente acceso a memoria. Esto permite al procesador ocuparse de otras tareas sin tener que atender a la lenta memoria. Esto es, el procesador selecciona la posicin de memoria, realiza otras tareas y cuando vuelva a consultar la DRAM los datos en la salida seguirn siendo vlidos. Se presenta en mdulos SIMM de 72 contactos (32 bits) y mdulos DIMM de 168 contactos (64 bits). BEDO (burst Extended Data Output): Fue diseada originalmente para soportar mayores velocidades de BUS. Al igual que la memoria SDRAM, esta memoria es capaz de transferir datos al procesador en cada ciclo de reloj, pero no de forma continuada, como la anterior, sino a rfagas (bursts), reduciendo, aunque no suprimiendo totalmente, los tiempos de espera del procesador para escribir o leer datos de memoria. SDRAM: Sincronic-RAM. Es un tipo sncrono de memoria, que, lgicamente, se sincroniza con el procesador, es decir, el procesador puede obtener informacin en cada ciclo de reloj, sin estados de espera, como en el caso de los tipos anteriores. Slo se presenta en forma de DIMMs de 168 contactos. SDRAM funciona de manera totalmente diferente a DRAM, FPM y EDO transmiten los datos mediante seales de control, en la memoria SDRAM el acceso a los datos esta sincronizado con una seal de reloj externa. La memoria EDO est pensada para funcionar a una velocidad mxima de BUS de 66 Mhz, llegando a alcanzar 75MHz y 83 MHz. Sin embargo, la memoria SDRAM puede aceptar velocidades de BUS de hasta 100 MHz, lo que dice mucho a favor de su estabilidad y ha llegado a alcanzar velocidades de 10 ns. Se presenta en mdulos DIMM de 168 contactos (64 bits). El ser una memoria de 64 bits, implica que no es necesario instalar los mdulos por parejas de mdulos de igual tamao, velocidad y marca

PC-100 DRAM: Este tipo de memoria, en principio con tecnologa SDRAM, aunque tambin la habr EDO. La especificacin para esta memoria se basa sobre todo en el uso no slo de chips de memoria de alta calidad, sino tambin en circuitos impresos de alta calidad de 6 o 8 capas, en vez de las habituales 4; en cuanto al circuito impreso este debe cumplir unas tolerancias mnimas de interferencia elctrica; por ltimo, los ciclos de memoria tambin deben cumplir unas especificaciones muy exigentes. MEMORIAS RDRAM RIMM - RAMBUS Los mdulos de memoria RIMM utilizan una tecnologa denominada RDRAM desarrollada por Rambus Inc. a mediados de los aos 90 con el fin de introducir un mdulo de memoria con niveles de rendimiento muy superiores a los mdulos de memoria SDRAM de 100 Mhz y 133 Mhz disponibles en aquellos aos (finales de los 90's). Los mdulos RIMM RDRAM cuentan con 184 pins y debido a sus altas frecuencias de trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una placa metlica que recubre los chips del mdulo. Se basan en un bus de datos de 16 bits y estn disponibles en velocidades de 300MHz (PC-600), 356 Mhz (PC-700), 400 Mhz (PC-800) y 533 Mhz (PC-1066) que por su pobre bus de 16 bits tenia un rendimiento 4 veces menor que la DDR. La RIMM de 533MHz tiene un rendimiento similar al de un mdulo DDR133, a parte de que sus latencias son 10 veces peores que la DDR. Inicialmente los mdulos RIMM fueron introducidos para su uso en servidores basados en Intel Pentium III. Rambus no manufactura mdulos RIMM si no que tiene un sistema de licencias para que estos sean manufacturados por terceros siendo Samsung el principal fabricante de stos. A pesar de tener la tecnologa RDRAM niveles de rendimiento muy superiores a la tecnologa SDRAM y las primeras generaciones de DDR RAM, debido al alto costo de esta tecnologa no han tenido gran aceptacin en el mercado de PCs. Su momento lgido tuvo lugar durante el periodo de introduccin del Pentium 4 para el cual se disearon las primeras placas base, pero Intel ante la necesidad de lanzar equipos ms econmicos decidi lanzar placas base con soporte para SDRAM y ms adelante para DDR RAM desplazando esta ltima tecnologa a los mdulos RIMM del mercado

Hola gente de taringa!.....En este post les voy a explicar como se coloca una memoria ram...
Primero empecemos por saber todo de las memorias ram DRAM: Las memorias DRAM (Dynamic RAM) fueron las utilizadas en los primeros mdulos (tanto en los SIMM como en los primeros DIMM). Es un tipo de memoria ms barata que la SDRAM, pero tambin bastante ms lenta, por lo que con el paso del tiempo ha dejado de utilizarse. Esta memoria es del tipo asncronas, es decir, que iban a diferente velocidad que el sistema, y sus tiempos de refresco eran bastante altos (del orden de entre 80ns y 70ns), llegando en sus ltimas versiones, las memorias EDO-RAM a unos tiempos de refresco de entre 40ns y 30ns.

SDRAM: Las memorias SDRAM (Synchronous Dynamic RAM) son las utilizadas actualmente (aunque por SDRAM se suele identificar a un tipo concreto de mdulos, en realidad todos los mdulos actuales son SDRAM). Son un tipo de memorias sncronas, es decir, que van a la misma velocidad del sistema, con unos tiempos de acceso que en los tipos ms recientes son inferiores a los 10ns, llegando a los 5ns en los ms rpidos. Las memorias SDRAM se dividen a su vez en varios tipos

SDR: Mdulo SDR. Se pueden ver las dos muescas de posicionamiento. Los mdulos SDR (Single Data Rate) son los conocidos normalmente como SDRAM, aunque, como ya hemos dicho, todas las memorias actuales son SDRAM. Se trata de mdulos del tipo DIMM, de 168 contactos, y con una velocidad de bus de memoria que va desde los 66MHz a los 133MHz. Estos mdulos realizan un acceso por ciclo de reloj. Empiezan a utilizarse con los Pentium II y su utilizacin llega hasta la salida de los Pentium 4 de Intel y los procesadores Athlon XP de AMD, aunque las primeras versiones de este ltimo podan utilizar memorias SDR. Este tipo de mdulos se denominan por su frecuencia, es decir, PC66, PC100 o PC133. DDR:

Mdulo DDR. Vemos que tiene una sola muesca de posicionamiento, situada a la derecha del centro del mdulo. Los mdulos DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) son una evolucin de los mdulos SDR. Se trata de mdulos del tipo DIMM, de 184 contactos y 64bits, con una velocidad de bus de

memoria de entre 100MHz y 200MHz, pero al realizar dos accesos por ciclo de reloj las velocidades efectivas de trabajo se sitan entre los 200MHz y los 400MHz. Este es un punto que a veces lleva a una cierta confusin, ya que tanto las placas base como los programas de informacin de sistemas las reconocen unas veces por su velocidad nominal y otras por su velocidad efectiva. Comienzan a utilizarse con la salida de los Pentium 4 y Thlon XP, tras el fracasado intento por parte de Intel de imponer para los P4 un tipo de memoria denominado RIMM, que pas con ms pena que gloria y tan slo lleg a utilizarse en las primeras versiones de este tipo de procesadores (Pentium 4 Willamette con socket 423). Se han hecho pruebas con mdulos a mayores velocidades, pero por encima de los 200MHz (400MHz efectivos) suele bajar su efectividad. Esto, unido al coste y a la salida de los mdulos del tipo DDR2, ha hecho que en la prctica slo se comercialicen mdulos DDR de hasta 400MHz (efectivos). Estas memorias tienen un consumo de entre 0 y 2.5 voltios. Este tipo de mdulos se est abandonando, siendo sustituido por los mdulos del tipo DDR2. DDR2: Mdulo DDR2. Vemos que tiene una sola muesca de posicionamiento, situada a la derecha del centro del mdulo, aunque ms hacia en centro que en los mdulos DDR. Tambin se puede apreciar la mayor densidad de contactos. Los mdulos DDR2 SDRAM son una evolucin de los mdulos DDR SDRAM. Se trata de mdulos del tipo DIMM, en este caso de 240 contactos y 64bits. Tienen unas velocidades de bus de memoria real de entre 100MHz y 266MHz, aunque los primeros no se comercializan. La principal caracterstica de estos mdulos es que son capaces de realizar cuatro accesos por ciclo de reloj (dos de ida y dos de vuelta), lo que hace que su velocidad de bus de memoria efectiva sea el resultado de multiplicar su velocidad de bus de memoria real por 4. Esto duplica la velocidad en relacin a una memoria del tipo DDR, pero tambin hace que los tiempos de latencia sean bastante ms altos (pueden llegar a ser el doble que en una memoria DDR). El consumo de estas memorias se sita entre los 0 y 1.8 voltios, es decir, casi la mitad que una memoria DDR. Tanto las memorias DDR como las memorias DDR2 se suelen denominar de dos formas diferentes, o bien en base a su velocidad de bus de memoria efectiva (DDR-266, DDR-333, DDR400, DDR2-533, DDR2-667, DDR2-800) o bien por su ancho de banda terico, es decir, por su mxima capacidad de transferencia (PC-2100, PC-2700 y PC-3200 en el caso de los mdulos DDR y PC-4200, PC-5300 y PC-6400 en el caso de los mdulos DDR2). El Ancho de banda de los mdulos DDR y DDR2 se puede calcular multiplicando su velocidad de bus de memoria efectiva por 8 (DDR-400 por 8 = PC-3200). El ltimo y ms reciente tipo de memorias es el DDR3.

Mdulo DDR. Vemos que tiene una sola muesca de posicionamiento, situada en esta ocasin a la

izquierda del centro del mdulo. Este tipo de memorias (que ya han empezado a comercializarse, y estn llamadas a sustituir a las DDR2) son tambin memorias del tipo SDRAM DIMM, de 64bits y 240 contactos, aunque no son compatibles con las memorias DDR2, ya que se trata de otra tecnologa y adems fsicamente llevan la muesca de posicionamiento en otra situacin. Segn las informaciones disponibles se trata de memorias con una velocidad de bus de memoria real de entre 100MHz y 250MHz, lo que da una velocidad de bus de memoria efectiva de entre 800MHz y 2000MHz (el doble que una memoria DDR2 a la misma velocidad de bus de memoria real), con un consumo de entre 0 y 1.5 voltios (entre un 16% y un 25% menor que una DDR2) y una capacidad mxima de transferencia de datos de 15.0GB/s. En cuanto a la medida, en todos los casos de memorias del tipo SDRAM (SDR, DDR, DDR2 y DDR3) se trata de mdulos de 133mm de longitud. En cuanto a su instalacin, pueden ver una amplia informacin de cmo se instalan en el tutorial Instalacin y ampliacin de mdulos de memoria.. Una cuestin a considerar es que estos tipos de mdulos no son compatibles entre s, para empezar porque es fsicamente imposible colocar un mdulo en un banco de memoria que no sea de su tipo, debido a la posicin de la muesca de posicionamiento. Hay en el mercado un tipo de placas base llamadas normalmente duales (OJO, no confundir esto con la tecnologa Dual Channel) que tienen bancos para dos tipos de mdulos (ya sean SDR y DDR o DDR y DDR2), pero en estos casos tan slo se puede utilizar uno de los tipos. Esto quiere decir que en una placa base dual DDR - DDR2, que normalmente tiene cuatro bancos (dos para DDR y otros dos para DDR2), podemos poner dos mdulos DDR o dos mdulos DDR2, pero NO un mdulo DDR y otro DDR2 o ninguna de sus posibles combinaciones. Es decir, que realmente slo podemos utilizar uno de los pares de bancos, ya sea el DDR o el DDR2. Cunta memoria RAM es necesaria? No te engaes: cuanta ms, mejor. Claro est que vale dinero, as que intentaremos llegar a un compromiso satisfactorio, pero nunca quedndonos cortos. Ante todo, no te quejes: hoy en da el mega de RAM cuesta mucho menos que antes. La cantidad de RAM necesaria es funcin nicamente de para qu uses tu computadora, lo que condiciona qu sistema operativo y programas usas (aunque en ocasiones este orden lgico se ve trgicamente alterado). Actualmente, la cantidad mnima recomendada de RAM son 512 MB. Aunque los nuevos sistemas operativos, como Windows Vista, funcionan mejor con 1 GB o ms.

Ahora pasemos a esplicar como se coloca una memoria RAM 1_ Apague el ordenador, el monitory todos los accesorios. Mantenga conectado el cable de alimentacion del ordenador. Toque ligeramente una parte metalica de la carcasa del ordenador que no este pintad.

Hagalo de nuevo cada vez que se vaya y vuelva a tocar un componente interno. 2_Seleccione una ranura de memoria que este libre. 3_Asegurese de que los cierres (a ambos lados de la ranura) queden desbloqueados presionandolos hacia fuera, de forma que el modulo se pueda insertar facilmente 4_Inserte el modulo en la ranura. La muescaen la parte inferior del modulo (es el pocito del centro de la memoria ram)que va a corresponder con una marca en la ranura. 5_Presione firmemente sobre la parte superior del modulo. Los pasadores blancos de sujecion debera hacer un chasquido al fijarce en su sitio, reposando sobre las muescas situadas a ambos lados del modulo.

partes de una computadora con imagenes

Partes de una computadora 1. Monitor 2. Placa base 3. CPU 4. Memoria de computadora (RAM) 5. Tarjeta de expansin 6. Fuente de alimentacin 7. Disco ptico 8. Disco duro 9. Teclado 10. Mouse 11. Gabinete

Componentes de una PC

En lneas generales, una PC actual se compone mnimamente de:

CPU: la unidad central de procesamiento es quien se encarga de procesar toda la informacin. Monitor: es la pantalla donde se visualiza la informacin tanto mostrada por las solicitudes del usuario como por los ingresos de datos realizados por el mismo. Teclado: es el medio principal de ingreso de datos al PC; es de tipo qwerty, en general de 101 teclas pero actualmente existen muchos otros modelos. Mouse: es un dispositivo de entrada de datos muy utilizado actualmente para dar rdenes al computador; es el principal factor de mejoramiento de las interfaces grficas de usuario, puesto que con pocos movimientos y clicks nos evita tener que escribir comandos por teclado. Impresora: este dispositivo de salida nos permite imprimir la informacin ne- cesaria para evitar verla en pantalla o bien para hacerla transportable y/o pre- sentarla a quienes la soliciten. El gabinete: es el chasis de la computadora. Dentro de l se encuentran todos los dispositivos principales: fuente de alimentacin, microprocesador, memorias, tarjeta de vdeo, tarjeta de sonido, motherboard, ventiladores, etc. Pue- den tener tambin disposicin vertical u horizontal. La eleccin depende de cada uno. Para PCs que deben abrirse regularmente, es recomendable el gabi- nete vertical. Hay dos tipos principales: AT y ATX. La especificacin AT es casi la misma que la del IBM XT, con modificaciones para encajar en una carcasa de su tipo. Este formato debe su xito a la flexibilidad de su diseo, aunque dicha flexibilidad sea as mismo su principal fuente de problemas: - Es difcil instalar placas grandes en los slots de expansin puesto que sus sis- temas de refrigeracin requieren de coolers ms grandes. - La actualizacin de determinados componentes se convierte en un castigo al tener que desmontar medio ordenador hasta llegar a ellos con holgura. - El propio diseo AT dificulta la integracin de componentes adicionales como controladora grfica, de sonido o soporte para una red local. El gabinete AT es compacto, econmico y con una fuente estndar de 250 watts. Es el que ms se utilizaba anteriormente en el armado de los PC compa- tibles. Hoy existen gabinetes mucho ms elaborados, donde no slo se tuvo en cuenta su diseo exterior sino algo mucho ms importante, el diseo interior, que permite mejor flujo de aire y distribucin correcta de los dispositivos internos. As naci el estndar ATX, que puede ser minitower, midtower o tower (comnmente utilizados para servidores). Es recomendable cuando se piensa agregar: DVDs, grabadores de CD, otro disco, placa de red, placa de captura de vdeo, etc.). El ATX trae una fuente ms depurada con controles especiales y potencia de 300 watts, permite un solo conector a la alimentacin principal, ubica al microprocesador de modo que no interfiera con otras placas, la memo- ria RAM es ms fcil de instalar, poseen mejor ventilacin, los conectores de teclado y mouse son estandarizados (PS/2), espacio para puertos USB o placas on-board, no obstante todo esto dependa del mainboard, pero que facilita las tareas de mantenimiento. El interior de la CPU o gabinete Motherboard o placa madre del PC: es la placa ms grande e importante existente en el computador. Se ubica en el fondo del gabinete del PC. En ella se insertan el microprocesador, los las memorias, las tarjetas de control y expansin y los cables de comunicacin de las unidades de disco, CD, Zips, DVDs, etc. Como representa un componente central, debemos comprender cmo funciona y cmo esta distribuida a fin de diagnosticar acertadamente sus proble- mas. Microprocesador: ste es el corazn de la CPU. Se describe en trminos de procesamiento de

palabra, velocidad y capacidad de memoria asociada (Ej.: 32 bits, 333MHz, 64 MB). Buses o canales Son los caminos por los cuales los datos viajan internamente de una parte a otra de la computadora (CPU, disco rgido, memoria). En las computadoras mo- dernas hay buses, por ejemplo entre los puertos IDE y los drives, entre una placa aceleradora de vdeo y la memoria RAM, entre el mdem y el Chipset, etc. Pero los buses bsicos son: a) el bus local, que se compone de dos reas: bus de datos (dedicado a la transmisin de seales u rdenes), que comunica los diferentes componentes con la CPU y la memoria RAM, y el bus de direcciones, constituido por las lneas que dan a conocer las posiciones de ubicacin de los datos en la memoria (registros). b) el bus de expansin constituido por el conjunto de slots o ranuras en donde se insertan placas de sonido, vdeo, mdem, etc. que son de distintos ti-pos: ISA, que trabaja con un ancho de banda de 16 bits; VESA, que trabaja en 32 bits, pero cayo rpidamente en desuso al aparecer el PCI, cuyo ancho de banda es de 64 bits. Puertos: son puntos de conexin en la parte posterior del gabinete de la com- putadora a los que se conectan algunos canales. Permiten una conexin directa con el bus elctrico comn de la PC. Los puertos pueden ser: PUERTOS SERIE: facilitan la transmisin en serie de datos, un bit a la vez. Este tipo de puertos facilitan la vinculacin con impresoras y mdems de baja velocidad. PUERTOS PARALELO: habilitan la transmisin de datos en paralelo, es decir que se transmitan varios bits simultneamente y posibilitan la conexin con dispositivos tales como impresoras de alta velocidad, unidades de cinta magn- tica de respaldo y otras computadoras. Las ranuras de expansin y los puertos simplifican la adicin de dispositivos externos o perifricos. Existen muchos dispositivos que pueden incorporarse a una PC para permitirnos realizar diferentes funciones o cumplir con propsitos especficos. Otros dispositivos de entrada - Trackball: es una esfera insertada en una pequea caja que se hace girar con los dedos para mover el apuntador grfico. - Joystick: es una palanca vertical que mueve objetos en pantalla en la direc- cin en que se mueve la palanca. - Pantalla sensible al tacto: sirven cuando hay muchos usuarios no familiariza- dos con las computadoras. Puede ser sensible al tacto por la presin o por el calor. Son de muy baja velocidad. Dispositivos pticos de entrada - Lector ptico: usa la luz reflejada para determinar la ubicacin de marcas de lpiz en hojas de respuestas estndar y formularios similares. - Lector de cdigo de barras: Usa la luz para leer Cdigos Universales de Productos, creados con patrones de barras de ancho variable. Los cdigos de barra representan datos alfanumricos variando el ancho y la combinacin de las lneas verticales. Su ventaja sobre la lectura de caracteres es que la posicin u orientacin del cdigo que se lee no es tan importante para el lector. - Lpiz ptico: un haz de luz lee caracteres alfabticos y numricos escritos con un tipo de letra especial (tambin legible para las personas); estos lectores en general estn conectados a terminales de punto de venta donde el computa- dor efecta un reconocimiento ptico de caracteres (OCR).

magntica en los cheques. Un lector-ordenador MICR lee los datos y los ordena para el procesamiento que corresponda. Estos dispositivos de reconocimiento son ms rpidos y precisos que los OCR. - Lectora de bandas magnticas: aquellas bandas del reverso de las tarjetas de crdito ofrecen otro medio de captura de datos directamente de la fuente. Se codifican en las bandas los datos apropiados y stas contienen muchos ms datos por unidad de espacio que los caracteres impresos o los cdigos de ba- rras. Adems son perfectas para almacenar datos confidenciales. - Digitalizador de imgenes (scanner): puede obtener una representacin digi- tal de cualquier imagen impresa. Convierte fotografas, dibujos, diagramas y otra informacin impresa en patrones de bits que pueden almacenarse y manipularse con el software adecuado. Lectora de caracteres magnticos: lee los caracteres impresos con tinta - Cmara digital: permite obtener imgenes digitales; no se limita a capturar imgenes impresas planas; registra lo mismo que una cmara normal, slo que en lugar de registrarlas en pelcula, las almacena en patrones de bits en discos u otros medios de almacenamiento digital. - Digitalizador de audio: permite digitalizar sonidos de micrfonos y otros dispositivos de sonido. - Digitalizador de vdeo: placa que captura entradas de una fuente de vdeo y las convierte en una seal digital almacenable en memoria y presentable en la pantalla de computador. Dispositivos de almacenamiento secundario La memoria RAM, es voltil al apagar la mquina, y la ROM no puede guardar nada nuevo. Estos dispositivos permiten a la computadora guardar informacin a ser recuperada posteriormente. El almacenamiento secundario es ms econ- mico y de mayor capacidad que el primario. Discos magnticos Por su capacidad de acceso aleatorio, son el medio ms popular para el almace- namiento de datos. Hay dos tipos: - Discos flexibles o diskettes: son pequeos crculos de plstico flexible con sensibilidad magntica encerrados en un paquete de plstico que puede ser rgido (3.5) o flexible (5.25). Es econmico, prctico y confiable, pero tiene poca capacidad de almacenamiento y velocidad para trabajos de gran magnitud (1.2 y 1.44 MB). Estos discos se pueden extraer y luego reinsertar. - Discos duros o rgidos: son dispositivos clave de almacenamiento de la infor- macin en las computadoras. Merecen un especial estudio a fin de conocer cmo instalarlo y mantenerlo. Un disco rgido se compone de varios platos metlicos organizados en su interior los cuales pueden leerse de ambos lados. Las cabezas de lectura, o sea las bobinas en los extremos de los brazos, emiten pulsos elctricos movindose desde fuera hacia dentro y viceversa. Normalmente, un archivo se almacena diseminado en pistas, sectores y cilin- dros (forma en que se clasifican los platos metlicos), se graba en las caras de los distintos platos simultneamente, porque la estructura que sostiene los brazos con sus cabezas de lecto-escritura mueve todo el conjunto de cabezas al mismo tiempo. El disco duro magnetiza los platos metlicos para poder grabar mientras los platos giran a altas velocidades. Durante el curso veremos cmo se organiza la informacin en un disco rgido. Discos pticos

Utilizan rayos lser para leer y escribir la informacin en la superficie del dis- co. Aunque no tan rpidos como los discos duros, los discos pticos ofrecen gran espacio para almacenar datos. CD-ROM: (Compact Disc-Read Only Memory) son unidades pticas capaces de leer discos de datos fsicamente idnticos a un disco compacto musical. Son menos sensibles a las fluctuaciones ambientales y proporcionan mayor capaci- dad de almacenamiento a un costo menor. DVD: Digital Versatile Disc, son dispositivos pticos que almacenan unas ocho veces el contenido de un CD-ROM por lo cual su capacidad de almacenamiento se mide en GBytes. Existen dispositivos como los DVD-RAM, que permiten gra- bar esta cantidad de informacin en los soportes de informacin Presentacin de las Piezas: Tarjeta de video: Dispositivo que permite la conexin del monitor, para po- der lograr ver la informacin en pantalla. Las tarjetas de video en su presentacin estndar es como se indica en la imagen, estas pueden venir incorporadas en la plaqueta Madre o pueden ser de tecnologas ISA, PCI y AGP, luego veremos ms adelante cuales son las ventajas de cada una de estas.

Gabinetes Es simple, el Gabinete es como el crneo de nuestro cerebro. Es la casa y el protector de nuestras computadoras. Y si, puedes tener una computadora sin gabinete, pero tomas es el riesgo de no proteger los componentes ms impor- tantes. El gabinete tambien tiene mucha influencia en la velocidad y la duracin de tu computadora. Como? Porque? Bueno, como el gabinete es el hogar de la computadora, debe asegurar la circulacin del aire. Y como ya sabemos, los dispositivos electricos se calientan bastante y si este aire se queda adentro del gabinete, pues todos los dispositivos se van a ir daando poco a poco hasta morir completamente. NO SOLO YO, pero millones alrededor del mundo han de- mostrado la diferencia en velocidad cuando tienes un gabinete que te enfria bien los dispositivos y tambien te circula el aire. Elige tu gabinete en lo posible Tenemos que considerar varias cosas antes de elegir un gabinete:

Es bueno pensarlo bien y anotar cosas antes de elegir un gabinete. Tienes que hacerte preguntas como Le caben 2 discos rigidos? Le caben 4 CD-ROMS? Es Mid-ATX, Mini, le va caber mi placa madre? La circulacin de aire ser buena? Esto lo voy a explicar bien porque uno de los errores que uno comete al comprar un gabinete es no poder modificarlo, osea agregarle cosas despues. En muchos casos tambien, tu puedes comprar un gabinete pequeo, donde para sacar el disco duro vas a tener que sacar la fuente de alimentacion y desconec- tar todas los conectores - Este es el tipo de incomodidad que queremos evitar. Circulacin de Aire El gabinete tiene lugares donde poner ventiladores extras para refrige- rar mi sistema? Esto es muy importante actualmente. Cuando el gabinete se encuentra cerrado debe tener ventiladores que produzcan un flujo de aire de- ntro de nuestro gabinete asi la temperatura de nuestro sistema es baja y funciona correctamente. Al menos debe tener lugar para 2 ventiladores de 80x80x25 mm. Uno en la parte baja del frente y otro en la parte superior trasera. Lo que genera un buen flujo de aire, ya que las molculas ms calientes tienden a subir, entonces tomamos aire fresco con el ventilador delantero y sacamos el aire caliente por el ventilador trasero. La siguiente imagn muestra a las claras lo escrito anteriormente.

Si no tiene los ventiladores, al menos que tenga los emplazamientos para poner estos ventiladores, as como con una tobera de ventilacin en la tapa lateral que quede sobre el disipador del procesador, para evacuar o permitir la entra- da de aire directamente a este. Es muy importante que tenga un nmero alto de rejillas u orificios de entrada de aire. Muchos gabinetes de calidad incorporan filtros para las entradas de aire, evitando as la entrada de polvo al inter- ior de la caja. Esto es

muy importante para una buena conservacin de los elementos que instalemos. Tornillos/No Tornillos Si t eres una persona como yo que vive sacndole y ponindole nuevos disposi- tivos al gabinete, pues quizas te interese comprar un Gabinete que no use tor- nillos. Estos estan ya muy populares y no existe mucha diferencia en precio con aquellos que usan tornillos. El gabinete que yo tengo en la sala de mi casa no usa tornillos. Pues cuando le quiero agregar/quitar un CD-ROM es super comodo hacerlo. El gabinete trae unas placas cuales le conectas al lado al CD-ROM o disco duro. Esta placa se conecta donde van los tornillos. Despues de conectar la placa, lo entras al GABINETE y el dispositivo se va a sentar automaticamen- te. Para sacar, empujas las placas por los lados y asi de facil como entr asi defacil va a salir. Para aquellos que no piensan sacar/entrar dispositivos a cada rato, pues pueden usar los de tornillos. Fuente de alimentacin Aunque la tendencia actual (sobre todo en gabinetes de gama media-alta y alta) es a que los gabinetes vengan sin fuente de alimentacin para que nosotros pongamos la que deseemos, algunos gabinetes s que traen incorporada dicha fuente. Debemos asegurarnos en ese caso de que se trate de una fuente de alimentacin de buena calidad y con la potencia suficiente para nuestro equipo (como mnimo 450w). Tambin debemos asegurarnos de que tenga las salidas de alimentacin que vamos a necesitar. La norma actual para las salidas de alimentacin es la ATX 2.2, con un conector ATX de 24 pines y un segundo conector de 4 pines. En cuanto a la sujecin, la estandarizada es mediante 4 tornillos traseros, co- locados de forma asimtrica. Extra Puertos Muchos de los gabinetes de ahora traen puertos delanteros y hasta en los la- dos, as como tomas para auriculares y micrfono Esto es sper cmodo ya que no tienes que irte para la parte trasera de tu gabinete a conectar algo. Mis cmaras digitales por ejemplo, estas las desconecto a cada rato y teniendo puertos USB y FireWire delante del gabinete evita incomodidad. Recuerden que sus placas madres tienen que traer la conexin para los puertos delanteros,la conexin delantera depende del Motherboard no del gabinete. Algunos gabinetes de calidad incluyen otras salidas, como puede ser IEEE1394 (firewire). NO 1) Los gabinetes pequeos no te permiten trabajar comodamente con los dispositivos 2) Al tener los dispositivos tan pegados el calor que produce uno se pasa al otro. RECOMIENDO gabinetes pequeos. Digo esto por dos razones. dentro del gabinete ya que todo esta tan pegado.

Memoria RAM registrada


Es un tipo de mdulo usado frecuentemente en servidores, posee circuitos integrados que se encargan de repetir las seales de control y direcciones: las seales de reloj son reconstruidas con ayuda del PLL que est ubicado en el mdulo mismo. Las seales de datos se conectan de la misma forma que en los mdulos no registrados: de manera directa entre los integrados de memoria y el controlador. Los sistemas con memoria registrada permiten conectar ms mdulos de memoria y de una capacidad ms alta, sin que haya perturbaciones en las seales del controlador de memoria, permitiendo el manejo de grandes cantidades de memoria RAM. Entre las desventajas de los sistemas de memoria registrada estn el hecho de que se agrega un ciclo de retardo para cada solicitud de acceso a una posicin no consecutiva y un precio ms alto que los mdulos no registrados. La memoria registrada es incompatible con los controladores de memoria que no soportan el modo registrado, a pesar de que se pueden instalar fsicamente en el zcalo. Se pueden reconocer visualmente porque tienen un integrado mediano, cerca del centro geomtrico del circuito impreso, adems de que estos mdulos suelen ser algo ms altos.4 Durante el ao 2006 varias marcas lanzaron al mercado sistemas con memoria FB-DIMM que en su momento se pensaron como los sucesores de la memoria registrada, pero se abandon esa tecnologa en 2007 dado que ofreca pocas ventajas sobre el diseo tradicional de memoria registrada y los nuevos modelos con memoria DDR3.5
FUNCIONAMIENTO DE LAS MEMORIAS RAM.

La memoria principal o RAM (acrnimo de Random Access Memory,Memoria de Acceso Aleatorio) es donde el ordenador guarda los datos que estutilizando en el momento presente. Se llama de acceso aleatorio porque el procesador accede a la informacin que est en la memoria en cualquier punto sin tener que accedera la informacin anterior y posterior. Es la memoria que se actualiza constantementemientras el ordenador est en uso y que pierde sus datos cuando el ordenador se apaga. Proceso de carga en la memoria RAM: Cuando las aplicaciones se ejecutan, primeramente deben ser cargadas enmemoria RAM. El procesador entonces efecta accesos a dicha memoria para cargar instrucciones y enviar o recoger datos. Reducir el tiempo necesario para acceder a la memoria, ayuda a mejorar las prestaciones del sistema. La diferencia entre la RAM yotros tipos de memoria de almacenamiento, como los disquetes o discos duros, es que laRAM es mucho ms rpida, y se borra al apagar el ordenador. Es una memoria dinmica, lo que indica la necesidad de recordar los datos ala memoria cada pequeos periodos de tiempo, para impedir que esta pierda lainformacin. Eso se llama Refresco. Cuando se pierde la alimentacin, la memoria pierde todos los datos. Random Access, acceso

aleatorio, indica que cada posicin de memoria puede ser leda o escrita en cualquier orden. Lo contrario seria el accesosecuencial, en el cual los datos tienen que ser ledos o escritos en un orden predeterminado. Las memorias poseen la ventaja de contar con una mayor velocidad, mayor capacidad de almacenamiento y un menor consumo. En contra partida presentan el CPU, Memoria y Disco Duro. Los datos de instrucciones cuando se carga un programa, se carga en memoria. (DMA) El inconveniente es de que precisan una electrnica especial para su utilizacin, la funcin de esta electrnica es generar el refresco de la memoria. La necesidad de los refrescos de las memorias dinmicas se debe al funcionamiento de las mismas, ya que este se basa en generar durante un tiempo la informacin que contiene. Transcurrido este lapso, la seal que contena la clula biestable se va perdiendo. Para que no ocurra esta perdida, es necesario que antes que transcurra el tiempo mximo que la memoria puede mantener la seal se realice una lectura del valor que tiene y se recargue la misma. Es preciso considerar que a cada bit de la memoria le corresponde un pequeo condensador al que le aplicamos una pequea carga elctrica y que mantienen durante un tiempo en funcin de la constante de descarga. Generalmente el refresco de memoria se realiza cclicamente y cuando esta trabajando el DMA. El refresco de la memoria en modo normal esta a cargo del controlador del canal que tambin cumple la funcin de optimizar el tiempo requerido para la operacin del refresco. Posiblemente, en ms de una ocasin en el ordenador aparecen errores de en la memoria debido a que las memorias que se estn utilizando son de una velocidad inadecuada que se descargan antes de poder ser refrescadas. Las posiciones de memoria estn organizadas en filas y en columnas. Cuando se quiere acceder a la RAM se debe empezar especificando la fila, despus la columna y por ltimo se debe indicar si deseamos escribir o leer en esa posicin. En ese momento la RAM coloca los datos de esa posicin en la salida, si el acceso es de lectura o coge los datos y los almacena en la posicin seleccionada, si el acceso es de escritura. La cantidad de memoria Ram de nuestro sistema afecta notablemente a las prestaciones, fundamentalmente cuando se emplean sistemas operativos actuales. En general, y sobretodo cuando se ejecutan mltiples aplicaciones, puede que la demanda de memoria sea superior a la realmente existente, con lo que el sistema operativo fuerza al procesador a simular dicha memoria con el disco duro (memoria virtual). Una buena inversin para aumentar las prestaciones ser por tanto poner la mayor cantidad de RAM posible, con lo que minimizaremos los accesos al disco duro. Los sistemas avanzados emplean RAM entrelazada, que reduce los tiempos de acceso mediante la segmentacin de la memoria del sistema en dos bancos coordinados. Durante una solicitud particular, un banco suministra la informacin al procesador, mientras que el otro prepara datos

para el siguiente ciclo; en el siguiente acceso, se intercambian los papeles. Los mdulos habituales que se encuentran en el mercado, tienen unos tiempos de acceso de 60 y 70 ns (aquellos de tiempos superiores deben ser desechados por lentos). Es conveniente que todos los bancos de memoria estn constituidos por mdulos con el mismo tiempo de acceso y a ser posible de 60 ns. Hay que tener en cuenta que el bus de datos del procesador debe coincidir con el de la memoria, y en el caso de que no sea as, esta se organizar en bancos, habiendo de tener cada banco la cantidad necesaria de mdulos hasta llegar al ancho buscado. Por tanto, el ordenador slo trabaja con bancos completos, y stos slo pueden componerse de mdulos del mismo tipo y capacidad. Como existen restricciones a la hora de colocar los mdulos, hay que tener en cuenta que no siempre podemos alcanzar todas las configuraciones de memoria. Tenemos que rellenar siempre el banco primero y despus el banco nmero dos, pero siempre rellenando los dos zcalos de cada banco (en el caso de que tengamos dos) con el mismo tipo de memoria. Combinando diferentes tamaos en cada banco podremos poner la cantidad de memoria que deseemos.

Tipos de memorias RAM: DRAM: Acrnimo de Dynamic Random Access Memory, o simplemente RAM ya que es la original, y por tanto la ms lenta. Usada hasta la poca del 386, su velocidad de refresco tpica es de 80 70 nanosegundos (ns), tiempo ste que tarda en vaciarse para poder dar entrada a la siguiente serie de datos. Por ello, la ms rpida es la de 70 ns. Fsicamente, aparece en forma de DIMMs o de SIMMs, siendo estos ltimos de 30 contactos. FPM (Fast Page Mode): A veces llamada DRAM, puesto que evoluciona directamente de ella, y se usa desde hace tanto que pocas veces se las diferencia. Algo ms rpida, tanto por su estructura (el modo de Pgina Rpida) como por ser de 70 60 ns. Es lo que se da en llamar la RAM normal o estndar. Usada hasta con los primeros Pentium, fsicamente aparece como SIMMs de 30 72 contactos (los de 72 en los Pentium y algunos 486). Para acceder a este tipo de memoria se debe especificar la fila (pgina) y seguidamente la columna. Para los sucesivos accesos de la misma fila slo es necesario especificar la columna, quedando la columna seleccionada desde el primer acceso. Esto hace que el tiempo de acceso en la misma fila (pgina) sea mucho ms rpido. Era el tipo de memoria normal en los ordenadores 386, 486 y los primeros Pentium y lleg a alcanzar velocidades de hasta 60 ns. Se presentaba en mdulos SIMM de 30 contactos (16 bits) para los 386 y 486 y en mdulos de 72 contactos (32 bits) para las ltimas placas 486 y las placas para Pentium. EDO o EDO-RAM:

Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la FPM. Permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores estn saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo ms rpida (un 5%, ms o menos). Mientras que la memoria tipo FPM slo poda acceder a un solo byte (una instruccin o valor) de informacin de cada vez, la memoria EDO permite mover un bloque completo de memoria a la cach interna del procesador para un acceso ms rpido por parte de ste. La estndar se encontraba con refrescos de 70, 60 50 ns. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168. La ventaja de la memoria EDO es que mantiene los datos en la salida hasta el siguiente acceso a memoria. Esto permite al procesador ocuparse de otras tareas sin tener que atender a la lenta memoria. Esto es, el procesador selecciona la posicin de memoria, realiza otras tareas y cuando vuelva a consultar la DRAM los datos en la salida seguirn siendo vlidos. Se presenta en mdulos SIMM de 72 contactos (32 bits) y mdulos DIMM de 168 contactos (64 bits). SDRAM: Sincronic-RAM. Es un tipo sncrono de memoria, que, lgicamente, se sincroniza con el procesador, es decir, el procesador puede obtener informacin en cada ciclo de reloj, sin estados de espera, como en el caso de los tipos anteriores. Slo se presenta en forma de DIMMs de 168 contactos; es la opcin para ordenadores nuevos. SDRAM funciona de manera totalmente diferente a FPM o EDO. DRAM, FPM y EDO transmiten los datos mediante seales de control, en la memoria SDRAM el acceso a los datos esta sincronizado con una seal de reloj externa. La memoria EDO est pensada para funcionar a una velocidad mxima de BUS de 66 Mhz, llegando a alcanzar 75MHz y 83 MHz. Sin embargo, la memoria SDRAM puede aceptar velocidades de BUS de hasta 100 MHz, lo que dice mucho a favor de su estabilidad y ha llegado a alcanzar velocidades de 10 ns. Se presenta en mdulos DIMM de 168 contactos (64 bits). El ser una memoria de 64 bits, implica que no es necesario instalar los mdulos por parejas de mdulos de igual tamao, velocidad y marca PC-100 DRAM: Este tipo de memoria, en principio con tecnologa SDRAM, aunque tambin la habr EDO. La especificacin para esta memoria se basa sobre todo en el uso no slo de chips de memoria de alta calidad, sino tambin en circuitos impresos de alta calidad de 6 o 8 capas, en vez de las habituales 4; en cuanto al circuito impreso este debe cumplir unas tolerancias mnimas de interferencia elctrica; por ltimo, los ciclos de memoria tambin deben cumplir unas especificaciones muy exigentes. De cara a evitar posibles confusiones, los mdulos compatibles con este estndar deben estar identificados as: PC100-abc-def. BEDO (burst Extended Data Output): Fue diseada originalmente parasoportar mayores velocidades de BUS. Al igual que la memoria SDRAM, esta memoria es capaz de transferir datos al procesador en cada ciclo de reloj, pero no de

forma continuada, como la anterior, sino a rfagas (bursts), reduciendo, aunque no suprimiendo totalmente, los tiempos de espera del procesador para escribir o leer datos de memoria. RDRAM (Direct Rambus DRAM): Es un tipo de memoria de 64 bits que puede producir rfagas de 2ns y puede alcanzar tasas de transferencia de 533MHz, con picos de 1,6 GB/s. Pronto podr verse en el mercado y es posible que tu prximo equipo tenga instalado este tipo de memoria. Es el componente ideal para las tarjetas grficas AGP, evitando los cuellos de botella en la transferencia entre la tarjeta grfica y la memoria de sistema durante el acceso directo a memoria (DIME) para el almacenamiento de texturas grficas. Hoy en da la podemos encontrar en las consolas NINTENDO 64. DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM o SDRAM-II): Funciona a velocidades de 83, 100 y 125MHz, pudiendo doblar estas velocidades en la transferencia de datos a memoria. En un futuro, esta velocidad puede incluso llegar a triplicarse o cuadriplicarse, con lo que se adaptara a los nuevos procesadores. Este tipo de memoria tiene la ventaja de ser una extensin de la memoria SDRAM, con lo que facilita su implementacin por la mayora de los fabricantes. SLDRAM: Funcionar a velocidades de 400MHz, alcanzando en modo doble 800MHz, con transferencias de 800MB/s, llegando a alcanzar 1,6GHz, 3,2GHz en modo doble, y hasta 4GB/s de transferencia. Se cree que puede ser la memoria a utilizar en los grandes servidores por la alta transferencia de datos. ESDRAM: Este tipo de memoria funciona a 133MHz y alcanza transferencias de hasta 1,6 GB/s, pudiendo llegar a alcanzar en modo doble, con una velocidad de 150MHz hasta 3,2 GB/s. La memoria FPM (Fast Page Mode) y la memoria EDO tambin se utilizan en tarjetas grficas, pero existen adems otros tipos de memoria DRAM, pero que SLO de utilizan en TARJETAS GRFICAS, y son los siguientes: - MDRAM (Multibank DRAM) Es increblemente rpida, con transferencias de hasta 1 GIGA/s, pero su coste tambin es muy elevado. - SGRAM (Synchronous Graphic RAM) Ofrece las sorprendentes capacidades de la memoria SDRAM para las tarjetas grficas. Es el tipo de memoria ms popular en las nuevas tarjetas grficas aceleradoras 3D. - VRAM Es como la memoria RAM normal, pero puede ser accedida al mismo tiempo por el monitor y por el procesador de la tarjeta grfica, para suavizar la presentacin grfica en pantalla, es decir, se puede leer y escribir en ella al mismo tiempo.

- WRAM (Window RAM) Permite leer y escribir informacin de la memoria al mismo tiempo, como en la VRAM, pero est optimizada para la presentacin de un gran nmero de colores y para altas resoluciones de pantalla. Es un poco ms econmica que la anterior. La arquitectura PC establece que los datos que constituyen una imagen a mostrar en el monitor no se mapeen en la RAM que podamos tener en la placa madre, sino en la memoria RAM que se encuentra en la propia tarjeta de vdeo. Por tanto, para concluir contar que con la introduccin de procesadores ms rpidos, las tecnologas FPM y EDO empezaron a ser un cuello de botella. La memoria ms eficiente es la que trabaja a la misma velocidad que el procesador. Las velocidades de la DRAM FPM y EDO eran de 80, 70 y 60 ns, lo cual era suficientemente rpido para velocidades inferiores a 66MHz. Para procesadores lentos, por ejemplo el 486, la memoria FPM era suficiente. Con procesadores ms rpidos, como los Pentium de primera generacin, se utilizaban memorias EDO. Con los ltimos procesadores Pentium de segunda y tercera generacin, la memoria SDRAM es la mejor solucin. La memoria ms exigente es la PC100 (SDRAM a 100 MHz), necesaria para montar un AMD K6-2 o un Pentium a 350 MHz o ms. Va a 100 MHz en vez de los 66 MHZ usuales. Tecnologas de memorias RAM: SIMMs y DIMMs: Se trata de la forma en que se organizan los chips de memoria, del tipo que sean, para que sean conectados a la placa base del ordenador. Son unas placas alargadas con conectores en un extremo; al conjunto se le llama mdulo. El nmero de conectores depende del bus de datos del microprocesador. 1. SIMM de 72 contactos, los ms usados en la actualidad. Se fabrican mdulos de 4, 8, 16,32 y 64 Mb. 2. SIMM EDO de 72 contactos, muy usados en la actualidad. Existen mdulos de 4, 8, 16,32 y 64 Mb. 3. SIMM de 30 contactos, tecnologa en desuso, existen adaptadores para aprovecharlas y usar 4 de estos mdulos como uno de 72 contactos. Existen de 256 Kb, 512 Kb (raros), 1, 2 (raros), 4, 8 y 16 Mb. 4. SIPP, totalmente obsoletos desde los 386 (estos ya usaban SIMM mayoritariamente). SIMMs: Single In-line Memory Module, con 30 72 contactos. Los de 30 contactos pueden manejar 8 bits cada vez, por lo que en un 386 486, que tiene un bus de datos de 32 bits, necesitamos usarlos de 4 en 4 mdulos iguales. Su capacidad es de 256 Kb, 1 Mb 4 Mb. Miden unos 8,5 cm (30 c.) 10,5 cm (72 c.) y sus zcalos suelen ser de color blanco. Los SIMMs de 72 contactos, manejan 32 bits, por lo que se usan de 1 en 1 en los 486; en los Pentium se hara de 2 en 2 mdulos (iguales), porque el bus de datos de los Pentium es el doble degrande (64 bits). La capacidad habitual es de 1 Mb, 4 Mb, 8 Mb, 16, 32 Mb.

5. DIMMs, ms alargados (unos 13 cm), con 168 contactos y en zcalos generalmente negros. Pueden manejar 64 bits de una vez, por lo que pueden usarse de 1 en 1 en los Pentium, Pentium II y Pentium III. Existen para voltaje estndar (5 voltios) o reducido (3.3 V). Y podramos aadir los mdulos SIP, que eran parecidos a los SIMM pero con frgiles patitas soldadas y que no se usan desde hace bastantes aos, o cuando toda o parte de la memoria viene soldada en la placa (caso de algunos ordenadores de marca).

e denomina memoria a los circuitos que permiten almacenar y recuperar la informacin. En un sentido ms amplio, puede referirse tambin a sistemas externos de almacenamiento, como las unidades de disco o de cinta. Memoria de acceso aleatorio o RAM (Random Access Memory) es la memoria basada en semiconductores que puede ser leda y escrita por el microprocesador u otros dispositivos de hardware. El acceso a las posiciones de almacenamiento se puede realizar en cualquier orden. Los chips de memoria son pequeos rectngulos negros que suelen ir soldados en grupos a unas plaquitas con "pines" o contactos. La diferencia entre la RAM y otros tipos de memoria de almacenamiento, como los disquetes o los discos duros, es que la RAM es muchsimo ms rpida, y que se borra al apagar el ordenador, no como stos. El interior de cada chip se puede imaginar como una matriz o tabla en la cual cada celda es capaz de almacenar un bit. Por tanto, un bit se puede localizar directamente proporcionando una fila y una columna de la tabla. En realidad, la CPU identifica cada celda mediante un nmero, denominado direccin de memoria. A partir de una direccin se calcula cul es la fila y columna correspondiente, con lo que ya se puede acceder a la celda deseada. El acceso se realiza en dos pasos: primero se comunica la fila y despus la columna empleando los mismos terminales de conexin. Obviamente, esta tcnica denominada multiplexado permite emplear menos terminales de conexin para acceder a la RAM, lo que optimiza la relacin entre el tamao del chip y la capacidad de almacenamiento. Realmente, la CPU no suele trabajar con bits independientes, sino ms bien con agrupaciones de los mismos, en forma de palabras binarias. Esto hace que la RAM no se presente en un solo chip, sino ms bien en agrupaciones de los mismos. Por ejemplo, un grupo de 8 chips, cada uno capaz de almacenas x bits, proporcionar en conjunto x Kb. La memoria no deja de ser un circuito electrnico real, y por tanto est expuesta a efectos que pueden producir errores en su contenido. En otras palabras, tras escribir una palabra en una posicin de memoria es perfectamente posible que algn bit cambie de estado durante el tiempo que permanezca almacenada. Si se accede de nuevo a la memoria para leer dicha palabra se recuperar informacin errnea y esto puede acarrear todo tipo de consecuencias. Para ello se suelen emplear dos soluciones: la paridad y la tcnica ECC (Error Correction Code). El elemento que implementa estos mtodos se encuentra en el interior del PC y recibe el nombre de controlador de memoria.

La paridad consiste en aadir un bit adicional a cada palabra, que hace que el nmero de unos sea par o impar (segn se emplee la paridad par o impar). Si al leer informacin de la memoria el bit de paridad no est de acuerdo con el nmero de unos se habr detectado un error. El sistema ECC aade un conjunto de bits a cada palabra a almacenar. La ventaja es que permite detectar errores en varios bits y adems es capaz de corregir dichos errores. Estas tcnicas implican aadir bits adicionales y por tanto tendrn impacto en la cantidad de memoria incorporada en cada mdulo. Caractersticas de la memoria principal (RAM) Un sistema de memoria se puede clasificar en funcin de muy diversas caractersticas. Entre ellas podemos destacar las siguientes: localizacin de la memoria, capacidad, mtodo de acceso y velocidad de acceso. En el caso de la memoria RAM (tambin denominada memoria principal o primaria) se puede realizar la siguiente clasificacin: Localizacin: Interna (se encuentra en la placa base) Capacidad: Hoy en da no es raro encontrar ordenadores PC equipados con 64, 128 256 Mb de memoria RAM. Mtodo de acceso: La RAM es una memoria de acceso aleatorio. Esto significa que una palabra o byte se puede encontrar de forma directa, sin tener en cuenta los bytes almacenados antes o despus de dicha palabra (al contrario que las memorias en cinta, que requieren de un acceso secuencial). Adems, la RAM permite el acceso para lectura y escritura de informacin. Velocidad de acceso: Actualmente se pueden encontrar sistemas de memoria RAM capaces de realizar transferencias a frecuencias del orden de los Gbps (gigabits por segundo). Tambin es importante anotar que la RAM es una memoria voltil, es decir, requiere de alimentacin elctrica para mantener la informacin. En otras palabras, la RAM pierde toda la informacin al desconectar el ordenador. Hemos de tener muy en cuenta que esta memoria es la que mantiene los programas funcionando y abiertos, por lo que al ser Windows 95/98/Me/2000 un sistema operativo multitarea, estaremos a merced de la cantidad de memoria RAM que tengamos dispuesta en el ordenador. En la actualidad hemos de disponer de la mayor cantidad posible de sta, ya que estamos supeditados al funcionamiento ms rpido o ms lento de nuestras aplicaciones diarias. La memoria RAM hace unos aos era muy cara, pero hoy en da su precio ha bajado considerablemente. Cuando alguien se pregunta cunta memoria RAM necesitar debe sopesar con qu programas va a trabajar normalmente. Si nicamente vamos a trabajar con aplicaciones de texto, hojas de clculo y similares nos bastar con unos 32 Mb de sta (aunque esta cifra se ha quedado bastante corta), pero si trabajamos con multimedia, fotografa, vdeo o CAD, por poner un ejemplo, hemos de contar con la mxima cantidad de memoria RAM en nuestro equipo (128-256 Mb o ms) para que su funcionamiento sea ptimo, ya que estos programas son autnticos devoradores de memoria. Hoy en da no es recomendable tener menos de 64 Mb, para el buen funcionamiento tanto de Windows como de las aplicaciones normales, ya que notaremos considerablemente su rapidez y rendimiento, pues generalmente los equipos actuales ya traen 128 Mb o 256 Mb de RAM. Segn los tipos de conectores que lleve la memoria, al conjunto de stos se les denominan mdulos, y stos a su vez se dividen en:

SIMM (Single In-line Memory Module): Pequea placa de circuito impreso con varios chips de memoria integrados. Se fabrican con diferentes velocidades de acceso capacidades (4, 8, 16, 32, 64 Mb) y son de 30 72 contactos. Se montan por pares generalmente. DIMM: Son ms alargados, cuentan con 168 contactos y llevan dos muescas para facilitar su correcta colocacin. Pueden montarse de 1 en 1.

Respecto a las caractersticas bsicas de cualquier mdulo de memoria hemos de fijarnos, principalmente, en el tipo de memoria utilizada, el tipo de mdulo (30, 70 168 contactos), la capacidad total ofrecida y el tiempo medio de acceso que ofrece, que es el tiempo que transcurre desde que se solicita el dato almacenado en una determinada direccin de memoria hasta que el chip ofrece el dato solicitado. Evidentemente, cuanto menor sea este nmero mejores prestaciones obtendremos. Las antiguas memorias SIMM ofrecan cifras entre 70 u 80 nanosegundos y las modernas DIMM SDRAM tiempos inferiores a 10 nanosegundos. Esta diferencia de velocidad permite que el procesador no deba sufrir tiempos de espera innecesarios desde que solicita un dato hasta que lo recibe para poder realizar la operacin. Los principales tipos de memoria RAM utilizadas en nuestros ordenadores se dividen en DRAM, SRAM y Tag RAM. As, la memoria DRAM (Dynamic Random Access Memory) es la que montan las placas base como memoria principal del sistema, donde se almacenan las aplicaciones en ejecucin y los datos que es estn gestionando en cada momento. Se refresca cientos de veces por segundo y cuanto mayor cantidad pongamos a disposicin del PC mejores resultados obtendremos. Tipos de memoria DRAM FPM (Fast Page Mode): Memoria muy popular, ya que era la que se inclua en los antiguos 386, 486 y primeros Pentium. Alcanza velocidades de hasta 60 ns. Se encuentra en los SIMM de 30 contactos y los posteriores de 72. EDO (Extended Data Output): La memoria EDO, a diferencia de la FPM que slo poda acceder a un solo byte al tiempo, permite mover un bloque completo de memoria a la memoria cach del sistema, mejorando as las prestaciones globales. De mayor calidad, alcanza velocidades de hasta 45 ns. Se encuentra en los Pentium, Pentium Pro y primeros Pentium II en SIMM de 72 contactos y en los primeros DIMM de 168 contactos, funcionando a 5 y 3,3 voltios. BEDO (Burst Extended Data Output): Diseada originalmente para los chipset HX, permite transferir datos al procesador en cada ciclo de reloj, aunque no de forma continuada, sino a rfagas, reduciendo los tiempos de espera del procesador, aunque sin conseguir eliminarlos del todo. SDRAM (Synchronous DRAM): Memoria asncrona que se sincroniza con la velocidad del procesador, pudiendo obtener informacin en cada ciclo de reloj, evitando as los estados de espera que se producan antes. La SDRAM es capaz de soportar las velocidades del bus a 100 y 133 MHz, alcanzando velocidades por debajo de 10 ns. Se encuentra en la prctica mayora de los mdulos DIMM de 168 contactos. PC-100 DRAM: Es un tipo de memoria SDRAM que cumple unas estrictas normas referentes a calidad de los chips y diseo de los circuitos impresos establecidas por Intel. El objetivo es garantizar un funcionamiento estable en la memoria RAM a velocidades de bus de 100 MHz. PC-133 DRAM: Muy parecida a la anterior y de grandes exigencias tcnicas para garantizar que el mdulo de memoria que la cumpla funcione correctamente a las nuevas velocidades de bus de 133 MHz que se han incorporado a los ltimos Pentium III. DRDRAM (Direct Rambus DRAM): Es un tipo de memoria de 64 bits que alcanza rfagas de 2 ns, picos de varios Gbytes/sg y funcionan a velocidades de hasta 800 MHz. Es el complemento ideal para las tarjetas grficas AGP, evitando los cuellos de botella entre la tarjeta grfica y la memoria principal durante el acceso directo a memoria para el manejo de las texturas grficas.

DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM o SDRAM II): Un tipo de memoria SDRAM mejorada que poda alcanzar velocidades de hasta 200 MHz. Cuenta con mecanismos para duplicar las prestaciones obtenidas a la velocidad del reloj del sistema. Fue soportada por ciertos chipset Socket 7, pero al no ser apoyada por Intel no est demasiado extendida. ESDRAM (Enhanced SDRAM): Incluye una pequea memoria esttica en el interior del chip SDRAM. Con ello, las peticiones de ciertos accesos pueden ser resueltas por esta rpida memoria, aumentando las prestaciones. Se basa en un principio muy similar al de la memoria cach utilizada en los procesadores. SLDRAM (SyncLink DRAM): Se basa, al igual que la DRDRAM, en un protocolo propietario, que separa las lneas CAS, RAS y de datos. Los tiempos de acceso no dependen de la sincronizacin de mltiples lneas, por lo que este tipo de memoria promete velocidades superiores a los 800 MHz, ya que adems puede operar al doble de velocidad del reloj del sistema.

Memoria SRAM Es la abreviatura de Static Random Access Memory y es la alternativa a la DRAM. No precisa de tanta electricidad como la anterior para su refresco y movimiento de las direcciones de memoria, por lo que funciona ms rpida, aunque tiene un elevado precio. Hay de tres tipos: Async SRAM: La memoria cach de los antiguos 386, 486 y primeros Pentium, asncrona y con velocidades entre 20 y 12 ns. Sync SRAM: Es la generacin siguiente, capaz de sincronizarse con el procesador y con una velocidad entre 12 y 8,5 ns. Pipelined SRAM: Se sincroniza tambin con el procesador, pero tarda en cargar los datos ms que la anterior, aunque una vez cargados accede a ellos con ms rapidez. Opera a velocidades entre 8 y 4,5 ns.

Memoria Tag RAM este tipo de memoria almacena las direcciones de memoria de cada uno de los datos de la DRAM almacenados en la memoria cach del sistema. As, si el procesador requiere un dato y encuentra su direccin en la Tag RAM, va a buscarlo inmediatamente a la cach, lo que agiliza el proceso.

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Las Memorias RAM La memoria principal o RAM (acrnimo de Random Access Memory, Memoria de Acceso Aleatorio) es donde el PC guarda los datos que est utilizando en el momento. Se llama de acceso aleatorio porque el procesador accede a la informacin que est en la memoria en cualquier punto sin tener que acceder a la informacin anterior y posterior. Es la memoria que se actualiza constantemente mientras el PC est en uso y que pierde sus datos cuando el PC se apaga. FUNCIONAMIENTO DE LA MEMORIA RAM

Cuando las aplicaciones se ejecutan, primeramente deben ser cargadas en memoria RAM. El procesador entonces efecta accesos a dicha memoria para cargar instrucciones y enviar o retomar datos. Reducir el tiempo necesario para acceder a la memoria, ayuda a mejorar las prestaciones del sistema. La diferencia entre la RAM y otros tipos de memoria de almacenamiento, como los disquetes o discos duros, es que la RAM es mucho ms rpida, y se borra al apagar el PC. Es una memoria dinmica, lo que indica la necesidad de recordar los datos a la memoria cada pequeo periodo de tiempo, para impedir que esta pierda la informacin. Eso se llama Refresco. Cuando se pierde la alimentacin, la memoria pierde todos los datos. Random Access, acceso aleatorio, indica que cada posicin de memoria puede ser leda o escrita en cualquier orden. Lo contrario seria el acceso secuencial, en el cual los datos tienen que ser ledos o escritos en un orden predeterminado. Las memorias poseen la ventaja de contar con una mayor velocidad, mayor capacidad de almacenamiento y un menor consumo. Es preciso considerar que a cada bit de la memoria le corresponde un pequeo condensador al que le aplicamos una pequea carga elctrica y que mantienen durante un tiempo en funcin de la constante de descarga. Generalmente el refresco de memoria se realiza cclicamente y cuando esta trabajando el DMA. El refresco de la memoria en modo normal esta a cargo del controlador del canal que tambin cumple la funcin de optimizar el tiempo requerido para la operacin del refresco. Posiblemente, en ms de una ocasin en el PC aparecen errores de en la memoria debido a que las memorias que se estn utilizando son de una velocidad inadecuada que se descargan antes de poder ser refrescadas.

Las posiciones de memoria estn organizadas en filas y en columnas. Cuando se quiere acceder a la RAM se debe empezar especificando la fila, despus la columna y por ltimo se debe indicar si deseamos escribir o leer en esa posicin. En ese momento la RAM coloca los datos de esa posicin en la salida, si el acceso es de lectura o toma los datos y los almacena en la posicin seleccionada, si el acceso es de escritura. La cantidad de memoria Ram de nuestro sistema afecta notablemente a las prestaciones, fundamentalmente cuando se emplean sistemas operativos actuales. En general, y sobretodo cuando se ejecutan mltiples aplicaciones, puede que la demanda de memoria sea superior a la realmente existente, con lo que el sistema operativo fuerza al procesador a simular dicha memoria con el disco duro (memoria virtual). Los sistemas avanzados emplean RAM entrelazada, que reduce los tiempos de acceso mediante la segmentacin de la memoria del sistema en dos bancos coordinados. Durante una solicitud particular, un banco suministra la informacin al procesador, mientras que el otro prepara datos para el siguiente ciclo; en el siguiente acceso, se intercambian los papeles. Hay que tener en cuenta que el bus de datos del procesador debe coincidir con el de la memoria, y en el caso de que no sea as, esta se organizar en bancos, habiendo de tener cada banco la cantidad necesaria de mdulos hasta llegar al ancho buscado. el PC slo trabaja con bancos completos, y stos slo pueden componerse de mdulos del mismo tipo y capacidad. Como existen restricciones a la hora de colocar los mdulos, hay que tener en cuenta que no siempre podemos alcanzar todas las configuraciones de memoria. Tenemos que rellenar siempre el banco primero y despus el banco nmero dos, pero siempre rellenando los dos zcalos de cada banco (en el caso de que tengamos dos) con el mismo tipo de memoria. Tipos de memorias RAM: DRAM (Dynamic RAM), RAM dinmica SRAM (Static RAM), RAM esttica Los dos tipos difieren en la tecnologa que usan para almacenar los datos. La RAM dinmica necesita ser refrescada cientos de veces por segundo, mientras que la RAM esttica no necesita ser refrescada tan frecuentemente, lo que la hace ms rpida, pero tambin ms cara que la RAM dinmica. Ambos tipos son voltiles, lo que significa que pueden perder su contenido cuando se desconecta la alimentacin.

Siglas de Static Random Access Memory, es un tipo de memoria que es ms rpida y fiable que la ms comn DRAM (Dynamic RAM). El trmino esttica viene derivado del hecho que necesita ser

refrescada menos veces que la RAM dinmica. Los chips de RAM esttica tienen tiempos de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos, mientras que las RAM dinmicas estn por encima de 30, y las memorias bipolares y ECL se encuentran por debajo de 10 nanosegundos. Un bit de RAM esttica se construye con un --- como circuito flip-flop que permite que la corriente fluya de un lado a otro basndose en cual de los dos transistores es activado. Las RAM estticas no precisan de circuiteria de refresco como sucede con las RAMs dinmicas, pero precisan ms espacio y usan ms energa. La SRAM, debido a su alta velocidad, es usada como memoria cach. LA MEMORIA CACHE ES DEL TIPO SRAM Memorias cach: Son memorias de pequea capacidad. Normalmente una pequea fraccin de la memoria principal. Y pequeo tiempo de acceso. Este nivel de memoria se coloca entre la CPU y la memoria central para nivelar velocidades y se la denomina L2(Nivel 2) y L1(Nivel 1). DRAM

DRAM: acrnimo de Dynamic Random Access Memory, o simplemente RAM ya que es la original, y por tanto la ms lenta. Usada hasta la poca del 386, su velocidad de refresco tpica es de 80 70 nanosegundos (ns), tiempo ste que tarda en vaciarse para poder dar entrada a la siguiente serie de datos. Por ello, la ms rpida es la de 70 ns. Fsicamente, aparece en forma de DIMMs o de SIMMs, siendo estos ltimos de 30 contactos. FPM (Fast Page Mode): a veces llamada DRAM, puesto que evoluciona directamente de ella, y se

usa desde hace tanto que pocas veces se las diferencia. Algo ms rpida, tanto por su estructura (el modo de Pgina Rpida) como por ser de 70 60 ns. Es lo que se da en llamar la RAM normal o estndar. Usada hasta con los primeros Pentium, fsicamente aparece como SIMMs de 30 72 contactos (los de 72 en los Pentium y algunos 486). Para acceder a este tipo de memoria se debe especificar la fila (pgina) y seguidamente la columna. Para los sucesivos accesos de la misma fila slo es necesario especificar la columna, quedando la columna seleccionada desde el primer acceso. Esto hace que el tiempo de acceso en la misma fila (pgina) sea mucho ms rpido. Era el tipo de memoria normal en los PC 386, 486 y los primeros Pentium y lleg a alcanzar velocidades de hasta 60 ns. Se presentaba en mdulos SIMM de 30 contactos (16 bits) para los 386 y 486 y en mdulos de 72 contactos (32 bits) para las ltimas placas 486 y las placas para Pentium.

EDO o EDO-RAM: Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la FPM. Permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores estn saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo ms rpida (un 5%, ms o menos). Mientras que la memoria tipo FPM slo poda acceder a un solo byte (una instruccin o valor) de informacin de cada vez, la memoria EDO permite mover un bloque completo de memoria a la cach interna del procesador para un acceso ms rpido por parte de ste. La estndar se encontraba con refrescos de 70, 60 50 ns. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168. La ventaja de la memoria EDO es que mantiene los datos en la salida hasta el siguiente acceso a memoria. Esto permite al procesador ocuparse de otras tareas sin tener que atender a la lenta memoria. Esto es, el procesador selecciona la posicin de memoria, realiza otras tareas y cuando vuelva a consultar la DRAM los datos en la salida seguirn siendo vlidos. Se presenta en mdulos SIMM de 72 contactos (32 bits) y mdulos DIMM de 168 contactos (64 bits). BEDO (burst Extended Data Output): Fue diseada originalmente para soportar mayores velocidades de BUS. Al igual que la memoria SDRAM, esta memoria es capaz de transferir datos al procesador en cada ciclo de reloj, pero no de forma continuada, como la anterior, sino a rfagas (bursts), reduciendo, aunque no suprimiendo totalmente, los tiempos de espera del procesador para escribir o leer datos de memoria. SDRAM: Sincronic-RAM. Es un tipo sncrono de memoria, que, lgicamente, se sincroniza con el procesador, es decir, el procesador puede obtener informacin en cada ciclo de reloj, sin estados de espera, como en el caso de los tipos anteriores. Slo se presenta en forma de DIMMs de 168 contactos. SDRAM funciona de manera totalmente diferente a DRAM, FPM y EDO transmiten los datos

mediante seales de control, en la memoria SDRAM el acceso a los datos esta sincronizado con una seal de reloj externa. La memoria EDO est pensada para funcionar a una velocidad mxima de BUS de 66 Mhz, llegando a alcanzar 75MHz y 83 MHz. Sin embargo, la memoria SDRAM puede aceptar velocidades de BUS de hasta 100 MHz, lo que dice mucho a favor de su estabilidad y ha llegado a alcanzar velocidades de 10 ns. Se presenta en mdulos DIMM de 168 contactos (64 bits). El ser una memoria de 64 bits, implica que no es necesario instalar los mdulos por parejas de mdulos de igual tamao, velocidad y marca

PC-100 DRAM: Este tipo de memoria, en principio con tecnologa SDRAM, aunque tambin la habr EDO. La especificacin para esta memoria se basa sobre todo en el uso no slo de chips de memoria de alta calidad, sino tambin en circuitos impresos de alta calidad de 6 o 8 capas, en vez de las habituales 4; en cuanto al circuito impreso este debe cumplir unas tolerancias mnimas de interferencia elctrica; por ltimo, los ciclos de memoria tambin deben cumplir unas especificaciones muy exigentes. MEMORIAS RDRAM RIMM - RAMBUS

Los mdulos de memoria RIMM utilizan una tecnologa denominada RDRAM desarrollada por Rambus Inc. a mediados de los aos 90 con el fin de introducir un mdulo de memoria con niveles

de rendimiento muy superiores a los mdulos de memoria SDRAM de 100 Mhz y 133 Mhz disponibles en aquellos aos (finales de los 90's). Los mdulos RIMM RDRAM cuentan con 184 pins y debido a sus altas frecuencias de trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una placa metlica que recubre los chips del mdulo. Se basan en un bus de datos de 16 bits y estn disponibles en velocidades de 300MHz (PC-600), 356 Mhz (PC-700), 400 Mhz (PC-800) y 533 Mhz (PC-1066) que por su pobre bus de 16 bits tenia un rendimiento 4 veces menor que la DDR. La RIMM de 533MHz tiene un rendimiento similar al de un mdulo DDR133, a parte de que sus latencias son 10 veces peores que la DDR. Inicialmente los mdulos RIMM fueron introducidos para su uso en servidores basados en Intel Pentium III. Rambus no manufactura mdulos RIMM si no que tiene un sistema de licencias para que estos sean manufacturados por terceros siendo Samsung el principal fabricante de stos. A pesar de tener la tecnologa RDRAM niveles de rendimiento muy superiores a la tecnologa SDRAM y las primeras generaciones de DDR RAM, debido al alto costo de esta tecnologa no han tenido gran aceptacin en el mercado de PCs. Su momento lgido tuvo lugar durante el periodo de introduccin del Pentium 4 para el cual se disearon las primeras placas base, pero Intel ante la necesidad de lanzar equipos ms econmicos decidi lanzar placas base con soporte para SDRAM y ms adelante para DDR RAM desplazando esta ltima tecnologa a los mdulos RIMM del mercado

Definicin de memoria RAM RAM proviene de ("Read Aleatory Memory") memoria de lectura aleatoria: es un dispositivo electrnico que se encarga de almacenar datos e instrucciones de manera temporal, de ah el trmino de memoria de tipo voltil ya que pierde los datos almacenados una vez apagado el equipo; pero a cambio tiene una muy alta velocidad para realizar la transmisin de la informacin.

En la memoria RAM se carga parte del sistema operativo (Linux Ubuntu, Apple MacOS, Microsoft Windows 7, etc.), los programas como (Office, Winzip, Nero, etc.), instrucciones desde el teclado, memoria para desplegar el video y opcionalmente una copia del contenido de la memoria ROM.

+ Ejemplo: cuando damos doble clic a la aplicacin Microsoft Word, el programa ser ledo desde el disco duro e inmediatamente la computadora buscar almacenarlo en la memoria RAM, ello para que el usuario lo utilice sin la lentitud que implicara trabajarlo desde el disco duro, y una vez terminada de usar la aplicacin, la RAM se libera para poder cargar el prximo programa a utilizar.

Figura 1. Memoria RAM tipo DDR, marca Kingston, modelo KVR266, capacidad 128 MB, bus 266 MHz.

Tipos de memorias DRAM comerciales Hay tres tipos de memorias RAM, la primeras son las DRAM, SRAM y una emulacin denominada Swap: Tipo 1, DRAM: las siglas provienen de ("Dinamic Read Aleatory Memory") dinmicas, debido a que sus chips se encuentran construidos a base de condensadores (capacitores), los cules necesitan constantemente refrescar su carga (bits) y esto les resta velocidad pero a cambio tienen un precio econmico. + Ejemplo: hagamos una analoga con una empresa que fabrica hielo, pero para ello no cuenta con una toma de agua, sino que constantemente necesita de pipas con agua para realizar su producto. Esto la hace lenta ya que tiene que esperar que le lleven la materia de trabajo constantemente. La siguiente lista muestra las memorias RAM en modo descendente, la primer liga es la mas antigua y la ltima la mas reciente.

1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10.

Memoria Memoria Memoria Memoria Memoria Memoria Memoria Memoria Memoria Memoria

RAM tipo TSOP. RAM tipo SIP. RAM tipo SIMM. RAM tipo DIMM - SDRAM. RAM tipo DDR/DDR1 y SO-DDR. RAM tipo RIMM. G-RAM / V-RAM (Actual). RAM tipo DDR2 y SO-DDR2 (Actual). RAM tipo DDR3 y SO-DDR3(Actual). RAM tipo DDR4 y SO-DDR4 (Prxima Generacin).

TSOP proviene de ("Thin Small Out-line Package"), lo que traducido significa conjunto de bajo perfil fuera de lnea. Son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), los primeros mdulos de memoria aislados que se introducan en zcalos especiales de la tarjeta principal ("Motherboard"). Estos chips en conjunto iban sumando las cantidades de memoria RAM del equipo. Las memorias TSOP no fueron totalmente reemplazados en aquel tiempo, sino que se conjuntaron los mdulos en una placa plstica especial y se organizaron las terminales con forma de pin en un solo lado de la tarjeta, naciendo el estndar de memorias SIP ("Single In-line Package").

Figura 2. Memorias RAM tipo TSOP, KM41464AP-12, 18 pines.

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son bsicamente los siguientes:

1.- Encapsulado: integra dentro de s una gran cantidad de elementos electrnicos microscpicos (transistores, capacitores, compuertas, etc.), formadores de la memoria RAM. 2.- Pines: se encargan de transmitir las seales elctricas y los datos. 3.- Punto de referencia: indica cul es la terminal No. 1. 4.- Mdulo zcalo: permite albergar e insertar la memoria TSOP. Figura 3. Esquema de una memoria RAM tipo TSOP.

Definicin de memoria tipo SIP

SIP es la sigla de ("Single In-line Package"), lo que traducido significa soporte simple en lnea: son los primeros tipos de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), que integraron en una sola tarjeta varios mdulos de memoria TSOP, logrndose comercializar mayores capacidades en una sola placa. Las terminales se concentraron en la parte baja en forma de pines (30) que se insertaban dentro de las ranuras especiales de la tarjeta principal (Motherboard). Reemplazaron el uso de las memorias TSOP. Las memorias SIP fueron rpidamente reemplazadas por las memorias RAM tipo SIMM ("Single In line Memory Module"), ya que las terminales se integraron a una placa plstica y se hizo mas resistente a los dobleces.

Figura 2. Memoria RAM tipo SIP.

Partes que componen la memoria SIP

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son bsicamente los siguientes:

1.- Tarjeta: es una placa plstica sobre la cul estn soldadas los componentes de la memoria. 2.-Chips: son mdulos de memoria voltil. 3.- Conector (30 pines): son terminales tienen forma de pin, que se insertan en el mdulo especial para memoria SIP.

Figura 3. Esquema de una memoria RAM tipo SIP.

Definicin de memoria SIMM

SIMM proviene de ("Single In line Memory Module"), lo que traducido significa mdulo de memoria de nicamente una lnea (este nombre es debido a que sus contactos se comparten de ambos lados de la tarjeta de memoria): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cules tienen los chips de memoria de un solo lado de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 30 72 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). Las memorias SIMM reemplazaron a las memorias RAM tipo SIP ("Single In-Line Package"). Las memorias SIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo DIMM ("Dual In line Memory Module").

Figura 2. Memoria RAM tipo SIMM, genrica, L-96458ML-194V-0, 3 chips, 30 pines, capacidad de 1 MB.

Figura 3. Memoria RAM tipo SIMM, genrica, HYM591000PM, 12 chips, 72 pines, capacidad 32 MB.

Partes que componen la memoria SIMM

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son bsicamente los siguientes:

1.- Tarjeta: es una placa plstica sobre la cul estn soldadas los componentes de la memoria. 2.-Chips: son mdulos de memoria voltil. 3.- Conector (30 terminales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria SIMM. Partes de una memoria SIMM y sus funciones.

Figura 4. Esquema externo de una memoria RAM tipo SIMM.

Significado de memoria DIMM - SDRAM

DIMM proviene de ("Dual In line Memory Module"), lo que traducido significa mdulo de memoria de lnea dual (este nombre es debido a que sus contactos de cada lado son independientes, por lo tanto el contacto es doble en la tarjeta de memoria): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cules pueden tener chips de memoria en ambos lados de la tarjeta solo de un lado, cuentan con un conector especial de 168 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). Cabe destacar que la caracterstica de las memorias de lnea dual, es precursora de los estndares modernos RIMM y DDR-X), por ello no es de extraarse que tambin se les denomine DIMM - SDRAM tipo RIMM DIMM - SDRAM DDR-X. SDRAM proviene de (Synchronous Dynamic Random Access Memory), memoria de acceso aleatorio sincrnico, esto significa que existe un cierto tiempo entre el cambio de estado de la misma sincronizado con el reloj y bus del sistema, en la prctica se le denomina solo DIMM. Reemplazaron a las memorias RAM tipo SIMM ("Single In line Memory Module"). Las memorias DIMM - SDRAM fueron reemplazadas por las memorias tipo RIMM ("Rambus Inline Memory Module") y las memorias tipo DDR ("Double Data Rate").

Figura 2. Memoria RAM tipo DIMM - SDRAM, marca Kingston PC133, sin capacidad definida, 168 pines.

Definicin de memoria tipo DDR

DDR proviene de ("Dual Data Rate"), lo que traducido significa transmisin doble de datos (este nombre es debido a que incorpora dos canales para enviar los datos de manera simultnea): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a

base de capacitores), las cules tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 184 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). Tambin se les denomina DIMM tipo DDR, debido a que cuentan con conectores fsicamente independientes por ambas caras como el primer estndar DIMM. Compiti directamente contra las memorias RAM tipo RIMM ("Rambus In line Memory Module"). Estas memorias estn siendo reemplazadas por las memorias RAM tipo DDR2 ("Double Data Rate - 2").

Figura 2. Memoria RAM tipo DDR, marca Kingston, modelo KVR266, capacidad 128 MB, bus 266 MHz.

Definicin de memoria tipo RIMM

RIMM proviene de ("Rambus In line Memory Module"), lo que traducido significa mdulo de memoria de lnea con bus integrado (este nombre es debido a que incorpora su propio bus de datos, direcciones y control de gran velocidad en la propia tarjeta de memoria): son un tipo de memorias RAM del tipo RDRAM ("Rambus Dynamic Random Access Memory"): es decir, tambin estn basadas en almacenamiento por medio de capacitores), que integran circuitos integrados y en uno de sus lados tienen las terminaciones, que sirven para ser insertadas dentro de las ranuras especiales para memoria de la tarjeta principal (Motherboard). Tambin se les denomina DIMM tipo RIMM, debido a que cuentan con conectores fsicamente independientes por ambas caras como el primer estndar DIMM. Se buscaba que fueran el estndar que reemplazara a las memorias RAM tipo DIMM ("Dual In line Memory Module"). Las memorias RIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo DDR ("Double Data Rate") las cules eran ms econmicas.

Figura 2. Memoria RAM tipo RIMM, marca Samsung, modelo PC800, 184 terminales, chips RDRAM, capacidad 256 MB, con ECC.

Qu es una tarjeta de video

Es una tarjeta para expansin de capacidades que sirve para procesar y otorgar mayor capacidad de despliegue de grficos en pantalla, por lo que libera al microprocesador y a la memoria RAM de estas actividades y les permite dedicarse a otras tareas. La tarjeta de video se inserta dentro de las ranuras de expansin "Slots" integradas en la tarjeta principal ("Motherboard") y se atornilla al gabinete para evitar movimientos y por ende fallas. Todas las tarjetas de video integran uno varios puertos para conectar los dispositivos externos tales como monitores CRT, pantallas LCD, proyectores, etc. Actualmente el nombre mas comn con el que se le denomina a la tarjeta de video es tarjeta aceleradora de grficos y compite contra los procesadores "Sandy Bridge".

Figura 1. Tarjeta aceleradora de grficos, marca MSI, con GPU ATI, modelo HD4830, GDDR 512 Mb, interfaz PCI-E 2.0 16X, DVI/S-Video.

Definicin de memoria DDR-2

DDR-2 proviene de ("Dual Data Rate 2"), lo que traducido significa transmisin doble de datos segunda generacin (este nombre es debido a que incorpora dos canales para enviar y adems recibir los datos de manera simultnea): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cules tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). Tambin se les denomina DIMM tipo DDR2, debido a que cuentan con conectores fsicamente independientes por ambas caras como el primer estndar DIMM. Actualmente se encuentra desplazando a la memoria DDR. Actualmente compite contra un nuevo estndar: las memorias RAM tipo DDR-3 "Double Data Rate -3 ".

Figura 2. Memoria RAM tipo DDR-2, marca Kingston, capacidad para 512 MB, velocidad 667 MHz, tipo PC5300.

Definicin de memoria tipo DDR3

DDR-3 proviene de ("Dual Data Rate 3"), lo que traducido significa transmisin doble de datos tercer generacin: son el mas moderno estndar, un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cules tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). Tambin se les denomina DIMM tipo DDR3, debido a que cuentan con conectores fsicamente independientes por ambas caras como el primer estndar DIMM. Este tipo de memoria cuenta en su gran mayora de modelos con disipadores de calor, debido a que se sobrecalientan. Actualmente compite contra el estndar de memorias RAM tipo DDR-2 ("Double Data Rate - 2 ") y se busca que lo reemplace.

Figura 2. Memoria RAM tipo DDR-3, marca Kingston, ValueRAM, 240 terminales, capacidad para 2 GB, latencia CL 9, voltaje 1.5V.

Definicin de memoria tipo DDR4

DDR-4 proviene de ("Dual Data Rate 4"), lo que traducido significa transmisin doble de datos cuarta generacin: se trata de el estndar desarrollado por la firma Samsung para el uso con futuras tecnologas. Al igual que sus antecesoras, se basa en el uso de tecnologa tipo DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cules tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta, y segn las imgenes liberadas por el sitio Web, 240 terminales, las cules estn especializadas para las ranuras de las tarjetas principales (Motherboard) de nueva generacin. Tambin se les denomina DIMM tipo DDR4, debido a que cuentan con conectores fsicamente independientes por ambas caras como el primer estndar DIMM.

Actualmente est en fase de presentacin y no se comercializa, pero se espera que sea el reemplazo del estndar de memorias RAM tipo DDR-3 ("Double Data Rate - 3 ").

Figura 2. Memoria RAM tipo DDR-4, marca Samsung, voltaje 1.2V.

Que es la memoria virtual - Swap y para que sirve

Tipo 3. Swap. La memoria virtual memoria Swap ("de intercambio") no se trata de memoria RAM como tal, sino de una emulacin (simulacin funcional), esto significa que se crea un archivo de grandes dimensiones en el disco duro unidad SSD, el cul almacena informacin simulando ser memoria RAM cundo esta se encuentra parcialmente llena, as se evita que se detengan los servicios de la computadora. Este tipo de memoria se populariz con la salida al mercado de sistemas operativos grficos tales como MacOS de Macintosh (actualmente Apple) Windows de Microsoft, debido a que la memoria instalada en la computadora es regularmente insuficiente para el uso de ventanas, aunque al parecer el sistema operativo UNIX lo utilizaba de manera normal antes que sus competidores. En los sistemas operativos Microsoft Windows Vista/Microsoft Windows 7, con el software ReadyBoost y en Microsoft Windows XP con ayuda de algunas utilidades como EBoostr, es posible utilizar un archivo de intercambio (Swap) en memorias USB e incluso en memorias SD, MemoryStick, etc., que permiten aumentar la velocidad del equipo. Bsicamente no debe ser menor a 256 MB la capacidad disponible del dispositivo, tener una velocidad alta de transmisin de datos y asignarse del siguiente modo: a) Mnimo: (Total de RAM) + (1/2 Total

Figura 2. Asignacin de SWAP en el disco duro

de RAM) b) Mximo: 3X(Total de RAM) Ejemplo: Si tengo 1 GB en RAM, debo tener mnimo (1 GB + 0.5 GB)= 1.5 GB, y mximo 3X(1 GB)= 3 GB.

- Estructura lgica de la memoria RAM Desde las primeras computadoras, la estructura lgica ha sido la siguiente: Memoria base: desde 0 hasta 640 KB (KiloBytes), es en esta zona dnde se almacena la mayora de los programas que el usuario utiliza. Memoria superior y reservada: de 640 a 1.024 MB (MegaBytes), carga unas estructuras llamadas pginas de intercambio de informacin y unos bloques de memoria llamados UMB.

- Bloques UMB (Upper Memory Blocks): se trata de espacios asignados para el sistema dentro de la memoria superior, pero debido a la configuracin de diversos dispositivos como el video, en algunos casos estos espacios quedan sin utilizar, por lo que se comenz a pensar en utilizarlos de modo funcional, lo que se logra con programas que optimizan la memoria, como el comando "memmaker" de MsDOS, que se utilizaba estos bloques para cargar ciertos Drivers (controladores que permiten al Hardware ser utilizado en el sistema). Memoria expandida: se trata de memoria paginada que se asigna a programas en memoria superior, la cul algunas veces no se utilizaba debido a la configuracin del equipo y con este mtodo se puede utilizar. Memoria extendida: de 1.024 MB hasta 4 GB (GigaBytes), se cargan todas las aplicaciones que no caben en la memoria base.

Antes debido a que los equipos contaban con memoria RAM limitada, existan utileras que reacomodaban los programas cargados en memoria para optimizar su funcionamiento, inclusive el sistema operativo Microsoft Ms-DOS necesitaba de un controlador especial (himem.sys), para reconocer la memoria extendida, sin l solo reconoca 640 KB aunque hubiera instalados ms de 1 MB.

Figura 3. Divisin lgica de la memoria RAM.

- Definicin de Buffer de memoria Un Buffer (amortiguador), es un espacio fsico en cualquier dispositivo de almacenamiento masivo de lectura/escritura, comnmente en RAM, que se asigna para almacenar informacin que ser procesada casi inmediatamente y tenerla en espera de proceso, hasta que una vez utilizados los datos, estos se borren para esperar nuevos. Estos segmentos se utilizan mucho en las impresoras, que guardan en Buffer los documentos en cola de impresin, en los antiguos Discman, que para evitar que la meloda se detuviera, iban almacenando unos segundos ms de msica en caso de un movimiento brusco en el aparato y finalmente en YouTube que mientras reproduce, se va adelantando en descargar el resto del video.

- Tabla de tipos de memorias actuales en general Tabla basada en la descripcin de la revista "PC a Fondo" y complementada:

Tipo de memoria Tipo RAM

Significado

Descripcin

RAM

"Random Access Memory", memoria de acceso aleatorio "Extended Data Out Random Access Memory", memoria de acceso aleatorio con salida de datos extendida

Memoria primaria de la computadora, en la que puede leerse y escribirse informacin en cualquier momento, pero que pierde la informacin al no tener alimentacin elctrica. Tecnologa opcional en las memorias RAM utilizadas en servidores, que permite acortar el camino de la transferencia de datos entre la memoria y el microprocesador.

EDO RAM

"Burst EDO Random Access Memory", BEDO RAM memoria de acceso aleatorio con salida de datos extendida y acceso Burst DRAM "Dinamic Random Access Memory", memoria dinmica de acceso aleatorio

Tecnologa opcional; se trata de una memoria EDO RAM que mejora su velocidad gracias al acceso sin latencias a direcciones contiguas de memoria. Es el tipo de memoria mas comn y econmica, construida con capacitores por lo que necesitan constantemente refrescar el dato que tengan almacenado, haciendo el

proceso hasta cierto punto lento. Tecnologa DRAM que utiliza un reloj para sincronizar con el microprocesador la entrada y salida de datos en la memoria de un chip. Se ha utilizado en las memorias comerciales como SIMM, DIMM, y actualmente la familia de memorias DDR (DDR, DDR2, DDR3, DDR4, GDDR, etc.), entran en esta clasificacin. Tecnologa opcional en las memorias RAM utilizadas en servidores, que aumenta el rendimiento a las direcciones mediante pginas. Memoria DRAM de alta velocidad desarrollada para procesadores con velocidad superior a 1 GHz, en esta clasificacin se encuentra la familia de memorias RIMM. Memoria RAM muy veloz y relativamente cara, construida con transistores, que no necesitan de proceso de refresco de datos. Anteriormente haba mdulos de memoria independientes, pero actualmente solo se encuentra integrada dentro de microprocesadores y discos duros para hacerlos mas eficientes.

SDRAM

"Synchronous Dinamic Random Access Memory", memoria dinmica de acceso aleatorio

"Fast Page Mode Dinamic Random Access FPM DRAM Memory", memoria dinmica de paginacin de acceso aleatorio "Rambus DRAM", memoria dinmica de acceso aleatorio para tecnologa Rambus

RDRAM

SRAM / Cach

"Static Random Access Memory", memoria esttica de acceso aleatorio

Tipo ROM Memoria que permite un nmero indeterminado de lecturas pero no puede ser modificada. Memoria ROM que permite una programacin y posteriormente un nmero indeterminado de lecturas pero no puede ser modificada.

ROM

"Read Only Memory", memoria de solo lectura

PROM

"Programmable Read Only Memory", memoria programable de solo lectura "Erasable Programmable Read Only Memory", memoria programable y borrable de solo lectura

EPROM

Memoria PROM que permite reprogramacin por medio de un dispositivo especial y borrado por medio de luz ultravioleta.

EEPROM

"Electrically Erasable Programmable Read Only Memory", memoria elctricamente programable y borrable de solo lectura

Evolucin de las memorias EROM que permite alterar su contenido por medio de seales elctricas. Es la mas utilizada en las computadoras actuales para albergar el SetUp de la computadora.

Tipo Flash "Flash NAND", el trmino Flash es debido a la alta velocidad que puede manejar y NAND a un tipo de conexin especial de sus elementos electrnicos (Compuerta tipo NAND) Memoria que permite almacenar datos y mantenerlos almacenados sin necesidad de alimentacin elctrica hasta por 10 aos. Se utiliza en las memorias USB , memorias SD, MemoryStick de Sony, unidades SSD, e incluso para BIOS, etc.

Flash NAND

Tipo Swap Se trata de una simulacin de RAM en un rea de un disco duro, lo cul no permite que se detengan servicios al escasear memoria RAM pero ralentiza a la computadora. Tambin se puede actualmente crear SWAP en una memoria USB, utilizando el Software ReadyBoost de Microsoft Windows Vista u otros programas para Microsoft Windows XP, de este modo se vuelve mas eficiente el equipo de cmputo.

Swap / Virtual Memory

De intercambio memoria virtual

Otros Soporta informacin que se encuentra en espera de ser procesada y una vez realizado ese proceso, la borra para esperar nuevos datos, puede ser espacio asignado en una memorias RAM en un disco duro.

Buffer

"Amortiguador"

- Auto evaluacin, dudas y correcciones sobre este tema

Memoria interna. Tipos. Direccionamiento. Caractersticas y funciones.


lunes, 7 de mayo de 2012

Memoria interna

La Memoria Interna Se puede clasificar como: .-Memoria Duradera La informacin permanece inalterada hasta que se realice una nueva escritura sobre la misma. La informacin se mantiene de forma permanente. Se dice que la memoria es no voltil. .-Memoria Voltil La informacin debe ser alimentada con energa para que no desaparezca. .-Memoria con refresco Tipo especia de memoria voltil en la que el contenido debe ser renovado constantemente. .-Memoria Permanente La informacin no se puede alterar (solo lectura). La memoria principal o central Es la memoria del ordenador donde se almacenan los programas que estn en ejecucin y los datos que estos programas utilizan. Conectada directamente con la CPU. .-Memoria RAM (Random Access Memory) Memoria de lectura/escritura. .-Memoria ROM (Read Only Memory) Memoria de solo lectura. La memoria RAM La memoria RAM se usa para almacenar los programas que van a ser ejecutados. Pierde su contenido una vez que se desconecta de la red electrica (voltil).

Mira aqu para saber ms exactamente lo que es. Clasificacin de memoria RAM segn su formato fsico .-RAM soldada o SIP Los primeros ordenadores llevaban la memoria RAM soldada a la placa base.

.-Mdulos SIMM Son unos mdulos e memoria que se pinchan en unas ranuras existentes en la placa base. Las ranuras tienen que tener el mismo ancho que el bus de datos. Tipos de mdulos SIMM Mdulos SIMM de 30 contactos (8 bits). Capacidades 256KB, 512KB, 1MB, 4MB. Mdulos SIMM de 72 contactos (32 bits). Capacidades 1MB, 2MB, 4MB, 8MB, 16MB. .-Mdulos DIMM De 168 contactos. Despus de los mudos SIMM, aparecieron los mdulos de memoria DIMM que permiten recibir y transmitir 64 bits de datos en paralelo. Posteriormente aparecieron mdulos DIMM con 184 contactos. Capacidades 16MB, 32MB, 64MB, 128MB, 256MB, 512MB. .-Mdulos RIMM De 168 contactos. Es el formato ms nuevo en el rea de las memorias y es utilizado por algunos Pentium. Necesaria la instalacin de 2 en 2. No permiten que queden ranuras libres y por eso se colocan mdulos CRIMM carecen de memoria. Capacidades 64MB, 128MB, 256MB.

Clasificacin de la memoria RAM segn sus caractersticas tecnolgicas. Todas permiten operaciones de lectura y escritura. Todas son de direccionamiento aleatorio, es decir, todas las celdas de memoria tienen el mismo tiempo de acceso, lo cual las diferencia de las memorias de acceso secuencial y de las de acceso directo. Todas son memorias voltiles .-RAM Esttica Es una memoria que NO NECESITA REFRESCO. La mas conocida es la SRAM (cach). Ver en La memoria cach. .-RAM Dinmica Es una memoria que SI NECESITA REFRESCO, ya que cada bit se almacena en una celda formada por un transistor y un condensador y el condensador se va descargando. Son mas lentas, pero mas baratas. Durante el tiempo de refresco el procesador no puede acceder a ellas. Son las ms comunes en los ordenadores actuales. Tipos de memoria RAM Dinmica .-Memoria DRAM Es memoria con refresco ya que contiene un condensador que debe ser refrescado de modo peridico. Contiene chips muy pequeos para ganar espacio. Para operar

tiene en cuenta que las posiciones de memoria estn organizadas en filas y columnas. Fsicamente aparece en mdulos SIMM o DIMM. .-Memoria FPM Es una memoria un poco mas veloz que la DRAM gracias a su habilidad para trabajar en paginas. El funcionamiento es similar a la consulta de un diccionario, si la palabra que buscamos esta en la misma pagina que estamos, basta con ir bajando hacia abajo hasta localizarla, pero si tenemos que cambiarnos de pagina el proceso se ralentiza. Fsicamente viene en modulo SIMM de 30 o 72 contactos. .-Memoria EDO RAM Tambin utiliza el mecanismo de paginas pero acelera los accesos a la memoria base, pues permite al controlador de memoria acceder a una nueva columna mientras se lee la informacin contenida en la direccin que se esta sirviendo en ese momento. Fsicamente esta memoria viene encapsulada en mdulos SIMM de 72 contactos y DIMM de 168. .-Memoria SDRAM Nuevo mtodo de comunicacin entre la memoria y la CPU, ya que estas pasan a realizarse de forma sincrona. En los modos de acceso convencionales, el microprocesador da la orden de recoger un dato desde la memoria, que asume la peticin y se pone a trabajar. Cuando se ha tramitado la orden se lo comuna a la CPU para que pueda obtener la infamacin, pero el problema es que, mientras tanto, el procesador ha estado parado. La SDRAM tiene la ventaja respecto de las comentadas anteriormente de que se sincroniza con la velocidad de comunicaciones interna del ordenador. Utiliza un reloj para sincronizar las operaciones de entrada y salida en el chip. Dicho reloj esta coordinado con el reloj de bus de datos, de forma que los ritmos de los chips de memoria y de dicho bus estn sincronizados. Son ms rpidas. Fsicamente viene en mdulos DIMM de 168 contactos. Tambin se conoces con otros nombres. PC60, PC100 Y PC133. .-Memoria DDR-SDRAM Es la evolucin de las SDRAM y se basa en su diseo con mejoras que suponen un aumento de la velocidad de transferencia. Las memorias DDR permiten la lectura de datos tanto en la fase alta como baja del ciclo de reloj, con lo que se obtiene el doble de ancho de banda que con la SDRAM estndar al poder realizar dos transferencias de datos por cada ciclo de reloj. Es decir, la tecnologa DDR permite duplicar la velocidad respecto a la tecnologa SDRAM sin aumentar la frecuencia del reloj. Fsicamente viene en mdulos DIMM de 184 contactos. Al igual que sucede con la SDRAM, a esta memoria tambin se la conoce por la velocidad de trasferencia, as tenemos la PC200, LA PC266. Pero se cambiaron el nombre por PC1600 y PC2100 por cuestin de marketing. La memoria ROM Es una memoria permanente y no voltil. Es una memoria que se utiliza para almacenar rutinas o microprogramas bsicos a nivel de hardware como la BIOS. La ROM BIOS es la parte de ROM que permanece activa mientras el ordenador esta funcionando. La ROM BIOS contiene: Controlan los dispositivos perifricos del ordenador, tales como la pantalla, el teclado, las unidades de disco, etc. Son las llamadas rutinas de Entrada/Salida bsicas.

Especificaciones tcnicas de la placa base, procesador, velocidad del bus, puertos, discos duros, etc. Es decir, especificaciones tcnicas del hardware del ordenador y de la configuracin bsica. Rutinas de acceso a la CMOS, a las cuales se accede pulsando la tecla Supr. Cargar el gestor de arranque Cargar el S.O Mirar secuencias de arranque configuradas ( A:/ C:/ D:/ ) La CMOS es voltil que contiene la configuracin del equipo y que es modificable a travs de la BIOS. Esta memoria esta alimentada a travs de una pila que se esta recargando mientras el equipo esta en funcionamiento.

Clasificacin de la memoria ROM segn la tecnologa utilizada .-MASK ROM Llegan del fabricante ya grabadas. El proceso de grabacin se hace en el mismo momento de la produccin de la memoria por medio de unas mascaras litogrficas. La mascara es muy costosa. Cada dato que se quiere cambiar requiere fabricar nuevamente todas las memorias. .-PROM La grabacin de la memoria se realiza despus de la fabricacin de la misma, pero una vez grabada ya no puede ser modificada. .-EPROM Permiten el borrado y posterior regrabado de los datos en casa del usuario. Estas memorias utilizan un tipo de transistor especial como elemento de almacenamiento que es

sensible a la carga elctrica. Se borran mediante radiaciones de lmparas ultravioletas. Estas memorias se utilizan durante la puesta a punto del equipo. Son ms caras. .-EEPROM Conceptualmente son similares a las EPROM, pero el borrado se efecta por medio de un circuito electrnico en vez de mediante luz ultravioleta. .-Memoria Flash Son del tipo EEPROM, con todo lo que ello conlleva, con la particularidad de no permitir borrar a nivel de bytes, aunque si a nivel de bloque. EsTe tipo de memoria esta empezando a ser utilizada como llavero USB. La memoria cach Es una clase de memoria especia de alta velocidad que esta diseada ara acelerar el procesamiento de la CPU cuando esta tiene que acceder a memoria principal. Es ms rpida que la memoria principal, al tratarse de uan memoria SRAM (RAM Esttica). Se coloca entre la CPU y la memoria principal. Cuando la CPU pide algo y no se encuentra en memoria cach se produce lo que se conoce con el nombre fallo de cach. Existen dos tipos de memoria cach: Cach interna: Es la cach que se encuentra dentro del propio microprocesador. Cach externa: Es la cach que se encuentra fuera de microprocesador.

Funcionamiento del Transistor

Para interpretar los esquemas es muy importante saber con detalle el funcionamiento del transistor. Para ello es conveniente ver como se comporta de acuerdo con la corriente de base, que es la principal particularidad de este dispositivo electrnico. Lo analizaremos mejor por medio de imgenes. En la imagen seguimos con un transistor de tipo NPN, pero sera lo mismo hacer la prueba con el otro tipo de transistor, el PNP, pero habra que hacerlo con las conexiones invertidas para ese caso. En esa imagen va sernos de gran utilidad el potencimetro (P) que se aprecia en la parte baja y tambin el miliampermetro (A) que nos indicar el valor de la corriente que circular por el colector. Aseguramos de que hemos hecho bien las conexiones, es decir, el negativo de la batera al cristal N emisor, el positivo al colector; y en lo que respecta a la base con su conexin positiva por ser cristal P. En esa imagen que vimos tenemos el potencimetro a cero, de modo que su alta resistencia impide el paso de la corriente a la base y el transistor no conduce corriente. Cuando accionamos el cursor del potencimetro y disminuimos la resistencia del circuito, como se ve en la siguiente imagen; dando paso a una intensidad de corriente (IB) de, por ejemplo 0,1 mA, la corriente pasa a alimentar la base y observamos que el miliampermetro conectado en serie con el colector mueve su aguja y causa un paso de corriente de 10 mA. Si accionamos el potencimetro de modo que pase la mxima corriente posible, la aguja del miliampermetro tambin delata el aumento del paso de corriente de colector. Entonces deducimos que la corriente de base, cuanto ms intensa es, ms intensa permite que sea la corriente del colector. De ah sacamos una importante caracterstica del transistor, y es que se puede regular la corriente de paso por el mismo, por el hecho de establecer una determinada corriente de base. En el ejemplo anterior vimos que con una corriente de 0,1 mA puede controlarse otra corriente de 10 mA, es decir, una corriente 10/0,1 = 100 veces superior. Otra condicin de la mayor importancia para conocer para conocer el funcionamiento del transistor son las siguientes reglas que hemos de considerar siempre cuando se trata de interpretar su funcionamiento. En estos casos: - Al emisor deber aplicrsele una polaridad del mismo signo que el cristal que los constituye. Si el cristal es del tipo P se le deber aplicar polaridad positiva; y si es del tipo N se le deber aplicar polaridad negativa. - A la base se le aplicar igualmente una polaridad del mismo signo que el cristal que lo constituye. Si es un cristal N se le aplicar polaridad negativa; y si es un cristal P deber ser positiva.

- Al colector se le aplicar una polaridad opuesta al cristal que lo constituye. Si es un cristal P se le deber aplicar la polaridad negativa; y si es de cristal N deber aplicrsele la polaridad positiva. Estas condiciones hay que tenerlas muy en cuenta cada vez que tenga que conectar un transistor en un circuito.

Transistor
Transistor

El tamao de un transistor guarda relacin con la potencia que es capaz de manejar.

Tipo

Semiconductor

Fecha de invencin John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley (1947)

Smbolo electrnico

Configuracin

Emisor, base y colector

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para producir una seal de salida en respuesta a otra seal de entrada. 1Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor(resistencia de transferencia). Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores,reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, etc.
ndice
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1 Historia 2 Tipos de transistor

o o o o

2.1 Transistor de contacto puntual 2.2 Transistor de unin bipolar 2.3 Transistor de efecto de campo 2.4 Fototransistor

3 Transistores y electrnica de potencia 4 El transistor bipolar como amplificador

o o o

4.1 Emisor comn 4.2 Base comn 4.3 Colector comn

5 El transistor bipolar frente a la vlvula termoinica 6 Referencias 7 Vase tambin 8 Enlaces externos

Historia[editar editar cdigo]


Artculo principal: Historia del transistor

El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956. Fue el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos, o triodo. El transistor de efecto de campo fue descubierto antes que el transistor (1930), pero no se encontr una aplicacin til ni se dispona de la tecnologa necesaria para fabricarlos masivamente. Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados transistores de efecto de campo (FET). En los ltimos, lacorriente entre el surtidor o fuente (source) y el drenaje (drain) se controla mediante el campo elctrico establecido en el canal. Por ltimo, apareci el MOSFET (transistor FET de tipo Metal-xido-Semiconductor). Los MOSFET permitieron un diseo extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (CI). Hoy la mayora de los circuitos se construyen con tecnologa CMOS. La tecnologa CMOS (Complementary MOS MOS Complementario) es un diseo con dos diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se complementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un funcionamiento sin carga. El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica cuntica. De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es funcin amplificada de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector, segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como corriente de base, tensin Colector Emisor,

tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas(configuraciones) bsicos para utilizacin analgica de los transistores son emisor comn, colector comn y base comn. Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal de base para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensin presente en el terminal de puerta o reja de control (graduador) y grada la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensin aplicada entre Compuerta y Fuente, es el campo elctrico presente en el canal el responsable de impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) ser funcin amplificada de la Tensin presente entre la Compuerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es anlogo al del triodo, con la salvedad que en el triodo los equivalentes a Compuerta, Drenador y Fuente son Reja (o Grilla Control), Placa y Ctodo. Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integracin a gran escala disponible hoy en da; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados, por centmetro cuadrado y en varias capas superpuestas.

Tipos de transistor[editar editar cdigo]

Distintos encapsulados de transistores.

Transistor de contacto puntual[editar editar cdigo]


Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se ve en el colector, de ah el nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el

transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

Transistor de unin bipolar[editar editar cdigo]


Artculo principal: Transistor de unin bipolar

Diagrama de Transistor NPN

El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o huecos (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P). La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector). El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.

Transistor de efecto de campo[editar editar cdigo]

El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal. El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN. Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla del canal mediante un dielctrico.

Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal semiconductor por una capa de xido.

Fototransistor[editar editar cdigo]


Artculo principal: Fototransistor

Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn); Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminacin).

Transistores y electrnica de potencia[editar editar cdigo]


Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es as como actualmente los transistores son empleados en conversores estticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente

inversores), aunque su principal uso est basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado.

El transistor bipolar como amplificador[editar editar cdigo]


El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensin igual a la tensin directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio. Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la corriente de base: IC = IB, es decir, ganancia de corriente cuando >1. Para transistores normales de seal, vara entre 100 y 300. Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador:

Emisor comn[editar editar cdigo]

Emisor comn.

La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia tanto de tensin como de corriente. En caso de tener resistencia de emisor, RE > 50 , y para frecuencias bajas,

la ganancia en tensin se aproxima bastante bien por la siguiente expresin: impedancia de salida, por RC

; y la

Como la base est conectada al emisor por un diodo en directo, entre ellos podemos suponer una tensin constante, Vg. Tambin supondremos que es constante. Entonces tenemos que la tensin de emisor es:

Y la corriente de emisor:

La corriente de emisor es igual a la de colector ms la de

base: La tensin de salida, que es la de colector se calcula

. Despejando

como:

Como >> 1, se puede aproximar:

y,

entonces,

Que podemos escribir como

Vemos que la parte

es constante (no depende de la seal de entrada), y la

parte

nos da la seal de salida. El signo negativo indica que la seal de salida est

desfasada 180 respecto a la de entrada.

Finalmente, la ganancia queda:

La corriente de entrada,

, que aproximamos

por

Suponiendo que VB>>Vg, podemos escribir:

y la impedancia de entrada: Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor ms elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.

Base comn[editar editar cdigo]

Base comn.

La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia slo de tensin. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si aadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de seal, un anlisis similar al realizado en el caso de emisor

comn, nos da la ganancia aproximada siguiente:

La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja impedancia de salida como, por ejemplo, micrfonos dinmicos.

Colector comn[editar editar cdigo]

Colector comn.

La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia de corriente, pero no de tensin que es ligeramente inferior a la unidad. La impedancia de entrada es alta,

aproximadamente +1 veces la impedancia de carga. Adems, la impedancia de salida es baja, aproximadamente veces menor que la de la fuente de seal.

El transistor
Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulacin de una corriente grande mediante una seal muy pequea.Existe una gran variedad de transistores. En principio, se explicarn los bipolares. Los smbolos que corresponden a este tipo de transistor son los siguientes:

Transistor NPN Estructura de un transistor NPN Transistor PNP Estructura de un transistor PNP Veremos mas adelante como un circuito con un transistor NPN se puede adaptar a PNP. El nombre de estos hace referencia a su construccin como semiconductor. 1. FUNCIONAMIENTO BASICO Cuando el interruptor SW1 est abierto no circula intensidad por la Base del transistor por lo que la lmpara no se encender, ya que, toda la tensin se encuentra entre Colector y Emisor. (Figura 1).

Figura 1

Figura 2

Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequea circular por la Base. As el transistor disminuir su resistencia entre Colector y Emisor por lo que pasar una intensidad muy grande, haciendo que se encienda la lmpara. (Figura 2). En general: IE < IC < IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE 2. POLARIZACIN DE UN TRANSISTOR Una polarizacin correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo mismo polarizar un transistor NPN que PNP.

Polarizacin de un transistor NPN

Polarizacin de un transistor PNP

Generalmente podemos decir que la unin base - emisor se polariza directamente y la unin base - colector inversamente. 3. ZONAS DE TRABAJO CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor tambin es nula.La tensin entre Colector y Emisor es la de la batera. El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto. IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensin de la batera se encuentra en la carga conectada en el Colector. ACTIVA.- Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente.

Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en conmutacin. En definitiva, como si fuera un interruptor. La ganancia de corriente es un parmetro tambin importante para los transistores ya que relaciona la variacin que sufre la corriente de colector para una variacin de la corriente de base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de caractersticas, tambin aparece con la denominacin hFE. Se expresa de la siguiente manera: = IC / IB En resumen: Saturacin VCE VRC IC IB VBE ~0 ~ VCC Mxima Variable ~ 0,8v Corte ~ VCC ~0 = ICEO lang=EN-GB~ 0 =0 < 0,7v Activa Variable Variable Variable Variable ~ 0,7v

Los encapsulados en los transistores dependen de la funcin que realicen y la potencia que disipen, as nos encontramos con que los transistores de pequea seal tienen un encapsulado de plstico, normalmente son los ms pequeos ( TO- 18, TO-39, TO-92, TO-226 ... ); los de mediana potencia, son algo mayores y tienen en la parte trasera una chapa metlica que sirve para evacuar el calor disipado convenientemente refrigerado mediante radiador (TO-220, TO-218, TO-247...) ; los de gran potencia, son los que poseen una mayor dimensin siendo el encapsulado enteramente metlico . Esto, favorece, en gran medida, la evacuacin del calor a travs del mismo y un radiador (TO-3, TO-66, TO-123, TO-213...).

FUNCIONAMIENTO MICROPROCESADOR Los elementos ms importantes de un microprocesador son: Unidad Aritmtico Lgica (UAL) y la Unidad de Control (UC). La Unidad Aritmtico Lgica es la que realiza las operaciones del microprocesador, se encarga de sumar, restar, hacer operaciones lgicas, etc. con los operandos que le llegan de los registros X e Y..

La Unidad de Control gobierna todos los dems elementos con unas lneas de control que se van encendiendo y apagando sicronizadamente con la seal de reloj. Al reiniciar el microprocesador, la Unidad de Control recibe una seal de reset y prepara al resto del sistema y recibe la seal de reloj que marca la velocidad del procesador. - El registro PC (ProgramCounter), o Contador de Programa, se carga con la direccin de memoria en la que empieza el programa. - La Unidad de Control hace que el Contador de Programa (PC) apareca en el bus de direcciones y le indica a la RAM que quiere leer un dato que tiene almacenado en esa posicin. - La memoria pone el dato, que es la instruccin del programa, en el bus de datos, desde el que se carga en el Registro de Instrucciones (RI). La Unidad de Control procesa esto y va activando los movimientos de datos. - La instruccin pasa del RI al Decodificador de Instrucciones (DI) que contiene una tabla con el significado de la instruccin. El DI ejecuta la instruccin y sino puede consulta con la Unidad de Control. - Si la instruccin fuese una suma, la UC cargara los valores a sumar en los registros A y B de la UAL. Luego le ordenara a la UAL que los sumase y lo pusiera en el bus de datos. - Luego la UC hara que el Contador de Programa avanzara un paso para ejecutar la siguiente instruccin y as sucesivamente.

Diagrama de Bloques