Repblica Bolivariana de Venezuela. Ministerio del Poder Popular para la Defensa. Universidad Nacional Experimental Politcnica de la Fuerza Armada.

5 Semestre de Ingeniera en Telecomunicaciones. Seccin: 5ITTC-D01 Electrnica I

Diodos y Semiconductores

Profesor: Integrantes: Nicolas Buonano Alfredo Gunchez C. I. 20.005.610

Caracas, Martes 16 de Octubre de 2012

Caractersticas del funcionamiento de un diodo Diodos

Un diodo es el dispositivo semiconductor ms sencillo, que desempea un papel muy importante en los sistemas electrnico. Con sus caractersticas similares a las de un interruptor, aparece en una amplia variedad de aplicaciones. Cuando se habla de un dispositivo real de este tipo; se hace referencia al diodo ideal, que es un dispositivo con dos terminales que se caracteriza por considerarse un interruptor que conduce corriente en una sola direccin, actuando de esa forma como un circuito abierto en cualquier intento por establecer una corriente en direccin opuesta. Para la formacin de un diodo, basta juntar el material tipo p con un material del tipo n, construidos en la misma base, sea germanio o silicio y como cualquier otro componente electrnico, los diodos deben ser comprobados, en cuanto a su estado por medio de pruebas y mediciones de la siguiente forma: Para que la corriente circule con una mnima resistencia, el polo positivo de la fuente debe estar aplicado al electrodo nodo y el negativo al ctodo, obteniendo una Polarizacin Directa. Cabe destacar que esto sucede cuando se ha establecido la asociacin tipo p y positivo y tipo n y negativo. Para que la corriente circule a su mxima resistencia, se conecta el polo positivo al ctodo, y el negativo al nodo, para obtener la Polarizacin Inversa. Esto sucede cuando se establece la asociacin tipo p en negativo y tipo n en positivo, la corriente que se aplica para esta polarizacin se llama corriente de saturacin inversa. En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado; el flujo neto de la carga para cualquier semiconductor es cero. Por medio de la fsica se puede determinar que las caractersticas de un diodo se pueden determinar mientras se aplica para las regiones de polarizacin directa e inversa: ID = IS (ekVd/Tk - 1)

Donde IS es la corriente de saturacin inversa, K la constante de Boltzmann y Tk la temperatura en grados kelvin (T C + 273); para valores positvos de VD, la el primer trmino de la ecuacin crecer con mayor rapidez, superando el efecto del segundo trmino de la ecuacin, por lo que el resultado ser positivo para VD e ID y as mismo crecer la misma manera que con la funcin y =

ex.

En VD = 0 v. no

aplica ninguna intensidad de corriente, debido al cambio drstico en las escalas del amperaje. Y para valores negativos de VD el primer trmino descender por debajo de IS, haciendo que ID = - IS. En cuanto a la intensidad de corriente en cada diodo que conforma un transistor, se debe de ser muy grande en el diodo emisor, que se polariza directamente, en tanto que la intensidad debera ser casi nula en el diodo colector, polarizando inversamente. Sin embargo en el transistor no sucede tal cosa, por el hecho de que ambos diodos operen conjuntamente, teniendo un electrodo comn (la base) hasta que sucede una situacin muy curiosa: 1. Aplicando polarizacin directa al diodo emisor-base y no se polariza el diodo colector-base, la intensidad de la corriente en el diodo polarizado ser muy alta. 2. Aplicando polarizacin inversa al diodo colector-base y no se polariza el diodo emisor base, la intensidad de la corriente en el diodo polarizado ser casi nula. De esta forma representa la corriente de fuga, del diodo colectorbase del transistor. Cuando se aplican las polarizaciones correspondientes a ambos diodos, la intensidad de la corriente del diodo colector-base, aumenta a grandes valores. Todo sucede tal como si el hecho de haberse acoplado el diodo emisor-base, produjese una reduccin de la resistencia del diodo colector-base. Esto se debe a que: 1. Cuando el diodo colector base no se polariza, la cantidad de lagunas o electrones inyectadas por el emisor a la base, ser muy grande: la corriente de la base ser exactamente igual a la corriente del emisor.

2. Cuando el diodo colector base se polariza, las lagunas o electrones se dividen en dos caminos, una muy pequea cantidad hacia la base y el resto hacia el colector.

Semiconductores
Un material conductor se aplica a todo el material que soporte un flujo generoso de carga, cuando una fuente de voltaje de limitada magnitud se aplica a travs de sus terminales. Un aislante, por su parte, es un material que ofrece un nivel muy bajo de conductividad bajo la presin de una fuente de voltaje. Por lo tanto un semiconductor es un material que ofrece un nivel de conductividad sobre algn punto entre los extremos de un aislante y un conductor. Un buen semiconductor tienen cuatro electrones de valencia, los ms conocidos son el silicio y el germanio.

Especificaciones de un Diodo
Generalmente y segn el fabricante, stos semiconductores son presentados de dos formas. Una con caractersticas limitadas o bien esenciales, y la otra que es extensa. Sin embargo, para una correcta utilizacin del dispositivo y a una temperatura de 25 C, se debe de indicar: Voltaje directo con la corriente y temperatura en particular. La mxima corriente directa (hasta 500 mA.) y corriente de saturacin inversa.

Valor del voltaje inverso VBR, de hasta 5 nA. Nivel mximo de disipacin de potencia a una temperatura en particular (de hasta 500 mW, la cual se reduce a una proporcin de 3,33 mW por grado de incremento en la temperatura por encima de los 25 C).

Rango de temperatura de operacin. Nivel de capacitancia, siendo sensibles a altas frecuencias produciendo en cada polarizacin un efecto distinto.

Tiempo de recuperacin inverso, pasando del estado de conduccin al de no conduccin si se invierte el voltaje para establecer un caso particular de polarizacin directa, de hasta 3 s.

Al proporcionar la mxima potencia se entiende que PD = ID * VD, donde ID es la intensidad de corriente y VD el voltaje del diodo. De igual forma se debe de mostrar las grficas de curvaturas de cada uno de los elementos. As como la corriente rectificada promedio, corriente directa pico repetitivo y corriente de sobrecarga pico. Se puede mencionar al semiconductor 1N3234, que es un diodo semiconductor de silicio, que funciona a unos 1500 V y un tiempo de recuperacin inverso de hasta 12,5 s., se usa como rectificador. Por otro lado, para saber la condicin de un diodo semiconductor, si se encuentra en buen estado, se puede determinar usando:

Multimetro digital con verificacin de diodos: indica la polarizacin directa del semiconductor, una vez definido del voltaje y la intensidad de corriente indicada, citamos por ejemplo el silicio, el medidor posee una fuente interna de corriente, de unos 2 mA. Que define el nivel del voltaje (0,67 vol.). una indicacin OL revela que el diodo est abierto o defectuoso, aun cuando las conexiones se encuentren invertidas.

hmetro: al medir la resistencia de un diodo, se puede ver que la resistencia es baja en polarizacin directa en comparacin con la inversa, cuya lectura indica que la resistencia es muy alta. La indicacin resultante en el hmetro ser una funcin de la corriente establecida por la batera interna a travs de un diodo (de unos 1,5 vol.) por el circuito del instrumento.

Trazado de curvas: despliega las caractersticas de un sinfn de dispositivos, por medio del osciloscopio.