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Ao de la Inversin para el Desarrollo Rural y la Seguridad Alimentaria

FACULTAD

INGENIERA ELECTRNICA Y MECATRNICA

CURSO

LABORATORIO DE ELECTRNICA ANALGICA II

INTEGRANTES :

BUSTAMANTE RIVERA, Henry CABRERA JANAMPA, Albert SANCHEZ BAUTISTA, Ivn ZUIGA SALINAS, Paul

HORARIO

SABADO 2:40 4:20 PM

PROFESOR

MARINA VALDIVIA, Oscar Jess

2013

INTRODUCCIN
Un amplificador recibe una seal de algn transductor de capacitacin o de cualquier otra fuente de entrada y proporciona una versin ms grande de la seal a cierto dispositivo de salida o a otra etapa de amplificacin. Un amplificador de voltaje amplificacin de voltaje principalmente para incrementar voltaje de la seal de entrada, Por otro lado, los amplificadores de gran seal o de potencia, proporcionan principalmente potencia suficiente a una carga de salida para activar una bocina o algn otro dispositivo. Es decir un amplificador de potencia es aquel que, aparte de suministrar una mayor tensin, suministran tambin una mayor corriente (amplificacin de tensin y amplificacin de corriente y, por ende, amplificacin de potencia). En este tema nicamente vamos a entrar en los amplificadores de potencia clase b en simetra complementaria, que son los que nos interesan.

AMPLIFICADOR DE SIMETRA COMPLEMENTARIA

Configuracin Tpica: Usualmente el A.P Simtrico Complementario en su configuracin tpica utiliza 2 transistores, uno NPN y el otro PNP, este no llevara un transformador de acople pues la seal de entrada se aplicar de manera simultnea a la los 2 diodos:

Con Diodos Compensados

N tpica: La eficiencia est definida como la relacin de la potencia alterna que se obtiene a la salida (en valor RMS) con respecto a la potencia continua suministrada por las fuentes de alimentacin, esto es:

( I 2 cm*RL ) / 2 Vcc*Icm/

100

Donde Vo e Io corresponden a los parmetros de la carga, y Vcc e Icc la energa consumida por la fuente de poder.

Teniendo una eficiencia mxima del 78.5%, aunque en la realidad su eficiencia oscile entre el rango de 50% a 65%.

Potencia entregada a la carga: (P Lac)

I 2cm * R L PLac 2
Potencia entregada por la fuente: (Pcc)

Vcc 2 Pcc max 2 * R L


Potencia disipada en el colector: (Pc)

Pcc

Vcc * Icm

2Pc Pcc PL

Aplicaciones: La impedancia de salida ha de ser pequea puesto que la carga suele ser un altavoz (4 u 8 ohms). Los amplificadores de potencia de audio proporcionan alta corriente a una carga de salida, que corresponde a un parlante o caja acstica. Caractersticas: o Estos amplificadores suelen ser en colector comn ya que su ganancia de Corriente es muy elevada y esto hace que la intensidad de la salida sea grande, lo suficiente como para mover la bobina del altavoz.

o El concepto simtrico corresponde a una distribucin simtrica de voltajes en los transistores Q1 y Q2. En concepto complementario se usa por el uso de transistores NPN y PNP. o Estos amplificadores se denominan complementarios, pues utilizan pares de transistores similares, pero de tipos opuestos, NPN y PNP. A su vez son denominados simtricos, pues cada transistor amplifica la mitad de la seal de entrada, y posee una polarizacin DC que tambin se reparte en forma simtrica.

Desventajas: o La necesidad de 2 fuentes de alimentacin separadas. o Existe una distorsin de cruce en la seal de entrada.

Ventajas: o La polarizacin de los transistores simtricos complementarios mejora esta operacin mediante la polarizacin para q permanezcan encendidos por ms de medio ciclo. o Presenta un ahorro de peso y coste (no requiere transformadores), adems de no necesitar seales de entrada desfasadas en 180 grados.

MATERIAL Y EQUIPO:

01 Transistor 2N2222 01 Transistor 2N3906 01 Opamp LM741 01 Resistor de 330, 0.5W 02 Resistores de 10K, 0.5W 02 Resistores de 1K, 0.5W 01 Potencimetro de 1K 01 Potencimetro de 10K

03 Puntas de prueba 01 Osciloscopio

01 Generador de funciones

01 Fuente de alimentacin

01 Protoboard

PROCEDIMIENTO:

1.- Ensamblar el siguiente circuito: Verifique las conexiones de las tensiones DC aplicadas al amplificador operacional, antes de encender el circuito.

2.- Mediciones en DC: Poner Vg = 0 Mida la tensin en el punto E respecto a tierra: VE = 15.5 mV Mida la tensin en el punto B respecto a tierra: VB = 0.57V Mida la tensin en el pin 2 del 741: V2 = 0V Mida la tensin en el pin 3 del 741: V3 = 0V

Aqu se aprecia el circuito simulado y sus respectivas mediciones en cada uno de los puntos:

VE = 11.7mV VB = 0.55V V2 = 0.98mV V3 = -63.4uV

3.- Aplique una seal de entrada Vg con frecuencia de 1KHz, aumente Vg hasta que se obtenga mxima excursin simtrica en la salida. Anote los valores pico: Simulacin: Vg = 10V Vsalida = 10V Vsalida = 9.6V

Laboratorio: Vg = 9.5V

Dibuje las formas de onda en los puntos B y E: Channel A: Punto E Channel B: Punto B

4.- Con el nivel de Vg del paso 3 mida la respuesta en frecuencia del circuito: F 100 (Hz) Vsalida 10V (Vpico) Simulado Vsalida (Vpico) 9.6V Medido 500
10V

1K
10V

2K
10V

5K
10V

10K
7V

20K
3.17V

30K
1.88V

50K
0.89V

70K
0.44V

100K
0.14V

9.6V

9.6V

9.6V

9.6V

9.6V

6.5V

4.5V

2.7V

1.8V

1.2V

5.- Desconecte el resistor R4, de 10K, del punto E y conctelo al punto B. Reduzca Vg para obtener en la salida 3 voltios pico. Dibuje la forma de onda de salida.

Dibuje la forma de onda en el punto B.

INFORME FINAL: 1.- Haga una tabla comparndolos valores tericos con los valores experimentales.

F 100 (Hz) Vsalida 10V (Vpico) Simulado Vsalida (Vpico) 9.6V Medido

500
10V

1K
10V

2K
10V

5K
10V

10K
7V

20K
3.17V

30K
1.88V

50K
0.89V

70K
0.44V

100K
0.14V

9.6V

9.6V

9.6V

9.6V

9.6V

6.5V

4.5V

2.7V

1.8V

1.2V

MEDICIONES DC Medido Simulado

VE
15.5mV 11.7mV

VB
0.57V 0.55V

V2
0V 0.98mV

V3
0V -63.4uV

2.- Por qu la tensin pico de salida no llega a ser igual a la tensin de la fuente? Porque se presenta la mxima excursin simtrica. Esta se present en la parte baja de la onda senoidal de salida, si seguamos aumentando la tensin de entrada hasta que se presente en ambos lados podramos observar un voltaje pico-pico igual al de la fuente. No lleg a serlo porque el punto de operacin no se encontraba en el Punto Q y la onda se recortaba antes por la parte negativa de la seal. 3.- Por qu las tensiones en los pines 2 y 3 de operacional tienden a ser iguales?

4.- Por qu la tensin de seal de salida est en fase con la entrada? Se debe a que la salida del Opamp est en fase con la entrada y por lo tanto al llegar la seal a ambos transistores de simetra complementaria, primero se activa el transistor NPN para el semiciclo positivo estando en fase con la entrada y para el semiciclo negativo el transistor PNP formando a onda senoidal amplificada a la salida.

5.- Haga el grfico de la respuesta en frecuencia de la ganancia y explique por qu tiene la forma medida.
Ganancia (A)

10

100

F (Khz)

Esta es la respuesta en frecuencia del circuito y se debe a que solo opera de manera normal para frecuencias menores a 10KHz, teniendo en cuenta esta frecuencia de corte de aqu en adelante la salida va disminuyendo hasta casi llegar a 0V.

6.- Qu conclusiones saca de las formas de onda en los pasos (3) y (5)? En el punto B se observa la salida del Opamp que es una onda senoidal comn, pero a la salida de los transistores se observa una distorsin de cruce. Esto se debe a la etapa de los transistores y al modo en el cual operan (Simetra complementaria). La tensin base-emisor es de aprox. 0.7V para que el transistor trabaje; por lo tanto al observar una salida pequea la distorsin es mucho ms notoria debido a que se tiene que llegar a esa tensin para que el transistor trabaje y en ese lapso se presenta una salida de 0V.

CONCLUSIONES: Se comprob cada una de las mediciones con la simulacin siendo muy similares estas. Se analiz la respuesta en frecuencia del circuito para elaborar una grfica de esta y saber hasta que valor de frecuencia opera normalmente el circuito. Se encontr la mxima excursin simtrica y se analiz a que se debe y porque no se logra llegar al valor de la fuente a la salida.

OBSERVACIONES: Se logr observar el trabajo de los transistores en configuracin de simetra complementaria y se analiz el trabajo respectivo de cada uno de ellos en los semiciclos tanto positivo como negativo. Se observ al reducir la seal de entrada y observar la salida detenidamente la distorsin de cruce producida por la tensin umbral del diodo entre baseemisor.