Aula9-M&p - Propriedades Elétricas - SETZ

CENTRO DE ENGENHARIA, MODELAGEM E CINCIAS SOCIAIS APLICADAS BC1105 MATERIAIS E SUAS PROPRIEDADES
UNIVERSIDADE FEDERAL DO ABC

CENTRO DE ENGENHARIA, MODELAGEM E CINCIAS SOCIAIS APLICADAS
BC 1105 MATERIAIS E SUAS PROPRIEDADES

Propriedades Eltricas
Prof. Dr. Luiz Fernando Setz
PROPRIEDADES ELTRICAS Importncia......
Isolante
Seleo de materiais
Semicondutor Condutor
O comportamento dos materiais, em resposta aplicao de um CAMPO ELTRICO externo, define as PROPRIEDADES ELTRICAS dos materiais. As propriedades eltricas dependem de diversas caractersticas dos materiais: a configurao eletrnica, o tipo de ligao qumica e os tipos de estrutura e microestrutura.
PROPRIEDADES ELTRICAS
Em 1827 Georg Simon Ohm, baseado em evidncias experimentais e utilizando o conceito RESISTNCIA ELTRICA (R) de um corpo, formulou uma lei que relaciona a VOLTAGEM (U) aplicada sobre o corpo com a CORRENTE ELTRICA (I) que o atravessa.
U=RI
LEI DE OHM
Resistor Varivel
Ampermetro Bateria
Unidades SI: U Volts (V) = J / C I Ampres (A) = C / s R Ohms () = V / A
rea da seo Transversal, A Voltmetro
Amostra
Representao esquemtica de um arranjo experimental que permite medir a resistncia eltrica de um corpo.
RESISTIVIDADE E CONDUTIVIDADE ELTRICA Para um corpo cilndrico de comprimento L e seo transversal de rea A, define-se a RESISTIVIDADE ELTRICA () do material do qual o corpo constitudo por:
Unidade SI: Ohms-metro ( .m) = V.m / A
RA l
A CONDUTIVIDADE ELTRICA () de um material uma medida da facilidade com que ele capaz de conduzir uma corrente eltrica. Define-se a condutividade eltrica como sendo o inverso da resistividade:
Unidade SI: (Ohms-metro)-1 ( .m) -1 = A / V.m
RESISTIVIDADE E CONDUTIVIDADE ELTRICA
A resistncia depende do material e da geometria do condutor, e a resisitividade uma PROPRIEDADE DO MATERIAL do qual o corpo constitudo, est relacionada com a resistncia e independente da geometria da amostra. LEI DE OHM Utilizando o conceito de CONDUTIVIDADE (), a LEI DE OHM determina que a DENSIDADE DE CORRENTE (J) num dado material diretamente proporcional ao CAMPO ELTRICO (E) aplicado sobre o mesmo.
J=E
Unidades SI: E = U/ L Volts-metros-1 (V/m) = J / m.C J = I/A Ampres -metros-2 (A/m 2) = C / m 2.s
Dependendo da valora da condutividade/resistividade tem-se trs tipos de materiais: Condutor Semicondutor Isolante
Materiais Condutividade maior em metais e menor em isolantes Resistividade menor em metais e maior em isolantes
Condutividade nos Materiais
Condutividade em (.m)-1 de uma variedade de materiais temperatura ambiente.

concreto (seco)
mica vidro Ge Si 10-4 10-2 100 102 104 106 Si dopado
poliestireno polietileno
grafite Mn Fe Ag Cu
NaCl
madeira seca quartzo 10-18 10-16
SiO2 porcelana
borracha
GaAs 10-6
10-14
10-12
10-10
10-8
108
ISOLANTES
SEMICONDUTORES
CONDUTORES
CONDUTIVIDADE ELTRICA MODELO DOS ELTRONS LIVRES: - Um metal composto por um gs de eltrons que se movem num retculo cristalino. - Esse modelo prev corretamente a forma funcional da lei de Ohm. - No entanto, ele prev incorretamente os valores observados experimentalmente para a condutividade eltrica.
Por exemplo, para o cobre temos: calculado = 5,3 x 106 (.m)-1 e experimental = 59 x 106 (.m)-1.
Para uma compreenso aprofundada das propriedades eltricas dos materiais necessitamos considerar o carter ondulatrio dos eltrons e fazer uso de conceitos da mecnica quntica. MODELO DE BANDAS DE ENERGIA ELETRNICA NOS SLIDOS Eltrons nos tomos - os eltrons possuem nveis discretos de energia
CONDUTIVIDADE ELTRICA
Os quatro eltrons do orbital mais externo Nveis de energia para um tomo de sdio isolado so separados em quatro nveis de energia ligeiramente diferentes, conforme previsto pelo princpio da excluso de Pauli
CONDUTIVIDADE ELTRICA
Diagrama de nveis de energia para o sdio slido. O nvel de

energia 3s discreto representado como uma banda de energia pseudocontnua preenchida at a metade.
BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS
Considere um conjunto de N tomos. A distncias de separao relativamente grandes, cada tomo independente de todos os demais, e tem os nveis de energia atmica e a configurao eletrnica que teria se estivesse isolado. Contudo, medida que esses tomos se aproximam uns dos outros, os eltrons sentem a ao dos eltrons e ncleos dos tomos adjacentes ou so perturbados por eles. Essa influncia tal que cada estado atmico distinto pode se dividir em uma srie de estados eletrnicos proximamente espaados no slido, para formar o que conhecido por BANDA DE ENERGIA ELETRNICA. A extenso da diviso depende da separao interatmica e comea com as camadas eletrnicas mais externas, uma vez que elas so as primeiras a serem perturbadas quando os tomos coalescem. Dentro de cada banda, os estados de energia so discretos, embora a diferena de energia entre os estados adjacentes seja excessivamente pequena.
BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS Grfico esquemtico da energia eletrnica em funo da separao interatmica para um agregado de 12 tomos (N = 12). Com a aproximao cada um dos estados atmicos 1s e 2s se divide para formar uma banda de energia eletrnica que consiste em 12 estados. Cada estado de energia capaz de acomodar dois eltrons que devem possuir spins com sentidos opostos.
Banda de energia eletrnica 2s (12 estados)

Energia
Estado eletrnico 2s
Estados energticos individuais permitidos Estado eletrnico 1s
Banda de energia eletrnica 1s (12 estados)
Separao interatmica
Bandas de energia eletrnica para um material slido formado por N tomos.

a) Representao convencional da estrutura da banda de energia eletrnica para um material slido na separao interatmica de equilbrio. b) Energia eletrnica em funo da separao interatmica para um agregado de N tomos, ilustrando como a estrutura da banda de energia na separao interatmica de equilbrio gerada. 2p (N estados)
Energia
2s (N estados) 1s (N estados)
slido
Separao Separao interatmica Interatmica de equilbrio
Energia
Representao convencional da estrutura da banda de Banda de energia energia eletrnica para um material slido na separao Gap de energia Banda de energia interatmica de equilbrio.
tomo isolado
2003 Brooks/Cole, a division of Thomson Learning, Inc. Thomson Learning is a trademark used herein under license.
BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS Estruturas de bandas de energia possveis para slidos a 0 K.
(a)
Banda vazia
(b)
Banda vazia
Gap de energia Estados vazios Estados preenchidos
Ef
Banda preenchida
Ef
(a) Bandas de energia de METAIS tais como o cobre (Z = 29, 3d10 4s1) nos quais se encontram disponveis, na mesma banda de energia, estados eletrnicos no preenchidos acima e adjacentes a estados eletrnicos preenchidos. (b) Bandas de energia de METAIS tais como o magnsio (Z = 12, 1s2 2s2 2p6 3s2) nos quais ocorre a superposio das bandas de energia mais externas, a preenchida e a no-preenchida.
BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS Estruturas de bandas de energia possveis para slidos a 0 K.
(c)
Banda de conduo vazia
(d)
Banda de conduo vazia
Gap de energia
Gap de energia
Banda de valncia preenchida
Banda de valncia preenchida
(c) Bandas de energia tpicas de ISOLANTES: a BANDA DE VALNCIA (banda de energia preenchida) separada da BANDA DE CONDUO ( banda de energia no-preenchida) por um GAP DE ENERGIA (banda de energia proibida, ou seja, barreira de energia) de largura relativamente grande (>2 eV). (d) Bandas de energia de SEMICONDUTORES: a estrutura de bandas de energia semelhante dos isolantes, mas com gaps de energia de larguras menores (<2 eV).
Isolantes: necessitam de altas energias
Semicondutores: possibilidade de conduo dos e- para a banda de conduo
CONDUTIVIDADE ELTRICA - METAIS

Em metais, um eltron torna-se livre quando passa para um estado de energia disponvel e no preenchido acima de Ef; pequena a energia necessria para tal mudana. A condutividade eltrica dos metais pode ser representada pela equao
OCUPAO DOS ESTADOS ELETRNICOS
= n |e|
Antes da excitao eletrnica
Aps a excitao eletrnica
Estados vazios Energia
Ef
Estados preenchidos
Ef
Excitao do eltron
n = nmero de portadores de carga (eltrons) por unidade de volume |e| = magnitude da carga dos portadores (1,602x10-19 C) = mobilidade dos portadores de carga

Mobilidade Eletrnica
campo eltrico
Conveno: eltrons livres se movem na direo oposta ao campo eltrico
espalhamento
Seria esperado um aumento de corrente crescente
Entretanto a corrente fica constante

movimento dos eltrons
FORAS DE ATRITO Espalhamento devido a impurezas, imperfeies, discordncias, vacncias, vibrao trmica da rede cristalina etc.

Espalhamento: fatores predominantes
Fluxo de eltrons: (a) cristal perfeito; (b) cristal com temperatura elevada; (c) cristal com defeitos

RESISTIVIDADE
t = influncia da temperatura i = influncia de impurezas d = influncia do deformao
Fatores que influenciam no espalhamento/imperfeies
CONDUTIVIDADE ELTRICA ISOLANTES E SEMICONDUTORES

No caso de isolantes e semicondutores, um eltron torna-se livre quando salta da banda de valncia para a banda de conduo, atravessando o gap de energia. A energia de excitao necessria para tal mudana aproximadamente igual largura da barreira.

Banda de conduo

Eltron livre
Energia
EG
Gap de energia
Excitao do eltron
Banda de valncia
Buraco na banda de valncia
CONDUTIVIDADE ELTRICA ISOLANTES E SEMICONDUTORES

A diferena entre semicondutores e isolantes est na largura do gap de energia. Comparada com a largura do gap de energia dos isolantes, a dos semicondutores bastante pequena.
Energia
Quando o eltron salta da banda de valncia para a banda de conduo so gerados tanto um eltron livre quanto um buraco eletrnico.

Banda de conduo

Eltron livre
EG
Gap de energia
Excitao do eltron
Banda de valncia
CONDUTIVIDADE ELTRICA - SEMICONDUTORES
Semicondutores Intrnsecos Classificao Semicondutores Extrnsecos
- Condutividade eltrica nos semicondutores no to alta quanto aquela apresentada pelos metais. - As propriedades eltricas desses materiais so extremamente sensveis presena de pequenas concentraes de impurezas.
CONDUTIVIDADE ELTRICA SEMICONDUTORES INTRNSECOS

So aqueles cujo comportamento eltrico depende basicamente da
estrutura eletrnica do material puro. Sua condutividade eltrica geralmente pequena e varia muito com a temperatura.
O espaamento entre as bandas pequeno suficiente para que alguns eltrons adquiram energia suficiente para passa para a banda de conduo
Elementos mais comuns: Si (energia entre bandas de 1,1 eV) Ge (energia entre bandas de 0,7 eV) Semicondutores compostos: Mistura de elementos dos Grupos IIIA e VA Compostos III-V
(arseneto de glio GaAs) e antimoneto de ndio (InSb) Mistura de elementos dos Grupos IIB e VIA Compostos II-VI
(sulfeto de cdmio CdS) e telureno de zinco (ZnTe)

A condutividade eltrica representada pela equao dos materiais semicondutores pode ser
= n |e| e + p |e| b ,
onde:n = nmero de eltrons livres por unidade de volume; p = nmero de buracos eletrnicos por unidade de volume; |e| = magnitude da carga dos portadores (1,6x10-19 C);
e = mobilidade dos eltrons livres; b = mobilidade dos buracos eletrnicos.

Note que e >
b.
A condutividade eltrica dos semicondutores intrnsecos aumenta medida

que a temperatura aumenta. Para semicondutores intrnsecos, n = p. Portanto,
= n |e| (e + b)
Condutores de carga: Buracos (carga positiva, condutores tipo p) Eltrons (carga negativa, condutores tipo n)
CONDUTIVIDADE ELTRICA SEMICONDUTORES EXTRNSECOS

SEMICONDUTORES EXTRNSECOS so aqueles cujo comportamento eltrico
depende fortemente do tipo e da concentrao dos tomos de impurezas. A adio de impurezas para a moldagem do comportamento eltrico dos semicondutores chamada de DOPAGEM.
Depende da colocao intencional de uma impureza (dopante) que promove o acrscimo ou de um buraco (p) ou de um eltron livre (n) A maioria dos semicondutores comerciais elementares so extrnsecos; o mais importante exemplo o Si, mas tambm esto nesta categoria o Ge e o Sn.
Os semicondutores extrnsecos tm condutividade que varia pouco com a temperatura e cujo valor controlado pela concentrao de impurezas.
Semicondutores extrnsecos
do tipo p do tipo n
CONDUTIVIDADE ELTRICA SEMICONDUTORES EXTRNSECOS TIPO N

Por exemplo, a dopagem do Si (valncia 4) com P (valncia 5) gera eltrons livres; uma impureza desse tipo chamada de doadora.
Campo E
(a)
Si Si Si Si
(b)
Si Si Si Si
(c)
Si Si
Campo E
Si Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
(a) O tomo de impureza (P) substitui um tomo hospedeiro de Si, resultando em um eltron extra ligado ao tomo de impureza. (b) Excitao do eltron extra como conseqncia da aplicao de um campo eltrico externo, formando-se um eltron livre. (c) Movimento do eltron livre em resposta ao campo eltrico externo.

Esquema da banda de energia eletrnica para um nvel de impureza doadora localizado dentro do gap de energia, imediatamente abaixo da parte inferior da banda de conduo. Banda de conduo Excitao de um estado doador em que um eltron livre gerado na banda de conduo.
Banda de conduo
Gap de energia
Energia
Energia
Para semicondutores do tipo n, os eltrons livres so os principais portadores de corrente, isto , n >> p. Portanto,
Banda de valncia
n |e| e .
Banda de valncia
Gap de energia
Estado doador
Eltron livre na banda de conduo
- Para os eltrons ligados fracamente existe um nico nvel de energia localizado dentro da zona proibida. - como o e- doador excitado a partir de um nvel de impureza nenhum buraco criado. - Na T ambiente a energia trmica disponvel suficiente para excitar grandes nmeros de eltrons.
CONDUTIVIDADE ELTRICA SEMICONDUTORES EXTRNSECOS TIPO P

Por exemplo, a dopagem do Si (valncia 4) com B (valncia 3) gera buracos eletrnicos; uma impureza desse tipo chamada de receptora.
Campo E
(a)
Si Si Si Si
(b)
Si Si Si Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
(a) O tomo de impureza (B) substitui um tomo hospedeiro de Si, resultando na deficincia de um eltron de valncia ou, de forma equivalente, num buraco eletrnico associado ao tomo de impureza. (b) Movimento do buraco eletrnico em resposta a um campo eltrico externo.
CONDUTIVIDADE ELTRICA SEMICONDUTORES EXTRNSECOS TIPO P

Esquema da banda de energia para um nvel de impureza receptora localizado dentro do gap de energia, imediatamente acima da parte superior da banda de valncia.
Banda de conduo Excitao de um eltron para o nvel receptor, deixando para trs um buraco na banda de valncia. Banda de conduo
Gap de energia
Energia
Estado receptor
Energia
Gap de energia
Para semicondutores tipo p, os buracos eletrnicos so os principais portadores de corrente, isto , p >> n. Portanto,
Banda de valncia
p |e| b .
Banda de valncia
CONDUTIVIDADE ELTRICA CERMICAS INICAS E POLMEROS

Em materiais inicos: cargas devido presena de nions e ctions possibilidade de migrao / difuso na presena de campo eltrico difuso de nions e ctions em sentidos opostos
total = eletrnica + inica

Qualquer uma das contribuies pode ser predominante, dependendo do material, pureza e temperatura

Partculas + : sentido do campo eltrico Partculas - : sentido oposto ao campo eltrico Conduo inica: movimento dos ons carregados
Cermicas inicas e polmeros so isolantes em temperatura ambiente Mobilidade dos portadores de carga:
n valncia D coeficiente de difuso e carga eltrica k cte dos gases T - temperatura
1 = n1eD1
kT

Para ser considerado polmero condutor: = 1,5 x 107 (.m)-1 Ex: poliacetileno, polianilina Polmeros condutores do tipo p (buraco) ou tipo n (eltron), mas sem substituio de tomo do polmero tomos conduzem formao de novas bandas de energia, que se sobrepem s bandas de valncia e conduo do polmero intrnseco, dando origem s bandas parcialmente preenchidas, e a formao de alta concentrao de eltrons livres ou buracos em temperatura ambiente.
Aplicao: baterias polimricas
COMPORTAMENTO DIELTRICO
- Materiais polimricos e cermicos utilizao como dieltricos
1. Aquele que no conduz corrente eltrica 2. Que transmite efeitos eltricos por induo mas no por conduo.
Capacitor - Dispositivo microeletrnico capaz de armazenar cargas, feito com camadas de dieltricos entre condutores. Permissividade - Habilidade de um material se polarizar e armazenar cargas dentro dele. Dieletricos lineares - Materiais que tem uma resposta linear com o campo eltrico e a constante dieltrica no depende do campo eltrico. Fora do dieltrico - campo eltrico mximo que pode ser obtido entre dois condutores sem haver breakdown. Ferroeltrico - Um material que exibe polarizao espontnea e reversvel.
COMPORTAMENTO DIELTRICO Material Dieltrico

Isolante eltrico que tem estrutura de dipolo eltrico
Principal uso: capacitores Densidade de cargas no vcuo:
Densidade de cargas na presena de dieltrico:
COMPORTAMENTO DIELTRICO
FERROELETRICIDADE
Polarizao espontnea mesmo na ausncia de campo eltrico, como resultado da interao entre dipolos permanentes adjacentes.
BaTiO3 titanato de brio
PIEZOELETRICIDADE
Polarizao induzida e um campo eltrico estabelecido atravs de aplicao de foras externas. A reverso do sinal da fora (de compresso para trao por exemplo) reverte o sentido do campo.
Materiais com estrutura complexa e baixo grau de simetria.
Aplicao: microfones, detetores de sonar, vitrolas (variao de presso na agulha, transferida para um material piezoeltrico, que transforma em um sinal eltrico que amplificado at o alto-falante).

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PROPRIEDADES ELTRICAS Importncia......

Unidades SI: U Volts (V) = J / C I Ampres (A) = C / s R Ohms () = V / A

rea da seo Transversal, A Voltmetro

Unidade SI: (Ohms-metro)-1 ( .m) -1 = A / V.m

Condutividade em (.m)-1 de uma variedade de materiais temperatura ambiente.

Diagrama de nveis de energia para o sdio slido. O nvel de

BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS

Banda de energia eletrnica 2s (12 estados)

Estados energticos individuais permitidos Estado eletrnico 1s

Banda de energia eletrnica 1s (12 estados)

BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS

Bandas de energia eletrnica para um material slido formado por N tomos.

Separao Separao interatmica Interatmica de equilbrio

Gap de energia Estados vazios Estados preenchidos

Banda de valncia preenchida

Banda de valncia preenchida

Isolantes: necessitam de altas energias

Semicondutores: possibilidade de conduo dos e- para a banda de conduo

CONDUTIVIDADE ELTRICA - METAIS

Antes da excitao eletrnica

Aps a excitao eletrnica

Estados vazios Energia

CONDUTIVIDADE ELTRICA - METAIS

CONDUTIVIDADE ELTRICA - METAIS

Conveno: eltrons livres se movem na direo oposta ao campo eltrico

Seria esperado um aumento de corrente crescente

Entretanto a corrente fica constante

CONDUTIVIDADE ELTRICA - METAIS

CONDUTIVIDADE ELTRICA - METAIS

t = influncia da temperatura i = influncia de impurezas d = influncia do deformao

Fatores que influenciam no espalhamento/imperfeies

CONDUTIVIDADE ELTRICA ISOLANTES E SEMICONDUTORES

Antes da excitao eletrnica

Aps a excitao eletrnica

Buraco na banda de valncia

CONDUTIVIDADE ELTRICA ISOLANTES E SEMICONDUTORES

Antes da excitao eletrnica

Aps a excitao eletrnica

Buraco na banda de valncia

CONDUTIVIDADE ELTRICA - SEMICONDUTORES

Semicondutores Intrnsecos Classificao Semicondutores Extrnsecos

CONDUTIVIDADE ELTRICA SEMICONDUTORES INTRNSECOS

CONDUTIVIDADE ELTRICA SEMICONDUTORES INTRNSECOS

(sulfeto de cdmio CdS) e telureno de zinco (ZnTe)

CONDUTIVIDADE ELTRICA SEMICONDUTORES INTRNSECOS

e = mobilidade dos eltrons livres; b = mobilidade dos buracos eletrnicos.

A condutividade eltrica dos semicondutores intrnsecos aumenta medida

CONDUTIVIDADE ELTRICA SEMICONDUTORES INTRNSECOS

CONDUTIVIDADE ELTRICA SEMICONDUTORES EXTRNSECOS

CONDUTIVIDADE ELTRICA SEMICONDUTORES EXTRNSECOS TIPO N

CONDUTIVIDADE ELTRICA SEMICONDUTORES EXTRNSECOS TIPO N

Eltron livre na banda de conduo

CONDUTIVIDADE ELTRICA SEMICONDUTORES EXTRNSECOS TIPO N

CONDUTIVIDADE ELTRICA SEMICONDUTORES EXTRNSECOS TIPO P

CONDUTIVIDADE ELTRICA SEMICONDUTORES EXTRNSECOS TIPO P

Buraco na banda de valncia

CONDUTIVIDADE ELTRICA CERMICAS INICAS E POLMEROS

total = eletrnica + inica

CONDUTIVIDADE ELTRICA CERMICAS INICAS E POLMEROS