PROBADOR DE TRANSISTORES MOS-FET

Introduccin.
El transistor, es un dispositivo de cristal semiconductor, el ermanio ! el silicio son los materiales m"s #recuentemente utili$ados para la #a%ricaci&n de estos elementos semiconductores 'ue tiene tres o m"s electrodos( )os transistores pueden e#ectuar ! sustitu!en pr"cticamente todas las #unciones de los anti uos tu%os electr&nicos, con muc*+simas venta,as, inclu!endo la ampliaci&n ! la recti#icaci&n( El transistor, es la contracci&n de transfer resistor -trans#erencia de resistencia., sus inventores -/o*n Bardeen, 0alter Brattain ! 0illiam S*oc1le!, los cuales #ueron alardonados con el Premio N&%el de F+sica en 2345., lo llamaron as+( Es un dispositivo semiconductor con tres terminales, puede ser utili$ado como ampli#icador, modulador o interruptor en el 'ue, una pe'ue6a corriente aplicada al terminal Base, modi#ica, controla o modula la resistencia al paso de un ran corriente entre los otros dos terminales Emisor ! 7olector( Es el componente #undamental de la moderna electr&nica di ital ! anal& ica( El transistor, es un dispositivo semiconductor de tres %andas o capas com%inadas -Ne ativo ! Positivo., #ormado por dos %andas de material tipo N ! una capa tipo P, o %ien, de dos capas de material tipo P ! una tipo N( al primero se le llama transistor NPN, en tanto 'ue al se undo, transistor PNP( En el transistor el electrodo8 Emisor, emite los portadores de corriente -electrones o *uecos., es el e'uivalente al c"todo de los tu%os de vac+o o l"mpara electr&nica( Colector, es el recolector de los portadores emitidos por el emisor, es el e'uivalente a la placa de los tu%os de vac+o o l"mpara electr&nica( Base, es por el 'ue se e,erce el control del #lu,o de portadores de corriente *acia la placa, es el e'uivalente a la placa de los tu%os de vac+o o l"mpara electr&nica( E9isten distintos tipos de transistores, los cuales podemos clasi#icar en8 -Transistores %ipolares o B/T -Bipolar /unction Transistor., de :ermanio o Silicio, NPN ! PNP( -Transistores de e#ecto de campo o FET -Field E##ect Transistor., de Silicio, canal P ! canal N( )os transistores de e#ecto de campo FET, normalmente tienen tres terminales denominados8 puerta -Gate. similar a la %ase en los transistores %ipolares 'ue, controla el #lu,o de corriente entre los otros dos, la #uente -Surtidor. ! el drenador -Drain.( ;na di#erencia

si ni#icativa #rente a los transistores %ipolares es 'ue, la puerta no re'uiere del consumo de una intensidad como ocurre con los transistores %ipolares 'ue si %ien es mu! pe'ue6a -depende de la anancia., no se *a de despreciar( El /FET de canal n esta constituido por una %arra de material semiconductor de silicio de tipo n con dos re iones -o islas. de material tipo p situadas a am%os lados( )a dolari$aci&n de un /FET e9i e 'ue las uniones p-n est<n inversamente polari$adas( En un /FET de canal n, la tensi&n del drenador de%e ser ma!or 'ue la del surtidor( para 'ue e9ista un #lu,o de corriente a trav<s del canal( Adem"s, la puerta de%e tener una tensi&n mas ne ativa 'ue la #uente para 'ue la uni&n p-n se encuentre polari$ada inversamente( )a caracter+stica m"s si ni#icativa 'ue di#erencia los transistores %ipolares de los /FET es 'ue, mientras los transistores %ipolares son polari$ados por corriente, lo 'ue provoca un aumento del calor en el dispositivo, el conocido e#ecto avalanc*a, pudiendo da6ar al dispositivo si no se toman las de%idas precauciones, en cam%io, en los /FET 'ue son dispositivos controlados por tensi&n, son m"s esta%les con la temperatura, adem"s tienen una alta impedancia de entrada so%re los 2=2>O*mios, o#recen una mu! %a,a resistencia de paso, cerca de =?==4O*mios a 2>A, eneran menor ruido, permiten ma!or inte raci&n ! sencille$, pueden disipar ma!or potencia ! conmutar randes corrientes( Inconvenientes de los FET@ de%ido a la alta capacidad de entrada, presentan un respuesta po%re en #recuencias, son mu! poco lineales, su ma!or inconveniente es la electricidad est"tica por eso necesitan diodos internos de protecci&n( En los transistores /FET intervienen par"metros como8 ID -intensidad de drenador a #uente o source., A:S -tensi&n de puerta o ate a #uente o source. ! ADS -tensi&n de drenador a #uente o source.( B se de#inen cuatro re iones %"sicas de operaci&n8 corte, lineal, saturaci&n ! ruptura( En principio el aspecto e9terno de am%os tipos canal N ! canal P, no es aprecia%le por sus c"psulas, sin em%ar o la di#erencia es m"s evidente en sus respectivos s+m%olos, como se puede apreciar en las im" enes si uientes8

En la nomenclatura, para su distinci&n suelen llevar intercalado una N o una P, indicando la pertenencia a uno u otro canal, en la si uiente #i ura se presenta las particularidades pertinentes(

)a #amilia de los transistores de e#ecto de campo m"s conocidos son los /FET -/unction Field E##ect Transistor., MOSFET -Metal-O9ide-Semiconductor FET. ! MISFET -MetalInsulator-Semiconductor FET.( No vamos a se uir teori$ando so%re el tema, no es el e,e de mi prop&sito, s&lo intenta%a orientar al interesado(

El proyecto.
En esta ocasi&n, nos proponemos reali$ar un compro%ador de transistores de tecnolo +a MOS-FET, estos dispositivos como !a se *a descrito, pertenecen a la tecnolo +a FET, a randes ras os esto 'uiere decir 'ue, la uni&n entre los cristales est"n compuestas por altas capacidades, por lo 'ue re'uieren de una tensi&n para su control de puerta C:ateD( )a polari$aci&n de un transistor es la responsa%le de esta%lecer las corrientes ! tensiones 'ue #i,an su punto de tra%a,o en la re i&n lineal -%ipolares. o de saturaci&n -FET., re iones en donde los transistores presentan caracter+sticas m"s o menos lineales( En un transistor FET, al aplicar una se6al alterna a la entrada, el punto de tra%a,o se despla$a ! ampli#ica esa se6al( Pero no vamos a entrar en anali$ar su comportamiento en ciertas condiciones( As+ 'ue, en este pro!ecto *aremos un ?sencillo circuito? 'ue nos permita compro%ar el estado de los transistores MOSFET -tipo IRF5E=@ PF5N5=@ etc(., en los cuales es %astante di#+cil

determinar su estado, salvo cuando estos presentan ?cortocircuito? entre sus terminales, en ese caso, es mu! #"cil determinarlo con el mult+metro o pol+metro(

El circuito
El circuito presente en la #i ura si uiente, est" constituido por una etapa osciladora se uida de una etapa ampli#icadora, es mu! sencillo ! dispone de un indicador de estado ! utili$a unos pocos componentes de #"cil locali$aci&n(

As+ 'ue utili$aremos el oscilador para enerar la #recuencia 'ue nos permita averi uar si el transistor %a,o prue%a es capa$ de ampli#icar dic*a se6al, si es as+ transistor en %uen estado, en caso contrario, ad'uirir otro(

Funcionamiento:
7omo se apunta%a, el circuito pro%ador consiste en un oscilador asta%le #ormado por las dos puertas inversoras I7A-I7B en el es'uema ! cu!a #recuencia de oscilaci&n viene determinada por los valores de R2 ! 72, en este caso una #recuencia cercana a 2>= F$ para evitar en lo posi%le el molesto destello( Si se desea modi#icar la #recuencia, puede se *acer mediante el a,uste del potenci&metro R2, dispuesto para este #in( )a #recuencia puede ser calculada por 8 # G2 H- =,I 9 R2 9 72., donde R2 viene en O*ms ! 72 en Faradios( 7onviene 'ue 72 sea menor de 2=uF para evitar en lo posi%le las Jelevadas corrientes de #u asJ 'ue se presentar+an, compara%les a la corriente inicial de car a de este condensador

en muc*os casos( El condensador, se comporta como un cortocircuito( De%ido a 'ue, el 7IK=K3B dispone de 5 inversores, se *an utili$ado pares en paralelo como se puede ver, de esta #orma se o%tiene m"s intensidad ! car a%ilidad, ase urando la corriente necesaria para e9citar lo )ED?s( )a oscilaci&n o%tenida, ataca la entrada de un par de inversores separadores para no car ar al oscilador ! se diri e los terminales del transistor #et, aun'ue con un des#ase de 3=L, mediante otro par de inversores, ase ur"ndonos un paso de corriente D-S -drenadorsumidero. en cada semiper+odo de la oscilaci&n ! S-D en el semiciclo si uiente, siempre 'ue se manten a activo el pulsador, esto e9citar" el )ED correspondiente indicando as+ su polaridad -7anal N o 7anal P. ! si est" en %uen estado(

Lista de materiales:
Esta es la lista de componentes necesarios para este pro!ecto 'ue, puede ad'uirir en su comercio del ramo8 72 - 7ondensador >,>uF- E4Aolt R2 - Potenci&metro KIMo*m lineal R> - Resistencia 2=Mo*m 2HK0 RE - Resistencia 5N=o*m 2HK0 RK - Resistencia KIMo*m 2HK0 I72 - 7MOS 7DK=K3B, pre#eri%le 'ue sea la letra B, no ;B -;nBu##eret.( D2 - )ED Ro,o 4mm( D> - )ED Aerde 4mm( P - pulsador NA -Normalmente A%ierto.( Bater+a de 3Aolts( O&calo para el 7I( conectores para patillas transistor(

Modo de tili!acin.
Para utili$ar el pro%ador, consiste en conectar correctamente los terminales :, D ! S del transistor MOSFET en los correspondientes terminales del pro%ador, o%servar ! pro%ar, la numeraci&n de los terminales m"s *a%ituales se muestra en la ima en de la derec*a ! veri#icar lo si uiente8 "# Transistor en %uen estado( a. Transistor con diodo interno entre SurtidorDrenador( Si el diodo )ED Aerde adem"s del diodo )ED Ro,o, se encienden antes de presionar el pulsador -es de%ido a la presencia del diodo interno de protecci&n., si despu<s de presionar el pulsador P, se encendiera el diodo )ED Ro,o, si ni#ica 'ue el transistor es de canal N ! su correspondiente diodo surtidor-drenador se encuentran en B;EN ESTADO(

En las mismas condiciones, en caso de encenderse el diodo )ED Aerde al presionar el pulsador P, si ni#ica 'ue el transistor es de canal P con diodo interno -S-D. est"n en B;EN ESTADO( $. Transistor sin el diodo entre Surtidor ! Drenador( Solo se encender" el )ED Ro,o al presionar el pulsador, si <ste es canal N ! se encuentra en B;EN ESTADO( Si se enciende el )ED Aerde solamente al presionar el pulsador, indicar" 'ue se trata de un transistor de canal P en B;EN ESTADO( %# Transistor en cortocircuito -mal estado.( En este caso, se produce el encendido de am%os )ED?s -de%ido a la presencia del diodo interno de protecci&n., aun 'ue si al presionar el pulsador se enciende #i,o un diodo )ED Ro,o o Aerde, indica 'ue est" en cortocircuito -cru$ado.( Esto es lo 'ue se puede determinar con un %u$$er o compro%ador de continuidad( &# Transistor a%ierto -cortado internamente, mal estado.( En caso de transistor a%ierto, tanto con el pulsador activado como sin activar, am%os diodos )ED permanecen apa ados( En este caso, para salir de dudas, convendr+a *acer un li ero ?corto? entre terminales D ! S del pro%ador ! si se produce el encendido de am%os )ED, nos ase uramos 'ue el transistor est" cortado( A<ase la ta%la si uiente para comprender me,or los distintos pasos(

Canal N -- LED Canal P -- LED

'()( *E'DE Intermitente Intermitente ,pa-ado ,pa-ado

+ C('.,D( - M,L ES.,D( C' 0,D( - M,L ES.,D( M,L ES.,D( M,L ES.,D( C' 0,D( - M,L ES.,D(

Encendido ,pa-ado Fi/o Sin Intermitente ,pa-ado Pulsar ,pa-ado Intermitente ,pa-ado Encendido Fi/o

Encendido C' 0,D( - M,L Encendido Fi/o ES.,D( Fi/o Intermitente Intermitente ,pa-ado ,pa-ado
C' 0,D( - M,L ES.,D( C' 0,D( - M,L ES.,D( C' 0,D( - M,L ES.,D( B EN ES.,D( B EN ES.,D( C' 0,D( - M,L ES.,D( C' 0,D( - M,L ES.,D(

Encendido ,pa-ado Fi/o Pulsado ,pa-ado Intermitente Intermitente ,pa-ado ,pa-ado Encendido Fi/o

Encendido Encendido Fi/o Fi/o

.,BL, DE ES.,D(S DEL .ES.E,D(