Reporte Técnico Ingenieria en TIC

AUTOMATIZACIN POR COMPUTADORA DE
TCNICAS DE CARACTERIZACIN
ELCTRICA DE PELCULAS
SEMICONDUCTORAS Y DISPOSITIVOS MOS

R E P O R T E T C N I C O

PARA OBTENER EL TTULO DE

INGENIERO EN TECNOLOGAS DE LA INFORMACIN
Y COMUNICACIN

P R E S E N T A

ANDRS DE JESS HERNNDEZ MARTNEZ

ASESOR INSTITUCIONAL: DR. EN C. RODOLFO ZOL GARCA LOZANO
ASESOR UNIVERSITARIO: M. EN C. JESS BARRN VIDALES
INSTITUCIN: UNIVERSIDAD AUTNOMA DEL ESTADO DE MXICO
GENERACIN: MAYO 2012 - DICIEMBRE 2013

AGRADECIMIENTOS

Agradezco al Dr. en C. Rodolfo Zol Garca Lozano, por permitirme colaborar en el desarrollo
de su investigacin y brindarme su apoyo, conocimiento y confianza, durante la realizacin de
este proyecto. Al Centro Universitario UAEM Ecatepec por brindare las comodidades necesarias
durante mi estancia en sus instalaciones. A los compaeros del laboratorio de mediciones por
su comprensin y paciencia durante la codificacin y pruebas de este proyecto.

Tambin agradezco a mi familia por su apoyo incondicional, gracias por su comprensin.

Dedicado a ti mam.

NDICE

Resumen 1
Abstract 2
Introduccin 3
Objetivos 5
Programa y cronograma 6
Marco terico 11
Metodologa 41
CAPTULO 1 PLANEACIN 42
1.1 Descripcin del rea de oportunidad 42
1.2 Alcance 43
1.2.1 Objetivos 43
1.2.2 Entregables 43
1.3 Estndares de calidad aplicables al proyecto 45
1.4 Elementos claves para su planeacin, monitoreo y control 47
1.5 Diagrama de Gantt 48
1.6 Diagrama de ruta crtica 50
1.7 Informe del presupuesto y evaluacin de alternativas de inversin 51
1.8 Perfiles de los participantes 53
1.9 Matriz de responsabilidades 56
1.10 Lista de factores clave de desempeo 58
1.11 Informacin clave para cada actor involucrado 59
1.12 Mtodos de comunicacin, justificacin y formato 60
1.13 Posibles problemas que se pueden presentar en el proyecto y el impacto
que tendr en ste 61
1.14 Anlisis cualitativo y cuantitativo de los riesgos 63
1.15 Plan de respuesta a incidentes 67
CAPTULO 2 DOCUMENTACIN TCNICA 69
2.1 Anlisis y especificacin de requerimientos 69
2.1.1 Especificacin de requerimientos 69
2.1.2 Reglas del negocio 70

2.1.3 Requisitos de informacin 71
2.1.4 Restricciones de la aplicacin 78
2.1.5 Requisitos funcionales 80
2.1.6 Requisitos no funcionales 86
2.1.7 Diagramas de casos de uso 87
2.1.8 Definicin de actores 88
2.1.9 Documentacin de los casos de uso 89
2.2 Diseo 95
2.2.1 Diagramas de estados 95
2.2.2 Diagramas de secuencia 97
2.2.3 Diagramas de actividades 100
CAPTULO 3 IMPLEMENTACIN Y LIBERACIN 105
3.1 Implementacin 105
3.1.1 Arquitectura del sistema 105
3.1.2 Sistema de control de versiones 107
3.1.3 Diagrama de implementacin 107
3.2 Pruebas 108
3.2.1 Planificacin 108
3.2.2 Desarrollo de pruebas 115
Conclusiones 131
Anexo 1 132
Anexo 2 134
Anexo 3 135
Anexo 4 137
Anexo 5 143
Anexo 6 145
Anexo 7 146
Listado de acrnimos 149
Glosario de trminos 151
Bibliografa 160

Automatizacin por Computadora de Tcnicas de Caracterizacin Elctrica de Pelculas Semiconductoras
y Dispositivos MOS

1
RESUMEN

Actualmente en el Centro Universitario UAEM Ecatepec se desarrolla la investigacin
del modelado del comportamiento resistivo de materiales semiconductores de pelcula
delgada y del efecto del estrs elctrico en dispositivos MOS (transistores e inversores).

Esta investigacin implica procesos de caracterizacin, que consumen una cantidad de
tiempo considerable.

Es por ello que se propuso desarrollar una aplicacin de software, basada en un
entorno de escritorio, la cual facilitar el trabajo de investigacin, mediante la
automatizacin del proceso de caracterizacin de pelculas delgadas semiconductoras y
dispositivos MOS. La funcionalidad de la aplicacin esta fundamentada en la medicin
de la resistividad por el mtodo de cuatro puntas, en los conceptos de operacin y
caracterizacin de semiconductores orgnicos, transistores tipo MOSFET e inversores
con dispositivos MOSFET y en la operacin de la fuente Keithley 2400.

En este reporte se describen las fases de desarrollo (anlisis, planeacin, ejecucin,
pruebas e implementacin) de la aplicacin, basndose en la metodologa del PMBOK y
en el estndar IEEE Std. 830-1998, haciendo nfasis en las fases de planeacin y
ejecucin, y su posterior implementacin en un entorno de produccin, dentro del
laboratorio de mediciones en el Centro Universitario UAEM Ecatepec.

Como resultado de dicha implementacin, se obtuvieron mediciones precisas y fiables,
las cuales son utilizadas para plantear y modelar el comportamiento matemtico de los
fenmenos elctricos que describen. Se concluye con esto, que la aplicacin cumple
con los criterios de la investigacin para la cual fue creada, aportando rapidez y validez
en la toma de datos experimentales.
y Dispositivos MOS

2
ABSTRACT

Currently at the Centro Universitario UAEM Ecatepec some people are researching
about modeling the resistive behavior of thin film semiconductor materials and the
effects of the electrical stress on MOS devices (transistors and inverters).

This research involves characterization processes which consume a considerable
amount of time.

That is why it was decided to develop a software application, based on a desktop
environment, which will facilitate the research by automating the characterization
process of thin semiconductor films and MOS devices. The functionality of the
application is based on the measurement of resistivity by the four-point method, on the
concepts of operation and characterization of organic semiconductors, of MOSFET type
transistors and inverters with MOSFET type devices and on the operation of the Keithley
2400 source meter.

This paper describes the development phases (analysis, planning, implementation,
testing and deployment) of the software application, based on the methodology of
PMBOK and IEEE Standard 830-1998, emphasizing the planning and execution phases,
and its later implementation in a production environment within the measurements
laboratory of this Institution.

As a result of this implementation, accurate and reliable measurements were obtained,
which are used to outlining and modeling the mathematical behavior of electrical
phenomena they describe. It concludes by this that, the application meets the criteria of
the research for which it was created, providing speed and validity in experimental data
gathering.
y Dispositivos MOS

3
INTRODUCCIN

La Universidad Autnoma del Estado de Mxico es la ms importante casa de estudios
universitarios del Estado de Mxico, de carcter pblico. Fundada en 1828 como
Instituto Literario del Estado de Mxico, en Tlalpan. Fue promovida a Instituto Cientfico
y Literario Autnomo (ICLA) en 1943, y a Universidad Autnoma del Estado de Mxico
(UAEM) en 1956. Desde su fundacin, genera, estudia, preserva, transmite y extiende
el conocimiento universal, estando en todo tiempo y circunstancia al servicio de la
sociedad.
1
Cuenta con varios centros universitarios y unidades acadmicas
profesionales a lo largo del Estado de Mxico, entre las cuales el Centro Universitario
UAEM Ecatepec es donde actualmente se desarrolla la investigacin sobre el modelado
del comportamiento resistivo de materiales semiconductores de pelcula delgada y del
efecto del estrs elctrico en transistores MOSFET e inversores con dispositivos
MOSFET, la cual est a cargo del Coordinador de Investigacin el Dr. en C. Rodolfo
Zol Garca Lozano.

Los sistemas de informacin y las tecnologas de informacin han cambiado la forma
en que operan las organizaciones actualmente. A travs de su uso se logran
importantes mejoras, pues automatizan los procesos operativos, suministran una
plataforma de informacin necesaria para la toma de decisiones y, lo ms importante,
su implantacin logra ventajas competitivas.

Con el fin de mejorar la productividad y el rendimiento de una organizacin competitiva,
es fundamental evaluar las tcnicas actuales y la tecnologa disponible. De esa forma
es posible desarrollar sistemas o aplicaciones que brinden eficiencia y eficacia de la
gestin de la informacin relevante.

Debido a lo anterior la Automatizacin por Computadora de Tcnicas de
Caracterizacin Elctrica de Pelculas Semiconductoras y Dispositivos MOS, facilitar

1
http://www.uaemex.mx/mision.html
y Dispositivos MOS

4
el trabajo de investigacin, que actualmente desarrolla el Dr. en C. Rodolfo Zol Garca
Lozano. Mediante la automatizacin se lograr una mejor y ms eficiente programacin,
ejecucin, visualizacin y modelado de las mediciones de resistividad elctrica de
pelculas delgadas y del efecto del estrs elctrico en transistores MOSFET e
inversores con dispositivos MOSFET, dando como resultado la reduccin del tiempo
invertido en la toma de datos experimentales y un aumento de la precisin de los
resultados obtenidos durante el proceso de medicin y modelado.

Este reporte se divide en 3 captulos, de los cuales el captulo 1 trata sobre la
planeacin del proyecto, enfocndose principalmente en los aspectos administrativos y
de organizacin para el correcto desarrollo de este, tomando en consideracin los
recursos disponibles y las necesidades del cliente, adems de los posibles
contratiempos o riesgos que puedan surgir durante o antes del inicio del proyecto.

En el captulo 2 se muestra la documentacin tcnica, la cual comprende, la realizacin
de los diversos diagramas UML, basados en la toma de requerimientos realizada
durante una entrevista con el Dr. en C. Rodolfo Zol Garca Lozano. Tambin se
muestran la documentacin de los casos de uso de la aplicacin, que modelarn los
procesos y actividades de sta.

El captulo 3, trata la implementacin y pruebas de la aplicacin de software, abordando
la arquitectura del entorno de implementacin, as como la planeacin y exposicin de
los resultados obtenidos a travs de los diversos tipos de pruebas a los cuales fue
sometida la aplicacin, finalizando el proyecto con la puesta en marcha de la aplicacin
en un entorno de produccin, dentro del laboratorio de mediciones en el Centro
Universitario UAEM Ecatepec.
y Dispositivos MOS

5
OBJETIVOS
Objetivo general

Desarrollar una aplicacin que permita programar, ejecutar, almacenar y graficar, las
mediciones de resistividad elctrica de pelculas delgadas (semiconductoras),
realizadas por la tcnica de cuatro puntas con o sin temperatura, y del efecto del estrs
elctrico en transistores e inversores MOSFET.

Objetivos especficos

- Permitir la programacin, ejecucin y visualizacin de la medicin a travs de la
PC.
- Calcular de manera automtica los parmetros elctricos del comportamiento
resistivo y del efecto del estrs elctrico.
- Modelar el fenmeno a partir de los parmetros extrados.

y Dispositivos MOS

6
UNIVERSIDAD TECNOLGICA
DE TECMAC

DIVISIN DE INFORMTICA
PROGRAMA DE ESTADAS
PROFESIONALES

PROGRAMA DE TRABAJ O
FECHA: 02 /Septiembre / 2013

DATOS DEL ALUMNO
NOMBRE: Andrs de Jess Hernndez Martnez
DIVISIN: Informtica
CARRERA: Licenciatura en Ingeniera en Tecnologas de la Informacin y Comunicacin
MATRCULA: 2510360003
GENERACIN: Mayo 2012 Diciembre 2013

ASESOR ACADMICO
NOMBRE: M. en C. Jess Barrn Vidales
CARGO: Profesor de tiempo completo Asociado C

DATOS DE LA EMPRESA
EMPRESA: Universidad Autnoma del Estado de Mxico
DEPARTAMENTO: Coordinacin de Investigacin
REA: Coordinacin de Investigacin del Centro Universitario UAEM Ecatepec
DIRECCIN: Calle Jos Revueltas nmero 17, colonia Tierra Blanca, Ecatepec de
Morelos, Estado de Mxico, C.P. 55020
TELFONO: 57873626 extensin 159
FAX:
E-MAIL:

y Dispositivos MOS

7
ASESOR INDUSTRIAL
NOMBRE: Dr. en C. Rodolfo Zol Garca Lozano
CARGO: Coordinador de Investigacin

PERODO
DURACIN: 15 semanas
FECHA DE INICIO: 2 de Septiembre de 2013
FECHA DE TERMINACIN: 13 de Diciembre de 2013
HORARIO: Lunes a Viernes de 9:00 hrs. a 17:00 hrs.

PROYECTO
NOMBRE: Automatizacin por Computadora de Tcnicas de Caracterizacin Elctrica de
Pelculas Semiconductoras y Dispositivos MOS
DESCRIPCIN: Este proyecto consiste en la creacin de una aplicacin de software para el
Centro Universitario UAEM Ecatepec, que traer como resultado una mejora
en la obtencin de datos derivados de las mediciones de resistividad en
pelculas delgadas por el mtodo de cuatro puntas y del efecto del estrs
elctrico en transistores MOSFET e inversores con dispositivos MOSFET.
OBJETIVO
GENERAL:
Desarrollar una aplicacin que permita programar, ejecutar, almacenar y
graficar, las mediciones de resistividad elctrica de pelculas delgadas
(semiconductoras), realizadas por la tcnica de cuatro puntas con o sin
temperatura, y del efecto del estrs elctrico en transistores e inversores
MOSFET.
OBJETIVOS
ESPECFICOS:
- Permitir la programacin, ejecucin y visualizacin de la medicin a
travs de la PC.
- Calcular de manera automtica los parmetros elctricos del
comportamiento resistivo y del efecto del estrs elctrico.
- Modelar el fenmeno a partir de los parmetros extrados.
ALCANCES: La aplicacin controlar la generacin y adquisicin de datos provenientes de
las mediciones de resistividad y estrs elctrico. Tambin generar
indicadores grficos e informes de los resultados experimentales, permitiendo
con ello modelar el comportamiento del fenmeno.
METAS: - Reducir el tiempo de adquisicin de datos experimentales durante la
medicin de resistividad y del efecto del estrs elctrico.
- Aumentar la precisin de los resultados obtenidos experimentalmente;
y Dispositivos MOS

8
del comportamiento resistivo y del efecto del estrs elctrico.
- Generar indicadores que ayuden a comprender el comportamiento
resistivo de pelculas delgadas y el efecto del estrs elctrico en
transistores e inversores MOSFET.
- Mostrar a los usuarios una interfaz de aplicacin de fcil manejo.
RECURSOS: Hardware PC:
- Procesador Pentium 4 Hyper Threading 2.8 GigaHertz
- 512 Gigabytes de memoria DDR
- Disco duro SATA de 80 Gigabytes
- Interface KPCI-488A GPIB
- Pantalla CRT
Software PC:
- Windows XP Profesional SP3 versin 2002
- Matlab versin 7.0.0.199240 (R14)
- Keithley 24XX-851C03 driver
Dispositivos para medicin:
- Keithley series 2400 SourceMeter
- GPIB cable modelo 7007-2
- Signatone H-100 Series Probe Station
- S-302-4 soporte para montaje de cabezas de prueba
- SP4-40085TBS Signatone, cabeza de prueba de cuatro puntas

PLAN DE TRABAJO
ACTIVIDAD DESCRIPCIN
SEMANA FECHAS
INICIO TRMINO INICIO TRMINO
1 Planeacin 1 5 2/09/13 30/09/13
1.1 Descripcin del rea de oportunidad
1.2 Alcance
1.2.1 Objetivo
1.2.2 Entregables
1.3 Estndares de calidad aplicables al proyecto
1.4
Elementos claves para su planeacin,
monitoreo y control

1.5 Diagrama de Gantt
1.6 Diagrama de ruta crtica
1.7
Informe del presupuesto y evaluacin de
alternativas de inversin

1.8 Perfiles de los participantes
1.9 Matriz de responsabilidades
y Dispositivos MOS

9
1.10 Lista de factores clave de desempeo
1.11
Informacin clave para cada actor
involucrado

1.12
Mtodos de comunicacin, justificacin y
formato

1.13
Posibles problemas que se pueden
presentar en el proyecto y el impacto que
tendr en ste

1.14
Anlisis cualitativo y cuantitativo de los
riesgos

1.15 Plan de respuesta a incidentes
2 Documentacin tcnica 6 12 1/10/13 22/11/13
2.1 Anlisis y especificacin de requerimientos
2.1.1 Especificacin de requerimientos
2.1.2 Reglas del negocio
2.1.3 Requisitos de informacin
2.1.4 Restricciones de la aplicacin
2.1.5 Requisitos funcionales
2.1.6 Requisitos no funcionales
2.1.7 Diagramas de casos de uso
2.1.8 Definicin de actores
2.1.9 Documentacin de los casos de uso
2.2 Diseo
2.2.1 Diagramas de estados
2.2.2 Diagramas de secuencia
2.2.3 Diagramas de actividades
3 Implementacin y liberacin 13 15 25/11/13 13/12/13
3.1 Implementacin
3.1.1 Arquitectura del sistema
3.1.2 Sistema de control de versiones
3.1.3 Diagrama de implementacin
3.2 Pruebas
3.2.1 Planificacin
3.2.2 Desarrollo de pruebas

CRONOGRAMA DE ACTIVIDADES (PROGRAMA)
# ACTIVIDADES CONTROL
Septiembre Octubre Noviembre Diciembre
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
1 Planeacin
PROG.
REAL
2
Documentacin
tcnica
PROG.
REAL
y Dispositivos MOS

10
3
Implementacin y
liberacin
PROG.
REAL

FIRMAS

Dr. en C. Rodolfo Zol Garca Lozano
ASESOR INDUSTRIAL

Andrs de Jess Hernndez Martnez
ALUMNO

M. en C. Jess Barrn Vidales
ASESOR ACADMICO

y Dispositivos MOS

11
MARCO TERICO

Para desarrollar e implementar el proyecto Automatizacin por Computadora de
Tcnicas de Caracterizacin Elctrica de Pelculas Semiconductoras y Dispositivos
MOS, ser necesario el conocimiento de los conceptos tericos en los que se
fundamenta la medicin de resistividad por el mtodo de cuatro puntas y el efecto de
estrs elctrico en transistores e inversores tipo MOSFET, as como el uso de
herramientas de software y hardware, las cuales brindarn el soporte necesario tanto
para el diseo como codificacin, pruebas e implementacin de la aplicacin.

Electricidad

Las primeras noticias asociadas con fenmenos elctricos provienen de la poca
griega. Thales de Mileto (640-546 AC) observ que el mbar al frotarlo con tejido era
capaz de atraer objetos ligeros. De hecho, la palabra electricidad proviene de "elektrn"
que significa mbar en griego. Aristteles cita la descarga elctrica del pez torpedo, y
los antiguos indios conocan que ciertos cristales calentados eran capaces de atraer a
cenizas calientes (piroelectricidad).
2

Los primeros intentos de sistematizacin aparecen en el siglo XVI con la obra "De
Magnete" de W. Gilbert donde introduce el trmino electricidad y encuentra que tambin
la adquieren por frotamiento el cristal de roca y algunas gemas.

En el siglo XVIII son varios los hallazgos. Stephen Gray descubri que la electrizacin
poda transmitirse, con lo que empieza la electrizacin por contacto y por induccin;
tambin fue el primero en clasificar los materiales en aislantes y conductores. Du Fay
habl de dos tipos de electricidad, la vtrea adquirida por el vidrio, la lana y las piedras
preciosas y la resinosa adquirida por el papel, la goma o el hilo, y estableci la ley
emprica de que electricidades del mismo tipo se repelen y de distinto se atraen.

2
http://www.principia-alaga.com/k/images/pdf/conductores.pdf
y Dispositivos MOS

12
En 1752 Benjamn Franklin realiz su famoso experimento de la cometa, con lo que
consigui cargar una botella de Leyden con la electricidad de una nube tormentosa
demostrando, pues la naturaleza elctrica del rayo.

El estudio cuantitativo de la electricidad comienza cuando Coulomb, en el ao 1777,
estudiando la fuerza ejercida entre dos cargas consideradas puntuales mediante una
balanza de torsin lleg a la expresin de la ley que lleva su nombre y cuya expresin
es similar a la Ley de Gravitacin Universal de Newton.

El paso del estudio de la electrosttica al de la corriente elctrica fue facilitado con la
invencin de la pila elctrica en 1800 por A. Volta, pues su pila proporcionaba corriente
ms estable y duradera que la de la botella de Leyden.

Los experimentos de Oersted (1820) y Faraday (1831) demostraron que el fenmeno de
la electricidad va siempre acompaado de fenmeno magnticos, estudindose ambos
conjuntamente y dando lugar a uno de los apartados ms notables de la fsica: el
electromagnetismo.

La medida de la conductividad de una sustancia viene expresada por un coeficiente
inverso llamado resistividad. De esta manera, cuanto menor es este coeficiente mayor
es el grado de conduccin elctrica de una sustancia. Segn este parmetro, la plata es
el elemento mejor conductor que existe (a 20C) con una resistividad de 1.610
-8
m,
seguida del cobre con 1.710
-8
m.

Los gases en general son malos conductores de la electricidad; el aire seco, por
ejemplo, tiene un potencial de ruptura de 30000 voltios por centmetro. Por ejemplo,
para conseguir atravesar una descarga elctrica los 2 cm de distancia que tiene un
enchufe de corriente, se necesitaran unos 60.000 voltios. Si el aire est hmedo es
mucho mejor conductor de la electricidad y el potencial de ruptura disminuye.

Algunos metales y ciertos compuestos presentan una resistencia elctrica virtualmente
nula cuando se hallan a temperaturas inferiores a la denominada temperatura crtica
y Dispositivos MOS

13
(Tc). A estos materiales en estas condiciones se les conoce como superconductores
(descubiertos por el fsico alemn H. Kamerlingh Onnes en 1911) y su resistividad es
1017 veces menor que la del cobre.

Resistencia y resistividad

En un conductor de rea de seccin transversal A que transporta una corriente I. La
densidad de corriente J en el conductor se define como la corriente por unidad de rea.
Dado que la corriente
d
I nqv A = es, la densidad de corriente es igual a

d
I
J nqv
A
= (1)
donde J tiene unidades en el SI de amperes por cada metro cuadrado. Esta expresin
es vlida slo si la densidad de corriente es uniforme y slo si la superficie del rea de
seccin transversal A es perpendicular a la direccin de la corriente.
3

Tan pronto como se mantiene una diferencia de potencial a travs del conductor se
establece una densidad de corriente y un campo elctrico. En algunos materiales, la
densidad de corriente es proporcional al campo elctrico:
J E o = (2)
donde la constante de proporcionalidad o se conoce como conductividad del
conductor. Los materiales que obedecen la ecuacin 2, siguen la ley de Ohm. De una
manera ms especfica, la ley de Ohm afirma que; en muchos materiales (inclusive la
mayor parte de los metales) la relacin de la densidad de corriente al campo elctrico
es una constante o que es independiente del campo elctrico que produce la corriente.

Los materiales que obedecen la ley de Ohm y por tanto cumplen esta simple
correspondencia entre E y J, se conocen como materiales hmicos. Si se considera un
segmento de alambre recto de rea de seccin transversal uniforme A y de longitud l,

3
Serway, Raymond A. y Jewett, John W. Jr.; Fsica para Ciencias e Ingeniera con Fsica Moderna
(Volumen 2); Editorial CENGAGE Learning, pg 756-758.
y Dispositivos MOS

14
como se muestra en la figura 1 obtendr una ecuacin que resulte til en aplicaciones
prcticas.

Figura 1 Conductor uniforme de longitud l y un rea de seccin transversal A

De un extremo al otro del alambre se mantiene una diferencia de potencial, lo que
genera en el alambre un campo elctrico y una corriente. Si supone que el campo es
uniforme, la diferencia de potencial est relacionada con el campo mediante la relacin
V El A = (3)
Por lo tanto, la densidad de corriente en el alambre se expresa en la forma

V
J E
l
o o
A
= = (4)
Ya que
I
J
A
= , la diferencia de potencial a travs del alambre es

l l
V J I RI
A o o
A = = = (5)
La cantidad
l
R
A o
= se conoce como la resistencia del conductor, la cual es definida
como la relacin de la diferencia de potencial aplicada a un conductor entre la corriente
que pasa por el mismo:

V
R
I
A
(6)
La resistencia tiene unidades del SI de volts por ampere. Un volt por ampere se define
como un ohm ():
1 1
V
A
O
Esta expresin indica que si una diferencia de potencial de 1 V a travs de un conductor
origina una corriente de 1 A, la resistencia del conductor ser de 1 .
y Dispositivos MOS

15
El recproco de la conductividad es la resistividad :

1
o
= (7)
donde est en ohms-metros (m). Ya que
l
R
A o
= , es posible expresar la
resistencia a lo largo de la longitud l de un bloque uniforme de material de la forma

l
R
A
= (8)
Todo material hmico tiene una resistividad caracterstica que depende de las
propiedades del material y de la temperatura. Adicionalmente, como se puede observar
por la ecuacin 8, la resistencia de una muestra depende tanto de su geometra como
de su resistividad.

Resistividad y temperatura

La resistividad de un material depende de la temperatura. Por lo general, la resistencia
de los metales se incrementa con la temperatura. Puesto que a mayores temperaturas
los tomos se mueven ms rpido y estn arreglados en patrones menos ordenados.
En consecuencia, se espera que interfieran ms con el flujo de los electrones.
4
Es por
ello que en un intervalo limitado de temperatura, la resistividad de un conductor vara
prcticamente de manera lineal con la temperatura, de acuerdo con la expresin
( )
0 0
1 T T o = + (

(9)
donde es la resistividad a cierta temperatura T (en grados Celsius),
0
la resistividad
en alguna temperatura de referencia T0, y el coeficiente de temperatura de
resistividad. A partir de la ecuacin 9, el coeficiente de temperatura de resistividad se
expresa como

0
1
T
A
=
A
(10)

4
Giancoli, Douglas C. y Jewett, John W. Jr.; Fsica para Ciencias e Ingeniera con Fsica Moderna
(Volumen 2); Editorial Pearson Educacin, pg. 659.
y Dispositivos MOS

16
donde
0
A = es el cambio en la resistividad durante el intervalo de temperatura
0
T T T A = .

Ya que la resistencia es proporcional a la resistividad, la variacin en la resistencia de
una muestra es
( )
0 0
1 R R T T o = + (

(11)
donde R0 es la resistencia a la temperatura T0. El uso de esta propiedad permite
mediciones de temperatura precisas a travs del monitoreo cuidadoso de la resistencia
de una sonda hecha de un material particular.
5

Propiedades elctricas de los materiales

Las propiedades elctricas de los materiales son en muchas ocasiones tan importantes
como sus propiedades mecnicas. Hay que tener en cuenta que todos los tipos de
respuestas elctricas son importantes para determinadas aplicaciones. As, la
transferencia de energa elctrica a grandes distancias precisa de materiales con una
alta conductividad para evitar prdidas por calentamiento. Con el mismo objetivo, se
precisan tambin materiales que sean perfectamente aislantes para evitar cortocircuitos
y procesos de arco entre los conductores. Pero tambin los compuestos con
conductividades intermedias son de gran importancia tecnolgica.
6

De acuerdo a la forma en cmo se realizan los mecanismos de conduccin elctrica en
un material, se realiza una clasificacin de los materiales de la forma siguiente:
- En materiales conductores, por ejemplo: metales (hilo de cobre), se precisa una
alta conductividad elctrica para transportar corriente elctrica y energa sin
prdidas.

5
Serway, Raymond A. y Jewett, John W. Jr.; Fsica para ciencias e ingeniera con Fsica Moderna
(Volumen 2); Editorial CENGAGE Learning, pg 762.
6
http://joseluismesarueda.com/documents/TEMA_11_000.pdf
y Dispositivos MOS

17
- En materiales aislantes, por ejemplo: cermicos o polmeros, se precisa una
conductividad elctrica muy baja (dielectricidad) para impedir la ruptura
dielctrica del material y los arcos elctricos entre conductores.
- En materiales semiconductores:
o Por ejemplo: dispositivos fotoelctricos. Se necesita optimizar sus
propiedades elctricas para que con ellos se puedan fabricar fuentes
prcticas y eficientes de energas alternativas.
o Por ejemplo: transistores, circuitos lgicos, entre otros. El estudio y
posterior mejora de sus propiedades elctricas permite la fabricacin de
microchips y ordenadores ms rpidos y pequeos.

De acuerdo a las tipos de enlaces que se presentan en las estructuras atmicas se
tiene otra clasificacin de los materiales:
- Metlico: los electrones estn compartidos por todos los ncleos atmicos
del material (nube electrnica). Facilidad de movimiento.
- Covalente: los electrones estn compartidos por un par de tomos. Alto
grado de localizacin electrnica y gran dificultad de movimiento por el
material.
- Inico: iones positivos y negativos forman el material mediante fuertes
interacciones electrostticas, por tanto, los electrones tienen una gran
dificultad de movimiento por el material.
7

Semiconductores

Entre los materiales conductores que permiten una circulacin mayor de corriente por
presentar una resistencia relativamente baja, y los materiales aislantes, que no
permiten la circulacin de corriente, se encuentra una gama de materiales con
propiedades propias que se denominan semiconductores. stos tienen una
conductividad que vara con la temperatura, pudiendo comportarse como conductores o

7
http://www.uclm.es/profesorado/maarranz/Documentos/MaterialesT7.pdf
y Dispositivos MOS

18
como aislantes dependiendo del valor de sta. Todos los semiconductores se
caracterizan porque en su ltima capa de electrones de su estructura atmica poseen
cuatro electrones llamados electrones de valencia.

La configuracin electrnica de los elementos del grupo del carbono (C), con dos
electrones en el nivel de valencia p, puede parecer indicada para que estos sistemas
sean buenos conductores. Sin embargo, la hibridacin de orbitales que permite sus
habituales cuatro enlaces covalentes modifica su estructura de bandas. En lugar de
tener una banda s completamente llena y una banda p semillena, estos elementos
presentan una banda completamente llena y una banda completamente vaca. De
esta forma, para el diamante la banda prohibida de energa entre ambas (gap) es muy
elevado y ste se comporta como un verdadero aislante (< 10
-16
m
-1
). Sin embargo en
el silicio (Si) y en el germanio (Ge) la banda prohibida se reduce lo suficiente como para
que a temperatura ambiente presenten una conductividad aceptable (510
-4
y 2.210
-4

m
-1
, respectivamente). En el estao (Sn) la conductividad ya es tpicamente metlica
(910
-6
m
-1
).
8

El silicio (Si) y el germanio (Ge) puros se conocen como semiconductores intrnsecos.
El gap de energa entre las bandas es lo suficientemente pequeo (1.11 y 0.67 eV) para
que con su energa trmica algunos electrones salten de la banda de valencia a la
banda de conduccin, dejando en la primera los correspondientes huecos. Cuando se
aplica un voltaje al material, los electrones se mueven hacia el polo positivo y los
huecos hacia el negativo, contribuyendo ambos a la conduccin de la corriente. En
estos sistemas es fundamentalmente la temperatura, la que determina su resistividad.
Al incrementarse la temperatura aumenta el nmero de especies portadoras de carga y
por tanto disminuye la resistividad. En la figura 2 se muestra el comportamiento del
cristal de silicio (Si) ante el aumento de temperatura.

8
y Dispositivos MOS

19

(a) (b)

Figura 2 Cristal de silicio (Si) antes de aumento de temperatura (a), cristal de silicio (Si) despus del
aumento de temperatura (b)

La fuerte dependencia trmica de la conductividad en los semiconductores intrnsecos
dificulta su control y por tanto las aplicaciones de estos elementos. La solucin a este
problema consiste en la adicin de elementos dopantes que aumenten el nmero de
portadores. De esta manera, a bajas temperaturas, la conductividad no viene ya
determinada por los electrones trmicamente activados, sino por el grado de dopaje
efectuado. Estos nuevos materiales se llaman semiconductores extrnsecos, y son los
habitualmente empleados en los dispositivos electrnicos. Su conductividad puede ser
varios rdenes de magnitud superior a la de sus homlogos intrnsecos, pero adems
puede ser predeterminada para cada aplicacin con mucha efectividad variando el
grado de dopaje. Adems, se elimina la importancia que la presencia de impurezas
tiene sobre la conductividad de los elementos puros. Dependiendo del tipo de dopaje
efectuado podemos distinguir entre los tipo n (los electrones son los portadores de
carga mayoritarios) y tipo p (los huecos son los portadores de carga mayoritarios).

Los semiconductores de tipo n se preparan dopando el material con una impureza que
tenga ms electrones de valencia que los tomos originales. Los electrones extras, que
no participan en los enlaces, ocupan un nivel situado ligeramente por debajo de (0.1 eV)
de la banda de conduccin, que se denomina nivel donor (o donador). En ese nivel los
electrones no son suficientes para formar una banda y no pueden moverse, pero si se
les proporciona la suficiente energa trmica, pueden pasar fcilmente a la banda de
conduccin y moverse por ella. Evidentemente, cuando todos los electrones extras han
y Dispositivos MOS

20
pasado a la banda de conduccin, se alcanza un estado en el que la conductividad es
prcticamente independiente de la temperatura en un amplio intervalo.

Los semiconductores de tipo p se preparan dopando el material con una impureza que
tenga menos electrones de valencia que los tomos originales. Al no tener electrones
suficientes para completar los enlaces covalentes, se crea un hueco en la banda de
valencia. Este hueco en realidad no se encontrar en la banda de valencia, sino en un
nivel ligeramente ms energtico (0.1 eV) que se denomina nivel aceptor y en el que no
puede moverse. Pero actuar como un aceptor de electrones de la banda de valencia a
temperaturas moderadas, y eso se traducir en un movimiento de huecos positivos en
esta banda.

El movimiento de los huecos ser en realidad consecuencia de los saltos electrnicos
(hopping) sucesivos en la direccin opuesta. Igual que para los semiconductores de tipo
n, la conductividad es prcticamente independiente de la temperatura en un amplio
intervalo, una vez que el nivel aceptor ha saturado.

Evidentemente, si se aumenta mucho la temperatura llegar un momento en que la
conductividad disminuya al reducirse la movilidad de los portadores por las
interacciones con los fonones (salvo que la conductividad intrnseca supere ya a la
extrnseca). En la figura 3 se muestra la estructura de las bandas de valencia en
semiconductores tipo n y tipo p.

Figura 3 Estructura de las bandas de valencia en semiconductores tipo n y tipo p

y Dispositivos MOS

21
Los tomos dopantes han de tener un tamao parecido al de los elementos originales,
para que no modifiquen sustancialmente la estructura y puedan alcanzarse grados de
dopaje significativos. As el silicio (Si) se dopa bsicamente con fsforo (P) y arsnico
(As), para semiconductores tipo n y con boro (B), aluminio (Al) y galio (Ga) para
semiconductores tipo p. Por su parte el germanio (Ge) se dopa habitualmente con
arsnico (As) y antimonio (Sb) (tipo n) y con aluminio (Al), galio (Ga) e indio (In) (tipo p).

Semiconductores orgnicos

Los materiales orgnicos se caracterizan por estar constituidos por un esqueleto de
tomos de carbono (C), enlazados con simples, dobles y triples enlaces. Cuando el
esqueleto del carbono (C) est formado por muchas unidades moleculares o
monmeros de simples y dobles enlaces alternados, el compuesto se denomina
polmero conjugado. En la figura 4 se muestra el esquema de polmero conjugado, y
entre ellos se encuentran los semiconductores orgnicos, en que los orbitales
electrnicos de cada tomo tienden a solaparse y dan lugar a la formacin de bandas
de energa. Sin embargo, en contraste con los semiconductores inorgnicos, como el
silicio (Si), el arseniuro de galio (GaAs), el telururo de cadmio (CdTe) y otros, los
semiconductores orgnicos se estructuran por enlaces intermoleculares demasiado
dbiles para formar redes cristalinas tridimensionales, lo que ocasiona que en los
semiconductores orgnicos las bandas de energa que se forman sean estrechas.

Figura 4 Esquema de un polmero conjugado y sus orbitales
y Dispositivos MOS

22
Las principales bandas u orbitales moleculares se denominan HOMO, el de menor
energa que es donde se encuentran los electrones no excitados, y LUMO, el de
mayor energa que es a donde saltaran los electrones al excitarse y que se denominan
*. Estos electrones , que estn dbilmente enlazados, forman una nube de
electrones delocalizados cuasi-libres (con frecuencia en un grupo aromtico) que
forman una estructura similar a la del silicio (Si).
9

La conductividad se basa fundamentalmente en que el polmero conductor tiene una
gran cadena de carbono (C) con una alternancia de enlaces simples y dobles. Esta
estructura hace que a lo largo de ella aparezcan orbitales electrnicos con electrones
con una gran movilidad. El problema reside en que para que este electrn pase del
orbital a un estado en el que se pueda mover se necesita dar al polmero una gran
cantidad de energa. Por ello se realiza el dopaje de tomos con electronegatividades
muy distintas a las del carbono (C).

Las macromolculas formadas por monmeros con un sistema Pi-conjugado pueden
sufrir en su distribucin electrnica alteraciones provocadas por molculas dopantes.
Estas molculas pueden favorecer la generacin de niveles electrnicas en la zona
prohibida de la estructura de bandas del solido sintetizado y hacer que ste pase de ser
totalmente aislante al paso de la corriente elctrica, cuando est sin dopar, a tener un
valor de esta propiedad muy prximo al de los metales.

Cuando se aplica una tensin entre las dos bandas, aumenta la conductividad elctrica:
comportndose como transistores. Casi todos los polmeros conductores son conocidos
semiconductores gracias a su estructura en bandas, aunque algunos se comportan
como metales conductores. La principal diferencia entre los polmeros conductores y
semiconductores inorgnicos es la movilidad de los electrones, hasta hace poco, mucho
menor en los polmeros conductores.
10

9
http://www.cubasolar.cu/biblioteca/Energia/Energia47/HTML/Articulo11.htm
10
http://www.eis.uva.es/~macromol/curso09-10/Guillermo/web/polimeros.htm
y Dispositivos MOS

23
Pelcula delgada

El trmino pelcula delgada no tiene una definicin precisa. En general, se refiere a
pelculas cuyo espesor va de 0.1 m hasta unos 300 m, y normalmente no se aplica a
recubrimientos como pinturas o barnices, que suelen ser mucho ms gruesos. Para que
una pelcula fina sea til, debe poseer todas o casi todas las propiedades siguientes:
a) Debe ser qumicamente estable en el entorno en el que se usar.
b) Adherirse bien a la superficie que cubre (el sustrato).
c) Tener un espesor uniforme.
d) tener una baja densidad de imperfecciones.

Adems de estas caractersticas generales, podran requerirse propiedades especiales
para ciertas aplicaciones. Por ejemplo, la pelcula puede ser aislante o semiconductora,
o poseer propiedades pticas o magnticas especiales.

Una pelcula delgada se debe adherir al sustrato subyacente para que pueda ser til.
Dado que la pelcula es inherentemente frgil, debe depender del sustrato para su
apoyo estructural. A fin de lograr tal apoyo, la pelcula debe estar unida al sustrato por
fuerzas intensas. Las fuerzas de unin pueden ser de naturaleza qumica; es decir, una
reaccin qumica en la superficie puede conectar la pelcula al material subyacente. Por
ejemplo, cuando un xido metlico se deposita en vidrio, las redes del xido metlico y
del vidrio se combinan en la interfaz para formar una zona delgada de composicin
intermedia. En estos casos las energas de enlace entre la pelcula y el sustrato son de
la misma magnitud que los enlaces qumicos, del orden de 250 a 400 kJ/mol. En
algunos casos, la unin entre la pelcula y el sustrato se basa nicamente en fuerzas
intermoleculares de Van der Waals y electrostticas, como por ejemplo cuando una
pelcula de un polmero orgnico se deposita en una superficie metlica. Las energas
que unen la pelcula al sustrato en tales casos podran ser del orden de 50 a 100
y Dispositivos MOS

24
kJ/mol. Por ello, las pelculas en las que slo hay enlaces de este tipo no son tan
robustas.
11

Existen pelculas delgadas que se forman de elementos naturales, mas sin embargo en
los ltimos aos se ha trabajado en el desarrollo de pelculas delgadas de materiales
compuestos de uno o dos elementos. Compuestos de pelculas delgadas son
depositados en sustratos por diferentes tcnicas de fabricacin, bao qumico,
Chemical Vapor Deposition (CVD), Electron Beam Evaporation, Spin on Glass y
Sputtering son algunas de las tcnicas usadas para esta tarea.

Estructura MOS (Metal-xido-Semiconductor)

La estructura MOS se compone de dos terminales y tres capas: Un substrato de silicio
(Si), puro o poco dopado p o n, sobre el cual se genera una capa de xido de silicio
(SiO2) que posee caractersticas dielctricas o aislantes. Por ltimo, sobre sta se
coloca una capa de metal (Aluminio (Al) o polisilicio), que posee caractersticas
conductoras. En la parte inferior se coloca un contacto hmico, como se muestra en la
figura 5.

Figura 5 Estructura MOS

11
http://www.textoscientificos.com/quimica/peliculas-finas
y Dispositivos MOS

25
La estructura MOS acta como un condensador de placas paralelas en el que el
contacto de compuerta (Gate, G) y el sustrato (Body, B) son las placas y el xido el
aislante. De este modo, cuando VGB=0 V, la carga acumulada es cero y la distribucin
de portadores es aleatoria y correspondiente al estado de equilibrio en el
semiconductor. Si VGB > 0 V, aparece un campo elctrico entre los terminales de
compuerta y substrato. La regin semiconductora p se comporta creando una regin de
empobrecimiento de cargas libres p
+
(zona de deplexin), al igual que ocurriera en la
regin p de una unin pn cuando estaba polarizada negativamente. Esta regin de
iones negativos se incrementa con VGB. Al llegar a una cota de VGB, los iones presentes
en la zona semiconductora de empobrecimiento no pueden compensar el campo
elctrico y se provoca la acumulacin de cargas negativas libres (e
-
) atrados por el
terminal positivo. Se dice entonces que la estructura ha pasado de estar en inversin
dbil a inversin fuerte (figura 6). El proceso de inversin se identifica con el cambio de
polaridad del substrato debajo de la regin de compuerta. En inversin fuerte, se forma
as un canal de e
-
libres en las proximidades del terminal de gate (compuerta) y de
huecos p
+
en el extremo de la compuerta.

La intensidad de corriente de compuerta IG es cero, puesto que en continua se
comporta como un condensador (GB). Por lo tanto, se puede decir que la impedancia
desde la compuerta al substrato es prcticamente infinita e IG=0 A siempre en esttica.
Bsicamente, la estructura MOS permite crear una densidad de portadores libres
suficiente para sustentar una corriente elctrica.
12

12
http://www.iuma.ulpgc.es/~benito/Docencia/TyCEyF/PDF/apuntes/teoria/Cap4.pdf
y Dispositivos MOS

26

Figura 6 Estructura MOS en inversin dbil (a) e inversin fuerte (b)

Transistor MOSFET

Es un dispositivo de cuatro terminales: el drenador (D, drain), la compuerta (G, gate), el
surtidor o fuente (S, source) y el sustrato (B, bulk). La corriente en el interior del
dispositivo puede ser en forma de electrones o huecos, fluye desde la fuente hasta el
drenador, y es controlada por la compuerta. La terminal de sustrato se utiliza para fijar
la tensin umbral del transistor, mediante la aplicacin de una tensin constante. Bajo la
terminal de compuerta existe una capa de xido (SiO2) que impide prcticamente el
paso de corriente a travs; por lo que el control de compuerta se establece en forma de
tensin.

La figura 7 muestra la estructura de dos transistores MOSFET, tipo n y p
respectivamente. El dopaje del sustrato es opuesto al tipo de portador que origina la
corriente. As, para un transistor tipo n (electrones en conduccin) el dopaje del sustrato
es tipo p. Mientras que en el transistor tipo p (huecos en conduccin) el dopaje es tipo
n.

A fin de facilitar la corriente a travs de los terminales de fuente y drenador, bajo ellos
se generan regiones con dopaje elevado, del mismo tipo que los portadores del canal
(regiones n
+
y p
+
).

y Dispositivos MOS

27

Figura 7 Estructura fsica de los transistores MOS n y p

Cuando se aplica una tensin positiva al terminal de compuerta de un MOSFET tipo n,
se crea un campo elctrico bajo la capa de xido que incide perpendicularmente sobre
la superficie del semiconductor. Este campo atrae a los electrones hacia la superficie
bajo el xido, repeliendo los huecos hacia el sustrato. Si el campo elctrico es muy
intenso se logra crear en dicha superficie una regin muy rica en electrones,
denominada canal n, que permite el paso de corriente de la fuente al drenador; cuanto
mayor sea la tensin de compuerta mayor ser el campo elctrico y, por tanto, la carga
en el canal. Una vez creado el canal, la corriente se origina aplicando una tensin en el
drenador positiva respecto a la de la fuente.

En un MOSFET tipo p el funcionamiento es a la inversa, ya que los portadores son
huecos (cargas positivas). En este caso, para que exista conduccin el campo elctrico
perpendicular a la superficie debe tener sentido opuesto al del MOSFET tipo n, por lo
que la tensin aplicada ha de ser negativa. Ahora los huecos son atrados hacia la
superficie bajo el xido, y los electrones repelidos hacia el sustrato. Si la superficie es
muy rica en huecos se forma el canal p. Cuanto ms negativa sea la tensin de
compuerta mayor puede ser la corriente (ms huecos en el canal p). La corriente se
establece al aplicar a la terminal de drenador una tensin negativa respecto a la de la
fuente. La corriente tiene sentido opuesto a la de un MOSFET tipo n.

y Dispositivos MOS

28
Si con tensin de compuerta nula no existe canal, el transistor se denomina de
acumulacin; y de vaciamiento en caso contrario. Mientras que la tensin de compuerta
a partir de la cual se produce canal se conoce como tensin umbral VT. La terminal de
sustrato sirve para controlar la tensin umbral del transistor, y normalmente su tensin
es la misma que la de la fuente.

El transistor MOS es simtrico: las terminales de fuente y drenador son intercambiables
entre s. En el MOSFET tipo n la terminal de mayor tensin acta de drenador (recoge
los electrones), siendo el de menor tensin en el tipo p (recoge los huecos). La figura 8
muestra el funcionamiento de un transistor MOS tipo n de enriquecimiento.

Figura 8 Funcionamiento de un transistor MOSFET tipo n de enriquecimiento

En la figura 9 se representan los smbolos utilizados para los MOSFETs en los circuitos;
tambin se indica el sentido de la corriente de drenador. Si los transistores son de
vaciamiento se traza una lnea gruesa bajo la compuerta, que recuerda la existencia de
canal en ausencia de tensin en dicho terminal.

y Dispositivos MOS

29

Figura 9 Smbolos de los transistores MOSFET tipo n y p, de enriquecimiento y vaciamiento

La capa de xido bajo la compuerta impide que haya corriente a travs (esto es
estrictamente cierto en continua y bajas frecuencias). As, la corriente en el terminal de
fuente, IS, coincide con la del drenador ID, por lo que basta con indicar una sola de
ellas.
13

En la tabla 1 se muestra un resumen de las regiones de operacin y ecuaciones para
los transistores NMOS de empobrecimiento y enriquecimiento (a)
14
, y en la figura 10 se
pueden observar las curvas caractersticas del mismo.

13
14
http://www.hispavila.com/3ds/atmega/mosfets_datos/tema4_el%20mosfet.pdf
y Dispositivos MOS

30

Tabla 1 Regiones de operacin y ecuaciones para los transistores NMOS de empobrecimiento y
enriquecimiento

Figura 10 Curvas caractersticas para transistores MOSFET tipo n, de enriquecimiento (a) y
empobrecimiento (b)
y Dispositivos MOS

31
Inversor MOSFET

El funcionamiento del transistor MOS en conmutacin implica que las tensiones de
entrada y salida del circuito posee una excursin de tensin elevada (0, VDD) entre los
niveles lgicos alto (VH, asociada a la tensin VDD) y bajo (VL, asociada a la tensin 0).
Se denomina inversor, porque la tensin de salida, es de nivel opuesto a la tensin de
entrada. Lo nico que se requiere en los circuitos de conmutacin, es que las tensiones
de entrada y de salida se puedan reconocer fcilmente, ya sea en nivel alto o bajo.

Para el nivel bajo a la salida del inversor, se persigue que VGS > VT y que el transistor se
encuentre trabajando en la regin hmica, con lo cual VDS << 1 V. Mientras que para
obtener un nivel alto a la salida del inversor el transistor debe de estar funcionando en
la regin de corte, con VDS >> 1 V.

El funcionamiento como inversor del transistor NMOS se basa en sus caractersticas en
conmutacin: paso de corte a zona hmica. Para el inversor NMOS con carga resistiva
la variable a la entrada, considerada como binaria (0, VDD -- VL, VH) se invierte a la
salida (VH, VL). La realizacin de resistencias en circuitos integrados es
tecnolgicamente compleja e imprecisa, no siendo una solucin eficiente (tamao
elevado, precisin baja), de forma que en la prctica se emplean otros tipos de cargas
equivalentes. En la figura 11 se muestra un inversor NMOS con carga resistiva.

Figura 11 Inversor NMOS con carga resistiva: Circuito (a). Polarizacin de las curvas de salida (b).
Caracterstica de transferencia (c)
y Dispositivos MOS

32
Para diferentes valores de Vi, el NMOS conmuta entre corte y hmica, siguiendo la
trayectoria que va desde el punto A al F, cuando la entrada vara entre 0 y VDD. En ella,
el transistor pasa por las regiones de corte, saturacin y hmica, por este orden.
15

MATLAB

El lenguaje de programacin MATLAB ser utilizado en este proyecto, para la
codificacin de scripts y la creacin de la interfaz de usuario, fue elegido para este
propsito por su enfoque en el procesamiento de clculos matemticos y su
adaptabilidad a soluciones que impliquen la comunicacin y medicin desde
dispositivos electrnicos especializados. Adems de ser actualmente el entorno
utilizado para el control y programacin de los dispositivos de medicin desde la PC en
el laboratorio de mediciones, en el Centro Universitario UAEM Ecatepec.

MATLAB es el nombre abreviado de Matrix Laboratory, fue creado por Cleve Moler en
1984, surgiendo la primera versin con la idea de emplear paquetes de subrutinas
escritas en Fortran en los cursos de lgebra lineal y anlisis numrico, sin necesidad de
escribir programas en dicho lenguaje. En la actualidad MATLAB es desarrollado por The
Mathworks.

Es un programa para realizar clculos numricos con vectores y matrices. Como caso
particular puede tambin trabajar con nmeros escalares tanto reales como complejos,
con cadenas de caracteres y con otras estructuras de informacin ms complejas. Una
de las capacidades ms atractivas es la de realizar una amplia variedad de grficos en
dos y tres dimensiones.

Para ciertas operaciones es muy rpido, cuando puede ejecutar sus funciones en
cdigo nativo con los tamaos ms adecuados para aprovechar sus capacidades de
vectorizacin. En otras aplicaciones resulta bastante ms lento que el cdigo
equivalente desarrollado en C/C++ o Fortran. Incorpora un acelerador JIT (Just In

15
y Dispositivos MOS

33
Time), que mejoraba significativamente la velocidad de ejecucin de los ficheros *.m en
ciertas circunstancias, por ejemplo cuando no se hacen llamadas a otros ficheros*.m, no
se utilizan estructuras y clases, etc. En cualquier caso, el lenguaje de programacin de
MATLAB siempre es una herramienta de alto nivel para desarrollar aplicaciones
tcnicas, fcil de utilizar y aumenta significativamente la productividad de los
programadores respecto a otros entornos de desarrollo. MATLAB dispone de un cdigo
bsico y de varias libreras especializadas (toolboxes).
16

En la figura 12 se puede apreciar la interfaz principal de MATLAB y en la figura 13 se
muestra un ejemplo de codificacin en MATLAB.

Figura 12 Interfaz principal de MATLAB

16
Garca de Jaln, Javier y Rodrguez, Jos Ignacio; Aprenda Matlab 7.0 como si estuviera en primero;
Universidad Politcnica de Madrid, pg 3.
y Dispositivos MOS

34

Figura 13 Programa creado en MATLAB para la conexin con una fuente Keithley 2400

Interfaz GPIB

Para la comunicacin entre la aplicacin programada en MATLAB y la fuente Keithley
Series 2400; es necesario el uso de una interfaz capaz de enviar y recibir datos entre la
PC (Host MATLAB) y la fuente, actualmente es utilizada la interfaz GPIB (General
Purpose Interface Bus) para este propsito en el laboratorio de mediciones, en el
Centro Universitario UAEM Ecatepec. A continuacin se expondr de manera breve qu
es la interfaz GPIB.

El bus GPIB fue inventado por Hewlett Packard a finales de los aos 1960. La intencin
era crear un bus fiable, especialmente diseado para conectar computadoras e
instrumentos en una configuracin de red que tuviera las caractersticas requeridas por
un equipo de medida. El control remoto de los instrumentos es un aspecto relevante del
bus, pero hay otros ms importantes como el reconocimiento de recepcin de datos,
que dota a las operaciones de fiabilidad; o la capacidad de respuesta en tiempo real.
17

17
http://www2.uca.es/grup-
invest/instrument_electro/ppjjgdr/Electronics_Instrum/Electronics_Instrum_Files/temas/T7_Instrum_Prog.
PDF
y Dispositivos MOS

35
El principal objetivo del bus GPIB consiste en gestionar la transferencia de informacin
entre dos o ms dispositivos. Antes de enviar los datos hacia los dispositivos
(instrumentos conectados al bus) stos deben configurarse de acuerdo con este
protocolo de transmisin de informacin. Entre los parmetros relativos al protocolo se
encuentra la asignacin de direcciones a los instrumentos interconectados. La
numeracin del dispositivo, o asignacin de su direccin, se realiza desde el panel
frontal o alterando la conexin de los puentes de su tarjeta interfaz, que suele ser
accesible desde la parte posterior del instrumento.

El elemento controlador del equipo GPIB es nico (generalmente la tarjeta controladora
instalada en un PC), supervisa todas las operaciones que se realizan en el bus, y
determina el dispositivo que enva la informacin y el momento en que se realiza su
envo. El controlador puede designar un sustituto si en un determinado momento no
puede atender los requisitos de control. El nuevo controlador recibe el nombre de
controlador activo.

El controlador asegura que no puede haber dos o ms instrumentos enviando
informacin al bus simultneamente. Adems, establece los dispositivos que
permanecen en estado de recepcin o escucha, ya que no todos los instrumentos estn
siempre interesados en captar la informacin del bus. Esta funcin la realiza
despertando a los dispositivos en estado de latencia mediante una solicitud de
reafirmacin, y mediante rdenes que especifican los nuevos receptores y el nuevo
emisor.

Cuando el proceso de transmisin-recepcin ha finalizado, el controlador del equipo se
asegura de que todos los receptores han recibido la informacin enviada al bus por el
emisor mediante el control de transferencia de datos. Este protocolo permite asegurar la
recepcin de la informacin por parte de los dispositivos ms lentos. Como
consecuencia, el dispositivo ms lento limita la velocidad de operacin del equipo GPIB.
En el Anexo 1 se muestra la hoja de especificaciones de la interfaz PCI GPIB.
y Dispositivos MOS

36
En la figura 14 se observa la interfaz la interfaz PCI GPIB y en la figura 15 se muestra
la conexin de las fuentes Keithley Series 2400 a la PC haciendo uso de la interfaz
GPIB.

Figura 14 Interfaz PCI - GPIB

Figura 15 Conexin de las fuentes Keithley Series 2400 (B) a la PC (A) haciendo uso de la interfaz GPIB
(C) mediante el cable (D) GPIB Modelo 7007-2 (Anexo 2)

Keithley Series 2400 Source Measure

La fuente Keithley's Series 2400 es utilizada en el laboratorio de mediciones, en el
Centro Universitario UAEM Ecatepec, para realizar diversos tipos de medicin entre las
cuales se encuentran; la medicin por el mtodo de las cuatro puntas de la resistividad
en materiales de pelcula delgada y la medicin del efecto del estrs elctrico en
transistores e inversores MOSFET. Estas tcnicas de caracterizacin elctrica ser
automatizadas mediante la programacin de una aplicacin en MATLAB; es por ello que
y Dispositivos MOS

37
la fuente Keithley Series 2400 es indispensable tanto para desarrollo y pruebas como
para la implementacin de dicha aplicacin.

La fuente Keithley Series 2400 est diseada especficamente para probar aplicaciones
que demanden precisin en mediciones junto a un aprovisionamiento de energa
puntual. Ofrece precisin en voltaje y generacin de corriente as como una excelente
capacidad de medicin.

Es a la vez una fuente de alimentacin de CD altamente estable y un hmetro de 6
dgitos. Las caractersticas de la fuente de energa incluyen bajo ruido, precisin y
lectura de retorno. Las capacidades del hmetro incluyen una alta capacidad de
repeticin y bajo ruido. El resultado es compacto, de un slo canal.

En operacin, puede actuar como una fuente de voltaje, una fuente de corriente, un
medidor de voltaje, un medidor de corriente y un hmetro. Es ideal para probar
componentes y mdulos para comunicaciones, semiconductores, dispositivos de
cmputo, dispositivos automotrices e instrumentacin mdica, puede realizar gran
variedad de pruebas para produccin y caracterizacin de dispositivos elctricos.
18
En
el Anexo 3 se muestra la hoja de especificaciones y en el Anexo 4 la informacin
tcnica de la fuente Keithley Series 2400. En la figura 16 se observa el panel frontal y
posterior de la fuente Keithley Series 2400.

Figura 16 Vista posterior (A) y frontal (B) de la fuente Keithley Series 2400

18
http://www.keithley.com/support/data?asset=372

y Dispositivos MOS

38
Signatone H-100 Series Probe Station

Durante el desarrollo e implementacin de este proyecto la estacin de pruebas
Signatone H-100 Series, ser utilizada para la medicin del efecto del estrs elctrico
en transistores e inversores MOSFET, complementando a las fuentes Keithley's Series
2400 las cuales suministraran y medirn tanto la corriente como el voltaje aplicado a los
dispositivos MOS, desde tres de las cuatro puntas montadas en los
microposicionadores con los que cuenta dicha estacin.

Signatone H-100 Series Probe Station est diseada principalmente para probar
dispositivos de pelcula gruesa como sustratos de cermica, placas de circuitos
impresos y circuitos hbridos.

Su diseo modular ofrece una gran cantidad de opciones para adaptarse a una amplia
gama de necesidades. Incluye una base de aluminio, un dispositivo de fase de cuatro
pulgadas de recorrido X-Y, una placa de movimiento lineal que puede subirse y bajarse
usando ya sea una manivela o una palanca, y una torre de microscopio para montaje de
un estreo microscopio ptico en una posicin fija. La placa de exposicin acepta hasta
seis microposicionadores magnticos y un adaptador de tarjeta de prueba para su uso
con tarjetas de prueba. Las conexiones elctricas de los microposicionadores se
realizan a travs de seis pin jacks que corresponden a la codificacin de colores de los
banana plugs.
19
En el anexo 5 se muestra la hoja de especificaciones de la Signatone
H-100 Series Probe Station. En la figura 17 se muestra la estacin de pruebas
Signatone H-100 Series, utilizada actualmente dentro del laboratorio de mediciones en
el Centro Universitario UAEM Ecatepec.

19
http://www.bridgetec.com/100.html
y Dispositivos MOS

39

Figura 17 Estacin de pruebas Signatone H-100 Series

S-302-4 y SP4

S-302-4 es un dispositivo utilizado para pruebas, con cuatro puntas, de lminas u
obleas de hasta 4 pulgadas de dimetro, con microinterruptor de energa y un brazo
para montaje de cabezas de prueba. Incluye un disco de tefln de 4 pulgadas que
puede desplazarse horizontalmente y una palanca y perilla de precisin para posicionar
la cabeza de pruebas, con desplazamiento en el eje Y.
20

El SP4 cabeza de pruebas de cuatro puntas (Anexo 6), est fabricado con la tcnica de
moldeo por inyeccin Delrin y est diseado para su uso a temperaturas ambiente. Las
cuatro puntas estn en una configuracin de lnea recta.
21

Ambos dispositivos (S-302-4 y SP4) son utilizados en el laboratorio de mediciones,
dentro del Centro Universitario UAEM Ecatepec, para la medicin de resistividad en
diversos materiales y sern utilizados en este proyecto para la medicin de resistividad

20
http://lucaslabs.com/lucaslabs.com/s302.html
21
http://lucaslabs.com/lucaslabs.com/fourpoint.html
y Dispositivos MOS

40
en pelculas delgadas por el mtodo de cuatro puntas. En la figura 18 se muestra el
dispositivo de montaje S-302-4 y en la figura 19 la cabeza de pruebas SP4.

Figura 18 Vista frontal (a), posterior (b) y lateral (c) del dispositivo de montaje S-302-4

Figura 19 Cabeza de prueba con cuatro puntas SP4
y Dispositivos MOS

41
METODOLOGA

Para la realizacin del proyecto Automatizacin por Computadora de Tcnicas de
Caracterizacin Elctrica de Pelculas Semiconductoras y Dispositivos MOS, en
primera instancia, se recopil la informacin sobre la problemtica que presentaba la
toma de datos experimentales, durante la caracterizacin de pelculas semiconductoras
y dispositivos MOS (transistores e inversores), mediante una entrevista realizada al
Coordinador de Investigacin el Dr. en C. Rodolfo Zol Garca Lozano en el Centro
Universitario UAEM Ecatepec. Posteriormente se efectu el anlisis de la informacin
recopilada y se estableci un plan de trabajo, en el cual se desglosaron de manera
ordenada las actividades a desarrollar durante el proyecto.

Derivado del anlisis de la informacin obtenida, se realiz una propuesta de solucin
para resolver las reas de oportunidad en la toma de datos experimentales. Siguiendo
los requerimientos y restricciones planteados, durante la propuesta de solucin, se
realiz el diseo de la aplicacin y su posterior codificacin, enfocndose a resolver la
problemtica planteada inicialmente.

Finalmente, durante la implementacin de la aplicacin se efectuaron distintos tipos de
pruebas como son: de casos de uso, particin equivalente y de aceptacin, la cuales se
realizaron en un entorno de produccin en el laboratorio de mediciones del Centro
Universitario UAEM Ecatepec, con la colaboracin del Dr. en C. Rodolfo Zol Garca
Lozano, quien fungi como tester de la aplicacin.

y Dispositivos MOS

42
CAPTULO 1 PLANEACIN
1.1 Descripcin del rea de oportunidad

En el Centro Universitario UAEM Ecatepec actualmente se desarrolla la investigacin
del comportamiento resistivo de materiales semiconductores de pelcula delgada y del
efecto del estrs elctrico en transistores MOSFET e inversores con dispositivos
MOSFET. Esta investigacin implica procesos de medicin y modelado, que consumen
una cantidad de tiempo considerable, especficamente durante la toma de datos
experimentales de cada medicin. Estas caracterizaciones se realizan programando
manualmente los instrumentos de medicin desde su panel de configuracin o mediante
el uso de scripts no iterativos. Adicionalmente existe la opcin de configurar el
instrumento desde un equipo de cmputo.

Actualmente no se cuenta con la posibilidad de visualizar en tiempo real el
comportamiento de las mediciones, pues bajo las condiciones del laboratorio de
medicin, el estado del dispositivo puede ser visualizado hasta el trmino de la
medicin. Esta situacin no es ptima, si se considera que existen mediciones que
requieren periodos de tiempo muy prolongados y que, debido a las condiciones del
dispositivo a medir, puede ser que desde el inicio de la medicin sea difcil identificar el
dao en el dispositivo a caracterizar.

Es por lo anterior que surge la necesidad de crear una herramienta de software, que
brinde precisin e integridad en la toma de datos experimentales y que implique una
inversin mnima de tiempo, durante el proceso de medicin. Para este trabajo es de
inters particular la medicin de la resistividad elctrica de pelculas delgadas y del
efecto del estrs elctrico en dispositivos MOS.

y Dispositivos MOS

43
1.2 Alcance
1.2.1 Objetivos

La aplicacin de software controlar la generacin y adquisicin de datos provenientes
de las mediciones de resistividad y estrs elctrico. Tambin generar indicadores
grficos e informes de los resultados experimentales. Realizando las siguientes
funciones:
- Programar los dispositivos de medicin (fuentes Keithley series 2400).
- Ejecutar las instrucciones de medicin para los dispositivos (fuentes Keithley
series 2400).
- Almacenar los datos obtenidos.
- Mostrar los resultados de las mediciones (grficas e informes).

1.2.2 Entregables

Un entregable o producto entregable, es cualquier producto, resultado o capacidad de
prestar un servicio nico y verificable que debe producirse para terminar un proceso,
una fase o un proyecto.
22
En el contexto de este proyecto se utiliza esta definicin
enfocada a un entregable externo, el cual estar sujeto a la aprobacin por parte del
cliente.

En la tabla 1.1 se muestran los entregables del proyecto Automatizacin por
Computadora de Tcnicas de Caracterizacin Elctrica de Pelculas Semiconductoras y
Dispositivos MOS; estos entregables reflejan los resultados que el cliente recibir al
finalizar el proyecto.

22
PMI; Gua de los Fundamentos para la Direccin de proyectos (Gua del PMBOK); Project
Management Institute, Inc., seccin 4.3.3.
y Dispositivos MOS

44
Entregables
Documentacin
Aplicacin de software
Instalacin

Tabla 1.1 Entregables del proyecto Automatizacin por Computadora de Tcnicas de Caracterizacin
Elctrica de Pelculas Semiconductoras y Dispositivos MOS

Cada entregable del proyecto se encuentra desglosado de forma general, en el
diagrama (ver figura 1.1) de estructura de desglose del trabajo (EDT). En ste se
presenta una descomposicin jerrquica, orientada al producto entregable del trabajo
que ser ejecutado por el equipo del proyecto, para lograr los objetivos del mismo y
crear los entregables requeridos. En cada nivel descendente de la EDT se representa
una definicin cada vez ms detallada del trabajo del proyecto. En resumen la EDT
organiza y define el alcance total del proyecto y representa el trabajo especificado en la
declaracin del alcance del proyecto.
23

Figura 1.1 EDT del proyecto Automatizacin por Computadora de Tcnicas de Caracterizacin
Elctrica de Pelculas Semiconductoras y Dispositivos MOS

23
PMI; Gua de los Fundamentos para la Direccin de proyectos (Gua del PMBOK); Project
Management Institute, Inc., seccin 5.3.
y Dispositivos MOS

45
1.3 Estndares de calidad aplicables al proyecto

Durante la realizacin de este proyecto se implementarn los estndares de calidad
PMBOK (IEEE Std. 1490-2003) e IEEE Std. 830-1998, que corresponden a la direccin
de proyectos y a la toma de requerimientos de software (ERS) respectivamente. La
implementacin de estos estndares no es totalmente rigurosa, pues ello se basa en el
criterio y experiencia del autor y de sus asesores en este proyecto.

PMBOK es un estndar reconocido internacionalmente (IEEE Std 1490-2003), para la
administracin de proyectos desarrollado por el Project Management Institute (PMI),
que provee los fundamentos de la gestin de proyectos que son aplicables a un amplio
rango de proyectos. El PMBOK es una coleccin de procesos y reas de conocimiento
generalmente aceptadas como las mejores prcticas dentro de la gestin de proyectos,
reconoce 5 grupos de procesos bsicos y 10 reas de conocimiento comunes a casi
todos los proyectos.
24

Los procesos se trasladan e interactan a travs de un proyecto o fase y son descritos
en trminos de:
- Entradas (documentos, planes, diseos, etc.)
- Herramientas y Tcnicas (mecanismos aplicados a las entradas)
- Salidas (documentos, productos, etc.)

Los 5 grupos bsicos de procesos son:
1. Inicio
2. Planificacin
3. Ejecucin
4. Control y Monitoreo
5. Cierre

24
http://www.pmi.org.ve/index.php?option=com_content&view=article&id=78:guia-de-
pmbokr&catid=40:sidenews
y Dispositivos MOS

46
Las diez reas del conocimiento mencionadas en el PMBOK son:
1. Gestin de la Integracin
2. Gestin del Alcance
3. Gestin del Tiempo
4. Gestin de la Calidad
5. Gestin de Costos
6. Gestin del Riesgo
7. Gestin de Recursos Humanos
8. Gestin de la Comunicacin
9. Gestin de las Adquisiciones
10. Gestin de los Interesados

IEEE Std 830-1998 es un estndar creado por la IEEE, que describe los criterios
recomendados para la ERS. Se basa en un modelo, en el cual el resultado del proceso
de especificacin de requisitos de software es un documento de especificaciones
completo y sin ambigedades. Se espera que la aplicacin de este estndar ayude a:
25

a) Los clientes de software para describir con precisin lo que desean obtener.
b) Los proveedores de software para entender exactamente lo que quiere el cliente.
c) Las personas involucradas en el desarrollo de software, para lograr los siguientes
objetivos:
- Desarrollar un estndar para la ERS, adaptado a sus propias organizaciones.
- Definir el formato y el contenido de sus especificaciones de requisitos de
software.
- Desarrollar elementos adicionales de apoyo, como una lista de control de
calidad ERS, o un manual de ERS.

Para los clientes, proveedores y otras personas, un buen ERS debe proporcionar varios
beneficios especficos, tales como:

25
Life Cycle Data Harmonization Working Group of the Software Engineering Standards Committee of the
IEEE Computer Society; IEEE Recommended Practice for Software Requirements Specifications; The
Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc., apartado iii.
y Dispositivos MOS

47
- Establecer las bases para el acuerdo entre los clientes y los proveedores, sobre
lo que el producto de software debe hacer.
- Reducir el esfuerzo de desarrollo.
- Proporcionar una base para estimar los costos y horarios.
- Proporcionar una base de referencia para la validacin y verificacin.
- Facilitar la transferencia entre usuarios o equipos (hardware).
- Sirve como base para la mejora del producto de software.

La planeacin de este proyecto est fundamentada en la seccin 3 de la Gua del
PMBOK (IEEE Std 1490-2003) Las reas de Conocimiento de la Direccin de
Proyectos, captulos 4 al 12. La aplicacin de este estndar no es rigurosa pero se
apega a los puntos aplicables a este proyecto, que son todos los abordados en el
captulo 1 de este trabajo.

La especificacin de requerimientos de software de este proyecto se fundamenta en el
estndar IEEE Std 830-1998, el cual se ha tomado como una gua de referencia, para el
desarrollo del captulo 2 de este trabajo. Este estndar ser la base fundamental del
desarrollo del proyecto, pues mediante su aplicacin se estructurara de manera
ordenada y concisa las funcionalidades especficas de la aplicacin de software.

1.4 Elementos claves para su planeacin, monitoreo y control

Para alcanzar los resultados deseados y lograr la satisfaccin del cliente, es necesario
vigilar el correcto desarrollo de las actividades y tareas establecidas, as como el
seguimiento y control de los recursos humanos y materiales que se disponen para el
desarrollo de este proyecto.

Es por ello que es necesario establecer un control de las actividades del proyecto,
mediante el uso de los diagramas de Gantt y de ruta crtica, y de los recursos
necesarios para llevar a cabo su ejecucin, a travs de la verificacin de la disposicin
de los recursos materiales. Tambin es necesario evaluar todos los componentes
y Dispositivos MOS

48
necesarios para que el proyecto se desarrolle adecuadamente y no se desve del
cumplimiento de los objetivos planteados inicialmente; para ello se har uso del anlisis
de riesgos y del plan de respuesta ante problemas eventuales. Como consecuencia de
este control y evaluacin, ser posible conocer en todo momento qu problemas se
producen a fin de resolverlos o mitigarlos de manera inmediata.

Se requiere adems de una adecuada planificacin para que las tareas y metas se
desarrollen en tiempo y forma. Es por ello que se ha estableciendo como forma de
control, la realizacin de juntas informativas semanales, en las cuales se discutir el
avance del proyecto, la medicin de los resultados reales contra lo planeado, y se
revisar el comportamiento de los indicadores de desempeo; permitiendo con ello
definir la situacin actual del proyecto, y por consiguiente, establecer planes de accin a
corto plazo.

Estos factores de planeacin, monitoreo y control quedarn plasmados en la bitcora
del proyecto, la cual se discutir y llenar cada semana, con el objetivo de mantener al
cliente informado sobre los por menores de ste.

1.5 Diagrama de Gantt

El diagrama de Gantt es una importante herramienta de gestin, proporciona un
calendario grfico para la planificacin y control del trabajo, y el registro de los
progresos hacia las diferentes etapas de un proyecto. Es a su vez un auxiliar para la
representacin de la estructura de desglose de trabajo (EDT), mostrndola de tal
manera que pueda ser comprendida por un amplio pblico.
26

26
http://www.ingenieria.unam.mx/industriales/historia/carrera_historia_gantt.html
y Dispositivos MOS

49
En la figura 1.2 se muestra el diagrama de Gantt de las actividades que conforman el
proyecto Automatizacin por Computadora de Tcnicas de Caracterizacin Elctrica de
Pelculas Semiconductoras y Dispositivos MOS.

Figura 1.2 Diagrama de Gantt del proyecto Automatizacin por Computadora de Tcnicas de
Caracterizacin Elctrica de Pelculas Semiconductoras y Dispositivos MOS
y Dispositivos MOS

50
1.6 Diagrama de ruta crtica

El mtodo de ruta crtica es un proceso administrativo (planeacin, organizacin,
direccin y control) de todas y cada una de las actividades del proyecto, que deben
desarrollarse durante un tiempo crtico.

En la figura 1.3 se muestra el diagrama de ruta crtica de las actividades que conforman
el proyecto Automatizacin por Computadora de Tcnicas de Caracterizacin Elctrica
de Pelculas Semiconductoras y Dispositivos MOS; en ste se puede observar que
todas las actividades tienen una prioridad de ejecucin critica, por lo que el retraso en
una de ellas ocasionara una demora significativa en la entrega del producto final.

Figura 1.3 Diagrama de ruta crtica del proyecto Automatizacin por Computadora de Tcnicas de
y Dispositivos MOS

51
1.7 Informe del presupuesto y evaluacin de alternativas de inversin

El Centro Universitario UAEM Ecatepec cuenta dentro de sus instalaciones con un
laboratorio de mediciones, en el cual se realizar el desarrollo, pruebas e
implementacin del proyecto Automatizacin por Computadora de Tcnicas de
Caracterizacin Elctrica de Pelculas Semiconductoras y Dispositivos MOS. Este
laboratorio cuenta con diversos dispositivos de medicin, as como equipos de cmputo
con software especializado en la adquisicin de datos experimentales y la simulacin de
fenmenos elctricos de diversa ndole. Es por lo anterior que este proyecto no requiere
de la formulacin de un presupuesto para adquisicin de dispositivos o equipamiento de
hardware o software u otro tipo de materiales extra, que sean necesarios para el
desarrollo del mismo. Sin embargo, se realiz un presupuesto derivado del estudio de
costos en equipamiento y software, que se requerira si la implementacin de este
proyecto se realizara fuera de las instalaciones del Centro universitario UAEM
Ecatepec.

En la tabla 1.2 se muestra el presupuesto de los recursos materiales necesarios para la
implementacin del proyecto (los costos estn dados en pesos mexicanos, son
aproximados y pueden variar sin previo aviso segn el proveedor de cada artculo y el
tipo de cambio vigente del dlar).

Recurso material Herramienta Costo
1 PC de escritorio
Dell Optiplex Gx520 Pentium 4 con 512 GB
de RAM (SO Windows XP precargado)
$2,000.00
1 Interfaz GPIB GPIB PCI-488 $2,450.00
3 Cables GPIB GPIB cable modelo 7007-2 $4,809.00
y Dispositivos MOS

52
3 Fuentes Keithley Keithley series 2400 SourceMeter $160,532.00
1 Estacin de pruebas Signatone H-100 Series Probe Station $353,650.00
1 Equipo de pruebas de
resistividad por cuatro
puntas
Lucas Labs S-302-4 $13,104.00
1 Cabeza de prueba de
cuatro puntas
SP4-40085TBS Signatone $2,907.00
1 Juego de cables con
caimanes
Juego de cables con caimanes de 2,7 cm,
3 Amperes (Marca STEREN)
$29.00
1 Regulador de voltaje
Regulador para aparatos electrnicos, uso
continuo y supresor de picos integrado
1500 VA (Marca Koblenz)
$600.00
Software para
adquisicin y
procesamiento de datos
MATLAB R2013b, uso acadmico, licencia
individual
$1,280.00
Total materiales $541,361.00

Tabla 1.2 Presupuesto de recursos materiales necesarios para la implementacin externa del proyecto
Automatizacin por Computadora de Tcnicas de Caracterizacin Elctrica de Pelculas
Semiconductoras y Dispositivos MOS

Para este proyecto no se pueden considerar alternativas de inversin, pues todos los
materiales y equipamiento necesarios para su desarrollo son irremplazables, debido a
y Dispositivos MOS

53
que su funcionalidad especfica est ligada directamente a cada uno de los dispositivos
presupuestados en la tabla 1.2.

1.8 Perfiles de los participantes

Los perfiles de los participantes son una herramienta para identificar las funciones
esenciales y la responsabilidad de cada uno de ellos. Al mismo tiempo, permiten la
integracin del recurso humano al proyecto, asegurando que los propsitos y objetivos
del mismo tengan mayor posibilidad de ser cumplidos. La definicin de estos perfiles se
basa en conocer los requisitos personales exigidos para un cumplimiento satisfactorio
de las tareas.
27

En la figura 1.4 se muestra el organigrama correspondiente al equipo de trabajo,
constituido para el desarrollo del proyecto denominado Automatizacin por
Dispositivos MOS.

Figura 1.4 Organigrama del equipo de trabajo

En la tabla 1.3 se observa de forma detallada el perfil deseable y las funciones, de cada
uno de los roles planteados en el organigrama de la figura 1.4.

27
http://www.armstrong.com.mx/consultoria-organizacional/definicion-de-perfiles-de-puesto.php
y Dispositivos MOS

54
Rol Perfil Funciones
Lder de proyecto
Conocimientos sobre:
Administracin de
proyectos.
- Manejo de
personal.
- Control de calidad.
Se encarga de administrar los
recursos que son destinados al
proyecto, adems de designar
actividades y supervisar el
desarrollo del proyecto.
Administrar:
- Tiempo de desarrollo del
proyecto.
- Presupuesto y recursos
destinados al desarrollo del
proyecto.
- Anlisis y solucin de
riesgos.
Analista
Conocimiento sobre:
- Paradigmas de
programacin.
- Modelado de datos.
- Tcnicas de
recoleccin de
datos.
- Ingeniera de
software
Trabajar en conjunto con el
cliente, para realizar el anlisis y
recopilacin de informacin sobre
las especificaciones de la
aplicacin.
Se encargar de:
- Recopilar informacin.
- Determinar los requisitos
funcionales y no funcionales.
- Disear los casos de uso,
as como los diagramas
UML necesarios para el
proyecto.
y Dispositivos MOS

55
Diseador
Conocimiento sobre:
- Desarrollo de
aplicaciones de
escritorio.
- Manejo de
MATLAB GUIDE.
- Diseo, estructura y
calidad en el diseo
de software.
Genera un diseo de la aplicacin,
que cumpla con los requerimientos
del cliente. Asimismo definir los
estndares para el proceso de
desarrollo.
Se encargar de:
- Disear la interfaz entre el
usuario y la aplicacin.
- Traducir los requerimientos
del cliente a un diseo
ptimo.
Programador
Conocimientos sobre:
- Lgica de diseo y
desarrollo de
algoritmos.
- Procesamiento de
datos.
- Manejo de
MATLAB.
Generar el cdigo fuente de la
aplicacin, atendiendo los
requerimientos funcionales y no
funcionales.
Se encarga de:
- Desarrollar la aplicacin de
acuerdo a los requerimientos
establecidos.
- Realizar pruebas sobre cada
mdulo codificado.
- Generar la documentacin
tcnica y de usuario.

Tabla 1.3 Perfiles de los participantes para el proyecto Automatizacin por Computadora de Tcnicas de

y Dispositivos MOS

56
1.9 Matriz de responsabilidades

Una matriz de asignacin de responsabilidades se utiliza para ilustrar las relaciones
entre las actividades o los paquetes de trabajo (EDT) y los miembros del equipo del
proyecto. El formato matricial muestra todas las actividades asociadas con una persona
y todas las personas asociadas con una actividad. Esto asegura que haya una sola
persona encargada de rendir cuentas por una tarea determinada con la finalidad de
evitar confusiones.
28

En la tabla 1.4 se muestra la descripcin del rol que el recurso debe jugar para cada
actividad dada, definiendo con esto las tareas especficas que englobaran al actor
involucrado en la matriz de responsabilidades.

Rol Descripcin
R Responsable
Este rol realiza el trabajo y es responsable por su
realizacin. Es quien debe ejecutar las tareas.
A Aprobador
Este rol se encarga de aprobar el trabajo finalizado y a
partir de ese momento, se vuelve responsable por l. Es
quien debe asegurar que se ejecutan las tareas.
C Consultado
Este rol posee alguna informacin o capacidad necesaria
para terminar el trabajo. Se le informa y se le consulta
informacin (comunicacin bidireccional).
I Informado
Este rol debe ser informado sobre el progreso y los
resultados del trabajo. A diferencia del Consultado, la

28
http://articulospm.files.wordpress.com/2012/07/matriz-de-asignacic3b3n-de-responsabilidades1.pdf
y Dispositivos MOS

57
comunicacin es unidireccional.

Tabla 1.4 Descripcin de roles para actividades especificas

En la tabla 1.5 se define la matriz de responsabilidades, listando todos los entregables
del proyecto definidos en la EDT (ver figura 1.1) y los participantes de este.

Entregable
Dr. en C. Rodolfo Zol
Garca Lozano
Andrs de Jess Hernndez
Martnez
Documentacin de
planeacin
A R
Documentacin tcnica C R
Documentacin de
implementacin
I R
Codificacin A R
Empaquetado y
distribucin
I R
Documentacin de
usuario
I R
Verificacin y pruebas A R

Tabla 1.5 Matriz de responsabilidades para el proyecto Automatizacin por Computadora de Tcnicas de
y Dispositivos MOS

58
1.10 Lista de factores clave de desempeo

A continuacin se listan los factores clave de desempeo, utilizados para cuantificar los
objetivos que reflejan el rendimiento del proyecto. Estos indicadores sern utilizados
para asistir o ayudar en cualquier etapa del proyecto y prescribir una lnea de accin
futura si es necesario.

Factores clave de desempeo:
1. Tiempo de ejecucin de cada actividad.
- Determina el tiempo real en que cada una de las actividades marcadas
dentro del plan de trabajo se ha realizado, con respecto al tiempo
estimado que fue definido en el diagrama de Gantt. Esto para establecer
el ndice de productividad por actividad.
2. Porcentaje de cumplimiento de cada actividad.
- Define en trminos de porcentaje el avance actual de cada una de las
actividades marcadas dentro del plan de trabajo, para determinar el
avance real del proyecto.
3. Porcentaje de cumplimiento de metas.
- Mide en trminos de porcentaje el nivel de cumplimiento de las metas
definidas en el proyecto, basndose en indicadores no cuantitativos como
son, las evaluaciones emitidas por el lder de proyecto y los integrantes
del mismo con respecto al alcance de las metas, y en las actividades
realizadas en una etapa especifica del desarrollo del proyecto.
4. Tiempo muerto.
- Establece el tiempo en el cual se realizaron tareas no concernientes a las
actividades planificadas para el proyecto.
5. Costos adicionales.
- Muestra los gatos adicionales por adquisicin de algn recurso material o
servicio, que fue necesario para el desarrollo del proyecto y que no se
contempl durante la etapa de planificacin.
6. Tasa de incidentes que afectan el desarrollo del proyecto
y Dispositivos MOS

59
- Define el nivel de incidencias por errores o problemas, que se presentaron
durante alguna de las etapas o actividades especficas del desarrollo del
proyecto y que afectaron el desempeo en el mismo.
7. Porcentaje de satisfaccin al cliente
- Mide el nivel de satisfaccin, con base en el cumplimiento y calidad
percibido por el cliente, a travs de revisiones peridicas de los avances
del proyecto.

1.11 Informacin clave para cada actor involucrado

Cada uno de los actores involucrados en el desarrollo del proyecto, debe conocer sus
responsabilidades y limitantes de acuerdo al rol que desempea. Es por ello que a
continuacin se muestra de manera resumida la informacin clave cada uno de estos
actores involucrados.

Actores involucrados en el desarrollo del proyecto:
- Lder de Proyecto:
o Establece la jornada y polticas de trabajo.
o Verifica la disposicin del equipo de cmputo y dispositivos de
medicin, necesarios para el desarrollo ptimo del proyecto, as
como su correcto funcionamiento.
o Supervisa el avance diario de las actividades que componen el
proyecto.
o Brinda asesora tcnica para el desarrollo de la aplicacin de
software.
o Evala el cumplimiento de las metas definidas al inicio del proyecto.
o Verifica el correcto funcionamiento de cada uno de los mdulos que
componen la aplicacin de software.
o Establece metas y alcances a corto plazo enfocadas a aumentar la
productividad y desempeo del equipo de trabajo.
- Analista:
y Dispositivos MOS

60
o Define la metodologa para solventar la problemtica que pretende
resolver el proyecto.
o Realiza la toma de requerimientos de software y los traduce a un
lenguaje tcnico especializado, para que estos sean convertidos en
funcionalidades dentro de la aplicacin de software.
o Realiza revisiones peridicas del alcance del proyecto contra los
avances reales del mismo, para identificar posibles desviaciones de
este con respeto a lo establecido en el alcance.
o Crea la documentacin y diagramas (UML) necesarios para el
desarrollo de la aplicacin de software.
- Diseador:
o Traduce la informacin generada durante el anlisis, en un diseo
de interfaz de usuario para la aplicacin de software.
o Genera la documentacin tcnica (diagramas UML) que
fundamentar la codificacin de la aplicacin de software.
o Establece los criterio de usabilidad de la aplicacin de software
- Programador:
o Transforma en algoritmos las especificaciones de diseo.
o Codifica los algoritmos generados en un lenguaje de programacin
especfico.
o Depura el cdigo generado, para identificar errores o problemas
que afecten el desempeo en la aplicacin de software.
o Realiza pruebas sobre la aplicacin de software para asegurar su
funcionalidad e integridad.
o Genera la documentacin de usuario, el empaquetado y distribucin
de la aplicacin de software.

1.12 Mtodos de comunicacin, justificacin y formato

Como mtodo de comunicacin se ha elegido la ejecucin peridica de juntas
informativas, las cuales tienen como fin mostrar al cliente y a los miembros del equipo
y Dispositivos MOS

61
de trabajo, los avances del proyecto y evidenciar de manera puntual el desempeo
durante la ejecucin de cada tarea relacionada con el desarrollo del mismo. La
celebracin de estas juntas definir las estrategias a seguir y expondr los
contratiempos y necesidades que se presenten, durante las diferentes etapas de
proyecto, basndose en la informacin expuesta y tomando como marco de referencia
los objetivos y metas trazados, sin dejar de lado el cumplimiento del planteamiento del
alcance del proyecto.

Estas juntas sern celebradas dentro de las instalaciones del Centro Universitario
UAEM Ecatepec, en el cubculo del Dr. en C. Rodolfo Zol Garca Lozano, de manera
regular todos los das Lunes, desde el inicio del proyecto hasta la finalizacin del
mismo, en un horario variable entre las 9:30 a.m. y las 2:00 p.m., con una duracin
aproximada de 30 minutos a 1 hora. Requirindose un pintarrn para exponer las
tcnicas y metodologas a seguir, papelera (libreta u hojas y lpiz o bolgrafo) para
bosquejar ideas clave y un equipo de cmputo donde se asentaran en un archivo
electrnico de texto sin formato especfico, los puntos que se consideren crticos para el
desarrollo y seguimiento del proyecto.

1.13 Posibles problemas que se pueden presentar en el proyecto y el
impacto que tendr en ste

Debido a la naturaleza de este proyecto es posible que surjan problemas que afecten el
desarrollo del mismo, es por ello que continuacin se presenta un anlisis de estos
posibles problemas y su impacto en el proyecto (ver tabla 1.6).

Problema Impacto Mitigacin
Falta de disponibilidad del
equipo y dispositivos
destinados a la medicin
Retraso en la
codificacin, depuracin
y pruebas de los mdulos
Uso del equipo de cmputo
alternativo, para continuar
con la codificacin,
y Dispositivos MOS

62
de caractersticas
elctricas.
que componen la
aplicacin de software.
posponiendo la depuracin y
pruebas hasta que los
dispositivos de medicin se
encuentren disponibles.
Cortes en el suministro
de energa elctrica.
Retraso general en el
desarrollo del proyecto.
Uso del equipo de cmputo
porttil para continuar con el
desarrollo del proyecto,
omitiendo los aspectos que
requieran del equipo y
dispositivos de medicin,
alimentados por el suministro
elctrico.
Cambio de
requerimientos de
software.
Modificacin del anlisis
de requerimientos y por
consiguiente del diseo y
codificacin de la
Impacto severo en el
tiempo de desarrollo del
proyecto, retrasando la
ejecucin de actividades
segn el cronograma de
trabajo.
Adaptarse rpidamente a los
cambios de requerimientos,
utilizando un diseo modular
de la aplicacin.

Tabla 1.6 Problemas que se pueden presentar durante el desarrollo del proyecto

y Dispositivos MOS

63
1.14 Anlisis cualitativo y cuantitativo de los riesgos

El anlisis de riesgos es una herramienta, auxiliar en la toma decisiones, que ayuda a
establecer el curso de accin y el manejo de riesgos en forma objetiva, repetible y
documentada. En el anlisis de riesgos existen dos aproximaciones:
- Cuantitativa: intenta establecer valores numricos para los costos de daos y
controles de seguridad.
- Cualitativa: establece un rango de valores cualitativos para determinar los costos
de daos y controles de seguridad.

El anlisis cuantitativo de riesgos analiza el efecto de dichos riesgos y les asigna una
calificacin numrica para saber cul de todas las actividades presenta un riesgo mayor
para el proceso.

El anlisis cualitativo es un proceso que evala la prioridad de los riesgos identificados,
es normalmente una forma rpida de establecer prioridades para la planificacin de la
respuesta a los riesgos.
29

En este apartado se muestra el anlisis de riesgos del proyecto, su impacto, la
probabilidad de incidencia y el costo en caso de suscitarse. En la tabla 1.7 se establece
el nivel de impacto del riesgo y en la tabla 1.8 se define la clasificacin por probabilidad
de incidencia.

Nivel Tipo Descripcin
1 Insignificante Baja prdida financiera

29
Pealoza Gallardo, Adrin; Anlisis Cuantitativo y Cualitativo de Riesgos; Universidad Politcnica
Salesiana.
y Dispositivos MOS

64
2 Menor Prdida financiera media
3 Moderado Prdida financiera alta
4 Mayor Prdida financiera mayor
5 Catastrfico Enorme prdida financiera

Tabla 1.7 Clasificacin de riegos por nivel de impacto

Clasificacin Tipo Descripcin
A Casi certeza
Se espera que ocurra en la mayora de los
casos.
B Probable
Probablemente ocurrir en la mayora de las
circunstancias.
C Posible Podra ocurrir en algn momento.
D Improbable Pudo ocurrir en algn momento.
E Raro
Puede ocurrir en circunstancias
excepcionales.

Tabla 1.8 Clasificacin de riegos por probabilidad de incidencia

En la tabla 1.9 se muestra el anlisis cualitativo y cuantitativo de los riesgos para este
proyecto.

y Dispositivos MOS

65
Riesgo Nivel Clasificacin Prevencin Costo Correccin Costo
Riesgos materiales
Error de
hardware de
PC
4 C
Contar con equipo
adicional
No aplica
Adquirir un equipo
de cmputo
Desktop
$3,000.00
(si no se
cuenta con un
equipo
adicional)
* Error de
hardware en
dispositivos de
medicin
5 E
Contar con equipo
adicional
Dependiente
del
presupuesto
asignado por
el Centro
Universitario
UAEM
Ecatepec
Apoyo de soporte
tcnico
especializado

Dependiente
del
presupuesto
asignado por
el Centro
Universitario
UAEM
Ecatepec

Riesgos tcnicos
Sin conexin a
Internet
2 C
Contar con una
tarjeta de red
adecuada y
correctamente
configurada en
el(los) equipo(s)
$150.00
(por
configuraci
n y pruebas)
Conectividad y
acceso a Internet,
haciendo uso de
una tarjeta de red
adicional
$250.00
(Costo de
tarjeta de red
PCI)
y Dispositivos MOS

66
Sistema
operativo
anfitrin
daado o
inestable
1 B
Sistema operativo
anfitrin probado
con anticipacin
$200.00 (por
pruebas de
estabilidad y
correccin
de errores )
Montar imagen del
SO
$80.00
Virus en
equipo de
cmputo
2 B
Instalar un
antivirus (gratuito)
$50.00 (por
instalacin)
Desinfeccin del
equipo y reparar
dao
$400.00
* No cubrir el
alcance del
proyecto
5 E
Disear un
cronograma de
actividades
adecuado al
proyecto,
atenderlo en
tiempo y forma,
respetar la toma
de requerimientos
y realizar un
anlisis efectivo
de estos
No aplica
No aplica
(El proyecto no
cuenta con tiempo
adicional, para
solventar este
riesgo)
No aplica
Diseo
inadecuado
No aplica C
Seguir los
patrones de
diseo aprobados
y atender la lista
de requerimientos
No aplica
Redisear la
interfaz y
reprogramar la
interfaz del proyecto
No aplica
Dao de
cdigo fuente
de la
aplicacin
No aplica C
Codificar la
aplicacin,
utilizando un
esquema de
diseo modular
No aplica
Reescribir las
rutinas de cdigo
daadas
No aplica
* Pedida total o
parcial del
cdigo fuente
de la
No aplica E
Utilizar un sistema
de control de
versiones o
realizar bakcups
No aplica
Reescribir la
seccin de cdigo
perdida
No aplica
y Dispositivos MOS

67
aplicacin regularmente del
cdigo fuente
Total de costos por prevencin de riesgos $400.00
Total de costos por correccin de riesgos $3,730.00
* Estos riesgos son potencialmente catastrficos y podran generar el cierre prematuro del proyecto.

Tabla 1.9 Anlisis cualitativo y cuantitativo de los riesgos para el proyecto Automatizacin por
Computadora de Tcnicas de Caracterizacin Elctrica de Pelculas Semiconductoras y Dispositivos
MOS

1.15 Plan de respuesta a incidentes

A continuacin se define el plan de respuesta a incidentes, estableciendo las pautas de
lo que se debe hacer en caso de presentarse alguno. Este plan ayudar a minimizar los
daos, evaluar el incidente, saber qu hacer cuando se presente el incidente y como
responder al incidente.

Objetivos de la respuesta a incidentes:
- Identificar el incidente que se ha producido.
- Mitigar el impacto del incidente.
- Prevenir futuros incidentes.
- Mantener informados de la gestin de la situacin, a los actores involucrados en
el proyecto.

Definicin del incidente

Un problema en este proyecto puede causar ciertos tipos de incidentes tales como:
1. Retraso en la ejecucin de actividades administrativas del proyecto.
y Dispositivos MOS

68
2. Retraso en la codificacin, depuracin y pruebas de los mdulos que componen
la aplicacin de software.
3. Cierre prematuro del proyecto.

Planificacin de incidentes

En caso de presentarse uno o varios incidentes en alguna etapa del proyecto se
proceder de la siguiente manera:
1. Identificar el incidente y la respuesta a ste, con ayuda de las tablas 1.6 y 1.9.
2. Establecer las medidas a tomar durante el incidente (ver tabla 1.9).
3. Establecer la comunicacin entre el cliente y los responsables del proyecto para
informar sobre el incidente.
4. Asentar en la bitcora del proyecto toda la informacin relacionada con el
incidente.
y Dispositivos MOS

69
CAPTULO 2 DOCUMENTACIN TCNICA
2.1 Anlisis y especificacin de requerimientos
2.1.1 Especificacin de requerimientos

El propsito de la especificacin de requerimientos es reunir los requisitos (condicin o
capacidad que necesita el usuario para resolver un problema o conseguir un objetivo
determinado) de toda la aplicacin de software o parte de sta. Esto con la finalidad de
identificar qu es la aplicacin y cul es su alcance. A continuacin se definen las
funciones que debe realizar la aplicacin, agrupadas de forma modular:

- Mdulo Medicin de la resistividad por el mtodo de cuatro puntas simple
o Programar dispositivos de medicin (fuentes Keithley series 2400
SourceMeter).
o Ejecutar medicin de resistividad por el mtodo de cuatro puntas (con o
sin temperatura).
o Visualizar resultado de la medicin.
- Mdulo Medicin de la resistividad por el mtodo de cuatro puntas en funcin
del tiempo de polarizacin
SourceMeter).
o Ejecutar mediciones de resistividad por el mtodo de cuatro puntas en
funcin del tiempo de polarizacin (con o sin temperatura).
o Visualizar resultados de las mediciones en tiempo real.
o Almacenar resultados de las mediciones.
- Mdulo Medicin del efecto del estrs elctrico en transistores MOSFET
SourceMeter).
o Ejecutar mediciones del efecto del estrs elctrico en transistores
MOSFET.
y Dispositivos MOS

70
- Mdulo Medicin del efecto del estrs elctrico en inversores MOSFET
SourceMeter).
o Ejecutar mediciones del efecto del estrs elctrico en inversores MOSFET.

2.1.2 Reglas del negocio

Las reglas del negocio describen las caractersticas del dominio en el que se encuadra
la organizacin como son; las polticas, normas, operaciones, definiciones y
restricciones que son de vital importancia para alcanzar los objetivos misionales. En el
mbito del desarrollo de software pueden ser requisitos funcionales, restringir los
existentes o definir clculos particulares. Si las reglas del negocio no se satisfacen, el
sistema o aplicacin de software puede no trabajar de forma satisfactoria.

Para el desarrollo de los mdulos Medicin de la resistividad por el mtodo de cuatro
puntas simple y Medicin de la resistividad por el mtodo de cuatro puntas en funcin
del tiempo de polarizacin, se establece como regla de negocio, la metodologa del
clculo de la medicin de la resistividad por el mtodo de cuatro puntas.

a) Medicin de la resistividad por el mtodo de cuatro puntas.

El mtodo de medicin de resistividad por cuatro puntas, consiste en colocar cuatro
electrodos colinales sobre la muestra (pelcula delgada, ver figura 2.1). Por los
electrodos laterales se hace circula una corriente constante I y en los electrodos
internos se medir un voltaje V. Los errores debidos a contactos elctricos se evitan
debido a que la corriente y el voltaje circulan por electrodos separados. La resistividad
se calcula a partir de la densidad de corriente y el voltaje medido. Considerando que las
lneas de corriente son radiales entonces la densidad de corriente y el voltaje medido
estn dados por:
y Dispositivos MOS

71
^
^
'
'
2 2
ir ir
J
r r to to
=
2
s
s
V Jdr =
}
(1)
2
1 1
2 3
s
s
i
V dr
r s r
to
| |
= +
|
\ .
}
(2)
Resolviendo la ecuacin 2 y despejando la resistividad se obtiene la expresin para la
resistividad:
30

( )
4.5324
2
d
V V
d
I ln I
t
- | |
| | | |
= - = - -
| | |
\ . \ .
\ .
(3)
Donde es la resistividad, d es el grosor de la pelcula, V es el voltaje medido e I es la
corriente aplicada.

Figura 2.1 Diagrama de medicin de resistividad por el mtodo de cuatro puntas de una pelcula delgada

2.1.3 Requisitos de informacin

Los requisitos de informacin son formas especializadas de requisitos, en los que se
especifica la informacin que deber entregar la aplicacin de software, como
consecuencia de los procesos efectuados en sta, de tal manera que dicha informacin
refleje los resultados esperados por el usuario. Para este proyecto, la definicin esta

30
Corona Corts, Miguel ngel y Cruz Domnguez, Jos Pablo; Automatizacin de un medidor de
resistividad por la tcnica de 4 puntas en funcin de la temperatura; Universidad Autnoma del Estado
de Hidalgo, pg. 15-16.
y Dispositivos MOS

72
enfoca al almacenamiento y visualizacin de la informacin, derivada del proceso de
caracterizacin de dispositivos (transistores e inversores) MOS y de la medicin de
resistividad de pelculas delgadas por el mtodo de cuatro puntas.

A continuacin, se definen los requisitos de informacin para la aplicacin de software
del proyecto Automatizacin por Computadora de Tcnicas de Caracterizacin
Elctrica de Pelculas Semiconductoras y Dispositivos MOS:

Identificador: RI-1
Ttulo: Informacin de medicin de resistividad simple sin temperatura (valores
positivos)
Descripcin:lLa aplicacin deber mostrar el resultado de la medicin de resistividad
por el mtodo de cuatro puntas simple sin temperatura, para valores positivos.
Importancia: Prioritario
Datos especficos:
- Voltaje de fuente1
- Corriente de fuente1
- Resistividad

Tabla 2.1 Requisito de informacin RI-1

Identificador: RI-2
y Dispositivos MOS

73
negativos)
Descripcin: la aplicacin deber mostrar el resultado de la medicin de resistividad
por el mtodo de cuatro puntas simple sin temperatura, para valores negativos.
Datos especficos:
- Resistividad


Identificador: RI-3
promedio)
por el mtodo de cuatro puntas simple sin temperatura, para valores promediados.
Datos especficos:
- Voltaje promedio de fuente1
- Corriente promedio de fuente1
- Voltaje promedio de fuente2
y Dispositivos MOS

74
- Resistividad promedio


Identificador: RI-4
Ttulo: Informacin de medicin de resistividad simple con temperatura (valores
positivos)
por el mtodo de cuatro puntas simple con temperatura, para valores positivos.
Datos especficos:
- RI-1
- Temperatura


Identificador: RI-5
negativos)
por el mtodo de cuatro puntas simple con temperatura, para valores negativos.
y Dispositivos MOS

75
Datos especficos:
- RI-2
- Temperatura


Identificador: RI-6
promedio)
por el mtodo de cuatro puntas simple con temperatura, para valores promediados.
Datos especficos:
- RI-3
- Temperatura promedio


Identificador: RI-7
Ttulo: Informacin de mediciones de resistividad en funcin del tiempo de
polarizacin sin temperatura
Descripcin: la aplicacin deber almacenar el resultado de las mediciones de
resistividad por el mtodo de cuatro puntas, en funcin del tiempo de polarizacin sin
y Dispositivos MOS

76
temperatura.
Datos especficos:
- No. de medicin
- Resistividad
- Intervalo
- Pausa real
- Compliance


Identificador: RI-8
Ttulo: Informacin de mediciones de resistividad en funcin del tiempo de
polarizacin con temperatura
Descripcin: la aplicacin deber almacenar el resultado de las mediciones de
resistividad por el mtodo de cuatro puntas, en funcin del tiempo de polarizacin con
temperatura.
Datos especficos:
- RI-7
y Dispositivos MOS

77
- Temperatura


Identificador: RI-9
Ttulo: Informacin de mediciones del efecto del estrs elctrico en transistores
MOSFET.
Descripcin: la aplicacin deber almacenar el resultado de las mediciones del efecto
del estrs elctrico en transistores MOSFET.
Datos especficos:
- No. de medicin
- Voltaje de Gate
- Corriente de Gate
- Voltaje de Drain
- Corriente de Drain
- Voltaje de Source
- Corriente de Source
- Intervalo
- Pausa real
- Compliance


y Dispositivos MOS

78
Identificador: RI-10
Ttulo: Informacin de mediciones del efecto del estrs elctrico en inversores
MOSFET.
Descripcin: la aplicacin deber almacenar el resultado de las mediciones del efecto
del estrs elctrico en inversores MOSFET.
Datos especficos:
- No. de medicin
- Voltaje IN
- Corriente IN
- Voltaje DD
- Corriente DD
- Voltaje OUT
- Corriente OUT
- Intervalo
- Pausa real
- Compliance


2.1.4 Restricciones de la aplicacin

La aplicacin de software se desarrollar utilizando el lenguaje de programacin
MATLAB. La codificacin de los scripts de medicin se realizar en el entorno integrado
de MATLAB, y el diseo de la interfaz de usuario se crear utilizando GUIDE (Entorno
de Desarrollo de Interface Grfica de Usuario, propio de MATLAB).
y Dispositivos MOS

79
El desarrollo de la aplicacin estar enfocado al entorno de escritorio, y se comunicar
con los dispositivos de medicin externos; fuentes Keithley series 2400. Su
funcionalidad total estar restringida slo a este modelo de dispositivo de medicin y a
su calibracin actual. Adems slo podr ser funcional en el sistema operativo Windows
XP SP3 (salvo excepciones de configuracin de compatibilidad en sistemas operativos
Windows posteriores, las cuales quedan fuera del alcance de este proyecto).

El dominio de la aplicacin queda limitado a mediciones, de resistividad en pelculas
delgadas y del efecto del estrs elctrico en dispositivos MOS (transistores e
inversores). Debido a la naturaleza de la aplicacin. sta podr ser utilizada solo por
usuarios con conocimientos de electrnica (semiconductores, semiconductores
orgnicos, dispositivos MOS y TFTs) y metrologa electrnica.

La aplicacin tambin tendr las siguientes restricciones especficas:
- Nmero mximo de dispositivos de medicin (fuente Keithley series 2400)
soportados: 3
- Nmero mnimo de dispositivos de medicin (fuente Keithley series 2400)
soportados: 2
- Nmero mximo de ejecuciones simultneas de la aplicacin: 1
- Voltaje de configuracin mximo: 210 V
- Voltaje de configuracin mnimo: 510
-6
V
- Corriente de configuracin mxima: 1 A
- Corriente de configuracin mnima: 5010
-12
A
- Rango de corriente: 110
-6
A a 1 A
- Rango de voltaje: 20010
-3
V a 200 V
- Proteccin de voltaje: 20010
-3
V a 200 V
- Proteccin de corriente: 1.0510
-6
A a 1.05 A

y Dispositivos MOS

80
2.1.5 Requisitos funcionales

Los requisitos funcionales son la definicin de los servicios que la aplicacin de
software debe proporcionar, cmo debe reaccionar a una entrada particular y cmo se
debe comportar ante situaciones particulares. Describen lo que la aplicacin debe
hacer.

A continuacin se detallan los requisitos funcionales de la aplicacin:

Identificador: RF-1
Ttulo: Ejecutar medicin de resistividad simple
Descripcin: la aplicacin permitir ejecutar mediciones de resistividad, por el mtodo
de cuatro puntas simple, con o sin temperatura, en pelculas delgadas.
Entradas:
- Nivel de corriente (fuente de corriente y fuente de voltaje)
- Rango de corriente o modo automtico (fuente de corriente y fuente de voltaje)
- Rango de voltaje o modo automtico (fuente de corriente y fuente de voltaje)
- Nivel de proteccin de voltaje (fuente de corriente y fuente de voltaje)
- Direccin (fuente de corriente y fuente de voltaje)
- Espesor de la capa
- Direccin del sensor de temperatura
- Opcin de temperatura
Proceso:
y Dispositivos MOS

81
1. Programar los dispositivos de medicin (fuentes Keithley series 2400
SourceMeter) segn los parmetros de entrada.
2. Efectuar la medicin.
3. Obtener los resultados de la medicin.
4. Calcular el valor de la resistividad.
Salidas:
- Visualizacin de los resultados de la medicin y del clculo de la resistividad.
Requerimientos de interfaces externos
- Interfaces de usuario:
La interfaz secundaria Medicin de la resistividad por el mtodo de cuatro puntas
simple con o sin temperatura, realizar la peticin al usuario de los parmetros de
medicin y mostrar los resultados de la medicin y del clculo de la resistividad.

Tabla 2.11 Requisito funcional RF-1

Identificador: RF-2
Ttulo: Ejecutar medicin de resistividad en el tiempo
Descripcin: la aplicacin permitir ejecutar mediciones de resistividad, por el mtodo
de cuatro puntas en funcin del tiempo de polarizacin, con o sin temperatura, en
pelculas delgadas.
Entradas:
y Dispositivos MOS

82
- Nivel de corriente (fuente de corriente y fuente de voltaje)
- Rango de corriente o modo automtico (fuente de corriente y fuente de voltaje)
- Rango de voltaje o modo automtico (fuente de corriente y fuente de voltaje)
- Nivel de proteccin de voltaje (fuente de corriente y fuente de voltaje)
- Direccin (fuente de corriente y fuente de voltaje)
- Espesor de la capa
- Nmero de mediciones
- Intervalo de tiempo
- Direccin del sensor de temperatura
- Opcin mensaje de compliance
- Opcin de temperatura
Proceso:
2. Efectuar las mediciones.
3. Obtener los resultados de las mediciones.
4. Calcular el valor de la resistividad para cada medicin.
Salidas:
- Visualizacin de los resultados de las mediciones y del clculo de la resistividad,
en tiempo real.
- Archivo .xls con los resultados de las mediciones y el clculo de la resistividad
para cada medicin efectuada.
- Archivos .fig y .jpg de las grficas de resistividad vs tiempo, corriente vs
tiempo, voltaje vs tiempo y resistividad vs temperatura (slo si la medicin
se realiz con temperatura).
y Dispositivos MOS

83
La interfaz secundaria Medicin de la resistividad por el mtodo de cuatro puntas
en funcin del tiempo de polarizacin con o sin temperatura, realizar la peticin al
usuario de los parmetros de medicin y mostrara los resultados de las mediciones
y el comportamiento de la resistividad en funcin del tiempo y en funcin de la
temperatura (slo si la medicin se realiz con temperatura), de forma grfica en
tiempo real.


Identificador: RF-3
Ttulo: Ejecutar medicin del estrs en transistores
Descripcin: la aplicacin permitir ejecutar mediciones del efecto del estrs elctrico
en transistores MOSFET.
Entradas:
- Nivel de voltaje (fuente gate, fuente drain y fuente source)
- Rango de voltaje o modo automtico (fuente gate, fuente drain y fuente source)
- Rango de corriente o modo automtico (fuente gate, fuente drain y fuente
source)
- Nivel de proteccin de corriente (fuente gate, fuente drain y fuente source)
- Direccin (fuente gate, fuente drain y fuente source)
y Dispositivos MOS

84
Proceso:
Salidas:
- Visualizacin de los resultados de las mediciones en tiempo real.
- Archivo .xls con los resultados de las mediciones.
- Archivos .fig y .jpg de las grficas de corriente en gate vs tiempo y corriente
en drain y source vs tiempo.
La interfaz secundaria Medicin del efecto del estrs elctrico en transistores
MOSFET, realizar la peticin al usuario de los parmetros de medicin y
mostrar los resultados de forma grfica en tiempo real.


Identificador: RF-4
Ttulo: Ejecutar medicin del estrs en inversores
Descripcin: la aplicacin permitir ejecutar mediciones del efecto del estrs elctrico
en inversores MOSFET.
y Dispositivos MOS

85
Entradas:
- Nivel de voltaje (fuente IN y fuente DD)
- Rango de voltaje o modo automtico (fuente IN y fuente DD)
- Rango de corriente o modo automtico (fuente IN y fuente DD)
- Nivel de proteccin de corriente (fuente IN y fuente DD)
- Direccin (fuente IN y fuente DD)
- Nivel de corriente (fuente OUT)
- Rango de corriente o modo automtico (fuente OUT)
- Rango de voltaje o modo automtico (fuente OUT)
- Nivel de proteccin de voltaje (fuente OUT)
- Direccin (fuente OUT)
Proceso:
Salidas:
- Visualizacin de los resultados de las mediciones en tiempo real.
- Archivo .xls con los resultados de las mediciones.
- Archivos .fig y .jpg de las grficas de corriente IN vs tiempo, corriente DD vs
tiempo y voltaje OUT vs tiempo.
y Dispositivos MOS

86
La interfaz secundaria Medicin del efecto del estrs elctrico en inversores
MOSFET, realizar la peticin al usuario de los parmetros de medicin y
mostrar los resultados de forma grfica en tiempo real.


2.1.6 Requisitos no funcionales

Son requisitos que especifican criterios que pueden usarse para juzgar la operacin de
un sistema en lugar de sus comportamientos especficos. Hace referencia a requisitos
que no describen funciones a realizar por el sistema.

A continuacin se enlistan los requisitos no funcionales de la aplicacin:
- Requerimientos de interfaz externa (interfaz de usuario):
o Utilizar alertas visuales para informar de errores.
o Utilizar toolTipText en los campos de entrada de datos y botones.
o Usar mensajes de confirmacin de operaciones.
o Usar botones en la ventana principal para visualizar ventanas secundarias.
o Usar botones para ejecutar acciones u operaciones.
o Utilizar hot keys en submens.
o Utilizar iconos grficos que describan la funcionalidad de los botones.
- Requerimientos de operacin:
o Mostrar mensajes de compliance, segn la programacin del usuario.
o Disponer de ayuda en la interfaz principal de la aplicacin.
o Usar mens en cascada.
o Utilizar una extensin de archivo propia de la aplicacin.
o Asignar identificador personalizado a los archivos generados.
y Dispositivos MOS

87
o Exportar resultados de las mediciones y grficas, a directorios definidos
por el usuario.
o Mostrar indicadores de progreso en operaciones que demoren tiempo.
o Generar scripts de configuracin definidos por el usuario.
o Usar scripts de configuracin definidos por el usuario.
o Permitir pausar, retomar y finalizar las mediciones.
o Permitir limpiar las grficas en tiempo real.
o Mostrar barra de men de control y edicin, de grficas.
o Generar graficas en tiempo real, utilizando los resultados de las
mediciones y de los clculos realizados, segn corresponda.
o Ejecutar mediciones y operaciones crticas, en estilo modal.
- Requerimientos de seguridad:
o Realizar backup de los resultados de las mediciones y de las grficas
generadas.

2.1.7 Diagramas de casos de uso

Un caso de uso representa una interaccin tpica entre el usuario y un sistema
informtico, es un grafo conformado por dos tipos de nodos: actor (representa cualquier
elemento que intercambia informacin con el sistema, por lo que est fuera de l) y
caso de uso (es una secuencia de intercambios en dilogo con el sistema que se
encuentran relacionadas con su comportamiento). Los arcos entre los actores y los
casos de uso se denominan arcos de comunicacin y el rectngulo corresponde a los
lmites del sistema.

El caso de uso comprende los pasos necesarios para alcanzar un objetivo de su actor
principal. Debe proveer una especificacin funcional completa, independiente de la
tecnologa. No describe el procesamiento interno del sistema, slo la interaccin y los
resultados de valor para el usuario.

En la figura 2.2 se muestra el diagrama de casos de uso General, basado en los
requerimientos necesarios para la realizacin de la aplicacin de software.
y Dispositivos MOS

88

Figura 2.2 Diagrama de casos de uso General

2.1.8 Definicin de actores

Los actores llevan a cabo los casos de uso. Generalmente se dividen en:
- Actor primario: es quien tiene la meta que cumple el caso de uso.
- Actor secundario: es quien realiza algo para cumplir esa meta a pedido del caso
de uso.

Los actores pueden ser personas, representadas por roles, o sistemas externos. Se
debe tener en cuenta que un actor puede realizar muchos casos de uso y hereda los
roles que pueden jugar sus ancestros en los casos de uso.

En el diagrama de casos de uso General (ver figura 2.2), se pueden identificar dos
actores. A continuacin se definen estos actores:
- Usuario (actor principal): este actor representa a los usuarios especializados,
encargados de realizar las mediciones.
y Dispositivos MOS

89
- Fuente Keithley series 2400 (actor secundario): este actor representa los
dispositivos electrnicos, necesarios para la realizacin de las mediciones.

2.1.9 Documentacin de los casos de uso

El comportamiento de un caso de uso se puede especificar describiendo un flujo de
eventos de forma textual, lo suficientemente claro para ser comprendido fcilmente.
Este flujo est compuesto por un flujo bsico (comnmente llamado curso normal) y
flujos alternativos (subflujos o excepciones) del comportamiento; adems especifica
cmo y cundo se inicia y termina el caso de uso.

A continuacin se detallan los casos de uso presentes en el diagrama de casos de uso
General.

Nombre del caso de uso: Ejecutar medicin de resistividad simple
Descripcin: ejecutar mediciones de resistividad, por el mtodo de cuatro puntas
simple, con o sin temperatura, en pelculas delgadas.
Actores: Usuario y fuente Keithley series 2400
Precondicin: el usuario debe haber iniciado la aplicacin y las fuentes Keithley
series 2400 deben estar encendidas.
Flujo Normal:
1. El usuario elige en la interfaz principal, la opcin Resistividad simple con o sin
temperatura.
2. La aplicacin despliega la interfaz secundaria Medicin de la resistividad por el
mtodo de cuatro puntas simple con o sin temperatura.
3. La aplicacin solicita al usuario que ingrese los parmetros de configuracin
y Dispositivos MOS

90
para la medicin.
4. El usuario ingresa los datos solicitados.
5. El usuario selecciona la opcin Start.
6. La aplicacin valida los datos de configuracin ingresados.
7. La aplicacin programa y ejecuta la medicin en las fuentes Keithley series
2400.
8. La aplicacin recupera los resultados de la medicin.
9. La aplicacin calcula el valor de la resistividad.
10. La aplicacin enva un mensaje al usuario, donde se muestra el resultado, tanto
de la medicin como del clculo de la resistividad.
Flujo Alterno:
5a. En caso de que no se ingrese algn dato, el sistema enva un mensaje de error
al usuario (regresa al punto 4).
6a. En caso de que algn dato sea invlido, el sistema enva un mensaje de error al
usuario (regresa al punto 4).
7a. En caso de que se genere un error en las fuentes, el sistema enva un mensaje
de error al usuario (regresa al punto 4).
Poscondiciones: las fuentes Keithley series 2400 son reiniciadas a su configuracin
predefinida.

Tabla 2.15 Caso de uso Ejecutar medicin de resistividad simple

Nombre del caso de uso: Ejecutar medicin de resistividad en el tiempo
Descripcin: ejecutar mediciones de resistividad, por el mtodo de cuatro puntas en
funcin del tiempo de polarizacin, con o sin temperatura, en pelculas delgadas.
y Dispositivos MOS

91
Flujo Normal:
1. El usuario elige en la interfaz principal, la opcin Resistividad en funcin del
tiempo de polarizacin (con o sin temperatura).
2. La aplicacin despliega la interfaz secundaria Medicin de la resistividad por el
mtodo de cuatro puntas en funcin del tiempo de polarizacin con o sin
temperatura.
para las mediciones.
7. La aplicacin programa y ejecuta las mediciones en las fuentes Keithley series
2400.
8. La aplicacin recupera los resultados de las mediciones.
9. La aplicacin calcula el valor de la resistividad para cada medicin.
10. La aplicacin muestra al usuario, de forma grfica, el resultado de las
mediciones y el clculo de la resistividad.
11. La aplicacin almacena los resultados de las mediciones, el clculo de la
resistividad y las grficas generadas, en archivos electrnicos.
Flujo Alterno:
y Dispositivos MOS

92
predefinida.

Tabla 2.16 Caso de uso Ejecutar medicin de resistividad en el tiempo

Nombre del caso de uso: Ejecutar medicin del estrs en transistores
Descripcin: ejecutar mediciones del efecto del estrs elctrico en transistores
MOSFET.
Flujo Normal:
1. El usuario elige en la interfaz principal, la opcin Medicin del efecto del estrs
elctrico en transistores MOSFET.
2. La aplicacin despliega la interfaz secundaria Medicin del efecto del estrs
elctrico en transistores MOSFET.
2400.
y Dispositivos MOS

93
mediciones.
10. La aplicacin almacena los resultados de las mediciones y las grficas
generadas, en archivos electrnicos.
Flujo Alterno:
predefinida.

Tabla 2.17 Caso de uso Ejecutar medicin del estrs en transistores

Nombre del caso de uso: Ejecutar medicin del estrs en inversores
Descripcin: ejecutar mediciones del efecto del estrs elctrico en inversores
MOSFET.
y Dispositivos MOS

94
Flujo Normal:
1. El usuario elige en la interfaz principal, la opcin Medicin del efecto del estrs
elctrico en inversores MOSFET.
2. La aplicacin despliega la interfaz secundaria Medicin del efecto del estrs
elctrico en inversores MOSFET.
2400.
mediciones.
10. La aplicacin almacena los resultados de las mediciones y las grficas
generadas, en archivos electrnicos.
Flujo Alterno:
predefinida.

Tabla 2.18 Caso de uso Ejecutar medicin del estrs en inversores
y Dispositivos MOS

95
2.2 Diseo
2.2.1 Diagramas de estados

Los diagramas de estado muestran el conjunto de estados por los cuales pasa un
objeto durante su vida en una aplicacin, en respuesta a eventos (por ejemplo,
mensajes recibidos, tiempo rebasado o errores), junto con sus respuestas y acciones.
Normalmente contienen: estados (un estado identifica una condicin o una situacin en
la vida de un objeto durante la cual satisface alguna condicin, ejecuta alguna actividad
o espera que suceda algn evento) y transiciones (relacin entre dos estados que
indica que un objeto en el primer estado puede entrar al segundo estado y ejecutar
ciertas operaciones), estos incluyen a su vez, eventos (ocurrencia que puede causar la
transicin de un estado a otro de un objeto), acciones (operacin atmica, que no se
puede interrumpir por un evento y que se ejecuta hasta su finalizacin) y actividades
(operacin que puede ser interrumpida por otros eventos).

En la figura 2.3 se presenta el diagrama de estados para el caso de uso Ejecutar
medicin de resistividad simple.

Figura 2.3 Diagrama de estados para el caso de uso Ejecutar medicin de resistividad simple
y Dispositivos MOS

96
medicin de resistividad en el tiempo.

Figura 2.4 Diagrama de estados para el caso de uso Ejecutar medicin de resistividad en el tiempo

En la figura 2.5 se muestra el diagrama de estados para el caso de uso Ejecutar
medicin del estrs en transistores.

Figura 2.5 Diagrama de estados para el caso de uso Ejecutar medicin del estrs en transistores
y Dispositivos MOS

97
medicin del estrs en inversores.

Figura 2.6 Diagrama de estados para el caso de uso Ejecutar medicin del estrs en inversores

2.2.2 Diagramas de secuencia

En un diagrama de secuencia se indican los mdulos o clases que forman parte de la
aplicacin y las llamadas que se hacen en cada uno de ellos para realizar una tarea
determinada. Adems sirve para definir acciones que se pueden realizar en la
aplicacin.

Un diagrama de secuencia muestra los objetos que intervienen en el escenario con
lneas discontinuas verticales, y los mensajes pasados entre los objetos como vectores
horizontales. Los mensajes se dibujan cronolgicamente desde la parte superior del
diagrama a la parte inferior; la distribucin horizontal de los objetos es arbitraria.

En la figura 2.7 se presenta el diagrama de secuencia para el caso de uso Ejecutar
medicin de resistividad simple.

y Dispositivos MOS

98

Figura 2.7 Diagrama de secuencia para el caso de uso Ejecutar medicin de resistividad simple

En la figura 2.8 se muestra el diagrama de secuencia para el caso de uso Ejecutar
medicin de resistividad en el tiempo.

Figura 2.8 Diagrama de secuencia para el caso de uso Ejecutar medicin de resistividad en el tiempo
y Dispositivos MOS

99
En la figura 2.9 se presenta el diagrama de secuencia para el caso de uso Ejecutar
medicin del estrs en transistores.

Figura 2.9 Diagrama de secuencia para el caso de uso Ejecutar medicin del estrs en transistores

En la figura 2.10 se muestra el diagrama de secuencia para el caso de uso Ejecutar
medicin del estrs en inversores.

Figura 2.10 Diagrama de secuencia para el caso de uso Ejecutar medicin del estrs en inversores
y Dispositivos MOS

100
2.2.3 Diagramas de actividades

Un diagrama de actividades puede considerarse como un caso especial de un diagrama
de estados, en el cual casi todos los estados son estados accin (identifican una accin
que se ejecuta al estar en l) y casi todas las transiciones evolucionan al trmino de
dicha accin (ejecutada en el estado anterior). Un diagrama de actividades puede dar
detalle a un caso de uso, un objeto o un mensaje en un objeto. Permiten representar
transiciones internas al margen de las transiciones o eventos externos. Se usa para
mostrar la secuencia de actividades.

Los diagramas de actividades muestran el flujo de trabajo desde el punto de inicio hasta
el punto final, detallando muchas de las rutas de decisiones que existen en el progreso
de eventos contenidos en la actividad.
y Dispositivos MOS

101
Diagrama de actividades para el caso de uso Ejecutar medicin de resistividad simple
(figura 2.11).

Figura 2.11 Diagrama de actividades para el caso de uso Ejecutar medicin de resistividad simple
y Dispositivos MOS

102
Diagrama de actividades para el caso de uso Ejecutar medicin de resistividad en el
tiempo (2.12).

Figura 2.12 Diagrama de actividades para el caso de uso Ejecutar medicin de resistividad en el tiempo
y Dispositivos MOS

103
Diagrama de actividades para el caso de uso Ejecutar medicin del estrs en
transistores (figura 2.13).

Figura 2.13 Diagrama de actividades para el caso de uso Ejecutar medicin del estrs en transistores
y Dispositivos MOS

104
Diagrama de actividades para el caso de uso Ejecutar medicin del estrs en inversores
(figura 2.14).

Figura 2.14 Diagrama de actividades para el caso de uso Ejecutar medicin del estrs en inversores
y Dispositivos MOS

105
CAPTULO 3 IMPLEMENTACIN Y LIBERACIN
3.1 Implementacin
3.1.1 Arquitectura del sistema

La estructura general del proyecto se muestra en la figura 3.1, donde se representan los
componentes de la solucin planteada as como su integracin con los dispositivos de
control, comunicacin y medicin, y la interaccin del usuario con la misma.

Figura 3.1 Diagrama general del proyecto Automatizacin por Computadora de Tcnicas de

La aplicacin est implementada sobre una PC de escritorio con un procesador de
arquitectura x86, bajo un sistema operativo Windows XP SP3, ejecutndose desde
MATLAB en una interfaz grfica propia. La programacin y ejecucin de las mediciones
se realiza desde la aplicacin, que a su vez, comunica a travs de la interfaz GPIB las
instrucciones a los dispositivos de medicin (fuentes Keithley 2400), los cuales realizan
la medicin solicitada con ayuda de los dispositivos auxiliares, retornando el resultado
de la medicin a la PC, por la misma interfaz.
y Dispositivos MOS

106
La arquitectura de hardware, como ya se expuso (ver figura 3.1), est basada en una
PC de escritorio, dispositivos de medicin e interfaces de comunicacin, con las
siguientes caractersticas.

Hardware PC:
- Procesador Pentium 4 Hyper Threading 2.8 GigaHertz
- 512 Gigabytes de memoria DDR
- Disco duro SATA de 80 Gigabytes
- Interface KPCI-488A GPIB
- Pantalla CRT

Dispositivos de medicin:
- Keithley series 2400 SourceMeter
- GPIB cable modelo 7007-2

Dispositivos auxiliares:
- Signatone H-100 Series Probe Station
- S-302-4 soporte para montaje de cabezas de prueba
- SP4-40085TBS Signatone, cabeza de prueba de cuatro puntas

La arquitectura de software comprende nicamente, el sistema operativo base de la PC
y el software necesario para la ejecucin de la aplicacin desde un entorno de escritorio
(ver figura 3.1). A continuacin se detallan las caractersticas de stos.

Software PC:
- Windows XP Profesional SP3 versin 2002
- Matlab versin 7.0.0.199240 (R14)
- Keithley 24XX-851C03 driver

y Dispositivos MOS

107
3.1.2 Sistema de control de versiones

Un sistema de control de versiones (o sistema de control de revisiones) es una
combinacin de tecnologas y prcticas para seguir y controlar los cambios realizados a
lo largo del tiempo en los ficheros del proyecto, en particular en el cdigo fuente y en la
documentacin, de modo que puedan ser recuperadas versiones especficas de estos
cuando es requerido.

Para este proyecto se ha elegido GIT como sistema de control de versiones, pues es un
sistema distribuido y gratuito, pensando en la eficiencia y la confiabilidad del
mantenimiento de versiones de aplicaciones. Debido a que la curva de aprendizaje de
GIT es muy pronunciada, se utilizar GitHub que es un SaaS para gestionar repositorios
de GIT de forma sencilla y rpida. En el anexo 7 se muestra la estructura de operacin
de GIT.

Actualmente el cdigo fuente de este proyecto se encuentra en un repositorio privado
dentro de GitHub, siendo su versin ms reciente la 1.0. Se omiten los detalles de este
repositorio y el historial de cambios del proyecto, debido a la naturaleza privada del
mismo.

3.1.3 Diagrama de implementacin

Los diagramas de implementacin muestran las instancias existentes al ejecutarse, as
como sus relaciones. En ellos se incluye la representacin de los nodos que identifican
recursos fsicos, as como interfaces y objetos (instancias de las clases). Muestran
aspectos de la implementacin de la aplicacin, donde se incluyen la estructura del
cdigo fuente, su comportamiento en tiempo real y la estructura fsica del entorno de
implementacin.

y Dispositivos MOS

108
En la figura 3.2 se observa el diagrama de implementacin para el proyecto
Automatizacin por Computadora de Tcnicas de Caracterizacin Elctrica de
Pelculas Semiconductoras y Dispositivos MOS.

Figura 3.2 Diagrama de implementacin del proyecto Automatizacin por Computadora de Tcnicas de

3.2 Pruebas
3.2.1 Planificacin

El propsito del plan de pruebas es explicitar el alcance, enfoque, recursos requeridos,
calendario, responsables y manejo de riesgos del proceso de pruebas. Describe los
pasos que se deben seguir, para verificar que la aplicacin desarrollada satisface los
requerimientos.

y Dispositivos MOS

109
A continuacin se define el plan de pruebas para el proyecto Automatizacin por
Dispositivos MOS, cuyo propsito es planificar, estructurar y documentar la
planificacin de las pruebas a realizar sobre la aplicacin de software, as como la
estrategia a seguir para su ejecucin.

Plan de pruebas

1. Identificador

TP_Global_ver1.0_14/11/2013

2. Alcance

En la aplicacin de software del proyecto Automatizacin por Computadora de
Tcnicas de Caracterizacin Elctrica de Pelculas Semiconductoras y Dispositivos
MOS, se pretende probar cada uno de los cuatro mdulos que la componen, para
verificar su correcto funcionamiento y la fiabilidad e integridad de la informacin que
procesan.

3. tems a probar

- Verificar implementacin del caso de uso Ejecutar medicin de resistividad
simple.
- Verificar implementacin del caso de uso Ejecutar medicin de resistividad en el
tiempo.
- Verificar implementacin del caso de uso Ejecutar medicin del estrs en
transistores.
- Verificar implementacin del caso de uso Ejecutar medicin del estrs en
inversores.

y Dispositivos MOS

110
4. Estrategia

Los tipos de prueba a realizar son de caja negra (permite obtener un conjunto de
condiciones de entrada que ejerciten completamente los requisitos funcionales del
programa) y comprenden: pruebas de caso de uso, pruebas de particin equivalente y
pruebas de aceptacin.

- Pruebas por Caso de Uso:
Las pruebas de casos de uso se utilizan para verificar la correcta implementacin
de los flujos bsicos y alternativos de los casos de uso implementados en la

Para las pruebas de casos de uso no se requiere de un orden especfico sin
embargo se realizarn de la siguiente forma: Ejecutar medicin de resistividad
simple, Ejecutar medicin de resistividad en el tiempo, Ejecutar medicin del
estrs en transistores y Ejecutar medicin del estrs en inversores.

- Pruebas de particin equivalente:
La particin equivalente es un mtodo donde los datos de entrada y los
resultados de salida se agrupan en clases diferentes, en las que todos los
miembros de dicha clase estn relacionados.

Se realizar en conjunto con los caso de prueba derivados de las pruebas de
casos de uso.

- Pruebas de aceptacin:
Una prueba de aceptacin del usuario es una evaluacin dada a la aplicacin de
software para asegurar que cumple con los objetivos fijados durante las fases de
diseo y desarrollo. Determina por parte del usuario la aceptacin o rechazo de
la aplicacin.

y Dispositivos MOS

111
Para la realizacin de estas pruebas, se dispondr de la implementacin de la
aplicacin en un entorno de produccin definido por el usuario final, y ser el
propio usuario quien lleve a cabo las pruebas, las cuales consisten en realizar
una medicin (segn corresponda; resistividad o efecto del estrs en dispositivos
MOS) por cada mdulo de la aplicacin de tal manera que los resultados
emitidos por la aplicacin sers evaluados por el usuario, y dependiendo de su
criterio emitir un juicio de acreditacin o rechazo, del mdulo en cuestin o de la
aplicacin completa.

Debido a que este proyecto forma parte de una investigacin que se encuentra
en fase de desarrollo, se omitir la explicacin tcnica y los criterios de
aceptacin utilizados por el usuario; por lo tanto slo se mencionar si la prueba
de aceptacin del mdulo en cuestin fue satisfactoria o no.

5. Categorizacin de la configuracin

- La prueba puede ser suspendida debido a fallas en la energa elctrica o por la
eventual degradacin de las muestras (transistores e inversores MOS y pelculas
delgadas semiconductoras) sometidas a los procesos de medicin, que son
vitales para el funcionamiento de la aplicacin en todo su conjunto.
- Puede ser culminada cuando se tenga un avance del 100% de la prueba.
- Puede ser repetida si no se termina en el horario y da establecidos para la
realizacin de la sta, tomando en cuenta que se deber partir desde el punto
inicial de la prueba nuevamente.

6. Procedimientos especiales

- Se debe contar con muestras de pelculas delgadas semiconductoras y
dispositivos MOSFET (transistores e inversores), debidamente conectadas en los
dispositivos de medicin o en los dispositivos auxiliares de medicin (ver figura
3.2).
y Dispositivos MOS

112
- Las fuentes Keithley series 2400 deben encontrase encendidas y conectas a la
interfaz GPIB de la PC.
- Debe estar presente al menos un usuario con amplios conocimientos de
caracterizacin de dispositivos MOS y pelculas semiconductoras.
- Los dispositivos de medicin auxiliares deben estar conectados a las fuentes
Keithley series 2400.

7. Recursos requeridos

Recursos humanos
Recurso Habilidad Responsabilidad
Dr. en C. Rodolfo Zol
Garca Lozano
Caracterizacin de
dispositivos MOS y
pelculas delgadas
semiconductoras.
Programar y ejecutar
mediciones en cada uno
de los mdulos que
comprenden la aplicacin
y realizar pruebas de
aceptacin de usuario.
Andrs J. Hernndez
Martnez
Manejo del lenguaje de
programacin MATLAB y
de su interfaz GUIDE.
Verificar que la
funcionalidad de la
aplicacin coincida con lo
planteado en los casos de
uso y la particin
equivalente.

Tabla 3.1 Recursos humanos necesarios para el proceso de pruebas

y Dispositivos MOS

113
Recursos materiales
Recurso Descripcin Cantidad
PC de escritorio
Dell Optiplex Gx520 Pentium 4 con 512 GB
de RAM y 80 GB de HDD (SO Windows
XP)
1
Interfaz GPIB GPIB PCI-488 1
Cables GPIB GPIB cable modelo 7007-2 3
Fuentes Keithley Keithley series 2400 SourceMeter 3
Estacin de pruebas Signatone H-100 Series Probe Station 1
Equipo de pruebas de
resistividad
Lucas Labs S-302-4 1
Cabeza de prueba de
cuatro puntas
SP4-40085TBS Signatone 1
Juego de cables con
caimanes
Juego de cables con caimanes de 2,7 cm,
3 Amperes
1
Regulador de Voltaje
Regulador para aparatos electrnicos 1500
VA (Marca Koblenz)
1
Software para
adquisicin y
MATLAB R2013b, uso acadmico, licencia
individual
1
y Dispositivos MOS

114
procesamiento de datos

Tabla 3.2 Recursos materiales necesarios para el proceso de pruebas

8. Manejo de riesgos

Riesgo Prevencin
Error de hardware o software en la PC.
Utilizar el equipo auxiliar disponible
dentro del laboratorio de mediciones.
Degradacin de las muestras (pelculas
semiconductoras, transistores e
inversores MOS).
Contar con muestras extra.
Corte del subministro elctrico. No aplica
Error en los dispositivos de medicin.
Operar los dispositivos de medicin
segn el manual de uso proporcionado
por el fabricante.

Tabla 3.3 Riesgos probables durante el proceso de pruebas

9. Calendario

Lugar Fecha Hora de inicio Hora de fin
Centro Universitario
18/Noviembre/2013 10:00 a.m. 2:00 p.m.
y Dispositivos MOS

115
UAEM Ecatepec,
laboratorio de
mediciones

Tabla 3.4 Calendario para la realizacin de las pruebas

10. Responsables

Rol Recurso Telfono Email
Lder de proyecto Dr. en C. Rodolfo Zol Garca Lozano -- --
Programador Andrs J. Hernndez Martnez -- --

Tabla 3.5 Responsables de la realizacin de las pruebas

3.2.2 Desarrollo de pruebas

El desarrollo de pruebas comprende la realizacin de los casos de prueba y su
verificacin, la cual consiste en asegurar la correcta implementacin de los casos de
uso y de los requerimientos funcionales. Para estos ltimos se har uso de las pruebas
de particin de equivalencia y las pruebas de aceptacin de usuario.

Caso de prueba para el caso de uso Ejecutar medicin de resistividad simple (tabla
3.6).

Caso de prueba
Identificador: EMResistividadSimple
y Dispositivos MOS

116
Creador: Andrs de Jess Hernndez Martnez
Versin: 1.0
Nombre: Ejecutar medicin de resistividad simple
Descripcin:
Ejecutar medicin de resistividad simple con o sin temperatura,
en pelculas delgadas semiconductoras.
Identificador del
Requerimiento:
RF-1
Propsito:
El usuario solicitar a la aplicacin realizar la medicin de
resistividad simple.
Ambiente:
Interfaz secundaria Medicin de la resistividad por el mtodo de
cuatro puntas simple con o sin temperatura de la aplicacin.
Inicializacin: Encender fuentes Keithley series 2400.
Finalizacin:
Mostrar los resultados de la medicin (para valores +/-) as como
el valor de la resistividad (para valores +/-), temperatura (slo si
fue seleccionada) y el promedio de cada uno.
Acciones:
1. Iniciar la aplicacin.
2. Hacer clic en el botn Resistividad simple con o sin
temperatura en la interfaz principal.
3. Agregar los datos requeridos.
4. Hacer clic en el botn Start.
y Dispositivos MOS

117
Particin de equivalencia (fragmento)
Valores de entrada
Resultados
Esperados Reales
Nivel de corriente (fuente de
corriente) = 20e-9
Rango de corriente (fuente
de corriente) = 0
Modo automtico rango de
corriente (fuente de
corriente) = true
Rango de voltaje (fuente de
corriente) = 0
voltaje (fuente de corriente)
= true
Nivel de proteccin de
= 100
Direccin (fuente de
corriente) = 15
voltaje) = 0
de voltaje) = 0
corriente (fuente de voltaje)
= true
Muestra resultados de la
medicin para valores
positivos y negativos, as
como el valor de la
resistividad y el promedio
cada uno.
Muestra el estado de
compliance (slo si aplica
para la medicin).
Muestra resultados de la
medicin para valores
positivos y negativos, as
como el valor de la
resistividad y el promedio
cada uno.
Muestra el estado de
compliance (slo si
aplica para la medicin).
y Dispositivos MOS

118
voltaje) = 0
voltaje (fuente de voltaje) =
true
100
Direccin (fuente de voltaje)
= 16
Espesor de la capa = 100e-7
Opcin de temperatura =
false
Direccin del sensor de
temperatura = 0

Tabla 3.6 Caso de prueba para el caso de uso Ejecutar medicin de resistividad simple

Caso de prueba para el caso de uso Ejecutar medicin de resistividad en el tiempo
(tabla 3.7).

Caso de prueba
Identificador: EMResistividadTiempo
Versin: 1.0
Nombre: Ejecutar medicin de resistividad en el tiempo
y Dispositivos MOS

119
Descripcin:
Ejecutar medicin de resistividad en funcin del tiempo de
polarizacin con o sin temperatura, en pelculas delgadas
semiconductoras.
Identificador del
Requerimiento:
RF-2
Propsito:
El usuario solicitar a la aplicacin realizar la medicin de
resistividad en funcin del tiempo de polarizacin.
Ambiente:
Interfaz secundaria Medicin de la resistividad por el mtodo de
cuatro puntas en funcin del tiempo de polarizacin con o sin
temperatura de la aplicacin.
Finalizacin:
Mostrar los resultados de las mediciones as como el valor de la
resistividad y temperatura (slo si fue seleccionada).
Acciones:
2. Hacer clic en el botn Resistividad en funcin del
tiempo de polarizacin (con o sin temperatura) en la
interfaz principal.
Valores de entrada Resultados
y Dispositivos MOS

120
Esperados Reales
corriente) = 20e-9
de corriente) = 0
corriente (fuente de
corriente) = true
corriente) = 0
= true
= 100
Direccin (fuente de
corriente) = 15
voltaje) = 0
de voltaje) = 0
corriente (fuente de voltaje)
= true
voltaje) = 0
true
Muestra grficas de la
resistividad, corriente y
voltaje en funcin del
tiempo.
Muestra grficas de la
resistividad, corriente y
voltaje en funcin del
tiempo.
y Dispositivos MOS

121
100
Direccin (fuente de voltaje)
= 16
Espesor de la capa = 100e-7
Nmero de mediciones = 20
Intervalo de tiempo = 1
Direccin del sensor de
temperatura = 0
Opcin de mensaje de
compliance = false
Opcin de temperatura =
false

Tabla 3.7 Caso de prueba para el caso de uso Ejecutar medicin de resistividad en el tiempo

En la figura 3.3 se muestra la grfica resultante del caso de prueba para el caso de uso
Ejecutar medicin de resistividad en el tiempo (ver tabla 3.7). Esta grfica constituye la
prueba de aceptacin del usuario, pues muestra la informacin esperada del mdulo
Medicin de la resistividad por el mtodo de cuatro puntas en funcin del tiempo de
polarizacin, por lo tanto el mdulo cumple con los criterios de aceptacin del usuario.

y Dispositivos MOS

122
0 20 40 60 80 100 120
0
0.5
1
1.5
2
2.5
x 10
5
Resistividad vs Tiempo
Tiempo (segundos)
R
e
s
i
s
t
i
v
i
d
a
d

(
o
h
m
*
c
m
)

Figura 3.3 Grfica resultante del proceso de medicin del mdulo Medicin de la resistividad por el
mtodo de cuatro puntas en funcin del tiempo de polarizacin (medicin de la resistividad en una
muestra de P3TH con un espesor de 10010
-7
cm, aplicando un nivel de corriente de 2010
-9
amperes
durante un tiempo de 120 segundos aprox.)

Caso de prueba para el caso de uso Ejecutar medicin del estrs en transistores (tabla
3.8).

Caso de prueba
Identificador: EMEstresTransistor
Versin: 1.0
y Dispositivos MOS

123
Nombre: Ejecutar medicin del estrs en transistores
Descripcin:
Ejecutar medicin del efecto del estrs elctrico en transistores
tipo MOSFET.
Identificador del
Requerimiento:
RF-3
Propsito:
El usuario solicitar a la aplicacin realizar la medicin del efecto
del estrs elctrico en transistores tipo MOSFET.
Ambiente:
Interfaz secundaria Medicin del efecto del estrs elctrico en
transistores MOSFET de la aplicacin.
Finalizacin: Mostrar los resultados de las mediciones.
Acciones:
2. Hacer clic en el botn Medicin del efecto del estrs
elctrico en transistores MOSFET en la interfaz principal.
Valores de entrada
Resultados
Esperados Reales
y Dispositivos MOS

124
Nivel de voltaje (fuente gate)
= 20
Rango de voltaje (fuente
gate) = 0
voltaje (fuente gate) = true
gate)= 0
corriente (fuente gate) = true
corriente (fuente gate) =
100e-3
Nivel de voltaje (fuente
drain) = 20
drain) = 0
voltaje (fuente drain) = true
drain)= 0
corriente (fuente drain) =
true
corriente (fuente drain) =
100e-3
Direccin (fuente drain) = 16
Nivel de voltaje (fuente
source) = 0
Muestra graficas de la
corriente en gate, drain y
source en funcin del
tiempo.
corriente en gate, drain y
source en funcin del
tiempo.
y Dispositivos MOS

125
source) = 0
voltaje (fuente source) = true
source)= 0
corriente (fuente source) =
true
corriente (fuente source) =
100e-3
Opcin de mensaje de
compliance = false

Tabla 3.8 Caso de prueba para el caso de uso Ejecutar medicin del estrs en transistores

Ejecutar medicin del estrs en transistores (ver tabla 3.8). Esta grfica constituye la
Medicin del efecto del estrs elctrico en transistores MOSFET, por lo tanto el
mdulo cumple con los criterios de aceptacin del usuario.

y Dispositivos MOS

126
0 20 40 60 80 100 120 140
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
x 10
-5
Tiempo (segundos)
I
D
S

(
a
m
p
e
r
e
s
)
Intensidad en Drain y Source vs Tiempo

Figura 3.4 Grfica resultante del proceso de medicin del mdulo Medicin del efecto del estrs elctrico
en transistores MOSFET (medicin del efecto del estrs electico en un transistor tipo MOSFET de
dimensiones W=160 m y L=40 m, aplicando VD = 20 volts, VG =

20 volts y VS = 0 durante un tiempo de
120 segundos aprox.)

Caso de prueba para el caso de uso Ejecutar medicin del estrs en inversores (tabla
3.9).

Caso de prueba
Identificador: EMEstresInversor
Versin: 1.0
y Dispositivos MOS

127
Nombre: Ejecutar medicin del estrs en inversores
Descripcin:
Ejecutar medicin del efecto del estrs elctrico en inversores
tipo MOSFET.
Identificador del
Requerimiento:
RF-4
Propsito:
El usuario solicitar a la aplicacin realizar la medicin del efecto
del estrs elctrico en inversores tipo MOSFET.
Ambiente:
Interfaz secundaria Medicin del efecto del estrs elctrico en
inversores MOSFET de la aplicacin.
Finalizacin: Mostrar los resultados de las mediciones.
Acciones:
2. Hacer clic en el botn Medicin del efecto del estrs
elctrico en inversores MOSFET en la interfaz principal.
Valores de entrada
Resultados
Esperados Reales
y Dispositivos MOS

128
Nivel de voltaje (fuente IN) =
20
Rango de voltaje (fuente IN)
= 0
voltaje (fuente IN) = true
IN)= 0
corriente (fuente IN) = true
corriente (fuente IN) = 100e-
3
Nivel de voltaje (fuente DD)
= 20
DD) = 0
voltaje (fuente DD) = true
DD)= 0
corriente (fuente DD) = true
corriente (fuente DD) =
100e-3
Direccin (fuente DD) = 16
Nivel de corriente (fuente
OUT) = 0
OUT) = 0
corriente en IN y DD y
voltaje en OUT, en
funcin del tiempo.
corriente en IN y DD y
voltaje en OUT, en
funcin del tiempo.
y Dispositivos MOS

129
corriente (fuente OUT) =
true
OUT)= 0
voltaje (fuente OUT) = true
corriente (fuente OUT) = 100
Opcin de mensaje de
compliance = false

Tabla 3.9 Caso de prueba para el caso de uso Ejecutar medicin del estrs en inversores

Ejecutar medicin del estrs en inversores (ver tabla 3.9). Esta grfica constituye la
Medicin del efecto del estrs elctrico en inversores MOSFET, por lo tanto el mdulo
cumple con los criterios de aceptacin del usuario.

y Dispositivos MOS

130
0 20 40 60 80 100 120 140
0.1688
0.169
0.1692
0.1694
0.1696
0.1698
0.17
0.1702
Tiempo (segundos)
V
O
U
T

(
v
o
l
t
s
)
Voltaje OUT vs Tiempo

Figura 3.5 Grfica resultante del proceso de medicin del mdulo Medicin del efecto del estrs elctrico
en inversores MOSFET (medicin del efecto del estrs electico en un inversor comercial TTL 7404,
aplicando VIN = 5 volts y VDD =

5 volts durante un tiempo de 120 segundos aprox.)
y Dispositivos MOS

131
Conclusiones

Al trmino del proyecto Automatizacin por Computadora de Tcnicas de
Caracterizacin Elctrica de Pelculas Semiconductoras y Dispositivos MOS se lleg a
las siguientes conclusiones:
- Mediante la herramienta desarrollada es posible controlar el proceso de medicin
de resistividad elctrica de pelculas delgadas y realizar mediciones del efecto
del estrs elctrico en transistores e inversores MOSFET, de manera adecuada y
ptima. De esta forma se cumple con los requerimientos de la investigacin
inicialmente planteados.
- La herramienta facilita la labor cientfica de los profesores del Centro
Universitario UAEM Ecatepec, porque permite realizar la programacin de la
medicin, despliega los resultados experimentales y proporciona los documentos
electrnicos necesarios para realizar las actividades cientficas correspondientes.
- La funcionalidad de esta herramienta permite que sea utilizada no solo para los
fines planteados en este trabajo, pues tambin puede ser adecuada en otras
investigaciones o experimentos, que requieran la medicin de resistividad por el
mtodo de cuatro puntas o la caracterizacin de dispositivos de tres terminales
con enfoque al modelado del efecto del estrs elctrico.
- Esta aplicacin de caracterizacin abre la oportunidad al Centro Universitario
UAEM Ecatepec de ofrecer el servicio de caracterizacin a otros espacios
cientficos. En la actualidad existen muy pocos laboratorios que cuenten con
programas automatizados que permitan realizar este tipo de mediciones.
- Como resultado de la utilizacin de la herramienta actualmente se estn
realizando investigaciones sobre el estresado elctrico de transistores de pelcula
delgada de sulfuro de cadmio (CdS). La herramienta ha permitido hacer, de
manera automtica, mediciones en intervalos de tiempo prolongados. Gracias a
esta informacin ser posible entender de mejor manera el fenmeno de
atrapamiento de carga en la interfaz dielctrico/semiconductor, as como
desarrollar modelos matemticos que permitan predecir el efecto en circuitos de
aplicacin.
y Dispositivos MOS

132
ANEXO 1

y Dispositivos MOS

133

y Dispositivos MOS

134
ANEXO 2

y Dispositivos MOS

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ANEXO 3

y Dispositivos MOS

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y Dispositivos MOS

137
ANEXO 4

y Dispositivos MOS

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y Dispositivos MOS

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y Dispositivos MOS

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y Dispositivos MOS

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y Dispositivos MOS

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y Dispositivos MOS

143
ANEXO 5

y Dispositivos MOS

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y Dispositivos MOS

145
ANEXO 6

y Dispositivos MOS

146
ANEXO 7
31

Historia de GIT

GIT nace como una necesidad para el desarrollo del kernel de Linux, desarrollado
inicialmente por el propio Linus Torvalds, que deseaba un sistema rpido, eficiente y
distribuido. As nace GIT como un conjunto de scripts escritos en Perl y Shell scripts,
que posteriormente han sido migrados a C.

Caractersticas internas del diseo de GIT

La caracterstica ms importante de GIT es que cuando se crea una nueva versin no
se crean deltas de diferencias, sino un nuevo rbol. Cuando se diferencian dos
versiones se traen ambos rboles y se comparan. Esto es eficiente porque solamente
se almacenan los ficheros y directorios idnticos una sola vez, y se transfieren los
contenidos de forma comprimida.

Favorece el uso de ramas y su posterior integracin; es eficiente ya que la mayora de
las operaciones son locales, y los repositorios ocupan muy poco espacio; adems se
transfiere solamente lo que ha cambiado: si dos ficheros tienen el mismo contenido,
ste se transfiere una sola vez.

GIT consta de dos tipos de comandos: de porcelana, tpicos de un usuario habitual, y de
fontanera: comandos avanzados de bajo nivel.

GIT maneja cuatro tipos de objetos fundamentales en la base de datos:
- BLOB: contenidos de los ficheros. Solamente los contenidos, no los metadatos.
Si hay dos ficheros con distinto nombre e igual contenido, solamente se
almacena 1 blob.

31
http://luixrodriguezneches.wordpress.com/2011/01/15/introduccion-a-git/
y Dispositivos MOS

147
- TREE: estructura de directorios. Contiene, para cada directorio, qu ficheros
(blobs) y subtrees contiene. Es una estructura arbrea y recursiva.
- COMMIT: puntero a un rbol (del cual se hizo commit). Contiene autor,
committer, message y parent commits que lo preceden, de manera que cada
commit apunta al commit que lo precede.
- TAG: es el alias del commit, con informacin extra: objeto commit al que apunta,
tipo, comentario, etc.

La estructura de un repositorio GIT es similar a un grafo acclico, en el cual un commit
apunta a otros commits o trees y un tree apunta a otros trees o blobs.

Adems de los objetos GIT, existe otro concepto que son las referencias GIT. Estos
elementos no residen en la base de datos del repositorio y pueden cambiar, a diferencia
de los objetos, que son inmutables. Esto significa que cada vez que se hace commit se
crea un nuevo objeto commit que apunta a un nuevo tree, que apunta a los objetos blob
apropiados.

Una rama en GIT es una referencia, un fichero en .git/refs/heads que apunta al ltimo
commit de dicha rama. El directorio .git est en la raz del directorio de trabajo. Este
directorio contiene los siguientes subdirectorios:
- Ramas: .git/refs/heads
- Etiquetas: .git/refs/tags
- Remotes: .git/refs/remotes (punteros a ramas de otros usuarios del mismo
repositorio)
y Dispositivos MOS

148
- Objetos: .git/objects (blobs, trees y commits)
- Configuracin: .git/config
- HEAD: .git/HEAD. (identifica la rama a la que se est apuntando en el instante
actual)
- Eventos pre y post commit: .git/hooks

La forma que tiene GIT de identificar objetos es mediante claves SHA-1. Puesto que
estas claves constan de series de caracteres y nmeros considerablemente largas, GIT
permite referenciar dichas claves mediante prefijos, siempre y cuando dichos prefijos
que identifican objetos sean identificados como nicos en la base de datos.

y Dispositivos MOS

149
LISTADO DE ACRNIMOS

CD Corriente Directa
CRT Cathode Ray Tube (Tubo de Rayos Catdicos)
DDR Double Data Rate (Doble Velocidad de Datos)
EDT Estructura de Desglose de Trabajo
ERS Especificacin de Requerimientos de Software
GPIB General Purpose Interface Bus (Bus de Interfaz de Propsito General)
HDD Hard Disk Drive (Unidad de Disco Duro)
HOMO Highest Occupied Molecular Orbital (Mayor Orbital Molecular Ocupado por
Electrones)
IEEE Institute of Electrical and Electronics Engineers (Instituto de Ingenieros
Elctricos y Electrnicos)
JIT Just In Time (Justo a Tiempo)
KPCI Keithley Peripheral Component Interconnect (Interconexin de
Componentes Perifricos Keithley)
LUMO Lowest Unoccupied Molecular Orbital (Menor Orbital Molecular
Desocupado)
MOS Metal-Oxide-Semiconductor (Metal-xido-Semiconductor)
MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (Transistor Metal-
xido-Semiconductor de Efecto de Campo)
NMOS Negative-channel Metal-Oxide-Semiconductor (Canal-Negativo Metal-
xido-Semiconductor)
PC Personal Computer (Computadora Personal)
PMBOK Project Management Body of Knowledge (Conjunto de Conocimientos en
Administracin de Proyectos)
RAM Random Access Memory (Memoria de Acceso Aleatorio)
RF Requisito Funcional
RI Requisito de Informacin
SaaS Software as Service (Software como Servicio)
SATA Serial Advanced Technology Attachment (Tecnologa Avanzada de
Acoplamiento Serial)
y Dispositivos MOS

150
SHA Secure Hash Algorithm (Algoritmo de Hash Seguro)
SO Sistema Operativo
TFT Thin Film Transistor (Transistor de Pelcula Delgada)
UML Unified Modeling Language (Lenguaje Unificado de Modelado)
y Dispositivos MOS

151
GLOSARIO DE TRMINOS

Aislante: material con elevada resistividad, que impiden el paso de la corriente
elctrica.

Ampere: (smbolo A) es la unidad de intensidad de corriente elctrica. Es la intensidad
de una corriente constante que, mantenindose en dos conductores paralelos,
rectilneos, de longitud infinita, de seccin circular despreciable y situados a una
distancia de un metro uno de otro en el vaco, producira una fuerza igual a 210
-7

Newton por metro de longitud.

Arco elctrico: es la descarga elctrica que se forma entre dos electrodos sometidos a
una diferencia de potencial y colocados en el seno de una atmsfera gaseosa
enrarecida, normalmente a baja presin, o al aire libre.

tomo: es la partcula ms pequea en que un elemento puede ser dividido sin perder
sus propiedades qumicas.

Balanza de torsin: consiste en dos bolas de metal sujetas por los dos extremos de
una barra suspendida por un cable, filamento o chapa delgada. Para medir la fuerza
electrosttica se puede poner una tercera bola cargada a una cierta distancia. Las dos
bolas cargadas se repelen/atraen unas a otras, causando una torsin de un cierto
ngulo. De esta forma se puede saber cunta fuerza, en Newtons, es requerida para
torsionar la balanza un cierto ngulo.

Banda de conduccin: es el intervalo de energas electrnicas que, estando por
encima de la banda de valencia, permite a los electrones sufrir aceleraciones por la
presencia de un campo elctrico externo y, por tanto, permite la presencia de corrientes
elctricas.

Bandas de energa: describen la estructura electrnica de un material.
y Dispositivos MOS

152
Banda de valencia: es el ms alto de los intervalos de energas electrnicas (o
bandas) que se encuentra ocupado por electrones en el cero absoluto.

Botella de Leyden: es un dispositivo que permite almacenar cargas elctricas
comportndose como un condensador.

Bus: es un sistema digital que transfiere datos entre los componentes de una
computadora o entre computadoras. Est formado por cables o pistas en un circuito
impreso, dispositivos como resistores y condensadores adems de circuitos integrados.

C: es un lenguaje de programacin creado en 1972 por Dennis M. Ritchie en los
Laboratorios Bell como evolucin del anterior lenguaje B.

C++: es un lenguaje de programacin diseado a mediados de los aos 1980 por
Bjarne Stroustrup.

Campo elctrico: es un campo fsico que es representado mediante un modelo que
describe la interaccin entre cuerpos y sistemas con propiedades de naturaleza
elctrica. Se describe como un campo vectorial en el cual una carga elctrica puntual
de valor sufre los efectos de una fuerza elctrica dada por la siguiente ecuacin:

Carga elctrica: es una propiedad fsica intrnseca de algunas partculas subatmicas
que se manifiesta mediante fuerzas de atraccin y repulsin entre ellas. La materia
cargada elctricamente es influida por los campos electromagnticos, siendo a su vez,
generadora de ellos.

Circuito lgico: es aquel que maneja la informacin en forma binaria, es decir, con
valores de 1 y 0.

y Dispositivos MOS

153
Clase: es una construccin que se utiliza como un modelo (o plantilla) para crear
objetos de ese tipo. El modelo describe el estado y contiene el comportamiento que
todos los objetos creados a partir de esa clase tendrn.

Compliance (Keithley 2400): es el mximo voltaje y corriente que puede ser
programado en la fuente Keithley series 2400.

Condensador: es un dispositivo pasivo, utilizado en electricidad y electrnica, capaz de
almacenar energa sustentando un campo elctrico. Est formado por un par de
superficies conductoras, generalmente en forma de lminas o placas, en situacin de
influencia total (esto es, que todas las lneas de campo elctrico que parten de una van
a parar a la otra) separadas por un material aislante o por el vaco. Las placas,
sometidas a una diferencia de potencial, adquieren una determinada carga elctrica,
positiva en una de ellas y negativa en la otra, siendo nula la variacin de carga total.

Conductividad: es la medida de la capacidad de un material que deja pasar la
corriente elctrica, su aptitud para dejar circular libremente las cargas elctricas. La
conductividad depende de la estructura atmica y molecular del material, los metales
son buenos conductores porque tienen una estructura con muchos electrones con
vnculos dbiles y esto permite su movimiento.

Conductor: es un material cuya resistencia al paso de la electricidad es muy baja.

Corriente: es el flujo de carga elctrica por unidad de tiempo que recorre un material.
Se debe al movimiento de las cargas (normalmente electrones) en el interior del
material. En el Sistema Internacional de Unidades se expresa en C/s (culombios sobre
segundo), unidad que se denomina amperio.

Corriente Directa: se refiere al flujo continuo de carga elctrica a travs de un
conductor entre dos puntos de distinto potencial, que no cambia de sentido con el
tiempo.
y Dispositivos MOS

154
Densidad de corriente: se define como una magnitud vectorial que tiene unidades de
corriente elctrica por unidad de superficie, es decir, intensidad por unidad de rea.

Dielectricidad: se denomina a la conductividad elctrica muy baja.

Diodo: es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la
corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa
para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una
pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos.

Dispositivo fotoelctrico: es un dispositivo electrnico que responde al cambio en la
intensidad de la luz. Estos dispositivos (sensores) requieren de un componente emisor
que genera la luz, y un componente receptor que percibe la luz generada por el emisor.

Dopaje: se denomina al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor
extremadamente puro (tambin referido como intrnseco) con el fin de cambiar sus
propiedades elctricas.

Electromagnetismo: es una teora de campos; es decir, las explicaciones y
predicciones que provee se basan en magnitudes fsicas vectoriales o tensoriales
dependientes de la posicin en el espacio y del tiempo. El electromagnetismo describe
los fenmenos fsicos macroscpicos en los cuales intervienen cargas elctricas en
reposo y en movimiento, usando para ello campos elctricos y magnticos y sus efectos
sobre las sustancias slidas, lquidas y gaseosas.

Electrn: es una partcula elemental estable cargada negativamente que constituye
uno de los componentes fundamentales del tomo. Su carga es de 1,60217646210
-19

C.

Portador: en la fsica de semiconductores, los huecos producidos por falta de
electrones son tratados como portadores.
y Dispositivos MOS

155
Hueco: se conoce como hueco de electrn cuando en la banda de valencia hay un
electrn ausente.

Electrones de valencia: son los electrones que se encuentran en los mayores niveles
de energa del tomo, siendo stos los responsables de la interaccin entre tomos de
distintas especies o entre los tomos de una misma especie.

Electrn-Volt: (smbolo eV) es una unidad de energa que representa la energa
cintica que adquiere un electrn cuando es acelerado por una diferencia de potencial
de 1 voltio. Equivale a 1,60217646210
-19
J, obtenindose este valor de multiplicar la
carga del electrn (1,60217646210
-19
C) por la unidad de potencial elctrico (V).

Enlace covalente: es la unin que como resultado de la comparticin de uno o ms
pares de electrones se establece entre dos tomos. De esta forma, se distingue entre
enlace simple o sencillo (los tomos comparten un solo par de electrones), enlace doble
(los tomos comparten dos pares de electrones) o enlace triple (los tomos comparten
tres pares de electrones).

Estructura atmica: se refiere a la localizacin de cada una de las partes del tomo,
como el ncleo, electrones, neutrones, niveles de energa, etc. y la forma que tiene.

Estructura de bandas: teora segn la cual se describe la estructura electrnica de un
material como una estructura de bandas electrnicas, o simplemente estructura de
bandas de energa. La teora se basa en el hecho de que en una molcula los orbitales
de un tomo se solapan produciendo un nmero discreto de orbitales moleculares.

Fonn: es una cuasipartcula o modo cuantizado vibratorio que tiene lugar en redes
cristalinas como la red atmica de un slido.

Fortran: es un lenguaje de programacin alto nivel de propsito general, procedimental
e imperativo, que est especialmente adaptado al clculo numrico y a la computacin
cientfica. Desarrollado originalmente por IBM en 1957 para el equipo IBM 704.
y Dispositivos MOS

156
Fuerza Van der Waals: denominada as en honor al cientfico neerlands Johannes
Diderik van der Waals, es la fuerza atractiva o repulsiva entre molculas (o entre partes
de una misma molcula) distintas a aquellas debidas al enlace covalente o a la
interaccin electrosttica de iones con otros o con molculas neutras.

Gigabyte: es una unidad de almacenamiento de informacin cuyo smbolo es el GB;
equivale a 10
9
bytes.

GigaHertz: (smbolo GHz) es un mltiplo de la unidad de medida de frecuencia hercio
(Hz) y equivale a 10
9
Hz. Por lo tanto, tiene un perodo de oscilacin de 1 nanosegundo.

Hibridacin de Orbitales: considera que los orbitales atmicos se pueden combinar
entre ellos (las funciones matemticas de los orbitales atmicos, ya que es nicamente
un desarrollo matemtico) para dar lugar a unos orbitales resultado de dicha
combinacin (mezclas) a los que se llama orbitales hbridos. Se obtienen tantos
orbitales hbridos como orbitales atmicos se combinen (si se combinan 3 orbitales
atmicos, se obtienen 3 orbitales hbridos).

Hot keys: (atajo del teclado) es una tecla o secuencia de teclas que efecta una accin
definida previamente (por el usuario o por el programador de la aplicacin). Estas
acciones pueden realizarse habitualmente de otro modo ms complejo, navegando por
los mens, tecleando una instruccin ms extensa, o utilizando el mouse.

Hyper Threading: (tambin conocido como HT Technology) es una marca registrada
de la empresa Intel para denominar su implementacin de la tecnologa Multithreading
Simultneo tambin conocido como SMT. Permite a los programas preparados para
ejecutar mltiples hilos (multi-threaded) procesarlos en paralelo dentro de un nico
procesador, incrementando el uso de las unidades de ejecucin del procesador.

Impedancia: (smbolo Z) es la oposicin al paso de la corriente alterna.

y Dispositivos MOS

157
Ion: es una partcula cargada elctricamente constituida por un tomo o molcula que
no es elctricamente neutra.

Joule: (smbolo J), unidad del Sistema Internacional de Unidades para energa en
forma de calor (Q) y trabajo (W).

Latencia: se denomina a la suma de retardos temporales dentro de una red. Un retardo
es producido por la demora en la propagacin y transmisin de paquetes dentro de la
red.

Ley de gravitacin universal: es una ley fsica clsica que describe la interaccin
gravitatoria entre distintos cuerpos con masa. Predice que la fuerza ejercida entre dos
cuerpos de masas y separados una distancia es proporcional al producto
de sus masas e inversamente proporcional al cuadrado de la distancia, es decir:

donde:
es el mdulo de la fuerza ejercida entre ambos cuerpos, y su direccin se encuentra
en el eje que une ambos cuerpos.
es la constante de la Gravitacin Universal.

Macromolcula: son molculas que tienen una masa molecular elevada, formadas por
un gran nmero de tomos. Generalmente se pueden describir como la repeticin de
una o unas pocas unidades mnimas o monmeros, formando los polmeros.

Microchip: pastilla pequea de material semiconductor, de algunos milmetros
cuadrados de rea, sobre la que se fabrican circuitos electrnicos.

Mol: (smbolo mol) es la unidad con que se mide la cantidad de sustancia. 1 mol de
alguna sustancia es equivalente a 6,02214129 (30) 10
23
unidades elementales.
y Dispositivos MOS

158
Monmero: es una molcula de pequea masa molecular que unida a otros
monmeros, a veces cientos o miles, por medio de enlaces qumicos, generalmente
covalentes, forman macromolculas llamadas polmeros.

Multmetro: es un instrumento elctrico porttil para medir directamente magnitudes
elctricas activas como corrientes y potenciales (tensiones) o pasivas como
resistencias, capacidades y otras. Las medidas pueden realizarse para corriente
continua o alterna y en varios mrgenes de medida cada una.

hmetro: es un instrumento para medir la resistencia elctrica. El diseo de un
hmetro se compone de una pequea batera para aplicar un voltaje a la resistencia
bajo medida, para luego, mediante un galvanmetro, medir la corriente que circula a
travs de la resistencia.

Orbitales pi: son enlaces qumicos covalentes donde dos lbulos de un orbital
involucrado en el enlace solapan con dos lbulos del otro orbital involucrado. Estos
orbitales comparten un plano nodal que pasa a travs de los ncleos involucrados.

Polmero: son macromolculas (generalmente orgnicas) formadas por la unin de
molculas ms pequeas llamadas monmeros.

Superconductor: es un material que no opone resistencia al flujo de corriente elctrica
por l.

ToolTipText: es el texto de "ayuda" que aparece cuando el usuario coloca el puntero
del mouse sobre un icono del men, un textbox, un radiobutton, etc., de programas de
aplicaciones.

Transistor: es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para producir una
seal de salida en respuesta a otra seal de entrada. Cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador.

y Dispositivos MOS

159
Volt: (smbolo V) se define como la diferencia de potencial a lo largo de un conductor
cuando una corriente de un amperio utiliza un vatio de potencia. Tambin se puede
definir como:

Voltaje: es una magnitud fsica que se manifiesta como la fuerza que impulsa a los
electrones a lo largo de un conductor en un circuito elctrico, su unidad de medida es el
volt.
y Dispositivos MOS

160
BIBLIOGRAFA

Anlisis Cuantitativo y Cualitativo de Riesgos.
Pealoza Gallardo, Adrin.
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Aprenda Matlab 7.0 como si estuviera en primero.
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Automatizacin de un medidor de resistividad por la tcnica de 4 puntas en funcin de
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Fsica para Ciencias e Ingeniera con Fsica Moderna (Volumen 2).
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y Dispositivos MOS

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invest/instrument_electro/ppjjgdr/Electronics_Instrum/Electronics_Instrum_Files/temas/T
7_Instrum_Prog.PDF

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