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05/07/2012

TRANSISTOR
Historia:
• Considerado como "el mayor invento del siglo
XX".
TRANSITOR • Este dispositivo electrónico básico dió lugar a los
circuitos integrados y demás elementos de la alta
escala de integración.
• En la Revolución industrial del siglo XIX se
establece en base a la máquina de vapor de
Ing. Roberto Pérez Checa
James Watt, puede decirse que la era de las
comunicaciones ha podido establecerse en base
al transistor.

TRANSISTOR TRANSISTOR
Historia: Historia:
• El transistor es un dispositivo de tres terminales • Un diodo surge al unir un material N con uno P, el
que surge en los Laboratorios Bell de la AT&T. transistor surge de una unión de tipo NPN, o bien
• Se buscaba un conmutador de estado sólido para PNP.
ser utilizado en telefonía y para reemplazar tanto • La denominación "transistor" fue sugerida por
a los relés como a los sistemas de barras. J.R. Pierce, quién dijo: "…y entonces, en aquella
• Luego se contempla la posibilidad de obtener el época, el transistor fue imaginado para ser el
reemplazo de la válvula (o tubo) de vacío. dual del tubo de vacío, así si un tubo de vacío
tenía transconductancia, éste debe tener
transresistencia, y así llegué a sugerir
«transistor»".

TRANSISTOR TRANSISTOR
Historia: Historia:
• El transistor bipolar fue inventado en los • El transistor es un dispositivo electrónico
Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de semiconductor que cumple funciones de:
1947. – Amplificador,
• La patente inicial de un Transistor le fue – Oscilador,
concedida a John Bardeen y a Walter Brattain – Conmutador o Inversor.
por el transistor de punta de contacto.
• La patente del transistor de juntura (o unión),
aparecido en 1951, le fue
concedida a William Shockley.

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TRANSISTOR TRANSISTOR
BJT: BJT:
• Del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas • Son de gran utilidad en gran número de
BJT) aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes,
• Es un dispositivo electrónico de estado sólido entre ellos su impedancia de entrada bastante
consistente en dos uniones PN muy cercanas baja.
entre sí, que permite controlar el paso de la • Los transistores bipolares son los transistores
corriente a través de sus terminales. más conocidos y se usan generalmente en
• La denominación de bipolar se debe a que la electrónica analógica aunque también en algunas
conducción tiene lugar gracias al desplazamiento aplicaciones de electrónica digital, como la
de portadores de dos polaridades (huecos tecnología TTL o BICMOS.
positivos y electrones negativos).

TRANSISTOR TRANSISTOR
BJT: BJT:
• Un transistor de unión bipolar está formado por • Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo
dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en
separados por una región muy estrecha. De esta un transistor NPN. Cada región del
manera quedan formadas tres regiones: semiconductor está conectada a un terminal,
– Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar denominado emisor (E), base (B) o colector (C),
fuertemente dopada, comportándose como un metal. según corresponda.
Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
– Base, la intermedia, muy
estrecha, que separa el
emisor del colector. • Corte del Transistor.
– Colector, de extensión mucho mayor.

TRANSISTOR TRANSISTOR
BJT: BJT:
• Para distinguir un transistor de tipo NPN de un • En general se definen una serie de tensiones y
PNP es observando la flecha del terminal de corrientes en el transistor, de la siguiente
emisor. manera:
• En un NPN esta flecha apunta hacia fuera del
transistor; en un PNP la flecha apunta hacia
dentro.
• En funcionamiento normal,
dicha flecha indica el sentido • Sigue una representación física de las mismas
de la corriente que circula (pues en funcionamiento normal todas las
por el emisor del transistor. corrientes y tensiones definidas son positivas).

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TRANSISTOR TRANSISTOR
BJT Funcionamiento:
• El transistor se fabrica sobre un substrato de silicio (Base N), en el cual
BJT Funcionamiento:
se difunden impurezas, para obtener las tres regiones antes
mencionadas. • Un transistor además posee contactos metálicos
• Sobre una base n (substrato que actúa como colector), se difunden y los terminales.
regiones p y n+, en las que se ponen los contactos de emisor y base.
• Por la disposición de los materiales, quedan formadas dos junturas PN.

• Por estos tres terminales es posible controlar una


gran potencia a partir de una pequeña potencia.
• Haciendo una equivalencia, esto se podría aproximar a dos diodos.

TRANSISTOR TRANSISTOR
BJT Funcionamiento: BJT Funcionamiento:
• Entre los terminales de colector (C) y emisor (E) se • Es así que el transistor bipolar basa su funcionamiento en
aplica la potencia a regular, y en el terminal de base el control de la corriente que circula entre el emisor y el
(B) se aplica la señal de control gracias colector, mediante la corriente de base.
• Un transistor se puede considerar como un diodo en
a la que controlamos directa (unión emisor-base) por el que circula una
la potencia. corriente elevada,
• Con pequeñas variaciones y un diodo en inversa
de corriente a través del (unión base-colector),
terminal de base, se por el que, en principio,
consiguen grandes variacio- no debería circular corriente,
nes a través de los terminales de colector y emisor. pero que actúa como una
• Si se coloca una resistencia se puede convertir esta estructura que recoge gran
variación de corriente en variaciones de tensión parte de la corriente que circula por emisor base.
• Como probar un Transistor?
según sea necesario.

TRANSISTOR TRANSISTOR
BJT Funcionamiento: BJT Funcionamiento:
• Polarizando un Transistor PNP, La unión emisor- • De la polarización del transistor aparecen las
base queda polarizada como una unión en siguientes corrientes:
directa, y la unión colector-base como una unión
en inversa.

• Esta forma de polari-


zación será la aplicada
normalmente para este
tipo de transistor.

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TRANSISTOR TRANSISTOR
BJT Funcionamiento: BJT Funcionamiento:
• En donde: • Del análisis anterior se concluye que:
– Entre el emisor y la base
aparece una corriente
(IEp + IEn) debido a que
la unión está en directa
– El efecto transistor provoca que la mayor parte de la
• Por lo tanto: el transistor es un nodo con tres
corriente anterior NO circule por la base, sino que siga entradas o salidas, en donde la suma de las
hacia el emisor (ICp) corrientes que entran o salen al mismo ha de ser
– Entre el colector y la base circula una corriente mínima
por estar polarizada en inversa (ICn más una parte ínfima cero.
de ICp) • Expresando en función de sus componentes:
– Por la base realmente circula una pequeña corriente del
emisor, más otra de colector, más la corriente de
recombinación de base (IEn+ICn+IBr)

TRANSISTOR TRANSISTOR
BJT Funcionamiento: BJT Funcionamiento:
• Para analizar un transistor se debe definir • Otra ecuación que puede ser deducida es:
relaciones entre sus corrientes, estos son α y β.
• Útil cuando se trabaja con pequeñas corrientes de
• Operando para relacionarlos uno al otro: polarización, en las que el efecto de la corriente
inversa que circula entre colector y base puede no
ser despreciable.
• En donde IC0 es la corriente inversa de saturación de
• El parámetro α será muy próximo a la unidad 1 la unión colector-base, la cual, en general se puede
(típicos 0,9 < α < 0,99), por que la corriente de aproximar por ICn, y corresponde a la corriente que
emisor será similar a la de colector y el circularía por dicha unión polarizada en inversa si se
parámetro β tendrá un valor elevado deja al aire el terminal de emisor.
(normalmente > 100).

TRANSISTOR TRANSISTOR
BJT Funcionamiento Cualitativo: BJT Funcionamiento Cualitativo:
• De acuerdo a las tensiones que se apliquen a • Con esto se definen tres zonas:
cada uno de los terminales del transistor bipolar – Corte.
podemos conseguir que éste entre en una región – Saturación.
u otra de funcionamiento. – Activa o RAN.
• Por regiones de funcionamien- • En un gráfico
to entendemos valores de VCE – IC,
corrientes y tensiones en el se tendrá:
transistor, que cumplen unas
relaciones determinadas
dependiendo de la región en la que se encuentre.

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TRANSISTOR TRANSISTOR
BJT Funcionamiento Cualitativo: BJT Funcionamiento Cualitativo:
Zona de Corte Zona Activa
• No circula corriente por sus terminales. • La región activa es la normal de funcionamiento
• A efectos de cálculo, decimos que el transistor se del transistor.
encuentra en corte
cuando se cumple la • Existen corrientes en
condición: IE = 0 ó todos sus terminales y
IE < 0 (la corriente por se cumple que la unión
el emisor lleva sentido base-emisor se encuen-
contrario). tra polarizada en direc-
• Para polarizar el transistor en corte basta con no ta y la colector-base en inversa.
polarizar en directa la unión base-emisor del
mismo, es decir, basta con que VBE=0.

TRANSISTOR TRANSISTOR
BJT Funcionamiento Cualitativo: BJT Funcionamiento Cualitativo:
Zona Saturación
Zona Activa • Se verifica que tanto la unión base-emisor como la
• En general, y a efectos de cálculo, se considera base-colector se
que se verifica lo siguiente: encuentran en directa.
Se dejan de cumplir las
relaciones de activa,
y se verifica sólo lo
siguiente:
• donde Vγ es la tensión de conducción de la unión
base-emisor (en general 0,6 voltios).
• En donde las tensiones base-emisor y colector-
emisor de saturación suelen tener valores
determinados (0,8 y 0,2 voltios habitualmente).

TRANSISTOR TRANSISTOR
BJT Funcionamiento Cualitativo: Fenómenos de avalancha y perforación:
Zona Saturación • El transistor por tener uniones PN polarizadas, tiene
• Es de señalar especialmente que cuando el unas limitaciones físicas de funcionamiento por los
fenómenos de avalancha que se pueden producir al
transistor se encuentra aplicar tensiones elevadas a las uniones.
en saturación circula
• Un transistor se puede destruir por dos mecanismos
también corriente por diferentes:
sus tres terminales, • Ruptura por entrar en avalancha alguna de las
pero ya no se cumple uniones.- Al aplicar tensión inversa elevada a las
la relación: IC = β ⋅ IB uniones PN del transistor puede ocurrir que alguna
entre en avalancha. La unión base-emisor es
especialmente sensible a la aplicación de tensiones
elevadas debido a su alto dopaje.

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TRANSISTOR TRANSISTOR
Fenómenos de avalancha y perforación: Potencia del Transistor:
• Ruptura por perforación de base.- se produce la • La potencia que disipa el transistor viene dada
destrucción del transistor al circular una por la corriente de colector multiplicada por la
corriente muy elevada entre emisor y colector. tensión que colector-emisor, es decir:
Otro motivo:
• Otro motivo por el que se puede destruir un • Esta es la potencia disipada por el dispositivo.
transistor bipolar es la potencia máxima que es • Este valor depende del tipo de transistor (de su
capaz de disipar. En general se puede hablar de fabricación, características y encapsulado), de las
potencia en régimen continuo y potencia en condiciones ambientales y del uso de
régimen alterno. disipadores.

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Potencia del Transistor: Curvas Características:
• La potencia máxima que puede disipar un • Son las representaciones gráficas de las
transistor se puede representar en unos ejes de relaciones entre las corrientes y tensiones.
coordenadas, obteniendo la hipérbola de • Son representaciones gráficas de 3 variables. En
máxima disipación del dispositivo. los ejes X e Y se colocan dos de las variables, y se
dibuja una curva para cada uno de los valores de
la tercera variable.
• Esta información es muy útil para el diseñador a
la hora de elegir uno u otro transistor para un
circuito, pues permite tanto observar todas las
características del mismo, como realizar el diseño
en sí.

TRANSISTOR TRANSISTOR
Curvas Características: Curvas Características:
• Las tres variables que se elijan para representar • Como ejemplo se describen curvas características de
una curva característica permitirán tener curvas la configuración de emisor común por ser la más
de entrada o salida. utilizada en la práctica.
• Se pueden definir los siguientes tipos de gráficas: • En el caso concreto de curvas de salida en emisor
común, las variables a representar son: IC, VCE e IB
• Se representa en el eje Y la corriente de colector (IC),
en el eje X el voltaje colector-emisor (VCE), y se
dibuja una curva para cada uno de los valores de la
corriente de base (IB) que se consideren, por
ejemplo en la figura se toma el intervalo de 10 a 70
μA.

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Curvas Características: Identificación de las regiones de funcionamiento :
• A partir de estas curvas es posible determinar el • De las curvas características se deducen las
punto de trabajo del transistor, es decir, las distintas regiones de operación.
tensiones y corrientes del mismo, una vez
polarizado.

TRANSISTOR TRANSISTOR
Identificación de las regiones de funcionamiento : Identificación de las regiones de funcionamiento :
• Región de corte.-
corte.- Cuando no circula corriente por • Región de saturación.-
saturación.- En esta región se verifica
el emisor del transistor, lo cual se puede que la tensión colector-emisor es muy pequeña
aproximar como la (VCE ≤ 0,2V, zona
no circulación de próxima al eje de
corriente por el coordenadas).
colector y la base,
luego la zona
corresponde a
corriente IB=IE=IC=0.

TRANSISTOR TRANSISTOR
Identificación de las regiones de funcionamiento : Identificación de las regiones de funcionamiento :
• Región activa.-
activa.- El resto del primer cuadrante • Con respecto a la potencia tendremos la
corresponde a la región activa. siguiente gráfica.

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TRANSISTOR TRANSISTOR
Polarización : Polarización :
• Polarizar un transistor implica conseguir que las • Se quiere polarizar un transistor bipolar en zona activa.
corrientes y tensiones continuas que aparecen en el • Se ha de conseguir que sus tensiones y corrientes cumplan
mismo queden fijada a unos valores previamente las condiciones de estar en activa: VBE = 0,7V, VCE > 0,2V.
decididos. • Una primera opción sería
• Es posible polarizar el transistor en zona activa, en usar el siguiente circuito:
saturación o en corte, cambiando las tensiones y • Podemos ver cómo
componentes del circuito. conseguimos polarizar
• Dependiendo la aplicación el transistor formará la unión base-emisor
parte de distintos circuitos, cada uno de ellos mediante una resistencia (R) conectada a alimentación.
polarizado de una determinada forma. • Por la base del transistor circulará una corriente igual a
• Analizaremos la polarización mediante la utilización (VCC-VBE)/R, y en colector-emisor tendremos VCE = VCC >
de una red de resistencias. VCEsat.

TRANSISTOR TRANSISTOR
Polarización : Polarización :
• Este primer circuito tiene como inconveniente por • Vemos que en este caso la tensión colector-emisor
un lado que el transistor nunca se podría polarizar depende directamente de la corriente de base
en saturación, pues no se puede conseguir que (VCE=VCC-βIBRC), y dicha corriente se fija actuando
VCE=0,2V siendo VBE=0,7V; y por otro lado la excesiva
disipación. sobre la resistencia de base (IB=(VCC-VBE)/RB).
• Un circuito un poco • Para polarizar el
más complejo, y con transistor en cada
el que se puede una de las regiones
conseguir polarizar se pueden emplear las
al transistor en las tres regiones de funcionamiento dos ecuaciones mencionadas y aplicar las
es el de la figura mostrada. restricciones de cada región.

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Polarización : Modelo Hibrido:
• Cuando se pretende que la polarización sea • Durante el análisis de amplificadores
estable (es decir, que no varíe con factores transistorizados existen parámetros que no
externos), se usan redes de polarización más pueden determinarse con el uso del símbolo
complejas, que fijan la circuital del transistor.
tensión en base, como • Es necesario el uso de modelos circuitales para el
por ejemplo la que dispositivo.
aparece en la figura. • Un modelo circuital es la combinación de
elementos circuitales que permiten describir el
Ejemplo de Polarización comportamiento real de un dispositivo bajo
ciertas condiciones de operación.

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Modelo Hibrido: Modelo Hibrido:
• El modelo híbrido o equivalente híbrido del
• Existen varios modelos para el transistor BJT, transistor es un modelo circuital que combina
entre ellos: impedancias y admitancias para describir al
– Modelo re dispositivo, de allí el nombre de híbrido.
– Modelo híbrido • La sustitución del símbolo del BJT por su modelo
– Modelo Ebers-Moll, entre otros. híbrido se lo hace durante el análisis en C.A.
• De estos modelos el más utilizado es el modelo
híbrido puesto que considera casi todas las
características del dispositivo.

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Modelo Hibrido: Modelo Hibrido:
• Con esto se obtiene ciertos valores de interés • De la figura se puede observar que el transistor
como son: se lo puede representar mediante una red de
– La ganancia de voltaje (Av), dos puertos, uno de entrada y uno de salida.
– Ganancia de corriente (Ai),
– Impedancia de entrada (Zi) y
– La impedancia de salida (Zo).
• Estos valores dependen de la frecuencia y el
símbolo circuital por si solo no considera este
• El siguiente juego de ecuaciones, representa
aspecto, de allí la utilidad del modelo híbrido
matemáticamente:
quien si lo considera.

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Modelo Hibrido: Modelo Hibrido:
• h11: Impedancia de entrada con la salida en
• Relacionando los dos gráficos y sistemas de cortocircuito. Dimensiones de resistencia.
ecuaciones tenemos: • h12: Ganancia inversa de tensión con la entrada en
circuito abierto. Adimensional
• h21: Ganancia de corriente con la salida en
cortocircuito. Adimensional
• h22: Admitancia de salida con la entrada en circuito
abierto. Dimensiones de conductancia (Ω-1).
• En el caso particular de que se trate de un transistor,
• Y las ecuaciones de relacionan así: se añadirá un segundo subíndice (e, b, c) indicativo
del tipo de configuración según sea emisor, base o
colector común respectivamente. Así, por ejemplo
– hie = impedancia de entrada en emisor común
– hfb = ganancia de corriente en base común

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Modelo Hibrido: Modelo Hibrido:
• Los valores de los parámetros h, son para un caso • Analizando las ecuaciones tenemos:
concreto, sin embargo, son muy similares a los
• valores típicos que se pueden considerar para los
transistores BJT en general.
• En la siguiente tabla se muestran los valores • Parámetro híbrido se mide en Ω y se conoce
típicos de los parámetros según la configuración: como impedancia de entrada con salida en corto
y en BJT en configuración emisor común recibe el
nombre de hie .

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Modelo Hibrido: Modelo Hibrido:
• En la segunda ecuación tenemos: •

• Este es un parámetro híbrido sin unidades • Este parámetro h es adimensional y se conoce


conocido como relación de transferencia directa como relación de transferencia inversa de
entre la corriente de salida y la corriente de voltajes, en el transistor BJT en configuración
entrada emisor común recibe el nombre de hre.
• En configuración emisor común recibe el nombre
de hfe.

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Modelo Hibrido: Modelo Hibrido:
• En la segunda ecuación tenemos: • Las ecuaciones 1 y 2 se reescriben y quedan así:

• El cual es un parámetro híbrido medido en ° y se • Cada ecuación puede representarse


conoce como admitancia de salida con entrada circuitalmente y la unión de los circuitos
en circuito abierto, en el transistor BJT en resultantes corresponde al equivalente o modelo
configuración emisor común recibe el nombre de híbrido.
hoe. • Una ecuación se representa a través de circuito
en serie (malla), mientras que la otra ecuación se
• representa a través de un circuito en paralelo, tal
como muestra la figura.

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Modelo Hibrido: Modelo Hibrido:
• Circuito: • La unión de los dos circuitos en la siguiente figura
se hace tomando en cuenta que:

• El valor de β medido en C.C. es aproximado al


valor de hfe el cual es un parámetro híbrido
medido en C.A., así que: hfe ≅ β con lo que
ahora:

TRANSISTOR TRANSISTOR
Modelo Hibrido: Modelo Hibrido:
• Los valores de hoe y hre son tan pequeños que • En hoe, iC<<VCE por lo que hoe resulta en una
pueden despreciarse originando un modelo admitancia cero hoe≈0 y una admitancia nula es
híbrido simplificado, así: equivalente a una resistencia infinita; por esta
razón en el modelo híbrido simplificado no
aparece hoe.

• El valor de VBE en hre es muy pequeño


comparado con VCE, por lo que hre≈0. Este hecho
anula la fuente de voltaje dependiente hreVCE
del modelo híbrido.

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