VCC
R3 RC2
vo
Q2
CB2
R2
vi Q1
RS C1
CE
R1 RE
VEE
In genere le correnti di base dei due transistori si possono trascurare in quanto quelle che attraversano le resistenze
R1 , R2 ed R3 sono molto maggiori.
Dal partitore d’ingresso si calcolano le tensioni alle basi dei transistori come mostrato nelle (5.1) e (5.2).
V-1
Amplificatori a due transistori in tecnologia bipolare
R1 R 2 + R3 (5.1)
V B1 = VCC + V EE
R1 + R 2 + R3 R1 + R 2 + R3
R1 + R2 R3
VB2 = VCC + V EE (5.2)
R1 + R2 + R3 R1 + R 2 + R3
Supponendo che Q1 lavori in zona attiva diretta ( VB1 > 0,7V e V BC1 < 0 ) si possono scrivere le seguenti relazioni:
I C1 = I E 2 (5.7)
si avrà:
IC2 = α F I E2 (5.8)
VO = VCC − I C 2 RC 2 (5.9)
I modelli semplificati, a media frequenza e per piccoli segnali, sono rispettivamente quelli di fig. 5.2 e in fig. 5.3.
RC2
vo
Q2
RS
vi Q1
V-2
Amplificatori a due transistori in tecnologia bipolare
RC2
RS A
+
rπ1 gm1 vbe1 rC1
Vi -
Come si evince dalle figure, è stato ipotizzato R1 || R2 >> R S . La resistenza di ingresso del circuito è evidentemente:
ri = rπ 1 (5.11)
Per calcolare la resistenza d’uscita si osserva che sul terminale di emettitore di Q2 si vede la resistenza di uscita di un
emettitore comune: la rc1 . Quindi il problema si sposta nel calcolo della ro di un base comune con resistenza equivalente in
emettitore pari a rc1 >> rc 2 ; per quanto detto circa il base comune, in questa situazione si ha:
ro = β 2 ⋅ rc 2 = β ⋅ rc (5.12)
β1 = β 2 = β (5.13)
rc1 = rc 2 = rc (5.14)
La resistenza d’uscita di un amplificatore cascode è dunque β volte maggiore di uno stadio emettitore comune.
L’elevata impedenza d’uscita è utile per realizzare elevati guadagni di tensione qualora si usino carichi attivi. Essendo il
nodo A un punto a bassa impedenza (perché vede la resistenza di ingresso di un base comune), per evitare errori si
considera il guadagno in corrente.
rπ 1
vb1 = vi (5.15)
rπ 1 + RS
ic1 = g m1vb1 (5.16)
rc1
ie 2 = ic1 (5.17)
rc1 + re 2
rc 2 + RC 2
re 2 = (5.18)
1 + g m 2 rc 2
io = αie 2 (5.19)
vo = − RC 2 io (5.20)
V-3
Amplificatori a due transistori in tecnologia bipolare
si ha:
vo rc1 rπ 1
= −αg m1 RC 2 (5.21)
vi rc1 + re 2 rπ 1 + RS
1
re 2 ≅ << rc1 (5.22)
g m2
quindi:
rc1
≅1 (5.23)
rc1 + re 2
Se inoltre:
rπ 1 >> RS (5.24)
è:
vo
= −αg m1 RC 2 ≅ − g m RC 2 (5.25)
vi
B
Q1
Q2
I C1 = β F 1 I B1 (5.26)
I B 2 = I E 1 ≅ I C1 (5.27)
I C 2 = β F 2 I B 2 ≅ β F 2 I C1 (5.28)
V-4
Amplificatori a due transistori in tecnologia bipolare
I C ≅ I c1 + I c 2 = (1 + β F 2 ) I C1 ≅ β F 2 I C1 = β F 1β F 2 I B (5.29)
Lo stadio Darlington permette quindi di ottenere elevati correnti di collettore a partire da basse correnti di base.
ib
B C
ri βeqib ro
Calcolati ri , g meq ed ro il circuito di fig. 5.5 sostituisce in pieno il dispositivo composito semplificando così l’analisi
per piccolo segnale. Si calcola subito la resistenza di ingresso:
VT V
ri = rπ 1 + (1 + β 1 )rπ 2 ≅ β 1 + β1 β 2 T (5.30)
I C1 IC2
VT VT V
ri = β1 + β1 β 2 ≅ 2 β1 T (5.31)
I C1 β F 2 I c1 I c1
A parità di corrente di lavoro I C , lo stadio Darlington, presenta una resistenza di ingresso 2 β volte più grande
rispetto allo stadio ad emettitore comune.
La resistenza di uscita è il parallelo delle resistenze viste ai collettori di Q1 e Q2 e cioè, rispettivamente, ro1 ed ro 2 ,
quindi:
ro = ro1 || ro 2 (5.32)
dove:
Essendo poi:
rc1 = β ⋅ rc 2 (5.33a)
rπ 1 = β ⋅ rπ 2 (5.33b)
g m 2 = β ⋅ g m1 (5.33c)
V-5
Amplificatori a due transistori in tecnologia bipolare
ro = rc 2 (5.34)
allora:
io
= β1 (1 + β 2 ) ≅ β1 β 2 (5.36)
ii
1 V VT V 1
rπ 2 = β 2 = β2 T = β2 ≅ T = (5.37)
g m2 IC2 β F 2 I C1 I C1 g m1
Poiché la resistenza di emettitore di Q1 é rπ 2 per la legge che caratterizza l’inseguitore di emettitore si ha:
rπ 2 1 1
vb 2 = vb1 ≅ vb1 ≅ vb
1 2 2 (5.38)
+ rπ 2
g m1
Essendo:
io = g m 2 v b 2 (5.39a)
risulta:
io g m 2 vb 2 g m 2
gm = ≅ = (5.39)
vb 2v b 2 2
Quindi il Darlington, rispetto alla configurazione ad emettitore comune, ha un guadagno di corrente un centinaio di
volte più elevato, una transconduttanza simile, ma degli svantaggi da sottolineare:
una risposta in frequenza limitata poiché la base di Q2 non é più un punto a bassa impedenza perché rπ = β VT I C1 e
I C1 é una corrente piccola rispetto alla corrente di lavoro.
un rumore maggiore a parità di corrente di polarizzazione, dovuto al fatto che Q1 lavora con correnti piccole.
V-6
Amplificatori a due transistori in tecnologia bipolare
VCC
RC1 RC1
vo1 vo2
vi1 Q1 Q2 vi2
REE IEE
VEE
Si ipotizzano i due transistori in regione attiva diretta, allora i legami tra le correnti di collettore e le tensioni base-
emettitore sono espressi da:
VBE 1
I C1 = α F 1 I ES 1e VT (5.40)
V BE 2
I C 2 = α F 2 I ES 2 e VT (5.41)
Dal circuito si evince facilmente che V BE1 = V BE 2 = V BE . Come si vedrà più avanti, il circuito è costruito in perfetta
simmetria nel senso che si tenta di garantire il miglior matching possibile con opportuni accorgimenti ad esempio:
RC1 = RC 2 = RC (5.42)
α F1 = α F2 = α F (5.43)
AE1 = AE 2 = AE (5.44)
J ES 1 = J ES 2 = J ES (5.45)
Ricordando che:
I ES = AES J ES (5.46)
I C1 = I C 2 (5.47)
essendo in polarizzazione ambedue le basi dei transistori alla stessa tensione VB.
V-7
Amplificatori a due transistori in tecnologia bipolare
Si può osservare pure che le correnti di collettore oltre ad essere uguali, sono anche di valore fissato per la presenza
del generatore ideale; infatti:
I EE
I E1 = I E 2 = (5.48)
2
α F I EE
I C1 = I C 2 = I C = (5.49)
2
VO1 = VO 2 = VCC − RC I C (5.50)
Si vede dunque che le correnti di polarizzazione e le tensioni di uscita dello stadio differenziale sono indipendenti
dalla tensione di polarizzazione delle basi. Inoltre essendo V BE fissa:
V BE = V B − V E (5.51)
la tensione agli emettitori cresce della stessa misura della V B che può essere quindi scelta in maniera arbitraria purché si
mantengano Q1 e Q2 in zona attiva.
RC1 RC2
vo1 vo2
vi1 Q1 Q2 vi2
REE
1. resistenza differenziale ( rid ): la resistenza che si vede tra i terminali di ingresso (fig. 5.8).
2. resistenza di modo comune ( ric ): rapporto tra v S ed i S nella configurazione di fig. 5.9.
+ A
iS
iS A
+
+ + -
vS vS -
-
-
Fig. 5.8 Modello per il calcolo della rid Fig. 5.9 Modello per il calcolo della ric
V-8
Amplificatori a due transistori in tecnologia bipolare
Dalla fig. 5.7, collegando il generatore v S come mostrato in fig. 5.8, si deduce che:
vs
= rid = 2rπ (5.53)
is
quindi:
rπ 12
ric = + (β + 1)R EE (5.57)
2
Ricordando che R EE è la resistenza interna di un generatore di corrente (quindi avente un valore molto alto) ric si
potrebbe approssimare come nella (5.58).
Definendo come tensione di uscita vo = vo 2 − v o1 , applicando il principio di sovrapposizione degli effetti si ha:
vo = A1vi1 + A2 vi 2 (5.59)
dove vid e vic , rispettivamente segnale di ingresso differenziale e segnale di modo comune, sono dati dalle seguenti:
V-9
Amplificatori a due transistori in tecnologia bipolare
Sostituendo si trova:
A1 − A 2
Ad = (5.63)
2
Ac = A1 + A2 (5.64)
Le motivazioni che portano a preferire l’espressione (5.60) della tensione d’uscita sono:
Ad >> Ac , ragion per cui si può esprimere la tensione di uscita come funzione della sola differenza dei segnali di
ingresso: vo ≅ Ad vid ;
Si può mettere in evidenza un rapporto molto importante, il CMRR (Rapporto di Reiezione di Modo Comune) definito
come:
Ad
CMRR = (5.64)
Ac
Un elevato valore del CMRR indica non solo una buona amplificazione dei segnali differenziali a scapito di quelli di
modo comune, ma garantisce anche una migliore linearità del circuito ed una riduzione della reiezione del circuito ai
disturbi dell’alimentazione.
vi
vi1 = − vi 2 = (5.65)
2
vo
Ad = (5.66)
vi
Dalla (5.65), sfruttando la simmetria del circuito, ne risulterà che ie1 = −ie 2 di modo tale che la corrente che scorre
attraverso la R EE è nulla ed il nodo di emettitore risulta un punto di massa.
Il circuito diventerà allora quello di fig. 5.10.
RC1 RC2
vo1 vo2
Q1 Q2
+ +
vi /2 −
- vi /2
−
V - 10
Amplificatori a due transistori in tecnologia bipolare
vi
vo1 = − g m1 RC1 (5.67)
2
v
vo 2 = + g m 2 RC 2 i (5.68)
2
da cui segue:
Ad =
1
( g m1 RC1 + g m 2 RC 2 ) (5.69)
2
Si supponga di porre il segnale vi ad entrambi gli ingressi dello stadio: vi1 = v i 2 = v i così che:
vid = 0 (5.71)
vic = vi (5.72)
Ac = v o vi (5.73)
Per ottenere una semplificazione del circuito si può vedere la resistenza R EE come il parallelo di due resistenze di
valore doppio (fig. 5.11); di conseguenza, poiché non passa alcuna corrente tra i nodi A e B (gli emettitori sono allo stesso
potenziale) le due parti del circuito si possono considerare separate. Nell’ipotesi 2 R EE >> 1 g m Q1 e Q2 si comportano da
inseguitori e quindi le rispettive tensioni di emettitore possono essere considerate pari a vi , per cui:
vi
ie1 = (5.74)
2 REE
Ne segue che:
vi
ic 1 = α 1 (5.75)
2 R EE
così:
RC1
vo1 = −α1 vi (5.76)
2 REE
R
vo 2 = −α 2 C 2 vi (5.77)
2 REE
ed ancora:
v o v o 2 − v o1
Ac = = =
1
(α 1 RC1 − α 2 RC 2 ) (5.78)
vi vi 2 R EE
V - 11
Amplificatori a due transistori in tecnologia bipolare
Con le ipotesi fatte finora, essendo α 1 RC1 ≈ α 2 RC 2 , sarà Ac ≅ 0 . In realtà per avere Ac = 0 bisognerebbe avere un
perfetto matching tra transistori e resistori.
vi Q1 Q2 vi vi Q1 Q2 vi
A B
Problema dell’Offset
Il problema dell’offset è legato al fatto che in realtà è impossibile realizzare componenti elettronici perfettamente
identici. Per quanto riguarda le resistenze di collettore, pur volendo ottenere RC1 = RC 2 , a causa dei processi di costruzione
si avrà inevitabilmente RC1 = RC 2 + ∆RC , raggiungendo così una tolleranza percentuale espressa da (∆RC RC ) ∗ 100 .
Facendo delle RC molto piccole si può ottenere una tolleranza relativa dell’1 o 2 %. Per quanto riguarda invece le correnti
di polarizzazione si ha (ponendo I C1 = I C ) I C 2 = I C + ∆I C , incorrendo perciò in una tolleranza relativa pari a
(∆I C I C ) ∗ 100 , da valutare differenziando l’equazione:
VBE
I C = α F I ES e VT (5.79)
Si ottiene infine:
∆I C ∆α F ∆AE ∆J ES
= + + (5.80)
IC αF AE J ES
1% per le α F
2% per le AE
3% per le J FS
Lo scopo dell’analisi è capire come queste tolleranze influenzano l’offset, definito come quella tensione continua
differenziale da porre in ingresso per rendere l’uscita nulla (in assenza di segnale). Il circuito a cui fare riferimento è quello
di fig. 5.12. La tensione continua di uscita è:
gm
Vo = Vo 2 − Vo1 = Vcc − Rc 2 I c 2 − Vcc + Rc1 I c1 + (Rc1 + Rc 2 )Vos (5.81)
2
che è stata ottenuta usando il principio di sovrapposizione degli effetti; infatti, ponendo inizialmente a zero la VOS si
ottiene una tensione di uscita pari a VCC − RC 2 I C 2 − (VCC − RC1 I C1 ) mentre, ponendo a zero le tensioni di polarizzazione e
trattando la VOS come piccolo segnale (con la solita ipotesi g m1 = g m 2 = g m ) si ottiene una uscita pari a g m ( RC1 + RC 2 ) .
2
V - 12
Amplificatori a due transistori in tecnologia bipolare
VCC
RC1 RC2
Vo1 Vo2
Q1 Q2
+
VOS -
IEE
VEE
Per definizione, la tensione di offset si ottiene ricavando VOS dalla (5.81) ponendo VO = 0 , ottenendo quindi:
RC1 I C1 − RC 2 I C 2
VOS = − (5.82)
g m RC
RC1 + RC 2 ≅ 2 RC (5.83)
RC1 = RC (5.84a)
RC 2 = RC + ∆RC (5.84b)
I C1 = I C (5.85a)
I C 2 = I C + ∆I C (5.85b)
∆R ∆α F ∆AE ∆J ES
VOS = VT C + + + (5.86)
RC αF AE J ES
che, con le tolleranze tipiche, a temperatura ambiente, sarà dell’ordine di 1.75 mV.
V - 13