Materiales piezoelctricos

N 3, 2010

Editorial
En este nuevo nmero del boletn de vigilancia sobre materiales inteligentes se trata el tema de los materiales piezoelctricos, por su gran aplicabilidad y extensin desde su descubrimiento. El efecto piezoelctrico describe la relacin entre una tensin mecnica y un voltaje elctrico en slidos. Es la capacidad de ciertos materiales minerales, cermicas y algunos polmeros- para producir una carga elctrica en respuesta a un esfuerzo mecnico aplicado. Tambin puede observarse el efecto inverso, en el que los materiales piezoelctricos se deforman por la aplicacin de un campo elctrico. A continuacin se muestra esquemticamente el efecto piezoelctrico:

Sumario
Editorial Palabras clave Visin actual Publicaciones Patentes Proyectos en curso Noticias Eventos 1 2 3 3 6 9 10 12

En el efecto piezoelctrico directo, la compresin y la expansin de un material genera cargas elctricas opuestas sobre las caras respectivas de la muestra. En el efecto piezoelctrico inverso, la aplicacin de un voltaje a un material piezoelctrico produce una cierta deformacin. Este efecto es conocido desde hace ms de un siglo y se lleva usando desde hace dcadas en aplicaciones tan cotidianas como calentadores, cocinas, mecheros (al pulsar el botn, lo que hacemos es deformar un material piezoelctrico hasta el punto que genera una chispa debido a la diferencia de potencial elctrico).

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La piezoelectricidad fue descubierta en 1880 por Jacques y Pierre Curie. Los hermanos Curie descubrieron que cuando se aplicaba una tensin a ciertos cristales como la turmalina, el cuarzo, el topacio y la sal Rochelle, apareca una carga elctrica, y su voltaje era proporcional a la tensin. De los materiales mencionados, solo el cuarzo se utiliza hoy en da comercialmente. Todos los dems cristales piezoelctricos importantes desde el punto de vista prctico se obtienen de forma artificial. Si bien los materiales piezoelctricos monocristalinos se siguen desarrollando, los materiales piezoelctricos ms utilizados son los materiales cermicos policristalinos y los polmeros. Estos materiales presentan carcter piezoelctrico despus de haber sido sometidos a una polarizacin artificial. La cermica piezoelctrica ms empleada se denomina titanato zirconato de plomo (PZT). Su composicin qumica es Pbx (TiZr)1-xO3. Una de las composiciones comercialmente ms tpicas contiene aproximadamente el 47% de PbTiO3 y el 53% de PbZrO3. El polmero piezoelctrico ms desarrollado es el poli (fluoruro de vinilideno) (PVDF). Los materiales piezocermicos tienen la propiedad de ser rgidos y dctiles, por lo que son buenos candidatos para emplearlos como actuadores, debido a su gran mdulo de elasticidad, lo cual facilita el acoplamiento mecnico con la estructura. En cambio, los piezopolmeros estn mejor preparados para actuar como sensores porque aaden una rigidez mnima a la estructura dada su flexibilidad y adems son de fcil elaboracin. La forma ms habitual de emplearlos es como sensores de contacto y transductores acsticos en forma de lmina delgada. Los materiales piezoelctricos han sido embebidos en materiales compuestos en aplicaciones como la amortiguacin de vibraciones o la deteccin de impactos (como en los airbags, donde el material detecta la intensidad del choque y enva una seal elctrica que activa el airbag). Un ejemplo interesante es el de los sensores piezoelctricos de distribucin constante como es el caso de las pinturas piezoelctricas o inteligentes. Este tipo de pintura puede prepararse utilizando polvo cermico a base de titanato zirconato de plomo como pigmento y con resina epxica como aglomerante. La mezcla se aplica sobre una superficie y se cura y polariza a temperatura ambiente. La pelcula de pintura resultante acta como un sensor de vibraciones y emisiones acsticas para la superficie entera.

Palabras clave
Las palabras clave utilizadas para la elaboracin de este boletn han sido: Piezoelectric Piezoelectricity Piezoelctrico Piezoelectricidad

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Visin Actual
Publicaciones
Para ver la evolucin que ha tenido el estudio de los materiales piezoelctricos en los ltimos aos, se han seleccionado los datos correspondientes a la publicacin de artculos y publicaciones de conferencias entre el ao 1980 y 2009. Para la realizacin de las bsquedas se ha utilizado la base de datos de la Web of Knowledge. A continuacin se presenta un grfico con los resultados obtenidos.

Fuente: Elaboracin propia, con datos de la Web of Knowledge

Como resultado de la bsqueda se han obtenido un total de 40.000 artculos. Podemos observar que aunque este tipo de materiales fueron descubiertos en el ao 1880, cien aos despus aun no haban tenido un gran desarrollo. Es en el ao 1991 cuando se observa un incremento en el estudio de estos materiales, tal y como ocurre tambin en otros materiales inteligentes como los materiales con memoria de forma. Haciendo una bsqueda desde el ao 2005 hasta la actualidad, para obtener datos ms recientes y las ltimas investigaciones realizadas en este mbito, se han obtenido un total de 19.662 publicaciones, siendo las instituciones que poseen un mayor nmero de publicaciones las que se detallan a continuacin:

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POSICIN 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25

INSTITUCIN CHINESE ACAD SCI PENN STATE UNIV TSINGHUA UNIV HONG KONG POLYTECH UNIV HARBIN INST TECHNOL INDIAN INST TECHNOL TOKYO INST TECHNOL NANYANG TECHNOL UNIV NATL TAIWAN UNIV GEORGIA INST TECHNOL TOHOKU UNIV NATL CHENG KUNG UNIV NATL INST ADV IND SCI & TECHNOL RUSSIAN ACAD SCI ZHEJIANG UNIV UNIV TOKYO SHANGHAI JIAO TONG UNIV UNIV NEBRASKA HUAZHONG UNIV SCI & TECHNOL HUNAN UNIV NATL UNIV SINGAPORE CNRS CSIC SEOUL NATL UNIV SICHUAN UNIV

N ARTCULOS 465 348 345 272 253 223 198 192 192 181 164 160 151 147 139 138 135 129 126 121 117 116 115 115 114

Como se puede observar, en los primeros puestos se encuentran instituciones Chinas, a excepcin de la Penn State University de Estados Unidos que ocupa el segundo puesto. De estas veinticinco instituciones solo una tiene nacionalidad espaola, el CSIC, que se encuentra en el puesto 23. Para analizar ms profundamente cules son los pases que ms estn investigando desde el ao 2005 en este campo se ha realizado el siguiente grfico, que corresponde al porcentaje de publicaciones por pases:

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Fuente: elaboracin propia, con datos de la Web of Knowledge

Segn los datos obtenidos, Estados Unidos es el pas que en los ltimos 5 aos est publicando e investigando ms en este tema, seguido de China y Japn, Espaa representara casi el 2% mundial. Por ltimo, en el apartado de artculos, cabe destacar aquellos de ms relevancia. Para determinarlo se ha establecido el criterio de importancia mediante el nmero de citaciones producidas en otros documentos. De esta manera, se ha conseguido la lista de los siguientes cinco artculos:
Ttulo A comprehensive review of ZnO materials and devices Revival of the magnetoelectric effect Autor Ozgur U, Alivov YI, Liu C, et al. Fiebig M Fuente Journal of applied physics Journal of physics d-applied physics Vol. 98 N 4 Pg. Fecha pub. Ago 2005

38

R123R152

Abr 2006

Multiferroic and magnetoelectric materials

Eerenstein W, Mathur ND, Scott JF Wang ZL, Song JH

Nature

442

7104

759765

Ago 2006

Piezoelectric nanogenerators based on zinc oxide nanowire arrays Direct-current nanogenerator driven by ultrasonic waves

Science

312

5771

242246

Abr 2006

Wang XD, Song JH, Liu J, et al.

Science

316

5821

102105

Abr 2007

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A continuacin se detallan algunos de los libros ms recientes dedicados a los materiales piezoelctricos:
Ttulo Piezoelectric Actuators: Applications of Smart Materials Piezoelectricity Control Autor Seung-bok Choi; Youngmin Han Heywang, Walter; Lubitz, Karl; Wersing, Wolfram Arnau Vives, Antonio Editor CRC Pr I Llc Ao edicin 2010

Springer

2008

Piezoelectric transducers and applications

Springer

2008

Patentes
La primera aplicacin que se obtuvo a partir de un material piezoelctrico, tuvo lugar durante la Primera Guerra Mundial. En 1917, P. Langevin y otros compaeros empezaron a perfeccionar los detectores ultrasnicos submarinos. Este hecho estimul una intensa actividad en el desarrollo de todo tipo de dispositivos piezoelctricos. No obstante, los materiales disponibles en esa poca a menudo limitaban el rendimiento de los dispositivos y su explotacin comercial. Durante la Segunda Guerra Mundial, en Estados Unidos, Japn y la Unin Sovitica, grupos de trabajo aislados dedicados a investigar la mejora de los materiales condensadores, descubrieron que ciertos materiales cermicos (preparados por sinterizado de polvos de xido metlico) mostraban constantes dielctricas hasta 100 veces mayores que los cristales comunes. Adems, esta misma clase de materiales (llamados ferroelctricos) fueron producidos de forma que mejoraron sus propiedades piezoelctricas. El descubrimiento de la facilidad de fabricacin de las cermicas piezoelctricas con caractersticas de rendimiento asombrosas, provocaron el resurgimiento de la investigacin y el desarrollo de los dispositivos piezoelctricos. El desarrollo de los materiales y dispositivos piezoelctricos se extendi por todo el mundo, pero fue claramente dominado por los grupos industriales de los EE.UU, que se aseguraron el liderazgo mediante el registro de patentes muy fuertes. Cabe sealar que durante este resurgimiento, especialmente en los EE.UU., el desarrollo de materiales y dispositivos se llev a cabo bajo una poltica de elevado secretismo. En contraste con el secreto poltico practicado entre los fabricantes de Estados Unidos, varias compaas y universidades japonesas formaron en 1951 una asociacin llamada Barium Titanate Application Research Committe. Esta asociacin estableci un precedente de organizacin para superar con xito no slo desafos tcnicos y obstculos de fabricacin, sino tambin la definicin de nuevas reas de negocio para este tipo de materiales. A partir de 1965, las empresas japonesas comenzaron a obtener los primeros beneficios del constante trabajo de desarrollo de nuevos materiales y aplicaciones iniciado en 1951. Desde una perspectiva internacional, Japn pas a liderar este campo, desarrollando nuevo conocimiento, nuevas aplicaciones, nuevos procesos y nuevas reas de negocio.

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El xito comercial de los esfuerzos japoneses atrajo la atencin de la industria en muchas otras naciones y estimul un nuevo esfuerzo para desarrollar con xito productos piezocermicos. Este hecho se demuestra con el gran aumento del nmero de patentes registradas en las ltimas dcadas, tal y como se muestra en el grfico de evolucin. Otra evidencia de la gran actividad que se desarrolla alrededor de los materiales y dispositivos piezoelctricos es el gran nmero de artculos publicados en los ltimos aos. Pases como China, Rusia o la India han experimentado un elevado crecimiento en cuanto a publicaciones en los ltimos aos. A juzgar por el incremento de la actividad mundial, y por los xitos hallados en el ltimo cuarto del siglo XX y la primera dcada del siglo XXI, la bsqueda de nuevas oportunidades an est en proceso. A continuacin se muestra la evolucin producida durante las ltimas dos dcadas en la publicacin de patentes. La estrategia de bsqueda utilizada para la realizacin de este apartado ha sido mediante la palabra clave "piezoelectric*". Se han obtenido un total de 116.694 patentes publicadas desde el ao 1980 hasta la fecha actual. El siguiente grfico muestra dicha evolucin:

Fuente: elaboracin propia, con datos de la Web of Knowledge

Este grfico muestra una tendencia positiva a lo largo de las ltimas dcadas tal y como ya se ha comentado anteriormente.

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A continuacin se muestra el ranking de los pases en que estas patentes tienen efecto:
POSICIN 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 PAS NPATENTES

JAPN ESTADOS UNIDOS SOLICITUD EUROPEA (EP) CHINA SOLICITUD PCT COREA DEL SUR ALEMANIA CANAD GRAN BRETAA FRANCIA UNIN SOVITICA RUSIA ESPAA TAIWAN AUSTRALIA

52824 21373 11615 7278 6669 4610 2700 1764 1671 1129 896 877 706 616 498

A continuacin se detallan los solicitantes ms prolficos en cuanto a registro de patentes, desde el ao 2006 hasta la fecha actual:
POSICIN 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 SOLICITANTE N PATENTES

SEIKO EPSON CORP MURATA MANUFACTURING CO EPSON TOYOCOM CORP BROTHER IND LTD KYOCERA CORP MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD SAMSUNG ELECTRONICS BOSH GMBH ROBERT NGK INSULATORS LTD CANON KK FUJI PHOTO FILM CO LTD TDK CORP SIEMENS AG FUJITSU LTD DENSO CORP KYOCERA KINSEKI CORP NIHON DEMPA KOGYO CO

2438 1002 824 674 637 619 615 611 539 494 487 392 370 355 351 320 278

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18 19 20 21 22 23 24 25

PANASONIC CORP FUJI XEROX CO LTD NEC TOKIN CORP SHARAPOV VALERII MYKHAILOVYCH SONY CORP TOSHIBA CORP DELPHI TECH INC EPCOS AG

254 221 212 202 183 180 159 122

Como se puede comprobar la mayora de empresas que figuran en este listado son japonesas.

A continuacin se ha realizado un listado de las ltimas patentes publicadas relacionadas con el tema:
NPUBLICACIN SOLICITANTE PAS ORGEN FINLANDIA CONTENIDO TCNICO

KR20100096225

NOKIA CORP

Dispositivo con un lente y un elemento piezoelctrico configurado para doblarse en respuesta a la aplicacin de un voltage. Actuador piezoelctrico, dispositivo de guia, dispositivo de posicionamiento y mdulo lser. Mtodo de fabricacin de piezoelctrico con froma de bola. un sensor

KR20100097112

KONICA MINOLTA OPTO INC KYUNGWON FERRITE IND CO LTD

JAPN

KR100984159

COREA

Proyectos en curso High temperature sensors

El objetivo del proyecto es investigar el efecto del dopaje en cermicas en fase Antivillius con propiedades ferroelctricas, piezoelctricas, dielctricas, punto Curie, conductividad elctrica, envejecimiento. Fecha inicio / fecha final: 09-10-2009 / 08-10-2010 Entidad financiadora: Comisin Europea. FP7. Coordinacin: Queen Mary and Westfield College, University of London
http://www.qmul.ac.uk

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New micro-robotic systems featuring piezoelectric adaptive microstructures for sensing and actuating, with associated embedded control
El proyecto se enfoca en una de las aplicaciones ms prometedoras de los sistemas adaptativos piezoelctricos: sistemas microrobticos y microensamblajes para componentes micromtricos. Fecha inicio / fecha final: 03-07-2008 / 02-07-2010 Entidad financiadora / Programa: Comisin Europea. FP7. Coordinacin: Universite de Franche-Comte
http://www.univ-fcomte.fr

Noticias
Carreteras que generan energa
Septiembre 2010

En Israel, ingenieros del centro tecnolgico Innowattech han creado un nuevo tipo de material para carreteras, basado en unos cristales piezoelctricos, para aprovechar la energa cintica del paso de los vehculos. El material puede extenderse por todo tipo de superficies de trnsito con un grosor muy fino. Sus responsables calculan que puede generar unos 400 kW por kilmetro. http://www.ptcarretera.es/carreteras_que_generan_energia.html

Desarrollan una tecnologa para cargar el mvil solo con la energa del cuerpo humano
Marzo 2009

Cientficos del Instituto de Tecnologa de Georgia, encabezados por el profesor Zhong Li Wang, han logrado captar la energa del entorno convirtiendo en electricidad vibraciones de baja frecuencia como los movimientos del cuerpo, del latido del corazn o del viento. Para ello utilizan nanocables piezoelctricos de xido de zinc cuyo dimetro es una vigsimoquinta parte del de un cabello humano. Segn Wang, la ventaja de esta tecnologa es que los nanocables pueden fijarse con facilidad a muchos tipos de superficies, por lo que los nanogeneradores funcionan igualmente en el aire o en un medio lquido si su envoltorio es el adecuado. Tambin pueden colocarse sobre metales, polmeros, la ropa e incluso en tiendas de campaa. Los nanogeneradores tendrn mltiples aplicaciones en los campos de la defensa, el medioambiente, la biomedicina y la electrnica en general, aadi Wang.

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De momento, el principal desafo es aumentar su voltaje. Segn el profesor, una vez puedan aumentar su voltaje de 0,5 a 1 voltios habr importantes aplicaciones en muchos campos. El cientfico dijo que espera que de aqu a cinco aos se pueda utilizar este sistema para hacer funcionar un reproductor mp3, un pequeo ordenador porttil o un telfono mvil. http://www.madrimasd.org/informacionIDI/noticias/noticia.asp?id=38767

Nuevas tcnicas en ciruga odontolgica

Julio 2009

La atrofia sea severa con la consiguiente neumatizacin progresiva del seno maxilar puede hacer difcil la insercin de implantes dentales en ciertos pacientes. En este grupo de pacientes anatmicamente comprometidos, la colocacin de los implantes dentales en una posicin ideal puede verse dificultada por una altura, una anchura y una calidad no adecuada del hueso maxilar. La osteotoma Le Fort I con interposicin de injerto seo se ha demostrado como un concepto excelente para la rehabilitacin dental de pacientes que precisan tcnicas de ciruga preprotsica avanzada. El grupo de investigacin de Mario Muoz Guerra, del Hospital Universitario La Princesa (UAM), ha ideado una tcnica novedosa que incide en el aspecto trascendente de la preservacin de la integridad del seno maxilar y de la mucosa del suelo de las fosas nasales, realizando una modificacin de los procedimientos previamente descritos e incidiendo en la utilidad del dispositivo piezoelctrico (aparato que gracias a oscilaciones ultrasnicas tridimensionales controladas permite un corte selectivo y muy preciso, cortando exclusivamente tejido seo y evitando el tejido blando) y de los rascadores de hueso. La tcnica, publicada en Journal of Oral and Maxillofacial Surgery, se realiza en un solo tiempo quirrgico e incluye la colocacin simultnea de los bloques de hueso y de los implantes de titanio. Las ventajas fundamentales de esta modificacin incluyen: 1/ Proporciona una ganancia adecuada de la cantidad de hueso maxilar. 2/ Permite la colocacin de implantes dentales en la posicin ms apropiada. 3/ Mejora la discrepancia entre maxilar y mandbula tpica del paciente con atrofia sea. 4/ Minimiza la incidencia de complicaciones infecciosas secundarias a la movilizacin de estructuras en el seno maxilar y en las fosas nasales. http://www.uam.es/ss/Satellite/es/1234886344485/1242648450432/notcientifica/notCientific/1242 648450432.htm

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Eventos
Existe una conferencia que presenta las ltimas novedades en el campo de los materiales piezoelctricos.

EVENTO PIEZO 2011: Electroceramics for End Users VI

LOCALIZACIN Sestriere, Piedmont, Italia

FECHA 28-02-2011 / 02-03-2011

Entidades que colaboran en la elaboracin del Boletn:

Fundacin OPTI

ASCAMM

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