Final Document Juan Cáceres

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DISEOEIMPLEMENTACINDEUNOSCILADORCONTROLADOPORVOLTAJEPARALABANDA
DE2A3GHz
JUANSEBASTINCCERESLPEZ
UNIVERSIDADNACIONALDECOLOMBIA
FACULTADDEINGENIERA
DEPARTAMENTODEINGENIERAELCTRICAYELECTRNICA
BOGOTD.C.
2010
2
DISEOEIMPLEMENTACINDEUNOSCILADORCONTROLADOPORVOLTAJEPARALABANDA
DE2A3GHz
ProyectodeGrado
JUANSEBASTINCCERESLPEZ
Director:
ING.JULINALBERTOHERRERAMSc.
UNIVERSIDADNACIONALDECOLOMBIA
FACULTADDEINGENIERA
DEPARTAMENTODEINGENIERAELCTRICAYELECTRNICA
GRUPODEINVESTIGACINENTELECOMUNICACIONESDELAUNIVERSIDADNACIONALDE
COLOMBIA(CMUN)
BOGOTD.C.
2010
3
AJehov,elcreadordelUniverso,
quelodiseoconunasabiduraqueinspiratemor.
(JobCap.38)
AGRADECIMIENTOS
Mis ms sinceros agradecimientos al Ingeniero Julin Alberto Herrera por su excelente gua y
apoyoeneldesarrollodeestetrabajo,quegraciasasuexperienciaydisposicinpudimosllevara
buen trmino el proyecto. Tambin a los compaeros del Grupo de Telecomunicaciones de la
UniversidadNacionaldeColombia(CMUN)porcompartirexperienciasytrabajarenequipo.
Contenido
NDICEDETABLAS...............................................................................................................................6
RESUMEN............................................................................................................................................7
OBJETIVOS...........................................................................................................................................8
INTRODUCCIN...................................................................................................................................9
1.OSCILADORDE2.45GHzCONANTENAPARCHECOMOCARGARESONANTE..............................10
1.1.Diseo............................................................................................................................11
1.2.Implementacin.............................................................................................................37
2.OSCILADORCONTROLADOPORVOLTAJEDE2.352.55GHz.......................................................42
2.1.Diseo............................................................................................................................44
2.2.Implementacin.............................................................................................................69
3.CARACTERIZACINCARGARESONANTE.......................................................................................72
4.OSCILADORCONTROLADOPORVOLTAJEDE23GHz...............................................................111
4.1.Diseo..........................................................................................................................111
4.2.Implementacin...........................................................................................................132
5.CONCLUSIONES...........................................................................................................................140
6.BIBLIOGRAFA..............................................................................................................................141

NDICEDETABLAS
Tabla1.1:ListadeComponentesoscilador2.45GHz........................................................................37
Tabla1.2:Comparacinderesultadosexperimentalesconlosresultadosdelasimulacin...........38
Tabla1.3:Comparacinderesultadosexperimentalesconlosresultadosdelasimulacin...........40
Tabla2.1.ParmetrosSpicedelvaractorBB857...............................................................................54
Tabla2.2.ListadeComponentesVCO200MHzBW.........................................................................68
Tabla3.1.Listadecomponentedelacargaresonante.....................................................................76
Tabla3.2.ParmetrosSpicedelvaractorBB857...............................................................................95
Tabla3.2.ListadeComponentesCircuitodeResistenciaNegativa................................................105
Tabla4.1.ListadeComponentesdelcircuitodelafigura4.2.........................................................114
Tabla4.2.Listadecomponentesrealesdelcircuitodelafigura4.2...............................................116
Tabla4.3.ListadeComponentesdelacargaresonante.................................................................122
Tabla4.4.ListadeComponentesVCO.............................................................................................131
Tabla4.5:Comparacinderesultadosexperimentalesconlosresultadosdelasimulacin.........136
RESUMEN
En este escrito se presenta el diseo y la implementacin de un oscilador controlado por voltaje
(VCO) para la banda de 2 a 3 GHz. El circuito se implementa en tecnologa de microcintas y su
diseoserealizaasistidoporcomputador.Sedeseatenerunapotenciadesalidadealmenos10
dBm.ElVCOserusadoenelradarquedesarrollaactualmenteelProyectoREFLEXenelgrupode
investigacinCMUN.
AntesdelanzarsealdiseodelVCO, esprudenterealizardiseosmenos complicadosyasganar
experienciaqueesvaliosaparaobtenerundiseoptimo.Enestecaso,seimplementenprimer
lugarunosciladorsintonizadoa2.45GHzconunaantenaparchecomocargaresonante;luegose
pasaimplementarunVCOconunrangodevariacinenfrecuenciamuchomsmodestoqueel
delobjetivodeestetrabajo,solode200MHz(2.352.55GHz);yporltimoseimplementelVCO
paralabandade2a3GHz.
Eldiseoasistidoporcomputadorafueunaherramientapotentealahoradebuscarprecisinen
eldiseoyderesolverinconvenientesalgunosmodelosdecomponentesdelVCOqueproveenlos
fabricantes. En este caso se utilizaron los software para anlisis y diseo de circuitos de
microondasAnsoftDesigneryAWRMicrowaveOffice.
OBJETIVOS
* ImplementarunVCOentecnologademicrocintasparalabandade2a3GHz.
* Obtenerunapotenciadesalidadealmenos10dBm.
INTRODUCCIN
ElGrupodeInvestigacinenTelecomunicacionesdelaUniversidadNacionaldeColombia(CMUN)
estendesarrollodelProyectoREFLEX,queconsisteenlaconstruccindeunradar(FMCW)para
lamedicindenivelentanques.
El nivel del producto en el tanque es medido por el radar con seales transmitidas por la antena
en el tope del tanque. Despus la seal es reflejada por el producto y captada de nuevo por la
antena. Como la seal emitida es un barrido en frecuencia, el eco tiene una leve diferencia en
frecuencia con respecto a la onda emitida. La diferencia en frecuencia es proporcional a la
distancia hasta la superficie del producto. Este mtodo de calcular el nivel del producto en el
tanque se denomina FMCW (Frequency Modulated Continuous Wave). Este mtodo para medir
nivelentanquesesutilizadoampliamenteenlaindustriadondenoesprcticohacerlamedicin
consensoresqueestnencontactoconenmaterialdeltanque.
Parapoderrealizarlamedicindelniveldelproductosegenerarunbarridoenfrecuenciade2a
3GHzparalocualesnecesariodiseareimplementarunOsciladorControladoporVoltaje(VCO)
paradichabandadefrecuencias.
En este escrito se presenta el diseo y la implementacin del VCO para este proyecto, luego de
haberrevisadoelestadodelarteylaliteraturatcnicasobreeltema.
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1.OSCILADORDE2.45GHzCONANTENAPARCHECOMOCARGA
RESONANTE
Enestaseccinsemuestraendiseodeunosciladorde2.45GHzimplementadoentecnologade
microcintasquecontieneensureddecargaunaantenaparche.Eldiseodelaantenaserealiz
enAnsoftDesigneryelrestodelVCOsediseconAWRMicrowaveOffice.
Un procedimiento para el diseo de osciladores de microondas es tratar un transistor como una
reddedospuertosydisearlareddecarga(quedeterminalafrecuenciaderesonancia)ylared
determinacin(quegarantizalaoperacinenregininestable),comosemuestraenlasiguiente
figura.
Fig.1.1.Osciladordedospuertos.
La resistencia de entrada del transistor RE{Zin} es negativa. Esta provee a la carga la energa
suficiente para que la carga tenga oscilaciones sostenidas. La frecuencia de resonancia est
determinadaporlaparteimaginariadeZ
L
yZin.Esconvenientequelamagnituddelaresistencia
negativasea3vecesmayorquelaparterealdeZ
L
.
Rin R
L
= 3

X X
L
=

11
Lasoscilacionesqueocurranentreeltransistorylacarga,ocurrirnsimultneamenteenelpuerto
desalida.Setienequecumplir(Ecuacionestomadasde[1]):

Estomuestraque
I
T
I
uot
=1,yZ
T
=Z
out
.Porlotantolacondicinparalareddeterminacinpara
quehayanoscilacionessostenidassecumple.
A continuacin se presenta un procedimiento para disear un oscilador de 2.45 GHz con una
potenciadesalidademsde30dBm.
1.1.Diseo.
Polarizacin. El primer paso en el diseo, es elegir un transistor que muestre una zona inestable
en la carta de Smith. El transistor NE661M04 es un buen candidato, ya que la magnitud del
parmetroS11escercanaa1conlasiguientepolarizacindeVce=2VeIc=2mA:
Fig.1.2.Polarizacindeltransistor.
12
LaresistenciaS2,esde39K,fabricadaporPanasonic.
R
B
=39K
Antes de simular el crculo de estabilidad a la salida del transistor, es conveniente modelar los
efectosdelempaquetadoyademssimularlasconexionesenelsubstratoqueseimplementarel
diseo.
Ntesequeelnombredeltransistorqueapareceenlafigura1.2es"PakageNE661M04",quees
unsubbloquequeseleasignelsmbolodeuntransistorBJTycontieneelmodelodeltransistor
NE661M04consuempaquetado.
Fig.1.3.EsquemticodeltransistorNE661M04paramodelarlosefectosdelempaquetado.
La figura 3 fue tomada de la hoja de datos del dispositivo. Los valores que fabricante da para los
inductoresycapacitoressemuestranenlafigura1.4.
Fig.1.4.Parmetrosdelafigura3dadosporelfabricante.
El diseo se realizar sobre el sustrato de fibra de vidrio FR4, el cual tiene una constante
dielctrica
r
=4.4, un grosor de sustrato H=27.9 mil (0.70866 mm), una tangente de prdidas
de0.015yungrosordeconductorT=17m.
13
Fig.1.5.EsquemadelsustratoFR4.
34 . 4 =
r
c

mil H 9 . 27 =

m T 17 =

015 . 0 = Tand

Elcircuitodepolarizacinimplementadoconlneasdetransmisinsemuestraacontinuacin:
Fig.1.6.Circuitodepolarizacinimplementadoconlneasdetransmisin.
LosinductoresyloscapacitoresrealizanunbuendesacopleentrelacomponenteDCyRF.
Alirimplementandoeldiseoconlneasdetransmisin,sevaavanzandorpidoeneldiseodel
PCB y se evita realizar la comprobacin del diseo en la etapa final para la implementacin en el
substrato, que por lo general, implica realizar ajustes al diseo inicial que no tuvo en cuenta las
conexionesdecobre.
14
Fig.1.7.Layoutdelcircuitodelafigura1.6.
AhorasisepuedeprocederaverificarlosparmetrosSdeltransistorconlapolarizacinylos
efectosdelempaquetado.
Fig.8.ParmetrosSdeltransistor.
SeobservaquelamagnituddelparmetroS11esmenora0.5,unvalormenoralquemuestrael
fabricante, teniendo en cuenta los efectos modelados como se mostr en la figura 1.6. Para este
circuito,elcrculodeestabilidadalasalidaes:
15
Fig.1.9.Crculodeestabilidaddesalidadelcircuitodelafigura1.6.
Paranuestrocasosedeseaque
I
T
caigaenlazonainestable.Comoseapreciaenlafigura1.9,la
regindediseodelareddeterminacinesmuypequea(laregininestableeslaparteinterior
del crculo, como lo indican las lneas generadas por el software en esta zona) y un diseo
confiable es uno con el cual se tiene la seguridad de que
I
T
no entrar en la zona estable
.
Se
puedehacerqueeltransistorseamsinestableaadiendouninductor(ocomoseimplementar
ennuestrocaso,unalneadetransmisin)entreelemisorytierra.
Con una lnea de 0.3mm de ancho y 26.3 mm de largo, se obtuvo el siguiente efecto, con un
barrido en frecuencia de 2.2 a 2.6 GHz. Tambin se cambiaron los inductores y capacitores por
lneasdetransmisinparaaislarlassealesRFdelcomponenteDC,comosemuestraenlafigura
1.11.Elcondensadordelaentradaesde6.8pF.
16
Fig.1.10.CrculodeestabilidadLuegodeaadirunefectoinductivoenelemisordeltransistor.
Fig.1.11.CircuitodepolarizacinimplementadoconlneasdetransmisinparadesacopleentreDCyRF.
17
L
B
=6.8nH
C
B
=6.8pF
El procedimiento para disear la red de polarizacin y asegurarse de que las seales RF queden
bien aisladas del componente DC es bastante sencillo. Se busca que la seal RF viaje entre el
puerto1ylabasesindisiparseenlaresistenciadepolarizacin,yademssebuscaquelasealRF
de salida (tomada en el colector del transistor luego de eliminar la componente DC) no se vea
afectada por ruido de la fuente DC; para lograr estos objetivos se implementa una T de
polarizacintantoenlabasedeltransistorcomoenelcolector,paraquedeestemodolasealRF
"vea"unaresistenciaelevadaentrelabasedeltransistorylaresistenciadepolarizacin,yentreel
colectordeltransistorylafuenteDC.
Porejemplo,podemostomarunstubradial,yajustarloparaquetengaunaresistenciabajaenun
considerable intervalo de frecuencias cercanas a la frecuencia de oscilacin de nuestro circuito,
comoporejemploelquesemuestraenlafigura1.12a.luegoseleacoplaunalneadetransmisin
de/4muydelgadatransformandoasunabajaresistenciaenunamuyelevada(verfigura1.13),
quelautilizamosparaaislarelcomponenteDCdelasealRFennuestrooscilador.
El condensador en la base C
B
se elige para que sirva como un corto circuito a la frecuencia de
oscilacin, y el inductor L
B
es necesario si el oscilador tiene una frecuencia de oscilacin en bajas
frecuencias. Las medidas de la T de polarizacin, el valor de C
B
yL
B
se ajustan luego de disear la
red de salida, verificando que se tenga una cantidad de resistencia negativa suficiente en la
entrada.Esunprocesodediseoiterativo,yelcircuitomostradoenlafigura1.11fueunresultado
deunascuantasiteracioneshastaobtenerlosresultadosqueseirnmostrandoenesteinforme.
18
a.
b.
Fig.1.12.a.Stubradial.b.Z11Stubradial
a.
b.
Fig.1.13.a:TBias.b:Z11TBias.
19
Entonces ahora ya disponemos de una regin de diseo para la red de terminacin bastante
amplia,
I
T
podemossituarlaencasicualquierladodelacartadeSmith(comoseveenlafigura
1.10).EstainestabilidadsevereflejadaenlamagnituddelparmetroS11queesmayora1como
semuestraenlafigura1.14.
Fig.14.MagnitudS11luegodeaadiruninductorenelemisor.
AhoralamagnituddelparmetroS11esde1.17a2.45GHz.
El centro y el radio del crculo de estabilidad en la salida se puede calcular con las siguientes
ecuacionesqueseencuentranen[1].SilamagnituddelparmetroS11esmayora1,significaque
eltransistoresinestableylazonadeestabilidadseencuentraenelinteriordelcrculo.
Diseodelareddeterminacin.Laeleccinde
I
T
semuestraenlafigura1.15conlacondicin
desalidaadaptada.
20
Fig.1.15.
I
T
obtenidoenlaregininestable.
Estoseobtuvoconlasiguientereddeterminacin:
Fig.1.16.Reddeterminacinparaobtenerun
I
T
enlaregininestable.
El factor de Rollet (K) nos dice que intervalo de frecuencias es potencialmente inestable, siendo
menoraK<1endichointervalo.
21
Fig.1.17.FactordeRolletKdelcircuitodelafigura18.
Vemos que podemos la regin potencialmente inestable contiene la frecuencia de oscilacin que
deseamos.Estonosdicequeeldiseovaporbuencamino.
Diseodelareddecarga.Paraeldiseodelareddecargaseconoce
I
in(oZin)yseencuentra
un valor de
I
L
(o Z
L
) para cumplir con las condiciones de oscilacin mencionadas al principio. se
tieneque(comosemuestraen[1]):
Yparacumplirconoscilacionessostenidasaunafrecuenciadeterminada:
El valor de Zin se puede obtener simulando el siguiente circuito, simulando la resistencia de

entradaenelpuerto1:
22
Fig.1.18.Transistorconreddepolarizacinydeterminacin.
Fig.1.19.Zindelcircuitodelafigura18.
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Seobservaquesetieneadisposicinunos381quesuministrarnenergaalareddecarga,la
cualtendrunaresistenciatresvecesmenoralamagnituddeZinyunacomponentereactivaX
L
de
aproximadamente343quedeterminarlafrecuenciadeoscilacin.
Es importante verificar que no se vayan a presentar oscilaciones a bajas frecuencias. Es til
conocerlaresistenciade entradadelcircuitoactivoenunampliointervalodefrecuencias,desde
frecuenciasmuymenoresalafrecuenciadeoscilacin.
En la figura 1.20 se muestra la misma simulacin de la figura 1.19, pero realizada desde los 100
MHz.Seobservaquehayuncruceporcerodelaparteimaginariadelaresistenciaalos800MHz,
y esta caracterstica nos estaba generando frecuencias de oscilacin del circuito cercanas a los
1000 MHz; por esta razn en nuestro diseo se agreg el inductor L
B
,
pero la decisin de utilizar

esteinductorsetomaluegoquesesimulalafrecuenciadeoscilacin,comoseharmsadelante,
ynoenestepuntodeldiseodelcircuitoderesistencianegativa.
Fig.1.20.Zindelcircuitodelafigura18desde100MHz.
ElcondensadordesalidaeliminaelvalorDC,yesuncondensadorde6.8pF.
C
C
=6.8pF
La red de carga se implementar usando una antena parche. A continuacin se muestra el
procedimientodediseodelaantenaparcheutilizandoelsoftwareAnsoftDesigner.
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Diseodelaantenaparche.Elprocedimientoparaeldiseodelaantenaeselsiguiente:
1.) Secalculaelanchodelaantenaparaconseguirunabuenaeficienciaderadiacin.
2.) Sedeterminalaconstantedielctricaefectivadelaantenaimplementadaenmicrocinta.
3.) SedeterminalaextensindeL.
4.) Secalculaellargodelparche.
5.) Severificamediantesimulacinyconunalneadeacopleyalimentacinprovisionalaque
frecuencia resuena la antena y la resistencia de entrada desde lageometra. Se hacen los ajustes
pertinentesenlageometra.
6.)Sereajustalalneadeacopleparafijarlaresistenciadeentradaaresonanciadelaantena.
Los puntos 1 a 4 tiene que ver con la geometra del parche y estos parmetros ajustan la
frecuenciacentraldelparche.Elpunto5serealizaparaverificarqueseestncumpliendoconlos
requerimientos del diseo y como un principio para luego disear la lnea de acceso. El punto 6
tiene que ver principalmente con ajustar la resistencia de entrada en resonancia utilizando un
transformadordeimpedancias.
Elclculodelageometradelparcheserealizapormediodelmtododelneadetransmisin.
Fig.1.21.Dimensionesdelaantenaparche.
ElanchoWdelparcheestdadopor:
1
2
*
* 2
0
+
=
r
fr
c
W
c

25
Donde:
0 0
0
*
1
c
= c
cm
H
X
9
0
10 4

= t
cm
F
X
11
0
10
36
1

=
t
c
GHz f
r
45 . 2 =

Porlotanto,elanchodelparcheparaunaradiacineficientees:
mm W 46 . 37 =

Ya que la antena se implementar en una baquela, se tienen en el sistema 2 constantes
dielctricas, la del sustrato, y la del aire debido a los efectos de borde del campo elctrico. Se
puedeasumirqueelparcheseencuentraenundielctricouniformeconunaconstantedielctrica
efectiva
eff
.Estaconstantedielctricadependedelafrecuencia;aunamayorfrecuencia,setiene
que las lneas de campo elctrico se concentran ms en el sustrato y la constante efectiva se
acercaalaconstantedelsustrato.
(
+
+
=
W
H
r r
eff
12 1
2
1
2
1 c c
c
177 . 4 =
eff
c

Debidoalosefectosdebordelalongitudelctricadelparcheesmayorquelalongitudfsica.Esto
se modela teniendo en cuenta la variacin del largo del parche L, con un parmetro que lo
llamamosL.
26
( )
( )
|
.
|
\
|
+
|
.
|
\
|
+ +
= A
8 . 0 258 . 0
264 . 0 3 . 0
412 . 0
H
W
H
W
H L
eff
eff
c
c
mm L 3312 . 0 = A

Yporltimo,ellargodelparcheestdadopor:
( ) L
fr
c
L
eff
A = * 2
* * 2
0
c
mm L 72 . 28 =

Luegoseprocedeainsertarlalneadealimentacin.
Para poder verificar la frecuencia de resonancia requerida, se aade a la geometra ya calculada
unalneadeaccesode50.:
mm w 3 . 1 =

mm l 5 . 0 =

Unavezsetienelageometraconsulneadeacceso,sedefineelpuertodeentradaenelbordede
lalnea.
Fig.1.22.Geometradelparche.
27
Yaquesedeseaconocerlafrecuenciaderesonanciadelageometraqueseacabadedisearysu
resistencia de entrada, hay que hacer un cambio en el simulador, para que ste no haga la
medicinenelpuerto,sinoalfinaldelalneadeacceso.
Fig.1.23.Configuracindelpuerto.
Una vez teniendo las medidas de la antena como se muestran en la figura 1.22, procedemos a
simularla.Elmayadodelaantenasequedacomomuestralafigura1.24.
Fig.1.24.Antenaparcheconmallado.
Alafrecuenciaderesonanciadelparche,laparteimaginariadelaimpedanciadeentradaesnula.
28
Fig.1.25.SimulacindelZ11delageometradelaantenaparche.
La simulacin muestra que a 2.45 GHz la parte imaginaria de la impedancia de entrada de la
antena es cero. A la frecuencia de resonancia de 2.46 GHz, la antena tiene una resistencia de
entradaconparterealiguala75.76.
La simulacin de la impedancia de entrada (quitando el parmetro que se modific en la figura
1.23)semuestraacontinuacin.
Fig.1.26.Impedanciadeentradadelaantena.
29
SetienequeelS11esmnimoalafrecuenciaderesonancia,2.47GHz,yesiguala16.98dB,como
sepuedeverenlafigura1.28.
Fig.1.27.SimulacindelS11.
El VSWR es con el valor que se calcula el ancho de banda de la antena, que es el intervalo de
frecuenciasdondeeiguala2dB.
Fig.1.28.SimulacindelVSWR.
30
Para seguir con el diseo de la red de carga, se exporta un archivo .s1p, para cargarlo en AWR
Microwave Office (Esto se realiza haciendo click derecho en el icono del barrido de frecuencia,
Result,yluego[s]MatrixData).Esimportanteaclararquesisequiereexportarelmodeloconun
barrido de frecuencia ms amplio, se debe realizar una simulacin con el barrido deseado. Como
se ver ms adelante, ser necesario contar con datos de la antena desde los 100 MHz para
verificar frecuencias de oscilacin diferentes a la deseada. Por ello, se simul la antena con un
barridodesde100MHzhasta3GHzconpasosde0.005GHz.
Fig.1.29.SimulacindelparmetroZ11delaantenaconunbarridoenfrecuenciaamplio.
Diseodelareddecarga.Segnlafigura1.19,paracumplirconlosrequerimientosdeldiseoes
necesario que la carga del transistor tenga una parte resistiva menor de unos 100 , y una parte
imaginariade343alafrecuenciade2.45GHz.Estacarganopuedeserimplementadasolocon
la antena parche, ya que la antena no alcanza a tener una parte imaginaria de su impudencia de
entradade343alafrecuenciaderesonancia.Esnecesarioporlotanto,hacerunacople.
31
Fig.1.30.Resistenciadeentradadelacarga(antenaparche).
Conlasiguientereddeacopleparalaantenaseobtuvolafrecuenciadeoscilacinquesemuestra
enlafigura1.32.
Fig.1.31.Reddeacopleentrelaantenaparcheyelcircuitoactivo.
32
Z
L
es la red de carga (comprendida por la antena y el acople, como se ve en la figura 1.31) del
circuitoderesistencianegativa,yes:
Fig.1.32.SimulacindeZ
L
.
AjustandoellargodelaslneasTL5yTL1delafigura1.31,selograquelasumaZin+Z
L
decerosu
parte imaginaria, y la parte real algn valor negativo cercano a la tercera parte de 381 .
Implementando la siguiente ecuacin en el simulador, se puede verificar esta condicin lineal de
oscilacin que, claro est,se ajusta luego de realizar una simulacin no linealde la frecuencia de
oscilacin.
33
Fig.1.33.LinearOscillationCondition.
SeapreciaquelaparteimaginariadeZ_totalpasaporceroconderivadapositivaenlos2.77GHzy
a esta frecuencia hay unos 300 de resistencia. Se esperara hacer los ajustes en TL6 y TL1 para
que este cruce fuera por 2.45, pero luego de hace la simulacin no lineal, se obtiene una
frecuenciadeoscilacinmenor.Paralarealizacindelasimulacindelafrecuenciadeoscilacin,
seutilizaelcomponenteOSCAPROBEyseutilizaelsimuladorAplacHB.Elresultadoconlosajustes
delafigura1.31semuestraenlafigura1.35.LadisposicindelelementoOSCAPROBEsemuestra
a continuacin; tiene que ir conectado entre la red de carga y el circuito activo. Se ajusta el
elementoparaquebusquelafrecuenciadeoscilacindesdelos100MHz.
Fig.1.34.DisposicinyconfiguracindelelementoOSCAPROBE.
34
Fig.1.35.Simulacindelafrecuenciadeoscilacin.
Unresultadoconelquequedamossatisfechos.Faltaporasegurarnosquelasealdesalidatenga
unapotenciaaceptableyunadistorsinarmnicanomuyalta.
Fig.1.36.Componentearmnicodeloscilador.
35
Conlafigura1.36sepuedeobservarqueelarmnicofundamentalesde6.5dBmylossiguientes
armnicos estn a ms de 10dBm por debajo, un buen resultado. La respuesta temporal del
osciladorseveracomosemuestraenlafigura1.37.
Fig.1.37.Respuestaestacionariadeloscilador.
Al observar el contenido armnico y la forma de la respuesta temporal, se evidencia un poco de
distorsinarmnica.Estadistorsinpuededisminuirsecontrolandolarealimentacinpositiva,con
un capacitor conectado entre la base y el colector del transistor, que limita la realimentacin
positiva, pero para este caso dejamos el circuito sin modificar ya que el contenido armnico es
bajo.
Ellayoutfinaldelosciladorsemuestraenlafigura1.38.Yaqueelmodeloimportadodelaantena
parcheenAWRnoposeeellayout,simplementesedibujalageometracorrespondiente.
36
Fig.1.38.LayoutdelOscilador.
Paraimprimirellayouteimplementarelcircuito,seexportunarchivogerberdelsoftwareAWR,
luegoseimportalprogramaGerbMagicysegenerunarchivoPDFqueguardalasdimensiones
deldiseo.Lalistadecomponenteseslasiguiente:
37
Tabla1.1:ListadeComponentesoscilador2.45GHz
Componente Tipo P.N. Descripcin
C
B
Cap 6.8pF GQM1875C2E6R8CB12 Murata, High Frequency Tipe, 0603in
C
C
Cap 6.8pF GQM1885C2A6R8DB01 Murata, High Frequency Tipe, 0603in
L
B
Ind 6.8nH LQW18AN6N8C00 Murata, High Frequency Winding Tipe, 0603in
Q Cap 1pF GRM0335C1E1R0CD01 Murata, Ultra Small tipe, 0603mm
CC1 NPN transistor NE661M04 NEC NPN Low Noise Bipolar Transistor
C
C
Cap 6.8pF GQM1885C2A6R8DB01 Murata, High Frequency Tipe, 0603in
1.2Implementation.
Luegodeimplementareldiseoenelsubstratoelegido,ydesoldarloscomponentes,quedapor
hacerlasmedicionesalprototipoycompararlosresultadosconeldiseoesperado.
El resultado inicial de la frecuencia de oscilacin del prototipo, se muestra a continuacin. El
Circuitoseimplementconelinductoryloscondensadoresdeotrofabricantealqueseasumien
lasimulacin.
38
Fig.1.39.Espectrodefrecuenciadelprototipo.
Se observa una frecuencia de oscilacin de 2.5 GHz, bastante cercana al objetivo de diseo de
2.45GHz.Elprototipotieneuna potenciadesalidade6.72dBm, bastante cercanaaelresultado
delasimulacinmostradoenlafigura36,6.5dBm.
Tabla1.2:Comparacinderesultadosexperimentalesconlosresultadosdelasimulacin.
Resultados de la
Simulacin
Resultados
Experimentales
Diferencia
Frecuencia de
Oscilacin
2.41 GHz 2.5 GHz 0.09 GHz
Potencia de Salida -8.95 dBm -6.72 dBm 2.23 dBm
Seobservaquehaymodulacinconunasealde100MHz,seguramenterelacionadaconlaseal
deradiodifusin.Paraeliminaresoscomponentesindeseadosseagreguncondensadorcermico
de 10nF soldado entre la resistencia de polarizacin, el terminal que se conecta a la base del
39
transistor,ytierra.Elresultadosemuestraenlasiguientefigura.SeajustoelSpandelanalizador
deespectrosen100MHz.
Fig.1.40.Espectrodefrecuenciadelprototipoconcondensadorde10nFcomofiltro.
Se obtiene un espectro mucho ms limpio pero con una potencia de salida de 20 dBm, y la
frecuencia de oscilacin de 2.49 GHz. Al agregar el condensador de 10nF para filtrar los
componentes indeseados, se perdi ms de 10 dBm de salida. En la figura 1.41 se muestra el
espectrodefrecuenciasconunSpamde20MHz.
40
Fig.1.41.Espectrodefrecuenciadelprototipoconcondensadorde10nFcomofiltroySpamde20MHz.
Resultados de la
Simulacin
Resultados
Experimentales
Resultados
Experimentales con
condensador filtro
Frecuencia de
Oscilacin
2.41 GHz 2.5 GHz 2.49 GHz
Potencia de
Salida
-8.95 dBm -6.72 dBm -20dBm
Enlasiguientefigurasemuestraelprototipo.
41
Fig.1.42.Implementacinfinaldeloscilador.
Observamos resultados experimentales bastante cercanos a los parmetros objetivo del diseo y
los resultados de las simulaciones. As se evidencia que el procedimiento de diseo mostrado en
este informe es bastante confiable; el utilizar un parche como carga resonante, simular el
comportamiento con lneas de transmisin, tener en cuenta los efectos parsitos de los
componentes (como lo es el empaquetado del transistor y los modelos de los fabricantes de los
demscomponentes),aproximarseeneldiseoconunacondicinlinealyluegohacerajustescon
unsimuladornolineal...todosestosfactorescontribuyeronaobtenerunprototipoqueseacerca
satisfactoriamentealosobjetivosdeldiseo.
El simulador utilizado para la simulacin no lineal (frecuencia de oscilacin, componentes
armnicosyrespuestatemporal)esunapoderosaherramientaqueAWRincorporensusltimas
versiones. AplacHB es capaz de encontrar una solucin en menor tiempo en circuitos que es
complicado que la solucin converja (circuitos bastante alineales) en comparacin con el
simulador Harmonic Balance. El contar con software tan poderoso en este diseo asistido por
computadorfacilitabastanteelprocedimiento.
42
2.OSCILADORCONTROLADOPORVOLTAJEDE2.352.55GHz
Enestaseccinsepresentaelprocedimientoparadisearunosciladorcontroladoporvoltajeque
tiene una variacin en frecuencia de 2.35 GHz 2.55 GHz y una potencia de salida de al menos
10dBm. Se inicia el diseo con un anlisis lineal para tener una buena aproximacin de la
frecuencia de operacin; luego, se realiza un anlisis no lineal, para confirmar la frecuencia de
operacin, as como la potencia de salida y el contenido armnico. Este procedimiento se realiza
conlaayudadelSoftwareAWRMicrowaveOffice.
Hay varios formalismos que se utilizan para describir las condiciones necesarias para que un
sistemallegueaoscilar.Hayquienesutilizanelformalismobasadoenlateoradecontrolparasu
diseodeosciladoresyhayquieneslodescribenentrminosdelosparmetrosdedispersindel
sistema,peroelprincipioqueesttrasestosformalismoseselmismo.
A continuacin se explicar un sencillo formalismo que se usar como gua para el diseo del
oscilador controlado por voltaje (VCO). Considere la Figura 2.1, que muestra un circuito de un
osciladorderesistencianegativadeunpuerto.
Fig.2.1.Circuitoosciladorderesistencianegativadeunpuerto.
AplicandolaleydevoltajesdeKirchhoffsetiene:
( ) 0 = + I Zin Z
L
(1)
43
Si ocurren oscilaciones, de tal modo que la corriente RF no es cero, las siguientes condiciones se
tienenquecumplir:
0 = + Rin R
L
(2)
0 = + Xin X
L
(3)
YaquelaresistenciadecargaRLesmayorquecero,serequierequeRinseamenorquecero.Una
resistencia negativa implica disipacin de energa, y una resistencia negativa significa una fuente
deenerga.Deestemodo,delaecuacin2sepuedeinferirquelaresistencianegativaRin,debe
tener un valor mnimo de RL para garantizar oscilaciones sostenidas, y la segunda condicin, la
ecuacin3,determinalafrecuenciadeoscilacin.
Comosemuestraen[1],esrecomendableque:
3
Rin
R
L

=
(4)
SisehaceZeq=ZL+Zin,paraquehayanoscilacionessostenidas,Re{Zeq}debesermenosque0,y
la frecuencia de oscilacin se determina cuando Im{Zeq} es igual a 0 y adems su derivada con
respecto a es positiva. Algunos autores explican estas condiciones en trminos de la
conductanciaydelasusceptancia,queesequivalentealoqueseacabadeconsiderar.
Teniendo esto claro, se puede proceder al diseo del VCO. Zin se implementa con un circuito
activo (resistencia negativa) que contiene un transistor de tal forma que se pueda contar con un
buen valor de Rin. Esto se har sintonizando los valores de algunos componentes claves en el
oscilador base hasta obtener la resistencia negativa con la que quedemos satisfechos. ZL es un
circuito tanque que contiene un varactor, que permite sintonizar la frecuencia de resonancia en
funcindeunvoltajedcaplicadoalvaractor.Estecircuitotanquesediseateniendoencuentalos
valoresdeZin.
En [2], [3], [4], [5], [6] y [7] se muestran algunas ecuaciones que permite predecir el valor de la
resistencianegativa(Rin)ascomoelvalordeloscomponentesdelcircuitotanque,alfrecuencia
deoscilacin,elfactordecalidaddelacargayalgunascondiciones,comoporejemplolacondicin
44
de arranque para algunas topologas de osciladores. En nuestro caso, estas relaciones servirn
comounaprimeraaproximacinaldiseo,peronoutilizaremosdeformaexplcitaesasrelaciones,
yaqueeldiseoseharasistidoporcomputadoryteniendoenmenteelconceptoqueseacaba
demencionarprrafosatrs.
2.1.Diseo.
CircuitoActivo.Loprimeroadeterminarsereltipodetransistorautilizar.Seeligeuntransistor
BJT porque es el dispositivo activo ms simple y verstil para el diseo de osciladores, adems la
potenciadesalidaqueserequierealasalidadelVCOesdealmenos10dBm,queesunapotencia
bajaconlaqueuntransistorBJTpuedetrabajarsinproblemas.En[8]sehaceunacomparacinde
losdistintosdispositivosactivosdisponiblesparadisearosciladores.
Lo segundo es el diseo del circuito que proveer la resistencia negativa al circuito tanque. Se
utilizar la configuracin que se muestra en la figura 2.2, que fue tomada de una nota de
aplicacindeInfineonTechnologies[9],dondesemuestraundiseoparaunVCO.
Configuracindelcircuitoactivo.Elcircuitotanqueiraconectadoenpuerto1,ylasalidadelVCO,
dondeseconectaraunacargade50,eselpuerto2.
45
Fig.2.2.Configuracindelcircuitoactivo.
El transistor Q, como ya se mencion, es un transistor bipolar que debe tener una frecuencia de
cortefcmayora3GHz.Laconfiguracinescolectorcomnyutilizaundivisordevoltajecapacitivo
para la realimentacin (C1 C2) y el cambio de fase apropiado para la oscilacin. La resistencia
negativaqueseverenelpuerto1dependerdeltransistorydelosinductoresyloscapacitores.
ElinductordeChokeLXEproveealtaimpedanciaalcircuitodelemisorparaasegurarquelamayor
cantidad de potencia de oscilacin sea realimentada a la base del transistor Q en vez de ser
disipadaenRE.
REseutilizaparaproveerunaoperacinestableenDC,menosdependientedelloscambiosdelos
cambiosdeh
FE
deltransistor.
CC1yCC2seutilizancomocondensadoresdeBypassRF,ypermitenaterrizarenRFelcolectordel
transistor.
CB se elige de tal forma que haya un ligero acople entre la el circuito tanque y la base del
transistor,locualmaximizaelfactordecalidaddelacargaresonante.
46
Por ltimo, el condensador CE, es un condensador de acople para sacar parte de la energa del
VCO.
Una vez que se tiene definida la configuracin del circuito activo, se elige una referencia de un
transistorBJTyseverificasiconestetransistoraunapolarizacindeterminada,sepuedeobtener
una buena resistencia negativa a la entrada del puerto 1. El transistor que se eligi inicialmente
fueleltransistorNE662M16,quetienesufrecuenciadecorteen25GHz,empaquetadoM16,yes
ideal para aplicaciones inalmbricas. el modelo de este transistor se encuentra en la librera de
AWR.
Consideracionesdelempaquetadodeltransistor.EsimportantemencionarqueparalabandaUHF,
que es en la que se trabajar, los efectos provocados por las inductancias y capacitancias del
empaquetadodelcomponentesonsignificativas.Segnelfabricante,elesquemticoquemodela
estosefectoseselsiguiente:
Fig.2.3.EsquemticoquemodelalosefectosdelempaquetadodeltransistorNE662M16.
Este modelo es vlido para un rango de frecuencias de 0.1 GHz a 4 GHz, para una polarizacin
dondeelvoltajeVceestentre0.5y3VyunacorrientedecolectorIcde1a30mA.
47
Ntese que se asign al terminal de la base el puerto 1, al colector el puerto 2 y al emisor el

puerto 3. Esto es de importancia para nosotros, ya que posteriormente en el diseo, al sub
bloquedeltransistorconsuempaquetadoseleasignarelsmbolodeuntransistorBJT,yconlos
puertosconectadoscomosemostrenlafigura2.3,coincidenconladisposicindelsmbolo.
Polarizacindeltransistor.Losparmetrosdeltransistorparaelegirlasresistenciasdepolarizacin
son:
=70
Vbe=0.8V,max1.5V
Vcemax=3.3V
LapolarizacinqueseconsiderarserconIc=5mA.
Fig.2.4.PolarizacinIc=5mAparaeltransistorNE662M16.
La resistencia de base RB, es una resistencia de 18K de Panasonic, empaquetado 0402. La
resistenciaREesdelmimotipo,deunvalorde270.
Ahorasepuedeprocederaldiseodelcircuitodelafigura2.2.
48
Circuitoactivoimplementadoconlneasdetransmisin.Eldiseoserealizarsobreelsustratode
fibra de vidrio FR4, el cual tiene una constante dielctrica
r
=4.34, un grosor de sustrato
H=0.758mm,unatangentedeprdidasde0.0181yungrosordeconductorT=0.0175.
Fig.2.5.EsquemadelsustratoFR4.
34 . 4 =
r
c

mm H 758 . 0 =

0175 . 0 = T

0181 . 0 = Tand

Es conveniente ir realizando el diseo con lneas de transmisin en las conexiones de los
componentes, ya que se obtiene de este modo mayor aproximacin de las simulaciones al
comportamientorealluegodelaimplementacin.
Losparmetrosdelsubstratosemodelanenelsoftwareconlasiguientedefinicin:
Fig.2.6.DefinicindelsubstratoenelsoftwareAWR.
49
Elcircuitoquesemostrenlafigura2.2implementadoconlneasdemicrocintasemuestraenla
siguientefigura.
Fig.2.7.Circuitodelafigura2.2implementadoconlneasdetransmisin.
Lamentablementenosealcanzanadistinguircondetallelaslneasdetransmisinquerealizanlas
conexionesdeloscomponentesenelsubstrato.Elsoftwarepermiteirdiseandoparalelamenteel
layoutdelcircuito,queesloquenospermiteelegirelanchoyellargodelaslneasdemicrocinta,
ascomolasuniones.ElLayoutdelcircuitomostradoenlafigura2.7eselsiguiente:
50
Fig.2.8.Layoutdelcircuitoactivo.
Una vez implementado el circuito activo con lneas de transmisin, se procede a verificar que
resistencia de entrada en el puerto 1 se tiene. Se desea una resistencia de entrada negativa con
unamagnitudconsiderablementealtayparalograrlo,seajustanlosvaloresdeCE,C1,C2yCB.CB
determinalaparteimaginariadelaimpedanciadeentrada,C1,C2yCEtieneninfluenciasobrela
parte real. No se desea elegir un valor muy pequeo para CE, ya que es mediante este
condensadorqueseextraepartedelaenergadelosciladoralpuerto2,ysiestecondensadores
de un valor muy pequeo, no se podr obtener gran cantidad de potencia de salida. Los
condensadores CC1 y CC2, se fijaron en 33 y 1 pF respectivamente, para dejar bien aterrizado el
colectorenungranrangodefrecuencias.
Luego de ajustar los valores de los componentes con la herramienta de sintonizacin, con
CE=2.2pF, C1=0.3pF, C2=0.7pF y CB=4.7pF, se obtuvo la siguiente impedancia de entrada en el
puerto1.
51
Fig.2.9.Zinenelpuerto1delcircuitoactivoimplementadoconcomponentesideales.
NtesequeentodoelrangodefrecuenciaenelquetrabajarelVCO(de2.35a2.55GHz)setiene
quelaparterealdelaimpedanciadeentradaesnegativa,conunamagnitudmayora48,yhasta
unos51en2.35GHz,loquenosindicaqueelcircuitoesinestableenesterangodefrecuenciasy
puedebrindarleaunacargaresonanteenergaparamanteneroscilacionessostenidas.
Losinductoresseeligieronde18nHdelfabricanteTaiyoYuden,inductoresdeestevalortienensu
frecuencia de autoresonancia por encima de la frecuencia de trabajo de nuestro VCO. Los
capacitores utilizados fueron del fabricante Johanson, tambin nos aseguramos de que la
frecuenciadeautoresonanciadeloscapacitoresestuvieraporencimadelabandadeintersdel
VCO.
La figura 2.9 muestra la resistencia negativa que provee en circuito activo implementado con
componentesideales;lafigura2.10lamuestraconelcircuitoimplementadoconloscomponentes
reales,esdecir,conlosmodelosdeloscomponentesprovistosporlosfabricantes.
52
Fig.2.10.Zinenelpuerto1delcircuitoactivo.
Setieneuncomportamientomuyaproximadoalcircuitoimplementadoconcomponentesideales,
pero con un poco menos de resistencia negativa y la parte imaginaria de la impedancia
interceptaraalejeXenunafrecuenciamenor.
Ahora, conociendo las caractersticas del circuito activo, puede procederse al diseo de la carga
resonante.
Diseo de la Carga Resonante. Es deseable que nuestro VCO tenga una relacin lo ms lineal
posibleentreelvoltajedecontrolylafrecuenciadeoscilacin,ademsenloposiblesedeseaque
elvoltajedecontrolnovarehastavoltajesmuyaltosparaevitarelusodeelevadoreseneldiseo.
Estas caractersticas dependen en gran medida de la configuracin de la carga resonante y del
varactorutilizado.
Sehablarprimeroacercadelaeleccindelvaractor,yluegosobrelaconfiguracindelacarga.
Eleccin del varactor. Se eligi el varactor BB857 de Infineon Technologies. Es un varactor
utilizado para SATtuners, de alta variacin de capacitancia. El modelo de este dispositivo no se
53
encuentra en Microwave Office, pero el fabricante provee el modelo Spice del varactor, y,
obviamente,loscomponentesparamodelarelvaractorconelempaque.
Lascaractersticasprincipalesdelvaractorson:
Vr=30V
C
V1
=6.6pF (1MHz)
C
V25
=0.55pF (1MHz)
C
V28
=0.52pF (1MHz)
C
V1
/C
V25
=10.2
Seobservaquetiene una buenavariacinde capacitanciayunaltovoltajeeninverso.Esposible
trabajar con voltajes de control bajos y lograr una relacin lineal entre el voltaje de control y la
frecuencia de oscilacin. Un factor de importancia que llev a la eleccin de este varactor es la
capacitancia que se puede lograr. Varactores que posean capacitancias mayores a 10pF
difcilmente funcionarn como es debido a frecuencias mayores a 1 GHz. El varactor elegido
convenientemente vara su capacitancia entre unos 0.5 y 6 pF. Aunque esta capacitancia fue
medidaa1MHz,daunabuenaideaparaidentificarsiestevaractorfuncionacorrectamenteenlas
frecuenciasdeseadas.
Para conocer el comportamiento preciso del varactor a las frecuencias de inters (su
comportamiento de capacitancia Vs. Voltaje) hay que implementar el modelo del varactor en el
software.Paraeso,seutilizaundiododeMicrowaveOfficequesellamaSDIODEyselecarganlos
parmetrosSpicequedaelfabricante.estossemuestranenlatabla2.1.
54
Tabla2.1.ParmetrosSpicedelvaractorBB857.
Parmetro Valor Descripcin
Is 1.35fA Reversesaturationcurrent
N 1.074 Bottomidealityfactor
Rs 0.18
m
Seriesresistance
XTI 3.5 Temp.escalingcoefficient
EG 1.16 Emergygap
CJO 9.122
pF
Zero voltaje bottom junction
capacitance
M 2.42 Bottom junction grading
coefficient
VJ 6.223V Bottombuiltinvoltaje
FC 0.5 Bottom depletion capacitance
linearizationparameter
TT 70.0ns Storagetime
BV 32.0V Breakdownvoltage
IBV 5.0uA Currentatbreakdownvoltage
55
Fig.2..11.ParmetrosdelmodeloSpicedelvaractorBB857cargadosenelsoftware.
Enlafigura2.11semuestranlosparmetrosSpicecargadosalmodelodelSDIODE.
Paramodelarlosefectosdelempaquetado,seusaelcircuitodelafigura12.ElcondensadorC1se
puso en paralelo con el modelo spice del diodo, siguiendo la recomendacin del fabricante, para
mejorarlacurvaCVde0.5a28V.Elvalordeestecondensador,segnlodiceelfabricantees:
C1=0.27pF
56
Fig.2.12.VaractorBB857conmodelodesuempaqueycondensadorparamejorarlacaractersticaCV.
Paraestecasoesimportantecolocarelpuertounoenelladodelnododelchip,yelpuertodos
enelctodo,yaqueposteriormenteselecambiarelsmboloalsubbloquedelafigura2.12por
elsmbolodeundiodo.ParahacerlamedicindelparmetroZ11,seutilizaelcircuitodelafigura
2.13.
Fig.2.13.Circuitodepruebaparaelvaractor.
57
Fig.2.14.Z11delcircuitodelafigura2.13.
El simular el parmetro Z11 del varactor como se muestra en la figura 2.13, es una primera
aproximacin para observar en que rango de frecuencias y con qu voltaje de control es til el
varactor.
Enlafigura2.14seobservaqueparaunvoltajedecontrolde3V,elvaractorllegaasufrecuencia
de autoresonancia a los 3 GHz, lo que nos dice que para nuestro diseo no sera recomendable
usar voltajes de control menores a 3V. Con voltajes de control mayores, el varactor se comporta
comouncondensador,porlomenoshastalos4GHzcomolomuestralasimulacin.
Elfabricanteaseguraqueelmodelospicequeproveeesvlidohasta6GHz,loquenosdejasinla
incertidumbredeestartrabajandoafrecuenciasquenoestncontempladasporelmodelo.
Paratenerunamejorideadelcomportamientodelvaractorenfuncindelvoltajedecontrolpara
elrangodefrecuenciasdelVCO,serealizaunasimulacinquemuestrelacapacitanciadelvaractor
paralasfrecuenciasdeinters.Enlafigura2.15semuestralacapacitanciadelvaractorenfuncin
delvoltajedecontrolpara2.35,2.45y2.55HGz.
58
Fig.2.15.CapacitanciaVsvoltajeparaelvaractorBB857.
Estasimulacinserealizenbasealcircuitodelafigura13,conladiferenciaquesecambiaronlos
parmetrosdelafuentedevoltaje.Seconfigurlafuenteconunvoltajedeiniciode1V,voltajede
paradade25Vypasosdevoltajede0.05Vparatenerunabuenaresolucin.
Sepuedeobservarenlafigura2.15queconvoltajesmayoresa3Vselograunacapacitanciade10
pFhasta0.5pF.Lasregionesdelagrficadondelacapacitanciaesnegativamuestranqueaesos
voltajes de control y a las frecuencias de simulacin, el varactor no se comporta como un
condensador. El hecho de que los trazos para las 3 frecuencias simuladas estn muy juntos dice
quelacapacitanciadelvaractorconunvoltajedecontroldeterminadonovarasignificativamente
conlafrecuencia,uncomportamientodeseadoparaelVCO.
Una vez elegido el varactor y conocido su comportamiento, se puede proceder a determinar la
configuracindelacargaresonante.
Configuracin de la carga resonante. La configuracin para la carga se muestra en la siguiente
figura.
59
Fig.2.16.Cargaresonante.
Enelpuerto1seconectalafuenteDCparavariaralcapacitanciadelvaractor.Losdosvaractores
estnconectadosenparalelovaelinductorL2parafinesdesintonizacin,peroestnconectados
enserieenloquerespectaaseadealtafrecuencia.Estearreglotienelaventadequeelcambio
de capacitancia causado por modulacin AC tiene efecto en direcciones opuestas en los
varactores, y por lo tanto, se cancela a s misma (ver [10]). El varactor que est polarizado en
inverso tiene una capacitancia de juntura ms pequea que el que no lo est, haciendo que el
varactor que est polarizado en inverso, domine la capacitancia total de la red "backtoback"
varactor. Esta configuracin ayuda a disminuir la distorsin armnica, y permite un amplio rango
devariacinenfrecuencia.
Estecircuitoimplementadoentecnologademicrocintaquedacomosemuestraenlafigura2.17.
Fig.2.17.Circuitotanqueimplementadoenelsubstrato(02_Tank_Circuit).
60
Realizandomanualmenteelfootprintdelvaractor,serealizaellayoutdelcircuitotanque.
Fig.2.18.Layoutdelcircuitotanque.
Elobjetivodelcircuitotanqueescumplirconlascondicionesdescritasenlasecuaciones3y4,que
es una forma lineal para predecir la frecuencia de oscilacin y al mismo tiempo garantizar
oscilaciones sostenidas. Para eso se sintonizan los valores de L1 y C2, verificando el voltaje de
control.
La condicin de oscilacin se puede verificar directamente de esta forma: conectando el circuito
tanque con el circuito de resistencia negativa, luego medir la impedancia total en el punto de
conexinyverificargrficamentelascondicionesdelasecuaciones3y4.Estoserealizaagregando
unaecuacinalproyecto:
Fig.2.19.Ecuacinagregadaen"outputequations"delrboldelproyecto.
61
Donde 03_Test_Tank_Circuit..., es el nombre que se le dio al circuito de la figura 2.17 en el

proyectoy02_Test_Negative_Resistance...eselnombrequeseledioenelproyectoalcircuitode
lafigura2.7.
Se realiza una grfica de la parte real y la parte imaginaria de Z_total, y con la herramienta de
sintonizacin del software se vara el voltaje de polarizacin del varactor. De este modo se
encuentranlosvaloresdeLyC.ConL=1nHyC=0.6pF,seobtuvoelsiguientecomportamiento.
Fig.2.21.ParterealeimaginariadeZ_Totalparaunvoltajedecontrolde13V.
Con un voltaje de control de 13V, la parte imaginaria de Z_Total cruza por cero con pendiente
positiva a los 2.52 GHz, lo que significa que segn esta condicin lineal de oscilacin, el VCO
oscilaraa2.52GHzconunvoltajedecontrolde13V.
62
Fig.2.22.ParterealeimaginariadeZ_Totalparaunvoltajedecontrolde4.1V.
Ycomoseapreciaenlafigura2.22,elVCOoscilaraa2.35GHzconunvoltajedecontrolde4.1V.
Tanto en las figuras 2.21 y 2.22, se observa que en el cruce por cero de la parte imaginaria de la
impedancia, se cuenta con unos 40 , lo que dice que hay energa suficiente para sostener
oscilacionessostenidas.
Estemtodoqueseacabademostrarparadeterminarlafrecuenciadeoscilacinconelvoltajede
control no es infalible. Ya que todos los osciladores tienen comportamiento completamente no
lineal, es prudente apoyarse del software para realizar una simulacin no lineal y verificar el
diseo.
Anlisisnolineal.ElsoftwareAWRpuedeasistirenestecasopararealizarelanlisisnolineal.Dos
cosassonesencialesparaesteanlisis,laprimeraesunelementodenominado"OSCAPROBE"que
debe situarse en el esquemtico entre el circuito activo y el circuito tanque, comprueba
principalmente la frecuencia de oscilacin. Lo segundo es el simulador; en este trabajo se
recomienda usar el simulador "AplacHB" en lugar de "Harmonic Balance" para simular la
frecuencia de oscilacin, la potencia de salida y el contenido armnico. "AplacHB" es un
63
simuladormseficienteyencircuitosquesonbastantenolinealesdonde"HarmonicBalance"no
lograencontrarlasolucin,"AplacHB"encuentralasolucin.
Serealizarprimerounanlisisparalafrecuenciadeoscilacinenfuncindelvoltajedecontroly
luegoseconsiderarelcontenidoarmnicoylapotenciadesalida.
FrecuenciadeOscilacin.Sesimulaconelsiguientecircuito:
Fig.2.23.VCOparaanlisisnolineal.
La grafica de frecuencia de oscilacin del VCO en funcin del voltaje aplicado al varactor se
muestraacontinuacin.
64
Fig.2.24.FrecuenciadeoscilacinVsVtuning.
Se puede apreciar que el anlisis lineal es lo bastante bueno para predecir la frecuencia de
oscilacindelVCO,peroseapreciaqueconunvoltajede9.13Vselograoscilacina2.55GHz,un
voltaje un poco menor que el que se esperaba. Si la grfica se hiciera hasta voltajes de control
mayores a los que se muestran en la figura 2.24, se observara que con un aumento grande ve
voltaje, se obtiene un pequeo aumento en el frecuencia de oscilacin, y la relacin se vuelve
muchomsalineal.
Teniendo esta relacin de Voltaje Frecuencia de oscilacin casi lineal, se puede proceder a
revisarlapotenciadelasealdesalidajuntoconsucontenidoarmnicosinalterareldiseo.
Potenciadesalidaycontenidoarmnico.EnlasiguientefigurasemuestralapotenciaendBmdel
componentefundamentalydelossiguientesdosarmnicos(puerto1delafigura23)enfuncin
delvoltajedecontrol.
65
Fig.2.25.Potenciadesalidadelcomponentefundamentalydelossiguientesdosarmnicosenfuncindelvoltajede
control.
Seobservaquelapotenciadesalidadelcomponentefundamentalessiempremayora1dBmpara
labandadeintersde nuestroVCO,ylosarmnicosseencuentranamsde 10dBmpordebajo
delcomponentefundamental,loqueimplicaunabajadistorsinarmnica.
Acontinuacinsemuestralasealdesalidaconunvoltajedecontrolde6V,queesdondemsse
presentadistorsin.
66
Fig.2.26.VoltajedesalidaenfuncindeltiempodelVCOparaunvoltajedesintonizacinde7V.
Compareahoraconlasealdesalidaparaunvoltajedecontrolde9.1V.
Fig.2.27.VoltajedesalidaenfuncindeltiempodelVCOparaunvoltajedesintonizacinde9.1V.
67
Si se quiere disminuir an ms la distorsin armnica se puede solucionar como se menciona en

[11],quesesugiereconectarunacapacitanciapequeaentrecolectorybaseparaasdisminuirla
realimentacin positiva en el circuito y reducir la distorsin. Al realizar este procedimiento es
probable que la frecuencia de oscilacin disminuya un poco y la potencia de salida de seguro
disminuir. Si la potencia de salida del componente fundamental disminuya a un valor menor a
10dm se puede aumentar la corriente de polarizacin y ajustar los componentes para obtener la
frecuenciadeseadadeoscilacin.
Paraestecaso,noseharningncambioalVCO,yaquesecumpleconelrangodefrecuenciade
oscilacin y con la potencia de salida con una distorsin armnica baja. A continuacin se
mostrarcmoquedaelLayoutdeldiseoylalistadecomponentesutilizados.
Layout. Como se puedo observar en el procedimiento de diseo del VCO, el circuito activo y la
carga resonante se trabajaron con subbloques separados. Para la construccin del Layout, se
agreg al rbol del proyecto un esquemtico que contena todo el circuito y continua y
simultneamentesefueactualizando,dandocomoresultadoelsiguienteLayout.
Fig.2.28.LayoutdelVCO.
68
Las puestas a tierra, los voltajes de alimentacin y los footprints de los varactores se agregaron
manualmente.
Enlatabla2.2sedalalistadeloscomponentesdelVCO.
Tabla2.2.ListadeComponentesVCO200MHzBW.
C Cap 0.6pF R05L0R6_SER Johanson, L-Serie, 0201in
C1 Cap 0.3pF R05L0R3_SER Johanson, L-Serie, 0201in
CB Cap 5.6pF R05L5R6_SER Johanson, L-Serie, 0201in
CC1 Cap 1pF R05L1R0_SER Johanson, L-Serie, 0201in
CC2 Cap 33pF R05L330_SER Johanson, L-Serie, 0201in
CE Cap 2.2pF R05L2R2_SER Johanson, L-Serie, 0201in
CV Cap 18pF R05L180_SER Johanson, L-Serie, 0201in
L Ind 1nH HK0603_1N0 TaiyoYuden, HK-Serie, 0201in
LV, LXC, LXE Ind 18nH HK0603_18N TaiyoYuden, HK-Serie, 0201in
Q Tran. NPN NE662M16 NEC, 2SC5704
RB Res 18K ERJ1GEJ1831 Panasonic, 0201in
RE Res 270 ERJ1GEJ2711 Panasonic, 0201in
V1, V2 Varactor BB857 Infineon Technologies, SCD80
69
2.2.Implementacin.
Lafigura2.29muestralaimplementacindelVCO.Sepuedeapreciarelpequeotamaodetodos
los componentes. Para realizar la soldadura de stos se requiere mucha paciencia, un cautn,
estao, flux para soldadura, una lupa de mesa y buen pulso. Conforme se vayan soldando ms
componentes se va mejorando la tcnica y las soldaduras quedan ms limpias. Fue poco til
utilizar una pistola de aire caliente ya que los componentes cercanos terminan desoldndose; el
procedimiento para soldarlos consiste en agregar un poco de flux en las pistas donde se van a
soldarloscomponentes,luegoseestaanestasreasconestaosuficientecomoparaquepueda
haberunabuenauninmecnicacuandosefijeelcomponente,luegoseagregaunpocomsde
flux,seposicionaelcomponenteysecalientanlospuntosdecontactoconuncautnhastaquese
fundaelestaotseadhieraalcomponente.
Fig.2.29.ImplementacindelVCO.
Lasfiguras2.30y2.31muestranlafrecuenciadeoscilacinylapotenciadelasealconunvoltaje
decontrolde11.8Vy30Vrespectivamenteobtenidasenellaboratorio.
70
Fig.2.30.FrecuenciadeoscilacinypotenciadesalidaconVcntrl=11.8V.
Fig.2.31.FrecuenciadeoscilacinypotenciadesalidaconVcntrl=30V.
71
Se puede notar una diferencia muy notable entre los resultadosde la simulacin y los resultados
experimentales. El prototipo solo estaba oscilando con voltajes de control entre 11.8V y 30V
(2.568 GHz 2.736 GHz) con una variacin en frecuencia de 168MHz y una sensibilidad de
frecuencia de oscilacin con respecto al voltaje de control de 9.2 MHz/V. Segn la simulacin el
VCOfuncionabaconvoltajesdecontrolentre1Vy13V(1.573GHz2.623GHz)conunavariacin
enfrecuenciade1.05GHzyunasensibilidaddefrecuenciadeoscilacinconrespectoalvoltajede
controlde87.5MHz/V.
Sesospecha queel modeloprovistoporelfabricantedelvaractornoestdescribiendode forma
correcta el comportamiento de este componente por lo menos en la banda de frecuencias de
intersparanuestroVCO.Yasetienelaexperienciadetrabajarconeltransistoryloscapacitorese
inductores y ver que los resultados experimentales concuerdan con las simulaciones. Queda
pendienteconfirmarodescartarestasospecha.
72
3.CARACTERIZACINCARGARESONANTE
Enestaseccinsemuestraelprocedimientopararealizarlacaracterizacindelacargaresonante
utilizadaeneldiseodelosciladorcontroladoporvoltajedelaseccinanterior.Luegodeobservar
que los resultados esperados no se acercan a los resultados experimentales en la etapa de
implementacin del VCO se decidi caracterizar la carga resonante a causa de sospechar que los
modelos provistos por el fabricante de los varactores con los que se implement la carga
resonante no describen acertadamente su comportamiento. ya que se va a caracterizar la carga
resonante,seaprovecharlaoportunidadparaverificarelcomportamientodeotrapartedelVCO,
elcircuitoactivoqueproveeresistencianegativa.
Yasetienelaexperienciadediseareimplementarunosciladorenunsubstratodefibradevidrio
FR4, y el modelo provisto por el fabricante del transistor y la simulacin de las lneas de
transmisinenelsubstratoporpartedelsoftwaredescribieronmuybienelcomportamientoque
seobtuvoconelprototipo.LosinductoresycapacitoresconlosqueseimplementaronelVCOya
haban sido caracterizados por compaeros del grupo de investigacin y encontraron que los
modelosdedichoscomponenteseranacertados.Porlotanto,soloquedandudasensielmodelo
del varactor utilizado en la carga resonante provisto por el fabricante estaba describiendo de
forma acertada su funcionamiento. Por esta razn se decidi caracterizar la carga resonante y
verificarsielmodelodelvaractoreselcorrecto.
EnlasiguientefigurasemuestralatopologadelacargaresonantedelVCO
73
Fig.3.1.TopologaCargaResonante.
LafuentedevoltajeVcntrlposibilitavariarlacapacitanciadelvaractorV1yasvariarlafrecuencia
deoscilacindelcircuitoenfuncindeunvoltajedecontrol.Enelpuerto1seconectaelcircuito
deresistencianegativamostradoenlafigura3.2.
Fig.3.2.TopologaCircuitodeResistencianegativa.
Este se conecta con la carga resonante por el puerto 1, y la seal RF de salida se toma por el
puerto2.Acontinuacinsepresentaelprocedimientorealizadoparalacaracterizacindelacarga
74
resonanteytambinsemuestranalgunasmedicionesrealizadasparalaverificacindelcircuitode
resistencianegativa.
AjustesenelLayout.Pararealizarlacaracterizacindelacargaresonanteseutilizelanalizador
de redes vectorial Agilent E5062A; con ste se realiza una medida de magnitud y ngulo del
parmetro de red S11 y se compara con la simulacin del mismo parmetro para la carga
resonante.
El analizador de redes es calibrado para realizar la medida de los parmetros a 3cm de distancia
del final de cada una de sus sondas de cada puerto por una lnea de 50. Por esto es necesario,
agregarlealacargaresonanteunalneade50(a2.5GHz)de3cmdelargo.Conlaherramienta
TXlineserealizafcilmenteelclculodeestalnea:
Fig.3.3.Clculodelanchodelalneadeacceso.
Con los parmetros del substrato en el que se implement la carga resonante (mostrados en la
figura 3.4) la herramienta calcula el ancho de la lnea de acceso para obtener la resistencia de
entradarequerida:W=1.4446mm.
75
Fig.3.4.ParmetrosdelSubstrato.
El circuito que se quiere caracterizar, implementado en lneas de transmisin se muestra a
continuacin,juntoconlalneadeaccesoqueseacabadecalcular.
Fig.3.5.Cargaresonanteimplementadaconlneasdetransmisinenelsoftware.
Paraverladisposicindeloscomponentesdeestecircuito,semuestraelLayoutenlafigura3.6.
Fig.3.6.LayoutCargaresonanteconLneadeAcceso.
76
Tratandodeserlomsrigurosoposibleenlaetapadediseoysimulacin,lacargaresonantefue
implementada con los modelos de los capacitores e inductores provistos por el fabricante
respectivo,ascomoconelmodelodelvaractorysuempaquetado.
Tabla3.1.Listadecomponentedelacargaresonante.
Fig.3.7.Cargaresonanteacaracterizar.
Unavezelcircuitolisto,seprocedearealizarlamedicindelparmetroS11(enelpuerto1segn
lafigura1)enmagnitud(dB)ynguloconelanalizadorderedes,ysecomparaestamedicincon
lasimulacindelmismoparmetro.
Mediciones. La medicin del parmetro S11 se realizo para voltajes de control de 0V a 10V con
pasosde0.5V,tratandodeserlomsprecisoposiblelamedicindelvoltajedecontrol.
A continuacin se presentan los resultados de la simulacin de la magnitud (dB) y el ngulo del
parmetro S11 con el trazo azul, y para las mediciones con el trazo rosado, para voltajjes de
controlVcntrl=0,2,4,6,8,y10V.
Components Type P.N. Description
C Cap 0.7pF R05L0R7_SER Johanson, L-Series, 0201in
CV Cap 18pF R05L180_SER Johanson, L-Series, 0201in
L Ind 1nH HK0603_1N0 TaiyoYuden, HK-Series, 0201in
LV Ind 18nH HK0603_18N3 TaiyoYuden, HK-Series, 0201in
77
Fig.3.8.Simulacin(azul)ymedicin(rozada)delamagnituddelparmetroS11conunvoltajedecontrolde0V.
Fig.3.9.Simulacin(azul)ymedicin(rozada)delngulodelparmetroS11conunvoltajedecontrolde0V.
78
79
80
81
82
83
Seobservaunaimportantediferenciaentrelasimulacinylamedicinrealizada.Assesospeche
del modelo del varactor como el causante de estas diferencias, es importante descartar otras
posiblescausas;poreso,serealizaotramedicinparadescartarqueestasdiferenciassustanciales
nosedebenalaformaenlaqueelsoftwaresimulalaslneasdetransmisinyelsubstrato.
Paraelloserealizaesteprocedimiento:primero,secarganalsimuladorlosdatosobtenidosenla
medicinyselesagregaunStubterminadoencircuitoabierto,comosemuestraacontinuacin:
Fig.3.20.MedicionesobtenidasdelacargaresonanteconunStubterminadoencircuitoabierto.
El subbloque S1 (0V) es el archivo que contiene las mediciones del parmetro S11 de la carga
resonante para un voltaje Vcntrl = 0V. a ste se le conect en la entrada un Stub terminado en
circuito abierto de 1.25 mm de ancho y 7.95 mm de largo. Las medidas del Stub se eligen de tal
formaquealagregarlo,elparmetroS11varenotablementeconrespectoalamedicinrealizada
paradichovoltaje.
Ahora se procede a cortar un trozo de cinta de cobre de las mismas dimensiones del Stub y a
adherirloalcircuito.LuegosehacelamedicindelparmetroS11conelanalizadorderedesyse
comparaesteresultadoconelqueacabamosdesimular.Siambosresultadossonmuyparecidos,
significa que el software est asiendo un buen trabajo en simular las lneas de transmisin en el
substratoyquelosparmetrosqueeldiseadorajustconloscorrectos.
A continuacin se muestran los resultados de la simulacin (trazo azul) y de la medicin (trazo
rosado) para el procedimiento descrito para voltajes de control iguales a 0, 2, 4, 6, 8 y 10V.
Pequeasdiferenciassedebenalaprecisinencortaryadherirlacintadecobreenelcircuito,as
comoalacintamismapornoserelmismocobredelsubstrato.
84
Fig.3.21.Simulacin(azul)ymedicin(rozada)delamagnituddelparmetroS11paraelcircuitoconStubconunvoltaje
decontrolde0V.
Fig.3.22.Simulacin(azul)ymedicin(rozada)delngulodelparmetroS11paraelcircuitoconStubconunvoltajede
controlde0V.
85
decontrolde2V.
controlde2V.
86
decontrolde4V.
controlde4V.
87
decontrolde6V.
controlde6V.
88
decontrolde8V.
controlde8V.
89
decontrolde10V.
controlde10V.
90
Los resultados son concluyentes. No hay diferencia significativa entre tomar los obtenidos de la
carga resonante y simularlos con un Stub terminado en circuito abierto con los datos obtenidos
directamente desde el circuito con el Stub. Es decir, la diferencia entre la simulacin de la carga
resonante y los datos obtenidos en la implementacin no se debe al modelo de las lneas de
transmisinnidelosparmetrosdelsubstratoconelqueseestrealizandolasimulacin.
AhoraalacargaresonanteseleextraeelvaractorV2,quedandoelsiguientecircuito:
Fig.3.33.CargaresonantesinvaractorV2.
Si se realiza tanto la simulacin como la medicin del parmetro S11 de este circuito, se puede
determinar si hay algn inconveniente con los modelos de los inductores y capacitores utilizados
enlacargaresonante,especialmenteconelinductorLyelcapacitorC.
El trazo azul representa la simulacin del parmetro S11 del circuito de la figura 3.33, y el trazo
rosadorepresentalamedicinrealizada.
91
Fig.3.34.Simulacin(azul)ymedicin(rozada)delamagnituddelparmetroS11paraelcircuitosinelvaractorV2.
Fig.3.35.Simulacin(azul)ymedicin(rozada)delngulodelparmetroS11paraelcircuitosinelvaractorV2.
92
Seapreciaunadiferenciasignificativa.Estadiferenciapuededeberseaqueenelcircuitoenelque
se realiz la medicin, solo se insert una va a tierra (ver figura 3.7), y no muy cercana a los
componente. En la simulacin se toma como si los componentes tuvieran una buena conexin a
tierra.
Es interesante realizar una medicin intercambiando los varactores V1 y V2, de esta forma, se
evidenciar si los dos varactores estn teniendo el mismo comportamiento o no. Las siguientes
graficas muestran el comportamiento de la carga resonante que se tena originalmente
comparadoconelcomportamientoconlosvaractoresintercambiados.Serealizestamedicapara
voltajesdecontrolde0a10Vconpasosde0.5V,perosolosemostrarnlosresultadospara2Vy
6V.
Fig.3.36.MedicindelamagnituddelparmetroS11conlosvaractoresintercambiadosconunvoltajedecontrolde2V.
93
Fig.3.37.MedicindelngulodelparmetroS11conlosvaractoresintercambiadosconunvoltajedecontrolde2V.
Fig.3.38.MedicindelamagnituddelparmetroS11conlosvaractoresintercambiadosconunvoltajedecontrolde6V.
94
Fig.3.39.MedicindelngulodelparmetroS11conlosvaractoresintercambiadosconunvoltajedecontrolde6V.
Es evidente que el comportamiento no vara intercambiando la posicin de los varactores. La
cuestin que se tiene que solucionar ahora es el modelo del varactor, para que las simulaciones
queserealicenconelsoftwareseaenverdadunadescripcindelcomportamientoalimplementar
elcircuito.
Correccindelmodelodelvaractor.Alanalizarlosresultadosquesemuestrandesdelafigura3.8
hasta la figura 3.19 unose da cuenta que la simulacin est dando el mnimo en la magnitud del
parmetro S11 a frecuencias ms altas en comparacin con la medicin realizada; adems, la
simulacin muestra un mnimo de magnitud menor conforme aumenta la frecuencia de auto
resonanciaencomparacinconlamedicin.Esteltimoefectosesospechaqueesdebidoaqueel
circuitonotienelasvassuficientesylaquetienenoestmuycercadeloscomponentes.
El fabricante del varactor brinda primero un modelo Spice del componente. Este modelo cuenta
con12parmetrosquedescribenelcomportamientodeldiodo.
95
Tabla3.2.ParmetrosSpicedelvaractorBB857.
Parmetro Valor Descripcin
Is 1.35fA Reversesaturationcurrent
N 1.074 Bottomidealityfactor
Rs 0.18
m
Seriesresistance
XTI 3.5 Temp.escalingcoefficient
EG 1.16 Emergygap
CJO 9.122
pF
Zero voltaje bottom junction
capacitance
M 2.42 Bottom junction grading
coefficient
VJ 6.223V Bottombuiltinvoltaje
FC 0.5 Bottom depletion capacitance
linearizationparameter
TT 70.0ns Storagetime
BV 32.0V Breakdownvoltage
IBV 5.0uA Currentatbreakdownvoltage
El fabricante tambin brinda informacin sobre el empaquetado del componente, informacin

queesvlidaparacualquiervaractordelfabricanteconelmismoempaquetado.
96
Fig.3.40.Circuitoequivalentedelempaquetadodelvaractor.
Ya que como se vio, el comportamiento de la simulacin se encuentra desplazado en frecuencia
conrespectoalosresultadosmedidos,elparmetroSpiceCJ0puedeajustarseenelmodelopara
asobteneruncomportamientoquelasimulacindescribeconprecisin.
Ajustando el valor del parmetro CJ0 de 9.122pF a 14.22pF se obtiene el modelo correcto del
varactor. En las siguientes grficas se muestran los resultados, comparando la simulacin con el
modelodelvaractoractualizado,conlosresultadosquesehabanobtenidodelacargaresonante.
Lasimulacincorrespondeconeltrazoazul,ylamedicinconeltrazorosado.
Fig.3.41.Simulacin(azul)conelmodelodelvaractoractualizadoymedicin(rozada)delamagnituddelparmetroS11
conunvoltajedecontrolde0V.
97
Fig.3.42.Simulacin(azul)conelmodelodelvaractoractualizadoymedicin(rozada)delngulodelparmetroS11con
unvoltajedecontrolde0V.
98
99
100
101
102
Ahorasecuentaconunmodeloquedescribeprecisamentelafrecuenciadeautoresonanciadela
cargaresonante.
Acontinuacinsemuestranlasmedidastomadasalcircuitoderesistencianegativa.
Verificacin del circuito de resistencia negativa. Importa principalmente las caractersticas vistas
desde el puerto 1 segn se muestra en la figura 3.2. en la siguiente figura se muestra el
esquemticoconlaslneasdeaccesoadicionalesparalamedicin.
103
Fig.3.53.Circuitoderesistencianegativaimplementadoconlneasdetransmisinenelsoftware.
Estecircuitocorrespondeconellayoutquesemuestranacontinuacin:
104
Fig.3.54.LayoutdelCircuitoderesistencianegativaconlneasdeacceso.
Lasiguientetablamuestralalistadecomponentesdelcircuitoderesistencianegativa.Valeaclarar
quelasimulacinserealizconelcircuitoquemodelalosefectosdelempaquetadodeltransistor,
queesvlidohasta4GHz.
105
Tabla3.2.ListadeComponentesCircuitodeResistenciaNegativa.
LXC, LXE Ind 18nH HK0603_18N TaiyoYuden, HK-Serie, 0201in
Laimplementacindeestecircuitosemuestraenlasiguientefigura.
Fig.3.55.Circuitoderesistencianegativaacaracterizar.
106
Las siguientes figuras muestran los resultados de la simulacin de los parmetros de red en
magnitud (dB) y ngulo (grados) con el trazo azul, y el trazo rosado, la respectiva medicin
realizada.
Fig.3.56.Simulacin(azul)delamagnituddelparmetroderedS11delcircuitoderesistencianegativaVsmedicin
realizada(rosada).
Fig.3.57.Simulacin(azul)delngulodelparmetroderedS11delcircuitoderesistencianegativaVsmedicin
realizada(rosada).
107
realizada(rosada).
realizada(rosada).
108
realizada(rosada).
realizada(rosada).
109
realizada(rosada).
realizada(rosada).
110
Observamosquelassimulacionesylasmedicionesmuestranlamismatendencia.lassimulaciones
sonmscerterasenfrecuenciasmenoresa2GHz.
Sesospecha queel modeloprovistoporelfabricantedelvaractornoestdescribiendode forma
correcta el comportamiento de este componente por lo menos en la banda de frecuencias de
intersparanuestroVCO.Yasetienelaexperienciadetrabajarconeltransistoryloscapacitorese
inductoresyverquelosresultadosexperimentalesconcuerdanconlassimulaciones.Seconfirm
queelmodelodelvaractornoestabadescribiendocorrectamentesucomportamiento.
Elprocedimientoquesesiguicontadoenesteinformepermiticaracterizarunacargaresonante
eirdescartandolasposiblescausasdelasdiferenciasentrelassimulacionesylasmedidas,hasta
llegar a corregir el modelo del varactor. es til realizar un procedimiento de este tipo cuando los
resultadosesperadosnoseacercanalassimulacionesdelaetapadediseo.
111
4.OSCILADORCONTROLADOPORVOLTAJEDE23GHz
AhoraseprocedeamostrareldiseoylaimplementacindelVCOparalabandade2a3GHz.Se
utiliza en la etapa de diseo el modelo del varactor corregido como se mostr en la seccin
anterior, se implementa adems el circuito en el substrato descrito en las secciones 2 y 3. El
procedimiento y formalismo utilizado para este diseo, es el mismo que el del VCO de banda
angostadescritoenlaseccin2.
Este VCO utiliza la misma topologa para el circuito de resistencia negativa (circuito activo) y una
configuracindecargaresonantedistintaalovistoenlaseccin2.
4.1.Diseo
Paralaimplementacindelcircuitoactivoseelige,luegodelatopologa,eltransistorausarenel
VCO. El transistor que se eligi inicialmente fuel el transistor NE662M16, que tiene su frecuencia
de corte en 25GHz, y es ideal para aplicaciones inalmbricas. el modelo de este transistor se
encuentraenlalibreradeAWR;enrealidad,haytresmodelosnolinealesparacomponente,para
3distintascorrientesdepolarizacin(5,10y15mA).
Q:NE662M16
:70
Vbe:0.8V
Vcemax:3.3V
Implementandounapolarizacinde5mA:
112
Fig.4.1.PolarizacinIc=5mAparaeltransistorNE662M16.
RB:24K
RE:240
Vcc:3.3V
Es importante mencionar que para la banda UHF, que es en la que se trabajar, los efectos
provocados por las inductancias y capacitancias del empaquetado del componente son
significativas.
Elmodelodeldispositivoqueincluyelosefectosdelempaquetadosegnelfabricante,comoyase
mostrenlaseccin2.Serecuerdaqueestemodeloesvlidopara:
Vce:0.5Va3V
Ic:1mAa30mA
f:0.1a4GHz
Se desea lograr la mxima precisin posible en la etapa de diseo para as lograr los resultados
esperados a la hora de la implementacin. Por esta causa, se define en el software el substrato
para simular las lneas de transmisin que realizan las conexiones entre los componentes, como
tambinsehizoeneldiseodelVCOdebandaangosta.
113
El transistor se utiliza para implementar el circuito que brinda la resistencia negativa a la carga
resonante. Los valores de los condensadores y los inductores (ideales) fueron sintonizados para
obtener la resistencia negativa a la entrada del puerto 1 mayor en el rango de frecuencias de
inters.Elcircuitoimplementadoconlneasdetransmisinsemuestraacontinuacin:
Fig.4.2.Circuitoactivoimplementadoconlneasdetransmisinyconelementosideales.
Ellayoutvaconstruyndoseprogresivamenteteniendodeterminadoeltamaodelosinductores,
resistenciasycapacitoresausar.
114
Tabla4.1.ListadeComponentesdelcircuitodelafigura4.2.
Componente Tipo
C11 Cap 0.3pF
C12 Cap 0.3pF
C2 Cap 0.5pF
CB Cap 2.2pF
CC1 Cap 1pF
CC2 Cap 33pF
CE Cap 2.2pF
LXC, LXE Ind 18nH
Q Tran. NPN NE662M16
RB Res 24K
RE Res 240
Vcc 3.3V
La resistencia de entrada vista desde el puesto 1 del circuito de la figura 4.2 se muestra a
continuacin:
115
Fig.4.3.Resistenciadeentradavistadesdeelpuerto1delcircuitodelafigura4.2.
Seapreciaquesecuentaconmenosde30delaparterealdelaresistenciadeentradaentodo
el rango de frecuencia de inters, y que adems la parte real de la resistencia de entrada posee
unapendientecercanaacero,factordeseablesisedeseaunapotenciadesalidaconstanteparael
VCOentodoelrangodevariacindefrecuencias.
Como se mencion anteriormente, es deseable ser lo ms rigurosos y precisos en la etapa de
diseo, por lo cual, no nos conformamos por simular el circuito activo con componentes ideales.
Hayquehacerlatareadeelegirunosinductoresycapacitoresquealasfrecuenciasdetrabajode
nuestro VCO tengan un comportamiento cercano al ideal. Adems, es importante contar con los
modelos de los componentes, ya sea que los d el fabricante o que se caractericen por el
diseador.unavezunocuentaconlosmodelosdeloscomponentesyunproveedorcomercialde
estosmismos,seanalizaelcomportamientodelcircuitoconloscomponentesreales.
Enestecasoseusaronlossiguientescomponentes:
116
Tabla4.2.Listadecomponentesrealesdelcircuitodelafigura4.2.
LXC, LXE Ind 18nH HK0603_18N TaiyoYuden, HK-Serie, 0201in
Laresistenciadeentradadelcircuitoimplementadoconloscomponentesrealessemuestraenla
siguientegrfica.
117
Fig.4.4.Resistenciadeentradavistadesdeelpuerto1delcircuitodelafigura4.2implementadoconcomponentes
reales.
Se ve un comportamiento bastante similar al obtenido con componentes ideales, aunque se
cuentaconunamagnitudderesistencianegativaunpocomenor.
Diseo del circuito tanque. Lo principal a tener en cuenta en el diseo del circuito tanque, es el
varactor. A las frecuencias requeridas para nuestro diseo, no cualquier varactor se comporta
comocondensador.Silacapacitanciadelvaractoresdemasiadogrande,llegarasufrecuenciade
autoresonanciapordebajodenuestrorangodetrabajo(2a3GHz).Tambinesimportantetener
elcuentalosefectosdelempaquetadodeldispositivo.
Se utilizar el varactor BB857 de Infineon que ya se utiliz y caracteriz en un montaje realizado
conanterioridad.
Es un varactor utilizado para SATtuners, de alta variacin de capacitancia. El modelo de este
dispositivo no se encuentra en Microwave Office, pero el fabricante provee el modelo Spice del
varactor,y,obviamente,loscomponentesparamodelarelvaractorconelempaque.
118
Vr=30V
C
V1
=6.6pF (1MHz)
C
V25
=0.55pF (1MHz)
C
V28
=0.52pF (1MHz)
C
V1
/C
V25
=10.2
Tieneunabuenavariacindecapacitanciayunaltovoltajeeninverso.
EnelparmetroSpicedelvaractor,secorrigienlaseccinanteriorelparmetroCJ0de9.122pF
a14.22pF.
ElfabricanteaseguraqueelmodeloSpicequeproveeesvlidohasta6GHz,loquenosdejasinla
incertidumbre de estar trabajando a frecuencias que no estn contempladas por el modelo y
describemuybienelcomportamientoentrelos0.5Vy28V.
Latopologausadaparaimplementarlacargaresonantesemuestraenlasiguientefigura.
Fig.4.5.Circuitotanque.
Este arreglo de dos varactores tiene la venta de que el cambio de capacitancia causado por
modulacinACtieneefectoendireccionesopuestasenlosvaractores,yporlotanto,secancelaa
s misma (ver [10]). Esta configuracin ayuda a disminuir la distorsin armnica, y permite un
ampliorangodevariacinenfrecuencia.
119
LafrecuenciaderesonanciaessintonizadaporelvaractorV1,enfuncindelvoltajedecontrol,y
porelinductorL.LoscomponentesLVyCVcumplenlafuncindefiltrarelvoltajedecontrol.
Anlisis lineal. El objetivo del circuito tanque es cumplir con las condiciones descritas en las
ecuaciones 3 y 4; para ello, se puede realizar una simulacin lineal en la que se cumplan las
condiciones de oscilacin en funcin del voltaje de control del varactor y ajustando el valor del
inductorLsegncomosemuestraenelcircuitodelafigura4.5.
Para realizar la simulacin de la condicin lineal de oscilacin, se implementan las siguientes
ecuacionesenelsoftware.
Fig.4.6.Ecuacinagregadaen"outputequations"delrboldelproyecto.
El esquemtico 03_Test_Tank_Circuit_NE662M16 que se hace referencia en la primera ecuacin,
correspondealcircuitotanquequedeterminarlafrecuenciadeoscilacinconlatopologaquese
muestra en la figura 4.5; se ve que est en funcin de una fuente de voltaje que corresponde al
voltajedecontrol.
El esquemtico 02_Test_Negative_Resistance_NE662M16 corresponde al circuito activo que
proveelaresistencianegativaalacargaresonante.
Laecuacinnospermitecalcularlascondicionesdeoscilacindescritasenlasecuaciones3y4de
esteescritohaciendoposibleajustarelinductoryvariarelvoltajedecontrolparaelcumplimiento
delasmismasennuestrodiseo.
Se busca graficar la parte real y la parte imaginaria de Z_total y ajustar con un voltaje de control
bajo (cero o cercano) un cruce en 2 GHz de la parte imaginaria de la impedancia y que al mismo
tiempolaparterealdelaimpedanciaseanegativaenesepunto;yparaunvoltajedecontrolalto
(mximo 28V, limitacin dada por el varactor) un cruce por cero de la parte imaginaria de la
120
impedanciaalos3GHz,tambindisponiendoderesistencianegativaenesepunto.deestaforma
seajustaelvalordelinductorLdelacargaresonante.
Ya que esta simulacin es lineal, se espera que el comportamiento en gran seal sea un poco
diferente. cuando se realice la simulacin no lineal se evidenciar que la prediccin por este
criterio lineal no es certero, y habr que realizar ajustes para obtener la frecuencia de oscilacin
deseada.Detodasformas,estecriteriolinealdeoscilacinesunabuenaguaparaestaetapadel
diseo.
En las siguientes grficas se encuentran las condiciones lineales de oscilacin para distintos
voltajesdecontrolconelinductorLiguala3.3nH.
Fig.4.7.Condicinlinealdeoscilacinparaunvoltajedecontrolde0V.
121
Fig.4.8.Condicinlinealdeoscilacinparaunvoltajedecontrolde15V.
Lasgrficas4.7y4.8nosdicenqueseesperanfrecuenciasdeoscilacinentrelos2.3GHzparaun
voltaje de control de 0V y 3.2 GHz para un voltaje de control de 15V, cumpliendo con las
ecuaciones3y4.elcircuitotanqueresultantesemuestraacontinuacin.
Fig.4.9.CargaresonantedelVCO.
122
Lalistadecomponentesdeestecircuitotanquesemuestraenlatabla4.3.
Tabla4.3.ListadeComponentesdelacargaresonante.
L Ind 3.3nH HK0603_3N3 TaiyoYuden, HK-Serie, 0201in
LV, Ind 18nH HK0603_18N TaiyoYuden, HK-Serie, 0201in
En gran seal, como ya se mencion, los parmetros S del circuito seguramente cambiarn y el
comportamientoserdistintoalquedescribeestasimulacinlineal;porlotanto,esnecesarioun
anlisisnolineal.
Anlisis no lineal. Esta parte del anlisis se realiza con un componente de AWR llamado
OSCAPROBE, que se conecta entre el circuito activo y la carga resonante, como se muestra en la
figura4.10.
Fig.4.10.VCOparaanlisisnolineal.
123
Loquequedaeshacerlassimulacionesdeseadas.Lassiguientessimulacionesserealizaronconel
simuladorAPLACHB,quedaelmismoresultadodelsimuladorHarmonicBalance,conladiferencia
de que en las ocasiones que Armonic Balance no converge en una solucin, APLACHB encuentra
lasolucindelsistemayenmenortiempodesimulacin.
Ntese que en el componente OSCAPROBE est buscando la frecuencia de oscilacin desde los
100 MHz hasta los 6 GHz, para que as tengamos la seguridad de detectar posibles modos de
oscilacinafrecuenciasnodeseadas.
La grafica de frecuencia de oscilacin del VCO en funcin del voltaje aplicado al varactor se
muestraacontinuacin.
Fig.4.11.FrecuenciadeoscilacinVsVcntrl.
Sepuedeapreciarquelopredichoporlasfiguras4.7y4.8fuemuyaproximadoalafrecuenciade
oscilacin real. Tambin puede notarse que la variacin de frecuencia con respecto al voltaje
puedeaproximarseaunalnearecta,algoqueesdeseableeneldiseodeosciladorescontrolados
porvoltaje.
124
Enlasiguientefigurasemuestraelcontenidoarmnicodelasealdesalida(puerto1delafigura
4.10)enfuncindelvoltajedecontrol.
Fig.4.12.Potenciadesalidadelcomponentefundamentalydelossiguientesdosarmnicosenfuncindelvoltajede
control.
El trazo azul es la potencia de la seal de salida y los trazos rosado y marrn son los
correspondientes a los siguientes 2 armnicos. se observa que en general los armnicos se
encuentran a ms de 10dBm por debajo del componente fundamental de la seal lo que indica
unadistorsinarmnicabaja.
La distorsin armnica puede reducirse como se menciona en [11], que se sugiere conectar una
capacitancia pequea entre colector y base para as disminuir la realimentacin positiva en el
circuitoyreducirladistorsinenconsecuencia.
Es til conocer el tiempo que tarda el VCO en ajustarse en una frecuencia determinada luego de
uncambioabruptoenelvoltajedecontrol;deestemodoseobtieneunlmiteenlarapidezconla
que puede variar el voltaje de control. Para este anlisis se aplica la siguiente seal de control
Vcntrl:
125
Fig.4.13.CambioabruptoenelvoltajedecontrolVcntrl.
De0a100nselvoltajedecontroles12.52V;en100nselvoltajedecontrolcambiaabruptamente
a0.71Vysemantieneenestevalorhastalos400ns,dondedenuevocambiaabruptamentehasta
los 12.52V iniciales. Con esta seal de control el VCO oscilar inicialmente a 3 GHz, luego a unos
2.2GHzyvolveralafrecuenciade3GHz.
Esta seal se obtiene con el siguiente circuito, que es una modificacin de la fuente Vcntrl
mostradaenlafigura4.9.
126
Fig.4.14.ModificacinenlasealdelvoltajedecontrolVcntrl.
En el puerto 2 va conectada el resto de la carga resonante. El circuito consta de una fuente de
voltaje de 15V conectada en serie con dos resistencias en paralelo; una de 1K, y la otra una
resistencia"Res_AP"queseconfiguradelasiguienteforma:
Fig.4.15.PropiedadesdelelementoRes_AP.
127
Conlaecuacinescritaenelcampodeedicindelcomponenteseobtieneunaresistenciaquede
0a100nstieneunvalorde10;entre los100nsylos400nsvale10G;yatiemposmayoresde
400nstomadenuevoelvalorde10.
RealizandounasimulacindelasealdesalidadelVCOconestasealdecontrolqueseacabade
crear se podr ver cunto tiempo tarda el VCO en estabilizar su frecuencia de oscilacin con un
cambioabruptoensuvoltajedecontrol.
RealizandolasimulacinconelsimuladorAplacTransientenunintervalode0a900nsseobtuvo
elsiguienteresultado.
Fig.4.16.RespuestatransitoriadelVCOalasealdecontrolmostradaenlafigura4.13.
Con esta simulacin se puede obtener informacin interesante sobre la respuesta transitoria del
VCO a cambios abruptos del voltaje de control, as como el tiempo de encendido. Haciendo un
zoom en los datos, de 0 a 30ns se observa el arranque del VCO con un voltaje de control de
12.52V.
128
Fig.4.17.RespuestatransitoriadelVCOalasealdecontrolmostradaenlafigura4.13viendolosdatosde0a30ns.
Se observa que el VCO termina su respuesta transitoria de encendido despus de los 20ns,
adems,sufrecuenciadeoscilacinesde3.1GHz.
Cuando el voltaje de control cambia abruptamente de 12.52V a 0.7V en 100ns la figura 4.17
muestra que el VCO tarda en estabilizarse unos 150ns. Realizando un zoom en los datos de esta
graficaentre3120y230nssevelosiguiente:
129
Fig.4.18.RespuestatransitoriadelVCOalasealdecontrolmostradaenlafigura4.13viendolosdatosde312a320ns.
ElVCOseencuentraenestadoestableoscilandoaunafrecuenciade2.5GHz.Cuandoelvoltajede
controlvuelveacambiarabruptamentealos400ns,de12.52Va0.7V,elVCOtardaenllegarasu
respuestaestableunos380ns,comoseveenlafigura4.17.
Conesteanlisisseconcluyequeelvoltajedecontrolpuedevariarmximoaunafrecuenciad2.6
MHz,dndoletiempodeestemodoalVCOdeterminarsurespuestatransitoria.
El layout del VCO se ha ido construyendo progresivamente conforme se avanza en el diseo del
circuitoactivoylacargaresonante.enlasiguientefigurasemuestraellayoutaimplementar.
130
Fig.4.19.LayoutdelVCO.
SerecuerdaqueestecircuitoseimplementarenunsubstratodesobredevidrioFR4de30milde
espesor,segnsemostrenlassecciones2y3.Aunqueyasehacontadoloscomponentesconlos
queseimplementarelcircuito,seresumenenlasiguientetabla.
131
Tabla4.4.ListadeComponentesVCO.
L Ind 3.3nH HK0603_3N3 TaiyoYuden, HK-Serie, 0201in
LV, LXC, LXE Ind 18nH HK0603_18N TaiyoYuden, HK-Serie, 0201in
Queda ahora por implementar el VCO y comparar los resultados de la simulacin con las
mediciones.
132
4.2.Implementacin
LasiguientegrficaesunafototomadaalPCBimplementadoenelsubstrato.seapreciaeltamao
tanreducidodeldiseo,comparndoloconunamonedade200pesoscolombianos.
Fig.4.20.ImplementacindelPCB.
Sepuedeapreciarelpequeotamaodetodosloscomponentesenlafigura4.21.Pararealizarla
soldaduradestosserequieremuchapaciencia,uncautn,estao,fluxparasoldadura,unalupa
demesaybuenpulso.Conformesevayansoldandomscomponentessevamejorandolatcnica
y las soldaduras quedan ms limpias. Fue poco til utilizar una pistola de aire caliente ya que los
componentes cercanos terminan desoldndose; el procedimiento para soldarlos consiste en
agregar un poco de flux en las pistas donde se van a soldar los componentes, luego se estaan
estasreasconestaosuficientecomoparaquepuedahaberunabuenauninmecnicacuando
se fije el componente, luego se agrega un poco ms de flux, se posiciona el componente y se
calientan los puntos de contacto con un cautn hasta que se funda el estao y se adhiera al
componente.
133
Fig.4.21.ImplementacincircuitoVCO.
Se tomaron medidas de la frecuencia de oscilacin para voltajes de control de 0, 5, 10 y 15V. las
siguientes 4 grficas muestran los resultados obtenidos en el analizador de espectros del
laboratorio.
134
Fig.4.22.MedicindefrecuenciadeoscilacinypotenciadesalidadelVCOparaunvoltajedecontrolde0V.
135
136
En la siguiente tabla se comparan los resultados obtenidos en la implementacin con los

esperadossegnnuestrodiseo.
Voltaje de
control
Resultados de la
Simulacin
Resultados
Experimentales
Diferencia
0V Frecuencia de
Oscilacin
2.213 GHz 2.198 GHz 0.015 GHz
Potencia de
Salida
-1.42 dBm -4.77 dBm 3.35 dBm
5V Frecuencia de
Oscilacin
2.519 GHz 2.396 GHz 0.123 GHz
Potencia de
Salida
0.553 dBm -8.63 dBm 8.077 dBm
10V Frecuencia de
Oscilacin
2.917 GHz 2.728 GHz 0.123 GHz
Potencia de
Salida
3.6 dBm -4.12 dBm 7.72 dBm
15V Frecuencia de
Oscilacin
3.227 GHz 2.99 GHz 0.237 GHz
Potencia de
Salida
4.65 dBm -0.9 dBm 7.72 dBm
Seevidencia quelosresultadosdelassimulaciones fueronbastanteaproximadosalosobtenidos

enlaimplementacin.estoesfrutodelarigurosidadeneldiseo,teniendoencuentalosefectos
parsitosquepudieranpresentarloscomponentesascomoelmedioenelqueseimplementel
circuito.Seobtuvounasensibilidaddeunos50MHz/Vaproximadamente.aunqueelanalizadorde
espectros del laboratorio no puede mostrarnos todo el comportamiento del VCO ya que solo
137
puedehacermedicioneshastalos3GHz,nuestrodiseooscilahastafrecuenciasmselevadascon
voltajesdecontrolmayoresde15V.
Se alcanza a observar en las mediciones del VCO componentes a unos 90 MHz sobre el
componente fundamental del VCO de unos 50dBm de potencia. Se sospecha que estos
componentes son debidos a intermodulacin que se produce con la radiacin de seales de
radiodifusincomercial,queescaptadaporelcircuitoysemanifiestadeestaforma,apareciendo
bandaslateralesaunos90100MHz.
Para confirmar esta hiptesis, se realizaron las mismas mediciones con los mismos voltajes de
control en una cmara apantallada, que elimina las perturbaciones del medio, como lo son las
sealesderadiodifusincomercial.
las siguientes 4 figuras muestran las mediciones realizadas en una cmara apantallada del
LaboratoriodeCompatibilidadElectromagntica.
Fig.4.26.MedicindefrecuenciadeoscilacinypotenciadesalidadelVCOparaunvoltajedecontrolde0Vencmara
apantallada.
138
apantallada.
apantallada.
139
apantallada.
Se confirma la sospecha que se tena. Las mediciones realizadas en la cmara apantallada
muestranunaseallimpia.
Aunque no nos es posible con los equipos disponibles en el laboratorio verificar la distorsin
armnica as como la rapidez mxima a la que se puede variar el voltaje de control, podemos
confiar en que los resultados de las simulaciones reflejan a buen grado el comportamiento del
VCOconlasmedicionesrealizadashastaelmomento.
Quedaporrealizarunacajametlicaconalimentacinyfiltrosparadejarlistoelprototipoconun
ptimocomportamiento.
140
CONCLUSIONES
* El procedimiento de diseo que tuvo en cuenta las lneas de transmisin en que se

implementaraelcircuitoyloscomponentesespecficosqueseutilizaranjuntoconsusprdidas,
fuelacausadeobtenerunprototipoqueseacercarabastantealosrequerimientosobjetivo.
* Es importante verificar desde la etapa de diseo y simulacin que el oscilador no vaya a
oscilar a alguna frecuencia diferente de la requerida. Es til asegurarse con una simulacin no
linealenunampliorangodefrecuenciasqueestonoocurra.
* Sesospechabaqueelmodeloprovistoporelfabricantedelvaractornoestdescribiendo
de forma correcta el comportamiento de este componente por lo menos en la banda de
frecuenciasdeintersparanuestroVCO.Yasetienelaexperienciadetrabajarconeltransistory
los capacitores e inductores y ver que los resultados experimentales concuerdan con las
simulaciones. Se confirm que el modelo del varactor no estaba describiendo correctamente su
comportamiento. El procedimiento que se sigui contado en la seccin 3 permiti caracterizar la
cargaresonanteeirdescartandolasposiblescausasdelasdiferenciasentrelassimulacionesylas
medidas, hasta llegar a corregir el modelo del varactor. Es til realizar un procedimiento de este
tipocuandolosresultadosesperadosnoseacercanalassimulacionesdelaetapadediseo.
141
BIBLIOGRAFA
[1]DavidM.Pozar,"MicrowaveEngineering"Secondedition,Cap.11.5.
[2]JosephAndrews,"VCODesignLesson1"www.rfvco.com.
[3]JosephAndrews,"LESSON2:ComputerAidedVCODesign"www.rfvco.com.
[4] APPLICATION NOTE 2032, "Trimless IF VCO: Part 1: Design Considerations"
http://www.maximic.com/an2032.
[5]MICROWAVES&RF,"DevelopATrimlessVoltageControlledOscillator",JANUARY2000.
[6] Ulrich L. Rohde, "Oscillator Basics and LowNoise Techniques for Microwave Oscillators and
VCOs",Chairman,SynergyMicrowaveCorporation,Paris,France,26October2000.
[7]"UnderstandingVCOConcepts",MiniCircuits,09/08/1999.
[8]IrvingM.Gottlieb,"PracticalOscillatorHandbook"Cap.2.
[9] Application Note No. 061, " WCDMA 2.3 GHz VCO using BFR360F and BBY5802V" Infineon
Technologies,20010517.
[10]UlrichL. Rohde, "MicrowaveandWirelessSynthesizersTheoryandDesign" JOHNWILEY&
SONS,INC.Paterson,NewJersey,1997.
[11]AndreiGrebennikov,"RFandMicrowaveTransistorOscillatorDesign"8deabrilde2006,pg.
28.

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