BJT Mosfet

3
Componentes Semicondutores II
Meta deste captulo
Captulo

Revisar componentes semicondutores e apresentar
caractersticas novas relacionadas eletrnica de
potncia.

o
b
j
e
t
i
v
o
s

Revisar transistores bipolares de juno;
Estudar BJTs de potncia;
Estudar MOSFETs de potncia;
Estudar IGBTs;
Identificar diferentes modelos de BJT, MOSFET e IGBT;
Testar BJT, MOSFET e IGBT;
Realizar ensaios com BJT, MOSFET e IGBT.

Pr-requisitos

Ter estudado o captulo referente aos Semicondutores de Potncia I: diodos e
tiristores.

Continuidade

O estudo continuar com a especificao de semicondutores e clculo
trmico.

Prof. Clvis Antnio Petry.
Florianpolis, agosto de 2013.

Captulo 3 Semicondutores de potncia: BJT, MOSFET e IGBT
Eletrnica de Potncia
2

1 Introduo
No captulo anterior foram estudados os diodos e tiristores, abordando-se com detalhes
aspectos novos relacionados a estes componentes. Os diodos j haviam sido estudados em
disciplinas de eletrnica do seu curso, mas detalhes da comutao, diferentes tecnologias, perdas,
dentre outras caractersticas, foram apresentadas pela primeira naquele captulo.
Do mesmo, os transistores bipolares de juno (BJT) tambm j foram estudados e
aplicados em diversos circuitos ao longo do curso de eletrnica. Assim, aqui sero considerados
alguns aspectos importantes para eletrnica de potencia, como as perdas, relao da corrente de
base com a corrente de coletor, etc. Por sua vez, transistores de efeito de campo (FET) e em
especial os transistores de efeito de campo de metal-xido (MOSFET) sero revisados e
apresentados em detalhes aqui. Assim tambm, os transistores bipolares de porta isolada (IGBT)
sero introduzidos e estudados neste captulo.
A Figura 1 mostra um quadro comparativo de tecnologias de semicondutores em funo
da frequncia de operao e de sua potncia. Pode-se observar que os MOSFETs operam com altas
frequncias, mas potncias menores que os IGBTs. J os BJTs operam com potncias menores que
os MOSFETs e IGBTs e tambm em frequncias menores, o que os coloca em posio de
desvantagem em relao aos outros dois. Em alguns casos os BJTs so preferidos pelo baixo custo
ou facilidade de obteno no mercado.

Figura 1 Semicondutores para eletrnica de potncia.
Fonte: http://www.iue.tuwien.ac.at. Acesso em: 14/08/2013.

Assim, neste captulo se pretende fazer uma reviso dos transistores bipolares de juno,
seguindo com o estudo dos transistores de efeito de campo de metal-xido e por fim apresentando
os transistores bipolares de porta isolada.

3

2 Transistores Bipolares de Juno
O emprego de transistores bipolares de juno (BJTs) em circuitos eletrnicos muito
frequente, o que tambm ocorre com circuitos de eletrnica de potncia. Especialmente em
circuitos eletrnicos de baixo custo, operando em baixas frequncias, usual a utilizao de
transistores bipolares de juno, alm das aplicaes em circuitos de controle e comando, proteo,
superviso, dentre outros.
Este captulo sobre transistores bipolares de juno est organizado de forma a conduzir o
aluno por uma reviso do funcionamento deste componente, seguindo com a insero de novos
contedos e caractersticas importantes para a eletrnica de potncia. So apresentadas informaes
sobre componentes comerciais, alm dos testes para verificar se o transistor est em bom estado.
Ainda, apresentam-se um roteiro de laboratrio, exerccios resolvidos e propostos e simulaes de
circuitos com semicondutores.

2.1 Consideraes Iniciais
Os transistores bipolares de juno podem ser divididos, quanto a sua construo e
portanto funcionamento, em transistores npn ou pnp. Nas Figura 2 e Figura 3 mostram-se os dois
modelos e as variveis principais nestes componentes.

Figura 2 - Transistor npn.
Fonte: (Boylestad, 2004).

Figura 3 - Transistor pnp.
As principais relaes bsicas no transistor so:
Tenso base-emissor (V
BE
);
Tenso coletor-emissor (V
CE
);
Corrente de emissor (I
E
);
Corrente de coletor (I
C
);
Ganho (!).

Algumas consideraes so importantes para a anlise dos circuitos de polarizao, que
ser realizada adiante. Estas consideraes so apresentadas abaixo, correspondendo a tenso base-
4
emissor, caracterstica da queda de tenso de uma juno pn; a corrente de base muito pequena
em relao a corrente de coletor, podendo-se aproximar I
E
= I
C
; a corrente de base a corrente de
coletor dividida pelo ganho do transistor.

V
BE
= 0,7V ;

I
E
= ! +1
( )
" I
B
# I
C
;

I
C
= ! " I
B
.

A partir dos valores destas variveis pode-se determinar se o transistor est operando em
uma de suas trs regies de polarizao, quais sejam:
Regio de corte o transistor no estar conduzindo;
Regio ativa - o transistor estar operando na regio de amplificao linear;
Regio de saturao o transistor estar conduzindo em sua capacidade plena.

Na Figura 4 so apresentadas, em destaque, as trs regies de operao dos transistores
bipolares de juno.

Figura 4 - Regies de polarizao de um transistor bipolar.

Em eletrnica de potncia emprega-se o transistor operando na regio de corte e
saturao, visto que na regio ativa as perdas so elevadas. Em outras palavras, aqui utiliza-se o
transistor como chave, conduzindo ou no-conduzindo.

2.2 Polarizao com Tenso Fixa
Um dos circuitos mais simples para polarizao de transistores bipolares de juno a
5
configurao emissor-comum com polarizao fixa.
O circuito apresentado na Figura 5 apresenta um circuito simples de polarizao de
transistores bipolares de juno. A seguir, a ttulo de reviso, ser realizada a anlise deste circuito
de polarizao.

Figura 5 - Circuito de polarizao em CC.

Fazendo-se a anlise da malha de base-emissor, pode-se desenhar o circuito da Figura 6,
obtendo-se:

+V
CC
! I
B
" R
B
!V
BE
= 0 ;

I
B
=
V
CC
!V
BE
R
B
.

Figura 6 - Malha base-emissor.

Figura 7 - Malha coletor-emissor.
Do mesmo modo, analisando a malha coletor-emissor, tem-se:

I
C
= ! " I
B
;

V
CE
+ I
C
! R
C
"V
CC
= 0 ;

V
CE
=V
CC
! I
C
" R
C
.
6

2.3 Operao nas Regies de Saturao
Se o transistor estiver operando na regio de saturao, conforme mostrado na Figura 4,
ento pode-se considerar que a tenso coletor-emissor tenda a zero, como apresentado na Figura 8.
A corrente de saturao pode ser determinada por:

I
Csat
=
V
CC
R
C
.

Figura 8 - Transistor operando na saturao.

Lembre que, em oposio operao na saturao, tem-se a operao na regio de corte,
onde pode-se considerar:

I
C
= 0;

V
CE
=V
CC
.

Utilizando estes limites de operao (I
Csat
e V
CE
= V
CC
) tem-se a reta de carga do circuito,
como est mostrado na Figura 9.
FIGURE 4-12 Fixed-bias load line.
Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky
Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
Copyright 2002 by Pearson Education, Inc.
Upper Saddle River, New Jersey 07458
All rights reserved.

Figura 9 - Reta de carga para polarizao fixa.

7

2.4 Acionamento do BJT
Um transistor bipolar de juno entra em conduo quando for aplicada corrente na base
do mesmo e se vencida a tenso queda de tenso direta entre base e emissor (V
BE
= 0,7 V).
Lembre-se que existe uma relao direta entre a corrente de coletor e a corrente de base, dada pelo
ganho do transistor (! ou h
FE
).
Assim, na Figura 10 mostra-se um circuito para realizar o acionamento do transistor, isto,
fazer com que o mesmo entre em conduo e bloqueie quando desejado. Ao pressionar a chave S
1
,
ir circular corrente na base do transistor T
1
, provocando sua conduo, e consequentemente a
circulao de corrente pelo seu resistor de carga (resistor de coletor). O resistor R
1
deve ser
calculado para que a corrente de base seja suficiente para que o transistor T
1
opere na saturao.
Ao abrir a chave S
1
, a base ser levada ao referencial zero, por meio do resistor R
2
. Este
resistor funciona como pull-down, de modo idntico a circuitos digitais. Este resistor deve ter valor
escolhido para que garanta a no-conduo do transistor com a chave S
1
aberta, ou seja, deve ter
um valor baixo a ponto de garantir referencial zero na base do transistor. Por outro lado, no pode
ser muito baixo, pois seno ir drenar uma alta corrente ao se fechar a chave S
1
. Valores comuns
para R
2
so da ordem de alguns quilo ohms.

R
1
R
C
T
1
V
cc
+
-
R
2
S
1
C
E
B

Figura 10 Circuito para acionamento do BJT.

2.5 Comutao do BJT
A comutao do transistor bipolar de juno ocorre toda vez que o mesmo for comandado
a conduzir ou a bloquear. Para apresentar as principais formas de onda do transistor durante a
comutao ser utilizado o circuito da Figura 11. Neste circuito, R
L
o resistor de carga (load), R
B

o resistor de base, onde se tem a conexo de uma fonte de tenso pulsada, ou seja, que aplica uma
forma de onda de tenso retangular para acionamento do transistor.
Observando a Figura 12, nota-se que a partir do momento que a corrente de base comea
a aumentar, a corrente de coletor ir aumentar logo em seguida, com a diferena de um pequeno
tempo, denominado de t
on
, ou seja, tempo de entrada em conduo, ou tempo de ligamento.
8
Por outro lado, no momento que a corrente de base diminui at zero, mesmo se tornando
negativa para garantir o bloqueio do transistor, a corrente de coletor leva um longo tempo para
iniciar sua queda, representado por t
s
, fazendo com que o tempo para bloquear (t
off
) seja alto.

+
-
V
B
E
C
L
R
B
R
B
I
CE
+VCC
C
I

Figura 11 Circuito para estudo da comutao do BJT.
Fonte: (Barbi, 2006).

Figura 12 Formas de onda da comutao do BJT com carga resistiva.

Conforme (Barbi, 2006), valores tpicos para transistores de potncia, para I
B1
= 2,5 A e
I
B2
= 3,0 A so:
t
d
= 0,2 s;
t
r
= 0,7 s;
t
s
= 3,0 s;
t
f
= 0,7 s;

9
Note que o tempo t
on
a soma de t
d
+ tr, resultando em 0,9 "s. J o tempo t
off
resulta de t
s

+ t
f
= 3,7 "s. Tempos com estes valores limitam a frequncia de operao dos transistores a alguns
quilo Hertz, o que representa uma desvantagem destes componentes em relao a outras
tecnologias, como por exemplo os MOSFETs.

2.6 Perdas no BJT
Em um transistor, assim como nos diodos semicondutores, se tem dois tipos de perdas:
Perdas por conduo ocorrem quando o transistor est conduzindo;
Perdas por comutao aparecem na entrada em conduo e no bloqueio do
transistor.

As perdas por conduo podem ser determinadas pela expresso a seguir, considerando
que o transistor est sendo utilizado em um circuito chaveado, ou seja, sendo ligado e desligado
periodicamente, ficando ligado por um tempo t
on
e chaveando com frequncia de comutao
(chaveamento) f.

P
cond
= i
C
!V
CEsat
+ i
B
!V
BEsat
( )
! t
on
! f .

Onde:
i
C
corrente de coletor;
V
CEsat
tenso de coletor-emissor de saturao;
i
B
corrente de base;
V
BEsat
tenso base-emissor que leva o transistor saturao;
t
on
tempo pelo qual o transistor permanece ligado;
f frequncia de operao.

J as perdas por comutao podem ser determinadas por:

P
com
=
1
2
t
r
+ t
f
( )
! I ! E ! f .

Onde:
t
r
tempo de subida da corrente de coletor;
t
f
tempo de descida da corrente de coletor;
I corrente de coletor ao final da comutao;
E tenso entre coletor e emissor ao final da comutao;
f frequncia de comutao.
10

importante destacar que as perdas no transistor bipolar de juno dependem
linearmente da corrente (

V
CE
! I
C
), o que uma caracterstica interessante em circuitos de alta
potncia, isto , que operam com altas correntes.

2.7 Caractersticas Importantes de BJTs
As principais caractersticas de um BJT, para fins de projeto e escolha de modelo, so:
Tenso coletor-emissor de saturao V
CE(sat)
;
Tenso mxima entre coletor e emissor V
CEO
;
Corrente de coletor I
C
;
Corrente de coletor de pico (pulsada) I
CP
;
Tenso mxima entre base e emissor V
BEO
;
Tenso base-emissor de saturao V
BE(sat)
;
Ganho de corrente contnua h
FE
;
Tempo de subida da corrente de coletor t
r
;
Tempo de descida da corrente de coletor t
f
.

Como exemplo, estas caractersticas para um transistor modelo TIP50, sero:
CE(sat)
= 1 V;
CEO
= 500 V;
C
= 1 A;
CP
= 2 A;
Tenso mxima entre base e emissor V
BEO
= 5 V;
Tenso base-emissor de saturao V
BE(sat)
= 1,5 V;
Ganho de corrente contnua h
FE
= 10 a 150.

Um detalhe importante para transistores bipolares de juno a diminuio do ganho com
o aumento da corrente. O transistor TIP50, para corrente de 1 A, tem ganho que varia de 10 a 150.
J um transistor 2N3055, para corrente de 15 A, tem ganho que varia de 5 a 70. Isso pode levar a
altas correntes de base, quando se deseja altas correntes de coletor, o que uma desvantagem dos
transistores bipolares de juno em relao aos transistores de efeito de campo.
Nas Figura 13 e Figura 14 mostram-se as informaes da folha de dados do transistor
TIP50. Note que o fabricante no especifica os tempos de subida e descida da corrente de coletor.
11
T
I
P
4
7
/
T
I
P
4
8
/
T
I
P
4
9
/
T
I
P
5
0

-

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P
N

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I
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c
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2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com
TP47/TP48/TP49/TP50 Rev. 1.0.0 1
November 2008
TIP47/TIP48/TIP49/TIP50
NPN SiIicon Transistor
High Voltage and Switching Applications
High Sustaining Voltage : V
CEO
(sus) = 250 - 400V
1A Rated Collector Current
AbsoIute Maximum Ratings* T
a
= 25C unIess otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
SymboI Parameter Ratings Units
V
CBO
Collector-Base Voltage : TP47
: TP48
: TP49
: TP50
350
400
450
500
V
V
V
V
V
CEO
Collector-Emitter Voltage : TP47
: TP48
: TP49
: TP50
250
300
350
400
V
V
V
V
V
EBO
Emitter-Base Voltage 5 V

C
Collector Current (DC) 1 A

CP
Collector Current (Pulse) 2 A

B
Base Current 0.6 A
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25C) 40 W
Collector Dissipation (T
a
=25C) 2 W
T
J
Junction Temperature 150 C
T
STG
Storage Temperature - 65 ~ 150 C
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
TO-220

Figura 13 Caractersticas eltricas do transistor TIP50.
Fonte: http://www.fairchildsemi.com/ds/TI/TIP50.pdf. Acesso em: 23/08/2013.
T
I
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8
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T
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4
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2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com
TP47/TP48/TP49/TP50 Rev. 1.0.0 2
EIectricaI Characteristics* T
a
=25C unless otherwise noted
* Pulse Test: Pulse Width300s, Duty Cycle2%

SymboI Parameter Test Condition Min. Typ. Max. Units
V
CEX
(sus)

Collector-Emitter Sustaining Voltage
: TP47
: TP48
: TP49
: TP50

C
= 30mA,
B
= 0 250
300
350
400
V
V
V
V

CEO
Collector Cut-off Current : TP47
: TP48
: TP49
: TP50
V
CE
= 150V,
B
= 0
V
CE
= 200V,
B
= 0
V
CE
= 250V,
B
= 0
V
CE
= 300V,
B
= 0
1
1
1
1
mA
mA
mA
mA

CEX
Collector Cut-off Current : TP47
: TP48
: TP49
: TP50
V
CE
= 350V, V
BE
= 0
V
CE
= 400V, V
BE
= 0
V
CE
= 450V, V
BE
= 0
V
CE
= 500V, V
BE
= 0
1
1
1
1
mA
mA
mA
mA

EBO
Emitter Cut-off Current V
EB
= 5V,
C
= 0 1 mA

h
FE
* DC Current Gain V
CE
= 10V,
C
= 0.3A
V
CE
= 10V,
C
= 1A
30
10
150
V
CE
(sat) * Collector-Emitter Saturation Voltage
C
= 1A,
B
= 0.2A 1 V
V
BE
(sat) * Base-Emitter Saturation Voltage V
CE
= 10V,
C
= 1A 1.5 V
f
T
Current Gain Bandwidth Product V
CE
=10V,
C
= 0.2A, f =
1MHz
10 MHz

Figura 14 Caractersticas eltricas do transistor TIP50 - Continuao.

12
As folhas de dados dos transistores trazem uma informao muito importante sobre a
operao segura do componente, denominada de rea de operao segura (SOA, do ingls safe
operating area). Na Figura 15 mostra-se a curva com a regio de operao segura do transistor
TIP50. Note que para uma corrente de coletor de 1 A e tenso entre coletor e emissor de at
aproximadamente 40 V, o transistor estar operando na regio segura. Acima disso deve-se
verificar ponto a ponto sua corrente e tenso, para garantir que a regio segura no seja
extrapolada. Note tambm que se o transistor estiver sendo usado no modo chave, com pulsos da
ordem de 100 "s, sua rea de operao segura aumenta consideravelmente.

Figura 15 Curva I x V mostrando a rea segura de operao (SOA).

2.8 Testes de BJTs
Os transistores bipolares de juno so testados de modo idntico aos diodos, usando um
multmetro na escala adequada. Do mesmo modo, podem estar em bom estado, abertos ou em
curto-circuito.
A Figura 16 mostra imagens do teste de um transistor com o multmetro na escala
apropriada, resumindo o que foi acima exposto. Deve-se lembrar que o teste com o multmetro
apenas um indicativo do estado do componente, pois em condies reais de operao, o
componente poder apresentar comportamento diferente, inclusive provocando o mau
funcionamento do circuito onde estar sendo empregado.

13

Figura 16 Multmetro digital para teste de transistores.
Fonte: https://burgoseletronica.net. Acesso em: 23/08/2013.

3 Transistores de Efeito de Campo de Metal-xido
Anteriormente, neste captulo, foram revisados e apresentados aspectos novos
relacionados aos transistores bipolares de juno. Estes componentes so amplamente utilizados em
circuitos eletrnicos, dos mais diversos, desde aplicaes de baixas potncias, at centenas de
Watts. Atualmente, pelas suas caractersticas mais interessantes em termos de velocidades de
chaveamento e de facilidade de acionamento, tem ocorrido grande preferncia pelos transistores de
de efeito de campo, em especfico os transistores de efeito de campo de metal-xido (MOSFET).
Assim, neste captulo ser apresentada uma introduo a este componente, seguindo pelo
estudo de suas principais caratersticas, circuito de acionamento, estudo da comutao e perdas,
alm das caractersticas principais destes componentes.

A famlia de transistores de efeito de campo basicamente constituda pelos transistores
de efeito de campo com gatilho (JFET) e os transistores de efeito de campo de metal-xido
14
(MOSFET). Mas estes podem ser de enriquecimento e depleo.
Assim como existem transistores bipolares de juno NPN e PNP, existem transistores de
efeito de campo de canal N e de canal P. Na Figura 17 mostra-se o smbolo de cada FET.
A Figura 18 mostra a constituio de um JFET (no lado esquerdo) e de um MOSFET (no
lado direito), onde nota-se uma diferena substancial em relao aos BJTs.
Note que os terminais destes transistores so:
Gatilho (gate) terminal de controle do componente;
Dreno terminal que drena a corrente (no sentido real) fornecida pela fonte
(source). No sentido convencional de circulao de corrente o terminal por
onde entra a corrente;
Fonte (source) terminal que fornece eltrons, no sentido real, e por sai a corrente
no sentido convencional.

Figura 17 Smbolos de FETs.
Fonte: http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET. Acesso em: 23/08/2013.

(JFET) (MOSFET)
Figura 18 Constituio de transistores de efeito de campo.

O transistor de efeito de campo controlado pelo terminal de gatilho, fazendo com que a
largura do canal aumente ou diminua medida que se aplica ou retira tenso entre este terminal e a
fonte. Por isso este transistor denominado de efeito de campo, pois a corrente de dreno
15
controlada pela tenso (campo eltrico) entre o gatilho e a fonte. Assim, pode-se escrever:

I
D
= k !V
GS
.

O ganho do transistor foi denominado simplesmente de k. Note a diferena para o BJT:

I
C
= ! " I
B
.

A curva tpica de um MOSFET canal N mostrada na Figura 19, onde notam-se trs
regies de operao:
Regio de corte no identificada na figura, a regio com V
GS
baixo, fazendo
com que a corrente de dreno (I
D
) seja praticamente nula;
Regio de saturao quando V
GS
tem valor acima de aproximadamente 4 V a
corrente de dreno constante, mesmo variando a tenso de dreno-fonte (V
DS
);
Regio linear ou hmica nesta regio ocorre uma variao linear entre a corrente
de dreno (I
D
) e a tenso entre dreno e fonte (V
DS
).

A tenso V
TH
denominada de tenso de limiar (threshold) e representa o valor de tenso
a partir do qual o transistor entra em conduo. Tipicamente da ordem de 4 V. A curva vermelha
na Figura 19 representa a transio entre a regio linear e a regio de saturao.

Figura 19 Curvas I
D
x V
GS
de MOSFETs.
Fonte: http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET. Acesso em: 23/08/2013.

Os MOSFET utilizados em eletrnica de potncia tem smbolo e curvas conforme
mostrado na Figura 20. No smbolo nota-se a presena de um diodo, que intrnseco ao
componente ou seja, aparece na sua fabricao e que j pode ser utilizado como diodo de roda-livre
16
em algumas aplicaes. Na folha de dados, o fabricante fornece as informaes referentes ao diodo
intrnseco. Observando as formas de onda de I
D
x V
DS
, nota-se que a partir de 4 V o transistor
comea a conduzir. Tipicamente o limite mximo de tenso para V
GS
da ordem de 20 V.

I
D
i
D
DS
V
+
-
G
S
GS
V
D
+
-

Figura 20 MOSFET de potncia e suas curvas tpicas.

3.2 Acionamento do MOSFET
O transistor MOSFET entra em conduo quando for aplicada uma tenso entre o gatilho
e o terminal fonte (source) maior que a tenso de limiar. De outro modo, pode-se considerar a
capacitncia entre o gatilho e o terminal fonte (source), e para que o MOSFET conduza este
pequeno capacitor deve ser carregado. Por outro lado, para bloquear o MOSFET deve-se
descarregar esta capacitncia, que da ordem de alguns pico Farads. Na Figura 21 mostra-se o
circuito para estudo do acionamento do MOSFET.

R
1
R
D
M
1
V
cc
+
-
R
2
S
1
D
S
G

Figura 21 Circuito para acionamento do MOSFET.

A chave S
1
responsvel por conectar o terminal do gatilho na fonte de energia (
VCC
) por
meio do resistor R
1
. Assim, ao fechar a chave S
1
, o transistor MOSFET ser levado conduo,
considerando que V
CC
seja maior do que a tenso de limiar (V
T
). Ao abrir S
1
, o MOSFET ir
bloquear devido a presena do resistor R
2
, que faz o papel de resistor de pull-down.
17
O tempo de entrada em conduo (t
on
) depender do valor da tenso V
CC
, do resistor R
1
e
da capacitncia de entrada do MOSFET, C
iss
. Do mesmo modo, o tempo de bloqueio (t
off
)
depender desta capacitncia (C
iss
) e do resistor R
2
. Note-se que para fazer o MOSFET conduzir ou
bloquear, deve-se carregar e descarregar C
iss
.
Assim, a forma de onda da tenso entre gatilho e fonte (source) e da corrente de gatilho
ter o aspecto mostrado na Figura 23. Percebe-se que a corrente atinge um pico (I
pk
), dado por
V
cc
/R
1
, visto que inicialmente o capacitor C
iss
est descarregada. Este pico da ordem de 500 mA
at 1 A na prtica. Note que quanto menor o resistor R
1
, menor ser o tempo de entrada em
conduo (t
on
) e maior ser o pico da corrente (I
pk
). O valor mdio da corrente no resistor R
1

pequeno, pois os tempos envolvidos so da ordem de nano segundos.

R
1
V
cc
+
-
R
2
S
1
S
G
C
iss
i
G
v
G
+
-

Figura 22 Circuito equivalente de acionamento do MOSFET.

t
v
G
t
i
G
t
on
t
off
V
cc
I
pk

Figura 23 Corrente e tenso no gatilho durante sua comutao.

A tenso no gatilho inicia em zero e sobe at a tenso da fonte (V
CC
). O tempo t
on

diferente do tempo t
off
. Isso devido a escolha dos valores de R
1
e R
2
, que pode ser diferente. Por
conseguinte, a velocidade de entrada em conduo e de bloqueio do MOSFET pode ser controlada
pelos resistores R
1
e R
2
.
18

3.3 Comutao do MOSFET
A comutao dos transistores MOSFET ocorre de modo similar ao BJT, mas com
particularidades importantes. O circuito para anlise da comutao mostrado na Figura 24. A
tenso do estgio de potncia V
DD
, a carga R
L
. J no circuito de acionamento se tem dois
resistores, um em srie com o gerador de sinais e outro do gatilho para o terminal fonte (source)
para garantir o bloqueio do MOSFET.
importante notar nas formas de onda da Figura 25 que os tempos de entrada em
conduo (t
on
) e de bloqueio (t
off
) so muito parecidos, o que contrasta com os tempos do BJT, onde
t
off
bem maior do que t
on
. Verifique que a subida e descida da corrente de dreno, assim como da
tenso entre dreno e fonte, linear e bem comportada, ou seja, sem picos ou variaes no-lineares.

L
R
V
DD
S
50
G
V
D
V

Figura 24 Circuito para estudo da comutao do MOSFET.

90%
V
50%
10%
50%
GS
T
1
90%
10%
90%
10%
(V )
DD
V
DS
I
D
t
r
t
on
t
D(on)
t
D(off) t
f
(V )
DD

Figura 25 Formas de onda da comutao do MOSFET com carga resistiva.

Os tempos de subida e descida da corrente e tenso no MOSFET depende de suas
capacitncias internas. Estes tempos so da ordem de nanosegundos. Pode-se considerar ainda:
19

t
on
= t
r
;

t
off
= t
f
.

Ressalte-se que tanto para o transistor BJT como para o MOSFET, a comutao com
cargas diferentes da resistiva, por exemplo indutiva, apresentar formas de onda diferentes,
especficas para cada caso.

3.4 Perdas no MOSFET
De modo similar aos transistores bipolares de juno, nos transistores de efeito de campo
se tem as perdas por conduo e por comutao.
on
(chaveamento) f = 1/T.

P
cond
=
t
on
T
! r
ds(on)
! i
d(on)
2
.

Onde:
i
d(on)
corrente de dreno quando ligado;
r
ds(on)
resistncia entre dreno e source quando ligado;
T perodo de chaveamento;
t
on
tempo pelo qual o transistor permanece ligado.


P
com
=
f
2
t
r
+ t
f
( )
! i
d(on)
! v
ds(off )
.

Onde:
t
r
tempo de subida da corrente de dreno;
t
f
tempo de descida da corrente de dreno;
i
d(on)
corrente de dreno quando ligado;
v
ds(off)
tenso entre dreno e source ao final da comutao;

Considera-se, em geral, que:
20

t
on
= t
r
;

t
r
= t
on
;

t
f
= t
off
.

Com relao s perdas no MOSFET importante notar que as perdas por conduo
dependem do quadrado da corrente de dreno, o que em altas potncias ruim, pois para altas
correntes as perdas sero elevadas. Aqui se tem uma desvantagem dos transistores MOSFET em
relao aos BJTs.

3.5 Caractersticas Importantes de MOSFETs
As principais caractersticas de um MOSFET, para fins de projeto e escolha de modelo,
so:
Tenso mxima entre dreno e source V
DSS
;
Corrente de dreno I
D
;
Corrente de dreno de pico (pulsada) I
DM
;
Resistncia entre dreno e source quando ligado R
DS(on)
;
Tenso mxima entre gatilho e source V
GS
;
Tenso de limiar entre gatilho e source V
GS(th)
;
Tempo para ligar t
d(on)
;
Tempo de subida da corrente de dreno t
r
;
Tempo para desligar t
d(off)
;
Tempo de descida da corrente de dreno t
f
;
Capacitncia de entrada C
iss
;
Corrente do diodo intrnseco I
s
;
Corrente de pico no diodo intrnseco I
SM
;
Queda de tenso direta do diodo intrnseco V
SD
;
Tempo de recuperao reversa do diodo intrnseco t
rr
.

Como exemplo, estas caractersticas para um transistor modelo IRF540, sero:
Tenso mxima entre dreno e source V
DSS
= 100 V;
Corrente de dreno I
D
= 33 A @ T
j
= 25
o
C;
Corrente de dreno de pico (pulsada) I
DM
= 110 A;
Resistncia entre dreno e source quando ligado R
DS(on)
= 44 m#;
Tenso mxima entre gatilho e source V
GS
= 20 V;
Tenso de limiar entre gatilho e source V
GS(th)
= 4 V;
21
Tempo para ligar t
d(on)
= 11 ns;
r
= 35 ns;
d(off)
= 39 ns;
f
= 35 ns;
iss
= 1960 pF;
Corrente do diodo intrnseco I
s
= 33 A;
Corrente de pico no diodo intrnseco I
SM
= 110 A;
Queda de tenso direta do diodo intrnseco V
SD
= 1,2 V;
Tempo de recuperao reversa do diodo intrnseco t
rr
= 170 ns.

IRF540N
HEXFET
Power MOSFET
03/13/01
Parameter Typ. Max. Units
R!JC Junction-to-Case 1.15
R!CS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50 C/W
R!JA Junction-to-Ambient 62
Thermal Resistance
www.irf.com 1
V
DSS
= 100V
R
DS(on)
= 44m"
I
D
= 33A
S
D
G
TO-220AB
Advanced HEXFET
Power MOSFETs from International

Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the fast switching speed and ruggedized
device design that HEXFET power MOSFETs are well
known for, provides the designer with an extremely efficient
and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all
commercial-industrial applications at power dissipation
levels to approximately 50 watts. The low thermal
resistance and low package cost of the TO-220 contribute
to its wide acceptance throughout the industry.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Description
Absolute Maximum Ratings
Parameter Max. Units
I
D
@ T
C
= 25C Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V 33
I
D
@ T
C
= 100C Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V 23 A
I
DM
Pulsed Drain Current Q 110
P
D
@T
C
= 25C Power Dissipation 130 W
Linear Derating Factor 0.87 W/C
V
GS
Gate-to-Source Voltage 20 V
I
AR
Avalanche CurrentQ 16 A
E
AR
Repetitive Avalanche EnergyQ 13 mJ
dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt S 7.0 V/ns
T
J
Operating Junction and -55 to + 175
T
STG
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case )
C
Mounting torque, 6-32 or M3 srew 10 lbfin (1.1Nm)
PD - 91341B

Figura 26 Caractersticas eltricas do transistor IRF540.
Fonte: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf540n.pdf. Acesso em: 24/08/2013.
22
IRF540N
2 www.irf.com
S
D
G
Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions
IS Continuous Source Current MOSFET symbol
(Body Diode)

showing the
ISM Pulsed Source Current integral reverse
(Body Diode)Q

p-n junction diode.
VSD Diode Forward Voltage 1.2 V TJ = 25C, IS = 16A, VGS = 0V T
trr Reverse Recovery Time 115 170 ns TJ = 25C, IF = 16A
Qrr Reverse Recovery Charge 505 760 nC di/dt = 100A/s T
ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
33
110
A
R Starting T
J
= 25C, L =1.5mH
R
G
= 25!, I
AS
= 16A. (See Figure 12)
Q Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. (See fig. 11)
Notes:
S I
SD
" 16A, di/dt " 340A/s, V
DD
" V
(BR)DSS
,
T
J
" 175C
T Pulse width " 400s; duty cycle " 2%.
U This is a typical value at device destruction and represents
operation outside rated limits.
V This is a calculated value limited to TJ = 175C .
V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 100 V VGS = 0V, ID = 250A
#V(BR)DSS/#TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient 0.12 V/C Reference to 25C, ID = 1mA
RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance 44 m! VGS = 10V, ID = 16A T
VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 4.0 V VDS = VGS, ID = 250A
gfs Forward Transconductance 21 S VDS = 50V, ID = 16AT
25
A
VDS = 100V, VGS = 0V
250 VDS = 80V, VGS = 0V, TJ = 150C
Gate-to-Source Forward Leakage 100 VGS = 20V
Gate-to-Source Reverse Leakage -100
nA
VGS = -20V
Qg Total Gate Charge 71 ID = 16A
Qgs Gate-to-Source Charge 14 nC VDS = 80V
Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge 21 VGS = 10V, See Fig. 6 and 13
td(on) Turn-On Delay Time 11 VDD = 50V
tr Rise Time 35 ID = 16A
td(off) Turn-Off Delay Time 39 RG = 5.1!
tf Fall Time 35 VGS = 10V, See Fig. 10 T
Between lead,

6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
Ciss Input Capacitance 1960 VGS = 0V
Coss Output Capacitance 250 VDS = 25V
Crss Reverse Transfer Capacitance 40 pF = 1.0MHz, See Fig. 5
EAS Single Pulse Avalanche EnergyR 700U 185V mJ IAS = 16A, L = 1.5mH
nH
Electrical Characteristics @ T
J
= 25C (unless otherwise specified)
LD Internal Drain Inductance
L
S
Internal Source Inductance
S
D
G
I
GSS
ns
4.5
7.5
IDSS Drain-to-Source Leakage Current

Figura 27 Caractersticas eltricas do transistor IRF540 - Continuao.
Fonte: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf540n.pdf. Acesso em: 24/08/2013.

IRF540. Note que todas as informaes relevantes do MOSFET e de eu diodo intrnseco so
fornecidas pelo fabricante, detalhando os aspectos tcnicos e condies de teste dos ensaios
realizados para obteno destes parmetros.
Do mesmo modo que nos transistores bipolares de juno, nos transistores de efeito de
campo tambm tem-se a curva mostrando a rea de operao segura do componente, a qual deve
ser observada para um projeto seguro e bem feito.

3.6 Testes de MOSFETs
Os transistores de efeito de campo podem ser testados com o multmetro, do mesmo
modo que diodos e transistores bipolares de juno. Do mesmo modo, podem estar em bom estado,
abertos ou em curto-circuito. Lembre que o MOSFET possui um diodo intrnseco entre source e
dreno, fazendo com que o mesmo conduza quando polarizado diretamente.
Em sntese, o teste de um MOSFET resulta em no conduo entre dreno e source,
quando no houver sinal no gatilho. Por outro lado, pode-se carregar a capacitncia de entrada do
MOSFET (C
iss
) aplicando uma tenso no gatilho, mesmo com o multmetro. Aguarda-se um tempo
23
e a seguir mede-se novamente a conduo entre dreno e source, que agora dever ocorrer. A seguir,
inverta a polaridade da tenso aplicada ao gatilho, descarregando C
iss
; agora no deve mais ocorrer
conduo entre dreno e source.
Na Figura 28 mostra-se uma figura sintetizando o que foi exposto anteriormente. Veja
que nesta figura o autor utilizou um multmetro analgico e possivelmente ser utilizado um
multmetro digital nos testes a serem realizados em laboratrio.

Figura 28 Multmetro digital para teste de transistores de feito de campo.
Fonte: https://burgoseletronica.net. Acesso em: 24/08/2013.

4 Transistores Bipolares de Porta Isolada
Os transistores bipolares de porta isolada (IGBTs) foram desenvolvidos na dcada de 80,
no sculo passado, para aliarem as vantagens dos MOSFETs e dos BJTs. Assim, foi desenvolvido
um componente que do ponto de vista do acionamento um MOSFET e do ponto de vista da parte
de potncia um BJT.
Assim, neste captulo ser apresentada uma introduo a este componente, seguindo pelo
estudo de suas principais caratersticas, circuito de acionamento, estudo da comutao e perdas,
alm das caractersticas principais destes componentes.

O transistor bipolar de porta isolada (IGBT, do ingls insulated-gate bipolar transistor)
construdo de modo similar ao MOSFET, como est mostrado na Figura 29. Seu smbolo tambm
est representado na Figura 29. J na Figura 30 mostra-se o aspecto real de um mdulo de IGBTs
24
para corrente da ordem de 1200 A e tenso de 3300 V, ou seja, para altas potncias. O IGBT, por
ter a parte de potncia idntica ao BJT, poder ou no ter diodo interno, ou seja, no possui
naturalmente o diodo intrnseco, como o possui o MOSFET.

Aspecto interno do IGBT. Smbolo do IGBT.
Figura 29 Construo interna do IGBT e seu smbolo.
Fonte: http://en.wikipedia.org/wiki/Insulated-gate_bipolar_transistor. Acesso em: 24/08/2013.

Figura 30 Aspecto de um mdulo de IGBTs para alta potncia.

O transistor bipolar de porta isolada controlado pela tenso aplicada ao gatilho, de modo
similar ao MOSFET. Por sua vez, a corrente de coletor depender desta tenso no gatilho e no da
corrente de base, como ocorre no BJT. Assim, pode-se escrever:

I
C
= k !V
GS
.

Note a diferena em relao ao BJT e MOSFET:

I
C
= ! " I
B
;

I
D
= k !V
GS
.

25
A curva tpica de um IGBT canal N mostrada na Figura 31, onde notam-se trs regies
de operao:
Regio de corte no identificada na figura, a regio com V
GS
baixo, fazendo
com que a corrente de coletor (I
C
) seja praticamente nula;
Regio de saturao quando V
GS
tem valor acima de aproximadamente 4 V a
corrente de coletor constante, mesmo variando a tenso de coletor-emissor
(V
CE
);
Regio linear ou hmica nesta regio ocorre uma variao linear entre a corrente
de coletor (I
C
) e a tenso entre coletor e emissor (V
CE
).

A tenso V
TH
denominada de tenso de limiar (threshold) e representa o valor de tenso
a partir do qual o transistor entra em conduo. Tipicamente da ordem de 4 V.

Figura 31 Curvas I
C
x V
GS
de IGBTs.

4.2 Acionamento do IGBT
Em termos de acionamento, o IGBT similar ao MOSFET, ou seja, precisa-se carregar a
sua capacitncia de entrada, aplicando uma corrente pelo terminal de gatilho, saindo pelo terminal
de emissor. Isso feito aplicando uma tenso entre gatilho e emissor, com um resistor srie para
limitar a corrente de carga da capacitncia interna.
26
Pode-se entender melhor o funcionamento do IGBT como sendo um misto entre o
MOSFET e o BJT observando a Figura 32. Note que em termos de acionamento se tem o
equivalente a um MOSFET, j no lado da potncia se tem um BJT.

Figura 32 Representao equivalente para o IGBT.

As formas de onda e circuito representando o acionamento do MOSFET valem para o
IGBT, conforme foi discutido anteriormente. Assim tambm as consideraes sobre a corrente de
gatilho e os resistores que a limitam.

4.3 Comutao do IGBT
A comutao dos transistores bipolares de porta isolada similar ao transistor bipolar de
juno. Os tempos de entrada em conduo e de bloqueio foram melhorados no IGBT permitindo
que o mesmo opere com frequncias de alguns quilo Hertz, mas no to elevadas quando o
MOSFET.

4.4 Perdas no IGBT
on
(chaveamento) f.

P
cond
= i
C
!V
CEsat
+ i
B
!V
BEsat
( )
! t
on
! f .

Onde:
i
C
corrente de coletor;
V
CEsat
tenso de coletor-emissor de saturao;
27
i
B
corrente de base;
V
BEsat
tenso base-emissor que leva o transistor saturao;
t
on
tempo pelo qual o transistor permanece ligado;
f frequncia de operao.

Como a entrada do IGBT idntica ao MOSFET, ento i
B
= 0, resultando em:

P
cond
= i
C
!V
CEsat
( )
! t
on
! f .


P
com
=
1
2
t
r
+ t
f
( )
! I ! E ! f .

Onde:
t
r
tempo de subida da corrente de coletor;
t
f
tempo de descida da corrente de coletor;
I corrente de coletor ao final da comutao;
E tenso entre coletor e emissor ao final da comutao;

Com relao s perdas no IGBT vale ressaltar que novamente se tem a dependncia linear
com a corrente, como era no BJT, sendo esta a caracterstica desejada que levou a elaborao
destes dispositivos para uso em altas potncias.

4.5 Caractersticas Importantes de IGBTs
As principais caractersticas de um IGBT, para fins de projeto e escolha de modelo, so:
CE(on)
;
CES
;
C
;
CM
;
Tenso mxima entre gatilho e emissor V
GE
;
Tenso de limiar entre gatilho e emissor V
GE(th)
;
Tempo para ligar t
d(on)
;
r
;
d(off)
;
f
;
28
ies
.

Como exemplo, estas caractersticas para um transistor modelo IRGP4266, sero:
CE(on)
= 2,1 V;
CES
= 650 V;
C
= 90 A @ T
j
= 100
o
C;
CM
= 300 A;
Tenso mxima entre gatilho e emissor V
GE
= 20 V;
Tenso de limiar entre gatilho e emissor V
GE(th)
= 7,7 V;
Tempo para ligar t
d(on)
= 95 ns;
Tempo de subida da corrente de emissor t
r
= 105 ns;
d(off)
= 220 ns;
Tempo de descida da corrente de emissor t
f
= 60 ns;
ies
= 4300 pF.

Note que os tempos de entrada em conduo e bloqueio so bem menores do que nos
BJTs, mas so consideravelmente maiores do que nos MOSFETs, limitando a mxima frequncia
de operao dos IGBTs a um pouco mais do que 100 kHz.
IRGP4266. Note que este transistor tem a designao de PbF, ou seja, livre de chumbo em sua
fabricao. Uma curva importante que os fabricantes de IGBTs fornecem traz a relao entre a
corrente de coletor suportada e a frequncia de operao, como est mostrado na Figura 33.

Figura 33 Curva da corrente de emissor em funo da frequncia do IRGP4266.
Fonte: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irgp4266pbf.pdf. Acesso em: 24/08/2013.

29

IRGP4266PbF
IRGP4266"EPbF
1 www.irf.com 2012 International Rectifier December 13, 2012
Base part number Package Type Standard Pack Orderable Part Number
Form Quantity
IRGP4266PbF TO"247AC Tube 25 IRGP4266PbF
IRGP4266"EPbF TO"247AD Tube 25 IRGP4266"EPbF
Absolute Maximum Ratings
Parameter Max. Units
VCES Collector"to"Emitter Voltage 650 V
IC @ TC = 25C Continuous Collector Current 140
A
IC @ TC = 100C Continuous Collector Current 90
ICM Pulse Collector Current, VGE=20V 300
ILM Clamped Inductive Load Current, VGE=20V 300
VGE Continuous Gate"to"Emitter Voltage 20 V
PD @ TC = 25C Maximum Power Dissipation 450
W
PD @ TC = 100C Maximum Power Dissipation 230
TJ Operating Junction and "40 to +175
C
TSTG Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 sec. 300 (0.063 in. (1.6mm) from case)
Mounting Torque, 6"32 or M3 Screw 10 lbfin (1.1 Nm)
Thermal Resistance
Parameter Min. Typ. Max. Units
R
JC Thermal Resistance Junction"to"Case 0.33
C/W R
CS Thermal Resistance, Case"to"Sink (flat, greased surface) 0.24
R
JA Thermal Resistance, Junction"to"Ambient (typical socket mount) 40
Insulated Gate Bipolar Transistor
#
$
%
"#$%&""'(

IRGP4266PbF
TO"247AC
G
C
E
G
VCES = 650V

IC = 90A, TC =100C

tSC 5.5s, TJ(max) = 175C

VCE(ON) typ. = 1.7V ! #$ % &'(
Applications
Industrial Motor Drive
Inverters
UPS
Welding
Features Benefits
Low VCE(ON) and switching Losses
High efficiency in a wide range of applications and
switching frequencies
Square RBSOA and Maximum Junction Temperature 175C
Improved reliability due to rugged hard switching
performance and higher power capability
Positive VCE (ON) Temperature Coefficient Excellent current sharing in parallel operation
5.5s short circuit SOA Enables short circuit protection scheme
Lead"Free, RoHS compliant Environmentally friendly

G
C
E
G
IRGP4266"EPbF
TO"247AD
G C E
Gate Collector Emitter

Figura 34 Caractersticas eltricas do transistor IRGP4266.

30

IRGP4266PbF/IRGP4266!EPbF
2 www.irf.com 2012 International Rectifier December 13, 2012
Electrical Characteristics @ TJ = 25C (unless otherwise specified)
V(BR)CES Collector!to!Emitter Breakdown Voltage 650 V VGE = 0V, IC = 100A
V(BR)CES/TJ
Temperature Coeff. of Breakdown Voltage 570 mV/C VGE = 0V, IC = 1.0mA (25C!175C)
VCE(on) Collector!to!Emitter Saturation Voltage
1.7 2.1 V IC = 75A, VGE = 15V, TJ = 25C
2.1 IC = 75A, VGE = 15V, TJ = 175C
VGE(th) Gate Threshold Voltage 5.5 7.7 V VCE = VGE, IC = 2.1mA
VGE(th)/TJ Threshold Voltage temp. coefficient !22 mV/C VCE=VGE, IC = 2.1mA (25C ! 175C)
gfe Forward Transconductance 43 S VCE = 50V, IC = 75A, PW = 20s
ICES Collector!to!Emitter Leakage Current
1.0 25 A VGE = 0V, VCE = 650V
1.1 VGE = 0V, VCE = 650V, TJ = 175C mA
IGES Gate!to!Emitter Leakage Current 100 nA VGE = 20V
Switching Characteristics @ TJ = 25C (unless otherwise specified)
Qg Total Gate Charge (turn!on) 140 210 IC = 75A
Qge Gate!to!Emitter Charge (turn!on) 40 60 nC VGE = 15V
Qgc Gate!to!Collector Charge (turn!on) 60 90 VCC = 400V
Eon Turn!On Switching Loss 3.2 4.2
Eoff Turn!Off Switching Loss 1.7 2.6 mJ IC = 75A, VCC = 400V, VGE = 15V
Etotal Total Switching Loss 4.9 6.8 RG = 10, L = 200H, TJ = 25C
td(on) Turn!On delay time 80 95 Energy losses include tail & diode
tr Rise time 85 105 ns reverse recovery
td(off) Turn!Off delay time 200 220
tf Fall time 40 55
Eon Turn!On Switching Loss 4.6
Eoff Turn!Off Switching Loss 2.4 mJ IC = 75A, VCC = 400V, VGE=15V
Etotal Total Switching Loss 7.0 RG=10, L=200H,TJ = 175C
td(on) Turn!On delay time 60 Energy losses include tail & diode
tr Rise time 95 ns reverse recovery
td(off) Turn!Off delay time 205
tf Fall time 60
Cies Input Capacitance 4300 VGE = 0V
Coes Output Capacitance 230 pF VCC = 30V
Cres Reverse Transfer Capacitance 120 f = 1.0Mhz
TJ = 175C, IC = 300A
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area FULL SQUARE VCC = 520V, Vp 650V
Rg = 50, VGE = +20V to 0V
SCSOA Short Circuit Safe Operating Area 5.5 s TJ = 150C,VCC = 400V, Vp 600V
Rg = 50, VGE = +15V to 0V
Notes:
VCC = 80% (VCES), VGE = 20V, L = 50H, RG = 50.
R is measured at TJ of approximately 90C.
Refer to AN!1086 for guidelines for measuring V(BR)CES safely.
Maximum limits are based on statistical sample size characterization.
Pulse width limited by max. junction temperature.
Values influenced by parasitic L and C in measurement.

Figura 35 Caractersticas eltricas do transistor IRGP4266 - Continuao.

Para especificar corretamente o IGBT a curva da Figura 33 deve ser consultada, pois
nota-se na mesma que para frequncias acima de 1 kHz a capacidade de corrente do componente
reduzida significativamente. Por exemplo, este IGBT (IRGP4266) suporta 140 A em 100 Hz, j em
10 kHz suporta em torno de 100 A e em 100 kHz apenas 30 A.

31

4.6 Testes de IGBTs
O teste de transistores bipolares de porta isolada realizado de modo similar ao teste de
BJTs e MOSFETs, lembrando que a entrada do IGBT uma capacitncia e o lado de potncia
possui coletor e emissor. Lembre que agora no h um diodo equivalente entre gatilho e emissor,
pois no se tem a juno base-emissor como no BJT.

5 Encapsulamento de BJT, MOSFET e IGBT
Os transistores possuem uma variedade de encapsulamentos, desde pequenos em SMD
at mdulos de potncia. Nas Figura 36 e Figura 37 mostram-se alguns exemplos de
encapsulamentos mais comuns de transistores de potncia.

Figura 36 Exemplos de encapsulamentos de transistores.
Fontes : http://www.infineon.com e http://www.xcvcorp.com. Acesso em: 24/08/2013.

Figura 37 Encapsulamentos tpicos de transistores.
Fonte: http://www.allaboutcircuits.com. Acesso em: 24/08/2013.

32

6 Tecnologias Modernas para Transistores de Potncia
A tecnologia mais recente em desenvolvimento de transistores de potncia e que est
disponvel comercialmente emprega carbeto de silcio (silicone carbide) na melhora das
caractersticas dos transistores estudados neste captulo, sejam BJTs, MOSFETs e IGBTs.
Assim, um exemplo de transistor MOSFET com silicon carbide (SiC) mostrado na
Figura 38, onde se mostram tambm as caractersticas eltricas do diodo intrnseco de carbeto de
silcio, que corresponde a principal melhoria deste componente.

C2M0080120D
Silicon Carbide Power MOSFET
Z!"#$
$%
MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Features
- High Speed Switching with Low Capacitances
- High Blocking Voltage with Low R
DS(on)
- Easy to Parallel and Simple to Drive
- Avalanche Ruggedness
- Resistant to Latch-Up
- Halogen Free, RoHS Compliant
Benets
- Higher System Efhciency
- Reduced Cooling Requirements
- Increased System Switching Frequency
Applications
- Solar Inverters
- High Voltage DC/DC Converters
- Motor Drives
- Switch Mode Power Supplies
- UPS
Package
TO-247-3
Part Number Package
C2M0080120D TO-247-3
V
DS
1200 V
I
D
@ 25`C 31.6 A
R
DS(on)
80 mD
Maximum Ratings (T
C
= 25 C unless otherwise specihed)
Symbol Parameter Value Unit Test Conditions Note
IDS (DC)
Continuous Drain Current
31.6
A
V
GS
@20 V, T
C
= 25C Fig. 16
20 V
GS
@20 V, T
C
= 100C
IDS (pulse)
Pulsed Drain Current 80 A
Pulse width t
P
= 50 s
duty limited by T
jmax,
T
C
= 25C
VGS
Gate Source Voltage -10/+25 V
P
tot
Power Dissipation 208 W T
C
=25C Fig. 15
T
J
, T
stg
Operating Junction and Storage Temperature
-55 to
+150
C
T
L
Solder Temperature 260 C 1.6mm (0.063) from case for 10s
Md
Mounting Torque
1
8.8
Nm
lbf-in
M3 or 6-32 screw

Figura 38 Caractersticas eltricas de um MOSFET de carbeto de silcio.
Fonte: http://www.cree.com. Acesso em: 24/08/2013.

33
2 C2M0080120D Rev.

A
Electrical Characteristics (T
C
= 25C unless otherwise specihed)
Symbol Parameter Min. Typ. Max. Unit Test Conditions Note
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage 1200 V VGS =

0 V, ID = 100 A
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
1.7 2.2
V
VDS = 10V, ID = 1 mA
Fig. 8
3.2 VDS = 10V, ID = 10 mA
1.2 1.7
V
VDS = 10V, ID = 1 mA, TJ = 150C
TBD VDS = 10V, ID = 10 mA, TJ = 150C
IDSS Zero Gate Voltage Drain Current
1 100
A
VDS = 1200 V, VGS = 0 V
10 250
VDS = 1200 V, VGS = 0 V
TJ = 150C
IGSS Gate-Source Leakage Current 0.25 A VGS = 20 V, VDS = 0 V
R
DS(on)
Drain-Source On-State Resistance
80 98
mD
VGS = 20 V, ID = 20 A
Fig. 6
150 208 VGS = 20 V, ID = 20A, TJ = 150C
gfs Transconductance
9.8
S
VDS=

20 V, IDS=

20 A
Fig. 4
8.5 VDS=

20 V, IDS=

20 A, TJ = 150C
Ciss Input Capacitance 950
pF
VGS = 0 V
VDS = 1000 V
f = 1 MHz
VAC = 25 mV
Fig.
13, 14
Coss Output Capacitance 80
Crss Reverse Transfer Capacitance 6.5
Eoss Coss Stored Energy 40 J Fig. 12
td(on)v Turn-On Delay Time 12.0
ns
VDD = 800 V, VGS = 0/20 V
ID = 20 A
RG(ext) = 0 D, R
L
= 40 D
Timing relative to V
DS

Fig. 20
tfv Fall Time 18.4
td(off)v Turn-Off Delay Time 23.2
trv Rise Time 13.6
RG Internal Gate Resistance 4.6 D f = 1 MHz, VAC

=

25 mV
Built-in SiC Body Diode Characteristics
Symbol Parameter Typ. Max. Unit Test Conditions Note
VSD Diode Forward Voltage
3.3
V
VGS = -5 V, IF
=10 A, TJ = 25 C
3.1 VGS = -2 V, IF
=10 A, TJ = 25 C
trr Reverse Recovery Time 40 ns
VGS = -5 V, IF
=20 A, TJ = 25 C
VR = 800 V,
d!F/d"# 350 A/s
Qrr Reverse Recovery Charge 165 nC
Irrm Peak Reverse Recovery Current 6.4 A
Thermal Characteristics
RJC Thermal Resistance from Junction to Case 0.60 0.65
K/W Fig. 17
RCS Case to Sink, w/ Thermal Compound TBD
RJA Thermal Resistance From Junction to Ambient 40
Gate Charge Characteristics
Qgs Gate to Source Charge 10.8
nC
VDS = 800 V, VGS = 0/20 V
ID =20 A
Per JEDEC24 pg 27
Fig. 28 Qgd Gate to Drain Charge 18.0
Qg Gate Charge Total 49.2

Figura 39 Caractersticas eltricas de um MOSFET de carbeto de silcio - Continuao.
Fonte: http://www.cree.com. Acesso em: 24/08/2013.

Atente para as caractersticas do diodo intrnseco do MOSFET apresentado nas Figura 38
e Figura 39. Alm disso, note os baixos tempos de comutao deste componente, o que permite sua
operao em frequncias altas, alm dos 100 kHz.
Ademais, h outros fabricantes, como por exemplo a Infineon, Ixys, Mitsubishi, Fairchild,
que tambm desenvolveram e comercializam transistores e diodos com carbeto de silcio.

34

7 Comparativo dos Transistores de Potncia
Um quadro comparativo, sintetizando as principais caractersticas, dos transistores de
potncia estudados neste captulo apresentado na Tabela 1. Neste quadro se compara a forma de
acionamento do transistor (tipo de comando), sua potncia e complexidade, onde conclui-se pela
vantagem do MOSFET e IGBT em relao ao BJT, que tem acionamento por corrente.
Em termos de densidade de corrente, o IGBT o componente que opera com valores
mais elevados tanto de corrente como de tenso. O MOSFET pode operar com altas corrente, mas
tenses baixas, enquanto o BJT opera com correntes e tenses com valores abaixo do IGBT. Por
sua vez, as perdas de comutao no MOSFET so as menores, em relao aos outros dois.
A escolha do componente sempre uma tarefa crtica, como mostra a Figura 40, pois em
algumas regies de operao as diversas tecnologias podem ser interessantes. Nestes casos precisa-
se fazer uma anlise detalhada para se verificar qual tecnologia de componente ter vantagens
tcnicas e econmicas sobre as demais.

Tabela 1 - Quadro resumo das caractersticas dos transistores de potncia.
MOSFET IGBT BJT
Tipo de comando Tenso Tenso Corrente
Potncia do
comando
Mnima Mnima Grande
Complexidade do
comando
Simples Simples Mdia
Densidade de
corrente
Elevada em
baixas tenses e
Baixa em altas
tenses
Muito elevada Mdia
Perdas de
comutao
Muito baixa Baixa para Mdia Mdia para Alta

Figura 40 Regies de operao do MOSFET e IGBT.
Fonte: http://www.irf.com. Acesso em: 24/08/2013.
35

8 Exerccios
Exerccios Resolvidos
ER 01) Seja o circuito da Figura 41, considerando que a tenso da fonte seja de 12 V, o resistor de
100 # e os transistores sejam, respectivamente, TIP31, IRF640 e IRG4PC40U, e que os
transistores estejam conduzindo, determine:
A corrente do circuito;
As perdas de conduo no transistor;
A perda no resistor R
1
;
A potncia fornecida pela fonte;
O rendimento do circuito, considerando R
1
a carga do circuito.

Inicialmente, considerando o BJT TIP31, deve-se identificar na folha de dados sua queda
de tenso direta, que :

V
CE(sat )
=1, 2V .

A tenso sobre o resistor srie ser:

V
R1
=V
i
!V
CE(sat )
=12 !1, 2 =10,8V .

Portanto, a corrente do circuito ser:

I
R1
=
V
R1
R
1
=
10,8
100
=108mA.

Assim, a potncia nos diversos elementos ser:

P
T1
=V
CE(sat )
! I
C
=V
CE(sat )
! I
R1
=1, 2!108m=129,6mW ;

P
R1
=V
R1
! R
1
=10,8!108m=1.166, 4mW ;

P
i
= P
R1
+ P
T1
=1.166, 4m+129,6m=1.296mW .

Finalmente, o rendimento do circuito operando com BJT ser:

! =
P
R1
P
i
=
1.166, 4m
1.296m
= 0,9 ou 90%.

Agora, considerando o MOSFET IRF640, pela folha de dados tem-se que sua resistncia
36
quando ligado :

R
DS(on)
= 0,18!.

A resistncia total do circuito ser:

R
tot al
= R
1
+ R
DS(on)
=100 + 0,18 =100,18!.


I =
V
i
R
total
=
12
100,18
=119,78mA .


P
M1
= R
DS(on)
! I
D
2
= R
DS(on)
! I
2
= 0,18!119,78m
2
= 2,582mW ;

P
R1
= R
1
! I
R1
2
= R
1
! I
2
=100!119,78m
2
=1.434,7mW ;

P
i
= P
R1
+ P
M1
=1.434,7m+ 2,582m=1.437, 28mW .


! =
P
R1
P
i
=
1.434,7m
1.437, 28m
= 0,998 ou 99,8%.

Finalmente, considerando o IGBT IRG4PC40U, deve-se identificar na folha de dados sua
queda de tenso direta, que :

V
CE(on)
= 2,1V .


V
R1
=V
i
!V
CE(on)
=12 ! 2,1= 9,9V .


I
R1
=
V
R1
R
1
=
9,9
100
= 99mA .


P
T1
=V
CE(on)
! I
C
=V
CE(on)
! I
R1
= 2,1! 99m= 207,9mW ;

P
R1
=V
R1
! I
R1
= 9,9! 99m= 980,1mW ;
37

P
i
= P
R1
+ P
T1
= 980,1m+ 207,9m=1.188mW .


! =
P
R1
P
i
=
980,1m
1.188m
= 0,825 ou 82,5%.

Observe que comparando os trs rendimentos obtidos, o MOSFET obteve o melhor
desempenho, seguido do BJT e por ltimo o IGBT. H de notar que os componentes escolhidos
foram aleatoriamente especificados, ou seja, no so as melhores indicaes para o uso em questo.
Por isso o IGBT, que para corrente e tenso elevada, est sendo usado em circuito de baixa tenso
e corrente, apenas a ttulo de exemplo.

R
1
+
-
V
i
I
T
1
R
1
+
-
V
i
I
M
1
R
1
+
-
V
i
I
T
1

Figura 41 Circuitos para exerccio resolvido 01.

ER 02) Seja o circuito da Figura 42, considerando que a tenso da fonte seja de 15 V. Determine os
resistores R
1
e R
2
para que o transistor modelo IRG7S313UPBF opere corretamente. A seguir,
considerando R
C
com 5 #, determine:
As perdas de conduo no transistor;
C
;
O rendimento do circuito, considerando R
C
a carga do circuito;
Se a frequncia de operao do conversor fosse de 20 kHz, o IGBT suportaria a
corrente do circuito?

O resistor R
2
pode ser especificado como sendo de 10 k#. J o resistor R1 deve ser
calculado, especificando uma corrente de pico de gatilho, por exemplo 1 A, assim:

R
1
=
V
cc
I
Gpk
=
15
1
=15! com potncia de 1/8 W.
38

R
1
R
C
T
1
V
cc
+
-
R
2
S
1
C
E
G

Figura 42 Circuito para exerccio resolvido 02.

Agora, considerando o IGBT IRG7S313UPbF, deve-se identificar na folha de dados sua
queda de tenso direta, que :

V
CE(on)
=1, 45V .


V
RC
=V
i
!V
CE(on)
=15!1, 45 =13,55V .


I
RC
=
V
RC
R
C
=
13,55
5
= 2,71A.


P
T1
=V
CE(on)
! I
C
=V
CE(on)
! I
RC
=1, 45! 2,71= 3,93W ;

P
RC
=V
RC
! I
RC
=13,55! 2,71= 36,72W ;

P
i
= P
RC
+ P
T1
= 36,72 + 3,93= 40,65W .

Finalmente, o rendimento do circuito ser:

! =
P
RC
P
i
=
36,72
40,65
= 0,9 ou 90%.

A corrente do circuito calculada foi de 2,71 A. Na folha de dados do componente no se
localiza a curva da corrente em funo da frequncia, portanto no se consegue concluir se o
componente suportaria esta corrente sem ser danificado. De todo modo, o fabricante informa que
esta famlia de IGBTs ultrafast e de 8 a 30 kHz.

39
Exerccios Propostos
EP 01) Seja o circuito da Figura 43, considerando que a tenso da fonte seja de 15 V. O resistor R
1

tem resistncia de 10 ". Os transistores so, respectivamente: TIP41, IRF740 e IRG4BC20W. Com
base nas informaes da folha de dados do fabricante, determine:
A potncia dissipada pelo diodo;
1
;
O rendimento do circuito.

R
1
+
-
V
i
I
T
1
R
1
+
-
V
i
I
M
1
R
1
+
-
V
i
I
T
1

Figura 43 Circuito para exerccio proposto 01.
EP 02) Compare os transistores BJT, MOSFET e IGBT, do ponto de vista do acionamento dos
mesmos.
EP 03) Compare os transistores BJT, MOSFET e IGBT, considerando suas perdas por conduo.
EP 04) Compare os transistores BJT, MOSFET e IGBT, considerando suas perdas por comutao.
EP 05) Compare os transistores BJT, MOSFET e IGBT, em termos de densidade de potncia.
EP 06) Determine a partir de stios de fabricantes, qual a maior tenso de trabalho de BJTs de
potncia.
EP 07) Repita o exerccio EP 06 para MOSFETs e IGBTs.
EP 08) Refaa os exerccios EP 06 e EP 07 considerando corrente de trabalho.
EP 09) O que um encapsulamento do tipo mdulo?
EP 10) Qual dos transistores estudados pode operar em frequncias mais altas?
EP 11) O que so MOSFETs silicon carbide?
EP 12) O que a tenso de limiar de um MOSFET?
EP 13) Como se identifica que um transistor de potncia est em curto-circuito?
40
EP 14) Considerando a folha de dados do IGBT IRG4BC20W mostrada na Figura 44, determine:
A corrente do IGBT em corrente contnua;
A corrente do transistor para frequncia de operao de 40 kHz;
A tenso entre coletor-emissor para uma corrente de 20 A @ T
j
= 150
o
C;
A corrente de coletor para uma tenso coletor-emissor de 5 V @ T
j
= 150
o
C;
A corrente de coletor para uma tenso entre gatilho e emissor de 10 V;
A corrente de coletor para uma tenso entre gatilho e emissor de 5 V.
RG4BC20W-SPbF
www.irf.com 3
!"#$ & - Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current =
RMS
of fundamental)
!"#$ ' - Typical Output Characteristics !"#$ ( - Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1 10
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)

,

C
o
l
l
e
c
t
o
r
-
t
o
-
E
m
i
t
t
e
r

C
u
r
r
e
n
t

(
A
)
CE
C
V = 15V
20s PULSE WDTH
GE
T = 25 C
J

T = 150 C
J

1
10
100
5 6 7 9 10 11
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)

,

C
o
l
l
e
c
t
o
r
-
t
o
-
E
m
i
t
t
e
r

C
u
r
r
e
n
t

(
A
)
GE
C
V = 50V
5s PULSE WDTH
CC
T = 25 C
J

T = 150 C
J

0
5
10
15
20
25
0.1 1 10 100 1000
f, Frequency (kHz)
A
60% of rated
voltage
deal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
T = 125C
T = 90C
Gate drive as specified
sink
J
Triangular wave:
Clamp voltage:
80% of rated
Power Dissipation = 13W
L
o
a
d

C
u
r
r
e
n
t

(

A

)

Figura 44 Folha de dados do IGBT IRG4BC20W.
Fonte: http://www.irf.com. Acesso em: 24/08/2013.
EP 15) Cite 3 encapsulamentos tpicos de transistores de potncia.
EP 16) Comente sobre os tempos de entrada em conduo e de bloqueio dos transistores: BJT,
MOSFET e IGBT.

41

9 Laboratrio

9.1 Introduo
Esta atividade de laboratrio tem por objetivo exercitar o contedo estudado nesta aula
(captulo), especificamente sobre semicondutores de potncia (BJT, MOSFET e IGBT).
Em sntese, objetiva-se:
Testar semicondutores de potncia;
Implementar circuitos com transistores de potncia;
Entender o funcionamento de transistores de potncia;
Analisar os resultados obtidos e concluir a respeito.

9.2 MOSFETs de Potncia
Obtenha na internet a folha de dados do MOSFET IRF 540.
A seguir, verifique se o MOSFET est em boas condies, utilizando o multmetro.
Em continuao, implemente o circuito mostrado na Figura 45, objetivando verificar o
disparo e bloqueio do MOSFET.
Os elementos do circuito da Figura 45 so:
V
i
= 15 V;
R
1
= 680 ";
R
2
= 1 k";
R
3
= 33 ";
D
1
= LED comum;
M
1
= IRF 540.

V
i
+
-
R
2
R
3
R
1
D
1
G
D
S
M
1

Figura 45 Circuito para teste do MOSFET.

42
Ajustando o resistor R
2
, verifique a operao do MOSFET na regio de corte, hmica e
saturao.
Levante a curva da corrente de dreno (I
D
) em funo da tenso entre gatilho e fonte (V
GS
)
do MOSFET, anotando os valores na Tabela 2.
Trace a curva da corrente de dreno em funo da tenso entre gatilho e fonte conforme a
Figura 46.

Tabela 2 Valores da corrente de dreno e tenso entre gatilho e fonte.
V
GS
[V] V
DS
[V] Corrente de dreno [mA]
Resistncia calculada entre
dreno e fonte ["]
0,0
2,5
2,6
2,7
2,8
2,9
3,0
5,0
10,0
15,0

Qual a tenso de limiar do MOSFET?

O que pode ser concludo com relao resistncia do MOSFET entre dreno e fonte?

Determine a perda de conduo do MOSFET.

Determine o atraso para entrada em conduo do MOSFET.

Determine o atraso de bloqueio do MOSFET.
43
v
GS
i
D

Figura 46 Curva caracterstica do MOSFET de potncia.

9.3 Recuperao Reversa de Diodos de Potncia
Este circuito ser demonstrado pelo professor, no necessria sua montagem em aula.
Implemente o circuito mostrado na Figura 47, que tem a finalidade de mostrar a
recuperao reversa em diodos de potncia. Verifique com o professor a demonstrao do circuito.

V
i
+
-
R
1
R
3
G
D
S
M
1
R
4
D
1
L
1
PWM
I
D1
100 !
10 k!
20 !
5 mH
1N 4007
IRF 540
Arduino
15 V
R
2
33 !
T
1
2N2222

Figura 47 Circuito para verificar a recuperao reversa de diodos.
44

10 Referncias
[1] BARBI, I. Eletrnica de potncia. Florianpolis: Edio do Autor, 2005.
[2] AHMED, A. Eletrnica de potncia. So Paulo: Prentice Hall, 2000.
[3] MELLO, J. L. A. Projetos de fontes chaveadas. So Paulo: rica, 1987.
[4] MOHAN, N. Power Electronic Converters, Application and Design. New York: IE-Wilwy,
2003.
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