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ESTURUTURA INTERNA DO DIODO

1 O ELTRON A eletrnica a cincia que se dedica ao comportamento dos eltrons, afim de que eles sejam aproveitados em funes teis. A prpria palavra eletrnica deriva do termo eltrons, de origem grega, e designa uma das partculas bsicas da matria. A eletricidade de que estamos acostumados a nos servir chega at as nossas casas pelo movimento de eltrons atravs dos fios. O movimento de eltrons que citamos chamado de corrente eltrica. 2.TOMO Ns sabemos que a matria tudo aquilo que possui massa e ocupa lugar no espao. Toda matria constituda de tomos. O tomo se divide em duas partes: Ncleo, onde se encontram os prtons e os nutrons e Eletrosfera, onde se encontram os eltrons.

Eletricamente falando, um tomo pode se encontrar em trs situaes diferentes: Neutro quando a quantidade de prtons igual a de eltrons. Este o estado normal de qualquer tomo. Neste caso dizemos que ele est em equilbrio. Carregado positivamente quando a quantidade de prtons maior que a de eltrons. Carregado negativamente Quando a quantidade de prtons menor que a de eltrons. A menor quantidade de carga eltrica que um tomo pode adquirir a carga de um prton ou a de um eltron. Eltron carga eltrica negativa(--) fundamental da eletricidade. Prton carga eltrica positiva(+) fundamental da eletricidade Nutron no possui carga eltrica. 3.ELTRONS LIVRES O que mantm os eltrons ligados aos seus respectivos tomos o seu movimento em torno do ncleo, associado a fora de atrao mutua existente entre eles e os prtons. Quanto mais afastado do ncleo estiver este eltron, menor ser esta fora de atrao mutua.

Quando aplicamos em certos materiais energia externa como luz, calor, presso, os eltrons absorvem esta energia, e se esta for maior que a fora exercida pelo ncleo, o eltron poder se desprender do tomo tornando-se um eltron livre. A corrente eltrica nada mais que o movimento de eltrons livres. Os eltrons livres se encontram em grande quantidade nos materiais chamados bons condutores, e no existem ou praticamente no existem, nos chamados maus condutores ou isolantes. Como exemplo de bons condutores podemos citar as ligas metlicas, ouro, prata, cobre, ferro, alumnio etc. Alguns exemplos de isolantes so: vidro, porcelana, mica, borracha, madeira etc. 4. SEMICONDUTORES Os semicondutores so substncias cujos tomos possuem quatro eltrons na camada de valncia(ltima camada). Os semicondutores no so bons nem maus condutores de eletricidade. Na verdade, a condutividade de um semicondutor depende da temperatura a qual ele est submetido. Por exemplo, um cristal de silcio se comporta como um isolante perfeito a temperatura de -273C. A medida que a temperatura vai aumentando sua condutividade tambm aumenta. O Silcio e o Germnio so os semicondutores usados na construo de dispositivos eletrnicos como diodos, transistores, circuitos integrados etc. O Germnio praticamente no mais usado na construo de dispositivos semicondutores devido a sensibilidade temperatura. Por isso, quando falarmos de semicondutores, estaremos falando do Silcio. O tomo de Silcio possui quatorze eltrons, quatorze prtons e quatorze nutrons. 5. LIGAO COVALENTE Ns j sabemos que o tomo de silcio possui quatro eltrons na camada de valncia. Contudo, para formar o slido o tomo precisa de oito eltrons na camada de valncia, ou seja, estar quimicamente estvel. Para obter os oito eltrons na camada de valncia os tomos se associam numa ligao chamada de ligao covalente. Na ligao covalente os tomos compartilham eltrons com os tomos que esto a sua volta, como vemos na figura a seguir.

Na ligao covalente cada tomo compartilha um eltron com o tomo vizinho. Desta forma, o tomo central apanha quatro eltrons emprestados, o que lhe d um total de oito eltrons na camada de valncia, adquirindo estabilidade qumica para formar o slido. Os eltrons compartilhados no passam a fazer parte efetivamente do tomo central. Portanto, eletricamente falando, cada tomo ainda continua com quatro eltrons na camada de valncia e quatorze no total, ou seja, eletricamente neutro. Os tomos de Silcio se distribuem no slido formando uma estrutura cbica, onde os tomos ocupam os vrtices do cubo. Esta estrutura cbica normalmente chamada cristal. por isso que ns dizemos que o slido de Silcio um cristal de Silcio. A figura a seguir ilustra a idia.

6ELTRON LIVRE NO SEMICONDUTOR J vimos que o que mantm os eltrons presos aos seus respectivos tomos a fora de atrao exercida pelo ncleo, associada ao movimento circular do eltron em torno do ncleo. Sabe-se que associado a todo movimento circular atua a fora centrfuga, que puxa o corpo para fora do centro do movimento. No caso dos eltrons, ocorre que a fora centrfuga puxa os eltrons para fora do ncleo, enquanto os prtons os puxam para dentro. O equilbrio destas duas foras que mantm os eltrons ligados aos tomos. Tendo isto em vista, podemos concluir que a fora de atrao que atua nos eltrons das ltimas camadas menor que a fora que atua nos eltrons das primeiras camadas. Se um eltron da camada de valncia receber energia externa como luz calor etc., e esta for maior que a fora de atrao exercida pelo ncleo, o eltron pode subir para uma rbita acima da camada de valncia, chamada de banda de conduo. Uma vez na banda de conduo o eltron est livre para se deslocar pelo cristal, sendo o mesmo chamado de eltron livre. Ao ir para a banda de conduo, o eltron deixa um vazio que ns chamamos de lacuna.

Este fenmeno chamado de quebra de ligao covalente. Esta quebra produz um par eltron-lacuna. Do mesmo modo, um eltron livre vagando pelo cristal pode passar perto de uma lacuna e ser atrado por ela. Neste caso houve uma recombinao. Sendo a corrente eltrica o movimento de eltrons livres, o silcio um isolante perfeito a uma temperatura de -273C, porque a esta

temperatura no existe nenhum eltron livre. A medida que a temperatura vai aumentando, vai ocorrendo a quebra de ligaes covalentes, assim como recombinaes. temperatura ambiente de 25C um cristal de silcio puro possui uma quantidade de pares eltron-lacuna mais ou menos estvel devido as constantes quebras de ligaes covalentes produzidas termicamente, assim como recombinaes. 7CRISTAL PURO Se submetermos um cristal de silcio puro a uma DDP, ns vamos observar algo interessante. Existem dois trajetos para os eltrons se movimentarem dentro do cristal, ou seja, teremos duas correntes eltricas: uma de eltrons livres e a outra de eltrons de valncia. Os eltrons livres iro se deslocar de um lado para outro do cristal atravs da banda de conduo, os eltrons de valncia se deslocaro de um lado para outro do cristal atravs das lacunas, pulando de uma para a outra. A corrente de eltrons de valncia pode ser vista como uma corrente de lacunas em sentido contrrio, como mostra afigura a seguir.

8 CORRENTE DE ELTRONS LIVRES E DE LACUNAS A figura a seguir mostra o cristal ampliado at a estrutura atmica submetido a uma DDP. O eltron livre mostrado dentro do cristal ser atrado pelo terminal positivo da fonte, se deslocando dentro do cristal pela banda de conduo, como indica a seta. Esta corrente de eltrons livres de mesma natureza que a corrente que se estabelece nos materiais condutores. Observe agora a lacuna mostrada na figura. O eltron do ponto 1 pode ser atrado pela lacuna. Se isso ocorrer, a lacuna na extremidade deixar de existir e, onde estava o eltron no ponto 1 ter uma lacuna. A lacuna no ponto 1 agora pode atrair o eltron do ponto 2, onde passar a estar a lacuna. Se continuarmos este raciocnio, como mostram as setas, veremos que os eltrons esto se deslocando em direo ao terminal positivo e a lacuna em direo ao terminal negativo. Ao sarem pela extremidade do cristal, tanto o eltron livre quanto o eltron de valncia tornam-se eltrons livres, seguem em direo ao terminal positivo da fonte, entram na fonte, saem pelo terminal negativo e entram na extremidade oposta do cristal. Alguns eltrons atravessam o cristal como eltrons livres, outros se recombinam e atravessam o cristal como eltron de valncia. O movimento de eltrons de valncia dentro do cristal pode ser visto como o movimento de lacunas em sentido contrrio.

Este movimento de eltrons de valncia (ou de lacunas), o que diferencia os semicondutores dos condutores. Num condutor s existe corrente de eltrons livres. A corrente de lacunas nos semicondutores apenas uma analogia, porque quem se movimenta na verdade so os eltrons de valncia, tenha isso sempre em mente. Na prtica, no temos como medir a corrente de eltrons livres e de lacunas de forma independente dentro do cristal, mas saiba que elas existem e que o uso dos semicondutores na construo de dispositivos eletrnicos se deu, em grande parte, por esta caracterstica. Uma forma de aumentar a condutividade do cristal puro introduzir no cristal impurezas pentavalentes, que so tomos com cinco eltrons na ltima camada, produzindo um cristal tipo N. Para cada tomo de impureza pentavalente introduzido no cristal aparecer um eltron livre. A figura a seguir mostra um cristal tipo N.

(semicondutor tipo N) Uma outra forma de aumentar a condutividade de um cristal puro a dopagem com impurezas trivalentes, que so tomos com trs eltrons na ltima camada, produzindo um cristal tipo P. Para cada tomo de impureza trivalente introduzido no cristal aparecer uma lacuna. A figura a seguir mostra um cristal tipo P.

(semicondutor tipo P) 9.JUNO PN Se ns doparmos a metade de um cristal puro com impurezas trivalentes e a outra metade com impurezas pentavalentes produziremos um diodo de juno, ou diodo semicondutor. o lado do cristal dopado com impurezas trivalentes ter muitas lacunas e o lado dopado com impurezas pentavalentes ter muitos eltrons livres. Os poucos eltrons livres vistos no lado P, assim com o as poucas lacunas vistas no lado N, so produzidos termicamente. Ocorre que os eltrons mais prximos da juno so atrados pelas lacunas que esto mais prximas, conforme mostram as setas na figura acima. Quando o eltron deixa o tomo para se recombinar com a lacuna, este tomo se transforma em um on positivo, pois ele perdeu um eltron. Da mesma forma, o tomo ao qual pertencia a lacuna, se transforma em um on negativo. Esta recombinao ir ocorrer com todos os eltrons e lacunas que estiverem prximos da juno. Cada recombinao far aparecer um par de ons prximos da juno. Isto resultar em uma coluna de ons positivos do lado N e um a coluna de ons negativos do lado P. A figura a seguir ilustra a idia.

Chegar um momento que a regio prxima juno ficar esgotada de eltrons livres e lacunas. A coluna de ons negativos do lado P ir repelir qualquer eltron que tentar atravessar a juno em busca de alguma lacuna, estabelecendo-se assim um equilbrio. No confunda on com eltron livre ou lacuna. um on um tomo que adquiriu carga eltrica, ou seja, ganhou ou perdeu eltrons. Na figura acima o on negativo est representado por um sinal negativo com um crculo em volta, e o on positivo por um sinal positivo com um crculo em volta. CAMADA DE DEPLEO E BARREIRA DE POTENCIAL As colunas de ons que se formaram prximas juno devido a recombinao de eltrons e lacunas chamada de camada de depleo. Existe entre as duas colunas de ons uma DDP que chamada de barreira de potencial. Esta DDP nos diodos de Germnio de 0,3V e nos de silcio de 0,7V. 10. DIODO DE JUNO Na figura a seguir vemos a estrutura interna de um diodo de juno. O terminal ligado ao lado P o anodo (A) e o terminal ligado ao lado N o catodo(k). A faixa cinza prxima a juno a camada de depleo, que ir se comprimir ou se expandir quando o diodo for submetido a uma diferena de potencial.

POLARIZAO DIRETA Para polarizar um diodo diretamente temos de submet a uma diferena de potencial, de forma que o terminal positivo da fonte fique mais prximo do anodo e o terminal negativo mais prximo do catodo, como mostra a figura a seguir. Quando isso ocorre, o terminal positivo da fonte ir repelir as lacunas do lado P, e o terminal negativo ir repelir os eltrons livres do lado N. Esta repulso provocar a compresso da camada de depleo. Quando a tenso entre os terminais do diodo atingir o valor da barreira de potencial (0,7V para o silcio), ou seja, VT > 0,7V, a camada de depleo estar to comprimida que permitir que os eltrons livres da regio N atravessem a juno e entrem na regio P. Uma vez dentro da regio P os eltrons livres descem da banda de conduo para a camada de valncia e atravessam a regio P como eltrons de valncia, pulando de lacuna em lacuna at sarem pelo terminal do anodo, quando seguem para o terminal positivo da fonte, entram na fonte, saem pelo terminal negativo, entram na regio N do diodo pelo terminal do catodo, atravessam a regio N como eltrons livres, cruzam a juno e assim sucessivamente. O que ns acabamos de descrever na verdade um fluxo de eltron, ou uma corrente eltrica. Resumindo, quando o diodo polarizado diretamente e a tenso em seus terminais atinge o valor da barreira de potencial o diodo comea a conduzir corrente, ou seja, permite que os eltrons cruzem a juno.

Uma vez em conduo, a resistncia entre os terminais do diodo cai drasticamente. Isto significa que o diodo se comporta quase como um curto, o que justifica o fato de que sempre veremos um resistor em srie com o diodo quando ele estiver polarizado diretamente. Sua funo limitar a intensidade de corrente eltrica que passa pelo diodo.

POLARIZAO REVERSA Um diodo est polarizado reversamente quando o terminal positivo da fonte est mais prximo do catodo e o terminal negativo mais prximo do anodo. Quando isso ocorre, o terminal positivo da fonte ir atrair os eltrons livres da regio N e o terminal negativo ir atrair as lacunas da regio P. Isto provocar a expanso da camada de depleo, dificultando ainda mais a difuso de eltrons livres atravs da juno, ou seja, o diodo se comportar como uma chave aberta.

Quando polarizado reversamente, a resistncia entre os terminais do diodo muito alta. Por isso costuma-se dizer que ele se comporta como uma chave aberta quando est polarizado reversamente.

CORRENTE REVERSA Teoricamente, um diodo polarizado reversamente se comporta como uma chave aberta, mas na prtica circular pelo diodo uma pequena corrente reversa devido aos portadores minoritrios produzidos termicamente. A intensidade desta corrente reversa depende da temperatura e no da tenso aplicada. O datasheet de um diodo 1N4001 informa que a sua corrente reversa, a uma temperatura de 25C tipicamente de 50pA, e a 100C de 1.0A. Veja como a corrente reversa aumenta com o aumento de temperatura. Esta corrente r eversa muita das vezes inconveniente e pode prejudicar o bom funcionamento do circuito. Isso responde porque certos equipamentos eletrnicos precisam de salas climatizadas, equipadas com ar condicionado para funcionar. Um dos motivos do uso em grande escala do Silcio na confeco de componentes eletrnicos que a corrente reversa nos componentes fabricados com Silcio menor do que nos fabricados com Germnio, ou seja, o Silcio e menos sensvel temperatura. Existe uma outra componente que contribui para a corrente reversa, que a corrente de fuga superficial. Devido a impurezas (por exemplo, poeiras) localizadas na superfcie do cristal, um trajeto hmico pode ser criado viabilizando a circulao desta corrente reversa pela superfcie do cristal. Esta componente depende da tenso reversa aplicada ao diodo. Resumindo, duas componentes contribuem para a corrente reversa, a dos portadores minoritrios, que depende da temperatura e a corrente de fuga superficial, que depende da tenso reversa aplicada aos terminais do diodo. No se preocupe, por hora, com a corrente reversa

TENSO DE RUPTURA Temos de ter cuidado quando vamos polarizar um diodo reversamente, pois existe um valor de tenso mxima que cada diodo suporta estando polarizado desta forma, que a tenso de ruptura. Se a tenso reversa nos terminais do diodo ultrapassa o valor de ruptura o mesmo conduz intensamente, danificando-se por excesso de dissipao de calor. Por exemplo, um 1N4001 suporta no mximo 50V quando polarizado reversamente. O motivo desta conduo destrutiva na ruptura um efeito conhecido como avalanche. quando o diodo est polarizado reversamente circula por ele uma pequena corrente reversa causada pelos portadores minoritrios. Um aumento na tenso reversa pode acelerar estes portadores minoritrios podendo causar o choque destes com os tomos do cristal. Estes choques podem desalojar eltrons de valncia enviando-os para a banda de conduo, somando-se aos portadores minoritrios, aumentando ainda mais o nmero de eltrons livres e, consequentemente, de choques. O processo continua at ocorrer uma avalanche de eltrons (alta corrente eltrica), que causar a destruio do diodo.

DIODO
Dispositivo eletrnico fabricado a partir de materiais semicondutores como Silcio e Germnio. O diodo um dispositivo de grande importncia dentro da eletrnica, e sua principal caracterstica a de conduzir a corrente eltrica em um s sentido. Quando aplicamos uma tenso no diodo, dizemos que estamos polarizando o mesmo. Existem dois tipos de polarizao: - POLARIZAO DIRETA - POLARIZAO REVERSA

POLARIZAO DIRETA Um diodo est polarizado diretamente quando o terminal positivo da fonte est mais prximo do anodo e o terminal negativo mais prximo do catodo. Quando o diodo est polarizado diretamente ele se comporta como se fosse uma chave fechada(diodo ideal), permitindo a circulao da corrente, como mostra a figura a seguir.

Como o diodo se comporta como uma chave fechada, necessria a presena de um resistor em srie com ele para limitar a corrente, caso contrrio fonte entra em curto. POLARIZAO REVERSA (INVERSA) Um diodo est polarizado reversamente quando o terminal positivo da fonte estiver mais perto do catodo e terminal negativo do anodo. Desta forma, o diodo se comporta como uma chave aberta bloqueando a passagem da corrente eltrica, como mostra a figura a seguir.

Quais lmpadas esto acesas e quais esto apagadas?

CURVA CARACTERSTICA DO DIODO


Na anlise inicial ns consideramos o diodo polarizado diretamente como uma chave fechada(diodo ideal). Na prtica, o diodo s comea a conduzir quando a tenso em seus terminais ultrapassa a tenso de conduo(limiar), que 0,7V para diodos de Silcio e 0,3V para diodos de Germnio. Como hoje praticamente todos os diodos fabricados so de Silcio, daremos nfase a eles a menos que seja dito o contrrio. A seguir vemos o grfico da tenso versus corrente do diodo de Silcio.

POLARIZAO DIRETA Quando o diodo polarizado diretamente, podemos observar que a corrente permanece em zero at que a tenso nos terminais do diodo ultrapasse a tenso de limiar (0,7V). Isto significa que, mesmo estando polarizado diretamente, o diodo s conduz quando a tenso em seus terminais atinge o valor de limiar. A corrente no diodo aumenta bruscamente aps a tenso em seus terminais ter ultrapassado o valor de limiar. O mesmo, porm, no acontece com a tenso nos terminais do diodo, que aumenta modestamente para grandes aumentos na corrente direta. Para efeito de clculo ns consideramos que em conduo o diodo tem em seus terminais uma tenso de 0,7V, mas lembre-se que na prtica a tenso no diodo aumenta quando a corrente direta aumenta. Um fabricante do diodo 1N5408 informa em seu datasheet que o mesmo pode ter uma tenso de 1.2V quando a corrente direta no diodo for de 3A. Para que a corrente no diodo no ultrapasse o valor nominal, necessrio que seja ligado um resistor em srie com o diodo quando ele estiver polarizado diretamente, cuja finalidade limitar a corrente no componente para que ele no seja destrudo por excesso de dissipao de calor. O resistor em srie com o diodo polarizado diretamente necessrio porque, em conduo, o diodo praticamente no oferece oposio a passagem da corrente eltrica, ou seja, sua resistncia interna muito baixa. Por este motivo que normalmente ns consideramos o diodo como um curto quando ele est polarizado diretamente. Vemos a seguir um circuito com um diodo polarizado diretamente por meio de uma fonte varivel. Para tenses da fonte entre 0V e 0,7V, o diodo continua se comportando como uma chave aberta, mesmo estando polarizado diretamente. Vimos no grfico do diodo que para esta faixa de tenso no diodo, a corrente zero. Quando a tenso da fonte ultrapassa 0,7V, o diodo comea a conduzir, permitindo a passagem dos eltrons. Vemos no grfico do diodo tambm que quando a tenso no diodo atinge 0,7V a corrente tem um aumento brusco. O resistor em srie com o diodo tem a funo de no permitir que esta corrente aumente a ponto de danificar o diodo. O diodo 1N4001, por exemplo, suporta uma corrente mxima de 1A estando polarizado diretamente. Uma vez em conduo, grandes aumentos na corrente provoca pequena variao na tenso no diodo. Para efeito de clculo esta pequena variao de tenso no diodo no considerada. Quando se leva em considerao a tenso de conduo do diodo, dizemos que ele est se comportando como um diodo real.

Depois que o diodo comeou a conduzir a tenso em seus terminais se mantm em 0,7V, sendo que todo o excedente de tenso da fonte aparecer no resistor. POLARIZAO REVERSA Quando o diodo polarizado reversamente ele se comporta como uma chave aberta at que a tenso em seus terminais ultrapasse o valor de ruptura, quando ento o diodo conduz intensamente e se destri por excesso de dissipao de calor. O diodo 1N4001, por exemplo, possui uma tenso de ruptura de 50V. Se voc for usar este diodo polarizado reversamente em um circuito certifique-se de que a tenso em seus terminais nunca ir ultrapassar 50V. Vemos a seguir um diodo polarizado reversamente em srie com um resistor. Como o diodo se comporta como uma chave aberta no tem corrente circulando no circuito e, consequentemente, no tem tenso no resistor R. Isso significa que toda a tenso da fonte aparece nos terminais do diodo. Desde que esta tenso reversa no diodo no ultrapasse o valor de ruptura o diodo ir se comportar como uma chave aberta. Essas notas foram baseadas no texto de Eletrnica

de Wagner da Silva Zanco.