1. EL DIODO
BULBO: Es un DIODO que rectifica la corriente alterna en corriente directa o continua por calor. SEMICONDUCTOR Es un DIODO construido por dos cristales de Silicio, dopados con impurezas de fsforo o boro, para formar una parte llamada N (negativa) y la otra llamada P (positiva), separados por una juntura tambin llamada barrera o unin. Otro cristal muy usado es el de Germanio.
1.1 UNIN PN
Es un material tipo N (-) formado por un cristal de silicio principalmente con 4 valencias, al doparse con impurezas de fsforo (fundido a 1300C) por ejemplo, forma un nuevo cristal con valencia pentavalente (5 electrones libres). El material tipo P (+) formado por silicio con 4 valencias, que al doparse con impurezas de boro, forma otro cristal trivalente logrando huecos o receptores. Estos dos tipos de material P y N se unen para formar el DIODO, originando el flujo de electrones libres a los huecos al aplicarles un voltaje de 0.3 v.
1.1.2 EL SEMICONDUCTOR PN
El termino Diodo Ideal se refiere a que posee caractersticas perfectas en cualquier sentido, es un dispositivo de dos terminales.
De forma ideal un diodo conducir la corriente en la direccin definida por la flecha que se muestra en su smbolo y actuar como un circuito abierto en la direccin opuesta.
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Cuando la corriente que circula por el diodo en el sentido de la flecha (o sea del nodo (+) al ctodo (k) (-) se llama polarizacin directa. En este caso la corriente atraviesa el diodo con mucha facilidad comportndose prcticamente como un corto circuito, CIRCULA en AVALANCHA.
1.1.5.B REGIN ZENER En la regin que corresponde a la zona de ruptura, se puede observar que la tensin de ruptura Vz permanece casi constante en el intervalo de Iz mnimo y mximo, a diferencia del diodo normar, el diodo zener est para trabajar en esta regin.
1.2.A DIODO DE GERMANIO Y SILICIO, CARACTERSTICAS Los diodos de silicio cuentan con un PIV (Voltaje Pico de Entrada) y un ndice de corriente mayor, as como un rango de temperatura ms amplio que los diodos de germanio. Los niveles de PIV para el caso de silicio se encuentran por 1000V mientras que el valor mximo para el germanio es de 400V.
El silicio puede utilizarse para aplicaciones en las cuales la temperatura pueda elevarse hasta 200C, mientras que el germanio posee un nivel mximo a 100C.
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DIODO DE GERMANIO
1.2.B DIODO DE GERMANIO Y SILICIO, CARACTERSTICAS La desventaja que tiene el silicio es la de mayor voltaje en polarizacin directa que requiere para alcanzar la regin de conduccin. Este voltaje se encuentra alrededor de 0.7Vcc para diodos de silicio y 0.3Vcc para diodos de germanio
VOLTAJE DE PIV (VOLTAJE DIODO TEMPERATURA USO PICO ENTRADA) CONDUCCIN SILICIO 1000 200 C (400 F) 0.7 V MENOR GERMANIO 400 100 C (200 F) 0.3 V MAYOR
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Donde: I ...es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y VD.. .la diferencia de tensin entre sus extremos. IS. es la corriente de saturacin q ..es la carga del electrn T ..es la temperatura absoluta de la unin k ..es la constante de Boltzmann n ..es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que
suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).
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DIODO SEMICONDUCTOR 16
1.2.6. EFECTOS DE LA TEMPERATURA La temperatura puede ejercer un efecto marcado sobre las caractersticas de un diodo semiconductor de silicio, de forma experimental se ha encontrado que la magnitud de la corriente de saturacin inversa Is se incrementa en una proporcin doble por cada 10C en la temperatura. Para el silicio, los valores de Is son mucho menores que para el germanio a niveles de corriente y de potencia similares.
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1.4.1 OTROS TIPOS DE DIODOS DIODO EMISOR DE LUZ (LED) . El LED tiene un voltaje de operacin que va
de 1.5 V a 2.2 voltios aproximadamente y la gama de corrientes que debe circular por l est entre los 10 y 20 miliamperios (mA) en los diodos de color rojo y de entre los 20 y 40 miliamperios (mA) para los otros LEDs.
1.4.6
FIN
BIBLIOGRAFA (1)
Pginas de INTERNET
http:/www.wikipedia.org www.asifunciona.com www.Unicrom.com www.slideshare.net http://huarpe.com / electrnica / o1/aoinstrum.html http://olmo.pntic.mec. http://www.bibliodgsca.unam. http://www.electa.uta. Website Profesor: Jos Luis Crdenas B. Ingeniero de Ejecucin en Sonido Universidad Austral de Chile. http://www.youtube.com/watch?v=-1FawDvjoGQ&feature=player_embedded http://www.fullcustom.es/data/guias_elecdomoeco /grupoautodiscocom-manualelectronica-basica.pdf www.alldatasheet.com DATASHEET Manual de Electrnica
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BIBLIOGRAFA (2)
Pginas de INTERNET http://huarpe.com/electronica/ao1/aoinstrum http://olmo.pntic.mec. http://www.bibliodgsca.unam. http://www.lafacu.com/apuntes/informatica/manual http://www.uts.edu.au htpp:/www.cfe.org
BIBLIOGRAFA (3)
FUENTES DE INFORMACIN 1. Boylestad. Electrnica. Teora de Circuitos. Ed. Prentice Hall. 2. BOLTON. W. Mecatrnica , Sistemas de Control Electrnico en al Ingeniera Mecnica y Elctrica. Editorial Alfa omega. Tercera edicin. Mxico. Feb.2006 3. HERNANDEZ. Jorge DUQUE. Edison. Curso practico de electrnica moderna. Compaa Editorial Tecnolgica CEKIT. 4. Foros de Electrnica. Comunidad Internacional de Electrnicos. Espaa. 5. Historia del CD. UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA.
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