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El Transistor Bipolar de Unin (BJT)


(Spanglish Version 2006)
EL TRANSISTOR BIPOLAR
DE UNIN (BJT) es un
dispositivo que amplifica la
intensidad de corriente.
Se caracteriza porque la
corriente de salida es
controlada por la corriente
de entrada y amplificada en
un factor llamado . De ah
que se dice que la corriente
de salida es una variable
que depende tanto de la
intensidad de corriente a la
entrada como de la del
transistor.
El comportamiento de un BJ T puede analizarse a
travs de sus curvas caractersticas, de forma
similar a como se hace con el diodo de unin. El
fenmeno de la corriente en el transistor, en
configuracin BASE COMN es un fenmeno
que se puede representar de la siguiente forma:
- - - - -
- - - - -
- - - - -
- - - - -
- - - - -
- - - - -
+ + + +
- - - - -
- - - - -
- - - - -
- - - - -
- - - - -
- - - - -
+ + + +
+
+
+
+
+
+
-
N P N
E
B
C
MILIAMPERMETROS
V
BE
V
CB
+ - +
-
O
p
e
r
a
c
i

n


d
e
l

B
J
T
2
- - - - -
- - - - -
- - - - -
- - - - -
- - - - -
- - - - -
+ + + +
- - - - -
- - - - -
- - - - -
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+ + + +
+
+
+
+
+
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+ + + +
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+ - +
-
100 99
P
E
B
C
MILIAMPERMETROS
N N
V
BE
V
CB
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EL TRANSISTOR BIPOLAR
DE UNIN (BJT) es un
dispositivo que amplifica la
intensidad de corriente.
Se caracteriza porque la
corriente de salida es
controlada por la corriente
de entrada y amplificada en
un factor llamado . De ah
que se dice que la corriente
de salida es una variable
que depende tanto de la
intensidad de corriente a la
entrada como de la del
transistor.
El comportamiento de un BJ T puede analizarse a
travs de sus curvas caractersticas, de forma
similar a como se hace con el diodo de unin. El
fenmeno de la corriente en el transistor, en
configuracin BASE COMN es un fenmeno
que se puede representar de la siguiente forma:
O
p
e
r
a
c
i

n


d
e
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B
J
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- - - - -
- - - - -
+ + + +
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+ + + +
+
+
+
+
+
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+ + + +
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+ + + +
+
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+
+
+
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+ + + + + + + +
+
+
+
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+ - +
-
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P
E
B
C
MILIAMPERMETROS
N N
V
BE
V
CB
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El BJ T se comporta como un gran nodo en el cual se cumple la Ley de
Kirchhoff de corrientes:
Corriente entrante = Corriente saliente
Corriente de Emisor = Corriente de Base + Corriente de Colector.
I
E
= I
B
+ I
C
Sin embargo, la corriente de
colector est formada por dos
componentes: los portadores
mayoritarios y los minoritarios.
A la corriente minoritaria se le
denomina I
CO
por lo que:
I
C
= I
C mayoritaria
+ I
CO
O
p
e
r
a
c
i

n


d
e
l

B
J
T
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Todos los transistores BJ T, NPN y PNP pueden polarizarse de
manera que quede una terminal comn en su circuito de
polarizacin; es decir, un elemento que forma parte tanto del lazo de
entrada como del lazo de salida. ste puede ser cualquiera de las
tres terminales del dispositivo. As entonces, se tienen tres
configuraciones:
BASE COMN. EMISOR COMN. COLECTOR COMN.
Configuraciones del BJT.
Tipo NPN
Tipo PNP
B
E C
B
E C
B
E
C
B
E
C
B
E
C
B
E
C
Robert Boylestad
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Configuracin Base Comn
La base es comn a la entrada (emisor base) y a la salida (colector base)
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Caractersticas de Base comn.
Corriente de entrada I
E
vs tensin de entrada V
BE
para varas tensiones de salida V
CB
.
Para describir un dispositivo de
3 terminales, se requiere de 2
conjuntos de caractersticas:
Uno para la entrada.
Otro para la salida
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Output Characteristics for a Common-Base Amplifier
Corriente de salida I
C
vs tensin de salida V
CB
para varias corrientes de entrada I
E
.
Caractersticas de salida Base comn.
C
o
r
r
i
e
n
t
e

d
e

S
a
l
i
d
a
Tensin de Salida
Entrada
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3 Regiones de Operacin
Activa
Amplificador.
Corte
Apagado. Hay tensin pero poca corriente.
Saturacin
Encendido. Baja tensin y corriente alta.
Uniones:
Emisor-Base, directamente
Cmo son las corrientes por los terminales
del transistor?
Colector (P)
Emisor (P)
B (N)
V
EB
V
BC
Colector-Base, inversamente
I
E
= I
B
+ I
C
I
E
I
B
I
C
V
BC
C (P)
E (P)
V
EB
B (N)
- +
V
CB
+ -
V
EB
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Output Characteristics for a Common-Base Amplifier
Corriente de salida I
C
vs tensin de salida V
CB
para varias corrientes de entrada I
E
.
Caractersticas de salida Base comn.
C
o
r
r
i
e
n
t
e

d
e

S
a
l
i
d
a
Tensin de Salida
C
u
a
n
d
o

I
E
=

0
m
A
Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky
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Cuando I
E
= 0mA
I
C
= I
CBO
= I
CO
0mA
(no se nota en la fig. anterior por la
escala!)
Pero por tratarse de una corriente de saturacin
inversa no debe olvidarse que puede convertirse
en un factor importante al aumentar la
temperatura
7
[Formula 3.3] E C I I
As, en la regin activa:
En la regin de corte, tanto la unin base-emisor como
colector-base se encuentran polarizadas
inversamente.(regin donde I
C
es cero.)
En la regin de saturacin (aquella a
la izq. de V
CB
=0), tanto la unin base-
emisor como colector-base se
encuentran polarizadas en directa.
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0.7 VBE =
Por otro lado, se puede ver que
variaciones de V
CB
no provocan grandes
cambios en la corriente de salida IE una
vez que se supera el umbral de la unin
base-emisor; por lo que se puede
aproximar tambin que:
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Alfa ()
Idealmente = 1, pero en dispositivos reales est entre 0.9 y
0.998.
Tenamos que
Alfa () relaciona las corrientes en DC debidas a los portadores mayoritarios I
C
con I
E
:
[Formula 3.5]
E
C
dc
I
I
=
I
C
= I
C mayoritaria
+ I
CBO
I
C
= I
E
+ I
CBO
Sustituyendo alfa:
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Alfa ()
Para condiciones de ac, donde el punto de operacin se desplaza sobre la curva
caracterstica:
[Formula 3.6]
constante
E
C
ac
I
I
=

=
CB
V

ac
se denomina: factor de amplificacin de base comn de corto circuito.
Aunque su valor difiere ligeramente de
dc
generalmente son muy parecidas
y se les puede utilizar indistintamente en los clculos.
9
Accin amplificadora del transistor
10mA
20
200mV
Ri
Vi
Ii IE = = = =
I
C
I
E
as que I
L
I
i
= 10mA
V
L
= I
L
* R = (10mA)(5k) = 50V
250
200mV
50V
Vi
V
Av
L
= = =
Vase que la accin de amplificacin se
produjo mediante la transferencia de una
corriente desde un circuito de baja
resistencia a uno de alta resistencia.
transferencia + resistor = transistor.
10
Accin amplificadora del transistor
La resistencia ac de entrada es muy pequea
(tpicamente entre 10 y 100 ohms) .
Por ejemplo 0.7V @ 8ma
Pero a la salida generalmente es
muy alta (tpicamente entre 50 kilo
y 1 mega ohm) .
Por ejemplo 10V @ 2ma
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Configuracin Emisor-comn.
El emisor es comn tanto a la entrada (base-emisor) como a la salida (colector-emisor).
La entrada est en la base y la salida en el colector.
Entrada
Salida
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Caracterstica del colector = caracterstica de salida.
Caracterstica de la base = Caracterstica de entrada.
Aunque cambia la configuracin, las siguientes relaciones siguen siendo aplicables:
I
C
= I
E
+ I
CBO
0
I
E
= I
B
+ I
C
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En la regin activa de un
amplificador emisor comn, la
unin base-emisor se
encuentra polarizada en
directa, mientras que la de
colector-base en inversa.
Vase tambin que la regin
de corte no est bien definida,
ya que I
C
no es cero cuando
I
B
=0
Ntese que las grficas de I
B
no son tan horizontales como las de I
E
base-comn; por ello
la tensin colector-emisor tendr influencia sobre la magnitud de la corriente del colector.
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La razn de lo anterior es:
I
C
= I
E
+ I
CBO
I
C
= (I
C
+ I
B
)+ I
CBO
I
C
= I
C
+ I
B
+ I
CBO
I
C
= I
C
+ I
B
+ I
CBO
I
C
- I
C
= I
B
+ I
CBO
I
C
(1- )= I
B
+ I
CBO

=
1 1
CBO B
C
I I
I
996 . 0 1 1
) 0 (

=
CBO
C
I A
I

CBO C
I I 250 =
Cosiderando el caso en que I
B
=0, y un
valor tpico de =0.996:
Como referencia general, la corriente de
colector cuando I
B
=0, ser:
0
CBO
CEO
1
I
I corte de corrriente
=

= =
B
I

FE cd
h =
Beta ()
En DC :
[Formula 3.10]
En CA:
[Formula 3.11]
indica el factor de amplificacin del transistor de CD en emisor comn, y en las hojas de
datos se le refiere como h
fe
B
C
I
I
dc =
constante
B
C
I
I
ac
=

=
CE
V

Ntese que
fe ca
h =
maysculas
minsculas
Modelo Hbrido
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Determinando beta () de la curva
Note: AC = DC
108 7.5) (paraV
A 25
2.7mA
DC
CE
= = =

100 7.5) (paraV


A 10
1mA
) 20 30 (
2.2mA) (3.2mA

CE AC
= = =

=
A A
Characteristics in which
ac
is the same everywhere and
ac
=
dc
.
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Relationship between and
Both indicate an amplification factor.
[Formula 3.12a]
[Formula 3.12b]
1

+
=
1

=

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provides a Relationship between Currents
[Formula 3.14]
[Formula 3.15]
B C I I =
B E 1)I ( I + =
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Common Collector
The input on the Base and the output is on the Emitter.
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Characteristics of Common Collector
The Characteristics are similar to those of the Common-Emitter.
Except the vertical axis is I
E
.
I
E
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FIGURE 3-21 Common-collector configuration used for impedance-matching purposes.
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Alta impedancia de entrada y baja
impedancia de salida (contrario a base-
comn y emisor-comn
Pobre
Deseable
Sobre-
acoplado
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Limitations of Operation for Each Configuration
Note: V
CE
is at maximum and I
C
is at minimum (I
Cmax
=I
CEO
) in the cutoff region.
I
C
is at maximum and V
CE
is at minimum (V
CE
max = V
CEsat
= V
CEO
) in the
saturation region.
The transistor operates in the active region between saturation and cutoff.
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Power of Dissipation
Common Base: [Formula 3.18]
Common Emitter: [Formula 3.16]
Common Collector:
C CB C I V max P =
C CE C I V max P =
E CE C I V max P =
Transistor Specification Sheet
Valores nominales (mximos
Caractersticas trmicas
Caractersticas elctricas
A
p
a
g
a
d
o
E
n
c
e
n
d
i
d
o
P
e
q
u
e

a

s
e

a
l

(
a
m
p
l
i
f
i
c
a
d
o
r
)
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Transistor Testing
1. Curve Tracer
Provides a graph of the characteristic curves.
2. DMM
Some DMMs will measure DC or HFE.
3. Ohmmeter
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Transistor Terminal Identification