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Departamento de Engenharia Eltrica

Eletrnica I ELE30028

AULA 05 MSc. Ciro J. Egoavil Montero

Captulo

Transistor de Juno Bipolar BJT

Tpicos abordados no captulo 6


!! Transistor no-polarizado !! Transistor polarizado !! Correntes do Transistor !! Conexo Emissor comum CE !! Curva da base

Tpicos abordados no captulo 6


!! Curvas do Coletor !! Aproximaes doTransistor !! Lendo folhas de dados !! Transistores de montagem de superfce -SMD !! Deteo de defeitos

Transistor no-polarizado ! ! ! ! Trs regies dopadas: emissor, base e coletor. Duas junes pn: emissor-base e base-coletor NPN ou PNP Silcio ou germnio

A juno bipolar tem trs regies dopadas

N P N

COLETOR (dopagem mdia) BASE (dopagem leve) EMISSOR (dopagem pesada)

Transistor polarizado ! Polarizao direta do diodo emissor. ! Polarizao reversa do diodo coletor.

Em um transistor NPN corretamente polarizado, os eltrons do emissor se difundem para a base e depois seguem para o coletor.

C RC

N
RB B VCE

P N
E

VCC

VBB

VBE

Transistor currents ! A relao entre a corrente do coletor para a corrente de base denomidada ganho de corrente (!dc or hFE) ! Ganho de corrente tipicamente de 100 a 300

IB

IC

IB

IC

IE Fluxo convencional IE = IC + IB "dc = # IC IE IC ! IE $dc = # IC IB

IE Fluxo de eltrons IB << IC

A conexo CE
! O emissor aterrado ou comum ! O base-emissor age como um diodo ! O base-coletor age como uma fonte de corrente que igual ao !dc vezes a corrente de base

O conexo emissor comum tem dois laos: a lao da base e o lao do coletor.

RB
Lao da base

Lao do coletor

RC VCE VCC

VBB

VBE

Notao
! Quando os subscritos so iguais, a tenso representa a fonte (VCC). ! Quando os subscritos so diferentes, a tenso entre dois pontos (VCE). ! Uma subscrio usada para tenses de ns com a terra servindo como a referncia (VC).

Curva da Base ! Grfico parecido com a do diodo ! Aproximaes do Diodo so usadas para a anlise (tipicamente - ideal ou segunda)

O Circuito da base usuamente analisado com a mesma aproximao usada para diodos.

IB =

VBB - VBE RB VCE RB

RC

VCC VBE

VBB

Um grfico de IC versus VCE


(Notar que c/novo valor de IB representa uma nova curva.)

14 12 10 IC em mA 8 6 4 2 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 VCE em Volts

100 A 80 A 60 A 40 A 20 A 0 A

este conjunto de curvas chamada famalia de curvas.

Regies de operao
! ! ! ! Ativa - - - usado em amplificao " linear Cutoff - - - usado em aplicaes de chaveamento Saturao - - - usado em aplicaes de chaveamento Breakdown - - - pode destruir o transistor e deve ser evitado

Aproximaes para circuitos com transistor


! Primeira: considere o diodo base-emissor como ideal e use $IB para determinar IC. Use para verificao de defeitos. ! Segunda: corregir para VBE e usar $IB para determinar IC. ! Terceira (e mais alta): corregir para resistncia de corpo e outros efeitos. Usuamente realizado por simulaes de computedor. Usado para projeto.

A segunda aproximao:

VBE = 0.7 V#

$dcIB#

VCE#

IB = IB =

VBB - VBE RB 5 V - 0.7 V 100 k% 100 k% RB VCC VBE = 0.7 V = 43 A RC

VBB

5V

IC = $dc IB IC = 100 x 43 A = 4.3 mA 100 k% RB IB = 43 A VBB 5V RC

$dc = 100

VCC

V RC = I C x R C VRC = 4.3 mA x 1 k% = 4.3 V 100 k% RB IB = 43 A VBB 5V 1 k% IC = 4.3 mA 12 V VCC RC

VCE = VCC - VRC VCE = 12 V - 4.3 V = 7.7 V 100 k% RB IB = 43 A VBB 5V

IC = 4.3 mA 1 k% VCE 12 V VCC RC

Lendo folhas de dados de transistores

! As classificaes mximas de tenso, corrente e potncia ! Transistor de potncia dissipam mais do que 1 W ! A temperatura pode mudar os valores das caractersticas dos transistores.

Valores Tpicos de Breakdown


#! VCBO = 60 V #! VCEO = 40 V #! VEBO = 6 V #! Nota: Estes so os valores reverse breakdown com uma perna do transistor aberta (e.g. VCBO tenso do coletor para base com emissor aberto)

Uma viso grfica da ruptura coletor breakdown


14 12 10 IC em mA 8 6 4 2 0 VCE em Volts 50

Valores Mximos Tpicos ! ! ! ! IC = PD = PD = PD = 200 mA CC 250 mW (for TA = 60 oC) 350 mW (for TA = 25 oC) 1W (for TC = 60 oC)

Data sheet hFE Caractersticas de conduo


IC in mA 0.1 1 10 50 100 hFE(min) 40 70 100 60 30 hFE(max) ___ ___ 300 ___ ___

Transistores SMD
! Uma variedade de estilos de encapsulamento (three-terminal gull-wing is typical) ! Alguns SMDs podem dissipar 1 watt ou mais ! Alguns SMDs podem ter multiples transistors

BJT C HARACTERISTIC

2N3904

MMBT3904
C

PZT3904
C

Part 2N3 http 2N% Fair Corp


E

E C B

TO-92
E

SOT-23
Mark: 1A

SOT-223

NPN General Purpose Amplifier


This device is designed as a general purpose amplifier and switch. The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to 100 MHz as an amplifier.

Absolute Maximum Ratings*


Symbol
VCEO VCBO VEBO Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage

TA = 25C unless otherwise noted

Parameter

Value
40 60 6.0

Units
V V V

Verificao de defeitos
!! Procure por erros grosseiros de tenso. !! Primeira aproximao e estimativas mentais sero normalmente suficiente. !! Resistores geralmente no esto em curto mas oc circuitos podem. !! Os circuitos podem e esto abertos. !! Junes podem e esto em curto. !! Junes podem e esto em aberto.

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