UNIVERSIDAD MILITAR NUEVA GRANADA

Polarizacin Universal del Transistor BJT Codificacin: (1) INGMCT-G-1 !

Guas de Prcticas de Laboratorio

Nmero de Pginas: ( ) !

"evisin No#: ($) %

&ec'a (misin: (!) %%)*1%* +a,oratorio de: (-) (lectrnica Tit.lo de la Prctica de +a,oratorio:
(/)

Polarizacin Universal del Transistor BJT

E"aborado #or$ ())

Re%isado #or$ (4)

A#robado #or$ (6)

01C(NT( T2(3P1 C13P+(T1

J(&( 0( 5"(5

02"(CT1" 0(+ P"17"535

(l .so no a.torizado de s. contenido as8 como re9rod.ccin total o 9arcial 9or c.al:.ier 9ersona o entidad; estar en contra de los derec'os de a.tor Pagina 1 de 5

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Polarizacin Universal del Transistor BJT Co&tro" de Ca'bios Ra(o&es de" Ca'bio 7U25 0( P"5CT2C5 0( +5B1"5T1"21 2N2C25+ Ca'bio a "a Re%isi)& * % +ec,a de e'isi)& %%)*1%*

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Polarizacin Universal del Transistor BJT GU-A PARA LA./RAT/RI/ DE ELECTR0NICA LA./RAT/RI/ ! P/LARI1ACI/N UNIVERSAL DEL TRANSIST/R .2T 13 +ACULTAD / UNIDAD ACAD4MICA$ 2N7(N2("<5 !3 PR/GRAMA$ (1 ) 3(C5T"=N2C5 53 ASIGNATURA$ (1$) (+(CT"=N2C5 5N>+175 3 SEMESTRE$ (1!) CU5"T1 63 /.2ETIV/S$ 7168 0ise?ar e im9lementar la 9olarizacin .niversal con .n transistor NPN 3 93 C/MPETENCIAS A DESARR/LLAR$
(14)

0ise?o; anlisis @ creatividad 9ara im9lementar circ.itos con 9timos res.ltados; 9ocos elementos @ costos razona,les# :3 MARC/ TE/RIC/$ (1))

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Polarizacin Universal del Transistor BJT +a 9olarizacin .niversal o 9or divisin de voltaAe es la ms .tilizada de,ido a :.e con criterios definidos se llega a :.e la tem9erat.ra del transistor no sea tan determinante @ el 9.nto de tra,aAo no var8e al cam,iar el B(T5 ( )# Para el circ.ito mostrado se tiene: Circuito de sa"ida$
VCE = VCC - I C (R C + R E ) I C = I B

Circ.ito de entrada:
I B = (VTH - VBE )/(R TH + * R E ) R TH = R 1 * R 2 /(R 1 + R 2 ) #

en

donde

VTH = VCC * R 2 /(R 1 + R 2 )

Bi se tiene :.e R E 10R 2 , 2B es m.c'o menor :.e 2 @ VB = VCC * R 2 / ( R 1 + R 2 ) ; VE = VB - VBE ; I E = VE /R E

;3 MATERIALES< REACTIV/S< INSTRUMENT/S< S/+T=ARE< >ARD=ARE / E?UIP/S$ (14) Transistor NPN "esistencias de valores de ac.erdo a lo calc.lado &.entes de voltaAe 3.lt8metro# Ca,les de coneCin Caimanes

@3 PRECAUCI/NES C/N L/S MATERIALES< REACTIV/S< INSTRUMENT/S A E?UIP/S A UTILI1AR $ (16) No eCceder los valores mCimos 9ermitidos de voltaAes @ corrientes indicados 9ara los transistores .tilizados #Cons.ltar en los man.ales corres9ondientes # No so,re9asar el mCimo de 9otencia disi9ada 9or las resistencias# 1B3 CAMP/ DE APLICACI0N$
( %)

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Polarizacin Universal del Transistor BJT (n la zona activa como 5m9lificador de ,aAa se?al # 113 PR/CEDIMIENT/< MET/D/ / ACTIVIDADES$
( 1

0ise?ar e im9lementar .n circ.ito de 9olarizacin 9or 0ivisor de DoltaAe .tilizando el criterio de RE 10R 2 de manera tal :.e si se coloca otro transistor con diferente; los voltaAes @ corrientes de salida determinan el E dc entre %#! @ %#/# Be de,e dise?ar e im9lementar .n circ.ito con transistor NPN# Por lo general la resistencia de emisor no es ma@or a 1F# Utilice DCC G HHHHHH @ "C G HHHHHHH# Dar8e la resistencia "1 9ara llevar al transistor a .n E0C G %#%- (sat.racin) @ E0C G %#64 (corte) 1!3 RESULTAD/S ESPERAD/S$
( )

Utilizando valores de resistencias m.@ cercanas en el valor a las :.e se enc.entran comercialmente el 9.nto de tra,aAo de,e estar en la 9rctica entre %#! @ %#/# 153 CRITER/ DE EVALUACI0N A LA PRESENTE PRCCTICA ( 59roCimacin del Edc a %#- en la zona activa Presentacin del informe con concl.siones claras @ 9recisas# 1 3 .I.LI/GRA+IA$
( !) $)

(lectrnica : Teor8a de circ.itos @ dis9ositivos electrnicos B1I+(BT50 (ditorial P(5"B1N P"(NT2C( J5++ (lectrnica 5nloga Teor8a @ +a,oratorio de JU3B("T1 7UT2(""(K #

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