Resumen de Dispositivos

12/01/2009
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BLOQUE 2 : RESUMEN DE
DISPOSITIVOS.
NDICE.
TEMA . TRANSISTORES.
1 DIODOS Y TRANSISTOR BIPOLAR.
2 EL TRANSISTOR MOSFET.
3 EL IGBT.
TEMA . TIRISTORES Y TRIACS.
1 EL TIRISTOR.
2 EL TRIAC.
Es un interruptor unipolar en corriente de un solo cuadrante.
Electrnica de Potencia
DIODO DE POTENCIA. ESTRUCTURA.
Formado por la paralelizacin de mltiples clulas o amplia
superficie
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readeTecnologaElectrnica
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superficie.
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2
Maximun ratings.
Tensin inversa de bloqueo.
C
DIODO DE POTENCIA. CARACTERSTICAS ESTTICAS.
Corriente mxima directa.
Normalmente tres gamas dentro del catlogo:
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g g
Rectificadores baja frecuencia (standard recovery). Vrrm (50-3000
volts).
Fast- recovery y ultra-fast recovery.(convertidores, menos tensin de
ruptura).
Schottky diode (unin metal-semiconductor, rpido, poca tensin
inversa).
V
e
l
o
c
i
d
a
d
V
r
r
m
Paso OFFON (Forward Recovery). Normalmente rpido.
Tensin inversa de bloqueo.
C
DIODO DE POTENCIA. CARACTERSTICAS DINMICAS
Corriente directa mxima.
Paso ONOFF(Reverse Recovery). PROBLEMTICO debido a la
eliminacin de portadores minoritarios, ensanchamiento y aumento
de la regin de transicin proceso llamado recuperacin inversa.
(Ver apuntes para ms detalle).
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DIODO DE POTENCIA. Ejemplos y valores tpicos.
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Fuente.Univ.Colorado
Es un interruptor unipolar en corriente de un solo cuadrante.
TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA. ESTRUCTURA.
Estructura bsica de tres capas, drive por corriente; conduccin
vertical conduccin por portadores minoritarios Obsoletos en
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vertical. conduccin por portadores minoritarios. Obsoletos en
muchos casos, se migra al IGBT.
Baja | compatible con alta tensin de
bloqueo.
Los graves problemas de excitacin
llevan al Darlington o al IGBT.
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Curvas caractersticas, regiones de operacin.
TRANSISTOR BIPOLAR.REPASO DE REGIONES DE OPERACIN.
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Maximun ratings, atencin el comportamiento cambia con la
temperatura.
TRANSISTOR BIPOLAR. CARACTERSTICAS ESTTICAS
Potenciamxima.
Segunda
ruptura
Tensinmxima
Corrientemxima
SOA
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Problemas con la perforacin y el embalamiento trmico. Segunda
ruptura
Modulacin de la conductividad en estado de ON por la presencia
en la estructura de portadores minoritarios.
ON SAT ON ON
I K V I P ~ =
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Paso a OFF.
TRANSISTOR BIPOLAR. CARACTERSTICAS DINMICAS
Paso a ON.
sg
t
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Tiempo de almacenamiento
TRANSISTOR BIPOLAR. ESTRUCTURA DARLINGTON MEJORADA.
Estructura mejorada para
Soportar corriente de puerta negativa (D1).
R i l i t t d D2 (f h li
sg
t
Recircular corriente a travs de D2 (freewheling
diode).
Hacer el drive ms sencillo aumentando la |.
Problema de recirculacin
de corriente
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ConstruccuntpicadeunmduloBipolar.FuenteIRF.
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Normalmente estructura celular
(100 a 25000 clulas) paralela y
TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA. ESTRUCTURA.
No hay modulacin de la conductividad.
2 TRANSISTOR MOSFET.
(100 a 25000 clulas) paralela y
conduccin vertical.
La formacin del canal de conduccin se
produce a partir de una tensin Vgs=Vt.
Diodo inverso inherente (Body Diode).
on
ds on on
R I V ~
Estructura PMESH de ST, Fuente ST Microelectronics Corte lateral de un VDMOS clsico
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TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA. LIMITACIONES ESTTICAS.
Al conducir solamente con portadores
minoritarios para resistencia en ON sube
p
con la temperatura.El MOSFET no sufre
como el Bipolar de embalamiento trmico.
l l l =
ON ds ds D ON
P R T R I P
ON ON
Tensin drenador-fuente de ruptura.

Tensiones ms altas de bloqueo llevan a
transistores con ms prdidas en conduccin.
l lR V
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l l
ON
DS DSS BR
R V
) (
Corriente de drenador mxima compatible
con la operacin segura variable con la
temperatura.
l l
MAX ON
D DS
I R T
El no sufrir embalamiento trmico posibilita la
conexin paralelo de MOSFET. Alta tensin Gate-Source destruir el xido de
puerta Precauciones ESD.
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TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA. CONMUTACIN.
Asociada a la carga-descarga de las capacidades
equivalentesLa corriente mxima de drive deber ser
lt b di i d l
alta en ambas direcciones para cargar-descargar el
transistor.
l l
drive
G iss
I C
Transistores con mucha rea de silicio,
de alta potencia normalmente requieren
un driver ms complejo de ms
corriente.
Capacidades equivalentes del
MOSFET
La capacidad drenador-puerta vara con la
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Efecto equivalente aproximado en el
terminal de puerta en conmutacin.
p p
tensin drenador-fuente.
TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA. CONMUTACIN CARGA RESISTIVA.
Esturiaremos el paso OFF-ON.
Transicin en curvas caractersticas del paso OFF-ON
Td, tiempo de delay hasta que el
transistor alcanza en puerta la tensin Vt
de conduccin.
Tiempo de rise en el que la corriente de
t C d C d1
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puerta carga Cgs y descarga Cgd1.
El resto hasta la entrada en saturacin
profunda es el proceso ms lento ya que
la corriente de puerta es menor y la
capacidad a cargar Cgd2 es mayor.
Ondas en la conmutacin OFF-ON con carga resistiva
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TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA. CONMUTACIN CARGA INDUCTIVA.
Esturiaremos el paso OFF-ON.
Transicin en curvas caractersticas del paso OFF-ON
Td, tiempo de delay hasta que el
transistor alcanza en puerta la tensin Vt
de conduccin.
Tiempo de carga de puerta hasta alcanzar
l V tibl i t t t
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la Vgso compatible con corriente constante
Id.
Periodo de transicin en curvas hasta
saturacin con tensin constante.
Entrada en saturacin profunda.
Ondas en la conmutacin OFF-ON con carga inductiva
CONCLUSIONES.
El transistor MOSFET conmuta ms rpido que el BJ T (para la misma
potencia).
La conmutacin del transistor como en el resto de los dispositivos depende
La conmutacin del transistor, como en el resto de los dispositivos, depende
del resto del circuito.
ALGUNOS TRUCOS DE DISEO.
Una elevada tensin de puerta implica un paso a ON rpido (ms corriente Ig de
pico) pero tambin una entrada en saturacin ms profunda Ms tiempo para
conmutar de OFF-ON.
La potencia perdida en ON depende del cuadrado de la corriente Un solo
transistor no ser apto para corrientes muy elevadas.
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p p y
Siempre trabajar con los valores de Rds, etc... en operacin en caliente.
Para una aplicacin de alta potencia o alta frecuencia, el circuito de drive puede ser
tan complejo como el de potencia.
Puede ser ms barato paralelizar dos transistores que utilizar uno solo.
A veces el diodo interno inherente no es utilizable por sus caractersticas. Pensar
siempre que existe el diodo.
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ESTRUCTURA
Estructura hbrida MOSFET-BJ T.
Combina caractersticas de ambos
3 EL IGBT.
La estructura es mixta, donde una
parte de la corriente ir por el transistor
bipolar y la otra por el MOSFET
dispositivos.
Drive por tensin.
bipolar y la otra por el MOSFET.
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
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Celda bsica de un IGBT Estructura equivalente simplificada de un IGBT
LIMITACIONES ESTTICAS.
Es compatible alta tensin de bloqueo con cadas en conduccin
relativamente reducidas (comportamiento BJ T).
3 EL IGBT.
IGBTs con tensin de bloqueo altas son tpicos en frecuencias
bajas (100Hz-25Khz) donde el problema de tiempos de
conmutacin del BJ T no es tan relevante.
Existe una tensin mnima de
conduccin, y modulacin de
conductividad.
El efecto global es de menor perdidas
en ON que en un MOSFET de la misma
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q
corriente.
El terminal de puerta est sujeto a las
mismas restricciones que en el MOSFET.
Curvas caractersticas de un IGBT . IRF
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LIMITACIONES DINMICAS.
La participacin en la conduccin del BJ T de portadores
minoritarios ralentiza la conmutacin (sufre de current tail).
3 EL IGBT.
Apto para velocidades hasta 100Khz, tpico en control de motores.
Normalmente en tres familias diferentes:
o
c
i
d
a
d

r
d
i
d
a
s

O
N
Standard.
Fast.
f
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Paso a OFFcon carga inductiva. IRF.
V
e
l
M
e
n
o
s

p
r
Ultrafast.
Paso a ONcon carga inductiva. IRF. Familias tpicas IGBT.
COMPARACIN CON EL MOSFET.
De utilizacin clsica en alta tensin y baja frecuencia.
Donde sea posible su uso permite mayor densidad de corriente.
f
3 EL IGBT.
En continuo desarrollo en el campo de baja frecuencia.
Para frecuencias de conmutacin >100Khz y tensiones altas
habremos de pasar al MOSFET.
IGBT
MOSFET
I K P
2
I R P
ds
~
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Potencia de prdidas en ONen funcin de la corriente Regiones clsicas de seleccin MOSFET-IGBT
I K P ~
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CUADRO RESUMEN
3 TRANSISTORES DE POTENCIA
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Resumen genrico a da de hoy a las capacidades tpicas de las tecnologas
ms utilizadas en Electrnica de Potencia.
BLOQUE 1. DISPOSITIVOS.
NDICE.
TEMA . TRANSISTORES.
2 EL TRANSISTOR MOSFET.
3 EL IGBT.
TEMA TIRISTORES Y TRIACS.
1 EL TIRISTOR.
2 EL TRIAC.
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TIRISTORES Y TRIACS.
Es un interruptor unipolar con posibilidad de activacin en corriente
y de un solo cuadrante.
TIRISTOR. ESTRUCTURA.
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Proceso regenerativo de disparo.
Constitucin de un tiristor. Fuente Teccor.
Circuito equivalente de disparo de un tiristor. Fuente Teccor.
2 1
2 1 1
1 o o
o

+ +
=
CO CO g
A
I I I
I
Mtodos de disparo (necesario polarizacin nodo-ctodo).
1. Por corriente de puerta dependiente de la tensin de bloqueo
previa
TIRISTOR. CURVAS DE DISPARO.
gate
I
previa.
2. Por tensin mxima ando-ctodo.
3. Por temperatura, aunque no se produzca el disparo el SCR se
sensibiliza ms a altas temperaturas.
4. Por luz LASCR.
5. Por variacin rpida de la tensin nodo-ctodo .
dt
dv
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Curvas estticas de un tiristor.
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Similar al diodo de potencia.
El diseo trmico (para baja frecuencia) ha de hacerse en funcin
del ngulo de conduccin corriente media y forma de la onda
TIRISTOR. LIMITACIONES ESTTICAS.
del ngulo de conduccin, corriente media y forma de la onda
debido a la impedancia trmica transitoria y conduccin en tiempo
variable.
Valores tpicos de corriente no repetitiva muy superiores a los
nominales continuos muy atractivo para proteccin crowbar y
ignitores electrnicos.
Potencia de puerta limitada en funcin de la anchura del pulso de
puerta.
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Unin PN de puerta-ctodo con tensin inversa de ruptura
relativamente baja.
Alta variacin de la tensin nodo-ctodo de bloqueo puede
hacerlo conducir.
Variaciones muy grandes de la corriente de conduccin en la
TIRISTOR. LIMITACIONES DINMICAS.
Variaciones muy grandes de la corriente de conduccin en la
puesta a ON causan la destruccin del dispositivo por
desigualdad de conduccin de la estructura cuidado con bajas
cargas resistivas y/o altas tensiones de bloqueo.
Paso a OFF similar al diodo,
recuperacin inversa.
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Modelo equivalentedinmico ) (
dt
dV
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El disparo es ms favorable con:
Tensin de bloqueo alta ms corriente inversa de fugas en
la unin polarizada en inversa
TIRISTOR. REQUISITOS DE DISPARO.
la unin polarizada en inversa.
Mayor temperatura ms corriente inversa de fugas.
Carga resistiva antes se alcanza la corriente de enganche
(latching).
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TIRISTOR. VARIOS.
Otros dispositivos derivados (ver anexos).
Dispositivos con posibilidad de paso a OFF Dispositivos con posibilidad de paso a OFF
controlado, GTOs. (anexos).
Otros dispositivos de creacin ms reciente
(anexos).
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Nomenclatura de dispositivos utilizada
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Es un interruptor bipolar con posibilidad de activacin en corriente y
de 4 cuadrantes.
TRIAC. ESTRUCTURA.
Formado por dos tiristores en antiparalelo Formado por dos tiristores en antiparalelo.
Ratings ms modestos que en el tiristor.
Posibilidad de paso a ON con corriente de puerta
positiva y negativa cuatro cuadrantes de
disparo.
Posibilidad de bloqueo y conduccin de tensiones
y corrientes bipolares cuatro cuadrantes de
conduccin.
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Smbolo y estructura del TRIAC. Fuente
Motorola.
El disparo con corriente de puerta saliendo (negativa) es peor.
En general el 4 cuadrante presenta ms dificultades, evitarlo.
TRIAC. DISPARO.
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Curvas de disparo seguro de un TRIAC.
Motorola.
Definicin de cuadrantes de disparo del TRIAC.
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TRIAC. LMITES.
El bloqueo natural de uno de los tiristores de la estructura
equivalente puede llevar a la puesta en conduccin del otro por
dv/dt sobre todo con carga inductiva dv/dt, sobre todo con carga inductiva.
La puesta en conduccin ha de tener limitada la velocidad de
crecimiento de la corriente, como ocurra en el tiristor.
La mxima frecuencia de operacin est limitada por el fenmeno
de recuperacin inversa de cada uno de los tiristores.
Para el clculo de la potencia en conduccin, utilizaremos la
corriente medida por la estructura; siendo dicha potencia.
2
S A O
I r I V P + =
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RMS T AV TO
I r I V P +
Donde :
TO
V
T
r
Tensin umbral de conduccin en ON.
Resistencia equivalente de conduccin en ON.
TRIAC. EJEMPLO DE APLICACIN.
Control simple de potencia con TRIAC
Control de potencia a travs
del ngulo de disparo.
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del ngulo de disparo.
Carga resistiva bloqueo
natural en cruces por cero de
la tensin.
conduccin a
disparo a
. :
. :
2
1
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VALORES EFICACES Y MEDIOS.
En funcin del ngulo de
disparo o de conduccin.
) 180 (
2 1
t = +
Para bloqueo natural en el
cruce por cero de la tensin.
Grficas Clculo
Simulacin
}
=
T
dt t x
T
t x
0
) (
1
) (
}
=
T
RMS
dt t x x
2
) (
1
CarlosBernalRuiz
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} RMS
dt t x
T
x
0
) (
Casos limitados.
Mtodo rpido.
Todos los casos.
Mtodo lento pero
seguro.
Todos los casos.
Mtodo rpido si
se modela bien el
circuito.
EJEMPLOS DE CIRCUITOS DE DISPARO DEL TRIAC
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Fuente. Powerex.
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1 CIRCUITOS DE EXCITACIN
PROBLEMTICA DEL CONTROL

ACOPLAMIENTO DEL DISPARO SELECCIN DEL MOMENTO DE DISPARO
Disparo (TRIGGER) TIRISTOR Y TRIAC
Circuitos de control y
regulacin
Circuitos de drive,
DRIVERS con o sin
aislamiento.
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Conduccin en ON
(DRIVE)
BIPOLAR, MOSFET, IGBT,
GTO...
1 CIRCUITOS DE EXCITACIN.
METODOLOGA CLSICA DE EXCITACIN
TRANSISTOR BIPOLAR
Corriente constante en base
TIRISTOR
Pulso de corriente de entrada
IGBT
Tensin constante en puerta
TRANSISTOR MOSFET
Tensin constante en puerta
TRANSISTOR BIPOLAR
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TIRISTOR
en puerta para el trigger
TRIAC
Pulso de corriente en puerta
para el trigger
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AISLAMIENTO.
Control
DRIVER
POTENCIA
Medidas
Informacin
dedrive
Potencia
dedrive
Convertidor en Electrnica de Potencia
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Convertidor en Electrnica de Potencia
VENTAJAS
El circuito de control no sufre picos de tensin y/o corriente que
provengan del sistema de potencia SISTEMA MS ROBUSTO
Permite un convertidor muy modular con distancias altas entre
piezas.
Una avera en el sistema de potencia no afecta al control.
AISLAMIENTO. MTODOS.
Optoacoplador.
Optotriac.
Disparo Laser en
dispositivos
de alta tensin.
PTICO ELCTRICO
Acoplamiento capacitivo o
inductivo.
Normalmente
transformador de
aislamiento con capacidad
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de alta tensin.
de transmisin de pulsos.
Transmisin de pulsos
deformada.
Normalmente ms caro y
difcil de modelar.
En medida posible
conversin
Tensin-tiempo.
Est sufriendo un
tremendo desarrollo.
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3.1 CIRCUITOS DE EXCITACIN.
TRANSFORMADOR DE IMPULSOS
Modelo ideal, bobinas acopladas con coeficiente de acoplamiento
unidad.
Relacin de transformacin comn de 1:1, 1:2, frecuencia de corte
de transmisin para cargas bajas alta permite acoplar pulsos.
El modelo real del transformador de impulsos es ms complejo.
CarlosBernalRuiz
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OPTOACOPLADORES
Requieren alimentacin en el lado de potencia.
Normalmente ms fciles de modelar que los transformadores de
impulsos.
Limitacin en los tiempos de propagacin y en la potencia
manejada.
Optoacoplador
Optotriac
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Minimun latching
current
Current Transfer Ratio (CTR)
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EXCITACIN DE DISPOSITIVOS. BIPOLAR Y MOSFET/IGBT
Necesidad de mantener la corriente.
Bipolar
Necesidad de proporcionar altas corrientes
MOSFET/IGBT
Mejora del paso a corte.
instantneas.
Capacidad de corriente bidireccional en la puerta.
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Fuente. Electrnica de Potencia.
D.W.Hart
Mejora dinmica Mejora esttica
EXCITACIN DE DISPOSITIVOS. SCRs
Sincronismo con la red, circuito de
Dependiente de la red
Combinado con el aislamiento.
Independiente de la red
mando y excitacin en uno.
Sencillez.
Problemas en el disparo en
determinados ngulos.
Utilizado para aplicaciones sencillas.
Ms complejo.
Circuito de excitacin independiente.
Optoacoplado o por transformador de
impulsos.
CarlosBernalRuiz
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Fuente. Electrnica de Potencia.
D.W.Hart
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TRANSFORMADOR DE IMPULSOS
Modelo ideal, bobinas acopladas con coeficiente de acoplamiento
unidad.
Relacin de transformacin comn de 1:1, 1:2, frecuencia de corte
de transmisin para cargas bajas alta permite acoplar pulsos.
El modelo real del transformador de impulsos es ms complejo.
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Tensin drenador-fuente de ruptura.

PROBLEMTICA DEL CONTROL

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