Anda di halaman 1dari 13

GRAPHENE

Karbon memiliki tiga bentuk alotrop (bentuk alam yang ditemukan), yaitu arang, intan, grafit. Grafit umum dipakai dalam kehidupan sehari-hari contohnya dalam bentuk isi pensil. Intan sering dimanfaatkan sebagai perhiasan dan memiliki harga jual yang tinggi. Sedangkan arang, merupakan sisa dari pembakaran bahan organik. Ketiga materi ini tersusun dari karbon namun memiliki wujud yang berbeda, dikarenakan susunan atom-atom di dalamnya juga berbeda.

Daripada intan, graphene ternyata lebih dekat hubungannya dengan grafit. Grafit sangat lunak sehingga bisa digunakan untuk menulis (isi pensil) dan intan sangat keras sehingga bisa digunakan sebagai mata bor. Pada grafit, susunan yang berbentuk layer sangat lemah ketika mendapat tekanan, sehingga ketika menulis hubungan antar layernya terputus dan ada yang terbawa di kertas.

Hubungannya dengan graphene, graphene sendiri adalah layer yang menyusun susunan di grafit. Jadi, dari susunan yang sebegitu tebalnya di ambil satu lapisan sebagai graphene. Pada tahun 2004 kelompok riset dari Universitas Manchester yang dipimpin oleh Andre K. Geim dan Kostya Novoselov melakukan percobaan dengan menggunakan sejenis selotip untuk mengambil satu lapisan itu dengan ketebalan hanya satu atom saja, yaitu atom karbon yang disusun menyamping

pada kisi yang menyerupai sarang lebah dan diperkirakan sebagai bahan superkonduktor tertipis. Satu lapisan itu adalah dasar dari semua alotropi karbon.

Jadi, graphene atau biasa disebut grafena merupakan alotrop karbon yang berbentuk lembaran datar tipis di mana setiap atom karbon memiliki hibridisasi ikatan sp2 dan dikemas rapat dalam jaring-jaring berskala atom yang terdiri dari atom karbon beserta ikatannya. Nama grafena berasal dari GRAPHITE + -ENE; grafit sendiri terdiri dari banyak lembaran grafena yang ditumpuk secara bersama. Grafena yang sempurna secara eksklusif terdiri dari sel-sel yang berbentuk heksagonal; sel berbentuk segi lima dan segi tujuh merupakan sel yang cacat. Jika terdapat sel bersegi lima yang terisolasi , maka bidang akan mengkerut menjadi berbentuk kerucut; penyisipan 12 segi lima akan membentuk fulerena. Demikian pula, penyisipan sel segi tujuh yang terisolasi menyebabkan lembaran menjadi berbentuk pelana. Penambahan yang terkontrol dari segi lima dan segi tujuh memungkinkan terbentuknya berbagai bentuk komplek, misalnya carbon nanobud. Tabung nano karbon berdinding tunggal dapat dianggap sebagai silinder grafena; yang sebagian kecil memiliki tutup berbentuk setengah bola (yang melibatkan 6 segi lima) di setiap ujungnya.

Graphene adalah material yang paling tipis sekaligus yang paling kuat diantaranya. Ia bersifat elastis seperti karet dan tahan dari liquid dan gas. Karena strukturnya yang begitu rapi, ia dapat digunakan sebagai saringan super detail, karena atom-atom besar tidak lewat diantaranya. Ini adalah bagian dari teknologi nano.

Graphene sangat baik dalam menghantarkan arus listrik, hampir sama dengan tembaga. Ia dapat menjadi substans yang luar biasa dalam membangun processor karena ia mempunyai sifat yang lebih baik daripada silikon. Karena strukturnya yang terdiri dari karbon saja, maka ia dapat digunakan sebagai sensor yang sangat sensitif. Karena jika ada atom penyusup di antaranya maka daya hantarnya bisa berkurang, hal ini dapat digunakan sebagai sensor.

Graphene sangat kuat. Sehingga jika diibaratkan ada sebuah benda sebesar dan seberat gajah ditaruh di atas sebuah pensil (maksudnya disini agar gayanya terpusat di satu titik). Lalu kemudian digunakan untuk merobek atau mematahkan graphene dengan ketebalan seperti selembar kertas maka itu tidak akan cukup. Kekuatan ini setara dengan 200 kali kekuatan baja. Hal ini pada umumnya dapat membantu di setiap bidang karena material yang sangat kuat cenderung dibutuhkan ketahanannya.

Keunikan lainnya dari riset graphene itu sendiri adalah cepatnya perkembangan field itu sendiri. Geim dan Novoselov baru berhasil mengisolasi single layer graphene di sekitar tahun 2004. Tetapi sekarang, riset graphene sudah sampai pada tahapan device dan sudah ada perusahaan yang

mulai akan menggunakannya di produk komersialnya, sebagai elemen dari touch screen. Sebuah pemicu aktivitas riset yang sangat cepat jika dilihat time-scale nya (kurang dari 6 tahun). Untuk impact di bidang fisika lainnya, graphene menjadi "test bed" teori-teori Fisika partikel yang awalnya diperkirakan hanya bisa dites di instrumen-instrumen mahal dan besar, atau bahkan hanya bisa berakhir di "laci". Untuk di bidang condensed matter physics sendiri, graphene menjadi ladang untuk eksplorasi "new physics" dan juga kandidat material yang sangat menjanjikan untuk berbagai macam aplikasi elektronik (pengganti silikon), bahkan untuk pengembangan energi terbarukan (solar cell dan hydrogen energy).

Untuk memahami sifat-sifat dasar graphene, orang melakukan pemodelan terhadap struktur kristal graphene. Sifat-sifat yang diteliti adalah kurva dispersi, band gap, konduktivitas, dan mobilitas pembawa muatan. Sedangkan, parameter-parameter yang ditinjau adalah dimensi lembaran gr aphene, jumlah lapisan, dan keberadaan pengotor (doping). Graphene dalam bentuk lembaran (sheet) yang luasnya tidak terbatas memiliki hubungan dispersi seperti ditunjukkan dalam Gambar dibawah ini. Pada pojok-pojok zona Brillouin pertama, energy elektron pada pita konduksi tepat bertemu dengan pita valensi membentuk kerucut. Pada tempat ini, yang dinamakan titik Dirac, nilai energi berbanding lurus dengan momentum, sehingga massa efektif elektron adalah nol.

SIFAT DAN KARAKTERISTIK GRAPHENE

Graphene tampak berupa material kristaline berdimensi dua pada suhu kamar memperlihatkan struktur jaringan karbon yang benar benar teratur dalam dua dimensi yaitu dimensi panjang dan dimensi lebar. Keteraturan yang tinggi bahkan tanpa cacat ini timbul sebagai akibat dari ikatan antar atom karbonnya yang kuat. Unit dasar struktur ini hanya terdiri atas enam atom karbon yang saling bergabung secara kimiawi. Jarak antar atom C nya sama dengan 0,142 nm. Konfigurasinya menyerupai struktur sarang lebah dengan ketebalan ukuran orde atom, dalam 1 mm grafit terdapat 3000 lapisan graphene. Adapun sifat dan karakteristik graphene yang lainnya akan dijelaskan dibawah ini : 1. Memiliki transparansi sangat tinggi, hal ini disebabkan oleh dimensi graphene yang mirip selembar kertas dan ketebalannya yang berorde atom. Namun meskipun memiliki transparansi yang tinggi grapheme tetap memiliki kerapatan yang cukup tinggi yaitu 0,77 mg/m2. 2. Memiliki daya tahan terhadap tekanan sebesar 42 N/m, dibandingkan dengan baja yang memiliki kekuatan tekanan 0,25 1,2x109 N/m. Jika dianggap terdapat baja yang ketebalannya sama dengan graphene, maka kekuatan baja tersebut setara dengan 0,084 0,40 N/m. Sehingga dapat dikatakan bahwa graphene seratus kali lebih kuat dari baja. 3. Ikatan atom karbonnya sangat fleksibel yang memungkinkan jaringannya merenggang hingga 20 % dari ukuran awal. 4. Bersifat konduktor listrik dan konduktor panas. Sifat konduktivitas listrik graphene berasal dari elektron ikatan phi yang terdelokalisasi disepanjang ikatan C-C dan bertindak sebagai pembawa muatan. Graphene merupakan bahan superkonduktor, namun dapat berubah menjadi semikonduktor dengan menambahkan dopping. Dopping ini akan memutuskan ikatan phi pada atom karbon yang bersangkutan, sehingga menurunkan konduktivitas listrik graphene atau membuka band gap. 5. 6. Tingkat resistivitasnya menuju nol. Kisi kisi pada graphene memungkinkan elektronnya untuk dapat menempuh jarak yang jauh dalam graphene tanpa gangguan. Pada konduktor normal, elektron biasanya mengalami pantulan berkali kali yang dapat melemahkan daya kerja konduktor. Namun hal ini tidak terjadi pada graphene. 7. Elektron elektron pada graphene berperilaku sebagai partikel cahaya, foton foton tanpa massa yang dalam keadaan vakum dapat bergerak dengan dengan kecepatan 300.000.000 m/s.

Elektron dalam grapheme karena tidak memiliki massa dapat bergerak dengan kecepatan konstan sebesar 1.000.000 m/s. 8. Dengan transparansi hampir 98 % dan dapat menghantarkan arus listrik dengan sangat baik, graphene berpeluang untuk diaplikasikan pada pembuatan lapisan sentuh yang transparan, panel listrik dan sel surya. 9. Campuran 1 % graphene dengan bahan plastik dapat membuat bahan plastik bersifat menghantarkan panas. Resistansi plastik akan meningkat sampai 3 m n n n

meningkatnya kekuatan mekanis. Hal ini memberi peluang untuk menghasilkan material baru yang sangat kuat, tipis, elastis dan tembus pandang. 10. Menjelaskan beberapa fenomena fisika kuantun yang menggambarkan bagaimana sebuah partikel kadang kadang dapat melewati sebuah penghalang yang pada keadaan normal akan menghalangi partikel tersebut. Semakin tebal penghalang, maka semakin kecil kemungkinan dapat melewatinya. Namun hal ini tidak berlaku pada elektron yang bergerak didalam graphene, elektronnya dapat bergerak bebas layaknya tidak ada penghalang.

PEMBUATAN DAN PEMROSESAN GRAPHENE

Berbagai metode telah dikembangkan untuk membuat graphene secara terkendali dalam hal jumlah lapisan, luas, dan bentuknya. Metode-metode ini terbagi menjadi dua, yaitu pembelahan grafit menjadi lapisan-lapisan graphene (top down) dan penumbuhan graphene secara langsung dari atom-atom karbon (bottom up).

Pengelupasan

Dalam metode pengelupasan (exfoliation), kristal grafit dibelah-belah menjadi lapisanlapisan graphene. Cara yang paling awal adalah dengan selotip, yang dilakukan oleh. Selotip ditempelkan pada grafit lalu dikelupas. Sebagian material yang terambil kemudian ditempel selotip lagi dan dikelupas, demikian seterusnya sampai didapatkan lapisan yang sangat tipis yang mungkin hanya terdiri dari satu lapisan graphene.

Metode ini dikembangkan lebih lanjut menjadi apa yang disebut drawing method (menggambar). Dalam metode ini, kristal grafit dipasang pada ujung Atomic Force Microscope (AFM) kemudian digoreskan seperti pensil pada substrat SiO2. Lapisan-lapisan graphene terpisah dan menempel pada substrat.

Cara lain untuk membelah grafit adalah dengan pelarutan atau dispersi dalam cairan. Salah satu metode adalah pelarutan dalam larutan surfaktan SDBS (sodium dodecylbenzene sulfonate). Dalam larutan ini, grafit yang hidrofobik menjadi dibasahi oleh air dan lapisan-lapisan graphene terlepas dengan sendirinya. Setelah itu dilakukan pengendapan dan pengeringan sehingga graphene dapat dikumpulkan. Eksperimen ini menghasilkan film graphene yang terlihat pada Gambar 5. Terlihat bahwa gambar ini merupakan gabungan dari banyak serpih-serpih graphene yang lebarnya kit 1 m n juml h l pi nny p . G m ini m miliki t l kit 15 nm, n

memiliki konduktivitas 1500 S/m. Nilai konduktivitas yang rendah ini disebutkan berasal dari adanya molekul surfaktan yang menempel pada film sehingga mengganggu jalannya elektron dan menurunkan konduktivitas. Walaupun demikian, cara ini memiliki keunggulan bahwa memerlukan sedikit biaya.

Metode yang mirip dengan metode terakhir adalah pengelupasan dari graphene oksida (GO). Graphene oksida merupakan senyawa turunan dari graphene yang mengandung tidak hanya karbon, tetapi juga oksigen dan hidrogen. Dalam metode ini, GO dilarutkan dalam air. Karena GO tidak menolak air, lembaran-lembaran GO langsung terpisah dari kristal asalnya. Kemudian, untuk mendapatkan graphene, GO diendapkan dan direduksi dengan hidrazin. Graphene yang dihasilkan ternyata tidak rata dan karenanya memiliki konduktivitas yang rendah, yaitu 0,05 2 S/cm.Contoh graphene yang dihasilkan dari metode ini ditampilkan dalam Gambar 6.

Penumbuhan dari Silikon Karbida

Graphene telah berhasil ditumbuhkan dari silikon karbida (SiC). Dalam metode ini, substrat SiC dipoles sampai sangat rata lalu dipanaskan dalam vakum tingkat ultra (Ultra High Vacuum, 1010 torr) sehingga atom-atom Si menyublim. Atom-atom karbon yang tertinggal di permukaan membentuk graphene. Kristal SiC yang digunakan bisa merupakan polytype 4H, 6H, atau 3C. Dapat

digunakan kristal SiC dengan muka silikon atau muka karbon. Cara lain adalah dengan membiarkan sedikit gas (O2, H2O, CO2) tersisa dalam vakum tingkat sedang (10-5 torr). Ternyata sedikit gas ini bereaksi dengan SiC menyisakan atom karbon yang membentuk graphene. Hasil-hasil penumbuhan tersebut biasanya menghasilkan beberapa lapisan graphene. Graphene yang ditumbuhkan dari SiC memiliki mobilitas pembawa muatan mencapai 1120 cm2/Vs jika ditumbuhkan pada muka silikon dan 18100 cm2/Vs jika ditumbuhkan pada muka karbon. Contoh hasil penumbuhan terlihat dalam Gambar 7.

Keunggulan dari metode ini adalah bahwa substrat SiC dapat langsung digunakan sebagai substrat untuk membuat rangkaian elektronik dengan graphene. Untuk membuat pola pada grapheme SiC dapat dilakukan dua cara. Pertama, dilakukan penumbuhan berpola, artinya graphene yang tumbuh langsung membentuk pola. Dalam metode ini, SiC ditutupi dengan aluminium nitrida pada bagian yang diinginkan. Ketika penumbuhan dilakukan, bagian yang tertutup tidak tumbuh. Lapisan AlN kemudian dibuang. Dalam metode kedua, graphene yang telah ditumbuhkan tanpa pola dietsa dengan plasma, misalnya oksigen atau helium. Untuk membuat jendela etsa digunakan HSQ yang dibuat berpola dengan electron beam.

Penumbuhan dengan Chemical Vapor Deposition (CVD) pada logam

Penumbuhan dengan CVD telah dilakukan pada substrat logam seperti Ni dan Cu. Logamlogam ini dipilih karena dapat dikikis dengan etsa sehingga graphene yang dihasilkan tidak terikat pada substrat logam. Gas yang bisa digunakan adalah metana + hidrogen. Telah dapat ditumbuhkan

graphene pada nikel yang mencapai lebar beberapa sentimeter yang seluruhnya bersambungan. Jika menggunakan substrat Cu, dihasilkan graphene yang jumlah lapisannya lebih sedikit dan sebagian besar merupakan lapisan tunggal. Contoh graphene yang ditumbuhkan dengan cara ini ditampilkan pada Gambar 8.

Mekanisme penumbuhan graphene pada logam adalah sebagai berikut. Atom karbon yang berasal dari gas larut ke dalam substrat logam pada suhu 10000C. Ketika suhu diturunkan, kelarutan karbon berkurang sehingga atom- tom k on m n n p i p muk n lo m m nj i

graphene, sama seperti garam yang keluar dari es saat air asin membeku. Pertumbuhan graphene di sini bersifat membatasi diri pada satu lapisan saja. Graphene berlapis lebih dari satu ditemukan pada perbatasan kristal (grain boundary) logam. Graphene yang telah ditumbuhkan pada logam dapat dipindahkan ke substrat lain seperti SiO2/Si. Pertama, graphene di atas logam diberi lapisan PMMA, lalu logam dietsa hingga habis. Selanjutnya, graphene yang menempel pada PMMA ditelmpelkan pada substrat tujuan, lalu PMMA dikikis habis dengan aseton. Dapat pula dilakukan penumbuhan berpola pada logam yang sudah dibuat berpola sebelumnya. Contoh hasilnya ditampilkan pada Gambar 9.

Graphene yang ditumbuhkan pada logam memiliki mobilitas pembawa muatan mencapai 1002000 cm2/Vs yang rendah jika dibandingkan dengan nilai teoretis. Tetapi, metode ini memiliki keunggulan bahwa graphene dapat ditumbuhkan dengan luas dan jumlah lapisan yang dihasilkan adalah tunggal atau sedikit.

Pemrosesan

Graphene yang sudah terbentuk dapat diproses lebih lanjut sehingga memiliki sifat-sifat tambahan. Pemrosesan ini misalnya doping dan pembuatan pola. Doping dilakukan untuk mengubah konsentrasi pembawa muatan, sedangkan pembuatan pola diperlukan untuk mencapai ukuran tertentu seperti yang telah disebutkan tentang GNR, atau untuk membuat rangkaian elektronik berbasis graphene. Doping terhadap graphene dapat dilakukan dengan beberapa cara. Salah satu cara adalah dengan mencampur gas selama penumbuhan dengan gas sumber atom doping. Gas yang digunakan misalnya B2H6 yang merupakan sumber boron, pyridine (sumber nitrogen), atau amoniak (sumber N). Cara lain adalah dengan menambahkan unsur doping setelah graphene dibuat. Ini dicapai misalnya dengan melapiskan HSQ (hydrogen silsesquoxane) pada graphene kemudian melakukan penyinaran dengan electron beam. Dalam metode ini, penyinaran dengan intensitas tinggi menjadikan doping tipe-p sedangkan intensitas rendah menjadikan doping tipe-n. Beberapa cara pembuatan pola pada graphene telah dibahas sebelumnya, yang merupakan bagian dari proses pembuatan itu sendiri. Beberapa cara lain adalah membuat pola pada grapheme lembaran yang sudah jadi. Cara yang banyak digunakan adalah etsa dengan plasma oksigen atau helium. Metode lain menggunakan AFM bertegangan untuk mengoksidasi graphene di tempat yang diinginkan atau disebut juga LAO ( local anodic oxidation).

APLIKASI GRAPHENE

Berdasarkan sifat-sifat yang dimiliki graphene yaitu ukurannya yang tipis dan kemampuan transport elektronnya maka graphene cocok untuk dibuat menjadi beberapa alat seperti kapasitor dan transistor. Kapasitor yang dibuat dari graphene memiliki keunggulan berupa perbandingan luas permukaan terhadap massa yang besar, sehingga menghasilkan nilai kapasitansi per satuan massa mencapai 205 F/gram dan rapat energi 28,5 Wh/kg. Dihubungkan dengan kecepatan mengalirkan muatan listrik, kapasitor graphene mencapai nilai rapat daya 10 kW/kg. Jenis kapasitor grapheme yang telah dibuat adalah kapasitor elektrolit dengan graphene dari reduksi grapheme oksida sebagai kedua elektrodanya.

Aplikasi graphene menjadi transistor efek medan telah dilakukan oleh berbagai peneliti. Di sini, graphene berlapis beberapa ditumbuhkan dengan metode sublimasi SiC pada vakum tingkat tinggi, lalu elektroda Au dilapiskan dengan evaporasi. Untuk lapisan dielektrik gate digunakan polystyrene. Cara ini dipilih karena substrat SiC yang bersifat isolator dapat langsung dipakai sebagai substrat transistor.

Telah juga dilakukan percobaan pembuatan banyak transistor graphene sekaligus dalam satu chip. Citra AFM satu transistor yang dihasilkan ditampilkan dalam Gambar 10. Kualitas transistor yang dihasilkan diukur melalui mobilitas elektron yang dimiliki, yang pada hasil ini mencapai 5000 cm2/Vs. Untuk transistor yang ditumbuhkan dari SiC, nilainya masih di bawah transistor grapheme dari eksfoliasi. Walaupun demikian, graphene eksfoliasi sulit dibuat dengan massal.

Transistor graphene juga bisa dibuat dari penumbuhan pada logam yaitu Cu. Digunakan Cu yang tipis sebagai substrat untuk penumbuhan graphene, kemudian graphene dan Cu dietsa membentuk kanal transistor. Pada bagian kanal yang tipis, Cu di bawah graphene dietsa sampai habis menyisakan graphene saja. Mobilitas elektron dalam transistor ini mencapai 700 cm2/Vs.