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Universidad Cat olica Nuestra Se nora de la Asunci on Sede Regional Asunci on Facultad de Ciencias y Tecnolog a Departamento de Ingenier a Electr

onica e Inform atica Electr onica 2 Informe del laboratorio 1


Machuca, Javier < javier machuk @hotmail.com > Saldivar, Carlos < cjsaldivar@hotmail.com > s eptimo semestre 25 de marzo de 2011

An alisis en DC

Para comenzar con el an alisis del circuito lo que primero debemos hacer es el an alisis en DC para hallar el punto de polarizaci on de este.

Para ello realizamos el equivalente de Th evenin con lo cual el circuito nos queda de la siguiente manera:

con Vth = 2.16V. y Rth = 1.8k . Ecuacionando mediante LVK y por las caracter sticas del transistor obtenemos las siguientes ecuaciones: Vth + Rth iB + V + (Re1 + Re2 )iE = 0; Considerando hf e = 200 y V iE = (hf e + 1)iB

0.7V., despejando iB y reemplazando nos 2

queda que iB = 6.55A..; por lo tanto iCEQ = hf e iB = 1.31mA. Realizando otro an alisis de mallas tenemos que: Vcc + iC RC + VCEQ + (Re1 + Re2 )iE = 0 Nuevamente despejando y reemplazando nos queda que VCEQ = 4.39V. Una vez obtenidos estos valores podemos recurrir al datasheet del transistor para hallar el valor de hie y un valor m as pr oximo del hfe ; Vericando las caracter sticas de peque na se nal y las curvas de ganancia llegamos a los siguientes valores: hf e 150 y hie 4.7k

An alisis en AC

2.1

Acci on de los Capacitores de Base y Colector

En este punto se busca determinar los polos y ceros de la ganancia de voltaje introducidas por estos capacitores. Para realizar los c alculos se considera que el capacitor de emisor a un no se encuentra actuando(es un abierto). Redibujando el circuito nos queda de la siguiente manera:

Av =

Vo ib Vb ib Vb Vi

Vb RB CB s = Vi 1 + sCB RB Donde RB = Siendo Rb [hie + (hf e + 1)RE ] Rb + hie + (hf e + 1)RE

Rb = R1 Por tanto:

R2 = 1.8[k ]

RE = RE 1 + RE 2 = 1.1[k ]

RB = 1.79[k ]

Dato que ya permite el c alculo de las frecuencias a las que se dan el polo y el cero. Cero: 0 [Hz] Polo: 891 [Hz]

Del modelo en AC del amplicador podemos ver que los condensadores de emisor y base no tienen relaci on alguna con el condensador de colector, por lo tanto podemos encarar el an alisis de su efecto de forma independiente. Con lo cual tenemos: 0 = hf eib + VC Vo VC + 1 RC SCC Vc = RC hf eib + Vo RL

Vo (SCC +

1 SCC RC + ) = SCC RC hf eib RL RL

RL RC CC hf eS Vo = ib 1 + (RC + RL )CC S En este punto ya podemos observar que existe un cero en el origen y un polo en (RC +1 a en RL )Cc , reemplazando por sus valores nos queda que el polo est 127Hz .

2.2

Acci on del Capacitor de Emisor

Para realizar el an alisis te orico del efecto que tiene el capacitor Ce se considera que los otros dos capacitores son cortos pues ya han actuado por completo por lo que su impedancia es despreciable. Por ello el circuito a an alizar ser a el siguiente:

Av =

Vo ib Vb ib Vb Vi

Donde resolviendo para cada t ermino independientemente tenemos: Por simple inspecci on Vb =1 Vi Hallando la impedancia total se obtiene: RC RL Vo = hf e ib RC + RL

Vo = 123.68[k ] ib En tanto al aplicar LVK se obtiene: Vb = Zb = hie + ZE ib ZE = RE 1 + ZE =


RE 2 sCE

RE 2 +

1 sCE

(hf e + 1)

RE 1 RE 2 CE s + RE 1 + RE 2 (hf e + 1) RE 2 C E s + 1
1 ZT = ZE + hie = YT

YT (j ) =

1 RE 2 CE j + 1 [hie + RE 1 (hf e + 1)] RE 2 CE RE 1 + RE 2 (hf e + 1) + hie j + 1 RE 1 + RE 2 (hf e + 1) + hie

De dicha expresi on obtenemos que el cero y el polo debidos a este capacitor se dan respectivamente a: Cero: 10 [kHz] Polo: 85 [kHz]

Para obtener el valor de la ganancia YT a frecuencias medias, se halla el l mite de la funci on cuando la frecuencia tiende al innito. 1 [s] 19100 La expresi on general de la ganancia de voltaje es: YTF med lim YT (s) =
s+

AvF med =

Vo Vb YTF med ib Vi 1 = 6.48 19100

AvF med = 123.68k

Comparaci on entre resultados obtenidos

En general se puede apreciar que todos los resultados se encuentran dentro de un rango de tolerancia aceptable. Tomando como referencia los resultados de la simulaci on, podemos decir que las diferencias que se presentan en la teor a se deben entre otras razones a que: Se toma como consideraci on al realizar los c alculos para un capacitor que los dem as ya han actuado completamente o que a un no comenzaron a actuar, lo cual no es completamente cierto si los polos o ceros no est an separados por lo menos dos d ecadas. El SPice toma una mayor cantidad de par ametros y el valor de ellos es m as preciso en cuanto al valor estad stico que manejan los fabricantes en 7

relaci on a lo que podemos obtener del datasheet del dispositivo. Con respecto a las diferencias entre la simulaci on y los resultados obtenidos en la pr actica podemos decir que: Las diferencias que se presentan pueden ser a causa de que los componentes no son ideales, tambi en debido a la tolerancia de los mismos, as como el ruido que induce montar los componentes en el protoboard. Incluso con todas estas variables el gr aco de magnitud se presenta particularmente similar, siendo el gr aco de fase el que presenta mayores diferencias, esto es debido a que el m etodo que se utiliza para calcular la fase no es especialmente preciso, as como la variaci on de fase presenta m as cambios que la variaci on de magnitud, por lo que si se quiere una mejor aproximaci on es necesario tomar m as puntos, al menos para este caso en particular. Debido a que la magnitud de la salida a frecuencias menores a 80 Hz ya era despreciable con respecto al ruido que se ve a, no pudimos trazar las curvas experimentales a frecuencias menores que la mencionada previamente.

Efecto de la resistencia de emisor

La resistencia en el emisor RE 1 disminuye la distorsi on del amplicador, ya que la misma reduce la ganancia y por ende la variaci on de la se nal respecto a su punto de funcionamiento. A costa de esta p erdida de ganancia se consigue que el amplicador dependa en menor medida de los par ametros del transistor muy dependientes de factores como la temperatura, o corrientes. La selecci on del valor de RE 1 se realiza por tanto de buscando el equilibrio entre ganancia e insensibilidad para la aplicaci on concreta. Esto se puede ver en la expresi on obtenida al calcular el efecto del capacitor de emisor (CE ): 1 RE 2 CE j + 1 [hie + RE 1 (hf e + 1)] RE 2 CE RE 1 + RE 2 (hf e + 1) + hie j + 1 RE 1 + RE 2 (hf e + 1) + hie

YT (j ) =

Al elevar el valor de RE 1 el polo tiende a depender b asicamente a la relaci on entre RE 1 y RE 2 , en tanto al disminuir el mismo, aumenta dependencia del mismo con hf e . Ahora veremos los resultados de la simulaci on y de la experimentaci on en este aspecto: primero con la resistencia de emisor:

ahora sin la resistencia de emisor:

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