Anda di halaman 1dari 16

GRAPHENE: SIFAT, FABRIKASI, DAN APLIKASINYA

Eko Widiatmoko Departmen Fisika, Institut Teknologi Bandung ABSTRAK Graphene merupakan material baru yang memiliki sifat elektronik unggul, di antaranya adalah mobilitas pembawa muatan yang tinggi, yang mencapai lebih dari !!"!!! cm #$s" %ifat ini dan lainnya menyebabkan graphene banyak diteliti, baik secara teori maupun eksperimental" Dibahas berbagai cara pembuatan menghasilkan graphene yaitu eksfoliasi, penumbuhan dari silikon karbida dan pada logam, dengan hasil yang ber&ariasi" Dibahas pula apikasi dalam elektronik yaitu untuk kapasitor dan transistor efek medan" PENDAHULUAN
Graphene adalah susunan atom karbon dalam kerangka heksagonal serupa sarang lebah yang membentuk satu lembaran setipis satu atom" 'enemuan graphene secara eksperimental ter(adi tahun !!) *+, %etelah itu, banyak dilakukan penelitian baik untuk memodelkan berbagai sifat dari graphene maupun untuk membuat dan memanfaatkannya" -asil.hasil penelitian, seperti yang akan dibahas di bagian.bagian selan(utnya, menun(ukkan bahwa graphene memiliki sifat.sifat elektronik yang unggul, di antaranya mobilitas pembawa muatan dan kondukt&itas yang tinggi" %ifat lain dari graphene yaitu celah pita energi /band gap0 yang bernilai nol atau kecil, yang bergantung pada berbagai hal" Dalam tulisan ini dibahas sifat.sifat elektronik graphene, kemudian berbagai cara pembuatan graphene" 1ara.cara ini dibandingkan baik secara prosedur maupun dari hasilnya" 2emudian, dibahas beberapa aplikasi yang potensial dari graphene yaitu untuk pembuatan superkapasitor dan transistor efek medan"

SIFAT ELEKTRONIK GRAPHENE Pemodelan


3ntuk memahami sifat.sifat dasar graphene, orang melakukan pemodelan terhadap struktur kristal graphene" %ifat.sifat yang diteliti adalah kur&a dispersi, band gap, kondukti&itas, dan mobilitas pembawa muatan" %edangkan, parameter.parameter yang ditin(au adalah dimensi lembaran graphene, (umlah lapisan, dan keberadaan pengotor /doping0"

Graphene dalam bentuk lembaran /sheet0 yang luasnya tidak terbatas memiliki hubungan dispersi seperti ditun(ukkan dalam Gambar + * ," 'ada po(ok.po(ok 4ona Brillouin pertama, energi elektron pada pita konduksi tepat bertemu dengan pita &alensi membentuk kerucut" 'ada tempat ini, yang dinamakan titik Dirac, nilai energi berbanding lurus dengan momentum, sehingga massa efektif elektron adalah nol"

Gambar +5 -ubungan dispersi graphene"

-al ini menyebabkan graphene bersifat semilogam dengan band gap nol" Elektron. elektron graphene bersifat relati&istik dan mengalami sedikit sa(a hamburan terhadap fonon sehingga batas atas mobilitas elektron graphene sangat tinggi yaitu !!"!!! cm #$s *6, Dalam kaitannya dengan efek medan, mobilitas elektron graphene yang didapatkan dari pemodelan mencapai 7!"!!! cm #$s *)," Berbagai penelitian (uga telah dilakukan untuk memodelkan graphene yang bentuknya seperti pita, yang dikenal dengan sebutan Graphene 8anoribbon /G890" 1ontoh susunan atom dalam G89 ditampilkan dalam Gambar " 'ada Gambar terlihat bahwa G89 bisa memiliki berbagai macam tepi" Tepi seperti pada Gambar a disebut zigzag, sedangkan tepi seperti pada Gambar b disebut armchair"

/a0 /b0

: Gambar 5 Beberapa contoh Graphene 8anoribbon" /a0 Tepi 4ig4ag /b0 Tepi armchair" /c0 G89 dengan sudut kiral +6,;!" *<,
-asil pemodelan menun(ukkan bahwa G89 satu lapis memiliki band gap yang besarnya bergantung pada lebar pita" 3ntuk bentuk tepi armchair, terdapat tiga kelompok yang dibedakan oleh (umlah atom yang menyusun lebar pita, yaitu 6n, 6n=+, dan 6n= " *<, >, ?," -ubungan besar band gap terhadap lebar pita yang didapatkan dari hasil pemodelan ditampilkan dalam Gambar 6"

Gambar 65 -asil pemodelan band gap G89 satu lapis dengan bentuk tepi armchair dan 4ig4ag *>,"

3kuran yang sempit (uga mempengaruhi mobilitas elektron graphene" @ika G89 semakin sempit maka mobilitas elektronnya berkurang" Berkurangnya mobilitas (uga bisa disebabkan bentuk tepi yang tidak teratur *7,"
%elain bentuk tepi, hal lain yang mempengaruhi parameter G89 adalah keberadaan atom lain" @ika atom.atom karbon di tepi pita dibiarkan sa(a, artinya ada &alensi karbon yang tidak mendapat pasangan /dangling bond0" %upaya stabil, atom.atom ini cenderung menangkap, atau senga(a dipasangi, atom lain seperti hidrogen" Dalam hal ini tepi pita disebut hydrogen passi&ated *<," 'emasangan atom seperti boron dan nitrogen pada tepi pita baik bentuk armchair maupun 4ig4ag mungkin men(adikan G89 bersifat feromagnetik *;,

Hasil Eks e!imen


'engukuran terhadap kondukti&itas dan mobilitas pembawa muatan pada graphene menghasilkan nilai di bawah nilai teoretis" Ini disebabkan karena dalam eksperimen, graphene diletakkan atau ditumbuhkan pada suatu substrat" 2eberadaan substrat menambah fonon yang bisa menghamburkan elektron graphene sehingga mobilitasnya berkurang" 'enelitian awal mendapatkan hasil pengukuran mobilitas elektron +!"!!! cm #$s *+," -asil.hasil lainnya menun(ukkan nilai yang berkisar dari 6!!! A ?!!! cm #$s *)," 3ntuk G89, hasil pengukuran band gap menun(ukkan bahwa memang band gap berbanding terbalik dengan lebar pita" 1ontoh hasil eksperimen ditampilkan pada Gambar )" 'ada eksperimen ini, bentuk tepi G89 tidak (elas, karena pembuatan yang belum sempurna" 2emungkinan bentuk tepi adalah campuran"

Gambar )5 -asil pengukuran band gap pada G89, berdasarkan *+!," PE"BUATAN DAN PE"ROSESAN GRAPHENE Berbagai metode telah dikembangkan untuk membuat graphene secara terkendali dalam hal (umlah lapisan, luas, dan bentuknya" Betode.metode ini terbagi men(adi dua, yaitu pembelahan grafit men(adi lapisan.lapisan graphene /top down0 dan penumbuhan graphene secara langsung dari atom.atom karbon /bottom up0" Pen#el$ asan Dalam metode pengelupasan /eCfoliation0, kristal grafit dibelah.belah men(adi lapisan.lapisan graphene" 1ara yang paling awal adalah dengan selotip, yang dilakukan oleh *+," %elotip ditempelkan pada grafit lalu dikelupas" %ebagian material yang terambil kemudian ditempel selotip lagi dan dikelupas, demikian seterusnya sampai didapatkan lapisan yang sangat tipis yang mungkin hanya terdiri dari satu lapisan graphene"

Betode ini dikembangkan lebih lan(ut men(adi apa yang disebut drawing method /menggambar0 *++," Dalam metode ini, kristal grafit dipasang pada u(ung Dtomic Force Bicroscope /DFB0 kemudian digoreskan seperti pensil pada substrat %iE " Fapisan. lapisan graphene terpisah dan menempel pada substrat"
1ara lain untuk membelah grafit adalah dengan pelarutan atau dispersi dalam cairan" %alah satu metode adalah pelarutan dalam larutan surfaktan %DB% /sodium dodecylben4ene sulfonate0 *+ ," Dalam larutan ini, grafit yang hidrofobik men(adi dibasahi oleh air dan lapisan.lapisan graphene terlepas dengan sendirinya" %etelah itu dilakukan pengendapan dan pengeringan sehingga graphene dapat dikumpulkan" Eksperimen ini menghasilkan film graphene yang terlihat pada Gambar <" Terlihat bahwa film ini merupakan gabungan dari banyak serpih.serpih graphene yang lebarnya sekitar + Gm dan (umlah lapisannya beberapa" Film ini memiliki tebal sekitar +<! nm, dan memiliki kondukti&itas +<!! %#m" 8ilai kondukti&itas yang rendah ini disebutkan berasal dari adanya molekul surfaktan yang menempel pada film sehingga mengganggu (alannya elektron dan

menurunkan kondukti&itas" Walaupun demikian, cara ini memiliki keunggulan bahwa memerlukan sedikit biaya"

Gambar <5 Film graphene yang dihasilkan dari pengelupasan dengan surfaktan"
Betode yang mirip dengan metode terakhir adalah pengelupasan dari graphene oksida /GE0 *+6," Graphene oksida merupakan senyawa turunan dari graphene yang mengandung tidak hanya karbon, tetapi (uga oksigen dan hidrogen" Dalam metode ini, GE dilarutkan dalam air" 2arena GE tidak menolak air, lembaran.lembaran GE langsung terpisah dari kristal asalnya" 2emudian, untuk mendapatkan graphene, GE diendapkan dan direduksi dengan hidra4in" Graphene yang dihasilkan ternyata tidak rata dan karenanya memiliki kondukti&itas yang rendah, yaitu !,!< A %#cm *+)," 1ontoh graphene yang dihasilkan dari metode ini ditampilkan dalam Gambar >"

Gambar >5 Graphene yang dihasilkan dari graphene oksida" Pen$m%$&an da!i Silikon Ka!%ida
Graphene telah berhasil ditumbuhkan dari silikon karbida /%i10" Dalam metode ini, substrat %i1 dipoles sampai sangat rata lalu dipanaskan dalam &akum tingkat ultra /3ltra -igh .+! $acuum, +! torr0 sehingga atom.atom %i menyublim" Dtom.atom karbon yang tertinggal di permukaan membentuk graphene *+<," 2ristal %i1 yang digunakan bisa merupakan polytype )-, >-, atau 61 *+>, +?," Dapat digunakan kristal %i1 dengan muka silikon atau muka karbon" 1ara lain adalah dengan membiarkan sedikit gas /E , - E, 1E 0 tersisa dalam &akum tingkat sedang .< /+! torr0" Ternyata sedikit gas ini bereaksi dengan %i1 menyisakan atom karbon yang membentuk graphene *+7," -asil.hasil penumbuhan tersebut biasanya menghasilkan beberapa lapisan graphene" Graphene yang ditumbuhkan dari %i1 memiliki mobilitas pembawa muatan mencapai ++ ! cm #$s (ika ditumbuhkan pada muka silikon dan +7+!! cm #$s (ika ditumbuhkan pada muka karbon *+;," 1ontoh hasil penumbuhan terlihat dalam Gambar ?"
2eunggulan dari metode ini adalah bahwa substrat %i1 dapat langsung digunakan sebagai substrat untuk membuat rangkaian elektronik dengan graphene" 3ntuk membuat pola pada graphene %i1 dapat dilakukan dua cara" 'ertama, dilakukan penumbuhan berpola, artinya graphene yang tumbuh langsung membentuk pola" Dalam metode ini, %i1 ditutupi dengan aluminium nitrida pada bagian yang diinginkan * !," 2etika penumbuhan dilakukan, bagian yang tertutup tidak tumbuh" Fapisan Dl8 kemudian dibuang" Dalam metode kedua, graphene yang telah ditumbuhkan tanpa

pola dietsa dengan plasma, misalnya oksigen atau helium * +, ," 3ntuk membuat (endela etsa digunakan -%H yang dibuat berpola dengan electron beam"

Gambar ?5 -asil TEB dari graphene yang ditumbuhkan pada %i1 dengan metode &akum tingkat rendah, diambil dari *+7," Pen$m%$&an den#an '&emi(al )a o! De osi*ion +')D, ada lo#am
'enumbuhan dengan 1$D telah dilakukan pada substrat logam seperti 8i dan 1u * 6, ), <," Fogam.logam ini dipilih karena dapat dikikis dengan etsa sehingga graphene yang dihasilkan tidak terikat pada substrat logam" Gas yang bisa digunakan adalah metana = hidrogen" Telah dapat ditumbuhkan graphene pada nikel yang mencapai lebar beberapa sentimeter yang seluruhnya bersambungan * 6," @ika menggunakan substrat 1u, dihasilkan graphene yang (umlah lapisannya lebih sedikit dan sebagian besar merupakan lapisan tunggal * <," 1ontoh graphene yang ditumbuhkan dengan cara ini ditampilkan pada Gambar 7"

Gambar 75 1ontoh graphene yang ditumbuhkan dengan pada 1u * <,"


Bekanisme penumbuhan graphene pada logam adalah sebagai berikut" Dtom karbon ! yang berasal dari gas larut ke dalam substrat logam pada suhu +!!! 1" 2etika suhu diturunkan, kelarutan karbon berkurang sehingga atom.atom karbon ImengendapJ di permukaan logam men(adi graphene, sama seperti garam yang keluar dari es saat air asin membeku" 'ertumbuhan graphene di sini bersifat membatasi diri pada satu lapisan sa(a" Graphene berlapis lebih dari satu ditemukan pada perbatasan kristal /grain boundary0 logam * 6," Graphene yang telah ditumbuhkan pada logam dapat dipindahkan ke substrat lain seperti %iE #%i" 'ertama, graphene di atas logam diberi lapisan 'BBD, lalu logam dietsa hingga habis" %elan(utnya, graphene yang menempel pada 'BBD ditelmpelkan pada substrat tu(uan, lalu 'BBD dikikis habis dengan aseton * >," Dapat pula dilakukan penumbuhan berpola pada logam yang sudah dibuat berpola sebelumnya" 1ontoh hasilnya ditampilkan pada Gambar ;"

Gambar ;5 -asil penumbuhan berpola pada nikel * 6," Graphene yang ditumbuhkan pada logam memiliki mobilitas pembawa muatan mencapai +!!. !!! cm #$s * 6, yang rendah (ika dibandingkan dengan nilai teoretis" Tetapi, metode ini memiliki keunggulan bahwa graphene dapat ditumbuhkan dengan luas dan (umlah lapisan yang dihasilkan adalah tunggal atau sedikit" Pem!osesan Graphene yang sudah terbentuk dapat diproses lebih lan(ut sehingga memiliki sifat.sifat tambahan" 'emrosesan ini misalnya doping dan pembuatan pola" Doping dilakukan untuk mengubah konsentrasi pembawa muatan, sedangkan pembuatan pola diperlukan untuk mencapai ukuran tertentu seperti yang telah disebutkan tentang G89, atau untuk membuat rangkaian elektronik berbasis graphene"
Doping terhadap graphene dapat dilakukan dengan beberapa cara" %alah satu cara adalah dengan mencampur gas selama penumbuhan dengan gas sumber atom doping" Gas yang digunakan misalnya B -> yang merupakan sumber boron, pyridine /sumber nitrogen0, atau amoniak /sumber 80 * ?," 1ara lain adalah dengan menambahkan unsur doping setelah graphene dibuat" Ini dicapai misalnya dengan melapiskan -%H /hydrogen silsesKuoCane0 pada graphene kemudian melakukan penyinaran dengan electron beam * 7," Dalam metode ini, penyinaran dengan intensitas tinggi men(adikan doping tipe.p sedangkan intensitas rendah men(adikan doping tipe.n"
Beberapa cara pembuatan pola pada graphene telah dibahas sebelumnya, yang merupakan bagian dari proses pembuatan itu sendiri" Beberapa cara lain adalah membuat pola pada graphene lembaran yang sudah (adi" 1ara yang banyak digunakan adalah etsa dengan plasma oksigen * +, atau helium * ," Betode lain menggunakan DFB bertegangan untuk mengoksidasi graphene di tempat yang diinginkan * ;, atau disebut (uga FDE / local anodic oxidation0"

APLIKASI GRAPHENE
Berdasarkan sifat.sifat yang dimiliki graphene yaitu ukurannya yang tipis dan kemampuan

transport elektronnya maka graphene cocok untuk dibuat men(adi beberapa alat seperti kapasitor dan transistor" 2apasitor yang dibuat dari graphene memiliki keunggulan berupa perbandingan luas permukaan terhadap massa yang besar, sehingga menghasilkan nilai kapasitansi per satuan massa mencapai !< F#gram dan rapat energi 7,< Wh#kg" Dihubungkan dengan kecepatan mengalirkan muatan listrik, kapasitor graphene mencapai nilai rapat daya +! kW#kg *6!," @enis kapasitor graphene yang telah dibuat adalah kapasitor elektrolit dengan graphene dari reduksi graphene oksida sebagai kedua elektrodanya"

Dplikasi graphene men(adi transistor efek medan telah dilakukan oleh berbagai peneliti misalnya dalam *6+," Di sini, graphene berlapis beberapa ditumbuhkan dengan metode sublimasi %i1 pada &akum tingkat tinggi, lalu elektroda Du dilapiskan dengan e&aporasi" 3ntuk lapisan dielektrik gate digunakan polystyrene" 1ara ini dipilih karena substrat %i1 yang bersifat isolator dapat langsung dipakai sebagai substrat transistor"

Telah (uga dilakukan percobaan pembuatan banyak transistor graphene sekaligus dalam satu chip, misalnya pada *6 ," 1itra DFB satu transistor yang dihasilkan ditampilkan dalam Gambar +!" 2ualitas transistor yang dihasilkan diukur melalui mobilitas elektron yang dimiliki, yang pada hasil ini mencapai <!!! cm #$s" 3ntuk transistor yang ditumbuhkan dari %i1, nilainya masih di bawah transistor graphene dari eksfoliasi" Walaupun demikian, graphene eksfoliasi sulit dibuat dengan massal"

Gambar +!5 1itra DFB transistor yang dibuat oleh *6 ,"


Transistor graphene (uga bisa dibuat dari penumbuhan pada logam yaitu 1u *66," Digunakan film 1u yang tipis sebagai substrat untuk penumbuhan graphene, kemudian graphene dan 1u dietsa membentuk kanal transistor" 'ada bagian kanal yang tipis, 1u di bawah graphene dietsa sampai habis menyisakan graphene sa(a" Bobilitas elektron dalam transistor ini mencapai ?!! cm #$s"

KESI"PULAN Telah dibahas beberapa sifat elektronik yang unggul dari graphene, yaitu kondukti&itas dan mobilitas elektronnya yang tinggi" %ifat lain yaitu band gap bergantung pada bentuk graphene" @ika graphene dibuat berbentuk pita /G890 maka band gap berbanding terbalik dengan lebar pita" Bentuk tepi (uga menentukan band gap"
Graphene dapat dibuat dengan berbagai cara yang dapat dibagi men(adi dua kelompok" 2elompok pertama adalah pembelahan atau pengelupasan dari kristal yang lebih besar, yang dapat dilakukan secara mekanik atau dengan cairan" 2elompok kedua adalah pembuatan

graphene pada alas material lain, yaitu %i1 atau logam" 'enumbuhan pada %i1 menghasilkan graphene berlapis beberapa sedangkan graphene pada logam bisa berlapis tunggal sa(a"

2ualitas graphene, yang diukur dari mobilitas elektronnya, ber&ariasi berdasarkan cara.cara pembuatannya" 2ualitas tertinggi dimiliki graphene hasil eksfoliasi mekanik, sedangkan kualitas terendah adalah graphene hasil reduksi graphene oksida" Graphene dari %i1 dan graphene pada logam memiliki kualitas sedang" Dplikasi yang potensial dari graphene adalah kapasitor" 2apasitor graphene memiliki kapasitansi per satuan massa yang besar sehingga bisa disebut superkapasitor" Dplikasi lain adalah transistor efek medan, yang telah dibuat baik dengan substrat %i1 atau logam" REFERENSI

[1]
>>>"

8o&oselo&, 2" %" dkk" / !!)0 Electric Field Effect in Dtomically Thin 1arbon Films" Science 6!>5

1astro 8eto, D" -" dkk" / !!;0 The electronic properties of graphene" Rev. Mod. Phys. 7+, +!;. +> " [3] Boro4o&, %" $" dkk" / !!70 Giant Intrinsic 1arrier Bobilities in Graphene and Its Bilayer" Phys. Rev. Let" +!!, !+>>! " [4] Dkturk, D", Goldsman, 8" / !!70 Electron transport and full.band electron.phonon interactions in graphene" J. Appl. Phys" +!6, !<6?!

[2]

Barone, $", dkk" Electronic %tructure and %tability of %emiconducting Graphene 8anoribbons" / !!>0 Nano Lett., > /+ 0, ?)7 A ?<)" [5] Lhang, M" W", Nang, G" W" / !!;0" 8o&el Band %tructures and Transport 'roperties from Graphene 8anoribbons with Drmchair Edges" J. Phys, hem. ++6, )>> A)>>7" [6] Nu, %" %" dkk" H"/ !!70 OElectronic properties of graphene nanoribbons with armchair.shaped edgesO, Molec!lar Sim!lation, 6)5 +!, +!7<.+!;! [7] Nang, N" M", Burali, 9" / !+!0 Impact of %i4e Effect on Graphene 8anoribbon Transport" arMi&5+!!+" 6+7&+ *cond.mat"mes.hall, [8] Ewens, F" @" / !!70 Electronic and magnetic properties of armchair and 4ig4ag graphite nanoribbons" J. hem. Phys" + 7, +;)?!+" of Besoscopic Graphite De&ices" arMi&5cond.mat#!)+!6+)&+ *cond.mat"mes.hall, [12] Fotya, B" dkk" / !!;0 FiKuid 'hase 'roduction of Graphene by ECfoliation of Graphite in %urfactant#Water %olutions" J. Am. hem. Soc. +6+, 6>++A6> !" [13] %tanko&ich, %" dkk" / !!?0 %ynthesis of graphene.based nanosheets &ia chemical reduction of eCfoliated graphite oCide" ar"on )<, +<<7A+<>< [14] Gome4.8a&arro, 1" dkk" / !!?0 Electronic Transport 'roperties of Indi&idual 1hemically 9educed Graphene ECide %heets" Nano Lett. ? /++0, 6);;A6<!6 [15] de -eer, W" D" dkk" / !!?0" EpitaCial Graphene" Solid State omm" +)6, ; " [16] Dristo&, $" N" dkk" / !!;0" Graphene %ynthesis on 1ubic %i1#%i Wafers" 'erspecti&es for Bass 'roduction of Graphene.Based Electronic De&ices" Nano Lett"+! /60, ;; A;;<" [17] %uemitsu, B" dkk" / !!;0 Graphene Formation on a 61.%i1/+++0 Thin Film Grown on %i/++!0 %ubstrate" e#J. S!r$. Sci. Nanotech" ?, 6++.6+6" [18] %ong, L" B" / !!>0 %a"rication and haracterization o$ Nanopatterned &pitaxial 'raphene %ilms $or ar"on (ased &lectronics, Thesis, Georgia Institute of Technology" [19] Gaskill, D" 2" / !!;0 EpitaCial Graphene Growth on %i1 Wafers" arMi&5!;!?"<!6+&+ *cond. mat"mtrl.sci," [20] 9ubio.9oy, B" / !+!0 %tructured epitaCial graphene growth on %i1 by selecti&e graphiti4ation using a patterned Dl8 cap" Appl. Phys. Lett. ;>, !7 ++ " [21] Fu, M" 2" dkk" /+;;;0 'atterning of highly oriented pyrolytic graphite by oCygen plasma etching" Appl. Phys. Lett. ?< / 0, +;6.+;<" [22] Bell" D" 1" dkk" / !!;0" 'recision 1utting and 'atterning of Graphene with -elium Ions" Nanotechnology !, )<<6!+" [23]9eina, D" dkk" / !!;0 Farge Drea, Few.Fayer Graphene Films on Drbitrary %ubstrates by 1hemical $apor Deposition" Nano Lett. ; /+0, 6!.6<" [24] GrPneis, D" / !!;0 Dynamics of graphene growth on a metal surface5 a time.dependent photoemission study" New J. Phys. ++, !?6!<!" [25] Fi, M" %" dkk" / !!;0 Farge.Drea %ynthesis of -igh.Huality and 3niform Graphene Films on 1opper Foils" Science 6 )5 <;6 , +6+ A +6+)" [26] Fi, M" %" dkk / !!;0 Transfer of Farge.Drea Graphene Films for -igh.'erformance Transparent 1onducti&e Electrodes" Nano Lett", ; /+ 0, )6<;.)6>6" [27] 'anchakarla, F" %" dkk" / !!;0 %ynthesis, %tructure and 'roperties of Boron and 8itrogen Doped Graphene" Adv. Materials + /)>0 , )? >.)?6!"

[9] -an, B" N" dkk" / !!?0 Energy Band.Gap Engineering of Graphene 8anoribbons" Phys. Rev. Let" ;7, !>7!<" [10] Lhang, N" B" dkk" / !!)0 Fabrication and Electric Field Dependent Transport Beasurements

[28]

Brenner, 2", Burali, B" / !+!0 %ingle step, complementary doping of graphene" Appl. Phys. Lett. ;>, !>6+!)"

[29] Giesbers, D" @" B" dkk, / !!70 8anolithography and manipulation of graphene using an atomic force microscope" Solid State omm. +)? /;.+!0, 6>>.6>;" [30] [31]
Wang, N" dkk" / !!;0 S!percapacitor )evices (ased on 'raphene Materials , J.Phys. +6+!?" hem ++6, +6+!6. Gong Gu, dkk" / !!?0 Field effect in epitaCial graphene on a silicon carbide substrate" Appl. Phys. Lett. ;!, <6<!?"

[32] 2ed4ierski, @" dkk" / !!70 EpitaCial graphene transistors on %i1 substrates" *&&& +,ransactions on &lectron )evices <<, !?7" [33] Fe&endorf, B" '" dkk / !!;0 Transfer.Free Batch Fabrication of %ingle Fayer Graphene Transistors"

Nano Lett", ; /+ 0, ))?;.))76"