Laboratorio N1 Amplificadores Multietapa (Informe Previo)

Piero Soto Melndez

Facultad de Ingeniera Electrnica y Elctrica - UNI p.soto.melendez@gmail.com

Los objetivos que se buscan alcanzar al finalizar este laboratorio son disear, simular, implementar y analizar, la ganancia y respuesta en frecuencia de un amplificador linear.

I. CONDICIONES PARA LOS QUE UN BJT Y/O FET PUEDE OPERAR A

BAJA FRECUENCIA.

El anlisis del transistor como amplificador se hace bajo condiciones donde se encuentra linealidad entre las caractersticas de la seal de entrada y la de salida. Estas son la de tener pequea amplitud y baja frecuencia. Pasada esta frecuencia, entra a consideracin las capacidades internas del dispositivo como la capacidad de la juntura BE y BC, que con el efecto Miller forman una dependencia con las altas frecuencias muy limitantes por los efectos sobre sintonizacin de seales, que en esos casos son moduladas. Adems se puede despreciar el efecto de la resistencia r0 en el modelo hbrido . II.
ECUACIN dIC2/dT, TAL QUE IC2=f(ICB0, VBE)

Fig. 1. Primera etapa del circuito amplificador. Se analizar la estabilidad en el punto de trabajo de Q2.

Reemplazando (3) y (4) en (6): IC2 = IB2 + (+1)ICB0 (7)

Tomando en cuenta solo la primera etapa del amplificador, tomaremos el circuito de la Fig.1. Desarrollaremos la variacin de la corriente del colector (IC2) con la temperatura, tambin conocida como estabilidad en el punto de trabajo. Teniendo en cuenta que la corriente de polarizacin inversa de la juntura Base-Colector (ICB0) es fuertemente dependiente de la temperatura la tendremos en cuenta al momento de desarrollar las mallas en el circuito. Sabemos que: IC2=IE2 + ICB0 Adems: IE2=IC2+IB2 =/(1-) +1=1/(1-) Reemplazando ecuacin (2) en ecuacin (1): IC2 = (IC2+IB2) + ICB0 IC2 = /(1-)IB2 + 1/(1-)ICB0 (5) (6) (2) (3) (4) (1)

Ahora desarrollaremos las mallas del circuito de la Fig. 1. Para relacionar IC2 con VBE. Analizando Q1 obtenemos lo siguiente: Vth VBE = IB1 (R1//R2) + IE1 R4 Vth VBE = IB1 [(R1//R2) + (+1)R4] IB1 =(Vth VBE)/ [(R1//R2) + (+1)R4] IE1 =(+1)(Vth VBE)/ [(R1//R2) + (+1)R4] Analizando Q2 obtenemos: IE1 R4 = VBE + IE2R6 Usando (11) en (12): (+1)(Vth VBE)/ [(R1//R2) + (+1)R4] - VBE = IE2R6 (13) (12) (8) (9) (10) (11)

IB2 = (1/R6)[(Vth VBE)/ [(R1//R2) + (+1)R4]-VBE/(+1)] (14) IB2 = A - BVBE (15)

Donde A y B son constantes cuyo valor depende de los valores de R1, R2, R4, R6, y Vth. Ahora reemplazaremos (15) en (7) IC2 = (A-BVBE) + (+1)ICB0 (16)

Para ver la variacin de IC2 con la temperatura diferenciaremos la ecuacin (16) con respecto a la temperatura.

=
))

(17)

(18) V. (19)

Fig. 2. Circuito amplificador multietapas.

Se considera como regla prctica:

SIMULACIN DEL CIRCUITO Y DIAGRAMAS DE BODE

Adems: (20)

)
Entonces reemplazando (19) y (21) en (18) ) )

(21)

(22)

III. DISEO DE LA GANANCIA INDEPENDIENTE

Fig. 3. Diagrama de la ganancia

Se disea la ganancia y otros parmetros de un amplificador independiente del hfe y hie porque estos parmetros tienen una fuerte dependencia de la temperatura, la corriente del colector y otros parmetros del circuito que puedan hacer variar la operacin del amplificador, y trayendo como resultado la inestabilidad y variacin de la ganancia, el cual ya es algo inaceptable. IV. DISEO DEL AMPLIFICADOR ARGOS1 Se tendrn en cuenta los siguientes parmetros: Fuente de operacin: 12V Elementos activos: 2N2222A o similar Seal de prueba: 1KHz, 10 mV con resistencia de 10 K Corrientes ICQ: mayor o igual a 1mA Frecuencia de corte: fi=100Hz y fs= 5KHz Ganancia a frecuencias medias: 350 (aprox)
Fig. 4. Grfica de la fase