Rpublique Algrienne Dmocratique et Populaire Ministre de l'Enseignement Suprieur et de la Recherche Scientifique Universit Abderrahmane Mira de Bejaia Facult De La Techn

ologie Dpartement D'Electronique Amplificateur RF CMOS, Puissance classe C Raliser par : Promoteur: ROUHA KHIMA SOUFIANE ** Anne universitaire 2009-2010 **

Ddicace A mes parents qui m'ont toujours soutenu durant toute ma formation et qui j e dois rendre mes meilleurs respects et mes sincres reconnaissances A ma f.f. NAB ILA qui me soutient toujours A mon frre ADEL qui n'a pas cess de me soutenir tout le long de ma vie estudiantine A mes surs NADJETTE et SONIA qui n'ont pas cess de me c onseiller et de me soutenir tout au long de ma vie estudiantine A ma nice EMILIE que j'aime beaucoup A toute ma famille, que dieu la protge A mes amis RABAH, BEKA, REDA A tous mes collgues de la promotion 2010 A tous ceux qui sont pour l'lectronique Je ddis ce travail KHIMA SOUFIANE

Remerciements Avant toute chose, l'honneur est le plaisir de remercier mes parents reviennent le ur soutien moral et financier durant mes tudes. Je tiens remercier Monsieur ROUHA , pour avoir encadr mon Mini Projet et conseils tout au long de ce travail. Que t ous les professeurs qui ont contribus ma formation trouvent ici l'expression de not re vive amiti. Que l'ensemble de jury soit remerc i pour accepter de jury mon travai l.

j remercie galement touts personne ayant particip de prs ou de loin l'laboration de c travail. A tous nous disons MERCI.

SOMMAIRE Introduction Gnrale ................................................................................ ......................................... (01) Chapitre I : L'Amplification de Puissance Introduction ................................................................... .............................................................................. ( 02) 1. Classes de fonctionnement ............................................... ........................................................................ (02) 1. 1. Le fonctionnement en classe A ............................................... ............................................................. (02) 1.2. Le fonct ionnement en classe B .......................................................... ................................................... (02) 1.3. Le fonctionnement en classe AB ................................................................... ....................................... (03) 1.4. Le fonctionnement en classe C ................................................................................ ............................. (04) 1.5. Le fonctionnement en classe D .......... ................................................................................ ................... (04) 1.6. Le fonctionnement en classe E .................... ................................................................................ .......... (05) 2. Types de liaisons ........................................... ................................................................................ ........... (06) 3. Gamme de frquences .......................................... ................................................................................ ... (07) 4. Les deux droites de charge ......................................... .............................................................................. ( 08) 4.1. La droite de charge DC ................................................ ......................................................................... (08) 4 .2. La droite de charge AC ..................................................... .................................................................... (09) 4.3. crt age des grands signaux ......................................................... ........................................................ (11) 5. Critres de slecti on d'une classe d'amplificateur .................................................... ............................... (11) 5.1. Le gain (en tension, en puissance) ... ................................................................................ ..................... (11) 5.2. La puissance de sortie ......................... ................................................................................ .................. (12) 5.3. La puissance dissipe par le transistor ............. ................................................................................ ..... (12) 5.4. Le rendement ................................................... ................................................................................ ...... (12) 6. Amplificateur classe C .......................................... ................................................................................ ... (12) 6.1. Frquence de rsonance ............................................... ......................................................................... (12) 6 .2. Droites de charge .......................................................... ........................................................................ (13) 6. 3. crtage DC du signal d'entre ...................................................... ...................................................... (14) 6.4. Filtrage des ha rmoniques ...................................................................... ................................................ (15) 6.5. Dpannage ............. ................................................................................ ................................................ (15) 6.6. Formules de la classe C ............................................................................. ............................................ (15) 6.6.1. Formules gnrales ........ ................................................................................ .................................... (15) 6.6.2. La bande passante ............. ................................................................................ ................................. (16)

6.6.3. Rsistance de collecteur AC ............................................... ............................................................... (17) 6.6.4. L e coefficient de remplissage ..................................................... ...................................................... (18) 6.6.5. L'angle de cond uction ......................................................................... ............................................... (19) 6.6.6. Puissance dissipe par le transistor ................................................................. ................................... (19) 6.6.7. Rendement de l'tage ............... ................................................................................ .......................... (20) Conclusion ..................................... ................................................................................ .............................. (21) Chapitre II : La Radiofrquence Introduction ................................................................... .............................................................................. ( 22) 1. Classification des ondes ................................................ .......................................................................... (22) 2. Longueur d'onde ............................................................... ...................................................................... (22) 2.1. Ondes longues : 30 KHz 300 KHz (L.F) .......................................... ................................................. (23) 2.2. Ondes moyennes : 300 KHz 3 MHz (bande hectomtrique) ................................................. ............ (23) 2.3. Ondes courtes : 3MHz 30 MHz (bande dcamtrique) ............ .......................................................... (24) 2.4. Ondes de trs haute frquence : 30 MHz 300 MHz (V.H.F.) ....................................... ..................... (24) 2.5. Ondes ultra haute frquence : 300 MHz 3 GHz (U.H.F .) .................................................................. (25) 2.6. Ondes supra haute frquence : 3 GHz 30 GHz (S.H.F.) .............................. ...................................... (26) 2.7. Ondes d'extra haute frquence : 30 GHz 300 GHz (E.H.F.) ........................................................... .. (27) 3. Aspects gnraux ........................................................ ............................................................................. (2 8) 4. Spectre radiofrquence ..................................................... ........................................................................ (28) 5. Lattribution des frquences .................................................... ................................................................. (29) 5.1. Clas sification des ondes hertziennes ............................................... ...................................................... (30) 6. Les utilisations du spectre radiolectrique ....................................................... ........................................ (30) 7. Bilan de liaison .............. ................................................................................ ........................................... (30) Conclusion .................... ................................................................................ .............................................. (33) Chapitre III : Caractrisation d'un Amplificateur Radiofrquence Introduction ................................................................... ............................................................................... (34) 1. Les diffrents types d'amplificateurs dans une chaine d'mission-rception ....... .................................. (34) 2. Caractristiques d'un amplificateur de pu issance ........................................................................ ............ (35) 2.1. Rendements d'un amplificateur ............................. ............................................................................... (35) 2.2. Critres de stabilit .................................................... .......................................................................... (37)

2.2.1. Rsum des conditions de stabilit ............................................ ........................................................ (39) 2.3. Gain des ampl ificateurs ..................................................................... .................................................... (39) 2.4. Adaptation d'impdanc e .............................................................................. ........................................ (40) 2.5. Linarit des amplificateurs RF . ................................................................................ ........................... (42) 2.5.1. Distorsion dues aux lments radiofrquences . ................................................................................ . (42) 2.5.1.1. Distorsion linaire .............................................. ............................................................................. (4 2) 2.5.1.2. Distorsion non linaire .............................................. ...................................................................... (42) 3. L es technologies et les composants .............................................. ........................................................... (43) 3.1. La technol ogie CMOS RF ................................................................... ................................................. (43) 3.2 Circuits intgrs logique s CMOS ......................................................................... ................................. (43) 3.2.1 Le transistor MOS canal n.......... ................................................................................ ....................... (44) 3.2.2 Le transistor MOS canal P ................... ................................................................................ ........... (45) 3.2.3. Transistor CMOS ........................................ ................................................................................ ....... (46) 4. Le choix de la classe C ........................................ ................................................................................ ..... (46) 4.1. Utilisation de lamplificateur classe C ........................ ........................................................................... (47) Conclusion .................................................................... ............................................................................... (47) Conclusion Gnrale ........................................................... ....................................................................... (48) Bib liographie.

Liste des Figures Figure 1.1 : le fonctionnement en classe A ..................................... ............................................................. (02) Figure 1.2 : le fonctionnement en classe B .................................................. ............................................... (03) Figure 1.3 : le fonctionnem ent en classe AB ............................................................... ............................... (03) Figure 1.4 : le fonctionnement en classe C ................................................................................ ................. (04) Figure 1.5 : Amplificateur classe D ..................... ................................................................................ ....... (05) Figure1.5.a : La droite de charge de l'amplificateur classe D ....... ............................................................. (05) Figure 1.6.a : Amplificateur classe E ....................................................... ................................................... (06) Figure 1.6.b :Fonctionn ement de la classe E ........................................................... ................................... (06) Figure 1.7.a : Type de liaison par capa cit ............................................................................. .................... (07) Figure 1.7.b : Type de liaison par transformateur .... ................................................................................ .. (07) Figure 1.7.c : Type de liaison Directe ................................. ........................................................................ (07) Fi gure 1.8.a : Ampli RF accordable, liaison par condensateur ..................... .............................................. (08) Figure 1.8.b : Ampli RF acco rdable, liaison par transformateur ............................................. ................... (08) Figure 1.9.a : Ampli polaris par Diviseur de tension ... ............................................................................. (0 9) Figure 1.9.b: Droite de charge DC ........................................... ................................................................... (09) Figure 1.10.a : Circuit quivalent AC ................................................... .................................................... (09) Figure 1.10.b : Droite de charge AC .................................................................. ....................................... (09) Figure 1.11.a : crtage par blocage .. ................................................................................ ......................... (11) Figure 1.11.b : crtage par saturation ............. ................................................................................ ........... (11) Figure 1.11.c : point Q optimal ............................... ................................................................................ .... (11) Figure 1.12.a : Ampli classe C accordable ............................ .................................................................... (13) Figure 1.12.b : Gain en tension en fonction de la frquence ............................ ........................................ (13) Figure 1.13.a : Deux droites de ch arge ........................................................................... ............................ (14)

Figure 1.14.a : Circuit quivalent AC ............................................ ............................................................. (14) Figure 1.14.b : Signal d'entre sur la base fixe ngatif ........................................... ................................ (14) Figure 1.14.d : Impulsion de courant colle cteur .......................................................................... ............... (14) Figure 1.15.a : Circuit collecteur AC ..................... ................................................................................ ... (15) Figure 1.15.b : Forme de la tension collecteur ................................................................................ ........ (15) Figure 1.16 : Bande passante ................................................... ................................................................... (16) Figure 1.17.a : Rsistance srie de l'inductance ............................................ ............................................. (17) Figure 1.17.b : Rsistance quiva lente parallle .................................................................. ..................... (17) Figure 1.18 : Coefficient de remplissage ............ ................................................................................ ........ (18) Figure 1.19 : Coefficient de remplissage ......................... ........................................................................... (19) Figure 1.20.a : Sortie maximale dissipe ........................................ ............................................................ (20) Figure 1.20.b : Angle de conduction .......................................................... ................................................ (20) Figure 1.20.c : Puissance Par le transistor .............................................................. ................................... (20) Figure 1.21.a : Courant d'alimentation .. ................................................................................ ..................... (20) Figure 1.21.b : Rendement ........................... ................................................................................ ............ (20) Figure 3.1 : Bilan de puissance sur un amplificateur ......... ......................................................................... (35) F igure 3.2 : amplificateurs en cascade .......................................... .............................................................. (36) Figure 3.3 : Adaptation conjugue relle ....................................................... ............................................. (37) Figure 3.4 : Puissance mises en jeu ......................................................................... ................................... (39) Figure 3.5 : Transfert de puissance ... ................................................................................ .......................... (40) Figure 3.6 : Gnrateur charg ....................... ................................................................................ ............. (41) Figure 3.7: Compression AM/AM ............................... .............................................................................. ( 43) Figure 3.8: Conversion AM/PM ............................................... .................................................................. (43) Figure 3 .9 : Coupe schmatise d'un transistor N-MOS ......................................... ................................... (44) Figure 3.10 : Symbole de transistor N-M OS ............................................................................. ................. (44)

Figure 3.11 : Fonctionnement de transistor N-MOS ............................... ................................................... (44) Figure 3.12 : Coupe schm atise d'un transistor P-MOS........................................................ .................... (45) Figure 3.13 : Symbole de transistor P-MOS ............ ................................................................................ ... (45) Figure 3.14 : Fonctionnement de transistor P-MOS ...................... ............................................................. (45) Figure 3.15: Coupe schmatise d'un transistor CMOS................................................ .............................. (46) Figure 3.16 : Transistor CMOS .............. ................................................................................ .................... (46)

Introduction Gnrale

INTRODUCTION Introduction gnrale

Le dveloppement des systmes de communications modernes orient rsolument vers des app lications civiles grand public conduit une volution importante de tous les domain es de l'lectronique RF lie aux exigences sur l'intgration, le cot et la fiabilit des cir uits. Ainsi, la transmission sans fils de volumes de donnes importants (fichiers, musiques, vido...) implique des dbits de communication levs atteints grce des modula tions numriques complexes. L'amplificateur de puissance, dernier lment de la chane d'mis ion avant l'antenne, est l'lment dont la consommation est la plus importante et dont l a linarit est un critre important pour assurer la qualit de la transmission. Ainsi, les spcifications nouvelles ont conduit la recherche d'architectures de circuits d'am plification afin d'amliorer la linarit et le rendement des amplificateurs de puissanc e, le fonctionnement sur une grande largeur de bande de frquence. La technologie RF CMOS permet une intgration plus leve des amplificateurs de puissance classe C, s ont gnralement raliss sur le silicium en assurant un faible cout, une bonne compatib ilit avec les circuits numriques, une frquence de fonctionnement leve, une bonne linar it, une bande de frquence de fonctionnement assez large et une bonne stabilit. Dans ce cadre, la synthse de ce travail de mini projet est prsente dans trois chapitres : Le premier chapitre traite d'abord l'amplificateur de puissance, les diffrent clas se de l'amplificateur de puissance et leur fonctionnement, tude approfondi sur la c lasse C. Le deuxime chapitre prsente les diffrentes RF existe et leur domaine d'appli cations dans les hautes frquences. Le troisime chapitre traite l'amplificateur RF, l e gain, le rendement, les critres de la stabilit, linarit. Et en tudie la technologie CMOS et la RF CMOS en puissance classe C. On termine avec une conclusion gnrale. 1

Chapitre I L'Amplification De Puissance

L'Amplification de Puissance Chapitre I Introduction Il existe plusieurs possibili ts pour d'crire les amplificateurs. Par exemple, on peut les caractriser par leur cla sse de fonctionnement, leurs liaisons entre les tages ou leur gamme de frquence. 1 . Classes de fonctionnement 1.1. Le fonctionnement en classe A Le fonctionnement en classe A signifie que le transistor opre toujours dans la zone active. Cela nc essite un courant collecteur pendant la totalit du cycle (360), comme le montre la figure 1.1. Dans ce cas, on essaie de positionner le point de fonctionnement Q vers le milieu de la droite de charge. De cette manire, le signal peut balayer la plus grande distance possible avant la saturation et le blocage qui provoque la distorsion. Figure 1.1 : le fonctionnement en classe A. 1.2. Le fonctionnement en classe B L a classe B est diffrent. Le courant collecteur n'existe que pendant la moiti du cycl e (180) comme le montre la figure 1.2. Pour obtenir ce type de fonctionnement, on localise le point de fonctionnement Q au blocage. De ce fait, seule l'alternance positive de la tension AC sur la base produit un courant collecteur, cela rduit l a chaleur gaspille dans les transistors de puissance. 2

L'Amplification de Puissance Chapitre I Figure 1.2 : le fonctionnement en classe B. 1.3. Le fonctionnement en classe AB La classe AB est un compromis entre la classe A et la classe B : le point de rep os de lamplificateur se situe entre celui dun amplificateur de classe A et cel ui dun amplificateur de classe B. comme l'illustre la figure 1.3. Avec un fonctio nnement en classe AB, Une telle mthode de polarisation permet la classe AB de fon ctionner en classe A pour les signaux de faible amplitude puis de se comporter c omme un amplificateur de classe B pour les signaux de forte amplitude. Tout comm e pour les amplificateurs de classe B, les amplificateurs de classe AB sont souv ent utiliss en configuration push-pull afin de diminuer le taux de distorsion lor s de lamplification de signaux de forte amplitude. Figure 1.3 : le fonctionnement en classe AB. Le principal inconvnient des push-pu ll de classe AB survient lorsque lon amplifie des signaux de forte amplitude : une partie du signal est amplifie par deux transistors (zone de fonctionnement en classe A) tandis que le reste du signal est amplifi par un seul transistor (zone de fonctionnement en classe B). 3

L'Amplification de Puissance Chapitre I Ainsi, le gain en courant du montage nest pas constant au cours dun cycle damplification. Cette variation du gain en co urant engendre des distorsions hautes frquences lors du passage entre la zone o de ux composants amplifient le signal et celle o un seul composant lamplifie 1.4. L e fonctionnement en classe C Implique un courant collecteur pendant moins de 180, comme l'illustre la figure 1.4. Avec un fonctionnement en classe C, une partie de l'alternance positive de la tension AC sur la base produit du courant collecteur. Figure 1.4 : le fonctionnement en classe C. Les amplificateurs de classe C sont des amplificateurs non- linaires trs haut rendement. Ils sont toutefois utilisable s que dans les amplificateurs HF (metteur radio) avec des porteuses non modules en amplitude. Ils gnrent un nombre considrable dharmoniques qui doivent tre filtres la sortie laide de circuits accords appropris. Les amplificateurs de classe C sont utiliss pour raliser des amplificateurs ultrasoniques, hautes frquences slectifs et micro-ondes ainsi que des oscillateurs hautes frquences. Les amplificateurs de cl asse C sont aussi utiliss pour raliser des multiplicateurs de frquence. 1.5. Le fon ctionnement en classe D Les amplificateurs de classe D sont des amplificateurs t ravaillant en commutation. Le signal amplifier est pralablement transform en un si gnal rectangulaire de frquence de pulsation fp dont le rapport cyclique est propo rtionnel la valeur moyenne glissante sur une priode de pulsation Tp. Ce type de m odulation est appel modulation de largeur dimpulsion MLI (PWM Pulse Width Modula tion). 4

L'Amplification de Puissance Chapitre I Le signal rectangulaire rsultant est direct ement utilis pour attaquer les transistors de sortie qui sont gnralement de type MO S pour les frquences suprieures 50kHz. La sortie de ltage de puissance est suivie dun filtre BF qui restitue un signal semblable celui dentre. Les amplificateurs de classe D ont des rendements levs et sont de fidlit moyenne. Ils sont utiliss dans les autoradios. La Figure 1.5. Montre un tage de puissance suivi du filtre BF et de la charge sou s forme dun haut-parleur. Figure 1.5 : Amplificateur classe D. La droite de charge classique pour les ampl ificateurs de classe A et AB est remplac par deux points de fonctionnement corres pondants aux deux tats possibles des transistors MOS de sortie. La Figure 1.5.a. Montre la droite de charge de l'amplificateur classe D. Figure1.5.a : La droite de charge de l'amplificateur classe D. 1.6. Le fonctionnement en classe E Les amplificateurs de classe E sont des ampli ficateurs haut rendement. Ils sont gnralement utiliss pour amplifier les frquences r adio. 5

L'Amplification de Puissance Chapitre I Afin de limiter les pertes par commutation s, les amplificateurs de classe E sont conus pour que le changement dtat du trans istor se fasse en labsence de courant. Entre deux commutations, le transistor e st soit bloqu (le courant qui le traverse est nul), soit satur (la tension ses bor nes est quasi nulle) ; (figure 1.6.b). Les pertes dans un transistor tant dues au produit de la tension ses bornes par le courant le traversant, labsence de cou rant lorsque la tension est non nulle, et vice versa permet de minimiser les per tes. Le rendement thorique d'un amplificateur de classe E utilisant des composants parfaits est de 100 %. Le schma de base dun amplificateur de classe E est donn su r la figure 1.6.a. Figure 1.6.a : Amplificateur classe E Figure 1.6.b :Fonctionnement de la classe E 2. Types de liaisons La figure 1.7.a. illustre une liaison par condensateur. Le condensateur de liaison transmet la tension AC amplifie l'tage suivant. La liaison p ar transformateur est reprsente sur la figure 1.7.b. ici la tension AC et transmis e l'tage suivant par l'intermdiaire d'un transformateur. Les liaisons par condensateur e t par transformateur sont des exemples de transmission du signal AC avec blocage de la tension DC. La liaison directe est diffrente. La figure 1.7.c. montre une liaison directe entre le collecteur d'un premier transistor et la base d'un second. Ici, les tensions AC et DC sont transmise simultanment, donc il n'y a pas de limite de frquence. Un amplificateur liaison directe est parfois appel ampli continu. 6

L'Amplification de Puissance Chapitre I Figure 1.7.a : Type de liaison Par capacit. 3. Gamme de frquences Figure 1.7.b : Type de liaison Par transformateur. Figure 1.7.c : Type de liaison Directe. Une autre classification des amplis est donne par leur gamme de frquence. Un ampli ficateur audio frquence prsente une plage de frquence qui varie de 20 Hz 20 KHz. Pa r contre un amplificateur radiofrquence (RF) opre des frquences suprieures 20 KHz et gnralement nettement plus. Par exemple, les amplis RF dans les radios en modulati on d'amplitude (AM) amplifient les frquences entre 535 KHz (150KHz en Europe) et 16 05 KHz ; en modulation de frquence (FM) celles entre 87.8 MHz et 108MHz. Les ampl is sont aussi classs en bande troite ou en large bande. Un ampli bande troite fonct ionne dans une petite chelle de frquences, par exemple entre 450 KHz et 460KHz. Un ampli large bande opre dans une large plage, par exemple de 0 1MHz. Les amplis b ande troite sont aussi appels amplificateurs RF accordables car leur charge AC est un circuit rsonant de grand coefficient de qualit accord sur une station de radio ou un canal de tlvision. Les amplis large bande ne sont gnralement pas accordables, leur charge et une rsistance. La figure 1.8.a. est un exemple d'ampli RF accordable . Le circuit LC parallle rsonne une certaine frquence ; si son coefficient de quali t Q est grand, la largeur de bande est troite. Le signal de sortie est transmis pa r un condensateur de liaison l'tage suivant. La figure 1.8.b. est un autre exemple d'ampli RF accordable. Cette fois, le signal de sortie bande troite est reli par tra nsformateur l'tage suivant. 7

L'Amplification de Puissance Chapitre I Figure 1.8.a : Ampli RF accordable, Liaison par condensateur. Figure 1.8.b : Ampli RF accordable, Liaison par transformateur.

4. Les deux droites de charge Chaque amplificateur possde deux circuits quivalents : l'un pour le rgime continu, l'autre pour le rgime alternatif. Il dispose donc de de ux droites de charge : l'une valable pour le rgime continu, c'est la droite de charge DC ; l'autre valable pour le rgime alternatif, c'est la droit de charge AC. En petit signal, la position du point de fonctionnement Q n'est pas critique. En grand sig nal, le point Q doit tre situ au milieu de la droite de charge AC pour obtenir la plus grande amplitude maximale la sortie. 4.1. La droite de charge DC La figure 1.9.a. Reprsente un amplificateur polaris par diviseur de tension. Une mthode pour dplacer le point de fonctionnement Q est de modifier la valeur de la rsistance Re. Pour les trs grandes valeurs de Re, le transistor se trouve la saturation et le courant est donn par : ( ) = Rc +Re (1.1) Les trs petites valeurs de cage et la tension est donne par : ( ) = La figure 1.9.b. Illust e fonctionnement Q. Vcc 8

L'Amplification de Puissance Chapitre I Figure 1.9.a : Ampli polaris par Diviseur de tension 4.2. La droite de charge AC Figure 1.9.b: Droite de charge DC. La figure 1.10.a. reprsente le circuit quivalent AC de l'ampli 1.9.a polaris par divi seur de tension. Avec l'metteur la masse. De plus, la rsistance de collecteur Rc en dynamique est infrieure sa rsistance Rc statique. Donc, si un signal alternatif in tervient, le point de fonctionnement instantan volue sur la droite de charge AC de la figure 1.10.b. En d'autre termes, les valeurs crte crte du courant sinusodal et d e la tension sont dtermines par la droite de charge AC. Comme le montre la figure 1.10.b. Les points de saturation et de blocage ne sont pas les mmes sur les droit es de charge AC et DC. Puisque la rsistance AC metteur et collecteur est plus faib le que la rsistance DC, la droite de charge AC est plus raide. Il est important d e noter que les droites de charge AC et DC se croisent au point Q. Ceci arrive l orsque la tension d'entre passe par 0. Figure 1.10.a : Circuit quivalent AC. Figure 1.10.b : Droite de charge AC Examinons comment calculer les extrmits de la droite de charge AC. La tension sur le collecteur nous permet d'crire : 9

L'Amplification de Puissance Chapitre I Vce Rc .. (1.3)

= 0 (1.2) Ou ic = -

Le courant AC sur le collecteur est donn par : =Ic=Ic-IcQ .. (1.4) Et la tension collecteur est : =Vce=VceEn substituant ces expression en (1.3) on arrive V CeQ Rc Vce Rc .. (1.5)

C'est l'quation de la droite de charge AC. Quand le transistor vient saturation, Vce est nul et l'quation (1.5) nous donne : ( ) = + Ou ( ) = courant A tension AC vue du collecteur Lorsque le transistor vient au blocage, est nul. Puisq ue Vce (blocage)=VceQ+Vce Vce = (Ic)( ) On peut substituer et obtenir Vce = ( Vce (Blocage)= VCeQ + * . (1.7) 10 VceQ Rc (1.6)

L'Amplification de Puissance Chapitre I La valeur crte crte maximale (MPP) de la ten sion est toujours infrieure la tension de la source, car la droit de charge AC prs ente une pente plus importante que la droite de charge DC.la formule est : MPP<V CC Par exemple, si la tension d'alimentation est gale 10v, la valeur crte crte maxima le (MPP) de la sortie sinusodale est infrieure 10v. 4.3. crtage des grands signaux Q uand le point de fonctionnement Q est au milieu de la droite de charge DC (figur e 1.10.b), le signal ne peut utiliser la totalit de la droite de charge AC sans p rsenter un crtage. Par exemple, d'aprs la figure 1.11.a, si le signal AC augmente, nou s obtenons l'crtage d au blocage. Figure 1.11.a : crtage par blocage Figure 1.11.b : crtage par saturation Figure 1.11 .c : point Q optimal Si le point Q est dplac vers le haut (figure 1.11.b), un sign al amne le transistor la saturation. Dans ce cas, nous obtenons l'crtage par la satur ation les deux crtages sont indsirables. Un ampli pour signaux forts bien conu prsent e un point Q au milieu de la droite de charge AC (figure 1.11.c). Dans ce cas, n ous avons la sortie crte crte maximale sans distorsion. 5. Crit res de slection d'une classe d'amplificateur De nombreux critres peuvent tre pris en compte lors de la slec tion dun amplificateur. Les Points importants tant : 5.1. Le gain (en tension, e n puissance) Chaque amplificateur possde un gain en puissance dfini par : Pout Pin = Pout : Puissance de sortie Pin : Puissance d'entre .. (1.8) Le gain en puissance est la puissance AC la sortie divise par la puissance AC l'ent re. 11

L'Amplification de Puissance Chapitre I 5.2. La puissance de sortie Avec la tensio n de sortie fournie en volts efficaces, la puissance de sortie s'crit : Veffe Rl Vout 8 Rl Pout = = ..(1.9) Pout (max)= MPP 8 Rl (1.10) MPP : La valeur crte crte maximale de la tension 5.3. La puissance dissipe par le transistor Est la puissance dissipe cause de la p olarisation au point de fonctionnement est : PDC = VCEQ ICQ (1.11) 5.4. Le rendement La puissance fournie par la source de collecteur ( st :

) l'amplificateu

PDC =VCC IDC .. (1.12) Pour comparer les performances des amplis de puissance, on utilise le rendement dfini par : h= fournie au montage. Pout PDC 100% (1.13) Le rendement est la puissance alternative recueillie la sortie divise par la puis sance continue Il est compris entre 0 et 100%. Il donne une chelle pour comparer les diffrents mo ntages car il indique la quantit de puissance DC incidente transforme en puissance AC sur la sortie. Plus le rendement est lev, plus la conversion est importante. C'e st un paramtre fondamental pour la dure des batteries dans un quipement autonome, u n bon rendement signifie une longue dure de fonctionnement. 6. Amplificateur classe C Avec la classe C, il faut un circuit rsonant, c'est pour quoi la plupart des amplis classe C sont des amplis accords. 6.1. Frquence de rsona nce Dans le fonctionnement en classe C, le courant collecteur passe pendant moin s d'une demi-priode. Un circuit rsonant parallle filtre les impulsions de courant et restitue une sinusode pure. La principale application des amplis classe C rside da ns les amplis RF accords. Le rendement maximal dans ce cas est 100 %. 12

L'Amplification de Puissance Chapitre I La figure 1.12.a. illustre un ampli RF. La tension sinusodale de l'entre est applique sur la base et une tension amplifie appara it au collecteur. La sinusode amplifie et inverse est transmise sur la rsistance de charge par un condensateur de liaison. Du fait de la prsence du circuit rsonant p arallle, la tension de sortie est maximale la frquence de rsonance : 1 2pLC fr = (1.14) Figure 1.12.a : Ampli classe C accordable Figure 1.12.b : Gain en tension en fonction De la frquence

De chaque cot de cette frquencefr , le gain en tension chute, comme le montre la f igure 1.12.b. par consquent, un ampli classe C accord est toujours destin travaille r sur une faible bande de frquence. De ce fait, il est idal pour l'amplification en radio et en tlvision ou chaque station ou chaine dispose d'une bande troite de frquenc e autour d'une frquence centrale. 6.2. Droites de charge La figure 1.13.a. montre l es deux droites de charge. La droite de DC est presque verticale car la rsistance de l'enroulement d'une bobine RF est trs faible. Cette droite n'est pas importante car transistor n'est pas importante car la tension n'est pas polaris ; ce qui compte, c'es t la droite de charge AC. Le point Q se trouve sur son extrmit basse. Quand un sig nal est prsent, le point de fonctionnement instantan monte vers la saturation. L'amp litude maximale du pic de courant collecteur est donne par le courant de saturati on /rC . 13

L'Amplification de Puissance Chapitre I

Figure 1.13.a : Deux droites de charge 6.3. crtage DC du signal d'entre La figure 1.1 4.a. montre le circuit quivalent en rgime alternatif. Le signal d'entre se trouve sur la diode mettrice et les impulsions de courant commandent le circuit rsonant para llle. Dans un ampli classe C, le condensateur d'entre appartient un circuit de rgnrati n ngatif et le signal appliqu sur la diode metteur est dcal ngatif. Figure 1.14.a : Circuit quivalent AC La figure 1.14.b. illustre le fixage ngatif. Seules les crtes positives peuvent mettre la diode mettrice en conduction. De ce f ait, le courant collecteur se compose de brves impulsions comme celle de la figur e 1.14.d. Figure 1.14.b : Signal d'entre sur La base fixe ngatif. Figure 1.14.d : Impulsion de courant collecteur. 14

L'Amplification de Puissance Chapitre I 6.4. Filtrage des harmoniques Un signal no n sinusodal comme celui de la figure 1.14.b. est riche en harmoniques, multiples de la frquence du signal d'entre. Autrement dit, les impulsions de la figure sont qui valentes une somme de signaux sinusodaux de frquence f, 2f, 3f, ..nf. Le circuit rso nant parallle de la figure 1.15.a. prsente une forte impdance la frquence fondamenta le f. il donne un gaine en tension unique cette frquence. Figure 1.15.a : Circuit collecteur AC Figure 1.15.b : Forme de la tension collecteur

Ensuite, le circuit parallle a une trs faible impdance aux harmoniques suprieurs, do nnant un trs faible gain en tension. C'est pour cela que la tension sur le circuit parallle ressemble presque une sinusode (figure 1.15.b). Tous les harmoniques supri eurs ont t filtrs, il ne reste plus que le fondamental sur le circuit rsonant. 6.5. Dpannage L'amplificateur classe C reoit un signal fix ngatif l'entre, on peut donc uti er un voltmtre continu haut impdance pour mesurer la tension sur la diode metteur. Si le circuit fonctionne correctement, on doit lire une tension ngative gale la va leur crte du signal d'entre. Le teste au voltmtre est utile quand un oscilloscope n'est pas disponible. Dans le cas contraire, un test nettement meilleur consiste visu aliser la tension sur la diode mettrice ; elle doit tre une sinusode dcale ngativement . 6.6. Formules de la classe C Un ampli classe C accord est gnralement un amplifica teur bande troite. Le signal d'entre est amplifi pour donner une puissance de sortie importante avec un rendement approchant 100 %. 6.6.1. Formules gnrales Voici la li ste des formules utilisables dans toutes les classes de fonctionnement : 15

L'Amplification de Puissance Chapitre I = Pout Pin . (1.8) = Vout 8 Rl Pout = Veffe Rl . (1.9) Pout (max)= MPP 8 Rl . (1.10) PDC =VCEQ ICQ (1.11) PDC =VCC IDC (1.12) = 6.6.2. La bande passante La bande passante (BP) d'un circuit rsonant est dfinie par : Pout PDC 100% .. (1.13) BP=f2 - f1 .. (1.15) f1 : Frquence basse mi-puissance f2 : Frquence haute mi-puissance La frquence mi-pu issance est identique la frquence ou le gain en tension est gal 0.707 fois le gain maximal (figure 1.16.). Plus BP est petite, plus l'ampli est bande troite. Figure 1.16 : Bande passante Avec la relation (1.15), on peut trouver la formule de la bande passante : BP = r (1.16) Q f 16

L'Amplification de Puissance Chapitre I O Q est le coefficient de qualit du circuit. La relation prcdente montre que la bande passante est inversement proportionnelle Q. Les amplificateurs de classe C ont presque tous des circuits de coefficient Q suprieur 10. Cela signifie que la bande passante est infrieure 10 % de la frquenc e de rsonance. Les classes C sont des amplis bande troite. La sortie d'un tel ampli est une tension sinusodale importante la rsonance avec une rapide dcroissance de pa rt et d'autre. 6.6.3. Rsistance de collecteur AC Toute bobine possde une rsistance sri e , comme le montre la figure 1.17.a. le coefficient de qualit de la bobine est dfini par : Q L= QL : Coefficient de qualit de la bobine. XL : Ractance. RS ne. XL RS (1.17) Figure 1.17.a : Rsistance srie de l'inductance Figure 1.17.b : Rsistance quivalente parallle Notez bien que ceci est la dfinition du coefficient de qualit de la bobine, exclus ivement. Le circuit total prsente un coefficient de qualit plus faible, car il eng lobe les effets de la rsistance de charge et de la rsistance de la bobine. On rgime alternatif, la rsistance srie peut tre remplace par une rsistance parallle Rp. Lorsqu e Q est suprieur 10, cette rsistance quivalente peut se mettre sous la forme : RP =QLXL . (1.18) 17 Rsistance srie de la bobi

L'Amplification de Puissance Chapitre I la rsonnance (figure 1.17.b), XL annuleXC , laissant seulement Rp en parallle avec RL . Donc, la rsistance AC vue par le coll ecteur la rsonance vaut : rC = RP //RL .. (1.19) Le coefficient de qualit de l'ensemble du circuit est alors : Q= 6.6.4. L e coefficient de re mplissage rC XL .. (1.20) La brve conduction de la diode mettrice chaque crte positive engendre des impulsion s troites de courant collecteur comme on le voit sur la figure 1.18. Avec elle, i l est pratique de dfinir le coefficient de remplissage (rapport cyclique, coeffic ient d'utilisation, facteur de forme) selon la relation : D= D : coefficient de remplissage W : largeur de l'impulsion T : priode des impulsions W T . (1.21) Par exemple, si un oscilloscope montre une impulsion de largeur 0.2s et une priode de 1.6 s, le coefficient de remplissage vaut : D= 0.2 s 1.6 s =0.125 Plus le coefficient de remplissage est petit, plus l'impulsion est troite par rappo rt la priode. Celui de l'ampli classe C est gnralement petit. En fait, le rendement d'u n amplificateur classe C augmente quand son coefficient de remplissage diminue. Figure 1.18 : Coefficient de remplissage 18

L'Amplification de Puissance Chapitre I 6.6.5. L'angle de conduction Une autre mthode pour tablir le coefficient de remplissage consiste utiliser l'angle de conduction f dfinie par la figure 1.19 : D= f 180 (1.22) Par exemple, si l'angle de conduction vaut 18, le coefficient de remplissage est : f D= 18 180 = 0.05 Figure 1.19 : Coefficient de remplissage 6.6.6. Puissance dissipe par le transist or La figure 1.20.a. reprsente la tension collecteur-metteur thorique dans un ampli ficateur classe C. la sortie maximale est donne par :

MPP = 2 (1.23) Comme la tension maximale est approximativement 2Vcc, le transistor doit une ten sion VCEO suprieure 2Vcc. La figure 1.20.b. reprsente le courant collecteur dans l'a mpli classe C. Gnralement, l'angle de conduction f est nettement infrieur 180. Remarque que le courant atteint la valeur maximale ( ) ; le transistor doit avoir une gamme rant crte suprieure cette valeur. La partie en pointill reprsente le temps du blocag e. La dissipation de puissance du transistor dpend de l'angle de conduction. Sur la figure 1.20.c, elle augment quand il atteint 180. La valeur maximale de celle-ci peut se calculer : PD = MPP2 40 rC . (1.24) 19

L'Amplification de Puissance Chapitre I La relation (1.24) concerne le pire des ca s. Le transistor, dans un fonctionnement en classe C, doit avoir une gamme de pu issance suprieure, sinon il est dtruit. En fonctionnement normal, l'angle de conduct ion est nettement infrieur 180 et la puissance dissipe est bien au-dessous de Figure 1.20.a : Sortie maximale Dissipe 6.6.7. Rendement de l'tage Figure 1.20.b : Angle de conduction Figure 1.20.c : Puissance Par le transistor

2 /

Le collecteur DC dpend de l'angle de conduction ; pour 180 (signal demi-priode), le c ourant moyen ou courant DC du collecteur vaut ( ) / p. Pour de faibles angles de co il est plus que cela, comme on le voit sur la figure 1.21.a. Dans un ampli clas se C, le courant collecteur DC est le courant d'alimentation car il n'ya pas de rsist ances de polarisation. L'amplificateur classe C convertit la plus grande partie de la puissance continue applique en puissance alternative sur la charge car les pe rtes du transistor et de la bobine sont faibles. Par consquent, cette classe de f onctionnement prsente un grand rendement par tage. La figure 1.21.b. illustre la v ariation du rendement maximale en fonction de l'angle de conduction. Pour 180 le re ndement de l'tage est 78.5 %. Quand l'angle de conduction f diminue, le rendement de l'tag e s'accroit pour approcher 100 % aux trs petits angles de conduction. Figure 1.21.a : Courant d'alimentation Figure 1.21.b : Rendement 20

L'Amplification de Puissance Chapitre I Conclusion Dans ce chapitre on entamer l'tude des amplificateurs de puissances bien dtail et une tude approfondi sur la classe C. Dans le chapitre suivant on va entamer une autre tude sur les ondes Radiofrquen ces et leur application dans le domaine de hyper frquence. 21

Chapitre II La Radiofrquence

La Radiofrquence Introduction Chapitre II Le rayonnement radiofrquence (RF) est un sous-ensemble de rayonnements lectromagnti ques dont la longueur donde est de l'ordre de 100 km 1 mm correspondant une frquen ce de 3 kHz 300 gigahertz, respectivement. Cette gamme de rayonnement lectromagnti que constitue le spectre radio et correspond la frquence des signaux lectriques al ternatifs employs pour produire et dtecter les ondes radio. La RF peut se rapporte r des oscillations lectromagntiques dans les circuits lectriques ou par le rayonnem ent dans lair et lespace. Comme dautres sous-ensembles de rayonnement lectroma gntique, la RF se propage dans le vide la vitesse de la lumire.

1. Classification des ondes L'utilisation des ondes lectromagntiques en tlcommunicatio n db uta par les expriences de Hertz et Marconi (1901). Depuis, les besoins de com munication d'une part et les formidables progrs technologiques de l'lectronique d'autre part ont permis un dveloppement tel que les canaux hertziens sont pratiquement sa turs jusqu' 1 GHz. Cependant, une classification des bandes de frquences est ncessaire car les technologies utiliser et les conditions de propagation dpendent fortemen t de la longueur d'onde. La classification gnralement employe se fait par dcades, e ll es mmes dcoupes en sous bandes en fonction de leur attribution. Il existe de types de propagation : Par courant tellurique (onde de sol) : la porte est directement lie la puissance d'mission et la bande passante de rception. Avec de trs grandes puis ance (>1MW) et une bande passante troite (de l'ordre du hertz) allie des modes de dmo dulation sophistiqus on peut mme atteindre de trs grandes portes autorisant des comm unications lointaines (avec des sous marins en plonge par exemple). Par rflexion d es ondes sur l'ionosphre: la porte est d'autant plus faible que le taux d'ions est fort (rflexion basse altitude) et la frquence basse. Ce taux d'ions dpend de l'activit solai e et de l'heure. 2. Longue ur d'onde On trouve sur ces longueurs d'ondes des metteurs h oraires, une bande de radiodiffusion et d'autres signaux destine en particulier la localisation. 22

La Radiofrquence Chapitre II

2.1. Ondes longues : 30 KHz 300 KHz (10 km > > 1 km) (kilomtriques) (L.F) Les ond es LF se propagent essentiellement en onde de surface, guides par la surface de l a terre. Elles peuvent tre rflchies la nuit. Leur porte atteint quelques milliers de kilomtres. Dans cette bande on trouve : -des services de diffusion des signaux h oraires en modulation d'amplitude DCF77 : - Des services d'identification de type RF ID (Radio Frequency Identification) ,125 KHz : - Des services de radiodiffusion en modulation d'amplitude avec porteuse : Bande GO (grandes ondes) ou LW (long wav es) :150-280 KHz, Les stations sont espaces de 20 KHz et la bande passante de 9 K Hz. Le son monophonique est caractristique de ces radios. 2.2. Ondes moyennes : 3 00 KHz 3 MHz (1km> l >100m) (bande hectomtrique) Les ondes MF se propagent essentie llement en ondes de surface mais sont plus attnues que les ondes LF. De ce fait le ur porte est de l'ordre de la centaine de kilomtres. Ces ondes utilisent aussi les rf lexions ionosphriques sur les couches basses. Dans cette bande on trouve : - Des services radiodiffusion en modulation d'amplitude avec porteuse : Bande PO (petite s ondes) ou MW (Medium Waves) :526,5-1606,5 KHz, L'espacement dans stations n'est pa s uniforme et la bande passante de 9 KHz .Le son monopho nique est caractristique de ces radio ; Des services de radiodiffusion maritime Nav Tex ; le Nav Tex (Na vigation Tltexte) est un systme d'information maritime par tlgraphie qui fait partie du systme mondiale de dtresse et de scurit en mer. La modulation est une modulation d'am plitude. Il existe deux frquences porteuses : 518 KHz pour le systme mondial, 490 KHz pour l'mission nationale ; Des services de radiodiffusion amateur en modulation d'amplitude bande latrale unique (BLU) :1,8 2 MHz. Des services de radiodiffusion maritime, aronautique, mtorologique, de dtresse, etc. : 1,85 3 MHz, Frquence de d e maritime : 2,182 MHz. 23

La Radiofrquence Chapitre II 2.3. Ondes courtes : 3MHz 30 MHz (100 m > l > 10 cm) (bande dcamtrique) Les ondes HF se propagent essentiellement par rflexions ionosphriques qui peuvent tre multiples . De ce fait leur porte peut atteindre quelques milliers de kilomtre. Dans cette b ande on trouve : - Des services de radiodiffusion amateur : BLU : couvrant la ba nde de 3,5 30 MHz mais discrtise - 3,5 3,8 MHz - 7 7,1 MHz - 10,1 10,15 MHz - 14 4,35 MHz -18,068 18,168 MHz - 21 21,45 MHz - 24,89 28,99 MHz - 28 29,7 MHz Radio astronomie : 25,55 25,67 MHz Modlisme : 26,81 26,92 -Des services d'applications militaires de type radar HF : super DARAN (Centre d'tude des environnements terrestre et plantaires), Nostradamus (ONERA- office national d'tude et de recherche arospatiales), etc. - Des bandes libres ISM (Industriel, Sci entifique et Mdical) non soumise des rglementations nationales et qui peuvent tre u tilises gratuitement et sans autorisation. Les seules obligations respecter sont les puissances d'mission. 2.4. Ondes de trs haute frquence : 30 MHz 300 MHz (10 m > l > 1 m) (bande mtrique) (V.H.F.) Les ondes VHF se propagent en trajet direct entre un metteur et un rcepteur, sans utiliser ni les rflexions ionosphriques, car la couc he est transparente pour ces frquences, ni les ondes de surface, car elles sont a bsorbes ces frquences. Dans cette bande on trouve : - Des services de radiodiffusi on en modulation de frquence MF ou FM (Frquence Modulation) : FM : 87,8 108 MHz, 24

La Radiofrquence Chapitre II L'espacement des stations et quasi uniforme de 200KHz et la bande passante de 100K Hz. Le son strophonique et des informations concernant le trafic automobile, le pr ogramme musical et le non de la station sont donns sur le RDS (Radio Data Systme) ;

- Des services de tldiffusion : TV en bande 1 :47 68 MHz - canaux 2 4, TV en bande 3 : 174 223 MHz - canaux 5 10 ; - Des services radiodiffusion maritime : 88 can aux de 156,025 162,050 espacs de 50 KHz en modulation de frquence GMSK ? Les frquen ces 161,975 et 162,025 MHz correspondent au systme d'identification automatique AIS ; - Des services de radiodiffusion divers : Radio amateur : 50 225 MHz Radioast ronomie : 37,5 38,25 MHz et 150 153 MHz, Pompiers, ambulance, etc. : 68 87,5 MHz Aronautique, mto, arodromes, etc. : 108 144 Mhz Militaire 146 150 MHz et 225 400 M z 2.5. Ondes ultra haute frquence : 300 MHz 3 GHz (1 m > l > 10 cm) (bande dcimtrique) (U.H.F.) Les ondes UHF se propagent comme les ondes VHF. Cette bande est largeme nt utilise pour toutes les communications de type mobiles et tlvisuelles. Dans cett e bande on trouve notamment : - Des services de tldiffusion : TV en bande 4 et 5 : 470 860 MHz - canaux 21 69, TV par satellites : 2,5 2,655 GHz ; - Des services de communication mobile : 25

La Radiofrquence GSM (Global system for Mobile communication) : 876 960 MHz et 1 710 1,880 GHz, DECT (Digital Enbanced cordless Telephone) : 1,880 1,9 GHz, UMTS (Universal Mobile Telecommunication systme) : 1,94 1,98 GHz et 2,13 2,17 GHz WLAN (rseaux locaux sans file) : WiFi, HomeRF,etc. : 2,4 2,4835 GHz WPAN (rseau person nels sans fil) : Bluetooth et ZigBee : 2,4 2,4835 GHz ; - des services de radiod iffusion divers : Radio amateur : 400 MHz 2,46 GHz - 430 440 MHz - 1,24 1,3 GHz - 2,3 2,46 GHz RFID : - 860 960 MHz - 2,3 2,46 GHz Radioastronomie : -1,350 1, 42 7 MHz -1,6106 1,6138 GHz 1,660 1,670 GHz Four micro-ondes : 2,4 2,5 GHz Militai e : 225 400 MHz ISM : Chapitre II - 433,05 434,79 MHz (utilis essentiellement pour les tlcommandes) - 868 870 MHz 2.6 . Ondes supra haute frquence : 3 GHz 30 GHz (10 cm > > 1 cm) (bande centimtrique) (S.H.F.) Les ondes SHF se propagent en vue directe. Ces ondes sont aussi appeles hyper- frquences. Cette bande est utilise essentiellement pour les communications mobiles et satellites. Cette bande est aussi utilise pour : 26

La Radiofrquence - Des services de tldiffusion : TV par satellites : -3,7 4,2 GHz bande Ku-1 :10,5 11,75 GHz - bande Ku-2 : 11,75 12,5 GHz - bande Ku-3 : 12,5 12, 75 GHz -Des services de communication mobile : Hyperlan : 5,15 5,35 GHz Wimax : 2 11 GHz ; Chapitre II - Des services de radiodiffusion divers : Radio amateur : - 3,3 3,4 GHz - 5,65 5 ,85 GHz - 10 101,5 GHz - 24 24,25 GHz Radioastronomie : - 3,1 3,4 GHz - 4,8 5GHz - 10,6 10,7 GHz - 14,47 14,5 GHz Radar militaire ISM : - 5,725 5,875 GHz - 24 2 4,25 GHz 2.7. Ondes d'extra haute frquence : 30 GHz 300 GHz (10 cm > l > 1 mm) (bande millimtrique) (E.H.F.) Les ondes EHF se propagent en vue directe. Ces ondes sont essentiellement utilises pour des applications de radioastronomie, de tldiffusion satellitaire et radio amateur : - Des services de tldiffusion : 27

La Radiofrquence Chapitre II

TV par satellites : 40,5 42,5 GHz ;

- Des services de radiodiffusion divers : Radio amateur : - 47 47,2 GHz - 75,5 8 1 GHz - 119,98 120,020 GHz - 142 149 GHz - 241 250 GHz ; Radioastronomie : - 31 31,8 GHz - 42,5 43,5 GHz - 48,540 49,440 GHz ISM : - 61 61,5 GHz - 122 123 GHz 244 246 GHz 3. Aspects gnraux Les thories et techniques mises en jeu dans les ralis ations lectroniques impliquent une classification de l'ensemble de ces bandes en de ux groupes : Le groupe `'haute frquence'' ou la ralisation d'un court-circuit d'impdance s amment faible est possible. Il est limit aux frquences infrieures quelques centaine s de MHz. Le groupe `'hyperfrquence `' ou les phnomnes de propagation ne peuvent jamais t ngliges et qui contient toutes les bandes partir de celle des U.H.F. 4. Spectre ra diofrquence Le spectre radiofrquence se rapporte la partie du spectre lectromagntiqu e correspondant aux frquences radio dont la bande de frquence se situe dans le dom aine de quelques kilohertz 300 gigahertz (correspondant des longueurs donde de l'ordre de 1km 1 mm). 28

La Radiofrquence 5. Lattribution des frquences Chapitre II La Radiofrquence (RF) du spectre lectromagntique est un aspect du monde physique qu i, comme la terre, leau et lair, est soumise aux restrictions dutilisation. L'u tilisation des bandes de frquences radio du spectre lectromagntique est rglemente par les gouvernements dans la plupart des pays, dans un processus de gestion du spe ctre connu comme lattribution des frquences ou lallocation du spectre. La propa gation radio ne sarrte pas aux frontires nationales. Pour des raisons techniques et conomiques, les gouvernements ont cherch harmoniser lattribution des bandes RF et leur standardisation. On rencontre un certain nombre dinstances et organes de normes de travail sur les normes dattribution des frquences comprenant: Union internationale des tlcommunications (UIT) Confrence europenne des administrati ons des postes et tlcommunications (CEPT) Europen Tlcommunications Standards Institut e (ETSI) Comit international spcial des perturbations radiolectriques (CISPR) 29

La Radiofrquence 5.1. Classification des ondes hertziennes Chapitre II Les ondes lectromagntiques sont classes en fonction de leur frquence en plusieurs ba ndes (tableau -1-) Tableau -1- Classification des ondes hertziennes. Dsignation i nternationale ELF (extremely low frequency) Dsignation Frquence francophone EBF 3 Hz (extrmement 30 Hz basse frquence) SBF (super 30 Hz basse 300 Hz frquence) UBF (u ltra 300 Hz basse 3 000 Hz frquence) TBF (trs 3 kHz basse 30 kHz frquence) Longueur d'onde 100 000 km 10 000 km Classe mtrique Exemples dutilisation Dtection de phnomne s naturels Communication avec les sous-marins Appareil de recherche de victimes davalanche Communication avec les sousmarins, Implants mdicaux, Recherches scien tifiques... Radionavigation, Radiodiffusion, Radio- identification Radio AM SLF (super low frequency) ULF (ultra low frequency) VLF (very low frequency) 10 000 km 1 000 km 1 000 km 100 km 100 km 10 km Myriamtrique LF (low frequency) MF (medium frequency) HF (high frequency) VHF (very high freq uency) UHF (ultra high frequency) SHF (super high frequency) EHF (extremely high frequency) BF (basse frquence) 30 kHz 300 kHz 10 km 1 km Kilomtriques Tera hertz

MF 300 kHz 1 km 100 m (moyenne 3 MHz frquence) HF (haute 3 MHz 100 m 10 m frquence ) 30 MHz THF (trs 30 MHz 10 m 1 m haute 300 MHz frquence) UHF (ultra 300 MHz 1 m 1 0 cm haute 3 GHz frquence) SHF (super 3 GHz 10 cm 1 cm haute 30 GHz frquence) EHF 30 GHz 1 cm 1 mm (extrmement 300 GHz haute frquence) Tra hertz 300 GHz 1 mm 100 m 000 GHz Hectomtriques Dcamtriques Mtriques Radioidentification... Radio FM, Tlvision GSM, GPS, Wifi Dcimtriques Centimtriques Micro-onde Millimtriques Radars anticollision pour automobiles, Liaisons vido transportables Submillimtriques 30

La Radiofrquence 6. Les utilisations du spectre radiolectrique Chapitre II

Les applications issues de l'utilisation des ondes radiolectriques sont d'une grande importance pour la socit. Depuis une dcennie, les progrs de la technologie lectroniqu e et des microprocesseurs ont rendu ralisables toute une gamme de services et dqu ipements nouveaux. Des secteurs entiers de l'conomie sont tributaires des frquences radiolectriques et les services qui en dpendent sont des lments indispensables du bi en-vivre de nos socits modernes : Diffusion radiophonique : l'application majeure es t la diffusion de programmes nationaux et locaux de Radio France et les programm es des radios prives. Diffusion tlvisuelle : l'offre disponible en tlvision s'est cons blement accrue ces dernires annes. On compte aujourd'hui 6 rseaux terrestres (et quel ques stations rgionales), plus une importante offre de diffusion par satellite. R adioamateurs : ce service bnficie de bandes de frquences spcifiques pour la CB Radioc ommunication du service de tlphonie fixe : Ce sont les applications destines tablir des communications entre stations fixes (tlphone sans fil, DECT, WiFi, interconnex ions et raccordement au service tlphonique de sites isol, armes). Radiotlphonie avec s mobiles : Connat un essor remarquable dans la radiotlphonie avec notamment les opr ateurs Orange, SFR et Bouygues Tlcom (norme cellulaire GSM 900Mhz et la norme drive DCS1800). Il existe d'autres services mobiles comme les rseaux des armes et de la po lice, rseaux de scurit Appareillages : Concerne tous les appareils industriels, scie ntifiques ou mdicaux et le doma ine domestique. Tous ces appareils sont rglements p ar le ministre charg des tlcommunications en raison des problmes radiolectriques qu'ils peuvent poser. Radioreprage : comprend la radionavigation aronautique et maritime, la radiolocalisation l'aide de radars, la navigation des avions aux instruments, le GPS 7. Bilan de liaison L'quation des tlcommunications permet le calcul de la puiss ance reue en fonction de la puissance mise. Le flux de puissance vaut : 4 2 (2.1) : Puissance metteur O D est la distance sparant l'metteur et le rcepteur 31

La Radiofrquence Chapitre II

Ceci exprime que la puissance est mise dans toutes les directions, soit dans un a ngle solide de 4 . Si l'antenne de l'metteur prsente dans la direction du rcepteur un ga n absolu , la densit du flux de puissance dans cette direction vaut : 4 2 .. (2.2)

Le produit est appel puissance apparente rayonne. L'antenne de rception, de surf te , prlve sur l'onde reue la puissance qui est la puissance reue l'entre du = 4 2 4 (2.3) Le gain d'une antenne G et sa surface quivalente G= Ou l est la longueur d'onde. Le rapport des puissances (2.4) peut alors s'exprimer par la relation : = 2 4 (2.5) 2 sont lis par la relation : 2

Sont respectivement les gains d'antennes l'mission et la rception. l est se. L'affaiblissement de puissance A, dit affaiblissement en espace libre, peut en cor s'crire sous la forme suivante : 4 2 ) A=( l = . (2.6) A (dB) = 20 log ( Avec C=3.10 m. 8 -1 4 )=22+20 log ( ) ,f : la frquence en Hz Finalement :

A (dB) =22+20 log ( ) (2.7)

Avec D et l dans la mme unit. 32

La Radiofrquence Conclusion Chapitre II Toutes les notions fondamentales exposes dans ce chapitre seront utilises pour exa miner le fonctionnement des metteurs et des rcepteurs et valuer leurs performances, et nous permet d'tudier l'amplificateur Radiofrquence CMOS en puissance classe C. 33

Chapitre III Caractrisation de l'amplificateur Radiofrquence

Caract risation d'un amplificateur Radiofrquence Introduction Chapitre III Dans les deux prcdents chapitres on a expos un aperu gnral sur les amplificateurs de

puissance et les radiofrquences appliques aux hautes frquences. Dans se chapitre en va entamer l'tude sur les amplificateurs radiofrquences en gnral. 1. Les diffrents typ es d'amplificateurs dans une chaine d'mission-rception Dans les chaines d'mission-rceptio radiofrquence et micro ondes, les amplificateurs occupent une place importante. Leurs caractristiques et leurs rgimes de fonctionnement dpendent des performances a ttendues en mission ou en rception. On peut donc appliquer aux amplificateurs une double classification : Classification par type d'application ; Classification par largeur de la bande de frquence.

Il est possible de classer les amplificateurs selon trois catgories : amplificate ur fonctionnant en rgime linaire et fort gain Aux frquences plus leves, les ractances capacitives en parallle deviennent plus faibles. Les facteurs qualit chargs des rsea ux d'adaptation doivent alors tre imprativement plus levs, ce qui entraine une diminut ion de la largeur de bande. Cette limitation est essentielle ; peut importe la c omplexit du rseau d'adaptation, le gain doit laisser la place la largeur de bande. U ne ractance ngative place autour d'un transistor attnuera les effets de ses ractances. Mais une rtroaction entraine une diminution du gain, il ya donc lieu de trouver u n compromis appropri entre gain et largeur de bande. amplificateur fonctionnant e n rgime linaire et faible bruit Un amplificateur faible bruit (LNA de langlais Lo w Noise Amplifier) est un dispositif lectronique charg de mettre en forme des sign aux trs faibles en provenance dune antenne. Il est souvent plac proximit du capteu r, de manire minimiser les pertes en ligne ; pour cette raison, il est parfois no mm pramplificateur. Ce type de solution est frquemment utilis pour les systmes travai llant des frquences leves, tels que le signal GPS. Suivant les frquences, llment act f dun amplificateur dentre faible bruit varie : le FET est le moins bruyant jus qu quelques dizaines de mgahertz, suivi par le transistor bipolaire (particulireme nt SiGe), puis de nouveau le FET en GaAs au-del de quelques gigahertz. 34

Caract risation d'un amplificateur Radiofrquence nant en rgime non linaire Chapitre III

amplificateur de puissance fonction

Dans un systme de communications, en raison de la prsence de bruit et de la bande passante de valeur finie, on peut rencontrer, au niveau d'un dispositif linaire, de s distorsions du signal lies des variations d'amplitude et de phase en fonction de la frquence. D'autre distorsion, lies la prsence d'lments non linaires, peuvent appar dans un systme. cette classification peut s'ajouter une seconde classification, dpe ndant de la bande de frquence du fonctionnement. Amplificateur bande troite : 10 1 5 % de largeur de bande autour de la frquence centrale. Les amplificateurs bande t roite utiliss des frquences infrieures 30 MHz ressemblent beaucoup aux amplificateu rs BF liaison par rsistance. Les charges rsistives sont remplaces par des bobines e n parallle ; celles-ci annulent les capacits du transistor en HF. Amplificateur ul tra-large bande : plusieurs octaves de largeur de bande. La plus part des amplif icateurs large bande font appel la rtroaction. Une impda nce d'metteur non dcouple f nit une rtroaction en srie. Une impdance entre le collecteur et la base fournit une rtroaction en parallle. Les amplificateurs large bande et faible bruit emploient frquemment une chaine de rtroaction compose d'lments sans perte, cest--dire ractifs. Caractristiques d'un amplificateur de puissance 2.1. Rendements d'un amplificateur Co nsidrons un amplificateur un tage, selon la figure 3.1.

Figure 3.1 : Bilan de puissance sur un amplificateur. ( ) : Puissance RF de l'entre cateur. ( ) : Puissance RF de sortie amplificateur. ( ) : La puissance fournie pa tinue de l'amplificateur. 35

Caract risation d'un amplificateur Radiofrquence Chapitre III Quel que soit l'amplificateur, le rendement est une grandeur importante qui le car actrise. Il existe trois types de rendement : Le rendement drain ou collecteur (s elon le type de composant) ; Le rendement en puissance ajoute ; Le rendement glob al. Le rendement drain (ou collecteur) est dfini par : ( ) .... (3.1) Le rendement en puissance ajoute est dfini par : ( ) . (3.2) + ( ) ( ) = Le rendement global est : h = =

.................. (3.3) Dans une chaine d'amplificateurs, il est trs frquent d'utiliser une cascade d'amplificat eurs. Dterminons donc le rendement de cette structure (figure 3.2.). Figure 3.2 : amplificateurs en cascade. Pour un seul amplificateur : ( ) = ( (1 1 1 Pour deux amplificateurs en cascade, on obtient : h= 1+ 2 = 2 1+ 2 1 2 1 2 ) ) .. (3.4) =

) = h (1-

(3.5) 36

Caract risation d'un amplificateur Radiofrquence 2.2. Crit res de stabilit Chapitre III

Un amplificateur doit rester stable (et ne pas se mettre osciller) dans son envi ronnement de travail. Un amplificateur qui fonctionne par exemple 100 MHz ne ser a pas satisfaisant s'il produit des oscillations, mme des frquences trs diffrentes, co mme 1GHz. Une mise en oscillation place vritablement le circuit dans un rgime d'excu rsions de grande amplitude ; la simultanit des tats d'amplification et d'oscillation co nduit une totale non linarit. Dans un quadriple linaire unilatrale, on peut dterminer son gain transducique maximum par : = : Coefficient de rflexion. : Paramt r. Ce gain est maximum quand les adaptations en entre et en sortie sont parfaites : 1 = 11 Et 2 = 22 1-|1 |2 |1- 11 1 | 2 | 21 |2 |122 2 |2

1-|2 | 2 . (3.6) = 1 1-| 11 | 2 | 21 |2

1 1-| 22 |2 . (3.7)

Dans le cas o le dispositif ne peut tre considr comme unilatral ( 12 #0), les conditio s d'adaptation en entre et en sortie permettant d'obtenir le gain maximum sont plus c omplexes (figure 3.3.). L'adaptation conjugue sera obtenue si : 12 = 11 + 1-21 1

2 2 22 . (3.8) (3.9) 12 = 22 + 1-21 2

1 1 11

Figure 3.3 : Adaptation conjugue relle. 37

Caract risation d'un amplificateur Radiofrquence 1 : Coefficient de rflexion de l'adapta teur d'entre. 2 : Coefficient de rflexion de l'adaptateur de sortie. : Coefficient d on pour l'entre de l'amplificateur. : Coefficient de rflexion pour la sortie de l'a r. Chapitre III Afin d'obtenir une adaptation conjugue simultane, les deux conditions prcdentes doiven t tre satisfaites simultanment, d'o : 1 = 11 + 1- 12 21 22| 2 + 1 -| 11 1 22 ( - ) 22 1 . (3.10) Rappelons que : 1 = 2 = 1 - 0 1 + 0 2 - 0 2 + 0

(3.11) ................... (3.12)

1 2 sont les impdances prsentes par les rseaux d'adaptation d'entre et de sorti nc partie relle positive. Par consquent, il faut que : 1 < 1 2 < 1 En dveloppant en suite on rsout l'quation du second degr est on dduit que la condition ncessaire et s uffisante pour que l'adaptation simultane soit vrifie est : K= 1- | 11 | 2 - | 22 |2 + | 11 22 - 12 21 | 2 2| 12 21 | > 1 (3.13)

Ce paramtre K reprsente le coefficient de stabilit du quadriple actif. L'tude des critr s de stabilit est trs importante dans la conception d'un amplificateur RF ou micro-o ndes. Un quadriple actif de type amplificateur sera dit inconditionnellement stab le, si la partie relle de l'impdance d'entre et de sortie reste positive pour toutes le s impdances de charge et de source. 38

Caract risation d'un amplificateur Radiofrquence 2.2.1. Rsum des conditions de stabili t Le quadriple sera inconditionnellement stable si : K>1 et > 1 ou si K<1 et ||<1. Le quadriple sera inconditionnellement instable si : K < 0 et > 1 2.3. Gain des a mplificateurs Chapitre III

On dfinit le gain transducique comme le rapport de la puissance dlivre la charge su a puissance disponible sur le gnrateur. Le gain en puissance reprsente le rapport de a puissance dlivre la charge sur la puissance entrant effectivement dans le quadri ple. Enfin, le gain disponible se dfinit comme le rapport de la puissance disponible sur le quadriple sur la puissance disponible du gnrateur (figure 3.4.).

Figure 3.4 : Puissance mises en jeu. : Puissance d'entre du quadriple. : Pu quadriple. : Puissance de gnrateur. : Puissance de charge. Ces diffrents ga nction des paramtres S du quadriple et du coefficient de rflexion de la source et d e la charge : =

= 1-| |2 | 21 |2 (1-| |2 ) | 111 122 12 21 |2

(3.14) 39

Caract risation d'un amplificateur Radiofrquence Chapitre III = =

= 1 1-|1 |2 | 21 |2 |2 |1- 22 |2 1

1-|

.. (3.15) (3.16)

= 1-| |2 |1- 11 |2

| 21 |2 1-|2 |2

Le gain transducique est toujours infrieur ou gal au gain disponible (respectivement au gain en puissance ). 2.4. Adaptation d'impdance L'adaptation d'impdance, surtout lo celle-ci doit tre ralises sur une large bande. En radiocommunication, on cherche t ransfrer une puissance maximale d'une source de tension de rsistance interne vers ge de valeur (Figure 3.5). Figure 3.5 : Transfert de puissance. : Rsistance du gnrateur. n du gnrateur. La tension aux bornes de la charge , vaut : = + . (3.17) La puissance = 2 fournie la charge , vaut :

: Rsistance du ch

2 = ( .. (3.18) On recherche alors si il existe une relation entre 40 , telle que la puissance + )2

Caract risation d'un amplificateur Radiofrquence 2 = ( + )3 Chapitre III .. (3.19) Lorsque

= 0 la puissance

est maximale. Cette condition quivaut la relation bien connue

= . Lorsque la rsistance de charge est gale la rsistance interne du gnrateur dapt e n puissance. La puissance dlivre la charge est maximale et vaut : = Dans le cas de la figure 3.5 2 4 . (3.20) sont des rsistances pures. On peut les impdances et

, l

certainement rencontrer ce cas concret, mais il ne s'agit pas du cas rel le plus frq uent. Gnralement, les impdances et sont des impdances complexes (Figure 3.6).

Figure 3.6 : Gnrateur charg. La puissance dlivre la charge se dduit du courant circul nt dans la maille et de la tension ses bornes : = 2 1 | |2 2 2 + ( + ) 2 ( + ) ( . ) =

......... (3.21) La valeur du couple ( rouve : , ) qui maximise

est obtenue par un calcul aux drives pa

= = On en dduit que le gnrateur dlivre sa puissance maximum s'il est charg par son impdance conjugue. Dans ce cas, cette puissance s'appelle la puissance disponible et vaut : 41

Caract risation d'un amplificateur Radiofrquence = = | |2 8 Chapitre III .. (3.22) L'objectif sera donc de charger chaque lment par son impdance conjugue, afin de favori ser le transfert de puissance. Cette opration s'appelle l'adaptation. 2.5. Linarit des amplificateurs RF A faible niveau, le fonctionnement de l'amplificateur est proche du fonctionnement linaire cependant, fort niveau, les signaux de sortie subissen t des distorsions dues aux conversions d'amplitude AM/AM et de phase AM/PM. Les so urces de courants sont principalement responsables de la variation d'amplitude du signal de sortie en fonction du niveau du signal d'entre et les capacits non linaires induisent un dphasage du signal de sortie galement en fonction du niveau du s ign al d'entre. 2.5.1. Distorsion dues aux lments radiofrquences On distingue deux types de distors ions : la distorsion linaire et la distorsion non linaire. 2.5.1.1. Distorsion linaire La distorsion linaire est provoque par les lments radiofrq uence linaires. Le rgime linaire est considr comme un fonctionnement avec une amplitu de du signal limite et un rapport signal/bruit suffisant. 2.5.1.2. Distorsion non linaire Ces distorsions sont cres par des lments non linaires qui subissent une variation dynamique du niveau de puissance en entre. L'lment le plu s critique pouvant engendrer ce type de distorsions est l'amplificateur de puissan ce. Ces effets non linaires sont caractriss par deux grandeurs appeles compression A M/AM (figure 3.7.) et conversion AM/PM (figure 3.8.). 42

Caract risation d'un amplificateur Radiofrquence Chapitre III Figure 3.7: Compression AM/AM Figure 3.8: Conversion AM/PM. 3. Les technologies et les composants L'lectronique RF forme la base des circuits e ntrant dans les systmes et services modernes de tlcommunications, comme les communi cations mobiles et satellites, internet La technologie CMOS rpond parfaitement au x spcifications techniques, que ce soit en termes de haut intgration, faible conso mmation, faible cout. 3.1. La technologie CMOS RF La technologie utilise pour les circuits intgrs RF raliss sur le silicium. La technologie CMOS permet de disposer d e composants de type P-MOS et N-MOS sur le mme substrat. Elle est utilise pour les circuits numriques et analogiques RF. Les avantages de la technologie CMOS sont un faible cout, une bonne compatibilit avec les circuits numriques, une frquence de fonctionnement leve, une bonne linarit. En revanche, les inconvnients sont une faibl e transconductance et un bruit en 1/f lev. 3.2 Circuits intgrs logiques CMOS (Comple mentary Mtal Oxyde Semi-conducteur) Ces circuits sont raliss partir de transistors effet de champ de type MOS. Ils sont plus faciles fabriquer que les circuits de type TTL, permettent une plus grande intgration grande chelle. Leur principal inco nvnient est leur vitesse de fonctionnement relativement faible par rapport celle de la famille bipolaire. 43

Caract risation d'un amplificateur Radiofrquence 3.2.1 Le transistor MOS canal n Chapitre III La figure 3.9 montre une coupe schmatise d'un transistor MOS canal n, qu'on appelle au ssi transistor NMOS, sous la surface d'un substrat de silicium lgrement dop de type p , l'on cre deux zones fortement dopes de type n, ce qui et reprsente par le symbole n +. Figure 3.9 : Coupe schmatise d'un transistor N-MOS. Ces deux zones sont appeles respectivement la source (S) et le drain (D) du trans istor. La grille (G). La figure 3.10 reprsente le symbole de transistor N-MOS.

Figure 3.10 : Symbole de transistor N-MOS. Fonctionne ment : Cet lment est caractri s par les tensions = , = , la seconde toujours positive, e sitif drain-source. Le transistor (Figure 3.11.) conduit ou passant lorsque > . I loqu lorsque < . Figure 3.11 : Fonctionnement de transistor N-MOS 44

Caract risation d'un amplificateur Radiofrquence 3.2.2 Le transistor MOS canal P Chapitre III La figure 3.12 montre une coupe schmatise d'un transistor MOS canal p, qu'on appelle a ussi transistor P-MOS, sous la surface d'un substrat de silicium lgrement dop de type n, l'on cre deux zones fortement dopes de type p, ce qui et reprsente par le symbole p+. Figure 3.12 : Coupe schmatise d'un transistor P-MOS. Ces deux zones sont appeles resp ectivement la source (S) et le drain (D) du transistor. La grille (G). La figure 3.13 reprsente le symbole de transistor P-MOS.

Figure 3.13 : Symbole de transistor P-MOS Fonctionne ment : Cet lment est caractris par les tensions = , = , la seconde toujours ngative, et p nel positif drain-source. Le transistor (Figure 3.14.) est passant lorsque < . Il oqu lorsque > . Figure 3.14 : Fonctionnement de transistor P-MOS 45

Caract risation d'un amplificateur Radiofrquence 3.2.3. Transistor CMOS Chapitre III La figure 3.15 montre une coupe schmatise d'un transistor CMOS, qui un ensemble de d eux transistors MOS type N et type P. Figure 3.15: Coupe schmatise d'un transistor CMOS. Fonctionne ment :

En fonctionnement normal, les deux transistors (figure 3.16) sont simultanment co nducteurs. Figure 3.16 : Transistor CMOS 4. Le choix de la classe C Le choix aura principalement des consquences sur les c aractristiques lectriques de l'amplificateur et particulirement sur le rendement et l a linarit et le fonctionnement aux frquences leves. 46

Caract risation d'un amplificateur Radiofrquence 4.1. Utilisation de lamplificateur classe C Chapitre III

Ils sont utiliss comme multiplicateur de frquence. L'une des proprits intressantes de mplificateur en classe C satur est que la tension de crte de l'onde sinusodale HF de sortie est directement proportionnelle la tension d'alimentation ( Crte = a ). Lors d ionnement en mode satur classique, la valeur de la constante de proportionnalit, e st approximativement gale 0,9. L'amplificateur en classe C est donc quivalent un mul tiplicateur de tension Ils sont plus couramment utiliss dans les metteurs radio, o le taux de distorsion peut tre rduit grce l'utilisation d'une charge accorde dans l'amp icateur. Le signal d'entre est utilis pour faire commuter le composant actif de pass ant bloqu. Cette tension pulse cre un courant travers un circuit accord. Le circuit accord ne rsonne que pour une gamme de frquences, liminant ainsi les frquences non dsi res. Les amplificateurs de classe C sont aussi utiliss pour raliser des amplificate urs ultrasoniques, hautes frquences slectifs et micro-ondes ainsi que des oscillat eurs hautes frquences. On les utilise pour obtenir un bon rendement en gnral le ren dement typique d'un amplificateur en classe C est de 75-78 %. Conclusion Les princ ipales caractristiques concernant les lments des amplificateurs RF CMOS sont le gai n en puissance, la stabilit, la linarit, la puissance RF, le rendement et le bruit basse frquence. 47

Conclusion Gnrale

CONCLUSION GN RALE

Conclusion gnrale Ce modeste travail nous a permis de combler nos lacunes et d'appro fondir nos connaissances dans des domaines vastes et trs importants en lectronique s des radiofrquences. A travers cette tude, nous avons pu tudier les diffrents types des amplificateurs de puissance et Radiofrquence CMOS, en puissance Classe C. On a remarque que la technologie CMOS et une technologie trs avance et trs utilise en h aute frquence. Et mme la classe C et toujours utilisable avec la radiofrquence CMOS . L'tude dtaille d'un exemple de circuit amplificateur de puissance radiofrquence ne fig ure pas dans ce mini projet cause du fait que les schmas disponibles dpassent nos connaissances actuelles. On note enfin, que notre tude est destine au chercheurs e t ralisateurs de Radiofrquence pour simplifier leurs travails, il est souhaitable d'largir ce genre d'tude pour une utilisation tendue en tlcommunication par Radiofrquen 48

Bibliographie

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