______________________ CAP TULO 2 _______________________

A ESTRUTURA CRI STALI NA DOS SLI DOS

Conceitos Fundamentais


Os materiais slidos podem ser classificados de acordo com a regularidade com a qual
os seus tomos, ou ons, esto arrumados em relao aos seus vizinhos . Um material
cristalino aquele em que seus tomos esto situados numa rede peridica, ou
repetitiva, ao longo de uma dada distancia atmica, isto ; existe uma ordenao atmica
definida tal que durante o processo de solidificao os tomos se posicionam por eles
mesmos segundo um conjunto ( Rede ) tridimensional repetitivo no qual cada tomo est
ligado ao seu tomo vizinho mais prximo.

Todos os metais, muitos materiais cermicos e certos polmeros formam uma estrutura
cristalina sob condies normais de solidificao. Algumas das propriedades dos slidos
cristalinos dependem da estrutura do cristal formado, isto ; a maneira na qual os tomos,
ons ou molculas esto espacialmente arrumados. Fig 3.1 Pag 31 Callister


Clula Unitria

A ordem atmica nos slidos cristalinos indicam que pequenos grupos de tomos formam
uma Rede repetitiva. Assim, nas estruturas cristalinas torna-se conveniente subdividir a
estrutura nessas pequenas entidades que se repetem, chamadas de Clula Unitria.

As clulas unitrias, para a maioria dos cristais, so formadas de paraleleppedos ou
prismas tendo trs grupos de faces paralelas, a qual escolhida para representar a
simetria da estrutura e aonde todas as posies atmicas no cristal podem ser geradas
pela translao das clulas ao longo de suas arestas.

Metal Raio atmico ( nm ) Estrutura Cristalina

Aluminio 0.1431 CFC
Cadmio 0.1490 HC
Cromo 0.1249 CCC
Cobre 0.1278 CFC
Ferro alfa 0.1241 CCC
Ferro gama 0.1241 CFC


Fig 3.2 e 3.3 Callister

Polimorfismo e Alotropia

Alguns metais , bem como no metais, podem ter mais que uma estrutura cristalina. Este
fenmeno conhecido como Polimorfismo . Quando acontece nos slidos elementares
este chamado de Alotropia. Assim a estrutura cristalina que prevalece depende tanto
da Temperatura quanto da Presso externa.

Um exemplo bastante tpico encontrado no Carbono: O Grafite uma fase alotrpica
estvel do Carbono temperatura ambiente enquanto que o Diamante, outra fase
alotrpica desse elemento, formado em presses extremamente altas. O Ferro puro
tambm apresenta este fenmeno, de forma que temperatura ambiente se cristaliza no
sistema CCC at alcanar 912 C para se transformar em CFC.


Sistemas Cristalinos

Uma vez que existem muitas estruturas cristalinas diferentes algumas vezes mais
conveniente dividi-las em grupos de acordo com a configurao da clula unitria ou por
seus arranjos atmicos. Estes esquemas esto baseados na geometria da clula, isto ;
na forma do paraleleppedo mais apropriado para aquela configurao.

Baseado nisso, um sistema de coordenadas x, y, z estabelecido de forma que sua
origem coincida com um dos vrtices da clula unitria e cada um dos eixos coincida com
uma das trs arestas do paraleleppedo que se extende a partir da origem pr-
estabelecida. Fig 3.4 Callister



A geometria da clula unitria completamente definida em termos de 6 parmetros : Os
trs comprimentos das arestas a, b e c e os trs ngulos interaxiais o, | e . A esses
elementos d-se o nome de Parmetros da Rede. Tabela 3.2 pag 37 callister

Exerccio : Faa uma pesquisa apropriada e determine o que , e como se calcula,
os seguintes parmetros :
1) Nmero de Coordenao
2) Fator de empacotamento.


Planos e Direes Cristalogrficas

Ao estudar os materiais cristalinos, muitas vezes torna-se necessrio especificar alguns
planos cristalogrficos de tomos ou direes cristalogrficas. Desta forma, uma
conveno tem sido estabelecida na qual trs ndices so usados para designar estas
direes e estes planos. A base para determinar o valor destes ndices a clula
unitria com um sistema de coordenadas consistindo de trs eixos x, y e z situados em
um dos vrtices e coincidindo com a aresta da clula unitria. Fig 3.4 Callister

Direes Cristalogrficas

Uma direo cristalogrfica definida como uma linha entre dois pontos , ou um vetor. Os
paos seguintes so utilizados para se determinar os trs ndices direcionais :

1) Um vetor de comprimento conveniente posicionado tal que ele passe atravs da
origem do sistema de coordenadas. Qualquer vetor pode ser transladado atravs da
estrutura cristalina sem alterao desde que o paralelismo seja mantido.

2) O comprimento da projeo do vetor sobre cada um dos trs eixos determinado :
eles so medidos em termos das dimenses a, b e c da clula unitria.

3) Esses trs nmeros podem ser multiplicados ou divididos por um fator comum para
reduzi-los ao menor valor de ndice possvel.

4) Os trs ndices so representados por trs nmeros, no separados por vrgulas,
dentro de uma chave, isto : [ uvw ] . Os ndices u, v e w correspondem s projees
reduzidas ao longo dos eixos x, y e z , respectivamente.

Para cada um dos trs eixos existiro as coordenadas tanto negativa quanto positiva .
Assim os ndices negativos so tambm possveis e so representados por uma barra
sobre o ndice apropriado. Por exemplo a direo [ 111 ] teria uma componente na
direo y .

Tambm, mudando-se os sinais de todos os ndices produz-se uma direo antiparalela
que [ 111 ] e diretamente oposta a [ 111 ] .

As direes [ 100 ] , [ 110 ] e [ 111 ] so as mais comuns. Fig 3.5 Callister


Planos Cristalogrficos

As orientaes dos planos de uma estrutura cristalina so representadas de uma maneira
similar. Novamente, a clula unitria a base com o mesmo sistema de trs eixos
coordenados e representados anteriormente. Fig 3.4 Callister

Em todos os sistemas, exceto o Hexagonal Compacto, os planos cristalogrficos so representados
por trs ndices h, k e l chamados de ndices de Miller e representados entre parntesis sem o uso
de vrgulas tal como ( hkl ) . Quaisquer dois planos paralelos so equivalentes e tem ndices
idnticos. Fig 3.8 Callister








O procedimento empregado na determinao dos ndices h, k e l o seguinte :

1) Se um plano passa atravs de uma origem selecionada, ou outro plano paralelo deve
ser construdo dentro da clula unitria, por uma translao apropriada, ou uma nova
origem deve ser estabelecida no vrtice de outra clula unitria.

2) Neste ponto o plano cristalogrfico intercepta, ou paralelo, a cada um dos trs eixos;
o comprimento do intercepto planar para cada um dos eixos determinado em termos
dos parmetros da Rede a, b e c .

3) Os recprocos destes nmeros devem ser tomados. Um plano que paralelo a um
eixo pode ser considerado como tendo um intercepto no Infinito e, consequentemente,
seu recproco, ou ndice, apresentar valor igual a zero.

4) Se necessrio estes trs nmeros devem ser transformados por multiplicao ou
diviso, por um fator comum, para os ndices menores possveis e inteiros.

5) Finalmente os ndices integrais, no separados por vrgulas, so representados entre
parnteses da forma ( hkl ) .

Da mesma forma que na representao das direes, um intercepto do lado negativo da
origem deve ser indicado por um sinal de menos sobre o ndice apropriado. Fig 3.8 Callister

Arranjos Atmicos

O arranjo atmico para um plano cristalogrfico, que muitas vezes de interesse,
depende da estrutura do cristal e varia de uma estrutura cristalina para outra. Os planos
atmicos ( 110 ) das estruturas CFC e CCC, por exemplo, apresentam diferenas
substanciais no empacotamento atmico. Fig 3.9 e 3.10 Callister

Uma Famlia de planos, de um determinado sistema cristalino, contm todos aqueles
planos que so cristalograficamente Equivalentes, isto ; os planos que apresentam o
mesmo empacotamento atmico. Uma famlia de planos deve ser designada por ndices
que se apresentam representados entre chaves.

Por exemplo : { 100 }, do sistema cbico, a famlia constituda dos planos ( 100 ),
( 010 ) e ( 001 ) . Faa uma observao para a mesma famlia do sistema tetragonal.

A famlia { 111 }, do sistema cbico, a famlia dos planos :

( 111) ( 111 ) ( 111 ) ( 111 ) ( 111 ) ( 111 ) ( 111 ) ( 111 )




As imperfeies nos Slidos

A princpio todos acreditamos que numa estrutura cristalina existe uma situao de ordem
perfeita em escala atmica. Entretanto tal slido idealizado como perfeito no existe e,
muito pelo contrrio, todos apresentam um grande nmero de vrios tipos de defeitos ou
IMPERFEIES.

De fato, muitas das propriedades dos materiais so profundamente sensitivas a esse
desvio da perfeio cristalina; Essa influncia nem sempre adversa e muitas vezes
algumas caractersticas especficas so deliberadamente aproveitadas pela introduo de
uma quantidade controlada de um defeitos particulares.

Chama-se de Defeito Cristalino uma irregularidade da rede tomada por uma ou mais de
suas dimenses na ordem de um dimetro atmico. A classificao das imperfeies
cristalinas feita, frequentemente, de acordo com a geometria ou a dimensionalidade do
defeito.

Pode-se encontrar vrios tipos de imperfeies diferentes, incluindo :
- Defeitos de Pontos que esto associados com uma ou duas posies atmicas.
- Defeitos lineares
- Defeitos planares , bidimensionais, associados com interfaces e contornos
- Impurezas nos slidos


Os Defeitos de Ponto


O defeito de ponto mais simples que existe a Lacuna ou Vacncia, isto ; um stio
atmico da rede que apresenta a falta de um tomo. Tais vacncias so formadas
durante a solidificao do material ou podem ser causadas pela resultado de vibraes
atmicas que deslocam alguns tomos de suas posies normais na estrutura atmica
cristalina.

Outro tipo de defeito pontual o prprio tomo constituinte da rede colocar-se
intersticialmente na rede cristalina, que um pequeno espao vazio entre os tomos da
rede, ao invs de colocar-se um sua posio pontual definitiva.

Nos metais este tipo de defeito introduz distores relativamente grandes, naquela regio
vizinha ao defeito, porque este tomo substancialmente maior que a posio intersticial
que ele est ocupando. Consequentemente, a probabilidade de ocorrer a formao deste
tipo de defeito no alta, perdendo em importncia para as Vacncias. Fig 4.1 e 4.2 do Callister





As impurezas nos slidos

praticamente impossvel encontrar um metal puro que seja 100% constitudo de um
nico tipo de tomo. Impurezas e tomos estranhos estaro sempre presentes e alguns
deles se apresentaro como defeitos de pontos.

A maioria dos metais mais conhecidos no so altamente puros , ao contrrio, eles so o
que chamamos de ligas; nas quais tomos de impurezas tem sido adicionados
intencionalmente para se conseguir caractersticas especficas para aquele material.

A adio de alguns elementos em determinadas ligas usada para melhorar a
Resistncia mecnica e a resistncia a corroso.

A adio de um tomo de impureza num metal resultar na formao de uma soluo
slida e/ou numa Segunda fase , dependendo da espcie da impureza, sua
concentrao e a temperatura da liga. Uma soluo slida se forma quando um soluto se
dissolve num solvente de forma que a estrutura cristalina do solvente mantida e
nenhuma outra nova estrutura formada.

Existem dois tipos de impurezas ( defeitos de ponto ) encontradas nas solues slidas:

Substitucionais e as intersticiais .

Os tomos de impureza ,ou soluto, Substitucionais so tomos que substituem os
tomos do componente principal, solvente, nas suas posies tpicas da rede cristalina.

Existem vrios fatores que caracterizam a solubilizao do soluto no solvente,
substitucionalmente. So eles :

1) Tamanho atmico Quantidades apreciveis de soluto podem ser acomodadas
neste tipo de soluo slida somente quando a diferena entre os raios atmicos dos
dois tipos de tomos menor que cerca de 15%. Caso contrrio os tomos de soluto
criaro uma distoro substancial na rede e uma nova fase se formar.

2) Estrutura Cristalina Para que se tenha uma solubilidade slida aprecivel as
estruturas cristalinas de ambos os tipos de tomos devem ser as mesmas.

3) Eletronegatividade Quanto mais eletropositivo for um dos elementos e mais
eletronegativo for o outro, maior ser a probabilidade deles formarem um composto
intermetlico ao inves de uma soluo slida substitucional.

4) Valencia Um metal ter maior tendencia de dissolver outro metal de maior valencia
do que de outro de menor valencia.



Os defeitos de linha - Discordancias

Uma DISCORDANCIA um defeito linear ou unidimensional em torno do qual alguns
tomos ficam fora do alinhamento natural da rede cristalina. Podem ser do tipo ARESTA
ou em ESPIRAL conforme as figuras. Figs 4.3 a 4.6 Calister.

Uma discordancia em aresta se situa ao longo da base de uma poro extra de um
plano de tomos, chamado de PLANO EXTRA ( half-plane ), perpendicular ao plano da
pgina, e que denominamos de Linha da discordancia. Na regio em torno da linha da
discordancia existe uma distoro localizada na rede.

Os tomos acima da linha da discordancia, aonde se situa o plano extra, so mantidos de
certa forma juntos e aqueles da regio inferior linha de discordancia apresentam uma
tendncia de serem puxados, uns em direo aos outros, levando a uma ligeira curvatura
dos planos verticais de tomos.

A intensidade desta distoro diminui a medida que os planos verticais de tomos se
afastam da linha da discordancia at se normalizarem num cristal perfeito. Vale lembrar
que o semi-plano de tomos pode estar inserido na metade superior ou na metade
inferior.

Existe um outro tipo de discordancia , chamada de ESPIRAL, que pode ser imaginada
como sendo formada pela ao de uma tenso de cizalhamento aplicada para produzir
uma distoro, conforme mostrada na figura ( Fig 4.4 Casllister ) : a regio frontal superior do
cristal foi deslizada, para direita, de uma distancia atmica em relao a poro da base.
Nesse caso tambm possvel definir uma linha da discordancia em torno da qual se
encontra a distoro.

Na verdade a maioria das discordancias encontradas nos cristais no so,
provavelmente, nem ARESTAS puras nem ESPIRAIS puras, mas exibem componentes
de ambos os tipos e so qualificadas como DISCORDANCIAS MISTAS .

A intensidade e a direo da distoro da rede, associada com as discordancias, so
expressas matematicamente por meio de um vetor, chamado de vetor de Burgers, e
definido pela orientao relativa da linha da discordancia, isto ; para a discordancia em
aresta o vetor perpendicular a linha da discordancia e para a Espiral ele paralelo.











Defeitos de Interface

Os defeitos interfaciais so defeitos que tem duas dimenses e normalmente separam
regies do material que apresentam diferentes estruturas cristalinas e/ou orientaes
cristalogrficas. Dentre estas imperfeies esto includas : Superfcies externas,
contornos de gro, contornos de maclas, falhas de empilhamento e contornos de
fases.

Superfcie externa um dos contornos mais bvios, ao longo dos quais termina a
estrutura dos cristais. Os tomos da superfcie no esto ligados ao nmero mximo de
tomos vizinhos mais prximos e como consequncia apresentam um estado de energia
mais alto que os tomos nas posies interiores Energia Superficial

Contornos de Gro um contorno de separao entre dois cristais ou gros que tem
diferentes orientaes cristalogrficas nos materiais policristalinos ( Fig 4.7 Callister ) . Esta
regio de contorno se apresenta numa faixa restritia de transio de, provavelmente,
pequenas distancias atmicas e na qual existe alguma desorientao em relao a
orientao cristalina de um gro em relao a outro adjacente.

So possveis vrios graus de desalinhamento cristalogrfico entre gros adjacentes, isto
; quando este desvio de orientao suave, da ordem de poucos graus, chama-se
Contorno de Baixo Angulo. Estes contornos podem ser descritos em termos de redes
de discordancias ( fig 4.8 Callister ) numa situao similar a de um alinhamento de
discordncias em aresta alinhadas umas do lado das outras conforme a figura.

Nos Contornos de alto ngulo os tomos esto ligados menos regularmente ao longo
deste contorno e consequentemente existe uma energia interfacial similar a energia de
uma superfcie externa, anteriormente citada. Assim, a intensidade desta energia uma
funo do grau de desorientao nestes contornos de alto angulo.

Os contornos de gros so mais reativos quimicamente que o interior deles devido a essa
energia de contorno associada a eles. Alem disto tomos de impurezas muitas vezes
segregam, preferencialmente, ao longo destes contornos devido ao seu maior estado de
energia.

Contornos de Maclas um tipo especial de contorno de gro atravs do qual existe
uma simetria definida tal qual um espelho ( Fig 4.9 Callister ) isto ; os tomos que esto
localizados de um dos lados do contorno apresentam tomos simtricos numa posio
imagem no outro cristal do lado .

As maclas so resultantes de deslocamentos atmicos devido a aplicao foras
mecnicas de cizalhamento ( Maclas Mecnicas ) ou devido a tratamentos trmicos de
Recozimento seguidos de deformao ( Maclas de Recozimento ).

A formao das Maclas ocorre em planos cristalogrficos definidos e em direes
especficas de forma a estabelecer uma relao com a estrutura cristalogrfica.
Exame Microscpico

Na microscopia tanto a microscopia tica quanto a microscopia eletrnica podem ser
usadas. Estes instrumentos ajudam nas investigaes dos elementos microestruturais de
todos os tipos de materiais.


Microscopia eletrnica se divide em Microscopia eletrnica de Transmisso ( TEM ) e
Microscopia Eletrnica de Varredura ( SEM )


Discordncias e Deformao Plstica

A deformao plstica de um material corresponde a movimentao de um grande
nmero de discordancias. Podemos observar nas figuras ( Figs 7.1 a 7.4 ) que o movimento
das discordancias se d de acordo com o seu tipo , em termos da direo da tenso de
cizalhamento aplicada em relao a sua linha.

ARESTA linha da discordancia perpendicular a tenso de cizalhamento

ESPIRAL linha da discordancia paralela a tenso de cizalhamento.

Durante o processo de movimentao das discordancias possvel que haja a interao
entre discordancias de espcies diferentes, podendo as mesma se somarem, subtrarem
ou se anularem, para uma variedade de orientaes.

Durante o processo de deformao plstica o nmero de discordancias aumenta
consideravelmente podendo chegar a nmeros to altos quanto 10
10
por mm
2
.

Uma importante fonte destas novas discordancias so as prprias discordancias
existentes , as quais se multiplicam, bem como contornos de gro, defeitos interfaciais ,
irregularidades superficiais e etc, que na verdade atuam como concentradores de tenso


Sistemas de deslizamento

As discordancias no se movem com o mesmo grau de facilidade sobre todos planos e
direes cristalogrficas possveis. Ao contrrio, ordinariamente, existem planos
preferenciais e em tais planos existem as direes especficas ao longo das quais a
movimentao das discordancias ocorre.

Este plano chamado de PLANO DE DESLIZAMENTO e a direo chamada de
DIREO DE DESLIZAMENTO . A combinao do plano de deslizamento com uma
direo de deslizamento especfica chamada de SISTEMA DE DESLIZAMENTO .

Esses planos e direes so aqueles que apresentam a maior densidade atmica planar
e direcional, respectivamente. ( Tabela 7.1 Callister ) .

O Deslizamento em Monocristais

Conforme mencionado anteriormente o deslizamento ocorre devido a aplicao de uma
tenso de cizalhamento que atua no plano de deslizamento mais favorvel , na direo
de deslizamento.

Sempre que se aplica uma tenso, mesmo que de compresso, em um monocristal
existir uma componente de cizalhamento alinhada dentro dos limites paralelo e
perpendicular direo da tenso aplicada. A esta Tenso de cizalhamento chamamos
de : TENSO DE CIZALHAMENTO RESOLVIDA

t
R
= o. cos | . cos

sua intensidade depende no somente da tenso aplicada, mas tambm da orientao,
tanto do plano de deslizamento quanto direo dentro deste plano. ( Fig 7.7 )

| - Representa o angulo entre a normal ao plano de deslizamento e a direo a tenso
aplicada

- Representa o angulo entre as direes de deslizamento da tenso aplicada.

o - Tenso de trao aplicada.