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ELECTRNICA










GUA DEL ALUMNO

SECRETARA DE EDUCACIN PBLICA
SUBSECRETARA DE EDUCACIN SUPERIOR E INVESTIGACIN
CIENTFICA
SUBSISTEMA DE UNIVERSIDADES TECNOLGICAS
COORDINACIN GENERAL DE UNIVERSIDADES TECNOLGICAS

ELABOR:
GRUPO DE DIRECTORES DE LA CARRERA DE
MANTENIMIENTO INDUSTRIAL
REVIS:
COMISIN ACADMICA NACIONAL DEL
REA ELECTROMECNICA INDUSTRIAL
APROB:
COORDINACIN GENERAL DE UNIVERSIDADES
TECNOLGICAS
FECHA DE
ENTRADA EN
VIGOR:
SEPTEIMBRE 2001

Revisi n no. 0. Fecha de revi si n: Septiembre, 2001 Pgina 1 de 11 F-CADI-SA-MA-31-GP-A
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I. DIRECTORIO

DR. REYES TAMES GUERRA
SECRETARO DE EDUCACIN PBLICA

DR. J ULIO RUBIO OCA
SUBSECRETARIO DE EDUCACIN SUPERIOR E INVESTIGACIN CIENTFICA

DR. ARTURO NAVA J AIMES
COORDINADOR GENERAL DE UNIVERSIDADES TECNOLGICAS

RECONOCIMIENTOS

Ing. Gui l lermo Gonzlez Ibarra / Uni versi dad Tecnol gi ca del Estado de Zacatecas
Ing. Gustavo Hernndez Flores / Universi dad Tecnolgica del Estado de Zacatecas
Ing. Eduardo Contreras Barba / Universidad Tecnol gica del Norte de
Aguascali entes
Ing. Hctor Snchez Estrada / Universidad Tecnol gi ca del Norte de Aguascali entes
Ing. Juan Francisco Nez / Universidad Tecnol gi ca de Aguascal ientes
Ing. Mauro Martnez Oropeza / Uni versi dad Tecnol gi ca de Aguascal ientes
Ing. Daniel Tristn Esquivel / Uni versi dad Tecnolgica de Len
Ing. Al ma Adriana Camacho Prez / Universi dad Tecnolgi ca de Len
Ing. Feli pe de J. Velzquez Gonzlez / Universidad Tecnolgica de San Luis Potos

ELECTRONICA D.R. 2001
ESTA OBRA, SUS CARACTERSTICAS Y DERECHOS SON PROPIEDAD DE LA: COORDINACIN
GENERAL DE UNIVERSIDADES TECNOLGICAS (CGUT) FRANCISCO PETRARCA No. 321, COL.
CHAPULTEPEC MORALES, MXICO D.F.
LOS DERECHOS DE PUBLICACIN PERTENECEN A LA CGUT. QUEDA PROHIBIDA SU
REPRODUCCIN PARCIAL O TOTAL POR CUALQUIER MEDIO, SIN AUTORIZACIN PREVIA Y POR
ESCRITO DEL TITULAR DE LOS DERECHOS.

ISBN (EN TRMITE)
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IMPRESO EN MXICO.
PRESENTACIN DE LA ASIGNATURA.

En la actualidad podemos decir que una de las aplicaciones de la ciencia se ha colocado de
manera importante en nuestras vidas, dndonos comodidad y efectividad en el desarrollo de
nuestra vida diaria. Nos estamos refiriendo a la mezcla de las ciencia bsicas que se denomina
de manera popular ELECTRNICA. Esta materia la cual simplifica la vida nos ser muy
til en el desarrollo de sistemas en los cuales el TSU se apoya para la solucin de diversos
problemas en las empresas, realizando un trabajo de calidad, y alto rendimiento producto
de una educacin fuerte en donde adquiri habilidades y conocimientos para su aplicacin
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NDICE

CONTENIDO PAGINA
I. DIRECTORIO Y RECONOCIMIENTOS 2
II. NDICE 4
III. INTRODUCCIN DE LA ASIGNATURA 5
IV. DIAGNSTICO DE CONOCIMIENTOS 6
V. DESARROLLO DE CONTENIDOS 8

UNIDAD I. EL DIODO Y SU FUNCION
UNIDAD II. EL TRANSISTOR Y SU FUNCIN.
UNIDAD III. TIRISTORES (SCR, TRIAC Y DIAC)
UNIDAD IV. EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL Y SUS
FUNCIONES
8
18
33
88
VI. REFERENCIAS 152
VII. GLOSARIO 153
VIII. ANEXOS (FIGURAS, TABLAS, ETC.) 154
Evaluacin del curso, taller, materiales.
Resultados Finales de evaluacin del aprendizaje

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III. INTRODUCCIN DE LA ASIGNATURA.


El presente curso, busca cubrir los aspectos fundamentales de la
electrnica, los cuales implican las mediciones elctricas en equipo electrnico
con el multmetro y el osciloscopio, la operacin y prueba mediante algunas
aplicaciones- de los dispositivos semiconductores bsicos: diodo rectificador,
transistor, scr, triac, etc., sin olvidar los amplificadores operacionales y sus
funciones generales.


Este curso debe ser llevado a cabo desde una visin contextual, que
permita al alumno relacionar cada tema con una aplicacin real la que
encontrar en la industria -; debe tener en cada una de sus prcticas el
instrumento necesario para comprender, no solo los conceptos vistos en la teora,
sino adems el medio que le lleve a encontrarse con nuevos conocimientos; el
propsito del curso es el de otorgar las bases necesarias para desarrollar
posteriormente la capacidad de analizar un sistema que implique componentes o
subsistemas electrnicos.

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IV. DIAGNSTICO DE CONOCIMIENTOS.
Conteste en forma correcta.
1. Qu entiende por electrnica y a que se refirieren los trminos digital y
analgico?.






2. Mencione los componentes electrnicos que conozca.




3. Qu es un material semiconductor y mencione algunas aplicaciones?




4. Qu entiende por amplificador operacional?






5. Qu tipos de Transistores conoce?.





6. Qu es una fuente de voltaje?




7. Qu es un regulador de voltaje?



8. Cmo funciona el diodo y cuales son sus principales aplicaciones?



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V DESARROLLO DE CONTENIDOS

UNIDAD I
INTRODUCCIN

En esta unidad es la parte donde inicia el conocimiento de los dispositivos
electrnicos, pues a partir de aqu se revisan los dispositivos bsicos empleados
en los circuitos electrnicos; as, esta parte del curso, se enfoca a algunos de los
dispositivos electrnicos de dos terminales como son: los diodos rectificadores, los
diodos zener y los diodos led.

Cada uno de los dispositivos sealados se aborda desde sus caractersticas
bsicas hasta su aplicacin en circuitos de aplicacin como rectificadores, fuentes
de voltaje de c.c., circuitos indicadores, etc.
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OBJETIVOS Y CRITERIOS DE APRENDIZAJE Pgina
1 Evaluar el funcionamiento del diodo rectificador mediante el armado y
la puesta en operacin de sus circuitos de polarizacin directa e
inversa; as como de la verificacin de los parmetros elctricos
desarrollados en cada circuito.
1.1 Reconocer las caractersticas del diodo rectificador.

1.2 Demostrar el modelo ideal del diodo rectificador en un circuito de
polarizacin directa e inversa.


2 Evaluar la operacin de una fuente de alimentacin de voltaje de c.c.
no regulada.
2.1 Probar la operacin de una fuente de voltaje de c.c. no regulada.

2.2 Examinar los parmetros elctricos bsicos en una fuente de
voltaje de c.c. no regulada.

2.3 Seleccionar la especificacin requerida por los elementos de una
fuente de voltaje de c.c.


3 Evaluar la operacin de una fuente de voltaje de c.c. regulado,
construida por medio de circuitos integrados.
3.1 Emplear los circuitos integrados reguladores de voltaje de c.c.

3.2 Probar la operacin de una fuente de voltaje de c.c. regulada por
circuito integrado.


4 Identificar las caractersticas comunes de los diodos
semiconductores, a partir de usar el diodo zener y el diodo led.
4.1 Probar circuitos reguladores bsicos con diodo zener.

4.2 Probar circuitos de sealizacin bsicos con diodo led.

5 Aplicar circuitos electrnicos donde se emplean celdas
fotoconductoras y celdas solares.
5.1 Identificar la funcin de las celdas fotoconductoras en circuitos
electrnicos.

5.2 Identificar la funcin de las celdas solares en circuitos
electrnicos.

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DEMOSTRACIN DE HABILIDADES PARCIALES
(RESULTADO DE APRENDIZAJE)
Pgina
Explicar:

1.1.1 Las diferencias entre los semiconductores intrnsecos y
extrnsecos.

1.1.2 Las caractersticas de los semiconductores tipo N y tipo P.

1.1.3 La construccin del diodo rectificador.

1.1.4 El smbolo del diodo rectificador.

1.1.5 La polarizacin a la que puede someterse el diodo rectificador
(directa e inversa).

1.1.6 La operacin del diodo rectificador a travs de cada tipo de
polarizacin (directa e inversa).

1.1.7 El "modelo elctrico ideal" que representa al diodo en la
polarizacin directa y en la inversa

1.1.8 Localizar los parmetros elctricos principales del diodo rectificador
en un manual de semiconductores.
1.2.1 Identificar las terminales del diodo rectificador mediante el
multmetro.

1.2.2 Analizar las condiciones operativas (estado) del diodo rectificador
mediante el multmetro.

1.2.3 Construir los circuitos para polarizar el diodo en sentido inverso y
directo.

1.2.4 Comprobar la operacin de los circuitos de polarizacin directa e
inversa del diodo rectificador.


Describir en los circuitos rectificadores de media onda y onda
completa (con 2 y con 4 diodos):

2.1.1 Su operacin.

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2.1.2 La forma de onda de los voltajes de entrada y de salida.


Explicar en una fuente de voltaje de c.c. no regulada:
2.1.3 La funcin de cada elemento.

2.1.4 La forma en que trabaja cada elemento.

2.1.5 La forma de onda de los voltajes presentes en cada seccin de la
fuente.

2.1.6 El procedimiento de prueba de cada elemento.



Calcular para una fuente de voltaje de c.c. no regulada:

2.1.1 El voltaje de c.c. a la salida.

2.1.2 El factor de rizo.

2.1.3 El % de RV.


Obtener, de manera prctica, en una fuente de voltaje de c.c. no
regulada:

2.1.4 El voltaje de c.c. a la salida.

2.1.5 El factor de rizo.

2.1.6 El % de RV.


Determinar, considerando una carga elctrica especfica:
2.3.1 Las especificaciones de la fuente de voltaje de c.c. no regulada.

2.3.2 El diagrama de la fuente de voltaje de c.c. no regulada.

2.3.3 Las caractersticas especficas de cada uno de los elementos de la
fuente de voltaje de c.c. no regulada.


2.3.4 Describir el concepto de regulacin de voltaje.

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2.3.5 Identificar las diferentes familias de circuitos integrados reguladores
de voltaje de c.c.

2.3.6 Interpretar las diferentes especificaciones (elctricas y fsicas) de
los circuitos integrados reguladores de voltaje de c.c.

2.3.7 Reconocer cada una de las terminales de un circuito integrado
regulador de voltaje de c.c.

3.2.1 Formular el diagrama elctrico de una fuente de voltaje de c.c.
regulada.

3.2.2 Seleccionar los elementos necesarios para la construccin de una
fuente de voltaje de c.c. regulada.

3.2.3 Ensamblar una fuente de voltaje de c.c. que utilice circuito
integrado regulador.

3.2.4 Medir los diferentes parmetros en cada seccin de la fuente de
voltaje de c.c. regulada.

3.2.5 Examinar una fuente de voltaje de c.c. regulada considerando su:
A) El factor de rizo; B) El % de RV; C) La carga que se le demanda.


Describir, el diodo zener considerando:
4.1.1 Su construccin.

4.1.2 Su smbolo elctrico.

4.1.3 Sus terminales.

4.1.4 Su operacin.

4.1.5 Su prueba.

4.1.6 Sus especificaciones.

4.1.7 Evaluar la operacin un circuito regulador con diodo zener.

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Describir, el diodo led considerando:
4.2.1 Su construccin.

4.2.2 Su smbolo elctrico.

4.2.3 Sus terminales.

4.2.4 Su operacin.

4.2.5 Su prueba.

4.2.6 Sus especificaciones.

4.2.7 Calcular las resistencias limitadoras de corriente para los diodos led
de un circuito de sealizacin.


Describir, las celdas fotoconductoras considerando:
5.1.1 Su construccin.

5.1.2 Su smbolo elctrico.

5.1.3 Sus terminales.

5.1.4 Su operacin.

5.1.5 Su prueba.

5.1.6 Sus especificaciones.


Describir, las celdas solares considerando:
5.2.1 Su construccin.

5.2.2 Su smbolo elctrico.

5.2.3 Sus terminales.


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5.2.4 Su operacin.

5.2.5 Su prueba.

5.2.6 Sus especificaciones



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SECCIN TERICA.

DESARROLLO.

SEMICONDUCTORES.
El rtulo semiconductor, por s mismo, proporciona una pista en cuanto a
sus caractersticas. El prefijo semi normalmente se aplica a cualquier cosa
intermedia entre dos lmites. El trmino conductor se aplica a cualquier material
que permita un flujo abundante de carga debido a la aplicacin de una cantidad
limitada de presin elctrica interna. Un semiconductor, por consiguiente, es un
material que tiene un nivel de conductividad entre los extremos de un aislador
(muy baja conductividad) y un conductor (como el cobre, que tiene un nivel alto de
conductividad).
Inversamente relacionada a la conductividad de un material est su
resistencia al flujo de carga, o corriente. Esto es, entre ms alto sea el nivel de
conductividad, ms bajo es el nivel de resistencia.
La resistividad de un material puede examinarse notando la resistencia de
una muestra que tenga una longitud de 1 cm y un rea transversal de 1 cm
2
, como
se aprecia enseguida:

R = ()( l)/(A)
Donde,
R es la resistencia
es la resistividad
l es la longitud
A es el rea

Entonces, si a la pieza antes citada se le mide su resistencia podramos
calcular con ese dato su resistividad, despejndola de la frmula anterior.








La siguiente tabla proporciona valores tpicos de resistividad para tres
categoras amplias de materiales.

VALORES DE A TEMPERATURA AMBIENTE (300 K)
Conductor Semiconductor Aislador
10
6
cm (cobre)

50 cm (germanio)
50x10
3
cm (silicio)
10
12
cm (mica)

1cm
1 cm
1 cm
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An familiarizado con las propiedades elctricas del cobre y la mica, las
caractersticas de los materiales semiconductores como el germanio (Ge) y el
silicio (Si) pueden ser realmente nuevas. El germanio y el silicio son los materiales
semiconductores que se han utilizado con mayor frecuencia en el desarrollo de
dispositivos electrnicos semiconductores.

El germanio y el silicio pueden fabricarse con un alto nivel de pureza;
actualmente se detienen materiales cuyas impurezas son de una parte en 10,000
millones; UNO PODRA preguntarse si esos niveles de pureza son necesarios; y la
respuesta es que si lo son, pues agregando una parte mas de impureza (del tipo
adecuado) por un milln a una oblea de silicio, puede entonces pasar de ser un
pobre conductor a uno muy bueno. Estamos tratando con un espectro
completamente nuevo de valores de comparacin cuando tenemos que ver con el
medio semiconductor.

La habilidad para cambiar significativamente las caractersticas del material
por este proceso, se conoce como doping (implantacin o adiccin).

Tambin la conductividad de material semiconductor puede ser alterada
significativamente por la aplicacin de calor, o de luz algo que es utilizado para
desarrollar dispositivos sensibles al calor o a la luz.

Los tomos de germanio y silicio forman un patrn definido que es
peridico, es naturaleza (continuamente se repite). A un patrn completo se le
denomina cristal y al arreglo peridico de los tomos se les denomina enrejado





Cualquier material compuesto solamente de estructuras de cristal
repetitivas de la misma clase se denomina estructura MONO-CRISTAL.

Para materiales semiconductores de aplicacin prctica en el campo de la
electrnica, existe la estructura monocristal y, adems la periodicidad de la
Estructura de un cristal de silicio y
germanio
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estructura no cambia significativamente agregando impurezas en el proceso de
implantacin (dopado) (doping).

Como se indica en la figura, el tomo de germanio tiene 32 electrones
orbitando, mientras que el silicio tiene 14. En cada caso hay 4 electrones en la
corteza ms externa (electrones de valencia). El potencial de ionizacin, que es el
potencial requerido para retirar cualquiera de estos 4 electrones de valencia es
menos que el que se requiere para cualquier otro electrn de la estructura.





En un cristal de Ge Si estos cuatro electrones de valencia estn unidos
a 4 tomos adjuntos. Como se muestra en la figura; tanto al Silicio como al
Germanio se les denomina tomos TETRAVALENTES debido a que cada uno
tiene 4 electrones de valencia.




El tipo de enlace, formado por el comportamiento de electrones se
denomina Enlace Covalente.

Aunque el enlace covalente se traducir en un enlace ms fuerte entre los
electrones de valencia y su tomo Padre, es posible todava que los electrones de
valencia absorban suficiente energa cintica por causas naturales para romper los
enlaces covalentes y adquirir el estado libre.
Estructura atmica: (a) germanio; (b) silicio
Enlace covalente del tomo de silicio
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Estas causas naturales comprenden efectos tales como energa luminosa
en forma de fotones y energa trmica de los alrededores. A temperatura ambiente
hay 1.5 X 10
10
portadores libres en un centmetro cbico de material de silicio
intrnseco .

Los materiales semiconductores intrnsecos son aquellos que han sido
cuidadosamente refinados para reducir las impurezas a un nivel muy bajo. Los
electrones libres en el material debido solo a causas naturales, se les denomina
portadores intrnsecos.

A temperatura ambiente, el germanio tiene 2.5 X 10
13
portadores libres por
centmetro cbico. Indica que el germanio es mucho mejor conductor que el silicio
a temperatura ambiente.

Un cambio de temperatura puede, en un material semiconductor
incrementar el nmero de electrones libres en forma bastante sustancial. Este
mayor nmero de portadores aumentar el ndice de conductividad y se traducir
en un nivel de resistencia ms bajo. Los materiales semiconductores como el Ge
y el Si, que muestran una reduccin en resistencia con un aumento en la
temperatura, se dice que tienen un coeficiente negativo de temperatura.

Ustedes recordarn que la resistencia de la mayora de los conductores
aumenta con la temperatura (COEFICIENTE POSITIVO DE TEMPERATURA).

La mayor parte de las sustancias slidas presentan sus molculas
ordenadas en forma de figuras geomtricas llamadas cristales, que son
caractersticas para cada una. Los tomos que integran esas molculas pueden
estar unidos de tres formas:
- Enlace inico.- Iones unidos por fuerzas de naturaleza electrosttica.
- Enlace covalente.- Comparten parte de electrones.
- Enlace metlico.- comparten los electrones libres entre todos los tomos.


NIVELES DE ENERGA

En la estructura atmica aislada hay niveles discretos (individuales) de
energa asociados con cada electrn orbitante. Cada material tendr, en realidad,
su propio conjunto de niveles permisibles de energa para los electrones de su
estructura atmica. Entre ms distante est el electrn del ncleo, ms alto es el
estado de energa y cualquier electrn que abandone su tomo padre tiene
estado de energa ms alto que cualquier electrn en la estructura atmica. Entre
los niveles discretos de energa hay varios en que no pueden aparecer electrones
en la estructura atmica aislada.

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Cuando los tomos se juntan (para un material) para formar la estructura
enrejada del cristal, hay una interaccin entre los tomos que se traducir en que
los electrones en una rbita particular de un tomo tengan niveles ligeramente
diferentes de los electrones de la misma rbita de un tomo adjunto. El resultado
neto es una expansin en los niveles discretos de los posibles estados de energa
de los electrones de valencia a los de las bandas; vea esto en la figura.







Note que hay todava niveles de frontera y estados mximos de energa en
que se puede encontrar un electrn en el enrejado atmico, y que queda una
regin prohibida entre la banda de valencia y el nivel de ionizacin.

Recuerde que la ionizacin es el mecanismo por medio del cual un electrn
puede absorber suficiente energa para liberarse de la estructura atmica y
juntarse con los portadores libres en la banda de conduccin.

Note que la energa se mide en un electrn volts (eV).

W=P.t w=energa P=VI Q= Carga
p=potencia
t
Q
I =
t =tiempo

t P w - =
T I V - - =
t
t
Q
V - =


Niveles de energa: (a) niveles discretos en estructuras
atmicas aisladas; (b) bandas de conduccin y valencia de un
aislador, semiconductor y conductor
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Por lo tanto:

W

S 1 electrn =1.6 X 10
-19
Coulombios

1 e V =w = (1V) (1.6 X 10
-19)




Es preferible en este caso usar el eV, en lugar de J .

A cero grados Kelvin (0K) el cero absoluto, todos los electrones de
valencia de los materiales semiconductores estn en la banda de valencia. Sin
embargo a temperatura ambiente (300K) un gran nmero de electrones ha
adquirido suficiente energa para entrar en la banda de conduccin, esto es, para
brincar el vaco de 1.1 eV para el silicio y 0.67 eV para el germanio. El valor
obviamente ms bajo de Eg para el germanio es responsable por el mayor
nmero de portadores en este material en comparacin con el silicio a temperatura
ambiente.

Vea que para un aislador el vaco de energa es tpicamente de 5eV o ms.
Muy pocos electrones pueden adquirir la energa requerida a la temperatura
ambiente y el material permanece como un aislador.

El conductor tiene electrones en la banda de conduccin an a 0K. Por
consiguiente, a la temperatura ambiente hay suficientes portadores libres para
mantener un flujo fuerte de carga o corriente.


MATERIALES EXTRNSECOS TIPOS n y P

Las caractersticas de los materiales semiconductores se pueden alterar
significativamente aadiendo ciertos tomos de impurezas a un material
semiconductor relativamente puro.

Estas impurezas aunque se agreguen solamente una parte en 10 millones
pueden alterar la banda de estructura suficientemente para cambiar totalmente las
propiedades elctricas del material.

Un material semiconductor que se ha sometido a este proceso de doping
se le denomina material EXTRNSECO.

Hay dos materiales extrnsecos de gran importancia para la fabricacin de
dispositivos semiconductores: EL TIPO N Y EL TIPO P


W=QV en joules
1 e V =1.6 X 10
-19
joules
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SEMICONDUCTOR TIPO N

Tanto los materiales tipo n como los de tipo P, se forman agregando un
nmero predeterminado de impurezas a una base de Germanio o Silicio.

El semiconductor tipo n se crea aadiendo todos aquellos elementos de
impurezas que tengan 5 electrones de valencia (pentavalente), tal como el
antimonio (5b), arsnico (As) y Fsforo (P).

Vea en la figura que los cuatro enlaces covalentes todava estn presentes.
Hay sin embargo un quinto electrn adicional debido al tomo de impureza, que
est desasociado con cualquier enlace covalente particular. Este electrn
sobrante, enlazado dbilmente a su tomo padre (antimonio), es relativamente
libre de moverse dentro del material tipo n. Puesto que el tomo de impureza ha
donado un electrn relativamente libre a la estructura, a las impurezas con cinco
electrones de valencia se les denomina tomos donantes.




Es importante tener presente que aunque un gran nmero de portadores
libres se han establecido en el material n, este es todava elctricamente neutro
puesto que idealmente el nmero de protones es igual al nmero de electrones.

El efecto de este proceso de doping en la conductividad relativa puede
describirse mejor por un medio del uso del diagrama de Bandas de Energa.




Impureza de un antimonio en el
material tipo n
Efecto de las impurezas del donante en la
estructura de banda de energa
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Note que un nivel discreto de energa (nivel donante) aparece en la banda
prohibida con un Eg significativamente menor que el material intrnseco. Todos
aquellos electrones libres debidos a la impureza descansan en este nivel de
energa para moverse en la banda de conduccin a temperatura ambiente, hay un
gran nmero de portadores (electrones) en el nivel de conduccin y la
conductividad del material aumenta considerablemente.


SEMICONDUCTOR TIPO P

Se forma implantando (doping) a un cristal de germanio o silicio puro de
tomos de impureza que tengan tres electrones de valencia. Los elementos mas
utilizados para este fin son boro (B), galio (Ga) e indio (In).



Vea en la figura el efecto del Boro en una base de silicio. Note que ahora
hay un nmero insuficiente de electrones para completar los enlaces covalentes
del nuevo enrejado. La vacante resultante es denominada HUECO y se representa
por un pequeo crculo con signo positivo, debido a la ausencia de carga negativa.
Puesto que el HUECO aceptar rpidamente un electrn libre, las impurezas
agregadas se denominan tomos aceptadores. El material tipo P es
elctricamente neutro, por las mismas razones que el tipo n.





Impureza de boro en el material tipo p
Flujo de electrones vs huecos
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Si un electrn de valencia adquiere suficiente energa cintica para romper
su enlace covalente y llega hasta el hueco, entonces un hueco es creado en el
enlace que liber el electrn; hay por consiguiente una transferencia de huecos a
la izquierda y de electrones a la derecha. Usaremos el flujo convencional de
manera habitual, el cual corresponde al flujo de huecos.

En el estado intrnseco, el nmero de electrones libres en el Ge y el Si se
debe solamente a aquellos pocos electrones de la banda de valencia que han
adquirido suficiente energa de fuentes trmicas o luminosas para romper el
enlace covalente o las pocas impurezas que no pudieron retirarse. Las vacantes
dejadas atrs en la estructura de enlace covalente representa nuestro suministro
muy limitado de huecos. En un material tipo n, el nmero de huecos no ha
cambiado significativamente de su nivel intrnseco. El resultado, neto, por lo tanto,
es que el nmero de electrones sobrepasa el nmero de huecos. Por esta razn
al electrn se le denomina Portador Mayoritario y al hueco portador minoritario.

Note que en el material P ocurre que el nmero de huecos sobrepasa al
nmero de electrones libres; entonces aqu los huecos son los portadores
mayoritarios y los electrones son los portadores minoritarios.





CORRIENTES DE DIFUSIN Y CONDUCCIN

En un material semiconductor se presentan corrientes o de conduccin o de
difusin.

La corriente de conduccin se relaciona directamente con el mecanismo
que se encuentra en el flujo de carga de un conductor.

Cuando un voltaje se aplica a travs del material los electrones son llevados
de manera natural al extremo positivo. Sin embargo, las colisiones con los otros
tomos, iones y portadores que se encuentran en su movimiento pueden
traducirse en un cambio errtico. El resultado neto, sin embargo, es una corriente
de conduccin de cargas al extremo positivo.

(a) material tipo n; (b) material tipo p
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El concepto de corriente de difusin se describe mejor, considerando el
efecto de colocar una gota de colorante en una piscina con agua clara. La
concentracin fuerte del colorante se difundir eventualmente por toda el agua
clara. El color ms oscuro de la concentracin fuerte de colorante, originar una
sombra mucho ms clara cuando se diluye en el lquido. El mismo efecto sucede
en un material semiconductor si una concentracin fuerte de portadores se
introduce en una regin. Este movimiento es debido solamente a la interaccin
entre tomos vecinos; no hay fuente aplicada de energa.






EL DIODO SEMICONDUCTOR

Los semiconductores tipo n y tipo representan los bloques de
construccin bsicos de los dispositivos semiconductores. La unin de un material
simple tipo n y un material tipo P constituye el diodo semiconductor (construido
de la misma base: Ge Si). En el instante en que los materiales se juntan los
electrones y los huecos de la regin de unin, se combinar generando una
perdida de portadores en la regin cercana a la unin. Esta regin desprovista de
iones positivas y iones negativos se denomina regin de agotamiento, debido al
agotamiento de portadores en esta regin.


Cuando se unen los dos semiconductores (tipo n y tipo P) unos cuantos
electrones se difunden desde el material n al P en donde llenan unos cuantos
huecos; en esa regin el material n queda con carga positiva y el tipo P con
carga negativa. Si no estuviera activo ningn otro proceso ms que la difusin, al
Corriente de conduccin
Corriente de difusin: (a) introduccin elevada de portadores en una regin
del material semiconductor; (b) condicin de estado estacionario
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final habra una uniformidad total de los huecos y electrones en todo el material.
Afortunadamente hay otros procesos que limitan la difusin; una barrera o
potencial electrosttico la retarda. La barrera se crea como resultado del
movimiento de una carga negativa que se mueve en el interior del material tipo
P, dejando una carga positiva en el material tipo n. Se ha creado una capa de
transicin (o capa agotada) por la difusin de electrones y la subsecuente
recombinacin con los huecos. En efecto, se cre un potencial de unin que est
opuesto en signo a las designaciones de los materiales.



EL DIODO IDEAL

El diodo semiconductor es uno de los bloques de construccin de una
amplia variedad de sistemas electrnicos que se utilizan hoy en da.

El diodo ideal es un dispositivo de los terminales que tiene el smbolo y
caractersticas que se muestran en la figura.




En esta grfica vemos que cuando el diodo es polarizado en sentido directo
(nodo +y ctodo -) entonces el diodo ideal puede considerarse un corto circuito.
Unin p-n sin potencial externo
V
I
D
+ -
I
VD
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O = = = 0
0
vo alorpositi cualquierv I
V
R
f
f
f


+ =


R
f
=resistencia interna del diodo en sentido directo (forward)
V
f
=voltaje en sentido directo
I
f
=corriente en sentido directo

Por otra parte cuando un diodo ideal es polarizado en sentido inverso
(nodo y ctodo +) entonces el diodo ideal puede considerarse un circuito
abierto.


O =

= =
0
, 20 , 5 ininversa epolarizac potenciald cualquier
I
V
R
r
r
r


infinito, nmero muy grande, entonces:



R
r
=resistencia del diodo en sentido inverso (reverse)


Como ejemplo de introduccin de la aplicacin prctica de un diodo
consideremos el proceso de rectificacin, por medio del cual un voltaje alterno se
convierte en un voltaje de C.C. (corriente contnua).



Corto circuito
+
-
Circuito abierto
=
=
V(t) R
Vo
R
Vo
0 t t 2
0 180 360
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Para la regin definida de 0 a t (semiciclo positivo) del voltaje de
entrada, la polaridad del voltaje a travs del diodo ser positiva y entonces
tendremos:
=
R
R
Vo
+
-
+ -
Vd
+
-
+
-
+
-
Representacin
de un diodo
ideal
=
V(t)



Para la regin de t a 2 t (semiciclo negativo) de voltaje de entrada, la
polaridad del voltaje a travs del diodo ser negativa y entonces tendremos.




CONDICION DE POLARIZACIN INVERSA

Si un potencial externo de V voltios se aplica a travs de la unin p-n de
tal manera que el terminal positivo se conecte al material tipo n y el terminal
negativo al material tipo P como se muestra en la figura, el nmero de iones
descubiertos en la regin de agotamiento del material n subir debido al gran
nmero de electrones libres atrados por el potencial positivo del voltaje aplicado.
Por razones similares, el nmero de iones negativos descubiertos en el material
P aumentar. Sin embargo, el efecto neto o total es una ampliacin de la regin
de agotamiento. Esta ampliacin establecer una gran barrera que deben vencer
los portadores mayoritarios, reduciendo efectivamente el flujo de portadores
mayoritarios a cero.
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Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que entran por s solos a
la regin de agotamiento no cambiar, producindose un vector de flujo de
portadores minoritarios de la misma magnitud que cuando no hay voltaje en el
diodo y est formndose la barrera de potencial o regin de agotamiento. La
corriente que existe durante estas condiciones se denomina CORRIENTE DE
SATURACIN INVERSA (I
s
). Rara vez excede en magnitud valor rpidamente y
no cambia significativamente con un aumento en el potencial de polarizacin
inverso.



CONDICIN DE POLARIZACIN DIRECTA

Se establece la condicin de polarizacin directa aplicando un potencial
positivo al material tipo P y un potencial negativo al material tipo n. Vea en la
figura que el flujo de portadores minoritarios no ha cambiado en magnitud, pero la
reduccin en la anchura de la regin de agotamiento se ha traducido en un flujo
ms fuerte de los portadores mayoritarios subir exponencialmente con un
incremento de la polarizacin directa como se indica en las curvas de la figura
1.25 las similitudes con la curva de un diodo ideal para un voltaje negativo muy
grande. Observe el levantamiento rpido de la curva en el primer cuadrante y la
cada abrupta del tercer cuadrante.

Reiteramos, el primer cuadrante, representa la regin de polarizacin
directa y el tercer cuadrante representa la regin de polarizacin inversa. Note el
cambio extremo en las escalas tanto para el voltaje como para la corriente en la
figura 1.26



Unin p-n polarizada inversamente
Unin p-n polarizada directamente
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Se puede demostrar por medio del uso de la fsica del estado slido que la
corriente del diodo puede relacionarse con la temperatura (T
K
) y la polarizacin
aplicada V, como sigue:
(

= 1
TK
KV
S D
e I I
I
S
= Corriente inversa de saturacin
K =11.6/n n=1 para Ge
n=2 para Si

T
K
=T
c
+ 273

T
K
=Temperatura en grados kelvin
T
c
=temperatura en grados centgrados




HOJAS DE ESPECIFICACIONES DEL DIODO

Los datos de dispositivos semiconductores especficos son proporcionados
normalmente por el fabricante en dos formas. Una es la descripcin muy breve del
dispositivo que permite una revisin muy rpida de todos los dispositivos
disponibles en unas pocas pginas. La otra es un examen completo del
dispositivo, incluyendo grficos, aplicaciones, etc.

Hay ciertos datos, sin embargo, que normalmente aparecen en cualquiera
de los dos. Estos se incluyen a continuacin:
1. Voltaje mximo en sentido directo V
F(mx)
(a una corriente y temperatura
especficas).
2. La corriente mxima en sentido directo I
F(mx)
(a una temperatura especfica).
3. La corriente inversa mxima I
R(mx)
(a una temperatura especfica).
4. La especificacin de voltaje inverso (PIV) PRV V
(BR)
, donde BR procede del
trmino ruptura (a una temperatura especfica).
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5. Mxima capacidad.
6. Mximo t
rr.

7. La temperatura mxima de operacin (o de envoltura).

Dependiendo del tipo de diodo que se est utilizando, se pueden
proporcionar datos adicionales, tales como rango de frecuencia, nivel de ruido,
tiempo de conmutacin, niveles de resistencia trmica, y valores repetitivos de
pico.

Si la especificacin de mxima disipacin de potencia se proporciona
tambin, se debe entender que es igual al producto siguiente:




TABLA 1.2 DIODOS DE APLICACIN GENERAL

Mximo I
R

Corriente directa 25 C 150C
Tipo de
dispositivo
I
F
(mA) V
F
(V)
V
BR

(V)
V uA V uA
IN46
3
1,0 1,0 200 175 0,5 175 30
IN462 5,0 1,0 70 60 0.5 60 30
IN459A 100,0 1,0 200 175 0,025 175 5
T151 200,0 1,0 20 10 1

NOTACIN DEL DIODO SEMICONDUCTOR
La notacin ms frecuente utilizada para los diodos semiconductores se
proporciona en la figura 1.38. para la mayora de los diodos cualquier marca tal
como un punto o una banda, aparece al lado del ctodo. La terminologa del
nodo y ctodo es el resultado de la notacin de tubos de vaco.

El nodo se refiere al potencial ms alto o positivo y el ctodo al terminal
ms bajo o negativo. En general, la mxima capacidad de corriente de los diodos
en la figura, aumenta de izquierda a derecha. Para cada uno el tamao crece con
la especificacin de corriente para asegurar que puede manejar la disipacin,
adicional de potencia. Todos con excepcin del diodo de perno estn limitados a
unos cuantos amperios.


P
Dmx
= D D I V -
Notacin del diodo semiconductor
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VERIFICACIN DEL DIODO CON EL OHMETRO

La condicin de un diodo semiconductor puede determinarse rpidamente
con el ohmetro. La batera interna de la seccin del ohmetro polarizar al diodo en
sentido directo o inverso cuando se aplica.

Si el terminal positivo (comnmente el rojo) se conecta al nodo y l terminal
negativo (comnmente el negro) se conecta al ctodo, el diodo se polariza en
sentido directo y el medidor debe indicar una resistencia baja.

Con la polaridad invertida la batera interna polarizar al diodo al contrario
(polarizacin inversa) y la resistencia debe ser muy alta.

Una resistencia baja en polarizacin inversa indica que el diodo est en
corto ; mientras que una resistencia alta con polarizacin directa indica que el
diodo est abierto .
Observe la figura:




CIRCUITOS EQUIVALENTES

Un circuito equivalente es una combinacin de elementos escogidos para
representar en la mejor forma las caractersticas terminales de un dispositivo. Esto
es, una vez que se determina el circuito equivalente, el smbolo del dispositivo
puede retirarse de los esquemas y el circuito equivalente se puede insertar en su
lugar sin afectar severamente el comportamiento del sistema total.

Una tcnica para obtener un circuito equivalente para un diodo es
aproximar las caractersticas del dispositivo por segmentos de lnea recta, como
se muestra en la figura

Prueba con ohmetro de un diodo semiconductor. (a) polarizacin
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Este tipo de circuito equivalente se denomina circuito equivalente
seccionalmente lineal. Es obvio de cada curva que los segmentos de lnea no se
traducen en un equivalente exacto entre las caractersticas y el circuito
equivalente. Sin embargo, si proporcionar por lo menos una primera
aproximacin a su comportamiento final. En cada caso la resistencia elegida es la
resistencia de c.a. promedio.

Vd
Id



El circuito equivalente es, pues:



El diodo ideal se incluye en el circuito equivalente para indicar que hay
solamente una direccin de conduccin en el dispositivo y que el estado de
r
av
=
Punto a punto
Circuito equivalente seccionalmente continuos del diodo semiconductor
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polarizacin inversa es un estado de circuito abierto. Puesto que un diodo
semiconductor de silicio no alcanza el estado de conduccin hasta
aproximadamente 0.7V, una batera Vo aparece en el circuito equivalente. Esto
indica que el voltaje directo total a travs del diodo debe ser mayor que Vo antes
de que el diodo ideal en el circuito equivalente est polarizado en sentido directo.

Hay que tener presente, sin embargo, que Vo no es una fuente
independiente de energa; no se obtiene un valor Vo = 0.7V a travs de un diodo
aislado de silicio usando simplemente un voltmetro.

El valor del r
av
puede determinarse usualmente a partir de unos pocos
valores numricos dados en las hojas de especificaciones. Las caractersticas
completas, por tanto, son, innecesarias para este clculo. Por ejemplo, para un
diodo semiconductor, Si I
F
=10
m
A a 1V, conocemos que para el silicio se requiere
un desplazamiento de 0.7V antes de que la caracterstica suba y entonces:


Vd
Idv


Por lo tanto el circuito equivalente para este diodo sera:



Veamos algunos ejemplos donde emplearemos el circuito equivalente:



r
av
=
=
1-0.7
10
m
A
=
0.3
10 X 10
-3

=

30
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Para la red de la figura determine el voltaje a travs de R, la cada total Vo
en el diodo y la resistencia de corriente continua equivalente del diodo.


Dibujemos el esquema incluyendo el circuito equivalente; pues como 20V
es mucho mayor que 0.7V el diodo ideal est polarizado directamente y por lo
tanto habr conduccin.



20
v
= 0.7V +I
D
(30) +I
D
(2000) =
20 0.7 =I
D
(30+2000)
I
D
= 9.5 mA
V
R
=(9.5 X 10
-3
) (2000) = 19V
V
D
=20 V
R
=1


La resistencia de corriente continua equivalente del diodo







Examinando los resultados anteriores, vemos que es obvio que la
resistencia de 30 es muy pequea comparada con la de 2000 y por esto se
puede eliminar, del circuito equivalente obteniendo una muy buena aproximado
para el diodo de silicio.


R
cc
= =
V
D

I
D

1

9.50 X 10-3
R
cc
= 105.2 O


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Realizamos los clculos anteriores para comprobarlo


20V =0.7 +I
D
(2000)
19.3 =I
D
( 2000)
I
D
= 19.3 / 2000 =9.6 mA

V
R
=I
D
R =(9.6 x 10
-3
) ( 2000) =19.2 V
V
D
=0.7 V

En realidad podemos avanzar un paso ms y decir que los 0.7V se pueden
ignorar, dejando solamente el diodo ideal como equivalente del diodo
semiconductor. Es por esta razn que muchas aplicaciones utilizan en su
resolucin al diodo ideal en lugar del circuito equivalente completo. Con excepcin
de pequeos voltajes aplicados o pequeas resistencias en serie, no se est
demasiado lejos de la respuesta actual y no se obscurece la aplicacin con gran
cantidad de ejercicios matemticos.



EJ EMPLO:
Para el circuito de la figura determine el voltaje de salida utilizando el
utilizando el diodo semiconductor con su circuito equivalente completo.


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S redibuja el circuito con el circuito equivalente sustituyendo al diodo
semiconductor.



El diodo entra en su estado de conduccin hasta que el voltaje aplicado sea 0.7V


Cuando el voltaje en la entrada es mximo (5V) tendramos:

v =0.7 +I
d
(r
av
+200)
(5 0.7) / (30 + 200) =I
d
=0.01869 A

I
d
=18.6mA V
R
=3.72 V

Cuando v =3 Volts Id = (3 0.7) / (30 +200) =0.01 A =10mA

V
R
=(10 X 10
-3
) (200) =2V

Para voltejear menores a OV, el diodo ideal est polarizado en sentido
inverso y V
R
=OV; para aplicaciones donde el voltaje de entrada vara grandemente
con relacin al voltaje en el diodo este circuito equivalente dar excelentes
resultados.

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Sin embargo, consideramos ahora, la situacin de pequea seal en que la
regin de operacin es muy limitada; a corrientes de 10
m
A (elevada) usamos la
ecuacin:

2
26
+ =
d
m
d
I
V
r
As entonces:

O = + = 54 2
10
26
A
V
r
m
m
d

Mientras que para 0.5
m
A:

O = + = 54 2
5 . 0
26
mA
mV
rd

Aqu vemos que el valor promedio r
au
puede estar lejos de la realidad, y por lo
tanto no es preciso.

Para aplicaciones de seales pequeas donde la seal se superpone al
nivel de c.c., el diodo siempre est polarizado en sentido directo y el diodo ideal
puede reemplazarse por su equivalente de corto circuito.

El nivel de c.c. de Vo se puede retirar del equivalente para la RESPUESTA
DE C.A. puesto que solo determinar el nivel de corriente contnua de
superposicin y no afectar el valor pico-pico (p-p)de la respuesta de C.A.
Encontraremos en el anlisis de sistemas electrnicos que la respuesta de c.c. y la
respuesta de c.a., normalmente pueden determinarse en forma separada. Esto es,
el teorema de superposicin puede usualmente aplicarse.

Veamos el siguiente ejemplo:

En el siguiente circuito determine el voltaje a travs del diodo.

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Solucin:
El nivel de c.c. de 2V garantizar que el diodo est polarizado siempre en
sentido directo. El equivalente de CC aparece enseguida;




I
D
=? 2 =IDR +0.7
I
D
= mA
R
13
100
7 . 0 2 7 . 0 2
=



2
26
+ =
Id
mV
r
d

O = + = + = 4 2 2 2
13
26
mA
mV
r
d



El circuito de c.a., equivalente se dibuja y se determina el voltaje de c.a. a travs
del diodo.

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Por lo tanto tenemos:




RECTIFICACIN DE MEDIA ONDA

El proceso de rectificacin de media onda puede verse en la siguiente
figura,



Las redes de rectificacin de este tipo son mas comnmente empleadas en
la conversin de seales sinusoidales c.a. (con promedio igual a cero) a formar de
onda pulsantes que tiene niveles promedio positivos o negativos. Por medio de la
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accin de filtraje, un nivel estacionario de c.c. puede obtenerse para obtener los
requisitos internos de c.c. de un sistema.

Para determinar el valor promedio de la seal rectificada calcularemos el
rea bajo la curva de la figura 1.79 y dividimos este valor por el perodo de la onda
rectificada.



Para calcular el rea de la curva bajo el semiciclo de la seal rectificada, debemos
integrar la seal rectificada.

V
dc
=0.318V
m
Para rectificado de onda

V
dc
=Valor Promedio de voltaje rectificado

V
m
=Pico mximo valor del voltaje de c.a.

Ejemplo:
Calcular el voltaje promedio de la seal rectificada obtenida en el siguiente
circuito.


Seal rectificada de media onda
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EL VOLTAJE INVERSO DE PICO (PIV)

Una especificacin importante del diodo es el voltaje inverso de pico (PIV)
el cual significa el voltaje mximo en polarizacin inversa que el diodo puede
soportar. Para el circuito anterior el voltaje de pico cuando est polarizado
inversamente es _Vm



Esto indica una caracterstica pobre del rectificador de media onda, que es,
que la especificacin del PIV del diodo debe de ser considerablemente mayor que
el voltaje V
dc
para el circuito.
La especificacin de corriente directa (I
F
) del diodo debe ser igual, al
menos, a la corriente promedio a travs de l: I
d
=V
dc

R
La corriente de pico a travs del diodo es I
max
=V
m
y debe ser menos la
especificacin de corriente de pico del diodo.


R
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RECTIFICACIN DE ONDA COMPLETA

Rectificador de onda completa con transformador con derivacin central. Es
preferible obtener un gran voltaje c.c. comparado con el mximo voltaje que el
rectificador de media onda nos da.

Usando dos diodos, como se muestra en la figura siguiente, es posible
rectificar la seal sinusoidal para obtener una salida que tenga la misma polaridad
para cada medio ciclo de la seal de entrada.



Es decir el rectificador de onda completa nos da una salida que posee la misma
polaridad para cada medio ciclo de la seal de entrada.

Esta seal rectificada de onda completa proporciona una seal que tiene
dos veces el valor de c.c. de la seal rectificada de media onda.

V
dc
=0.636V
m
V
dc
=para un rectificador de onda completa

Para indicar como opera el circuito al generar la onda de salida
consideramos en detalle la operacin del circuito para cada medio ciclo del voltaje
secundario.



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La figura muestra la operacin del circuito para el semiciclo positivo del
voltaje secundario. El transformador tiene derivacin central y un voltaje de pico,
Vm, se desarrolla en cada mitad del transformador. En estas condiciones el diodo
D1 se polariza en sentido directo por lo cual conduce. Con el diodo D1
conduciendo, un semiciclo positivo de voltaje se desarrolla en la resistencia R
como se muestra; vea que el pico mximo de voltaje sobre la resistencia es V
m
.

La polaridad de voltaje desarrollado en la mitad inferior del transformador se
traduce en que el diodo D2 est polarizado inversamente. Adems el voltaje de
polarizacin inverso a travs del diodo D2, que es el mximo en el instante en que
est presente el voltaje V
m
, es la suma de los voltajes a travs de la mitad inferior
del transformador y de la resistencia de carga son de la misma polaridad. UN
DIODO EN ESTE CIRCUITO DEBE SER POR TANTO CAPAZ DE MANEJ AR UN
VOLTAJ E DE POLARIZACIN INVERSA IGUAL A DOS VECESEL VALOR DEL
VOLTAJ E DE PICO DESARROLLADO A TRAVS DE LA SALIDA.

Durante el semiciclo negativo el diodo D2 en la figura 1.83B est polarizado
directamente, y el diodo D1 est polarizado inversamente; la corriente fluye por la
mitad inferior del transformador pero en la misma direccin de la resistencia R; el
voltaje de salida desarrollado a travs de la resistencia para el semiciclo negativo
de la seal de entrada, es entonces de la misma polaridad que para el semiciclo
positivo de la seal de entrada. EL VOLTAJ E INVERSO DE PICO A TRAVS DE
D1 ES 2v
m
, de tal manera que el diodo debe ser capaz de soportar un voltaje
inverso de 2V
m
.

EL VOLTAJ E DE SALIDA RESULTANTE PARA UN CICLO COMPLETO
DEL VOLTAJ E DE ENTRADA ES DOS SEMICICLOS POSITIVOS.

V
cd
=2(0.318) V
m
=0.636 V
m
(Rectificador de onda completa)

La desventaja de este circuito rectificador es que requiere un diodo
especificado a dos veces el voltaje V
m
; adems requiere un transformador con
derivacin central que tenga dos veces la especificacin del voltaje total.

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CIRCUITO RECTIFICADOR TIPO PUENTE

Otra variante del circuito de un rectificador de onda completa es el circuito
rectificador tipo puente. Este circuito requiere 4 diodos para rectificacin completa
pero el transformador utilizado no tiene toma central y desarrolla un voltaje
mximo de V
m
en lugar de 2V
m
.



Al considerar como opera el circuito debemos entender como se forman las
rutas de conduccin y no conduccin durante cada mitad del ciclo de c.a.



Durante el semiciclo positivo, los diodos D2 Y D3 estn polarizados en
forma directa; al mismo tiempo los diodos D1 y D4 quedan polarizados
inversamente, esto representa la ruta de no conduccin para el semiciclo positivo
de la seal de entrada. Analizando el voltaje inverso en los diodos de la ruta de no
conduccin vemos que este es igual a V
m

Durante el semiciclo negativo, los diodos D1 y D4 estn polarizados en
sentido directo; note cuidadosamente que la corriente I, que circula en R, lo hace
en la misma direccin que durante el semiciclo positivo. El voltaje a travs de R
siempre posee la misma polaridad. Durante el semiciclo negativo los diodos D2 y
D3 no conducen y el voltaje de pico inverso desarrollado sobre cada uno de ellos
es V
m
.

Este rectificador brinda las ventajas:

a) No requiere transformador con derivacin central.
Circuito rectificador puente de onda completa
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b) El PIV requerido para cada diodo s la mitad con respecto al rectificador
anterior.
Para valores bajos del mximo voltaje secundario, el circuito rectificador de
onda completa con transformador con derivacin con derivacin centra, es
aceptable; mientras que para valores altos del mximo voltaje secundario, el uso
de circuitos puente reduce la especificacin mxima del transformador y del PIV
del diodo requerido.

FILTROS Y FUENTES DE PODER

Un circuito rectificador, es necesario para convertir una seal que tiene un
valor promedio de cero a una que tiene un valor promedio diferente de cero. Sin
embargo, la seal de c.c. pulsante, no es an una seal de d.c. pura o an una
buena presentacin.

Por consiguiente, para un circuito como el cargador de una batera la
naturaleza pulsante de la seal no es un gran detrimento siempre y cuando el nivel
de c.d. provisto pueda cargar la batera. Por otra parte, para circuitos de voltaje de
alimentacin para una grabadora, un radio, un medidor electrnico, etc., la seal
de c.c. pulsante originar una seal de 60Hz (120 Hz) que aparece en la salida, lo
que hace que la operacin sea pobre. Para estas aplicaciones, como tambin para
otras ms, el voltaje de c.c. de salida desarrollado tendr que ser mucho mas liso
que el de la seal c.c. pulsante obtenida directamente de los circuitos
rectificadores de media onda o de onda completa.

REGULACIN DE VOLTAJE CON FILTRO Y VOLTAJE DE RIZO

Antes de entrar en los detalles del circuito filtro sera apropiado considerar
el mtodo usual de clasificar los circuitos de tal manera que seamos capaces de
comparar la efectividad de un circuito como un filtro. La figura 14.1 muestra el
voltaje de salida tpico de un filtro, que se utilizar para definir algunos factores de
la seal. El voltaje filtrado de salida tiene un valor de c.c. (rizado). Aunque una
batera tiene esencialmente un voltaje de salida constante c.c.; el voltaje c.c.
derivado de una seal de c.a. rectificada u el filtraje, tendr alguna variacin
(rizado). Entre ms pequea sea la variacin de c.a. de la seal con respecto al
nivel de c.c., mejor ser la operacin del circuito filtro.

Forma de onda de voltaje del filtro que muestra los voltajes cc y de rizado
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Considere que estamos midiendo el voltaje de salida de un circuito filtro,
utilizando un voltmetro de c.c. y un voltmetro de c.a. (rms). El voltmetro de c.c.
leer solamente el promedio o nivel de c.c. del voltaje de salida. El medidor de c.a.
(rms) leer solamente el valor rms de la componente c.a. del voltaje de salida
(suponiendo que la seal es acoplada al medidor por medio de un condensador
para bloquear el nivel de c.c.).

Definicin:
Rizado =r = Voltaje de rizado (rms) = V
r(rms)
X 100%
Voltaje de c.c. V
cc



REGULACIN DE VOLTAJE

Otro factor de importancia en una fuente de voltaje, es la cantidad de
cambio en el voltaje de c.c. de salida sobre el rango de operacin del circuito. El
voltaje proporcionado a la salida sin carga (sin ninguna corriente drenada de la
fuente) se reduce cuando se tiene que drenar corriente de la fuente de suministro.
Ciando cambia este valor de voltaje Con y sin carga es de considerable inters
para cualquiera que dese utilizar la fuente. Este cambio de voltaje se describe
por un factor denominado REGULACIN DE VOLTAJE.

RV =V
NL
V
FL
X 100%
V
FL


Ejemplo:
Una fuente voltaje de c.c. proporciona 60Vcuando la salida no tiene carga.
Cuando se drena corriente de plena carga de la fuente el voltaje de salida de c.c.
cae a 56V. Cul es el valor del porcentaje de regulacin de voltaje?

RV =60 - 56 X 100% =7.1%
56

si el voltaje de salida de c.c. de una fuente tiene el mismo valor sin carga y a plena
carga, entonces RV=0%, que es el mejor que podemos esperar. Esto significa que
el voltaje de salida de la fuente es independiente de la corriente que se le drena.




Regulacin de voltaje
de una fuente de
alimentacin
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FACTOR DE RIZADO DE LA SEAL RECTIFICADA

Aunque el voltaje rectificado no es un voltaje filtrado, de todas maneras
contiene una componente de c.d. y una componente de rizado. Podemos calcular
estos valores del voltaje c.c. y del voltaje rizado (rms) y a partir de ellos obtener el
factor de rizado para los voltajes rectificados de media onda y de onda completa.

- Para una seal rectificada de media onda:

Vcd =0.318Vm
Vr(rms) =0.385Vm

Por lo tanto el factor de rizado es:

r =V
r(rms)
X 100% =0.385 V
m
X 100% =121%
V
cd
0.318V
m

- Para una seal rectificada de onda completa:

V
cd
=0.636V
m
^ V
r(rms)
=0.308V
m


Por lo tanto el factor de rizado es:

r =V
r(rms)
X 100% =0.308V
m
X 100% =48.4%
V
cd
0.636V
m


La cantidad de factor de rizado de una seal rectificada de onda completa
es alrededor de 2.5 veces ms pequea que el de la seal rectificada de media
onda y proporciona una seal mejor filtrada .
Note que estos valores (factor de rizado) son valores absolutos y no
dependen del voltaje mximo o de pico. Cuando no hay filtros independientemente
del valor del voltaje de pico o voltaje mximo los valores del factor de rizado
permanecen constantes.
(Media onda)
Onda
completa
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FILTRO SIMPLE CON CONDENSADOR




Un circuito filtro popular es el circuito filtro simple con condensador que se
muestra en la figura 14.2. el condensador es conectado a travs de la salida del
rectificador y el voltaje de c.d. se encuentra disponible a travs del condensador.

Las figuras que siguen muestran, por un lado, el voltaje de salida rectificado
de un circuito rectificador de onda completa antes de que la seal sea filtrada; por
otra parte se muestra la forma de onda resultante despus de que el condensador
se conecta a travs de la salida rectificada. Como se muestra en este voltaje
filtrado tiene un nivel c.c. con algn voltaje de rizado superpuesto en l.

La figura que sigue, muestra un rectificador de onda completa y la forma de
onda de salida obtenida del circuito cuando se conecta una carga de salida. Si no
se conectara carga, la forma de onda de salida sera idealmente un nivel de c.d.
constante igual al valor del voltaje de pico (V
m
) del circuito rectificador.




Sin embargo, el fin de obtener un voltaje de c.d. es proporcionar este voltaje
para que se utilice en otros circuitos electrnicos, que posteriormente constituyan
Filtro simple con condensador
Filtro condensador (a) circuito del filtro con condensador; (b)
forma de onda del voltaje de salida
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una carga a la fuente de voltaje. Puesto que siempre habr una carga sobre el
filtro, debemos considerar este caso prctico en nuestra discusin.

Para la seal rectificada de onda completa anterior, se han indicado dos
intervalos de tiempo como T
1
y T
2
.

- T
1
, es el tiempo durante el cual un diodo del rectificador conduce y
carga al condensador hasta el voltaje de salida de pico del rectificador
(V
m
).
- T2, es el tiempo durante el cual el voltaje del rectificador cae por debajo
del voltaje de pico, y el condensador se descarga a travs de la carga.

Si el condensador tuviera que descargar solo un poco (debido a una carga
liviana), el voltaje promedio estara muy cercano al valor ptimo de V
m
. La
cantidad de voltaje rizado tambin sera pequea para una carga liviana. Esto
muestra que el filtro de condensador proporciona un gran voltaje de c.d. con
pequeo rizado para cargas livianas (y un pequeo voltaje de c.d. con un gran
rizado para cargas pesadas).

Para apreciar mejor estas cantidades, nosotros debemos examinar
posteriormente la forma de salida y determinar algunas relaciones entre la seal
de entrada que debe rectificarse, el valor del condensador, el valor de la
resistencia de carga, el factor de rizado y la regulacin del circuito.

La figura 14.5 muestra la forma de onda aproximadamente de salida por medio de
una lnea recta de carga y descarga. Del anlisis de esta forma de onda de voltaje
se pueden obtener las siguientes relaciones:


V
cd
=V
m
[V
r(p-p)
/2]

V
r(rms)
=(V
r(p-p)
) / [2(3)
1/2
]

Tanto para rectificadores de
media onda como para
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VOLTAJE DE RIZADO

Las relaciones anteriores, estn solamente en trminos de los voltajes de la
forma de onda y debemos relacionarla con los diferentes componentes de circuito.
Veamos la relacin mencionada para un rectificador de onda completa:

V
r(rms)
=[I
cd
/4(3)
1/2
fc] - [V
cd
/V
m
]
Donde:
f =frecuencia
I
cd
=corriente de la carga
C = valor del condensador

Si se tienen cargas livianas V
cd
~ V
m

Y entonces
V
r(rms)
=I
cd
/ [4(3)
1/2
fc]

Finalmente f =60Hz y entonces

V
r(rms)
=2.4I
cd
/ C = 2.4V
cd
/ R
L
C

VOLTAJE DE C.D. (V
CD
)

V
CD
=[V
m
(V
r(p-p)
/2)] =Vm (Icd/4fc) - (Vcd Vm)

Nuevamente considerando cargas livianas V
CD
~V
m

Rectificador de onda completa y
carga liviana
Donde:
I
cd
=est en miliamperios
C =est en microfaradios
Voltaje de salida aproximado del circuito filtro con condensador
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fc
Icd
V V m cd
4
=




C
Icd
V V m cd
17 . 4
=


RIZADO CON FILTRO CON CONDENSADOR

100
1 4 . 2
100
) (
X
V C
I
X
V
V
r
CD
CD
CD
rms r
(

- = =

I CV
C
C
I CV
C
I
V
V m
CD m CD
m
CD 17 . 4
17 . 4
1
17 . 4
1 1

=
% 100
17 . 4
4 . 2
100
17 . 4
4 . 2
X
I CV
I
X
I CV
C
C
I
r
CD m
CD
CD m
CD

= |
.
|

\
|

|
.
|

\
|
=

% 100
1 4 . 2
100
4 . 2
100
1 4 . 2
X
R C
X
V
I
C
X
V C
I
r
L CD
CD
CD
CD
- = - = - =

% 100
4 . 2
X
C R
r
L
=






Sustituyendo f = 60Hz; considerando Icd en miliamperios y C en microfaradios tenemos entonces:
Rectificador de onda
completa y carga liviana
Para rectificados de onda
completa y carga liviana
ICD =en milamperios
C = en microfaradios
R
L
= en kilo ohmios
V
CD
=en Voltios
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PERODO DE CONDUCCIN DEL DIODO Y CORRIENTE DE PICO DEL DIODO

De la discusin previa debe quedar claro que valores altos de capacidad
proporcionan menor y por consiguiente proporcionan mejor accin de filtrado. De
esto podemos concluir que para mejorar el comportamiento de un filtro con
condensador es necesario solamente aumentar el tamao del condensador del
filtro. Sin embargo, el condensador tambin afecta la corriente de pico del diodo
rectificador y, como se mostrar, entre ms grande sea el valor de condensador
utilizado mayor ser la corriente de pico a travs del diodo rectificador.






Refirindonos a la operacin del rectificador y del circuito filtro con
condensador, vemos que hay dos perodos de operacin que debemos considerar.
Despus que el condensador se carga al voltaje rectificado de pico (V
m
),
transcurre un tiempo de no conduccin del diodo (T
2
) mientras que el voltaje de
salida se descarga a travs de la carga. Despus de T
2
los voltajes de entrada
rectificados se vuelven ms grandes que el voltaje del condensador y por un
tiempo T
1
, el condensador se cargar al voltaje de pico del rectificador.

La corriente promedio suministrada al condensador y a la carga durante
este perodo de carga debe ser igual a la corriente promedio drenada por el
condensador durante el perodo de descarga. La figura 14.6 muestra la forma de
la corriente del diodo para la operacin de un rectificador de media onda. Note que
el diodo conduce solamente un perodo muy corto del ciclo.

En realidad puede verse que mientras ms grande sea el condensador, la
reduccin del voltaje es menor y ms corto el intervalo de tiempo durante el cual
ocurre la carga. En ese intervalo corto de tiempo el diodo tendr que pasar la
Voltaje de salida y formas de ondas de corriente en el diodo: (a) pequeo
(b) grande
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misma cantidad de corriente promedio y solo puede hacer esto pasando una
mayor corriente de pico.

El factor que se debe notar es el aumento en la corriente de pico a travs
del diodo para valores altos de capacidad. Puesto que la corriente promedio
drenada por el suministro debe ser igual al promedio de la corriente a travs del
diodo durante el perodo de carga, veamos:
( ) ( )( ) 1 T I T I pico cd =


pico cd I
T
T
I
1
=


cd
T
T
pico I I
1
=








REGULADORES DE VOLTAJE INTEGRADOS

Los reguladores de voltaje integrados son muy tiles. Estas unidades
contienen los circuitos de fuente de referencia, amplificador de error, dispositivo de
control y proteccin contra sobrecarga, todos en un solo circuito integrado, si bien
la construccin interna es un tanto diferente que la correspondiente a aquellos
circuitos reguladores de voltaje discretos, la operacin externa es muy parecida.
Se analizar la operacin y se utilizarn algunos de los reguladores de voltaje fijos
de tres terminales aceptados (tanto para voltajes positivos como negativos), as
como aquellos que permiten ajustar el voltaje de salida.

Se puede construir una fuente de alimentacin de manera muy simple, con
un transformador conectado a la fuente de c.a. para el nivel de voltaje deseado,
que luego se rectifica con un circuito de onda media o completa. Se filtra el voltaje
con el capacitor simple, y por ltimo, se regula el voltaje c.d. con el circuito
integrado.

T1 = tiempo de conduccin del diodo
T = = =
Hz f 60
1 1
para voltaje nominal de lnea 60Hz
I
CD
= corriente promedio drenada del filtro al circuito (carga)
I
pico
= corriente pico en el diodo
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Una categora bsica de reguladores de voltajes incluye los que se utilizan
para voltajes positivos, negativos y los de salida fijos o ajustables. Estos
reguladores se pueden seleccionar para que operen con consumo de corrientes
desde cientos de miliamperes hasta decenas de amperes correspondientes a
capacidades de potencia desde miliwatts hasta decenas de watts. A continuacin
se presentan varios tipos de circuitos integrados reguladores de voltaje y se
definirn varios trminos comunes a esta reas de la electrnica.

REGULADORES DE VOLTAJE DE TRES TERMINALES

En la figura 13.18 se representan en forma esquemtica los reguladores de
voltaje que proporcionan regulacin fija positiva dentro de un intervalo de
corrientes de carga. Estos reguladores tienen un voltaje no regulado V
ent
aplicado
a una terminal, entregan un voltaje de salida regulado, V
o
, por una segunda
terminal, con la tercera conectada a tierra. Para una unidad de circuito integrado
en particular, las especificaciones incluyen un intervalo de voltaje dentro del cual el
voltaje de entrada puede variar para mantener el voltaje de salida regulado, V
o

dentro de un intervalo de corriente de carga, Io. Se debe mantener un diferencial
de voltaje salida-entrada para que el circuito integrado opere, lo que significa que
el voltaje de entrada variable siempre debe ser suficientemente alto para
conservar una cada de voltaje a travs de dicho circuito para que permita su buen
funcionamiento interno. Las especificaciones tambin incluyen la cantidad de
cambio de voltaje de salida, Vo producida por los cambios de la corriente de
carga (regulacin de carga), y tambin por los cambios el voltaje de entrada
(regulacin de lnea).






Representacin de bloques de un regulador de voltaje de tres
terminales
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Un grupo de reguladores de voltaje positivo fijo es la serie 78, los cuales
proporcionan voltajes fijos desde 5 V hasta 24 V. La figura13.19 (a) muestra como
muchos de estos reguladores se conectan. Un voltaje de c.d. no regulado y filtrado
es la entrada, V
en
a la terminal 1 del regulador integrado. Los capacitores
conectados a la entrada o salida a tierra ayudan a mantener el voltaje de c.d. y
adems a filtrar cualquier variacin de voltaje de alta frecuencia. El voltaje de
salida de la terminal 2 est por tanto disponible para conectarse a la carga. La
terminal 3 es la referencia o tierra del circuito integrado. Cuando se selecciona el
voltaje de salida regulado fijo deseado, los dos dgitos despus del prefijo 78
indican el voltaje de salida del regulador.








La tabla 13.1 contiene algunos datos tpicos

Circuitos integrados reguladores de voltaje serie 78XX positivos
Nmero de
parte de CI
Voltaje regulado
positivo (V)
V
ent

mnimo (V)
7805 +5 7.3
7806 +6 8.35
7808 +8 10.5
7810 +10 12.5
7812 +12 14.6
7815 +15 17.7
7818 +18 21
7824 +24 27.1

(a) Regulador de voltaje positivo serie 78XX
(b) Regulador de voltaje negativo serie 79XX
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Los circuitos integrados reguladores de voltaje negativo estn disponibles
en la serie 79 [vase la figura 13.19 (b)], stos son similares a los de la serie 78
aunque operan con voltajes negativos y proporcionan un voltaje de salida negativo
regulado. La tabla 13.2 incluye la serie 79XX de reguladores de voltaje negativo
fijo y sus voltajes regulados correspondientes.

Reguladores de voltaje negativo fijo de la serie 79XX
Nmero de
parte de CI
Voltaje de salida
regulado (V)
V
ent

mnimo (V)
7905 -5 -7.3
7906 -6 -8.4
7908 -8 -10.5
7909 -9 -11.5
7912 -12 -14.6
7915 -15 -17.7
7918 -18 -20.8
7924 -24 -27.1

Los reguladores de voltaje tambin estn disponibles en configuraciones de
circuito que permiten que el usuario ajuste el voltaje de salida a un valor deseado.
El Lm317, por ejemplo, puede operar con un voltaje de salida regulado a cualquier
valor dentro del intervalo de voltaje desde 1.2V hasta 37V. La figura 13.20 muestra
una conexin tpica que incluye el circuito integrado Lm317.
La seleccin de los resistores R1 y R2 permite ajustar la salida a cualquier
voltaje deseado dentro del intervalo de ajuste (12.2 a 37V) y puede calcularse
mediante:

2
1
2
1 R I
R
R
V V ajust ref o +
|
.
|

\
|
+ =



valores tpicos de:

V
ref
= 1.25 V e I
ajust
= 100A

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Ejemplo:
Determine el voltaje de salida regulado a travs de un LM317, como el de la figura
13.20 con R1 = 240O y R2 = 2.4kO

Solucin:
Con la ecuacin (13.14), se obtiene:

O + |
.
|

\
|
O
O
+ = k A
k
V Vo 4 . 2 ( 100
240
4 . 2
1 25 . 1

=13.75 V +0.24 V =13.99 V



FUENTES DE ALIMENTACIN PRCTICAS

Se puede construir una fuente de alimentacin prctica para convertir el
voltaje de 120-V en una de c.d. regulado. El circuito estndar incluye un
transformador para el voltaje al nivel de c.a. que se desee, un rectificador de diodo
para media onda u onda completa, la seal de c.a. y un filtro con capacitor para
desarrollar un voltaje de c.d. no regulado, el cual luego se conecta como entrada a
un regulador de voltaje integrado, que proporciona el voltaje de c.d. de salida ya
regulado. Algunos ejemplos demostrarn como se puede construir una fuente de
c.d. y cmo funciona.



Conexin de un regulador de voltaje ajustable LM317
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Ejemplo:
Analice el funcionamiento de la fuente de voltaje de +12V que se muestra
en la figura 13.21 conectada a una carga que consume 400mA.

Solucin:
El transformador reduce el voltaje de lnea de 120V (rms)a un voltaje
secundario de 18V (rms) a travs de cada mitad del transformador. Esto produce
un voltaje pico a travs del transformador de:

V V X V V rms m 456 . 25 18 2 2 = = =

el voltaje de rizo utilizando la ecuacin (13.7c) es por tanto:

V
C
I
V
cd
rms r 043 . 2
470
) 400 ( 4 . 2 4 . 2
) ( = = =

y el voltaje pico de rizo es con la ecuacin (13.69)

V V rms V V r pico r 539 . 3 ) 043 . 2 ( 3 ) ( 3 ) ( = = =





El nivel de c.d. del voltaje a travs del capacitor C de 470-F es:

V V V pico V V V r m cd 917 . 21 539 . 3 456 . 25 ) ( = = =

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el factor de rizo del capacitor de filtro cuando funciona con una carga de 400-mA
es por consiguiente [Ec. (13.9a)]

% 3 . 9 % 100
) 917 . 21 )( 470 (
) 400 ( 4 . 2
% 100
4 . 2
~ = = X X
CVcd
Icd
r
El voltaje a travs del capacitor C del filtro tiene un rizo de casi 9.3% y se
reduce a un voltaje mnimo de:

V V V pico V V V r m entr 378 . 18 ) 539 . 3 ( 2 456 . 25 ) ( 2 mn = = =

En las especificaciones el dispositivo V
ent
aparece como necesario para
mantener la regulacin de la lnea a 14.6 V. El voltaje ms bajo que se mantiene a
travs del capacitor es un poco mayor que 18.378V.
Con la disminucin del valor del capacitor de filtro con el incremento de la
corriente de carga se produce un mayor voltaje de rizo y un menor voltaje mnimo
a travs del capacitor. Mientras que este ltimo voltaje permanezca por encima de
14.6 V, el 7812 mantendr el voltaje de salida regulado a +12 V. Las
especificaciones del 7812 incluyen el cambio de voltaje mximo como de 60 m V.
Esto significa que la regulacin del voltaje de salida ser menor que:

% 5 . 0 % 100
12
60
= = X
V
mV
RV

Ejemplo:
Analice el funcionamiento de la fuente de 5-V mostrada en la figura 13.22 a
una corriente de carga de (a) 200mA y (b) 400mA.

Solucin:
Las especificaciones del 7805 incluyen una entrada de 7.3V como la
mnima admisible para mantener la regulacin de la lnea.
a. Con una carga de I
cd
= 200 mA, el voltaje de rizo es

V X
C
I
X pico V
cd
r 326 . 3
250
) 200 ( 4 . 2
3
4 . 2 (
3 ) ( = = =

y el voltaje de c.d. a travs del capacitor de 250 =F del filtro es:

V V V pico V V V r m cd 674 . 11 326 . 3 15 ) ( 2 = = =
Pgina 59 de 118

El voltaje a travs del capacitor del filtro se reduce en un valor mnimo de:

V V V pico V V V r m entr 348 . 8 ) 326 . 3 ( 2 15 ) ( 2 mn = = =

Puesto que este valor sobrepasa al valor nominal de 7.3 V, la salida se
mantendr al valor regulado de +5 V.
b. Con una carga de I
cd
=400 mA, el voltaje de rizo es:

V pico Vr 65 . 6
250
) 400 )( 4 . 2 (
3 ) ( = =

alrededor de un voltaje de c.d. de:

V V V Vcd 35 . 8 65 . 6 15 = =

el cual sobrepasa el nivel inferior nominal de 7.3-V. No obstante, las excursiones
del voltaje de entrada alrededor de este nivel de c.d. de 6.65 V mximo, se
reducen durante una parte del ciclo a

V V V Ventr 7 . 1 ) 65 . 6 ( " 15 mn = =

valor que est muy por debajo del voltaje de entrada mnimo permitido de 7.3 V.
Por consiguiente, la salida no se mantiene a nivel regulado de +5-V dentro de todo
el ciclo de entrada. La regulacin se mantiene con corrientes de carga por debajo
de 20 mA pero no por arriba de 400 mA.




Fuente de alimentacin de 5-V positivos
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Ejemplo:
Determine el valor mximo de la corriente de carga por la cual la regulacin se
mantiene en el circuito de la figura 13.22

Solucin:
Para mantener Vent7.3 V

V V V V V p p V entr m r 7 . 7 3 . 7 15 ) ( mn = = s


y por tanto

V
V p p V
rms V
r
r 2 . 2
3
2 / 7 . 7
3
2 / ) (
) ( = =

=

Entonces se puede determinar el valor de Icd (en miliamperes):

mA
C rms V
I
r
cd . 229
4 . 2
) 250 )( 2 . 2 (
4 . 2
) (
= = =

Cualquier corriente por encima de este valor es demasiado grande para que el
circuito mantenga la salida regulada a +5 V.

Con un regulador de voltaje integrado, es posible ajustar el voltaje de salida
regulado a cualquier voltaje deseado (dentro del rango de funcionamiento del
dispositivo).

Ejemplo:
Determine el voltaje de salida regulado del circuito mostrado en la figura 13.23

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Solucin:

El voltaje de salida es:

V k A
k
V Vo 8 . 10 ) 8 . 1 ( 100
240
8 . 1
1 25 . 1 ~ O + |
.
|

\
|
O
O
+ =

La verificacin del voltaje del capacitor del filtro demuestra que se puede
mantener un voltaje diferencial de entrada-salida de 2V hasta por lo menos 200
mA de corriente de carga.

En la figura aparece una fuente de alimentacin de c.d. regulada con
circuito integrado (paquete en doble lnea). La unidad mostrada tiene un medidor
de 0 20-V de c.d., 00.65-A. Su componente de rizo es de 1 mV de pico a pico
o de 250V(rms). Con una salida de 20V se tiene un porcentaje de rizo

% 100
20
10 250
% 100
) (
6
X
X
X
V
rms V
r
cd
r

= =

= 12.5 X 10
-4
% =0.00125%

Regulador de voltaje ajustable positivo para el ejemplo
Pgina 62 de 118
La regulacin de carga es de 4 mV, lo que se indica que desde la condicin
sin carga hasta la de plena carga el voltaje terminal vara slo 4 mV. Al nivel de
20-V se tiene una regulacin de voltaje de:

% 100
) 4 20 (
4 20 ( 20
% 100 X
mV
mV
X
VFl
VFL VNL
RV

=

% 02 . 0 % 100
996 . 19
996 . 19 20
=

= x



En la figura 13.25 aparece una fuente de c.d. con un intervalo de 0250V.
La regulacin de carga desde 0 hasta plena carga. Con una salida de 200V la
variacin del voltaje terminal es de

(0.0005/100)200+100V =1000V + 100V =1100V(0.0011 V)

desde la condicin sin carga hasta la de plena carga. Su nivel de salida se ajusta
mediante el sistema de 5 dgitos mostrado en la figura. Los niveles de temperatura
determinan la corriente mxima. A 30C es de 0.1 A, mientras que a 60C es de
Fuente de cd regulada con circuito integrado
Fuente de alimentacin de
cd para laboratorio
Construccin interna de una
fuente de ca.
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0.07 A. Se puede ajustar para y el resultado es una regulacin de menos 2-mA
con variaciones de entrada de 105V
ca
a 132V
ca
y desde 0 hasta el cambio de
voltaje nominal de carga V
cd
.

En la figura 13.26 se muestra la construccin interna de la fuente de c.d.
Obsrvese el uso de una tarjeta de circuito impreso para una mejor disponibilidad
para el montaje de los componentes. Esta unidad particular est diseada
especficamente para montaje en ranuras.

Existen kits para construir fuentes de alimentacin como la mostrada en la
figura 13.27. Despus de seleccionar el voltaje de c.d. de salida deseado y los
niveles de corriente, se adquieren los componentes para la construccin de la
fuente. Las unidades reguladoras en serie mostradas en la figura 13.28, las que
tambin estn disponibles en paquetes de diseo como los anteriores, emplean un
circuito integrado encapsulado en doble lnea para controlar la regulacin a la
salida.













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UNIDAD II
EL TRANSISTOR Y SU FUNCION

INTRODUCCIN

En esta unidad se presentaran las caractersticas de construccin, modelos y
configuraciones de conexin as como el comportamiento de los principales
semiconductores. La finalidad es desarrollar un conocimiento prctico en una
diversidad de configuraciones para aplicaciones reales. Los conceptos que se
aprendan en esta unidad sern de gran utilidad para las subsecuentes.
La unidad esta integrada por cinco objetivos de aprendizaje que le permitir al
alumno aplicar los elementos semiconductores para una enorme gama de
configuraciones y generacin de funciones electrnicas.

OBJETIVO Y CRITERIOS DE APRENDIZAJE
1. Aprender la construccin y caractersticas de operacin del
transistor de unin bipolar ( BJT).

1.1 Explicar la construccin del transistor, sealando los tipos de
materiales que lo forman, los tipos de transistores que existen y
las terminales que tiene.

2 Aprender los parmetros y caractersticas de un transistor BJT.
2.1 Describir la operacin del transistor con base en las corrientes
y voltajes de sus terminales y las relaciones que existen entre ellas.


2.2 Indicar el significado de los principales parmetros del
transistor con base en el manual del fabricante.


3 Aprender la arquitectura de un circuito amplificador, usando
transistores BTJ y la manera de determinar sus caractersticas de
funcionamiento.



3.1 Desarrollar circuitos amplificadores de las diferentes
Pgina 65 de 118
configuraciones.

4 Aprender las configuraciones y las condiciones de operacin del
transistor para su utilizacin como interruptor, as como sus
ventajas contra los dispositivos electromagnticos.


4.1 Explicar la configuracin y las condiciones para provocar el
estado de corte y saturacin en el transistor BJT.


4.2Explicar las ventajas y desventajas contra el relevador
electromagntico.




DEMOSTRACIN DE HABILIDADES PARCIALES
(RESULTADO DE APRENDIZAJE)
Pgina
4.1.1.1 Identificar las terminales del transistor ( E,B,C) con el ohmetro.

4.1.1.2 Determinar el estado del transistor ( Bueno o malo ) con base entre la resistencia
entre sus terminales.

4.1.1.3 Verificar las terminales identificadas con el ohmetro si corresponden a las que especifica
el manual del fabricante.

4.2.1.1 Determinar la configuracin, el uso o aplicacin del transistor y su comportamiento en
cada caso as como las condiciones de uso adecuadas.

4.2.1.2 Obtener las corrientes en el BJT y sus voltajes previamente calculados en el circuito
real.

4.3.1.1 Calcular la ganancia, impedancia de entrada e impedancia de salida a partir de un
circuito dado.

4.3.1.2 Construir un amplificador dado de acuerdo a su diagrama.

4.3.1.3 Probar el funcionamiento del amplificador tomando en cuenta los clculos previos.

4.4.1.1 Desarrollar aplicaciones utilizando el transistor para hacer funciones de interrupcin de
seales elctricas.

4.4.1.2 Determinar las condiciones adecuadas para cada elemento segn sea la mejor opcin.

4.4.1.3 Armar el circuito para comprobar el punto de operacin de acuerdo a un diagrama.

4.5.1.1 Identificar las terminales del transistor con el ohmetro.

4.5.1.2 Determinar el estado del transistor ( Bueno o malo ) con base entre la resistencia
entre sus terminales.

4.5.1.3 Verificar las terminales identificadas con el ohmetro si corresponden a las que especifica
el manual del fabricante.

Pgina 66 de 118
4.6.1.1 Desarrollar circuitos amplificadores de las diferentes configuraciones.

4.6.1.2 Construir un amplificador dado de acuerdo a su diagrama.

4.6.1.3 Probar el funcionamiento del amplificador tomando en cuenta los clculos previos.





TEMA 1

GENERALIDADES DEL TRANSISTOR
BIPOLAR (BJT)


Objetivo de Aprendizaje:
4.1 Aprender la construccin y caractersticas de operacin del transistor de unin bipolar ( BJT).

Criterio de aprendizaje:
4.1.1 Explicar la construccin del transistor, sealando los tipos de materiales que lo forman, los tipos
de transistores que existen y las terminales que tiene.



Transistor Bipolar (BJT)

Es aquel dispositivo electrnico que est constituido por tres materiales
semiconductores extrnseco, de forma PNP o NPN, es decir, porcin de material
N, seguido de material P, luego otra porcin de material N, en el tipo NPN, y de
forma anloga en el PNP, pero con los materiales semiconductores inversos.

El transistor BJ T se conoce tambin como transistor bipolar, porque la conduccin
es a travs de huecos y electrones.

La zona central se denomina base, las otras dos se denominan colector y emisor.
El emisor se construye estrecho y muy dopado, la base es estrecha y menos
dopada y el colector es la zona ms ancha. Para proteger el material
semiconductor, se emplean el encapsulado, que puede ser plstico, de baquelita o
metlico. A pesar de la poca disipacin de energa que tienen los transistores en
determinadas ocasiones es necesario el empleo de disipadores de calor para
favorecer la ventilacin del transistor. En las siguientes dos figuras se muestra la
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estructura interna de los dos tipos de transistores (NPN y PNP):



Polarizacin del transistor.

El transistor sin polarizar se puede considerar como dos diodos contrapuestos,
con una barrera de potencial de 0,7 V para cada diodo si es silicio y 0.3 para el
germanio. Si se polariza ambos diodos directa o inversamente, se comportarn
permitiendo o no el paso de la corriente como se sabe. El efecto de amplificacin
en el transistor se crea al polarizar directamente la unin base-emisor e
inversamente la unin colector-base.

Al estar la unin de emisor polarizada directamente, permite el paso de huecos
del emisor a la base, as como de electrones que pasan de la base al emisor. La
relacin entre la corriente de huecos y la corriente de electrones es proporcional a
la conductividad de los materiales P y N; en los transistores comerciales el dopado
del emisor es mucho mayor, por lo que la corriente en un transistor p-n-p est
prcticamente constituida por huecos.

La polarizacin de la unin de colector hace que los huecos que atraviesan la
unin de emisor se vean atrados por el potencial negativo del colector y a la vez
repelidos por el potencial positivo de la base, no todos los huecos que cruzan la
unin de emisor llegan a la de colector, ya que se produce la recombinacin de
algunos de ellos en la zona de la base.

En las siguientes figuras se muestran los smbolos para los dos tipos de
transistores y la forma fsica de un transistor.

NPN PNP

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TEMA 2

PARAMETROS DEL TRANSISTOR
BIPOLAR (BJT)


Objetivo de Aprendizaje:
4.2 Aprender los parmetros de un transistor BJT, como se miden y su aplicacin.

Criterio de aprendizaje:
4.2.1 Describir la operacin del transistor con base en las corrientes y voltajes de sus terminales y las
relaciones que existen entre ellas.

Las corrientes y voltajes de las diferentes terminales del transistor son
denominados parmetros, y determinan el estado de funcionamiento del mismo.
As tenemos que se requiere una determinada corriente de base para que el
transistor conmute de estado y se puede determinar la cantidad de potencia
controlada por el mismo mediante el conocimiento del voltaje VCE y la Ic. Existen
otros parmetros como ganancia de amplificacin que son igualmente tiles
aunque cada uno tiene su aplicacin particular.
Hay tres corrientes distintas en el transistor: La corriente de emisor IE, la corriente
de base IB y la corriente de colector IC.

La corriente de base determina el requerimiento del transistor para realizar su
conmutacin, el voltaje de VCE determina cuando esta en nivel alto y cuando esta
en nivel bajo, la corriente EC determina la cantidad de potencia que se esta
controlando con el transistor.

Como el emisor es la fuente de electrones, su corriente es la mayor de las tres.
Casi todos los electrones del emisor circulan hacia el colector; por lo tanto; la
corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente de emisor. La
corriente de base es muy pequea comparativamente, a menudo menor que el 1
por 100 de la corriente del colector.

BETA (

La Beta de un transistor se define como la relacin entre la corriente continua del colector y
la corriente continua de la base y est dada por la siguiente frmula:

dc = IC / IB

La beta se conoce tambin como la ganancia de corriente porque una pequea
corriente de base produce una corriente mucho mayor de colector.



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Criterio de aprendizaje:
4.2.2 Indicar el significado de los principales parmetros del transistor con base en el manual del
fabricante.



Los transistores de pequea seal pueden disipar un Vatio o menos; los
transistores de potencia pueden disipar ms de un vatio. Cuando se estudia la
hoja de caractersticas para cualquiera de estos dos tipos de transistor, se debe
comenzar por las limitaciones mximas, ya que son los lmites para las corrientes,
tensiones y otros valores del transistor.
- V
CB
Mxima tensin inversa entre el colector y la base.

- V
CEO
Tensin colector emisor con la base abierta.

- V
EB
Mxima tensin inversa del emisor a la base.

- I
c
Corriente mxima de Colector

- P
D
Mxima limitacin de potencia del dispositivo

- h
FE
Ganancia de corriente

- I
B
Corriente de base



La temperatura TC es la temperatura de la cpsula que contiene el transistor. En
la mayora de las aplicaciones, la temperatura de la cpsula ser mayor a 25 C
porque el calor interno del transistor aumenta la temperatura del encapsulado.

La nica forma de mantener la temperatura de la cpsula a 25 C cuando la
temperatura ambiente es de 25 C es refrigerando con un ventilador o utilizando
un gran disipador de calor. Si se utiliza una de estas tcnicas se puede reducir la
temperatura de la cpsula del transistor a 25 C. Para estas condiciones la
limitacin de potencia es de 1.5 Watts.




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TEMA 3

EL TRANSISTOR BJT COMO
AMPLIFICADOR DE PEQUEA SEAL

Objetivo de Aprendizaje:
4.3 Aprender la arquitectura de un circuito amplificador, usando transistores BTJ y la manera de
determinar sus caractersticas de funcionamiento.

Criterio de aprendizaje:
4.3.1 Desarrollar circuitos amplificadores de las diferentes configuraciones.

Confi guraci ones del transistor BJT.

Base Comn La terminologa relativa de base comn se desprende del hecho
de que la base sea la terminal de conexin a tierra o de soporte de la
configuracin. En sta configuracin los potenciales aplicados se describen con
respecto al potencial de la base que se produce en VEB y VCB.

Tome en cuenta que se necesitan dos conjuntos de caractersticas para
representar el comportamiento del transistor pnp de base comn tal como se
muestra en la siguiente figura:

Emisor Comn Se denomina emisor comn porque el emisor es comn tanto
a las terminales de entrada como a las de salida ( en ste caso es tambin comn
a las terminales de la base y del colector). En la siguiente figura se muestra la
configuracin:

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Colector Comn La configuracin de colector comn se emplea
fundamentalmente para propsitos de acoplamiento de impedancia ya que tienen
una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, que es lo
opuesto a las dos configuraciones anteriores.
En el siguiente diagrama se muestra la configuracin de colector comn.

Amplificador con transistores

Debido a la magnitud de la seal generada por el micrfono se hace necesaria la
utilizacin de una resistencia limitadora para provocar una cada de tensin de
0.05v la cual reforzar la pequea seal del micrfono, de esta forma realizar la
conmutacin del primer transistor el cual provoca un efecto de cascada en los
siguientes; el ltimo transistor como es el que controla la carga debe ser de
potencia, adems debe contener un disipador de calor para evitar que sufra algn
dao por la temperatura; la potencia la determina el nmero de transistores y el
ltimo transistor as como el voltaje de alimentacin.

En la siguiente figura se muestra un diagrama:


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TEMA 4

EL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)
COMO INTERRUPTOR

Objetivo de Aprendizaje:
4.4 Aprender las configuraciones y las condiciones de operacin del transistor para su utilizacin
como interruptor, as como sus ventajas contra los dispositivos electromagnticos.

Criterio de aprendizaje:
4.4.1 Explicar la configuracin y las condiciones para provocar el estado de corte y saturacin en el
transistor BJT.


EL TRANSISTOR BJT EN CONMUTACIN

La polarizacin de base es til en los circuitos digitales, ya que, por lo general,
estos circuitos se disean para funcionar en saturacin y en corte, por ello tienen
una tensin de salida alta o baja, no se emplea ningn punto Q entre saturacin y
corte; Las variaciones en el punto Q no tienen importancia, pues el transistor se
mantiene en saturacin o en corte al cambiar la ganancia de corriente.

Cuando no existe corriente de base la tensin de salida es aproximadamente 0 V
el punto Q se halla en el extremo superior de la recta de carga, la corriente de
colector se hace cero.

Cuando existe corriente de base la tensin de salida crece hasta el voltaje
mximo aplicado a la resistencia de carga, el punto Q est en el extremo inferior
de la recta de carga, nicamente se puede tener dos tensiones de salida 0V o el
voltaje mximo aplicado a la carga.

Los circuitos digitales a menudo se les llama circuitos de conmutacin porque su
punto Q conmuta o cambia entre dos puntos de la recta de carga. En la mayor
parte de los diseos esos dos puntos son el de saturacin y el de corte. Otro
nombre que tambin se acostumbra darles es el de circuitos de dos estados,
refirindose a las salidas a nivel alto y bajo

En la regin Activa la unin del colector est polarizada inversamente, en tanto
que la unin del emisor lo est directamente.

En la regin de corte las uniones del colector y del emisor se encuentran ambas
polarizadas inversamente lo que produce una corriente de colector despreciable.

En la regin de saturacin las uniones colector y del emisor estn polarizadas
directamente lo que produce un cambio exponencial en la corriente de colector
con cambios pequeos en el potencial de colector a base.

Criterio de aprendizaje:
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4.4.2Explicar las ventajas y desventajas contra el relevador electromagntico.

Desarrollar una explicacin acerca de la diferencia en la velocidad de conmutacin
de las cargas en ambos elementos y el efecto de rebote en los elementos
electromagnticos.



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UNIDAD III
TIRISTORES (SCR, TRIAC, DIAC)

INTRODUCCION.


El propsito de esta unidad es la de aprender el diferente tipo de
configuraciones tanto del SCR como las del Triac, para el control de la
potencia suministrada a cargas en corriente alterna. El control se
efecta retardando el tiempo de disparo en la compuerta de los
dispositivos y esto generar que se entregue una menor cantidad de
potencia a la carga.





TEMA
EL SEMICONDUCTOR SCR.



Objetivo de Aprendizaje:
Identificar y utilizar los SCR.

Criterio de aprendizaje:
Construccin del SCR y su simbologa, as como la utilizacin de ste.

Antecedentes del SCR:

En la industria hay numerosas operaciones, las cuales requieren que se entregue
una cantidad de potencia variable y controlada, tales como, la iluminacin, el
control de velocidad de un motor, la soldadura elctrica y el calentamiento
elctrico, siendo stas las mas comunes. Existen formas de controlar la cantidad
de potencia elctrica que se entrega a una carga, como son los transformadores
variables o la utilizacin de un restato instalado en serie con la carga , sin
embargo para grandes potencias, tanto los transformadores como los restatos
resultan ser de gran tamao y costo, necesitando un mantenimiento frecuente
adems que desperdician una cantidad apreciable de energa, por lo que desde
1960, est disponible un dispositivo electrnico el cual supera la condiciones antes
mencionadas, refirindonos precisamente al scr.
El scr (rectificador controlado de silicio),es un semiconductor pequeo y
relativamente barato que acta como un interruptor electrnico remplazando
adems a otros componentes electromecnicos como el relay o rel.
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El scr, no necesita mantenimiento ya que no tiene partes mecnicas o mviles
que puedan sufrir desgaste, producido por la chispa que se genera al momento de
conectar o desconectar una carga. Aunado a las anteriores ventajas, con los
scrs, se pueden alcanzar altas velocidades de respuesta para conectar y
desconectar la carga no sufriendo alteraciones, producto de las vibraciones
mecnicas y con un mnimo ruido de operacin. En los scrs, su consumo de
potencia es muy pequeo, algunos pueden controlar corrientes del orden de
cientos de amperios en circuitos que operan a voltajes tan elevados como 1,000
voltios. Por estas razones los scrs, son muy importantes en el campo del control
industrial moderno.


Principio de accionamiento:

El scr (rectificador controlado de silicio), es un dispositivo pnpn de cuatro
capas que tiene tres terminales: el nodo, el ctodo y la compuerta ( ver figura 11-
9) El scr, tiene dos estados posibles de operacin. En el estado de apagado,
acta idealmente como un circuito abierto entre el nodo y el ctodo, que en
realidad, en vez de existir un circuito abierto, existe una resistencia muy alta. En
el estado de encendido, el scr, acta idealmente como un cortocircuito del nodo
al ctodo que en realidad se tiene una pequea resistencia (en directa).
Encendido del scr: cuando la corriente de compuerta I(G) es cero, el dispositivo
opera en el estado de apagado, indicado como un interruptor abierto (figura 11-10-
a). Cuando se aplica un pulso positivo de corriente (disparo) a la compuerta,
ambos transistores Q-1 y Q-2 se encienden, donde el nodo debe ser mas
positivo que el ctodo.
Esta accin se muestra en la figura 11-10-b, donde la corriente I-B2, enciende a
Q-2, proporcionando una trayectoria para I-B1 hacia el colector de Q-2,
encendiendo as a Q-1.
La corriente del colector de Q-1 proporciona corriente de base adicional para el Q-
2, que continua en conduccin hasta que el pulso de disparo se remueve de la
compuerta. Mediante sta accin regenerativa, el Q-2 sostiene la conduccin
saturada del Q-1, proporcionando una trayectoria para I-B1, de igual manera Q-1
sostiene la conduccin saturada del Q-2, dando una trayectoria para I-B2. De sta
manera, el dispositivo permanece encendido (se amarra) una vez que se le
dispara ver figura 11.10.c. En ste estado, la resistencia muy baja entre el nodo y
el ctodo puede aproximarse por un interruptor cerrado, como se indica en la
figura.

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Simbologa.














Identificar a travs de un manual de semiconductores, las caractersticas de
los SCRS, as como identificar tambin sus terminales.

Utilizando un manual de semiconductores se identificarn las caractersticas de los
SCRS, as como tambin de sus terminales, verificando tanto las caractersticas
como la identificacin de terminales, mediante el uso del multmetro en stos
elementos.


Aplicacin.

Como ya comentamos, en la industria hay numerosas operaciones, las cuales
requieren que se entregue una cantidad de potencia variable y controlada, tales
como, la iluminacin, el control de velocidad de un motor, la soldadura elctrica y
el calentamiento elctrico, siendo stas las mas comunes, por lo que el SCR es un
dispositivo electrnico el cual supera a los transformadores variables , a las
resistencias variables y a los rel en la activacin y desactivacin de un motor ya
sea de corriente directa o alterna la condiciones antes mencionadas, refirindonos
precisamente al scr.
Figura 4.8.a.
Circuito equivalente al SCR
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TEMA
EL SEMICONDUCTOR TRIAC.



Objetivo de Aprendizaje:
Identificar y utilizar los TRIACS.

Criterio de aprendizaje:
Funcionamiento del TRIAC y su simbologa, as como la utilizacin de
ste.


Antecedentes del TRIAC:

El TRIAC, es tambin un semiconductor que cuenta con tres terminales, el cual
trabaja como equivalente a dos SCRS conectados en antiparalelo, es decir, que
puede conducir corriente en ambos sentidos, por lo que es empleado
principalmente para manejar cargas de corriente alterna.

Opera como un interruptor controlado por voltaje, de tal forma que al recibir un
pulso en la compuerta (gate), permite que circule corriente de la terminal MT1 a la
MT2 y de la MT2 a la MT1, permaneciendo en ese estado an despus de retirar
la seal de disparo. Para que deje de conducir , se debe interrumpir la corriente
que circula entre dichas terminales.


Principio de funcionamiento.

El TRIAC, es un dispositivo que est constituido con tres terminales, para controlar
el valor promedio de la corriente que fluye a una carga.
El smbolo esquemtico de un TRIAC, se muestra en la figura 4.9.a., junto con los
nombres y abreviaturas de sus terminales.

Cuando el TRIAC es bloqueado, no puede fluir corriente entre sus terminales
principales independiente de la polaridad de la fuerza externa aplicada, por tanto,
acta como un interruptor abierto.

Cuando el TRIAC es llevado a conduccin, presenta una resistencia muy baja al
paso de la corriente en el camino de una terminal principal a la otra, donde el
sentido del flujo depende de la polaridad de la fuerza externa aplicada. Cuando el
voltaje es ms positivo en MT2, la corriente fluye de MT2 a MT1, y cuando el
voltaje es ms positivo en MT1, la corriente fluye de MT1 a MT2. En cualquier
caso el triac acta como un interruptor cerrado.
Analizando la figura 6-1.b, observamos que el triac est conectado en serie con la
carga, por tanto el valor promedio de la corriente que se entrega a la carga,
puede afectarse variando la cantidad de tiempo por ciclo que el triac permanece
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en estado de conduccin. Si permanece en l estado de conduccin durante una
pequea porcin del tiempo de ciclo, l promedio de la corriente que fluye durante
muchos ciclos, ser bajo. Ahora, si permanece en estado de conduccin durante
una gran porcin de del tiempo de ciclo, entonces l promedio de la corriente ser
alto.
Un triac, no est limitado a 180 de conduccin por ciclo. Con l adecuado arreglo
de disparo, puede conducir por la totalidad de los 360 por ciclo, proporcionando
control de potencia completa en lugar del control de potencia de media onda
posible con un scr.
Los triacs, tienen las mismas ventajas que los scr's y los transistores sobre los
interruptores mecnicos. No tienen rebote de contacto, no se produce arco en
contactos parcialmente abiertos y pueden operarse ms rpido que los
interruptores mecnicos, por tanto, permiten un control de corriente ms preciso.
Mtodos de disparo para triacs:
El circuito de disparo ms simple para un triac, se puede observar en la figura
6.4.a, donde el condensador C se carga a travs de R-1 y R-2 durante la porcin
de semiciclo correspondiente al ngulo de disparo. Durante el semiciclo positivo,
MT-2 es positivo respecto a MT-1, y C se carga con el positivo en su placa
superior. Cuando el voltaje en C es lo suficientemente grande para entregar en
R-3, la corriente de puerta I-GT necesaria para disparar el triac, ste se ceba.
Durante l semiciclo negativo, C se carga con el negativo en su placa superior.
Nuevamente, el triac se ceba, cuando l voltaje a travs del condensador es
suficiente para entregar a travs de R-3 la corriente necesaria de puerta en la
direccin inversa para disparar el triac.
La velocidad de carga del condensador "C", se ajusta por medio de la resistencia
R-2, la cual si es grande, la velocidad de carga es lenta , produciendo un ngulo
de disparo grande y un promedio de corriente pequeo. Con una R-2 pequea, la
velocidad de carga es rpida, el ngulo de disparo es pequeo y por consiguiente
la corriente de carga es grande.

El diac como dispositivo de disparo en circuitos de control de puerta para los
triacs:
La utilizacin de un diac (diodo bidireccional de disparo), en l circuito de disparo
de puerta de un triac ver figura 6-5.a, presenta algunas ventajas importantes sobre
los circuitos de control de puerta con "RC" simple, ya que un diac o dispositivo de
disparo, entrega un pulso de corriente de puerta en lugar de una corriente de
puerta sinusoidal.
La figura 6-5.b, muestra una curva caracterstica voltaje-corriente de un diac,
tambin llamado diodo simtrico de disparo, interpretando que para voltajes
menores al voltaje de ruptura directo (+V-BO), el diac prcticamente no permite
flujo de corriente. Una vez alcanzado l voltaje de ruptura directo, l diac conmuta
a conduccin y la corriente aumenta rpidamente a la vez que l voltaje a travs
de las terminales disminuye. Este aumento rpido de la corriente en la curva
caracterstica voltaje-corriente, explica la habilidad del diac para producir pulsos de
corriente.
En la regin de voltaje negativo, la operacin es idntica. Cuando l voltaje
aplicado en sentido inverso es menor al voltaje inverso de ruptura ( - V-BO), el
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diac no permite flujo de corriente, pero cuando alcanza a " - V-BO " , el diac
conmuta a conduccin en la direccin opuesta.

Interruptores bilaterales de silicio ( SBS):
Otro dispositivo capaz de disparar los triacs, es el interruptor bilateral de silicio (
SBS), muy aplicado en circuitos de control de bajo voltaje. Los SBS, tienen un
voltaje de ruptura menor que l de los diacs, siendo el ms comn (+, -) 8 voltios.
La figura 6-6.a. muestra la curva caracterstica de voltaje-corriente de un SBS, la
cual es similar a la del diac, pero el SBS tiene una regin de "resistencia negativa"
mas pronunciada, es decir, su declinacin en voltaje es ms drstica despus que
entra en estado de conduccin. Ntese que cuando el SBS conmuta al estado de
conduccin, el voltaje a travs de sus nodos cae casi a cero ( del orden de 1
volt), por lo que se dice que tiene un voltaje de descenso de 7 voltios, ya que l
voltaje entre A-2 y A-1, decrece en casi 7 voltios cuando entra en conduccin.
El SBS no solamente presenta caractersticas de conmutacin ms vigorosas,
sino que es ms estable con temperatura y ms simtrico, teniendo un coeficiente
de temperatura del orden de +0.02 % / C, lo cual significa una variacin de 0.16
voltios cada 100 , que es un ndice de muy buena estabilidad con temperatura.


Simbologa del TRIAC.









Identificacin de terminales.

Utilizando un manual de semiconductores se identificarn las caractersticas de los
TRIACS, as como de sus terminales, verificando tanto las caractersticas como
la identificacin de terminales, mediante el uso del multmetro en stos elementos.


Figura 4.9.a.
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Aplicacin del TRIAC.

En los puntos anteriores hemos hablado de que el TRIAC, opera como un
interruptor controlado por voltaje, de tal forma que al recibir un pulso en la
compuerta (gate), permite que circule corriente de la terminal MT1 a la MT2 y de la
MT2 a la MT1, permaneciendo en ese estado an despus de retirar la seal de
disparo. Tambin se dijo que hace las veces de dos SCR conectados en
antiparalelo pudiendo conducir corriente en ambos sentidos.
Por lo anterior podemos concluir que la aplicacin principal del triac, es la del
control de disparo en un circuito de potencia que por sus caractersticas de
construccin, ofrece la ventaja de efectuar ste control de potencia en una onda
completa pudiendo conducir altos voltajes. A su vez, como tiene la particularidad
de conducir corriente en ambos sentidos, es empleado principalmente para
manejar cargas de corriente alterna.



TEMA
LOS OPTOCOPLADORES .


Explicar el principio de accionamiento de los optocopladores .


Los optocopladores, son elementos que se utilizan como interface de la
computadora o microcontrolador al mdulo de control de giro y su principal
objetivo, es el de proteger al puerto de salida de posibles cortos o sobre corrientes
en la etapa de potencia.

Identificar a travs de un manual de semiconductores, las caractersticas de
los optocopladores , as como la configuracin de sus terminales.

Utilizando un manual de semiconductores se identificarn las caractersticas de los
optocopladores , as como de la configuracin de sus terminales, verificando
stas caractersticas e identificacin de terminales, mediante el uso del multmetro.

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4.8. Circuito equivalente al SCR.


a) b)
Figura 4.9.

a).- Circuito simple de control de puerta (circuito de disparo) para un
triac. El ngulo de disparo se ajusta por medio del potencimetro
b).- Circuito de control mejorado, el cual proporciona un amplio rango
de ajuste del ngulo de disparo.



FIGURA 4.10 Circuito de disparo de Triac con Diac
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EVALUACIN DEL CURSO:

SCRS: es un semiconductor que acta como un interruptor electrnico y que
puede remplazar otros componentes electromecnicos como el interruptor y el
relay o rel.


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UNIDAD V
EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL Y
SUS FUNCIONES.

INTRODUCCIN

El propsito de la cuarta unidad de la asignatura de Electrnica es el de
conocer y aplicar eficientemente las diferentes configuraciones del amplificador
operacional, as como, su implementacin y deteccin de fallas en estos circuitos
para su correcta aplicacin en el Mantenimiento Industrial.

OBJ ETIVO Y CRITERIOS DE APRENDIZAJ E.
1. Reconocer por diversos medios las caractersticas de los amplificadores
operacionales.
1.1.- Datos tcnicos del Amplificador operacional.

1.2.- Funcionamiento del Amplificador operacional en diversos circuitos.

1.3.- Funcionamiento del Amplificador operacional en diversos circuitos.

1.4.- Funcionamiento del Amplificador operacional en diversos circuitos.

1.5.- Implementacin de circuitos funcionales con Amplificadores
Operacionales.

DEMOSTRACIN DE HABILIDADES PARCIALES.
(RESULTADO DE APRENDIZAJ E)
1.1.1.- La hoja de caractersticas tcnicas del LM741 es localizada en el manual a
partir de su cdigo.
1.1.2.- Las terminales del LM741 son identificadas en la muestra fsica correlacionando
su posicin real y el esquema de la hoja tcnica.
1.1.3.- La funcin de cada una de las terminales del LM741 es descrita diferenciando
las terminales de entrada, salida y polarizacin.

1.2.1.- La operacin del circuito amplificador inversor, no inversor, sumador y seguidor
de voltaje es descrita utilizando el diagrama del mismo.
1.2.2.- El circuito amplificador inversor, no inversor, sumador y seguidor de voltaje es
construido de acuerdo al diagrama del mismo.
1.2.3.- La operacin del circuito amplificador Inversor, no-inversor, sumador y seguidor
de voltaje es examinada mediante mediciones elctricas.

1.3.1.- La operacin del circuito Detector de cruce por cero y Comparador es descrita
utilizando el diagrama del mismo.
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1.3.2.- El circuito Detector de cruce por cero y Comparador es construido de acuerdo al
diagrama del mismo.
1.3.3.- La operacin del circuito Detector de cruce por cero y Comparador es examinada
mediante mediciones elctricas.

1.4.1.- La operacin del circuito Integrador, Derivador y Diferenciador es descrita
utilizando el diagrama del mismo.
1.4.2.- El circuito Integrador, Derivador y Diferenciador es construido de acuerdo al
diagrama del mismo.
1.4.3.- La operacin del circuito Integrador, Derivador y Diferenciador es examinada
mediante mediciones elctricas.

1.5.1.- La operacin del circuito generador de seales es descrita utilizando el diagrama
del mismo.
1.5.2.- El circuito generador de seales es construido de acuerdo al diagrama del
mismo.

1.5.3.- La operacin del circuito generador de seales es examinada mediante
mediciones elctricas.




BREVE BOSQUEJO HISTRICO:

LOS PRIMEROS AOS

George Philbrick es una de las personas a las que se atribuye la invencin y
difusin de los amplificadores operacionales. Trabaj primero en Huntington
Engineering Labs, y luego en su propia compaa Philbrick Associates. Intervino
en el diseo de un amplificador operacional con solo un tubo de vaco y lo
introdujo al mercado en 1984. Esos primeros amplificadores y las versiones
posteriores mejoradas estaban destinados fundamentalmente a emplearse en las
computadoras analgicas. Por aquella poca, la palabra operacional en estos
dispositivos se significaba operaciones matemticas.
Los primeros amplificadores operacionales servan para construir circuitos
capaces de sumar, restar, multiplicar e incluso resolver ecuaciones diferenciales.
Las computadoras analgicas eran poco exactas: admitan un mximo de tres
cifras significativas. De ah que fueran reemplazadas por las computadoras
digitales que son ms rpidas, exactas y verstiles. Pero el advenimiento de la
computadora digital no marc la desaparicin de la computadora operacional.

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NACIMIENTO Y DESARROLLO DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL DE
CIRCUITO INTEGRADO

Entre los aos de 1964 y 1967 Fairchild desarroll los amplificadores
operacionales en circuitos integrados 702, 709 y 741, mientras que National
semiconductor introdujo el 101/301. Estos amplificadores de circuito integrado
revolucionaron algunas reas de la electrnica por su pequeo tamao y bajo
costo. Ms importante an, redujeron drsticamente el trabajo de diseo de
circuitos. Por ejemplo, en vez de la tediosa y difcil tarea de realizar un
amplificador con transistores, los diseadores podan servirse del amplificador
operacional y unas cuantas resistencias para construir un circuito amplificador.


PROGRESO EN EL DESARROLLO DE LOS AMPLIFICADORES
OERACIONALES:

A medida que la tecnologa de fabricacin adquiri mayor precisin se realizaron
mejoras notables a los amplificadores operacionales en dos aspectos: Primero,
algunos transistores de unin,(juntura) bipolar fueron sustituidos por transistores
de efecto de campo. Los J FET, en la entrada del amplificador operacional toman
corrientes muy pequeas y permiten que los valores de entrada varen entre los
limites de la fuente de alimentacin. Los transistores MOS, o semiconductor de
xido metlico, en los circuitos de salida permiten que la salida se aproxime a
milivots de los lmites de la fuente de poder.
El primer amplificador operacional BIFET, o de transistores de efecto de campo,
fue el LF356. El caso CA3130 tiene entradas bipolares y una salida MOS
complementaria. De ah su nombre tan apropiado: BIMOS estos amplificadores
son ms rpidos y presentan una respuesta mejor a altas frecuencias que el 741.
La segunda innovacin fundamental fue la invencin de los encapsulados de doble
y cudruple amplificador. En el mismo encapsulado de 14 terminales ocupado por
un solo amplificador operacional, los diseadores fabricaban cuatro individuales,
los cuales comparten la misma fuente de poder. El LM324 es un ejemplo muy
conocido de este tipo cudruple y el LM358 es uno doble muy usado.

LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES SE ESPECIALIZAN

Lleg el ineludible momento en que los amplificadores operacionales de propsito
general fueron rediseados para optimizar o incorporar ciertas caractersticas. Los
circuitos integrados de funcin especial que contienen ms de un amplificador
operacional se desarrollaron entonces para llevar a cabo funciones complejas.
Basta hojear los manuales de datos de amplificadores operacionales lineales para
apreciar la gran variedad. Los siguientes son algunos ejemplos:

1.- Capacidad de alta corriente, alto voltaje o ambos.
2.-Mdulos para sonar de emisin y recepcin.
3.- Amplificadores mltiples.
4.- Amplificadores de ganancia programable.
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5.- Instrumentacin y control automotriz.
6.- Circuitos integrados para comunicaciones.
7.- circuitos integrados para radio/audio/video.

Los amplificadores de propsito general durarn muchos aos en el mercado. Sin
embargo, cabe suponer que se desarrollen circuitos integrados ms complejos en
un solo chip que combinen varios amplificadores con circuitos digitales. De hecho
con el advenimiento de la tecnologa de integracin a gran escala (VLSI) es
inevitable que se fabriquen sistemas completos en un solo chip.
Hoy es una realidad la computadora en un solo circuito integrado. Con el tiempo
se inventar tambin el televisor en un solo chip. Antes de aprender a utilizar los
amplificadores operacionales, conviene saber cmo son y cmo comprarlos. Su
aplicacin ms importante ser como parte de un sistema que se conecta el
mundo real de un voltaje analgico con el mundo digital de la computadora.





EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL DE PROPOSITO GENERAL 741

Smbolo y terminales del circuito

El smbolo del amplificador operacional es el que se muestra en la figura 1, es un
tringulo que apunta en la direccin del flujo de la seal. Este componente tiene
un nmero de identificacin de parte (NIP) colocado dentro del smbolo del
tringulo. El nmero designa al amplificador operacional con caractersticas
especficas. El 741C que se muestra aqu es un amplificador operacional de
propsito general que se emplear para algunos ejemplos.
El amplificador operacional tambin puede codificarse en un esquema o diagrama
de circuito con un nmero de referencia por ejemplo UI, IC 101, etc.

Despus el nmero de identificacin de parte se pone dentro de la lista de partes
del esquema del circuito. Todos los amplificadores operacionales poseen por lo
menos cinco terminales: (1) la terminal de fuente de poder positiva VCC o +V en la
pata 7, (2) la terminal de la fuente negativa VEE o V, en la pata 4, (3) la terminal
de salida 6, (4) la terminal de entrad inversora (-) en la pata 2, (5) la terminal de
entrada no inversora (+) en la pata 3. Algunos amplificadores operacionales de
propsito general cuentan con ms terminales especializadas. (Las terminales que
acabamos de mencionar se refieren al caso del mini DIP de ocho terminales ).






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Figura 1 Smbolo de circuito de amplificador operacional de propsito
general.



COMBINACION DE SIMBOLO Y TERMINALES

Los fabricantes combinan actualmente en un solo dibujo el smbolo del circuito de
un amplificador operacional con el encapsulado. Por ejemplo, los cuatro tipos ms
comunes de encapsulado que aloja el amplificador operacional se muestra en la
figura 2 y es el amplificador operacional 741. Si se comparan las figuras 2a y 2b se
puede observar que los esquemas de numeracin son idnticos para la caja de
ocho patas que para el DIP de 8 patas.
Una muesca o punto identifica la pata 1 en estos dispositivos y una lengeta
identifica la pata 8 en el encapsulado tipo TO-5 ( o el semejante TO-99) Cuando la
figura se ve desde arriba, la numeracin de patas se realiza en sentido contrario al
de las manecillas del reloj.

A continuacin se explicar cmo aprender a comprar un tipo especfico de
amplificador operacional y tambin se darn recomendaciones respecto a las
tcnicas bsicas para el cableado de amplificadores operacionales.















2a) Encapsulado metlico de 8 terminales (TO-99) vista superior


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2b) Encapsulado plano de 10 terminales(To-91) vista superior.


Figura 2 Diagrama de conexin para encapsulados tpicos de amplificadores
operacionales.




COMO IDENTIFICAR O ESPECIFICAR UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL

EL CODIGO DE IDENTIFICACION

Cada tipo de amplificador tiene un cdigo de identificacin de letra y nmero. Este
cdigo responde a 4 preguntas:
1.-Qu tipo de amplificador es?
2.-Quin lo fabrica?
3.-De qu calidad es? (ejemplo: el intervalo garantizado de temperatura de
operacin)
4.-Qu clase de encapsulado contiene al chip del amplificador operacional?
(ejemplo DIP de plstico)
No todos los fabricantes utilizan el mismo cdigo, pues la mayora se sirve de un
cdigo de identificacin que consta de cuatro partes escritas en el siguiente orden:
(1) Prefijo de letras
(2) Nmero de circuito
(3) Sufijo de letras
(4) Cdigo de especificacin militar.

PREFIJO DE LETRAS: El cdigo de prefijo de letras por lo general consiste en
dos letras que identifican al fabricante. En los siguientes ejemplos se dan algunos
cdigos.

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Prefijo inicial Fabricante

AD Analog Divices
CA RCA
NS National Semiconductor Corp.
MC Motorola
OP Precision Monolitics
TL Texas Instruments

NUMERO DE CIRCUITO: El nmero de circuito se compone de tres a siete
nmeros y letras que identifican el tipo de amplificador operacional y su intervalo
de temperatura. Por ejemplo:

062C






Los tres cdigos de intervalo de temperatura son:
1.- C: Comercial 0 a 70C
2.- I: Industrial 25 a 85C
3.- M: Militar 55 a 125C

SUFIJO DE LETRAS: El sufijo de una o dos letras identifica el tipo de
encapsulado que contiene al chip del amplificador operacional. Se necesita
conocer el tipo de encapsulado para obtener las conexiones correctas de las patas
de las hojas de especificaciones. A continuacin se dan los tres cdigos de sufijos
ms comunes de los encapsulados.

Cdigo de encapsulado. Descripcin

D De plstico, doble en lnea para montaje en la superficie en una
tarjeta de circuito impreso.

J De cermica, doble en lnea.
N,P De plstico, doble en lnea para insercin en receptculo.

CODIGO DE ESPECIFICACION MILITAR: Se emplea exclusivamente cuando la
pieza se destina a aplicaciones que requieren gran confiabilidad.
EJ EMPLO DE ESPECIFICACION DE PEDIDO

Un amplificador operacional de propsito general, el 741, se identifica por
completo de la siguiente manera:

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Prefijo Nmero Sufijo


A 741C P(8terminales)

Farchild Amplificador operacional Encapsulado plstico.
De propsito general, con
Intervalo de temperatura
Comercial.

FUENTES SECUNDARIAS

Algunos amplificadores operacionales se emplean tan ampliamente que los
produce ms un fabricante. Estos se denominan fuentes secundarias. Los
empleados de Fairchild disearon y fabricaron el 741 original. Despus la
compaa firm contrato de cesin de derechos con otros fabricantes para que
pudiesen producirlos y obtuvo en cambio autorizacin para fabricar amplificadores
operacionales y otros dispositivos de dichos fabricantes.
Con el transcurso del tiempo, el diseo original del 741 fue modificado y mejorado
por todos los fabricantes, as, el amplificador actual se halla en la quinta o sexta
generacin evolutiva.
Por tanto, si un proveedor suministra un dip 741 de 8 terminales posiblemente lo
fabricaron Fairchild(u741), Analog Divices(AD741), National Semiconductors
(LM741) u otras empresas. Por consecuencia, siempre hay que cerciorarse que
las hojas de informacin correspondan al dispositivo adquirido con ello se tendr la
informacin acerca de su funcionamiento exacto, as como el cdigo de
identificacin de tal dispositivo.

CONEXIONES DE CIRCUITOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES
FUENTE DE PODER

Las fuentes de alimentacin de los amplificadores operacionales de propsito
general son bipolares. Como se aprecia en la figura 3a) las que se venden en el
mercado suelen ser de +/- 15V. Se da el nombre de comn de las fuentes de
alimentacin al punto comn de ambas fuentes de +15V y de 15V que se
muestra con el smbolo de tierra por dos motivos, primero, todas las mediciones
de voltaje se efectan respecto a ese punto, segundo, el comn de la fuente de
alimentacin suele conectarse al tercer conductor del cable de corriente que
conecta con la tierra (por lo general tomada de un tubo de agua en el stano), al
chasis que est contenida la fuente.

En la figura 3b) se muestra el dibujo esquemtico de una fuente porttil. Se ofrece
este diagrama para reforzar la idea de que una fuente bipolar contiene dos fuentes
de potencial conectada en serie en el mismo sentido.
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Figura 3a) Esquema de una fuente de poder bipolar comercial





















Figura 3b) Fuente de poder para una operacin porttil.
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SUGERENCIAS PARA CONECTAR AMPLIFICADORES OPERACIONALES

(1) Realice todo el cableado con la fuente apagada.
(2) Procure que el alambrado y los conductores de los componentes sean lo ms
corto posible.
(3) Conecte primero las alimentaciones +V y V del amplificador operacional. Es
sorprendente la frecuencia con que se omite este paso decisivo.
(4) Trate de cablear todos los conductores de tierra a un punto de unin, el comn
de la fuente de poder. Este tipo de conexin recibe el nombre de conexin
estrella. No use un cable de tierra, podra producirse un lazo de tierra y
generarse voltaje de ruido indeseable.
(5) Verifique por segunda vez el alambrado antes de aplicarle corriente al
amplificador operacional.
(6) Conecte voltajes de seal de circuito slo despus de que el amplificador
operacional tenga corriente.
(7) Tome todas las mediciones respecto de tierra; por ejemplo, si una resistencia
est conectada entre dos terminales de un circuito integrado, no se conecta un
medidor ni un ORC (Osciloscopio de rayos catdicos) a las terminales de la
resistencia; por el contrario, mida el voltaje en un lado de la resistencia y
despus en el otro lado y calcule la cada de voltaje
(8) En lo posible, no utilice ampermetros. Mida el voltaje como en el paso 7 y
calcule la corriente.
(9) Desconecte la seal de entrada antes de quitar la corriente directa, de lo
contrario, podra destruirse el circuito integrado.
(10) Estos circuitos integrados resisten mucho el mal uso pero nunca: Invierta la
polaridad de las fuentes de potencia, nunca conecte las terminales de entrada
del amplificador operacional por arriba o por debajo de los potenciales en la
terminal +V ni en la terminal V, ni deje conectada la seal de entrada sin
corriente en el circuito integrado.
(11) Si aparecen oscilaciones indeseables en la salida y las conexiones del
circuito integrado parecen correctas: Conecte un capacitor de 0-1uF entre la
terminal +V del amplificador operacional y tierra y otro capacitor de 0-1uF entre
la terminal V del amplificador operacional y tierra. Acorte los alambres o
conductores, Verifique los alambres de tierra del instrumento de prueba del
generador de seales, de la carga y de la fuente de poder, debern juntarse en
algn punto.
(12) Los principios anteriores se aplican a todos los dems circuitos integrados
lineales.


TERMINALES DE ALIMENTACION DE CORRIENTE

Las terminales del amplificador operacional etiquetadas como +V y V identifican
las terminales del amplificador operacional que deben conectarse a la fuente de
poder, obsrvese que la alimentacin de corriente tiene tres terminales :positiva,
negativa y comn.
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Esta terminal comn de la fuente de poder puede o no esta conectada a tierra
mediante el tercer alambre de cable de la lnea sin embargo, a llegado a ser
costumbre mostrar el comn de corriente como un smbolo de tierra en el
diagrama esquemtico. El uso del termino de tierra o el smbolo tierra es una
convencin que indica que todas las mediciones de voltaje se hacen con respecto
a tierra.
La fuente de alimentacin que utilizan los amplificadores operacionales es
tpicamente bipolar.


TERMINALES DE SALIDA

En la figura 4 la terminal de salida del amplificador operacional est conectada a
un extremo de la resistencia de carga RL. El otro extremo de RL est conectado a
tierra. El voltaje de salida Vo se mide con respecto a tierra, ya que hay slo una
terminal de salida en un amplificador operacional, se le llama salida de extremo
nico. Hay un lmite a la corriente que puede tomarse de la terminal de salida de
un amplificador operacional, por lo comn del orden de 5 a 10mA Tambin hay
lmites en los niveles de voltaje en la terminal de salida, estos lmites se
determinan por los voltajes de alimentacin y por los transistores internos del
integrado Q14 y Q20, estos transistores necesitan de 1 a 2V del colector al emisor
para asegurarse que acten como amplificadores y no como interruptores. Por lo
tanto, la salida en la terminal puede crecer hasta 1V debajo de +V y caer hasta 2V
arriba de V. El lmite superior de Vo se denomina voltaje positivo de saturacin,
+Vsat, y el lmite inferior voltaje negativo de saturacin Vsat. Por ejemplo, con
una fuente de alimentacin de +/- 15V, +Vsat =14V y Vsat =-13V. Por lo tanto,
Vo est restringido a una variacin simtrica de pico a pico de +/-13V Ambos
limites de corriente y voltaje determinan un valor mnimo en la resistencia de carga
RL de 2Kohm, sin embargo, los amplificadores operacionales de propsito
especial como el CA3130 tienen MOS, semiconductores de xido metlico (en
ingls metal oxide semiconductor)en vez de transistores bipolares de salida. Esta
salida puede acercarse a pocos milivolts ya sea de +Vo o V












Figura 4 Cableado para la alimentacin y carga de un amplificador operacional.

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La mayor parte de los amplificadores operacionales, entre ellos el 741, tienen
circuitos internos que automticamente limitan la corriente de la terminal de
salida. An cuando ocurra un corto circuito en RL, la corriente de salida est
limitada a unos 25 mA, esta caracterstica impide la destruccin del amplificador
operacional en caso de corto circuito.

TERMINALES DE ENTRADA

Las terminales de entrada se denominan terminales de entrada diferencial ya que
el voltaje de salida V0 depende del la diferencia de voltaje de entrada entre ellas,
Ed, y la ganancia del amplificador operacional A
OL
. La terminal de salida es
positivo respecto a tierra cuando la entrada (+) es positiva con respecto a, o
mayor a la entrada (-), cuando la entrada diferencial es invertida, la entrada (+) es
negativa respecto a, o menor, a la entrada (-) y Vo se vuelve negativo respecto a
tierra.
Se concluye que la polaridad de la terminal de salida es la misma polaridad de la
terminal de entrada (+) con respecto a la entrada (-).
Es importante destacar que la polaridad Vo depende slo de la diferencia en
voltaje entre las terminales inversora y no inversora. Esta diferencia de voltaje
puede encontrarse por

Ed = Voltaje de entrada (+) Voltaje de entrada (-)


Ambos voltajes de entrada se miden con respecto a tierra, el signo Ed indica (1) la
polaridad de entrada (+) respecto a la entrada (-) y (2) la polaridad de la terminal
de salida con respecto a tierra. Esta ecuacin es vlida si la entrada inversora est
puesta a tierra, si la entrada no inversora est puesta a tierra inclusive ambas
entradas estn arriba o abajo del potencial tierra.


TRES CARCATERISTICAS IMPORTANTES DE LOS AMPLIFICADORES
OPERACIONALES:

Ganancia de voltaje.
Impedancia de entrada.
Impedancia de salida.


Un amplificador ideal tendra una ganancia de voltaje infinita, una impedancia de
entrada infinita y una impedancia de salida cero. Un amplificador operacional es
un intento serio de igualar estas caractersticas.
A continuacin se dan valores tpicos de un amplificador operacional para estas
caractersticas:

A
V
Ganancia de voltaje (Vo/Vi) = 1000-20000
Zi Impedancia de entrada 1-100Mohms.
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Zo Impedancia de salida 10-100Ohms.

Otra caracterstica importante es la relacin de fase entre las seales de entrada y
salida. El circuito amplificador operacional tiene la capacidad nica de
proporcionar una salida que est en fase o fuera de fase con una seal de entrada
aplicada a la entrada, ya que el amplificador operacional cuenta con dos entradas,
una que produce una salida en fase con la entrada, y la otra que proporciona una
salida fuera de fase con la entrada.

CIRCUITOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES DE GANACIA
CONSTANTE

Si bien el amplificador operacional tiene una muy alta ganancia de voltaje en
general su valor varia de un circuito integrado a otro. Aunque la precisa ganancia
de voltaje de un circuito integrado no est bien definida, puede obtenerse una
ganacia especifica mediante el uso de resistores de precisin en una conexin de
circuito, como se muestra en la figura 5.













Figura 5 Conexin de un circuito amplificador operacional de ganancia
constante.

Obsrvese que Vi de entrada se aplica a travs del resistor R1 en la entrada inversora
con salida conectada de vuelta a la entrada inversora por conducto del resistor Ro. La
entrada no inversora se utiliza como referencia, la que en este caso est conectada a
tierra.
Si el amplificador operacional es ideal, entonces la ganancia de voltaje resultante
es :

A
V
= Vo /Vi = Ro /Ri

Ejemplo:

Calcular la ganancia de voltaje del circuito de la figura 5 para los componentes del
resistor R1 =10Kohms y Ro =150Kohms.
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Solucin:
AV = Vo/Vi = -Ro/R1 = -150Kohm/10Kohms = -15

El amplificador tiene una ganancia de voltaje exactamente de 15, y el signo
negativo indica un desfasamiento de 180 entre la entrada y la salida.


TIERRA VIRTUAL

El anlisis del amplificador operacional de ganancia constante mostrado en la
figura 5 y otras configuraciones del amplificador operacional se simplifican
utilizando el concepto de tierra virtual. Para un amplificador operacional con un
voltaje de salida finito limitado por el voltaje de fuente, por ejemplo, de 10V, y una
ganancia de voltaje muy elevada, por ejemplo de 20000, el voltaje de entrada es
muy pequeo virtualmente de 0V o tierra, de ah el termino de tierra virtual Sin
embargo, la impedancia de entrada del amplificador operacional es muy altade
casi 1Mohm, de modo que el amplificador operacional consume muy poca
corriente. As, la entrada acta como tierra virtual para el voltaje y como circuito
abierto para corriente.

Si bien la tierra virtual puede usarse para facilitar el anlisis de un circuito
amplificador operacional, de ste depende que tenga una ganancia de voltaje muy
alta y una impedancia de entrada alta en comparacin con los otros componentes
resistivos del circuito. Como esto por lo general es cierto para un circuito
amplificador operacional, la ecuacin para la ganancia de voltaje resultante
proporciona valores numricos que son muy similares a los que se obtienen con el
circuito real.
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AMPLIFICADOR NO INVERSOR

La figura 6 muestra la conexin de un amplificador operacional como un
amplificador no inversor. Mediante el anlisis de tierra virtual (Vi = 0)


















Figura 6 Amplificador operacional no inversor.


Vi =V1-Vo (R1/R1 +Ro) =0
V1 =Vo [ R1/(R1 +Ro)]
Vo/V1 =(R1 +Ro)/R1 =1 +Ro/R1

Ejemplo.

Calcular la ganancia de voltaje del circuito de la fig.6 con Ro =15Kohms y R1 =
3Kohms

Solucin:

Vo/V1 =1 + Ro/R1 =1 +15K/3K =1 +5 = 6


AMPLIFICADOR OPERACIONAL CON CIRCUITO DE GANANCIA UNITARIA.

El circuito de la figura 7 muestra la conexin de un amplificador operacional como
un amplificador con ganancia unitaria ( amplificador con una Gandia de
1).Mediante el anlisis de tierra virtual,

Vi =V1 Vo =0

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De modo que V1 =Vo

y Vo/V1 =1












Figura 7 configuracin de ganancia unitaria.

El amplificador tiene una ganancia de casi 1, sin inversin de fase. Este tipo de
amplificador es muy til como amplificador de acoplamiento, proporcionando una
salida exactamente igual a la entrada, pero con una salida de baja impedancia
capaz de manejar varias cargas. Un circuito seguidor unitario, por tanto, puede
usarse para acoplar una seal, que proporcione una impedancia de entrada muy
alta que en esencia no cargue la seal de entrada y que proporcione la misma
seal de salida 8 tanto en magnitud como en fase) procedente de una salida de
baja impedancia la cual puede conectarse a una o ms cargas.

AMPLIFICADOR OPERACIONAL SUMADOR

Si bien los circuitos bsicos son bastante conocidos, la conexin de un
amplificador operacional que sume ( o reste dos o ms seales) tambin es
bastante til.
La figura 8 muestra la conexin de un amplificador operacional para sumar dos
entradas. Mediante el mtodo de tierra virtual, con Vi =0V, la suma de corriente es

V1/R1 +V2/R2 = -V0/R0


La cual puede resolverse para Vo

Vo = - [ (R0/R1)*V1 + (R0/R2)*V2 ]

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Figura 8 circuito sumador con dos resistencias.

Ejemplo

Calcular el voltaje de salida del circuito mostrado en la fig.8 con los valores de Ro
=20Kohms, R1 =1Kohm, R2 =5Kohms, V1 =0.5V y V2 =0.2V

Solucin Con la ecuacin anterior:

Vo = - [ (20K/1K)*0.5V + (20K/5K)*0.2V] = - [20(0.5V) + 4( 0.2V) ]
Vo = -(10V + 0.8V ) = -10.8V


COMPARADORES.

Un comparador es un circuito que seala el estado de relacin de los
potenciales de sus dos entradas. Si una entrada es la referencia y la otra es
desconocida, la salida del comparador indicar que la seal desconocida est
arriba o abajo del voltaje de referencia . un amplificador operacional bsico como
circuito comparador es mostrado en la figura 4.1
V
o


V
osat

V
i
+ V
r

0
V
i

_ V
o
=f(V
i
-V
r
) -V
osat

R
e


a) Circuito comparador bsico. b) Funcin de transferencia.

En este ejemplo V
r
es un voltaje positivo aplicado a la entrada no inversora
(-) del amplificador operacional, y V
i
es un voltaje desconocido en la entrada no
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inversora. Cuando Vi es menor que el voltaje de referencia Vr, la salida del
amplificador operacional se ir al limite de saturacin negativa, -Vosat. Al
aumentar Vi y ser mayor que Vr , la salida del amplificador cambiar y se saturar
al nivel positivo , +Vosat. La funcin de transferencia se muestra en la figura 4.1b;
en este circuito el amplificador opera en la condicin de lazo abierto, por esto la
diferencia de voltaje pico a pico requerido para cambiar la salida de un estado a
otro es muy pequea, y esencialmente sera

Vi-Vr =[(+Vosat) - (-Vosat)] / Ao

Donde Ao es la ganancia de voltaje en lazo abierto del amplificador operacional,
misma que siempre es muy grande. Por esto, para producir el cambio de estado
en la salida el voltaje diferencial de entrada normalmente ser del orden de
algunos cientos de microvolts. El factor dominante que determina la conmutacin
es el voltaje de compensacin de (offset) Vio del amplificador, alcanzado en
algunos casos valores tan grandes como 10 mV. Es por esta razn que en
comparadores de precisin y dependiendo de la aplicacin, este voltaje debe ser
anulado. En general, lo que se pretende es que un comparador sea capaz de
cambiar los estados de salida lo mas rpido posible. Por lo tanto, los
comparadores operan sin retroalimentacin negativa y no hay la necesidad de
usar compensacin de frecuencia para estabilizar al amplificador, ya que sta
disminuye la velocidad de respuesta del amplificador en lazo abierto. Por ejemplo
el 747 que tiene una limitada velocidad de respuesta (Sr) de 0.5 V/s requerira
de 40 s para efectuar un desplazamiento del voltaje de salida entre 10 V. Por
otro lado el LM301 es compensado tiene el mismo Sr =0.5 V/s. Si se elimina la
compensacin el Sr es de 20 V/s o ms lo que significa que el voltaje de salida
puede variar entre 10 V en 1s o menos.
Al eliminar la compensacin, tambin aumenta la ganancia del amplificador
operacional en alta frecuencia; este incremento en el intervalo de frecuencia, har
que el comparador tenga mxima sensibilidad. Una gran ganancia de lazo abierto,
implica que se necesitar un pequeo voltaje en la entrada para iniciar la
transicin en la salida.
Dependiendo bsicamente de la combinacin de a que terminal de entrada
se aplica Vi, de si el voltaje d referencia es o no es cero, del uso de la histresis y
de la definicin de ventana de salida, se obtienen los siguientes tipos de
comparadores o detectores:

Detector e cruce por cero inversor.
Detector e cruce por cero no inversor.
Detector e cruce por cero inversor con histresis.
Detector e cruce por cero no inversor con histresis.

DETECTOR DE CRUCE POR CERO.

Este circuito es conocido mediante varios nombres, de entre los cuales los
mas comunes son comparador de cruce por cero, detector de nivel cero y
disparador Schmitt.
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DETECTOR DE CRUCE POR CERO INVERSOR.

Un detector de cruce por cero, determina si un voltaje de entrada es mayor o
menor que cero. En respuesta a esta funcin, el voltaje de salida es positivo si Vi <
0 y negativo si Vi >0. Como se muestra en la siguiente figura, las magnitudes del
voltaje de salida positivo y negativo son determinadas slo por los diodos Zener
Z1 y Z2. Si Vi <0, Vo =VZ1; y si Vi>0 , Vo =-VZ2. La figura ilustra la funcin de
transferencia de entrada y salida del circuito; en este comparador son varias las
fuentes de error, las cuales sern discutidas a continuacin.

Primero analizar el error producido por la corriente de entrada al
amplificador operacional, el cul se debe a las corrientes de entrada de
polarizacin Iib y a la corriente de compensacin Iio.
Idealmente el voltaje de salida debera cambiar de estado en el momento
en que Vi pasa de los cero volts. Cuando la salida cambia, esto significa que a
travs de los diodos Zener la direccin de la corriente e inversa, y en ese instante
el voltaje de salida pasa por voltaje cero. Cuando Vo =0, se tiene que Ii =Iib.
Concluyendo que el circuito no cambia hasta que

Vi =IiR1 =IibR1

La corriente de polarizacin de entrada del amplificador operacional,
producir un error en el cambio a cero del voltaje de entrada. Este error se
minimiza conectando el resistor R3 en la entrada no inversora del comparador, y
haciendo R3 = R1. El nico error que queda producto de la corriente de
polarizacin de entrada, se debe a la diferencia de las corrientes de entrada entre
las dos termnales de entrada Iio, donde Iio <Iib, si se hace que R3 sea ajustable
desde R1 a 4 R1, R3 puede ser variable para que el cambio o la conmutacin
ocurra exactamente cuando el voltaje de entrada sea cero.
El voltaje de compensacin de entrada Vio del amplificador operacional,
produce un error de conmutacin en Vi cuando ste es igual en magnitud al voltaje
offset Vio. En el peor de los casos, ste debe aadirse a los errores causados por
Ib e Io y Vio pueden ser de otra polaridad con respecto a Iib. Suponiendo que
todos los errores son acumulados en la misma direccin el peor caso de
compensacin es en el Vi, y si R1 =R3
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Voff =Vio +IioR1
Si R1 <<R3
Voff =Vio + Iib(R1 R3)

Es importante cancelar Voff usando las terminales para compensacin del
amplificador operacional, o variando R3 a la temperatura ambiente. Al mismo
tiempo, Vio, Iib e Iio son sensibles a la temperatura y Voff tomar valores que no
son cero despus de un tiempo y / o a otras temperaturas. Cuando se realiza
detector de cruce por cero, el ajuste se hace para que el comparador conmute
cuando Vi pasa por cero a una sola temperatura, ya que a un tiempo despus y/o
a una temperatura distinta cuando Iib, Vio e Iio hayan cambiado, la conmutacin
se efectuar a un voltaje ligeramente diferente de cero.
En la figura 4.3, se muestra la funcin de transferencia ideal y la funcin
caracterstica de voltaje de un AMOP; el hecho de que esta ultima funcin difiera,
crea otra fuente de error en el detector de cruce por cero. El desplazamiento total
del voltaje de salida, por ejemplo de Vcc =- 3V a Vcc =+3V (o viceversa), llega a
estos valores si el voltaje de entrada Vi vara ms que

o
cc cc
i
A
V V
V
6 ) ( ) (
min
+
=
donde Ao es la ganancia de voltaje cc del amplificador operacional para seales
grandes. La respuesta del voltaje de salida depende directamente de la velocidad
de cambio de Vi, y usualmente debe exceder al cambio mnimo de Vi multiplicado
por un factor del orden de 10 a 100 para que as, el voltaje de salida alcance su
mxima velocidad de conmutacin; por ejemplo, el mximo Slow rate del
amplificador operacional.
El detector de cruce por cero inversor tiene una gran desventaja, la cual se
traduce en un efecto intermitente que se explica de la siguiente manera: si el
ruido en la entrada tiene una magnitud considerable con respecto a Vi, el circuito
presentar una conmutacin errnea que se convierte en indecisin o duda del
comparador en torno al umbral (cero volts) de conmutacin. Esto se puede
solucionar conectando un filtro a la seal de entrada, y para ello debe usarse un
Amp Op de baja ganancia o usar histresis, la cual entre otras cosas aumenta la
velocidad de conmutacin del comparador. Este ultimo punto se expondr ms
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adelante, sin embargo, es importante destacar que la velocidad de conmutacin
nunca puede sobrepasar a la velocidad de respuesta (Sr) del Amp Op.

DETECTOR DE CRUCE POR CERO NO INVERSOR.

El circuito mostrado en la sig. figura es similar al de la figura 4.2; la
diferencia radica en que ahora la seal de entrada es aplicada a la entrada no
inversora del amplificador a trabes de la resistencia R3, y por otro lado R1 conecta
la entrada inversora a tierra. El funcionamiento del circuito no inversor es idntico
al del inversor excepto en la funcin de transferencia, la cual est rotada en torno
al eje x voltaje de entrada.



COMPARADORES CON HISTRESIS.
Cuando la seal de entrada viene contaminada con ruido, la conmutacin ya no se
efecta en el tiempo preciso para el cul se diseo el detector y, en consecuencia,
se produce una indecisin o intermitencia en el umbral o momento de la
conmutacin, llamada por algunos autores parpadeo y por otros castaeo.
En la figura 4.5 se observan los cambios falsos en la salida; para evitarlos,
una solucin es aplicar el concepto de histresis de circuitos magnticos, donde la
curva de la densidad de flujo B o induccin magntica en funcin de la intensidad
de campo H presenta histresis.

DETECTOR DE CRUCE POR CERO INVERSOR CON HISTRESIS.
Este circuito es conocido con diversos nombres, entre los cuales se tienen
los siguientes: comparador de cruce por cero, detector de nivel cero comparador
regenerativo, disparador Schmitt, retenedor de dos niveles, comparador retenedor,
detector de cruce por cero retenedor, etc.
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En general se produce histresis cuando a un comparador se le aplica un
realimentacin positiva. Para ello, mediante una resistencia Rf se toma una
muestra del estado de la salida y se la lleva sin inversin de fase a la entrada,
para ser comparada con Vi. De esta forma se proporciona una cantidad de
retroalimentacin positiva, dada por el factor
2
2
R R
R
h
f
+
=
Este tipo de retro alimentacin se comprende mejor si se analiza con
respecto a la figura del circuito detector de cruce por cero inversor.

La histresis es una caja de forma ensanchada que produce la curva Z de
la figura 4.66b, y el ancho de la caja es controlado por el grado de
retroalimentacin. Si se desea reducir la histresis a cero, la resistencia Rf debe
ser infinita; de la ecuacin (6), para Rf = se tiene h =0, y en este caso la funcin
de transferencia se reduce a la de la figura 4.2b. En la misma ecuacin se ve que
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tambin suceder esto, si R
2
= 0. Bajo estas dos condiciones, el circuito se
convertira en un detector de cruce por cero inversor.
Por otro lado, en la figura 4.6b se ve que V
o
vs V
i
siempre se desplaza o
viaja en el sentido de las manecillas del reloj, en torno a la curva de histresis Z.
El lazo de retroalimentacin lleva una fraccin del voltaje de salida a la
terminal no inversora, haciendo que en esta exista un voltaje de referencia, el cual
esta dado por:
osat
f
sat o r
hV
R R
R
V V =
(
(

+
=
2
2


Una forma de comprender el funcionamiento de este tipo de comparador es la
siguiente:
Cuando V
o
=V
osat
, el voltaje de referencia es +hV
osat
y este es el llamado punto de
disparo superior (DS). Si todo esto sucede es que V
i
<0; cuando V
i
se hace menos
negativo, nos desplazamos en la parte superior de la curva Z y el voltaje de salida
seguir siendo V
osat
. Por otro lado, lo que realmente hace el circuito es comparar
en todo instante la diferencia de voltaje entre la terminal no inversora y la
inversora. As mismo, V
i
puede aumentar hasta poco antes del umbral dado por
+hV
osat
y en todo este rango el voltaje de salida permanece constante. Sin
embargo, una vez que V
i
es igual a +hV
osat
(DS), el comparador esta en
condiciones de cambiar de estado y sucede en el momento cuando el voltaje de
entrada V
i
es ligeramente mayor al voltaje de referencia +hV
osat
. En este instante,
la salida cambia de estado con rapidez y se hace igual -V
osat
; en consecuencia el
voltaje de referencia invierte su polaridad y ahora se hace negativo. Si V
i
sigue en
aumento, el voltaje diferencial del amplificador operacional es negativo por lo que
se refuerza aun mas la condicin o estado en el que se encuentra el comparador.
Si V
i
disminuye se regresa sobre la curva Z hacia la izquierda, y mientras la
diferencia de potencial entre las terminales no inversora e inversora del
amplificador operacional siga siendo negativa no se produce cambio de estado en
la salida si no hasta cuando V
i
=-hV
osat
. En este momento, el comparador se
encuentra en el umbral de conmutacin llamado punto de disparo inferior (DI);
sobrepasando ligeramente este, el voltaje diferencial del amplificador cambia de
polaridad y el comparador conmuta rpidamente hasta que el voltaje de salida
retorna a +hV
osat
. Si la disminucin de V
i
continua, se sigue reforzando el estado
actual del circuito. Es as como se efecta un ciclo de histresis, y la distancia
entre umbrales de disparo se define como:

Histresis =(+DS) +(+DI)

Con este efecto, se crea un umbral de disparo cuyo ancho es determinado
por el grado de retroalimentacin y puede variar entre unos pocos milivolts a
algunos volts. Lo que se consigue, es hacer al comparador inmune al ruido o
transitorios que pueden errneamente disparar al detector.
Otra ventaja que presenta un comparador con histresis, es que debido a la
retroalimentacin positiva se producen un efecto regenerativo que acelera el
tiempo de conmutacin. Una forma de acelerar aun mas este tiempo se consigue
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conectando un capacitor acelerador, el cual ira conectado en paralelo con la Rf,
como se muestra en la figura 4.7





Para que esto suceda, se debe cumplir la siguiente condicin:
f
p
c
c
R
R
X
X
f
p
=
Donde C
p
es la sntesis de las capacidades parsitas de la terminal no inversora a
tierra, siendo del orden de algunos picofarads; de hecho, un valor real ser de 15
a 100 pF. De la ecuacin anterior se tiene que
R
f
C
f
=R
p
C
p
o bien C
f
=
(
(

f
p
p
R
R
C
Para asegurar un buen disparo, se recomienda que

C
f
>
(
(

f
p
p
R
R
C
De donde finalmente se tiene que
R
f
C
f
>R
p
C
p




DETECTOR DE CRUCE POR CERO NO INVERSOR CON HISTRESIS
El detector de cruce por cero ni inversor con histresis es similar al inversor, la
nica diferencia radica en que la funcin de transferencia est invertida o rotada
en torno al eje horizontal, como se muestra en la figura 4.8.
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AMPLIFICADOR OPERACIONAL INTEGRADOR

Cuando se conecta un capacitor de la salida a la entrada, como se muestra en la
figura 9, el circuito opera como integrador. Como tal, la salida es matemticamente
la integral de la seal de salida. As, una entrada de estacin produce una salida
de rampa, una entrada lineal o de rampa produce una salida cuadrada, etctera.
La expresin matemtica para la salida del circuito se obtiene mediante el circuito
virtual mostrado en la figura 9.
















Figura 9 Amplificador integrador


Utilizando la notacin de Laplace ( s=-jw)

Por lo tanto Vo(t) =- 1/RC *Integral V1(t) dt



Ejemplo













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Trace la forma de onda de la entrada para el circuito de la siguiente figura:


















Solucin Forma de onda de salida:














Con la ecuacin anterior:

Vo(t) =-2 / [100K)(0.5uF)] t

Vo(t) = - [2 / (50 x 10
3
) ] t = -40t


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Integrador y derivador
En el dominio del tiempo, un integrador es un circuito que ejecuta la
sumatoria de las reas de la seal de entrada. En un derivador, la salida
proporciona la informacin de la velocidad de cambio de la seal de entrada . En
el dominio de la frecuencia, estos circuitos se comportan como filtros pasa bajas y
pasa altas, respectivamente.
En forma astricta, estos circuitos realizan funciones matemticas inversas
entre si. Aunque estos circuitos estn relacionados en el dominio del tiempo con
funciones matemticas, algunos problemas prcticos que se asocian con stos
son completamente diferentes. El integrador es susceptible al corrimiento de cc y
a la compensacin. El derivador presenta problemas de ruido y de inestabilidad.

Circuito integrador

Este circuito se conoce por varias denominaciones, entre las cuales se tiene
: amplificador de integracin, amplificador integral, circuito integral definido,
integrador analgico y finalmente, filtro pasabajas.
Un integrador ideal entrega un voltaje de salida y es proporcional a la
integral del voltaje de entrada. En otras palabras, la salida est en funcin de la
sumatoria de los productos de la amplitud con la duracin de la entrada. El
integrador realiza esta operacin matemtica sobre una base instantnea, es
decir, produce una salida en relacin con la suma de los productos de los voltajes
instantneos con las pequeas variaciones de tiempo. El resultado es una salida
proporcional al rea de la funcin de entrada.
El circuito mostrado en la figura 1.14., realiza la integracin. Usando un
amplificador operacional en la configuracin inversora, se consigue que la
corriente de la R
i
sea la misma que la del capacitor de retroalimentacin C
f
.

Integrador simple
Este circuito emplea como elemento de retroalimentacin un capacitor y a la
entrada un resistor. Se va a demostrar que este circuito entrega una seal de
salida que es la integral de la seal que se aplica a la entrada.
Por considerar a los amplificadores operacionales como ideales, segn se
ha venido haciendo en los diferentes anlisis de la presente unidad, las dos
ecuaciones que se usarn son:
V
x
=V
y
=0

I
i
= I
f


La corriente de entrada es:

I
i
=V
i
V
x

R
i
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Como V
x
=0
I
i
=V
i

R
i





















FIGURA 1.14 Integrador simple.

El clculo de la corriente de retroalimentacin se realiza a partir del voltaje que
existe entre las terminales del capacitor C
f
y su capacidad. Es decir
V
x
V
o
=q
C
f

Como V
x
=0
- V
o
=q
C
f

De donde
q =- V
o
C
f
Derivando sta

dq = - C
f
d(V
o
)
dt dt

por definicin, la corriente elctrica es
i(t) =
dt
dq

Igualando las ecuaciones se tiene:

Ao
I
f
V
x
V
y
-
+
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i(t) =- C
f
dt
V d ) (

Como la corriente de entrada al amplificador operacional es cero, se igualan las
corrientes de la R
i
y del capacitor C
f
.
I
i
= I
f

Por lo que
dt
Vo d
Cf
Ri
Vi ) (
=
Para obtener el voltaje de salida, se integran ambos miembros de la ecuacin
anterior, resultando
}
+ = k Vidt
RiCf
Vo
1
(18)
La ganancia del circuito se da por 1/(RiCf). El voltaje de salida cambia en
1/(RiCf)V/s por cada volt de entrada, y en la k se pueden incluir las condiciones
iniciales. Para comprender mejor cmo ejecuta el circuito la integracin, se
presentan los siguientes ejemplos.
Ejemplo 1-1
En un integrador simple, Ri =100 kO, Cf =0.1 F y antes del tiempo cero Vi = Vo
=0. Bajo estas condiciones no circula corriente a travs de Ri y Cf. En el tiempo
cero, se aplica a la entrada un escaln de 0.1 Vcc. La corriente de entrada ser
Vi/Ri =- 0.1 v/100 kO =- 1 A. Si se considera tambin que por el amplificador
operacional no circula corriente, este mismo 1 A debera fluir por Cf. Para tener
una corriente cd de 1A a travs de Cf, se necesitara una rampa lineal positiva a
la salida (Vo). La corriente en Cf debe satisfacer la expresin:
dt
dVc
Cf If =
La rampa del voltaje de salida Vo, tendr la siguiente pendiente
s
v
F k Cf
If
dt
dVo
10
1 . 0 100
) 1 . 0 (
=
O

= =


Esto es equivalente a decir que
}
= =
t
T Vidt
RiCf
Vo
0
10
1

De lo anterior se concluye que en un integrador, la seal de entrada puede
ser lineal o no lineal.
Este ejemplo numrico se entiende mejor si se integra la ecuacin del
voltaje de salida
}
=
t
Vidt
RiCf
Vo
0
1

Como Vi tiene un nivel cc, al integrar se llega a
RiCf
Vit
Vo =
El tiempo de carga ser fcil de calcular para un determinado valor de seal
de entrada el cual es
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Vi
VoRiCf
t = (19)
Ejemplo 1-2
En un circuito integrador simple en el que Ri =10 kO y Cf =0.01 F, se aplica una
seal de entrada Vi(t)= 0.0.5 senet V con una frecuencia de 200Hz. El
amplificador operacional usado es ideal.

Calcular el voltaje mximo de salida.
El voltaje de salida en un integrador es
}
=
t
Vidt
RiCf
Vo
0
1

La solucin se obtiene de
}
O
=
t
dt t sen o o
F k
Vo
0
) 5 . (
01 . 0 10
1


| V t Vo
t
0
) cos 05 . 0 (
10000

=
( ) | |V t Vo 1 ) 200 2 cos 4 . 0 =
En la expresin del voltaje de salida se observa que al integrar la seal de
entrada seno se convierte en funcin coseno y con signos menos, ms la inversin
de fase propia del circuito integrador inversor, entonces la salida es positiva. Por
otro lado, el trmino (1/RiCfe) es el que determina la ganancia de voltaje y 0.4 es
un nivel de cd.
El voltaje de salida es mximo cuando el valor absoluto de la funcin
coseno es igual a la unidad. Se da para cero grados o radianes, y para 180
grados o t radianes.
fRfCf
Vi Vi
RfCf
Vo
mx mx
mx
2
1
= =
mx mx
Vi
t
t
Vo
2
=
Sustituyendo valores
V V
s
s
Vo
mx
4 . 0 ) 05 . 0 (
0001 . 0 2
005 . 0
= =



Circuito derivador
A este circuito se le conoce por varios nombres: circuito de primera
derivada, amplificador de diferenciacin, filtro pasa altas, etc.
Un derivador ideal produce un voltaje de salida proporcional a las
variaciones del voltaje de entrada en el tiempo, entregando un voltaje de salida
instantneo que se relaciona con la derivada del voltaje de entrada. El circuito
bsico que realiza esta funcin requiere de un amplificador operacional, un
capacitor que realiza esta funcin requiere de un amplificador operacional, un
capacitor de entrada y una resistencia de retroalimentacin, tal como se muestra
en la figura 1.18.
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Para explicar ese circuito, se demostrar que el voltaje de salida es la
diferencial del voltaje de entrada. Para efectuar este anlisis se retoman los dos
primeros axiomas ya conocidos. En este caso se deduce:

Vx =Vy = 0
Ii =If

La corriente de entrada se determina a partir del voltaje que existe a travs del
capacitor Ci

Ii =Ci ) ( Vx Vi
dt
d
























Figura 1.18 Circuito diferenciador.

Pero se sabe que Vx =0, por lo que
dt
VI d
Ci If
) (
=
La corriente que fluye por la resistencia de retroalimentacin Rf es
Rf
Vo Vx
If

=
Ao

V
x
V
y
-
+
Vi Vo
R
f
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pero
Vx =0
Rf
Vo
If =
Luego, igualando las corrientes, se tiene
dt
Vi d
Ci
Rf
Vo ) (
=
reordenando sta
dt
Vi d
RfCi Vo
) (
= (22)
En esta ltima ecuacin se observa que el circuito es sensible a la
pendiente de la seal de entrada. Por lo tanto , no tiene objeto aplicar a la entrada
un voltaje que no cambie en el tiempo, como es el caso del voltaje directo cc. Bajo
esta condicin, el voltaje de salida siempre ser cero.
Ejemplo 1-3
En un circuito derivador simple,Cul ser el voltaje mximo de salida, si Rf =100
kO, Ci =0.01 tF y la seal de entrada es senoidal con Vm =2V pico a una
frecuencia de 300 Hz?
El voltaje de salida para un derivador es

Vo(t) =- RfCi d [Vi(t)]/ dt

En este caso Vi(t) =2 sen (et)V, entonces

Vo(t) =- RfCi d[2sen(et)]/dt

El voltaje mximo de salida es

Vo
mx
=-eRfCiVm =2tf Rf Ci
Vo
mx
= 2t300(100 kO)0.01tF 2V
Vo
mx
= - 3.77V pico

El circuito suministra la derivada de la funcin de entrada, que en este caso es
seno, luego la salida ser el coseno con una amplitud mxima de 3.77 V y de la
misma frecuencia:

Vo(t) = -VmeRfCi cos (et) =- 3.77 cos (et) V

Ejemplo 1-4
Al circuito del ejemplo anterior (vase figura 1.19), ahora se le aplica una onda
simtrica (t
1
=T
2
) triangular a 100 Hz de frecuencia y de una amplitud 2 V pico-
pico. Cul ser el voltaje pico de salida?

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Los periodos de la seal de entrada t
1
y t
2
son iguales; la frecuencia es

F = Hz
t t
0100
1
2 1
+


O bien

t1 +t2 =0.01 s

entonces

t1 =t2 =0.005s

Durante el tiempo del periodo t
1
, la ecuacin de la seal de entrada, la cual
tiene la forma de una lnea recta, se escribe como

t
t
Vm
Vm Vi
t
1
2 ) (
1
+ = (23)

y para el periodo t
2

t
t
Vm
Vm Vi
t
2
2 ) (
2
+ = (24)
A
I
f
Vx
Vy
-
+
V Vo
R
f
T
V
1
T
T
1
T
2
V
0
1V

-1V

-0.4V

0.4V

(a) (b)
Figura 1.19 Diferenciador y sus formas de entrada y salida
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Aplicando la ecuacin 22 a cada una de las expresiones anteriores, los voltajes de
salida para los dos periodos son

dt t
t
Vm
Vm RfCid Vo
t
/ 2 0 ) (
1
1
(

+ (25)
=- Rf Ci (2Vm/t
1
)
dt t
t
Vm
Vm RfCid Vo
t
/ 2 0 ) (
2
2
(

+ (26)

La forma de onda de salida ser una onda cuadrada con el voltaje pico

(V
0
)
p-p
=+Rf Ci (2Vm/t
1,2
) (27)

Durante el periodo t
1
el voltaje pico de salida ser negativo, y durante t
2
el
voltaje pico de salida ser positivo, como se muestra en la figura anterior. Un
aspecto importante es que el producto (Rf Ci)es la constante de tiempo del circuito
y a su vez es el factor de amplificacin o atenuacin del derivador.

Dando valores se encuentra que

v
s
V F k
Vo
t
4 . 0
005 . 0
) 1 ( 2 ) 01 . 0 ( 100
) (
1
=
O
=


v
s
V F k
Vo
t
4 . 0
005 . 0
) 1 ( 2 ) 01 . 0 ( 100
) (
2
=
O
=



ALGUNAS APLICACIONES DE LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES:

Circuito bsico de medicin de voltaje

En la figura 10 se muestra un voltmetro de cd de alta resistencia de entrada
simple, pero muy efectivo. El voltaje que va a medirse, Ei, se aplica a la terminal
de entrada (+).Ya que el voltaje diferencial de entrada es 0V, Ei se desarrolla a
travs de Ri. La corriente del medidor Im se establece por Ei y Ri precisamente
como un amplificador no inversor.

Im =Ei / Ri

Si Ri es de 1K, entonces 1mA de corriente del medidor fluir para que E1 = 1V cd.
Por tanto, el miliampermetro puede calibrarse directamente en Volts. Como se
muestra, este circuito puede medir cualquier voltaje de cd desde 1V a +1V
Una ventaja de este circuito es que Ei ve la impedancia de entrada muy alta de la
entrada (+).Ya que la entrada (+) toma una corriente despreciable, no cargar ni
cambiar el voltaje que se est midiendo. Otra ventaja de colocar el medidor en el
circuito de retroalimentacin es que si la resistencia del medidor varia, no tendr
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efecto en el medidor de corriente. Incluso si se aade una resistencia en serie con
el medidor, en el circuito de retroalimentacin no afectar a Im. La razn es que Im
est fija slo por Ei y Ri. El voltaje de salida cambiar si la resistencia en el
medidor se modifica, pero, en este circuito no hay por qu preocuparse de Vo.
Este circuito en ocasiones se denomina convertidor de voltaje a corriente.

















Figura 9 Voltmetro de cd de alta resistencia de entrada.