ESCUELA POLITECNICA NACIONAL Electr onica de Potencia Tema: Snubbers y Transistores

Barreno L. E. Profesor: Ing. Jorge Luis Rosero MSc. 15 de marzo de 2014

 Indice
1. Snubbers 1.1. Denici on . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2. Amortiguadores de diodos . . . . . . . . 1.3. Circuitos amortiguadores para tiristores . 1.4. Amortiguadores con transistores . . . . . 1.4.1. Amortiguador de apagado . . . . 1.4.2. Amortiguador de encendido . . . 1.4.3. Amortiguador de sobretensi on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 3 3 4 5 6 7 8 9 9 9 9 9 9 11 12 12 12 14 14 15 15 15 16 17 17 17 18 18

2. Transistores 2.1. TBJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1.1. Denici on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1.2. Estructura interna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1.3. Simbolog a y convenio de signos . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1.4. Curvas Caracter sticas (De entrada y salida respectivamente) 2.1.5. Aplicaciones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2. MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.1. Denici on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.2. Estructura interna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.3. Simbolog a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.4. Curvas Caracter sticas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.5. Aplicaciones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3. IGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3.1. Denici on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3.2. Estructura interna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3.3. Curvas caracter sticas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3.4. Simbolog a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3.5. Aplicaciones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3. Conclusiones 4. Bibliograf a

. . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.
1.1.

Snubbers
Denici on

Los dispositivos semiconductores presentan valores l mite tanto de corriente, voltaje y potencia, si se superan estos l mites, el dispositivo no podr a soportar el estr es el ectrico y se da nar a. Es aqu donde aparecen los snubbers (circuitos de ayuda a la conmutaci on o amortiguadores), es un circuito el ectrico simple compuesto por elementos activos y/o pasivos que se incorpora a un circuito de potencia para reducir el estr es el ectrico en el elemento semiconductor (MOSFET, TBJ, IGBT, TRIAC, etc) durante las conmutaciones y asegurar su correcto funcionamiento. Los snubbers o amortiguadores se dividen en tres categor as: 1. Amortiguadores de conexi on para minimizar grandes sobrecorrientes a trav es del dispositivo en la fase de encendido. 2. Amortiguadores de desconexi on para minimizar grandes sobretensiones a trav es del dispositivo en la fase de apagado. 3. Amortiguadores reductores de esfuerzo que forman las formas de ondas de conmutaci on del dispositivo de modo que la tensi on y la corriente asociadas al dispositivo no est en en alto en forma simult anea.

1.2.

Amortiguadores de diodos

Se utilizan en circuitos que contengan diodos para reducir las sobretensiones, debido a la inductancia par asita L en serie con el diodo, y a la corriente de recuperaci on inversa que es bloqueada por el mismo diodo, se usa un amortiguador RS CS , logrando que la corriente de recuperaci on inversa se bloquee en forma instant anea colocadas en el circuito de la siguiente manera:

Figura 1: Protecci on del diodo mediante un snubber Rs Cs. 3

Figura 2: Gr aca de la corriente del diodo en funci on del tiempo, la corriente baja a cero instant aneamente.

1.3.

Circuitos amortiguadores para tiristores

Los tiristores sufren grandes da nos debido a sobretensiones que se generan por la corriente de recuperaci on inversa que circula por la inductancia serie. Por esta raz on se utilizan los snubers. El circuito siguiente es un convertidor trif asico de tiristores de frecuencia de l nea en el cual en cada tiristor va conectado en paralelo un amortiguador RS CS .

Figura 3: Protecci on del tiristor mediante un snubber Rs - Cs. Los par ametros del circuito amortiguador se pueden calcular con las siguientes formulas: 0,6Id [F ] VLL VLL VLL RS = 1,3 2 = Irr Id CS = 4 (1) (2)

2 = 1,8 106 VLL Id W = 3 Cs VLL

(3)

VLL : Es el voltaje rms de l nea a l nea. Irr : Corriente de recuperaci on inversa. Id : Es la corriente de la carga. CS y RS : Elementos del circuito amortiguador. W : La p erdida total de energ a de cada amortiguador. Los tiristores tambi en necesitan protecci on durante el encendido contra di/dt y protecci on durante el apagado contra dv/dt. La gura muestra un circuito con tiristor con su snubbers de encendido y apagado. Valores t picos de los elementos: 0,01F C 1F 10 R 1000 50H L 100H (4) (5) (6)

Figura 4: Protecci on del tiristor durante el encendido y apagado mediante un snubber Rs - Cs.

1.4.

Amortiguadores con transistores

Para transistores existen tres tipos b asicos de Snubbers o amortiguadores: 1. Amortiguadores de apagado. 2. Amortiguadores de encendido. 3. Amortiguadores de sobretensi on. Y sirven para proteger a estos elementos mediante la mejora de su trayectoria de conmutaci on. 5

1.4.1.

Amortiguador de apagado

Un amortiguador de apagado se muestra en la gura 5 se utiliza para proporcionar un voltaje cero a trav es del transistor mientras la corriente se apaga. En el apagado en presencia del circuito amortiguador la corriente del transistor iC decrece con la raz on di/dt y (IO iC ) uye en el capacitor a trav es del diodo de protecci on Ds. La gura muestra el ascenso del voltaje a trav es del Cs del Snubber. Si CS = CS 1 ocasiona que el voltaje en

Figura 5: Amortiguador de apagado, protege en TBJ. el capacitor alcance a V exactamente en el tiempo de ca da t, los par ametros del circuito se pueden calcular con las siguientes expresiones: CS 1 = RS = P RS = PQ = IO f i 2V V 0,2IO (7) (8) (9) (10)

CS V 2 fs 2
2 2 IO tf i fS 24 CS 1

Cs1 : Capacitancia del circuito amortiguador. RS : Resistencia del circuito amortiguador. PRS : Potencia disipada por RS . f s: Es la frecuencia de conmutaci on. tf i : Tiempo de ca da. PQ : Potencia disipada por el transistor con el snubber. 6

Figura 6: Curva de corriente y voltaje del circuito incluido el snubber. 1.4.2. Amortiguador de encendido

Un amortiguador de encendido como se muestra en la gura 7 se usa para reducir la tensi on en el TBJ mientras la corriente se acumula. La reducci on de la tensi on en el transistor durante el encendido se debe a la ca da de voltaje en la inductancia LS del circuito amortiguador, durante el apagado del transistor, la energ a almacenada en la inductancia 2 LS (1/2LS IO ) ser a disipada por la resistencia Rs tambi en del circuito amortiguador. Para la selecci on de Rs se deben considerar dos situaciones: 1. En el apagado del transistor, el snubber de encendido genera un sobre voltaje a trav es del transistor (V CE, max = RS IO ). 2. Durante el estado de inactividad del transistor, la corriente del inductor debe alcanzar un valor muy bajo, por ejemplo 0,1IO , de esta manera el snubber puede funcionar correctamente durante el siguiente encendido, entonces el tiempo m nimo de estado inactivo para el transistor debe ser: testado inactivo > 2,3 7 LS RLS (11)

Figura 7: Circuito amortiguador de encendido.

Entonces se preere utilizar una inductancia grande, para tener voltajes de encendido m as bajos y bajas perdidas de potencia durante el encendido.

1.4.3.

Amortiguador de sobretensi on

La sobretensi on durante el apagado debido a la inductancia par asita podr a ser minimizada por medio del snubber o amortiguador de sobretensi on, circuito mostrado en la gura 8 . En el apagado asumiendo que la corriente en el TBJ que cae con el tiempo debe ser peque na, la corriente a trav es de la inductancia par asita, L , esta corriente es pr acticamente Io y la corriente de salida se mueve en circulaci on libre a trav es del diodo de circulaci on libre Df . Cuando la corriente de carga circula libremente a trav es de Df se tiene el circuito equivalente de la gura 9. Durante la circulaci on libre a trav es del Df , la energ a almacenada en la inductancia par asita logra ser transferida al capacitor de sobretensi on a trav es del diodo Dsobret y la sobretensi on V CE en el transistor se calcula mediante:
2 2 Csobret VCE,max L IO = 2 2

(12)

La ecuaci on anterior muestra que se necesita un gran valor de Csobret para minimizar la sobretensi on V CEmax. Una vez que la corriente a trav es de L a decrecido hasta cero puede invertir su direcci on debido a la Rsobret y a que la sobretensi on en el capacitor disminuye hasta V d. 8

Figura 8: Circuito amortiguador de sobretensi on.

2.
2.1.
2.1.1.

Transistores
TBJ
Denici on

Primeramente se denir an sus siglas: Bipolar Junction Transistor. Es un dispositivo semiconductor de tres capas y se forma agregando una segunda regi on p o n a un diodo de uni on pn. Es decir que consta de 3 regiones Emisor, Base, Colector. 2.1.2. Estructura interna

En su parte interna, el BJT se compone de tres capas de silicio y puede tener dos conguraciones seg un la gura 10. El emisor ha de ser una regi on muy dopada, mientras m as dopaje tenga el emisor, mayor cantidad de portadores podr a aportar a la corriente. La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca recombinaci on en la misma y la mayor parte de la corriente pase del emisor al colector. El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor, sus caracter sticas tiene que ver con los portadores que provienen del emisor. 2.1.3. Simbolog a y convenio de signos

En la gura 11 se muestra la polaridad de voltajes y corrientes para el TBJ. 2.1.4. Curvas Caracter sticas (De entrada y salida respectivamente)

Se van a detallar las curvas caracter sticas de la conguraci on del TBJ en emisor com un, debido a que esta conguraci on muestra los datos m as estables de ganancia de 9

Figura 9: Circuito equivalente cuando la corriente de carga circula libremente a trav es de Df.

Figura 10: Estructura interna del TBJ.

voltaje, de corriente, de impedancia de entrada, etc.

Figura 12: Caracter sticas de entrada. 10

Figura 11: Simbolog a y convenio de signos.

Figura 13: Caracter sticas de salida.

2.1.5.

Aplicaciones

Conmutaci on, actuando como un interruptor (control de rel es, fuentes, PMW). Amplicaci on de todo tipo (radio, televisi on, instrumentaci on). Generaci on de se nal (osciladores, generadores de ondas, emisi on de radiofrecuencia). Se emplean en conversores est aticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia. En sistemas digitales con la tecnolog a TTL (Transistor-Transistor Logic) o BICMOS. 11

2.2.
2.2.1.

MOSFET
Denici on

Seg un sus siglas: Metal Oxide Semiconductor Field Eect Transistor Dispositivo semiconductor controlado por voltaje y solo requiere una peque na corriente de entrada, cuenta con una velocidad de conmutaci on muy alta, se lo utiliza mucho en convertidores de baja potencia y alta frecuencia, los MOSFET no tiene el problema de segunda ruptura o avalancha, sin embargo se sabe que el MOSFET tiene problemas de descargas electroest aticas es decir que requiere un cuidado especial al momento manipular estos elementos, esto se puede apreciar en las practicas del laboratorio, cuando de la nada se da na un MOSFET.

2.2.2.

Estructura interna

Existen dos tipos de MOSFET: 1. MOSFET decrementales 2. MOSFET incrementales MOSFET decrementales El MOSFET decremental tipo n, est a compuesto por un substrato de silicio tipo p, dos regiones de silicio n+ muy dopadas y un canal n, consta de tres terminales: drenaje, compuerta y fuente.

Figura 14: MOSFET decremental tipo n

El MOSFET decremental tipo p es exactamente al inverso del MOSFET decremental tipo n, en cuanto a su construcci on se reere, esto se puede ver en la gura, el substrato utilizado es un substrato tipo n y un canal tipo p. La ecuaci on de Shockley sigue siendo v alida, pero las polaridades de voltajes y direcciones de las corrientes est an invertidas. 12

Figura 15: MOSFET decremental tipo p

MOSFET incrementales Los MOSFET incremental no tiene canal f sico, como en el caso de los MOSFET decrementales que cuentan con un canal n o un canal p. Si en un MOSFET incremental tipo n, que est a compuesto por un substrato tipo p y dos regiones muy dopadas tipo n, se aplica un voltaje VGS positivo, aparece un voltaje inducido que atrae a los electrones hacia la supercie, bajo la capa del o xido, si este voltaje VGS es superior o igual al voltaje umbral, se van a acumular tantos electrones que van a crear un canal virtual es decir que estos electrones van a circular desde el drenaje hasta la fuente.

Figura 16: MOSFET incremental tipo n.

El MOSFET incremental tipo p es exactamente al inverso del MOSFET incremental tipo n, es decir que cambian las polaridades de los voltajes VDS , VGS y de la corriente IDS , cuenta con un substrato tipo n y con dos regiones tipo p muy dopadas. El MOSFET utilizado en Electr onica de Potencia es el MOSFET de tipo incremental, se lo usa como dispositivo de conmutaci on. 13

Figura 17: MOSFET incremental tipo p.

2.2.3.

Simbolog a

Figura 18: Simbolog a

2.2.4.

Curvas Caracter sticas

Como se dijo anteriormente, en Electr onica de Potencia se utilizan MOSFETs incrementales, a continuaci on se detallan sus curvas de entrada y salida.

Figura 19: Caracter sticas de transferencia para MOSFET incremental canal P. 14

Figura 20: Caracter sticas de transferencia para MOSFET incremental canal N.

2.2.5.

Aplicaciones

Se los utiliza principalmente en circuitos integrados CMOS, PMOS y NMOS.

Interruptores digitales y anal ogicos (circuitos de conmutaci on de potencia).

Convertidores de baja potencia y alta frecuencia.

Resistencia controlada por voltaje.

Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

Amplicadores especiales.

2.3.
2.3.1.

IGBT
Denici on

Por sus siglas: Isolated Gate Bipolar Transistor. En un IGBT es un dispositivo semiconductor en el cual se combinan los atributos del BJT y del MOSFET. Tiene una alta impedancia de entrada debido a que contiene una compuerta tipo MOSFET (gate). En esta compuerta se manejan voltajes como en el MOSFET. No tiene problemas de segunda ruptura como el BJT. Se lo utiliza en circuitos de alta potencia. En circuitos de conmutaci on para sistemas de alta tensi on, se pueden controlar sistemas de alta potencia con un peque no voltaje de 15 V aplicado a la puerta. Las caracter sticas de conducci on son como las del BJT y circuito de excitaci on es como el del MOSFET. 15

2.3.2.

Estructura interna

Figura 21: Estructura interna

Est a compuesto alternadamente por cuatro capas PNPN, un IGBT es b asicamente un MOSFET de canal n construido sobre un sustrato tipo p, sin embargo su rendimiento se parece m as al de un TBJ. Para que un IGBT se encienda hay que aplicar un voltaje positivo desde emisor hacia la compuerta, superando el voltaje umbral los portadores n formaran un canal de conducci on y para apagar este dispositivo hay que eliminar el voltaje de compuerta. La gura 22 muestra los circuitos equivalentes simplicados para un IGBT.

Figura 22: Circuitos equivalentes simplicados para un IGBT. 16

2.3.3.

Curvas caracter sticas

Figura 23: Curvas caracter sticas 2.3.4. Simbolog a

Consta de tres terminales que se denominan GATE (G) o puerta, COLECTOR (C) y EMISOR (E) y su s mbolo corresponde al dibujo de la gura 24.

Figura 24: Representaci on simb olica del transistor IGBT.a) Como BJT b) Como MOSFET 2.3.5. Aplicaciones

Conmutaci on en sistemas de alta potencia. Variadores de frecuencia. 17

Maquinas el ectrica y convertidores de potencia (Motores tanto de AC y CC). Dom otica. Sistemas de alimentaci on ininterrumpida.

3.

Conclusiones
Es un circuito el ectrico simple compuesto por elementos activos y/o pasivos que se incorpora a un circuito de potencia para reducir el estr es el ectrico en el elemento semiconductor (MOSFET, TBJ, IGBT, TRIAC, etc) durante las conmutaciones y asegurar su correcto funcionamiento. Los snubbers o amortiguadores se dividen en tres categor as: 1. Amortiguadores de conexi on para minimizar grandes sobrecorrientes a trav es del dispositivo en la fase de encendido. 2. Amortiguadores de desconexi on para minimizar grandes sobretensiones a trav es del dispositivo en la fase de apagado. 3. Amortiguadores reductores de esfuerzo que forman las formas de ondas de conmutaci on del dispositivo de modo que la tensi on y la corriente asociadas al dispositivo no est en en alto en forma simult anea. Los transistores de potencia m as importantes son tres: TBJ, MOSFET, IGBT. Los TBJ son dispositivos semiconductores controlados por corriente, son muy sensibles a la temperatura de la uni on, tienen problemas de segunda ruptura o avalancha, para apagarse necesitan de una corriente de base en sentido inverso. Los MOSFET en contrario a los TBJ son controlados por voltaje, funcionan mediante una peque na corriente de entrada, no son muy sensibles a la temperatura de la uni on y no padecen del problema de segunda avalancha. Los IGBT combinan las ventajas del MOSFET y del TBJ, las caracter sticas de conducci on son como las del BJT y circuito de excitaci on es como el del MOSFET. No padecen del problema de segunda avalancha.

4.

Bibliograf a
M. H. Rashid, Transistores de Potencia, en Electr onica De Potencia, Circuitos, Dispositivos y Aplicaciones, 3th, 2004, pp. 122-163. N. Mohan, T. M. Undeland y W. P. Robbins, C ircuitos Amortiguadores, en Electr onica De Potencia, Convertidores, Aplicaciones y Dise no, 3th, pp. 585-601. J. Dodge. (2002, Jul.). IGBT Tutorial. Advanced Power Technology [Online]. Disponible: 18

http://www.microsemi.com/design-support/application-notes#mosfets-and-igbts, seccion de descargas, MOSFETs e IGBTs. http://pels.edv.uniovi.es/pels/pels/Pdf/Leccion%20Snubbers.pdf http://fetmosfetwilliamrobertohembergerson.blogspot.com/ http://gredanke.blogspot.com/2008_11_01_archive.html http://www.hispavila.com/3ds/atmega/mosfets.html

19