Microssistemas Integrados (MEMS)

Renato P. Ribas
Instituto de Informtica UFRGS E-mail: rpribas@inf.ufrgs.br O crescente interesse de pesquisadores e industriais sobre os microssistemas, nesses ltimos anos, facilmente justificado pelos inmeros dispositivos e aplicaes potenciais nas mais diversas reas emergentes de telecomunicaes, automobilstica, mdica e biomdica. O desenvolvimento de tcnicas de fabricao de micro-estruturas suspensas tm motivado a construo de sensores e atuadores miniaturizados, muitas vezes fabricados sobre pastilhas de circuitos integrados. Dessa forma, torna-se possvel a obteno de microssistemas monolticos, onde partes no-eletrnicas (sensores e atuadores), interface analgica e controle digital so construdas no mesmo chip. O interesse nessa nova rea de desenvolvimento o mesmo que motivou a evoluo dos CIs digitais nas ltimas dcadas, ou seja, reduo de tamanho (peso), melhor desempenho, menor consumo, maior flexibilidade de projeto, alm dos menores custos de fabricao para grande escala de produo. Neste captulo ser apresentada de forma simples, clara e ordenada uma viso geral sobre as tcnicas de fabricao de microssistemas e sobre alguns dispositivos promissores associados a esta nova linha de desenvolvimento tecnolgico, alm de uma breve discusso sobre modelagem e ferramentas de CAD para MEMS.

1. Introduo
Aps o sucesso dos circuitos integrados (CIs) digitais na dcada de 80, com a extraordinria evoluo da capacidade de integrao, confiabilidade e desempenho, tudo isso associado reduo dos custos de fabricao, a dcada de 90 foi marcada principalmente pelo interesse nos microssistemas e nas micro-mquinas. O avano nos processos de fabricao de CIs permite hoje a construo de micro-estruturas mecnicas (suspensas), mveis ou no, que podem ser exploradas como sensores e/ou atuadores em sistemas miniaturizados. Certamente inmeras so as reas de interesse e aplicaes potenciais para essas micro-estruturas. A indstria automobilstica, as telecomunicaes, os sistemas mdicos e biomdicos representam o mercado principal, embora as reas de instrumentao, controle de processos, aeronutica e certamente a automao industrial vem nesses micro-mecanismos mecnicos uma forma de desenvolver sensores e atuadores para aplicaes antes limitadas pelo tamanho dos dispositivos. O mercado mundial de microssistemas, representava 12 bilhes de dlares e 1,3 bilhes de unidades em 1996, e dever passar para 34 bilhes de dlares e 5,4 bilhes de unidades at o ano 2002. Hoje o crescimento dos mercados de sensores de presso e acelermetros (1 eixo) de 18% e 15%, respectivamente. Embora os microssistemas no sejam realmente novos (sensores de presso miniaturizados datam da dcada de 60), a nomenclatura utilizada ainda no est padronizada. O termo micro-mquinas (micromachines) muito usado na sia, enquanto que os europeus preferem o termo microssistemas (microsystems). Nos EUA a sigla MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) permanece o termo dominante para referenciar no apenas dispositivos eletro-mecnicos mas tambm estruturas micro-usinadas de forma geral. O

termo MOEMS (Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems) pode tambm ser encontrado quando componentes ticos esto envolvidos. Talvez o termo mais abrangente seja MST(Microsystems Technology), embora ainda pouco encontrado. O termo micromachining, por sua vez, refere-se s tcnicas ou ao processo de micro-usinagem propriamente dito. Os microssistemas poderiam ser definidos como sistemas miniaturizados compostos por trs blocos fundamentais, ilustrados na Figura 1: o bloco de comunicao com o meio exterior que age como sensor e/ou atuador; o bloco de interface analgica para aquisio/transmisso e amplificao dos sinais dos sensores/atuadores; e o bloco de controle e tratamento numrico.

Microssistema Ambiente Externo Sensores Atuadores

Bloco no-eletrnico

Amplificadores A/D - D/A

Interface analgica

Controle Digital DSP

Tratamento digital

Figura 1: Blocos funcionais dos microssistemas integrados. O principal esforo mundial hoje est na miniaturizao e na integrao dos sensores e atuadores, uma vez que o desenvolvimento dos circuitos eletrnicos, tanto digitais quanto analgicos, apresentam-se bastante avanados. Alm disso, o microssistema final pode ser implementado de forma hbrida ou monoltica. Hbrida quando este composto por mais de um chip, geralmente quando a eletrnica separada das estruturas micro-usinadas (mecnicas). Monoltica no caso da integrao do sistema completo dentro de um nico chip. A possibilidade de fazer algo monoltico geralmente preferencial devido reduo dos problemas de interface entre os chips (confiabilidade e desempenho) e aumento do rendimento de fabricao em grande escala de produo. Por fim, assim como ocorre nos CIs eletrnicos, o silcio o material mais usado para a construo dos microssistemas integrados principalmente pelo seu custo e pelo avanado estado de desenvolvimento das tecnologias disponveis [PET82]. Por outro lado, materiais alternativos como o AsGa, InP e o quartz tm sido considerados para aplicaes onde o silcio no se apresenta apropriado (opto-eletrnica, piezoeletricidade, altas temperaturas,...) [HJO94][LEC98].

2. Processos de Fabricao
Portanto, o grande desafio consiste em fabricar micro-sensores e micro-atuadores sobre um substrato antes utilizado apenas para a construo de componentes eletrnicos (transistores, diodos, resistores,...). Estes dispositivos tm sido construdos principalmente atravs do uso de micro-estruturas suspensas ou micro-usinadas. As estruturas comumente

encontradas so pontes, vigas e membranas, embora outras geometrias podem tambm ser realizadas para as mais diversas aplicaes. possvel dividir as tcnicas de fabricao de micro-estruturas em dois grandes grupos: processos especficos para microssistemas e processos compatveis com a microeletrnica. Os processos especficos para a construo de microssistemas, como por exemplo o LIGA e o SCREAM, geralmente comprometem a integrao da eletrnica e, por consequencia, apenas microssistemas hbridos podem ser realizados [EHR88][SHA94]. As tcnicas compatveis com os processos de fabricao de circuitos integrados (microeletrnica), por sua vez, poderiam ainda ser classificadas segundo as regies ou camadas que so removidas (corrodas) para a liberao das estruturas suspensas, conforme visto na Figura 2 : remoo do substrato pela face anterior ou frontal (front-side bulk micromachining); remoo do substrato pelo face posterior (back-side bulk micromachining); e remoo de camadas sacrificiais da superfcie do substrato (surface micromachining).

A construo de tais estruturas geralmente feita aps a fabricao dos circuitos eletrnicos devido complexidade dos processos de microeletrnica, enquanto que muitas vezes uma simples etapa de corroso suficiente para a liberao das estruturas suspensas. Os termos gravao, ataque e usinagem sero utilizados aqui indistintamente para se referir ao ato ou etapa de corroso do material (etching).
Back-Side Bulk Micromachining Front-Side Bulk Micromachining
etching etching

Surface Micromachining
etching

substrato
etching

Figura 2: Formas bsicas de micro-usinagem para a construo de estruturas suspensas.

2.1. Usinagem em Volume (Bulk Micromachining)

Micro-estruturas suspensas so facilmente construdas a partir da corroso da face anterior e/ou posterior do substrato (micro-usinagem em volume), front- e back-side etching, respectivamente. As diferenas entre essas duas tcnicas de micro-usinagem so bastante acentuadas tanto no processo de fabricao quanto no tipo de estrutura desejada.

No caso da usinagem pela face anterior, a suspenso da estrutura deve-se principalmente ao processo de corroso lateral (underetching). Neste caso o alinhamento da mscara para a etapa de gravao muito simples (convencional dos processos de microeletrnica), permitindo a obteno de estruturas menores e refinadas. A geometria da estrutura determinada pelo posicionamento das aberturas na mscara previstas para a corroso do substrato. Um exemplo desta tcnica consiste em preparar a exposio da superfcie do substrato durante a fabricao do circuito integrado atravs da superposio de vias, contatos e aberturas na passivao (camadas convencionais de um processo de microeletrnica). Aps a concluso do CI os chips so ento expostos a uma soluo qumica que ataca o material do substrato sem atacar de forma significativa as camadas presentes na superfcie deste, ou seja, a metalizao dos pads para contato externo e a passivao do circuito que protege os componentes eletrnicos [MOS90]. Esta tcnica eficiente em termos de custos e tempo de fabricao assim como em relao compatibilidade com a eletrnica. Porm, a quase inexistente liberdade de alterao das etapas do processo e as caractersticas das camadas existentes (espessura, resistividade, dopagem,...) comprometem a flexibilidade do projeto e limitam as aplicaes alvejadas. Em outras palavras, nesta abordagem os dispositivos e aplicaes devem ser cuidadosamente identificados para cada processo de fabricao utilizado. Servios de fabricao de prottipos de microssistemas como MOSIS (EUA) e CMP (Frana) oferecem este tipo de abordagem [TOM88][COU97]. A usinagem pela face posterior do substrato, por sua vez, bastante utilizada para a realizao de membranas. O objetivo principal a realizao de uma corroso profunda e praticamente sem corroso lateral significativa. Porm, neste caso, o alinhamento da mscara posterior geralmente representa uma dificuldade, assim como o controle da profundidade da corroso, resultando consequentemente em estruturas maiores e mais grosseiras. As solues qumicas utilizadas na corroso do substrato podem ser tanto midas (lquidas) quanto secas (gases, plasmas). Elas apresentam propriedades bastante particulares que fogem porm do escopo deste texto. As solues midas tm sido preferidas por sua simplicidade e facilidade de aplicao. Caractersticas importantes da gravura mida so a sua anisotropia, quando as direes de ataque do material so preferenciais segundo a disposio dos seus planos cristalogrficos, e a seletividade do ataque entre diferentes materiais, onde o princpio remover um material, chamado de camada sacrificial, sem atacar outros, denominados como camadas de parada de ataque (etch stop layers) [SEI84][WIL96][COL97].

2.2. Usinagem de Superfcie (Surface Micromachining)

O termo em ingls surface micromachining, ou seja, a micro-usinagem de superfcie refere-se exatamente aos processos de construo de micro-estruturas suspensas a partir da remoo ou corroso de camadas presentes na superfcie do substrato [LIN92]. Estas camadas podem ser tanto dieltricos quanto metais que quando utilizadas para tal fim so denominadas de camadas sacrificiais. Portanto, aps a fabricao do CI, uma certa camada que esteja

acessvel externamente pode ser removida atravs de um ataque seletivo. O xido de silcio e o alumnio so bastante utilizados como camadas sacrificiais em processos de silcio. Um processo comercial para a construo de micro-estruturas na superfcie do substrato oferecido pela organizao MCNC MEMS Technology Applications Center, onde a remoo da camada sacrificial de xido de silcio permite a suspenso de espessas camadas de polissilcio, conforme ilustrado na Figura 3 [KOE96]. Esta tecnologia no permite a integrao de componentes eletrnicos, sendo usada exclusivamente para a construo de estruturas mecnicas sobre o substrato de silcio.

SiO2

SiO2

Metal Poly-Si_3 Poly-Si_2 Si3N4

Figura 3: Fabricao de estruturas suspensas na superfcie do substrato. Um problema que merece muita ateno durante a construo das estruturas a colagem das camadas suspensas (stiction effects) devido s foras de capilaridade presentes nas solues de corroso lquidas (midas).

3. Dispositivos Micro-Usinados e Aplicaes

As estruturas suspensas ou micro-usinadas tm sido utilizadas principalmente para a construo de sensores e atuadores miniaturizados. Diversos fenmenos ou efeitos fsicos e qumicos podem ser considerados como estmulos externos para a realizao de uma determinada tarefa, tanto de sensao quanto de atuao [GAR94][SZE94]. Alm de deformaes mecnicas, geralmente observadas em sensores e atuadores mveis, a isolao trmica para a obteno de um aquecimento diferenciado de determinadas regies em relao ao substrato tambm tm sido bastante considerada na utilizao de microestruturas. Partes suspensas apresentam menor rea de dissipao trmica por conduo (principal forma de conduo de calor) e portanto maior resistncia trmica. Por consequncia, estas partes aquecem mais do que o restante do chip quando expostos s fontes de calor. A seguir sero apresentados alguns tipos de dispositivos micro-usinados e aplicaes ou sistemas em que eles possam ser eficientemente usados. Para uma melhor exposio do assunto, os dispositivos foram divididos nos seguintes grupos : dispositivos trmicos; dispositivos ticos;

 dispositivos mecnicos; dispositivos para RF e microondas. Observa-se que a classificao adotada neste texto no inclui todos os dispositivos micro-usinados possveis ou existentes. Sensores qumicos ISFET, sensores acsticos SAW, sensores magnticos Hall so alguns exemplos de dispositivos que podem tambm tirar proveito de tcnicas de micro-fabricao para melhorar o seu desempenho. Alm disso, alguns dispositivos poderiam ser apresentados em dois ou mais grupos, como no caso de espelhos mveis (mecnicos) para aplicaes ticas, ou atuadores trmicos para chaveamento mecnico.

3.1. Dispositivos Trmicos

O fato de criar regies no chip onde no h contato, ou melhor, onde a rea de contato com o substrato bastante reduzida, permite um aquecimento desproporcional e mais elevado destas regies em relao ao restante do chip. Isto porque a dissipao trmica da estrutura fica limitada condutividade dos pontos de apoio (braos) e ao transporte de calor por conveco e radiao [MEI94]. Se o substrato do chip tomado como temperatura de referncia, a temperatura mais elevada obtida nas estruturas pode ser usada como parmetro de observao e medida de fenmenos que provoquem aquecimento como, por exemplo, a absoro de luz infra-vermelha. Talvez o elemento mais simples e de fcil compreenso o resistor suspenso. O resistor pode ser representado tanto por um semicondutor quanto por um metal. Este, quando posicionado sobre uma ponte ou membrana aquecida, apresentar uma variao do seu valor de resistncia proporcional elevao da temperatura, representado pelo coeficiente TCR (temperature coefficient of resistivity) do material (ver Figura 4a). O uso de um segundo resistor de referncia sobre o substrato permite a avaliao da temperatura. A aplicao mais direta deste dispositivo o bolometro para deteco de irradiao infra-vermelha [SHI96]. Alm disso, a resistncia suspensa muito usada na gerao de calor (heaters) e deteco da dissipao trmica sobre as estruturas suspensas. Por outro lado, componentes eletrnicos ativos (diodos e transistores) suspensos apresentam tambm aplicaes interessantes como a construo de conversores RMS (root mean square) e controle de temperatura em circuitos analgicos [KLA97]. Os termopares, por sua vez, apresentam vrias propriedades interessantes quando comparados a outros sensores usados para medidas de diferena de temperaturas. Os termopares so baseados no efeito Seebeck, que consiste na gerao de uma diferena de potencial a partir da diferena de temperatura entre as extremidades [HER86][MEI94]. Para o aproveitamento deste efeito necessrio o uso de materiais com coeficientes Seebeck () diferentes a fim de que a tenso gerada seja recuperada em uma mesma temperatura e de forma que os coeficientes Seebeck no se anulem (no caso do uso de dois materiais iguais). Com isso, a diferena de potencial ou tenso (V) nos terminais frios, por exemplo, dada pela diferena dos coeficientes Seebeck (ab) multiplicado pela diferena de temperatura (T) entre as junes frias e quentes:

V = ab . T
Como resultado, os termopares no necessitam de tenso ou corrente de polarizao para seu funcionamento e, portanto, no h consumo. Alm disso, no h offset no sinal de sada pois no pode haver sinal de sada sem um estmulo de entrada; a leitura do sensor simplificada sendo necessrio apenas um voltmetro para tal finalidade; e praticamente no h interferncia causada pela variao dos parmetros do processo de fabricao. No caso dos termopares integrados as junes ou pontos quentes so posicionadas sobre a poro da micro-estrutura mais distante do substrato, onde so colocados os pontos frios, a fim de aumentar a diferena de temperatura entre os mesmos [HER89]. Pode se pensar ainda na conexo em srie de termopares formando termopilhas que resulta na adio das tenses geradas. Mas cabe observar que um maior nmero de termopares em srie resulta em maior rea de condutividade trmica e consequentemente em menor diferena de temperatura entre as junes. Este compromisso essencial para o projeto de termopilhas. Na escolha dos materiais para a construo dos termopares deve-se verificar principalmente seu coeficiente Seebeck e sua condutividade trmica. Alguns filmes finos como SbTe e BiSbTe tm se apresentado bastante eficientes para tal propsito. Porm, tm havido muito esforo para o desenvolvimento de termopares utilizando camadas existentes em processos convencionais de microeletrnica de forma a simplificar a integrao da eletrnica juntamente com a termopilha. Neste caso, o polissilcio tem mostrado bons resultados em processos CMOS, enquanto que em processos III-V camadas de AsGa e AlGaAs podem ainda se apresentar mais eficientes para este tipo de dispositivo, principalmente por causa do seus elevados coeficientes Seebeck (300-600 V/K). Em termos de aplicaes, os sensores de raios infra-vermelhos so eficientemente construdos, como no caso de uma cmera esttica da Terra para ser colocada em um satlite, onde os fatores de tamanho e consumo de energia so extremamente importantes (ver Figura 4b) [LEN93][SCH95]. O uso de camadas absorventes de luz sobre as junes suspensas (quentes), chamadas de camadas pretas (black layers), podem aumentar significativamente o desempenho do dispositivo. Outra aplicao interessante o conversor eletro-trmico (ETC - Electro-Thermal Converter) [JAE92][WOJ97]. Este consiste no uso de um resistor suspenso prximo as junes quentes: a corrente que circula no resistor convertida em calor (efeito Joule) que, por sua vez, transmitido a estas junes quentes gerando a tenso Seebeck no termopar ou na termopilha (converso do calor em sinal eltrico). Este conversor pode ser usado, por exemplo, como sensor de potncia em circuitos microondas (microwave power sensor). Outras aplicaes baseadas na estrutura do ETC so os sensores de presso, vcuo, fluxo de lquidos e gases onde a dissipao por conveco o elemento que permite tais avaliaes. Os dispositivos so calibrados nas condies normais de trabalho, e as alteraes na presso do ar ou na velocidade de passagem de gases alteram as dissipaes trmicas por conveco, alterando a diferena de temperatura.

(a) (b) Figura 4: Sensores infra-vermelhos CMOS - (a) bolometro e (b) termopilha [TIMA]. No ltimo exemplo de dispositivo trmico micro-usinado a ser discutido, a flexo mecnica causada pela dilatao trmica de materiais pode ser usada para a construo de micro-atuadores ou para a elevao e movimento de estruturas. No caso de uma viga pode-se imaginar elev-la a ngulos bem controlados de forma que esta viga sirva de antena de radiao varivel ou micro-espelho para a reflexo de sinais ticos. A passagem de uma corrente elevada atravs de uma linha metlica posicionada sobre a viga provoca seu aquecimento e consequentemente a sua flexo devido aos diferentes coeficientes de dilatao trmica apresentados pelas camadas suspensas. No caso de tcnicas de micro-usinagem em superfcie, um movimento horizontal pode ser obtido usando duas vigas de mesmo material mas de larguras diferentes unidas na extremidade, conforme visto na Figura 5. A passagem de corrente ir causar um aquecimento diferenciado dessas duas vigas provocando a sua flexo para um dos lados. Chaveamentos mecnicos e micro-pinas podem ser pensados usando este dispositivo.

Figura 5: Atuador mecnico de dilatao trmica diferenciada [UW-Madison].

3.2. Dispositivos ticos

A utilizao de estruturas micro-mecnicas ou micro-estruturas tri-dimensionais (3D) podem ser aproveitadas em circuitos ticos e opto-eletrnicos. A denominao MOEMS refere-se exatamente ao uso de estruturas micro-usinadas (geralmente mveis) para a produo de alteraes ou efeitos em sinais ticos, muitas vezes detectados ou monitorados com o auxlio de circuitos eltricos. O interesse nesta linha de desenvolvimento representa uma extensa lista de aplicaes que vo desde impressoras a laser, scanners, leitores de cdigo de barras, at sistemas de projeo de imagens. A primeira e talvez a mais evidente utilizao de estruturas micro-usinadas para a rea da opto-eletrnica a construo de micro-espelhos para a reflexo de sinais luminosos. Os espelhos podem se apresentar tanto verticais quanto horizontais, e tanto fixos quanto mveis. Um espelho vertical fixo pode ser exemplificado por uma parede refletora com orientao de 45 em guias de ondas para a mudana de direo de 90 na propagao do sinal [DEI91]. Espelhos horizontais mveis eletrostticos, ou de toro, por sua vez, correspondem basicamente a largas membranas refletores sustentadas por estreitos eixos flexveis, conforme mostrado na Figura 6a [BUH97][DIC98]. O movimento ou posicionamento de tais membranas horizontais feito com o uso de eletrodos colocados dentro da cavidade (sobre o substrato) e abaixo da estrutura. Este tipo de espelho bastante promissor para a construo de conjuntos ou arrays de pixels. Um terceiro tipo estrutura, e certamente o mais complexo, corresponde aos espelhos verticais mveis, normalmente construdos com processos de usinagem da superfcie (com o uso de camadas sacrificiais). Observa-se na Figura 6b que uma estrutura mecnica contendo vrias partes mveis e dobradias permite elevar uma placa metlica refletora (espelho) a ngulos de inclinao controlados [KIA98]. Algumas estruturas permitem ainda o movimento do espelho em torno do seu eixo vertical.

(a) (b) Figura 6: Espelhos micro-usinados : (a) horizontal e (b) vertical [BUH97][KIA98]. Alm disso, tcnicas de micro-usinagem so bastante teis para a construo de sensores baseados em guias de ondas suspensos ou mesmo para a preparao de guias de
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ondas fixos. Guias de ondas colocados sobre membranas podem servir como sensores de presso e de fora [BEN95]. Por outro lado, guias de ondas formados por camadas suspensas na superfcie do substrato, apresentado na Figura 7, so interessantes como sensores de deslocamento baseado na modulao de sinais ticos [HAR98]. Esta estrutura em particular apresenta o grau de liberdade de movimento no prprio plano de propagao dos sinais ticos, permitindo com isso o uso na deteco de estmulos acsticos, mecnicos (acelermetro) e fluxo de lquidos e gases.

Figura 7: Guias de ondas suspensos para a deteco de movimento [HAR98]. Estruturas 3D mveis tambm podem ser aproveitadas para o chaveamento tico, conforme mostrado na Figura 8 [JUA98]. O desvio ou suspenso de um sinal luminoso realizado atravs do uso de um espelho vertical que se coloca no caminho do sinal. A estrutura mecnica utilizada para movimentar este espelho pode trabalhar de forma quase esttica para o simples desvio do sinal, ou em uma frequncia de ressonncia (vibrao) para a modulao do sinal, nesse caso com o auxlio de um comb-drive (a ser discutido mais adiante) para estmulo. Outras formas mais simplificadas de chaveamento tico podem ser desenvolvidas atravs do simples desvio de guias de ondas em pontos de descontinuidade.

Figura 8: Chaveamento tico atravs do uso de espelho vertical mvel [JUA98]. Existem ainda diversas outras estruturas que so construdas atravs de tcnicas de micro-usinagem para o seu uso em circuitos opto-eletrnicos, como cavidades ou espelhos de

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Bragg, dispositivos Mach-Zehnder e cavidades ressonantes Fabry-Perot para a filtragem, seleo e modulao de sinais ticos [LEC98].

3.3. Dispositivos Mecnicos

No contexto deste trabalho entende-se por dispositivo mecnico toda estrutura microusinada que realiza um movimento ou sofre uma deformao mecnica para sensao de estmulos externos ou atuao sobre determinadas tarefas. Observe que alguns atuadores trmicos (baseados na dilatao trmica) e ticos (micro-espelhos) j apresentados representam dispositivos mecnicos. Inicialmente, no caso de sensores de presso/fora e acelerao importante compreender a diferena bsica entre esses dispositivos, pois ambos poderiam ser pensados como sendo idnticos por sentirem o movimento de uma micro-estrutura. Os sensores de presso ou de fora so geralmente construdos utilizando-se finas membranas: quanto menor a espessura da membrana maior a sensibilidade do dispositivo. O acelermetro, por sua vez, necessita de uma massa de prova suspensa que ir sentir um movimento brusco ou sofrer o efeito da acelerao: quanto maior a massa suspensa maior ser sua sensibilidade. H pelo menos quatro formas de se traduzir essas deformaes mecnicas em sinais eltricos, so elas: utilizando-se capacitores variveis, por efeito piezo-resistivo, por efeito piezo-eltrico, ou por interferncia em sinais ticos (discutido anteriormente). Os dispositivos baseados em efeito capacitivo so os mais usados para a deteco de deslocamentos, sejam estes decorrentes de presses ou aceleraes submetidas ao dispositivo. A compreenso do seu funcionamento simples: a variao na distncia entre duas placas metlicas (que caracteriza um capacitor), sendo uma fixa e a outra mvel, provoca uma variao da prpria capacitncia entre essas placas, sendo facilmente detectada atravs de um circuito eltrico. Estes capacitores variveis podem estar tanto dispostos horizontalmente quanto verticalmente, como no caso do comb-drive (estrutura em pente). No comb-drive os dentes formam capacitores, onde um grupo de dentes est fixado ao substrato enquanto que o outro grupo encontra-se posicionado sobre uma massa mvel (ver Figura 9). Este dispositivo bastante usado em acelermetros comerciais. Os dispositivos com capacitores horizontais, por sua vez, so usados normalmente como sensores de presso. Uma desvantagem dos sensores capacitivos o consumo de energia associado aos mesmos.

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Figura 9: Estrutura comb-drive para o uso em acelermetros [TIMA]. Os dispositivos que utilizam o efeito piezo-resistivo de materiais tm sido considerados em sensores fabricados com processos estandares de circuitos integrados. No caso de processos CMOS, camadas de polissilcio so bastante eficientes como componentes piezo-resistivos, e so geralmente posicionados nas regies de maior estresse em vigas, pontes e membranas. fcil imaginar um circuito eltrico simples que permita monitorar uma resistncia varivel, porm, da mesma forma que o dispositivo capacitivo, praticamente inevitvel o consumo de potncia associado. Uma forma de evitar a dissipao de potncia do sensor, muitas vezes indesejvel para aplicaes onde o consumo de energia representa um fator crtico, a utilizao do efeito piezo-eltrico para a sensao de movimentos. Porm, nem todo material apresenta a piezoeletricidade, como no caso o silcio que piezo-resistivo mas no piezo-eltrico. Para a construo de sensores deste tipo em processos CMOS deposita-se ZnO na superfcie do mesmo, juntamente com eletrodos metlicos. O AsGa, por sua vez, piezo-eltrico e por isso permite uma fcil integrao de sensores com mdulos eltrico/eletrnicos em seus processos. A principal vantagem deste tipo de componente justamente a ausncia de consumo, pois o prprio efeito piezo-eltrico gera cargas eltricas durante um estresse mecnico. Por outro lado, no caso de atuadores mecnicos, duas foras principais podem ser utilizadas para movimentar as estruturas, so elas as foras eletrostticas geradas por fortes campos eltricos e a piezo-eletricidade. Pode-se pensar tambm em movimentos lineares ou vibratrios (dispositivos ressonantes). O uso de foras eletrostticas exige normalmente tenses elevadas e no permitem grandes deslocamentos. Por outro lado, conforme visto anteriormente, nem todo material piezo-eltrico, e alm disso o direcionamento cristalogrfico do material deve ser cuidadosamente escolhido para a explorao deste efeito. Movimentos lineares podem ser exemplificados por rels, pinas, ou mesmo atuadores por dilatao trmica. No caso de movimentos vibratrios, os atuadores ressonantes tm sido muito usados. Os tipos de vibraes apresentados pelas estruturas assim como as frequncias

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de ressonncia esto diretamente associadas s geometrias das mesmas [TAY98]. Em se tratando de dispositivos micro-usinados, o silcio e o quartz apresentam um alto fator de qualidade (Q-factor) e outras propriedades mecnicas que os torna os melhores candidatos para tal propsito [STE91]. O AsGa pode tambm ser eficientemente usado em atuadores ressonantes pela presena da piezo-eletricidade [SOD94]. Aplicaes interessante para esses componentes so a construo de filtros e conversores eletro-mecnicos [LIN98]. Os micro-motores representam talvez o mais impressionante avano nesta rea de micro-fabricao. H diversas maneiras de implementao dos motores, e estes podem apresentar as mais variadas formas de movimento. Conforme mostrado na Figura 10a, foras eletrostticas podem movimentar um rotor. Outro tipo de motor, visto na Figura 10b, excitado por braos capacitivos, da mesma forma que a estrutura comb-drive, para movimentos circulares vibratrios. Estruturas mais complexas como micro-engrenagens tambm so factveis e permitem um excelente grau de liberdade de movimentos (ver Figura 10c). Os micro-motores e micro-engrenagens tm sido utilizados para o chaveamento de sinais eltricos e para o movimento de micro-estruturas mecnicas tais como espelhos e pinas.

(a) (b) (c) Figura 10: Micro-motores e micro-engrenagens [MCNC][Sandia]. As tcnicas de micro-fabricao tm sido bastante aproveitadas para o controle do fluxo de fludos (micro-fludica). As reas da medicina, anlises qumicas e automotiva so os maiores interessados no desenvolvimento desses dispositivos para aplicaes onde pequenas quantidades de um certo lquido devam ser precisamente bombeados ou controlados, como por exemplo, sistemas de reaes bioqumicas, dosagem de remdios em seres humanos e animais, mistura e injeo de combustveis. Micro-vlvulas so facilmente construdas combinando-se tcnicas de usinagem do substrato e da superfcie, conforme ilustrado na Figura 11a [VAN98]. As vlvulas podem funcionar livremente, sem partes atuadoras para controle, deixando o lquido passar em um sentido e no no outro. Ou elas podem ser controladas por eletrodos que permitem o seu fechamento quando tenses opostas so aplicadas (foras eletrostticas). Isso necessrio quando o fluxo do lquido unidirecional e deseja-se controlar a quantidade do mesmo. Bombas de propulso so muito teis para este tipo de aplicao, e sua construo se mostra um pouco mais complexa. Na realidade as bombas de propulso fazem uso das microvlvulas justamente para controlar a direo do fluxo. Na ilustrao da Figura 11b mostrada uma micro-bomba construda de forma hbrida, ou seja, utilizando vrios substratos

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sobrepostos e apropriadamente usinados [BER98]. A parte superior representa a parte de atuao propriamente dita. O aquecimento, para dilatao trmica, e o esfriamento de um determinado material permitem o movimento. Este material colocado em ambos os lados do atuador e excitado de forma complementar: quando um lado aquece e se dilata, o outro esfria e retorna ao seu tamanho original, sugando ou bombeando o lquido atravs da cavidade central.
Vista em corte Sada de fluxo Vista superior aberto

Entrada de fluxo Vlvula fechada

Material aquecido

aberto

Entrada de fluxo fechado

(a) (b) Figura 11: Micro-fludica: (a) micro-vlvula e (b) micro-bomba [VAN98][BER98].

3.4 Componentes para RF e Microondas

Alm do uso de tcnicas de micro-usinagem para a fabricao de sensores e atuadores, estas podem tambm ser eficientemente usadas para melhorar o desempenho de dispositivos eletrnicos em altas frequncias (RF e microondas). Isto porque muitas vezes em tais frequncias de funcionamento o comportamento dos componentes so influenciados por elementos parasitas como capacitncias e perdas resistivas. Idealmente, uma linha de transmisso deveria representar um curto-circuito. Porm inevitvel a influncia da resistividade do material da linha. Por outro lado, capacitncias e condutncias parasitas associadas ao substrato, assim como o efeito indutivo desta apresentam grande influncia na transmisso dos sinais. Verificou-se que o fato de suspender linhas de transmisso eliminam as condutividades intrnsecas do substrato e reduzem consideravelmente as capacitncias parasitas em relao ao plano de massa (substrato ou camada metlica dedicada). Com isso, o fator de qualidade e a frequncia de ressonncia da linha so claramente melhoradas. Os indutores tm sido bastante investigados usando tais tcnicas de fabricao. O interesse na integrao de indutores planares bvia pela sua importncia em circuitos como amplificadores de baixo-rudo (LNA - Low-Noise Amplifiers), osciladores controlados por tenso (VCO - Voltage-Controlled Oscilator), filtros, acopladores de impedncia (matching network), misturadores (mixers), entre outros, circuitos estes essenciais para sistemas de

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telecomunicaes em RF e microondas. Embora alguns processos de fabricao baseados em AsGa, que um material semi-isolante, estejam atualmente disponveis para a construo de circuitos integrados monolticos para microondas (MMIC - Monolithic Microwave Integrated Circuits), as capacitncias parasitas em relao ao plano de massa na face posterior do chip so as principais responsveis pela degradao do comportamento desses componentes [PUC81]. Em silcio, este fenmeno ainda agravado pela ausncia de um plano de massa especfico e pela condutividade parasita do substrato. Excelentes resultados tm sido apresentados atravs da suspenso dos indutores em ambos materiais, silcio e AsGa [CHA93][RIB98]. Estes estudos tm sido estendidos aos transformadores planares onde no apenas as capacitncias para plano de massa so crticas mas tambm as capacitncias entre os segmentos adjacentes das bobinas (ver Figura 12) [RIB98]. Note que o efeito indutivo desses elementos no so afetados pela micro-usinagem. Conforme foi apresentado anteriormente, a micro-usinagem utilizada para a criao de regies de baixa condutividade trmica. No caso dos dispositivos suspensos para uso em microondas, este fator torna-se uma desvantagem em relao aos componentes estandares pois haver um aquecimento maior das regies suspensas e consequentemente um aumento da resistncia da linha. Nos metais o TCR (coeficiente de temperatura da resistividade) de aproximadamente 5x10-3/K, o que representa, em outras palavras, um aumento de 50% no valor da resistividade para um aumento de 100 graus, sendo que esta elevao de temperatura facilmente obtida em estruturas suspensas com a passagem de correntes elevadas. Por isso, este fator deve ser cuidadosamente avaliado durante o projeto do circuito. Outro cuidado importante refere-se a robustez mecnica da estrutura. Em sensores e atuadores as partes micro-usinadas so em geral preparadas para o sua flexo ou movimento durante o funcionamento. Neste caso, onde as aplicaes alvos so os sistemas de comunicao (telefones portteis, satlites, sistemas automotivos e aeronuticos) os dispositivos suspensos devem suportar possveis choques, movimentos e aceleraes sem danos na sua estrutura. Simulaes realizadas com mtodo de elementos finitos (FEM - Finite Element Method) mostraram uma boa rigidez mecnica dos indutores e transformadores, porm linhas de transmisso muito longas podem quebrar-se facilmente. Indutores verticais e com ncleos magnticos tm sido desenvolvidos com o uso de processos especficos de micro-usinagem. importante lembrar que nesses processos a integrao da eletrnica geralmente comprometida [KIM97][YAM95].

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(a) (b) Figura 12: Dispositivos para RF: (a) indutor e (b) transformador [RIB98].

4. Modelagem e Ferramentas de CAD

Da mesma forma que os processos de microeletrnica tm sido explorados para a construo de micro-estruturas mecnicas, h um grande esforo na adaptao de ambientes de projeto (CAD/CAE) j existentes para o desenvolvimento de tais estruturas [KAR97]. Inicialmente importante perceber que h diversas formas de modelar um dispositivo no eletrnico e avali-lo juntamente com a eletrnica. A anlise inicial do funcionamento ou do comportamento de dispositivos ou sistemas atravs do uso de expresses matemticas, conforme ilustrado na Figura 13. Estas podem apresentar complexidade tal que a resoluo manual quase impraticvel, exigindo o uso de ferramentas computacionais de matemtica, como Matlab. Por vezes, de acordo com as caractersticas do dispositivo, vrias consideraes e aproximaes devem ser realizadas a fim de simplificar as equaes e permitir uma avaliao preliminar dos resultados esperados. Observa-se que o mtodo analtico geralmente usado em anlises estticas do comportamento, uma vez que os resultados obtidos so pontuais tendo as demais variveis envolvidas pr-definidas.

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Figura 13: Estrutura de um giroscpio e suas equaes matemticas. Outra forma de avaliar dispositivos no-eltricos atravs de modelos ou circuitos eltricos equivalentes. Por exemplo, elementos encontrados nos comportamentos mecnicos e trmicos podem ser representados por equivalentes eltricos como resistncias, indutncias, capacitncias, fontes de corrente e tenso (conforme ilustrado na Figura 14). Porm, isso vlido apenas para comportamentos unidirecionais de deslocamentos e propagao de calor. A vantagem deste mtodo o aproveitamento de simuladores eltricos como SPICE, hoje bastante conhecidos e utilizados na rea da eletrnica. Outra caracterstica interessante a anlise dinmica do comportamento como constantes de tempo e observao de estabilizao de comportamentos (oscilaes, amortecimentos,...).

Figura 14: Estrutura de um micro-rel (a) e seu circuito eltrico equivalente (b) [RIB98]. Caso haja necessidade de uma estudo trmico, mecnico ou mesmo eltrico mais detalhado e preciso de estruturas tri-dimensionais pode-se fazer uso de ferramentas de mtodos de elementos finitos como ANSYS (ver Figura 15). Este tipo de simulao bastante mais complexa e trabalhosa de ser realizada, porm fornece resultados muito prximos do comportamento real do dispositivo. Por isso, ele geralmente restrito avaliao de dispositivos individuais, para ento, a partir dos resultados obtidos, gerar-se modelos simplificados com os parmetros desejados do comportamento dos mesmos [ROM98].

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Figura 15: Ilustraes de simulaes com elementos finitos [RIB98]. Uma forma de representar de maneira simplificada a funcionalidade de dispositivos e sistemas, a partir de uma pr-anlise realizada com os demais mtodos citados ou a partir de dados experimentais, utilizar linguagens de descrio de hardware analgicas como HDLA, Spectre-HDL e mais recentemente o VHDL-AMS (VHDL Analog-Mixed Signal), ilustrado na Figura 16. Estas linguagens permitem a descrio e a simulao funcional em alto nvel de sistemas heterogneos (eltricos, trmicos, mecnicos, fludicos, ...). ENTITY resistor IS GENERIC (resistance : real := 1.0); PORT (TERMINAL n1, n2 : electrical); END ENTITY resistor; ARCHITECTURE one OF resistor IS QUANTITY r_e across r_i through n1 to n2; BEGIN r_i == r_e/resistance; END one; Figura 16: Descrio de resistor em VHDL-AMS. Em relao as ferramentas de projeto para a elaborao do layout das estruturas microusinadas h vrios pontos a serem considerados. Inicialmente, os mesmos editores de layout utilizados na microeletrnica so compatveis com estas estruturas, assim como a verificao das regras de desenho (DRC). A sntese automtica de layout, como ocorre com os circuitos digitais, no evidente para os circuitos analgicos e no-eletrnicos. Uma forma de auxiliar a construo do circuito atravs do uso de geradores de layout automticos. A vantagem dos
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geradores de layout em relao s bibliotecas de clulas fixas ou parametrizveis o grau de liberdade na definio do dispositivo final a ser construdo [KAR96]. Ainda em relao elaborao do layout surge a necessidade de simuladores ou verificadores da usinagem para o correto posicionamento e dimensionamento das mscaras de abertura referentes a esta etapa de ps-processamento [BUT96]. Alm disso, visualizadores em corte e em trs dimenses (3D) so teis no apenas para ilustrar o processo utilizado, mas para verificar as regies suspensas e suas espessuras. Algumas destas ferramentas j encontram-se disponveis no ambiente de projeto da Mentor Graphics, conforme visto na Figura 17 [RIB98].

Figura 17: Ambiente Mentor Graphics para o desenvolvimento de microssistemas.

5. Concluso e Perspectivas
A possibilidade de construo de micro-estruturas suspensas bem como sua utilizao em micro-sensores no algo novo que surgiu de uma revoluo tecnolgica na rea de processo de fabricao de circuitos integrados. Pelo contrrio, micro-sensores de presso por exemplo datam da dcada de 60. O aumento no interesse sobre esta rea de desenvolvimento deve-se principalmente evoluo e ao amadurecimento da microeletrnica, despertando o interesse de pesquisadores e industriais sobre a possibilidade colocar mais do que funes eletrnicas dentro de um nico chip, ou seja, permitir a integrao completa de microssistemas

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formados por sensores e atuadores (eletrnicos ou no), interfaces analgicas e controles digitais inteligentes. O real avano desta nova linha de trabalho no deve-se apenas evoluo de tcnicas de fabricao vindos da microeletrnica, mas principalmente identificao de potenciais aplicaes que despertem o interesse de industriais e reas afins como as telecomunicaes, medicina e automobilstica. Tal viso das necessidades do mercado essencial para a proposta, o desenvolvimento e o sucesso de uma nova tcnica de micro-usinagem. Sensores no-usinados (no-suspensos) mas que possam ser integrados ao chip tambm devem ser cuidadosamente tratados a fim de desenvolver sensores inteligentes multi-tarefas fabricados em um nico CI. Um bom exemplo disso so os sensores magnticos ou de efeito Hall. Outra questo que no deve ser esquecida quanto ao encapsulamento dos microssistemas visto que as estruturas micro-usinadas podem ser facilmente danificadas nesta etapa de fabricao. Alm disso, as ferramentas de auxlio a projeto CAD/CAE (ComputerAided Design/Engineering) encontram-se bastante imaturas, da mesma forma que as metodologias para testabilidade e caracterizao de tais dispositivos. A dcada de 90 foi apenas o despertar da rea dos microssistemas tanto a nvel acadmico quanto industrial. Na realidade, os processos de micro-usinagem utilizados para construir estruturas mecnicas so na grande maioria muito mais simples do que processos de microeletrnica por no envolverem etapas como implantaes inicas, dopagem de canal de transistor, problemas de junes P-N de semicondutores, etc. Logo, o que est sendo realizado hoje j era tecnologicamente vivel a muitos anos. Mas certamente o principal fator que acelera o progresso de uma determinada tecnologia o interesse industrial e o volume de investimentos envolvidos na rea. E este crescente interesse do mercado mundial sobre os microssistemas ou MEMS tem sido ocasionado talvez pela saturao na evoluo dos circuitos digitais, que hoje apresentam capacidades de integrao e desempenho fabulosos e que preciso um esforo cada vez maior para obter-se pequenos avanos. Por isso, passou-se a considerar a possibilidade de integrar sistemas completos dentro de um nico chip incluindo, alm da eletrnica, partes mecnicas, trmicas, qumicas, magnticas e entre outras. Observou-se nesta primeira dcada de trabalhos que h uma infinidade de aplicaes potenciais nas mais diversas reas emergentes como telecomunicaes, automobilistica, mdica, biomdica, automao industrial,... O que certamente se vivenciar nos prximos anos ou mesmo no prximo sculo ser uma revoluo tecnolgica onde os circuitos integrados eletrnicos representaro apenas uma pequena parcela do desenvolvimento. Monitoramento dos sinais vitais humanos e animais; chips funcionando como minsculas farmcias e atuando no funcionamento de organismos vivos; desenvolvimento de automveis mais segurose inteligentes monitados pelos mais diversos sensores e atuadores; aperfeioamento de equipamentos eletr-mecnicos como cmeras, microfones, bombas de propulso e micro-vlvulas; anlises qumicas e bioqumicas automatizadas; e inmeras outras aplicaes promissoras. Em particular, as reas onde esta nova tecnologia ter maior atuao sero a automobilstica e a biomdica principalmente devido ao volume do mercado envolvido.
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Porm, independente de uma aplicao especfica, um fato que ser cada vez mais evidente o carter multi-disciplinar dos microssistemas. No haver especialistas conhecedores de todos as questes que envolvem o projeto de MEMS, como encontrado hoje na eletrnica, na mecnica ou na qumica. Mas sero necessrias equipes multi-disciplinares e uma linguagem comum de comunicao. Esta questo da multi-disciplinaridade exigir inicialmente um esforo mundial no desenvolvimento de ferramentas de projeto que atendam esta necessidade. A preparao destes ambientes de CAD multi-domnios ser inevitvel para o registro de verdadeiro incio da Era dos Microssistemas. E eles devero incluir pelo menos linguagens de descrio para sistemas heterogneos, simuladores e verificadores funcionais, interaces entre ferramentas particulares a cada domnio como simuladores eltricos e de processo, mtodos de elementos finitos, analisadores matemticos,... Alm disso, o estado atual desta rea permite uma total liberdade de desenvolvimento onde a criatividade pode ser explorada ao mximo para a construo de novos sensores e atuadores miniaturizados. Futuramente, o prprio progresso do conhecimento definir um conjunto de estruturas padronizadas com modelos associados que serviro de base para novos dispositivos, para ento chegarmos ao que observamos hoje com os CIs digitais, ou seja, uma saturao pela quantidade de profissionais e empresas envolvidas e pela dificuldade de se obter pequenos progresos.

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