MECANISMO DE FUNCIONAMIENTO DEL DIODO DE SILICIO (Si) Como ya se explic anteriormente, en el punto de juntura o unin p-n de un semiconductor diodo

de silicio se forma una barrera de potencial en la que los huecos de la parte positiva, por un lado, y los electrones de la parte negativa, por el otro, alcanzan un punto de equilibrio, crendose alrededor de dicha unin una zona de deplexin (conocida tambin como zona de carga espacial, zona de agotamiento o zona de vaciado), que impide que la corriente elctrica fluya a travs del diodo as formado. Cuando un diodo no se encuentra energizado, en el punto de unin o juntura p-n los huecos y los electrones se encuentran en estado de equilibrio. Por consiguiente, en ese punto los denominadosniveles de fermi se emparejan o igualan a ambos lados de la unin.

QU

ES

EL

NIVEL

DE

FERMI?

El nivel de fermi es un trmino empleado para describir la mayor concentracin de niveles de energa que, tericamente, pueden alcanzar los electrones a una temperatura, tambin terica, de 0 K (cero grado Kelvin o cero absoluto). A dicha temperatura se supone que cesa completamente todo el movimiento electrnico en los tomos que componen las molculas de un cuerpo cualquiera. En un semiconductor diodo sin energizar, el nivel de fermi se opone a que los electrones libres que se encuentran presentes en la parte negativa (N) puedan atravesar la barrera de potencial formada en el punto de unin p-n, lo que les impide saltar a la parte positiva (P) hasta tanto no reciban la suficiente carga energtica que normalmente procede de una fuente de fuerza electromotriz externa, como una batera, por ejemplo. Una vez que los electrones reciban la energa necesaria podrn superar el nivel de fermi y atravesar la barrera de potencial para unirse a los huecos existentes en la parte positiva (P) del diodo. Un smil entre lo que ocurre con un semiconductor diodo sin energizar y el nivel de fermi sera algo as como tener sumergido en un mar cubierto de hielo un cuerpo cualquiera carente de la suficiente energa como para poder ascender, romper la capa de hielo y salir a la superficie. El nivel de fermi recibe ese nombre en honor al destacado fsico italiano Enrico Fermi (Roma, Italia, 1901 Chicago, EE.UU., 1954).

Cuando la unin positiva-negativa p-n de un semiconductor diodo se encuentra en equilibrio por no encontrarse energizado, los niveles de fermi se igualan o emparejan a ambos lados de la unin. Bajo esas condiciones los electrones y los huecos alcanzan un equilibrio prximo a ese punto y a su alrededor se crea unazona de deplexin. Para que se pueda establecer un flujo electrnico a travs del diodo, ser necesario suministrarles energa a los electrones que se encuentran debajo de la lnea del nivel de fermi para que se puedan mover hacia arriba y pasar a labanda de conduccin y unirse a los huecos.

POLARIZACIN DIRECTA DEL DIODO Cuando un semiconductor diodo lo polarizamos de forma directa conectndole una fuente de fuerza electromotriz o suministro elctrico (como una batera, por ejemplo), su ladoP se vuelve ms positivo, lo que ocasiona que se cree una diferencia en altura del nivel de fermi en la parte negativa del diodo. Esto facilita que los electrones libres en esa parte alcancen la banda de conduccin y puedan atravesar la unin o juntura p-n pasando a llenar los huecos presentes al otro lado de la unin. De esa forma los electrones alcanzarn la banda de conduccin, atravesarn la unin p-n y saltarn de un hueco a otro en la parte positiva (P) hasta concluir finalmente su recorrido en el polo positivo de la fuente de suministro elctrico. La situacin que se produce se puede interpretar como: electrones movindose en un sentido y huecos movindose en sentido opuesto.

En la ilustracin se puede apreciar que la direccin de conduccin de los electrones se establece desde la parte derecha o negativa del diodo hacia su parte izquierda o positiva. El movimiento que se observa hacia arriba de los electrones para alcanzar la banda de conduccin, viene dado por el incremento de energa que les suministra la batera o fuente de energa electromotriz conectada al diodo. Por tanto, en un diodo polarizado de forma directa, los electrones de la parte negativa (N) que han sido elevados a la banda de conduccin, as como los que se han difundido a travs de la unin p-n, poseen ms energa que los huecos presentes en la parte positiva (P). De esa forma los electrones se combinan sin esfuerzo con esos huecos, establecindose un flujo de corriente electrnica a travs de la unin p-n, en direccin al polo positivo de la batera.

Movimiento de los electrones que se establece en un.sentido y de los huecos en el sentido opuesto en un diodo.semiconductor polarizado de forma directa. La parte.sealada como (A) corresponde al nodo positivo (+) y la.parte (B) al ctodo negativo (). Como se puede apreciar,.el flujo de los electrones se mueve del polo negativo al.polo positivo de la batera (pila) conectada al circuito.

POLARIZACIN INVERSA DEL DIODO Cuando el semiconductor diodo se polariza de forma inversa, el lado positivo P de la unin p-n se vuelve negativo (debido a estar conectado al polo negativo de la batera). En esas condiciones el nivel de fermicorrespondiente a esa parte positiva crece en altura, impidiendo as que los electrones se puedan mover a travs del cristal semiconductor. En la ilustracin se pueden observar unas flechas indicando la direccin correspondiente al flujo electrnico tratando de acceder al diodo por su parte positiva sin lograrlo, pues al estar polarizado de forma inversa la zona de deplexin se ampla. Adems, como se puede ver tambin, la diferencia de altura del nivel de fermi en la parte positiva P del diodo aumenta, mientras que en la parte negativa N disminuye. Por tanto, bajo esas circunstancias los electrones presentes en la parte negativa carecern de la suficiente energa para poder atravesar la unin p-n.