BAB II DASAR TEORI

2.1

Energi Matahari Matahari merupakan bola yang tersusun oleh materi gas yang sangat panas

dengan diameter 1,39x109m. Matahari merupakan benda langit dengan energi yang sangat besar. Energi diproduksi pada bagian dalam matahari dan terkirim ke permukaan yang kemudian teradiasi ke luar angkasa. Bagian inti, yang terdiri dari 40% massa matahari, dapat membangkitkan 90% dari total energi keseluruhan yang dapat dibangkitkan. Semakin ke permukaan bola, suhu mengalami penurunan yang sangat besar, hingga 135.000 K dari inti matahari.[8] Matahari merupakan sumber utama bagi kehidupan di bumi, sumber energi yang dihasilkan oleh matahari berupa energi panas dan energi cahaya yang dipergunakan makhluk hidup untuk memenuhi kebutuhan hidupnya. Bumi menerima 175 x 105 Watt radiasi surya pada atmosfer terluar. Kurang lebih 30% dari total radiasi surya terefleksi kembali ke ruang angkasa, dimana 70% sisanya terserap oleh awan, lautan, dan juga daratan.[8] Salah satu pemanfaatan energi cahaya matahari yang sekarang sedang dikembangkan adalah konversi energi cahaya matahari menjadi energi listrik yang ramah lingkungan dengan menggunakan teknologi photovoltaic yang terdiri dari sel sel surya yang terbuat dari bahan semikonduktor seperti silikon. Pada kondisi yang cerah dengan radiasi matahari yang mencapai permukaan bumi sebesar 1000 Watt/m2 dengan temperatur sebesar 25o C maka panel surya yang mempunyai luasan sebesar 1m2 dan efisiensi sebesar 10% dapat menghasilkan energi listrik sebesar 100 Watt.[16]

2.2

Potensi Energi Matahari di Indonesia Indonesia merupakan negara yang dilewati oleh garis katulistiwa sehingga

Indonesia mempunyai iklim tropis dan mempunyai 2 musim dalam setahun yaitu

musim penghujan pada bulan Oktober hingga bulan Maret, dan musim kemarau pada bulan April hingga bulan September. Kedua hal ini merupakan modal utama bagi Indonesia untuk mengembangkan teknologi photovoltaic karena membuat intensitas penyinaran matahari di Indonesia relatif konstan setiap tahun sebesar 4,5 kWh/m2/hari.[3] Lamanya waktu siang dan malam di negara Indonesia besarnya sama yaitu sebesar 12 jam sehingga negara Indonesia mempunyai potensi penyinaran matahari yang relatif konstan dan merupakan potensi bagi negara Indonesia untuk mengembangkan teknologi photovoltaic sebagai salah satu teknologi terbarukan pengganti teknologi konvensional yang masih banyak digunakan oleh Indonesia sebagai sumber utama untuk memenuhi kebutuhan listrik di Indonesia. Potensi energi matahari di berbagai belahan bumi dapat dilihat pada Gambar 2.1 berikut :

Gambar 2.1 Besar rata-rata energi radiasi cahaya diberbagai belahan bumi

Data dari potensi energi matahari dari radiasi matahari yang dapat diterima di wilayah wilayah Indonesia adalah sebagai berikut (Utami, 1999)[13] : Wilayah kepulauan timur seperti Sulawesi dan Bali Barat dan Papua Timur, secara umum dapat dikatakan kering dapat menerima radiasi matahari tertinggi sebesar 6 6,5 kWh/m2/hari.

Daerah pegunungan di Papua, Sulawesi dan Jawa, yang terkadang berkabut pada siang hari dapat menerima radiasi matahari sebesar 4,5 5,5 kWh/m2/hari.

Kawasan dataran rendah seperti di pulau Kalimantan, Jawa dan Sumatera, yang merupakan daerah rawa-rawa dan hutan lebat dapat menerima radiasi matahari sebesar 4 5 kWh/m2/hari.

2.3

Intensitas Radiasi Matahari Intensitas radiasi matahari merupakan banyaknya energi yang diterima

bumi per satuan luas per satuan waktu (Wh/m2) yang nilainya berubah ubah tergantung pada beberapa faktor, seperti letak astronomis suatu tempat terutama garis lintang lokasi, gerak semu harian,tahunan matahari, dan keadaan atmosfir bumi.[6] Gerak semu harian matahari mempengaruhi pergantian siang dan malam sehingga mempengaruhi besar intensitas radiasi matahari yang dapat diterima oleh bumi setiap jamnya sedangkan gerak semu tahunan matahari mempengaruhi pergantian musim yang terjadi pada belahan bumi di dunia setiap tahun sehingga mempengaruhi besar intensitas radiasi matahari yang dapat diterima oleh bumi setiap bulan. Gerak semu tahunan matahari dapat dilihat pada Gambar 2.2 berikut.

Gambar 2.2 Gerak semu tahunan matahari

10

Radiasi matahari yang dapat diterima oleh panel surya dibagi menjadi 3 jenis, yaitu[4] : a. Radiasi langsung (direct radiation atau beam radiation) yaitu intensitas radiasi matahari yang langsung diterima di permukaan bumi. b. Radiasi tersebar (diffuse radiation) yaitu radiasi matahari yang diterima di permukaan bumi karena pantulan awan dan partikel di atmosfer bumi. c. Radiasi pantulan yaitu radiasi yang dipantulkan oleh permukaan yang berdekatan, besarnya dipengaruhi oleh reflektansi permukaan yang berdekatan.

Gambar 2.3 Jenis jenis radiasi matahari yang diterima di permukaan bumi

Intensitas radiasi cahaya matahari merupakan salah satu faktor yang mempengaruhi besarnya daya yang dihasilkan oleh panel surya. Besar intensitas radiasi matahari yang jatuh di permukaan bumi dan panel surya dapat dihitung dengan menggunakan parameter parameter sudut tentang letak kedudukan matahari dan posisi matahari[8], sebagai berikut : a. Sudut datang () adalah sudut antara sinar datang dengan garis normal pada permukaan sebuah bidang. b. Sudut deklinasi () yaitu sudut yang dibentuk oleh garis radial ke pusat bumi pada suatu lokasi dengan proyeksi garis pada bidang ekuator.

11

Besarnya sudut deklinasi berubah ubah bergantung pada gerak semu tahunan matahari besarnya antara +23,45o hingga 23,45o. c. Sudut zenit (z) adalah sudut yang dibuat oleh garis vertikal ke arah zenit dengan garis ke arah titik matahari. d. Sudut azimut () yaitu sudut yang dibuat oleh garis bidang horisontal antara garis selatan dengan proyeksi garis normal pada bidang horisontal dengan arah selatan sebagai arah acuannya.Sudut azimut yang paling tepat untuk menerima radiasi matahari untuk belahan bumi utara adalah 0o dimana panel surya diletakkan menghadap ke arah selatan menghadap garis khatulistiwa dan untuk belahan bumi selatan 180o dimana panel surya diletakkan menghadap ke arah utara menghadap garis khatulistiwa.[8]
180o
N

90o
W

270o
E

0o
S

(a)
o

(b) dan 0o.

Gambar 2.4 (a) Sudut azimut panel surya sebesar 45 (b) Sudut azimut panel surya sebesar 180o

e. Sudut kemiringan / slope () adalah sudut kemiringan yang dibuat oleh permukaan bidang panel surya terhadap garis horisontal.

Gambar 2.5 Sudut kemiringan panel surya (slope)

12

Hubungan antara sudut sudut yang mempengaruhi besarnya radiasi matahari yang diterima oleh panel surya dapat dilihat pada Gambar 2.5.

Gambar 2.6 Parameter sudut letak kedudukan matahari dalam bidang horisontal

Gambar 2.6 merupakan dasar dalam pembuatan persamaan untuk besar sudut sinar datang matahari terhadap panel surya sebagai berikut : cos = sin sin cos - sin cos sin cos + cos cos cos cos + cos sin sin cos cos + cos sin sin sin (2.1)

Besarnya sudut datang matahari untuk belahan bumi bagian utara adalah saat dipasang dengan sudut azimut sebesar 0o menghadap ke arah selatan sehingga persamaan 2.1 menjadi : cos = cos( - ) cos cos + sin ( - ) sin (2.2)

Sudut azimut pemasangan panel surya untuk belahan bumi selatan yang paling tepat untuk menerima radiasi matahari adalah 180o dengan panel surya dihadapkan ke arah utara sehingga persamaan sudut sinar datang pada persamaan 2.1 menjadi : cos = cos( + ) cos cos + sin ( + ) sin (2.3)

Sudut zenit dan sudut deklinasi matahari dapat dihitung dengan menggunakan persamaan 2.4 dan persamaan 2.5 berikut.

13

cos z = cos cos cos + sin sin = 23,45 sin[ 360 Dimana : = sudut sinar datang matahari( o) z = sudut zenith matahari ( o)
= sudut slope panel surya ( o) = sudut lintang lokasi penempatan panel surya ( o)
284+ 365

(2.4) (2.5)

= sudut jam matahari (bernilai negatif untuk waktu pagi hari, positif untuk

waktu sore hari, dan 0o untuk siang hari, dengan selisih 15o setiap jamnya)
= sudut azimuth panel surya ( o) = sudut deklinasi matahari ( o)

n = hari ke dalam satu tahun ( 1 Januari = 1 dan 31 Desember = 365) Radiasi matahari ekstrateristrial adalah radiasi matahari yang diterima di atas permukaan bumi per satuan waktu yang dapat diperoleh dengan menggunakan persamaan dari Duffie dan Beckmen (1991)[8], yaitu : =
=
360 365

(1 + 0.033 cos
243600

)
180

(2.6)
sin sin )

(1 + 0.033 cos(360 365 )) (cos cos sin +

= acos( tan tan ) Dimana :

(2.7)

= radiasi matahari ekstraterestrial (MJ/m2) = sudut surya terbenam ( o) = konstanta matahari (1.367 W/m2) Indeks kecerahan rata rata per bulan dapat dihitung dengan menggunakan persamaan 2.8 berikut. =

(2.8) (2.9) (2.10)

3 2 = 1.391 3.560 + 4.189 2.137 ; 81.4 3 2 = 1.311 3.022 + 3.427 1.821 ; > 81.4

adalah radiasi total yang sebanding dengan radiasi ekstraterestrial pada hari yang direkomendasikan dalam satu bulan yang terdapat pada Tabel 2.1

14

(MJ/m2), adalah radiasi bulanan pada saat pengukuran, dan merupakan indeks kecerahan rata rata setiap bulan dan

merupakan kompenen dari

radiasi langsung dan tersebar untuk perhitungan radiasi rata rata matahari yang dapat diterima oleh panel surya per bulan yang dihitung sesuai dengan persamaan Collares Pereira dan Rabl.
Tabel 2.1 Hari yang direkomendasikan dalam satu bulan untuk perhitungan radiasi matahari yang diterima panel surya per bulan oleh Klein[8] n hari dalam setahun i 31+i 59+i 90+i 120+i 151+i 181+i 212+i 243+i 273+i 304+i 334+i Rata - Rata hari dalam setahun tanggal n 17 17 16 47 16 75 15 105 15 135 11 162 17 198 16 228 15 258 15 288 14 318 10 344

Bulan Januari Februari Maret April Mei Juni Juli Agustus September Oktober November Desember

Radiasi rata rata matahari yang dapat diterima permukaan panel surya dapat dihitung dengan menggunakan persamaan dari Liu dan Jordan sebagai berikut[4] : = +
1+cos 2 1cos 2

(2.11)

Radiasi rata rata matahari yang dapat diterima oleh panel surya setiap bulan dapat dihitung dengan menggunakan persamaan berikut [8].
1+cos 2 1 cos 2

= 1

(2.12) (2.13)

adalah radiasi yang dapat diterima oleh permukaan panel surya setiap bulan (MJ/m2/hari), adalah radiasi langsung (MJ/m2/hari), adalah radiasi tersebar (MJ/m2/hari), adalah radiasi total di permukaan bumi (MJ/m2/hari), adalah radiasi rata rata matahari yang terukur setiap bulan (MJ/m2/hari).

15

merupakan perbandingan antara sudut sinar datang matahari dengan

sudut zenith matahari. marupakan salah satu faktor yang berpengaruh untuk menghitung radiasi langsung matahari yang dapat diterima oleh panel surya.
cos cos

(2.14) sinar datang matahari (cos ) dan sudut zenit

Besarnya nilai sudut

matahari (cos z) per bulan dapat dihitung dengan menggunakan integral dari persamaan 2.1 dan 2.4 sehingga menjadi : cos = s sin sin cos - s sin cos sin cos + cos cos cos sin s + cos sin sin cos sin s cos sin sin cos s cos z = cos cos sin s + (/180) s sin sin (2.15) (2.16)

dimana s merupakan rata rata sudut surya terbenam per bulan yang dapat dihitung dengan menggunakan persamaan : = min acos( tan tan ) acos( tan tan acos( tan tan ) acos( tan + tan untuk belahan bumi utara (2.17)

= min

untuk belahan bumi selatan

(2.18)

tanda min pada persamaan 2.17 dan 2.18 mempunyai arti dimana yang digunakan untuk mengitung sinar datang yang terdapat pada persamaan 2.15 merupakan nilai yang paling minimal dari kedua persamaan yang berada di dalam kurung pada persamaan 2.17 dan 2.18.

2.4

Photovoltaic Photovoltaic merupakan salah satu teknologi terbarukan yang

memanfaatkan energi cahaya matahari dan mengubahnya menjadi energi listrik searah. Satuan terkecil dari sistem photovoltaic adalah sel surya yang terbuat dari bahan semikonduktor seperti silikon yang dapat berperan sebagai isolator jika sel surya mendapatkan energi matahari yang rendah dan temperatur tinggi dan juga

16

dapat berfungsi sebagai bahan konduktor pada saat sel surya tersebut mendapat energi matahari yang tinggi dan temperatur yang rendah. Gabungan dari sel sel surya akan membentuk panel surya sedangkan gabungan dari panel panel surya (module) ini akan membentuk larik sel surya (array)[9]. Susunan dari sistem photovoltaic dapat dilihat pada Gambar 2.7 berikut.

Gambar 2.7 Susunan sistem photovoltaic

2.4.1

Sel Surya[1][16] Sel surya merupakan komponen terkecil didalam sistem energi surya

photovoltaic. Sel surya terbuat dari bahan semikonduktor seperti silikon. Bahan semikonduktor memiliki konduktivitas yang terletak diantara bahan isolator dan bahan konduktor. Konduktivitas dari bahan semikonduktor secara umum peka terhadap temperatur, dan iluminasi sehingga pada bahan semikonduktor dapat bersifat sebegai konduktor atau isolator bergantung pada temperatur dan energi dari iluminasi yang diterima oleh bahan semikonduktor tersebut. Pada material semikonduktor terdapat tingkatan-tingkatan energi yang disebut dengan pita energi. Pita energi terbagi menjadi dua yaitu pita valensi dan pita konduksi. Pita valensi adalah pita yang pada awalnya terisi penuh dengan elektron-elektron didalamnya, sedangkan pita konduksi adalah pita yang tidak

17

terdapat elektron didalamnya yang berada diatas celah energi. Celah energi yang memisahkan kedua pita tersebut disebut juga sebagai energy bandgap (Eg).

(a)

(b) Gambar 2.8 Sifat-sifat material (a) Isolator (b) Semikonduktor (c) Konduktor

(c)

Bahan isolator memiliki tingkat celah energi yang tinggi (Eg= 6eV). Celah energi yang lebar ini memisahkan pita valensi yang penuh elektron dengan pita konduksi yang tidak memiliki elektron. Jika terdapat energi medan listrik yang diterapkan lebih kecil dari celah energi maka elektron tidak dapat berpindah dari pita valensi ke pita konduksi karena celah energi yang sangat tinggi sehingga tidak memungkinkan terjadinya perpindahan elektron di dalam bahan isolator. Bahan konduktor memiliki tingkatan celah energi yang berhimpit yang memisahkan pita valensi yang penuh elektron dengan pita konduksi yang tidak memiliki elektron. Jika bahan konduktor dikenai oleh medan litrik sehingga menimbulkan elektron mempunyai energi untuk berpindah dari pita valensi ke pita konduksi sehingga memungkinkan terjadinya arus listrik pada bahan konduktor. Bahan semikonduktor adalah bahan yang dapat bersifat sebagai isolator dan sebagai konduktor. Bahan semikonduktor memiliki lebar celah energi yang relatif kecil (1eV). Jika terdapat energi medan listrik yang diterapkan pada bahan semikonduktor tersebut cukup untuk memindahkan elektron dari pita valensi ke pita konduksi maka proses penghantaran akan berlangsung pada bahan sehingga

18

bahan semikonduktor bersifat seperti bahan konduktor. Jika energi medan listrik yang diterapkan lebih kecil dari energi pada celah energi sehingga elektron tidak dapat berpindah dari pita valensi ke pita konduksi maka proses penghantaran tidak akan terjadi pada bahan tersebut sehingga bahan mempunyai sifat sebagai isolator. Struktur kristal bahan semikonduktor merupakan perulangan yang teratur dalam tiga dimensi dari suatu sel tetrahedron dengan sebuah atom pada bagian sudutnya salah satunya silikon. Silikon memiliki empat elektron valensi sehingga terdapat gaya ikatan antara atom yang berdekatan, ikatan ini disebut ikatan kovalen yang digunakan untuk mengikat elektron yang berada disekitar inti. Perubahan energi photovoltaic bergantung pada kuantum alami cahaya yang membawa, energi diberikan pada persamaan dibawah ini : = Dimana : h = konstanta Plank (6,6x10-34 J/s) c = kecepatan cahaya (3x108 m/s) = panjang gelombang cahaya (m)

(2.20)

Gambar 2.9 Prinsip kerja sel photovoltaic

Energi dari cahaya matahari disebut juga sebagai foton. Gambar 2.9 terlihat ketika foton diserap oleh material semikonduktor maka energi foton akan membentur elektron di dalam semikonduktor sehingga beberapa elektron ini akan

19

mendapatkan energi yang cukup untuk meninggalkan pita valensi dan berpindah ke pita konduksi. Ketidakadaan elektron pada pita valensi akibat perpindahan elektron ke pita konduksi tersebut akan menghasilkan ikatan kovalen yang tidak lengkap yang sering disebut hole atau lubang seperti pada Gambar 2.10.

Gambar 2.10 Proses pelepasan elektron pada silikon

Ikatan kovalen yang tidak lengkap yang berisi hole atau lubang akan membuat elektron valensi suatu atom relatif lebih mudah untuk meninggalkan ikatan kovalennya dan mengisi hole ini. Suatu elektron valensi yang meninggalkan ikatan kovalennya untuk mengisi hole akan membentuk hole pada ikatan kovalen yang ditinggalkan dan ikatan ini akan diisi oleh elektron dari atom lain yang berpindah untuk mengisi hole yang kosong dan membentuk hole lain sehingga pembentukan hole pada suatu atom akan berpindah berlawanan dengan gerak elektron. Pergerakan hole dari suatu titik merupakan proses pemindahan muatan negatif dalam arah yang berlawanan. Hole pada suatu atom merupakan muatan positif yang besarnya sama dengan elektron sehingga arus dapat dihasilkan melalui dua hal yaitu pergerakan elektron bebas pada pita konduksi dan pergerakan elektron akibat pembentukan hole pada pita valensi. Pergerakan elektron dari kedua pita energi akan mengakibatkan timbulnya arus pada terminal sel surya yang terhubung dengan beban.

20

Besarnya pasangan elektron dan hole yang dihasilkan, dan besarnya arus yang dihasilkan tergantung pada intensitas cahaya maupun panjang gelombang cahaya yang jatuh pada sel surya. Intensitas cahaya menentukan jumlah foton, semakin besar intensitas cahaya yang mengenai permukaan photovoltaic makin besar pula energi foton yang diterima elektron pada pita valensi sehingga semakin banyak pasangan elektron dan hole yang dihasilkan yang akan mengakibatkan semakin besarnya arus yang dihasilkan. Teknologi sel surya pada dasarnya dibagi menjadi 2 macam yaitu teknologi plat datar dan teknologi konsentator. Teknologi yang sering digunakan secara komersial adalah teknologi plat datar karena lebih ekonomis daripada teknologi konsentator. Teknologi sel surya tipe plat datar dibagi menjadi 2 macam yaitu : a. Crystalline Teknologi sel surya tipe ini mempunyai kelebihan yaitu tingkat efisiensi yang relatif tinggi akan tetapi mempunyai kelemahan yaitu bentuk fisik yang sangat kaku sehingga membutuhkan lebih banyak tenaga kerja pada saat pemasangan panel surya. Tipe crystalline dibagi lagi menjadi 2 macam, yaitu[14] : 1. Mono crystalline (Mono Si) Sel surya tipe ini dibuat dari silikon kristal tunggal yang didapat dari peleburan silikon dalam bentuk bujur kemudian dipotong tipis tipis menjadi wafer mono-crystalline.Efisiensi yang dapat dihasilkan oleh mono crystalline cukup tinggi yaitu sekitar 24%. 2. Poly- crystalline / Multi crystalline (Si) Dibuat dari peleburan silikon dalam tungku keramik, kemudian didinginkan perlahan untuk mendapatkan bahan campuran silikon yang akan timbul di atas lapisan silikon sehingga akan langsung menghasilkan wafer poly crystalline sehingga membuat harga pembuatan poly crystalline lebih murah dibandingkan dengan tipe mono crystalline. Kekurangan dari teknologi ini adalah tingkat efisiensi yang lebih kecil daripada mono crystalline yaitu sebesar

21

18% karena selama pemadatan menghasilkan cacat pada wafer poly crystalline. b. Thin film Teknologi tipe thin- silicon mempunyai silikon yang tersimpan dalam film yang sangat tipis sehingga mudah dalam pemasangannya tetapi kekurangan dari teknologi ini adalah efisiensi dari konversi energi matahari menjadi energi listrik yang masih rendah dan harganya relatif lebih mahal daripada tipe crystalline. Contoh dari teknologi thin film adalah teknologi Amorphous Silicon (a-Si), Cadmiun Telluride (CdTe), dan Copper Indium Diselenide (CIS) . Karakteristik V-I[11][12] Karakteristik keluaran dari sistem photovoltaic dapat dilihat dari kurva performansi yang disebut dengan kurva V-I. Kurva V-I menunjukkan hubungan antara tegangan dan arus (Ouaschning, 2005).

2.4.2

Gambar 2.11 Kurva karakteristik V-I[13]

Gambar 2.11 menunjukkan karakteristik kurva V-I dimana tegangan (V) sebagai sumbu horizontal dan arus (I) sebagai sumbu vertikal. Kurva V-I diberikan dalam kondisi standar (STC) dimana intensitas radiasi matahari sebesar 1.000 Watt/m2 dengan suhu sebesar 25o C. Jika pada terminal sel dihubungkan dengan menggunakan resistansi R, maka titik operasi ditentukan menggunakan titik potong kurva karakteristik V-I photovoltaic dengan kurva karakteristik beban seperti yang terlihat pada gambar 2.11. Apabila suatu tahanan R ditempatkan langsung pada terminal photovoltaic,

22

arus yang dihasilkan dapat diperoleh pada perpotongan garis beban yang didefinisikan sebagai V = I.R. Kondisi hubung singkat (short circuit) pada sel surya terjadi apabila nilai tahanan R= 0 sehingga titik operasi sel surya berada pada titik M pada kurva hubungan V - I dimana tegangan (V) keluaran sama dengan nol. Sel surya mengalami hubungan terbuka (open circuit) apabila R= sehingga titik operasi sel surya berada pada titik S dimana arus (I) keluaran sama dengan nol. Saat beban R bernilai 0 dan akan menghasilkan daya keluaran sebesar nol juga. Daya maksimum pada sel surya dapat dihasilkan bila sel surya selalu beroperasi sangat dekat dengan kurva daya maksimum yaitu pada titik puncaknya. Faktor Pengoperasian Photovoltaic[12][14] Besar daya keluaran yang dapat dihasilkan oleh panel surya bergantung pada beberapa faktor sebagai berikut : a. Intensitas radiasi matahari. Intensitas radiasi matahari merupakan banyaknya energi yang diterima bumi per satuan luas per satuan waktu (kWh/m2) yang besarnya berubah ubah tergantung pada beberapa faktor seperti kedudukan matahari, revolusi bumi, partikel partikel yang ada didalam atmosfer bumi, dan letak geografis suatu daerah.

2.5

Gambar 2. 12 Grafik karakteristik V-I panel surya dengan variasi radiasi matahari

23

Berdasarkan Gambar 2.12 dapat dilihat hubungan antara besarnya radiasi matahari yang dapat diterima oleh panel surya terhadap arus dan tegangan keluaran panel surya adalah berbanding lurus artinya semakin besar radiasi matahari yang diterima oleh panel surya maka semakin besar pula arus dan tegangan yang dihasilkan panel surya, begitu pula sebaliknya semakin kecil radiasi matahari yang dapat diterima oleh panel surya maka semakin kecil juga arus dan tegangan yang dihasilkan oleh panel surya. Hal ini disebabkan semakin besar intensitas radiasi yang diterima maka semakin besar energi foton yang diterima oleh panel surya sehingga perpindahan elektron yang terjadi di dalam sel surya pun semakin besar. Banyaknya foton yang diserap oleh sel surya akan menyebabkan elektron di dalam pita valensi akan memperoleh energi yang cukup besar juga untuk berpindah dari celah energi (energy bandgap) menuju pita konduksi sehingga proses pembentukan elektron dan hole di dalam sel surya pun akan semakin banyak sehingga menyebabkan arus keluaran dari panel surya menjadi semakin besar.[1] b. Ambient temperatur udara. Hubungan antara temperatur lingkungan pemasangan panel surya akan dengan besarnya temperatur sel surya adalah berbanding lurus, artinya semakin besar temperatur lingkungan maka temperatur sel surya semakin besar. Temperatur sel surya dan lingkungan pemasangan panel surya mempengaruhi besar tegangan keluaran yang dihasilkan oleh panel surya. Hubungan antara temperatur terhadap tegangan keluaran panel surya adalah berbanding terbalik, artinya semakin tinggi temperatur lingkungan pemasangan panel surya dan temperatur sel surya maka tegangan keluaran yang dihasilkan oleh panel surya akan semakin turun, begitu pula sebaliknya semakin rendah temperatur lingkungan pemasangan panel surya dan temperatur sel surya maka tegangan keluaran yang dihasilkan akan semakin tinggi. Besar tegangan keluaran panel surya yang dihasilkan oleh panel surya dengan variasi temperatur sesuai dengan batas temperatur kerja masing masing jenis panel surya. Hal ini dapat terlihat pada Gambar 2.13 berikut.

24

Gambar 2.13 Grafik karakteristik V-I panel surya berdasarkan perubahan temperatur

Berdasarkan Gambar 2.13 terlihat bahwa sebuah panel surya dapat beroperasi secara maksimum saat bekerja pada kondisi standarnya (STC) yaitu pada temperatur 25o Celsius dengan intensitas radiasi yang diterima sebesar 1.000 Watt/m2. Kenaikan temperatur lebih dari 25o Celsius pada panel surya dapat menurunkan tegangan keluaran dari panel surya sehingga dapat menurunkan daya yang dihasilkan oleh panel surya tersebut. Pengaruh temperatur lingkungan terhadap tegangan keluaran panel surya tersebut dapat terjadi karena beberapa faktor yang menyebabkan hal tersebut terjadi. Salah satunya adalah akibat pergerakan hole yang akan menurun secara signifikan ketika temperatur permukaan panel surya meningkat. Peningkatan temperatur juga menyebabkan pita pada celah energi (energy bandgap) pada material konduktor semakin besar sehingga elektron dalam pita valensi semikonduktor membutuhkan energi foton yang lebih besar untuk melalui celah energi didalam material semikonduktor tersebut dan berpindah ke pita konduksi.[1] c. Kecepatan angin yang bertiup di sekitar lokasi pemasangan panel surya. Semakin kencang angin yang bertiup maka semakin cepat membantu proses pendinginan pada permukaan temperatur panel surya sehingga

menyebabkan temperatur permukaan panel surya semakin rendah. Jika temperatur permukaan panel surya semakin rendah maka tegangan yang dihasilkan oleh panel surya juga akan semakin besar, begitu pula sebaliknya jika angin yang

25

bertiup di sekitar panel surya rendah maka tegangan keluaran panel surya akan semakin rendah karena temperatur sel surya menjadi tinggi. d. Keadaan atmosfir bumi. Keadaan atmosfir bumi yang mempengaruhi daya keluaran panel surya adalah keadaan cuaca, cerah, berawan, jenis partikel debu udara, asap, uap air udara (Rh), kabut daan polusi udara juga menentukan hasil maksimal untuk arus listrik yang dihasilkan oleh panel surya. e. Orientasi panel surya ke arah matahari secara optimal. Panel surya yang terdapat pada bagian utara belahan bumi sebaiknya panel surya diorientasikan 0o menghadap ke arah selatan menghadap garis khatulistiwa untuk menerima radiasi matahari yang paling tinggi. Sebaliknya panel surya dipasang pada belahan bumi bagian selatan maka panel surya sebaiknya diorientasikan sebesar 180o menghadap ke arah utara menghadap ke garis khatulistiwa agar panel surya dapat mendapatkan radiasi matahari yang paling tinggi. f. Sudut datang matahari (tilt angle) Radiasi matahari yang diterima oleh panel surya dapat maksimal jika besarnya sudut datang matahari terhadap panel surya sebesar 90o. Sehingga pemasangan panel surya harus dipasang dengan sudut kemiringan sedemikian rupa agar sudut datang matahari yang diterima oleh panel surya dapat maksimal.

Gambar 2. 14 Sudut orientasi matahari terhadap panel surya