Difuso

O que ?
Por que ocorre?
Como ocorre?
Alta
concentrao
de B
Alta
concentrao
de A
Para uma soluo slida AB contendo regies com diferentes
concentraes relativas, qual ser o sentido de difuso das
espcies A e B?
CONDIES PARA OCORRER UMA TRANSFORMAO
Fora Motriz para a transformao (G/mol < 0) Termodinmica
Taxa frao de tomos no estado ativado f exp(-G/kT)
Condies Cinticas
(ultrapassagem de uma barreira energtica)
usualmente ativao trmica
Teoria de taxa de reaes
Mistura mecnica de 2 fases:
G
mix
/mol = x
1
G
1
/mol + x
2
G
2
/mol
Reao:
G
mix
/mol = x
1
G
1
/mol + x
2
G
2
/mol + G
mix
G
mix
/mol = H
mix
- T S
mix
= U
mix
+ PV
mix
- T S
mix
Soluo ideal:
H
mix
= 0 ; G
mix
/mol = - T S
mix
= RT (x
1
lnx
1
+ x
2
lnx
2
)
Reao: G
mix
/mol = x
1
G
1
/mol + x
2
G
2
/mol + G
mix
G
mix
/mol = H
mix
- T S
mix
= U
mix
+ PV
mix
- T s
mix
Soluo ideal: H
mix
= 0 G
mix
/mol = - T S
mix
= RT (x
1
lnx
1
+ x
2
lnx
2
)
G
mix
/mol = x
1

1
+ x
2

i
=G
i
/mol + RT lnx
i
(energia livre molar parcial)
Soluo regular:
H
mix
0 G
mix
/mol = H
mix
- T S
mix
G
mix
/mol = x
1

1
+ x
2

2
Soluo regular:
H
mix
0 G
mix
/mol = H
mix
- T S
mix
G
mix
/mol = x
1

1
+ x
2

2
N
a
: n Avogadro; z: n ligaes/tomo
Down-hill Diffusion
Up-hill Diffusion
Fluxo lquido de cada espcie
no sentido de diminuio de
seu potencial qumico
Difuso
O que ?
Por que ocorre?
Como ocorre?
Transporte de material por fluxo
lquido de tomos para regies
de menor potencial qumico.
Homogeneizao do
potencial qumico
CASOS PARTICULARES
(mas usuais)
Homogeneizao da
concentrao
(equaes usuais)
Principais Mecanismos de Difuso
1. Por vacncias (autodifuso, tomos substitucionais)
Probabilidade de salto para stio vacante Energia Vibracional: E
vib
/tomo = 3kT
Concentrao de Vacncias
2. Intersticial (solutos de menor raio)
Baixa concentrao de stios
intersticiais ocupados
Alta probabilidade de stios
vizinhos desocupados
Probabilidade de salto depende fundamentalmente de
energia trmica para vencer barreira de energia
2. Intersticial (solutos de menor raio)
Baixa concentrao de stios
intersticiais ocupados
Alta probabilidade de stios
vizinhos desocupados
Probabilidade de salto depende apenas de energia trmica
para vencer barreira de energia
Difuso Intersticial
1. Caso de gradiente de concentrao constante; fluxo estacionrio (1 Lei de Fick):
saltos aleatrios por
segundo, entre stios
octadricos vizinhos em
uma estrutura cbica
N tomos/m
2
no plano em x: n = N/A = (C**A)/A
Coeficiente de Difuso:
- expresso vlida para difuso isotrpica por
saltos aleatrios (intersticial ou no);
- usualmente varia com a composio
(concentrao do soluto stios disponveis);
- depende da temperatura.
Efeito da Temperatura Sobre o Coeficiente de Difuso
z: n de possveis stios
para salto
: frequncia de vibrao
(tentativas/seg)
G
m
= H
m
- TS
m
= U
m
+ PV
m
- TS
m
2. Fluxo no estacionrio; concentrao dependente da posio e do tempo
(2 Lei de Fick):
Se D
B
no varia com a concentrao!
Difuso Por Vacncias
Probabilidade de salto para stio vacante Energia Vibracional: E
vib
/tomo = 3kT
Concentrao de Vacncias
1. Auto-difuso (estudos com traadores
radioativos, situao de isotropia):
2. Difuso de vacncias
X
f<1
Frao molar de
vacncias no estado de
equilbrio
Probabilidade de stio
vizinho vacante

Auto-difuso / Por vacncias Intersticial
Alta probabilidade de
stio vizinho disponvel

Analogia com difuso
intersticial
3. Difuso em ligas diludas Coeficiente de difuso de impurezas
Ateno a possvel atrao de vacncias!
Dopagem de semicondutores
Concentrao superficial do dopante
mantida constante:
Condies iniciais e de contorno:
N(0) = N
o
Em t=0, N(x)=0 para x>0
Nmero definido (Q) de tomos de
dopante/rea depositado na superfcie
Condies iniciais e de contorno:
2 Lei de Fick
Possveis Solues
Funo Erro
Complementar
Distribuio
Gaussiana
Escolha dos dopantes:
Tipo n: Sb, As, P
Tipo p: Ga, Al, B
N
Si
5 x 10
22
at/cm
3
Construo de um transistor
em um circuito integrado
monoltico
Determinar as expresses para os perfis de
concentraes de dopantes da figura e os
tempos de difuso necessrios, se a mesma
for realizada a 1100C.
Construo de um transistor
em um circuito integrado
monoltico
Deslocamento de ons
Mobilidade de ons
Habilitao de
Mecanismo de Difuso
(ativao trmica)
Fluxo Lquido
Gradiente de
Concentrao
T
E
o
a
e D D

=
ion
N D C D = =
1/kT
D
D
o
Possveis mecanismos de
difuso
Contribuio Inica Para a Condutividade
ion ion ion ion
q N =
kT
q
D
ion
ion
ion
=

Relao entre mobilidade e

coeficiente de difuso
(Relao de Einstein)
T
E
o
ion ion
ion
ion ion
ion
a
e D
T
q N
D
T
q N

= =
2 2
T
E
o
ion
ion
a
e D
T
q

=
Relao de Einstein

der
; j
der

n
i

x

dif
; j
dif

x
D
dif
der dif
e n
cte x
D
n
q n q
dx
dn
D
q n q
j j

=
= +
= +
= +

. ln
0
0
0
kT
x q
e n

kT
q
D
=

Condio de circuito aberto:

Energia (trabalho) necessria
para deslocar q contra uma
fora q.
Contribuio Inica Para a Condutividade
ion ion ion ion
q N =
kT
q
D
ion
ion
ion
=

Relao entre mobilidade e

coeficiente de difuso
(Relao de Einstein)
T
E
o
ion ion
ion
ion ion
ion
a
e D
T
q N
D
T
q N

= =
2 2
T
E
o
ion
ion
a
e D
T
q

=
T
E
o
ion ion
ion
ion ion
ion
a
e D
T
q N
D
T
q N

= =
2 2
Conduo Inica em ZrO2
Conduo Inica em
-Aluminas
4. Difuso em ligas substitucionais:
Cada espcie ter o seu
prprio coeficiente de difuso

Fluxo de vacncias movimento da rede