Electrnica Analgica

DIODOS
Todos los materiales de la naturaleza pueden clasificarse de
acuerdo a su comportamiento ante la corriente elctrica:
Conductores: Permiten el paso de la corriente elctrica con
facilidad.
Aislantes: Impiden el paso de la corriente elctrica.
Semiconductores
Pueden comportarse como conductores o aislantes de acuerdo a
estmulos externos que se le aplique (corrientes, voltajes, calor,
luz, etc.)
El silicio y el germanio son un ejemplo de ellos.
Son solidos, por ello es muy poco probable que vibren.
Consumen poca energa e irradian poco calor. No requieren
tiempo de calentamiento. Empiezan a funcionar en cuanto se
les suministra energa
Se utiliza generalmente el silicio por ser menos sensible al
calor

Todos los materiales se diferencian por su estructura atmica.
tomo: protones, neutrones y electrones.
Slo nos interesa los electrones que se encuentran en la capa
ms externa del tomo (electrones de valencia) ya que
determinan la conductividad del material.
Los conductores tienen muy pocos electrones en la banda de
valencia, siendo los mejores los que tienen solo uno, y son
atrados muy dbilmente por el ncleo.
Si se aplica una fuerza externa se escapan fcilmente
convirtindose en electrones libres que viajan a travs del
material y participan en la creacin de corrientes elctricas
Los aislantes tienen muchos electrones de valencia y son
fuertemente atrados al ncleo por esto es muy difcil
convertirlos en electrones libres y obligarlos a crear
corriente elctrica.

Los semiconductores (silicio, germanio) tienen cuatro
electrones de valencia.
Forman enlace covalentes con los electrones de valencia de
los tomos vecinos (comparten sus electrones) formando una
red cristalina donde hay una comparticin de electrones
entre tomos vecinos. Buscan su equilibrio completando 8
electrones en la banda de valencia.
Cuando un electrn sale de la banda de valencia (electrn
libre) deja un espacio vaco llamado hueco, el cual es
llenado por un electrn libre o por un electrn de un tomo
vecino.
Cuando hay circulacin de corriente en un semiconductor
hay un movimiento permanente de electrones y huecos en
diversas direcciones.

Los semiconductores puros no son empleados en electrnica
debido a que poseen muy pocos electrones libres y necesitan
de mucha energa para transportar energa, dichos cristales se
denominan semiconductores intrnsecos.
Los materiales utilizados en la electrnica estn dopados, es
decir, contienen unas cantidades muy pequeas de impurezas
llamadas dopantes que son las que determinan sus
caractersticas elctricas, estos son los semiconductores
extrnsecos.
Dopar un semiconductor es inyectarle tomos de otros
elementos, se pretende que cuando se formen los enlaces
entre los electrones de valencia queden electrones sin enlazar
o falta de electrones para completar los enlaces.
Se dopan con tomos de elementos que tengan cinco
electrones (pentavalentes) o tres electrones de valencia
(trivalente).
Semiconductores Tipo N
Dopados con impurezas pentavalentes
Solo cuatro electrones del tomo dopante forma enlace con
los tomos del electrn puro
Resulta un electrn libre que tiene la libertad de moverse a
travs del cristal.
Principales materiales usados: antimonio, arsnico, fosforo.

Tiene mas electrones libres que huecos
En un semiconductor tipo N los portadores
mayoritarios son los electrones y los minoritarios
los huecos.

Semiconductor Tipo P
Dopados con tomos trivalentes.
Los tres electrones del tomo dopante forman enlaces con los
tomos del cristal puro, completando solo siete electrones de
valencia.
El electrn faltante produce un hueco capaz de atraer un
electrn libre (se comporta con carga positiva), los
elementos usados como impurezas son el aluminio, boro,
indio y galio.

Tiene mas huecos que electrones libres.
En un semiconductor tipo P los portadores mayoritarios son
los huecos y los minoritarios los electrones.
*Los materiales tipo P y N por si solos no son de mucha
utilidad, deben unirse formando distintas capas con los
cuales se fabrican los componentes semiconductores.
Diodo
Un diodo es la unin de un material tipo P con un material
tipo N (juntura PN). El material tipo P recibe el nombre de
nodo (A) y el material N de ctodo (K).

Hay inicialmente un exceso de electrones libres del lado N y
un exceso de huecos del lado P.
Al unir las dos capas algunos electrones son atrados por los
huecos y viceversa.
Hasta que llega un momento que se forma una barrera
elctrica en la unin que impide el paso de un gran nmero
de portadores mayoritarios de un lado al otro (zona de
agotamiento).
En el limite de la unin, el material N queda cargado
positivamente y el material P negativamente creando una
diferencia de potencial aproximado de 0.6 V (diodo de
silicio) y de 0.3V (diodo de germanio).
Las caractersticas de la zona de agotamiento pueden
controlarse aplicando un voltaje externo.
Cuando se le aplica un Vcc (polarizacin) hay dos
posibilidades: el voltaje positivo se aplique al nodo
(polarizacin directa) o al ctodo (polarizacin inversa).

Polarizacin directa
Polarizacin inversa
Polarizacin Inversa
El efecto barrera se intensifica ya que el terminal positivo de
la fuente atrae los electrones del material tipo N y el polo
negativo de la fuente atrae los huecos del material tipo P,
haciendo mas ancha la zona de agotamiento
Polarizacin Directa
La barrera se disminuye ya que el polo positivo repele los
huecos del material tipo P y su polo negativo repele los
electrones del material tipo N, haciendo que atraviesen la
unin.
Diodo Ideal
Se comporta como un interruptor.
No deja pasar corriente cuando est polarizado inversamente
Deja pasar cuando estn polarizados directamente.

La conduccin de polarizacin directa no empieza sino hasta que
se supere la barrera de potencial, por esto hay una pequea cada
de potencial en el diodo cuando esta polarizado directamente.
La corriente del diodo cuando esta polarizado inverso no es cero,
hay una pequea corriente de fuga.
Un diodo polarizado inversamente conduce cuando el voltaje
aplicado alcanza un cierto valor (voltaje de ruptura inversor)

Hojas de Especificaciones de Diodos
Voltaje directo V
F
: valor de la caida de voltaje en el diodo polarizado
directamente, como resultado de la corriente que circula a travs de l.
Corriente directa mxima I
F
: valor mximo de la corriente de la
corriente promedio que puede conducir en polarizacin directa sin destruirse
por sobrecalentamiento.
Corriente de saturacin inversa I
R
: corriente que circula a travs del
diodo polarizado inversamente.
Nivel de voltaje inverso V
BR
: Nivel de voltaje que aplicando a un diodo
polarizado inversamente puede hacerlo conducir llegando a destruirlo.
Tiempo de recuperacin inverso TRR: el tiempo que tarda la unin PN
en desalojar la carga elctrica que acumula cuando se polariza inversamente
Nivel de disipacin para la mxima potencia
Niveles de capacitancia
Rango de temperatura de operacin
Pruebas de Diodos
Resistencia
relativamente baja
Resistencia
relativamente alta
Qu corriente recorre el circuito?
0.25V