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LECCIN 1: Electrnica de Potencia

Tema 1 Electrnica de Potencia


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DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES DE
POTENCIA
CIRCUITOS DE DISPARO DE SCR
TRANSISTOR DE UNIJUNTURA. EL UJT
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TRANSISTOR DE UNIJUNTURA. EL UJT
El UJT presenta 3
terminales: Un emisor
(E), una base uno (B1) y
una base dos (B2).
Entre B1 y B2 la
unijuntura tiene las
caractersticas de una
resistencia ordinaria.
Esta resistencia de
interbase (RBB) y a
25C presenta valores
dentro del rango de
4.7K a 9.1K.
Figura 2.6.3 Grfica de las caractersticas de
entrado de emisor de UJT
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TRANSISTOR DE UNIJUNTURA. EL UJT
Las condiciones normales de operacin tpicas para un UJT se
indican en la figura 2.6.3. Si el voltaje del emisor V
E
, es menor que
voltaje puntual de pico Vp, el emisor presentar un comportamiento
tal, de manera que, slo una corriente de fuga reversible IEO, fluir en
su contorno. Cuando V
E
sea igual a Vp, y la corriente del emisor IE
sea ms grande que la corriente de pico por punto Ip, el UJT se
encender. En la condicin de encendido, la resistencia entre el
emisor y la base uno ser muy pequea y la corriente del emisor se
ver limitada por la resistencia en serie del emisor al circuito externo
conectado a la base 1.
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TRANSISTOR DE UNIJUNTURA. EL UJT
El voltaje puntual de pico del UJT
vara en proporcin al voltaje de
interbase VBB, de acuerdo a la
siguiente ecuacin:
V
P
= V
BB
+ V
D
parmetro se llama la constante
de razn intrnseca. El valor de
se encuentra entre los valores
de 0.51 y 0.82, y el voltaje VD,
el voltaje del diodo emisor
equivalente, est en el orden de
0.5 volt a 25C, dependiendo
del modelo del UJT a utilizarse.
Como se ha encontrado que Vp
decrece con la temperatura, el
coeficiente de temperatura para
el 2N2646-47 es de alrededor
de 3mV/C. La variacin del
voltaje puntual de pico con la
temperatura puede ser adscrita
con la variacin en VD. Es
posible compensar este cambio
de temperatura, haciendo
positivo el coeficiente de
temperatura de RBB.
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TRANSISTOR DE UNIJUNTURA. EL UJT
Si una resistencia RB2 es
empleada en serie con la base
2 mostrada en la figura 2.6.4,
la variacin de temperatura de
RBB provocar que VBB se
incremente proporcionalmente
con la temperatura. Si RB2 es
escogida correctamente, este
incremento en VBB
compensar el decremento en
Vp dado en la ecuacin
anterior. Sobre un rango de
temperatura de 40C a 100C,
la ecuacin (a) siguiente da un
valor aproximado de RB2 para
la mayora de modelos UJT.
La ecuacin (b) se da solamente
para los de la serie 2N489 MIL,
2N1671 y B y para los del tipo
2N2160.
(a) .. R
B2
= 10000/ V
1
(b) R
B2
= 0.40 R
BB
/ V
1
+ (1 - ) R
B1
/
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TRANSISTOR DE UNIJUNTURA. EL UJT
El circuito de disparo bsico para el UJT
empleado en aplicaciones con SCR es el
oscilador de relajacin simple mostrado en
la figura 2.6.4. En este circuito, el
capacitor C, se carga a travs de R1 hasta
que el voltaje de emisor alcanza el Vp,
durante el cual el UJT se enciende y
descarga a C, a travs de RB1. Cuando el
voltaje del emisor alcanza un valor de 2
volts, el emisor se aproxima al nivel de
conduccin, en el cual el UJT se apaga y
el ciclo se repite. El perodo de oscilacin
T, es independiente de la fuente de voltaje
y la temperatura, dado como:
T = 1/F = R 1 C 1 L n 1/1-n = 2.3 R1 C1
log1/1-
Para un valor aproximado nominal de:
=0.63, T =R1 C1.
Figura 2.6.4 Circuito Bsico de
Disparo para UJT
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TRANSISTOR DE UNIJUNTURA. EL UJT
Las condiciones de diseo de los circuitos de disparo del UJT son muy
amplios. En general, RB1 esta limitado a un valor por debajo de 100
ohms aunque valores arriba de 2 o 3 son posibles en algunas
aplicaciones. El resistor R1 esta limitado a un valor entre 3K y 3Meg. El
limite ms bajo en R1 se encuentra predeterminado por los
requerimientos que la lnea de carga forma con la interseccin de R1 y
V1 en la curva caracterstica del emisor a la izquierda del punto valle,
donde el UJT no tender a apagarse. El lmite ms alto en R1se
encuentra predeterminado por los requerimientos debidos a la corriente
que fluye hacia el emisor donde el punto de pico es ms grande que el I1
para que el UJT se encienda. El rango recomendado para la fuente de
alimentacin V1 va de 10volts a 35 volts.
Si la salida del pulso VB1 del circuito est acoplada directamente, o a travs
de resistencias en serie, a las compuertas de los SCRs, el valor de RB1
deber ser lo suficientemente bajo para prevenir que el voltaje de DC en
la compuerta debido a la corriente de interbase que rebasa el lmite
mximo del nivel de voltaje, no dispare a los SCR's.
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TRANSISTOR DE UNIJUNTURA. EL UJT
Las condiciones de diseo de los
circuitos de disparo del UJT son
muy amplios. En general, RB1 esta
limitado a un valor por debajo de
100 ohms aunque valores arriba de
2 o 3 son posibles en algunas
aplicaciones. El resistor R1 esta
limitado a un valor entre 3K y
3Meg. El limite ms bajo en R1 se
encuentra predeterminado por los
requerimientos que la lnea de
carga forma con la interseccin de
R1 y V1 en la curva caracterstica
del emisor a la izquierda del punto
valle, donde el UJT no tender a
apagarse.
El lmite ms alto en R1 se encuentra
predeterminado por los
requerimientos debidos a la
corriente que fluye hacia el emisor
donde el punto de pico es ms
grande que el I1 para que el UJT
se encienda. El rango
recomendado para la fuente de
alimentacin V1 va de 10volts a 35
volts.
Si la salida del pulso VB1 del circuito
est acoplada directamente, o a
travs de resistencias en serie, a
las compuertas de los SCRs, el
valor de RB1 deber ser lo
suficientemente bajo para prevenir
que el voltaje de DC en la
compuerta debido a la corriente de
interbase que rebasa el lmite
mximo del nivel de voltaje, no
dispare a los SCR's.
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TRANSISTOR DE UNIJUNTURA. EL UJT
Figura 2.6.1 Circuito Oscilador de
Relajacin Bsico
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EL TRANSISTOR DE UNIJUNTURA
PROGRAMABLE PUT.
El dispositivo de disparo PUT es un pequeo
tiristor con una compuerta de nodo
mostrado en la figura 2.6.5. Si el potencial
en la compuerta se mantiene constante, el
dispositivo se mantendr en estado de
apagado hasta que el voltaje de nodo
exceda el voltaje de la compuerta debido
a un diodo en direccin al voltaje de cada.
A este voltaje, el punto de pico se lleva a
cabo y el dispositivo termina por
encender. En el oscilador de relajacin
mostrado en una misma figura, el voltaje
de la compuerta del PUT se mantiene por
una fuente de voltaje hecha por el divisor
de tensin de R1 y R2. Este voltaje
determina el voltaje puntual de pico Vp. La
corriente puntual de pico Ip y la corriente
puntual de valle Iv, depende de la
impedancia equivalente en la compuerta.
Figura 2.6.5 Oscilador de Relajacin
con PUT
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DISEO DEL OSCILADOR DE RELAJACIN
PUT Y CIRCUITOS DE TIEMPO
Una aproximacin sistemtica para el diseo de un circuito de oscilacin PUT
aparece precisamente compleja debido a la versatilidad de PUT. A parte de esto,
tambin presenta complicaciones debido a las grandes variaciones es su
desempeo logrando con esto ser programadas en el circuito mediante el divisor
de voltaje formado por R1 y R2. Considere los siguientes puntos clave:
1. El control puntual de pico, IP-IP, solamente es considerado en el caso para un
intervalo largo de tiempo. Ambas constantes RT y CR son muy grandes,
tenindose por lo consiguiente una muy baja resistencia equivalente paralela.
2. La corriente de Valle, IV, es un parmetro clave para el diseo en la operacin del
oscilador de relajacin mediante CD.
La mayora de los circuitos de disparo deducen su propia fuente de voltaje en
trminos del estado de apagado del SCR. Cuando el PUT dispara al SCR, su
fuente de voltaje sufre un colapso el cual provoca que se apague. El voltaje de
Offset, VT, determina el mnimo valor de R1, jugando un papel importante en el
desarrollo de largos intervalos de tiempo.
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DISEO DEL OSCILADOR DE RELAJACIN
PUT Y CIRCUITOS DE TIEMPO
Veamos el siguiente problema de diseo:
Se requiere un oscilador de relajacin que sea
capaz de disparar un SCR del modelo C20
con una fuente de alimentacin de 12
volts. El rango de la frecuencia de
operacin deber ajustarse de 5 a 50
pulsos por minuto.
Solucin.
Observando la figura del oscilador de
relajacin PUT, aparentemente ningn
problema se anticipa con IP debido a que
se manejan altas frecuencias, pero esto no
quiere decir que no haya dificultados en el
diseo. La seleccin de CT es crucial ya
que un valor muy pequeo no dispara al
SCR y se es muy alto, provocar
problemas directos con IV.
Una manera para determinar los valores de VP
y CT para el disparo de SCR, se hace
analizando las curvas caractersticas de
corriente de disparo en la compuerta
contra el ancho de pulso que se tiene en la
compuerta.
Estas curvas representan la carga a ser entregada en
la compuerta y la carga de disparo como funcin
del tiempo. Si la carga entregada requerida, a
cualquier constante de tiempo, el dispositivo se
encender. Como e SCR C20, presenta un pulso
de corriente exponencial de cada con un pico de
80 mA, se tiene una constante de tiempo R-C de 8
Ms. Sin embargo, despus de obtenida esta
magnitud, es importante incorporar un factor de
seguridad razonable para el diseo del circuito
de disparo. A continuacin se elige un valor
arbitrario de R2 = 39 ohms. Por lo que el valor de
CT obteniendo de la ecuacin de RSCT mediante
despeje es: CT = 0.2 MF. Con la corriente puntual
de disparo de 80mA se determina VP:
V
P
= I
P
Rs + 1V
V
P
= (80mA) (39 ) + 1V = 4.1 Volts
Donde 1 V es el voltaje aproximado para el estado de
encendido del PUT.
El valor calculado de es:
= Vp/ES = 4.1/ 12 1/3
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DIODO DE DISPARO BILATERAL DIAC
El diac, cono el modelo ST2, es
esencialmente una estructura de
transistor, mostrada en la figura
2.6.8, el cual exhibe una
caracterstica resistencia
negativa por arriba de la
corriente de switcheo I(BR). La
curva caracterstica del diac
muestra que esta resistencia
negativa, se extiende en la
regin sobre el rango completo
de corrientes por encima de
I(BR), el cual el concepto de la
corriente de estrechamiento IH
no se aplica.
Figura 2.6.8 Smbolo del DIAC
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DIODO DE DISPARO BILATERAL DIAC
El diac es bsicamente una
combinacin inversa en paralelo de
dos terminales de capas
semiconductoras que permite la
activacin o disparo en cualquier
direccin. Las caterticas del
dispositivo presentadas en la figura
demuestran con claridad que hay
un voltaje de conduccin en
cualquiera de las dos direcciones.
Se puede aprovechar al mximo la
condicin de encendido en
cualquiera de las dos direcciones
de aplicacin de ca.
Figura a) Caractersticas, b) Smbolo
c) Construccin del DIAC