UNION P-N

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http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/3.Union_PN_en_equili
brio_y_polarizada/Applet3.html

http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/4.La_ley_de_Shockley/
Applet4.html

http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/Applet3/DiodoConmut
aApplet.html

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Los applets son animaciones interactivas, para que puedas
visualizar estas aplicaciones es necesario tener actualizada java
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Desarrollo

1.- Diodo de unin PN polarizado:
Los semiconductores tienen materiales de tipo P ("faltantes" de electrones, que en la base de
Silicio o Germanio tienen como impureza al Indio) y los del tipo N ("sobrantes" de electrones, que
tienen como impureza al Arsnico). A la zona de contacto de un material P con otro N se la llama
Unin PN, y en ella se da un fenmeno donde algunos de los electrones del material N muy
cercano a la unin pasan a la zona P, "reequilibrando" la unin PN.
Si polarizamos al material as unido (que en este caso, es un Diodo), con el polo negativo en P y el
positivo en N, agrandaremos la brecha central, y no hay pasaje de corriente (diodo polarizado en
inversa).
Si ponemos el positivo en P y el negativo en N, "empujaremos" los electrones sobrantes de N hacia
P y de all, tambin los "atraeremos" hacia el polo + de la batera, por lo que el diodo conducir
(polarizado en directa).


SIMULACIN
Se simula la conmutacin de un diodo, pudiendo cambiar la tensin aplicada en sus bornas de
positiva a negativa y viceversa. Para ello se dispone del esquema de un circuito con dos fuentes de
tensin (una positiva y otra negativa) y un conmutador, un circuito de polarizacin (que incluye una
resistencia) y un diodo de unin. Este esquema se sita en la parte superior derecha del applet y
se puede conmutar entre tensiones haciendo " click" con el ratn en la zona entre las dos fuentes
de tensin. Al iniciar la aplicacin aparecer un mensaje y una flecha que seala la mencionada
zona sensible.









En la parte superior hay parmetros para poder activar y desactivar con el texto "Parmetros
circuito". Al presionarlo aparecer una ventana con tres campos editables donde se pueden
introducir los valores numricos deseados para la tensin directa (VF), la tensin inversa (VR) y la
resistencia de polarizacin (R).Tras introducir los nuevos valores es necesario pulsar el botn
"Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito para que tengan efecto los cambios.
Debajo del circuito aparecen cuatro grficas que varan en el tiempo y donde se representan los
parmetros ms importantes que controlan el comportamiento del diodo. La primera grfica
representa la tensin seleccionada en el circuito; la segunda la corriente que circula por el diodo; la
tercera la carga acumulada en las zonas neutras del diodo (aplicando la aproximacin de diodo
asimtrico) y la ltima grfica es la tensin que cae en bornas del diodo. Estas cuatro grficas se
van actualizando en el tiempo y se irn desplazando hacia la derecha conforme avance el tiempo.
En la parte superior de la derecha del programa aparecen las ecuaciones que rigen el
comportamiento del diodo en el experimento que se simula. Se muestran las ecuaciones literales
para la carga del diodo, la tensin en bornas del diodo y para los perfiles de los minoritarios en el
nodo y al ctodo. Justo debajo de cada una de estas ecuaciones se muestran las mismas pero
sustituyendo cada variable por al valor actual que tiene en la simulacin. Algunos de los
parmetros son constantes en el tiempo (hasta que se modifican por parte del usuario), pero otros
se modifican instantneamente conforme evoluciona el tiempo. Tambin, a la derecha del las
grficas, se muestran los valores instantneos para estas funciones temporales.
Para modificar los parmetros del diodo se debe presionar el botn del panel superior "Parmetros
Diodo". Cuando se hace se despliega una nueva ventana donde se podrn modificar los
parmetros: las concentraciones de impurezas del nodo y el ctodo, los tiempos medios de vida
de los minoritarios, las contantes de difusin de los huecos y electrones, el rea de la unin, la
tensin de disrupcin y la capacidad media equivalente de la unin para inversa. Tras introducir los
nuevos valores es necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito
para que tengan efecto los cambios.
Debajo de las ecuaciones apare una imagen donde se representa, instantneamente, los perfiles
de minoritarios que hay en el nodo y en el ctodo, as como la anchura de la zona espacial de
carga. El valor de los perfiles para x=0 (junto a la zona dipolar) se muestra tambin, as como el
valor de los que penetra la zona dipolar en las zonas N y P del diodo. Debajo, para todo momento,
aparece el estado en que se encuentra el diodo (Directa, Inversa o Disrupcin).
En el panel inferior aparecen ocho botones que permiten configurar la apariencia de la zona de las
funciones temporales y la simulacin temporal del applet. Los cuatro botones de la izquierda
permiten ocultar o mostrar cada una de las grficas de las funciones. As se podr ocultar alguna
de ellas si no se est interesado en ella en algn momento para centrarse en la evolucin y
caractersticas de otras. Los cuatro botones de la derecha permiten variar la velocidad de
simulacin. Con dos de ellos se puede acelerar o frenar la simulacin y con los otras dos se puede
detener y avanzar paso a paso. El botn de siguiente paso slo estar activo cuando la simulacin
est pausada.
Por defecto aparecer un nuevo valor en las funciones cada microsegundo. Este parmetro no
podr ser modificado por el usuario.








2.- La ley de Shockley:
Quin es Shockley? William Bradford Shockley (13 de
febrero de 1910 - 12 de agosto de 1989) fue
un fsico estadounidense. En conjunto con John
Bardeen y Walter Houser Brattain, obtuvo el premio Nobel de
Fsica en 1956 "por sus investigaciones sobre semiconductores y
el descubrimiento del efecto transistor.
En 1955, Shockley abandon los laboratorios Bell y regres a su
ciudad natal, Palo Alto, California, en las proximidades de la Universidad de Stanford, para crear su
propia empresa, Shockley Semiconductors Laboratory, con el apoyo econmico de Arnold
Beckman, de Beckman Instruments. Contando con la influencia de su prestigio y el respaldo
econmico de Beckman Instruments trato de convencer a varios de sus compaeros de trabajo de
Bell que se unieran a l en la nueva empresa; ninguno quiso. Por lo tanto empez a rebuscar en
las universidades a los ms destacados estudiantes para formar con ellos la empresa. Pero, dado
su estilo empresarial, ocho de los investigadores abandonaron la compaa en 1957 para formar la
empresa Fairchild Semiconductor. Entre ellos estaban Robert Noyce y Gordon Moore que ms
tarde crearan Intel.
A finales de los aos 1960, Shockley realiz unas controvertidas declaraciones acerca de las
diferencias intelectuales entre las razas, defendiendo que las pruebas de inteligencia mostraban un
factor gentico en la capacidad intelectual revelando que los afro-estadounidenses eran inferiores
a los estadounidenses caucsicos y que la mayor tasa de reproduccin entre los primeros ejercia
un efecto regresivo en la evolucin.
Entre sus publicaciones destaca "Electrones y huecos en el semiconductor", obra publicada
en 1950.
Su ley fue muy custodiada y polmica.
SIMULACIN
El modelo matemtico ms empleado en el estudio del diodo es el de Shockley (en honor a William
Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las
aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potenciales:



Donde:
I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y V
D
la diferencia de tensin entre
sus extremos.
I
S
es la corriente de saturacin (aproximadamente )
q es la carga del electrn
T es la temperatura absoluta de la unin
k es la constante de Boltzmann
n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que
suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).
El trmino V
D
= kT/q = T/11600 es la tensin debida a la temperatura, del orden de 26 mV
a temperatura ambiente (300 K 27 C).
A MAYOR VOLTAJE DE ENTRADA SE OBSERVA LO SIGUIENTE
Disminuye la regin de agotamiento permitiendo el incremento de la difusin as como la
recombinacin de los electrones y huecos, modificando la curva caracterstica del diodo.











A MENOR VOLTAJE DE ENTRADA SE OBSERVA LO SIGUIENTE
Aumenta la regin de agotamiento ocasionando la disminucin de la difusin y la recombinacin de
los electrones y huecos modificando la curva caracterstica del diodo.









3.- Conmutacin del Diodo:
Cuando nos referamos a los diodos rectificadores, decamos que era importante minimizar la
corriente 15
inversa y la tensin umbral. En muchas aplicaciones, el tiempo de respuesta es muy importante.
Un diodo deunin puede ser usado como interruptor, y el tiempo entre conexin y desconexin
debe ser casi cero. Paraque el diodo tenga estas propiedades debe tener muy pocas cargas fijas o
portadores con un tiempo de vidamuy corto, o ambas caractersticas.
Para este propsito, la tcnica ms utilizada para fabricar diodos de conmutacin es aadir al
semiconductorun metal que sea eficaz para disminuir los potadores. En el caso de los diodos de
silicio, se suele dopar con oro.
Que es la "Velocidad de conmutacin del diodo" y la "resistencia dinamica del diodo"?
Una carga capacitiva se carga a travs de un transistor de la serie. Las corrientes de carga
mximas para la carga se dibujan de una fuente capacitiva que carga se mantenga
constantemente. La descarga rpida de la carga capacitiva est a travs de un diodo del
semiconductor y de una cascada de los transistores que actan como elementos de la
conmutacin. Los diodos a travs de la ensambladura del emisor de base de estos diodos de la
conmutacin proporcionan la proteccin contra dao transitorio as como la reduccin del tiempo
requerido a la conduccin del atajo de los transistores. Una impulsin simple del transistor TTL
(+5v) funciona el interruptor
Cuando en un diodo se le superpone a la continua una pequea seal (o sea una seal alterna),
aparece para dicha seal una resistencia que depende del punto Q de funcionamiento. El valor de
dicha resistencia se la denomina resistencia dinmica del diodo. Y como en el caso de la
resistencia esttica, se la puede calcular de dos formas, una grfica y otra analtica. La resistencia
dinmica posee dos componentes, una el valor de resistencia que presenta la juntura PN (llamado
ru), y otro es el valor de la resistencia hmica del cuerpo del diodo (llamada rb). O sea la
resistencia dinmica es:
rd=ru+rb

Para valores chicos de corriente de polarizacin (o sea la corriente continua), predomina ru
(ru>>rb), y para valores grandes de corriente predomina rb (rb>>ru).
Grficamente la resistencia dinmica representa la pendiente de la recta que pasa por el punto Q


SIMULACIN
Se dispone del esquema de un circuito con dos fuentes de tensin (una positiva y otra negativa) y
un conmutador, un circuito de polarizacin (que incluye una resistencia) y un diodo de unin. Este
esquema se sita en la parte superior derecha .








Se tiene los parmetros del circuito que aparece en una ventana con tres campos editables donde
se pueden introducir los valores numricos deseados para la tensin directa (VF), la tensin
inversa (VR) y la resistencia depolarizacin (R) segn el grfico.











Se muestran las siguientes grficas con sus respectivos parmetros, se nota la existencia de
cuatro grficas.









En la parte superior de la derecha del programa aparecen ecuaciones para la carga del diodo, la
tensin del diodo y perfiles en el nodo y al ctodo.







Para modificar los parmetros del diodo se debe presionar el botn del panel superior "Parmetros
Diodo.



Debajo de las ecuaciones apare una imagen donde se representa, instantneamente, los perfiles
del nodo y ctodo .





En el panel inferior aparecen ocho botones que permiten configurar la apariencia de la zona de las
funciones temporales y la simulacin temporal del applet. Los cuatro botones de la izquierda
permiten ocultar o mostrar cada una de las grficas de las funciones. Los cuatro botones de la
derecha permiten variar la velocidad de simulacin. Con dos de ellos se puede acelerar o frenar la
simulacin y con los otros dos se puede detener y avanzar paso a paso