FAMILIA LGICA CMOS.

La familia CMOS (complementary metal oxide semiconductor), contiene la mayor

parte de los equivalentes chips TTL. Los chips CMOS tienen mucha menor necesidad
de energa (consumen sobre 1 mA) y operan con un gran rango de voltajes de
alimentacin (normalmente de 3 a 15 voltios). La nomenclatura del modelo CMOS
llevan una C en el centro de su numeracin, por ejemplo el 74C04 es el CMOS
equivalente del TTL 7404. La tecnologa CMOS fue desarrollada
por Wanlass y Sah, de Fairchild Semiconductor, a principios de los aos 60. Sin
embargo, su introduccin comercial se debe a RCA, con su famosa familia lgica
CD4000


Los C.I. MOS pueden contener ms funciones por C.I. Que los TTL/LS y son de uso muy
fcil. Consumen muy poca potencia y funcionan en un intervalo de 3 a 15 vcc. Los
CMOS pueden alimentarse con el circuito siguiente:











O puede alimentarse con una fuente de alimentacin construida con un 7805/ 7812/
7815.


Incidentemente, un circuito CMOS puede alimentarse con dos pilas pequeas
conectadas en serie, pero una una fuente de alimentacin de 9 a 12 volts dar mejor
resultado.


Requisitos de operacin.

1. El voltaje de entrada no debe exceder a VDD.

2. Evtese en lo posible las seales de subida y bajada lentas ya que pueden
causar un consumo excesivo de potencia. Son mejores los tiempos de subida
menores de 15 microsegundos.


3. Todas las entradas no usadas deben conectarse a VDD o GND. De lo contrario el
C.I. Se comportar errticamente y habr un consumo excesivo de corriente.

4. Nunca conecte una seal de entrada a un circuito CMOS cuando no est
energizado.


5. Observe las precauciones de manejo.

Precauciones de manejo.

Un C.I. CMOS est constituido de transistores PMOS y NMOS. MOS significa Metal-
xido-Silicon (o semiconductor). P y N se refieren a los transistores MOS de canal
positivo y negativo. Un transistor NMOS tiene el siguiente aspecto:




















Un transistor PMOS es idntico, excepto que las regiones P y N estn intercambiadas.
La capa de dixido de silicio es una pelcula cristalina que separa y asla la compuerta
metlica del sustrato de silicio. Esta pelcula es la causa de que un transistor o un C.I.
MOS no presente prcticamente carga alguna sobre la fuente de seal de entrada, la
pelcula es muy delgada y, en consecuencia, la perforan fcilmente las descargas
electrostticas.









Evitar descargas electrostticas.

1. Nunca almacene los C.I. MOS en plstico no conductivo, ya sea en bandejas,
bolsas o espuma.

2. Cuando los C.I. MOS no estn en un circuito, colquelos sobre una hoja o
bandeja de aluminio con las patas hacia abajo o bien almacnelos en espuma
conductiva.


3. Para soldar los C.I. MOS use un cautn alimentado por bateras. No use un
cautn alimentado por CA.


Se puede utilizar un CMOS en conjunto con un TTL de la siguiente manera:



























Velocidad de conmutacin

Los CMOS, al igual que N-MOS y P-MOS, tiene que conducir capacitancias de carga
relativamente grandes, su velocidad de conmutacin es ms rpida debido a su baja
resistencia de salida en cada estado.
Recordemos que una salida N-MOS tiene que cargar la capacitancia de carga a travs
de una resistencia relativamente grande (100 k). En el circuito CMOS, la resistencia
de salida en el estado ALTO es el valor RON del P-MOSFET, el cual es generalmente de 1
k o menor. Esto permite una carga ms rpida de la capacitancia de carga.
Los valores de velocidad de conmutacin dependen del voltaje de alimentacin que se
emplee, por ejemplo en una a compuerta NAND de la serie 4000 el tiempo de
propagacin es de 50 ns para VDD = 5 V y 25ns para VDD = 10 V. Como podemos ver,
mientras VDD sea mayor podemos operar en frecuencias ms elevadas. Por supuesto,
mientras ms grande sea VDD se producir una mayor disipacin de potencia.
Una compuerta NAND de las series 74HC o 7411CT tiene un tpd promedio alrededor
de 8 ns cuando funciona con un VDD = 5V. Esta velocidad es comparable con la de la
serie 74LS.


Disipacin de potencia.

La potencia disipada, es la media de potencia disipada a nivel alto y bajo. Se traduce en
la potencia media que la puerta va a consumir.
Tal y como comentamos, uno de los principales motivos del empleo de la lgica CMOS
es su muy bajo consumo de potencia. Cuando un circuito lgico CMOS se encuentra
en esttico (sin cambiar) o en reposo, su disipacin de potencia es extremadamente
baja, aumentando conforme aumenta la velocidad de conmutacin.
Esto lo podemos observar examinando cada uno de los circuitos de las Figuras 2(a),
3(a) y 4(a), independientemente del estado de la salida, hay una muy alta resistencia
entre el terminal VDD y masa, debido a que siempre hay un. MOSFET apagado en la
trayectoria de la corriente. Por este motivo, se produce una disipacin de potencia dc
tpica del CMOS de slo 2.5 nW por compuerta cuando VDD = 5
V; an en VDD = 10 aumentara slo 10 nW.
Con estos valores de PD es fcil observar por qu la familia CMOS se usa ampliamente
en aplicaciones donde el consumo de potencia es de inters primordial.