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PRÁCTICA 3: Caracterización de componentes activos. Diodos semiconductores.

1. Objetivos

Mediante el desarrollo de esta práctica se pretenden lograr los siguientes objetivos:

Identificación de los diferentes tipos diodos semiconductores.

Interpretación del código marcado por el fabricante sobre el cuerpo.

Extracción y verificación de las características técnicas de los diodos.

Simulación y realización práctica de circuitos electrónicos basados en diodos.

Para ello, se va a dividir el desarrollo de la práctica en las siguientes fases:

Identificación e interpretación de los diodos semiconductores.

Obtención de las características técnicas.

Montajes de aplicación.

Al finalizar la práctica, el alumno deberá entregar como memoria los resultados obtenidos, para lo que se proporcionan unas tablas o figuras para cada apartado. Deberán incluirse también las simulaciones resueltas, así como un apartado final de conclusiones, donde se comentarán los aspectos que el alumno considere más significativos del desarrollo de la práctica.

2. Conocimientos previos necesarios

Para la realización de esta práctica es conveniente repasar los contenidos teóricos desarrollados en el capítulo correspondiente a Diodos Semiconductores de la asignatura de Dispositivos Electrónicos.

Algunos conocimientos de interés que conviene recordar son:

Estructura y simbología

Curva característica I-V de un diodo (idealizaciones)

o

o

o

o

o

o

Valores límites

Tensión umbral

Tensión Zéner

Intensidad inversa de saturación

Resistencia estática y dinámica

Circuitos equivalentes en cada tramo

Polarización

o

Directa

o

Inversa

Cálculo del punto de trabajo

Comportamiento de un diodo en régimen dinámico (conmutación)

o

o

o

Tiempos de conmutación

Capacidades en la unión

Modelo equivalente

Tipos y aplicaciones de los diodos

PRÁCTICA 3: Caracterización de componentes activos. Diodos semiconductores.

3. Identificación

  • 3.1. Estructura y simbología

Un diodo semiconductor de estado sólido es un componente electrónico fabricado a partir de un material base semiconductor sobre el que se difunde una unión P-N.

El terminal correspondiente a la zona P se denomina ánodo (A) y el correspondiente a la zona N, cátodo (K).

En la figura 1 queda reflejada la constitución de una unión P-N, el símbolo genérico utilizado para representar un diodo, así como la característica I-V del mismo.

De manera teórica, con algunas idealizaciones y aproximaciones, puede obtenerse que:

I = I S ·(e qV/KT -1)

Con:

I y V: intensidad y tensión por el diodo en sentido ánodo-cátodo. I S : intensidad inversa de saturación. KT/q = 0,026·(T/300) Volts.: potencial térmico (T viene dado en K).

P N K Ánodo Cátodo
P
N
K
Ánodo
Cátodo

I

V Ge Si I FM I V RM Vg I S
V
Ge
Si
I
FM
I
V
RM
Vg
I S

V

Figura 1. Estructura y simbología

  • 3.2. Codificación

En la codificación de diodos se distinguen tres códigos fundamentales, que son:

Europeo (PROELECTRÓN)

Americano (JEDEC)

Japonés (JIS)

Habitualmente se utiliza la codificación europea o americana.

PRÁCTICA 3: Caracterización de componentes activos. Diodos semiconductores.

Código europeo (PROELECTRÓN)

Dispone de dos o tres letras seguidas de un número (que también puede tener alguna letra intermedia). La primera letra indica el material utilizado (A Germanio, B Silicio). Las otras letras son relativas a la aplicación. (véase anexo-hojas características).

Código americano (JEDEC)

El código americano empieza con 1N (una unión) seguido de un número sin ninguna significación especial que no sea de identificación en catálogo.

Evidentemente estas distintas codificaciones dan lugar a que diodos con códigos diferentes puedan ser equivalentes (características similares).

3.3. Tablas de identificación

Con ayuda de la plantilla de diodos, de los catálogos y de las hojas características complétese la tabla de resultados (T1).

 

TABLA T1- Identificación de diodos.

 

CÓDIGO

1N4007

OA90

1N4747

1N4148

BZX55C5V1

TIPO

         

(Ge/Si )

FABRICANTE

         

I F

( mA )

         

V RM

( v )

         

P ( mW )

         

Tjmax (ºC)

         

I Z max ( mA )

         

V Z

( v )

         

T (%)

         

Cp ( pF)

         

EQUIVALENTE

         

CÁPSULA

         

APLICACIONES

         

PRÁCTICA 3: Caracterización de componentes activos. Diodos semiconductores.

  • 4. Obtención de características

Una vez realizada la identificación de algunos diodos se procede en este apartado a obtener la característica I-V y los tiempos de conmutación de alguno de ellos.

Para ello es necesario utilizar:

Pspice

Trazador de curvas

Osciloscopio

4.1. Curvas características I-V

En este apartado se pretenden obtener las curvas características de diversos diodos, tanto en simulación (Pspice), como de forma práctica (trazador de curvas).

4.1.1. Simulación

Mediante el Pspice obténgase la curva característica I-V de los siguientes diodos:

1N4002

1N4148

1N750

Para obtener la curva característica I-V en simulación es necesario realizar un “DC sweep” del generador de tensión “V1”.

  • 1. Implementación del montaje

R1

1k V1 0Vdc 0
1k
V1
0Vdc
0

D1

D1N4148

1N4148

R1

1k V1 0Vdc 0
1k
V1
0Vdc
0

D2

D1N750

1N750

  • 2. Configuración parámetros de simulación (DC sweep):

Ajuste de los parámetros de barrido a las características de los diodos

  • ß 1N4002, 1N4148: Barrido entre -2 y +2 volts.

  • ß 1N750: Barrido entre -10 y +2 volts. Incremento: 0.01 volts

PRÁCTICA 3: Caracterización de componentes activos. Diodos semiconductores.

PRÁCTICA 3: Caracterización de componentes activos. Diodos semiconductores. 3. Resultados simulación: Curva característica I-V • Seleccionar
  • 3. Resultados simulación: Curva característica I-V • Seleccionar V D como variable del eje X (plot Æ axis settings).

1.5mA I(D1) 1.0mA 0.5mA 0A -0.5mA -2.0V -1.6V -1.2V -0.8V -0.4V 0V 0.4V 0.8V
1.5mA
I(D1)
1.0mA
0.5mA
0A
-0.5mA
-2.0V
-1.6V
-1.2V
-0.8V
-0.4V
0V
0.4V
0.8V

V1(D1)

Curva I-V

1N4148

10mA 0A -10mA -5.0V -4.0V -3.0V -2.0V -1.0V -0.0V 1.0V I(D1) V1(D1)
10mA
0A
-10mA
-5.0V
-4.0V
-3.0V
-2.0V
-1.0V
-0.0V
1.0V
I(D1)
V1(D1)

Curva 1N4148 I-V

1N750

4.1.2. Trazador de curvas

Utilizando el trazador de curvas, obténgase la curva característica I-V de los siguientes diodos:

1N4007

1N4148

PRÁCTICA 3: Caracterización de componentes activos. Diodos semiconductores.

4.2. Tiempos de conmutación

En este apartado se pretenden obtener los tiempos de conmutación de un diodo, tanto en

simulación (Pspice), como de forma práctica (osciloscopio). La figura 2 muestra el montaje a

realizar.

R=1K Generador de funciones V V E D
R=1K
Generador
de
funciones
V
V
E
D

V E ÷ canal 1 del osciloscopio V D ÷ canal 2 del osciloscopio

Diodo

V E V D
V
E
V
D

t fr

t s t t
t s
t t

t

V

t fr ÷ tiempo recuperación directo

t rr = t s + t t ÷ tiempo recuperación inverso

Figura 2. Tiempos de conmutación

Para visualizar los tiempos de conmutación es necesario seleccionar una señal de entrada con

una frecuencia tal que permita visualizarlos correctamente. La figura 3 muestra la señal de

entrada propuesta. En el caso de una visualización defectuosa de los mismos modifíquese la

frecuencia de dicha señal hasta una correcta visualización.

5v

5v V (t)

V

E (t)

       
5v V (t) -5v t

-5v

         

t

PRÁCTICA 3: Caracterización de componentes activos. Diodos semiconductores. 4.2. Tiempos de conmutación En este apartado se

T=10us

Figura 3. Señal de entrada para visualizar los tiempos de conmutación.