UNION P-N

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documento en MS Word explicando lo que muestra cada applet, dos pginas por cada uno.
Utiliza imgenes en tu explicacin.

http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/3.Union_PN_en_equili
brio_y_polarizada/Applet3.html

http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/4.La_ley_de_Shockley/
Applet4.html

http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/Applet3/DiodoConmut
aApplet.html

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Los applets son animaciones interactivas, para que puedas
visualizar estas aplicaciones es necesario tener actualizada java
en tu computador, descrgalo gratis en www.java.com
DIODO DE UNIN P-N POLARIZADO


PRIMERA SIMULACIN
Se simula la conmutacin de un diodo, pudiendo cambiar la tensin aplicada en sus bornas de
positiva anegativa y viceversa. Para ello se dispone del esquema de un circuito con dos fuentes de
tensin (una positiva y otra negativa) y un conmutador, un circuito de polarizacin (que incluye una
resistencia) y un diodo de unin. Este esquema se sita en la parte superior derecha del applet y
se puede conmutar entre tensiones haciendo " click" con el ratn en la zona entre las dos fuentes
de tensin. Al iniciar la aplicacin aparecer un mensaje y una flecha que seala la mencionada
zona sensible.










En la parte superior hay parmetros para poder activar y desactivar con el texto "Parmetros
circuito". Al presionarlo aparecer una ventana con tres campos editables donde se pueden
introducir los valores numricos deseados para la tensin directa (VF), la tensin inversa (VR) y la
resistencia de polarizacin (R).Tras introducir los nuevos valores es necesario pulsar el botn
"Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito para que tengan efecto los cambios.
Debajo del circuito aparecen cuatro grficas que varan en el tiempo y donde se representan los
parmetros ms importantes que controlan el comportamiento del diodo. La primera grfica
representa la tensin seleccionada en el circuito; la segunda la corriente que circula por el diodo; la
tercera la carga acumulada en las zonas neutras del diodo y la ltima grfica es la tensin que cae
en bornas del diodo. Estas cuatro grficas se van actualizando en el tiempo y se irn desplazando
hacia la derecha conforme avance el tiempo.
En la parte superior de la derecha del programa aparecen las ecuaciones que rigen el
comportamiento del diodo en el experimento que se simula. Se muestran las ecuaciones literales
para la carga del diodo, la tensin en bornas del diodo y para los perfiles de los minoritarios en el
nodo y al ctodo. Justo debajo de cada una de estas ecuaciones se muestran las mismas pero
sustituyendo cada variable por al valor actual que tiene en la simulacin. Algunos de los
parmetros son constantes en el tiempo (hasta que se modifican por parte del usuario), pero otros
se modifican instantneamente conforme evoluciona el tiempo. Tambin, a la derecha del las
grficas, se muestran los valores instantneos para estas funciones temporales.
Para modificar los parmetros del diodo se debe presionar el botn del panel superior "Parmetros
Diodo". Cuando se hace se despliega una nueva ventana donde se podrn modificar los
parmetros: las concentraciones de impurezas del nodo y el ctodo, los tiempos medios de vida
de los minoritarios, las contantes de difusin de los huecos y electrones, el rea de la unin, la
tensin de disrupcin y la capacidad media equivalente de la unin para inversa. Tras introducir los
nuevos valores es necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito
para que tengan efecto los cambios.
Debajo de las ecuaciones apare una imagen donde se representa, instantneamente, los perfiles
de minoritarios que hay en el nodo y en el ctodo, as como la anchura de la zona espacial de
carga. El valor de los perfiles para x=0 (junto a la zona dipolar) se muestra tambin, as como el
valor de los que penetra la zona dipolar en las zonas N y P del diodo. Debajo, para todo momento,
aparece el estado en que se encuentra el diodo (Directa, Inversa o Disrupcin).
En el panel inferior aparecen ocho botones que permiten configurar la apariencia de la zona de las
funciones temporales y la simulacin temporal del applet. Los cuatro botones de la izquierda
permiten ocultar o mostrar cada una de las grficas de las funciones. As se podr ocultar alguna
de ellas si no se est interesado en ella en algn momento para centrarse en la evolucin y
caractersticas de otras. Los cuatro botones de la derecha permiten variar la velocidad de
simulacin. Con dos de ellos se puede acelerar o frenar la simulacin y con los otras dos se puede
detener y avanzar paso a paso. El botn de siguiente paso slo estar activo cuando la simulacin
est pausada.
Por defecto aparecer un nuevo valor en las funciones cada microsegundo. Este parmetro no
podr ser modificado por el usuario.











LA LEY DE SHOCKLEY

SEGUNDA SIMULACIN
El modelo matemtico ms empleado en el estudio del diodo es el de Shockley (en honor a William
Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las
aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potenciales:



Dnde:
- I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y V
D
la diferencia de tensin entre
sus extremos.
- I
S
es la corriente de saturacin (aproximadamente )
- q es la carga del electrn
- T es la temperatura absoluta de la unin
- k es la constante de Boltzmann
- n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que
suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).
- El trmino V
D
= kT/q = T/11600 es la tensin debida a la temperatura, del orden de 26 mV
a temperatura ambiente (300 K 27 C).







A MAYOR VOLTAJE DE ENTRADA SE OBSERVA LO SIGUIENTE
Disminuye la regin de agotamiento permitiendo el incremento dela difusin as como la
recombinacin de los electrones y huecos, modificando la curva caracterstica del diodo .









A MENOR VOLTAJE DE ENTRADA SE OBSERVA LO SIGUIENTE
Aumenta la regin de agotamiento ocasionando la disminucin dela difusin y la recombinacin de
los electrones y huecos modificando la curva caracterstica del diodo.









CONMUTACIN DEL DIODO
TERCERA SIMULACIN
Se dispone del esquema de un circuito con dos fuentes de tensin (una positiva y otra negativa) y
un conmutador, un circuito de polarizacin (que incluye una resistencia) y un diodo de unin. Este
esquema se sita en la parte superior derecha .




Se tiene los parmetros del circuito que aparece en una ventana con tres campos editables donde
se pueden introducir los valores numricos deseados para la tensin directa (VF), la tensin
inversa (VR) y la resistencia depolarizacin (R) segn el grfico.






Se muestran las siguientes grficas con sus respectivos parmetros, se nota la existencia de
cuatro grficas.






En la parte superior de la derecha del programa aparecen ecuaciones para la carga del diodo, la
tensin del diodo y perfiles en el nodo y al ctodo.




Para modificar los parmetros del diodo se debe presionar el botn del panel superior "Parmetros
Diodo .




Debajo de las ecuaciones apare una imagen donde se representa, instantneamente, los perfiles
del nodo y ctodo .



En el panel inferior aparecen ocho botones que permiten configurar la apariencia de la zona de las
funciones temporales y la simulacin temporal del applet .Los cuatro botones de la izquierda
permiten ocultar o mostrar cada una de las grficas de las funciones. Los cuatro botones de la
derecha permiten variar la velocidad de simulacin. Con dos de ellos se puede acelerar o frenar la
simulacin y con los otros dos se puede detener y avanzar paso a paso.