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E ET TU UD DE E D DI ID DA AC CT TI IQ QU UE E D DE ES S S SY YS ST TE EM ME ES S P PH HO OT TO OV VO OL LT TA A Q QU UE E

O OP PT TI IM MI IS SA AT TI IO ON N T TH HE ER RM MI IQ QU UE E E ET T E EL LE EC CT TR RI IQ QU UE E
Cdric Jouen

, Erik Lacombe

, Olivier Bthoux

, Jean-Paul Kleider

Laboratoire de Gnie Electrique de Paris


Ecole Normale Suprieure de Cachan, dpartement E.E.A.
cedric.jaouen@ens-cachan.fr ; erik.lacombe@ens-cachan.fr ;
olivier.bethoux@lgep.supelec.fr ; jean-paul.kleider@lgep.supelec.fr
Rsum : Les travaux de synthse des experts internationaux du G.I.E.C. ont valid la thse dune influence prpond-
rante de lhomme sur lvolution rapide du climat ainsi que la diminution importante de la biodiversit et ceci depuis
lre industrielle (1850 nos jours). Ces constats et lesquisse de scnarios dvitement de crise ont t largement
repris et mdiatiss par lancien vice prsident amricain Al Gore (Co-prix Nobel de la paix 2007 avec le groupe
dexperts du GIEC). Il sensuit un intrt croissant du public pour les moyens de dveloppement les moins agressifs
pour notre environnement. Nos tudiants, comme la plupart des jeunes adultes, sont particulirement motivs pour
participer cette mutation et souhaitent pouvoir contribuer lessor des nergies renouvelables [1].
Dans cet article, nous nous centrons sur la comprhension et loptimisation dune conversion noble (en termes
dentropie) : le passage de lnergie lumineuse lnergie lectrique. Cet article souhaite apporter une proposition
denseignement adapte des tudiants de Gnie Electrique (I.U.T. et Ecoles dIngnieurs). Il sagit daborder les
phnomnes physiques mis en jeu dans les convertisseurs photolectriques. Cette prsentation vise clairer les dve-
loppements futurs. Dans un premier temps, elle sera valide exprimentalement sur deux technologies courantes de
panneaux grce des mesures simples et reproductibles ralises en laboratoire. De cette description physique et de ce
constat exprimental dcouleront deux approches systmes complmentaires. Lune nous conduira envisager la cog-
nration et en quantifier les avantages. Lautre portera sur le choix argument des paramtres dun systme
dadaptation du panneau sa charge lectrique alimente.

1 Le soleil dans le panel ner-
gtique : une ardente nces-
sit ?
Les sources dnergie nous paraissent nombreuses mais
lchelle humaine peu dentre elles sont renouvelables.
Un bilan nergtique terrestre nous rappelle que le soleil
est responsable de 99,97 % de lapport en nergie de
notre plante, le reste provenant de la fusion du noyau
terrestre ainsi que de linteraction gravitationnelle Terre
Lune - Soleil [2]. Bien videmment, la surface de
notre corce terrestre, cette nergie solaire est utilise
sous des formes trs varies. Parmi celles-ci, citons la
photosynthse qui permet aux plantes de se construire en
captant le dioxyde de carbone (C0
2
) contenu dans lair
pour le transformer en sucres [3].
lumire
6 CO
2
+ 6 H
2
0 C
6
H
12
0
6
+ 6 O
2

Outre la biomasse si fondamentale pour les autres formes
de vie, citons galement les vents, les courants marins, le
cycle de leau, qui sont issus des dsquilibres ther-
miques de la rpartition de la chaleur apporte par le
soleil. Notons galement que la terre a connu depuis ses
origines (4,5 milliards dannes) de grandes variations
climatiques et atmosphriques. Certaines priodes ont en
particulier t particulirement propices
lenfouissement rapide dimportantes masses vgtales.
Il y a 320 millions dannes (Carbonifre), le rapide
enfouissement des grandes forts de cette re a conduit
la formation dimportants stocks de charbon. Plus prs
de nous (Crtac suprieur il y a environ 80 millions
dannes), une importante activit volcanique a produit
un important rchauffement climatique ; llvation du
niveau marin (200 300 mtres) qui engendra un rapide
enfouissement organique dans les sdiments marins.
Cette squestration du carbone sest opre dans des
conditions favorables la cration dimportantes nappes
de ptrole et de gaz, que nous exploitons depuis un si-
cle. Insistons sur le fait que ces priodes de squestra-
tions du carbone sont particulirement importantes car
elles ont modifi la composition de latmosphre terres-
tre sur des chelles de temps gologiques (centaines de
milliers dannes) en rduisant la concentration en
dioxyde de carbone et en crant les conditions de vie
actuelles [4]. Lun de ces paramtres (corrl tant
dautres) est la temprature moyenne du globe terrestre
(environ 15 C depuis des centaines de milliers dan-
nes). Lutilisation grande chelle des ressources en
hydrocarbures (charbon, ptroles conventionnels ou non,
gaz naturel (mthane)) pose bien sr le problme de la
finitude de la ressource mais lchelle au moins dun
sicle car les rserves prouves en charbon sont encore
abondantes et les ressources ptrolires difficiles daccs
peu encore exploites mais importantes [5]. Or, bien
avant cette perspective lointaine de changement
dapprovisionnement en nergie, se pose la dlicate mais
urgente question de linteraction de ce mode de
consommation avec le climat ; le dioxyde de carbone,
puissant gaz effet de serre, est en effet un acteur majeur
du systme thermique terrestre [6]. Il parat donc intres-
sant, voire vital pour les gnrations venir, de ne pas
puiser en quelques sicles le stock dhydrocarbures qui
a mis plusieurs centaines de millions dannes se cons-
tituer. Dans cette perspective, il convient de rorienter
les approvisionnements dnergie vers des technologies
peu mettrices de gaz effet de serre comme la bio-
masse, lolien, lhydraulique, lnergie de la houle et
bien entendu les convertisseurs directs de lnergie so-
laire. Cette dernire solution (valorisation directe de
lnergie solaire) est trs sduisante. En effet, la surface
de toiture, voire de mur est dores et dj trs importante.
Elle pourrait donc tre mis profit sans nouvelle emprise
au sol et en assurant une production localise. Ceci limi-
terait les pertes de transport et responsabiliserait le
consommateur devenu producteur. Ces perspectives
paraissent a priori prometteuses. Il va nanmoins tre
trs difficile de convaincre une humanit nombreuse
(6,7 milliards en janvier 2008 et une prvision denviron
9 milliards pour lanne 2050 [7]) et nergivore (11 435
millions de tonnes-quivalent-ptrole dnergie primaire
en 2005 sachant quune T.E.P. correspond 41,6 GJ [8])
de ne pas utiliser une ressource (les hydrocarbures) en-
core trs abondante et trs facile demploi pour se tour-
ner vers une source dnergie diffuse et intermittente
(conditions mtorologiques et cycles journalier et sai-
sonnier). Cette moyenne denviron 1,7 T.E.P. par habi-
tant ne doit pas cacher dnormes disparits rgionales.
Rappelons que si nous gnralisions lhumanit la
consommation moyenne dun europen (chose
quesprent tout la fois amricains du nord et chinois
ou indiens pour des raisons diamtralement opposes),
nous aurions une consommation mondiale environ dou-
ble !
Un seul chiffre comparatif permet dillustrer ce nouveau
dfi nergtique. Un litre dessence (soit 0,83 kg) a un
pouvoir calorifique de 34,8 MJ. A titre de comparaison,
les stations reparties sur le territoire franais pour la
mesure de lclairement solaire global permettent
dannoncer un ordre de grandeur de 1500 kWh par m
2
de
surface horizontale et par an. En moyenne, un m
2
de
territoire hexagonal produira donc en un an 5400 MJ soit
lquivalent de 155 litres dessence. On voit donc que
cest lensemble de la filire nergtique qui est res-
tructurer et que la pntration des nergies renouvelables
est fortement couple lexistence dappareils hautes
performances nergtiques.
Nous voyons galement, et cest lobjet de cette tude,
que la filire solaire doit optimiser ses performances
dans le double but de simplanter sur les meilleures sur-
faces bties et dobtenir une bonne acceptation sociale.
Cest dans cette optique de rationalisation des espaces et
de perspectives nouvelles et encourageantes que nous
prsentons les convertisseurs directs de lnergie solaire
en insistant sur leur ventuelle association harmonieuse.
Le second lment primordial pour un essor significatif
des nergies renouvelables est bien entendu lassociation
des moyens de stockage performants car si le litre
dessence prcit rsout intrinsquement les deux termes
de lquation nergtique (nergie stocke et puissance
disponible), ni le solaire, ni lolien ne peuvent prtendre
une continuit de service sans organe de stockage auxi-
liaire [9] [10].
Le prsent article se focalisera sur la conversion photo-
voltaque. Une premire partie dtaille les principes
physiques de cette conversion afin dclairer les param-
tres doptimisation de la structure de conversion
sappuyant sur cette source primaire. La deuxime partie
est donc consacre la caractrisation du panneau afin
de montrer linfluence de la temprature, ce qui conduira
tout naturellement envisager lide de cognration.
Des donnes exprimentales seront analyses. La troi-
sime partie de lexpos traite des paramtres prendre
en compte lors de la ralisation de ladaptation du pan-
neau sa charge lectrique. La ralisation exprimentale
sera dtaille.
Une conclusion reprendra ces diffrents lments en
insistant sur leur porte pdagogique. Des perspectives
denrichissement de cette pratique didactique seront
galement dessines.
2 Caractrisation exprimentale
dun panneau photovoltaque.
2.1 But de cette caractrisation :
Lexprience de caractrisation (figure 1) que nous pro-
posons aux tudiants a deux buts. Le premier consiste
introduire la ncessit de placer, en aval du panneau, un
dispositif dadaptation dimpdance permettant de placer
le panneau son point de rendement maximal. Pour cela,
on relve exprimentalement la caractristique I = I(V)
en maintenant la temprature la plus constante possible.
Le second objectif est de quantifier l'influence de la
temprature sur le rendement des panneaux solaires.
Pour cela, nous allons, pour un flux incident connu,
uniquement faire varier la temprature du panneau. Cette
mesure dbouchera sur une discussion sur la cognra-
tion.


Figure 1 : Dispositif envisag

2.2 Choix de la technologie du panneau :
Les panneaux photovoltaques dutilisation courante sont
en silicium et raliss en technologie cristalline ou amor-
phe (dpt en couches minces) [11].
Les technologies cristallines sont issues du savoir faire
de lindustrie des composants lectroniques. Ce sont
donc des technologies assez matures. Elles sont bases
sur la fonte haute temprature de silicium pur puis sur
son refroidissement lent permettant dobtenir soit un
monocristal (refroidissement trs lent) soit un poly-
cristal constitu de cristaux plus petits. Lnergie requise
pour crer les premiers est plus importante mais conduit
des cellules meilleur rendement : le ratio nergie
lectrique produite sur nergie solaire incidente est,
pleine puissance, de 20 % dans un cas et de 15 % dans
lautre.
Les technologies amorphes, plus rcentes, sont quant
elles en phase de maturation. Elles sont bases sur le
dpt sur un verre transparent (substrat) de trois couches
de silicium (couche P, couche intrinsque et couche N).
Lpaisseur typique des zones dopes est de 10 nm, celle
de la zone intrinsque est denviron 300 nm. Cette tech-
nologie prsente des rendements plus faibles (7 10%)
mais ncessite, pour le procd de fabrication, un apport
nergtique moindre et un nombre rduit dtapes dans
le processus de ralisation.
Quelle que soit la technologie, le retour nergtique dun
panneau plac sous nos latitudes est estim de 2 4
annes. Du point de vue de lutilisateur, le critre de
choix dune technologie sera donc plus li la surface
disponible pour gnrer la puissance lectrique voulue.
Pour notre part, nous disposons de deux types de pan-
neaux. Le premier (fabriqu par Hlios Technology) est
un panneau photovoltaque en silicium monocristallin
reconnaissable par son reflet bleut (figure 2). Sur la
photo, on distingue les cellules : 38 fines tranches d-
coupes dans le lingot de silicium ; elles sont disposes
sur un cadre en aluminium et lectriquement connectes
en srie par les fils apparents. La caractristique lectri-
que du panneau (tension vide = 20,50 V) prouve que
toutes les cellules sont places en srie : 20,50 V / 38 =
0,54 V est bien la tension vide que lon peut esprer
aux bornes dune cellule unique en silicium cristallin.

Longueur 524 mm
Largeur 325 mm
Surface 0,17 m
2

Conditions de caractrisation
T = 25 C
Flux lumineux : 1000 W / m
2

et AM 1,5
V
circuit ouvert
20,50 V
I
court-circuit
1,36 A
P
max
20 W
V
Pmax
16,50 V
I
Pmax
1,27 A

I
12,5 volts
1,21 A
Figure 2 : panneau monocristallin

Le second panneau de la socit Solems est de technolo-
gie amorphe reconnaissable son reflet marron. Cette
fois-ci, le processus de fabrication cre initialement une
cellule unique sur un substrat en verre qui sert
dinterface avec le flux lumineux incident. Pour crer
une tension plus leve, adapte aux applications usuel-
les de charge batterie, on cre par rayures des cellules
plus petites que lon connecte en srie. Sur la photo
(figure 3), on les distingue nettement.

Longueur 674 mm
Largeur 312 mm
Surface 0,210 m
2

Conditions de caractrisation
T = 25 C
Flux lumineux : 1000 W / m
2
et
AM 1,5
V
circuit ouvert
23,00 V
I
court-circuit
0,74 A
P
max
10 W
V
Pmax
17,50 V
I
Pmax
0,58 A
I
12,5 volts
NC
Figure 3 : panneau amorphe

Ces deux photos permettent de percevoir lintrt port
la technologie couches minces depuis la dcouverte de
leurs proprits photovoltaques (USA, 1975). En effet,
sappuyant sur le savoir-faire dvelopp pour la ralisa-
tion des crans plats, les industriels des couches minces
sont capables de raliser des cellules plus minces (dun
facteur 1000) et de surface trs large en comparaison
avec les techniques cristallines : en 2008, certaines ins-
tallations industrielles crent en srie des cellules de
lordre du m
2
. Sur la photo, on discerne bien que notre
panneau amorphe est uniquement constitu deux cellu-
les-plan initiales (95 875 mm
2
). Un travail important et
toujours dactualit consiste en amliorer les perfor-
mances en terme de rendement lectrique. A contrario, le
panneau cristallin est constitu de petites cellules
(3 240 mm
2
) obtenues par sciage du lingot initial et en-
gendrant donc des pertes de matire la fabrication. Par
ailleurs, on distingue bien que lassemblage contribue
une importante perte de surface active (silicium) par
rapport la surface ncessaire linstallation (cadre).
2.3 Choix de la technologie de lclairage
Les panneaux photovoltaques sont conus pour tre
utiliss lextrieur. Nanmoins, leur caractrisation est
difficile dans ces conditions qui peuvent tre trs chan-
geantes. Par ailleurs, il est alors galement difficile de
dcorrler temprature du panneau et clairement. Cest
la raison pour laquelle nous avons opt pour une source
dclairage artificiel dont le spectre utile ne sloigne pas
trop de celui du soleil. Rappelons que le panneau mono-
cristallin a une zone de sensibilit de 0 1100 nm (pro-
che IR) alors que le panneau amorphe a la sienne de 0
750 nm (fin du visible et dbut de lIR).
Aussi, avons-nous relev le spectre de rayonnement du
soleil en rgion parisienne ainsi que le spectre de lampes
halognes dune part et fluo-compactes dautre part.
Lappareil de mesure est un spectroscope (Ulice Spid -
HR) analysant la lumire dans la bande
[350 nm ; 850 nm] centre autour du visible
[380 nm ; 720 nm]. Cette analyse se fait au moyen de
diodes photosensibles spcialises dans une bande troite
de longueurs donde. Avant datteindre ces multiples
capteurs, le rayon lumineux incident est donc diffract
au moyen dun rseau miroir.
Cette mesure (faite au milieu dune journe davril et par
temps clair) nous donne un spectre solaire bien tal et
centr autour de 550 nm qui est la zone de plus haute
sensibilit de lil humain (figure 5). On retrouve l
linfluence de latmosphre sur le spectre solaire initial
qui tale le maximum de puissance sur une plus grande
plage de longueur donde et le dcale un peu vers les
infra-rouges. Notons ds prsent que cette mesure est
relative et que nous devons faire intervenir un autre
moyen de mesure pour raliser nos bilans nergtiques.

Barrette CCD
Reseau-miroir
2 miroirs

Figure 4 : Spectromtre principe de la mesure


Figure 5 : Spectre solaire mi-journe et par temps clair
en rgion parisienne (avril 2007)

La lampe halogne est une ampoule comportant un fila-
ment de tungstne parcouru par un courant ainsi que des
gaz halognes. Leffet Joule porte le filament tempra-
ture leve ; il met donc un rayonnement lectromagn-
tique. La temprature dune lampe halogne est de
lordre de 3000 K ce qui correspond un pic dmission
dans le proche infrarouge (
pic
= 965 nm par la loi de
dplacement de Wien [12]). Cest bien ce phnomne
que le spectroscope utilis rvle lors de lanalyse du
flux lumineux mis par la lampe (figure 6-a). Le pic
dirradiance se situe nanmoins une longueur donde
infrieure celle prvue (
pic
= 770 nm)
Cette grande quantit dondes infrarouges, sources
dchauffements importants, nous a amen explorer
lclairage par lampe dcharge. La lampe fluorescente
est demploi courant et voit un courant lectrique circu-
ler dans un gaz ionis (vapeur de mercure) : ceci produit
une mission dans lultraviolet qui est absorbe par des
poudres fluorescentes puis restitue par elles sous forme
de lumire visible. Hlas, comme nous le constatons sur
le relev exprimental (figure 6-b), les bandes de rmis-
sions sont trs troites ; on en remarque ici trois princi-
pales : 430 nm, 540 nm et 610 nm. Ce spectre discontinu
est, bien plus que le prcdent, loign dun simulateur
solaire et nous ne lexploiterons pas.


Fig 6-a : lampe halogne

Fig 6-b : lampe fluo-compacte
Figure 6 : Analyse des lumires artificielles utilisables

Nous allons donc devoir nous contenter des lampes ha-
lognes tout en amliorant leur connaissance en prolon-
geant la premire mesure (centre autour du domaine du
visible) par une mesure dans les infrarouges. En effet, le
spectre de sensibilit des cellules solaires en silicium
cristallin se prolonge jusquaux environs de 1100 nm.
Dautre part, les lampes incandescence ont un spectre
important dans linfrarouge source non ngligeable
dnergie, convertible en lectricit ( < 1100 nm) ou
bien en chaleur ( > 1100 nm). Pour cela, nous utilisons
un appareil disponible lI.E.F. (laboratoire de recherche
de lUniversit Paris Sud) et destin ltude des lasers ;
il permet une analyse des rayons lumineux dans la
gamme, 750 1800 nm. Cet appareil (Ando AQ6317),
comme le prcdent, donne une courbe relative. Les
deux appareils ayant une zone de recouvrement dans le
proche infrarouge, nous lavons mise profit pour rac-
corder les deux mesures afin dobtenir une courbe
dmission spectrale stalant de 350 nm 1750 nm et
couvrant donc bien la zone principale dmission de la
source adopte (lampe incandescence).
La dernire tape consiste transformer ce spectre relatif
en mittance nergtique monochromatique
(W.m
-2
.m
-1
). Il va donc falloir quantifier un point de la
courbe prcdente puis obtenir les autres par une rgle
de proportionnalit. Pour cela, nous avons utilis un
filtre optique trs slectif ( = 10 nm) centr autour de
la longueur donde (
0
= 710 nm) avec une attnuation
de G
BP
= 55 % dans la bande passante. Nous lavons
associ une photodiode (S1336), de surface active
connue (1,2 mm
2
) et de rponse spectrale parfaitement
talonne. Dans la bande passante du filtre, la photosen-
sibilit de la photodiode est de G
PD
(
0
) = 0,38 A/W. En
mesurant son courant de court-circuit sous lumire inci-
dente filtre (I
CC
= 1 A), nous en dduisons donc la
puissance incidente : p(
0
,) = 4,8 W pour 1,2 mm
2
et
10 nm. Ce qui signifie qu la longueur donde
0
,
lmittance nergtique spectrale est :
E(
0
) = 363 W.m
-2
.m
-1
.

0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
0
100
200
300
400
500
600
Longueur d'onde (en micromtres)
E

(
e
n

W
/
m
2
/
m
i
c
r
o
m

t
r
e
)
Emittance nergtique spectrale des halognes

Figure 7 : Spectre prolong [350 - 1750 nm] (halogne)

Nous venons de prsenter les deux acteurs (source et
rcepteur) de notre caractrisation des cellules photovol-
taques. Nous allons donc maintenant dcrire le dispositif
exprimental les mettant en jeu et analyser les rsultats
obtenus.
2.4 Caractrisation du panneau et valida-
tion du modle
2.4.1. Protocole exprimental adopt :
V
A
V
P

I
P

T
Si

anode
cathode

Thermomtre
Voltmtre
Ampremtre
Rhostat
Panneau

Figure 8 : Dispositif exprimental de caractrisation des
deux panneaux solaires
Nous proposons de placer chaque panneau sous une
rampe dclairage lampes halognes dont on contrle
le flux lumineux par un auto-transformateur. Le panneau
alimente un rhostat dont on mesure les grandeurs lec-
triques tension (V
P
) et courant (I
P
). Par ailleurs, nous
instrumentons le panneau avec un thermocouple indi-
quant la temprature au plus prt du silicium (T
Si
). Cette
srie de mesures nous permet de tracer des rseaux
I = I(V) temprature constante et den dduire les r-
seaux P = P(V) T
Si
donne. Compte-tenu du fort
chauffement procur par les halognes (puissance spec-
trale importante dans linfrarouge), cette mesure doit tre
ralise par clairement intermittent ; la dure
dexposition aux halognes conditionne la temprature.
Nous avons ainsi ralis, pour chaque panneau, quatre
sries de mesures allant dune temprature
(T
Si
)
min
= 28C proche de la temprature ambiante de la
salle (T
Si
)
max
= 60C totalement crdible pour un pan-
neau expos au soleil. Les plages admises de 50 C
100 C en fonction des conditions climatiques et
dinstallation ; cette temprature est en particulier forte-
ment lie la ventilation du site [11]). Les tempratures
intermdiaires de caractrisation sont (T
Si
)
int1
= 38C et
(T
Si
)
int2
= 48C.

2.4.2. Panneau en silicium monocristallin :
La figure 9 synthtise la caractristique lectrique du
panneau monocristallin pour un clairement donn. Les
diffrentes courbes correspondent quatre tempratures
contrles diffrentes.
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
0
50
100
150
200
250
300
350
400
Facteur de forme du panneau mocristallin
V (en volts)
I

(
e
n

m
A
)
28C 38C 48C 60C
28C
38C
48C
60C

Figure 9 : Rseaux I = I(V) paramtrs par T
Si

A temprature T
Si
donne, la caractristique I = I(V) fait
bien apparatre deux zones. A faible tension, on observe
une zone courant sensiblement constant. Il sagit du
photo-courant I
ph
cr par la dissociation de paires lec-
tron / trou sous le double effet de linteraction avec le
photon incident ( <
coupure
) et de la barrire de potentiel
qui favorise la collecte par les lectrodes avant recombi-
naison. Pour ces faibles tensions (ici V
P
< 10 V), le cou-
rant I
D
de diffusion des majoritaires reste ngligeable
car la barrire de potentiel est encore suffisante. En re-
vanche, pass ce seuil de tension, nous observons une
chute brutale du courant I
P
= I
ph
- I
D
dlivr par le pan-
neau jusqu son annulation. On retrouve ici nouveau
lvolution exponentielle du courant des porteurs majori-
taires sous leffet dune diffrence de potentielle V
P

applique, par la charge, aux lectrodes. Rappelons que
la thorie des semi-conducteurs donne pour le courant
dun panneau la relation [13] :
( )

= 1
kT
n
V
q
exp . T I I I
Si
P
Si S ph p
(1)
O n est le nombre de cellules mises en srie (ici
n = 38) ;
k = 1,38 10
-23
J/K est la constante de Boltzman ;
q = 1,602 10
-19
C est la charge de llectron.

On remarque (tableau 1) que le photo-courant I
Ph
I(V=0) (I
P
)
CC
est, en premire approximation,
insensible la variation de temprature T
Si
.
En revanche, comme le montre lexpression (1), la ten-
sion de seuil est fortement dpendante de la tempra-
ture T
Si
. La tension vide V
P0
(V
P0
I
P
= 0) est donc
elle aussi fortement corrle la temprature. Elle dimi-
nue rapidement avec elle (tableau 1) : on constate une
diminution de 2,8 V pour une temprature passant de
28C 60C ; soit 90 mV/C. En effet, pour V
P
= V
P0
,
on peut ngliger 1 devant le terme exponentiel et, on a,
en tenant compte du courant de saturation [14] :

=
Si
g
0 P
3
Si
Si
0 P
Si
g
3
Si ph
kT
E
n
V
q exp . T . C
kT
n
V
q
exp .
kT
qE
exp . T . C I

O la tension de barrire de potentiel E
g
1,1 V pour le
silicium cristallin 25C et (V
P0
/n) est de lordre de
0,55 V dans notre cas. Le courant I
ph
tant quasi insensi-
ble la temprature et le terme exponentiel tant pr-
pondrant, une augmentation de la temprature entrane
donc une diminution de (V
P0
/n) pour quen valeur abso-
lue, le terme ((V
P0
/n)-E
g
) augmente. Par drivation de
ln(I
ph
) par rapport la temprature, on a :
Si
Si
g
Si
0 P
2
Si
g
0 P
Si
kT
T
E
n
T
V
q
kT
E
n
V
q
T
3
0

=

Comme le terme (kTsi/q) est de lordre de 26 mV
25C, le premier terme de lexpression est ngligeable
devant le deuxime. Ce qui conduit :
Si
g
0 P
Si
g
Si
0 P
T
E
n
V
T
E
n
T
V


En admettant que la barrire de potentiel dpend peu de
la temprature, on a :
C mV/ 72 , 1
K 320
V 55 , 0
T
E
n
V
T
n
V
Si
g
0 P
Si
0 P
=


Ce qui, ramen 38 cellules en srie, donne - 65 mV/C
ce qui est du mme ordre dide que notre rsultat prati-
que (- 90 mV/C). Lcart semble de 30 % semble d au
coefficient de non idalit de la diode li son mode de
ralisation.
Par ailleurs, notons qu clairement donn, les seules
connaissances du courant de court-circuit, de la tension
vide et de la temprature permettent dtablir le modle
statique du panneau. Comme le propose [15], ce dernier
est facilement implantable dans lenvironnement Ma-
tlab/Simulink. Ceci peut permettre de conduire des simu-
lations avant implantation dune commande MPPT. Pour
notre part, la courbe produite partir des seules informa-
tions prcdentes correspond assez prcisment aux
mesures effectues sur toute la plage de fonctionnement.

T
Si
= 28 C T
Si
= 38 C T
Si
= 48 C T
Si
= 60 C
(I
P
)
CC
360 mA 360 mA 358 mA 365 mA
(V
P
)
0
19,1 V 18,26 V 17,16 V 16,22 V
P
max
4,6 W 4,3 W 4,15 W 3,7 W
(V
P
)
Pmax
15,6 V 14,5 V 12,4 V 11,25 V
(V
P
)
Pmax

/ (V
P
)
0
81,7 % 79,4 % 72,3 % 69,4 %
Tableau 1 : quelques mesures du panneau monocristallin
sous halogne

Du point de vue de lutilisateur, un lment important est
la puissance quil peut prlever avec une charge donne
et sous un clairement et une temprature fixs. Pour
cela, des caractristiques du panneau, on dduit le trans-
fert de puissance vers la charge (figure 10). Il sagit de
laire dcrite par le point de fonctionnement (I
P
, V
P
).
Cette puissance est nulle pour (V
P
= 0) et pour (V
P0
I
P

= 0). Elle passe par un maximum P
max
qui, pour cet essai,
se situe autour de 75 % de la tension vide V
P0
(ta-
bleau 1). Bien videmment, la tension V
Pmax
diminuant
avec laugmentation de temprature, on observe, une
rduction significative de la puissance maximale dispo-
nible en sortie de panneau : -19,5 % lors du passage de la
temprature ambiante (28 C) la temprature de 60C,
soit -0,61 % par C. Cette diminution de la puissance
crte est conforme aux ordres de grandeurs voqus dans
la littrature : - 0,4 % par C [11]. Lcart peut venir
dune imprcision de la mesure de temprature par suite
dun positionnement de la sonde de temprature pas
optimal par rapport au silicium.

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
Puissance fournie par le panneau mocristallin
V (en volts)
P

(
e
n

w
a
t
t
s
)
28C
38C
48C
60C

Figure 10 : rseaux P = P(V) paramtrs par T
Si
Le dernier point explorer est le rendement lectrique,
cest--dire le rapport entre la puissance lectrique
maximale disponible et la puissance lumineuse inci-
dente. Dans notre cas, il faut tre trs prudent car
lclairage procur par la rampe dhalognes ne savre
pas du tout homogne. En plaant la diode calibre
diffrents points dun maillage du panneau (figure 11),
nous constatons une puissance incidente fortement va-
riable autour dune valeur moyenne de P
moy
= 360 W/m
2
.
Nous avons vu prcdemment que le panneau possdant
38 cellules lmentaires et prsentant une tension vide
denviron 20 V 38 . (0,53) V a donc une connexion
exclusivement srie de ses cellules. Nous en dduisons
que le courant en sortie de panneau I
P
est impos par la
cellule la moins claire (valeur minimale de P
mi-
ni
= 250 W/m
2
). Si nous souhaitons comparer ce rende-
ment celui propos par le constructeur avec un clai-
rage solaire uniforme de 1000 W/m
2
, il nous faut donc
adopter comme puissance incidente de rfrence la puis-
sance surfacique minimum ; ici, il sagit de 250 W/m
2
.
Ce qui donne une puissance incidente de
(0,170 m
2
) . (250 W/m
2
) = 42,5 W. Do le rendement
lectrique constat T
Si
= 28 C :
( ) ( )
( )
% 8 , 10
W 5 , 42
W 6 , 4
P
P
P
P
min euse min lu
lec
euse min lu
max lec
constat
= = =

Alors que le rendement constructeur 25 C et sous un
soleil (AM 1,5) est de :
( )
% 8 , 11
W 170
W 20
P
P
euse min lu
max lec
ur constructe
= = =

Ce rendement constructeur peut paratre faible par rap-
port au rendement couramment admis pour une cellule
monocristalline (15 % 20 %). Mais nous devons re-
marquer que sur le panneau, une grande partie (72 %) de
la surface nest pas couverte de silicium. (0,123 m
2
de
silicium pour 0,170 m
2
). Ce point exprimental est im-
portant car il permet de mettre laccent sur les difficults
dimplantation des panneaux solaires. Les zones
dombres sont bien entendu viter. Mais si elles exis-
tent certaines saisons et heures du jour, ou si elles ap-
paraissent suite une modification du site, leur impact
sur linstallation ne sera pas le mme sur les performan-
ces globales selon que les panneaux seront associs en
srie ou en parallle. En parallle, il faut simplement
viter par une diode anti-retour dalimenter le panneau le
moins clair par le panneau qui lest le plus. En srie,
en revanche, il faut prvoir des diodes de contournement
dun ensemble de cellules si on ne veut pas perdre toute
la puissance dans le cas o une cellule se trouvant
lombre imposerait un courant quasi-nul lensemble en
srie. Cette technique permet dviter une puissance
nulle en sortie de lensemble mais ne peut rien, dans
notre cas par exemple, contre la pnalisation de puis-
sance due un alignement des courants sur la cellule la
moins claire.
Par ailleurs, concernant la diffrence entre le rendement
constat sous halognes et celui donn sous AM 1,5,
nous la justifions par la diffrence des spectres incidents.
En effet, la lumire issue des halognes gnre un flux
de photons trs important dans linfrarouge et cela bien
au-del de la slectivit du filtre constitu par le panneau
en silicium. (cf 3 et figure 14)
Le taux de photons dont lnergie est convertible sous
forme lectrique est ainsi plus important avec la lumire
solaire naturelle quavec la lumire artificielle adopte.
Cet lment de comprhension est important pour com-
prendre que le couple soleil / terre est fortement li la
couche atmosphrique. Le spectre incident dpend non
seulement de la couverture nuageuse mais encore de
lpaisseur de couche atmosphrique que doivent traver-
ser les rayons solaires. On souligne ici linfluence de la
latitude, de lheure et de la saison [16]. Selon les raies
filtres (et la technologie de panneau par sa zone de
sensibilit spectrale), le rendement lectrique du panneau
sera plus ou moins bon.


Figure 11 : htrognit de lintensit de lclairement
reu par le panneau



2.4.3. Panneau en silicium amorphe :
Pour le panneau en technologie amorphe, la caractristi-
que I = I(V) paramtre par la temprature T
Si
fait ga-
lement apparatre deux zones.
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Facteur de forme du panneau amorphe
V (en volts)
I

(
e
n

m
A
)
28C
38C
48C
60C

Figure 12 : rseaux I = I(V) paramtrs par T
Si

A tension nulle (court-circuit), le courant I
P
qui corres-
pond au photocourant I
Ph
est sensiblement indpendant
de la temprature. A faible tension, on observe
(T
Si
= C
ste
) une zone diminution linaire du courant I
P

en fonction de la tension V
P
applique au panneau par la
charge. Cette zone peut donc tre reprsente par une
rsistance R
p
qui, dans notre cas, serait denviron 670 .
Elle sexpliquerait par la prsence dimpurets aux bords
de chaque cellule. En effet, dans cette technologie (cou-
ches minces), la ralisation des cellules lmentaires
sopre en striant la cellule initiale avec un rayon laser.
Malgr les prcautions, de la matire sublime se red-
pose sur les cellules mitoyennes lissue de cette opra-
tion et un traitement par lavage ne peut en venir bout.
En revanche, au-del dune tension de seuil, nous obser-
vons une chute brutale du courant jusqu son annula-
tion. Ce phnomne est d la diode PIN cre pour
raliser la photopile. Ajoutons que si cette diode, carac-
trise par une structure non-cristalline, obit aux mmes
lois de variation quen (1), alors, on a (largeur de bande
interdite E
g
= 1,6 V) :
( ) ( )
C mV/ 8 , 2
K 320
V 9 , 0
K 320
V 6 , 1 V 7 , 0
T
E
n
V
T
n
V
Si
g
0 P
Si
0 P
=


Or (tableau 2), nous constatons bien une plus forte sensi-
bilit de la tension V
P0
du panneau amorphe aux varia-
tions de temprature T
Si
: - 62 mV / C pour le panneau
entre 28C et 48C. Ramen une cellule, on observe : -
2,2 mV / C.

T
Si
= 28 C T
Si
= 38 C T
Si
= 48 C T
Si
= 60 C
(I
P
)
CC
73 mA 71 mA 73 mA 75,5 mA
(V
P
)
0
19,63 V 19,31 V 18,39 V 16,75 V
P
max
713 mW 702 mW 679 mW 669 mW
(V
P
)
Pmax
15,1 V 14,5 V 13,0 V 12,1 V
(V
P
)
Pmax

/ (V
P
)
0
76,9 % 75,1 % 70,7 % 72,2 %
Tableau 2 : quelques mesures du panneau amorphe sous
halogne
Des caractristiques du panneau, on dduit, le transfert
de puissance vers la charge lectrique. Cette puissance
passe par un maximum P
max
qui, pour cet essai, se situe
autour de 75 % de la tension vide V
P0
. Pour ce panneau
amorphe, suite une augmentation de temprature, on
observe une rduction beaucoup moins significative de
la puissance maximale disponible en sortie de panneau :
- 6,2 % lors du passage de la temprature ambiante
(28 C) la temprature de 60C soit - 0,19 % par C.
Cette diminution de la puissance crte est trs proche des
ordres de grandeurs voqus dans la littrature : - 0,15 %
par C [11]. Comme prcdemment, lcart peut venir
dune imprcision de la mesure de temprature par suite
dun positionnement non optimal de la sonde de temp-
rature.
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
Puissance fournie par le panneau amorphe
V (en volts)
P

(
e
n

w
a
t
t
s
)
28C
38C
48C
60C

Figure 13 : rseaux P = P(V) paramtrs par T
Si
Nous terminons cette analyse par ltude des performan-
ces nergtiques globales du panneau. En conformit
avec notre explication prcdente, nous allons tenir
compte de la zone pour laquelle lintensit de
lclairement est la plus faible. Le panneau ayant une
surface active de 0,185 m et le flux lumineux incident
minimal ayant une puissance surfacique de 250 W/m
2
,
on a donc T
Si
= 28 C :
( ) ( )
( )
% 5 , 1
W 25 , 46
W 713 , 0
P
P
P
P
min euse min lu
lec
euse min lu
max lec
= = =

Alors que le constructeur annonce, 25 C et sous un
soleil (AM 1,5) un rendement maximum de :
( )
% 4 , 5
W 185
W 10
P
P
euse min lu
max lec
= = =

On voit que le rendement mesur sur ce panneau est trs
infrieur celui donn par le constructeur. Comme pr-
cdemment, nous l'expliquons par la diffrence entre le
spectre de la lumire naturelle trs riche en longueurs
dans le visible alors que la lumire artificielle adopte
possde la majeure partie de son spectre dans
linfrarouge qui est inutile en terme de gnration de
paires lectrons-trous pour une couche de silicium amor-
phe (cf figure 15). En effet, le panneau a : Si prsente
une longueur donde de coupure de lordre de

coupure
760 nm (limite suprieure du visible) et donc ne
peut pas transformer en puissance lectrique une grande
partie de la puissance lumineuse mise par la lampe
(
pic
800 nm et un spectre centr encore plus haut dans
linfrarouge) ce qui est nettement moins le cas pour la
puissance lumineuse solaire dont le spectre aprs filtrage
par latmosphre est justement centr dans le milieu du
visible.

3 Cognration thermique
lectrique
Mme si la lumire adopte est imparfaite, nous venons
de montrer que la conversion photo-lectrique possde
des rendements faibles. Ceci est d au principe mme de
cette conversion. Plusieurs phnomnes viennent mino-
rer le rendement de cette conversion : rflexion partielle
de la lumire, absorption optique, recombinaison des
porteurs avant de rejoindre les lectrodes, gaps indirects
(silicium cristallin), etc. Mais fondamentalement, cette
conversion est forcment partielle car seuls pourront
interagir avec les lectrons de valence, les photons suffi-
samment nergtiques. Tous les photons en dehors de la
bande de slectivit du matriau ( >
C
), nauront quun
effet thermique. Par ailleurs, les photons suffisamment
nergtiques ( <
C
) ne pourront gnrer quune seule
paire dlectrons-trous ; le reste de leur nergie

C
c c
h
sera convertie sous forme de chaleur. On
voit donc que le rendement thorique de conversion
passe de 100 % pour une lumire monochromatique
( =
C
) 0 % pour une lumire monochromatique
( <<
C
).
( )
coupure
gap
lectrons photons
c
h
e nergtiqu Filtre

=
>


0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
0
200
400
600
P

s
p
e
c
t
spectre halogne
spectre thorique utile
filtrage nergtique (photons >lectrons) du silicium
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
longueur d'onde (micromtre)
f
i
l
t
r
a
g
e

c
:
S
i
fonction de transfert c:Si

Fig 14-a : Silicium cristallin
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
0
200
400
600
P

s
p
e
c
t
spectre halogne
spectre thorique utile
filtrage nergtique (photons >lectrons) de l'amorphe
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
longueur d'onde (micromtre)
f
i
l
t
r
a
g
e

a
:
S
i
fonction de transfert a:Si

Fig 14-b :Silicium amorphe
Figure 14 : Puissance spectrale potentiellement converti-
ble en nergie lectrique par du silicium
Sous un rayonnement AM 0)

Par intgration sur toutes les longueurs dondes, on peut
dduire la part maximale dnergie lumineuse converti-
ble sous forme lectrique. A titre indicatif, le rendement
dun panneau solaire, situe la limite de latmosphre,
ne pourra pas dpasser la valeur indique dans le ta-
bleau 3 . Pour cela, on a pris pour base le rayonnement
AM 0 en limite suprieure datmosphre (spectre solaire
proche de celui dun corps noir port 5770 K).
Matriau
MAX tho
en %
germanium 38
silicium cristallin 44
arsniure de gallium 42
silicium amorphe 38
sulfure de cadmium 20
Tableau 3 : Potentiel de conversion photo-lectrique des
semi-conducteurs courants (sous AM 0)

Par ailleurs, nous avons expriment limportante dimi-
nution du rendement de cette conversion photo-
lectrique avec la monte en temprature du matriau,
surtout dans le cas du matriau semi-conducteur massif.
Ces deux constatations, rle prdominant du thermique
sur llectrique et diminution du rendement photovolta-
que avec laccroissement de la temprature, nous ont
conduit exprimenter la possibilit de coupler ces deux
formes de convertisseurs dnergie. Cette cognration
chaleur basse temprature dune part et lectricit de
lautre pourrait revtir deux avantages. Le premier
doptimiser les meilleures surfaces de toitures, le second
dviter la dgradation du rendement lectrique par fort
ensoleillement grce une vacuation des calories vers
le rservoir de chaleur du dispositif thermique. Le sur-
cot de linstallation photovoltaque initiale ne devrait
pas tre trs important car cest bien le procd de fabri-
cation des photopiles qui est de loin le plus coteux.
Nous avons donc cherch quantifier la part dnergie
thermique que nous pourrions retirer dun panneau pho-
tovoltaque en lui associant un dispositif de rcupration
de calories par fluide caloporteur. Nous avons ralis
notre dispositif en dtournant larmature de nos pan-
neaux individuels ; en effet, celle-ci-ci cre une zone
creuse larrire du panneau. Nous y avons donc vers
une quantit connue deau dont nous avons mesur
lchauffement en termes dlvation de temprature et
de dure de cette lvation. Lnergie thermique se cal-
cule partir de lexpression suivante :
E
therm
= C.m.T
eau
.

O C reprsente la capacit calorifique de leau et
vaut 4,18.10
3
J.K
-1
.kg
-1
;
m la masse deau ;
et T
eau
.
llvation de temprature.
Le volume deau dispos larrire du panneau est de
500 ml et se trouve pris entre la cloison et une plaque de
polystyrne limitant les changes thermiques avec lair
ambiant. Par ailleurs, la charge lectrique est une rsis-
tance adapte pour tirer le maximum de la puissance
lectrique du panneau.
Pour la puissance thermique, nous avons pris comme
rfrence la valeur moyenne de la puissance reue par le
panneau, soit P
moy
= 360 W/m
2
. 0,170 m
2
= 61,2 W.
Alors que pour la puissance lectrique, nous avons
comme prcdemment pris comme rfrence la puis-
sance reue par la cellule la moins claire, soit pour le
panneau : P
min
= 250 W/m
2
. 0,170 m
2
= 42,5 W.
Cette mesure a dur t = 447 s et a donn les rsultats
suivants.
Pour laspect thermique, on constate une lvation de
temprature de T
eau
= 11,4 C, soit une nergie thermi-
que rcupre sur la face arrire de E
therm
= C.m.T
eau
= 23826 J alors que le flux total inci-
dent tait de (E
th
)
rf
= P
moy
. t = 27356 J. Ce qui entrane
un coefficient de rcupration de 87 %. Bien entendu,
cette mesure est ralise sans prendre en compte la capa-
cit thermique du panneau lui-mme. Une tude tem-
prature quasi constante donnerait des rsultats plus
ralistes et sans doute meilleurs.
Pour laspect lectrique, la puissance est sensiblement
constante et gale 4,6 W ce qui sur la dure de
lexprience donne une nergie de E
-
lec
= P
lec
. t = 2056 J. Cette dernire doit tre compare
lnergie incidente (E
lec
)
rf
= P
min
. t =19 000 J. De ce
point de vue, on peut revendiquer un coefficient de rcu-
pration de 10,8 %.
Ces mesures sont bien entendus imparfaites mais elles
ont le mrite de montrer que dans le cadre de
loptimisation des systmes, la cognration solaire
ouvre des perspectives importantes car, dans le btiment,
nombreuses sont les utilisations de chaleur basses tem-
pratures ce qui est parfaitement compatible avec
loptimum de la conversion photo-lectrique. Nous sou-
haiterions poursuivre cette tude dans le cadre dun sys-
tme rel avec fluide circulant larrire du panneau
pour reprendre de telles mesures en rgime thermique
quasi-permanent.

4 Adaptation dimpdance du
panneau la charge : ralisa-
tion et exprimentation du
MPPT
4.1 Problmatique
Comme nous lavons voqu, lnergie solaire est cycli-
que et diffuse. De plus, la conversion photo-lectrique
est caractrise par un rendement mdiocre : au mieux
20% dans les applications industrielles courantes. Ceci
fait que plus que pour toute autre systme, il est impor-
tant dadapter la source la charge. Ceci se ralise lors
de linvestissement initial lorsque lon choisit le courant
de court-circuit et la tension vide du gnrateur photo-
voltaque par des mises en srie / parallle judicieuses de
cellules lmentaires. Mais charge et ensoleillement
fluctuent au cours dune journe et il faut insrer une
interface de puissance adaptant en permanence la photo-
pile sa charge. Dans la plupart des applications (cou-
plage au rseau lectrique ou recharge de batteries tam-
pon), il va sagir de tirer le maximum de puissance des
panneaux quel que soit les conditions dutilisation (clai-
rement, charge lectrique et temprature).
Nous nous plaons dans le cas courant dune utilisation
tension plus leve que notre photopile et nous choisis-
sons donc un hacheur lvateur comme tage
dadaptation. Ce dernier fonctionne la frquence fixe
de F
D
= 100 kHz et est rgl par action sur son rapport
cyclique . Cette variable de rglage provient dun
micro-contrleur dans lequel est implant un algorithme
Perturb & Observ [15] prlevant ses informations des
grandeurs lectriques V
P
et I
P
mesures en sortie de
panneau. Pour raliser ce systme de recherche automa-
tique de puissance nous avons adopt un microcontrleur
de la famille PSoC dvelopp par la socit Cypress
[17]. En effet, outre les classiques priphriques dentre
sortie (CAN et CNA) et lunit centrale (CPU), ce
composant propose des blocs fonctionnels paramtrables
tant de type numrique que de type analogique. Compte-
tenu du bruit de dcoupage, ce dernier aspect est utile
pour supprimer les ondulations F
D
avant numrisation.
Ainsi, deux composants sont ncessaires pour piloter
ltage de puissance : le PSoC et le driver de
transistor MOSFET.




Interface de puissance
C
S

R
Ch

L
E

I
P

V
P

C
E

-Contrleur
Driver

Figure 15 : synoptique du montage dadaptation automa-
tique dimpdance

4.2 Choix des paramtres
Ne mesurant ni lclairement incident ni la temprature
du panneau, le point de maximum de puissance est a
priori inconnu. Mais comme lont montr les courbes
P = P(V,T
si
), quand la charge lectrique varie, on ne
dtecte quun maximum. Le principe de la commande
Perturb & Observ est trs simple (figure 16). Il
consiste solliciter le systme en modifiant lgrement
le rapport cyclique dun incrment . Lorsque le sys-
tme sest stabilis autour de son nouveau point
dquilibre, on dcide du nouvel incrment appliquer
en fonction de lcart P entre la puissance actuelle et la
puissance prcdente. Si P est positif, on conserve le
sens dvolution de en appliquant le mme incrment
+ ; sil est ngatif, on applique lincrment - afin
de modifier le sens dvolution de la commande. En
rgime permanent, le panneau oscille donc autour du
maximum de puissance quil peut dlivrer.

Mesure I
n
et V
n
Calcul P
n


P
n
> P
n-1

= +

= -

P
n-1
= P
n



Figure 16 : algorithme Perturb & observ implant

Nous voyons galement quil faut tenir compte de la
dynamique du hacheur afin de mesurer P = V
P
. I
P
des
instants pertinents. Cest cette dynamique qui va condi-
tionner le choix de la priode dchantillonnage T
ch
.
Pour la dterminer en fonction de L
E
et C
S
, nous tablis-
sons un modle moyen pour une conduction continue, ce
qui est pertinent car la commande volue par petits
incrments.
En amont du hacheur, on peut crire :

( )
Ch P
L
E
v 1 V
dt
di
L =

En aval du hacheur, on peut crire :

( )
Ch
Ch
L
Ch
S
R
v
i . 1
dt
dv
C =

Cette mise en quation fait apparatre des termes non-
linaires, rsultats du produit de la commande par ltat.
Et en notant : , , et
, et en ngligeant les termes du
second ordre, les deux expressions prcdentes dcrivent
un systme linaire :
+ = d
0 L 0 L L
di i i + =
Ch 0 Ch Ch
dv v v + =
( ) ( ) [ ] ( ) + = d . v dv . 1 v . 1 V di
dt
d
L
0 Ch Ch 0 0 Ch 0 P L E

( ) ( ) ( )
Ch
Ch
0 L L 0
Ch
0 Ch
0 L 0 Ch S
R
dv
d . i di . 1
R
v
i . 1 dv
dt
d
C +

=

En utilisant la transformation de Laplace, on obtient
donc :
( ) ( ) ( ) ( ) s d . v s dv . 1 s sdi L
0 Ch Ch 0 L E
+ =

( ) ( ) ( ) ( )
Ch
Ch
0 L L 0 Ch S
R
dv
s d . i s di . 1 s sdv C + =

Do lon peut tirer les fonctions de transfert de di
L
(s) et
de dv
Ch
(s) en fonction de la commande d(s). Elles ont
toutes les deux les mmes ples. A titre dexemple, on
a :
( )
( )
( ) 2
2
0
0
0
Ch
v
s
1
s
m 2
1
s 1
H
s d
s dv
s H

+

=

=

Avec :
( )
S E
0
0
C L
1
=
et
( )
S
E
Ch 0
C
L
R 1 2
1
m

=


( )
0
0 Ch
0
1
v
H

=
et
( )
0 Ch 0
0 L E
v 1
i L

=


Ce qui avec les valeurs adoptes pour le filtrage
L
E
= 800 H et C
S
= 10 F donne un coefficient
damortissement trs faible. Par exemple, pour un rap-
port cyclique d1/2 et une rsistance de charge de 90 ,
on calcule un coefficient amortissement m 0,1 et une
pseudo-priode T
0
1,1 ms. La simulation de ce
convertisseur sous matlab/simulink confirme ces calculs,
comme le montre la figure 17.
On choisit donc une priode dchantillonnage de
T
ch
= 50 ms avec deux convertisseurs analogique-
numrique de 10 bits. Et pour supprimer les invitables
ondulations de dcoupage prsentent sur les variables
mesures i
P
et v
P
, nous plaons en amont des convertis-
seurs des filtres analogiques passe-bas du second ordre
F
D
/ 100.

0.009 0.01 0.011 0.012 0.013 0.014 0.015 0.016 0.017 0.018
30
32
34
V
c
h
Vch(t)
Rponse indicielle du hacheur lvateur
0.009 0.01 0.011 0.012 0.013 0.014 0.015 0.016 0.017 0.018
0.6
0.8
1
temps (seconde)
i
L
iL(t)


Figure 17 : simulation dun chelon de commande de
0,05 autour de
0
= . Rponse de v
Ch
(t) et de i
L
(t)

Le choix de la valeur de lincrment/dcrment de la
commande va rsulter dun compromis entre rapidit
et prcision. Plus celui-ci est petit, meilleure sera la
prcision de laccrochage en rgime permanent sur le
maximum de puissance : rappelons que celui-ci est d-
tect par oscillation autour de sa position. En revanche
plus la valeur est faible plus la convergence de
lalgorithme la suite dun lment perturbateur est
lente. Il nous a sembl que les variations de
lenvironnement ne dpassant pas la seconde, il tait
surtout essentiel de privilgier la prcision. Pour cela
nous avons ralis un essai en boucle ouverte pendant
lequel le rapport cyclique balayait la plage [0 ; 1]. Ceci
nous a permis de localiser le maximum de puissance
pour un cas de figure prcis ce qui permettra dans un
deuxime temps de valider que lalgorithme implant
converge bien vers le maximum de puissance. Ceci nous
a galement permis dobserver quune rsolution sup-
rieure 8 bits tait inutile compte-tenu de la prcision de
nos mesures. Nous avons adopt la valeur de compromis
= 0,0078= 1/128 ce qui nous amne parcourir toute
la plage de commande en environ 6 s. Lors des varia-
tions dclairement, nous verrons que cela nous a permis
de garantir des temps de raction de lordre de la se-
conde.

4.3 Rsultats exprimentaux

Figure 18 : montage dadaptation automatique
dimpdance (parties puissance et commande)

Ne disposant de dispositif de mesure de lclairement
solaire, nous avons ralis des expriences sous lumire
artificielle.
La premire exprience (figure 19), peu raliste, corres-
pond un clairement soudain du panneau aprs une
phase dobscurit. Connaissant tous les paramtres de
cette exprience nous validons ainsi le bon accrochage et
ds que possible de lalgorithme dadaptation automati-
que dimpdance.
La deuxime exprience (figure 20) consiste en une
variation par chelon de la charge lectrique alors que
lclairement reste identique. Directement aprs chaque
variation soudaine de la charge, la puissance prleve au
panneau diminue. Mais lalgorithme ragit en faisant
varier la commande et chaque fois directement dans le
bon sens. Le transitoire ne dure pas plus dune seconde.
Comme souhait, le point de convergence dfini par
lalgorithme est chaque fois le mme en terme de puis-
sance ; en effet, lclairement et la temprature tant
fixe, le potentiel du panneau est inchang tout au long de
lessai. En ngligeant les pertes du convertisseur
dadaptation, on a :
( ) ( ) ( ) ( )
P
2
P
Ch
2
P
Ch
2
Ch
R
V
R
1 V
R
V
P =

= =

la rsistance apparente R
P
vue par le panneau est :
( )
Ch
2
P
R . 1 R =
.
Donc toute diminution de la rsistance de charge R
une

entrane une diminution du rapport cyclique permettant
ladaptation dimpdance. Cest bien ce qui est observ.
La dernire exprience (figure 21) induit elle aussi une
dsadaptation transitoire de la charge R
P
vue par le pan-
neau. Il sagit cette fois-ci dune variation brutale
dclairement. Cette dernire induit une modification de
la caractristique I
P
= I(V
P
) du panneau. La nouvelle
caractristique ne rencontre plus la droite de charge
I
P
= V
P
/R
P
au point optimal ; il faut pour cela que la
commande volue. Directement aprs chaque variation
soudaine de la charge, la puissance prleve au panneau
diminue. Mais lalgorithme ragit en faisant varier la
commande et chaque fois directement dans le bon sens.
Le transitoire ne dure environ deux secondes, et on peut
mesurer par laire situe entre la courbe de puissance et
le segment de droite horizontale lnergie perdue par
rapport une raction instantane de lalgorithme. Pour
connatre limportance de ces pertes sur une journe, il
faudrait avoir des relevs prcis dun clairement rel
typique et ainsi mesurer la frquence des changements et
leurs rapidits. Si nous constations des changements
brutaux et frquents, il faudrait revoir notre stratgie de
MPPT pour conserver sa prcision tout en la rendant
plus rapide.
Panneau
sans clairement
Panneau clair
alpha
puissance
Figure 19 : clairement brutal du panneau

R
1
R
2
>R
1
R
1
R
2
puissance
alpha
Variation de charge
Figure 20 : variations brutales de la charge

E
1
E
2
<E
1
E
1
puissance
alpha
Variation dclairement
Figure 21 : variations brutales dclairement

5 Conclusion et perspectives
Comme nous lavons voqu en prambule, la diminu-
tion drastique des missions de gaz effet de serre va
tre un enjeu majeur de ce XXI
ime
sicle. Or, le secteur
du btiment est gros consommateur dnergie, particuli-
rement dans nos pays dvelopps. A titre indicatif, le
secteur des logements et des bureaux franais, avec 70,6
millions de tonnes quivalent ptrole, reprsente 44 % de
la consommation dnergie franaise [18]. Parmi
lensemble des solutions qui peuvent tre dployes, les
toitures solaires permettent une production localise
dlectricit sans nouvelle emprise au sol.
Lide qui sous tend notre contribution est de montrer
comment donner des tudiants du Gnie Electrique des
explications scientifiques et objectives sur les mrites et
les limitations de la filire photovoltaque. Par des exp-
riences simples, nous avons pu mettre en vidence
linteraction entre spectre lumineux et rendement du
panneau solaire et cela pour les deux technologies les
plus courantes : le silicium massif (c :Si) ou en couches
minces (a :Si). Nous avons galement pu insister sur le
second paramtre prpondrant qui est la temprature du
panneau. Cet chauffement nfaste du panneau pour la
conversion photolectrique, nous a ainsi amen dve-
lopper une exprience lmentaire de cognration. Par
ailleurs, nous avons galement explor le troisime as-
pect du gnrateur photovoltaque. Dans le but dune
optimisation systme, il sagit bien videmment
dadapter la source (ici non matrise) sa charge (ga-
lement inconnue). Pour cela nous avons dvelopp un
ensemble exprimental complet autour dun hacheur
pilot par un micro-contrleur PSoC trs adapt du
prototypage rapide comme cela peut avoir lieu en salle
de travaux pratiques. Ce dernier sujet couvre bien tous
les aspects abords par les tudiants de Gnie Electri-
que : capteurs, filtrage, micro-contrleur, programmation
temps rel en langage C et lectronique de puissance.
Pour parfaire cette srie de TP., il faudrait mettre en
place un dispositif de mesure de lclairement solaire qui
permettrait dvaluer la rapidit des changements rels
de luminosit. Il serait galement intressant denvisager
un dispositif dacquisition et dintgration qui ferait le
bilan entre lnergie convertible et lnergie effective-
ment convertie sous forme lectrique. Ce rendement sur
cycle rel serait le meilleur indicateur de la performance
des diffrents outils de recherche du maximum de puis-
sance (MPPT).

Remerciements :
Nous remercions notre collgue de Paris Sud Delphine
Marris-Morini travaillant lInstitut dElectronique
Fondamentale (I.E.F.) pour les mesures de spectres lu-
mineux quelle nous a aid raliser.
Pour la mise en uvre du micro-contrleur PSoc, nous
souhaitons remercier nos collgues de lIUT de Cachan
Yves Guinand et Jean-Yves Lechenadec pour avoir gui-
der notre prise en main de ce composant.

6 Bibliographie
[1] H. Descamps, G. Galasso, F. LEman, R. Mouyal,
Enjeux, dfis et activits pdagogiques au lyce Csar
Baggio de Lille
La Revue 3EI, n 50, septembre 2007
[2] Bernard Multon, Julien Seigneurbieux, Marie Ruel-
lan, Hamid Ben Ahmed
Energie et dveloppement durable
Bulletin des anciens lves de lENSET / ENS de Ca-
chan, n228, fvrier 2006
[3] Jean-Claude Sabonnadire et al
Nouvelles technologies de lnergie, tome3, gothermie
et nergie de la biomasse
Hermes
[4] Adolphe Nicolas
2050, rendez-vous risques
Belin Pour la science
[5] Dominique Kopp
Convoitises sur les ressources stratgiques de lArctique
Dbut de guerre froide
Le Monde Diplomatique, septembre 2007, pages 4 - 5
[6] Assemble Nationale N 3021
Rapport fait au nom de la mission dinformation sur
leffet de serre prside par Jean-Yves Le Daut
[7] www.populationmondiale.com
[8] International Energy Agency
Key World Energy Statistics - 2007
[9] Michel Amiet
La thorie des 3 E
La Revue 3EI, n 46, septembre 2006
[10] Bernard Multon, Jacques Ruer
Stocker lnergie : oui, cest indispensable et cest pos-
sible. ! Pourquoi ? O ? Comment ?
Publication du club ECRIN : www.ecrin.asso.fr
[11] Alain Ricaud
Modules photovoltaques, filires technologiques
Trait de Gnie Electrique des Techniques de
lIngnieur, D 3 940
[12] Simone Matte
Rayonnement thermique des matriaux opaques
Trait de Gnie Electrique des Techniques de
lIngnieur, BE 8 210
[13] Lang Tran Tien
Circuits Fondamentaux de llectronique analogique
Lavoisier, Tec&Doc, 1996
[14] Ludovic Protin et Stephan Astier
Convertisseurs photovoltaques
Trait de Gnie Electrique des Techniques de
lIngnieur, D 3 360
[15] Jrme Fadat
Chane de conversion photovoltaque, commande MPPT
La Revue 3EI, n 43, dcembre 2005
[16] V. Lger, D. Gatel, K. Pellion, Y. Vincent, J. Escas-
sut, T. Vignal, B. Lequilleuc, J. Pichon
Chane de conversion solaire-photovoltaque
La Revue 3EI, n 46, septembre 2006
[17] http://www.cypress.com
[18] Observatoire de lnergie