Amplificadores N

Unidad temtica 6:
Tema 2

AMPLIFICADORES DE ALTO RENDIMIENTO
APUNTE TERICO

Profesor: Ing. Anbal Laquidara.
J.T.P.: Ing. Isidoro Pablo Perez.
Ay. Diplomado: Ing. Carlos Daz.
Ay. Diplomado: Ing. Alejandro Giordana
Ay. Alumno: Sr. Nicols Ibez.

URL: http://www.ing.unlp.edu.ar/electrotecnia/electronicos2/

CIRCUITOS ELECTRNICOS II Universidad Nacional de La Plata
Amplificadores de alto rendimiento FACULTAD DE INGENIERA
Teora

110621 http://www.ing.unlp.edu.ar/electrotecnia/electronicos2/ Pgina 2 de 37

1 Introduccin

Los avances en la tecnologa de construccin de semiconductores, han permitido que la utilizacin
de estos diseos sea de ms fcil acceso. Poseen topologas circuitales que les permiten obtener
rendimientos mayores a los que se consiguen con las configuraciones de las clases A , B o C.
Podemos considerar que la importancia de su utilizacin se debe a :

1. Un mayor rendimiento, el cual nos introduce un mejoramiento en la ecuacin econmica
de explotacin, sobre todo si se trata de una etapa de elevada potencia, tanto en el rea de las
comunicaciones como en la industrial.
2. Menor consumo de energa primaria, que se traduce en menor tamao de las fuentes de
alimentacin, lo que disminuye el costo de fabricacin.
3. En el campo de los equipos porttiles, un ahorro de energa se convierte en una mayor
autonoma en lo que a bateras se refiere.
4. La menor disipacin, permite la disminucin de volumen y peso de los elementos
destinados a sta.
5. Una menor temperatura de juntura, asegura mayor confiabilidad y durabilidad de los
semiconductores involucrados en los dispositivos.
El aumento de eficiencia se logra por tcnicas que reducen el producto voltaje corriente de
colector, lo que reduce la potencia disipada por el dispositivo activo.
En las clases D, E y S se usan los dispositivos activos como conmutadores en vez de usarlos como
fuentes de corriente (idealmente un conmutador no disipa potencia).
Las clases F, G y H usan tcnicas de circuito especiales para reducir el producto
mencionado.

2 Amplificador clase D

En este tipo de amplificador se emplean un par de dispositivos activos y un circuito de
salida sintonizado. Los dispositivos operan como llaves de dos polos con una forma de onda de
corriente o voltaje rectangular. El circuito de sintona elimina todas los armnicos dando una salida
sinusoidal. Eficiencia ideal: 100%.

2.1 Configuracin voltaje complementario o conmutador de tensin:

En la figura 1 se muestra esta configuracin, para el anlisis consideraremos al circuito como ideal
con dos transistores BJT, aunque podra tratarse tambin de dos UJT o de vlvulas.
El transformador de excitacin tiene sus bobinados secundarios en contrafase, esto hace que
1
Q y
2
Q se energicen con corrientes que estn desfasadas 180, por lo tanto si
1
Q est activo,
2
Q est
cortado y viceversa, como se observa en la figura 2.
b
C es lo suficientemente grande para enviar a tierra cualquier componente de corriente alterna de la
seal, manteniendo un voltaje constante
cc
V en el colector de
1
Q .

Teora


Figura 1: Circuito de un amplificador de potencia clase D de configuracin de voltaje complementario.

Figura 2: Circuito equivalente de un amplificador de potencia clase D de configuracin de volt aje complementario.

Se supone un ciclo de trabajo del 50%, esto implica que ( )
2 c
v es una onda cuadrada de valor
cc
V
para < < 0 , y cero para < < 2 , como se observa en la figura 3.

Figura 3: Forma de onda del voltaje de colector de un amplificador de potencia clase D de configuracin de voltaje
complementario.

Teora


Como el valor medio no es cero, definimos a ( ) ( )
1
]
1
+ S V v
cc c
2
1
2
1
2

Donde ( ) S es una funcin de onda cuadrada, que descompuesta segn Fourier es :

( )

,
_
+ + +
5
5
1
3
3
1 4
sen sen sen S
Luego:

( )

,
_
+ 5
5
2
3
3
2 2
2
1
2
sen sen sen V v
cc c

La corriente de salida se determina por la respuesta del filtro de salida, reducindose a niveles
despreciables todas las componentes distintas a la fundamental segn el diseo lo requiera.
Con un correcto filtrado la corriente de salida ( )
0
i ser :

( )
sen
R
V
i
cc
2
0

Las corrientes de colector son medias sinusoides con valores pico
R
V
I
cc
cm
2
(figura 4).

Figura 4: Formas de onda de las corrientes de colector de un amplificador de potencia clase D de configuracin de
voltaje complementario.

La amplitud
max
V
0
del voltaje de salida ( )
0
v es :
cc
max
V
V
2
0

Teora


La potencia de salida:
R
V
.
R
V
R
V
P
cc cc max
2 2
2
2
0
0
203 0
2
2

La corriente tomada de la fuente es la media de ( )
1
i :
R
V I
I
cc cm
DC
2
2

Por lo tanto, la potencia de entrada es:
R
V
I V P
cc
DC cc i
2
2
2

El rendimiento: %
R
V
R
V
P
P
%
cc cc
i
100 100
2 2
100
2
2
2
2
0

,
_

Este resultado se debe a la accin de switcheo (si 0
colector
V , 0
colector
I )

2.2 Configuracin acoplada por transformador:

Se usan transformadores de banda ancha con derivacin central, como se observa en la
figura 5 .

Figura 5: Circuito de un amplificador de potencia clase D de conmutacin de voltaje acoplado a
transformador.

Los transistores conmutan a encendido y apagado alternadamente, cuando
2
Q satura coloca
cc
V a
travs del devanado primario que pone ( )
cc
V m / n en el secundario. Si
1
Q se satura aparece
( )
cc
V m / n en el secundario, entonces,
( ) ( ) S V
m
n
v
cc

Los voltajes de colector son ondas cuadradas con niveles 0 y
cc
V 2 como se ve en la figura 6.

Teora


Figura 6: Formas de onda de los voltajes de colector de un amplificador de potencia clase D de
conmutacin de voltaje acoplado a transformador.

El voltaje de salida es la fundamental de ( ) v con
cc m
V
m
n
V
4
0
como se vio antes.

La potencia de salida es:
R
V
R
n
m
V
R
V
R
V
P
cc cc m
ef
2
2
0
2
2
2
0
2
0
0
2
0
8 8
2

,
_

Con
0
2
R
n
m
R

,
_
impedancia en la frecuencia fundamental.

Las corrientes de colector son medias sinusoides con amplitudes
R
V
cc
4

y la corriente DC que entra a la derivacin central ser:
R
V
I
cc
DC
2
8

Como la potencia entregada por la fuente de alimentacin es
R
V
I V P
cc
DC cc i
2
2
8

Se tiene que:

%
R
V
R
V
P
P
%
cc cc
i
100 100
8 8
100
2
2
2
2
0

,
_

2.3 Configuracin de conmutacin de corriente acoplada por transformador:

Esta configuracin se muestra en la figura 7 y es el dual de la configuracin anterior.

Teora


Figura 7: Circuito de un amplificador de potencia clase D de conmutacin de corriente acoplado a
transformador.

Las formas de onda de voltaje y corriente se intercambian. La bobina RFC inyecta una
DC
I
constante. Cualquiera de los dispositivos que est en conduccin recibe la totalidad de la corriente
de entrada, generando en los colectores, ondas cuadradas de niveles 0 e
DC
I .
( ) ( ) ( ) ....... sen sen sen I
n
m
S I
n
m
i
DC DC
+ + +
5 3
4

La salida sintonizada paralelo puentea a las componentes armnicas de ( ) i a tierra y slo llega a la
carga la fundamental que produce una
0 0
4
R I
n
m
V
DC m

.
Este voltaje transformado a cada rama del primario nos da una media sinusoide con amplitud pico
R I V
m
n
V
DC m Cmx

8
0
.
En la derivacin central del transformador tendremos un voltaje ( )
CT
v , que tiene la forma de onda
de una seal de rectificacin completa, con ( ) 2 / V v
cc CT
, lo que da una tensin de colector
cc mx C mx C
V v v
2 1
.
La corriente de entrada de continua es:
R
V
I
cc
DC
8
2
.
Y las potencias de entrada y salida:
R
V
P P
cc
i o
2 2
8
.

La potencia de salida no es igual a la del caso anterior, y la eleccin de la configuracin depende
entonces del voltaje de alimentacin, de la carga y de
o
f , porque los dispositivos deben conmutar
ms rpido con una corriente en onda cuadrada.

2.4 Excitacin de los Amplificadores Clase D:

La condicin fundamental que impone la excitacin de los amplificadores clase D, es que la seal
de entrada debe poseer la suficiente potencia como para asegurar que los componentes activos se
saturen y corten en los semiciclos correspondientes.

Teora


Si analizamos el circuito de entrada de un clase D, vemos que para asegurar que los transistores
estn saturados debe ser ( )

V v
B
, con una corriente ( )
( )
FE
C
B
H
i
i

Figura 8: Circuito excitacin clase D.

La corriente sinusoidal impulsada desde el primario del transformador de excitacin origina que una
corriente tambin sinusoidal penetre en cada una de las bases, haciendo que en el correspondiente
semiciclo positivo, la tensin de estas se eleve hasta el valor
V , saturando al transistor en cuestin

y reflejando -

V en la base del otro asegurando que se encuentre cortado.
El voltaje de onda cuadrada que aparece sobre las bases, estar presente en el devanado primario del
transformador como una onda cuadrada de valor
,
_
t V
m
n
.
La impedancia presentada al excitador ser la relacin entre la componente fundamental de la
tensin y la corriente en el primario del transformador, haciendo uso de la funcin ( ) S como se
vio para la onda cuadrada en el colector, el valor mximo de esta componente de tensin de primer
armnico ser:

V
m
n
v
ex
4
. Y por lo tanto el valor eficaz estar dado por
V
m
n
v
ex
2
4

La corriente que es sinusoidal tendr un valor eficaz
2
B
ex
i
n
m
i
Resulta entonces que la resistencia de entrada es
,
_

B
ex
ex
ent
i
V
m
n
i
v
R
2
4

Teora


Y teniendo en cuenta la relacin entre la corriente de base y la de colector, la potencia de excitacin
mnima necesaria ser
FE
C
ex ex ent
H
i
V i v P

2
que para un clase C conmutador de tensin
como el analizado en el apartado 2.1 se convierte en:
a arg c FE
cc
ent
R H
V V
P
2
4

Si calculamos la ganancia de potencia para este caso en particular:
V
H V
P
P
G
FE cc
entrada
salida
P

2

Figura 9: Formas de onda excitacin clase D.

2.4 Apartamiento de las condiciones ideales en los Amplificadores Clase D:

En el anlisis del funcionamiento de este tipo de amplificadores, hemos dejado de lado los aspectos
que introducen perdidas, y por lo tanto el rendimiento calculado es del 100%.
Examinaremos ahora dos de los elementos que los apartan de esta condicin, estos son la tensin de
saturacin de los transistores y el tiempo de crecimiento en los flancos de ( )
2 c
v que supusimos
como una onda cuadrada perfecta.

Teora


En el primer caso, tanto en la saturacin de
1
Q como en la de
2
Q , la tensin efectiva de la fuente de
alimentacin se ver reducida y podemos por lo tanto introducir el concepto de una tensin
ef . cc
V
para luego utilizarlo en todos los clculos, salvo para la potencia de entrada.
Por ejemplo para la configuracin complementaria o conmutadora de tensin

,
_

cc
sat
cc sat cc ef . cc
V
V
V V V V
2
1 2
Y para las configuraciones acopladas a transformador
,
_

cc
sat
cc sat cc ef . cc
V
V
V V V V 1

Para todas las configuraciones que utilicen transistores FET, deber tenerse en cuenta la resistencia
on
R de encendido, que queda efectivamente en serie con la resistencia de carga en el drain
c
R ,
debindose utilizar
ef . DD
V para todos los clculos excepto para la potencia de entrada desde la
fuente de alimentacin.
on c
c
DD ef . DD
R R
R
V V
+

Para el segundo punto, el que nos aparta de una forma de onda cuadrada para introducir los tiempos
de transicin, es posible utilizar una simplificacin del problema para cuando estos son pequeos
sin cometer grandes errores. Si consideramos que la forma de onda de tensin es trapezoidal, es
decir que las conmutaciones producen formas de voltaje en rampa y que el tiempo
s
t requerido por
un solo transistor para completarla se convierte en una porcin angular del ciclo como
s s
t . f . 2 ,
y que por lo tanto ambos transistores completan la conmutacin en
s
2 , podemos obtener el voltaje
de salida mediante una integral de Fourier de una forma de onda trapezoidal, esto nos llevar a
poder expresar el rendimiento del amplificador con una correccin que tendr en cuenta estos
tiempos y la reduccin de la tensin de fuente mediante la utilizacin de la
ef . cc
V correspondiente a
la configuracin utilizada.

sen
V
V
cc
ef . cc

3 Amplificador clase E

Un Clase E es un amplificador no lineal, en el sentido que las variaciones en la amplitud de la seal
de entrada no se reproducirn a la salida en ninguna forma aceptable, y adems demuestran tener
eficiencia superior con circuitos ms simples que las clases convencionales de ngulo reducido de
conduccin.
La Figura 10 muestra un amplificador Clase E ideal. Consiste en un conmutador S , un choke
ch
L en
la alimentacin, la capacidad
s
C , un circuito sintonizado C L y una carga
L
Z .

Teora


Figura 10: Circuito de un amplificador de potencia clase E ideal.

Con una tasa del 50% el conmutador S est encendido la mitad del perodo, y apagado la otra
mitad. Cuando S est encendido, el voltaje a travs del mismo es cero, y cuando est apagado, la
corriente es cero. Suponemos adems en este anlisis que :
1) A la frecuencia de trabajo,
ch
L tiene una reactancia de al menos 10 veces la de la carga para
asegurar la independencia de
dc
I , y que esta se mantenga constante.
2) La capacitancia
s
C incluye la capacitancia parsita de la llave.
3) El circuito C L resuena a la frecuencia fundamental de la seal de entrada.
4) El Q del circuito de carga es muy elevado y no existen corrientes a las frecuencias de los
armnicos.

3.1 Estudio del funcionamiento:

Un anlisis preliminar de los amplificadores Clase E ha sido reportado en varios documentos [
Sokal (1975) Ref.2 , Raab (1977) Ref.7 , Kazimierczuk (1983) Ref.8 ]. Comenzamos con la
reproduccin de este concepto. Despus del transitorio inicial, en estado permanente, podemos
plantear dos ecuaciones para el nodo A, una para cuando la llave se encuentra abierta (3.1) y otra
para cuando la misma esta cerrada (3.2).

( ) ( ) t i I t i
o dc c
t w
s
0 (3.1)
( ) ( ) t i I t i
o dc s
2 t w
s
(3.2)

Generalizando a ) t ( i
o
) t w ( sen I ) t ( i
s dc o
+

Teora


Transformndose la (3.1) y la (3.2) en

( ) ( ) ( ) + t w sen I t i
s dc c
1 t w
s
0 (3.3)
( ) ( ) ( ) + t w sen I t i
s dc s
1 2 t w
s
(3.4)

Donde
s
w es la frecuencia de la seal,
dc
I es la corriente continua que proviene de la fuente, y y
estn pendientes de calcularse.
Ahora teniendo en cuenta que ( )
dt
dv
C t i
s
s c
, podemos calcular a ( ) t v
s
como:
( ) ( )
dt t i
C
t v
c
s
s
1

Obteniendo las ecuaciones (3.5) y (3.6)
( ) ( ) ( )
+ dt t w sen
C
I
t v
s
s
dc
s
1 t w
s
0
( ) ( ) ( ) ( ) + + cos t w cos t w
C w
I
t v
s s
s s
dc
s
t w
s
0 (3.5)
( ) 0 t v
s
2 t w
s
(3.6)
El funcionamiento ptimo de un amplificador Clase E requiere dos condiciones [Sokal, 1975]

0
2

,
_
s s
T
dt
dv
(3.7) ( ) 0
2

,
_
s
s
T
t v (3.8)

Estas condiciones evitan disipacin de potencia al cortocircuitar el capacitor
s
C , dado que tiene una
tensin de valor muy cercano a cero durante un tiempo de conmutacin no nulo en la transicin.
Haciendo uso de estas condiciones en las ecuaciones (3.3) y (3.5), se calculan las constantes y .
De (3.3) ( ) + sen 1 0 (3.9)
Y de (3.5)
( ) ( ) ( ) + + cos cos 0 (3.10)
Despejando
de (3.9)
( )
+

sen sen cos cos sen sen
1 1 1
(3.11)
Reemplazando en (3.10)

sen
cos
sen
cos sen sen cos cos 2

2
tan , tan 48 32
2
1

,
_

(3.12)

Teora


Finalmente utilizando la relacin trigonomtrica
+

2
1
1
1
tan
sen y la ecuacin (3.11)

862 1
4
1
2
,
+ (3.13)

Ahora el voltaje ( ) t v
s
y la corriente ( ) t i
o
son conocidos en todo el rango, haciendo por comodidad
un cambio de variable ( ) t w
s
, nos quedan las ecuaciones 3.14 , 3.15 y 3.16 , representadas en
detalle en el apartado 3.4 .
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) [ ] , cos , cos
C w
I
v
s s
dc
s
48 32 48 32 + 0 (3.14)

( ) 0
s
v 2 (3.15)

) , ( sen I . ) ( i
dc o
48 32 862 1 2 0 (3.16)

3.2 Clculo de la impedancia de carga:

Debemos calcular a continuacin cul ser el valor de la impedancia
L
Z que har circular la
corriente ( ) t i
o
cuando se le aplique la ( ) t v
s
, para ello ya que estamos considerando que Q est
prximo a infinito, el circuito sintonizado solo dejar que
L
Z vea la fundamental ( ) t v
s1
a la
frecuencia
s
w .Aplicando serie de Fourier a la funcin peridica expresada por las ecuaciones 3.14
y 3.15 obtendremos:
( ) ( ) ( ) [ ]
+ +
1
0
n
s n s n s
t nw sen b t nw cos a a t v
De la cul tomamos el trmino para n=1 que corresponde a la fundamental de ( ) t v
s
.

( ) ( ) ( ) ( )
1 1 1 1 1
+ + t w sen c t w sen b t w cos a t v
s s s s

Donde
( ) ( )
dt t w cos t v a
s s
2
2
1
y ( ) ( )
dt t w sen t v b
s s
2
2
1

2
1
2
1 1
b a c + y
1
1 1
1
b
a
tan

567 0 48 32 . ,
radianes

Teora


( ) ( ) [ ]
0
1
567 0 567 0 862 1
2
2
d cos . cos . cos .
C w
I
a
s s
dc

4673 0
1
.
C w
I
a
s s
dc

( ) ( ) [ ]
0
1
567 0 567 0 862 1
2
2
d sen . cos . cos .
C w
I
b
s s
dc

5708 1
1
.
C w
I
b
s s
dc

5216 0
1
.
C w
I
c
s s
dc
y 289 0
1
.
rad

( ) ( ) . t w sen .
C w
I
t v
s
s s
dc
s
55 16 5216 0
1
+ (3.17)
Aplicando transformada de Laplace a las ecuaciones 3.16 y 3.17, y teniendo en cuenta que nos
encontramos en presencia de funciones sinusoidales con retardos de tiempos, obtenemos:
s
w
.
s
s
s
dc o
e
w s
w
I . ) s ( i

+

180
48 32
2 2
2
862 1

( )
s
w
.
s
s
s
s s
dc
s
e
w s
w
C w
I
. s v

+

180
55 16
2 2
2
1
5216 0

Luego:
( )
( )
( )
s
w
s
s s o
s
L
e
C w
.
s i
s v
s Z

180
49
1
28 0

Reemplazando s por jw y pasando de radianes a grados llegamos a la ecuacin 3.19:
( )
( )
( ) jsen cos
C w
.
e
C w
.
t i
t v
Z
s s
j
s s o
s
L
49 49
28 0 28 0
49 1
+ (3.19)

Considerando ahora que la parte real de la impedancia
L
Z es la resistencia de carga
L
R , podemos
obtener la relacin entre sta y el capacitor
s
C . Esta resistencia de carga es un dato en el diseo o
bien es calculada para obtener la potencia deseada en la salida del amplificador.

L s L s
s
R w
.
R w
cos .
C
1836 0 49 28 0
(3.20)

Y tiene susceptancia:
L
s s s
R
.
C w B
1836 0
(3.21)
Otra relacin importante que podemos obtener de la ecuacin 3.19, es la que existe entre la
resistencia de carga
L
R y la parte reactiva de
L
Z .
( ) ( )
1 1
49 49

sen X cos R Z
L L L

Teora


L L L
R . R tan X 15 1 49 (3.22)
Constructivamente la parte reactiva de la carga deber ser agregada si sta no la tuviere, quedando
en serie con
o
L ,con lo que la inductancia deber tener un valor L L
o
+ .
En la figura 11 mostramos como ha de quedar el circuito equivalente si ponemos de manifiesto que
la carga
L
Z esta compuesta de la resistencia
L
R ms una L como se desprende de la ecuacin
(3.19) .

Figura 11: Circuito de un amplificador de potencia clase E ideal con carga resistiva.

3.3 Relacin entre Vo y Vcc:

Partiendo de la ecuacin 3.1: ( ) ( ) ( ) + t senw I t i I t i
s dc c dc o

Podemos decir que:
2 2
dc omx
oef dc omx
I I
I I I

(3.23)
Y debido a que estamos considerando que el amplificador no tiene prdidas:
cc dc L
dc
L
oef
o
V I R
I
R I P

2
2 2
2

L
cc
dc L
dc
cc dc i o
R
V
I R
I
V I P P
2
2 2
2
2

(3.24)
L
cc
L
cc
L
cc
o
R
V
.
R
V
R
V
P
2
2
2
2
2
5768 0
4
1
2 2
,
_
(3.25)

Teora


De donde:
cc omx cc oef
L
oef
o
V . V V . V
R
V
P 07 1 759 0
2
(3.26)
Adems si llamamos
dc
R a la resistencia que el circuito presenta a la fuente de alimentacin
cc
V ,
podemos decir ahora que:
L
L
L dc
R .
.
R
R R 734 1
5768 0 2
4
1
2

,
_

+
(3.27)
3.4 Formas de onda:

Nos proponemos ahora visualizar las formas de onda de tensin y corrientes del amplificador, como
as tambin algunos de los valores relativos importantes en ciertos puntos singulares del perodo,
stos sern utilizados en el proceso de diseo del mismo y de la eleccin de sus componentes.

3.4.1 Tensin en la llave:

Las ecuaciones (3.14) y (3.15) describen como ha de ser la tensin en la llave a lo largo de un
perodo completo. Si bien sabemos por las consideraciones del diseo que en el semiperodo desde
180 a 360 sta debe ser de 0 volts, otro valor que reviste de importancia es su mximo. Para
calcularlo igualamos su derivada a cero, obteniendo los ngulos en que se produce un cambio de
pendiente, luego utilizando estos resultados en (3.28), llegamos al valor
smx
V en funcin de
cc
V
que ser de suma importancia en la eleccin del elemento que oficiar de conmutador.
Comenzamos reemplazando en (3.14) los valores obtenidos en (3.21) y (3.24) para tener la relacin
existente entre ( )
s
v y
cc
V .

( ) ( ) ( ) ( ) ( ) [ ] , cos , cos V . v
cc s
48 32 48 32 14 3 + (3.28)
Calculamos el ngulo en que se produce el mximo:

( ) ( ) + sen . I
dc
862 1 1 0 ( ) 537 0 48 32
862 1
1
. , sen
.

,96 64
1
y 180
2

Utilizando
1
en (3.28)
cc mx s
V . V
56 3 (3.29)

Teora


Figura 12: Forma de onda de voltaje ideal del amplificador clase E.

3.4.2 Corrientes en el amplificador:

Tenemos que ver ahora las formas de onda de las corrientes que calculamos en las ecuaciones (3.3),
(3.4) y (3.16) y para poder relacionarlas lo haremos sobre un mismo grfico.
Los puntos de inters ahora son los que se encuentran en los instantes en que conmuta la llave; Para
el cierre de la misma, la corriente en el capacitor es cero debido a las condiciones iniciales que se
supusieron en el diseo, pero para la apertura, en 2 , la misma tiene un valor pendiente de calcular.
Esta es importante de tener en cuenta, cuando se cuantifiquen las prdidas por conmutacin.

( ) [ ] , sen . I i
dc off s
48 32 2 862 1 1

dc off s
I i 2
(3.30)
Otro valor de importancia es el valor mximo de la corriente en la llave, ya que este tambin
influir en la eleccin de la misma. Haciendo ( ) 1 + sen en (3.4) nos queda:

dc mx s
I . i
862 2 (3.31)

Teora


Figura 13: Formas de ondas de corrientes del amplificador clase E.

3.5 Apartamiento de las condiciones I deales
En la situacin ideal, la eficiencia de un amplificador Clase E es 100%, en la prctica varios
factores dan como resultado disipacin de potencia y la reduccin de sta.
Analizaremos ahora que sucede cuando las condiciones idealizadas en los prrafos anteriores no se
cumplen, utilizando para ello el circuito de la figura 14 y dividiendo el anlisis en cuatro grupos
segn las causas que originan las prdidas.
Debidas al voltaje de saturacin, resistencia de saturacin, tiempo de conmutacin no nulo,
e inductancia de cableado, stas sern las causas principales de ineficiencia cuando un
amplificador de Clase E est ajustado correctamente [F. H. Raab y N. O. Sokal, Ref.9].
A las resistencias inherentes a los componentes pasivos,
s
C ,
o
L ,
o
C y
ch
L .
A que el Q del circuito de carga tiene un valor finito.
A la potencia consumida en controlar el transistor para que acte como conmutador, esta
una funcin de las caractersticas del transistor y de la forma de onda de control.
Al efecto combinado puede llegarse estimando la potencia disipada por cada causa por separado,
como si las otras no existieran y luego sumar los resultados para obtener el total.
Entonces
in
. perd in
P
P P

donde
in
P es la potencia total de entrada y
. perd
P es la
sumatoria de todas las prdidas. Utilizaremos para todos los clculos una tasa de trabajo del 50% y
tendremos en cuenta que en el caso del amplificador ideal su potencia de salida
in oideal
P P .

Teora


Figura 14: Circuito de un amplificador de potencia clase E para el anlisis de las prdidas.

3.6 Las prdidas en la llave y el cableado
3.6.1 El voltaje de saturacin:
Los transistores bipolares se caracterizan por un voltaje de colector a emisor aproximadamente
constante
sat
V durante la saturacin. Las pequeas modificaciones de este voltaje con las
variaciones de la corriente del colector pueden tomarse en cuenta usando
on
R . Un voltaje de
saturacin constante reduce la tensin efectiva del colector, figura 15:
sat cc ef
V V V

Figura 15: Tensin en la llave cuando existe
sat
V .

Teora


Usando este principio, de (3.25) tenemos que la potencia de salida queda definida por:
( )
( )
dc sat cc
dc
L
ef
L
ef
L
sat cc
o
I V V
R
R V
R
V
R
V V
P
,
_
2
2 2
2
2
2
2
2
4
1
2 2

Como
cc
in
dc dc cc in
V
P
I I V P y
dc sat Vsat . perd
I V P
in
cc
sat
Vsat . perd
P
V
V
P (3.32)
3.6.2 La resistencia de saturacin

Tendremos en cuenta ahora a la que hemos denominado
on
R , que puede utilizarse tambin para los
transistores de efecto de campo y tubos de vaco, ya que estos pueden caracterizarse por una
resistencia aproximadamente constante durante la saturacin. El flujo de corriente a travs de esta
resistencia disipa potencia en el dispositivo. La corriente que fluye en el dispositivo causa un
voltaje variable que aparece en sus terminales durante la saturacin alterando apenas la forma de la
onda.
La potencia disipada por
on
R podemos calculada aproximadamente asumiendo que la potencia de
entrada, potencia de salida, y todas las formas de onda (excepto el voltaje en los terminales de la
llave durante la saturacin) permanecen tal cual en el amplificador ideal.
Entonces la potencia disipada es:
( ) [ ]
off
on
on s Ron . perd
d R i P
2
2
1
( ) ( ) [ ]
2
2
1
2
d sen I
R
dc
on

( ) [ ]
2
2
2
1
2
d sen
I R
P
dc on
Ron . perd

( ) ( ) ( ) [ ]
+ + +
2
2 2
2
2 1
2
d sen sen
I R
P
dc on
Ron . perd

1
1
]
1

+ +
2
4
2
2 2
cos
I R
P
dc on
Ron . perd

Que utilizando la ecuacin 3.23:
1
1
]
1

+ +

2
4
2
2
2
cos
I R
P
oef on
Ron . perd
[ ] 446 5 283 6 14 3
895 10
2
, , ,
,
I R
oef on
+ +

2
365 1
oef on Ron . perd
I R . P (3.33)

Teora


3.6.3 El tiempo de transicin:

Como el voltaje del colector y la corriente del colector son muy pequeos durante la transicin
apagado - encendido, la potencia disipada durante esa transicin es pequea comparada con la
disipada durante la transicin encendido - apagado, y por tanto puede despreciarse.
La potencia disipada durante la transicin encendido apagado puede obtenerse asumiendo que la
forma de onda de la corriente del colector en ese instante es una rampa, como se muestra en la
figura 16, e integrando el producto de voltaje y corriente durante el apagado.
Es conveniente asociar el tiempo de apagado de corriente
f
t que tiene por unidad el segundo, a su
correspondiente ngulo en radianes, entonces definimos
f
como:
2
T
t
f
f
(3.34)

Figura 16: Corrientes en la conmutacin encendido-apagado de la llave.

Donde T es el perodo de la seal con que se est excitando al amplificador. Aclaramos que
f
t o
f
incluyen solamente el tiempo de cada de la corriente, el retraso del tiempo de almacenamiento
en la llave equivale a un incremento de la tasa de trabajo y sus efectos son tenidos en cuenta al
analizar las prdidas en
on
R , dadas por la ecuacin 3.33. Como ya indicamos, la forma de onda de
corriente durante la transicin es una rampa, empezando en
off s
i

(ecuacin 3.30) para cero
radianes, en el momento de la conmutacin y decayendo hasta 0
s
i en
f
, por lo tanto:
( )
,
_

f
off s s
i i 1
f
0

Teora


Y aproximadamente la corriente que carga el capacitor es tambin una rampa:
( )
f
off s c
i i

f
0
Entonces el voltaje del colector durante la transicin es una parbola de la forma:
( ) ( ) ( )

0 0
2
2
1
f s
off s
f s
off s
c
s
c s
B
i
d
B
i
d i
B
v v
La potencia disipada durante la transicin es entonces:
( ) ( )
,
_

d
B
i
d i v P
f
f s
off s
f
f
s s . trans . perd
0
2
2
0
2
1
2
1
2
1

,
_
,
_
2 2
2
0 2
3 2
2
4
1
3
1
4 2 2
1
f f
s
off s f
f
f s
off s
. trans . perd
B
i
d
B
i
P
s
f off s
. trans . perd
B
i
P

48
2 2

Utilizando las ecuaciones 3.21 y 3.30:

1836 0 48
4
2 2
.
R I
P
L
f dc
. trans . perd

Y con 3.13, 3.23 y 3.34 :
2 2 2 2 2
29 3
12
1
oef L f oef L f . trans . perd
I R f t . I R P (3.35)

3.6.4 La inductancia parsita en serie:

La inductancia total del cableado entre el colector real (dentro del paquete del transistor) y el
capacitor de (shunt), as como la inductancia del cableado entre el emisor real y tierra tambin son
fuente de prdida de potencia. Si
s
L representa la inductancia total del cableado del circuito colector
emisor, la energa almacenada al apagarlo es:
2
2
1
off s
s
i L e

Y la potencia disipada es:
f i L P
off s
s Ls . perd

2
2
1

Donde f es la frecuencia de conmutacin. Para operacin ptima con una tasa de trabajo del 50%,
la ecuacin 3.30 nos dice que
dc off s
I i 2
, con lo que nos queda:

f I L P
dc s Ls . perd

2
4
2
1

Y utilizando 3.23:
2 2
2
15 1
4
oef s oef
s
Ls . perd
I f L . I
f L
P
(3.36)

Teora


La potencia es disipada a travs de voltaje no nulo y corriente no nula en el colector; las formas de
onda reales no son importantes, ya que la energa total disipada es funcin de
s
L y
off s
i

.

3.7 Las prdidas en los componentes pasivos:
3.7.1 La resistencia de prdidas del capacitor Cs :
Hemos llamado
ESCs
R a la resistencia equivalente serie del capacitor
s
C , y para cuantificar las
prdidas en ella utilizamos el mismo procedimiento que para
on
R , empleando ahora 0 y como
lmites de integracin.
( ) [ ]
on
ESCs c scs Re . perd
d R i P
0
2
2
1
( ) ( ) [ ]
0
2
1
2
d sen I
R
dc
ESCs

( ) ( ) ( ) [ ]
+ + +
0
2 2
2
2 1
2
d sen sen
I R
P
dc ESCs
scs Re . perd

( )
1
1
]
1
5669 0 4
2
2
2
2 2
. cos
I R
P
dc ESCs
scs Re . perd

Que utilizando la ecuacin 3.23:
( )
1
1
]
1
5669 0 4
2
2
2
2
2
. cos
I R
P
oef ESCs
scs Re . perd

[ ] 2829 6 5875 8
895 10
2
, ,
,
I R
P
oef
ESCs
scs Re . perd

2
2115 0
oef ESCs scs Re . perd
I R . P (3.37)

3.7.2 La resistencia de prdidas del circuito sintonizado:
A la resistencia equivalente serie del conjunto
o o
C L L + + la hemos denominado
ESLC
R , y por
ella circula la corriente de salida, por lo tanto las prdidas son :
2
oef
ESLC sLC Re . perd
I R P (3.38)

3.7.3 La resistencia de prdidas del choke de RF:
Por el choke de radiofrecuencia circula la corriente
dc
I y recurriendo nuevamente a la relacin que
nos da la ecuacin 3.23 obtenemos:

Teora


2
2
2
2
oef Lch dc Lch RLch . perd
I R I R P

2
5768 0
oef Lch RLch . perd
I R . P (3.39)

3.8 La sumatoria de prdidas y el rendimiento:
Definimos ahora
PT
P a la potencia de prdidas total,
IN
P a la potencia entregada por la fuente de
alimentacin y
out
P a la potencia til en la carga. De las ecuaciones 3.33 a 3.39 obtenemos:

PT
P =
Ron . perd
P +
. trans . perd
P +
Ls . perd
P +
scs Re . perd
P +
sLC Re . perd
P +
RLch . perd
P +
Vsat . perd
P

IN
cc
sat
oef
Lch ESLC ESCs s
L
f
on PT
P
V
V
I R . R R . f L .
R
R . P +
1
1
]
1
+ + + +
+
2
2
5768 0 2115 0 15 1
12
365 1
IN
cc
sat
oef PT
P
V
V
I R P +

2

2
oef IN
cc
sat
PT
I R P
V
V
P

(3.40)
Como
PT out IN
P P P + y
2
oef
L out
I R P
IN
cc
sat
oef oef L IN
P
V
V
I R I R P + +

2 2

2 2
oef oef
L IN
cc
sat
IN
I R I R P
V
V
P +

[ ]
2
1
oef L
cc
sat
IN
I R R
V
V
P +
1
]
1

(3.41)
Dividiendo miembro a miembro 3.9 por 3.10:
[ ]
1
]
1
R R
R
V
V
P
P
V
V
P
L
cc
sat
IN
IN
cc
sat
PT
1

[ ]
IN
cc
sat
IN
cc
sat
L
PT
P
V
V
P
V
V
R R
R
P +
1
]
1
1
[ ]
IN
L
L
cc
sat
PT
P
R R
R
V
V
R
P
+
1
]
1
(3.42)
Pudiendo ahora calcular el rendimiento como:
[ ]
[ ]
+
1
]
1
+
1
]
1

R R
R R
V
V
P
P
R R
R R
V
V
P
P
P P
L
L
cc
sat
IN
IN
L
L
cc
sat
IN
IN
. perd IN
1

Teora


( )
100 1
1
1
1
1
1
]
1
,
_
R R
R R
V
V
%
L
L
cc
sat
(3.43)
Con
1
1
]
1
+ + + +
+
Lch ESLC ESCs s
L f
on
R . R R . f L .
R
R . R 5768 0 2115 0 15 1
12
365 1
2

La ecuacin 3.43 nos dice que para obtener un alto rendimiento, es necesario reducir al mnimo el
valor de
R . Adems debemos tener en cuenta que los resultados obtenidos son aplicables para
cualquier tipo de transistor utilizado como llave, para los Mesfet y Mosfet slo ser necesario hacer
0
sat
V .
Las prdidas debido a voltaje de saturacin, resistencia de saturacin, tiempo de conmutacin no
nulo, e inductancia de cableado sern las causas principales de ineficiencia cuando un amplificador
de Clase E est ajustado correctamente. Las primeras pueden ser tenidas en cuenta utilizando una
tensin de alimentacin
sat cc ef
V V V , las restantes ms las inherentes a los elementos pasivos
podemos estimarlas poniendo a
R en serie con la carga y usando la resistencia total como una

resistencia de carga efectiva
ef
R en lugar de
L
R en las ecuaciones del Clase E ideal. En este caso la
potencia de salida real ser:
ef
L
out real out
R
R
P P
(3.44)
La importancia relativa de los varios trminos de prdida depende de la frecuencia y de las
caractersticas del transistor. En general, la de saturacin domina a bajas frecuencias, mientras que
a altas frecuencias la de conmutacin se vuelve comparable a la de saturacin.

3.9 Las prdidas debidas a un Q finito:
Las derivaciones numricas y analticas de las ecuaciones obtenidas hasta el momento, pueden ser
hechas slo asumiendo que la corriente en la rama de carga, ) t ( i
o
es sinusoidal. Esta presuncin es
estrictamente cierta slo si el Q cargado de la red es infinito y se obtienen resultados menos
precisos para valores progresivamente menores a infinito. Definimos como
L
Q al Q cargado del
circuito.
( )
ef
o
L
R
L L f
Q
+
2
(3.45)
La salida de potencia del amplificador
real out
P

depende en principio (derivable analticamente) del
voltaje de alimentacin ( )
cc
V , del tipo de llave y de la resistencia de carga ( )
L
R , pero
secundariamente (no derivable analticamente) del valor elegido para
L
Q . Las ecuaciones de diseo

Teora


calculadas previamente no incluan la dependencia de
real out
P

respecto a
L
Q y en consecuencia,
la potencia de salida es menor que la esperada.
La causa de esta disminucin en el rendimiento, se debe a la circulacin de corrientes por la red de
carga que hasta ahora no habamos tenido en cuenta. Gracias a la idealizacin del sintonizado
(
L
Q ), las corrientes de frecuencias armnicas no contribuan a la
oef
I utilizada en los
clculos y anlisis previos, ahora debemos considerar la corriente eficaz dada por la ecuacin 3.15,
esto har que disminuya la potencia de salida, ya que anteriormente slo habamos utilizado la
corriente eficaz de la fundamental.

+ + +
2
3
2
2
2
1 oef oef oef oef
I I I I (3.46)
El Q es una variable de libre eleccin para el diseador. Para el caso ideal es evidente, segn la
ecuacin 3.45, que
o
L deber ser infinita. Para el caso totalmente opuesto en el que sta sea cero, el
L
Q quedar determinado nicamente por el valor de
L
con el que se obtenga la forma de onda de
voltaje de conmutacin requerida, para que se cumplan las condiciones de las ecuaciones 3.7 y 3.8.
El anlisis numrico exacto en esta situacin, para la eleccin usual de la tasa de trabajo del 50%,
limita el diseo a el uso de un
L
Q 1.7879 .
El objetivo es ahora encontrar nuevas ecuaciones de diseo para
s
C ,
o
C y L (
L o
L + ), que
contemplen la existencia de un Q real. Debido a que esto no puede hacerse de forma directa
teniendo a
L
Q como una variable ms dentro de las ecuaciones, debemos obtener los valores del
circuito para cada
L
Q en particular.
La Tabla 1, [Kazimierczuk y Puczko, Ref.10] da soluciones numricas exactas normalizadas de la
potencia de salida y los valores de
s
C ,
o
C y
L
R para ocho valores de
L
Q en el rango de 1.7879 a
infinito. Avratoglu y Voulgaris Ref.11- dan un anlisis y soluciones numricas como grficos
pero no dieron tablas ni ecuaciones de diseo ajustadas a los resultados numricos.

L
Q
( )
2
sat CC
ef out
V V
R P

ef s
R f C 2
ef o
R f C 2
Infinito 0.576801 0.18360 0
20 0.56402 0.19111 0.05313
10 0.54974 0.19790 0.11375
5 0.51659 0.20907 0.26924
3 0.46453 0.21834 0.63467
2.5 0.43550 0.22036 1.01219
2 0.38888 0.21994 3.05212
1.7879 0.35969 0.21770 Infinito

Tabla 1 : Kazimierczuk y Puczko -Ref 9- .

Teora


En el ao 2001, el Ingeniero Nathan O. Sokal -Ref.12- utilizando la tcnica de cuadrados mnimos,
elabora ecuaciones de diseo como funciones matemticas continuas ajustadas a estos ocho
conjuntos de datos. Utilizando estas ecuaciones es posible disear circuitos para cualquier valor
arbitrario de
L
Q . Son muy similares a las ya obtenidas para el amplificador ideal, afectadas ahora
por un coeficiente que es funcin del
L
Q elegido (3.45) y utilizando
ef
V en lugar de
cc
V y
ef
R por
L
R para tener en cuenta el conjunto de factores de prdidas.

( )
( )
L ) funcin (
ef
sat CC
out
Q F
R
V V
P
,
_
,
_
,
_
1
4
2
2
2
(3.47)
Reproducimos abajo las ecuaciones resultantes de la utilizacin de un polinomio de segundo orden
en el ajuste por cuadrados mnimos, ecuaciones 3.48, 3.49 y con la utilizacin de un polinomio de
tercer orden, ecuaciones 3.50 , 3.51 .

( )
,
_
,
_
2
2
402444 0 451759 0
001245 1 576801 0
L
L ef
sat CC
out
Q
.
Q
.
. .
R
V V
P (3.48)
Por lo tanto:
( )
,
_
,
_
2
2
402444 0 451759 0
001245 1 576801 0
L
L out
sat CC
ef
Q
.
Q
.
. .
P
V V
R (3.49)

( )
,
_
,
_
3 2
2
205967 0 577501 0 414395 0
0000086 1 576801 0
L L
L ef
sat CC
out
Q
.
Q
.
Q
.
. .
R
V V
P (3.50)

( )
,
_
,
_
3 2
2
205967 0 577501 0 414395 0
0000086 1 576801 0
L L
L out
sat CC
ef
Q
.
Q
.
Q
.
. .
P
V V
R (3.51)

Las ecuaciones de diseo para
o
C y
s
C que cumplen con los datos en la Tabla 1 son dadas a
continuacin. Los ltimos trminos de estas ecuaciones ( 3.52, 3.53 , 3.54 ) son ajustes que se
hacen para tener en cuenta los pequeos efectos de la susceptancia no nula de
ch
L .

( )
ch L
L
ef
s
L f .
.
Q
.
Q
.
.
R f .
C
2 2 2
2
6 0 03175 1 91424 0
99866 0
2
1
4
2
1
,
_
,
_

(3.52)

Teora


( )
ch L
L ef
s
L f .
.
Q
.
Q
.
.
R f .
C
2 2
2
6 0 03175 1 91424 0
99866 0
2219 34
1
,
_
(3.53)

( )
ch
L L ef
o
L f .
.
. Q
.
.
. Q R f
C
2
2
2 0
7879 1
01468 1
00121 1
104823 0
1
2
1
,
_
,
_

(3.54)
Finalmente,
o
L es calculada con 3.55, y queda determinada por la eleccin del diseador para
L
Q , el valor de
ef
R se obtiene de la ecuacin 3.49 o 3.51:
f .
R Q
L L
ef L
o
+
2
(3.55)

3.10 La influencia del consumo en la excitacin:

El consumo de toda la etapa de excitacin depende en gran medida del tipo de llave elegida en el
diseo, hacindose imposible obtener resultados analticos generalizados, ya que dependen de cada
caso en particular. Slo podemos decir que a medida que aumenta la potencia del amplificador,
stas se hacen menos importantes a la hora de calcular el rendimiento total, ya que
sat
V va
pediendo peso frente al aumento de
cc
V .

4 Amplificador clase F

Un amplificador clase F se caracteriza por una red de carga resonante en una o ms frecuencias
as como en la de portadora. El dispositivo activo opera bsicamente como fuente de corriente o
fuente de corriente saturante como sucede en el clase C.
En la figura 17 se muestra un amplificador de tercera armnica de picos operando en clase F.

Figura 17 Circuito de un amplificador de potencia clase F de tercera armnica de picos.

El transistor opera como fuente de corriente produciendo la misma media onda senoidal que en el
clase B. El circuito sintonizado a la frecuencia fundamental da paso a las armnicas originando un

Teora


voltaje de salida senoidal. Sin embargo, el resonador de tercera armnica hace posible una
componente de tercera armnica en el voltaje de colector, lo que aplana a ste dando una eficiencia
ms alta y una capacidad de potencia de salida tambin ms elevada.
Si se supone que la corriente de colector de media onda senoidal produce un voltaje de salida
( ) sen V
om
como en clase B y que adems la amplitud yfase del voltaje de tercera armnica se
pueden controlar, entonces:
( ) 3
3
sen V sen V V v
cm om cc c
+ +
Este voltaje se muestra en la figura 18.
Si se hace 9
3
/ V V
om cm
se produce un aplanamiento mximo en el voltaje de colector

Figura 18. Formas de onda de un amplificador de potencia clase F de tercera armnica de picos

La salida mxima se da cuando el punto mnimo de ( )
c
v es cero.
Entonces
cc om
V V
8
9
para transistores ideales.
Se demuestra que la eficiencia es:

% .
V
V
%
cc
om
4 88
4 8
9
4

La amplitud y fase correctas de la tercera armnica se pueden lograr mediante sintona adecuada y
una ligera saturacin del dispositivo.

Teora


5 Amplificador clase G

Los amplificadores clase G son utilizados a frecuencias de audio, la topologa de los mismos puede
observarse en la figura 19, en esta queda de manifiesto la utilizacin de dos fuentes de alimentacin,
ambas de tensin partida. La de bajo nivel
1 cc
V acoplada a travs de un diodo de potencia, y la de
alto nivel
2 cc
V a travs de un transistor mosfet de potencia.
Cuando los niveles de la seal de entrada no requieren que la tensin pico de salida supere a
sat cc
V V
1
los transistores mosfet se encontrarn abiertos y cuando esta condicin se revierta y la
tensin pico a la salida deba superar a
sat cc
V V
1
el comparador har que los transistores cambien a
la condicin on alimentando al par complementario con la tensin
2 cc
V t .
La topologa del amplificador es la bsica de la clase A/B ,esto asegura una buena linealidad, y se
obtiene un mayor rendimiento gracias a la conmutacin de las fuentes de alimentacin. El aumento
del costo de fabricacin debido a la mayor complejidad del circuito se ve compensado con un
ahorro en el de la fuente de alimentacin, que debido a la mejora en el rendimiento del conjunto
amplificador, es ms pequea y por lo tanto ms econmica.
La distorsin cruzada es similar a la de la Clase B, y se suma la de conmutacin que ocurre en cada
transicin de nivel de salida (cuando las fuentes de alimentacin cambian de va a va, se puede
generar ruido)
Conclusin: La topologa es usada en amplificadores de alta eficiencia, donde costo y distorsin no
son factores clave.

Figura 19: Circuito de un amplificador de potencia clase G.

Teora


6 Amplificador clase H

Este es bsicamente un amplificador Clase AB, pero con un mtodo de alimentacin que vara
dinmicamente las tensiones de las fuentes. La sobrealimentacin de voltaje debe ser hecha con un
conversor DC-DC, (figura 20).
Esta topologa usa dos vas variables, una positiva y otra negativa. A bajos niveles de salida,
cc
V t queda fijo, digamos, a 10 t Volts.
Determinado por la referencia ( 10 + volts) y el sentido de
0
V , TMOS-P y TMOS-N mantienen el
PWM a 10 t Volts regulados. Cuando el controlador alcanza 10V (referencia) de seal pico, el
conversor Buck sigue el voltaje del controlador agregando la seal por encima de los 10V ,
entonces los terminales de salida del regulador PWM incrementan el voltaje de colector a los
transistores de potencia del Clase AB, tal como un voltaje de envolvente sobre la seal de salida
(ver esquema)
De esta manera la disipacin de potencia y la eficiencia se optimizan cuando se entrega ms que los
10V de pico. La topologa de Clase H es bsicamente una combinacin de las topologas de Clase
A/B y D. Este es quizs el amplificador ms eficiente entre los que se utilizan a frecuencias de
audio. Puede entregar la potencia de salida especificada con un transformador menor y menos
disipacin que los Clase AB convencionales. Podemos mencionar como ventaja el hecho de no
tener ruido de conmutacin debido a las salidas lineales y como desventaja el incremento en la
complejidad del circuito y el aumento del costo. Conclusin: La topologa Clase H se usa en
amplificadores de alta eficiencia, donde el costo no es objeto.

Figura 20: Circuito de un amplificador de potencia clase H.

Teora


7 Amplificador clase S
7.1 Amplificacin y Modulacin:
La tcnica de la clase S se invent en 1932,y solo pudo popularizarse en la ltima dcada gracias a
la incorporacin en el mercado de dispositivos mucho ms veloces, que permitieron llevarla a la
prctica. Esta clase puede utilizarse tanto para amplificacin (figura 21) como para modulacin
(figura 22).Ambas configuraciones utilizan transistores y diodos para formar un conmutador de dos
posiciones, como en un amplificador clase D.

Figura 21: Circuito de un amplificador de potencia clase S.
La diferencia radica, en que la forma de onda de voltaje rectangular, se aplica a un filtro pasa bajo
que permite que slo aparezca en la carga su componente de voltaje de C.C.(de variacin lenta) o su
componente promedio de voltaje. El ancho de los pulsos vara de acuerdo a la tasa de operacin, y
se producen salidas promedio diferentes. La variacin controlada del ancho de los pulsos, origina
entonces que la salida vare para dar lugar a una seal deseada. La eficiencia de un amplificador
clase S ideal es del 100 por ciento.
La configuracin de un circuito para amplificacin (figura 21) y de uno para modulacin (figura 22)
en clase S son muy semejantes, en ambas el componente promedio de variacin lenta o de C.C. de
la forma de onda de voltaje ( )
2 C
v o ( )
D
v se acopla a la carga R mediante un filtro pasa bajo
0 0
C . L , originando el voltaje de salida ( )
0
v y la corriente de salida ( )
0
i . El filtro pasa bajo se
encuentra configurado con un inductor a la entrada, y por lo tanto una alta impedancia a la
frecuencia de conmutacin y sus armnicos, evitando la circulacin de corrientes importantes. La
corriente de salida ( )
0
i se produce por la aplicacin de ( )
0
v a la carga R.
Un amplificador (figura 21) produce una corriente de salida que puede ser positiva o negativa; se
requieren entonces dos transistores y dos diodos, como se muestra. Un modulador (figura 22) slo
produce corriente positiva, y por lo tanto, slo necesita de un transistor y un diodo. El capacitor de
bloqueo
b
C de C.C. en el amplificador se lo puede eliminar si se dispone de fuente de alimentacin
partida.

Teora


Figura 22: Circuito modulador clase S.

Figura 23: Formas de onda de un amplificador de potencia clase S

Teora


Figura 24: Formas de onda de un modulador clase S

El voltaje de salida del modulador puede tener cualquier valor entre 0 y
cc
V . En consecuencia, la
salida pico de un modulador clase S es:
( )
R
V
P
cc
mod o
2

En el amplificador mostrado,
cc om
V / V 2 1 y para seales sinusoidales.
( )
R
V
R
V
P
cc om
amp o
8 2
2 2

En cualquier caso, los dispositivos activos no experimentan nunca voltaje y corriente no nulos
simultneamente, de esta manera el amplificador y el modulador son en teora eficientes en un 100
por ciento. Para un amplificador clase S, R / V P
cc mx
8
2
, igual que para uno de clase B.
7.2 Eficiencia
El amplificador clase S, como todos los de conmutacin, tiene una eficiencia menor del 100% a
causa de los efectos del voltaje y de resistencia de saturacin, de capacitancia en derivacin y del
tiempo no nulo de transicin. Los efectos de los tres primeros pueden tratarse de la misma manera
en que se analizaron en el amplificador clase D. El voltaje de saturacin se maneja usando
sat cc eff
V V V y la resistencia de saturacin es equivalente a un resistor en serie con la carga. As
( )
on DD eff
R R / R V V + . Cada transicin del conmutador carga a la capacitancia de derivacin y la
potencia de perdidas puede calcularse con

Teora


( )
s dc dc s dc s dc s s
R I I X f I L f I L P
2 2 2 2
2
1
2
2
1

,
_

Donde
s
L es debida a la longitud de los conductores en serie con el terminal de colector y
s
X es la
reactancia de
s
L a la frecuencia f . Este efecto opera como una resistencia
s
R en serie con la
fuente de corriente continua, y por consiguiente reduce las potencias de entrada y salida, y por lo
tanto la eficiencia. Todo esto ltimo si el amplificador opera con una fuente nica de
cc
V + .La
utilizacin de un amplificador clase S con una fuente de
cc
V t duplica el nmero de transistores
para los que se saca corriente de carga de la fuente y requiere as duplicar la potencia disipada.
Los efectos del tiempo de transicin sobre la eficiencia pueden analizarse aproximadamente en
forma semejante a la que se us para el amplificador clase D. Sin embargo, como difieren las
formas de onda de corriente, las frmulas establecidas para la clase D no se aplican en la S. En
general, la corriente de salida es esencialmente constante durante el tiempo de transicin. Si se
suponen voltajes y corrientes de transicin lineal, la potencia disipada en una conmutacin es
4
2
/ i V P
o cc s dT
donde
s
es el tiempo de transicin convertido a radianes (a la frecuencia de
conmutacin) e
o
i es el valor de la corriente de salida en la transicin que se estudia.
Como hay dos transiciones en cada ciclo de la frecuencia de conmutacin, la potencia promedio
disipada ( en un ciclo de la seal que va a ser amplificada ) es
A V P
cc
s
d
4
2

Donde A indica el promedio del valor absoluto de la corriente de salida.
Para un amplificador con una corriente sinusoidal: R / V A
cc

Para un modulador con salida sinusoidal rectificada de onda completa, esto es:
( ) R / V A R / sen V i
cc cc
2
0

Para un modulador con salida de onda senoidal montada sobre una continua:
( ) ( ) R / V A R / sen V i
cc cc
2 2 1
0
+
Se puede utilizar un voltaje efectivo de ( )
d o o cc eff
P P / P V V + para incluir aproximadamente los
efectos de
d
P .

7.3 Modulacin por ancho de pulso

La modulacin por ancho de pulso (PWM: pulse-width modulation) requerida para amplificacin
clase S , se puede realizar mediante tres tcnicas. La primera (que veremos a continuacin) usa un
comparador de voltaje; la segunda utiliza un multivibrador astable, en el cual las corrientes de carga
varan diferenciadamente, mientras una aumenta la otra decrece; La tercera tcnica, que se usa en
reguladoras de conmutacin, compara la salida del filtro con la seal de entrada y activa al
conmutador si la diferencia entre los dos voltajes excede de un valor establecido.
En la figura 25 y figura 26 se muestra el mtodo del comparador para la produccin de la PWM.
La seal de entrada y una onda triangular peridica a la frecuencia de conmutacin se aplican a un

Teora


comparador. El comparador produce una salida alta cuando la seal de entrada es mayor que la
onda triangular y una salida baja cuando ocurre lo contrario. El resultado es que la anchura de los
pulsos altos vara linealmente con la amplitud de la seal de entrada.

Figura 25: Generacin de PWM con un comparador. Formas de onda.

Figura 26: Generacin de PWM con un comparador. Diagrama en bloques.

La linealidad de este mtodo de PWM depende de la habilidad del comparador para reaccionar con
rapidez frente a cambios en sus entradas y de la linealidad de la onda triangular. Esta onda
triangular puede suministrarse directamente de un circuito integrado generador de funciones, u
obtenerse por integracin de la salida de onda cuadrada de un multivibrador astable. Un integrador
activo es generalmente ms lineal, pero un integrador RC simple es menos costoso y consume
menos potencia.
Si se utiliza un integrador RC, existir un compromiso entre la amplitud y la linealidad de la onda
triangular. Una seccin de ascenso de la onda triangular se puede describir por

Teora


( )
,
_
,
_

3 3
3
2 2
2
1
3 2
1
C R !
t
C R !
t
RC
t
V e V t v
cc
RC
t
cc

Mientras t sea mucho menor a RC , el voltaje pico a pico de la onda triangular es simplemente el
primer trmino en la ecuacin con
s
f t
2
1
. De modo similar el segundo trmino representa la
diferencia respecto a una onda triangular ideal y, consecuentemente, la distorsin. Es evidente que
la razn de la distorsin del voltaje entre crestas mejora en la medida que el voltaje de salida
decrece.

Referencias

1. N. O. Sokal and A. D. Sokal, High-Efficiency Tuned Switching Power Amplifier. US Patent 3,919,656, Nov 11,
1975 (now expired, includes a detailed technical description).
2. N. O. Sokal and A. D. Sokal, Class E- A New Class of High-Efficiency Tuned Single-Ended Switching Power
Amplifiers. IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol SC-10, No. 3, pp 168-176, June 1975. (The text of
Reference 1 cut to half-length; retains the most-useful information. Text corrections available from N. O. Sokal.)
3. T. Sowlati, C. A. T. Salama, J. Sitch, G. Rabjohn, and D. Smith, Low Voltage, High Efficiency GaAs Class E
Power Amplifiers for Wireless Transmitters. IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol 30, No. 10, pp 1074-
1080, Oct 1995. The same authors and almost-identical title and text appear in Proceedings of the IEEE GaAs IC
Symposium, Philadelphia, Pennsylvania, Oct 18-19, 1994, IEEE Catalog No. 0-7803-1975-3/94, pp 171-174. [24
dBm = 0.25 W output at 835 MHz, at >50% power-added efficiency using integrated impedance-matching
networks (PAE would be 75% with hybrid matching networks), from an 8.4- mm2 GaAs IC at 2.5 V dc.]
4. T. B. Mader and Z. B. Popovic, The Transmission-Line High-Efficiency Class- E Amplifier. IEEE Microwave and
Guided Wave Letters, Vol 5, No. 9, Sep 1995, pp 290-292. (0.94 W at 1 GHz at 75% drain efficiency, 73% PAE;
0.55 W at 0.5 GHz at 83% drain efficiency, 80% PAE; Siemens CLY5 GaAs MESFET.)
5. F. Javier, J. Luis, A. Asensio, and G. Torregrosa, High-Efficiency Load-Pull Harmonic Controlled Class-E Power
Amplifier. IEEE Microwave Guided Wave Lett, vol. 8, pp. 348-350, October, 1998.
6. V. Gudimtla and A. Kain, Design and Validation of Load Networks For Broadband Class E Amplifiers Using
Nonlinear Device Models. IEEE MTT-S International Symposium Digest, vol. 2, pp. 823-826, 1999.
7. F. H. Raab, Idealized Operation of the Class E Tuned Power Amplifier, IEEE Transactions on Circuits and
Systems, Vol CAS-24, No. 12, pp 725-735, Dec 1977.
8. M. Kazimierczuk, Effects of the collector current fall time on class E tuned power amplifier, IEEE Journal of
Solid State Circuits, vol. SC-18, pp. 181-193, April, 1983.
9. F. H. Raab and N. O. Sokal, Transistor Power Losses in the Class E Tuned Power Amplifier, IEEE Journal of
Solid-State Circuits, Vol SC-13, No. 6, pp 912-914, Dec 1978.
10. M. K. Kazimierczuk and K. Puczko, Analysis of Class E Tuned Power Amplifier at any Q and Switch Duty
Cycle, IEEE Transactions on Circuits and Systems, Vol CAS-34, No. 2, pp 149-159, Feb 1987.
11. Ch. P. Avratoglu and N. C. Voulgaris, A New Method for the Analysis and Design of the Class E Power Amplifier
Taking into Account the QL Factor, IEEE Transactions on Circuits and Systems, Vol CAS-34, No. 6, pp 687-
691, June 1987.
12. Nathan O. Sokal, WA1HQC Class-E RF Power Amplifiers Lexington, MA 02420-2404 ,Jan/Feb 2001
13. http://www.andrew.com/products/trans_line/
14. N. O. Sokal and F. H. Raab, Harmonic Output of Class-E RF Power Amplifiers and Load Coupling Network
Design, IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol SC-12, No. 1, pp 86-88, Feb 1977.
15. Osman Palamutuogullari, Optimizacin de Amplificadores MOS Clase E para las Aplicaciones Inalmbricas
Istambul Technical University, Electrical & Electronics Faculty 34469, Maslak, Istambul, Turqua.

16. AN267/D. MOTOROLA. SEMICONDUCTOR APPLICATION NOTE Matching Network Designs with Computer
Solutions. Motorola, inc. 1993.
17. Georges Metzger and Jean-Paul Vabre. Transmission lines with pulse excitacion
18. Informe tcnico del Grupo NORDIX S.A. Caractersticas de las lneas de transmisin por conductores metlicos.
http://www.nordix.es/

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Unidad temtica 6:

impedancia en la frecuencia fundamental.

V , saturando al transistor en cuestin

, con lo que nos queda:

R en serie con la carga y usando la resistencia total como una

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