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You are here UNAD ECBTI / 299002-179 / Assessments / Act 9: Quiz 2 / Attempt 1
Act 9: Quiz 2 Question1 Marks: 1
Si tres quarks constituyen el sistema al que se le asocia una funcin de onda, y el potencial de la fuerza fuerte es 10 veces la electromagntica Choose one answer.
a. La ecuacin resultante tiene un hamiltoniano donde hay tres trminos de energa cintica y tres de potencial
b. La ecuacin resultante tiene un hamiltoniano donde hay un trmino de energa cintica y uno de potencial
c. La ecuacin resultante tiene un hamiltoniano donde hay un trmino de energa cintica y tres de potencial.
d. La ecuacin resultante tiene un hamiltoniano donde hay tres trminos de energa cintica y uno de potencial
Question2 Marks: 1
La corriente de arrastre I S , a veces llamada corriente de saturacin (aunque este trmino no expresa bien su naturaleza), depende, Choose one answer.
a. Directamente de la temperatura
b. Indirectamente de la temperatura, porque sta modifica la cantidad de portadores
c. Indirectamente de la temperatura, porque sta modifica el campo elctrico subyacente
d. Indirectamente de la temperatura, porque sta modifica el ancho de la Base
Question3 Marks: 1 En una unin PN Choose one answer.
a. No hay carga neta, sino electrones libres o huecos en la ltima rbita atmica
b. Hay portadores Minoritarios o hay portadores Mayoritarios, pero no los dos
c. Hay carga neta producida por electrones libres o huecos en banda de conduccin
d. Los portadores Mayoritarios son electrones y los minoritarios son huecos
Question4 Marks: 1 En un diodo, antes de superar los 0.7 Volts Choose one answer.
a. Existe una gran corriente a travs de la unin PN
b. No se establece corriente elctrica apreciable
c. No puede haber ningn efecto tnel a travs de la barrera de potencial de la regin de agotamiento
d. No existe regin de agotamiento
Question5 Marks: 1 La relacin entre la corriente de base y la corriente de emisor en un transistor BJT NO depende de: Choose at least one answer.
a. La polarizacin de las uniones
b. La corriente del colector
c. El ancho de la base
d. La concentracin de portadores mayoritarios en la regin P
Question6 Marks: 1 Mientras un electrn pasa del estado base a un estado excitado Choose one answer.
a. Emite un fotn
b. Ni absorbe ni emite fotones
c. Absorbe un fotn
d. Se convierte en un fotn
Question7 Marks: 1
El laplaciano se calcula siempre Choose one answer.
a. Con respecto a coordenadas espaciales
b. Con respecto a coordenadas espaciales y temporales, ya que el tiempo es tambin una dimensin
c. Al mismo tiempo que se calcula la derivada temporal
d. Con respecto a x, y z
Question8 Marks: 1 La relacin entre la corriente de base y la corriente de emisor en un transistor DEPENDE de Choose one answer.
a. La corriente de las junturas
b. El ancho de la base
c. La corriente de colector
d. La polarizacin de las uniones
Question9 Marks: 1 La razn por la que no se comprueba el principio de incertidumbre en la vida diaria macroscpica que experimentamos es que Choose one answer.
a. El efecto siempre es despreciable
b. El momento de las partculas macroscpicas es tan alto que genera una funcin de onda de frecuencia tan alta que no es observable el comportamiento cuntico
c. Cuando las molculas se asocian, desaparece el efecto
d. En realidad es un efecto aparente
Question10 Marks: 1 Una partcula de movimiento unidimensional se encuentra asociada a una funcin de onda compleja, que es igual a Aexp(-ikx), con A,k=constantes, i=raz de -1, x: posicin. Se puede decir que: Choose one answer.
a. El estado de la partcula es estacionario
b. X puede tomar todos los valores entre menos infinito y ms infinito
c. La partcula est quieta
d. No hay fuerza actuando sobre ella
Question11 Marks: 1 El semiconductor A est a 500 grados centgrados y el semiconductor B a 1 grado Kelvin. Lo que ms probablemente se puede decir es que Choose one answer.
a. El primero funciona como semiconductor an
b. El primero funciona como resistor
c. El segundo funciona como conductor
d. El segundo funciona como semiconductor an
Question12 Marks: 1
La diferencia entre los diferentes mtodos de deposicin se encuentra principalmente en (escoja slo una), Choose one answer.
a. El mtodo de volatilizacin del material
b. El mtodo de calentamiento del material
c. Los materiales que se usan en el proceso
d. El sustrato utilizado
Question13 Marks: 1 La razn que explica por qu el Mosfet tiene corriente de compuerta = 0 es Choose one answer.
a. El semiconductor es de mayor calidad
b. No tiene elementos resistivos internos
c. Entre el electrodo y el semiconductor hay un aislante
d. Los portadores mayoritarios se concentran en el extremo opuesto
Question14 Marks: 1
En un Mosfet canal N, si la Compuerta est ms positiva que la Fuente, Choose one answer.
a. Hay corriente de drenaje sin importar el voltaje de Drenaje
b. NO hay corriente de drenaje dependiendo del voltaje de Drenaje
c. Hay corriente de drenaje dependiendo del voltaje de Drenaje
d. NO hay corriente de drenaje sin importar el voltaje de Drenaje
Question15 Marks: 1
Los portadores mayoritarios son electrones. Entonces, Choose one answer.
a. Es un material N
b. Estos portadores se encuentran en la banda de conduccin
c. Es un material P
d. La carga neta es igual a dos veces el nmero de electrones multiplicado por carga de cada electrn
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