INVESTIGACI

ON REVISTA MEXICANA DE F

ISICA 57 (2) 162165 ABRIL 2011

Propiedades el ectricas, opticas y estructurales de pelculas delgadas de SnO
2
nanoestructuradas, depositadas a partir de acetilacetonatos
R. V azquez Arregun
a
, M.A. Aguilar Frutis
a
, J. Guzm an Mendoza
a
, M. Garca Hip olito
b
,
R. Fragoso-Soriano
c
y C. Falcony Guajardo
c
a
Centro de Investigaci on en Ciencia Aplicada y Tecnologa Avanzada del Instituto Polit ecnico Nacional,
Legaria 694. Colonia Irrigaci on, M exico, D.F., 11500, M exico.
b
Instituto de Investigaci on en Materiales, Universidad Nacional Aut onoma de M exico,
Apartado Postal 60-360, Coyoac an, M exico, D.F., 04510, M exico.
c
Centro de Investigaci on y de Estudios Avanzados del Instituto Polit ecnico Nacional,
Apartado Postal 14-740, M exico, D.F., 07000, M exico,
e-mail: ksouze@prodigy.net.mx
Recibido el 18 de octubre de 2010; aceptado el 24 de enero de 2011
Pelculas delgadas de oxido de esta no (SnO2). Fueron depositadas mediante la t ecnica de roco piroltico ultras onico. Las pelculas se
depositaron sobre substratos de vidrio empleando dicloruro de acetilacetonato de esta no [(C
5
H
8
O
2
)
2
SnCl
2
] como material fuente y N, N-
DMF como solvente, a temperaturas de 400 a 550

C. Se presentan las propiedades opticas, el ectricas y estructurales de las pelculas obtenidas

utilizando un precursor organomet alico.
Descriptores: Pelculas delgadas; pelculas conductoras transparentes; procesos pirolticos.
Tin oxide (SnO
2
) thin lms, were deposited using ultrasonic spray pyrolysis technique. The lms were deposited on glass substrates using
tin acetylacetone dichloride [(C
5
H
8
O
2
)
2
SnCl
2
], as raw material, and, N, N-DMF as solvent, at temperatures from 400 to 550

C. The optical,
electric and structural properties of thin lms obtained using an organometalic precursor are presented.
Keywords: Thin lms; transparent conductor layer.
PACS: 78.20.-e; 81.40.Tv
1. Introducci on
Los materiales conductores transparentes en forma de pelcu-
la delgada han sido ampliamente estudiados [1,2]. Las apli-
caciones que se le han dado a estos materiales son principal-
mente en los dispositivos electr onicos y optoelectr onicos, que
van desde calentadores de ventanas de aviones hasta disposi-
tivos de imagen de carga acoplada [3]. La creciente demanda
y sosticaci on de los dispositivos activos y pasivos basados
en conductores transparentes, tiene como consecuencia la ne-
cesidad de buscar nuevos precursores y mejorar las propieda-
des el ectricas y opticas de los materiales sintetizados. Estas
propiedades dependen fundamentalmente de la microestruc-
tura de las pelculas, la cual presenta una gran diversidad de
morfologas de acuerdo al m etodo de dep osito, del tipo de
precursores y de las condiciones de dep osito. Uno de los me-
jores exponentes de los conductores transparentes es el oxido
de esta no (SnO
2
); sobre este material se ha escrito una gran
cantidad de literatura, no obstante sigue siendo tema de inves-
tigaci on [4-11]. El SnO
2
es un semiconductor degenerado,
con una concentraci on de portadores de carga del orden de
10
19
-10
20
cm
3
, una movilidad de entre 5-30 cm
2
V
1
s
1
y
una resistividad de 10
3
a 10
2
cm. El SnO
2
en forma de
pelcula tiene un ancho de banda prohibida directo que va de
3.87 a 4.3 eV. Su transmitancia en el IRcercano y en el visible
es cercana al 80 %, con un ndice de refracci on de entre 1.8
a 2.0; es un material altamente estable y resistente al ataque
qumico [12,13]. El SnO
2
en forma de pelcula ha sido prepa-
rado por varias t ecnicas entre las que se incluyen dep osito de
vapores qumicos, sputtering y evaporaci on, entre otras [14].
En este trabajo se reportan las propiedades el ectricas, opticas
y estructurales de pelculas delgadas del SnO
2
, depositadas
mediante la t ecnica de roco piroltico ultras onico, utilizan-
do como precursor el dicloruro de acetilacetonato de esta no
[(C
5
H
8
O
2
)
2
SnCl
2
]. Hasta donde sabemos, es la primera vez
que se reporta la obtenci on de pelculas delgadas de SnO
2
a
partir de un acetilacetonato.
2. Detalles experimentales
Las pelculas de SnO
2
se depositaron mediante la t ecnica de
roco piroltico ultras onico [15], usando dicloruro de aceti-
lacetonato de esta no [(C
5
H
8
O
2
)
2
SnCl
2
] como precursor, di-
suelto en N,N-Dimetilformamida, (N,N-DMF) [16], con una
molaridad de 0.025 M. Los dep ositos se llevaron a cabo sobre
substratos de vidrio a temperaturas de 400, 450, 500 y 550

C.
Un segundo reactor fue utilizado en paralelo para llevar a ca-
bo los dep ositos con la adici on de agua deionizada. Como
gas de arrastre se utiliz o aire seco con un ujo de 7.5 l/min,
tanto en la soluci on de esta no como en el aerosol de agua. El
tiempo de dep osito fue de 5 minutos en todos los casos, con
el n de obtener espesores similares en todas las pelculas. El
an alisis estructural de las pelculas se llev o a cabo mediante
la t ecnica de difracci on de rayos X, utilizando un difract ome-
tro Siemens D-5000 (Cu K, = 1.5406

A). En la carac-
terizaci on de la microestructura y la composici on qumica de
PROPIEDADES EL

ECTRICAS,

OPTICAS Y ESTRUCTURALES DE PEL

ICULAS DELGADAS DE SNO

2
NANOESTRUCTURADAS. . . 163
FIGURA 1. Difractograma de rayos x para la pelcula de SnO
2
de-
positada a 550

C.
FIGURA 2. Micrografa de barrido de alta resoluci on para la pelcu-
la de SnO
2
depositadas a 550

C.
las pelculas se utiliz o un microscopio electr onico de barrido
de alta resoluci on marca FEI modelo XL30, equipado con un
detector de rayos X caractersticos marca Noran. Tambi en se
utiliz o la t ecnica de microscopia de fuerza at omica para de-
terminar la morfologa de la supercie en las pelculas. En
este caso se utiliz o un microscopio marca Veeco, modelo CP
Research utilizando el modo de contacto. Una raz on de barri-
do de 1 a 2 Hertz y una punta de 10 nm de radio de curvatura
fueron utilizados para este n. La medici on de los espesores
y del ndice de refracci on se llev o a cabo mediante la t ecnica
de elipsometra de una sola longitud de onda en un equipo
LSE Stokes Gaertner. Los espesores de las pelculas as ob-
tenidos fueron de aproximadamente 200 nm. Las medidas de
transmitancia se realizaron con un espectr ometro Perkin El-
mer Precisely, modelo Lambda 25. Finalmente, para la medi-
ci on de la resistencia supercial se utiliz o un sistema SRM-
232 Guardian Manufacturing.
FIGURA 3. Microscopia de Fuerza at omica de la pelcula de SnO
2
depositada a 550

C. b) Histograma de frecuencias de tama no de

cristal.
3. Resultados y discusi on
En la Fig. 1 se muestra el difractograma de rayos X para la
pelcula de SnO
2
depositada a la temperatura de 550

C. El
an alisis estructural mostr o que, en general, las pelculas depo-
sitadas a temperaturas menores a 450

C, tienden a ser amor-

fas, mientras que las depositadas a temperaturas mayores o
iguales a 500

C presentan picos propios de la fase tetrago-

nal con estructura tipo rutilo y grupo espacial P4
2
/mnm. El
tama no de cristal estimado a partir del ancho de los picos de
difracci on, mediante el uso de la ecuaci on de Scherrer, indica
que la muestra depositada a 500

C presenta zonas cristalinas

del orden de 70 nm. En la Fig. 2 se muestra una micrografa
obtenida en el microscopio electr onico de barrido de emisi on
de campo de la pelcula crecida a 550

C. En esta imagen se
puede apreciar la morfologa supercial de la pelcula, la cual
presenta un crecimiento granular con tama nos de grano me-
nores a 100 nm. Este crecimiento de cristales de tama no na-
nom etrico en la pelcula puede atribuirse en primera instancia
a la baja tasa de dep osito que presenta el oxido de esta no, lo
cual favorece un crecimiento controlado en la estructura de la
pelcula. Adem as, el hecho de utilizar un acetilacetonato co-
mo material precursor, permite que el dep osito de la pelcula
se lleve a cabo en su fase vapor, ya que los dep ositos se lle-
varon a cabo a temperaturas por arriba de su punto de evapo-
raci on. Estos dos factores podran inuir en la aparici on de
zonas cristalinas de tama no nanom etrico en las pelculas.
Este comportamiento ya ha sido reportado anteriormente
en pelculas de oxido de aluminio obtenidas a partir de ace-
tilacetonatos [18]. El tama no de los cristales medidos con el
MEB concuerda con los tama nos de cristal calculados a par-
tir de los difractogramas de rayos X. La imagen obtenida por
microscopia de fuerza at omica para la pelcula de SnO
2
de-
positada a 550

C refuerza esta idea. La Fig. 3 muestra una

imagen de fuerza at omica, donde se aprecia la estructura de
granos en la pelcula, adem as de un crecimiento de los cris-
tales de SnO
2
en forma de columnas. El an alisis del ndice
de refracci on en funci on de la temperatura de dep osito para
las pelculas de SnO
2
se presenta en la Fig. 4. En esta gu-
ra se puede ver que, en general, el ndice de refracci on de
las pelculas se incrementa con la temperatura de dep osito,
alcanzando un valor de m aximo de aproximadamente 2.20,
lo cual se puede explicar en t erminos del incremento de la
Rev. Mex. Fs. 57 (2) (2011) 162165
164 R. V

AZQUEZ ARREGU

IN et al.
FIGURA 4.

Indice de refracci on de las pelculas de SnO2 en funci on
de la temperatura de dep osito.
TABLA I. Valores en % peso y % at omico del Oxigeno y Esta no en
la pelcula depositada a 550

C
Elemento % Peso % At omico
Oxgeno 25.64 71.89
Esta no 74.36 28.11
cristalinidad con la temperatura, lo que trae como consecuen-
cia un incremento en la densidad de las pelculas y por lo
tanto en su ndice de refracci on.
En la Fig. 5 se muestran los espectros de transmitan-
cia para las pelculas depositadas a 450, 500 y 550

C. Las
pelculas depositadas a 500 y 550

C muestran transmitancias
mayores al 80 % con un bandgap de 4.05 eV, (ver recuadro
de la Fig. 5), donde se graca densidad optica al cuadrado,
(D.O.E.)
2
contra la energa del fot on, (E). Este resultado con-
cuerda con el valor de banda prohibida reportado para la fase
rutilo del SnO
2
, que fue la fase determinada en los an alisis
realizados por difracci on de rayos X para estas pelculas. Sin
embargo, las pelculas depositadas a temperaturas de 400

C
y 450

C presentan poca o nula transmitancia. La composi-

ci on qumica de las pelculas se determin o mediante la es-
pectroscopia por dispersi on de energa (EDS). Los resultados
se muestran en la Tabla I, en donde se puede ver que la raz on
oxgeno esta no (O/Sn) para la pelcula depositada a 500

C, es
del orden de 2.55, el cual est a por arriba de la estequiometria
ideal. Este incremento en el valor esperado para el oxgeno
puede deberse a la contribuci on del substrato de vidrio, ya
que el valor obtenido para este cociente se mantiene pr acti-
camente sin variaci on para todas las pelculas, independien-
temente de la temperatura de dep osito. Un par ametro que es
considerado como una medida pr actica de la conductividad
de un material es la resistencia de hoja Rh (/). En la Fig. 6
se muestran los valores de resistividad de hoja en funci on
de la temperatura de dep osito. La gr aca nos muestra
que la resistividad es pr acticamente independiente de la tem-
FIGURA 5. Espectros de transmitancia para las pelculas de SnO
2
depositadas a las temperaturas de 450, 500 y 550

C. En el recuadro
curva de (D.O.E.)
2
vs E.
FIGURA 6. Resistividad de las pelculas de SnO
2
en funci on de la
temperatura de dep osito.
peratura de dep osito, obteni endose un valor promedio de
4.5410
3
cm. Este comportamiento lo podemos expli-
car pensando en que las mol eculas de agua que provienen
del reactor con agua deionizada, al estar presentes durante
el dep osito se pueden introducir en la estructura del SnO
2
,
hidrat andola y participando activamente en la conductivi-
dad [18-20].
4. Conclusiones
Mediante la t ecnica de roco piroltico ultras onico se pudie-
ron obtener pelculas nanoestructuradas de SnO
2
en su fase
tetragonal con estructura tipo rutilo, a partir de dicloruro de
acetilacetonato de esta no [(C
5
H
8
O
2
)
2
SnCl
2
]. Estas pelculas
presentan un crecimiento uniforme del grano, con un tama no
promedio del orden de 70 nm. Las pelculas obtenidas a tem-
peraturas superiores a 500

C son transparentes en la regi on

Rev. Mex. Fs. 57 (2) (2011) 162165
PROPIEDADES EL

ECTRICAS,

OPTICAS Y ESTRUCTURALES DE PEL

ICULAS DELGADAS DE SNO

2
NANOESTRUCTURADAS. . . 165
del visible con un band gap de 4.05 eV y con una resistividad
de 4.5410
3
cm, la cual es pr acticamente independiente
de la temperatura de dep osito. Hasta donde sabemos, esta es
la primera vez que se reporta la obtenci on de pelculas delga-
das de SnO
2
nanoestructuradas a partir de acetilacetonatos.
Agradecimientos
Los autores desean agradecer al Conacyt por nanciamiento
de proyecto # 129227, a la SIP-IPN por proyecto 20101556
y a la Q. Marcela Guerrero su ayuda en la obtenci on de los
patrones de difracci on de rayos X.
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