de un Cargador de Bateras
de 1,5 kW, basado en un
rectificador controlado monofsico
Titulacin:
Intensificacin:
Alumno/a:
Director/a/s:
NDICE
1. MEMORIA
1.1 INTRODUCCIN...
1.1.1. OBJETIVOS.
1.1.2. NORMATIVAS.
1.2 DESCRIPCIN DISEO GENERAL..
1.3 BLOQUE 1: SENSORES..
1.3.1. SENSOR DE TEMPERATURA
1.3.2. SENSOR DE CORRIENTE...
1.3.3. SENSOR VOLTAJE DE BATERIA..
1.4 BLOQUE 2: SINCRONIZACIN CON LA RED....
1.5 BLOQUE 3: CIRCUITO DE CONTROL DE CARGA...
1.5.1 SOFTWARE DEL MICROCONTROLADOR
1.6 BLOQUE 4: DRIVER DE DISPARO DEL TRIAC.
1.7 BLOQUE 5: ALARMAS, MEDIDAS.
1.8 SIMULACIONES....
2
3
3
4
4
7
7
8
9
10
11
14
16
17
20
2. PLANOS...
2.1 NDICE DE PLANOS.
24
25
3. PLIEGO DE CONDICIONES.
3.1 CONDICIONES PARTICULARES..
3.2 COMPADOR DUAL DEL VOLTAJE COMPENSADO LM193.
3.3 CONDENSADORES CAPACITORES.
3.4 DIODOS...
3.4.1 DIODOS LED
3.4.2 DIODOS SEMICONDUCTORES.
3.4.3 DIODO ZENER BZX84C12 SOT-23.
3.5 ESTABILIZADOR DE TENSIN LM2931AT 5.0...
3.6 FUSIBLES 250 mA ...
3.7 MICROCONTROLADOR PIC16F1826 .
3.8 POTENCIOMETROS.
3.9 PUENTE RECTIFICADOR ..
3.10 RELAY DPST ..
3.11 RESISTENCIAS ELECTRICAS.
3.12 SELECTOR DE VOLTAJE
3.13 TERMISTORES - 334-NTC152-RC.
3.14 TRANSFORMADOR
3.15 TRANSISTOR NPN DARLINGTON 2N6426 TIP122.
3.16 TRIAC MAC224 ..
3.17 TRIAC OPTOACOPLADOR MOC3020 ..
32
33
34
35
36
36
36
38
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39
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41
41
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45
45
46
47
47
4. PRESUPUESTO.
48
5. BIBLIOGRAFA...
51
6. ANEXOS..
6.1 ANEXO N1: CODIGO DE PROGRAMACIN.
6.1.1 ANEXO N1: Cargador_main.c..
6.1.2 ANEXO N1: Cargador.h.
6.2 ANEXO N2: BATERIA PLOMO ACIDO
6.3 ANEXO N3: NORMATIVA NO-DIS-MA 5200..
6.4 ANEXO N4: DATASHEET..
53
54
54
63
66
77
89
1. MEMORIA
1. MEMORIA
1.1. INTRODUCCIN
Un cargador de bateras es un dispositivo utilizado para suministrar la corriente
elctrica o tensin elctrica que almacenar una (o varias simultneamente)
bateras.
La carga de corriente depende de la tecnologa y de la capacidad de la batera
a cargar. Por ejemplo, la corriente, tensin, que debera suministrarse para una
recarga de una batera de automvil de 12V deber ser muy diferente a la
corriente para recargar una batera de telfono mvil.
Existe una amplia variedad de bateras, cada una con unas caractersticas y
unos parmetros de carga y descarga diferentes. Estn las bateras de Ni-Cd,
Plomo-cido, In- Litio, etc. Pero en este proyecto nos centraremos en el
diseo de un cargador de bateras, ms en concreto, bateras de Plomo-cido.
Toda la informacin referida a este tipo de bateras vase el Anexo 2.
Gracias al amplio abanico de posibilidades que nos ofrece la electrnica,
podemos disear una tarjeta de control para un cargador, el cual nos permitir
controlar muchos aspectos antes, durante y despus de la carga de la batera o
banco de bateras.
Podremos comprobar nivel de carga, temperatura, el estado de la batera,
corriente inyectada, voltaje, etc.
1.1.1. OBJETIVOS
El objetivo de este proyecto ser el diseo de una tarjeta de control para un
cargador de bateras de 1.5kW.
Dicho diseo se ha dividido en diferentes bloques, con la intencin de mejorar
su entendimiento y a la vez ayudar al desarrollo del proyecto.
Los diferentes bloques se abordarn como unidades independientes, haciendo
un estudio detallado de cada uno de ellos: funcionamiento, componentes,
planos, pcbs y simulaciones. Al final todo ser plasmado en un nico plano
conjunto.
Se realizar un estudio de costes que refleje todos los gastos asociados al
proyecto.
1.1.2. NORMATIVAS
Normativas europeas:
Normativa europea EN 60335-2-29: Requisitos particulares para
cargadores
de bateras.
Norma de distribucin NO-DIS-MA- 5200
TRIAC
TRANSFORMER CT
RELAY DPST
220 VAC P1
DIODE
220 VAC P2
CurrentMeter
POS +
NEG -
NTC
THERMISTOR
VoltMeter
DIODE
current sensor
Control Board
Esta etapa se conoce como voltaje constante, peridicamente (cada 100 Hz) se
verifica la corriente de carga con dos propsitos:
Si la corriente aumenta por encima del 35% de la corriente mxima del
cargador, la etapa de Absortion es cambiada por la etapa Bulk para
controlar la corriente.
Si la corriente de carga baja de un 10% de la corriente de carga total, entonces
se presupone que las bateras estn por encima de un 90% de la carga total y
por lo tanto se cambia a la ltima etapa de carga o etapa Float.
TERCERA ETAPA O FLOAT
Float o flotante, sta etapa se encarga de mantener las bateras 100%
cargadas, sigue siendo en modo de voltaje, pero no con el voltaje Bulk
(14.5Vdc), sino con el voltaje Float o flotante (13.35Vdc aproximadamente).
Otra vez este voltaje es controlado de la misma forma como es controlado el
voltaje Bulk.
El circuito del cargador totalmente detallado, con todos los bloques incluidos,
puede verse en el apartado de planos.
6
VCC
R1
3K3
Vout
334-NTC152 (1k5)
Usando un sensor de efecto hall (como el allegro ACS 756) son muy
precisos y ofrecen una relacin lineal entre la corriente y el voltaje de
salida del sensor, pueden medir cc y ac , pero son muy caros.
Para nuestro diseo hemos decidido usar el CT, ste ofrece muchas ventajas,
primero su bajo costo, segundo medimos la corriente primaria o del triac (que
es mucho menor que la secundaria, as que usamos un CT bien pequeo) y
hacemos una relacin para controlar la corriente de carga.
current sensor1
R2
1k5
R3
1k5
D12
R4
220K 1%
2
Current Out
R1
10K
R5
75K 1%
BRIDGE
JP
Bat
R10
100k 1%
1
2
3
4
8
7
6
5
R6
5.26 1%
+
D13
5.1Vz
C2
10uF
C1
0.1uF
R7
7.14 1%
R8
11k1 1%
R9
25K 1%
Esta es la razn por la que necesitamos un circuito detector de paso por Cero
como el que mostramos a continuacin.
+5
+12
+5
100K
+5
R22
Salida
U9A
15K
+
Diodo
100K
220 VAC P1
12VAC1
+
LM193
5k2
+
C6
100uF
2K
220 VAC P2
100K
10K
10
paso por cero. Es por eso que empieza con su valor mximo, generando un
retardo aproximado de 10 milisegundos.
Al terminar el retardo entonces encendemos el triac (se pone a cero 0 la
salida del PIC que va al ctodo del MOC3020), ste conducir desde este
punto hasta justo antes de pasar por cero donde se apagar, luego esta
variable va decreciendo gradualmente. Al decrecer la variable, disminuimos el
retardo, buscando subir la corriente y/o voltaje dependiendo en qu modo se
encuentra el cargador.
Cada vez que la variable decrece, se mide la corriente y/o voltaje de carga y
se compara con el valor de referencia para saber si est por encima, igual o por
debajo. Si est igual se detiene el decremento de la variable, si est por
encima entonces se incrementa la variable para bajar la corriente y/o voltaje.
Como este cargador est orientado a cargar bateras plomo- cido de 24Vcc,
este voltaje de las bateras se puede obtener haciendo un arreglo de dos
bateras de 12 voltios en serie o bien cuatro de 6 voltios en serie. Una batera
de 6 voltios tiene 3 celdas de aproximadamente 2 voltios y la de 12 tiene 6
celdas.
Para que el cargador pueda cargar bien las bateras es necesario subir el
voltaje por celda a 2.41 VPC con una corriente constante, esta es la etapa de
bulk. Mantener este VPC por un tiempo de 2 a 4 horas esta es la etapa de
absortion y por ultimo bajar el VPC a 2.21 esta es la etapa de float.
El PIC toma ventaja de las propiedades de las bateras plomo- cido, veamos:
Cuando una batera plomo acido se est descargando, la resistencia interna
empieza a decrecer tendiendo a cero ohm, es por eso que una batera muy
descargada demandara del cargador todo el amperaje que ella necesita. Si
usamos un banco de 450 AH (Amperios Hora), este banco demandar una
corriente de carga de 450 AH. Lgicamente es demasiada demanda para
cualquier cargador de bateras. Aqu es donde entra en el juego nuestro control
de carga con la primera etapa de carga Bulk o modo de corriente.
BULK:
Como el control de carga no sabe cmo de descargadas estn las bateras,
empieza a cargar con una corriente muy pequea, la cual es aumentada
gradual y lentamente.
Si las bateras tienen una demanda de AH mayor que la corriente mxima del
cargador, este aumento gradual llegar hasta alcanzar la corriente mxima de
12
13
14
15
+5
1.2K/1W
Entrada 220Vac
U9
MOC3020
1
2
4
39/1W
390
0.22/250
0.01/250
Seal PWM
180/1W
MAC224
17
18
19
1.8. SIMULACIONES
A partir del siguiente esquemtico, en el cual se incluyen los sensores, y la
sincronizacin con la red. Evidentemente, el PIC no est, (no podemos
simularlo, su control lo har el programa en C). Por ello hemos modificado el
circuito principal slo para esta simulacin.
5Vdc
R3
100k
5Vdc
5Vdc
8
R2
5k2
R6 100k
OUT
2
D1N4002
V1
D1N4002
R7
VOFF = <0>
VAMPL = <16.98>
FREQ = <50>
D3
D1N4002
LM193
C3
0.0047uF
R5
10k 80k
D4
D1N4002
V-
D2
R4
2k
D1
V+
U1A
3
5Vdc
R10 1k
Sensor Batera
5Vdc
C5
0.22uF
24Vdc
R8 100k
R11
1.5k
V3
DC = <5>
AC = <0>
TRAN = <0>
0
D17
bzx84c5v 1lt3/ON
C6
10uF
CMAX
R9
11k1
C4
0.1uF
24Vdc
5Vdc
R12 1k
V4
DC = <50>
AC = <0>
TRAN = <0>
C7
0.22uF
R13
300
0
0
20
21
23
2. PLANOS
24
2. PLANOS
2.1 NDICE DE PLANOS:
PLANO N1: Esquema Bloque 1
PLANO N2: Esquema Bloque 2
PLANO N3: Esquema Bloque 4
PLANO N4: Esquema general del diseo
PLANO N 5: PCB Capa TOP
PLANO N 6: PCB Capa BOTTOM
25
3. PLIEGO DE CONDICIONES
32
3. PLIEGO DE CONDICIONES
Este documento contiene las condiciones legales que guiarn la realizacin, los
componentes utilizados en el diseo debern satisfacer al menos las caractersticas
aqu reflejadas.
En lo que sigue, se supondr que el proyecto ha sido encargado por una empresa
cliente a una empresa consultora con la finalidad de realizar dicho sistema. Dicha
empresa ha debido desarrollar una lnea de investigacin con objeto de elaborar el
proyecto. Esta lnea de investigacin, junto con el posterior desarrollo de los
programas est amparada por las condiciones particulares del siguiente pliego.
Supuesto que la utilizacin industrial de los mtodos recogidos en el presente proyecto
ha sido decidida por parte de la empresa cliente o de otras, la obra a realizar se
regular por las siguientes:
3.1 CONDICIONES PARTICULARES
La empresa consultora, que ha desarrollado el presente proyecto, lo entregar a la
empresa cliente bajo las condiciones generales ya formuladas, debiendo aadirse las
siguientes condiciones particulares:
1. La propiedad intelectual de los procesos descritos y analizados en el presente
trabajo, pertenece por entero a la empresa consultora representada por el Ingeniero
Director del Proyecto.
2. La empresa consultora se reserva el derecho a la utilizacin total o parcial de los
resultados de la investigacin realizada para desarrollar el siguiente proyecto, bien
para su publicacin o bien para su uso en trabajos o proyectos posteriores, para la
misma empresa cliente o para otra.
3. Cualquier tipo de reproduccin aparte de las reseadas en las condiciones
generales, bien sea para uso particular de la empresa cliente, o para cualquier otra
aplicacin, contar con autorizacin expresa y por escrito del Ingeniero Director del
Proyecto, que actuar en representacin de la empresa consultora.
4. En la autorizacin se ha de hacer constar la aplicacin a que se destinan sus
reproducciones as como su cantidad.
5. En todas las reproducciones se indicar su procedencia, explicitando el nombre del
proyecto, nombre del Ingeniero Director y de la empresa consultora.
6. Si el proyecto pasa la etapa de desarrollo, cualquier modificacin que se realice
sobre l, deber ser notificada al Ingeniero Director del Proyecto y a criterio de ste, la
empresa consultora decidir aceptar o no la modificacin propuesta.
7. Si la modificacin se acepta, la empresa consultora se har responsable al mismo
nivel que el proyecto inicial del que resulta el aadirla.
33
34
35
Condensador de Mica
Tolerancia: 0.5 pF
1% (>56 pF)
Tensin Mx.: 500 V d.c.
Rango Temp.: -40 C a 85 C
3.4 DIODOS
3.4.1 DIODOS LED
Son diodos semiconductores que emiten luz. Se usaran en el diseo como
indicadores.
Simbologa electrnica:
36
Siendo:
V
Tensin umbral, de codo o de partida.
La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin
directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo
no polarizado.
Imax
Corriente mxima.
Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse
por el efecto Joule.
Is Corriente inversa de saturacin.
Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por
la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose
que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura.
Vr Tensin de ruptura.
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el
efecto avalancha.
37
Donde:
39
Especificaciones:
40
3.8 POTENCIOMETROS
85C - 1W
Escala
Temperatura
-55C - + 125C
Tolerancia
Resistencia
10%
Duracin
10 Millones de ciclos
41
Valor de la caracterstica
Tensin de bobina
24 Vd.c.
DPST-NO; DPST-NC
25 A (NA); 8 A (NC)
Tipo de montaje
106
Conexiones
Serie
G7J
Potencia de conmutacin
Tensin de conmutacin
Ag Alloy
Resistencia de contacto
50m
25 A (NA); 8 A (NC)
4.000 Va.c.
Potencia de la bobina
2000mW
Resistencia de bobina
288
42
43
DC50V 0.5A
Resistencia de aislamiento
100M
Fuerza dielctrica
Resistencia de contacto
0.03
-20 a 80
C
C
Curso de la vida
5.000 ciclos
Fuerza de funcionamiento
250g100g
Higrometra
44
3.14 TRANSFORMADOR
Un transformador es una mquina elctrica esttica (sin partes en movimiento) de
induccin electromagntica que permite convertir los valores de tensin y de
intensidad de corriente suministrado por una fuente de corriente alterna en uno o ms
sistemas de corriente alterna con valores de tensin e intensidad de corriente
diferentes pero de la misma frecuencia.
45
46
47
4. PRESUPUESTO
48
4. PRESUPUESTO
Descripcin
Unidades
/ud.
/Total
CONDENSADORES
0,22uF / 600V
8,00
8,00
0,01uF / 600V
8,00
8,00
0,22uF / 50V
2,01
8,04
0,1uF / 50V
2,01
10,05
10uF / 50V
1,25
1,25
100uF / 50V
2,55
7,65
100 K W
0,50
1,50
10 K W
0,50
1,50
1KW
0,50
1,50
2KW
0,50
1,00
5,2 K W
0,50
0,50
1,5 K W
0,50
1,00
5,26 K W 1%
0,50
0,50
75 K W 1%
0,90
0,90
3 K W 1%
0,90
0,90
25 K W 1%
0,50
0,50
7,14 K W 1%
0,50
0,50
390 W
0,50
0,50
220 K W 1%
0,90
2,70
220 W
0,50
2,50
11,1 K W 1%
0,90
0,90
39 W
1,00
1,00
RESISTENCIAS
49
180 W
1,00
1,00
1,2 K W
1,00
1,00
1N4007
0,70
1,40
Bridge 1A
7,25
14,50
Led
2,50
12,50
Transformador 220 a 12
48,00
48,00
Transformador Corriente
48,00
48,00
48,00
48,00
MOC3020
16,01
16,01
5V Reg
10,00
10,00
LM193
10,00
10,00
PIC16F1826
60,00
60,00
TIP122
7,25
7,25
IRFP260P
70,00
560,00
Triac 25 Amp
38,00
38,00
334-NTC152-RC
38,00
76,00
120,00
120,00
Pot 15 K
46,00
46,00
Base 18 pin
4,06
4,06
IDC10
7,00
7,00
SW
25,00
25,00
Circuito Impreso
150,00
150,00
5,1 Vz
8,00
8,00
DIODOS
TRANSFORMADORES
VARIOS
TOTAL: 1.372,61
50
5. BIBLIOGRAFA
51
5. BIBLIOGRAFA
La bibliografa, referente al presente proyecto es la siguiente:
Pginas web donde nos hemos apoyado
funcionamiento de las bateras y cargadores:
para
entender
mejor
el
http://www.tecnocem.com/cargadores-baterias-mantenimiento.htm
http://www.ricardovela.com/catalogo/product_info.php?products_id=2403
&osCsid=e69ar185befhth8aocokugck30
http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/html.files/LibroWeb.html
http://www.abcdatos.com/tutoriales/electronicayelectricidad/electricidad.h
tml
http://www.conocimientosweb.net/descargas/article328.html
MICROtronic technology
52
6. ANEXOS
53
54
/*********************************************************************
**********/
#include <htc.h> // MCU header file
#include "Cargador.h"
__CONFIG (FOSC_INTOSC & WDTE_OFF & PWRTE_OFF & MCLRE_OFF & CP_ON &
CPD_ON & CLKOUTEN_OFF);// Program config. word 1
__CONFIG (PLLEN_OFF & LVP_OFF); // Program config. word 2
/******************************* difinicion variables a usar
***********************************/
unsigned char
D_Temp,TR_Temp,BAT_Voltaje,TR_corriente,Estado,EstadoError,EstadoSiste
ma,retardoPWM,CarPWM,anchuraPulso,ParpaLed,cargadorPWMretardo;
unsigned int TemporizadorAbsortion,TemporizadorAbsortionI;
/*********************************************************************
*****************************/
void init(void)
{
//direccionamientos de las PUERTS : 1= entrada, 0= Salida
OSCCON = 0x68;
OPTION_REG = 0b00000110;
/************** Prescalamiento para TMR0 =
128 ********************************/
TRISB = 0b00000001;
// configuramos la puerta B: RB0 como
entrada, los dems bits a cero como salida
PORTB = 0b00000000;
// inicializamos la puerta B con cero
__delay_ms (25);
milisegundos, para poder
55
ADCON1 = 0b01000000;
}
/*********************************************************************
************************/
unsigned char Conversion_AD(void)
{ // inicia una conversion analoga a digital y retorna los 8 bits mas
significativos del resultado
ADON=1;
// enciende el modulo ADC
__delay_us (8);
// retardo de 8 microsegundos, microchip
recomienda 5, nos cuidamos en salud
ADGO=1;
// iniciamos la conversion en el canal
preseleccionado
while(ADGO)continue; // esperamos hasta que termina la
conversion, ADGO se pondra a cero y sale de este lazo
ADON=0;
// apagamos el modulo
return(ADRESH);
// y por ultimo retornamos con el valor
mas significativo en "conversion_AD"
}
/*********************************************************************
*****************************/
void Cargador_Adc (void)
{
ADCON0 = 0b00000000; // seleccionamos el canal AN0 (temperatura
de los diodos)
D_Temp = Conversion_AD();
ADCON0 = 0b00000100; // seleccionamos el canal AN1 (temperatura
del Transformador)
TR_Temp = Conversion_AD();
ADCON0 = 0b00001000; // seleccionamos el canal AN2 (Batera)
BAT_Voltaje = Conversion_AD();
ADCON0 = 0b00001100; // seleccionamos el canal AN3 (corriente)
TR_corriente = Conversion_AD();
}
/*********************************************************************
**********************************************************************
*********/
void pasoPorcero (void)
{
while (PasoCero == 0)
{TMR0IF = 0;}
TMR0 = 245;
while ((PasoCero == 1) && (TMR0IF == 0))
{ }
if (TMR0IF == 1)
{ TMR0IF = 0;
Estado =ENTRADA_AC_MALA; }
56
else
{Estado = ENTRADA_AC_BUENA;
}
}
/*********************************************************************
**********************************************************************
*********/
void DnBatteryDutyCycle (void)
{
retardoPWM ++;
if (retardoPWM > 10)
{ retardoPWM = 0;
anchuraPulso --;
if (anchuraPulso < 55)
anchuraPulso = 55;
}
}
if
(TemporizadorAbsortion <
65000)
{TemporizadorAbsortion++;
}
if(TemporizadorAbsortion >= 65000)
{
TemporizadorAbsortion = 0;
57
TemporizadorAbsortionI ++;
if(TemporizadorAbsortionI >= 14)
{TemporizadorAbsortionI = 0;
EstadoSistema = CARGADOR_BATERIA_FLOAT;}
}
if (BAT_Voltaje >=VOLTAJE_BULK)
{UpBatteryDutyCycle ();}
if (BAT_Voltaje < VOLTAJE_BULK)
{DnBatteryDutyCycle ();}
}
}
break;
case CARGADOR_BATERIA_FLOAT:
{
{ voltajeLed = 1;
if (BAT_Voltaje >
VOLTAJE_FLOAT)
{UpBatteryDutyCycle
();}
if (BAT_Voltaje <
VOLTAJE_FLOAT)
{DnBatteryDutyCycle
();}
}
}
break;
case CARAGDOR_BATERIA_EQUALIZE:
{
{
voltajeLed = 1;
igualarLed = 0;
ParpaLed ++;
if estado_uno(ParpaLed,7)
{igualarLed = 1;}
if
(TemporizadorAbsortion <
65000)
{TemporizadorAbsortion++;
}
if(TemporizadorAbsortion >= 65000)
{
TemporizadorAbsortion = 0;
TemporizadorAbsortionI ++;
58
(PULSADOR == 0)
{
AC = 1;
Estado = CARGADOR_ENCENDIDO;}
__delay_ms (400);
}
59
/*********************************************************************
**********************************************************************
*********/
void Apagar_Cargador (void)
{
while (PULSADOR
== 0)
{ CARGADOR = 1;
pasoPorcero ();
Estado = CARGADOR_APAGADO;
}
while
(PULSADOR == 0)
{AC = !AC;
__delay_ms (200); }
}
/*********************************************************************
*************************************************/
void main(void)
{
init ();
ParpaLed = 0;
if (Estado == CARGADOR_ENCENDIDO)
{
Apagar_Cargador ();
pasoPorcero();
RELE = 1;
Cargador_Adc();
if (TR_corriente > (CORRIENTE_REF + 5))
{
CARGADOR = 1; //turn off charger
pasoPorcero();
RELE
= 0;
Estado = CARGADOR_SOBRE_CORRIENTE;
EstadoError = CARGADOR_FALLA_SOBRE_CORRIENTE;
Estado = ERROR_SISTEMA;
}
if ((D_Temp < DIODO_MAX_TEMP) || (TR_Temp < TRANS_MAX_TEMP))
{
CARGADOR = 1; //turn off charger
pasoPorcero();
RELE
= 0;
Estado = CARGADOR_SOBRE_TEMPERATURA;
EstadoError = CARGADOR_FALLA_SOBRE_TEMPERATURA;
Estado = ERROR_SISTEMA;
60
__delay_us(8);
}
CARGADOR = 1; // apaga el TRIAC
}
}
else if (Estado == CARGADOR_APAGADO)
{ Encender_Cargador (); }
else if (Estado == ERROR_SISTEMA)
{
if (EstadoError == CARGADOR_FALLA_SOBRE_TEMPERATURA)
{
Cargador_Adc();
if ((D_Temp > (DIODO_MAX_TEMP + 30)) && (TR_Temp
> (TRANS_MAX_TEMP + 30)))
{ Estado = CARGADOR_ENCENDIDO;
EstadoError == CARGADOR_BIEN;
}
else
61
errorLed =
__delay_ms
errorLed =
__delay_ms
}
1;
(250);
0;
(250);
62
63
/*********************************************************************
*****************************/
#ifndef _offline_Inverter_h
#define _offline_Inverter_h
#define _XTAL_FREQ 4000000UL
del micro,
TempD
TempTR
Corriente
Bateria
PasoCero
RA0
RA1
RA2
RA3
RA4
//
//
//
//
//
PIN
PIN
PIN
PIN
PIN
17
18
1
2
3
entrada
entrada
entrada
entrada
entrada
PULSADOR
RB0
RELE
LATB1
CARGADOR
LATB2
AC
LATB3
igualarLed LATB4
voltajeLed LATB5
corrienteLed LATB6
errorLed
LATB7
// PIN 6 entrada
// PIN 7 salida
// PIN 8 salida
// PIN 9 salida
// PIN 10 salida
// PIN 11 salida
// PIN 12 salida
// PIN 13 salida
/*********************************************************************
****************************/
ERROR_SISTEMA 0
CARGADOR_MODO_VOLTAJE 1
CARGADOR_MODO_CORRIENTE 2
CARGADOR_SOBRE_CORRIENTE 3
CARGADOR_MODO_IGUALACION 4
CARGADOR_FALLA_SOBRE_CORRIENTE 5
CARGADOR_CORRIENTE_BIEN 6
CARGADOR_ENCENDIDO 7
CARGADOR_APAGADO 8
CARGADOR_SOBRE_TEMPERATURA 9
CARGADOR_FALLA_SOBRE_TEMPERATURA 10
64
#define CARGADOR_BIEN 11
/* definicion estdos entrada AC */
#define ENTRADA_AC_ESTADO_DESCONOCIDO 0
#define ENTRADA_AC_MALA 1
#define ENTRADA_AC_BUENA 2
/* definicion estados batera */
#define BATERIA_NO_BIEN 0
#define BATERIA_BIEN 1
#define BATERIA_VAJO_VOLTAJE 2
#define BATERIA_ALTO_VOLTAJE 3
/* definicion de los estados de error */
#define NO_FALLA 0
#define FALLA_BATERIA_VAJO_VOLTAJE 1
#define FALLA_BATERIA_ALTO_VOLTAJE 2
/* definicion de los estsdos de carga */
#define CARGADOR_BATERIA_ABSORTION 0
#define CARGADOR_BATERIA_FLOAT 1
#define CARAGDOR_BATERIA_EQUALIZE 2
/* definicion voltajes de carga*/
#define VOLTAJE_BULK 148
#define VOLTAJE_FLOAT 136
#define CORRIENTE_REF 108
/* definicion temperatura de carga*/
#define DIODO_MAX_TEMP
#define TRANS_MAX_TEMP
#endif
59
59
65
66
CAPITULO 5
LA BATERIA DE
PLOMO-ACIDO
INTRODUCCION La importancia de este componente dentro del sistema FV hace necesario el
conocimiento a fondo de las limitaciones intrnsecas del mismo. Slo as podr lograrse
la correcta instalacin y uso del sistema, prolongando su vida til y grado de fiabilidad.
Es por ello que decid incorporar dos captulos relacionados con el tema. Este captulo
est dedicado a las bateras de plomo cido en general; el captulo subsiguiente
proporciona detalles propios de las bateras usadas en los sistemas FVs.
DOBLE
Comenzaremos con una pregunta bsica: cul es el mecanismo que permite la
CONVERSION utilizacin de una batera como una fuente porttil de energa elctrica ? La respuesta
DE ENERGIA es: una doble conversin de energa, llevada a cabo mediante el uso de un proceso
Este conjunto forma una celda de acumulacin, cuyo voltaje, en una batera de plomocido, excede levemente los 2V, dependiendo de su estado de carga. En el proceso
electroltico cada uno de los electrodos toma una polaridad diferente. La batera tiene
entonces un terminal negativo y otro positivo, los que estn claramente identificados
en la caja de plstico con los smbolos correspondientes (- y +).
BATERIA
COMERCIAL
La batera comercial, para poder ofrecer un voltaje de salida prctico, posee varias de
estas celdas conectadas en serie. La Figura 5.6 muestra muestra la estructura interna
y externa de una batera de Pb-cido para automotor, donde se observa el coneccionado
serie de las celdas, las que estn fsicamente separadas por particiones dentro de la
caja que las contiene. Cada celda est compuesta de varias placas positivas y negativas,
las que tienen separadores intermedios. Todas las placas de igual polaridad, dentro de
una celda, estn conectadas en paralelo. El uso de varias placas de igual polaridad
permite aumentar la superficie activa de una celda.
PROCESO
DE
CARGA
La corriente de carga provoca reacciones qumicas en los electrodos, las que continan
mientras el generador sea capaz de mantener esa corriente, o el electrolito sea incapaz
de mantener esas reacciones. El proceso es reversible. Si desconectamos el generador
y conectamos una carga elctrica a la batera, circular una corriente a travs de sta,
en direccin opuesta a la de carga, provocando reacciones qumicas en los electrodos
que vuelven el sistema a su condicin inicial.
CICLO
CARGADESCARGA
PERDIDAS DE Cuando un tipo de energa es convertido en otro la eficiencia del proceso nunca alcanza
CONVERSION el 100%, ya que siempre existen prdidas (calor). La doble conversin energtica que
toma lugar dentro de una batera obedece esta ley fsica. Habr, por lo tanto, prdidas
de energa durante el proceso de carga y el de descarga.
BATERIA
Pb-ACIDO
Tapn de
Ventilacin
Anodo
Tapn de
Ventilacin
Anodo
Ctodo
Nivel del
Electrolito
Alta
Densidad
Pb
Dixido
de Pb
40
Ctodo
Baja
Densidad
Sulfato
de Pb
Sulfato
de Pb
Como el proceso qumico libera gases (hidrgeno y oxgeno) se necesita que el conjunto
tenga ventilacin al exterior. El diseo de las tapas de ventilacin permite la evacuacin
de estos gases, restringiendo al mximo la posibilidad de un derrame del electrolito.
DENSIDAD
En una batera de Pb-cido el electrolito interviene en forma activa en el proceso
DEL
electroqumico, variando la proporcin de cido en la solucin con el estado de carga
ELECTROLITO del acumulador. Cuando la batera est descargada, la cantidad de cido en la solucin
VALOR EN Wh Para una dada batera, el nmero de Wh puede calcularse multiplicando el valor del
VALOR EN Ah: Existe la tentacin de extender este concepto para corrientes de descarga en exceso
SIGNIFICADO del mximo determinado por el mtodo de prueba (10A en nuestro ejemplo). La batera
CURVAS
DE
DESCARGA
Las curvas de descarga muestran que a baja temperatura la cada de voltaje es mucho
ms severa que la que se observa, para la misma corriente, a 25C. La baja temperatura
retarda la reaccin qumica, lo que se traduce en un brusco aumento de la resistencia
interna (Apndice I) de la batera, lo que provoca una mayor cada del voltaje. Estas
curvas confirman la experiencia que el lector tiene con bateras para automotor durante
el invierno. Se observa, asimismo, que si se mantiene constante la temperatura del
electrolito, la cada de voltaje es siempre mayor (aumento de la resistencia interna)
cuando la corriente de descarga aumenta. Este es el mecanismo autolimitante al que
nos referimos con anterioridad.
CURVAS
DE
CARGA
42
VARIACION EN EL VOLTAJE
DE UNA BATERIA DE Pb-ACIDO DE 12V
43
VARIACION EN EL VOLTAJE
DE UNA BATERIA DE Pb-ACIDO DE 12V
44
EVALUACION
DEL
ESTADO DE
CARGA
El valor del voltaje a circuito abierto para una batera no representa una buena indicacin
del estado de carga o la vida til de la misma. Para que esta medicin tenga alguna
significacin, la lectura debe ser precedida por la carga de la misma, seguida de un
perodo de inactividad de varias horas. El voltmetro a usarse deber ser capaz de leer
dos decimales con precisin. La medicin de la densidad del electrolito constituye una
evaluacin ms fiable, pues se mide un grupo de celdas por separado. Diferencias
substanciales en el valor de la densidad entre un grupo de celdas y los restantes d una
indicacin clara del envejecimiento de la misma (Captulo 13). Un voltaje que es
importante es el de final de descarga para la batera. Este valor est dado por el
fabricante, pero es siempre cercano a los 10,5V, para una batera de Pb-cido de 12V
nominales, trabajando a una temperatura cercana a los 25C.
CONGELACION Un problema que suele presentarse cuando la temperatura del electrolito alcanza los
DEL
0C est relacionado con el estado de carga de la batera. Si sta est prcticamente
ELECTROLITO descargada, la cantidad de agua en la solucin electroltica es mayor, como indicamos
mayor actividad qumica se traduce en una reduccin en la vida til de una batera de
Pb-cido, como lo muestra la tabla dada a continuacin.
TEMPERATURA
DEL ELECTROL.
C
25
30
35
40
45
50
55
REDUCCION
DE LA VIDA UTIL
%
0
30
50
65
77
87
95
GASIFICACION Cuando una batera de plomo-cido est prxima a alcanzar el 100% de su carga, la
cantidad de agua en el electrolito ha sido severamente reducida. Los iones que sta
provee se hacen ms escasos, disminuyendo la posibilidad para el in de hidrgeno
(electrodo negativo) y para el in de oxgeno (electrodo positivo) de reaccionar
qumicamente, formando plomo y dixido de plomo, respectivamente. Si la corriente
de carga contina al mismo nivel, el exceso de gases escapa del electrolito produciendo
un intenso burbujeo, el que se conoce como gasificacin.
45
sostenes de plomo de las celdas, pudiendo causar el derrumbe de los mismos. Este
fenmeno es conocido como la muerte sbita de la batera, ya que ocurre sin dar
aviso previo. Una gasificacin excesiva arrastra parte del electrolito, el que es expulsado
fuera de la batera, a travs de los tapones de respiracin. Este material contiene
cido sulfrico, daando los terminales de salida y disminuyendo la cantidad de cido
dentro de la batera. El proceso de carga de una batera de Pb-cido debe minimizar la
gasificacin del electrolito. Algo de gasificacin es til, pues contribuye a homogeneizar
la solucin electroltica. Para una batera solar de Pb-cido de 12V nominales,
trabajando alrededor de los 25C, un voltaje de carga de 14,28V proporciona un nivel
tolerable de gasificacin. Un voltaje ms elevado provoca un nivel de gasificacin
excesivo.
SULFATACION Hemos visto que la descarga de las bateras de plomo-cido trae aparejado un depsito
de sulfato de plomo en ambas placas. Normalmente este depsito est constitudo por
pequeos cristales, que se descomponen fcilmente durante el proceso de carga. Si,
por el contrario, la batera ha sido descargada repetidas veces por debajo del mnimo
especificado, es pobremente cargada, o permanece descargada por largo tiempo, el
tamao de los cristales crece, y slo una parte de ellos interviene en el proceso de
carga. Esto se traduce en una disminucin de la superficie activa del electrodo,
disminuyendo la capacidad de almacenaje. Este fenmeno se lo conoce con el nombre
de sulfatacin de la batera. En lugares donde los perodos nublados son de larga
duracin las bateras pueden permanecer en estado de baja carga, por largo tiempo,
induciendo la sulfatacin de las placas. Una carga a rgimen de corriente elevado
puede disolver esta formacin cristalina (proceso de ecualizacin).
AUTODESCARGA Una batera que est cargada y permanece inactiva, independientemente de su tipo,
46
El proceso de carga en una batera de Pb-cido genera dos tipos de gases: oxgeno e
hidrgeno. Ambos son sumamente activos, de manera que las bateras deben estar en
un lugar que tenga ventilacin al exterior. En particular, una llama o chispa puede
iniciar una reaccin qumica entre el oxgeno y el hidrgeno, la que se lleva a cabo con
una fuerte explosin. Por ello es importante no fumar o producir chispas elctricas en
el rea donde se alojan las bateras. El electrolito de estas bateras es altamente corrosivo,
atacando metales y susbstancias orgnicas. Al manejar bateras de Pb-cido se
recomienda el uso de guantes, botas y ropa protectora de goma. Si accidentalmente
Ud llegare a entrar en contacto con el electrolito, lvese las manos con abundante
agua, para evitar el ataque a la piel. Es muy importante tener a mano bicarbonato de
soda. Esta substancia neutraliza al cido sulfrico y dado su bajo costo, puede usarse
para neutralizar cido derramado en el piso o en herramientas.
ENVEJECIMIENTO Con el tiempo, todas las bateras pierden la capacidad de acumular carga, ya que con
cada descarga se pierde algo del material activo. Sin embargo, la vida til de las
mismas puede ser prolongada si se las mantiene cargadas, no se sobrecargan ni
descargan en exceso, permanecen en un lugar que no sufre temperaturas extremas, no
son sometidas a cortocircuitos, y se reemplaza el agua destilada que pierden.
NOTAS
TEMPERATURAS
DE
CONGELACION
TABLA 5.7
Punto de Congelacin de una Batera de Pb-cido
Estado
de Carga
%
100%
75%
50%
25%
Descargada
Temperatura de Congelamiento
del Electrolito
C
- 58,0
- 34,4
- 20,0
- 15,0
- 10,0
47
Tapa de Ventilacin
Terminal
Terminal
Conneccin de
las celdas en
serie
Bloques de Coneccin:
Unen las placas de
igual polaridad
Placa Positiva
Separadores
Placa Negativa
Celda
Descansos
Mecnicos
Caja de Plstico
Espacio para
Sedimentos
48
77
NO-DIS-MA-5200
CARGADOR DE BATERAS
NORMA DE DISTRIBUCIN
NO-DIS-MA-5200
CARGADOR DE BATERAS
FECHA DE APROBACIN: 03/02/09
NO-DIS-MA-5200
CARGADOR DE BATERAS
NDICE
0.-
REVISIONES ............................................................................................................................ 2
1.-
2.-
DEFINICIONES/SMBOLOS/ABREVIATURAS ....................................................................... 2
3.-
CARACTERSTICAS TCNICAS............................................................................................. 2
IDENTIFICACIN..................................................................................................................... 6
5.-
ENSAYOS ................................................................................................................................ 6
5.1.5.2.5.3.-
ENSAYOS DE TIPO.............................................................................................................. 7
ENSAYOS DE RUTINA ......................................................................................................... 7
ENSAYOS DE RECEPCIN ................................................................................................. 7
6.-
7.-
CDIGOS UTE......................................................................................................................... 8
8.-
9.-
10.-
ANEXOS................................................................................................................................. 10
NO-DIS-MA-5200
Vigencia: 2009-02-03
Pgina 1 de 10
NO-DIS-MA-5200
CARGADOR DE BATERAS
0.- REVISIONES
MODIFICACIONES A LA VERSIN DE LA FECHA 13/10/04
APARTADO
DESCRIPCIN
Cambio al nuevo formato
Eliminacin del cargador par bancos de 220Vcc
4
3.3
3.2.7
3.2
2.- DEFINICIONES/SMBOLOS/ABREVIATURAS
No corresponde.
CARACTERSTICAS AMBIENTALES
Pgina 2 de 10
NO-DIS-MA-5200
CARGADOR DE BATERAS
40C
30C
- temperatura mnima:
5C
interior
intemperie
-10C
100%
- altitud menor a:
1000 m
MODO DE CARGA
Deben tener 2 regmenes de carga, uno automtico y uno manual, seleccionables mediante
llave o conmutador apropiado. En el rgimen de carga automtico los cargadores debern
ser aptos para funcionar en los modos de carga flotante, rpida y de ecualizacin.
El funcionamiento de los cargadores deber estar de acuerdo con la secuencia
indicada en la siguiente figura:
En donde:
Vf es la tensin de flotacin
Ve es la tensin de ecualizacin
NO-DIS-MA-5200
Vigencia: 2009-02-03
Pgina 3 de 10
NO-DIS-MA-5200
CARGADOR DE BATERAS
3.2.2.-
INSTRUMENTOS Y CONTROLES
Los equipos debern tener en su panel frontal:
- Cargador de 24/48 V:
NO-DIS-MA-5200
Vigencia: 2009-02-03
Pgina 4 de 10
NO-DIS-MA-5200
CARGADOR DE BATERAS
- Cargador de 110 V:
- Voltmetro en barras de continua (0 - 150V)
- Ampermetro en barras de continua 40A.
- Alarma bajo voltaje de DC ajustable entre 90V y 100V.
- Alarma de alto voltaje de DC ajustable entre 115V y 130V.
Adems los tableros debern contar con las sealizaciones y comandos del cargador
constituidos por lo menos con los siguientes elementos:
- Estado de los interruptores de entrada y salida.
- Control de voltaje de salida.
- Control de lmite de corriente.
- Voltmetro de salida del cargador.
- Ampermetro de salida del cargador.
- Indicaciones para:
- Disponibilidad de fuente de energa (AC)
- Cargador ON.
- Cargador en falla.
- Actuacin del lmite de corriente.
Los instrumentos podrn ser analgicos, o digitales mltiples con llave de conmutacin
electrnica. En ambos casos la clase de precisin deber ser de 1.5. En el caso en que los
instrumentos sean analgicos las dimensiones mnimas sern de 72x72mm.
En el frente de los equipos habr seales luminosas que indiquen el estado en que se
encuentra el cargador, carga manual, carga de ecualizacin o carga de flote.
3.2.4.-
La entrada de los equipos deber estar protegida por un interruptor de AC con ajuste de
disparo por sobrecarga y cortocircuito, con poder de corte no menor de 10 KA.
Los equipos estarn protegidos contra cortocircuitos a la salida. Debern contar adems con
proteccin termomagntica contra posibles cortocircuitos o sobrecargas internas.
3.2.5.-
PROTECCIN DE SEMICONDUCTORES
NO-DIS-MA-5200
Vigencia: 2009-02-03
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NO-DIS-MA-5200
CARGADOR DE BATERAS
3.2.6.-
Los circuitos de control electrnico deben montarse en circuito impreso en fibra de vidrio tipo
enchufables, adems deben protegerse del calor excesivo dado por los elementos de
potencia principales.
Los rels que se utilicen sern preferiblemente del tipo enchufable, de buena calidad.
4.- IDENTIFICACIN
Los equipos debern presentar en su panel frontal una placa de caractersticas que tenga
como mnimo la informacin que se lista a continuacin, en letra de imprenta y caracteres
indelebles:
-
Tensin de alimentacin.
Tensin de salida.
Fecha de fabricacin
5.- ENSAYOS
Los cargadores objeto de esta Norma debern someterse a los ensayos que se detallan a
continuacin.
NO-DIS-MA-5200
Vigencia: 2009-02-03
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NO-DIS-MA-5200
CARGADOR DE BATERAS
NO-DIS-MA-5200
Vigencia: 2009-02-03
Pgina 7 de 10
NO-DIS-MA-5200
CARGADOR DE BATERAS
DESCRIPCION
051243
051244
IEC 255-0-20
IEC 60529
NO-DIS-MA-5200
Vigencia: 2009-02-03
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NO-DIS-MA-5200
CARGADOR DE BATERAS
Solicitado
Garantizado
1.
tem:
-------
2.
Fabricante:
-------
3.
Modelo:
-------
4.
Cdigo UTE:
-------
5.
Pas de Origen:
-------
6.
Localidad de inspeccin:
-------
7.
Plazo de garanta:
8.
Normas de fabricacin y
ensayos:
NO-DIS-MA-5200
9.
Tensin de alimentacin
(V):
230 trifsica
2 aos
10. Tolerancia en la
alimentacin (%)
+10 -15
30
0 a 30
0 a 15
24/48
110
24 a 56
104 a 124
19 a 45
80 a 100
24 a 58
104 a 130
19 a 22/35 a 43
90 a 100
25 a 30/50 a 55
115 a 130
0 a 100
0 a 150
0 a 40
Mediante termo
De acuerdo al punto 3.2.1
NO-DIS-MA-5200
Vigencia: 2009-02-03
Pgina 9 de 10
NO-DIS-MA-5200
CARGADOR DE BATERAS
10.- ANEXOS
No aplica.
NO-DIS-MA-5200
Vigencia: 2009-02-03
Pgina 10 de 10
89
ON Semiconductor )
NPN
TIP120 *
TIP121*
Plastic Medium-Power
Complementary Silicon Transistors
TIP122 *
PNP
TIP125 *
TIP126 *
TIP127 *
*ON Semiconductor Preferred Device
DARLINGTON
5 AMPERE
COMPLEMENTARY SILICON
POWER TRANSISTORS
6080100 VOLTS
65 WATTS
*MAXIMUM RATINGS
Rating
CollectorEmitter Voltage
CollectorBase Voltage
EmitterBase Voltage
Symbol
VCEO
VCB
TIP120,
TIP125
TIP121,
TIP126
TIP122,
TIP127
Unit
60
80
100
Vdc
60
80
100
Vdc
VEB
IC
5.0
Vdc
5.0
8.0
Adc
120
mAdc
65
0.52
Watts
W/_C
2.0
0.016
Watts
W/_C
50
mJ
TJ, Tstg
65 to +150
_C
IB
PD
PD
STYLE 1:
PIN 1.
2.
3.
4.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
3
CASE 221A09
TO220AB
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
RJC
1.92
_C/W
62.5
_C/W
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
TA TC
4.0 80
3.0 60
TC
2.0 40
TA
1.0 20
20
40
60
80
100
T, TEMPERATURE (C)
120
http://onsemi.com
2
140
160
Symbol
Min
Max
60
80
100
0.5
0.5
0.5
0.2
0.2
0.2
2.0
1000
1000
Unit
2.0
4.0
OFF CHARACTERISTICS
VCEO(sus)
TIP120, TIP125
TIP121, TIP126
TIP122, TIP127
TIP120, TIP125
TIP121, TIP126
TIP122, TIP127
Vdc
ICEO
mAdc
TIP120, TIP125
TIP121, TIP126
TIP122, TIP127
ICBO
mAdc
IEBO
mAdc
ON CHARACTERISTICS (1)
DC Current Gain
(IC = 0.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
(IC = 3.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
hFE
VCE(sat)
Vdc
BaseEmitter On Voltage
(IC = 3.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
VBE(on)
2.5
Vdc
hfe
4.0
300
200
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Cob
pF
5.0
CC
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
-30 V
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg:
1N5825 USED ABOVE IB 100 mA
RC
SCOPE
MSD6100 USED BELOW IB 100 mA
TUT
RB
51
0
V1
approx
-12 V
D1
8.0 k 120
+4.0 V
25 s
tr, tf 10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
PNP
NPN
ts
2.0
t, TIME (s)
V2
approx
+8.0 V
3.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.1
tf
1.0
VCC = 30 V
IC/IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25C
0.2
tr
td @ VBE(off) = 0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
http://onsemi.com
3
5.0 7.0 10
D = 0.5
0.3
0.2
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.05
0.02
0.03
0.02
P(pk)
ZJC(t) = r(t) RJC
RJC = 1.92C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
t1
READ TIME AT t1
t2
TJ(pk) - TC = P(pk) ZJC(t)
DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.01
0.01
0.01
SINGLE PULSE
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
t, TIME (ms)
10
20
50
100
200
500 1.0 k
20
100 s
10
500 s
5.0
dc
TJ = 150C
BONDING WIRE LIMITED
THERMALLY LIMITED
1ms
@ TC = 25C (SINGLE PULSE)
5ms
SECOND BREAKDOWN LIMITED
CURVES APPLY BELOW
RATED VCEO
TIP120, TIP125
TIP121, TIP126
TIP122, TIP127
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
70 100
300
TJ = 25C
5000
3000
2000
200
C, CAPACITANCE (pF)
10,000
1000
500
300
200
TC = 25C
VCE = 4.0 Vdc
IC = 3.0 Adc
100
50
30
20
10
1.0
5.0
70
Cib
50
PNP
NPN
2.0
Cob
100
10
20
50 100
f, FREQUENCY (kHz)
200
30
0.1
500 1000
PNP
NPN
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0 10
20
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance
http://onsemi.com
4
50
100
PNP
TIP125, TIP126, TIP127
20,000
20,000
VCE = 4.0 V
5000
10,000
7000
5000
10,000
TJ = 150C
3000
2000
25C
1000
-55C
500
300
200
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
3000
VCE = 4.0 V
TJ = 150C
25C
2000
1000
700
500
-55C
300
200
0.1
5.0 7.0 10
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0 7.0 10
3.0
TJ = 25C
2.6
IC = 2.0 A
4.0 A
6.0 A
2.2
1.8
1.4
1.0
0.3
2.0 3.0
5.0 7.0 10
IB, BASE CURRENT (mA)
20
30
3.0
TJ = 25C
IC = 2.0 A
2.6
4.0 A
6.0 A
2.2
1.8
1.4
1.0
0.3
2.0 3.0
5.0 7.0 10
IB, BASE CURRENT (mA)
20
30
3.0
3.0
TJ = 25C
TJ = 25C
2.5
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.1
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
1.5
1.0
0.2 0.3
2.0
0.5
0.1
10
0.5 0.7
1.0
2.0 3.0
http://onsemi.com
5
5.0 7.0 10
TO220AB
CASE 221A09
ISSUE AA
T
B
SEATING
PLANE
F
T
Q
1 2 3
H
K
Z
L
G
D
N
STYLE 1:
PIN 1.
2.
3.
4.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
http://onsemi.com
6
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
INCHES
MIN
MAX
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
----0.080
MILLIMETERS
MIN
MAX
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
----2.04
2N6426
TO-92
BE
Parameter
Value
Units
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
40
VCBO
Collector-Base Voltage
40
VEBO
Emitter-Base Voltage
12
IC
TJ, Tstg
1.2
-55 to +150
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
PD
Characteristic
RJC
RJA
Max
Units
2N6426
625
5.0
83.3
mW
mW/C
C/W
200
C/W
2N6426
(continued)
Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
V(BR)CEO
I C = 10 mA, I B = 0
40
V(BR)CBO
I C = 100 A, I E = 0
40
V
V
V(BR)EBO
I E = 10 A, I C = 0
12
ICBO
VCB = 30 V, IE = 0
50
nA
ICEO
VCE = 25 V, IB = 0
1.0
IEBO
VEB = 10 V, IC = 0
50
nA
200,000
300,000
200,000
1.2
1.5
2.0
V
V
V
ON CHARACTERISTICS*
hFE
DC Current Gain
VCE( sat)
VBE( sat)
VCE = 5.0 V, IC = 10 mA
VCE = 5.0 V, IC = 100 mA
VCE = 5.0 V, IC = 500 mA
IC = 50 mA, IB = 0.5 mA
IC = 500 mA, I B = 0.5 mA
IC = 500 mA, I B = 0.5 mA
20,000
30,000
20,000
VBE( on)
Base-Emitter On Voltage
1.75
Output Capacitance
7.0
pF
Cib
Input Capacitance
15
pF
hfe
hie
Input Impedance
hoe
NF
Output Admittance
f = 1.0 kHz
Noise Figure
20,000
100
2,000
1,000
mho
10
dB
2N6426
TO-92 Packaging
Configuration: Figure 1.0
TAPE and REEL OPTION
FSCINT Label sample
CBVK741B019
PN2222N
NSID:
D/C1:
HTB:B
QTY: 10000
SPEC:
D9842
SPEC REV:
FSCINT
Label
B2
QA REV:
5 Reels per
Intermediate Box
(FSCINT)
Customized
Label
F63TNR
Label
QTY: 2000
SPEC:
QTY1:
QTY2:
SPEC REV:
CPN:
N/F: F
Customized
Label
(F63TNR)3
Style
Quantity
Reel
2,000
2,000
D27Z
2,000
D74Z
2,000
D26Z
Ammo
EOL code
D75Z
FSCINT
Label
Unit weight
= 0.22 gm
Reel weight with components
= 1.04 kg
Ammo weight with components = 1.02 kg
Max quantity per intermediate box = 10,000 units
DESCRIPTION
Customized
Label
F63TNR
Label
333mm x 231mm x 183mm
Intermediate Box
BULK OPTION
LEADCLIP
DIMENSION
QUANTITY
J18Z
NO LEAD CLIP
J05Z
NO LEAD CLIP
1.5 K / BOX
NO LEADCLIP
2.0 K / BOX
NO LEADCLIP
2.0 K / BOX
2.0 K / BOX
NO EOL
CODE
TO-92 STANDARD
STRAIGHT FOR: PKG 92,
94 (NON PROELECTRON
SERIES), 96
L34Z
TO-92 STANDARD
STRAIGHT FOR: PKG 94
(PROELECTRON SERIES
BCXXX, BFXXX, BSRXXX),
97, 98
Anti-static
Bubble Sheets
FSCINT Label
Customized
Label
FSCINT Label
10,000 units maximum
per intermediate box
for std option
ORDER STYLE
D74Z (M)
ORDER STYLE
D75Z (P)
Hd
P
Pd
b
Ha
W1
d
L
H1 HO
L1
S
WO
W2
W
t1
P1 F1
DO
P2
ITEM DESCRIPTION
0.098 (max)
Ha
HO
H1
Pd
0.040 (max)
Hd
0.031 (max)
Component Pitch
PO
P1
P2
Lead Spread
F1/F2
Lead Thickness
0.429 (max)
L1
t1
WO
W1
0.035 (max)
W2
DO
TO-92 Reel
Configuration: Figure 5.0
DIMENSION
Component Height
SYMBOL
PO
0.004 (max)
D4
D1
ITEM DESCRIPTION
MINIMUM
MAXIMUM
D1
13.975
14.025
F63TNR Label
SYSMBOL
Reel Diameter
D2
D2
1.160
1.200
D2
0.650
0.700
Customized Label
(Small Hole)
Core Diameter
3.100
3.300
D4
2.700
3.100
W1
0.370
0.570
W2
1.630
W1
D3
W3
1.690
2.090
W3
W2
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
TRADEMARKS
The following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is
not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.
ACEx
Bottomless
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
E2CMOSTM
EnSignaTM
FACT
FACT Quiet Series
FAST
FASTr
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
ISOPLANAR
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
PACMAN
POP
PowerTrench
QFET
QS
QT Optoelectronics
Quiet Series
SILENT SWITCHER
SMART START
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
DISCLAIMER
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER
NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD
DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT
OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN; NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT
RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.
LIFE SUPPORT POLICY
FAIRCHILDS PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT
DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.
As used herein:
1. Life support devices or systems are devices or
2. A critical component is any component of a life
support device or system whose failure to perform can
systems which, (a) are intended for surgical implant into
be reasonably expected to cause the failure of the life
the body, or (b) support or sustain life, or (c) whose
support device or system, or to affect its safety or
failure to perform when properly used in accordance
with instructions for use provided in the labeling, can be
effectiveness.
reasonably expected to result in significant injury to the
user.
PRODUCT STATUS DEFINITIONS
Definition of Terms
Datasheet Identification
Product Status
Definition
Advance Information
Formative or
In Design
Preliminary
First Production
No Identification Needed
Full Production
Obsolete
Not In Production
Rev. G
AM15X Series
1.5A Single Phase Bridge Rectifiers
Features:
Ratings to 1000V PRV.
Surge overload rating - 30/50 amperes peak.
Ideal for printed circuit board.
Reliable construction utilizing moulded plastic.
Mounting position : Any.
Mechanical Data:
Case
Terminals
Polarity
50
100
200
400
600
800
1000
35
70
140
280
420
560
700
50
100
200
400
600
800
1000
AM150
1.5
Peak forward surge current, 8.3ms single half sinewave superimposed on rated load
AM150
50.0
1.0
10.0
1.0
A
mA
10
A2S
Page 1
31/05/05 V1.0
AM15X Series
1.5A Single Phase Bridge Rectifiers
Maximum Ratings and Electrical Characteristics:
Ratings at 25C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, Resistive or inductive load.
Typical junction capacitance per leg (Note 1) CJ
24
pF
36
13
C/W
-55 to +125
-55 to +150
Notes:
1 Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts
2 Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on PCB with 0.47 x 0.47" (12 x 12mm) copper
pads.
Page 2
31/05/05 V1.0
AM15X Series
1.5A Single Phase Bridge Rectifiers
FIGURE 3 - TYPICAL FORWARD
CHARACTERISTICS (25C)
Specifications
VRRM
(V)
Maximum AC
Input Voltage
(V)
Current
Rating
(A)
50
35
AM150
100
70
AM151
200
140
AM152
400
280
600
420
AM156
800
560
AM158
1000
700
AM1510
1.5
IFSM
(A)
30
Body
Height
5.5
Diameter
9.1
Pin Spacing
5.6
Part Number
AM154
Dimensions : Millimetres
Order Multiple = 5
Page 3
31/05/05 V1.0
Tolerance: C = 5%
Parameter
Value
Units
mA
IFRM
250
IZRM
250
mA
PD
Power Dissipation
350
mW
TSTG
-55 to +150
TJ
-55 to +150
2
1
SOT-23
*These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
CONNECTION
DIAGRAM
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed
or low duty cycle operations.
2 NC
Electrical Characteristics
IZ = 5.0 mA
Device
VZ(V)
Mark
MIN
BZX84C 3V3
BZX84C 3V6
BZX84C 3V9
BZX84C 4V3
BZX84C 4V7
BZX84C 5V1
BZX84C 5V6
BZX84C 6V2
BZX84C 6V8
BZX84C 7V5
BZX84C 8V2
BZX84C 9V1
BZX84C 10
BZX84C 11
BZX84C 12
BZX84C 13
BZX84C 15
BZX84C 16
BZX84C 18
BZX84C 20
BZX84C 22
BZX84C 24
Z14
Z15
Z16
Z17
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
IZ = 1.0 mA
ZZ()
MAX
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
VZ(V)
MIN
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
IZ = 20 mA
ZZ()
MAX
2.3
2.7
2.9
3.3
3.7
4.2
4.8
5.6
6.3
6.9
7.6
8.4
9.3
10.2
11.2
12.3
13.7
15.2
16.7
18.7
20.7
22.7
2.9
3.3
3.5
4.0
4.7
5.3
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.0
15.5
17
19
21.1
23.2
25.5
ZZ()
VZ(V)
MIN
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
MAX
3.6
3.9
4.1
4.4
4.5
5.0
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.5
13.9
15.4
16.9
18.9
20.9
22.9
4.2
4.5
4.7
5.1
5.4
5.9
6.3
6.8
7.4
8.0
8.8
9.7
10.7
11.8
12.9
14.2
15.7
17.2
19.2
21.4
23.4
25.7
40
40
30
30
15
15
10
6
6
6
6
8
10
10
10
15
20
20
20
20
25
25
Zeners
BZX84C 3V3 - BZX84C 33
(continued)
Electrical Characteristics
(continued)
IZ = 100 A
IZ = 2.0 mA
Device
BZX84C 27
BZX84C 30
BZX84C 33
Mark
Y10
Y11
Y12
VZ (V)
MIN
MAX
25.1
28
31
ZZ()
28.9
32
35
VZ (V)
MIN
80
80
80
MAX
25
27.8
30.8
28.9
32
35
IZ = 10 mA
ZZ()
VZ (V)
MIN
300
300
325
25.2
28.1
31.1
ZZ()
MAX
29.3
32.4
35.4
45
50
55
Device
BZX84C 3V3
BZX84C 3V6
BZX84C 3V9
BZX84C 4V3
BZX84C 4V7
BZX84C 5V1
BZX84C 5V6
BZX84C 6V2
BZX84C 6V8
BZX84C 7V5
BZX84C 8V2
BZX84C 9V1
BZX84C 10
BZX84C 11
BZX84C 12
BZX84C 13
BZX84C 15
BZX84C 16
BZX84C 18
BZX84C 20
BZX84C 22
BZX84C 24
BZX84C 27
BZX84C 30
BZX84C 33
VR
IR
(V)
(A)
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14
15.4
16.8
18.9
21
23.1
5.0
5.0
5.0
5.0
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
CAP*
(pF)
MIN
MAX
450
450
450
450
260
225
200
185
155
140
135
130
130
130
130
120
110
105
100
85
85
80
70
70
70
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 3.5
- 2.7
- 2.0
+ 0.4
+ 1.2
+ 2.5
+ 3.2
+ 3.8
+ 4.5
+ 5.4
+ 6.0
+ 7.0
+ 9.2
+ 10.4
+ 12.4
+ 14.4
+ 16.4
+ 18.4
+ 21.4
+ 24.4
+ 27.4
0.0
0.0
0.0
0.0
+ 0.2
+ 1.2
+ 2.5
+ 3.7
+ 4.5
+ 5.3
+ 6.2
+ 7.0
+ 8.0
+ 9.0
+ 10
+ 11
+ 13
+ 14
+ 16
+ 18
+ 20
+ 22
+ 25.3
+ 29.4
+ 33.4
(continued)
Typical Characteristics
35
5000
25
Z Z - IMPEDANCE (ohms)
30
TA = 25 C
20
15
V Z = 12.0V
10
V Z = 5.1V
5
1
V Z = 3.3V
5
10
I Z- ZENER CURRENT (mA)
20
4
T A = -25 C
TA = 25 C
3
TA = 85 C
T A = 100 C
T A= 125 C
5
10
I Z- ZENER CURRENT (mA)
20
TA = 85 C
TA = 100 C
T A = 25 C
4.5
TA = -25 C
5
10
I Z - ZENER CURRENT (mA)
20
30
5
10
I Z - ZENER CURRENT (mA)
V Z = 33.0V
TA = 125 C
TA = 25 C
TA = 85 C
20
30
10 T = -25 C
A
20
TA = 125 C
40
V Z = 12.0V
10
V Z = 5.1V
5 TA = 100 C
30
15
0.5
1
2
5
I Z - ZENER CURRENT (mA)
5.5
4
1
0.2
V Z = 3.3V
V Z = 33.0V
20
10 V Z = 12.0V
5
30
200
100
50
2000
1000
500 V Z = 3.3V
2
1
0.1
TA = 25 C
V Z = 5.1V
V Z = 33.0V
TA = 100 C
TA = 125 C
35
30 TA = -25 C
T A = 25 C
TA = 85 C
25
20
5
10
I Z - ZENER CURRENT (mA)
20
30
TRADEMARKS
The following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is
not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.
ACEx
Bottomless
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E2CMOSTM
EnSignaTM
FACT
FACT Quiet Series
FAST
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
ISOPLANAR
LittleFET
MicroFET
MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
PACMAN
POP
Power247
PowerTrench
QFET
QS
QT Optoelectronics
Quiet Series
SILENT SWITCHER
SMART START
STAR*POWER
Stealth
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
DISCLAIMER
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER
NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD
DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT
OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN; NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT
RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.
LIFE SUPPORT POLICY
FAIRCHILDS PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT
DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.
As used herein:
1. Life support devices or systems are devices or
2. A critical component is any component of a life
systems which, (a) are intended for surgical implant into
support device or system whose failure to perform can
the body, or (b) support or sustain life, or (c) whose
be reasonably expected to cause the failure of the life
failure to perform when properly used in accordance
support device or system, or to affect its safety or
with instructions for use provided in the labeling, can be
effectiveness.
reasonably expected to result in significant injury to the
user.
PRODUCT STATUS DEFINITIONS
Definition of Terms
Datasheet Identification
Product Status
Definition
Advance Information
Formative or
In Design
Preliminary
First Production
No Identification Needed
Full Production
Obsolete
Not In Production
Rev. H4
IRFP260, SiHFP260
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
200
RDS(on) ()
VGS = 10 V
0.055
Qg (Max.) (nC)
230
Qgs (nC)
42
Qgd (nC)
110
Configuration
Single
D
TO-247
Available
RoHS*
COMPLIANT
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and
cost-effectiveness.
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial
applications where higher power levels preclude the use of
TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the
earlier TO-218 package because of its isolated mouting hole.
It also provides greater creepage distance between pins to
meet the requirements of most safety specifications.
S
D
G
S
N-Channel MOSFET
ORDERING INFORMATION
Package
TO-247
IRFP260PbF
SiHFP260-E3
IRFP260
SiHFP260
Lead (Pb)-free
SnPb
SYMBOL
LIMIT
Drain-Source Voltage
VDS
200
Gate-Source Voltage
VGS
20
VGS at 10 V
TC = 25 C
TC = 100 C
ID
UNIT
V
46
29
IDM
180
2.2
W/C
EAS
1000
mJ
IAR
46
EAR
28
mJ
TC = 25 C
for 10 s
6-32 or M3 screw
280
5.0
V/ns
TJ, Tstg
PD
dV/dt
- 55 to + 150
300d
10
lbf in
1.1
Nm
Notes
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 C, L = 708 H, RG = 25 , IAS = 46 A (see fig. 12).
c. ISD 46 A, dI/dt 230 A/s, VDD VDS, TJ 150 C.
d. 1.6 mm from case.
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply
Document Number: 91215
S-81304-Rev. A, 16-Jun-08
www.vishay.com
1
IRFP260, SiHFP260
Vishay Siliconix
THERMAL RESISTANCE RATINGS
PARAMETER
SYMBOL
TYP.
MAX.
Maximum Junction-to-Ambient
RthJA
40
RthCS
0.24
RthJC
UNIT
0.45
C/W
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
VDS Temperature Coefficient
VDS
VGS = 0 V, ID = 250 A
200
VDS/TJ
Reference to 25 C, ID = 1 mA
0.24
V/C
VGS(th)
2.0
4.0
Gate-Source Leakage
IGSS
VGS = 20 V
100
nA
IDSS
25
250
RDS(on)
gfs
0.055
5200
1200
310
VDS = 50 V, ID = 28 Ab
24
ID = 28 Ab
VGS = 10 V
230
Dynamic
Input Capacitance
Ciss
Output Capacitance
Coss
Crss
Qg
Gate-Source Charge
Qgs
42
Gate-Drain Charge
Qgd
110
td(on)
23
tr
120
100
94
5.0
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Internal Drain Inductance
Internal Source Inductance
td(off)
VGS = 0 V,
VDS = 25 V,
f = 1.0 MHz, see fig. 5
VGS = 10 V
ID = 46 A, VDS = 160 V,
see fig. 6 and 13b
VDD = 100 V, ID = 46 A,
RG = 4.3 , RD = 2.1 , see fig. 10b
tf
LD
LS
Between lead,
6 mm (0.25") from
package and center of
die contact
pF
nC
ns
nH
13
46
180
1.8
390
590
ns
4.8
7.2
IS
ISM
VSD
trr
Qrr
ton
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p - n junction diode
TJ = 25 C, IS = 46 A, VGS = 0 Vb
TJ = 25 C, IF = 46 A, dI/dt = 100 A/sb
Notes
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).
b. Pulse width 300 s; duty cycle 2 %.
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2
IRFP260, SiHFP260
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 C, unless otherwise noted
www.vishay.com
3
IRFP260, SiHFP260
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
IRFP260, SiHFP260
Vishay Siliconix
RD
VDS
VGS
D.U.T.
RG
+
- VDD
10 V
Pulse width 1 s
Duty factor 0.1 %
VDS
90 %
10 %
VGS
td(on)
td(off) tf
tr
L
Vary tp to obtain
required IAS
VDS
VDS
tp
VDD
D.U.T
RG
+
-
I AS
V DD
VDS
10 V
tp
0.01
IAS
IRFP260, SiHFP260
Vishay Siliconix
Current regulator
Same type as D.U.T.
50 k
QG
10 V
12 V
0.2 F
0.3 F
QGS
QGD
D.U.T.
VG
VDS
VGS
3 mA
Charge
IG
ID
Current sampling resistors
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6
IRFP260, SiHFP260
Vishay Siliconix
D.U.T
+
-
RG
dV/dt controlled by RG
Driver same type as D.U.T.
ISD controlled by duty factor "D"
D.U.T. - device under test
Period
D=
+
-
VDD
P.W.
Period
VGS = 10 V*
Re-applied
voltage
VDD
ISD
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see http://www.vishay.com/ppg?91215.
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7
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Vishay Intertechnology, Inc., its affiliates, agents, and employees, and all persons acting on its or their behalf
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1
Advantages
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Features
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Wide supply
Voltage range
2 0V to 36V
g 1 0V to g 18V
single or dual supplies
Very low supply current drain (0 4 mA)
independent
of supply voltage
Low input biasing current
25 nA
g 5 nA
Low input offset current
g 3 mV
and maximum offset voltage
Input common-mode voltage range includes ground
Differential input voltage range equal to the power supply voltage
Low output saturation voltage
250 mV at 4 mA
Output voltage compatible with TTL DTL ECL
MOS and CMOS logic systems
Dual-In-Line Package
TL H 5709 1
TL H 5709
RRD-B30M115 Printed in U S A
January 1995
2
0
VRL e 5V RL e 5 1 kX (Note 7)
VIN(b) e 1V VIN( a ) e 0 VOs1 5V
VIN(b) e 1V VIN( a ) e 0 ISINKs4 mA
Response Time
Saturation Voltage
60
01
250
16
13
300
200
1
50
04
V a e 5V
V a e 36V
RLt15 kX V a e 15V
VO e 1V to 11V
RL e %
Voltage Gain
Supply Current
30
e 30V (Note 6)
25
10
400
25
V a b1
25
100
20
Max
LM193A
Min Typ
260 C
C
C
C
C
b 65 C to a 150 C
a 260 C
0 C to a 70
b 25 C to a 85
b 55 C to a 125
b 40 C to a 85
60
50
01
250
16
13
300
200
04
50
25
10
400
25
V b1 5
50
250
20
Max
LM293A LM393A
Min Typ
60
50
01
250
16
13
300
200
04
30
25
10
Min Typ
400
25
V b1 5
25
100
50
Max
LM193
60
50
01
250
16
13
300
200
04
50
25
10
Min Typ
b1 5
400
25
50
250
50
Max
LM293 LM393
215 C
220 C
See AN-450 Surface Mounting Methods and Their Effect on Product
Reliability for other methods of soldering surface mount devices
ESD rating (1 5 kX in series with 100 pF)
1300V
780 mW
660 mW
510 mW
Continuous
50 mA
(Note 9)
Conditions
36V
b 0 3V to a 36V
Parameter
Electrical Characteristics (V a e 5V
60
25
01
250
16
15
300
100
04
50
25
20
400
25
10
V b1 5
50
250
70
Max
LM2903
Min Typ
nA
mV
mA
ms
ns
V mV
mA
mA
nA
nA
mV
Units
(Note 9)
36
10
700
36
10
700
36
10
700
36
10
700
400
200
50
36
10
700
V a b2 0
500
200
15
Max
LM2903
Min Typ
V a b2 0 0
400
150
Max
LM293 LM393
Min Typ
V a b2 0 0
300
100
Max
LM193
Min Typ
V a b2 0 0
400
150
40
Max
LM293A LM393A
Min Typ
V a b2 0 0
300
100
40
Max
LM193A
Min Typ
mA
mV
nA
nA
mV
Units
Note 10 Refer to RETS193AX for LM193AH military specifications and to RETS193X for LM193H military specifications
Note 8 Positive excursions of input voltage may exceed the power supply level As long as the other voltage remains within the common-mode range the comparator will provide a proper output state The low input voltage state must
not be less than b 0 3V (or 0 3V below the magnitude of the negative power supply if used)
Note 9 At output switch point VO j 1 4V RS e 0X with V a from 5V to 30V and over the full input common-mode range (0V to V a b 1 5V) at 25 C
Note 7 The response time specified is for a 100 mV input step with 5 mV overdrive For larger overdrive signals 300 ns can be obtained see typical performance characteristics section
Note 6 The input common-mode voltage or either input signal voltage should not be allowed to go negative by more than 0 3V The upper end of the common-mode voltage range is V a b 1 5V at 25 C but either or both inputs can go
to 36V without damage independent of the magnitude of V a
Note 5 The direction of the input current is out of the IC due to the PNP input stage This current is essentially constant independent of the state of the output so no loading change exists on the reference or input lines
Note 4 These specifications are limited to b 55 C s TA s a 125 C for the LM193 LM193A With the LM293 LM293A all temperature specifications are limited to b 25 C s TA s a 85 C and the LM393 LM393A temperature specifications are limited to 0 C s TA s a 70 C The LM2903 is limited to b 40 C s TA s a 85 C
Note 3 This input current will only exist when the voltage at any of the input leads is driven negative It is due to the collector-base junction of the input PNP transistors becoming forward biased and thereby acting as input diode
clamps In addition to this diode action there is also lateral NPN parasitic transistor action on the IC chip This transistor action can cause the output voltages of the comparators to go to the V a voltage level (or to ground for a large
overdrive) for the time duration that an input is driven negative This is not destructive and normal output states will re-establish when the input voltage which was negative again returns to a value greater than b 0 3V
Note 2 Short circuits from the output to V a can cause excessive heating and eventual destruction When considering short circuits to ground the maximum output current is approximately 20 mA independent of the magnitude of V a
Note 1 For operating at high temperatures the LM393 LM393A and LM2903 must be derated based on a 125 C maximum junction temperature and a thermal resistance of 170 C W which applies for the device soldered in a printed
circuit board operating in a still air ambient The LM193 LM193A LM293 LM293A must be derated based on a 150 C maximum junction temperature The low bias dissipation and the ON-OFF characteristic of the outputs keeps the
chip dissipation very small (PD s 100 mW) provided the output transistors are allowed to saturate
Saturation Voltage
Conditions
Parameter
Input Current
TL H 5709 3
Input Current
TL H 5709 4
Application Hints
The differential input voltage may be larger than V a without
damaging the device (see Note 8) Protection should be
provided to prevent the input voltages from going negative
more than b0 3 VDC (at 25 C) An input clamp diode can be
used as shown in the applications section
The output of the LM193 series is the uncommitted collector
of a grounded-emitter NPN output transistor Many collectors can be tied together to provide an output ORing function An output pull-up resistor can be connected to any
available power supply voltage within the permitted supply
voltage range and there is no restriction on this voltage due
to the magnitude of the voltage which is applied to the V a
terminal of the LM193 package The output can also be
used as a simple SPST switch to ground (when a pull-up
resistor is not used) The amount of current which the output
device can sink is limited by the drive available (which is
independent of V a ) and the b of this device When the
maximum current limit is reached (approximately 16 mA)
the output transistor will come out of saturation and the output voltage will rise very rapidly The output saturation voltage is limited by the approximately 60X rSAT of the output
transistor The low offset voltage of the output transistor
(1 0 mV) allows the output to clamp essentially to ground
level for small load currents
Driving CMOS
Driving TTL
TL H 5709 2
Pulse Generator
V e a 30 VDC
a 250 mVDC s VC s a 50 VDC
700 Hz s fo s 100 kHz
TL H 5709 5
Basic Comparator
TL H 57096
TL H 5709 9
TL H 5709 10
TL H 5709 11
AND Gate
TL H 5709 14
Limit Comparator
TL H 5709 12
OR Gate
TL H 5709 15
TL H 5709 13
TL H 5709 16
TL H 570917
TL H 5709 21
One-Shot Multivibrator
Bi-Stable Multivibrator
TL H 5709 24
TL H 5709 22
TL H 5709 23
TL H 5709 7
Comparator With a
Negative Reference
TL H 5709 8
10
11
National Semiconductor
Europe
Fax (a49) 0-180-530 85 86
Email cnjwge tevm2 nsc com
Deutsch Tel (a49) 0-180-530 85 85
English Tel (a49) 0-180-532 78 32
Fran ais Tel (a49) 0-180-532 93 58
Italiano Tel (a49) 0-180-534 16 80
National Semiconductor
Hong Kong Ltd
13th Floor Straight Block
Ocean Centre 5 Canton Rd
Tsimshatsui Kowloon
Hong Kong
Tel (852) 2737-1600
Fax (852) 2736-9960
National Semiconductor
Japan Ltd
Tel 81-043-299-2309
Fax 81-043-299-2408
National does not assume any responsibility for use of any circuitry described no circuit patent licenses are implied and National reserves the right at any time without notice to change said circuitry and specifications
MOTOROLA
MAC224
Series
MAC224A
Series
Triacs
TRIACs
40 AMPERES RMS
200 thru 800 VOLTS
MT2
MT1
CASE 221A-04
(TO-220AB)
STYLE 4
Symbol
Value
VDRM
MAC224-4, MAC224A4
MAC224-6, MAC224A6
MAC224-8, MAC224A8
MAC224-10, MAC224A10
Unit
Volts
200
400
600
800
IT(RMS)
40
Amps
ITSM
350
Amps
I2t
500
A2s
IGM
Amps
VGM
10
Volts
PGM
20
Watts
PG(AV)
0.5
Watts
p 2 s)
Peak Gate Voltage (t p 2 s)
Peak Gate Power (t p 2 s)
Peak Gate Current (t
p 8.3 ms)
TJ
40 to 125
Tstg
40 to 150
in. lb.
1. VDRM for all types can be applied on a continuous basis. Blocking voltages shall not be tested with a constant current source
(cont.)
such that the voltage ratings of the devices are exceeded.
2. This device is rated for use in applications subject to high surge conditions. Care must be taken to insure proper heat sinking when the device
is to be used at high sustained currents. (See Figure 1 for maximum case temperatures.)
Max
Unit
Characteristic
RJC
C/W
RJA
60
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C and either polarity of MT2 to MT1 voltage unless otherwise noted.)
Characteristic
Peak Blocking Current
(Rated VDRM, Gate Open)
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
10
2
A
mA
1.4
1.85
Volts
IDRM
TJ = 25C
TJ = 125C
VTM
IGT
VGT
mA
VGD
25
40
50
75
Volts
1.1
1.3
2
2.5
Volts
0.2
0.2
IH
30
75
mA
tgt
1.5
dv/dt
50
V/s
dv/dt(c)
V/s
120
115
110
105
100
95
90
85
80
75
0
5.0
10
15
20
25
30
35
40
60
54
48
42
36
30
24
18
12
6.0
0
0
5.0
10
15
20
25
30
35
40
*This device is rated for use in applications subject to high surge conditions. Care must be taken to insure proper heat sinking when the device is to
be used at high sustained currents.
3.0
2.0
VD = 12 V
RL = 100
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
60
40
20
20
40
60
80
100
120
3.0
2.0
VD = 12 V
RL = 100
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
60
140
40
20
0.5
0.3
0.2
0.1
60
40
20
20
40
60
80
100
120
140
ITM = 200 mA
Gate Open
1.0
20
40
60
80
100
120
1000
100
TJ = 25C
10
1.0
0
1.0
2.0
3.0
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
0.2
0.5
20
50
100
200
500
1k
2k
5k
10 k
t, TIME (ms)
140
2.0
T
B
SEATING
PLANE
C
S
STYLE 4:
PIN 1.
2.
3.
4.
A
U
1 2 3
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
H
K
Z
R
L
V
G
D
MAIN TERMINAL 1
MAIN TERMINAL 2
GATE
MAIN TERMINAL 2
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
INCHES
MIN
MAX
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.014
0.022
0.500
0.562
0.045
0.055
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
0.080
MILLIMETERS
MIN
MAX
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.36
0.55
12.70
14.27
1.15
1.39
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
2.04
CASE 221A-04
(TO220AB)
Motorola reserves the right to make changes without further notice to any products herein. Motorola makes no warranty, representation or guarantee regarding
the suitability of its products for any particular purpose, nor does Motorola assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and
specifically disclaims any and all liability, including without limitation consequential or incidental damages. Typical parameters can and do vary in different
applications. All operating parameters, including Typicals must be validated for each customer application by customers technical experts. Motorola does
not convey any license under its patent rights nor the rights of others. Motorola products are not designed, intended, or authorized for use as components in
systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of
the Motorola product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use Motorola products for any such
unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold Motorola and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless
against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death
associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that Motorola was negligent regarding the design or manufacture of the part.
Motorola and
are registered trademarks of Motorola, Inc. Motorola, Inc. is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
*MAC224/D*
MAC224/D
D
D
D
D
D
D
D
ANODE
CATHODE
NC
MAIN TERM
TRIAC SUB
MAIN TERM
logic diagram
1
TEST CONDITIONS
IR
VF
I(DRM)
dv/dt
dv/dt(c)
MIN
TYP
MAX
UNIT
0.05
VR = 3 V
IF = 10 mA
100
1.2
IO = 15 mA,
See Figure 1
1.5
10
100
nA
See Note 5
V(DRM) = 400 V,
See Figure 1
100
0.15
MOC3020
IFT
MOC3021
MOC3022
V/s
15
30
15
10
1.4
MOC3023
VTM
IH
V/s
ITM = 100 mA
100
mA
V
A
Vin = 30 Vrms
RL
10 k
Input
(see Note A)
2N3904
NOTE A. The critical rate of rise of off-state voltage, dv/dt, is measured with the input at 0 V. The frequency of Vin is increased until the
phototriac turns on. This frequency is then used to calculate the dv/dt according to the formula:
+ 2 2 fVin
dv dt
The critical rate of rise of commutating voltage, dv/dt(c), is measured by applying occasional 5-V pulses to the input and increasing
the frequency of Vin until the phototriac stays on (latches) after the input pulse has ceased. With no further input pulses, the
frequency of Vin is then gradually decreased until the phototriac turns off. The frequency at which turn-off occurs may then be used
to calculate the dv/dt(c) according to the formula shown above.
TYPICAL CHARACTERISTICS
EMITTING-DIODE TRIGGER CURRENT (NORMALIZED)
vs
FREE-AIR TEMPERATURE
ON-STATE CHARACTERISTICS
800
600
I TM Peak On-State Current mA
1.3
1.2
1.1
0.9
400
Output tw = 800 s
IF = 20 mA
f = 60 Hz
TA = 25C
200
0
200
400
600
0.8
50
25
25
50
75
800
3
100
TA Free-Air Temperature C
Figure 2
2
1
0
1
2
VTM Peak On-State Voltage V
Figure 3
NONREPETITIVE PEAK ON-STATE CURRENT
vs
PULSE DURATION
1.4
3
TA = 25C
0
0.01
0.1
1
10
tw Pulse Duration ms
100
Figure 4
APPLICATIONS INFORMATION
RL
MOC3020, MOC3023
Rin
VCC
180
220 V, 60 Hz
2
ZL
MOC3020, MOC3023
Rin
VCC
180
2.4 k
0.1 F
2
220 V, 60 Hz
IGT 15 mA
Rin
VCC
ZL
MOC3020, MOC3023
1
180
1.2 k
0.2 F
2
220 V, 60 Hz
MECHANICAL INFORMATION
Each device consists of a gallium-arsenide infrared-emitting diode optically coupled to a silicon phototriac mounted
on a 6-terminal lead frame encapsulated within an electrically nonconductive plastic compound. The case can
withstand soldering temperature with no deformation and device performance characteristics remain stable when
operated in high-humidity conditions.
9,40 (0.370)
8,38 (0.330)
Index Dot
(see Note B)
C
L
C
L
6,61 (0.260)
6,09 (0.240)
105
90
0,305 (0.012)
0,203 (0.008)
NOTES: A.
B.
C.
D.
1,78 (0.070)
0,51 (0.020)
Seating Plane
1,01 (0.040) MIN
3,81 (0.150)
3,17 (0.125)
2,03 (0.080)
1,52 (0.060)
4 Places
2,54 (0.100) T.P.
(see Note A)
0,534 (0.021)
0,381 (0.015)
6 Places
Leads are within 0,13 (0.005) radius of true position (T.P.) with maximum material condition and unit installed.
Pin 1 identified by index dot.
The dimensions given fall within JEDEC MO-001 AM dimensions.
All linear dimensions are given in millimeters and parenthetically given in inches.
IMPORTANT NOTICE
Texas Instruments and its subsidiaries (TI) reserve the right to make changes to their products or to discontinue
any product or service without notice, and advise customers to obtain the latest version of relevant information
to verify, before placing orders, that information being relied on is current and complete. All products are sold
subject to the terms and conditions of sale supplied at the time of order acknowledgement, including those
pertaining to warranty, patent infringement, and limitation of liability.
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accordance with TIs standard warranty. Testing and other quality control techniques are utilized to the extent
TI deems necessary to support this warranty. Specific testing of all parameters of each device is not necessarily
performed, except those mandated by government requirements.
CERTAIN APPLICATIONS USING SEMICONDUCTOR PRODUCTS MAY INVOLVE POTENTIAL RISKS OF
DEATH, PERSONAL INJURY, OR SEVERE PROPERTY OR ENVIRONMENTAL DAMAGE (CRITICAL
APPLICATIONS). TI SEMICONDUCTOR PRODUCTS ARE NOT DESIGNED, AUTHORIZED, OR
WARRANTED TO BE SUITABLE FOR USE IN LIFE-SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS OR OTHER
CRITICAL APPLICATIONS. INCLUSION OF TI PRODUCTS IN SUCH APPLICATIONS IS UNDERSTOOD TO
BE FULLY AT THE CUSTOMERS RISK.
In order to minimize risks associated with the customers applications, adequate design and operating
safeguards must be provided by the customer to minimize inherent or procedural hazards.
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intellectual property right of TI covering or relating to any combination, machine, or process in which such
semiconductor products or services might be or are used. TIs publication of information regarding any third
partys products or services does not constitute TIs approval, warranty or endorsement thereof.
PIC16F/LF1826/27
Data Sheet
18/20/28-Pin Flash Microcontrollers
with nanoWatt XLP Technology
Preliminary
DS41391B
Note the following details of the code protection feature on Microchip devices:
Microchip products meet the specification contained in their particular Microchip Data Sheet.
Microchip believes that its family of products is one of the most secure families of its kind on the market today, when used in the
intended manner and under normal conditions.
There are dishonest and possibly illegal methods used to breach the code protection feature. All of these methods, to our
knowledge, require using the Microchip products in a manner outside the operating specifications contained in Microchips Data
Sheets. Most likely, the person doing so is engaged in theft of intellectual property.
Microchip is willing to work with the customer who is concerned about the integrity of their code.
Neither Microchip nor any other semiconductor manufacturer can guarantee the security of their code. Code protection does not
mean that we are guaranteeing the product as unbreakable.
Code protection is constantly evolving. We at Microchip are committed to continuously improving the code protection features of our
products. Attempts to break Microchips code protection feature may be a violation of the Digital Millennium Copyright Act. If such acts
allow unauthorized access to your software or other copyrighted work, you may have a right to sue for relief under that Act.
Trademarks
The Microchip name and logo, the Microchip logo, dsPIC,
KEELOQ, KEELOQ logo, MPLAB, PIC, PICmicro, PICSTART,
rfPIC and UNI/O are registered trademarks of Microchip
Technology Incorporated in the U.S.A. and other countries.
FilterLab, Hampshire, HI-TECH C, Linear Active Thermistor,
MXDEV, MXLAB, SEEVAL and The Embedded Control
Solutions Company are registered trademarks of Microchip
Technology Incorporated in the U.S.A.
Analog-for-the-Digital Age, Application Maestro, CodeGuard,
dsPICDEM, dsPICDEM.net, dsPICworks, dsSPEAK, ECAN,
ECONOMONITOR, FanSense, HI-TIDE, In-Circuit Serial
Programming, ICSP, Mindi, MiWi, MPASM, MPLAB Certified
logo, MPLIB, MPLINK, mTouch, Octopus, Omniscient Code
Generation, PICC, PICC-18, PICDEM, PICDEM.net, PICkit,
PICtail, PIC32 logo, REAL ICE, rfLAB, Select Mode, Total
Endurance, TSHARC, UniWinDriver, WiperLock and ZENA
are trademarks of Microchip Technology Incorporated in the
U.S.A. and other countries.
SQTP is a service mark of Microchip Technology Incorporated
in the U.S.A.
All other trademarks mentioned herein are property of their
respective companies.
2009, Microchip Technology Incorporated, Printed in the
U.S.A., All Rights Reserved.
Printed on recycled paper.
DS41391B-page 2
Preliminary
PIC16F/LF1826/27
18/20/28-Pin Flash Microcontrollers with nanoWatt XLP Technology
High-Performance RISC CPU:
C Compiler Optimized Architecture
256 bytes Data EEPROM
Up to 4 Kbytes Linear Program Memory
Addressing
Up to 384 bytes Linear Data Memory Addressing
Interrupt Capability with Automatic Context Saving
16-Level Deep Hardware Stack with Optional
Overflow/Underflow Reset
Direct, Indirect and Relative Addressing modes:
- Two full 16-bit File Select Registers (FSRs)
- FSRs can read program and data memory
Sleep mode: 30 nA
Watchdog Timer: 500 nA
Timer1 Oscillator: 600 nA @ 32 kHz
Analog Features:
Analog-to-Digital Converter (ADC) Module:
- 10-bit resolution, 12 channels
- Auto acquisition capability
- Conversion available during Sleep
Analog Comparator Module:
- Two rail-to-rail analog comparators
- Power mode control
- Software controllable hysteresis
Voltage Reference Module:
- Fixed Voltage Reference (FVR) with 1.024V,
2.048V and 4.096V output levels
- 5-bit rail-to-rail resistive DAC with positive
and negative reference selection
Peripheral Highlights:
Preliminary
DS41391B-page 3
PIC16F/LF1826/27
PIC16F/LF1826/27 Family Types
DS41391B-page 4
I/Os(1)
CapSense (ch)
Comparators
Timers (8/16-bit)
EUSART
MSSP
ECCP (Full-Bridge)
ECCP (Half-Bridge)
CCP
SR Latch
PIC16LF1826
2K
256
PIC16F1826
2K
256
PIC16LF1827
4K
384
PIC16F1827
4K
384
Note 1: One pin is input only.
Data EEPROM
(bytes)
Data
Memory
SRAM
(bytes)
Words
Device
Program
Memory
256
256
256
256
16
16
16
16
12
12
12
12
12
12
12
12
2
2
2
2
2/1
2/1
4/1
4/1
1
1
1
1
1
1
2
2
1
1
1
1
1
1
2
2
Yes
Yes
Yes
Yes
Preliminary
1:
2:
(1)
(2)
(2)
(1)
RB3/AN9/CPS9/MDOUT/CCP1(1)/P1A(1)
(1)
(1)
RB1/AN11/CPS11/RX(1)/DT(1)/SDA1/SDI1
(1)
Preliminary
(1)
VSS
1:
2:
(1)
RB3/AN9/CPS9/MDOUT/CCP1 /P1A
(1)
10
RB1/AN11/CPS11/RX
RB2/AN10/CPS10/MDMIN/TX(1,3)/CK(1,3)/RX(1)/DT(1)/SDA2(2)/SDI2(2)/SDO1(1,3)
/DT
(1,3)
/SDA1/SDI1
(1,3)
VSS
(1)
RA5/MCLR/V
PP/SS1(1,2)
RA3/AN3/CPS3/C12IN3-/C1IN+/VREF+/C1OUT/CCP3(2)/SRQ
RA4/AN4/CPS4/C2OUT/T0CKI/CCP4(2)/SRNQ
RA2/AN2/CPS2/C12IN2-/C12IN+/VREF-/DACOUT
PIC16F/LF1826/27
Note
SSOP
VSS
6
(1)
(1)
RA5/MCLR/VPP/SS1
(1,2)
RA3/AN3/CPS3/C12IN3-/C1IN+/VREF+/C1OUT/CCP3(2)/SRQ
RA4/AN4/CPS4/C2OUT/T0CKI/CCP4(2)/SRNQ
RA2/AN2/CPS2/C12IN2-/C12IN+/VREF-/DACOUT
Note
PDIP, SOIC
RA1/AN1/CPS1/C12IN1-/SS2(2)
RA6/OSC2/CLKOUT/CLKR/P1D(1)/P2B(1,2)/SDO1(1)
VDD
RB7/AN6/CPS6/T1OSO/P1D(1)/P2B(1,2)/MDCIN1/ICSPDAT
RB6/AN5/CPS5/T1CKI/T1OSI/P1C(1)/CCP2(1,2)/P2A(1,2)/ICSPCLK
RB5/AN7/CPS7/P1B/TX(1)/CK(1)/SCL2(2)/SCK2(2)/SS1(1)
RB4/AN8/CPS8/SCL1/SCK1/MDCIN2
RA1/AN1/CPS1/C12IN1-/SS2(2)
RA0/AN0/CPS0/C12IN0-/SDO2(2)
RA7/OSC1/CLKIN/P1C(1)/CCP2(1,2)/P2A(1,2)
16
15
14
13
12
11
10
20
19
18
11
12
13
14
15
16
RB4/AN8/CPS8/SCL1/SCK1/MDCIN2
RB5/AN7/CPS7/P1B/TX(1)/CK(1)/SCL2(2)/SCK2(2)/SS1(1)
RB6/AN5/CPS5/T1CKI/T1OSI/P1C(1,3)/CCP2(1,2)/P2A(1,2)/ICSPCLK
RB7/AN6/CPS6/T1OSO/P1D(1)/P2B(1,2)/MDCIN1/ICSPDAT
VDD
VDD
RA6/OSC2/CLKOUT/CLKR/P1D(1)/P2B(1,2)/SDO1(1)
RA7/OSC1/CLKIN/P1C(1)/CCP2(1,2)/P2A(1,2)
17
17
RA0/AN0/CPS0/C12IN0-/SDO2(2)
18
PIC16F/LF1826/27
PIC16F/LF1826/27
DS41391B-page 5
PIC16F/LF1826/27
NC
RA1/AN1/CPS1/C12IN1-/SS2(2)
RA0/AN0/CPS0/C12IN0-/SDO2(2)
28
27
26
25
24
23
22
NC
RA4/AN4/CPS4/C2OUT/T0CKI/CCP4(2)/SRNQ
QFN/UQFN
RA3/AN3/CPS3/C12IN3-/C1IN+/VREF+/C1OUT/CCP3(2)/SRQ
RA2/AN2/CPS2/C12IN2-/C12IN+/VREF-/DACOUT
VSS
NC
VSS
NC
Note
1:
2:
RA7/OSC1/CLKIN/P1C(1)/CCP2(1,2)/P2A(1,2)
RA6/OSC2/CLKOUT/CLKR/P1D(1)/P2B(1,2)/SDO1(1)
VDD
NC
VDD
RB7/AN6/CPS6/T1OSO/P1D(1)/P2B(1,2)/MDCIN1/ICSPDAT
RB6/AN5/CPS5/T1CKI/T1OSI/P1C(1)/CCP2(1,2)/P2A(1,2)/ICSPCLK
(1)
(2)
(2)
(1)
(1)
RB4/AN8/CPS8/SCL1/SCK1/MDCIN2
(1)
(2)
(2)
(1)
(1)
(1)
(1)
RB1/AN11/CPS11/RX(1)/DT(1)/SDA1/SDI1
NC
RB0/SRI/T1G/CCP1(1)/P1A(1)/INT/SRI/FLT0
1
21
2
20
3
19
4 PIC16F/LF1826/27 18
17
5
6
16
7
15
NC
NC
8
9
10
11
12
13
14
RA5/ MCLR/VPP/SS1(1)
DS41391B-page 6
Preliminary
18
15
16
10
11
12
13
I/O
RA1
RA2
RA3
RA4
RA5
RA6
RA7
RB0
RB1
RB2
RB3
RB4
RB5
RB6
RB7
Preliminary
Note 1:
2:
3:
4:
16
15
13
12
10
21
20
28
5,6
3,5
15,16 17,19
14
13
12
11
10
18
17
27
26
AN6
AN5
AN7
AN8
AN9
AN10
AN11
AN4
AN3
AN2
AN1
VREF+
VREFDACOUT
CPS6
CPS5
CPS7
CPS8
CPS9
CPS10
CPS11
CPS4
CPS3
CPS2
CPS1
C2OUT
C12IN3C1IN+
C1OUT
C12IN2C12IN+
C12IN1-
SRI
SRNQ
SRQ
T1OSO
T1CKI
T1OSI
T1G
T0CKI
Vss
20-Pin SSOP
SDA1
SDI1
SDA2(2)
SDI2(2)
SDO1(1,4)
RX(1,4)
DT(1,4)
RX(1),DT(1)
TX(1,4)
CK(1,4)
CCP1(1)
P1A(1)
FLT0
CCP1(1,4)
P1A(1,4)
P1D(1,4)
P2B(1,2,4)
P1C(1,4)
CCP2(1,2,4)
P2A(1,2,4)
SCL2(2)
SCK2(2)
SS1(1,4)
TX(1)
CK(1)
P1B
SCL1
SCK1
P1C(1)
CCP2(1,2)
P2A(1,2)
SDO1(1)
IOC
IOC
IOC
IOC
IOC
IOC
IOC
INT
IOC
SS1(1)
P1D(1)
P2B(1,2)
CCP4(2)
CCP3(2)
SS2(2)
SDO2(2)
MSSP
28-Pin QFN/UQFN
Interrupt
ANSEL
A/D
24
Reference
20
Cap Sense
C12IN0-
Comparator
CPS0
SR Latch
Timers
AN0
CCP
EUSART
23
Y(3)
MDCIN1
MDCIN2
MDOUT
MDMIN
Modulator
19
Pull-up
14
17
VSS
VDD
ICSPDAT/
ICDDAT
ICSPCLK/
ICDCLK
OSC1
CLKIN
OSC2
CLKOUT
CLKR
MCLR, VPP
Basic
VDD
18-Pin PDIP/SOIC
RA0
TABLE 1:
PIC16F/LF1826/27
DS41391B-page 7
Thermistors
334-NTCXXX-RC Series
6.5
max.
4.0
max.
107
Epoxy
334-NTC404-RC
334-NTC224-RC
106
334-NTC104-RC
334-NTC503-RC
25.0
min.
.52/
.48
4.5/
2.5
Dimensions (mm)
(min./max.)
105
334-NTC203-RC
334-NTC153-RC
334-NTC103-RC
334-NTC502-RC
334-NTC302-RC
334-NTC202-RC
334-NTC152-RC
334-NTC102-RC
334-NTC501-RC
104
103
334-NTC301-RC
334-NTC201-RC
334-NTC101-RC
102
101
Specifications:
Type: 5mm epoxy coated disc
Operating temperature: -20~+125C
RoHS Compliant
Mouser
Stock No.
334-NTC101-RC
334-NTC201-RC
334-NTC301-RC
334-NTC501-RC
334-NTC102-RC
334-NTC152-RC
334-NTC202-RC
334-NTC302-RC
334-NTC502-RC
334-NTC103-RC
334-NTC153-RC
334-NTC203-RC
334-NTC503-RC
334-NTC104-RC
334-NTC224-RC
334-NTC404 -RC
Maximum Thermal
Nominal
Beta
Operating
Part
Time
Resistance Value
Current
Constant Marking
@25C() 7%(K) @25C(mA)
(Sec.)
100
200
300
500
1000
1500
2000
3000
5000
10000
15000
20000
50000
100000
220000
400000
3100
3000
3000
3800
3700
3700
4000
4000
4100
4100
4200
4200
4400
4400
4500
4500
200
200
150
100
80
60
60
50
45
30
25
25
20
15
6
5
19
14
15
16
17
14
14
14
15
15
18
18
18
16
20
18
110
120
130
150
210
215
220
230
250
310
315
320
350
410
422
440