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Centro Educativo Salesianos Alameda Medición y Análisis

de circuitos
“ “Educando con el corazón de Don Bosco” Electrónicos

“UNIÓN PN Y DIODO SEMICONDUCTOR”

Al unirse los materiales semiconductores extrínsecos tipo P y tipo N se va a

provocar un sector o zona de contacto llamada unión semiconductora. Esto trae consigo
un proceso de recombinación en la región donde se unen dichos materiales, debido a que
los electrones tenderán a recombinarse con los huecos adyacentes a la unión,
generándose a su vez una zona denominada Región de Agotamiento (debido a la
disminución de portadores en ella), Región desértica o Región de Carga Especial, y
donde además se genera un campo eléctrico en las inmediaciones de la unión, asociado a
las cargas quedan sin compensar durante el proceso de difusión al momento de
generarse el contacto entre los materiales, formando la denominada barrera de
potencial, que impedirá la continuación del proceso de difusión (paso de portadores a
uno y otro lado de la unión).

SIN APLICACIÓN DE POLARIZACIÓN (VD = 0 V)

Bajo condiciones sin polarización (sin un voltaje aplicado), cualquier portador

minoritario (hueco) en el material tipo n que se encuentre dentro de la región de
agotamiento fluirá directamente hacia el material tipo p. Mientras más cercano se
encuentre el portador minoritario a la unión, mayor será la atracción hacia la capa de
iones negativos y menor la oposición de los iones positivos de la región de agotamiento
del material tipo n.

Los portadores mayoritarios (electrones) del material tipo n deben superar tanto
a las fuerzas de atracción de la capa de iones positivos de material tipo n como al
escudo de iones negativos del material tipo p, para poder migrar al área del material
tipo p que se encuentra más allá de la región de agotamiento. Sin embargo, dado que el
número de portadores mayoritarios es tan grande en el material tipo n, existirá
invariablemente un número pequeño de portadores mayoritarios con suficiente energía
cinética para pasar a través de la región de agotamiento hacia el material tipo p.
Nuevamente el mismo razonamiento se aplica a los portadores mayoritarios (huecos) del
material tipo p.
En ausencia de un voltaje de polarización aplicado, el flujo neto de carga en
cualquier dirección para la unión semiconductora es cero.
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Unión semiconductora PN sin polarización externa.

POLARIZACIÓN DE LA UNIÓN SEMICONDUCTORA.

1.- POLARIZACIÓN DIRECTA: Se establece una situación de polarización directa

cuando se aplica un potencial positivo a un material tipo P, y uno negativo a un material
tipo N. La aplicación de un potencial con polarización directa VD "presionará" a los
electrones del material tipo N y a los huecos del material tipo P para que se recombinen
con los iones cercanos a la frontera, reduciéndose el ancho de la región de agotamiento,
y provocando un fuerte flujo de portadores mayoritarios sobre la unión. Un electrón del
material tipo N ahora "advierte" una barrera más reducida en la unión debido a una
región de agotamiento reducida y una fuerte atracción ocasionada por el potencial
positivo aplicado al material tipo P. A medida que la magnitud de la polarización aplicada
se incrementa, la región de agotamiento continuará disminuyendo su amplitud hasta que
un grupo de electrones pueda atravesar la unión, con un incremento exponencial de la
corriente, denominada corriente de difusión ID o corriente directa compuesta por
portadores mayoritarios. Junto a ello, también existirá una corriente mucho menor, y
opuesta a la anterior, denominada corriente de arrastre o corriente inversa de
saturación IS, que para este caso es prácticamente despreciable. Por tanto, la corriente
total a través de la unión queda definida por:

IUNIÓN = ID - IS (A)
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Unión semiconductora PN bajo condiciones de polarización directa.

2.- POLARIZACIÓN INVERSA: Si se aplica un potencial externo de V volts a través

de la unión PN de tal forma que el terminal positivo se conecta al material tipo N, y el
terminal negativo al material tipo P, el número de iones descubiertos positivos en la
región de agotamiento del material tipo N se incrementará debido al gran número de
electrones "libres" atraídos por el potencial positivo del voltaje aplicado. Por razones
similares, el número de iones descubiertos negativos se incrementará en el material tipo
P. El efecto neto será, por lo tanto, un crecimiento de la región de agotamiento, con lo
cual también se establecerá una barrera que detendrá el paso de los portadores
mayoritarios, lo que da como resultado una reducción a cero del flujo de éstos.

Sin embargo, el número de portadores minoritarios que entran en la región de

agotamiento no cambia, manteniéndose el flujo de portadores minoritarios. La corriente
que se forma bajo una situación de polarización inversa se denomina corriente inversa
de saturación y se representa por IS,
La corriente de saturación inversa rara vez es mayor a unos cuantos
microamperes, excepto para el caso de dispositivos de alta potencia. El término
saturación proviene del hecho de que alcanza rápidamente su máximo nivel y de que no
cambia de forma importante con incrementos del potencial de polarización inversa.
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Unión semiconductora PN bajo condiciones de polarización inversa.

DIODO SEMICONDUCTOR

Está compuesto por una unión semiconductora tipo PN, y posee dos terminales:

- ÁNODO→ Sector P de la unión.

- CÁTODO→ Sector N de la unión.

Símbolo esquemático:

Símbolo para diodo semiconductor.

Es posible demostrar mediante el empleo de la física del estado sólido que las
características generales de conducción para un diodo semiconductor se pueden definir
con la siguiente ecuación, tanto para la condiciones de polarización directa como para la
de tipo inversa:
1.-
 n·VVT 
ID = IS  e − 1  (A)
 
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ID = Corriente del diodo (A).
IS = ISO = IA = Corriente Inversa de saturación (A).
e = Número Euler.
n = Constante empírica o factor exponencial de idealidad (n para Si = 1; n para Ge =2)
V = Voltaje los extremos del diodo.
Vt =Tensión equivalente de Tº.
T
Vt= ; Si T =300ºK ⇒ VT ≈ 26 (mV).
11600

Gráfica para la función y = eX.

Para valores de VD positivos, el primer término de la ecuación anterior crecerá de

forma muy rápida y sobrepasará el efecto contrario del segundo término. El resultado
de esto es que para valores positivos de VD, ID será positiva y crecerá a un ritmo
exponencial, de manera similar que la función matemática y = eX mostrada en la figura
anterior. Para el caso cuando el voltaje VD = 0 Volt, la ecuación arroja como resultado un
valor de 0 amperes. Para el caso de valores negativos de V D, el primer término de la
ecuación rápidamente caerá hacia niveles inferiores de IS , con lo cual el valor de
corriente se hace negativo. Todo este comportamiento queda graficado en la curva
característica para un diodo semiconductor.
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Curvas características para un diodo semiconductor de Silicio y uno de Germanio.

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RESISTENCIA ESTÁTICA DEL DIODO:

La aplicación de un voltaje continuo a un circuito que contiene un diodo

semiconductor tendrá por resultado un punto de operación sobre la curva característica
que no varía con el tiempo. La resistencia del diodo en el punto de operación puede
encontrarse fácilmente localizando primero los valores correspondientes de VD y de ID ,
y aplicando posteriormente la siguiente ecuación:

VD
RD = ( Ω)
ID

Determinación de la resistencia estática de un diodo semiconductor en un punto de operación específico

de la curva.

Los niveles de resistencia para la región de polarización inversa naturalmente

serán muy altos. En general, a menor corriente a través del diodo mayor será el nivel de
resistencia en corriente continua.

Ejemplo:

VD 0,7 ( V )
RD = = = 23.3( Ω )
ID 30( mA)
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Para un caso de polarización inversa, se tiene:

VD − 10( V )
RD = = = 1( MΩ )
ID − 10( µA)

RESISTENCIA DINÁMICA DEL DIODO:

A partir de la ecuación utilizada anteriormente, se observa que la resistencia

estática es independiente de la forma que tenga la característica para la región que
rodea al punto de interés. Si en lugar de aplicar una entrada continua al diodo, se aplica
una entrada senoidal, la situación cambia por completo, ya que la variación de la entrada
desplazará al punto de operación instantáneo hacia arriba y hacia abajo a una región de
la curva característica, y de esta manera se definirá un cambio específico en la
corriente y el voltaje. Sin la aplicación de una señal con variación, el punto de operación
estable sería el denominado punto Q determinado por los niveles de VD y de ID
aplicados. La designación de punto Q se deriva de la palabra estable (del inglés
quiescent), que significa “quieto o sin variación".

Definición para la resistencia dinámica dentro de la curva característica de un diodo semiconductor.

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Si se dibuja una línea recta tangente a la curva sobre el punto Q como se muestra
en la siguiente figura, se definirá un cambio particular en el voltaje y en la corriente
que se puede utilizar para determinar la resistencia dinámica para esta región de las
características del diodo:

Determinación de la resistencia dinámica dentro de la curva característica de un diodo semiconductor

para un punto Q.

En forma de ecuación, el valor de resistencia dinámica corresponde a:

∆V
rd = (Ω)
∆I

Mientras mayor sea la pendiente, menor será el valor de ∆V para el mismo cambio
en ∆I y menor será la resistencia. La resistencia dinámica para la región de crecimiento
vertical de la característica es por lo tanto muy pequeña, mientras que es mucho mayor
para niveles bajos de corriente. Por lo tanto, y en general, mientras menor sea el punto
de operación Q (corriente más pequeña o voltaje más pequeño) mayor será la resistencia
dinámica.
A partir de la ecuación de corriente para un diodo, y aplicando reglas de cálculo
superior, se obtiene que la resistencia dinámica se puede determinar directamente con
la siguiente expresión, sin disponer de los datos de la curva característica:

26(mV )
rd = ( Ω)
ID
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ANÁLISIS DEL DIODO EN CORRIENTE CONTINUA

POLARIZACIÓN DIRECTA:

Circuito de corriente continua con diodo semiconductor polarizado en forma directa.

Circuito equivalente:

Circuito equivalente, con resistencia interna = 0.

A partir de la Segunda ley de Kirchhoff (ley de los voltajes), se obtiene la

siguiente ecuación de malla (diodo con resistencia estática o interna = 0):
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VT = VR + VD
VT = (IT ·R) + VD
VT − VD = IT ·R

(VT − VD )
IT = ( A)
R

Para el caso del diodo con diodo con resistencia estática o interna ≠ 0, el análisis es el
siguiente:

Circuito equivalente:

Circuito equivalente, con resistencia interna distinta de 0.

VT = VR + VD
VT = (I · R) + I + RINT
VT = I(R + RINT )

VT − VD
IT = ( A)
(R + RINT )
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Ejemplo:

Para un circuito a Tº ambiente, con un diodo de Si, una resistencia de 2,2 (KΩ), y
un valor de fuente de alimentación de 10 (V), determine el valor de I T. Considere la
resistencia interna RD = 0.

Solución:

Circuito esquemático para el problema planteado.

Aplicando la 2ª Ley de Kirchhoff para la malla, y considerando la caída de tensión

en los extremos del diodo, se tiene el siguiente análisis:

− 0,7(V ) − ( I · 2,2 K ) + 10(V ) = 0

− ( I · 2,2 K ) = −10(V ) + 0,7(V )
− 9,3(V )
− ( I · 2,2 K ) = / x(−1)
2.2( KΩ)
9,3(V )
I=
2.2( KΩ)

IT = 4,22(mA)
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POLARIZACIÓN INVERSA:

Circuito de corriente continua con diodo semiconductor polarizado en forma inversa.

Circuito equivalente:

Circuito equivalente para polarización inversa.

En condiciones de polarización inversa, el ánodo del diodo se encuentra más

negativo que el cátodo, lo que no permite la conducción de corriente a través del
componente, comportándose como un circuito abierto. Esto arroja como resultado que la
malla se encuentre abierta, por tanto no existe circulación de corriente por ella (IT = 0),
y el voltaje en los extremos de la resistencia es cero.