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Centro Educativo Salesianos Alameda Medición y Análisis de

circuitos Electrónicos
“ “Educando con el corazón de Don Bosco”

“FUNDAMENTOS DEL SEMICONDUCTOR”

ESTRUCTURA ATÓMICA.

La materia está compuesta por moléculas, las que a su vez se componen de átomos,
siendo ésta la parte más pequeña en que se puede dividir un cuerpo simple sin perder sus
propiedades químicas.
La palabra átomo proviene del griego ATOMO, que etimológicamente significa
indivisible, y corresponde a la unidad básica de todo elemento químico.
El átomo posee por tres partículas estables:

a) PROTÓN: Contiene carga positiva y se ubica en el núcleo del átomo.

b) NEUTRÓN: No contiene carga eléctrica, y se ubica en el núcleo del átomo.

c) ELECTRÓN: Contiene carga negativa, y se ubica girando alrededor del núcleo

describiendo órbitas.

MAGNITUDES DE INTERÉS DENTRO DE UN ÁTOMO:

Carga del Electrón qē = -1.602 x 10-19 (C).
Carga del Protón qp = +1.602 x 10-19 (C).
Masa del electrón mē = 9,106 x 10-31 (Kg).
Masa del protón mp = 1,672 x 10-27 (Kg).

CONFIGURACIÓN ELECTRÓNICA DEL ÁTOMO: Los electrones se distribuyen por

capas en torno al núcleo. A las capas se les asigna un número cuántico o energético, y
contienen a su vez a diversas órbitas. A partir de dicha asignación, cuanto mayor sea el
valor del número cuántico, mayor será la energía de los electrones de esa órbita.
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Modelos atómicos para los elementos Boro y Carbono, pertenecientes a la tabla periódica.

Por otra parte, el electrón tiene la propiedad de cambiar de órbita y, por

consiguiente, de nivel energético, al aplicarle una determinada cantidad de energía. El
número máximo de electrones por capa queda definido por la siguiente ecuación:

N = 2 x n2
donde

N = Número máximo de electrones

n = Número cuántico de la capa.

CAPAS K L M N . . .

Nº 1 2 3 4 . . .
CUÁNTICO
ÓRBITAS s s p s p d s p d f . . .

ELECTRONES 2 2 6 2 6 10 2 6 10 14 . . .
POR ÓRBITA
Nº TOTAL 2 8 18 32 . . .
DE
ELECTRONES

Tabla resumen para configuración electrónica de un átomo

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Es importante considerar ciertos principios o reglas que permiten asignar

configuraciones electrónicas probables para los átomos de diversos elementos de la tabla
periódica, y donde existe una secuencia definida con la que se llenan las órbitas, dentro
de la cual los electrones tienden primeramente a ocupar dentro del proceso de
llenado órbitas de energía mínima, y junto a ellos se agrega el Principio de exclusión de
Pauli, y el Principio de Multiplicidad Máxima o Regla de Hund. La secuencia es la
siguiente para el llenado de órbitas:
1s, 2s, 2p, 3s, 3p, 4s, 3d, 4p, 5s, 4d, 5p, 6s, 4f, 5d, 6p, 7s, 5f, 6d, 7p.
El esquema siguiente es útil como ayuda para aprender esta secuencia (hay que
seguir las flechas de arriba hacia abajo).

Secuencia para el llenado de órbitas dentro de la configuración electrónica de un átomo.

CLASIFICACIÓN DE LOS MATERIALES DESDE EL PUNTO DE VISTA ELÉCTRICO:

AISLANTE: Un aislante o dieléctrico es un material que presenta un nivel muy inferior

de conductividad cuando se encuentra bajo la presión de una fuente de voltaje aplicada
en sus terminales. Además, la última capa se encuentra completa o casi completa de
electrones.

CONDUCTOR: El término conductor se aplica a cualquier material que permite un flujo

generoso de carga cuando una fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a través
de sus terminales. Su última capa posee 1 o 2 electrones.
SEMICONDUCTOR: Un semiconductor, por lo tanto, es un material que posee un nivel de
conductividad que se localiza entre los extremos de un aislante y de un conductor. Posee
su última capa casi siempre con 4 electrones.
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Los materiales de aplicación práctica dentro de la Electrónica son los denominados

semiconductores tales como el Silicio (Si) y el Germanio (Ge), los cuales poseen
características estructurales y eléctricas bien definidas, y que se revisarán a
continuación.

ESTRUCTURA CRISTALINA

Los materiales que tienen una disposición atómica regular (patrón bien definido) se
denominan cristales, es decir los átomos se asocian formando figuras geométricas
semejantes y continuas, siendo esta la característica de casi todas las sustancias sólidas.
Son una excepción los vidrios, que representan líquidos congelados.

Estructura de monocristal para el caso del Silicio y del Germanio.

Los átomos se unen de diversas formas dando origen a distintos enlaces atómicos:

- Enlace Iónico
- Enlace Covalente
- Enlace Metálico

Si bien los tres son interesantes para el análisis, en el caso de los semiconductores
importa conocer de modo especial el enlace covalente.
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ENLACE COVALENTE

Los elementos de la tabla periódica, que poseen la clasificación de semiconductores

desde el punto vista eléctrico son el Silicio (Si, Z = 14) y el Germanio (Ge, Z = 32), los
cuales contienen 14 y 32 electrones girando en torno al núcleo respectivamente. Para
ambos casos, se tiene 4 electrones en la última capa, también denominados electrones de
valencia, y donde los átomos son denominados tetravalentes gracias a esta condición.
En el caso de un cristal puro de Silicio o de Germanio, estos cuatro electrones de
valencia se encuentran entrelazados con 4 átomos adyacentes, tal como se muestra en la
siguiente figura:

Enlace covalente para átomos de Silicio.

Es importante conocer, para el análisis de los materiales semiconductores, el tipo

de enlace que poseen. Para este caso, se denomina ENLACE COVALENTE, y corresponde
a la unión entre sí de los átomos compartiendo pares electrónicos, es decir, los
electrones de valencia se comparten de 2 en 2 entre átomos vecinos y afines, girando
coordinadamente alrededor del núcleo.

A pesar que el enlace covalente asegura un vínculo fuerte entre los electrones de
valencia y su átomo, es posible que éstos adquieran suficiente energía cinética de origen
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natural para poder romper el enlace que los une y asumir un estado "libre". El término
libre manifiesta que su movimiento será muy sensible a la aplicación de campos eléctricos
como los que se generan por fuentes de voltaje o por cualquier diferencia de potencial.
Otros motivos naturales para que se manifieste este fenómeno incluyen también efectos
tales como la energía luminosa (en forma de fotones) o la energía térmica que proviene
del entorno (efecto de temperatura).

NIVELES DE ENERGÍA

Los niveles cuánticos o energéticos interesantes para el estudio de los

semiconductores son los correspondientes a la última capa, que se encuentra
generalmente incompleta, y donde los niveles de energía de cada átomo sufren la
influencia de los demás, desdoblándose en múltiples niveles de energía, conformando las
llamadas bandas de valencia, banda prohibida y banda de conducción. Es importante
destacar que mientras más distante se encuentre el electrón del núcleo, mayor será su
estado energético; junto a ello, cualquier electrón que haya abandonado a su átomo
tendrá un estado de energía mayor que cualquier electrón dentro de la estructura
atómica.

BANDAS DE VALENCIA: Es la zona donde los electrones se encuentran semilibres.

BANDA DE CONDUCCIÓN: Es la zona donde los electrones se encuentran “libres”, y

con la suficiente energía como para moverse al interior de la estructura cristalina.

BANDA PROHIBIDA: Corresponde a la zona cerrada al paso libre de electrones, y se

ubica entre las bandas de valencia y de conducción.

La unidad de medida para el nivel de energía necesario para romper los enlaces
atómicos es el electron-volt (eV), corresponde al valor de carga eléctrica de un electrón
con una diferencia de potencial de 1 (V). Se tiene entonces que:

W
V= (Volts)
q

W = q · V = (1,602 x 10-19 C) · (1 V)

1 eV = 1,602 x 10-19 (Joule)

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Bandas de energía para el caso de un material conductor, un aislante y un semiconductor

respectivamente.

En estas expresiones matemáticas intervienen los siguientes términos:

W = Energía asociada a la expresión de voltaje, medida en Joule.

q = Carga eléctrica del electrón, medida en Coulomb.
V = Voltaje, medido en Volts.
eV = Electron – Volt, unidad de energía asociada a cada electrón.

“Un incremento en la temperatura de un semiconductor puede ocasionar un

incremento sustancial en el número de electrones libres dentro del material”

A una temperatura de 0 ºK, llamada también cero absoluto, y que equivale a un

valor de –273,15 ºC, todos los electrones de valencia de un material semiconductor se
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encontrarán inmovilizados. Sin embargo, a temperatura ambiente (300ºK, o sea

aproximadamente 25ºC) una gran cantidad de electrones de valencia habrán adquirido la
energía suficiente como para romper los enlaces covalentes, abandonar la banda de
valencia, cruzar la banda prohibida e ingresar a la banda de conducción.
Para el caso del Silicio (Si), la energía necesaria para romper los enlaces atómicos
es de 1,1(eV), mientras para el Germanio (Ge), su valor es aproximadamente 0,67 (eV). En
cambio (y a modo de comparación) para los aislantes dicho valor es mayor a 5 (eV).
Puesto que el Germanio necesita un menor nivel energético para liberar electrones
debido a la mayor separación de la última capa respecto al núcleo, se le considera
inestable térmicamente con respecto al Silicio.

SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO

Se denomina semiconductor intrínseco a un cristal en condiciones puras de Silicio o

de Germanio. En este caso el proceso de conducción se realiza por generación térmica, es
decir, a mayor temperatura existirá una mayor cantidad de electrones que podrán quedar
libres al romper los enlaces covalentes, obteniendo por lo tanto una menor resistividad en
el material.
Para el caso de los materiales como el Silicio y el Germanio el nivel de energía
necesario para que los electrones logren pasar desde la banda de valencia a la de
conducción (es decir, el ancho de la banda prohibida) es de 1,12 (eV) y 0, 75 (eV)
respectivamente.

SEMICONDUCTOR EXTRÍNSECO

Se denomina semiconductor extrínseco a un cristal en condiciones puras de Silicio

o de Germanio al cual se le han incorporado átomos con 3 o con 5 electrones en su última
capa (electrones de valencia), también llamados átomos trivalentes y pentavalentes
respectivamente, con la finalidad de modificar significativamente las características del
material, para convertirlo de un conductor deficiente de electricidad a un buen
conductor de ella. Algunos elementos trivalentes son el Aluminio (Al), el Boro (B) y el
Galio (Ga), mientras que en los pentavalentes se encuentran el Fósforo (P) , el Arsénico
(As) y el Antimonio (Sb). Al proceso de incorporación de estos átomos al material
intrínseco se le denomina dopaje, y donde los elementos trivalentes y pentavalentes
añadidos se denominan impurezas. Dependiendo del tipo de impureza agregada al
material puro de Silicio o de Germanio se pueden obtener semiconductores extrínsecos
tipo N y tipo P. La cantidad típicas de impureza para el caso del Silicio es de 1 átomo
por cada 108 átomos de cristal.
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SEMICONDUCTOR EXTRÍNSECO TIPO N: Tanto los materiales tipo N como los de

tipo P se forman cuando se añade un número predeterminado de átomos de impureza a
una base de Germanio o de Silicio. El material tipo N corresponde a un cristal puro de Si
o de Ge, el que ha recibido átomos de impureza pentavalente, es decir, se ha incorporado
un electrón más a la estructura intrínseca. Dichas impurezas poseen 5 electrones en la
banda de valencia, como en el caso del Fósforo (P, Z=15), el Arsénico (As, Z=33) y el
Antimonio (Sb, Z =51), y denominándose átomos donadores (donores), dado que el átomo
de impureza que se insertó, cedió un electrón relativamente libre a la estructura.

Ejemplo de impureza de Antimonio incorporado en un material tipo N.

SEMICONDUCTOR EXTRÍNSECO TIPO P: El material tipo P se forma mediante el

dopado de un cristal puro de Si o de Ge con átomos de impureza trivalente, es decir, la
estructura intrínseca ha quedado con un electrón menos dentro de uno de sus enlaces.
Dichas impurezas poseen 3 electrones en la banda de valencia, como en el caso del Boro
(B, Z =5), el Aluminio (Al Z = 13), el Galio (Ga, Z =31) y el Indio (In, Z = 49). Ahora existe
un número insuficiente de electrones para completar los enlaces covalentes dentro de la
red, quedando una vacante a la que se denomina hueco o laguna. Dado que la vacante
aceptará fácilmente un electrón libre, estas impurezas se denominan átomos
aceptadores (aceptores).
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Ejemplo de impureza de Boro incorporado en un material tipo P.

PORTADORES MAYORITARIOS Y MINORITARIOS

En el estado intrínseco, el número de electrones libres en el Ge o en el Si se debe

únicamente a los pocos electrones en la banda de valencia que adquirieron energía de
fuentes térmicas o luminosas suficiente para romper el enlace covalente, o a las escasas
impurezas propias del material y que no se pudieron eliminar. Las vacantes que se dejaron
atrás en la estructura de enlace covalente representan el limitado suministro de huecos.
En un material de tipo n, el número de huecos no ha cambiado de forma importante desde
este nivel intrínseco. El resultado total, por lo tanto, será que el número de electrones
excede por mucho al número de huecos. Por esta razón, en un material de tipo n el
electrón se denomina portador mayoritario y el hueco, portador minoritario, mientras
que para el material tipo p, el número de huecos sobrepasa por mucho al número de
electrones. Por tanto, en un material de tipo p el hueco es el portador mayoritario y
el electrón es el portador minoritario.
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Cuando el quinto electrón de un átomo donador abandona a su átomo, el átomo

restante adquiere una carga neta positiva: de aquí el signo positivo en la representación
de ión donor o donador. Por razones similares, aparece el signo negativo en el ión aceptor
o aceptador.

Materiales tipo N y tipo P, donde se identifican portadores mayoritarios y minoritarios.

Existen además otros semiconductores utilizados en Electrónica pero que no se

encuentran en estado puro, sino que son fruto de combinaciones de átomos trivalentes
con átomos pentavalentes, para dar origen a la estructura con 4 electrones de valencia.
Algunos de ellos son:

• ARSENIURO DE GALIO (GaAs)

• FOSFURO DE GALIO (GaP)
• SULFURO DE ZINC (ZnS)