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ELECTRNICA APLICADA
UNIDAD I Componentes bsicos electrnicos
Introdccin!
En los ltimos aos la investigacin de la fsica del estado slido de la
materia, ha provisto a los cientficos de los conocimientos necesarios para producir nuevos
dispositivos electrnicos, los semiconductores que ocupan hoy da un lugar de
prominencia en el mundo de la electrnica.
Componentes prcticamente desconocidos hace treinta aos, surgen hoy,
desplazando a las vlvulas de vaco tu!os" de funciones que hasta hace poco se crean
de su e#clusiva propiedad.
$ara el estudio y comprensin de los fenmenos que ocurren en dispositivos
semiconductores, es necesario conocer algunos detalles del mundo atmico, como por
e%emplo&
'u estructura
$ropiedades de las partculas que lo (ntegran
El AT"#"
#odelo $tmico de %"&N
NUCLE" ' L # N " P (
)ig.*
El componente fundamental de la materia, es decir, de todo lo que nos rodea, es el
tomo que se le asigna una estructura como lo indica la )ig. *", compuesto de un ncleo,
el que contiene partculas llamadas&
*
PR"T"NE)!
P")EEN CAR*A
EL+CTRICA
P")ITI,A -./
NEUTR"NE)! N"
P")EEN CAR*A0 )"N
EL+CTRICA#ENTE
NEUTR")
ELECTR"NE)! P")EEN
CAR*A ELECTRICA
NE*ATI,A -1/0 *IRAN
ALREDED"R DEL NUCLE"
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- Protones& Carga el+ctrica positiva ," de masa mayor que el neutrn.
- Netrones& 'in carga el+ctrica, menor masa y ms inesta!le
- -lrededor del ncleo giran partculas llamadas electrones, de carga
el+ctrica negativa .", constituyen el elemento fundamental de la
electricid$d.
Propied$des del tomo
*" /os protones que poseen carga el+ctrica positiva de igual magnitud que la del electrn,
son apro#imadamente *011 veces ms pesado.
2" 3n tomo normal, el nmero de electrones que giran alrededor del ncleo, es igual al
nmero de protones, y por ello se dice que un tomo es el+ctricamente neutro.
4" 5e!ido al movimiento de rotacin de los electrones alrededor del ncleo a, acta so!re
+l una fuerza centrfuga que trata de ale%arlos del ncleo. Esta fuerza se equili!ra con la
fuerza de atraccin del ncleo lo que mantiene al electrn en una r!ita esta!le.)ig. 2"
2
3c
e
1
)ig. 2
6" 7odo lo que nos rodea, es decir, todos los materiales que forman nuestro mundo diario,
estn formados por apro#imadamente *11 sustancias !sicas o elementos.
E4emplo&
& 0 C$ 0 N 0 " 0 ' 0 Cl 0 C0 N$0 etc
8 !ien una com!inacin de dos o ms elementos !sicos
E4emplo!
A5$0 )$l0 Acero0 %ronce0 etc.
2
3n
NUCLE"
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9" Cada elemento !sico posee una cantidad diferente de electrones girando alrededor
del ncleo, en diferentes r!itas que se designan con las letras&
'0 L0 #0 N0 "0 P0 (
/a r!ita ms cercana al ncleo es la capa :; y la mas ale%ada del ncleo se designa
con la letra <.
/a ltima capa u or!ital de un tomo se denomina capa de valencia.
3n tomo que posee en su ltima capa un nmero m#imo de 0 e
.
, este elemento se
comporta como un aislador.
E4emplo&
*$ses Nobles como el Nen0 Ar5n0. 'riptn0 etc.
-quellos tomos que poseen *, 2 o 4 electrones en el ltimo or!ital son !uenos
conductores.
E4emplo&
"ro0 Pl$t$0 Cobre0 etc.
/os tomos que poseen 6 electrones en su ultimo or!ital se denominan semi
conductores.
E4emplo&
*erm$nio0 )ilicio0 etc.
=" /os electrones u!icados en la ltima capa, son los que determinan las propiedades
qumicas y el+ctricas de un elemento y se denominan electrones de 2$lenci$ y la
capa que los contiene c$p$ de 2$lenci$.
>" 'o!re la capa de valencia e#isten niveles vacantes en las que se denominan ni2eles
de e6cit$cin.
%$nd$ de 2$lenci$& Es la zona en que los electrones se encuentran
semili!res.
%$nd$ de condccin& Es la zona donde los electrones se encuentran con
la suficiente energa como para moverse li!remente en una estructura
cristalina.
%$nd$ pro7ibid$& ?ona cerrada al paso li!re de los electrones entre las
!andas de conduccin y de valencia.
4
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-NI,ELE) DE E8CITACIN/
E %ANDA DE C"NDUCCI"N
N
E
R %ANDA PR"&I%IDA
*
I
A -NI,ELE) DE ,ALENCIA/
%ANDA DE ,ALENCIA
)ig. 4
$ara que los electrones de la !anda de valencia puedan servir como portadores de!en
pasar a la !anda de conduccin, ello implica entregarles una cierta cantidad de energa,
que puede tener la forma de calor, luz, radiaciones, etc. /a magnitud de dicha energa es
igual a la altura de la !anda prohi!ida. 'e mide en e@. * e@ A *,= B *1
*C
Doules"
%ANDA DE C"DUCCI"N
%ANDA DE ,ALENCIA
)ig. 6
Condctores& El co!re es un !uen conductor el+ctrico, la razn es evidente si se tiene en
cuenta su estructura atmica. El ncleo o centro del tomo contiene 2C protones cargas
positivas". Cuando un tomo de co!re tiene una carga neutra, 2C electrones cargas
negativas" se disponen alrededor del ncleo, los electrones en distintos or!itales, llamados
Ecapas o niveles de energaF
9tomo de cobre -C/
: ; <=

6
1
1
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eAeA0 e;< e;> e;?> e;?
)ig. 9
L$ p$rte intern$& En la electrnica, lo nico que importa es el or!ital e#terior, el cual se
denomina or!ital de valencia. Es este or!ital e#terior el que determina las propiedades
el+ctricas del tomo.
Electrn libre& Como el electrn de valencia es atrado muy d+!ilmente por la parte
interna del tomo, una fuerza e#terna puede arrancar fcilmente este electrn, al que se
conoce como electrn li!re y por eso mismo, el co!re es un !uen conductor. (ncluso la
tensin o fuerza mas d+!il puede hacer que los electrones li!res de un conductor se
muevan de un tomo al siguiente.
/os me%ores conductores son& El 8ro, la $lata, el Co!re, el Eridio, etc.
9tomo de cobre -C/
)ig. =" Di$5r$m$ de l$
p$rte intern$
de n tomo
de cobre
9
Protones
-<=/
Netrones
-<=/
1?
. ?
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E4ercicio& 'upongamos que una fuerza e#terior arranca el electrn de valencia de un
tomo de co!re.
GCul es la carga resultante del tomo de co!reH
GI si un electrn e#terior entra en la or!ital de valencia, cual es la carga resultante
del tomo de co!re de la figura anterior )ig. ="H
)olcin&
Cuando un electrn de valencia se va, la carga resultante del tomo es de ,*. 'i un
tomo neutro pierde uno o mas electrones se convierte en un tomo cargado
positivamente, que reci!e el nom!re de (on positivo.
Cuando un electrn e#terior entra dentro del or!ital de valencia, la carga resultante
del tomo es igual a J*. 'i un tomo tiene un electrn e#tra en la or!ital de
valencia, llamamos al tomo que cargado negativamente, (on negativo.
)emicondctores& /os me%ores conductores $lata, Co!re, 8ro" tienen un electrn de
valencia mientras que los me%ores aislantes poseen ocho electrones de valencia. 3n
semiconductor es un elemento con propiedades el+ctricas entre las de un conductor y las
de un aislante Kermanio J 'ilicio"
E%emplo&
9tomo de )ilicio
: ; ?@
=
. @
A
A
A
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)ig.>
3n tomo de 'ilicio tiene *6 protones y *6 electrones. En el primer or!ital posee 2
electrones y el segundo 0 electrones. /os 6 electrones restantes se encuentran en el
or!ital de valencia, como lo indica la figura 9, la parte interna tiene una carga resultante de
, 6 porque contiene *6 protones en el ncleo y *1 electrones en los dos primeros
or!itales.
/os 6 electrones de valencia nos indica que el silicio es un semiconductor.
E4ercicio&
GCul es la carga resultante del tomo de silicio si pierde uno de los electrones de
valenciaH
GI si gana un electrn e#tra en el or!ital de valenciaH
)olcin&
'i pierde un electrn de valencia, se convierte en un (on positivo, con carga ,*.
'i el tomo de silicio gana un electrn de valencia e#tra, se transforma en un (on
negativo J*.
Crist$les de silicio& Cuando los tomos de silicio se com!inan para formar un slido, lo
hacen en una estructura ordenada llamada cristal. Cada tomo de silicio 'i" comparte sus
electrones de valencia con los tomos de silicio vecinos de tal manera que suman 0
electrones en el or!ital de valencia.
>
A
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)ig.0 a )ig.0 !
3n tomo de cristal tiene 6 electrones Enlaces covalentes
Enl$ces co2$lentes& Cada tomo vecino comparte un electrn con el tomo central, de
esta forma el tomo central parece tener cuatro electrones adicionales, sumando un total
de ocho electrones en su or!ital de valencia. En realidad, los electrones de%an de
pertenecer a un solo tomo, ya que cada tomo central y sus vecinos comparten
electrones y as sucesivamente dentro de la estructura cristalina.
)$tr$cin de 2$lenci$& Cada tomo en un cristal de silicio tiene ocho electrones en su
or!ital de valencia. Estos ocho electrones producen una esta!ilidad qumica que da como
resultado un cuerpo compacto de material de silicio. Ladie esta seguro porqu+ el or!ital
e#terior de todos los elementos tiene una predisposicin a tener ocho electrones. Cuando
no e#isten ocho electrones de forma natural en un elemento este tiende a com!inarse y
compartir electrones con otros tomos vecinos con el fin de o!tener ocho electrones en el
or!ital e#terior, esta!leciendo con ello una estructura compacta.
Esta!lecimos como ley&
5icho de otro modo, el or!ital de valencia no puede soportar mas de ocho
electrones. 3n cristal de silicio es casi un aislante perfecto a temperatura am!iente
apro#. 29M C "
)emicondctores IntrBnsecos& 3n semiconductor intrnseco es un semiconductor puro.
3n cristal de 'i o Ke es un semiconductor intrnseco si cada tomo del cristal es un tomo
de la misma especie. - temperatura am!iente, un cristal puro de 'i o Ke se comporta mas
o menos como un aislante ya que tiene solamente unos cuantos electrones li!res y sus
huecos correspondientes, producidos por la energa t+rmica que posee dicho cristal.
Dos tipos de semicondctores e6trBnsecos& 3n semiconductor se puede dopar para
que tenga un e#ceso de electrones li!res o un e#ceso de huecos. 5e!ido a ello e#isten
dos tipos de semiconductores dopados.
0
)$tr$cin de 2$lenci$! n ; >
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)emicondctor e6trBnseco del tipo N& -l silicio o germanio que ha sido dopado con una
impureza pentavalente se llama semiconductor e#trnseco tipo L, donde L hace referencia
a negativo. En un semiconductor e#trnseco del tipo L como los electrones superan a los
huecos reci!en estos el nom!re de portadores mayoritarios, mientras que los huecos
reci!en el nom!re de portadores minoritarios.)ig. C"
Electrn
)ig. C
D$dor de electrones0 Ced$ c$r5$do ne5$ti2$mente
)emicondctor e6trBnseco del tipo P& El silicio o germanio que ha sido dopado con
impurezas trivalentes se llama semiconductor e#trnseco tipo $, donde $ hace referencia a
positivo. Como el numero de huecos supera a los electrones li!res, los huecos reci!en el
nom!re de portadores mayoritarios y los electrones se les denomina portadores
minoritarios.)ig. *1 "
&eco o esp$cio
)ig. *1
C
)i
)i
)i
)i A
s
)i
Al )i
)i
)i
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Receptor de electrones0 Ced$ c$r5$do positi2$mente
C$r$cterBstic$s de l$ nin pn& El diodo no polarizado" $or si mismo un cristal
semiconductor del tipo $ o L tiene la misma utilidad que una resistencia de car!n; $ero
ocurre algo nuevo cuando un fa!ricante dopa un cristal de la forma que una parte sea tipo
$ y la otra sea tipo L. /a separacin o frontera fsica de esta se llama unin pn. /a unin
pn tiene propiedades tan tiles que ha propiciado toda clase de inventos, entre los que se
encuentran los diodos, transistores y circuitos integrados.)ig.**"
Comprender la unin pn permite entender toda clase de dispositivos fa!ricados con
semiconductores.
:on$ de cont$cto -nin/
)ig. **
En el cristal pn se va a producir una difusin de portadores mayoritarios en am!as
zonas. /os electrones de la zona L pasaran a la zona p y los huecos de la zona $ pasaran
a la zona n cruzando la unin. Esta difusin de produce de!ido a que los electrones
tienden a llenar los huecos adyacentes a la unin, de%ando a su vez una zona de huecos
en la posicin original, la difusin se manifiesta en los lados adyacentes de la frontera y se
denomina Don$ de tr$nsicin.)ig. *2"
:on$ de tr$nsicin o deple6in
*1
$ L
, ,
,
,
,
,
.
.
.
.
.
.
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)ig. *2
5e!ido al proceso de difusin, se produce una concentracin de cargas opuestas a
am!os lados de la unin, cargas negativas en la zona $ y cargas positivas en la zona L,
siendo cerca de la unin, mayor la concentracin de cargas opuestas.
$or la concentracin de cargas opuestas se genera un campo el+ctrico y una
diferencia de potencial que se conoce como b$rrer$ de potenci$l.
/a !arrera de potencial detiene el proceso de difusin de portadores. /a carga
negativa concentrada rechazar a los electrones que intenten pasar, los cuales no tendrn
la suficiente energa para saltar la !arrera.)ig. *4"
El campo el+ctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial
llamada !arrera de potencial. /a !arrera de potencial es del orden de los m@" y
depender de los valores de temperatura y de la naturaleza del cristal.
/a !arrera de potencial es apro#imadamente de 1,4 @ para diodos de Kermanio y
de 1,> @ para diodos de 'ilicio.
)ig. *4
**
, , ,
,
,
, ,
, ,
. . .
. . .
. . .
$ L

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. ,
Pol$riD$cin direct$! 'e ve una fuente de corriente continua conectada a un diodo. El
terminal negativo de la fuente esta conectado al material tipo n y el terminal positivo al
material tipo p. Esta cone#in se llama polarizacin directa. En este caso e#iste una
inyeccin de portadores mayoritarios por la diferencia de potencial aplicada, con lo cual se
reduce la !arrera de potencial y se produce la conduccin. flu%o de electrones" )ig. *6"
)ig. *6
L$ b$rrer$ de potenci$l disminEe
Pol$riD$cin in2ers$! 'i se invierte la polaridad de la fuente de continua, entonces el
diodo quedara polarizado en inversa. -l rev+s de la situacin anterior, los portadores
mayoritarios son atrados por el potencial contrario aplicado en sus e#tremos, lo cual hace
que aumente la !arrera de potencial; por lo tanto, los electrones no tendrn la suficiente
energa para atravesar la !arrera y la corriente ser prcticamente nula. Esta cone#in se
denomina polarizacin inversa.)ig. *9"
)ig. *9
*2
P N
P N
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L$ b$rrer$ de potenci$l $ment$
/os fenmenos anteriormente mencionados corresponden al funcionamiento
de un diodo de EuninF cuyo sm!olo se muestra a continuacin&)ig. *="
)ig. *=
L$ b$rrer$ de potenci$l E l$ temper$tr$& /a temperatura de la unin es la temperatura
dentro del diodo, e#actamente en la unin pn. /a temperatura am!iente es diferente, es la
temperatura del aire fuera del diodo. Cuando el diodo esta conduciendo, la temperatura de
la unin es mas alta que la temperatura am!iente a causa del calor creado en la
recom!inacin. /a !arrera de potencial depende de la temperatura creada en la unin. 3n
incremento en la temperatura de la unin crea mas electrones li!res y huecos, que se
difunden en la zona de deple#ion. Esta se estrecha lo que significa que hay menos !arrera
de potencial a temperaturas altas en la unin.
Natemticamente definimos&
=

T
V
/a variacin de tensin por el cam!io de temperatura.
-hora podemos esta!lecer una regla para estimar el cam!io en la !arrera de potencial,
como una derivacin&
=

T
V
. 2 m@ OM C"
Con esto podemos calcular la !arrera de potencial a cualquier temperatura de la unin.
E4ercicio& 'uponiendo una !arrera de potencial es de 1,> @ a una temperatura de 29M C
GCul es la !arrera de potencial en un diodo de silicio cuando la temperatura de la
unin es de *11M CH
*4
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GCul es la !arrera de potencial en un diodo de silicio cuando la temperatura de la
unin es de 1M CH
)olcin&
Cuando la temperatura de la unin es de *11M C, el cam!io en la !arrera de
potencial es&
P@A .2m@OMC"P7A .2m@OMC"*11 MC 29 MC" A *91 m@
Esto nos dice que la !arrera de potencial decrece *91 m@ desde su valor de
temperatura am!iente, por lo tanto&
@Q A1,> @ 1,*9 @ A1,99 @
Cuando la temperatura de la unin es de 1M C, el cam!io en la !arrera de potencial
es&
P@A .2m@OMC"P7A .2m@OMC"1 MC 29 MC" A 91 m@
/o que quiere decir que la !arrera de potencial crece 91 m@ desde su valor a
temperatura am!iente, por lo tanto.
@Q A1,> @ ,1,19 @ A1,>9 @
*rFic$ de n diodo& 3na resistencia es un dispositivo lineal ya que su grafica de la
corriente en funcin de su tensin es una lnea recta. 3n diodo es diferente, es un
dispositivo no line$l ya que su grafica de tra!a%o no es una recta. Esto se de!e a su
!arrera de potencial, cuando la tensin del diodo es menor al valor de la !arrera de
potencial la corriente de diodo es pequea; si la tensin del diodo incrementa el valor por
so!re el valor de la !arrera de potencial, la corriente de tra!a%o del diodo se incrementa
rpidamente.)ig. *>"
En la zona directa la tensin en la cual la corriente empieza a incrementarse
rapidamente se denomina tensin de um!ral @R" es igual al valor de la !arrera de
potencial. 5efinimos la tensin de um!ral del diodo de silicio de la siguiente forma&
*6
,
G
; H0I ,
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)ig. *>
I mA
Corriente directa
@olta%e de ruptura
Pol$riD$cin
direct$
', H0J H0I
,
Corriente de fuga
Corriente inversa
Pol$riD$cin
in2ers$
KA
Not$& El diodo es un dispositivo no lineal, cuya corriente de tra!a%o quedar solo limitada
por la resistencia de carga. 'i se polariza inverso, el diodo no conduce. E#istiendo una
pequea corriente de fuga del orden de los micro.amperes. 'i el volta%e inverso supera el
valor especificado por el fa!ricante, el diodo se deteriora seriamente.
$ara tensiones mayores que la tensin de um!ral, la corriente crece rpidamente,
al aumento pequeo de tensin, el diodo origina un alto incremento de corriente, esto se
de!e a que una vez superado el valor de la !arrera de potencial, solamente se opone al
flu%o de la corriente la resistencia de las zonas p y n.
*9
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/a suma de las resistencias ohmicas se le llama resistencia interna del diodo y se
define mediante la siguiente formula&
/os diodos tienen diversas aplicaciones, entre las que se destacan&
a" RectiFic$dores& /a funcin del rectificador es transformar la corriente alterna en
continua, la mayora de los dispositivos electrnicos, televisores, equipos estereos y
computadores necesitan de una corriente continua. 5entro de las fuentes de
potencia hay circuitos que permiten que la corriente fluya en un solo sentido, estos
son los llamados rectificadores, que estudiaremos a continuacin&
RectiFic$dores de medi$ ond$& El siguiente circuito nos muestra un rectificador de
media onda )ig. *0".
)ig. *0
S/
*rFicos
,
. . ,R#)
,PEA' ,olt$4e $lterno
t
A A
) )( (
1
seg
Ciclos
H
T
f
Z
=
*=
Rb ; RP . RN
C.A
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T ; Periodo
T
,RL
,olt$4e rectiFic$do
. .
H0J A H0I ,
t
"N "33 "N
id

Ip
I
m
=
Corriente rectiFic$d$
t
Donde&
(
p
A Corriente $eaR
@
p
A @olta%e efectivo o real
(
m
A Corriente media
@
m
A @olta%e medio o @
cc
@
SN'
A @olta%e promedio o efectivo
T A Constante
Vrms Vp = 2

Vp
Vm =

L
R
V
I =

*>
El condctor no tiene c$Bd$
de tensin0 el diodo tiene n$
peCeL$ c$Bd$ de tensin de
H0I -,/
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E4ercicio& GCules son las tensiones de pico en la carga y la tensin continua en la
cargaH. El transformador tiene una relacin de espiras de 9&*. Esto significa que la
tensin r.m.s. del secundario es un quinto de la tensin del primario",@$A*21 @.
)olcin&

V
V
V 24
5
120
2
= =
I la tensin de pico en el secundario es&

V
V
Vp 34
707 , 0
24
= =
Con un diodo ideal, la tensin de pico en la carga es&

V out Vp 34 ) ( =
/a tensin continua en la carga es&

V
V Vp
Vdc 8 , 10
34
= = =

/a tensin de pico en la carga es&

V V V out Vp 3 , 33 7 , 0 34 ) ( = =
/a tensin continua en la carga es&

V
V Vp
Vdc 6 , 10
3 , 33
= = =

RectiFic$dor de ond$ complet$& En este tipo de rectificadores la corriente
de carga rectificada circula durante am!as mitades de los ciclos, a continuacin
veremos un puente rectificador de onda completa&)ig.*C"
)ig. *C
*0
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56
5*
52
54
R
L
'istema rectificador
*RA3IC")
,

t ,olt$4e $lterno

,D
,dc
*C
C.A
.
Tr$nsForm$dor . diodos . c$r5$
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,olt$4e rectiFic$do
t
D?1DJ D<1D@
@alor de continua o valor medio en un rectificador de onda completa, esta seal
tiene el do!le de ciclos positivos, como lo visto en la grafica, por lo tanto el valor del volta%e
rectificado es @5"&

Vp
Vdc

=
2
El valor de la corriente media en rectificador de onda completa es&

Ip
I
m

=
2
- la salida de un rectificador se o!tiene una tensin continua pulsante, para me%orar
esta seal y de%arla lo ms cercano a una seal continua pura, se utilizan los Filtros.
E#isten diferentes tipos de filtros, como son&
)iltros capacitivos condensadores"
)iltros inductivos !o!inas"
)iltros inductivos . capacitivos, am!os o una mezcla de am!os.
3no de los mas usados es el filtro capacitivo, que a continuacin daremos a
conocer !revemente&
El Filtro de condens$dor en l$ entr$d$& Este filtro genera una tensin de salida continua
igual al valor de pico de la tensin rectificada. Este tipo de filtros es muy usado en fuentes
de alimentacin y alternadores.
/a siguiente figura nos muestra la forma de conectar el condensador& )ig. 21"
C
21
C.A.
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)ig. 21
En los filtros de onda completa el rizado de pico a pico se corta por la mitad, como
se o!serva en la figura.)ig. 2* a.!" Cuando una tensin de onda completa se aplica a un
circuito SC, el condensador solo descarga la mitad del tiempo. $or lo tanto, el rizado de
pico a pico tiene la mitad de tamao que tendra con un rectificador de media onda, la
seal con el condensador me%ora nota!lemente. El funcionamiento del condensador
consiste en lo siguiente&
Este se carga a trav+s de la tensin continua pulsante que entrega el rectificador,
diodo a!ierto" una vez que el condensador almacena el valor m#imo de tensin
comienza su descarga, hasta que nuevamente la tensin continua pulsante alcanza el
valor del condensador comenzando nuevamente su descarga.
)ig. 2* a
,
)eL$l rectiFic$d$
t
2*
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)ig. 2* !
'e puede calcular el volta%e de rizado de pico a pico de cualquier filtro con
condensador a la entrada&
fC
I
Vr =
5onde&
@r A 7ensin de rizado pico a pico @"
( A Corriente por la carga en continua -"
f A )recuencia de rizado Uz"
C A Capacidad )"
El diodo adems de rectificar, se puede utilizar como elemento de proteccin como
por e%emplo para asegurar el paso de corriente en un solo sentido en un alternador o
!atera&)ig. 22"
)ig. 22
Proteccin
%$terB$
El diodo adems puede proteger de errores de polaridad.
"tros tipos de diodos
Diodo :ener& Es un diodo de fa!ricacin especial de silicio que se ha diseado para que
funcione en la zona de ruptura, llamado a veces diodo de avalancha, el diodo zener es la
parte esencial de los reguladores de tensin. Estos son circuitos que mantienen la tensin
casi constante con independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensin
en la red y la resistencia de carga.
- continuacin veremos su sm!olo y grafica de tra!a%o& )ig.24"
22
Altern$dor
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I m$"
Pol$riD$cin
direct$
:on$ de Rptr$
,: m$6.
,: nom.
,: min.

,
ID minimo
I: nomin$l
I: m6imo
Pol$riD$cin
indirect$
)ig. 24
Re5l$dor Dener& El diodo zener es un elemento esta!ilizador de tensin regulador de
tensin" porque para pequeos mrgenes de variacin de tensin, tra!a%a con variaciones
importantes de corriente. $ara asegurar que el diodo zener tra!a%e como esta!ilizador de
tensin se de!en cumplir las siguientes condiciones&
Este diodo de!e ser alimentado por una corriente inversa no inferior a (z. Nnimo (z
min.", dato entregado por el fa!ricante.
Lo se de!e so!repasar en ningn caso la corriente del zener m#ima (z ma#." ya
que puede producir daos en el componente.
-hora la potencia del zener se calcula por&
Vz Iz Pz = . max
$or lo tanto&
Vz
Pz
Iz = max
El (z min. se calcula y es igual al *1V de (z ma#.
24
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$or lo tanto&
2
min max Iz Iz
Iztrabajo

=
Rs
,
,D
,s 1
Circito bsico de re5l$cin
)ig. 26
Rs
.
,
,s
,D
M
M
L$ Fente de $liment$cin e6cit$cin $l re5l$dor
)ig. 29
/a corriente en la resistencia es&
Rs
Vz Vs
Is

=
26
3UENTE
RECTI3ICA
D"RA
C"N 3ILTR" C"N
C"NDEN)AD"R A LA
ENTRADA
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Diodo Led -emisor de lD/& En un /E5 con polarizacin directa los electrones li!res
atraviesan la unin y caen en los huecos. Como caen de niveles energ+ticos altos a
niveles !a%os, emiten energa. En diodos normales esta energa se disipa en forma de
calor, pero un /E5 lo hace en forma de luz. /os /E5 necesitan muy poca tensin, tienen
una larga vida y conmutan mas rpido.
'u sm!olo es&
)ig. 2=
El diodo /E5 posee el mismo funcionamiento que el diodo comn, sin em!argo
cuando se produce la difusin de portadores mayoritarios a trav+s de la unin, estos
entregan energa en forma de luz.
Estos elementos necesitan de un volta%e de polarizacin de entre *,9 a 2 @" y una
corriente de tra!a%o entre *9 a 21 m-" y pueden ser de color ro%o, verde, amarillo, naran%o,
etc. Este tipo de diodo se construye con materiales semiconductores semitransparentes a
la energa luminosa, como por e%emplo de -rs+nico y Kalio.
Rs
.
,s
1 ,D
)ig. 2>
Rs
V Vs
Is
D

=
3otodiodos& Seceptor de luz", este componente reci!e luz con lo cual los electrones
/i!res tienen la energa suficiente para poder traspasar la unin y conducir. Cuanto mayor
29
3UENTE DE
ALI#ENTACI"N
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intensidad de luz incida so!re la unin, mayor ser la corriente inversa en el diodo. 3n foto
diodo es un diodo cuya sensi!ilidad a la luz es m#ima. 'e de!e polarizar en forma
inversa y en los fotodiodos tpicos la corriente inversa es del orden de decenas de
microamperios.
'e pueden utilizar para captar seales en sensores pticos o medir velocidades angulares
en motores.
'u sm!olo es&
)ig. 20
R
,
)ig. 2C
L$ lD incidente increment$ l$ corriente in2ers$ en el Fotodiodo
Tr$nsistores& En *C9* William 'chocRley invento el primer transistor de unin, un
dispositivo semiconductor que permite amplificar seales electrnicas tales como seales
de radio y de televisin. El transistor ha llevado a crear muchas otras invenciones !asadas
en semiconductores, incluyendo el circuito integrado C(", un pequeo dispositivo que
contiene miles de transistores miniaturizados. E#isten dos familias de transistores&
Tr$nsistores nipol$res
Tr$nsistores bipol$res
Esta clasificacin se !asa en el tipo de portadores de carga electrones y huecos" que
intervienen en su proceso de conduccin.
2=
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Tr$nsistor bipol$r& El transistor tiene tres zonas de dopa%e, como se muestra en la
siguiente figura )ig. 41". /a zona inferior se denomina emisor, la zona central b$se
y la zona superior es el colector.
NC% N%E NC% N%E
TRAN)I)T"R NPN TRAN)I)T"R PNP
)ig. 41
/os sm!olos son&
. . A A
,C% C"LECT"R ,C% C"LECT"R
%A)E %A)E
A ,CE . ,CE
. A
,%E E#I)"R ,%E E#I)"R
A A . .
TRAN)IT"R NPN TRAN)I)T"R PNP
)ig. 4*
Este componente es de estructura simple y de!e cumplir con ciertos requisitos de
dopado y de dimensiones caractersticas que hacen que el dispositivo no se comporte
simplemente como dos diodos.
'u funcin es que el emisor emite captadores de carga, el colector los recoge y la
!ase controla el paso de esos portadores de cargas.
El emisor esta fuertemente dopado. $or otro lado, la !ase esta ligeramente dopada.
El nivel de dopado del colector es intermedio, entre los dos anteriores. )sicamente el
colector es la zona mas grande de las tres.
#odo de Fncion$miento&
2>
L $ L $ L $
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8peracin normal de un transistor&
N%E ; DIRECTA
NC% ; IN,ER)A
Principio de Fncion$miento del tr$nsistor& En la )ig. 42 se muestra el funcionamiento
de un transistor L$L en zona activa&
#ATERIAL N #ATERIAL P #ATERIAL N
E#I)"R %A)E C"LECT"R
Alt$mente ImpriFic$do #edi$n$mente ImpriFic$do
I
e
I
c
&eco Electrn
Unin %E Unin %C #odos de Fncion$miento
Direct$ Direct$ )$tr$cin
In2ers$ In2ers$ Corte
Direct$ In2ers$ Acti2$
20
INTERRUPT"R
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I
%
Re Rc
,cc )ig. 42 ,cc
/os datos de inicio, para e#plicar la )ig. 42 son los siguientes&
Emisor& Nuy contaminado. muchos portadores mayoritarios, electrones"
%$se& $oco contaminado pocos portadores mayoritarios, huecos" estrecho tamao.
Colector& Nedianamente contaminado de tamao amplio.
Con la polarizacin directa de la unin !ase emisor, muchos electrones del emisor
irn a la !ase a recom!inarse con los huecos de la !ase y viceversa. -qu se encuentran
con la primera dificultad y es que la !ase est poco impurificada dopada" y e#isten pocos
huecos para que se puedan recom!inar, los que lo logran forman una pequea corriente
denominada corriente de b$se.
/os electrones llegados del emisor y no recom!inados saturan a la !ase tamao
estrecho" lo que produce una corriente de difusin entre !ase y colector. Como esta unin
est polarizada en forma inversa, los electrones son e#trados por el campo el+ctrico. $or
lo tanto la unin !ase colector rene los portadores que emite la unin !ase emisor
comportndose como un generador de corriente entre emisor y colector.
-pro#imadamente solo un 9V de la corriente emitida va a la !ase y un C9V al colector.
En resumen, el emisor emite portadores, el colector los recoge y la !ase controla el
paso de esos portadores de carga.
/a poca corriente de !ase es controlada por la tensin !ase . emisor.
ConFi5r$ciones de n tr$nsistor& Estas configuraciones dependen del terminal que se
eli%a comn a la entrada y a la salida del transistor&
Emisor comOn %$se comOn Colector comOn
C E
E C
%
2C
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% ,H
,H ,i ,H
,i ,I
E % C
)ig. 44
5onde&
,
i
; ,olt$4e de entr$d$
,
o
; ,olt$4e de s$lid$
Rel$ciones de corriente en n tr$nsistor& Secu+rdese que la ley de la corrientes de
:irchhoff. Esta!lece que la suma de todas las corrientes que ingresan a un nudo o unin
es igual a la suma de todas las corrientes que salen de ese nudo&
B C E
I I I + =
-hora la relacin X se conoce como la ganancia de corriente de un transistor porque una
pequea corriente de !ase produce una corriente mucho mayor de colector&
B
C
I
I
=
E4ercicio& 3n transistor tiene una corriente de colector de *1 m- y una corriente de !ase
de 61 Y-. GCual es la ganancia de corriente del transistorH
)olcin&

250
40
10
= =
A
mA

3nciones princip$les de n tr$nsistor& En lo que respecta al automvil se destaca la

importancia del transistor en la utilizacin como rele y amplificador.
Como rele& $ara que funcione de esta forma !asta con polarizar la !ase del transistor, a
trav+s de una d+!il tensin o polarizacin para conseguir el paso de una alta corriente
entre emisor y colector. /a gran venta%a en este caso con respecto a un rele mecnico, es
que el transistor no posee contactos ni resortes o mecanismos que se deterioren con el
41
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tiempo producto de los movimientos la temperatura y que fcilmente pierden sus
cualidades iniciales.
Qasado en +ste principio, el transistor tiene un amplio campo de aplicacin en el
automvil y un e%emplo de ello es la )ig.46 que nos muestra un sistema de encendido
transistorizado&
P
C
R
%
E
A
R
%
)ig. 46
4*

T
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3ncion$miento! /a corriente principal proviene de la !atera A" y pasa al transistor T",
si los contactos del ruptor platinos" se encuentran a!iertos, por lo cual se produce una
interrupcin en el paso de la corriente de !ase, de modo que el transistor queda
!loqueado. Cuando los contactos P/ se unen, polarizan a masa corriente negativa", la
!ase del transistor y entonces +ste se vuelve conductor, dando paso a la corriente al
primario de la !o!ina de encendido %". El primario de la !o!ina se alimenta y cuando se
produzca la nueva separacin de los contactos, el transistor se !loquea y se induce una
corriente de alta tensin en el arrollamiento secundario de la !o!ina, lo que produce la
chispa en la !u%a.
En el caso de la figura di!u%ada se o!serva que el transistor tra!a%a como un rele,
porque una pequea corriente de !ase permite el paso de una corriente mayor entre
emisor y colector.
Como AmpliFic$dor& Zstos se utilizan cuando se trata de reci!ir seales procedentes de
sensores o captadores, las cuales tra!a%an con seales muy !a%as. $ara que +stas
seales puedan ser incorporadas a dispositivos electrnicos tales como ca%as de
encendido, microprocesadores de las unidades electrnicas de control de inyeccin de
gasolina, de!en ser amplificadas.
En resumen un amplificador ese un dispositivo por medio de el cual una d+!il
corriente producida por una fuente hace provocar una fuerte corriente en la salida.
/a siguiente )igura )ig. 49" nos muestra un e%emplo simplificado de cmo un
transistor puede realizar las funciones de un amplificador.
/a entrada amplificada que proviene de la !ase del transistor y circula entre
emisor y colector y que puede llegar a ser *11 veces superior. 'i se desea amplificar aun
mas se puede aplicar una segunda etapa amplificadora que puede llegar a ser *1.111
veces aumentada la seal de salida&
P
RJ R?
C<
C?
R@ R<
42
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.
)ig. 49
E#isten variadas construcciones de transistores, los estudiados con anterioridad se
denominan transistores !ipolares. E#isten otra familia denominada transistores unipolares
o por efecto de campo )E7", es un dispositivo de estado slido en el que el campo
el+ctrico controla el flu%o de los portadores en un canal de conduccin.
-l igual que los !ipolares los unipolares se utilizan como reles, amplificadores e
interruptores controlados.
- continuacin se realiza una clasificacin general de tipos de transistores&
44
7S-L'('78SE
'
7S-L'('78SE
' 5E E)EC78
5E C-N$8
7S-L'('78SE
' Q($8/-SE'
5('$8'(7(@8
5E )3ES?-
(L'7-/-5-
N8')E7
5('$8'(7(@8
5E $3ES7- 5E
3L(8L
ELS(<3EC(N(EL7
8
5E)/E[(\L
EN$8QSEC(N(EL7
8
NE')E7
()E7
C-L-/ L
C-L-/ $
C-L-/ L
C-L-/ $
C-L-/ L
C-L-/ $
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)ig. 4=
Tiristores& 'on dispositivos semiconductores que tienen tres terminales conectores", una
corriente d+!il en una de sus terminales compuerta" permite que una corriente mucho
mayor fluya a trav+s de los otros dos conductores. /a corriente controlada est encendida
o apagada; estos no amplifican seales como los transistores, sino que actan como
interruptores de estado slido.
E#isten dos familias&
RectiFic$dor control$do de )ilicio -).C.R./& Zste es similar a un transistor !ipolar
con una cuarta capa, como lo muestra el di!u%o siguiente configuracin interna"
AN"D"
)I#%"L"
AN"D" CAT"D"
C"#PUERTA
-*ATE/
CAT"D" C"#PUERTA
)ig. 4>
46
P
N
P
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3ncion$miento de n )CR: 'i el nodo se hace ms positivo que el ctodo en un
tiristor, las uniones e#ternas dos" se polarizan, sin em!argo la unin $.L del centro se
polariza de forma inversa y la corriente no puede fluir. 3na corriente pequea en la
compuerta polariza la unin $.L del centro permitiendo que una corriente mucho mayor
fluya a trav+s del dispositivo.
Alt$ corriente de
s$lid$
RL
R
PeCeL$ corriente de
control
)ig. 40
/a ampolleta solo funciona cuando el interruptor se cierra y circula una pequea
corriente, que es limitada por esta resistencia,S".
/a grfica siguiente nos muestra el comportamiento de un 'CS, para profundizar el
funcionamiento del 'CS es conveniente o!servar su curva caracterstica&
49
P
N
P
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I
P"LARI:ACI"N
DIRECTA
E %
-C/ I&
A
,-./
,8 ,%"
P"LARI:ACI"N
INDIRECTA
)ig. 4C
5e acuerdo a la grfica y o!servando se ve que e#iste una caracterstica de
!loqueo en el momento que pasa la corriente polarizacin directa", que viene presentado
por la letra A, aqu e#iste un crecimiento de la tensin directa sin que el 'CS permita el
paso de la corriente; pero cuando este alcanza un punto determinado conocido con el
nom!re de tensin de operacin ,%o", el tiristor 'CS permite el paso de la corriente
representado por la letra %, con una lnea ascendente.
Cuando la corriente directa desciende su valor !a%o el punto C, llamado o conocido
como corriente de mantenimiento o de retencin I&", el 'CS se !loquea y por
consiguiente de%a de conducir.
En el sentido inverso el 'CS se comporta como un diodo norm$l.
/a forma ms efectiva para apagar un 'CS es reducir la corriente de nodo !a%o el
valor de I&" o !a%ar el volta%e !a%o el valor ,8", la primera con una resistencia y la segunda
con una fuente varia!le.
- continuacin se muestra un diagrama en !loque de un circuito 'CS&
4=
CIRCUIT"
DE
C"NTR"L
DI)P")ITI,"
DE
C"NTR"L
CA
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)CR
* '
R
,i
)ig. 61
,$lores tBpicos&
$osee una corriente de mantenimiento & Q mA
3na corriente de disparo de & ?H mA
3na tensin de !loqueo directa de & RH ,
3na tensin de disparo tpica de & H.IR ,
Estos valores indican que la fuente que alimenta al 'CS tiene que ser capaz de
suministrar al menos *1 m- a 1,>9 @. para que el 'CS se mantenga cerrado. Con
respecto a la corriente de mantenimiento, si disminuye a menos de = m- el 'CS se
convertir en un circuito a!ierto.
/a tensin de !loqueo de 91 @, nos indica que a menos de este valor el 'CS no puede
cerrarse y la nica forma de hacerlo sera aplicando un pulso a la compuerta.
Tri$cs& Este dispositivo es equivalente a 2 'CS conectados en paralelo en
oposicin como lo muestran las siguientes figuras&
)CR
4>
< N @ @ @ ?
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mt<
mt?
)CR
Compert$ -5$te/
mt? mt<
'm!olo&
Compert$
mt< mt?
)ig. 6*
Estos dispositivos tra!a%an de forma !ilateral tanto en el semiciclo positivo como en
el semiciclo negativo y pueden controlar tanto motores como otros dispositivos el+ctricos.
UNIDAD II 3nd$mentos de electrnic$ inte5r$d$
C$r5$ E desc$r5$ de condens$dores!
?. )e tiene n circito con n conmt$dor Ce 2$ri$ s posicin de $ A b
<. )e $sme n condens$dor tot$lmente desc$r5$do
40
N P N P N
N
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R
$
b
C ,"
J. t? ; Tiempo inici$l en Ce el sSitc7 se conect$ $l pnto T$U
@. Al conect$r el circito l$ corriente es m6im$ E posteriormente decrece
R. El 2olt$4e en el condens$dor comienD$ desde cero 7$st$ Ce i5$l$ el 2olt$4e
de l$ Fente
Q. C$ndo el 2olt$4e del condens$dor se i5$l$ $l 2olt$4e de l$ Fente0 el 2olt$4e
en l$ resistenci$ se 7$ce cero
I. En t< se c$mbi$ $l conect$r $ l$ posicin TbU
*rFicos de comport$miento!
@0Q V ; Tiempo de c$r5$ de n condens$dor
,"
t? t< t
i
,R
4C
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,C
Tiempo de c$r5$ E desc$r5$ de n condens$dor&
7 A 6,= ] ^
^ A S ] C
^ A Constante de tiempo, tiempo que demora el condensador en cargarse a un =4V de su
valor m#imo, se mide en segundos.
E%emplo& GCunto demora un condensador de*11 _) en cargarse y que esta conectado a
una resistencia de *1 :`H
?H 'W
?HH K3
?< ,
T ; @0QXRXC
T ; @0QX?HX?H
J
X?HHX?H
1Q
T ; @0Q )e5
'e puede o!servar prcticamente de dos formas&
Colocar un ampermetro en serie y o!servar el momento donde la corriente de%a
de circular. segn el grafico cuando la corriente de%a de circular, es porque el
condensador ya se cargo"
'e puede colocar un voltmetro en paralelo con la resistencia y o!servar cuando
el volta%e llegue a cero.
-l hacerlo de esa forma se o!servara que %ams llegara a cero, pues siempre
ha!r una pequea corriente de fuga que pasa por el voltmetro.
Es recomenda!le hacerlo con un ampermetro y mas aun con un ampermetro
anlogo.
Conclusin&
61
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$odemos controlar el tiempo de carga y descarga de un condensador controlando
el valor de resistencia y capacidad del condensador.
INTE*RAD" RRR
>
R
Q
<
6*

<
Y
J
,
CC

?
Y
J
,
CC
R'
R'
R'
R )
Control
(
. 1
%
. 1
A
33 3)
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I @
?
J
Es un integrado que posee ocho cone#iones, las cuales son&
*. 7ierra
2. Entrada de trigger 'eal de inicio o disparo"
4. 'alida
6. Seset
9. Control de volta%e
=. Entrada de um!ral
>. 5escarga
0. @cc @olta%e de entrada"
/a tres resistencias en serie son un divisor de tensin donde el @cc se divide en
tres partes iguales&
*
O4 @cc;
2
O4 @cc;
4
O4 @cc.
'e esta!lecen estos volta%es como volta%es de referencia, para los comparadores -
y Q.
)) J S' es un elemento que se denomina )lip . )lop.
El flip.flop para que pueda depender de la seal entregada por los comparadores,
de!e reci!ir del reset un volta%e de seal alto so!re * @olt".
El transistor, tra!a%a como un conmutador y su !ase esta controlado por la salida
del flip flop el flip flop controla la corriente de !ase".
/a salida del integrado va precedida de un amplificador que tiene las caractersticas
de inversor.
Esto es&
'i llega un nivel !a%o al amplificador, sale un nivel alto.
'i llega un nivel alto al amplificador, sale un nivel !a%o.
3ncion$miento&
Cuando la seal de trigger cae !a%o
*
O4@cc la salida del comparador - ser alta. Esto
provoca que la salida < del flip flop sea !a%a cortando la corriente de !ase del
transistor de descarga.
/a salida del integrado ser alta de!ido a la accin del inversor se fi%a un * lgico"
62
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Cuando la seal de entrada de um!ral supera
2
O4@cc, la salida del comparador Q se
pone alta. /a salida < del flip flop ahora es alta permitiendo que el transistor de
descarga se active.
/a salida del integrado ser !a%a por la accin del inversor cero lgico".
/a accin del comparador Q es !orrar la salida del temporizador
"PERACI"N DEL TI#ER RRR C"#" #"N"E)TA%LE
Tri55er )eL$l de disp$ro o de
p$rtid$
?
YJ,cc
<
YJ,cc
Umbr$l H
,CC
)$lid$ H T
T;?0?XRXC
3ncion$miento!
Cuando la seal que pasa por trigger !a%a de
*
O4 @cc, el condensador comienza su
proceso de carga puesto que el transistor interno esta con su !ase desenergizada.
'alida alta.
El condensador esta conectado al pin = um!ral" y cuando este alcanza un valor
de
2
O4 @cc, internamente se activa el comparador Q, se descarga el condensador y
la salida del timer es cero.
El tiempo en que la salida es alta depende del tiempo de carga del condensador.
7 A *,*]S]C
Cone6in! ,CC
S
7rigger
'alida
1,1*Yf C
64
>
I
Q
R
?
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$osee una sola posicin esta!le en la salida y es cero 1 @olts"
"PERACIN DEL TI#ER RRR C"#" A)TA%LE -%IE)TA%LE/
$osee 2 estados de esta!ilidad.
El o!%etivo es determinar los tiempos de cada estado de esta!ilidad en funcin de la
carga y descarga de un condensador.
El e%emplo de un 999 como asta!le es el funcionamiento de un relo%.
<
YJ,cc
Tensin
del
?
YJ,cc
condens$dor
t? t
Tensin
de t<
s$lid$
T t
C"NE8IN! ,CC
RA
)ALIDA
R%
H0H?KF
C
El funcionamiento interno del integrado sigue siendo el mismo, lo que cam!ia son
las cone#iones e#ternas.
/a cone#in de trigger y um!ral estn unidas y dependen solo del volta%e y del
condensador.
66
@ >
J I
R Q
? <
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Cuando el condensador se esta cargando y llega a un volta%e
2
O4 @cc, la salida del
integrado se hace cero, la !ase del transistor interno se energiza y el condensador
se descarga a trav+s de SQ por el pin >.
3na vez que el volta%e del condensador llegue a
*
O4 @cc, se activa el comparador -
pues la seal de trigger !a%a de
*
O4 @cc. /a !ase del transistor se desenergiza por lo
que el condensador ahora comienza a cargarse pero a trav+s de las resistencias S-
y SQ.
En este caso la salida del integrado es @cc.
Clculos de tiempo de carga y descarga&
t?; Tiempo de c$r5$ del condens$dor por medio de RA E R%.
t<; Tiempo de desc$r5$ del condens$dor $ tr$2Zs de R%.
( ) C R R t
B A
+ = 693 , 0
1
C R t
B
= 693 , 0
2
( ) C R R t t T
B A
+ = + = 2 693 , 0
2 1
( ) C R R T
f
B A
+
= =
2
44 , 1 1
CICL" DE TRA%AN" D-[/
Cociente entre el tiempo dr$nte el c$l l$ s$lid$ est$ en ni2el $lto -t?/ E el periodo
-T/
B A
B A
R R
R R
D
2 +
+
=
UNIDAD III 3nd$mentos de l$ electrnic$ di5it$l
E#isten dos familias que tra!a%an dentro de los circuitos integrados, dos tecnologas
ampliamente utilizadas&
TTL& Corresponde a la familia >611, fue introducida por la 7e#as (nstruments en el
ao *C=6. Estos circuitos han ido evolucionando, conduciendo a nuevas su!familias
las cuales estn disponi!les en la Lational 'emiconductor.
69
INACAP
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- L5ic$ TTL st$nd$rd I@H@
- L5ic$ TTL b$4$ potenci$ I@LH@
- L5ic$ TTL )c7o7GE I@RH@
- L5ic$ TTL )c7o7GE b$4$ potenci$ I@LRH@
- L5ic$ TTL )c7o7GE $2$nD$d$ I@ARH@
- L5ic$ TTL )c7o7GE $2$nD$d$ b$4$ potenci$ I@ALH@
/as caractersticas de tensin en todas las su!familias 77/ son las mismas @cc
,9@", sin em!argo cam!ian sus caractersticas de velocidad y de potencia.
/as marcas en los circuitos integrados 77/ varan segn el fa!ricante, a
continuacin se muestra una figura de e%emplo&
Lo5otipo de
F$bric$
CI& Circuito (ntegrado
)ig. 62
D# I@ H> N
Cdi5o del
3$bric$nte p$r$
Enc$psl$do de doble lBne$
6=
D# I@H> N
INACAP
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3ncin del
CI
3$mili$
TTL
Cdi5o del
F$bric$nte
3na caracterstica importante de las entradas 77/ es que si no se conectan
flotante", el dispositivo asume un nivel alto designado con un *.
Circitos inte5r$dos C#") -#et$l 6ido complement$rio/& )ue introducido por
la SC- en el ao *C=0, su popularidad deriva a que tienen un e#tremado !a%o
consumo de potencia, alta inmunidad al ruido y pueden funcionar con una fuente
econmica no regulada.
/os fa!ricantes producen 4 familias de circuitos integrados CN8', que incluyen la
antigua serie o familia 6111, la familia >6C11 y la familia >6UC11.
- continuacin se muestra un e%emplo para un cdigo usado para un CN8'&
CD @H<> % E
Cdi5o del F$bric$nte
Disp. plstico
3ncin del
dispositi2o
Cdi5o del
3$bric$nte p$r$ C#") di5it$l
/os fa!ricantes sugieren que al tra!a%ar con dispositivos CN8', se consideren los
siguientes datos; para evitar daos provenientes de descargas estticas y tensiones
transitorias, se de!e seguir el siguiente procedimiento&
*" -lmacenar los circuitos integrados CN8' en espumas conductoras
especiales.
6>
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2" 5esconectar la alimentacin cuando se vayan a quitar los C( o se
cam!ien las cone#iones en un circuito impreso.
4" -segurar que las seales de entrada no e#cedan la tensiones de la
fuente de alimentacin.
6" 5esconectar las seales de entrada antes de desconectar la alimentacin
del circuito
9" Conectar todas las entradas no utilizadas al polo positivo o tierra de la
fuente de alimentacin
=" Lo manipular el dispositivo, slo usando los elementos correspondientes
guantes"
Circitos inte5r$dos di5it$les
-Compert$s l5ic$s/
/a compuerta lgica es un elemento !sico en los sistemas digitales. /as
compuertas lgicas operan con nmeros !inarios.
7odos los volts usados en las compuertas sern altos o !a%os.
3n alto volt significara un ? !inario y un !a%o vot significara un H !inario.
Lo importa lo complicado que sean los circuitos integrados digitales todos ellos
estn hechos a partir de !loques de construccin sencillos, llamados compert$s. 7odos
los sistemas digitales se construyen a partir de tres compuertas lgicas !sicas, que son&
?. L$ compert$ AND
<. L$ compert$ "R
J. L$ compert$ N"T
?.1 Compert$ AND& /a compuerta -L5 llamada ETodo o n$d$F en los esquemas se
muestran su sm!olo y el circuito -L5 usando conmutadores&
A %
A )
% ).
A % )
H H H
H ? H
60
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? H H
? ? ?
/a e#presin Qooleana que define una compuerta o condicin AND, es la siguiente&
B A =
<.1 Compert$ "R& /a compuerta 8S llamada EC$lCier$ $ todoF en los esquemas se
muestran su sm!olo y el circuito 8S usando conmutadores&
A
%
A )
% )
A % )
H H H
H ? ?
? H ?
? ? ?
/a e#presin Qooleana que define una compuerta o condicin lgica "R, es la siguiente&
B A + =
J.1 Compert$ N"T& /a compuerta L87 se conoce tam!i+n como un inversor. /a
compuerta L87 tiene solamente una entrada y una salida, en los esquemas se muestran
su sm!olo y el circuito L87 usando conmutadores&
6C
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A )
A )
H ?
? H
/a e#presin Qooleana que define una compuerta o condicin lgica N"T es la siguiente&
A A =
/as leyes que condicionan una compuerta lgica N"T son las que se definen&
1 0 =
'i - A *, entonces 0 = A
'i - A 1, entonces 1 = A
Combin$ciones de compert$s&
A A
%
)
%
LA E8PRE)IN %""LEANA E)&
B A B A + =
TA%LA DE ,ERDAD
A % )
H H ?
91
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H ? ?
? H H
? ? H
A
%
C

)
LA E8PRE)IN %""LEANA
C AB BC A + =
LA TA%LA DE ,ERDAD
A % C )
H H H H
H H ? H
H ? H H
H ? ? ?
? H H H
? H ? H
? ? H ?
? ? ? H
5ada las siguientes e#presiones Qooleanas&
C AB ABC ABC + + =
C AB C B A BC A + + =
C B A ABC AB BC A + + + =
Sealizar&
9*
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/os circuitos lgicos com!inacionales
/a ta!la de verdad
"tr$s compert$s l5ic$s& 'e pueden hacer otras cuatro compuertas lgicas a partir de
las fundamentales y son&
$/ Compert$ NAND
b/ Compert$ N"R
c/ Compert$ "R E8CLU)I,A
d/ Compert$ N"R E8CLU)I,A
a" Compert$ NAND& Esta se puede alterar a trav+s de una compuerta -L5 y una
compuerta L87, como se ve en el esquema&
NAND
El sm!olo de la compuerta NAND es&
A
)
%
'u e#presin Qooleana es&
B A =
'u ta!la de verdad es&
A % )
H H ?
H ? ?
? H ?
? ? H
92
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!" Compert$ N"R& 5icha compuerta se o!tiene a trav+s de una compuerta 8S y
una compuerta L87, como se ve en la siguiente figura&
N"R
El sm!olo de la compuerta N"R es&
A
)
%
'u e#presin Qooleana es&
B A + =
'u ta!la de verdad&
A % )
H H ?
H ? H
? H H
? ? H
94
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Compert$ "R e6clsi2$&/a compuerta 8S e#clusiva se conoce como la compuerta
Ealguno para no todosF, el termino 8S e#clusivo se a!revia [ 8S.
/a siguiente figura muestra el circuito lgico que realiza la funcin [ 8S&
Circito l5ico Ce re$liD$ l$ Fncin 8 "R
'u sm!olo de la compuerta 8S E#clusiva&
A
)
%
'u e#presin Qooleana es&
B A =
'u ta!la de verdad&
A % )
H H H
H ? ?
? H ?
? ? H
96
A
%
)
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Compert$ N"R E6clsi2$& 7am!i+n se llama [ L8S la compuerta L8S produce la
e#presin B A . -l invertir esta, se forma la e#presin Qooleana&
B A =
Correspondiente para dos entradas&
A )
%
'u sm!olo de la compuerta L8S e#clusiva es&
A )
%
'u e#presin Qooleana es&
B A =
'u ta!la de verdad es&
A % )
H H ?
H ? H
? H H
? ? ?
99
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/as compuertas que se han nom!rado se denominan circuitos lgicos ya que toman
decisiones lgicas, las compuertas tienen con frecuencia mas de dos entradas; un
aumento de ellas La de entradas" implica un mayor poder de toma de decisiones.
/as compuertas se utilizan individualmente o conectadas para formar una red.
Circuitos lgicos com!inacionales& Estos responden a los datos que entran y pueden ser
1 *"
Circitos l5icos secenci$les!
/a salida de estos circuitos est determinado por el estado previo de la
entrada, es decir, los Q(7 de datos, se mueven a trav+s de los circuitos, 0 canales
cuando reci!en un pulso de relo%.
Flip-Flop RS
/os )lip.)lop por relo% /os datos en ' y S hasta que le llegue un
pulso de relo% entonces cam!ia su estado.
E#isten otro tipo de )lip.)lop como son el )lip.)lop tipo 5, el tipo 7 y el tipo
D:.
9=
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)istem$ l5ico E secenci$l& 3n e%emplo de este sistema se muestra a trav+s del
siguiente diagrama en !loques&
Unid$des Electrnic$s de Control.
Estas tienen la funcin de ser Eel cere!roF, para comandar los diferentes elementos
en el automvil. Estos elementos reci!en informacin de sensores y luego pueden calcular
y elegir en el mnimo de tiempo, la decisin ms conveniente.
EsCem$ del principio de m$ndo de n$ nid$d electrnic$ de control& 7odo aquello
que de!a controlarse en cuyo funcionamiento pueden producirse alternativas puede ser
regulado con gran facilidad por una unidad electrnica de control.
El procedimiento e#terno se muestra a continuacin&
Con el tiempo se pretende llegar a construir un automvil capaz de conseguir una
centralizacin total de las rdenes cursadas al automvil. 5entro del campo de la
electrnica e#isten los dispositivos para lograr estos fines sin mayores pro!lemas.
9>
C$pt$dores Tr$t$miento de l$
inForm$cin
Crs$do de rdenes
Aceler$cin de
Fren$do E 5iro
del 2e7Bclo
- )eL$liD$cin de
control del p$nel
- Clim$tiD$cin
- Al$rm$s $ntirobo
P"RTAD"R
%CD
#"DI3ICAD"R
DE %CA
A I
)E*#ENT")
DI)PLA\
. Re5imen del motor
1 ,elocid$d del $tom2il
1 Temper$tr$ de
reFri5er$cin
1 )ond$ de sspensin
1 C$r5$ del motor
UNIDAD DE
C"NTR"L
L"*IC"
1 InEeccin de 5$solin$
1 Encendido
1 C$4$ de 2elocid$des
1 )spensin
1 Direccin $sistid$
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/a pregunta o inquietud que resalta es GCmo una mquina con dispositivos
electrnicos puede tomar decisionesH, la respuesta no es simple, sin em!argo se puede
hacer una analoga con el pensamiento humano&
5e acuerdo a las figuras el sensor representa a los sentidos del hom!re; esta
informacin la traspasa a una memoria la cual lleva incorporado un programa previamente
almacenado que le indica que acciones de!e e%ecutar una vez enviada la seal el+ctrica
del sensor. /a unidad electrnica de control dispone de un nmero muy grande de
elementos electrnicos y posee una reaccin prcticamente instantnea.
90
"RDEN
CUR)ADA
CERE%R"
ENTRADA
#E#"RIA
ANALI)I)
Control
"rden
crs$d$
)$lid$ #emori$
Pro5r$m$
$lm$cen$do
Proces$dor
Entr$d$
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/a siguiente figura pertenece a una Unid$d Electrnic$ L5ic$ para un equipo de
inyeccin de gasolina&
CI*UE]AL
E )
TE#PERATURA N A
DEL T L
AIRE R I
A D %"#%A
CAUDAL DE D A
AIRE A
UNIDAD ARIT#ETICA D
D L"*ICA E %"%INA
TE#PERATURA E -UAL/
"
D R IN\ECT"R
A D
APERTURA DE T E
LA " N
#ARIP")A ) E
)
'e o!serva que el sistema posee varios sensores cuyos datos pasan a la unidad
electrnica de control y dentro de ella a una unidad aritm+tica lgica, que en com!inacin
con dos memorias S8N J S-N" determinan la presin de la !om!a, en el momento de
interrumpir el paso de la corriente por el primario de la !o!ina salto de la chispa entre los
electrodos de la !u%a" y la fraccin de tiempo en que han de permanecer a!ierto los
inyectores.
/a siguiente figura, nos muestra en forma detallada a trav+s de un diagrama en
!loques de una ca%a electrnica de una inyeccin a gasolina&
6>>
RE*I#EN DE *IR" %U)
I#PUL)" DE C.I.
TEN)I"N
)ITUACIN DEL
CI*UE]AL
I#PUL)" DE
9C
R"# RA#
#ICR"PR"CE)AD"R
CPU
REL"N
R
"
#
R
A
#
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TEN)I"N
CAUDAL DE AIRE ALU UNIDAD
TEN)I"N C A
" N ELECTR"%"#%A
TE#PERATURA DEL N A
AIRE , L
TEN)IN E "
R *
TE#PERATURA DEL T " %"%INA
#"T"R I
TEN)I"N D D
" I
)ITUACIN DE R *
CAR*A I IN\ECT"R
TEN)IN T
A ENTRADA
RED DEL ,E&ICUL" L
TEN)IN
b
)ALIDA
a" ConForm$cin de implsos -C.I./& -cta para reci!ir los impulsos de
tensin de los rganos de informacin del encendido. Estos impulsos son
modificados en magnitud y en forma para de%arlos en condiciones que
puedan ser procesados por el microprocesador.
!" Con2ertidor $nlo5o di5it$l -AYD/& Es el encargado de reci!ir las seales
que se producen por variaciones de tensin y que corresponden a las
entregadas por los sensores.
c" %s& Est formado por un con%unto de lneas de transmisin permitiendo el
acceso a todas las unidades que lo requieran y puede ser unidireccionales o
!idireccionales.
d" #icroproces$dores -C.P.U/& Es la unidad central de proceso, contiene en
su interior tres dispositivos fundamentales que son&
d.*.. Unid$d $ritmZtic$ l5ic$ -A.L.U./& Sealiza operaciones
aritm+ticas y lgicas. /os programas y datos que se precisa sa!er, los
o!tiene de la memoria& S8N mientras que los datos que ha de procesar
vienen de la memoria S-N.
d.2.. Acml$dor& Es la memoria intermedia que le permite a la -/3
guardar datos mientras tra!a%a con otros datos que est procesando, es
decir, es una unidad de espera.
=1
ACU#ULAD"R
DE
C"NTR"L
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d.4.. Unid$d de control! Es el elemento activo que solicita los datos,
controla las entradas y las salidas y el desarrollo de las operaciones.
e" #emori$ R"#& Esta memoria mantiene gra!ados los programas de f!rica y
es una memoria de solo lectura la cual no puede !orrarse.
f" #emori$ RA#! Es una memoria de acceso aleatorio en la que se acumulan
los datos de funcionamiento, -qu estn almacenados los datos
proporcionados por los sensores hasta el momento en que son requeridos
por la C$3 y pueden ser so!re gra!ados con nuevos datos que reci!en los
sensores. Este tra!a%o se hace de forma constante durante el funcionamiento
del equipo y todo se !orra al desconectar la alimentacin.
E#isten otros tipos de memorias programa!les como lo son la PR"# que es una
R"# programa!le, la EPR"# que tam!i+n es una memoria programa!le, sin em!argo
esta memoria posee una ventana de cuarzo en la cual si se inyecta luz ultravioleta se
!orrar su programa.
C"NCEPT") %9)IC") DE C"NTR"L.
)istem$ de l$Do $bierto! Es aquel en que la entrada no tiene relacin con la salida
)istem$ de l$Do cerr$do! Es un sistema retroalimentado en que la salida tiene relacin
con la entrada.
=*
Entr$d$ Proces$miento )$lid$
Entr$d$ Proces$miento )$lid$
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=2
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UNIDAD , )istem$ de encendido electrnico
3nciones del sistem$ de encendido!
a" /a generacin de un impulso de alta tensin apro#. 41.111 @" por conversin de la
!atera.
!" /a distri!ucin de la alta tensin a las !u%as de encendido.
c" /a produccin de una chispa de encendido, en los electrodos de la !u%a para
inflamar la mezcla de com!usti!le y aire.
d" Es funcin del sistema de encendido la interrupcin momentnea del
funcionamiento del motor, a voluntad del conductor.
Cl$siFic$cin!
a" 'istema de encendido por !o!ina
!" 'istema de encendido transistorizado T):"
c" 'istema de encendido por condensador de alta tensin &':"
d" 'istema de encendido por magneto&
Encendido por magneto
Encendido por volante.dnamo.magneto
Encendido por condensador y magneto de alta tensin #&':"
Aplic$ciones!
=4
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*. T): & Notores de alto nmero de revoluciones
2. &': & 'e utilizan cuando las !u%as ofrecen resistencia desfavora!le por
car!onilla, por e%emplo en motores de pistn rotativo
4. #&': & 'e utilizan en motores pequeos con alto nmero de revoluciones
e%emplo en motosierras.
Lomenclatura
T A 7ransistor
) A 'istema
: A ?undung encendido en alemn"
)istem$ de encendido con2encion$l ): -con pl$tino/
EsCem$ de cone6iones&
?R ?
@
# ?R
JH ?
.
D
M
:
N"#ENCLATURA&
41 & $olo positivo de la !atera
N & (nterruptor de marcha
5 & Suptor o platino
*9 & -rrollamiento primario
6 & -rrollamiento secundario
? & Qu%as
Q & 5istri!uidor
'eales&
)E'.
<
A %
@
=6
%
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J
R
Q
PRI#.
$ b c
? Q
?HH[
- & 7iempo de apertura
Q & 7iempo de cierre
a & 5uracin de la chispa
! & 7iempo de apertura
c 7iempo de cierre
* & Contactos a!iertos
2 & 7ensin de encendido
4 & 7ensin de ignicin
6 & -gu%a de encendido
9 & /nea de tensin de ignicin
= & Contactos cerrados
En un motor ciclo 8tto" con sistema de encendido convencional, la !u%a necesita
de una tensin volta%e" que est entre los 0111 @olts hasta los *9111 @olts 0 a *9 :@"
para que se produzca la chispa.
Esa tensin depende de muchos factores como&
5esgaste de las !u%as apertura de los electrodos"
Sesistencia de los ca!les de encendido
Sesistencia del rotor del distri!uidor
5istancia entre la salida de alta tensin del rotor y los terminales de la
tapa del distri!uidor
$unto de encendido tiempo del motor"
Compresin de los cilindros
=9
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Nezcla aire com!usti!le
7emperatura del motor
L87-& E#iste entre la mayora de los mecnicos una cierta confusin en lo que se refiere
a la tensin generada por la !o!ina.
Nuchos piensan que mientras ms potente es la !o!ina, me%or ser la chispa
error".
En realidad no es la !o!ina la que Tm$nd$ l$ ener5B$ Ce CiereU, sino el sistema
de encendido el que la solicita necesita".
Esa solicitud de energa, llamada demanda de tensin de encendido, depende de
los tem mencionados anteriormente.
El sistema de encendido se compone de&
%$terB$
Ll$2e de encendido0 interrptor de encendido0 c7$p$ de cont$cto
%obin$
Distribidor
C$bles de encendido
%4B$s de encendido
Como sa!emos la tensin de *2 @olts suministrada por la !atera no es suficiente
para producir la chispa en la !u%a de encendido, por lo tanto esa tensin de!e ser
aumentada hasta que alcance un valor suficiente para el Es$ltoF de la chispa entre los
electrodos.
Ese aumento de la tensin se consigue a trav+s de la !o!ina de encendido, la cual
eleva la tensin por la autoinduccin que se genera en las !o!inas primaria y secundaria.
Este reci!e de la !atera una !a%a tensin y la transforma en alta tensin necesaria para la
produccin de la chispa.
%"%INA DE ENCENDID"&
6
-SS8//-N(EL78
'EC3L5-S(8
* *9
-SS8//-N(EL78
$S(N-S(8
==
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LcC/E8 5E U(ESS8
-SS8//-N(EL78 $S(N-S(8& 'e haya dispuesto e#teriormente para una !uena disipacin de
calor
LM de espiras de *91.......211 vueltas
5imetro del alam!re de 1,6 .....1,= mm
Corriente de reposo, hasta 9 -
-SS8//-N(EL78 'EC3L5-S(8&
LM de espiras, apro#. 21.111 vueltas
5imetro del alam!re, de 1,1=....1,10 mm
@olta%e sin carga 21 :v.......49 :v
LM m#imo de chispas por minuto&
Qo!ina de = @ A *4111
Qo!ina de *2 @ A *0111
Selacin de transmisin $rimario.'ecundario
Qo!ina normal *&*11
Qo!ina de alto rendimiento *&211
7emperatura de servicio, m#imo C1M C
5('7S(Q3(58S 5E ELCEL5(58
* 4 6 2
=>
*
*
D
n
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)uncin y funcionamiento&
El distri!uidor de encendido distri!uye la tensin de encendido a los distintos
cilindros segn sea el orden de encendido. /a alta tensin de encendido se conduce al
motor por medio del distri!uidor desde el !orne 6, por medio de una esco!illa de car!n
rozante, salta a los contactos del distri!uidor y llega a las !u%as por medio del ca!le de
encendido.
El distri!uidor se ventila para eliminar los #idos de nitrgeno y el ozono, formado
de!ido a las chispas.
El distri!uidor lleva incorporado el ruptor d", el regulador centrfugo n" y el
regulador por vaco p"
8rden de encendido&
- Notor en lnea 6 cilindros&
o ?1J1@1<
o ?1<1@1J
- Notor de 6 cilindros opuestos
o ?1@1J1<
- Notor de = cilindros en lnea
o ?1R1J1Q1<1@
o ?1<1@1Q1R1J
o ?1@1<1Q1J1R
5istancia entre rotor y los contactos del distri!uidor
- H0J $ H0I mm
La de S$N del r!ol del distri!uidor en&
- Notor de 6 tiempos d n del cigeeal
- Notor de 2 tiempos n del cigeeal
$latinos y dispositivos de avance O Setraso del encendido '?"
-ngulo de cierre
=0
n
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-!rir Cerrar
-vance por fuerza centrifuga
$/-7(L8'&
/a apertura de los contactos comienza cuando la leva toca la pieza de fi!ra de la
palanca del platino alo%ada aisladamente.
Cuando vara la separacin de los contactos se regula el punto de encendido.
E%emplo&
3n aumento de la distancia origina un encendido adelantado
5escripcin&
/a apertura de los contactos va de & H.J $ H.R mm
7ensin de contactos & @ $ Q0R N
Capa de tungsteno & H0R $ H0> mm
Carga de corriente hasta & R -A/
fngulo de cierre&
'e define como el ngulo de giro de la leva mientras los contactos estn cerrados.
3na mayor separacin entre contactos produce un menor ngulo de cierre y viceversa.
/os contactos se a%ustan mediante la medicin del ngulo de cierre.
fngulo de cierre en platinos simples&
Notor de 6 cilindros 91a 4a 92V a 9CV
Notor de = cilindros 61a 4a =2V a >*V
=C
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@ariacin avance" por fuerza centrfuga&
'e define como la adaptacin del punto de encendido con respecto al La de S$N
del motor. /os contrapesos centrfugos se a!ren y hacen girar a la leva rotativa en sentido
de rotacin produci+ndose un adelanto de encendido.
Segulacin por vaco depresin"&
'e define como la adaptacin del punto de encendido con respecto a la carga del
motor.
C$r5$ p$rci$l -I/!
/a depresin es m#ima cuando la vlvula de mariposa est parcialmente a!ierta.
/a placa porta platinos se gira en sentido contrario al de rotacin de la leva; el encendido
ha sido adelantado.
)in c$r5$ -II/!
>1
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/a depresin es m#ima cuando la vlvula de mariposa est cerrada, variacin en
sentido de retraso.
/a velocidad del pistn aumenta con el nmero de S$N del motor, por lo tanto es
necesario un encendido adelantado, ya que de otro modo la presin de com!ustin acta
demasiado tarde.
El campo de variacin vara hasta apro#imadamente 69a del cigeeal.
En la zona de carga parcial es necesario el encendido adelantado, porque la
mezcla de com!usti!le y aire a!re mas lentamente.
El campo de variacin vara apro#. 21a del cigeeal, mediante un encendido
retrasado, estando cerrada la vlvula de mariposa de aceleracin, se disminuye la
cantidad de gases t#icos en los gases de escape al retener.
El retraso es de apro#. *1a del cigeeal.
Q3Dg-' 5E ELCEL5(58&
/a capacidad t+rmica de una !u%a de encendido viene dado por su valor t+rmico
La comparativo, no es un valor de temperatura" cuanto ms alto sea el valor t+rmico,
tanto ms podr cargarse t+rmicamente la !u%a de encendido.
/os motores con alta temperatura de la cmara de com!ustin a plena carga
necesitan !u%as de encendido de alto valor t+rmico.
Cuando las !u%as de encendido tienen un grado t+rmico demasiado !a%o, se
so!recalientan los electrodos y el e#tremo del aislador y se produce autoencendido por
incandescencia.
Cuando el valor t+rmico de la !u%a es demasiado alto no se alcanza la temperatura
de auto limpieza y se ensucian las !u%as.
Encendido tr$nsistoriD$do 7?"& El encendido transistorizado, con !o!inas y contactos
es muy apropiado para monta%e, posteriormente en los sistemas convencionales de
encendido por !o!inas '?". Como sistema original el encendido por !o!ina
transistorizado con mandos por contactos ya no se instalan.
Encendido tr$nsistoriD$do con m$ndo sin cont$cto& En este encendido en vez del
ruptor accionado por levas hay un Egenerador de impulsos de encendidoF, que activa el
sistema electrnico por medio de impulsos de tensin y de corriente generadas sin
contacto produciendo as el impulso de encendido de alta tensin. El generador de
impulso esta colocado en el distri!uidor del encendido.
*ener$dor de implso de encendido0 se5On el principio de l$ indccin& Este genera
corriente alterna permanentemente e#citado, compuesto de rotor y estator. El numero de
dientes corresponde al nmero de cilindros del motor. /a frecuencia y la amplitud de la
tensin alterna generada dependen del numero de S.$.N. del motor. Esta tensin alterna
se transforma en aparato conmutador y se utiliza para la variacin del punto de
encendido.
(mn permanente
>*
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Entre hierro varia!le
Qo!ina de induccin con ncleo
7
E
L
'
( 1
8
L

7(EN$8
Sueda generadora de impulsos
*ener$dor de implsos de encendido0 se5On el principio &$ll& Estos generadores
utilizan el efecto Uall es una capa de semiconductores, atravesada por la corriente se
o!tiene impulsos de tensin por medio de un campo magn+tico, dependiendo del numero
de revoluciones que el aparato conmutador origina la cone#in y descone#in de la
corriente en el primario.
>2