VicerrectoradodeInvestigacin
ElectrnicaAnalgicaII
TINSBsicos
FacultaddeIngenieraElectrnicayMecatrnica
TEXTOSDEINSTRUCCINBSICOS(TINS)/UTP
LimaPer
ElectrnicaAnalgicaII
DesarrolloyEdicin:VicerrectoradodeInvestigacin
ElaboracindelTINS:
Ing.MoissLeureyrosPrez
Ing.JosAndresSandovalValencia
DiseoyDiagramacin:JuliaSaldaaBalandra
Soporteacadmico:InstitutodeInvestigacin
Produccin:ImprentaGrupoIDAT
Quedaprohibidacualquierformadereproduccin,venta,comunicacinpblicaytransformacinde
estaobra.
3
stematerialesdeusoexclusivodelosalumnosydocentesdelaUniversidad
Tecnolgica del Per, preparado para fines didcticos en aplicacin del
Artculo 41 inc. C y el Art. 43 inc. A., del Decreto Legislativo 822, Ley sobre
DerechosdeAutor.
4
5
Presentacin
El presentetextoelaboradoen el marcodedesarrollodelaIngeniera,esunmaterial de
ayuda instruccional, en las carreras de Ingeniera Electrnica y Mecatrnica para la
Asignatura de Electrnica Analgica II en el sptimo y sexto ciclo de estudios
respectivamente.
Plasmalainiciativainstitucionaldeinnovacindelaprendizajeeducativouniversitarioque
en acelerada continuidad promueve la produccin de materiales educativos, actualizados
enconcordanciaalasexigenciasdeestostiempos.
Estaprimeraedicinapropiadamenterecopilada,dediversasfuentesbibliogrficas,deuso
frecuente en la enseanza de la Electrnica Analgica, est ordenada en funcin del
sillabusdelaasignaturaarribamencionada.
Elprimercaptulo:Amplificadoresdeaudio;seestudialosamplificadoresdepotenciade
audio, configuraciones comnmente usadas, parmetros caractersticos y aplicaciones,
mtodosdeanlisisydiseo.
7
ndice
Capitulo1
Introduccin ...................................................................................................................... 11
Elsonido ............................................................................................................................ 11
Transductores.................................................................................................................... 12
Elconceptodeestereofonia ............................................................................................. 13
Formasdeacoplodeamplificadoresdebajafrecuencia.................................................. 16
Controlesdevolumenydetono....................................................................................... 19
Amplificadoresdepotencia .............................................................................................. 21
Disipadoresdecalor .......................................................................................................... 81
Problemaspropuestos ...................................................................................................... 83
AmplificadoresClaseByAB.............................................................................................. 91
DiversosesquemasdeamplificadoresenPUSHPULL...................................................... 120
Amplificadorescuasicomplementarios ............................................................................ 123
Proteccincontracortocircuitos...................................................................................... 128
Amplificadoresencircuitointegrado................................................................................ 135
Circuitointernoequivalente ............................................................................................. 141
Capitulo2
Realimentacin................................................................................................................. 149
Introduccin ...................................................................................................................... 149
Sistemarealimentado ....................................................................................................... 152
Aplicacindecristales ....................................................................................................... 218
Capitulo3
Amplificadordiferencial .................................................................................................... 221
Introduccin ...................................................................................................................... 221
Anlisisdelamplificadordiferencial ................................................................................. 223
Transformacindeimpedancias ....................................................................................... 228
AnlisisenAC .................................................................................................................... 230
Gananciaenmododiferencial .......................................................................................... 233
Problemapropuestos........................................................................................................ 242
AmplificadoresOperacionales ......................................................................................... 249
Principiodefuncionamiento............................................................................................. 276
Seriesdeproblemas .......................................................................................................... 295
Aplicacioneslinealesdelamplificadoroperacional .......................................................... 303
Seriesdeproblemas .......................................................................................................... 327
Aplicacionesnolinealesdelamplificadoroperacional ..................................................... 332
Filtrosactivos..................................................................................................................... 342
8
Polosdelosfiltrospasabajonormalizados ...................................................................... 347
Amplificadoresoperacionalesespeciales ......................................................................... 358
Captulo4
Respuestaenfrecuencia ................................................................................................... 373
Introduccin ...................................................................................................................... 373
Respuestaenfrecuenciadelosamplificadores................................................................ 374
Puntosdemediapotenciayanchodebanda................................................................... 375
Mtodosderespuestaenfrecuencia ............................................................................... 375
Respuestaenbajafrecuencia ........................................................................................... 387
Problemas.......................................................................................................................... 391
CalculodelarespuestaenfrecuenciausandoMATLAB................................................... 395
CircuitoRLCparalelo....................................................................................................... 404
CircuitoLCyCondensadorconperdidas ......................................................................... 406
Controldegravesyagudos ............................................................................................... 408
Seriedeproblemas............................................................................................................ 409
DiagramadeBode............................................................................................................. 415
Bibliografa........................................................................................................................ 417
9
DistribucinTemtica
Clase
N
Tema Semana Horas
1
UNIDADTEMATICA1.Anlisisydiseodeamplificadores
de potencia de audio. Amplificadores de potencia. Clases
de operacin. Amplificador clase A. Mtodo de anlisis:
Rectas de carga esttica, dinmica, de mxima excursin
simtrica. Tipos de amplificadores clase A.
Especificaciones. Amplificador clase A con resistencia en
colector.
1 02
2
Amplificador clase A con choke en colector.
Transformador ideal. Amplificador clase A con acoplo por
transformador.Distorsinarmnicatotal(THD).
2 02
3
Amplificadores clase B y AB. Amplificador PushPull.
Amplificadoresdesimetracomplementaria.Distorsinde
cruce.Formasdeevitarlaycompensarlatrmicamente.
3 02
4
Transistor Darlington. Transistor PNP simulado.
Amplificador de simetra cuasi complementaria.
Amplificadores de potencia con circuitos integrados.
Especificaciones.
4 02
5
UNIDAD TEMATICA 2. Realimentacin. Tipos de
amplificadores. Estabilidad. Modelos matemticos.
Sistema lineal y sistema no lineal. Funcin de
transferencia. Accin de control. Tipos de controles
bsicos.Conceptoderealimentacin.Tipos.Efectossobre
las ganancias e impedancias. Efectos sobre la distorsin,
ruido, ancho de banda, sensibilidad a las variaciones de
loscomponentes.
5 02
6
Criterio de Barkhausen. Tipos de amplificadores. Mtodo
de anlisis de los amplificadores realimentados con
pequea seal. Formas de realimentacin. Mtodos de
clculodegananciaseimpedancias.
6 02
7
Osciladores sinusoidales. Oscilador de rotacin de fase.
Oscilador puente de Wien. Obtencin de la ganancia de
bucle.AplicacindelcriteriodeBarkhausen.
7 02
8
Reguladores de tensin con circuitos integrados.
Limitacin de corriente. Limitacin tipo foldback.
Limitadordepotencia.Reguladoresflotantes.
8 02
10
Clase
N
Tema Semana Horas
9
UNIDAD TEMATICA 3.Amplificador diferencial y
Amplificador operacional.Amplificador diferencial. A.D.
balanceado. Fuente de corriente DC. Modo diferencial.
Modocomn.ElA.D.conpequeaseal.ElA.D.congran
seal. Ganancia e impedancia en modo diferencial.
Gananciaeimpedanciaenmodocomn.
9 02
10 EXAMENPARCIAL 10 02
11
El amplificador operacional ideal. Caractersticas. El
amplificador operacional real. Parmetros. Modelo
circuital
11 02
12
Aplicaciones lineales del amplificador operacional.
Sumador.Restador.Adaptadordeimpedancia.Derivador.
Integrador. Convertidores de impedancia positiva y
negativa. Fuente de tensin de referencia. Fuente de
corriente.
12 02
13
Aplicaciones no lineales del amplificador operacional.
Comparadores. Tipos. Limitadores. Rectificadores.
Generadoresdefuncin..Amplificadorlogartmico.
13 02
14
Amplificadorantilogartmico.Multiplicadoranalgico.
14 02
15
Filtros activos. Pasa bajo. Pasa alto. Pasa banda. Notch.
Pasatodo.
15 02
16
Aplicaciones especiales del amplificador operacional.
Amplificador de transconductancia. Amplificador norton.
Amplificador tipo chopper. Amplificador de aislamiento.
Amplificadordeinstrumentacin.Circuitosdemuestreoy
retencin.
16 02
17
UNIDAD TEMATICA 4. Respuesta en frecuencia.
Respuesta en frecuencia. Tipos de representacin.
Diagramas de Bode. Criterios de estabilidad Diagrama
polar o de Nyquist. Criterio de Nyquist. Margen de fase.
Margendeganancia.Lugargeomtricodelasraces.
17 02
18
Anlisis de la respuesta en frecuencia de amplificadores
realimentados.Compensadores.
18 02
19 EXAMENFINAL 19 02
ElectrnicaAnalgicaII
11
CAPTULO1
INTRODUCCION
En este captulo estudiaremos los amplificadores de potencia de audio. Veremos
las configuraciones ms usadas, as como sus parmetros caractersticos y
aplicaciones. Sus mtodos de anlisis apoyados por programas de clculo y
simulacin.Complementaremoslosconceptosconproblemasdeanlisisydiseo.
Elsonido:
El sonido es originado por vibraciones peridicas de un cuerpo con frecuencias
comprendidasentre1620Hzy20KHz.
Enelairea0C,lavelocidades331m/s
Enelairea20C,lavelocidades343m/s
EnHidrgenopuroa0C,lavelocidades1290m/s
Enaguadulce,lavelocidades1450m/s
Enaguademar,lavelocidades1504m/s
Losdiversossonidospuedendistinguirseportrescaractersticasprincipales:
Intensidad:Estdeterminadaporlaamplituddelavibracin.Estrelacionadacon
la energa que transporta la onda. Para medir la mnima potencia que puede
detectarunodonormal,seusalafrecuenciade1KHzysereducelapotenciahasta
el mnimo capaz de provocar sensacin auditiva. Se ha determinado que este
mnimo, a 1KHz, es: Wo = 10
16
W/cm
2
y recibe el nombre de umbral auditivo.
Cuandoseaumentalapotenciaparaduplicarlasensacinauditiva,(osea,2Wo)se
ha medido que se requiere elevar 10 veces la potencia; para elevarla al triple (o
sea, 3Wo), se requiere elevar 100 veces la potencia; y as sucesivamente. Esto
demuestraqueelodorespondeenformalogartmicaalasvariacionesdepotencia
y, por ello, los potencimetros usados para ajustar el volumen son de tipo
logartmico.
Adicionalmente,silarelacinentrelapotenciafinalylainicialesde10(=10
1
),se
dicequeestarelacincorrespondea1Bel;silarelacinentrelapotenciafinalyla
ElectrnicaAnalgicaII
12
inicial es de 100 (= 10
2
), se dice que esta relacin corresponde a 2 Bel, y as
sucesivamente. Debido a que el odo puede captar diferencias de potencias
inferiores a 1 Bel, se acostumbra usar una unidad diez veces menor, el decibel.
Cuando tenemos una medida en decibeles, basta dividirla por 10 para tener su
expresinenBel.
Tambinseempleanotrasunidadesendecibeles:
dbw: La letra W se refiere a que se usa como referencia 1 vatio. Es decir, la
potenciadeunvatioequivalea0dbw.
dbm: La letra m se refiere a que se usa como referencia 1 mili vatio. Es decir, la
potenciadeunmilivatioequivalea0dbm.
dbu: LaletraUserefiereaqueseaplicaunapotenciade1milivatioaunacarga
de 600. Para producir esa potencia, la resistencia debe recibir 0.775
voltioseficaces.
Tono:Estdeterminadoporlafrecuenciadelsonidooporlafrecuenciadelsonido
fundamental en caso que no sea puro. El odo no puede detectar la frecuencia
absolutaconprecisin,perospuedenotardiferenciasdefrecuenciaconbastante
exactitud. Por esta razn, en la msica se habla de intervalos o relaciones de
frecuencias,comoporejemplo:
do re mi fa sol la si do
1 9/8 5/4 4/3 3/2 5/3 15/8 2
Alintervalodevalor2seledaelnombredeoctava
Timbre: Est determinado por el nmero e intensidad de las componentes
armnicas que acompaan alsonido fundamental.Lossonidosrealessiempre van
acompaados de un cierto nmero de armnicos. Dos instrumentos diferentes
pueden producir la misma nota, pero las diferenciamos debido al contenido de
armnicos,quesondistintivosdeltipodeinstrumento.
Transductores:
Debido a que los amplificadores electrnicos funcionan con electricidad, para
amplificar un sonido es necesario convertirlo en una variacin elctrica
directamente proporcional. El dispositivo que realiza esta operacin es un
transductorquerecibeelnombredemicrfono.
Una vez que la seal ha sido amplificada con la potencia requerida, se hace
necesario convertirla nuevamente en sonido; para ello usamos otro transductor
querecibeelnombredeparlanteoaltavoz.
ElectrnicaAnalgicaII
13
Debenotarsequeestostransductoresdebenserlomslinealesposibleentodoel
rangodetrabajoparaimpedirquelossonidosseanalteradosconrespectoalos
originales
Elconceptodeestereofona:
El odo humano es capaz de determinar la direccin en la que le llega el sonido.
Paraelloesnecesariopoderescucharconambosodos.
Supongamos que, como se muestra en la Fig. 0.1, una persona A escucha por su
odo izquierdo, B, y su odo derecho, C, el sonido de una fuente puntual, D, que
estsituadaalfrenteyligeramenteasuizquierda.EnlaFig.0.1sepuedenotarque
el recorrido desde D hasta B es ms corto que el de D hasta C. Por ello, el sonido
llegamsrpidoyconmayorintensidadalodoB.
Fig.0.1:Audicindeunafuentepuntualdesonido
ElectrnicaAnalgicaII
14
Cuando se comprendi el mecanismo fisiolgico que permita determinar la
procedencia de un sonido, se pens que este conocimiento podra aplicarse en su
registroyreproduccin.
Paraobtenerunafielreproduccin,laimagendelsonidodebeserdeterminadaen
el espacio. Un procedimiento adecuado para conseguirlo consiste en reproducir
dos seales transmitidas, por medio de dos parlantes, E y F, separados una cierta
distancia, como se indica en la Fig. 0.2. Las distancias a los parlantes son iguales
paracualquierobservadorqueseencuentreenlalneaPQ.Elobservadoroirpor
tanto el sonido de ambos parlantes con intensidades y diferencias de tiempos de
propagacin que estn en la misma relacin con los sonidos que recibira si
estuvieraenellugardondeseencuentralafuentedesonido.
Sinembargo,elodoizquierdonoslorecibeelsonidodelparlanteizquierdo,sino
tambineldelderecho.Algosimilarocurreenelododerecho.Adems,cuandoel
observador no se encuentra en la lnea PQ aparecern diferencias de intensidad y
de tiempos de propagacin que no se correspondern con los originales. En la
prctica, el efecto de estos dos factores es pequeo en una amplia zona de
audicin y, en ella, se consigue una buena estereofona. Esta zona se encuentra
esquematizadaenlaFig.0.2.
E
Q
P
F
Fig.0.2:Ubicacindelosparlantesparareproduccinestereofnica
Otromtododeaproximacinaunefectoestereofnicoseobtienesi,porejemplo,
secolocaunapantallaquetengavariosmicrfonosalfrentedeunaorquesta.Cada
ElectrnicaAnalgicaII
15
micrfono se conecta a un parlante que ocupa una posicin similar en una
habitacin para audiciones existente en cualquier otro sitio. Esta disposicin se
indica en la Fig. 0.3. Una persona en esta habitacin obtendr una buena imagen
espacial de la orquesta; en ella todos los instrumentos se oirn en su posicin
correcta.
Las pruebas que se han efectuado han permitido demostrar que esta disposicin
puede ser reducida a otra en la que slo existan dos micrfonos separados una
cierta distancia y, en la habitacin para audiciones, dos parlantes conectados a
dichosmicrfonos.
Cmosedeterminalazonadeaudicin?
Dicha zona se determina experimentalmente, de manera que en todos los puntos
se tenga la misma sensacin de ubicacin de la fuente de sonido. Dicha zona es
funcindelaseparacinentrelosparlantes,desudistanciaalasparedeslaterales,
delasdimensionesdelahabitacin.
Deloanteriorsededucequeslosenecesitandoselementosderegistroydosde
reproduccin para obtener una buena imagen sonora estereofnica. Esto quiere
decir que la informacin adecuada para estereofona puede transmitirse usando
solamentedosseales.
1212
ORQUESTA
12 1212
Fig.0.3:Transmisinestereofnicapormediodeunciertonmerodemicrfonosyparlantes.
ElectrnicaAnalgicaII
16
FORMASDEACOPLODEAMPLIFICADORESDEBAJAFRECUENCIA
Debido a que las impedancias de entrada y salida de los amplificadores
transistorizados en montaje de emisor comn, que es el ms utilizado, son del
orden de 1 K 20 K, respectivamente, el acoplamiento directo de dos etapas
amplificadoras produce prdidas considerables de potencia. Para evitarlo,
debemosadaptarlasimpedancias.
R1
C2
R2
Q2
TR
1 5
4 8
C1
Q1
VCC
Fig.0.4Acoploportransformador
n=(20000/1000)
0.5
=4.47
ElectrnicaAnalgicaII
17
C4
R1
C3
R4
C1
Q2
VCC
T
R3
C2
Q1
R2
C4
R1
C3
R4
C1
VCC
T
C2
Q2
R3
Q1
R2
Fig.0.5Acoploporautotransformador
Q1
R1
Q2
C1
VCC R2
Fig.0.6Acoploporresistenciacapacidad
Acoplodirecto:Esteestambinmuyusado,especialmenteencircuitosintegrados.
Debe tenerse cuidado con la estabilidad de los puntos de operacin debido a que
influyen de una etapa a otra. Permite una buena respuesta en baja frecuencia
(desdeDC).
ElectrnicaAnalgicaII
18
Q1
R1
C1
R2
R4
Q2
VCC
R3
R5
R2
Q1
R1
C1
R4
R6
Q2
VCC
R3
R5
R7
Fig.0.7Acoplodirecto
Acoplo directo complementario: Esta es otra forma de acoplo muy difundida que
permite muy buena respuesta en baja frecuencia (desde DC) y se caracteriza por
empleartransistoresNPNyPNP.
Cuandoseempleaacoplodirectoconunsolotipodetransistor,latensincontinua
desalidatiendea acercarse alvalor delafuentede alimentacin,restringiendoel
nivelmximodeamplificacin.Esteproblemaseevitaempleandolosdostiposde
transistor para que la tensin DC en la salida no se eleve demasiado, como se
muestraacontinuacin:
ElectrnicaAnalgicaII
19
R2
Q1
R1
Q2
C1
R4
R6
VCC
R3
R5
R7
Fig.0.8Acoplodirectocomplementario
CONTROLESDEVOLUMENYDETONO
El control de volumen, como su nombre lo indica, consiste en un potencimetro
queregulaelvolumensonoroproporcionadoporelamplificadordesdecerohasta
sumximapotencia.
Debesercolocadoenunaposicintalquenoafectelascorrientesdepolarizacin
nilasimpedanciasdecargadelostransistores.Tampocodebensercausaderuido,
locualpuedesucedercuandoselecoloca alaentrada,porqueser amplificadoy
se deteriorar la relacin seal/ruido. Si se le coloca en una etapa intermedia
puede ser que no ajuste la salida a un nivel suficientemente bajo. Por ello, su
ubicacin deber elegirse con cuidado para evitar estos efectos desfavorables.
Estos controles son hechos mediante potencimetros logartmicos debido a las
caractersticasdefuncionamientodelodohumano.
Acontinuacinsemuestranmtodosdeconexindelcontroldevolumen
ControldeGravesyAgudos
Estecontroldetonostienedospotencimetrosquepermitenajustarlapresencia
degravesyagudosenunasealdeaudio.
ElectrnicaAnalgicaII
20
10uF / 16v / NP
1K5
22K
50K
2K2
10K
10nF
56nF 100K
10K
22K
4K7
10K
20K
100K
56nF
2K2
+
-
NE5532
5
6
7
2K2
10nF
100pF
+
-
NE5532
3
2
1
+
2.2uF
10K
Comolaalimentacinessimtricaporelterminal4delintegrado(MarcadoGNDen
laimagendearriba)debeira15Vmientrasqueelterminal8(MarcadocomoVcc)
ElectrnicaAnalgicaII
21
debeira+15V.Lamasadebecablearsea0V,queenintegradonoseconectamas
quealaentradanoinversoradelsegundooperacional(terminal5).
1.0. AMPLIFICADORESDEPOTENCIA
Los amplificadores de potencia, como su nombre lo indica, son los encargados de
entregarpotenciaalasealdeentradaEsteprocesolohacenelevandolatensin,
o elevando la corriente o elevando ambas, tensin y corriente. El mtodo que se
utilice depender bsicamente de las caractersticas de la carga y de la fuente de
alimentacinqueseemplee.
Actualmenteexistenamplificadoresdepotenciadealtaeficienciaymuycompactos
(como el amplificador clase D) que funcionan en el modo de conmutacin. El
control digital que poseen lo hacen muy susceptible a la programacin y control
por computadora. Sin embargo, no han logrado, en la actualidad, desplazar a los
amplificadores analgicos debido a que stos ofrecen una alta calidad de la seal
desalida,sonmssencillosynogenerandemasiadoruidoeinterferencia.
Para el estudio del amplificador de potencia son muy importantes los clculos de
potencia.Necesitamosconocerlasexpresionesdelapotenciapromedioentregada
a la carga, la potencia promedio que entrega la fuente de alimentacin y la
potencia promedio disipada por el mismo amplificador (transistores, resistores,
etc). Dado que queremos que el amplificador sea capaz de entregar la mayor
potencia posible, necesitamos ubicar el punto de operacin de manera de lograr
estecometido.Unavezdeterminadalaposicindelpuntodeoperacin,seeligela
reddepolarizacinparaconseguirlo.
Clasesdeoperacin:
ElectrnicaAnalgicaII
22
ClaseB: Son amplificadores ms eficientes que los anteriores. Los transistores
sepolarizanenlazonadecorteysloconducencorrienteenunngulo
de180.
ClaseAB: Son amplificadores con eficiencia similar que clase B. Los transistores
se polarizan cerca a la zona de corte y conducen corriente ms de
180.Seusamuchoenaudioyenradiofrecuencia.
ClaseC: Sonamplificadoresdealtaeficiencia.Eltransistorsepolarizaenlazona
de corte y slo conducen corriente en un ngulo menor que 180. No
seusaenaudiosinoenradiofrecuencia.
ClaseD: Sonamplificadoresquetrabajanenconmutacin.Tienenaltaeficiencia
pero problemas de ruido, especialmente de conmutacin. Son usados
para audio en baja frecuencia (sub woofers). Se estn haciendo
avances para mejorar su respuesta en toda la gama de frecuencias de
audio,perotrabajandoafrecuenciasdeconmutacinmselevadas.
ClaseG: Sonamplificadoresdeconmutacinenlosqueseempleandosfuentes
dealimentacin.Lafuentedemenorvoltajeparalassealesdbilesy
lademayorvoltajeparalassealesfuertes.Deestamaneraseelevala
eficiencia, slo conmutando las fuentes de alimentacin. Pueden
producirmejorsonidoquelosdeclaseD.
PARMETROSDELOSAMPLIFICADORESDEBAJAFRECUENCIA:
Los parmetros que debe tener un buen amplificador de audio estn regidos por
normas internacionales, como por ejemplo, la norma DIN 45 500. A continuacin
detallamoslosmsimportantes:
ElectrnicaAnalgicaII
23
Distorsinarmnica(HarmonicDistortion)
Es originada por la falta de linealidad de los circuitos electrnicos. Se presenta
cuandoenlasalidaaparecencomponentesarmnicasquenoestabanpresentesen
la entrada, lo cual constituye una deformacin. La norma mencionada exige que
estadistorsinseamenordel1%alapotencianominal.Losfabricantesespecifican
comnmenteladistorsinarmnicatotal(THD)
DistorsinporIntermodulacin(IntermodulationDistortion)
Este tipo de distorsin se presenta cuando la entrada presenta diferentes
componentes de frecuencia y el circuito introduce otras componentes con
frecuencias suma y diferencia, incluyendo mltiplos, de las de entrada. Este
parmetrosemideaplicandodosfrecuenciasquenoseanmltiplos,alaentrada,y
midiendoenqumedidalasuperioresafectadaporlainferior.Lanormaexigeque
estadistorsinseainferioral3%.
FactordeAmortiguamiento(DampingFactor)
Est relacionada con la impedancia de carga y la de salida del amplificador. Debe
expresarse para una impedancia determinada de carga (4, 8 16 ohmios) y una
frecuencia que comnmente es 1 KHz. La norma exige un factor de
amortiguamientosuperior3.
Impedancia(Impedance)
La impedancia de carga de un amplificador deber ser de igual valor que su
impedancia de salida para obtener el mximo rendimiento del conjunto. Se mide
en ohmios. La norma exige 4 u 8 ohmios de impedancia de salida para los
amplificadoresdebajafrecuencia.
Potencia(Power)
Eslaenergaporunidaddetiempoquepuedeentregarelamplificadoralparlante.
Puede ser expresada en diferentes formas, pero la manera correcta es en vatios
sobre una impedancia de carga nominal, sobre un rango de frecuencias
determinado y sin sobrepasar el porcentaje de distorsin armnica prefijado. La
normaestablecequelapotenciamnimaasuministrarporunamplificadordebaja
frecuenciaesde6W.
RelacinSeal/Ruido(SignaltoNoiseRatio)
Es la relacin entre la amplitud de la seal de audio y la amplitud de la seal de
ruido.Estarelacinesmsreducidaenlaetapapreamplificadoray,porello,estas
etapas deben estar ms protegidas y construidas con componentes de bajo ruido.
Se expresa en decibeles para una potencia de salida determinada. La norma exige
unarelacinseal/ruidosuperiora50dbpara50mWdesalida.
ElectrnicaAnalgicaII
24
RespuestadeFrecuencia(FrequencyResponse)
El amplificador debe reproducir fielmente todas las seales de baja frecuencia sin
aumentarnidisminuirsuganancia.Paraellosegraficalacurvaderespuestaconlas
frecuenciasdeaudioenelejexylagananciaexpresadaendecibelesenelejey.La
normaexigeunarespuestaenfrecuenciade4016,000Hzconvariacinde1.5
dbalapotencianominal.
1.1. AMPLIFICADORCLASEA
Enestetipodeamplificadorelpuntodeoperacinseubicaenlazonaactiva(para
el BJT) o en la regin de corriente constante (llamada tambin zona de saturacin
enlosFETs).Estaubicacindeberealizarsedemaneraquelasealcirculedurante
los360desuperodo.Cuandoestosucede,sedicequeelamplificadortrabajaen
claseA.
1.1.1. RECTASDECARGAESTATICAYDINAMICA
Enlamallacolectoremisordelcircuitodelafigura1.5podemosplantearlaleyde
tensionesdeKirchoff:
VCC=iC(RC+RE+RE/)+vCE (1.1)
Lacorrientetotaldecolectorsepuedeexpresarcomo:
iC=IC+ic (1.2)
Donde: iC=corrientetotaldecolector
IC=corrientecontinuadecolector
ic=corrientedesealdecolector
Donde: vCE=tensintotalcolectoremisor
VCE=tensincontinuacolectoremisor
vce=tensindesealcolectoremisor
Reemplazando(1.2)y(1.3)enlaecuacin(1.1)obtenemos:
VCC+0=IC(RC+RE+RE/)+VCE+ic(RC+RE+RE/)vce (1.4)
ElectrnicaAnalgicaII
25
Debido a que la tensin de la fuente de alimentacin es constante, los trminos
con seal del lado derecho deben eliminarse entre s y podemos desdoblar la
ecuacin 1.4 en dos partes: Una, slo con los trminos de continua y la otra slo
conlostrminosdeseal.Esdecir:
VCC=IC(RC+RE+RE/)+VCE (1.5)
Laecuacin(1.5)recibeelnombrederectadecargaesttica.
0=ic(RC+RE+RE/)vce (1.6)
Laecuacin(1.6)recibeelnombrederectadecargadinmica.
Las ecuaciones 1.5 y 1.6 son vlidas para circuitos como el de la figura 1.5. Para
otras topologas, deber obtenerse sus rectas siguiendo las recomendaciones que
sedanacontinuacin:
RectaDC: Lascapacidadesseconsiderancircuitoabierto.
Lasbobinasseconsiderancortocircuitos(exceptocuandodeba
considerarsesuresistenciaenDC)
Lasfuentesdetensindesealsehacencero(cortocircuito)ose
reemplazanporsuresistenciainternaparaDC.
Lasfuentesdecorrientedesealsehacencero(circuitoabierto)o
sereemplazanporsuresistenciainternaparaDC.
RectaAC: Lascapacidadesgrandesseconsiderancortocircuitos.
Lasbobinasgrandesseconsiderancircuitosabiertos.
Lasfuentesdetensincontinuasehacencero(cortocircuito)ose
reemplazanporsuresistenciainternaparaAC.
Lasfuentesdecorrientecontinuasehacencero(circuitoabierto)o
sereemplazanporsuresistenciainternaparaAC.
ElectrnicaAnalgicaII
26
1.1.2. POTENCIAINSTANTNEAYPOTENCIAPROMEDIO
Si efectuamos el producto de la tensin y corriente totales en el transistor
obtenemoslosiguiente:
pce=vCEiC=(VCEvce)(IC+ic)=VCEIC+VCEicvceICvceic (1.7)
Laexpresin(1.7)representalaecuacindelapotenciainstantneadisipadaporel
transistor y las componentes de seal hacen que vare con el tiempo. En nuestro
estudionosinteresaprincipalmentelapotenciapromedio,lacualpuedeobtenerse
hallandoelvalorpromediodelapotenciainstantnea:
T
PC=(1/T)pcedt (1.8)
0
Donde: Vce=tensinpicodesealsinusoidalcolectoremisor
Ic=corrientepicodesealsinusoidaldecolector
T=perododelaseal
Laecuacin1.9esvlidacuandoeltransistortrabajaenclaseA.
EltrminoVCEICcorrespondealapotenciapromedioproducidaporlosnivelesde
continuaeneltransistor(puntodeoperacin)
Eltrmino0.5VceIccorrespondealapotenciapromedioproducidaporlosniveles
de seal en el transistor. El signo negativo nos indica que cuando hay seal el
transistor disipa menos potencia. Si el nivel de seal aumenta al mximo, la
potencia promedio disipada por el transistor disminuye al mnimo. Si la seal se
hace cero, la potencia promedio que disipa el transistor alcanza su valor mximo.
Esto ltimo es importante porque nos informa que el amplificador clase A disipa
mxima potencia cuando no tiene seal de entrada. Observamos tambin que el
trmino 0.5 Vce Ic corresponde al producto de los valores eficaces de la tensin y
corrientesinusoidales.
Enlosequiposcomercialesseacostumbrahablardelapotenciarmsylapotencia
pmpo.
ElectrnicaAnalgicaII
27
El trmino potencia rms es un nombre comercial de la potencia promedio. En
realidad los valores eficaces (o rms) estn definidos para la tensin y corriente no
para la potencia; y, a partir de ellos, se obtiene la potencia promedio. Cuando
veamosqueenunequipocomercialdeaudiomencionaneltrminopotenciarms,
deberemosentenderqueserefierenalapotenciapromedio.
Enlosequiposcomercialestambinseacostumbrahablardelapotenciapmpo.La
potenciapmposerefiereaunapotenciamusicalpicoevaluadaenundeterminado
lapso (en esto se relaciona ms con la potencia instantnea) y no tiene relacin
directa con la potencia promedio, que es la que s nos indica la capacidad real del
equipo. Incluso, puede variar de un fabricante a otro con equipos similares. Su
valor es mucho ms alto que el de la potencia promedio. En los equipos
comercialesalcanzavaloresentre810vecesmsaltosquelapotenciapromedio.
1.1.3. LIMITESDELTRANSISTORBIPOLARDEPOTENCIA
La cantidad de potencia que se le podr entregar a una carga, tendr un lmite
establecido por los parmetros del transistor. De sus curvas caractersticas
podremosapreciardichaslimitaciones:
Pc(W)
- 1/Ojc
0 Tco
Pcmx
Tjmx
Fig.1.1
jceslaresistenciatrmicaentrejuntura(j)ylacpsula
a. BV
CEO
(Break down tensin de colector emisor base abierta): Para
grandestensionesdecolector,lascaractersticaspierdenlinealidaddebido
alarupturaenlaunindecolector(similaralefectoZeneroavalancha).En
transistoresdepotenciaestosvalorespuedenestarentre50y200voltios.
b. i
c
max(mxima corriente de colector) para grandes corrientes de colector,
las caractersticas quedan muy juntas, perdiendo linealidad y adems
sometiendoalasunionesadichascorrientes,sepuededaarfsicamenteal
transistor.
c. P
C
max:Enocasionesnohabrsealdeentradaenelamplificadoryluego,
elpuntodeoperacindebecorresponderaunadisipacindecolectorque
seasegura.Enlafigura1.2,podemosobservarotrasdoszonas:
ZONA DE SATURACION
2
Ib = 0.2A
Ic (A)
ZONA
SEGURA
PARA
110
GRADOS
25
6 Ib = 0.4A
4
Ib = 0.1A
Ib = 0.6A
Ib = 0.5A
Ib = 0.3A
5
Vce,sat
0
10 Vce (V)
Ib = 0A
ZONA DE CORTE
15 2
Pcmax = 40W a 110 grados
8
ZONA
DE
RUPTURA
Pcmax = 150W a 25 grados
ZONA
SEGURA
PARA
25
GRADOS
20
Fig.1.2
d. Elconjuntodelasconsideracionesanteriores,vaalimitarensuinterior,la
llamada regin o zona activa, donde se obtendr amplificacin lineal.
Los lmites anteriores, comprenden las especificaciones del transistor, las
cuales sern proporcionadas por el fabricante en los manuales respectivos
y que debern ser tomadas en cuenta en el diseo para una operacin
adecuada.
Especificaciones:
i
cmx
BV
CEO
Pcmax=V
CEQ
I
CQ
Desdeluegotambinsedebeespecificarsu,f
T
,etc.
Sisegraficanlasespecificacionesanteriores(figura1.3):
Fig.1.3
Debetenerseencuentalosiguiente:
1. De los grficos anteriores, se observa que para operacin segura, el punto de
operacin debe ubicarse debajo o en la hiprbola de disipacin mxima (la ya
corregidaportemperatura).
2. Adems, la lnea AC con pendiente (1/R
ac
), debe pasar a travs del punto Q e
intersectarelejeV
CE
aunvoltajemenorqueBV
CEO
y
3. Debeintersectarelejei
C
aunacorrientemenorquei
C
max
osea:2V
CC
BV
CEO
(1.10)
2I
CQ
i
C
max (1.11)
Larectamedianaodemximaexcursinsimtrica(M.E.S.)seobtienemediantela
recta de carga dinmica. Es prcticamente la misma ecuacin, slo que con
pendientepositivaytambincontienealpuntodeoperacin.
I
C0
=(1/R
L
)V
CEQ
ycon: Pcmax=V
CEQ
I
CQ
ElpuntoQser:
I
CQ
=(Pcmax/R
L
)
1/2
(1.12)
V
CEQ
=(Pcmax*R
L
)
1/2
(1.13)
SevequeenelpuntoQ.Lapendientedelahiprbolaes:
i
C
/VCE=I
CQ
/
V
CEQ
=
1/R
L
ElectrnicaAnalgicaII
31
Osea,lapendientedelalneaACeslamismaquelapendientedelahiprbolayla
lnea AC es tangente a la hiprbola en el punto Q cuando es lograda la mxima
excursinsimtrica(figura1.4).
Estasconsideracionessontilesparaelcasodediseo.
LamayoradelosconceptosanteriorestambinsonaplicablesalosFETs.
recta dc
Vce
IcQ
Pcmax
Ic = Vce / RL
BVceo
Q
recta ac
VceQ
Ic
Fig.1.4
1.2.1. AMPLIFICADORCLASEACONCARGAENCOLECTOR.
Enlafigura1.5semuestraunamplificadordeestetipo:
ElectrnicaAnalgicaII
32
R2
+
VBB
-
Rb
Q
R1
Rc Rc
RE
VCC VCC
RE
Q
Fig.1.5
Si:>>1,laexpresinsereducea:
VCC=IC(RC+RE)+VCE (1.15)
1.2.11.PUNTODEOPERACINPARAMXIMAEXCURSINSIMTRICA(IDEAL):
Comoenlaecuacin(1.17)seencuentraelpuntodeoperacin,secumplir:
VCEQ=ICQ(RC+RE) (1.18)
Reemplazando(1.18)en(1.15):
VCC=ICQ(RC+RE)+ICQ(RC+RE)
1.2.12.MXIMAPOTENCIADISIPADAPORELTRANSISTOR:
Cono se mencion anteriormente, cuando el transistor trabaja en clase A disipa
mximapotenciacuandonotienesealdeentrada.Entonces:
ElectrnicaAnalgicaII
33
PCmx=VCEQICQ (1.21)
1.2.13.MXIMAPOTENCIAENTREGADAALACARGA:
Silacargaeslaresistenciadecolector,lamximapotenciadesealquerecibela
cargaes:
PLmx=0.5(ICQ)
2
RC (1.22)
Enelcasoideallatensincolectoremisordesaturacinesceroylamxima
tensinpicodesealserigualaVCEQ;entonces:
PLmx=VCEQ
2
/2RC=VCC
2
/8RC (1.23)
1.2.14.MXIMAPOTENCIAENTREGADAPORLAFUENTE:
Lacorrientequeentregalafuenteestformadaporlacorrientetotalquevaporel
colectormslacorrientequevaporlareddepolarizacin(porR1).Esdecir:
pCC=VCC(iC+iR1)
PCC=VCC(ICQ+IR1) (1.24)
En los casos en que se cumpla: ICQ >> IR1, se puede hacer la siguiente
aproximacin:
PCC=VCCICQ (1.25)
EstoltimosepuedelograrfcilmenteenlosamplificadoresconFETdebidoaque
ellossecontrolancontensindeentradaytantoR1comoR2puedentenervalores
elevados.
1.2.15.PUNTODEOPERACINPARAMXIMAEXCURSINSIMTRICA(REAL):
En el caso real, la tensin colectoremisor de saturacin no es cero y ello obliga a
corregirlarectadeMximaExcursinSimtricaparaubicarelpuntodeoperacin
y obtener la mxima tensin y corriente pico de seal reales. Esto se consigue
desplazandolarectadeM.E.S.sobreelejedetensionesunacantidadigualaVCE,
sat:
RectacorregidadeMximaExcursinSimtrica:
vCE=iC(RC+RE)+VCE,sat (1.26)
ElectrnicaAnalgicaII
34
Elpuntodeoperacinrealser:
ICQ=[VCCVCE,sat]/[2(RC+RE)] (1.27)
VCEQ=[VCCVCE,sat]/2 (1.28)
Estosvaloresrealeslosutilizaremosparalosclculosdepotencia.
1.2.16.EFICIENCIA:
Laeficienciasedefinecomolarelacindelamximapotenciapromedioentregada
alacargadivididaporlamximapotenciapromedioentregadaporlafuente:
=PLmx/PCC (1.29)
ReemplazandolasexpresionesdePLmxyPCC,obtenemos:
=(0.5ICQ
2
RC)/(VCC(ICQ+IR1) (1.30)
Enelcasoidealsetiene:
VCE,sat=0,VCEQ=VCC/2,RE=0,ICQ>>IR1eICQ=VCC/[2(RC+RE)]
Conelloresulta:ideal=25% (1.31)
Una mejora se consigue evitando que la seal pase por Re y que la continua pase
porRC,locualselograconlassiguientesconfiguraciones.
1.2.17.FIGURADEMERITO:
Eslarelacinentrelamximapotenciadedisipacindecolectordeltransistor,ala
mximapotenciadisipadaenlacarga:
F=PCmx/PLmx (1.32)
ReemplazandolasexpresionesdePCmxyPLmxobtenemos:
F=VCCICQ/(0.5ICQ
2
RC)=(4(RC+RE)/RC (1.33)
Si:RE=0,lafigurademritollegaa F=4.0 (1.34)
ElectrnicaAnalgicaII
35
PROBLEMA 1.1:Parael siguientecircuito amplificadorcon resistenciaen colector,
determine:
a) Elpuntodeoperacin
b) Lamximaexcursinsimtricadelacorrientedelcolector;
c) Calculelaspotenciasyeficiencia.
Asuma:VCE,sat=0,silicio y=100
Rc = 1K
Ca1
VCC
ii
+
vce
-
Q
R2
VCC = 15 V
Rc
Re = 500
R1
Re
Fig.1.6
SOLUCION:
a) Aplicandola2leydekirchhoffalcircuitocolectoremisordelafigura1.6:
CircuitoenDC:LaecuacindelarectadecargaDC(figura1.7)
Re
VCC = VCE + Ic Rc + Ie Re
VCC
15 = Vce + Ic (1.5K) ......(a)
Si B >> 1, entonces Ie = Ic
Q
Luego: VCC = Vce + Ic (Rc + Re)
Rc
Fig.1.7
CircuitoenAC:LaecuacindelarectadecargaAC(figura1.8)
ElectrnicaAnalgicaII
36
Re
vce + ic Rc + ie Re = 0
vce = - ic (Rc + Re)
vce = - ic Rc - ie Re
Q
ie = ic
vce = - ic (1.5K) ......(b)
Rc
Fig.1.8
De(a)y(b)seobservaqueambasrectastienenlamismapendiente
(1/1.5kOhms)yquecoinciden(estnsuperpuestas).
Luego,graficando: i
c
maxocurrecuandov
CE
=0
En(a): i
c
max=15/1.5k=10mA
VCEQ
7.5
10
ICQ = 5
vCE
(V)
pendiente = - 1 / 1.5K
i C
(mA)
VCC
15
Fig.1.9
v
CE
maxocurrecuando: i
C
=0
En(a): v
CE
max=15v
Porlotanto I
CQ
=5mA
V
CEQ
=7.5v puntodeoperacin(puntoQ)
Potenciasuministradaalacarga(R
C
)ycircuitodeemisor(RE):
Enestecaso:
( ) ( ) ( )
( ) ( )
E C
CM
CQ E L
T
E C C E C CQ E L
R R
I
I P P
dt R R i
T
R R I P P
+
+ = +
+ + + = +
2
1
2
2
0
2 2
Encondicionesdemximaexcursinsimtrica(Icm=ICQ)
Porlotanto max(P
L
+P
E
)=1.5k((5x10
3
)
2
+(5x10
3
)
2
/2)
max(P
L
+P
E
)=56.25mW
Potenciadisipadaeneltransistor:
T
PC=VCEQICQ+(1/T)vceicdt
0
Como:vce=ic(Rc+R
E
)
T
PC=VCEQICQ+(1/T)(Rc+R
E
)ic
2
dt
0
T
PC=37.5mW(1/T)(1.5K)ic
2
dt
0
PC=37.5mW750(Icm
2
)
ElectrnicaAnalgicaII
38
Se aprecia que la mxima disipacin de colector ocurre cuando no hay seal
ACenelcircuito,porlotanto
P
C
max=37.5x10
3
w
LamnimadisipacinocurrircuandoIcmseamxima,locualconIcm=I
CQ
=5
x10
3
Aporlotanto:
Pcmin=37.5x10
3
w(1500/2)(5x10
3
)
2
Pcmin=18.75x10
3
w
Eficiencia:de(37): =I
2
cm
Rc/(15v)(5x10
3
A)
=10
6
I
2
cm
/150
Porlotanto
max
=16.7%<25%,queeslamximaobtenibleenestetipo
de circuito (resistencia en colector), pero que no se obtiene en este ejemplo
debidoaqueRenoesdespreciable.
GraficandolaanteriorenfuncindeIcm.
75
12.5
n max = 16.7%
ICQ
PLac
PC
18.75
P (mW)
PCC
Icm
n
37.5
Fig.1.10
Fig.1.11
Delaecuacin1.22: PLmx=0.5(IDQ)
2
RL
Dedonde: IDQ=[2Plmx/RL]
1/2
=63.2mA
DelashojasdedatostcnicosdelMOSFETIRF840obtenemos:
Latensinumbralestcomprendidaenelrango: 2VVT4V
K=ID/(VGSVT)
2
Luego:K=0.53A/V
2
ElectrnicaAnalgicaII
40
Obtenemos ahora la tensin VGSQ necesaria para lograr la corriente del punto de
operacinrequerido: VGSQ=(IDQ/K)
1/2
+VT=(63.2mA/0.53A/V
2
)
1/2
+3=3.34V
Rs se emplea para ayudar a estabilizar el punto de operacin. Un valor
recomendadoparaelloes: Rs=(VGSQ+VT)/IDQ=100.38
Tomaremoselvalorcomercialmscercano:Rs=100
Acontinuacinhallamoslatensinnecesariadelpuntodeoperacin:
De la ecuacin 1.26, adaptndola para el caso del MOSFET: VDSQ = IDQ (RL) +
VDSmn
Emplearemosunatensindrenadorfuentemnimade1V
Luego:VDSQ=IDQ(RL)+1=7.32V
Latensinenelterminaldecompuertarespectoatierraes:VG=VGSQ+IDQRs=
9.32V
Sielegimos:R
2
=9.1K
Lacorrientequecirculeporellaser:IR2=9.32V/9.1K=1.024mA
Entonces:R
1
=(209.32)V/1.024mA=10K
ElectrnicaAnalgicaII
41
Losresultadosdelasimulacinencontinuanosdanlossiguientesvalores:
TensinenRe(nudoB):6.39V
Tensinenlacompuertarespectoatierra(nudoA):9.53V
Tensineneldrenadorrespectoatierra(nudoC):13.6V
Conestosvaloresobtenemos:IDQ=63.9mA,VDSQ=7.21V
Estevalorescercanoalvalorpicorequerido(6.63V),porloqueelsiguientepasoes
construirloenellaboratorioparaobtenerlosresultadosreales.
Q
IRF840
+
-
VDD
20V
1kHz
V1
-170m/170mV
Ca1
0.33uF
Cs
22uF
Rs
100
RL
100
R2
9.1k
R1
10k
Fig.1.12
ElectrnicaAnalgicaII
42
0.000ms 1.000ms 2.000ms 3.000ms 4.000ms 5.000ms
20.00 V
15.00 V
10.00 V
5.000 V
A: q_2
Fig.1.13
ObtencindeCs:
La resistencia aproximada que ve Cs es Rs. Como esta resistencia es
pequea,haremosqueCsdetermineellmiteregindebajafrecuencia.
Sifijamosestelmiteen100Hz,podemosigualar:
RsCs=1/[2(100)]=0.0016
Luego: Cs=16uF
Ypodemosemplearelvalorcomercialmscercano: Cs=22uF/10V
ObtencindeCa1:
LaresistenciaqueveCa1esmuchomsalta.HaremosqueCa1acteauna
frecuenciamuchomenorque100HzparaquenoinfluyaalavezqueCs.
Sifijamossuoperacinen10Hz,podemosigualar:
[R
1
//R
2
]Ca1=1/[2(10)]=0.016
Luego: Ca1=0.33uF
Ypodemosemplearelvalorcomercial: Ca1=0.33uF/16V
T
PCC=(1/T)VCCiC(t)dt
0
T
PCC=(12/T)[2+1.8cos(wt)]dt
0
PCC=12*2=24W
RL
3
Ig(t)
Q
VCC
12V
Fig.1.14
b) Lapotenciaconsumidaenelresistorde3.
T
PRL=(1/T)i
2
C(t)RLdt
0
T
PRL=(1/T)[2+1.8cos(wt)]
2
RLdt
0
T
PRL=(3/T)[5.62+7.2cos(wt)+1.62cos(2wt)]dt
0
PRL=3*5.62=16.86W
ElectrnicaAnalgicaII
44
c) Lapotenciadisipadaporeltransistor
T
PC=(1/T)v
CE
iC(t)dt
0
v
CE*
iC(t)
=
VCC*iC(t)i
2
C(t)RL
Reemplazando:
T
PC=(1/T)[VCC*iC(t)i
2
C(t)RL]dt=2416.86=7.14W
0
En este caso la bobina acta como una alta reactancia para la seal y como un
cortocircuitoparalacontinua.LacargaseacoplamedianteelcondensadorCa2(el
cual evita que pase corriente continua por la carga) y Re se desacopla de la seal
mediante un condensador de bypass Ce (para que no pase seal por ella). Estas
mejoraspermitenaumentarlaeficienciaylagananciadepotencia.
La resistencia r
L
es la que presenta el alambre de la bobina en continua y la cual
debeserpequea.
R2
Ig(t)
R1
RL
Re
L
rL
1
2
Ca2
Ce
Q
VCC
Fig.1.15
ElectrnicaAnalgicaII
45
1.2.21. Principio de funcionamiento: En el esquema, los resistores R1, R2 y Re
contribuyen a la polarizacin del circuito estableciendo el punto de operacin
adecuado(claseA,zonalineal)ymanteniendolaestabilidaddelmismo.As,R1yR2
forman un divisor de tensin a travs de la fuente V
CC
; este divisor proporciona
condicionesdepolarizacinalaunindeentrada(baseemisor),talesquelahacen
trabajarenformadirectayestandolaunindesalida(basecolector)polarizadaen
formainversa;eltransistor podrtrabajarenlazonaactiva y apto paraoperacin
enclaseA.
LaconfiguracinequivalentedeThevenindelcircuitoes:
L
rL
Ce
Ca2
Q
+
VBB
-
Rb
Re
VCC
Ca1
RL
ig
Fig.1.16
Dondelasrelacionescorrespondientesson:
V
BB
=V
CC
R
1
/(R
1
+R
2
)=V
CC
Rb/R
2
; Rb=R
1
R
2
/(R
1
+R
2
) (1.35)
R
2
=Rb(V
CC
/V
BB
) (1.36)
R
1
=Rb/(1(V
BB
/V
CC
)) (1.37)
SepuedeemplearelsiguientevalorparaRb:
Rb=minRe/10 (1.39)
Adems,hayotrosfactoresqueintervienenenlavariacindelpuntodeoperacin
yquesedebenconsiderarenlaestabilizacin,comoseexplicaenseguida.
1.2.22.ESTABILIDADDELPUNTODEOPERACINDELTRANSISTORBIPOLAR
Lastcnicasquepermitenestabilizarelpuntodeoperacinpuedenclasificarseen
doscategoras:
Tcnicasdeestabilizacin:
El punto de operacin de un transistor puede variar por cambios sufridos en la
corriente inversa de la juntura ColectorBase (ICBO), por las variaciones de la
tensinBaseEmisor(VBE)ydelaganancia().
IC=SIICBO+SVVBE+S (1.40)
SI=Factordeestabilidaddecorriente.
SV=Factordeestabilidaddetensin.
S=Factordeestabilidaddeganancia.
IC=Variacintotaldelacorrientedecolector.
ICBO=VariacintotaldelacorrienteICBO
VBE=VariacintotaldelatensinBaseEmisor
=Variacintotaldegananciadecorriente
Cadafactordeestabilidadpuededeterminarseasumiendoquelasdemsvariables
Semantienenconstantes.
ElectrnicaAnalgicaII
47
ElfactordeestabilidadSIseobtieneconlasiguienteecuacin:
SI=IC/ICBO, cuando:VBE=0y=0
MientrasmsgrandeesSI,elpuntodeoperacinesmsinestable.Elmnimovalor
posibledeSIes1.
LoscircuitosqueestabilizanelpuntodeoperacinrespectoavariacionesdeICBO,
tambin se comportan satisfactoriamente ante variaciones de VBE y . Por ello,
bastaobtenerunbuenfactordeestabilidadSI.
Laecuacingeneralquegobiernalacorrientedecolectordeltransistores:
IC=IB+(1+)ICBO (1.41)
DerivandorespectoaICobtenemos:
SI=(1+)/(1dIB/dIC) (1.42)
Deestaecuacinconcluimosqueparavaloresgrandesde,SIseaproximaala
unidad.
EltrminodIB/dICseobtieneapartirdelcircuitoqueutilicemos.Paraelclculo
deSIseconsideraqueVBEynovaran.
Tomemoscomoejemploelcircuitodelafigura1.7,cuyoequivalentedethevenin
seencuentraaladerecha:
EnlamallaBaseEmisorpodemosplantearlasiguienteecuacin:
VBB=IBRb+VBE+(IC+IB)Re
DerivandoestaecuacinrespectoaIC:
dIB/dIC=(Re/(Re+Rb))
ReemplazandoenlaecuacindeSIobtenemos:
SI=(1+Rb/Re)/(1+(Rb/(1+)Re)) (1.43)
Sihacemos:Rb=(1+)Re/10,tendremos:SI=(11+)/11
R2
+
VBB
-
Rb
Q
R1
Rc Rc
Re
VCC VCC
Re
Q
Fig.1.17
El condensador C
a1
sirve como acoplamiento de la seal de la fuente i
i
, con el
dispositivoamplificador.
Para consideraciones del anlisis matemtico se asume que las capacidades son
muy grandes (C ), de modo que las frecuencias de trabajo presentan una
reactancia muy pequea pudiendo considerrseles como cortocircuitos. En
consideraciones prcticas o reales, los valores a escoger deben cumplir con el
criterioanterior.As,porejemplo,elcondensadorCedebesertalquepresenteuna
reactanciaXcemuchomenorquelaimpedanciaqueve,lacualesReenparalelo
con la impedancia de entrada del transistor reflejada al emisor (se ver en
parmetros hbridos). Xce puede considerarse unas 10 a 100 veces menor, no
debiendo elegirse una capacidad excesivamente grande, pues pueden haber
problemasdetamao,transitorios,respuestadefrecuencia,corrientesdeperdida,
etc.
Sisetrabajanoenunafrecuencia,sinoenunrango(casodeAFde20Hza20KHz),
lareactanciasecalculaconlafrecuenciamsbaja.
ElectrnicaAnalgicaII
49
El inductor mostrado en el colector tiene por objeto aumentar la eficiencia del
circuito respecto al que emplea resistencia en colector. Adems, permite que la
tensincolectoremisoralcancedosveceselvalordelafuentedealimentacinV
CC
.
Esimportanterecalcarqueestoesparamximaexcursinsimtrica,sindistorsin,
pueslainductanciapuedehacerqueV
CE
seamayorque2V
CC
.
Enresumen:
Los condensadores se comportan como cortocircuitos a las frecuencias de
trabajodesealycomocircuitosabiertosparalacontinua.
Elinductorochoquesecomportacomocircuitoabiertoparalasealycomo
cortocircuitoparalacontinua.
1.2.23.Ubicacindelpuntodeoperacin:
Como se ver, el punto de operacin para este tipo de circuitos (gran seal), se
puede determinar en forma analtica o grfica a partir de las ecuaciones
descriptivas del comportamiento circuital. Las consideraciones a tener en cuenta
para la ubicacin del punto de operacin son las clases de operacin, lmites del
dispositivo y linealidad de la zona de trabajo, tratando de obtener la mxima
potenciadeseal.
Encondicionesestticas(figura1.8),laresistenciadecargaDCesRe.
Ylarectadecargaestticaes:
VCC=VCE+ICRe (1.44)
Encondicionesdinmicas(figura1.9),laresistenciadecargaACesR
L
.
ElectrnicaAnalgicaII
50
Ylarectadecargadinmicaes:
vce+icRL=0 (1.45)
Apartirdelasexpresionesanteriores,sepodrdeterminarelpuntodeoperacin.
Sesabeque:v
CE
=V
CEQ
+v
ce
ei
C
=I
CQ
+i
c
Dedonde:(v
CE
V
CEQ
)=(i
C
I
CQ
)R
L
(1.46)
EstaexpresindelalneaACsepuedeescribircomo:
(i
C
I
CQ
)=(v
CE
V
CEQ
)/R
L
(1.47)
CircuitoenDC:ecuacindelalneadecargaDC
Q
Si: B >> 1, entonces Ie = Ic
+
Vce
-
Vcc = Vce + Ic Re
Re
Vcc = Vce + Ie Re
VCC
Ie
Ic
Fig.1.18
CircuitoenAC:ecuacindelalneadecargaAC
Q +
vce
-
vce = iL RL = - ic RL
vce + ic RL = 0
Re
RL
ie
iL
ic = -vce / RL
ic
ic = - iL
Fig.1.19
ElectrnicaAnalgicaII
51
Para obtener mxima excursin simtrica, el punto de operacin debe bisectar la
lneadecargaAC,detalmodoque:
i
C
max =2I
CQ
(1.49)
Sustituyendoen(1.48):
2ICQ=ICQ+VCEQ/RL
Portanto:I
CQ
=V
CEQ
/R
L
(1.50)
Enconsecuenciaelpuntodeoperacin(puntoQ)seencontrarenlarecta:
i
c
R
L
=v
ce
(1.51)
Esta recta pasa a travs del origen (pendiente positiva) y su interseccin con la
lnea DC determina el punto Q para mxima excursin simtrica (en el caso real
estarectanodebeiniciarseenelorigen,sinoenelpunto:Ic=0,Vce=Vce,sat).En
el caso de los FETs deber considerarse un voltaje mnimo drenadorfuente
(VDSmn) para evitar ingresar a la regin triodo (que es equivalente a la zona de
saturacindelBJT).
Sepuededemostrarquelalneai
c
R
L
=v
ce
bisectalalneaAC;enotraspalabras,que
representa el lugar geomtrico de los puntos medios a las rectas AC (recta
mediana).
EnlaexpresindelalneaDC(1.44)ycon:
I
C
=I
CQ
yV
CE
=V
CEQ
(puesnohayseal)
Queda: V
CC
=V
CEQ
+I
CQ
R
e
(1.52)
yde(1.50): V
CC
=V
CEQ
+V
CEQ
R
e
/R
L
V
CC
=V
CEQ
(1+R
e
/R
L
)
Portanto V
CEQ
=V
CC
/(1+R
e
/R
L
) (1.53)
Porlogeneral,R
e
seeligepequeaparaminimizarlasprdidasdepotencia.Luego,
si:R
L
>>R
e
V
CEQ
=V
CC
(1.54)
Ysisecumpleloanterior,laexpresin(1.50)seria
I
CQ
=V
CC
/R
L
(1.55)
ElectrnicaAnalgicaII
52
Elprocedimientoaseguirparalaconstruccingrficaes:
1. GraficarlalneaDC(de1.44)
2. Graficarlalneai
c
R
L
=v
ce
(rectamediana)atravsdelorigen
3. LainterseccinindicaelpuntoQ
4. LalneaACsedibujaatravsdelpuntoQyconpendientes1/R
L
1.2.24.CALCULODEPOTENCIAS:Elclculodepotenciasesmuyimportantepues
ademsdeproporcionarnosinformacinsobrelapotenciaquesepuedeentregara
la carga, nos permite apreciar si cumplimos con la capacidad de potencia que
puede disipar el transistor, si la fuente de alimentacin puede proporcionar la
potencia requerida, si los resistores empleados pueden soportar las potencias a
que sern sometidos, asimismo, para poder disear o elegir los disipadores
adecuados,etc.
donde:
V(t)eselvoltajetotalatravsdeldispositivo
V(t)=V
promedio
+v(t)
I(t)eslacorrientetotalquefluyeporeldispositivo
I(t)=I
promedio
+i(t)
i(t)yv(t)soncomponentesvariablesconeltiempo
ElectrnicaAnalgicaII
53
Enlaprctica,loquetienemayorimportanciaeselvalorpromediodelapotencia
instantnea ya que este valor nos indicar, por ejemplo, la cantidad de calor por
segundo que se disipar en una resistencia o la potencia mecnica que hay que
suministraraungeneradorquealimenteaunadeterminadacarga.
Estapotenciapromediosedenominaporestasrazones,lapotenciarealoactivay
suexpresines:
T
p=(1/T)V(t)I(t)dt (1.57)
0
Teselperiododecualquierparteperidicavariableconeltiempo,deV(t)oI(t)
Luego:
T
p=(1/T)(Vpr+v(t))(Ipr+i(t))dt (1.58)
0
T T T T
p=(1/T)VprIprdt+(1/T)Vpri(t)dt+(1/T)v(t)Iprdt+(1/T)v(t)i(t)dt
0 0 0 0
Sii(t)yv(t)tienevalorpromedioigualacero(casodelasondassinusoidales):
T T
(1/T)v(t)dt=(1/T)i(t)dt=0
0 0
T T
Entonces:p=(1/T)VprIprdt+(1/T)v(t)i(t)dt (1.59)
0 0
Estaecuacinexpresaquelapotenciamedia(opromedio)suministradaodisipada
porundispositivo,consistedelasumadelapotenciaentrminosDCylapotencia
entrminosAC.Luego,apartirdeloanterior:
1.2.25.POTENCIAENTREGADAALACARGA:Enlosclculosposterioresseasume
que las impedancias de carga son puramente resistivos y por tanto el factor de
potencia es la unidad. Para el circuito en estudio (figura 1) despreciando la
potencia disipada en la resistencia de emisor, las corrientes y voltajes de inters
son:
i
C
=I
CQ
+i
c
i
L
=i
c
i
fuente
=i
R2
+i
CHOKE
(1.60)
i
fuente
=i
R2
+(i
c
+i
L
)
ElectrnicaAnalgicaII
54
considerando despreciable i
R2
y como el choke tiene una inductancia muy
grande, no fluye corriente AC a travs de l y como la corriente i
L
es slo AC
(debido a C
a2
), luego se puede representar dicho choke por una fuente de
corrienteconstanteydevalorI
CQ
i
fuente
=I
CQ
(1.61)
adems:v
L
=i
L
R
L
=icR
L
Siconsideramosquelacorrientedesealessinusoidal:
i
L
=I
im
senwt i
c
=I
cm
senwt
Porlotanto i
c
max=I
CQ
senwt
Locualimplicaque
I
cm
max<=I
CQ
(1.62)
Esto es para operacin en clase A, sin distorsin (en cuanto a mxima excursin
simtrica).
Ahoraseobtendrlaexpresindelapotenciamediadisipadaenlacarga(eneste
casoslohaycontribucindetrminosAC)
T T
PL=(1/T)(iL(t))
2
RLdt+(1/T)(i(t))
2
RLdt
0 0
SiiLessinusoidal:i
L
=I
LM
coswt
T T
PL=(1/T)R
L
(Icmcoswt)
2
dt+((RL(Icm
2
)/2T)(1+cos2wt)dt
0 0
PL=(ILm
2
R
L
)/2=(ICm
2
R
L
)/2 (1.63)
I
cm
max=I
CQ
porlotanto P
L
max=I
2
CQ
R
L
/2 (1.64)
ElectrnicaAnalgicaII
55
combinandocon(12):
P
L
max=V
2
CC
/2R
L
(1.65)
Observacin:Tenerpresentelasconsideracionesseguidasparaobtener(1.65),una
de las cuales era tener Re pequea. Respecto a cun pequea debe ser Re, de las
expresiones iniciales del thevenin equivalente se observa que al disminuir Re,
debemos disminuir Rb la cual resultara en un decremento de la ganancia de
corriente(comosedemuestraconelestudiodelosparmetroshbridos).Estosera
un lmite prctico en la eleccin del valor de Re para un valor dado de estabilidad
frenteavariacionesdeytemperatura.
1.2.26.POTENCIAPROMEDIOENTREGADAPORLAFUENTEDC
T
Pfuente=PCC=(1/T)VCCifuentedt
0
T
PCC=(1/T)VCCICQdt
0
P
CC
=V
CC
I
CQ
(1.66)
osinconsiderar(1.61)
T
PCC=(1/T)V
CC
iC(t)dt
0
ydespreciandoiR2: T
PCC=(1/T)V
CC
(ICQ+iC(t))dt
0
Coni
c
sinusoidal:
P
CC
=V
CC
I
CQ
p
T
=v
CB
i
C
+v
BE
i
E
ElectrnicaAnalgicaII
56
donde: v
CB
i
C
=p
C
,eslapotenciadisipadaenlaunidaddelcolector
v
BE
i
E
,eslapotenciadisipadaenlaunindeemisor
como:i
E
=i
C
+i
B
,entonces
p
T
=v
CE
i
C
+v
BE
i
B
p
T
=v
CE
i
C
Estaecuacinnosindicaquelapotenciadisipadaeneltransistoresprcticamente
lapotenciadisipadaenlaunindecolector: p
C
=v
CE
i
C
Lapotenciapromediodisipadaenelcolectores:
T
PC=(1/T)V
CE
iC(t)dt
0
Donde:v
CE
=V
CEQ
+v
ce
; i
C
=I
CQ
+i
c
Siv
ce
oi
c
sonsinusoidales:
T
P
C
=VCEQICQ+(1/T)vceicdt
0
Paramximaexcursinsimtrica:
Pc=V
CEQ
I
CQ
I
2
CQ
(R
L
+Re)/2
SiR
L
>>Re:
Pc=V
CEQ
I
CQ
I
2
CQ
R
L
/2=P
CC
P
L
Luego:
Pc
min
=V
2
CC
/2R
L
Sinseal:
Pc
max
=V
CC
I
CQ
=V
2
CC
/R
L
ElectrnicaAnalgicaII
57
De(1.65)y(1.66):
=P
L
ac/P
CC
=I
2
cm(R
L
/2)/V
CC
I
CQ
(1.68)
encondicionesmximas[Icm=I
CQ
yde1.67]
mx==50% (1.69)
Lacualeslamximaeficienciaquesepodraobtenerdeestetipodeamplificadory
queeseldobledelqueseobtienesiseusaresistenciaencolector.Serecuerdaque
estos clculos se hacen con seal sinusoidal, pues en el caso de onda cuadrada la
eficienciamximaquesepuedealcanzaresel100%.
1.2.29.Figurademrito:Eslarelacinentrelamximapotenciadedisipacinde
colectordeltransistor,alamximapotenciadisipadaenlacarga.
F=P
C
max/P
L
max (1.70)
EnlascondicionesmximasF=2 (1.71)
PROBLEMA1.4:Enelcircuitodelafigurasiguiente,calcule:
a)ElpuntoQparamximaexcursinsimtrica.
b)R1yR2
c)PLmx Eltransistoresdesilicio,con: =50
d)PCC CeyCa2tienenreactanciadespreciable
e)PCmx Ltienereactanciamuyalta.
f)Laeficiencia
g)Especifiqueeltransistor.
RL
100 Ig(t)
Q
Ca2
Re
11
L
rL = 14
R1
VCC
12V
R2 Ce
Fig.1.20
ElectrnicaAnalgicaII
58
SOLUCION:
a) Puntodeoperacinparamximaexcursinsimtrica:
RectaDC: VCC=IC(rL+Re)+VCE=25IC+VCE
Laresistenciadelabobinaactaencontinuaydebesertomadaencuenta
RectaAC: vce=icRL=100ic
Rectademximaexcursinsimtrica:vCE=+iCRL
DebidoaquenonosespecificanelvalordeVCE,satasumimosqueescero
Comoestarectacontienealpuntodeoperacin,debecumplirse:VCEQ=+ICQ
RL
ReemplazandoenlarectaDC:VCC=25ICQ+ICQRL=125ICQ
Dedonde:ICQ=12/125=96mA
Luego: VCEQ=+ICQRL=9.6V
b) R1yR2:
Parabuenaestabilidaddelpuntodeoperacinobtenemos:
Empleamos:Rb=(1+)Re/10=56.1
Luego:V
BB
=IBRb+VBE+IEQRe=96mA(56.1/50)+0.7+96mA(11)=1.86V
De1.36: R
1
=Rb(V
CC
/V
BB
))=360
De1.37: R
2
=Rb/[1(V
CC
/V
BB
)]=66
c) ClculodeP
L
mx:
De1.64: P
L
max=I
2
CQ
R
L
/2=460.8mW
d) ClculodePCC:
De1.66: P
CC
=V
CC
I
CQ
=12*0.096=1.152W
e) ClculodePCmx:
EnclaseAsetiene:PCmx=VCEQICQ=9.6*0.096=921.6mW
f) Clculodelaeficiencia:
De1.68 =I
2
CQ(R
L
/2)/V
CC
I
CQ
=460/1152=39.9%
g) Especificacindeltransistor:
Lamximatensincolectoremisorquesoportares:2VCEQ
Entoncesdebecumplirse:BVCEO>19.2V
Lamximacorrientedecolectorqueconducires: 2I
CQ
Entoncesdebecumplirse:iCmx>192mA
ElectrnicaAnalgicaII
59
Lamximapotenciaquevaadisipares:921.6mW
Entonces debe elegirse un transistor que disipe ms de 921.6 mW a la
temperaturadetrabajo.
a) ElpuntoQparamximaexcursinsimtrica.
b) Re,VCC,R1yR2
c) PLmx
d) PCC CeyCa2tienenreactanciadespreciable
e) PCmxyPCmn Ltienereactanciamuyalta.
f) Laeficiencia
SOLUCION:
a) Puntodeoperacinparamximaexcursinsimtrica:
RectaDC: VCC=IC(Re)+VCE
RectaAC: vce=icRL=100ic
Rectademximaexcursinsimtrica:vCE=+iCRL+VCE,sat=100ic+0.5
Comoestarectacontienealpuntodeoperacin,debecumplirse:VCEQ=100
ICQ+0.5
ReemplazandoenlarectaDC:VCC=ReICQ+100ICQ+0.5
Paraelmximoaprovechamientodeltransistordebecumplirse:
PCmx=VCEQICQ
Conlasdosecuacionesanteriorespodemosobtenerunaecuacindesegundo
gradoparahallarICQ:
ICQ=(VCE,sat/2RL)+[(PCmx/RL)+(VCE,sat/2RL)
2
]
(0.5)
Reemplazandovaloresyefectuando: ICQ=97.5mA
ReemplazandoenlarectadeM.E.S.obtenemos:VCEQ=10.25V
ElectrnicaAnalgicaII
60
R2
RL
100
Ig(t)
R1
Re
L
1
2
Ca2
Ce
Q
VCC
Fig.1.21
b) ObtencindeRe,VCC,R1yR2
ParaquelasprdidasenRenoseanmuyaltas,elegimos:Re<<RL
Entonces: Re=RL/20=5
Delarectadecargaesttica:VCC=VCEQ+ICQRe=11V
ObtencindeR1yR2:
Parabuenaestabilidaddelpuntodeoperacinempleamos:
Rb=(1+)Re/10=25.5
Luego:V
BB
=IBRb+VBE+IEQRe=1.24V
De1.36: R
1
=Rb(V
CC
/V
BB
))=226
De1.37: R
2
=Rb/[1(V
BB
/VCC)]=28.7
c) ClculodeP
L
mx:
De1.64: P
L
max=I
2
CQ
R
L
/2=(VCEQVCE,sat)
2
/2RL=475mW
d) ClculodePCC:
De1.66: P
CC
=V
CC
I
CQ
=11*0.0975=1.0725W
e) ClculodePCmxyPCmn:
EnclaseAsetiene: PCmx=VCEQICQ=10.25*0.0975=1W
PCmn=VCEQICQPLmx=1W0.475W=525mW
f) Clculodelaeficiencia:
De1.68 =P
L
max/P
CC
=525/1072.5=48.95%
ElectrnicaAnalgicaII
61
PROBLEMA1.6:Enelsiguientecircuito,sedeseaobtener4Wenlacarga.VCE,sat
=1V,=50,silicio,VCC=12V.
a) DetermineelpuntoQparamximaexcursinsimtrica.
b) PCC CeyCa2tienenreactanciadespreciable
c) Laeficiencia Ltienereactanciamuyalta.
d) Indiquelasespecificacionesdeltransistor
SOLUCION:
a) DeterminacindelpuntoQparamximaexcursinsimtrica:
P
L
max=(VCEQVCE,sat)
2
/2RL=I
2
CQ
R
L
/2
Despejando:VCEQ=[2RLP
L
max]
1/2
+VCE,sat=8.94+1=10V
ICQ=[2P
L
max/RL]
1/2
=1A
b) ClculodePCC:
PCC=VCC*ICQ=12*1=12W
R2
RL
10
Ig(t)
R1
Re
L
1
2
Ca2
Ce
Q
VCC
12V
Fig.1.22
c) Clculodelaeficiencia: .
De1.68 =P
L
max/P
CC
=4W/12W=33.3%
d) Especificacindeltransistor:
Lamximatensincolectoremisorquesoportares:2VCEQ
Entoncesdebecumplirse:BVCEO>20V
ElectrnicaAnalgicaII
62
b) ClculodePCC:
PCC=VCC*ICQ=12*1=12W
Lamximacorrientedecolectorqueconducires: 2ICQ
Entoncesdebecumplirse:iCmx>2A
Lamximapotenciaquevaadisipares:4W
1.2.3.AMPLIFICADORDEPOTENCIAENEMISORCOMUNCLASEACONACOPLO
PORTRANSFORMADOR
Elfuncionamientodeestoscircuitosessimilaraldechokeencolector.Enestecaso
el primario del transformador hace el papel de la bobina de choke, pero se
aprovecha la propiedad de transformacin de impedancias de estos dispositivos.
Sinembargo,tambintienensuslimitacionesy,porello,haremosunbreverepaso
delosprincipiosfsicosinvolucradosensufuncionamiento.
1.2.311.CAMPOMAGNTICO
Lacreacindelasondaselectromagnticasporlacorrienteelctricaesuna delas
mltiples manifestaciones de la estrecha relacin que hay entre los fenmenos
elctricos y magnticos. Todo desplazamiento de electrones engendra en la
proximidadunestadoparticulardelespacioquesedenominaCAMPOMAGNTICO.
Laagujaimantadadeunabrjula,orientndoseperpendicularmentealconductor,
denota la presencia de un campo magntico creado alrededor de un conductor
recorrido por una corriente. Si se invierte el sentido de la corriente, la aguja gira
media vuelta, lo que demuestra que el campo magntico tiene una polaridad que
est determinada por el sentido de la corriente. El campo magntico de un
conductor se puede hacer ms intenso arrollando este conductor ( hilo metlico)
en forma de bobina. Los campos magnticos de las espiras se suman y la bobina
recorrida por la corriente acta a modo de un verdadero imn recto. La accin de
esteimnserefuerzaintroduciendounabarradehierroenelinteriordelabobina.
El hierro presenta a las fuerzas magnticas mayor PERMEABILIDAD que el aire.
Entonces el campo magntico se concentra en el NCLEO MAGNTICO as
constituido,yobtenemosunELECTROIMN.Sielncleoesdehierrodulce,pierde
su imantacin cuando se interrumpe la corriente (no conserva ms que una
pequeapartededichaimantacin).Siesdeacero,permaneceimantado.Poreste
procedimientosefabricanactualmentelosimanesartificiales.
1.2.312:INDUCCION
As como las variaciones de la corriente elctrica producen variaciones del campo
magntico que ha creado, inversamente, las variaciones del campo magntico
ElectrnicaAnalgicaII
63
engendran corrientes variables en los conductores. As es como aproximando o
alejando entre s un imn y una bobina hacemos aparecer en sta una corriente
peroslomientrassemuevaelimn,esdecirdurantelavariacindelcampo.Hay
que sealar que es la variacin y no la simple presencia de un campo lo que
engendralascorrientesenelconductor.Enlugardeunimn,sepuedeaproximar
un electroimn formado por una bobina recorrida por una corriente continua; el
resultado ser el mismo. Tambin se puede fijar esta bobina en la vecindad o
proximidaddelaotrayhacerquesearecorridaporunacorrientevariable;as,una
corriente alterna que recorra la primera bobina originar una corriente alterna en
la segunda. Estamos en presencia de los fenmenos de INDUCCIN. Sin que sea
necesario establecer un contacto material, hay un ACOPLAMIENTO MAGNTICO
entrelasdosbobinasenelconjunto,constituyendoasuntransformadorelctrico.
1.2.313:LEYDELENZ
Seobservaquelacorrienteinducidaseoponeencadainstantealasvariacionesde
la corriente inductora. Cuando esta aumenta, la corriente inducida circula en el
sentido opuesto. Y cuando la corriente inductora disminuye, la corriente inducida
circula en el mismo sentido. Los fenmenos de induccin obedecen segn esto a
unaley muygeneral delanaturaleza:ladela accinydelareaccin.Lacorriente
inducida depende de la velocidad de variacin de la corriente inductora as como
desuintensidad.
Fig.1.23
1.2.314:AUTOINDUCCION
Si la corriente que circula por una bobina, induce corrientes en otras bobinas
colocadas en su proximidad, con ms razn las induce en las propias espiras de la
bobina por la que circula. Este fenmeno de Autoinduccin est sometido a las
mismasleyesquelasquerigenlainduccin.Porconsiguiente,cuandolaintensidad
delacorrientequecirculaporlabobinatiendeaaumentar,seoriginaunacorriente
de autoinduccin en sentido opuesto, que retarda el aumento de la corriente
inductora. Por esta razn, si se aplica una tensin continua a una bobina, la
corriente que en ella se establece no puede alcanzar instantneamente su
intensidad normal; para esto necesita un cierto tiempo, tanto ms largo cuanto
ElectrnicaAnalgicaII
64
ms elevada es la autoinduccin de la bobina. Del mismo modo, cuando
aumentamos progresivamente la tensin en los extremos de la bobina, la
intensidaddelacorrienteseguiresteaumentoconunciertoretardo,actuandola
corriente deautoinduccinensentidoopuesto.Porelcontrario,sidisminuimosla
tensinaplicadaalabobina,tambinseproducirladisminucindeintensidadcon
un cierto retardo, circulando entonces la corriente de autoinduccin en el mismo
sentido que la corriente inductora y prolongndola en cierto modo. En el caso
extremo, cuando se suprime bruscamente la tensin aplicada a una bobina (
abriendo, por ejemplo, un interruptor), la variacin muy rpida de la corriente
inductora provoca una tensin inducida que puede ser de valor elevado y originar
unachispaquesalteentreloscontactosdelinterruptor
1.2.315:INDUCTANCIA
Cuando se aplica una tensin alterna a una bobina de autoinduccin, la corriente
alternaquecreaproduceuncampomagnticoalternoque,asuvez,mantieneuna
corriente de autoinduccin que se opone constantemente a las variaciones de la
corriente inductora y, en consecuencia, impide que sta alcance la intensidad
mxima que hubiera podido tener en ausencia de autoinduccin. No olvidemos
que, cuando la corriente inductora aumenta, la corriente inducida va en sentido
inversoy,porconsiguiente,deberserrestada.Esteefectoseentiendecomosila
resistencia normal (se dice hmica) del conductor se sumase a otra resistencia
debida a la autoinduccin. Esta resistencia de autoinduccin o INDUCTANCIA es
tanto ms elevada cuanto mayor es la frecuencia de la corriente (puesto que las
variaciones ms rpidas de la corriente inductora suscitan corrientes de
autoinduccinmsintensasypuestoquelapropiaautoinduccinesmselevada).
La autoinduccin de una bobina depende nicamente de sus propiedades
geomtricas, nmero y dimetro de espiras y su disposicin. Aumenta con el
nmero de espiras. La introduccin en ella de un ncleo de hierro intensifica el
campo magntico y eleva la autoinduccin en proporciones considerables. La
autoinduccindeunabobinaseexpresaenHENRIOS(H)oensubmltiplosdeesta
unidad,elMILIHENRIO(mH)queeslamilsimadelhenrioyelMICROHENRIO(H),
millonsimadelhenrio.
1. Lacorrienteinductoraaumentamuyrpidamente.Lacorrienteinducidaesde
sentidocontrario.
ElectrnicaAnalgicaII
65
2. La corriente inductora no vara durante un corto intervalo. La corriente
inducidaesnula.
3. Lacorrienteinductoradisminuye.Lacorrienteinducidatieneelmismosentido.
4. La corriente inductora no vara durante un corto intervalo. La corriente
inducidaesnula
Fig.1.24
1.2.316:ECUACIONESDELTRANSFORMADOR
En el siguiente grfico mostramos un transformador con dos arrollamientos. Si
utilizamoslatransformadadeLaplaceobtenemoslasecuacionesquedescribensu
funcionamiento.Enellasestamosdespreciandolasresistenciasdelosdevanados.
Fig.1.25
V1=sLpI1+sMI2 (1.72)
V2=sMI1+sLsI2 (1.73)
Enconsecuencia,todocircuitoquetengalasmismasecuacionesdeltransformador
podrserreemplazadoporl,sinquevarenlastensionesnicorrientes
Fig.1.26
1.2.317:TRANSFORMADORIDEAL:
Elconceptodeltransformadoridealesunasimplificacinquepermiterepresentar
transformadores reales y puede ser utilizado como modelo inicial de un
transformador.
Si: VpeIpsonlatensinycorrienteaplicadasalprimario,y
VseIssonlatensinycorrienteenelsecundario
Secumplir:
Vp*Ip=Vs*Is (1.73)
Sedefinelarelacindetransformacincomo:
n=Vp/Vs (1.74)
Reemplazando1.74en1.75obtenemos:
n=Is/Ip (1.75)
ElectrnicaAnalgicaII
67
Si dividimos Vp entre Ip obtendremos la impedancia (Zp) que se ve desde el
primario:
Zp=Vp/Ip=Vs*Is/Ip
2
=n
2
Vs/Is
DondeVs/Isrepresentalacargacolocadaenelsecundario:
Osea: RL=Vs/Is
Porello,llegamosalasiguienteexpresin:
Zp=n
2
RL (1.76)
Fig.1.27
Empleandolaecuacin1.63:
PL=(I
2
Cm
n
2
RL)/2 (1.77)
Luego: PLmx=(I
2
CQ
n
2
RL)/2 (1.78)
1.2.33.POTENCIAPROMEDIOENTREGADAPORLAFUENTEDC
Empleandolaecuacin1.66:
P
CC
=V
CC
I
CQ
1.2.35.EFICIENCIA:Aplicandolaecuacin1.68:
=I
2
CQ(n
2
RL
/2)/V
CEQ
I
CQ
(1.79)
encondicionesideales[VCEQ=VCCyde1.67]
mx==50%
1.2.36.FIGURADEMRITO:Aplicandolaecuacin1.70:
F=P
C
max/P
L
max
EnlascondicionesmximasF=2
Esta figura de mrito es la mxima para este circuito y es la mxima que posee el
amplificadorconacoploportransformador.
PROBLEMA1.7:Enelsiguientecircuitosetieneuntransistordesiliciocon=100
yademsPLmx=1W.Halle:
a) ElpuntoQ.
b) R1
c) PCCtotal
d) PCmxyPCmn
e) total
ElectrnicaAnalgicaII
69
Eltransformadoresideal.Lascapacidadestienenreactanciasdespreciables.
SOLUCION:
a) ClculodelpuntoQ:
Laresistenciareflejadaalprimarioes:Rp=n
2
RL=64
Como ya est definida la potencia de salida, usamos la ecuacin 1.78 para
calcularICQ:
PLmx=(I
2
CQ
n
2
RL)/2
Yobtenemos: ICQ=177mA
RectaDC: 12=VCE+2IE
Como:>>1entonces:IE=ICyobtenemos: 12=VCE+2IC
C1
12V
Re
2
Ce
T
2:1
1 5
4 8 R1
R2
22
Vg
RL
16
Q
Fig.1.28
LarectaDCcontienealpuntodeoperacinypodemosobtener:
VCEQ=11.64V
b) ClculodeR1:
La tensin en la base del transistor respecto a tierra es: VB = VBE + IE (Re) =
1.054V
LacorrientequecirculaporR2es: IR2=1.054/22=47.9mA
ConestosdatospodemoscalcularR1:
R1=(121.054)/(0.0479+0.177/100)=(10.946)(0.04967)=220.37
ElectrnicaAnalgicaII
70
c) ClculodePCCtotal:
PCCtotal=V
CC
(I
CQ
+IR1+IB)=12(0.177+0.0479+0.177/100)=2.72W
d) ClculodePCmxyPcmn:
El transistor en clase A disipa mxima potencia cuando no tiene seal de
entrada:
PCmx=VCEQ*ICQ=(11.64)(0.177)=2.06W
EltransistorenclaseAdisipamnimapotenciacuandotienemximasealde
entrada:
PCmn=VCEQ*ICQPLmx=2.061=1.06W
e) Clculodetotal
total=PLmx/PCC=1/2.72=36.8%
PROBLEMA1.8:Enelsiguientecircuito,halle:
a) ElpuntoQ
b) PLmx Eltransistoresdesiliciocon=100
c) PCC
d) total
Lascapacidadestienenreactanciadespreciable.
SOLUCION:
a) ClculodelpuntoQ:
RectaDC: 12=VCE+4IE
Como:>>1entonces:IE=ICyobtenemos: 12=VCE+4IC
Recta AC: La resistencia reflejada al primario por el transformador es: Rp =
n
2
RL=16
Luego: vce=18ic
Re1noescortocircuitadaporCeyporellotambinintervieneenlarectaAC.
Fig.1.29
Laresistenciadethevenines: Rb=470//56=50
Latensindethevenines: Vbb=(12*56)/(470+56)=1.28V
ParahallarICQplanteamoslaecuacinenlamallabaseemisor:
Vbb=IBRb+VBE+IE(Re1+Re2)=(50/101)IE+0.7+4IE
ResolviendoparaIEobtenemos: IE=IC=0.13A
ReemplazandoenlarectaDCobtenemosVCEQ:VCEQ=11.48V
b) ClculodePLmx
De1.78:PLmx=(I
2
CQ
n
2
RL)/2
Conviene usar la expresin en funcin de la corriente porque tambin hay
cada de seal en Re1. Si empleramos la ecuacin en funcin del voltaje,
tendramosqueaplicarlaecuacindeldivisordevoltajeparahallarlatensin
de seal que cae en el primario, que es lo que nos interesa para calcular la
potenciaquellegaalacarga.
Efectuando: PLmx=135.2mW
c) ClculodePCC:
Sabemosque: P
CC
=V
CC
I
CQ
Estaexpresinseusacuandosepuededespreciarlacorrientequecirculapor
R1. Cuando nos piden hallar la eficiencia total, significa que no debemos
despreciar IR1 Por esta razn la calcularemos para hallar un valor ms exacto
dePCC
Entonces: P
CC
=V
CC
(I
CQ
+IR1)
ElectrnicaAnalgicaII
72
La tensin en la base del transistor respecto a tierra es: VB = VBE + IE (Re1 +
Re2)=1.22V
Luego: IR1=(121.22)/470=23mA
Ahorapodemoscalcular: PCC=12(0.13+0.023)=1.836mW
d) Clculodetotal
total=PLmx/PCC=135.2/1836=7.36%
Observamos que al no tenerse el punto de operacin para mxima excursin
simtrica,ademsdeRe1eIR1,hacenquelaeficienciasemuybaja.
SOLUCION:
Emplearemoselsiguienteesquemacircuital:
C1
12V
Re
Ce
T
n:1
1 5
4 8 R1
R2 Vg
RL
3
Q
Fig.1.30
ElectrnicaAnalgicaII
73
El primer paso es determinar el punto de operacin necesario para lograr la
potencia requerida en la carga, teniendo en cuenta que no deben excederse los
valoresdetensin,corrienteypotenciaespecificadosparaeltransistor.
Comoeltransistorsoportaunatensinmximade20V,elpuntodeoperacinno
debesermayorque10voltios,debidoaqueenestoscircuitoseltransistormaneja
unatensinmximaigual2VCEQ.Adems,porseguridadyporquelatensinde
saturacinesde1V,esconvenientequeelpuntodeoperacinseamenorque10
Vparanotrabajarenellmite.
RectaDC: 12=VCE+(12)IC+IERe
Acontinuacinobtenemos: 12=VCE+(12+Re)IC
Porlasconsideracionesanterioresemplearemos. VCEQ=8V
DeterminaremosICQenfuncindelapotenciarequeridaenlacarga:
Laresistenciareflejadaalprimarioes:Rp=n
2
(RL+rs)
Vemosquelaresistenciadeldevanadosecundariotambinsereflejaalprimarioy
consumirpotenciadeseal.
Lapotenciamximaquepuedeentregareltransistores:
PLmx=I
2
CQ
n
2
(RL+rs)/2
Comolacargadeberecibir0.5W,debecumplirse:
0.5=I
2
CQ
n
2
(RL)/2 yobtenemos:n
2
I
2
CQ
=1/3
Entonces: rp+n
2
(RL+rs)=70
ElectrnicaAnalgicaII
74
Deestaecuacinobtenemoselvalornecesarioden:n=4.01
AcontinuacinhallamosICQ: ICQ=144mA
PodemosdeterminarahoraelvalordeReusandolaecuacindelarectaDC
12=8+(12)(0.144)+(Re)(0.144)
Dedonde: Re=16
ObtendremosahoralosvaloresnecesariosparaR1yR2
Latensinenlabasedeltransistorrespectoatierraes:VB=VBE+IE(Re)
Eneltransistordegermaniotenemosunvoltajebaseemisor:VBE=0.3V
Luego: VB=0.3+(0.144)(16)=2.6V
Lacorrientedebasees: IB=144mA/200=0.72mA
Paraquehayabuenaestabilidaddelpuntodeoperacinharemosquelacorriente
que circula por R2 sea mucho mayor que IB adems que el valor de R2 debe ser
comercial:
IR2=20IB=14.4mA
Entonces: R2=2.6V/14.4mA=180
Acontinuacin: R1=(122.6)V/(14.4+0.72)mA=620
Lapotenciamximaquedisipareltransistores:
PCmx=VCEQICQ=8*(0.144)=1.15W
Estapotenciaesinferioralamximaquepuedesoportareltransistor.
Elsiguientepasoessimularelcircuitoparaverificarsiesnecesariohacerajustesa
losvalorescalculados.
Fig.1.31
SOLUCION:
a) Clculodelvalordenparaobtenermximapotenciaenlacarga:
Laimpedanciareflejadaalprimarioes:Rp=n
2
(RL)=8n
2
TensindeThevenin: Vb=10(3/(17+3)=1.5V
ResistenciadeThevenin: Rb=17//3=2.55
Planteandolaecuacinenlamallabaseemisor:Vb=IBRb+VBE+IERe
1.5=IEQ(2.55/21)0.7+IEQ=1.12IEQ0.7
Dedonde:IEQ=0.71A
Luego: ICQ=IEQ[/(1+)]=0.68A
RectaDC: VCC=VCE+IERe
10=VCEQ0.71
Dedonde:VCEQ=9.29V
Lamximatensinpicoquepuederecibireltransformadores:
Vp=9.292=7.29V
ElectrnicaAnalgicaII
76
Lamximacorrientepicoquepuederecibireltransformadores:Ip=0.68A
Laimpedanciareflejadaalprimarioser:Rp=Vp/Ip=10.72
Dedonde:n
2
=10.72/8=1.34 Luego: n=1.16
b) ClculodePLmx
Lamximapotenciaquepuederecibireltransformadores:Pp=7.29*0.68)/2
Pp=2.48W
Dado que la eficiencia del transformador es del 80%, la mxima potencia que
llegaalacargaes: PLmx=(0.8)(2.48)=1.98W
c) ClculodePCmx
Eltransistordisipamximapotenciacuandonotieneseal.Entonces:
PCmx=VCEQICQ=(9.29)(0.68)=6.32W
d) ClculodePCC
Debido a que las resistencias de polarizacin son pequeas, debemos
considerarlacorrientequecirculaporellas.Entonces: PCC=(10)(ICQ+IR1)
Luego: IR1=[10(1.41)]/17=0.505A
Reemplazando: PCC=(10)(0.680.505)=13.05W
SOLUCION:
Emplearemoselsiguienteesquemacircuital:
RectaDC: VDD=IDrp+VDS+IDRs
RectaAC: 0=id(rp+n
2
(RL+rs)+vds
RectadeM.E.S.: vDS1=iD(rp+n
2
(RL+rs)=35iD
ElectrnicaAnalgicaII
77
Obtencindelpuntodeoperacinparamximaexcursinsimtrica:
Lamximapotenciaquerecibeelprimarioes: Pp=I
2
DQ(rp+n
2
(RL+rs)/2
Lapotenciaquellegaalacargadebeser1W:
PL=I
2
DQ(n
2
RL)/2=1
Dedonde:IDQ=0.25A
Luego: VDSQ=35IDQ+1=9.75V
rp
Vg
Cs
Q
IRF840
R2
VCC
Ca1
RL
8
Rs
T
2:1
1 5
4 8
R1
rs
Fig.1.32
ObtencindeVGSQparalograrlacorrientedelpuntodeoperacin:
EnelMOSFETsecumple:IDQ=K(VGSQVT)
2
Empleandolosdatosdelproblema1.2obtenemos:VGSQ=3.42V
ObtencindeRs: Paralograrbuenaestabilidaddelpuntodeoperacin
emplearemosunvalordeRs=(VGSQ+VT)/IDQ=25.7
Elvalorcomercialmscercanoes:Rs=27/2W
Obtencindelvoltajedelafuentedealimentacin:RectaDC:
VDD=IDrp+VDS+IDRs=(0.25)(1)+9.75+(0.25)(27)=17V
ObtencindeR1yR2:
Latensinenlacompuertarespectoatierraes:
VG=VGSQ+IDQRs=3.42+(0.25)(27)=10.17
Siempleamosunvalorcomercial: R1=15K/0.5W
PodemoscalcularR2: R2=(1710.17)/0.68=10K/0.5W
ObtencindeCs:
LaresistenciaaproximadaqueveCsesRs.Comoestaresistenciaes
pequea,haremosqueCsdetermineellmiteregindebajafrecuencia.
ElectrnicaAnalgicaII
78
Sifijamosestelmiteen100Hz,podemosigualar:
RsCs=1/[2(100)]=0.0016
Luego: Cs=58.9uF
Ypodemosemplearelvalorcomercialmscercano: Cs=68uF/10V
ObtencindeCa1:
LaresistenciaqueveCa1esmuchomsalta.HaremosqueCa1acteauna
frecuenciamuchomenorque100HzparaquenoinfluyaalavezqueCs.
Sifijamossuoperacinen10Hz,podemosigualar:
[R1//R2]Ca1=1/[2(10)]=0.016
Luego: Ca1=2.7uF
Ypodemosemplearelvalorcomercial: Ca1=2.7uF/16V
PROBLEMA1.12:DiseeelamplificadorclaseAmostrado,empleandoeltransistor
MPSW01 que tiene = 50 y VCE.sat = 2V, VBE = 0.7V. La potencia de salida debe
ser0.5W1KHz,encargade8.
SOLUCION:
RectaDC: VCC=8IC+VCE+IERE
Potenciaenlacarga: PL=0.5W=Vm
2
/2RL=Vm
2
/16
1kHz
V1
-300m/300mV
+
-
VCC
10V
+
C1
100uF
+
CE
220uF
Q1
MPSW01
R2
39
R1
96
RE
5.6
RL
8
ElectrnicaAnalgicaII
79
HallamosVm: Vm=2.8V
Latensindeoperacines: VCEQ=Vm+VCE,sat=2.8V+2V=4.8V=5V
Redondeamoselvoltajea5V.
Lacorrientedeoperacines: ICQ=Vm/RL=0.35A
Calculamoslareddepolarizacin:
Paramejorestabilidadelegimos: VE=IERE=2V
Obtenemos: RE=2V/0.35(1+1/50)A=5.6
DelaRectaDC: VCC=8(0.35)+5+2=10V
HacemosquelacorrienteenR2seamuchomayorqueladebase:
(2V+0.7V)/R2>>0.35A/50 R2<<2.7V/0.007=385.7
R2=39
CalculamosR1: R1=(10V2.7V)/(2.7V/39+0.35/50)=96
R1=96
Calculamoslacapacidaddeacoplodeentrada:
Hacemos: XC1<<(96)//(39)//(1+50)(5.6)1KHz C1<<6.3uF
Elegimos: C1=100uF
Conelprogramasimuladorajustamoselvoltajedesealdeentradaparaobtener
mximaexcursinenlasalida:
TENSINDESEALDESALIDACONEXCITACINPORFUENTEDETENSION:
0.000ms 1.500ms 3.000ms 4.500ms
10.00 V
8.000 V
6.000 V
4.000 V
A: q1_1
Elvoltajepicoes2.84V
ElectrnicaAnalgicaII
80
TENSINDESALIDACONEXCITACINPORFUENTEDECORRIENTE:
0.000ms 1.500ms 3.000ms 4.500ms
10.00 V
8.000 V
6.000 V
4.000 V
A: q1_1
Elvoltajepicoes2.84V
Observamosquelaformadeondamejora(menosdistorsin)cuandolasealde
entradaesdecorriente.
TENSINDESALIDACONEXCITACINPORFUENTEDECORRIENTEY
REALIMENTACINNEGATIVA:
Seobservaquelaformadeondaesmssimtricaacostadetenerqueelevarla
sealdeentrada.
0.000ms 1.500ms 3.000ms 4.500ms
10.00 V
8.000 V
6.000 V
4.000 V
A: q1_1
Elvoltajepicoes2.80V
ElectrnicaAnalgicaII
81
1kHz
V1
-40m/40mA
+
-
VCC
10V
+
C1
100uF
+
CE
220uF
Q1
MPSW01
RE1
2.2
R3
10k
R2
39
R1
96
RE2
3.4
RL
8
A
DISIPADORESDECALOR(HEATSINKS)
Los disipadores de calor son componentes metlicos que utilizan para evitar que
algunos elementos electrnicos como los transistores se calienten demasiado y se
daen.
Elcalorqueproduceuntransistornosetransfiereconfacilidadhaciaelairequelo
rodea.
Algunos transistores son de plstico y otros metlicos. Los que son metlicos
transfierenconmsfacilidadelcalorquegeneranhaciaelairequelorodeaysisu
tamaoesmayor,mejor.
Lahabilidaddetransmitirelcalorsellamaconductanciatrmicayasurecprocose
le llama resistencia trmica (Rth) que tiene unidad de C / W (grado Centgrado /
Watt).
ElectrnicaAnalgicaII
82
Ejemplo:SielR
TH
deuntransistores5C/W,estosignifica,quelatemperaturasube
5CporcadaWattquesedisipa.
Ponindoloenformadefrmulaseobtiene:=T/P,Donde:
=resistenciatrmica
T=temperatura
P=potencia
Lafrmulaanteriorseparecemuchoaunafrmulaportodosconocida(Laleyde
Ohm).R=V/I.DondesereemplazaVporT,IporPyporR.
Analizandoelsiguientediagrama:
Donde:
TJ=Temperaturamximaenla"Juntura"(datolosuministraelfabricante)
TC=temperaturaenlaCarcasa.dependedelapotenciaquevayaadisiparel
elementoydeltamaodeldisipadorylatemperaturaambiente.
TD = Temperatura del disipador y depende de la temperatura ambiente y el
valorde
DA
(
D
)
TA=temperaturaambiente
JC
=ResistenciatrmicaentrelaJunturaylaCarcasa
CD
=ResistenciatrmicaentrelaCarcasayelDisipador(incluyeelefectodela
mica, si se pone, y de la pasta de silicona). Mejor si puede usar banda de
siliconaenlugardelamicaylapasta.Siseusamica,esmejorusarlaconpasta
silicona.
DA
= Resistencia trmica entre el Disipador y el Aire (Resistencia trmica del
disipador)(
D
)
Con
JC
=1.5C/W(datodelfabricante),lacadadetemperaturaenestaresistencia
serT=xP=1.5Cx60Watts=90C(verfrmula)
ElectrnicaAnalgicaII
83
Con
CD
= 0.15C/W (se asume que se utiliza pasta silicona entre el elemento y el
disipador),lacadadetemperaturaenR
CD
esT=RxP=0.15x60Watts=9C.
Estosignificaquelaresistenciatrmicadeldisipadordecalorser:
DA
=78C/60
W=1.3C/Watt..Conestedatosepuedeencontrareldisipadoradecuado.
Importante:
Cuando se ponga un disipador de calor a un transistor, hay que evitar que haya
contacto elctrico entre ambos. Se podra evitar esto con plstico o el aire, pero
son malos conductores de calor. Para resolver este problema se utiliza una pasta
especialqueevitaelcontacto.Lavirtuddeestapastaesqueesbuenaconductora
de calor. De todas maneras hay que tomar en cuenta que esta pasta aislante
tambin tiene una resistencia trmica que hay que tomar en cuenta. Es mejor
evitar si es posible la utilizacin de la mica pues esta aumenta el
CD
. El contacto
directo entre el elemento y el disipador, contrario a lo que se pueda pensar,
aumentaelvalorde
CD
,asqueesmejorutilizarlapasta.
PROBLEMASPROPUESTOS
Fig.1.33
ElectrnicaAnalgicaII
84
PROBLEMA P1.2: Disee un amplificador clase A acoplado por transformador,
comoelmostradoenlafigura1.34,paraobtenerunapotenciadesalidade0.5W
en una carga de 3. La impedancia reflejada al primario es 70. Asuma que la
eficienciadeltransformadores70%.
Datosdeltransistor: Vce,sat=1V;Tjmax=100C;Pcmax=4W(65C);B
VCEO
=
30V;icmax=1A;80320
+12V
Q
R2
R1
Ce
Vi
3 Ohmios
Re
n : 1
1 3
2 5
+
vce
-
C1
Fig.1.34
PROBLEMAP1.3:DiseeunamplificadorclaseAacopladoportransformadorpara
obtenerunapotenciade1Wenunacargade8.
Asumaqueeltransformadoresidealconn=2,VCC=12VyVce,sat=2V
Especifiquelascaractersticasdeltransistor.
Asumaqueeltransformadoresidealconn=2.Halle:
a)ElvalordelafuenteDC(VCC).
b)Lapotenciaentregadaporlafuente..
c)Lapotenciamximaquedisipareltransistor.
PROBLEMAP1.5:Enelcircuitomostradoenlafigura1.35,=100,mn=50.
Halle:
a)Elpuntodeoperacinparamximaexcursinsimtrica.
b)R1yR2
c)PLmx
d)PCC
e)PCmxyPCmn
ElectrnicaAnalgicaII
85
f)Laeficiencia
g)Especifiqueeltransistor
+
Vs
-
C
rs = 1
T2
4 : 1
1 5
4 8
Q
rp = 11
R1
RL
4
C
+12Vdc
RE
R2
Vg
Fig.1.35
PROBLEMAP1.6:Enelcircuitomostradoenlafigura1.36,.halle:
R1
c) PLmx
d) Pcc CS
b) R1 y R2
Asuma que las capacidades son muy grandes.
R2
RS
1
C1
f) La eficiencia total
4 : 1
1 3
2 5
IRF630/TO
rp = 11
Vg
e) Pcmx y Pcmn
+15V
a) El punto Q para mxima excursin simtrica
4 Ohmios
rs = 1
Fig.1.36
Fig.1.37
Fig.1.38
PROBLEMAP1.13:Demuestrequelarectademximaexcursinsimtrica(M.E.S.)
cortaalarectadecargadinmicaendospartesiguales.Asumaelcasoideal.
B(1/T1/To)
Donde:
R
T
=Resistenciadeltermistor
R
o
=Resistenciadeltermistora300K
B=Temperaturacaractersticadelmaterial
To=300K
T=temperaturaenK
Elpuntodeoperacindeltransistores:I
CQ
=805mAyV
CEQ
=6.44V27Cytiene:
V
BE
=0.7V,=100,V
CE,sat
=2V.Sisutensinbaseemisordisminuyeen2.5mVpor
cada C de aumento de la temperatura, determine el valor de Ro, B y el punto de
operacina50C.
ElectrnicaAnalgicaII
88
t
RT
NTC
+ 12 V
200
470uF
C
Vg
470uF
Q1
107
20
10
PROBLEMAP1.15:Respondalassiguientespreguntas:
a) PorquelamplificadorclaseAconacoplodecargaportransformadoresms
eficientequeelquetienecargaencolector?
b) PorquelamplificadorclaseBesmseficientequeelqueeldeclaseA?
c) Por qu no se usan parmetros hbridos en el anlisis del amplificador clase
A?
d) Qucaractersticaselctricassonimportantesenuntransistordepotencia?
e) Porquuntransistordepotenciadebeempleardisipador?
f) Por qu no debe desconectarse la carga en un amplificador con acoplo por
transformador,cuandoestfuncionando?
ElectrnicaAnalgicaII
89
BIBLIOGRAFIA
1).CIRCUITOSMICROELECTRONICOS:ANLISISYDISEO
MuhammadRashid
Editorial:InternationalThomsonEditores
2).MICROELECTRONICA:CIRCUITOSYDISPOSITIVOS
MarkN.Horenstein
Editorial:PrenticeHallHispanoamricaS.A.
3)MICROELECTRONICA:CIRCUITOSYDISPOSITIVOS
Sedra
Smith
Editorial:Oxford
4)ELECTRONICCIRCUITS:DISCRETEANDINTEGRATED
Schilling,DonaldL.
Belove,Charles
Editorial:McGrawHillKogakusha,Ltd.
5)DISPOSITIVOSYCIRCUITOSELECTRNICOS
Millman,Jacob
Halkias,CristosC.
Editorial:McGrawHillBookCompany
6).ANLISISYDISEODECIRCUITOSELECTRNICOSINTEGRADOS
PaulE.Gray
RobertMeyer
Editorial:PrenticeHallHispanoamricaS.A.
7).COMMUNICATIONCIRCUITS:ANALYSISANDDESIGN
Clarke,Kenneth
HessT.Donald
Editorial:AddisonWesleyPublishingCompany
8).MANUALRCASC15
9).MANUALDEAMPLIFICADORESDEBAJAFRECUENCIATRANSISTORIZADOS
FranciscoRuizVasallo
Editorial:EdicionesCEACBarcelona2da.Edicin1979
ElectrnicaAnalgicaII
90
10).MANUALDEBAFFLESYALTAVOCES
FranciscoRuizVassallo
Editorial:EdicionesCEACBarcelona3da.Edicin1981
ElectrnicaAnalgicaII
91
1.3:AMPLIFICADORESCLASEBYAB
En este tipo de amplificador el punto de operacin se ubica en la zona de corte,
tanto para el BJT como para el FET. La seal circula durante 180 de su perodo.
Cuandoestosucede,sedicequeelamplificadortrabajaenclaseB.Paraamplificar
laondacompletaesnecesariousardosdeestosamplificadores.
Cuandoelpuntodeoperacinseubicaantesdelazonadecorte,demaneraquela
seal circule ms de 180 y menos de 360 de su perodo, se dice que el
amplificador trabaja en clase AB. Esto se hace para evitar la distorsin de cruce,
quesevermsadelante.Sinembargo,comoelpuntodeoperacinnormalmente
siguecercadelazonadecorte,selepuedeseguirtratandocomounamplificador
claseB
Acontinuacinestudiaremoslasconfiguracionesmsconocidas.
1.3.1:AMPLIFICADORDEPOTENCIACLASEB,ENSIMETRIACOMPLEMENTARIA
Este tipo de amplificador es uno de los ms utilizados y emplea dos transistores
complementarios (uno NPN y otro PNP) de manera que uno amplifica el semiciclo
positivo de la seal y el otro el semiciclo negativo. Tal amplificador es llamado
AMPLIFICADORDESIMETRIACOMPLEMENTARIA.
Sedenominantransistorescomplementarios(oparmachadoomatchedpair)aun
par de transistores tipo PNP y NPN cuyas caractersticas de ganancias, corrientes,
tensiones,potencias,etc.,sonigualesomuysimilares.
1.3.11:CIRCUITOBASICO
PARLANTE
V1 = VCC / 2
VCC
Q1
Vin
V2 = VCC / 2
Q2
Fig.1.39:Circuitobsicodeunamplificadordesimetracomplementaria.
ElectrnicaAnalgicaII
92
Se hace V
2
=V
CC
/2conlafinalidadque: V
CEQ1
= V
CEQ2
= V
CC
/2 ylos dos transistores
estn al corte simultneamente (clase B). De lo contrario, si V
1
es mayor que V
2
,
entonces conducir Q
1
y se cortar Q
2
(I
CQ1
> 0, I
CQ2
= 0); y si V
1
es menor que V
2
entonces conducir Q
2
y se cortar Q
1
(I
CQ2
> 0, I
CQ1
= 0), lo cual no permite una
operacinsimtricadelosdostransistores.
Latensincontinuaenlaunindelosemisoresser:VE
=V
CC
/2
Sepuedeverconlascondicionesanterioresque:
V
BE1
=V
BE2
=0 e I
CQ1
=I
CQ2
=0
Q
1
conduce,Q
2
cortado Q
2
conduce,Q
1
cortado
IL2
V1 = VCC / 2
IL1
Q1
Q2
Parlante
Q2
E
VCC
V2 = VCC / 2
E
RL
Parlante
E
+
Vin
-
RL
B B
E
V1 = VCC / 2
Q1
-
Vin
+
VCC
V2 = VCC / 2
Fig.1.40a.SemiciclopositivodeV
in
Fig.1.40b.SemiciclonegativodeV
in
En el semiciclo positivo de V
in
(figura 1.40a) la tensin en las bases se hace ms
positivaquelatensinenlosemisores:
V
B
>V
E
LocualhacequeQ
1
conduzcayQ
2
permanezcaencorte.
Elsentidodelacorrienteseindicaenlafigura.NtesequeI
L1
=iE
1
ElectrnicaAnalgicaII
93
Paraelsemiciclonegativo:
VB<VE
LocualcortaaQ1yhaceconduciraQ2.Elsentidodelacorrientesemuestraenla
figura1.40b,eIL2=iE2.
Deestemodo,lacargaestalimentadamediociclodeVinporQ1yelotromedio
cicloporQ2
0 0 . 1 0 . 2 0 . 3 0 . 4 0 . 5 0 . 6 0 . 7 0 . 8
0
0 . 5
1
1 . 5
2
2 . 5
3
3 . 5
4
4 . 5
5
x 1 0
- 9
C U R V A C A R A C T E R I S T I C A D E L A J U N T U R A B A S E - E M I S O R
V ( v o l t i o s )
I
(
a
m
p
e
r
i
o
s
)
Fig.1.41
Latensindesalidatienelaformaqueseobservaenlafigura1.42:
0.000ms 1.000ms 2.000ms 3.000ms 4.000ms 5.000ms
6.300 V
6.100 V
5.900 V
5.700 V
VL
Fig.1.42
ElectrnicaAnalgicaII
94
Sepuedenotarenestafigura,queexisteciertazonaalrededordelospuntosVb=0,
para los cuales ninguno de los transistores conduce, lo que acarrea una distorsin
enlaformadeondaenlasalida(proporcionalalaseali
B1
i
B2
),llamadadistorsin
por cruce (o de cross over). Esta distorsin se evita polarizando directamente las
junturasbaseemisordeQ1yQ2demodoqueexistaentreellasunatensiniguala
latensindecodo(V).
Una forma simple de lograr esto, es colocando una resistencia (de pequeo valor)
entrelas basesde Q1 y Q2 de modoqueseocasiona unacada detensinen ella
suficienteparatenerpolarizadosligeramentealostransistores(verfigura1.43).
R4
R
E
Ca1
VCC
+
Vin
- Q3
RL
C2
Q2
E
R2
+
Vrd
-
IL1
R1
Ird
VDD
RD
Q1
Parlante
Fig.1.43
Debecumplirse: Vrd=IrdR
D
=V
BE1
+V
EB2
LaeleccindeR
D
parapolarizaradecuadamentelajunturabaseemisordeQ1yQ2,
esunpocodelicada,debidoaqueunapequeavariacindelatensinV
BE
provoca
grandes cambios de corriente de colector, por lo cual, con un valor demasiado
pequeo de V
RD
no se eliminar satisfactoriamente la distorsin de cruce. En
cambio,silatensinesdemasiadogrande,traecomoconsecuenciadistorsinpara
niveles grandes de seal, ya que cada transistor conducir ms de medio ciclo, lo
cual har que las corrientes de conduccin de un transistor se traslapen con las
corrientesqueconduceelotrotransistor.
ElectrnicaAnalgicaII
95
Prcticamente, entonces, el amplificador debe trabajar en clase AB. Pero la
corriente de colector, para evitar la distorsin de cruce, es tan pequea que se
puede decir que su forma de trabajo es clase B. La polarizacin de las junturas
baseemisorsehaceparaquecumpladosfunciones:
a) Evitarladistorsindecruceocrossover.
b) EstabilizarlapolarizacindeQ1yQ2contravariacionesdetemperatura.
Enlafigura1.43sepuedenotarquelatensinbaseemisordelostransistoresesta
determinada por la cada de tensin en la resistencia de polarizacin R
D
, lo cual
darunaciertacorrientedecolectorpequeaaQ1yQ2afindequeevitenelcross
over,elcual,comosemencion,debetenerunvalorptimoparaevitardistorsin.
Pero, si por cualquier motivo (variacin de temperatura ambiente, calentamiento
deltransistor,etc.)latemperaturadeltransistorvara,estocausaunavariacinde
la tensin baseemisor (aproximadamente 2.5mV/C) como se ve en la figura
1.44,locualocasionarunavariacindelacorrientedecolectorquepuedellevara
clase C al amplificador (para bajas temperaturas) o a clase A (para altas
temperaturas)locualocasionargrandistorsiny/odisipacindepotencia.
ElectrnicaAnalgicaII
96
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
x 10
292
C
V (voltios)
IE
(amperios)
T= 25grados
T = 50 grados
Fig.1.44
UnaformadeevitarestosefectosindeseableseshaciendoquelatensinV
RD
vare
de manera similar a la variacin de V
BE
con la temperatura, lo cual se logra
colocando,enlugardeR
D,
untermistorNTC(NegativeTemperatureCoefficient)de
similar coeficiente de temperatura que el diodo baseemisor. De esta forma la
tensin en el termistor disminuir del mismo modo como V
BE
disminuye
manteniendosiemprelacorrientedecolector(proporcionalalacorrientedebase)
enunvalorcasiconstante.
Lafigura1.45muestra4formastpicasdepolarizacin.Enlafigura1.45asecoloca
una resistencia en paralelo con el termistor con el fin de aproximar el coeficiente
detemperaturaequivalentealdeldiodobaseemisor.
Lasfiguras1.45bycmuestranlapolarizacinpordiodo,estostrabajanpolarizados
en sentido directo y deben exhibir el mismo coeficiente de temperatura que el
correspondientealosdiodosbaseemisordelostransistores.En1.45b,Rdayudaa
conseguir la necesaria polarizacin de baseemisor y en 1.45c, Rd1 y Rd2 sirven
comodivisoresdetensincuandoV
D
esmayorquelanecesaria,parapolarizarlas
junturasbaseemisor.
Figura1.45
Losproblemasanterioressoneliminadosenformamsefectivacuandoseemplea
untransistorregulador.Dadoqueelpuntodeoperacin,extremadamentecrtico,
es difcil de mantener, podemos usar un transistor regulador de voltaje y lograr
controlarfcilmentealpuntodeoperacinmedianteunpotencimetro.
Laentradaesaplicadamediantedoscondensadoresdeacoplo.
Figura1.46
1.3.14:PUNTOSDEOPERACIN
Seaelcircuitodelafigura1.47:
Haremoslassiguientesaproximaciones(justificadasenlaprctica):
Re<<RL
Q1complementariodeQ2
1=2>>1
Silascondicionesanterioressecumplen,podemosafirmarque: iCiE
RECTASDECARGAESTATICA:
ComoVE=Vcc/2
ElectrnicaAnalgicaII
99
VCC
RL
Q1
Re
Entrada
C
Q3
E
VDD
R1
R3
R2
C1
Q2
Re
R4
Figura1.47
VCC=V
CE1
+VE (1.80)
VE=V
CE2
(1.81)
Ademslostransistoresestnpolarizadosalcorte:
ICQ1=ICQ2=0
Entonces:
RectadecargaDCparaQ1:
De(1.80)................. V
CEQ1
=Vcc/2 (1.82)
RectadecargaDCparaQ2:
De(1.81)................. V
CEQ2
=Vcc/2 (1.83)
Estarectaseilustraenlafigura1.48.DadoqueI
CQ1
=I
CQ2
=0,elpuntodeoperacin
yaestadeterminado.
ElectrnicaAnalgicaII
100
VCE
IC
VCE = VCC / 2 0
Figura1.48
RECTASDECARGADINAMICA:
Enelcircuitodelafigura1.47,paraa.c:
v
CE1
=i
C1
R
e
i
C1
R
L
=i
C1
(R
e
+R
L
) (1.84)
v
CE2
=i
C2
(R
e
+R
L
) (1.85)
ParapodergraficarestasrectasenelplanoIcVceesnecesariohacerelcambiode
coordenadasconayudadelassiguientesrelaciones:
i
C
=i
c
+I
CQ
(1.86)
v
CE
=v
ce
V
CEQ
(1.87)
Reemplazando(1.86)y(1.87)en(1.84):
v
ce1
V
CEQ1
=(i
c1
+I
CQ1
)(R
e
+R
L
)
Perocomo:
I
CQ1
=0yV
CEQ1
=Vcc/2
Setiene:
v
CE1
=(Vcc/2)i
c1
(R
e
+R
L
) (1.88)
Yenformaanloga:
v
ce2
=(Vcc/2)i
c2
(R
e
+R
L
) (1.89)
EnlapracticasehaceRL>>Reafindequenohayademasiadaprdidadepotencia
enRe.Entonces(1.88)y(1.89)seconviertenen:
ElectrnicaAnalgicaII
101
Rectadecargaa.c.paraQ1:
v
ce1
=(Vcc/2)i
c1
R
L
(1.90)
Rectadecargaa.c.paraQ2:
v
ce2
=(Vcc/2)i
c2
R
L
(1.91)
Estasrectasdecargaa.c.debernpasarporelpuntoQ,entoncesbastarbuscarel
otropuntodelarecta.Cuando:
v
ce1
=0 i
c1
=I
cmmx
=Vcc/2R
L
(1.92)
v
ce2
=0 i
c2
=I
cmmx
=Vcc/2R
L
(1.93)
Yvemosque: I
cm1mx
=I
cm2mx
Enlafigura1.49seobservanlasdosrectasdecargaparacadatransistor:
VCC / 2RL
AC
AC
DC
vEC2
vCE1
iC1
VCE = VCC / 2
iC2
VCC / 2RL
DC
VCC
0
Q
Figura1.49
Se puede ver en la figura 1.49 que Q1 conduce medio ciclo de corriente y en este
medio ciclo hay una tensin alterna entre Colector y Emisor de Q2 debida a la
tensin alterna en la carga. En el semiciclo en el cual Q1 esta abierto (i
c1
=0),
aparece una tensin v
CE1
, debida a la tensin que hay en RL por la corriente que
conduceQ2.Latensinpicoquesoportaeltransistorllegaatenerunvalorcercano
aldelafuente.
ElectrnicaAnalgicaII
102
Similar anlisis se hace para Q2: Cuando Q2 no conduce, v
CE2
se debe a la tensin
quecaeatravsdeR
L
porconduccindeQ1.Elotrosemicicloenlacargasedebea
laconduccindeQ1.
1.3.15:CLCULOSDEPOTENCIA
Comoyasevi,Q1yQ2trabajanenformasimtrica,demodoqueenlosucesivo
designaremosalasvariablessinsubndices.
1.3.16:POTENCIAENTREGADAALACARGA:P
L
LapotenciamximaenlacargaP
L
mxocurrecuandoI
cm
alcanzasumximo
valorterico:
I
cmmx
=Vcc/2R
L
Paraondasinusoidal:
P
L
max=(I
cmmx
)
2
R
L
/2
=V
2
cc
/8R
L
(1.94)
LapotenciaparacualquiervalordeIcmes:
P
L
=(i
L
eff)
2
R
L
=0.5(I
cm
/)
2
R
L
P
L
=(I
cm
)
2
R
L
/2 (1.95)
1.3.17:POTENCIAENTREGADAPORLAFUENTE:PCC
VCCentregacorrientesloduranteelsemiciclopositivodeVin.
iCC=corrientequeentregalafuente.
Icc=I
cm
/valormediodeicc
Luego:
Pcc=VCCIcc=VccIcm/ (1.96)
Lapotenciamximaentregadaporlafuenteocurrecuando:
I
cmmx
=VCC/2R
L
Reemplazandoen1.96:
P
CC
mx=V
2
CC/2R
L
(1.97)
1.3.18:POTENCIADISIPADAENCOLECTOR:PC
En la figura 1.47 se puede observar que Q1 y Q2 slo disipan potencia en el
semiciclo en el cual conducen, ya que en el resto del ciclo la corriente a travs de
ellosescero.Podemosplantearlosiguiente:Lapotenciadisipadaencadacolector
Pcesentonces:
PC=0.5(VCCIcm/(I
cm
)
2
R
L
/2) (1.98)
ElectrnicaAnalgicaII
103
Estemismoresultadosepudohaberobtenidoaplicandosumatoriadepotencia:
PCC=2PC+PL
VALORMXIMODEPC
Dado que la ecuacin de PC no es lineal (es una parbola cncava hacia abajo),
PCmxnotieneporquocurrirparaI
cmmx
.HallamosentonceselvalorIcmxparael
cualocurrelamximadisipacindecolector,derivandorespectoaIcmeigualando
acero:
(dPc/dI
cm
)=(Vcc/2)(I
cm
R
L
/2)=0
Obtenemos:
Icmx=Vcc/R
L
(1.99)
Reemplazandoen(1.98)obtenemos:
PCmax=V
2
cc
/4
2
R
L
(1.100)
1.3.19:EFICIENCIADELCIRCUITO:
=P
L
/Pcc=((I
2
cm
R
L
)/2)/(VccI
cm
/) (1.101)
Encondicionesmximas,cuando:Icmmx=Vcc/2R
L
:
Reemplazandoen(1.101)
mx=/4=0.785
Enporcentaje: mx=78.5%
1.3.110:FIGURADEMERITO:F
F=PCmax/PLmax (1.102)
(1.100)y(1.94)en(1.102)setiene:
F=1/5=0.2
EstosvaloresdeyF,sonlosmismosquesepuedenlogrartericamenteconlos
otrostiposdeamplificadoresclaseB,paraelcasoideal.
ElectrnicaAnalgicaII
104
Determine:
a)PLmx b)PCCmx c)PCmx d)Laeficiencia e) La figura de
mrito
Q1
AC127
RL
81
Ca1
R2
Vin
Q2
AC128
Re
5.7
VDD
RC
E
Ca2
R1
Re
5.7
+ 12V
R3
Q3
Figura1.50
SOLUCION:
a) ClculodePLmx:
Rectadecargad.c.:
V
CE
=Vcc/2paraQ1yQ2
Como:I
CQ
=0(encorte)elpuntodeoperacinser:
V
CEQ
=Vcc/2 con:I
CQ
=0
Rectadecargaa.c.:
Como se puede comprobar, este valor est por debajo de su mximo valor ideal
queocurrecuandoIcm=69.2mA(osea,cuandoVCE,sat=0)
P
Lmax
ideal=(69.2)
2
x81/2=194mW
ElectrnicaAnalgicaII
105
b) ClculodePCCmx
Delaecuacin1.97,lamximapotenciaentregadaporVcces:
P
CC
max=VccIcm/=12Vx57.7mA/=220.3mW
Elvalormximoideales:
P
cc
ideal=12x69.2/=264.3mW
c) ClculodePCmx:
En la potencia disipada por cada transistor hay que distinguir entre dos
cosas:
1. Lapotenciadisipadaenelcolectornoesmximacuandolaexcursinenla
salidaesmxima,oseacuando:Icmmx=57.7mA.
Adems:P
Re
=
I
2
cm
R
e
/2=(57.7)
2
x5.7/2=9.49mW
Pc=(PccP
L
P
Re
)/2=(2201359.49)/2=37.76mw
2. LaPotenciamximadisipadaencolector,lacualcomosedemostren1.99,
ocurrecuando:Icmx=Vcc/[(RL+Re)]=12/[x(81+5.7)]=44.06mA
En el clculo anterior se incluye el efecto de Re, dado que no la estamos
despreciando.
Conestevaloryreemplazandoen(1.100)
P
cmax
=V
2
cc
/[4
2
(R
L
+Re)]=12
2
/[4
2
(86.7)]=42.1mW
d) Clculodelaeficienciamxima:
mx(en%)=(P
L
max/PCCmax)x100=
(135/220.3)x100=61.3%<
ideal
=78.5%
e) ClculodelaFiguradeMrito
F=P
c
max/P
L
max=42.1/135=0.312>F
ideal
=0.2
Lafigurademritodebeserlomenorposible.
PROBLEMA1.13:Enelcircuitodelafigura1.51,Q1yQ2sonunparmachadocon
=50yVCE,sat=0.5V.Determine:
a)PLmx,b)PCmx,c)PCCmx,d)Laeficiencia,e)Especifiquelostransistores
ElectrnicaAnalgicaII
106
R2
R1
Q1
Ca2
T1
Re = 0.5
R3
+ 12 V
Vin
R4
Re = 0.5
Q2
RL = 8
Figura1.51
SOLUCION:
a) ClculodePLmx:
Rectadecargad.c.:
V
CEQ
=Vcc/2 con:I
CQ
=0
Rectadecargaa.c.:
EnestecasonodespreciaremosReparamostrarlaformadeclculocuandodebe
sertomadaencuenta.
Sepuedenotar,quedebidoaV
CEsat
,i
C
slopodrexcursionarhastaelvalorI
cm
mx
dadopor:
I
cm
mx=((Vcc/2)V
CE,sat
)/(R
L
+Re)
I
cm
mx=(60.5)/8.5=647mA
Delaecuacin1.94,lamximapotenciaobtenibleenlacargaestadadopor:
P
Lmax
=I
2
cm
mxR
L
/2
P
Lmax
=(0.647)
2
x8/2=1.67W
ElectrnicaAnalgicaII
107
b) ClculodePCmx:
LaPotenciamximadisipadaencolector,lacualcomosedemostren1.99,
ocurrecuando:Icmx=Vcc/[(RL+Re)]=12/[x8.5]=449.4mA
Conestevaloryreemplazandoen(1.100)
P
cmax
=V
2
cc
/[4
2
(R
L
+Re)]=12
2
/[4
2
x8.5]=429mW.
c) ClculodePCCmx
Delaecuacin1.97,lamximapotenciaentregadaporVcces:
P
cc
max=VccIcm/=12x0.647/=2.47W
d) Clculodelaeficienciamxima:
mx(en%)=(P
L
max/PCCmax)x100=(1.67/2.47)x100=67.6%
e) Especificacindelostransistores:
La mxima tensin que soporta cada transistor es igual a la fuente de
alimentacin.Entoncesdebecumplirse:
BVCEO>12V
Lamximacorrientequeconducecadatransistores:Icmmx=0.647A
Entonces: iCmx>0.647A
Elegiremosuntransistorquecumplacon: PC>0.429Walatemperatura
detrabajo
1.3.111:ALGUNASOBSERVACIONESIMPORTANTESSOBREQ3:
Se habrn uds. Preguntando: Porqu no es conectada la resistencia del colector
de Q3(Rc) directamenteaVccenlugarde hacerloaV
DD
?La razneslasiguiente:
Refirindose al circuito de la figura 1.47, en las bases de Q1 y Q2 debe haber una
excitacin(seal)devalorligramentemayorquelatensindelosemisores(seal,
queeslamismaquehayenlacarga),yaquesondosseguidoresemisivos,comose
havistoanteriormente,latensindeV
CE
decadatransistorexcursionadesdevCE=
0VhastavCE=Vcc(estaeslamismaexcursinenRc),locualsignificaqueQ3debe
sercapazdedesarrollarunatensinencolectorqueoscileentre0VyVcc.
= Vcc ya que en Rc habr una cada de tensin debida a la corriente de base (en
ElectrnicaAnalgicaII
108
seal) de Q1, lo cual har que el mximo valor de tensin de V
CE3
sea menor que
VCC.
Debidoaquenosiempreesposiblecontarcondosfuentesdiferentes,seutilizaun
artificio que se ve en la figura 1.52 en la cual al condensador C se le conecta el
terminalpositivodelafuenteatravsdeD1ylaresistenciadelcolectoralextremo
delacapacidadC,cuyatensinesigualaV
E
mslatensinalacualsehacargado
en DC el condensador. Como V
E
excursiona desde ms o menos 0 hasta VCC,
cuandollegaaVcc,latensinenelextremosuperiordeR
C
serVcc+tensinDCen
el condensador = 3Vcc/2 lo cual suministra una tensin de refuerzo a Q3 de
modo que ste pueda compensar suficientemente la cada en Rc. Otra forma de
lograrlo es reemplazando D1 por un resistor; la tensin de refuerzo ser menor
perosuficienteparapermitirlamximaexcursin.
Enelcircuitodelafigura1.52,Csuministraelefectomencionado,conlaventajade
tenerlacargaconectadaatierra.
Q1
AC127
RL
Ca1
R2
Vin
D1
Q2
AC128
C
Re
RC
E
Ca2
R1
Re
+ 12V
R3
Q3
Figura1.52
ElectrnicaAnalgicaII
109
1.3.112:AUTOESTABILIZACIONENDC:
Como se ha visto, es factor indispensable para evitar la distorsin y lograr la
mxima excursin simtrica, que la tensin DC en los emisores sea siempre
constanteeigualaVCC/2(funcionamientosimtricodelostransistores).Portanto,
hayqueestabilizaresttensinporlosefectosquepuedatenerenVL:Lavariacin
delatensindefuenteVCC,cambiodetransistores,temperatura,etc.Estoselogra
por ejemplo, en el circuito de la figura 1.53 polarizando a Q3 con la tensin
existenteentrelosemisores.
SepuedeverqueigualcompensacinocurrecuandoV
E
tiendeaaumentar.
RL
Re
Re
RC
Q1
C3
Vin
Q2
C4
R3
R4
+ 12V
Ca1
R1
D1
R2
Ca2
Q3
E
Figura1.53
1.3.2:AMPLIFICADORPUSHPULLCLASEB
Este es otro tipo muy conocido de amplificador clase B. A pesar de haber sido
superado por los amplificadores de simetra complementaria y cuasi
complementaria (que se ver ms adelante) an es muy usado, por ejemplo, en
amplificadoresdeperifoneodebidoaquepermiteelacoplodelacargaytambin
ElectrnicaAnalgicaII
110
elevarlatensinparareducirlasprdidasenlosconductorescuandolosparlantes
estnalejados(comosucedeenlosedificiosyplantasindustriales)
1.3.21:CIRCUITOBASICO
En la figura 1.54 se muestra el circuito bsico con dos transistores NPN.
Observamos que la seal de entrada se acopla por un transformador de entrada
con una relacin tpica de 1:1; mientras que la carga es acoplada por el
transformadordesalidaconunarelacinn:1
LosdevanadossecundariosdeT1sonidnticosparaevitarladistorsindelaseal
deentrada.
LosdevanadosprimariosdeT2sonidnticosparaevitarladistorsindelasealde
salida.
1.3.22:PRINCIPIODEFUNCIONAMIENTO
Vemosqueenlostransformadoresestnmarcadoslospuntosdeigualpolaridad
Cuando Vin es positiva, el terminal 2 del transformador de entrada tendr
polaridadpositivarespectoalterminal11.
VCC
1:1
Vin
1:1
n:1 Q1
n:1
T2
2
7
5
8
11 6
RL
T1
2
7
5
8
11 6
Q2
Figura1.54
Debidoaqueslofuncionaundevanadoprimarioalavez,laimpedanciareflejada
serRp=n
2
RL
1.3.23:PUNTOSDEOPERACIN
RECTADECARGAESTATICA:
Encontinuanohaycorrientedecolector.Porlotanto.
VCE1=VCC (1.103)
VCE2=VCC (1.104)
RECTASDECARGADINAMICA:
Enelcircuitodelafigura1.53,paraAC:
v
CE1
=VCCi
C1
n
2
RL (1.105)
v
CE2
=VCCi
C2
n
2
RL (1.106)
EstasrectasdecargaACdebernpasarporelpuntoQ;entonces,bastarbuscarel
otropuntodelarecta.Cuando:
v
CE1
=0 I
cm1mx
=Vcc/n
2
RL (1.107)
v
CE2
=0 I
cm2mx
=Vcc/n
2
RL (1.108)
Yvemosque: I
cm1mx
=I
cm2mx
Enlafigura1.55seobservanlasdosrectasdecargaparacadatransistor:
ElectrnicaAnalgicaII
112
VCC
vCE2
vCE1
2 VCC
AC
DC
IC1 e IC2
VCC / n2 RL
Q
0
Figura1.55
1.3.24:POTENCIAENTREGADAALACARGA:P
L
LapotenciamximaenlacargaP
L
mxocurrecuandoI
cm
alcanzasumximo
valorterico:
I
cmmx
=Vcc/n
2
RL
Paraondasinusoidal:
P
L
max=(I
cmmx
)
2
n
2
RL/2
=V
2
cc
/2n
2
RL (1.109)
LapotenciaparacualquiervalordeIcmes:
P
L
=(i
L
eff)
2
R
L
=(I
cm
/)
2
n
2
RL/2
P
L
=(I
cm
)
2
n
2
R
L
/2 (1.110)
1.3.25:POTENCIAENTREGADAPORLAFUENTE:PCC
iCC=corrientequecirculaporlafuente.
Icc=2I
cm
/valormediodeicc
Luego:
Pcc=VccIcc=2VccIcm/ (1.111)
Lapotenciamximaentregadaporlafuenteocurrecuando:
I
cmmx
=Vcc/n
2
R
L
Reemplazandoen1.96:
P
CC
mx=2V
2
cc/n
2
R
L
(1.112)
1.3.26:POTENCIADISIPADAENCOLECTOR:PC
En la figura 1.54 se puede observar que Q1 y Q2 slo disipan potencia en el
semiciclo en el cual conducen, ya que en el resto del ciclo la corriente a travs de
ellosescero.Podemosplantearlosiguiente:
ElectrnicaAnalgicaII
113
PCC=2PC+PL (1.113)
PC=0.5(PCCPL)=0.5(2VccIcm/(I
cm
)
2
n
2
R
L
/2) (1.114)
VALORMXIMODEPC
Dado que la ecuacin de PC no es lineal (es una parbola cncava hacia abajo),
PCmxnotieneporquocurrirparaI
cmmx
.
(dPc/dI
cm
)=(2Vcc/)(I
cm
n
2
R
L
)=0
Obtenemos:
Icmx=2Vcc/n
2
R
L
(1.115)
Reemplazandoen(1.114)obtenemos:
PCmax=V
2
cc
/
2
n
2
R
L
(1.116)
1.3.27:EFICIENCIADELCIRCUITO:
=P
L
/PCC=((I
2
cm
n
2
R
L
)/2)/(2VccI
cm
/) (1.117)
Encondicionesmximas,cuando:Icmmx=Vcc/n
2
R
L
Reemplazandoen(1.101)
mx=/4=0.785
Enporcentaje: mx=78.5%
1.3.28:FIGURADEMERITO:F
F=PCmax/PLmax (1.118)
(1.116)y(1.109)en(1.118)setiene:
F=2/
2
=1/5
Estos valores de y F, son los mismos que se pueden lograr tericamente para el
casoideal,conlosotrostiposdeamplificadoresclaseB.
1.3.29:COMPARACINENTREPUSHPULLYSIMETRACOMPLEMENTARIA.
a) Unaventajaenelusodelostransformadoresenpushpulleselpoderacoplar
impedanciasfcilmente,perotieneungrannmerodedesventajascomo:
ElectrnicaAnalgicaII
114
Bajo rendimiento: Es muy difcil conseguir un transformador de potencia
coneficienciamayorde80%.
Larotacindefaseintroducidaporlostransformadoresdificultaelempleo
detcnicasderealimentacinnegativa(paradisminuirladistorsin)yaque
correelriesgodeaparicindeoscilacionesparaalgunasfrecuencias.
El peso de los ncleos utilizados aumenta considerablemente el peso total
delosequipos.
El tamao de los transformadores evita poder construir equipos
compactos.
b)Unadelasventajasdelamplificadordesimetracomplementariaesqueestando
laetapaexcitadoraacopladadirectamente,larespuestaenfrecuenciamejora.
c)Una dificultad del amplificador en simetra complementaria consiste en lograr
obtener dos transistores apareados (machados) npn y pnp. Esto se hace ms
difcilconformeaumentalapotenciarequerida,demodotalqueprcticamente
estos amplificadores en simetra complementaria slo se usan para potencias
menores a 20W. Por arriba de estas potencias se utilizan los amplificadores
cuasi complementarios, los cuales utilizan el mismo principio, pero evitan el
empleodeunparmachadoenlaetapadesalida.
Figura1.56
ElectrnicaAnalgicaII
115
SOLUCION:
a) ClculodeR1:
ElamplificadortrabajaenclaseABparaevitarladistorsindecruce
Debecumplirse:VCCR2/(R1+R2)=V+IERe
Comosecumpleprcticamenteque: IE=0
PodemoshallarR1: R1=1900
b) ClculodePLmx:
Laimpedanciareflejadaalprimarioes:Rp=n
2
R
L
=32
RectaAC:v
CE
=VCCi
C
(n
2
RL+Re)=1233i
C
Reemplazandoyefectuando: PLmx=1.89W
c) ClculodePCC:
Lamximacorrientepromedioqueentregalafuentees: ICC=2I
cmmx
/
=212.2mA
Luego,de1.111: Pcc=VccIcc=2VccI
cmmx
/=2.55W
d) ClculodePCmx:
SinodespreciamoslapotenciadisipadaporRe,debemosplantearlasiguiente
ecuacin:
PCC=PL+2PC+Pe
DondePeeslapotenciadisipadaporlosdosresistoresdelemisor
ReemplazandolasexpresionesenfuncindeIcm:
2VccIcm/=I
2
cm
n
2
RL/2
+2PC+I
2
cm
Re/2
DerivandoPCrespectodeIcmeigualandoacerohallamoselvalordeIcmx:
Icmx=2Vcc/(n
2
R
L
+
Re)=231mA
Luego,PCmx=0.437W
e) Clculode:
Deladefinicindeeficiencia:=PLmx/PCCmx=74.1%
ElectrnicaAnalgicaII
116
PROBLEMA1.15:Enuncircuitosimilaraldelafigura1.54setiene:Q1=Q2,silicio,
VCE,sat = 1V, = 100, V = 0.6V, ICQ = 0. Si cuando VCC = 15V el circuito entrega
una potencia mxima a la carga de 6 W. Qu potencia mxima entregar a la
cargasisehaceVCC=12V?
SOLUCION:
Tenemos: P
L
max=(I
cmmx
)
2
n
2
RL/2
=(VCCVCE,sat)
2
/2n
2
RL=6
Dedonde: n
2
RL=(151)
2
/12=16.33
CuandoVCCdisminuyea12V: P
L
max=(121)
2
/(2*16.33)=3.7W
SOLUCION:
Tenemos: P
L
max=(I
cmmx
)
2
n
2
RL/2
=(VCCVCE,sat)
2
/2n
2
RL
Adems: PCmax=VCC
2
/
2
n
2
R
L
=10
Entonces: VCC
2
=10
2
n
2
R
L
Comolaeficienciaesdadapor:=P
Lmx
/PCCmx=((I
cmmx
n
2
R
L
)/2)/(2Vcc/)=
0.75
Adems: I
cmmx
=(VCCVCE,sat)/n
2
R
L
Reemplazando: 0.75=[(VCCVCE,sat)/2]/(2Vcc/)
Dedonde: 3VCC/=(VCCVCE,sat)
ReemplazandoenPLmx:
P
L
max=9(VCC
2
)/2n
2
RL
2
=9(10
2
n
2
R
L
)/2n
2
RL
2
=9(10
2
)/2
2
=45W
b) Clculodelmximovalordenrequerido:
Tenemos: P
L
max=(VCCVCE,sat)
2
/2n
2
RL=10W
Reemplazandovalores:P
L
max=(202)
2
/2n
2
RL=10W
Dedonde:n
2
RL=16.2
Luego: n=1.27
Dado que hemos calculado n con la mxima tensin posible, dicho valor es el
mximo.
c) ClculodePCmxencadatransistor
Delaecuacin1.116: PCmax=V
2
cc
/
2
n
2
R
L
=2.5W
SOLUCION:
Elcircuitodeentradadeunamplificadorpushpulldebesercapazdeentregardos
sealesconlamismaamplitud,perodesfasadas180.Comoelpushpulltrabajaen
clase A, sus dos transistores deben estar polarizados en la zona activa. A
continuacin se muestra, en la figura 1.57, un circuito que puede hacer dicha
operacin:
B
R
R
Vg
R2
A
Ca1
R1
Q
10V
Figura1.57
ElectrnicaAnalgicaII
118
Las resistencias de colector y emisor deben ser iguales para asegurar que los
nivelesdetensintambinseaniguales.Lasealenelcolectorestdesfasada180
respectoaladeemisor.
En los nudos A y B adems de seal tambin hay tensin continua, la cual puede
usarseparapolarizaralaetapadepotencia.
Esta etapa debe trabajar en clase A para que funcione en la forma requerida. En
estecaso,lamximadisipacindelcircuitoseproducirenelpuntodeoperacin,
cuandonohayasealdeentrada.
ESQUEMASDEAMPLIFICADORESDESIMETRACOMPLEMENTARIA
AmplificadordeaudioparatelevisorFapesa
65
100pF
1
640uF
t
130
NTC
Q4 12K
Q1
320uF
640uF
+12Vdc
15 100
320uF
10
Q3
680 5 Ohm
3K3
1
Q2
3K3
18K
40uF
4K7
Figura1.58
ElectrnicaAnalgicaII
119
AmplificadordeaudioparatelevisorPhilips
Q3
2SB156
200uF
4 Ohm
36
0.1uF
100
270
1
Q3
AC187
1K
500uF
100
+ 6Vdc
Q8
AC188
39K
130
+ 5Vdc
Q1
ED1402
Q2
ED1602
0.1uF
Figura1.59
1.3.210:PREGUNTASRELATIVASAAMPLIFICADORESPUSHPULL
1) Dibuje una configuracin bsica de un amplificador pushpull para que
funcioneenclaseA.Deduzcalasrectasdecargayrelacionesdepotencia.
2) Indique las ventajas y desventajas comparativas entre las tres
configuracionesbsicasenpushpull(operandoenclaseA,AB,B)
3) Para pushpull clase AB, se puede colocar un diodo zener para reducir el
crossover?Porqu?Sisepudiese,comosehara?Seraprcticohacerlo?
4) Enlapolarizacindeentradacmoyparaqu:
EmplearauntermistorNTC?
EmplearauntermistorPTC?
5) En el desfasador de entrada, se puede emplear la disposicin de un
transistor con salidas desfasadas en colector y emisor, para un pushpull
clase B? Porqu? En general, cmo intervienen las impedancias de salida
dedichodesfasador?
6) Si se emplean resistencias en emisores, para qu serviran? Se pueden
desacoplar con condensadores? Porqu? Se puede emplear una sola
resistenciaparaambosemisores?Cmo?
7) Es importante o no, considerar la regulacin de fuente DC en operacin
claseB?Porque?
8) El acoplamiento a la carga, se puede realizar con autotransformador?
Cmo? Qu ventajas y desventajas habra con respecto al que emplea
transformador?
ElectrnicaAnalgicaII
120
9) Si en vez de polarizar al corte para trabajo en clase B, se polariza en
saturacin,quocurrira?
10) Qu caractersticas deben tener los transformadores empleados en la
entradacomoenlasalidadelosamplificadorespushpull,claseA?yenclase
B?.Esindiferenteonoalaubicacindelospuntosdeigualpolaridad?
11) Del estudio del circuito bsico clase B, la tensin de seal en el primario (=
nVL),PuedesermayorqueVcc?PuedesermenorqueVcc?
12) En las relaciones deducidas, Interesa que el transformador sea
ideal?Intervendran en un caso real los parmetros reactivos del
transformador?
13) La recta de alterna puede cruzar la hiprbola de disipacin mxima del
transistor? Si se pudiese, cun alejada de ella? Y si la operacin es con
pulsos?
14) Paraevitaroreducirladistorsinporcrossoverentransistoresbipolares,es
mejor excitar con tensin o con corriente? Por qu? Cmo se logra lo
anterior?
15) La inductancia de dispersin del transformador de salida tendr influencia
apreciableenclaseB?
16) Las capacidades e inductancias del transformador Podran reducir la
distorsinporcrossover?Cmo?
17) Lafuente DCdeunPush Pullnecesitadeun mayoro menorfiltradoquelas
etapassimplesenclaseA?
18) Qu ocurre con la distorsin armnica en los Push Pull? Qu tipos de
distorsinpuedenpresentarseydebidoaqu?
19) SisetieneunamplificadorPushPullclaseBfuncionandoatodovolumenyse
desconectaelparlante,QuocurrerespectoalPushPullclaseA?Alsimple
claseAconchokeencolector?Yalacopladoportransformador?
20) Esindiferente,siempre,quelacargaseaflotanteoqueestpuestaatierra?
DIVERSOSESQUEMASDEAMPLIFICADORESENPUSHPULL
Figura1.60
Figura1.61
R9
R
C1
10uF
R6
1K5
Q3
2SB475
C3
100uF
PARLANTE
4
C8
10nF
Q4
2SB475
C4
470uF
R3 120k
T
C2
33uF
R10 50k
2
7
5
8
11 6
R2
500
R1
33k
Q2
2SB175
C9
220uF
R4
560
-6V
R8
1K5
C7
10nF
Q1
2SB175
R7 50
R5 150
Figura1.62
ElectrnicaAnalgicaII
122
5. EtapadeaudiodetelevisorCROWN(modeloCTV12)
R7
1k2
C2
50uF
R2
68k
R10
R
R4
10
R3
1k
R11
2.2 R1
15k
+10.6V
PARLANTE
60 Ohm
2500
Ohm
T1
2
7
5
8
11 6
C3
10uF
C1
10uF
R5
1k2
Q1
2SB117
-11V
Q3
2SB77
R6
3k3
Q2
2SB77
R8
3k3
Figura1.63
6. Etapapushpullconsalidaacopladadirectamente:
R7 100
C2
100uF
R6 100
R2
10k
R1
62k
T1
2
7
5
8
11 6
R5
2k7
R4
10
R3
1k
R9
5
+4.5V
PARLANTE
36 Ohm
2500
Ohm
C1
10uF
R10
5
Q1
OC71
-4.5V
Q3
2SB77
Q2
2SB77
R8
2k7
Figura1.64
ElectrnicaAnalgicaII
123
AMPLIFICADORESCUASICOMPLEMENTARIOS
El inconveniente principal del amplificador de simetra complementaria es la
necesidad de dos transistores complementarios (NPN y PNP). Estos transistores
deben tener caractersticas elctricas idnticas. Esto hace difcil conseguir
transistores que cumplan dichos requisitos (par machado o matched pair) para
potenciasdesalidamayoresde30W.
Estasetapassedenominanasporelhechodeestarconstituidasporunparpnpo
npn de salida, excitados por otro par del tipo complementario pnp o npn, como
podemosverenelsiguientecircuito.(Figura1.65)
V1 = VCC/2
Q2
Q1
Vin
Q3
VCC
V2 = VCC/2
Q4
RL
Figura1.65
Q3yQ4sonlostransistoresdepotenciaencargadosdealimentaralacarga,RL.
Q1yQ2sontransistoresdriversdemenorpotencia.
Q1yQ3formanunaconfiguracinDarlington.
Q2yQ4formanunaconfiguracinPNPsimulado.
Q4
ie equiv.
ic equiv.
Qequiv.
Q2
Figura1.66
i
e
equiv=i
c4
+i
e2
i
c2
=i
b4
i
e4
=(h
FE4
+1)i
b4
i
c2
=h
FE2
i
b2
h
FE
equiv=i
c
equiv/i
b
equiv=i
e4
/i
b2
=(h
FE4
+1)i
b4
/i
b2
=(h
FE4
+1)i
c2
/i
b2
h
FE
equiv=(h
FE2
+1)i
c2
/i
b2
=(h
FE4
+1)h
FE2
i
b1
/i
b1
=h
FE2
(h
FE4
+1)
h
FE
equiv=h
FE2
(h
FE4
+1)si:h
FE4
>>1
h
FE
equiv=h
FE2
h
FE4
Tomemosh
FE1
paraQ1yh
FE3
paraQ3:
Q3
ic equiv.
ie equiv.
Q1
Figura1.67
ElectrnicaAnalgicaII
125
i
c
equiv=i
c1
+i
c3
ieequiv=i
e3
i
b
equiv=i
b1
i
e1
=i
b3
i
c1
=h
FE1
i
b1
i
c3
=h
FE3
i
b3
i
e3
=(h
FE3
+1)i
b3
h
FE
equiv=i
c
equiv/i
b
equiv=(i
c1
+i
c3
)/i
b1
=(h
FE1
i
b1
+h
FE3
i
b3
)/i
b1
h
FE
equiv=(h
FE1
ib1+h
FE3
ie1=(h
FE1
i
b1
+h
FE3
(h
FE1
+1)i
b1
)/i
b1
h
FE
equiv=h
FE1
+h
FE3
+h
FE1
h
FE3
si:h
FE1
>>1,h
FE3
>>1
h
FE
equivh
FE1
h
FE3
Lapreferenciaausarelparfinaldeltiponpnsedebealossiguientesmotivos:
1. A niveles de potencia superiores en los circuitos de simetra complementaria
se requiere un transistor excitador en clase A que pueda disipar considerable
calor, con la inconveniencia del uso de un disipador trmico relativamente
grande. Adems, el drenaje de corriente en reposo de la fuente de
alimentacin llega a ser importante y se requieren capacitores de filtro
excesivamentegrandesparamantenerbajoelniveldezumbido.
Losresistoresdedrenaje(Rd)delafigura1.68proveenlassiguientesventajas:
ElectrnicaAnalgicaII
126
Q1
Q3
Rd
Re
Re
Rd
Q4
Q2
Figura1.68
1. Mejoradelarespuestaenaltafrecuencia
2. Mejora de la estabilidad del transistor de salida ya que se provee de una
derivacinparalacorrientedefugaI
CBO
.
3. Se aumenta el BV
CEO
poniendo al transistor en el modo V
CER,
que en los
transistores de silicio de potencia para una Rd igual a 100 ohmios en
generalproduceunaumentode10V.
R8
R4
Q2
Q3
+ VCC
C4
C1
R12
D1
C3
R5
R10
R9
R7
Q1 Q4
Q6
- VCC
C2
R6
D3
R11
RL
R2
Q5
R3
D2
R1
Figura1.69
Si la referencia del punto a masa para la seal de entrada fuera un punto comn
entre las fuentes divididas, cualquier ondulacin residual presente en la fuente
negativa excitara efectivamente al amplificador a travs del transistor Q5, con el
resultadodequeestaetapafuncionaracomoamplificadordebasecomnconsu
baseconectadaamasaatravsdelaimpedanciaefectivadelafuentedesealde
ElectrnicaAnalgicaII
128
entrada. Para evitar esta condicin, el amplificador debe incluir un transistor
adicionalpnpcomoseveenlafigura1.69
Estetransistor(Q6)reducelosefectosdeexcitacindelaondulacinresidualdela
fuentenegativadebidoalaaltaimpedanciadecolector(1Moms)quepresenta
a la base del transistor Q1. En la prctica, puede ser reemplazado por un par
Darlingtonparareducirlosefectosdelacargaenelpreexcitadorpnp.
PROTECCINCONTRACORTOCIRCUITOS
Un aspecto importante en el diseo de los amplificadores de alta potencia es la
aptituddelcircuitoparasoportarcondicionesdecortocircuito.
Unprimermtodoconsisteenelindicadoenlafigura1.70
Figura1.70
R
D1
D2
Re
R2
D3
Re
R3
R4
+ VCC
D4
R1
Rs
Figura1.71
Elusodelosdisipadoresmsreducidosesposibleporqueladisipacinparaelpeor
de los casos es un funcionamiento normal a 4 en lugar de las condiciones de
cortocircuito.Graciasaestatcnica,lascargasmuyinductivasocapacitivasyano
constituyen un problema y son innecesarios los interruptores trmicos; adems la
tcnicaespococostosa.
Q5
Q2 RL
D2
R5
Q3
Q6
R6 R9
R2
R10
D1
R8
R2
R1
Q4
+ VCC
Q7
R3
Q1
R7
R4
Figura1.72
ElectrnicaAnalgicaII
131
Ic
Vce
LIMITE
Figura1.73
Otrotipodeproteccinusadaescondiodozenercomoloindicaenlafigura1.74.
Q3
D4
RL
D1
Q2
Q5
D3
D2
R6
R8
R7
R9
R1
R3
Q4
R4
+ VCC
Q1
R2 R5
Figura1.74
LosemisorescomunessonretornadosalafuentepositivaatravsdelresistorR3y
el diodo D1 y el resistor R5. El diodo D1 y el capacitor C4 reducen al mnimo los
transistores de apagado y proporcionan desacoplamientos de la fuente de
alimentacin. El circuito puente est acoplado directamente a una etapa pre
excitadora clase A (Q3), la que se acopla a los excitadores complementarios (Q4 y
Q5) a travs de R12. El circuito de proteccin para limitacin de disipacin esta
tambin conectado a este punto. El propsito de este circuito es, como ya se
mencion, impedir que la etapa de salida comience a conducir si se produce una
disipacinanormalmentealta.
Figura1.75
ElectrnicaAnalgicaII
133
ElcapacitorbootstrapC6suministraelrefuerzodetensinadicionalnecesariapara
saturarelpardesalidasuperior(Q4yQ6)atravsdelosresistoresR8yR10.
LosresistoresR24yR25,loscapacitoresC13yC15yelinductorL1proporcionanla
reduccin de altas frecuencias, de manera que es posible mantener un buen
margen de estabilidad en cualquier condicin de carga C10, C11 y C12 proveen
estabilidad adicional durante la limitacin. Los diodos D5 y D8 impiden la
polarizacin directa de las junturas colectorbase de los transistores Q8 y Q7
durante los semiciclos alternados de la seal. Los capacitores C14 y C16 se
encargan de la supresin de parsitos. El diodo D9 y el resistor R18 aseguran la
adaptacin de transconductancias entre los pares Darlington superior e inferior
parareduciralmnimoladistorsinabajonivel.
LosdiodosD10yD11protegenlostransistoresdesalidadelospotencialesinversos
queseproducendurantelaconmutacinenelcasoqueseuseunacargaacoplada
portransformador.
ElectrnicaAnalgicaII
134
AMPLIFICADORESDEAUDIOCONCIRCUITODISCRETO
R20
0.39
R12
47
R22
22
R12
1K
-32Vdc
Q9
D5
1N4004
C5
20nF
+32Vdc
R7
18K
Q8
D8
1N4004
D1
1N4004
D2
1N4004
R1
1.8K
C3
47uF
R15 68
R4
15K
R8
390
D9
1N4004
D3
1N4004
Q1
C12
50nF
Q3
C4
47uF
R19
0.39
C1
4.7uF
C7
47uF
Q7
R9
2.2K
C13
20nF
Q2
R18
100
C11
50nF
D7
1N4004
R17 68
D9
1N4004
R6
180
R5
560
C8
20nF
R21
100
R14
100
L1
10uH
R11
270
Q5
R13
4.7K R16
68
C6
47uF
R23
22
C2
180pF
R2
18K
Q6
R3
680
Q4
D6
1N4004
R10
2.7K
C9
50nF
C10
50nF
Parlante
8 / 20W
D4
1N4004
Figura1.76
R19
2K2
D5
1N5395 Q5
D386
R29
0.22/5
Q2
BC549
POTENCIA DE SALIDA: 200W EN 4 OHMIOS
R10
2K2
Q8
2N3773
R28
0.22/5
R6
5K6
R3
2M2
C5
100/50
Q6
D1046
Q10
2N3773
R13
2K2
Q12
2N3773
C9
100/50
C2
0.2
R4
18K
D1
1N4004
Q4
B649 R9
15K
Q9
2N3773
R14
680
Q13
2N3773
R7
470K R18
1M
R15
270
Q1
BC549
Q11
2N3773
D3
1N4004
R25
0.22/5
R1
22K
R2
47K
C1
2.2/50
Q3
B649
C7
100/50
C4
330pF
AMPLFICADOR DE POTENCIA DE AUDIO CON SIMETRIA CUASI COMPLEMENTARIA
R17
220K
R8
2K2
+ 45Vdc
R11
22K
Q7
D816
D4
1N5395
R26
0.22/5
R23
47/1
R20
1K5
RL
4 OHM
R21
12
C8
200pF
R5
270
R24
0.22/5
C3
10/50
C6
47K
C10
100pF
R16
4K3
R22
47/1
R12
270
D2
1N4004
R27
0.22/5
- 45Vdc
Figura1.77
ElectrnicaAnalgicaII
135
AMPLIFICADORESENCIRCUITOINTEGRADO
En la actualidad existen mdulos hbridos (porque combinan parte integrada y
partediscretaenelmismomdulo),conlosquepuedenconstruirseamplificadores
deaudiodediferentespotenciasconmuybuenarespuestaenfrecuencia.
3
1N4148
4K7
2N2102
1 5
6
4 8
16 OHM
4.7 uF
18
18
9Vdc
11
1
4.7uF
10K
1K8
9
10
2
4.7uF
12
7
2N2102
8
4.7uF
6
CA3007
1N4148
Figura1.78
2) STK084:AMPLIFICADORHBRIDODE50WPARAAUDIOFRECUENCIA.
Caractersticasmximas(temperaturaambientede25C)
Mximatensindealimentacin:50Vdc
Mximacorrientedecolector:7A
Resistenciatrmica(jc):1.7C/W(paraTc=25C)
Temperaturamximadecarcasa(Tc):85C
Condicionesdeoperacinrecomendadas:
Tensindealimentacin:35Vdc
Resistenciadecarga(RL):8
ElectrnicaAnalgicaII
136
Caractersticasdeoperacin(Ta=25C,Vcc=35Vdc,RL=8)
Corrientedepolarizacin:Icco=100mA
Potenciadesalida:Po=50Wmnimo(conTHD=0.2%y20Hzf20
KHz)
Respuestaenfrecuencia:10Hz100KHz(para:Po=1Wy01db)
Resistenciadeentrada:52K(para:Po=1Wyf=1KHz)
Diagramadelcircuitoyaplicacintpica:
10uF/50V
2
-35Vdc
Q5
1uF/63V
8
D2
6
R9
4
10uF/50V
D5
Q6
+35Vdc
R8
3
Q3
1K
7
Q7
10
Q8
2pF
Z1
Q10
R7
47
R3
Q9
R10
56K
R11
5
Q4
1
R6
R2
R1
47nF
D3
220uuF/50V
R4
100
C1
C
470pF
56K
2K7
Q2
100
R5
D4
D1
220uF/50V
9
Q1
47uF/16V
RL
8
Figura1.79
3) TBA820M(deTHOMSON)
Este es un amplificador de potencia de audio integrado monoltico, con las
siguientescaractersticasprincipales:
Tensindealimentacinde316V
Bajacorrientedepolarizacin:4mA(tpica),12mA(mxima)
Altaeficiencia(quelohaceaplicableaequiposporttilesconbatera)
Potenciadesalidahasta2W(tpica),sindisipadorexterno(medidaconRL
=8,Rf=120,f=1KHzydistorsintotalde10%)
Altaimpedanciadeentrada
Bajacorrientedepolarizacindeentrada:0.1uA(tpica)
Altorechazoalrizado
Notieneinestabilidadtrmica
ElectrnicaAnalgicaII
137
Notienedistorsindecruce
Requierepocoscomponentesexternos
EncapsuladoDILde8pines
Corrientepicodesalida:1.5A(mxima)
Temperaturadealmacenamiento:40+150C
Temperaturadejuntura:150C
Resistenciatrmica:80C/W
Sensitividaddeentrada:60mV(tpica,medidaconVCC=9V,PL=1.2W,RL
=8,Rf=120yf=1KHz)
Resistenciadeentrada:5M(tpica)
Respuestaenfrecuencia(3db):2520,000Hz(medidaconVCC=9V,RL
=8,Rf=120yCB=220pF)
Ganancia de tensin sin realimentacin: 75 db (tpica, medida con VCC =
9V,RL=8yf=1KHz)
Ganancia de tensin con realimentacin: 34 db (tpica, medida con VCC =
9V,RL=8,Rf=120yf=1KHz)
Voltajederuidodeentrada:3Vrms(tpico,medidoconVCC=9Vyancho
debanda(3db)de25Hz20KHz)
Corrientederuidodeentrada:0.4nA(tpico,medidoconVCC=9Vyancho
debanda(3db)de25Hz20KHz)
Relacinsealaruido:70db(tpica,medidaconVCC=9V,RL=8,Rf=120
,R1=100K,PL=1.2Wyanchodebanda(3db)de25Hz20KHz)
Rechazoalafuentedealimentacin(PSRR):42db(tpica,medidaconVCC=
9V,RL=8,Rf=120,C6=50Fyfrecuenciaderizadode100Hz)
CIRCUITOINTERNOEQUIVALENTE:
PodemosobservarqueQ2yQ5formanunamplificadordiferencialdeentradaQ1y
Q2 forman una etapa Darlington de entrada que permite elevar la resistencia de
entradaydisminuirlacorrientedepolarizacindebaseQ3yQ4formanunespejo
de corriente. Al actuar Q3 como fuente de corriente constante, puede presentar
unaaltaimpedanciaparasealalcolectordeQ2yellopermitequedichotransistor
logre mximaganancia detensin. Q6esuna fuente decorriente(formaparte de
unespejodecorrientemltipleintegradoademsporQ7,Q12yQ16)yseencarga
depolarizaralamplificadordiferencialasegurandounaltorechazoalmodocomn.
ElectrnicaAnalgicaII
138
Q4
R1
2K
Q14
Q6
D1
Q10
Q7
R5
6K
Q5
6
Q1
R2
5.9K
Q12
Q13
7
R4
2K
Q3
8
5
3
2
D6
D2
D9
Q17
Q11
Q16
1
Q9
Q8
R3
6K
R6
2K
Q2
Q15
4
Q18
Figura1.80
Q5estconectadoenDCyACdirectamentealasalidaparaasegurarqueelvoltaje
DCdesalidaestexactamentealamitaddelafuentedealimentacineintroducir
realimentacin negativa para ampliar el ancho de banda y reducir la distorsin.
Adicionalmente, se tiene acceso al lazo de realimentacin mediante el pin 2 para
poderajustarlarespuestaenfrecuencia.
Adicionalmente,atravsdelpin1hayaccesoalcircuitodeentradaparaintroducir
compensacinyevitarposiblesoscilaciones.
Al pin 8 se conecta una capacidad de filtro (C6) que permite mejorar el factor de
rechazo a la fuente. De esta manera el amplificador se hace menos sensible a las
variaciones del voltaje de la fuente, impidiendo que ello genere oscilaciones de
bajafrecuencia.
LaetapadesalidaformadaporQ13,Q14,Q15,Q17yQ18formanunamplificador
de simetra cuasi complementaria, que es el encargado de dar prcticamente la
gananciadecorrientetotaldelcircuito.
CIRCUITOSDEAPLICACION:
a) Amplificadorconcargaconectadaalafuente:
C1
100uF
C3
0.22uF
C5
500uF
5
Rf
C2
100uF
7
6
TBA820M
C4
0.1uF
R2
1
RL
Vi
R1
10K
3
CB
1
+VCC
4
C6
50uF
8
2
Figura1.81
b) Amplificadorconcargaconectadaatierra:
C1
100uF
C3
0.22uF
C7
100uF
5
Rf
C2
100uF
6
TBA820M
C4
0.1uF
R2
1
R3
56
Vi
R1
10K
3
CB
8
RL
C6
50uF
1
+VCC
4
7
2
Figura1.82
ElectrnicaAnalgicaII
140
4) TDA2030(deTHOMSON)
Este es un amplificador de potencia de audio integrado monoltico, con las
siguientescaractersticasprincipales:
ElectrnicaAnalgicaII
141
CIRCUITOINTERNOEQUIVALENTE:
Q11
Q13
Q2
Q1
Q6
D3
R4
PROTECCION CONTRA
CORTOCIRCUITO
Y CORTE TERMICO
D2
Q15
D4
PROTECCION CONTRA
CORTOCIRCUITO
Y CORTE TERMICO
Q4
R7
2
D6
R5
Q7
Q16
Q17
Q10
Q3
3
Q9
R6
R2
D5
R3
4
Q5
D7
D1
1
Q14
Z1
5
Q12
R8
R1
Q8
Figura1.83
Q3yQ11formanunespejodecorrientepolarizadopormediodelatensinenD2
ylostransistoresQ7yQ8.LacorrienteessuministradaporQ8,elqueactacomo
fuentedecorrienteconstante.
ElMosfetQ7actatambincomofuentedecorrienteconstanteypolarizaalzener
Z1,elcualestencargadodemantenerconstantelacorrientedeQ8.
CIRCUITOSDEAPLICACION:
A continuacin veremos algunas aplicaciones tpicas, en la que se incluye un
amplificador tipo puente que es una configuracin que permite cuadruplicar la
potenciadesalidaparalamismaresistenciadecarga.
a) Amplificadorconfuentesdealimentacinsimtricas:
C2
22uF
C7
0.22uF
4
C5
100uF
R2
680
D2
1N4004
5
D1
1N4004
TDA2030
C3
0.1uF
R4
1
R1
22K
Vi
-VCC
R3
22K
1
R5
C3
0.1uF
RL
C8
+VCC
3
C5
100uF
C1
1uF
2
Emplear:R5=3R2yC8=100pFparaanchodebandade20KHzyAv=38db
Figura1.84
b) Amplificadorconunasolafuentedealimentacin:
Para asegurar que la salida est a la mitad de la fuente y tener mxima
excursinsimtrica,debepolarizarseelterminal1,pormedioderesistores,a
lamitaddeVCC
c) Amplificadortipopuenteconfuentesdealimentacinsimtricas:
ElectrnicaAnalgicaII
143
22uF
1
22K
4
RL
8
C5
100uF
680
1N4001
5
TDA2030
1N4001
TDA2030
C3
0.1uF
0.22uF
22K
Vi
-VCC
3
0.22uF
22K
1
1
5
22K
D1
1N4001
C3
0.1uF
1
22K
R2
680
C2
22uF
2
4
+VCC
3
C5
100uF
1uF
D2
1N4001 2
Figura1.85
PROBLEMASPROPUESTOS
PROBLEMA P1.13: En un amplificador de simetra complementaria, como el
mostrado,expliqueporqueelvoltajepicopositivo,desalida,nopuedellegaraser
igualalvoltajepiconegativo
+VCC
R
-VCC
RL
Figura1.86
ElectrnicaAnalgicaII
144
PROBLEMA P1.14: Se desea entregar 15W a una carga de 8, mediante un
amplificador pushpull clase B. Si se disponen de transistores que tienen BVCEO =
100Vcon=50yVCE,sat=2V.Halle:
a) ElvalordelafuenteDC(VCC).
b) Elmnimovalordelarelacindetransformacin(n)requerido.
c) Lapotenciamximaquedisiparcadatransistor.
PROBLEMAP1.16:Expliqueporqudelassiguientesafirmaciones:
a) Laresistenciatrmicalimitaladisipacindecalorenuntransistordepotencia.
b) Lamximadisipacindepotenciadeuntransistordependedelatemperatura.
c) Lazonadesaturacinrecortaelpiconegativodelasealdesalida.
d) EnunamplificadordepotenciaclaseB,laimpedanciadeentradaesnolineal.
e) La mxima disipacin de potencia en un transistor est representada por una
hiprbolaenelplanoIcvs.Vce.
f) Lostransistoresdepotenciaenunamplificadorpushpulldebenseridnticos.
g) Los transistores de potencia del amplificador de simetra complementaria
debentenerlasmismascaractersticaselctricas.
h) EnclaseBseproduceladistorsindecruce.
PROBLEMAP1.19:Enelcircuitomostrado,determine:
a)Lascorrientesdepolarizacindetodoslostransistoresb)PLmxc)PCCmxd)
PCmxe)Laeficienciatotalf)ParaqusirveQ1?
ElectrnicaAnalgicaII
145
Asuma:Quetodoslostransistoressondesiliciocon=50,VCE,sat=0.5V,C1yC3
sonmuygrandes
Q1
RL
40
R9
1.5K
R6
1K
D2
Q2
R7
22
R8
22
Q3
C1
Vg
R3
180K
R5
15K R4
33
+ 9 Vdc
Q4
R2
68K
D1
R1
68K
C2
100uF
C3
Figura1.87
PROBLEMAP1.21:Enelcircuitomostrado,hallelascaractersticasdecada
transistorydetermine:a)PCCb)PLmxc)PCmxd)Laeficienciatotal
Q8
2N3773
D3
1N4004
R29
0.22/5
R14
680
+ 45Vdc
R27
0.22/5
Q11
2N3773
R26
0.22/5
R17
220K
C7
100/50
Q7
D816
R22
47/1
R21
12
C1
2.2/50
- 45Vdc
Q2
BC549
R12
270
R19
2K2
R2
47K
R4
18K
R8
2K2
Q1
BC549
Q5
D386
R7
470K
Q3
B649
R11
22K
Q10
2N3773
R5
270
RL
4 OHM
R3
2M2
Q13
2N3773
R10
2K2
R25
0.22/5
R28
0.22/5
R15
270
C5
100/50
D4
1N5395
R23
47/1
R13
2K2
Q4
B649
C4
330pF
D1
1N4004
R20
1K5
R24
0.22/5
R18
1M R1
22K
R16
4K3
Q6
D1046
C8
200pF
R6
5K6
C10
100pF
R9
15K
Q9
2N3773
D2
1N4004
C6
47K
Q12
2N3773
C2
0.2
C9
100/50
D5
1N5395
C3
10/50
Figura1.88
ElectrnicaAnalgicaII
146
PROBLEMA P1.20: En el circuito mostrado es un amplificador push pull clase A,
determineexpresionespara:a)PCCb)PLmxc)PCmxd)Laeficienciatotale)La
figurademrito
VCC
Q2
T2
2
7
5
8
11 6
RL
R14
R
1:1
2
7
5
8
11 6
VBB
Q1
Ig
1:1
Ideal
Figura1.89
ElectrnicaAnalgicaII
147
BIBLIOGRAFIA
1).CIRCUITOSMICROELECTRONICOS:ANLISISYDISEO
MuhammadRashid
InternationalThomsonEditores
2).MICROELECTRONICA:CIRCUITOSYDISPOSITIVOS
MarkN.Horenstein
PrenticeHallHispanoamricaS.A.
3)ELECTRONICCIRCUITS:DISCRETEANDINTEGRATED
Schilling,DonaldL.
Belove,Charles
McGrawHillKogakusha,Ltd.
4)DISPOSITIVOSYCIRCUITOSELECTRNICOS
Millman,Jacob
Halkias,CristosC.
McGrawHillBookCompany
5).ANLISISYDISEODECIRCUITOSELECTRNICOSINTEGRADOS
PaulE.Gray
RobertMeyer
PrenticeHallHispanoamricaS.A.
6).COMMUNICATIONCIRCUITS:ANALYSISANDDESIGN
Clarke,Kenneth
HessT.Donald
AddisonWesleyPublishingCompany
7).MANUALRCASC15
8).MANUALDEBAFFLESYALTAVOCES
FranciscoRuizVassallo
EdicionesCEAC
ElectrnicaAnalgicaII
149
CAPTULO2
REALIMENTACIN(FEEDBACK)
2.1. INTRODUCCION
MODELOSMATEMTICOS:
Sonladescripcinmatemticadelascaractersticasdinmicasdeunsistema.
Eldesarrollodelmodelomatemticoeslapartemsimportantedelanlisis.
Losmodelospuedentenermuchasformasyunarepresentacinmatemticapuede
sermsadecuadaqueotras.
Esdeseablehacerinicialmenteunmodelosimplificadoparatenerunaideageneral
delasolucinyluegosepuedehacerotromscompleto.
2.1.1.SISTEMALINEAL:
Esaqulcuyaecuacindiferencialeslineal:
Ejemplo:d
2
y/dt
2
+ady/dt+by(t)=f(t)
Vemosquelafunciny(t)ysusderivadasestnelevadasalaprimerapotencia.
Respondenalprincipiodesuperposicin.
2.1.2.SISTEMALINEALINVARIABLEENELTIEMPO:Esaqulcuyoscoeficientesson
constantes. En la ecuacin diferencial anterior, los coeficientes a y b deben ser
constantesparaqueelsistemasealinealeinvariableeneltiempo.
ElectrnicaAnalgicaII
150
2.1.4.SISTEMANOLINEAL:
Esaqulcuyaecuacindiferencialesnolineal:
Ejemplo:
( ) ( ) t t
f by
dt
dy
a
dt
y d
= +
+
2
2
2
Vemosquelaprimeraderivadadey(t)estelevadaalcuadrado.
Norespondenalprincipiodesuperposicin.
En general, los sistemas fsicos son no lineales. Pueden considerarse lineales slo
enunrestringidorangodeoperacin.
Los procedimientos para hallar las soluciones de estos sistemas son muy
complicados. A menudo se encuentra necesario, para su estudio, el empleo de
sistemaslinealesequivalentesenreemplazodelnolineal.Enestecaso,lavalidez
ser slo en un restringido campo de accin y luego se pueden usar las
herramientas desarrolladas para sistemas lineales. A esto se le denomina: Tcnica
deLinealizacin.
2.1.5.FUNCIONESDETRANSFERENCIA:Esunacaracterizacindelarelacinentre
laentradaylasalidadeunsistemalineal.
Sloesaplicablealossistemaslinealesinvarianteseneltiempoyaciertossistemas
decontrolnolineales.
Relacionalaentradaconlasalida,peronodaninformacinrespectoalaestructura
fsicadelsistema.
2.1.6.LINEALIZACIONDEUNMODELOMATEMTICONOLINEAL:
SupongamoslaecuacindelacorrientedeunMOSFETincrementalenlareginde
corrienteconstante:
( )
2
TH GS D
V V K I =
ElectrnicaAnalgicaII
151
QueremoslinealizarloalrededordelpuntodeoperacinIDQ,VGSQ
PodemosusarlaseriedeTaylor:
( )
( ) ( ) L +
+ =
2
2
2
! 2
1
GSQ GS
V
GS
D
GSQ GS
V
GS
D
V D D
V V
V
I
V V
V
I
I I
GSQ GSQ
GSQ
LasderivadasdeIDsonevaluadasenVGSQ:
( )
TH GSQ
V
GS
D
V V K
V
I
GSQ
=
2
K
V
I
GSQ
V
GS
D
2
2
2
=
Si:(VGSVGSQ)espequea,sepuedendespreciarlostrminosdeordensuperior
yobtenemosunarelacinaproximada:
IDID
(VGSQ)
=ID=(dID/dVGS)(VGSVGSQ)
Observamosque:ID=(dID/dVGS)VGS
ComodID/dVGSesevaluadaenVGSQ,tieneunvalorconstanteenesepunto.
2.1.7.DEFINICIN:
La realimentacin es, en general, un proceso que consiste en la transferencia de
energa presente en la salida de un sistema a la entrada del mismo (o a otras
entradasinternasosubsiguientes).Enelcasodeloscircuitoselectrnicos,consiste
entomarparteotodalasalidadecorrienteotensinquehayenlasalidayllevarla
alaentrada.
ElectrnicaAnalgicaII
152
Este proceso puede realizarse de una manera externa o producirse por efectos
internos de los dispositivos y componentes empleados en el circuito, como por
ejemplolascapacidadesparsitas.Esunprocesotanfundamentalenloscircuitos
electrnicos, como lo son la amplificacin y la rectificacin. Adems de estar
presente en muchsimos circuitos, es la base del funcionamiento de los sistemas
queempleanAmplificadoresOperacionales.
2.2.SISTEMAREALIMENTADO.DEFINICIONDETERMINOS:
Unsistemarealimentadosimple,sepuederepresentarpormediodediagramasde
bloques,comosemuestraenlafigura2.1:
K
Xc Xe
A
Xf
Xo
+/-
+
B
M
Xi
Fig.2.1
Donde:
A, B y K son las ganancias de transferencia directa de los bloques
respectivos.
Aeslagananciasinrealimentacinogananciadirecta.
Beslagananciadelsistemarealimentador.
K es la ganancia del bloque de accin de control, que procesa la seal de
error.
Af es la ganancia de transferencia directa del sistema realimentado
(gananciaconrealimentacinogananciadelazocerrado).
Xieslavariabledeentrada(tensinocorriente)delsistemarealimentado.
Provienedeunafuenteexterna.
Xoeslavariabledesalidadelsistemarealimentado(tensinocorriente).
Xfeslavariabledesalidadelsistemarealimentador.
XeeslavariabledecomparacinoerrorentrelavariablesXiyXf,lascuales
debenserdelmismotipo(ambascorrientesoambastensiones)
Xc es la seal de control (tensin o corriente) del sistema. Proviene del
bloquedeaccindecontrol.
M es el punto de muestreo de la variable de salida (punto de toma de la
variablearealimentar).
Teslagananciadebucleogananciadelazoabierto.(T=KAB)
ElectrnicaAnalgicaII
153
Eneldiagramaanterioresimportantetenerencuentaquesehaasumidoquelos
bloques son unilaterales en cuanto a sus entradas y salidas, las cuales tienen los
sentidosindicadosporlasflechas.
(2.2)en(2.3): Xo=KA(XiXf)
De(2.4): Xo=KA(XiBxo)
Xo=KAXiKABXo
Xo/+KABXo=KAXi
Xo(1/+KAB)=KAXi
Porlotanto: Xo/Xi=KA/(1/+KAB)
De(2.1):
T
KA
KAB
KA
A
f
= =
1 1m
(2.5)
Si:K,AyBsonfuncinesdelafrecuencia,laexpresin(2.5)seescribircomo:
De(2.1): ( )
( ) ( )
( ) jw T
jw A jw K
jw A
f
=
1
(2.6)
2.2.1.ACCIONESBASICASDECONTROL:
En el diagrama de bloques anterior vemos que un control automtico compara el
valorefectivodelasalidaconeldeseado,determinaladesviacinosealdeerror
(Xe) y produce una seal de control (Xc) que reduce la desviacin a cero o a un
valorpequeo.
Laformacomoelcontrolautomticoproducelasealdecontrolrecibeelnombre
deaccindecontrol.ElbloqueKseencargadeprocesarlasealdeerrorygenerar
lasealdecontrol(Xc).LafuncindetransferenciaquehayaenelbloqueKdefine
eltipodeaccindecontrol.
Lasaccionesbsicasdecontrolsonlassiguientes:
ElectrnicaAnalgicaII
154
2.2.1.1)Controlde2posicionesSINO(ONOFF):Elelementoaccionadortiene
slo dos posiciones fijas (figura 2.2). Es simple y econmico. En Electrnica, estos
controles son representados por comparadores sin histresis, comparadores con
histresis,interruptoresanalgicos,SCR,etc.
C(s) C(s)
-
+
Control SI - NO (ON - OFF)
con histeresis
-
E(s)
Control SI - NO (ON - OFF)
sin histeresis
E(s) +
Fig.2.2
2.2.1.2)Controlproporcional: En estetipo(figura2.3),lasealdeerrornopuede
ser cero, pero s se le puede reducir aumentando Kp; sin embargo, esto puede no
ser conveniente porque se hace inestable al sistema. Puede representarse
electrnicamenteporunamplificadorcongananciaajustableoconstante.
Xc(s) Xe(s)
Kp
Xc(s) = Kp Xe(s)
Xi(s)
Fig.2.3
2.2.1.3)Controlintegral:Estetipodecontrolactaenfuncindelahistoriadela
sealdeerror(Xe),porello,lasealdecontrol(Xc)puedenoserceroancuando
lasealdeerrorsescero.Noseleusasoloporqueempeoralaestabilidadrelativa
del sistema haciendo aumentar el sobre impulso e, incluso, volvindolo inestable.
Puede ser representado electrnicamente por un amplificador operacional
integrador.Seacostumbra usarlo acompaadoconotrotipo deaccin de control.
Lavelocidaddevariacindelasalidaesproporcionalalerroractuante.Siseduplica
Xe(t),entoncesXc(t)vara2vecesmsrpido.Sielerroractuanteescero,Xc(t)se
mantieneconstante.
ElectrnicaAnalgicaII
155
Xc(s) Xe(s)
A / s
Xc(s) = (A / s) Xe(s)
Control Integral
Xi(s)
Fig.2.4
R2
C(s)
R1 // R2
R1
-
+
C
E(s)
Fig.2.5
Lafuncindetransferenciadeestaetapaes:
C(s)/E(s)=(R1/R2)/[1+sCR1]
Sialafrecuenciadetrabajohacemosquesecumpla:wCR1>>1
Lafuncindetransferenciasereducea:C(s)/E(s)=1/[sCR2]
Comparandoconeldiagramadebloques:A=1/(CR2)
AlproductoCR2seledenominatiempodeintegracin.
2.2.1.4)Controlproporcionaleintegral:Estetipodecontrolcombinalasventajas
del control proporcional e integral juntos. El control proporcional permite
compensarlainestabilidadintroducidaporelcontrolintegral.Sediseademanera
ElectrnicaAnalgicaII
156
queelcerointroducidoestcercanoalorigenparaquesemantengaenloposible
el comportamiento del sistema original, con control proporcional. Puede ser
representado electrnicamente por un conjunto de amplificador, integrador y
sumador.
Xc(s) Xe(s)
A / s
Xc(s) = (Kp + A / s) Xe(s)
+
Control Proporcional e Integral
Xi(s)
Kp
+
Fig.2.6
+VCC
R1
C(s)
E(s)
3
2
7
4
6
+
-
V+
V-
OUT
OS1
OS2
-VCC
R2
C
R1//R2
Fig.2.7
Lafuncindetransferenciadeestaetapaes:
C(s)/E(s)=1+(R1/R2)/[1+sCR1]
Sialafrecuenciadetrabajohacemosquesecumpla:wCR1>>1
ElectrnicaAnalgicaII
157
Lafuncindetransferenciasereducea:C(s)/E(s)=1+1/[sCR2]
QuesecomportacomouncontrolproporcionaleintegralconKp=1
2.2.1.5)Controlderivativo:Estetipodecontrolactaenfuncindelavariacinde
lasealdeerror(Xe).Sielerroresconstante,nohaysealdecontrol(Xc).Tieneun
efecto de anticipacin, hace ms sensible al sistema y mejora la respuesta
transitoria aumentandolaestabilidadrelativa.Tiene elinconveniente que siacta
solo,elsistemanuncaalcanzarelestadoestacionarioy,porello,debecombinarse
siempreconotrotipodeaccindecontrol.
Xf(s)
Xe(s)
(Td) s
Xc(s)
Xi(s)
Xc(s) = (Td) s Xe(s)
Fig.2.8
2.2.1.6)Controlproporcionalyderivativo:Estetipodecontrolproporcionamayor
estabilidadrelativa,peropuedeproducirunarespuestaexcesivamentelenta.Debe
tenerseprecaucinenelmomentodeldiseoparalograrlarespuestatransitoria
deseada.
Xf(s)
Xe(s)
(Td) s
Xc(s)
+
Xi(s)
+
Xc(s) = (Td) s + Kp) Xe(s)
Kp
Fig.2.9
Fig.2.10
2.3.CLASESDEREALIMENTACION:
Selepuedeclasificarcomonegativaopositiva.
EspositivacuandolasealdeerrorseobtienedelasumadeXiconXfyXfesten
faseconXi(osiserestaXiconXfyXfestdesfasada180deXi)..
EsnegativacuandolasealdeerrorseobtienedelarestadeXiconXfyXfesten
faseconXi(osisesumaXiconXfyXfestdesfasada180deXi).
2.3.1.REALIMENTACINNEGATIVAODEGENERATIVA:
Ocurrecuandolaseal(ovariable)derealimentacinproduceunadisminucinde
lasealovariabledesalida.Laexpresindelagananciaofuncindetransferencia
es:
Af=KA/(1T); donde:T<0 (2.9)
EnestecasoseobservaqueAf<KA;esdecir,larealimentacinnegativadisminuye
laganancia.Adems,sisecumpleKAB>>1entonces:Af=1/Bylagananciacon
realimentacinsehaceindependientedelagananciasinrealimentacin.Siadems
sehaceaBindependientedelafrecuencia,Aftambinloser.
ElectrnicaAnalgicaII
159
2.3.2.REALIMENTACINPOSITIVAOREGENERATIVA:
Ocurre cuando la seal (o variable) de realimentacin produce un aumento de la
seal o variable de salida. La expresin de la ganancia o funcin de transferencia
es:
Af=KA/(1T); donde:T>0 (2.8)
EnestecasoseobservaqueAf>KA;esdecir,larealimentacinpositivaaumentala
ganancia.
CRITERIODEBARHAUSENESTABILIDAD:
Si se est llevando a cabo una realimentacin positiva, puede llegar a ocurrir la
siguientesituacin:
LoanteriorsignificaqueelsistemapuedeentregarunasalidaXoancuandoXi=0
Cuandoelcircuitoactadeestamanera,recibeelnombredeoscilador.Engeneral,
A, K, Af, T y B pueden depender de la frecuencia. Usando la transformada de
Fourier,loanteriorpuedeexpresarsecomo: T(jw)=10
Otraformadeescribir(2.9)es:
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) 0 1 0 1 Im Re j jw T jw T jw T + = = + =
ElectrnicaAnalgicaII
160
a) Lafrecuenciaalacualoscilarelamplificador.
b) Cmo debe alterarse el porcentaje de seal realimentada para que el
amplificadorseaestablealafrecuenciahalladaen(a)?
SOLUCION:
a) Comosedeseasabersioscilaraalgunafrecuenciayculessta,seaplicar
elcriteriodeBarkhausen:
T(jw)10
ComoBnodependedelafrecuencia,lafasedeTserigualalafasedeA.
Entonces:T=AB=0.015A
LafasedeAesceroalasfrecuencias: f=60Hz,con:A=100;y
f=40KHz,con: A=60
Luego: T(60Hz)=1.5>1;entonceselcircuitooscilara60Hz.
T(40KHz)=0.9<1;entonceselcircuitonooscilara40KHz.
Enconclusin,elcircuitoserinestableyoscilara60Hz.
b) Paraqueseaestable,Tdebesermenorque1alafrecuenciade60Hz.
Entonces: AB=100B<1
Luego: B<1%
Deberealimentarsemenosdel1%delasealdesalidaparaqueelcircuitosea
estable.
a) Oscilarelsistemamostrado?Porqu? A=10
b) QuamplituddesealsaledeB?
B=0.02
B
Vo
A
+
+
Vf = ?
Vin
Fig.2.11
ElectrnicaAnalgicaII
161
SOLUCION:
a) ParasabersiosciladebemosverificarsisecumpleelcriteriodeBarkhausen:
T(jw)=AB1
Reemplazandovalores:T=10x0.02=0.2<1;entonceselsistemanooscila.
b) HallamosAvf=Vo/Vin=A/(1AB)=10/0.8=12.5
Entonces: Vo=AvfVin=12.5mVpp
Luego: Vf=VoxB=(12.5mVpp)0.02=0.25mVpp
OBSERVACIONES:
2.4.USOSDELAREALIMENTACIN
La realimentacin se puede emplear para aprovechar los siguientes efectos que
produce:
1.Alteralasgananciasdelamplificadoralqueseleaplique:
Yasehavistoquelagananciaconrealimentacinesdadaconlafrmula:
T
A
A
f
=
1
Donde: A=gananciasinrealimentacinogananciadirecta.
T=gananciadebucleogananciadelazoabierto.
B
Xo
A2
A1
+
+
+
Xf
+
Xi
N
Fig.2.12
Lafuncindetransferenciatotales:
Af=[A2/(1T)]N+[A1A2/(1T)]Xi;donde:T=A1A2B
Vemosqueeldisturbio,N,hasidoreducidoporelfactor(1T)
El disturbio interno puede ser producido por una fuente de alimentacin mal
filtrada.
5.Reduccindeladistorsindefrecuencia:Comnmentelagananciadisminuyeal
aumentar la frecuencia. Esto quiere decir que las componentes de mayor
frecuencia de la seal de entrada sern amplificadas en menor medida que las
bajas,producindoseladistorsindefrecuencia.Larealimentacinnegativatiende
auniformizarlagananciaparatodaslascomponentesdefrecuenciadelasealde
entrada,reduciendoestadistorsin.
ElectrnicaAnalgicaII
163
Af
S=[d(Af)/Af]/[d(x)/x]=[x/Af]/[d(Af)/dx]
x
Enelcasosiguiente,conrealimentacinnegativa:
Af=[A/(1T)]=A/(1+AB)
Tendremosque:
Af
S=[d(Af)/Af]/[d(A)/A]=1/(1+AB)=1/(1T)
A
Conrealimentacinnegativa:Avf=A/(1T)=A/(1+AB)=K/(s+(p+KB))
Vemosqueelnuevopolosehaincrementadoeneltrmino:KB;loquequieredecir
queelanchodebandahaaumentado.
OBSERVACIONES:
En los circuitos electrnicos se emplea realimentacin positiva o negativa de
seal y / o de continua aplicndola a una o varias etapas en circuitos tales
como: Controles Automticos de Ganancia, fuentes de alimentacin
estabilizadas, amplificadores operacionales, osciladores, compensadores en
amplificadoresdevdeo,enamplificadoresdeaudiofrecuencia(realimentacin
selectiva),etc.
Uno de los efectos indeseables de la realimentacin inadecuadamente
aplicada o presente en forma parsita o imprevisible, es que a un circuito
diseado como amplificador lo convierta en oscilador a alguna frecuencia,
manifestndose dicha oscilacin como un tono en el altavoz, teniendo que
ElectrnicaAnalgicaII
164
usarse circuitos de neutralizacin para eliminarla. Esto es comn en
audiofrecuencia.
Otro ejemplo similar sera el caso de un receptor alimentado por pilas; stas,
conelusosedescargano,equivalentemente,aumentansuresistenciainterna,
lo cual hace que los puntos de alimentacin no estn puestos a masa
directamente sino a travs de dicha resistencia, pudiendo originarse una
realimentacin positivaentrelas etapas, dandolugar a unaoscilacin debaja
frecuencia llamada ``motor boating, lo cual obliga a emplear filtros de
desacoplamiento.
2.5.TIPOSDEAMPLIFICADORES
Antes de iniciar el anlisis de circuitos realimentados, indicaremos los tipos y
caractersticasdelosamplificadores.
a) AMPLIFICADORDETENSIN:Esunamplificadorquerecibetensinyentrega
tensin.Suimpedanciadeentradadebeserelevadaysuimpedanciadesalida
pequea. Su circuito de salida es mejor representado por un equivalente de
Thevenin.Lasalidaesunafuentedetensincontroladaportensin.
Vg
Av = Ganancia de tensin
Zi = Impedancia de entrada
Zo = Impedancia de salida.
Zi >> RG
-
Zo
Zi
-
Av Vi
+
-
-
+
RG
RL
Zo << RL
Vi
+
Vo
+
Fig.2.13
Fig.2.14
-
-
+
Vo RL Zo Vi
RG
-
IL
+
Zi
Gm Vi
Gm = Transconducncia
Zi = Impedancia de entrada
Zo = Impedancia de salida.
+
Zi >> RG
Zo >> RL
Vg
Fig.2.15
Fig.2.16
2.6.FORMASDEREALIMENTACIN
Acontinuacinrepresentaremoslosbloquesdelsistemarealimentadoenformade
cuadripolosparadescribirlasformascomopuedehacerselarealimentacin:
2.6.1.SERIEPARALELO(ERRORDETENSINYMUESTREODETENSION):
A continuacin mostramos el esquema para este caso: El bloque B recibe toda la
tensindesalida,Vo,yentregalatensinVfparagenerarlatensindeerror,Ve,a
laentradadelbloqueA.Enestecaso,larealimentacinhacequeelcircuitotienda
a comportarse como un amplificador de tensin ideal, es decir, elevar la
impedanciadeentrada,reducirlaimpedanciadesalidaydisminuirlaganancia:
T
A
A
v
vf
=
1
; ( ) T Z Z
i if
= 1 ;
T
Z
Z
o
of
=
1
Donde:Av=gananciadetensinsinrealimentacin.
Zi=impedanciadeentradasinrealimentacin.
Zo=impedanciadesalidasinrealimentacin.
ElectrnicaAnalgicaII
167
A
B
- - Vf +
+
Vg
+
Ve
-
RL
+
Vo
-
Fig.2.17
2.6.2.SERIESERIE(ERRORDETENSINYMUESTREODECORRIENTE):
A continuacin mostramos el esquema para este caso: El bloque B recibe toda la
corrientedesalida,Io,yentregalatensinVfparagenerarlatensindeerror,Ve,
a la entrada del bloque A. En este caso, la realimentacin hace que el circuito
tienda a comportarse como un amplificador de transconductancia ideal, es decir,
elevar la impedancia de entrada, elevar la impedancia de salida y disminuir la
transconductancia:
T
G
G
m
mf
=
1
; ( ) T Z Z
i if
= 1 ; ( ) T Z Z
o of
= 1
Donde: Gm=transconductanciasinrealimentacin.
Zi=impedanciadeentradasinrealimentacin.
Zo=impedanciadesalidasinrealimentacin.
A
B
+
Ve
-
+
Vg
-
- Vf +
RL
Io
Fig.2.18
ElectrnicaAnalgicaII
168
2.6.3.PARALELOSERIE(ERRORDECORRIENTEYMUESTREODECORRIENTE):
A continuacin mostramos el esquema para este caso: El bloque B recibe toda la
corriente de salida, Io, y entrega la corriente If para generar la corriente de error,
Ie, a la entrada del bloque A. En este caso, la realimentacin hace que el circuito
tiendaacomportarsecomounamplificadordecorrienteideal,esdecir,reducirla
impedanciadeentrada,elevarlaimpedanciadesalidaydisminuirlaganancia:
Aif=Ai/(1T) ; Zif=Zi/(1T) ; ( ) T Z Z
o of
= 1
Donde:Ai=gananciadecorrientesinrealimentacin.
Zi=impedanciadeentradasinrealimentacin.
Zo=impedanciadesalidasinrealimentacin.
A
B
If
Ie
Ig
RL
Io
Fig.2.19
2.6.4.PARALELOPARALELO(ERRORDECORRIENTEYMUESTREODE
TENSIN):
A continuacin mostramos el esquema para este caso: El bloque B recibe toda la
tensindesalida,Vo,yentregalacorrienteIfparagenerarlacorrientedeerror,Ie,
a la entrada del bloque A. En este caso, la realimentacin hace que el circuito
tienda a comportarse como un amplificador de transresistencia ideal, es decir,
reducirlaimpedanciadeentrada,reducirlaimpedanciadesalidaydisminuirla
ganancia:
T
R
R
m
mf
=
1
; ( ) T Z Z
i if
= 1 ;
T
Z
Z
o
of
=
1
Donde:Rm=transresistenciasinrealimentacin.
Zi=impedanciadeentradasinrealimentacin.
Zo=impedanciadesalidasinrealimentacin.
ElectrnicaAnalgicaII
169
A
B
If
Ig
Ie
RL
+
Vo
-
Fig.2.20
2.7.ANLISISDEAMPLIFICADORESREALIMENTADOS
Entrelosmtodosdeanlisistenemos:
3. Mtodossimplificadosaplicablesacasosparticulares:
TeoremadeMiller
Frmulasconparmetrosh.
Este mtodo es til sobre todo para el diseo, porque pone de manifiesto las
propiedadesyefectosdelarealimentacin.
ElectrnicaAnalgicaII
170
Para verificar los resultados de este mtodo, se le compara con la solucin
obtenidaconelmtodogeneralbasadoenlasleyesdeKirchoff.
ElmtododeflujodesealesseestudiaenloscursosdeControl.
Aqudaremoslosconceptosparaeltem3:CundoaplicaremoselTeoremade
Miller y/o los parmetros h, para luego hacer mayor nfasis en el tem 4 por
lasrazonesanteriormenteindicadas.
TEOREMADEMILLER:SeaelcasodeunaimpedanciaZcolocadaentrelosnudosA
yBdeunared:
LacorrientequesaledelnudoAhaciaBes:IA=(VAVB)/Z=VA(1K)/Z
Donde:K=VB/VA
Esdecir,quesiconocemoselvalordeKpodemosponerunaimpedanciaentreel
nudoAytierraconvalor:ZA=Z/(1K)ylacorrientequesalgadelnudoAserla
mismaIA.
Enformasimilar,lacorrientequesaledelnudoBhaciaAes:IB=(VBVA)/Z=VB
(11/K)/Z
Donde:K=VB/VA
Es decir, que si conocemos el valor de K podemos poner una impedancia entre el
nudoBytierraconvalor:ZB=ZK/(K1)ylacorrientequesalgadelnudoBserla
mismaIB.
ElectrnicaAnalgicaII
171
Z K / (K-1)
B
A
Z
Z / (1-K)
B
RED
A
Fig.2.21
ParapoderusarelTeoremadeMillerdebemosconocerpreviamentelarelacinde
tensiones entre los nudos B y A. Este teorema es til para determinar el polo
dominanteencircuitosconrealimentacincapacitiva.
PROBLEMA2.3.SisecumplequeXC>>RLhallelafuncindetransferenciadel
siguientecircuito:
+
Vi
-
C
+
VL
-
Si: Xc >> RL
Entonces: K = VL / Vi = - gm RL
Q
Rs
RL
Vs
Fig.2.22
Entonces,alcircuitoanteriorpodemosrepresentarloenlaformasiguiente:
ElectrnicaAnalgicaII
172
+
Vi
-
C
+
VL
-
Q
Rs
RL
C(1 + gm RL)
Vs
Fig.2.23
VemosqueporlaentradasevealacapacidadCaumentadaporelfactor(1+gm
RL),mientrasqueporlasalidaseleveprcticamenteconelmismovalor,sigm
RL>>1.
( )
( ) ( ) ( ) ( )
L m ie s L
ie s
ie
L m
s
L
v
R g sC h R C sR
h R
h
R g
V
V
A
+ + +
= =
1 // 1 1
Observamosquetiene2polos:
C R
s
L
1
1
= y
( ) ( ) ( )
L m ie s
R g C h R
s
+
=
1 //
1
2
SiendoelpolodominanteelproducidoporlacapacidadMillerdeentrada.
Siempleamoselmtododenodosobtenemosdosecuaciones:
Vi=[hieVs+hieRsCsV
L
]/(Rs+hie+hieRsCs) y
Vi=[1+R
L
Cs]/(R
L
CsgmR
L
)
Conellashallamoslagananciadetensin:
V
L
(sR
L
CgmR
L
)(hie/(Rs+hie))
Av==
Vs (1+sR
L
C)+(hie//Rs)sC(1+sR
L
C+gmR
L
(R
L
/Rs)]
ElectrnicaAnalgicaII
173
Sienestaecuacinsecumple:
1/(sC)>>R
L
y R
L
=Rs
Avsesimplificaa:
(gmR
L
)(hie/(Rs+hie))]
Av=
(1+sR
L
C)(1+(hie//Rs)sC(1+gmR
L
)
Podemosverquehayunpoloen: s1=(1/RLC)
yotroen: s2=1/[(Rs//hie)C(1+gmRL)]
QuesonlosmismosobtenidosconelteoremadeMiller.
FORMULASCONPARMETROSH:
Este mtodo consiste en hallar los parmetros hbridos de determinadas
configuracionescontransistores,parausarlasluegoyhallarlagananciatotal.
PROBLEMA2.4.Determinelosparmetroshdelsiguientecircuito:
+
v1
-
i2
RE
+
v2
-
i1
Fig.2.24
Lasecuacionesdeparmetroshbridosquerigenenelcircuitoson:
v1=hii1+hrv2 y i2=hfi1+hov2
Fig.2.25
Luegotenemos: i1=ib
Elparmetrohiloobtenemoshaciendov
2
=0: hi=v1/i1v2=0
Elparmetrohftambinloobtenemoshaciendov
2
=0: hf=i
2
/i
1
v2=0
Elmodeloparaestecasosemuestraenlafigura2.26:
Ypodemosplantearlassiguientesecuaciones:
v1=i1(hie)+hre(vce)+(1+hfe)i1(RE//(1/hoe))
Adems:vce=(1+hfe)i1(RE//(1/hoe))
Reemplazandoydespejandohi:
hie+(1hre)(1+hfe)RE
hi=
1+hoeRE
RE
E
+
hie
1/hoe
hfe ib
+
vce
-
i1 = ib i2 = ic
+
hre vce
-
v1
-
C B
Fig.2.26
Igualmente,delamismafiguraobtenemos:
i2=hfei1+hoevce
ElectrnicaAnalgicaII
175
Reemplazando la expresin de vce anteriormente hallada y despejando hf,
obtenemos:
hfehoeRE
hf=
1+hoeRE
Elparmetrohrloobtenemoshaciendoi1=0: hr=v1/v2i1=0
Alparmetrohotambinloobtenemoshaciendoi1=0: ho=i2/v2i1=0
Elmodeloparaestecasosemuestraenlafigura2.27:
RE
+
v2
E
+
hie
1/hoe
hfe ib = 0
+
vce
-
i1 = ib = 0 i2 = ic
+
hre vce
-
v1
-
C B
-
Fig.2.27
Ypodemosplantearlassiguientesecuaciones:
v2=i2(RE+1/hoe)=i2((hoeRE+1)/hoe)
Deaquobtenemos: hoe
ho=
1+hoeRE
Adems: v1=hrevce+i2RE
Tambin: vce=i2/hoe
Reemplazando:v1=hre(i2/hoe)+i2RE=i2((hre/hoe)+RE)
v1=v2(hoe/(1+hoeRE))((hre/hoe)+RE)
Despejandoysimplificando:
hre+hoeRE
hr=
1+hoeRE
ElectrnicaAnalgicaII
176
Siempre que veamos el circuito un transistor con resistencia en el emisor,
podremosreemplazaralconjuntoporsumodelodeparmetrosh
Sieltransistortuvieralossiguientesparmetroshbridosenemisorcomn:
hie=1.3K;hfe=90;hre=8x10
4
;hoe=125x10
6
mhoyR
E
=100
losparmetroshseran:
hi=10.3K;hf=90;hr=133x10
4
;ho=125x10
6
mho
PROBLEMA2.5.DeterminelosparmetroshdelMOSFETencompuertacomn:
-
+
D
-
Modelo del Mosfet
G
+
S
gm Vgs
Vdg
rds
Id
Vgs
-
G
Vsg
+
Is
Fig.2.28
Vsg=Ishi+hrVdg
Id=Ishf+hoVdg
SienestasecuacioneshacemosIs=0,podemosobtener:
a) hr=Vsg/Vdg:Vdg=VsggmVgsrds=Vsg+gmVsgrds
Dedonde: 1 1
hr==
1+gmrds1+
ElectrnicaAnalgicaII
177
b) ho=Id/Vdg:ComoIs=0,entonces:Id=0
Dedonde: ho=0
SienestasecuacioneshacemosVdg=0,podemosobtener:
c) hi=Vsg/Is:Vsg=(Is+gmVgs)rds=IsrdsgmrdsVsg
d) hf=Id/Is:Id=Is
Dedonde: hf=1
Fig.2.29
METODOGENERALDEANLISISDECIRCUITOSREALIMENTADOS
Este mtodo consiste en asimilar el circuito a uno de las cuatro formas de
realimentacin. Empleando el Teorema de Sustitucin se hace un modelo
simplificadoyluegosehallanlasgananciaseimpedancias.
Lodescribiremosmediante4ejemplos,unoparacadacaso:
PROBLEMA2.6.Enelcircuitomostrado,determine:
a) Laformaderealimentacin.
b) Lagananciasinrealimentacin.
c) Lagananciadebucle.
d) Lagananciaconrealimentacin.
e) Laimpedanciadeentradaconrealimentacin.
f) Laimpedanciadesalidaconrealimentacin.
ElectrnicaAnalgicaII
178
+
Vi
-
Is VCC
Zif
+
VL
-
Q
Rs
Zof
RL
Rf
Fig.2.30
SOLUCION:
a) Podemos observar que el nico elemento que une la entrada con la salida
esRf.Representamoselcircuitoparaseal:
+
Vi
-
Is
+
VL
-
Q
Rs
RL
Rf
Fig.2.31
Asimilamoselcircuitoaunadelas4formasderealimentacin:
ElectrnicaAnalgicaII
179
+
Vi
-
Is
+
VL
-
Q
A
Rs
RL
Rf
B
Fig.2.32
Podemosdecirquelaformaderealimentacinesparaleloparalelo
Fig.2.33
Debidoaquesemuestrealatensindesalidayenlaentradasecomparan
corrientes, la funcin de transferencia caracterstica del circuito ser la
Transrresistencia.
ElectrnicaAnalgicaII
180
Paracalcularlatransrresistenciasinrealimentacin,anulamos lafuenteVL
delaentradaylareemplazamosporuncortocircuito:
+
VL
-
RL
+
Q
Rf
Rs
Is
+
Vi
-
-
Rf
Vi
Fig.2.34
Fig.2.35
Enelcircuitodesalida: VL=Vi[RL/(RL+Rf)]hfeib[RL//Rf]
Debemosnotartambinque:Vi=ibhie
Simplificando: VL=ib[(RL//Rf)[(hie/Rf)hfe]
Enelcircuitodeentrada: ib=is[(Rs//Rf)/(hie+Rs//Rf)]
Finalmente:Rm=VL/is=(VL/ib)(ib/is)
Rm=[(RL//Rf)[(hie/Rf)hfe][(Rs//Rf)/(hie+Rs//Rf)]
ElectrnicaAnalgicaII
181
Encasosecumpla: Rf>>R
L
, Rf>>hie y hie<<Rs//Rf
Rm=hfeRL
c) Parahallarlagananciadebucle,aplicamoselsiguientecriteriopartiendode
losdiagramasdebloques:
K
Xc Xe
A
Xf
Xo
+/-
+
B
M
Xi
Fig.2.36
Sabemosque: Af=(KA)/(1T)
Donde: T=KAB
B
+
-
K A
Xo
X
Fig.2.37
Fig.2.38
Enloscircuitosellazodebeabrirseconservandolosefectosdecarga.Para
ellohacemosusodelteoremadesustitucin.
Lagananciadebuclelahallamosconlarelacin: T=VL/VL
Enelcircuitodesalida: VL=ib[(RL//Rf)[(hie/Rf)hfe]
EstaexpresineslamismaquesehallparaRm
Enelcircuitodeentrada: ib=[VL/(Rf+Rs//hie)](Rs/(hie+Rs)]
Finalmente: T=VL/is=(VL/ib)(ib/VL)
(RL//Rf)(hfehie/Rf)Rs
T=
(Rf+Rs//hie)](hie+Rs)
hfeRL
T=
Rf
ElsignonegativodeTnosindicaquelarealimentacinesnegativa.
ElectrnicaAnalgicaII
183
Como ya se han obtenido Rm y T, los reemplazamos en la ecuacin para
hallarRmf
Rm(RL//Rf)[(hie/Rf)hfe][(Rs//Rf)/(hie+Rs//Rf)
Rmf==
1T 1(RL//Rf)[(hie/Rf)hfe][(Rs/[(Rf+Rs//hie)](hie+Rs)]
VL(1/RL+1/Rf)+hfeibVi(1/Rf)=0
Vi=hieib
Is=Vi(1/Rs+1/Rf+1/hie)VL(1/Rf)
MedianteestasecuacionesobtenemosdirectamenteRmf:
(RLRs)[hiehfeRf]
Rmf=
(RLRs(1+hfe)+hie(RL+Rf+Rs)+RsRf
Donde:
Zi=impedanciadeentradasinrealimentacin
Zif=impedanciadeentradaconrealimentacin
Zilapodemoshallardelcircuitoequivalente,haciendolafuenteVL=0
Enestecasoobtenemos:Zi=Rs//Rf//hie
Luego: Rs//Rf//hie
Zif1=
1(RL//Rf)[(hie/Rf)hfe][(Rs/[(Rf+Rs//hie)](hie+Rs)]
ComonospidenquehallemoslaimpedanciadeentradasinincluirRs,enla
expresinanteriorhacemos: Rs
ElectrnicaAnalgicaII
184
Conloqueobtenemos:
Rf//hie
Zif=
1[(RL//Rf)[(hie/Rf)hfe][1/[(Rf+hie)]]
Rf//hie
Zif=
1(RL//Rf)[(hie/Rf)hfe][1/(Rf+hie)]
f) Laimpedanciadesalidaconrealimentacinpodemoshallarlaconla
frmulacorrespondiente:
Comoelmuestreoesdetensin,larealimentacinnegativahardisminuir
laimpedanciadesalida;porello: Zof=Zo/(1T)
Donde:
Zo=impedanciadesalidasinrealimentacin
Zof=impedanciadesalidaconrealimentacin
Zolapodemoshallardelcircuitoequivalente,haciendolafuenteVL=0eIs
=0
Enestecasoobtenemos:Zo=RL//Rf
Luego: RL//Rf
Zof1=
1[(RL//Rf)[(hie/Rf)][(Rs/[(Rf+Rs//hie)](hie+Rs)]
Como nos piden que hallemos la impedancia de salida sin incluir RL, en la
expresinanteriorhacemos: RL
Conloqueobtenemos:
Rf
Zof=
1[Rf[(hie/Rf)][(Rs/[(Rf+Rs//hie)](hie+Rs)]
ElectrnicaAnalgicaII
185
PROBLEMA2.7.Enelcircuitomostrado,determine:
a)Laformaderealimentacin
b)Lagananciasinrealimentacin
c)Lagananciadebucle
d)Lagananciaconrealimentacin
e)Laimpedanciadeentradaconrealimentacin
f)Laimpedanciadesalidaconrealimentacin
Zof
+
VL
-
Rs
RC
RE
VCC
RL
RB
Vg
C
Zif
C
Q1
Fig.2.39
SOLUCION:
a) Hallandolaformaderealimentacin:
Vemosquehayunsoloelemento,RE,queunelasalidaconlaentrada.
Representamoselcircuitoparaseal:
Rs
+
VL
-
Vg
Q1
RE
RL RC
RB
Fig.2.40
Asimilamoselcircuitoaunadelas4formasderealimentacin:
ElectrnicaAnalgicaII
186
Rs
+
VL
-
B
Vg
Q1
A
RL RC
RB
RE
Fig.2.41
ObservamosquelaentradadelbloqueBestenserieconlasalidayquela
salida del bloque B est en serie con la entrada. Entonces, la forma de
realimentacin es serieserie y la funcin de transferencia caracterstica es
latransconductancia
b) Obtenemoslatransconductanciasinrealimentacin
Empleandoelteoremadesustitucinhallamosuncircuitoequivalente:
+
VL
-
ib
RB
RC
ib
Rs
iL1
RE
RE
B ib
Vg
iL1
hie
iL
RL
Fig.2.42
Podemosobservarquecuandolaconexinesserie,empleamoselteorema
desustitucinconfuentesdecorriente.Anlogamente,cuandolaconexin
esparalelo,lousamosconfuentesdetensin.Deestamaneraaseguramos
quelasecuacionesqueseobtengansernlasmismasdelcircuitooriginal.
Parahallarlatransconductanciasinrealimentacin,hacemoscerolafuente
iL1,enlaentrada.
Il iL iL1ib
Gm==()()()
VgiL1 ibVg
ElectrnicaAnalgicaII
187
Delcircuitodesalida: iL=iL1[RC/(RC+RL)]
iL1=ib
Delcircuitodeentrada:
ib=[Vg/[Rs+(RB//(hie+RE))]][RB/(RB+hie+RE)]
Finalmente:
RCRB
Gm=
(RC+RL)[Rs+(RB//(hie+RE))](RB+hie+RE)
c) Acontinuacinobtenemoslagananciadebucle:
Para ello, hacemos Vg = 0 y a la fuente iL1 la cambiamos por iL1 (figura
2.43)
Hallamoslagananciadebuclemediantelaecuacin:
iL1iL1 ib
T==()()
iLibiL1
Delcircuitodesalida: iL1=ib
Delcircuitodeentrada: ib=iL1[RE/(RE+hie+Rs//RB)]
Finalmente:
RE
T=
RE+hie+Rs//RB
+
VL
-
ib
RB
RC
ib
Rs
iL1
RE
RE
B ib
iL1
hie
iL
RL
Fig.2.43
ElectrnicaAnalgicaII
188
d) Obtenemosahoralagananciaconrealimentacin:
Gmf=Gm/(1T)
Reemplazando:
RCRB(RE+hie+Rs//RB)
Gmf=
(RC+RL)[Rs+(RB//(hie+RE))](RB+hie+RE)[(RE+hie+Rs//RB)+RE]
e) Obtenemoslaimpedanciadeentradaconrealimentacin
Comoelerroresdetensin,larealimentacinnegativaharqueaumente
laimpedanciadeentrada.Entonces: Zif1=Zi1(1T)
LaecuacinanterioresvlidadesdelaentradadelbloqueAhaciaadelante
(noincluyeRB)
Zi1eslaimpedanciadeentradasinrealimentacin.
Zi1=hie+RE
Luego:
RE
Zif1=(hie+RE)[1+]
RE+hie+Rs//RB
ComonospidenlaimpedanciadeentradasinincluirRs,peroincluyendo
RB,hacemos:
Rs0
Luego:
Zif=RB//[RE(1+)+hie]
f) Obtendremosahoralaimpedanciadesalidaconrealimentacin:
Como el muestreo es de corriente, la realimentacin negativa har que
aumentelaimpedanciadesalida.Entonces: Zof1=Zo1(1T)
La ecuacin anterior es vlida desde la salida del bloque A hacia atrs (no
incluyeRC)
Zo1eslaimpedanciadesalidasinrealimentacin.LahallamoshaciendoVg
=0
ComoiL1tambinescero(nohayrealimentacin):Zo1=(debidoaque
estamosusandoelmodelosimplificadodeltransistor).
ElectrnicaAnalgicaII
189
Luego: Zof1=
ComonospidenhallarZofincluyendoRC,sersimplemente: Zof =
RC
PROBLEMA2.8.Enelcircuitomostrado,determine:
a)Laformaderealimentacin
b)Lagananciasinrealimentacin
c)Lagananciadebucle
d)Lagananciaconrealimentacin
e)Laimpedanciadeentradaconrealimentacin
f)Laimpedanciadesalidaconrealimentacin
RE RL
RB
Rg
C
Zif
+
VL
-
Zof
Vg
C
VCC
Q
Fig.2.44
Asumaquelascapacidadessonmuygrandes
SOLUCION:
a) Hallandolaformaderealimentacin:
Vemosquehayunsoloelemento,RE,queunelasalidaconlaentrada.
Representamoselcircuitoparaseal:
Rg
RB
RL RE
+
VL
-
Q
Vg
Fig.2.45
ElectrnicaAnalgicaII
190
Asimilamoselcircuitoaunadelas4formasderealimentacin:
B
Rg
RB
RL
A
RE
+
VL
-
Q
Vg
Fig.2.46
Observamos que la entrada del bloque B est en paralelo con la salida y que la
salida del bloque B est en serie con la entrada. Entonces, la forma de
realimentacin es serieparalelo y la funcin de transferencia caracterstica es la
gananciadetensin.
b) Obtenemoslagananciadetensinsinrealimentacin
Empleandoelteoremadesustitucinhallamosuncircuitoequivalente:
ib
ib
RL
RE
Rg
hie
vL
Vg
RB
+
VL
-
RE
hfe ib
Fig.2.47
Av=VL/Vg=(VL/ib)(ib/Vg)
Delcircuitodesalida: VL=(1+hfe)ib[RE//RL)]
Delcircuitodeentrada:
ib=[Vg/[Rg+RB//hie]][RB/(RB+hie)]
ElectrnicaAnalgicaII
191
Finalmente:
(1+hfe)(RE//RL)RB
Av=
[Rg+(RB//hie)](RB+hie)
c) Acontinuacinobtenemoslagananciadebucle:
Paraello,hacemosVg=0yalafuentevLlacambiamosporvL(figura2.48)
hie
VL
Rg
RL
+
VL
-
ib
ib
hfe ib
RE RE
RB
Fig.2.48
Hallamoslagananciadebuclemediantelaecuacin:T=VL/VL=(VL/ib)(ib/
VL)
Delcircuitodesalida: VL=(1+hfe)ib[RE//RL]
Delcircuitodeentrada: ib=VL/[(hie+Rg//RB)]
Finalmente:
(1+hfe)RE//RL
T=
hie+Rg//RE
d) Obtenemosahoralagananciaconrealimentacin:
Avf=Av/(1T)
Reemplazando:
(1+hfe)(RE//RL)RB[hie+Rg//RE]
Avf=
[hie+Rg//RE+(1+hfe)Rg//RE[Rg+(RB//hie)](RB+hie)
e) Obtenemoslaimpedanciadeentradaconrealimentacin
Comoelerroresdetensin,larealimentacinnegativaharqueaumente
laimpedanciadeentrada.Entonces: Zif1=Zi(1T)
NtesequenospidenlaimpedanciadeentradasinincluirRg
LaecuacinanterioresvlidadesdelaentradadelbloqueAhaciaadelante
(noincluyeRB)
ElectrnicaAnalgicaII
192
Zieslaimpedanciadeentradasinrealimentacin.
Zi=hie
Luego:
(hie)[hie+Rg//RE+(1+hfe)RE//RL
Zif1=
hie+Rg//RE
Como nos piden la impedancia de entrada sin incluir Rg, pero incluyendo
RB,hacemos:
Rg0
Luego:
Zif=RB//[hie+(1+hfe)RE//RL]
f) Obtendremosahoralaimpedanciadesalidaconrealimentacin:
Como el muestreo es de tensin, la realimentacin negativa har que
disminuyalaimpedanciadesalida.Entonces:Zof1=Zo/(1T)
La ecuacin anterior es vlida desde la salida del bloque A hacia atrs (no
incluyeRL)
Zoeslaimpedanciadesalidasinrealimentacin.Lahallamoshaciendo:Vg
=0ycerolafuenteVL,enlaentrada.
Luego: Zof1=RE/(1T)
ComonospidenhallarZofsinincluirRL,hacemosRL
Entonces:
RE(hie+Rg//RE)
Zof=
hie+Rg//RE+(1+hfe)RE
PROBLEMA2.9.Enelcircuitomostrado,determine:
a)Laformaderealimentacin
b)Lagananciasinrealimentacin
c)Lagananciadebucle
d)Lagananciaconrealimentacin
e)Laimpedanciadeentradaconrealimentacin
f)Laimpedanciadesalidaconrealimentacin
ElectrnicaAnalgicaII
193
Asumaquelacapacidadesmuygrandeyempleeelmodelosimplificadodelos
transistorescon:hie1=hie2=2Kyhfe1=hfe2=90
VCC = +12V
Zif
Q1
Zof
R2
3k
R1
5.6k
C
R4
5.6k
+
vL
-
Q2
RL
1k
Ig
R3
330k
Fig.2.49
SOLUCION:
a) Hallandolaformaderealimentacin:
Vemosquehaydoselementos,R3yR4,queunenlasalidaconlaentrada.
Representamoselcircuitoparasealyloasimilamosaunadelas4formas
derealimentacin:
R3
RL
B
R1
Ig
A
Q1
R4
R2
+
VL
-
Q2
Fig.2.50
ElectrnicaAnalgicaII
194
ObservamosquelaentradadelbloqueBestenserieconlasalidayquela
salida del bloque B est en paralelo con la entrada. Entonces, la forma de
realimentacinesparaleloserieylafuncindetransferenciacaracterstica
eslagananciadecorriente.
b) Obtenemoslagananciadecorrientesinrealimentacin
Empleando el teorema de sustitucin hallamos un circuito equivalente
(figura2.51).
Para hallar la ganancia de corriente sin realimentacin, hacemos cero la
fuenteiL1,enlaentrada.
Ai=iL/Ig=(iL/iL1)(iL1/ib2)(ib2/ib1)(ib1/Ig)
R2
R3
R4
ib2
ib2
hfe2 ib2
iL
Vb1 = hfe1 ib1
hie2
R4
hfe1 ib1
hie1
R1
ib1
R3
Ig
iL1
iL1
RL
+
VL
-
Fig.2.51
Delcircuitodesalida: iL=iL1R2/(R2+RL)
iL1=hfe2ib2
Reemplazandovalores:
iL/iL1=0.75 iL1/ib2=90
Parasimplificarmselcircuito,usamosreflexindeimpedancias(figura
2.52)
ElectrnicaAnalgicaII
195
R2
R3
+
(1 + hfe2) R4
ib2
-
iL
Vb1 = hie1 ib1
hie2
ib2
R4
hfe1 ib1
hie1
R1
ib1 (1 + hfe2) R3
Ig
iL1
hfe2 ib2
RL
+
VL
-
Fig.2.52
Delcircuitocentralhallamoslarelacin: (ib2/ib1)
ib2=hfe1ib1[R1/[R1+hie2+(1+hfe2)(R3//R4)]]
[(hie1ib1)/[(1+hfe2)R3+((1+hfe2)R4)//(R1+hie2)]](1+hfe2)R4/(R1+
hie2+(1+hfe2)R4)
Reemplazandovalores:
ib2/ib1=0.992
Delcircuitodeentrada:
ib1=[Ig(R3+R4)/(hie1+R3+R4)+ib2(R4/(R3+R4+hie1))
Dividiendoporib1:
1=[(Ig/ib1)(R3+R4)/(hie1+R3+R4)+(ib2/ib1)(R4/(R3+R4+hie1))
Reemplazandovalores:
1=[(Ig/ib1)(0.994)+(0.992)(0.0166)
Ypodemosdespejarlarelacin(ib1/Ig):
ib1/Ig=0.978
Acontinuacin: Ai=iL/Ig=(0.75)(90)(0.992)(0.978)=65.487
c) Acontinuacinobtenemoslagananciadebucle:
Para ello, hacemos Ig = 0 y a la fuente iL1 la cambiamos por iL1 (figura
2.53)
Hallamoslagananciadebuclemediantelaecuacin:
T=iL1/iL1=(iL1/ib2)(ib2/ib1)(ib1/iL1)
ElectrnicaAnalgicaII
196
Delcircuitodesalida: iL1=(hfe2)ib2
Reemplazandovalores: iL1/ib2=90
Delcircuitocentralhallamoslarelacin: (ib2/ib1)
ib2=hfe1ib1[R1/[R1+hie2+(1+hfe2)(R3//R4)]]
[(hie1 ib1)/[(1 + hfe2)R3 + ((1 + hfe2)R4)//(R1 + hie2)]](1 +
hfe2)R4/(R1+hie2+(1+hfe2)R4)
Reemplazandovalores:
ib2/ib1=0.992
Delcircuitodeentrada: ib1=(iL1+ib2)[R4/(hie1+R3+R4)]
Dividiendoporib1: 1=(iL1/ib1+ib2/ib1)[R4/(hie1+R3+R4)]
Reemplazandovalores:
1=(iL1/ib10.992)[5.6/(2+330+5.6)]
ib1/iL1=0.016
Finalmente:
T=iL1/iL1=(90)(0.992)(0.016)=1.457
hfe2 ib2
hfe1 ib1
R4
Vb1 = hie1 ib1
ib1
ib2
RL
R2
ib2
(1 + hfe2) R4
R3
iL1
iL1
+
VL
-
hie2
+
hie1
-
R1
(1 + hfe2) R3
iL
Fig.2.53
d) Obtenemosahoralagananciaconrealimentacin:
Aif=Ai/(1T)
Reemplazandovalores:
Aif=65.487/(1+1.457)=26.65
e) Obtenemoslaimpedanciadeentradaconrealimentacin
Comoelerroresdecorriente,larealimentacinnegativaharque
disminuyalaimpedanciadeentrada.Entonces: Zif=Zi/(1T)
LaecuacinanterioresvlidadesdelaentradadelbloqueAhaciaadelante.
ElectrnicaAnalgicaII
197
Zieslaimpedanciadeentradasinrealimentacin.
Enelcircuitodeentrada:
ib1hie1=Vg (tensindeentradaenlafuentedecorriente)
Adems:ib1=Ig[(R3+R4)/(hie1+R3+R4)]+ib2[R4/(hie1+R3+R4)]
Dividiendoporib1:1=(Ig/ib1)[(R3+R4)/(hie1+R3+R4)]+(ib2/ib1)[R4/(
hie1+R3+R4)]
Reemplazandovalores:
1=(Ig/ib1)[(335.6)/(337.6)]+(ib2/ib1)[5.6/(337.6)]
1=(Ig/ib1)[0.994]+(0.992)[0.0166]
ib1/Ig=0.978
Multiplicandoporhie1: Zi=Vg/Ig=(0.978)(2K)=1.956K
Luego:
Zif=(1.956K)/(1+1.457)=796
f) Obtendremosahoralaimpedanciadesalidaconrealimentacin:
Como el muestreo es de corriente, la realimentacin negativa har que
aumentelaimpedanciadesalida.Entonces: Zof=Zo(1T)
La ecuacin anterior es vlida desde la salida del bloque A hacia atrs (no
incluyeRL)
Zoeslaimpedanciadesalidasinrealimentacin.LahallamoshaciendoIg=
0ycerolafuenteiL1,enlaentrada(figura2.54).
Comoenlaentradaanquedalafuenteib2,ib1noserceroytendremos
queplantearecuacionesparahallarZo.
Paraconservarelefectodelasfuentesdependientes,quetambininfluyen
en la impedancia, empleamos la fuente externa Vo; ella entregar la
corrienteIoyZosepuedehallarconlarelacin: Zo=Vo/Io
Enelcircuitodeentrada: ib1=ib2[R4/(hie1+R3+R4)]
Reemplazandovalores: ib1=ib2[5.6/(337.6]=0.0166ib2
Enelcircuitodesalida:
Io=Vo/R2+hfe2ib2
ElectrnicaAnalgicaII
198
hfe2 ib2
hfe1 ib1
R4
Vb1 = hie1 ib1
Io
Vo
ib1
ib2
R2
ib2
(1 + hfe2) R4
R3
-
+
hie2
+
hie1
-
R1
(1 + hfe2) R3
Fig.2.54
Luego: hfe2ib2=IoVo/R2
Enelcircuitodeentrada:ib1=ib2(R4/(R3+R4+hie1)
Entonces: ib1=(1/hfe2)(IoVo/R2)(R4/(R3+R4+hie1)=[0.184x10^(
3)][IoVo/R2]
Delcircuitocentralyasehahallado:ib2=0.992ib1=[0.1828x10^(3)][Io
Vo/R2]
ReemplazandoenIo: Io=Vo/R2hfe2ib2=Vo/R2(0.016)[IoVo/R2]
Despejando: Zo=Vo/Io=R2=3K
Finalmente: Zof=Zo/(1T)=3K/(1+1.457)=1.22K
OSCILADORESSINUSOIDALES
Los osciladores son circuitos que generan seales al aplicrseles el voltaje de
alimentacin,sinnecesidaddeingresarlesunasealexternadeentrada.
OSCILADORDEROTACINDEFASE:
Este es un oscilador de baja frecuencia que trabaja comnmente a frecuencias de
audio.
ElectrnicaAnalgicaII
199
En el siguiente grfico mostramos un oscilador de rotacin de fase tpico con
transistorbipolar:
R1
VCC
RC
Q
C
R2
R R
CE
P
C
RE
C
Fig.2.55
Debido a que las oscilaciones comienzan con niveles de pequea seal, podemos
usarlosmodelosdecuadripololinealdeltransistor.
Eltransistorserreemplazadoporsumodelosimplificadoconparmetroshbridos
para analizarlo con pequea seal y determinar los requisitos que debe cumplir
paraqueseinicienlasoscilaciones.
Elmodeloequivalenteeselsiguiente:
hfe ib
C
ib
hie
C C
R P R RB RC
Fig.2.56
ElectrnicaAnalgicaII
200
Estemodeloserepresentaparahallarlagananciadebucle:
Aquellazosehaabiertoporlabasedeltransistordebidoaquenospermitehacer
unmodelomssimpleconservandolosefectosdecarga.
RB
C
+
xo
-
RB
P C
ib
hie RC
xo
R R
hfe ib
hie
C
Fig.2.57
Lagananciadebuclesehallaconlasiguienterelacin:
T=xo/xo
Efectuandoelanlisisconlateoradecircuitosobtenemos:
hfeRB/(RB+hie)
T(s)=
3+R/RC+4/RCs+6/RCCs+5/RRCCs
2
+1/R
2
RCC
3
s
3
]
AplicandoelcriteriodeBarkhausenenelestadoestacionarioobtenemos:
Igualandoacerolaparteimaginaria(lafasedeTdebesercero),obtenemosla
ecuacinparalafrecuenciadeoscilacin:
1/RC
wo=
(6+4RC/R)
1/2
Igualando a uno la parte real (la parte real de T debe ser uno), obtenemos la
condicindeganancia:
R/RC(hf23)/58+[((hf23)/58)
2
4/29]
1/2
Donde: hf=hfeRB/(RB+hie)>44.6
y RB=R1//R2
Paraunafrecuenciaaproximadade60Hzyamplituddesalidaajustableentre0y5
Vpico.Empleetransistores2N2222.
C2
R2
Q1
2N2222
C5
R9
C1
+12Vdc
Q2
2N2222
R4
R1
R8
C4
C3
R3 R8
R5 R7 R6
Fig.2.58
SOLUCION:
La salida la sacaremos desacoplada de DC por medio del potencimetro R8 para
calibrarelniveldeseado.
T(jw)=10
Otraformadeescribirloanteriores:
T(jw)=Re(T(jw))+Im(T(jw))=1+j0
Aligualar0laparteimaginariadelagananciadebucle,obtenemoslafrecuencia
alaqueoscilarelcircuito.
Enlasiguientefigura,eltransistorhasidoreemplazadoporsumodelosimplificado
de parmetros hbridos para analizarlo con pequea seal y determinar los
ElectrnicaAnalgicaII
202
requisitos que debe cumplir para que se inicien las oscilaciones. El modelo
equivalentees:
hfe ib
C
ib
hie
C C
R P R RB RC
Fig.2.59
Estemodeloseadaptaparahallarlagananciadebucle:
RB
C
+
xo
-
RB
P C
ib
hie RC
xo
R R
hfe ib
hie
C
Fig.2.60
Lagananciadebuclesehallaconlasiguienterelacin:
xo
T=
xo
Efectuandoelanlisisconlateoradecircuitosobtenemos:
hfeR
B
/(R
B
+hie)
T(s)=
3+R/R
C
+4/RCs+6/R
C
Cs+5/RR
C
C
2
s
2
+1/R
2
R
C
C
3
s
3
AplicandoelcriteriodeBarkhausenenelestadoestacionarioobtenemos:
wo=(1/RC)/(6+4RC/R)
1/2
R/RC(hf23)/58+[((hf23)/58)
2
4/29]
1/2
Donde:hf=hfeR
B
/(R
B
+hie)>44.6
y R
B
=R1//R2
Emplearemosunatensindealimentacinde12V.
MediantelasleyesdeKirchoffobtenemos:
R3+R4=7K
Para obtener buena estabilidad del punto de operacin y una ganancia alta,
elegimos:
R4=1K
Luego,emplearemoselvalorcomercialmscercanoparaR3:
R3=5.6K
Lacorrientedebasedeltransistorser:I
B
=1mA/80=0.0125mA
AplicandolaleydeOhm,obtenemos:R2=1.7V/0.125mA=13.6K
Emplearemoselvalorcomercialmscercano:R2=15K
LuegohallamosR1:
R1=(121.7)V/(1.7/15+0.0125)mA=89.8K
Igualmente,emplearemoselvalorcomercialmscercano:R1=91K
C
4
secalculademaneraquesureactanciaseapequeaencomparacincon
R
4
,paraquelaamplituddelaoscilacinnoseamuychica:
C
4
>>1/(2fR
4
)=2.65uF
Porello,elegimosunvalorcomercialmuchomayorqueelcalculado:
C4=100uF
Como: R
5
/R
3
(hf23)/58+[((hf23)/58)
2
4/29]
1/2
ElectrnicaAnalgicaII
204
Donde:hf=hfeRB/(RB+hie)>44.6
ComoRB=R1//R2=12.9K
Y:hie=80(26mV)/(1mA)=2.08K
Obtenemos: hf=68.9>44.6
Conelloaseguramosqueinicienlasoscilaciones
AcontinuacincalculamosR
5
: R
5
/R
3
=(45.9)/(58+(0.59))=0.782
Luego: R
5
=4.38K
Elvalorcomercialmscercanoes:R
5
=R
6
=R
7
=R=4.3K
Lafrecuenciaangulardeoscilacinesdadaporlaecuacin:
wo=(1/R
5
C1)/(6+4R3/R5)
1/2
Comoqueremos:wo=2(60)=377rad/s
Obtenemoselvalorde:C1=0.18F=180nF
Conlosvalorescalculadoshicimosunasimulacinporcomputadorayobtuvimos
lossiguientesresultados:
I
CQ
=0.963mA V
CEQ
=5.7V
Quesonvalorescercanosalosdediseo.
LatensincontinuaenelcolectordeQ1esaproximadamente:6.66V
EnelemisordeQ2habrunatensindeaproximadamente6V
Empleando una corriente mayor para Q2 hacemos que su impedancia de salida
disminuya.SiusamosunvalorparaR
9
de: R
9
=180
LacorrientedeoperacindeQ2ser:I
CQ2
=33.3mA
ParaR
8
usamosunvalorrelativamentepequeoconlafinalidaddequenoalterela
corriente de Q2 y evitar que pueda haber una oscilacin adicional a la que
queremos: R
8
=1K
ElectrnicaAnalgicaII
205
OSCILADORCOLPITTS:
Este es otro de los osciladores sinusoidales ms conocidos. Se le emplea en alta
frecuencia.Susealdesalidatienemenordistorsinyesmsestablequeladelde
rotacin de fase. Se le puede mejorar ms cuando se le emplea con cristal
piezoelctrico(enestecasorecibeelnombredeosciladorPierce)
Enlafigura2.61semuestranvariantesdeestecircuito.
Debido a que las oscilaciones se inician en pequea seal, podemos utilizar los
modelos lineales del transistor para obtener la ganancia de bucle y hallar las
ecuaciones que nos darn la frecuencia de oscilacin y los requerimientos de
ganancia para que se inicien las oscilaciones. Las caractersticas no lineales del
transistordeterminarnlaamplituddesalida.
-VCC
RF CH
Q
Salida
RE
Q
RE
L
C1
C2
Q
C) Configuracin en emisor
comn con choke de RF
y alimentacin simple
+VCC
R2
+VCC
C1
RL
C3
RE
Salida
R1
RC
C2
R2
Salida
A) Configuracin en base
comn con alimentacin
simtrica
B) Configuracin en
emisor comn con
alimentacin simple
C3
R1
L
+VCC
C4
L
C4
C1
C2
Fig.2.61
ElectrnicaAnalgicaII
206
Elmodeloequivalenteparaseal,parahallarlagananciadebucle,eselsiguiente:
Q
Vbe
Rb
gm Vbe
R
+
Vbe
-
Rb rx C2
R = Rb // rx
RC
C3
C
C2
L L
RC
C = C3 + Cx
Fig.2.62
Aqu tambin es conveniente abrir el lazo por la zona de base para obtener un
modelomssencillo.
Apartirdelmodeloequivalentepodemosdeterminarlagananciadebucle:
T(s)=Vbe/Vbe
T(s)=(gmRCR)/[RRCCC2Ls
3
+L(RC+RCC2)s
2
+(L+RRCC2+RRCC)s+R+RC]
Enelestadoestacionario:
T(jw)=(gmRCR)/[R+RCL(RC+RCC2)w
2
+jw(L+RRCC2+RRCCRRCCC2Lw
2
)
AplicandoelcriteriodeBarkhausen:
L+RRCC2+RRCCRRCCC2Lw
2
=0
(gmRCR)/[R+RCL(RC+RCC2)w
2
)>1
Yobtenemoslaexpresinparalafrecuenciadeoscilacin:
wo=[(L+RRCC2+RRCC)/(RRCCC2L)]
1/2
yelrequisitodeganancia:
(gmRC//R)>[L(RC+RCC2)/(R+RC)]wo
2
1
PROBLEMA2.11.EnelosciladorColpittsmostradoenlafigura2.61A,determinela
frecuencia de oscilacin y el requisito de ganancia para que se inicien las
oscilaciones..Si:RL=10K,RE=20K,L=10H,C1=1013pF,C2=79nF,VCC=
10V.Eltransistoresdesiliciocon=100y=1.T=300K.
SOLUCION:
Determinamosprimeroelpuntodeoperacindeltransistor:
ElectrnicaAnalgicaII
207
Enlamallacolectoremisor: 10=VCEQ+IEQ(20K)10
Enlamallabaseemisor: 0=VBEQ+IEQ(20K)10=0.7+IEQ(20K)10
Luego:IEQ=0.465mA
Acontinuacin: VCEQ=10.3V
Latensincontinuadesalidaes: Vo=10V
Laresistenciadeentradaatemperaturaambientedeltransistores:
hib=VT/IEQ=26mV/0.465mA=56
Laconductanciadeentradaparapequeaseales: gin=1/hib=1/56
La transconductancia para pequea seal es: gm = gin = 1/56 = 17.86x10
3
siemens
X1
RL
gm X +
Xo
-
RE X
hib
C1
hib
C2 L
Fig.2.63
Empleandoelmtododenudos: Xo(1/(RE//hib)+sC2Xo+sC1(XoX1)=0
Dedonde: X1=[(1/sC1)(1/(R
E
//hib)+s(C1+C2)]Xo
Adems: gmX+X1(1/sL)+X1(1/R
L
)+sC1(X1Xo)=0
gmX+X1[(1/sL)+(1/R
L
)+sC1]sC1Xo)=0
ReemplazandoX1:
gmX+[(1/sC1)(1/(R
E
//hib)+s(C1+C2)]Xo[(1/sL)+(1/RL)+sC1]sC1Xo)=0
Delaecuacinanteriorobtenemoslagananciadebucle:
s
2
C1gmR
L
L(R
E
//hib)
T(s)=
s
3
C
1
LR
L
[C1(RE//hib)+(RE//hib)(C1+C2)]+s
2
L[(RE//hib)(C1+C2)
2C
1
R
L
]+s[R
L
(RE//hib)(C1+C2)2L]2R
L
ElectrnicaAnalgicaII
208
Enelestadoestacionario: s=jw
Reemplazando:
w
2
C1gmR
L
L(R
E
//hib)
T(jw)=
jw
3
C
1
LR
L
[C1(RE//hib)+(RE//hib)(C1+C2)]w
2
L[(RE//hib)(C1+C2)
2C
1
R
L
]+jw[R
L
(RE//hib)(C1+C2)2L]2R
L
Laparteimaginariadebeserigualacero:
jw
3
C
1
LR
L
[C1(RE//hib)+(RE//hib)(C1+C2)]+jw[R
L
(RE//hib)(C1+C2)2L]=0
Dedondesededucelaexpresindelafrecuenciadeoscilacin:
R
L
(R
E
//hib)(C
1
+C
2
)2L
w
o
2
=
C
1
LR
L
[C
1
(RE//hib)+(RE//hib)(C
1
+C
2
)
Reemplazandovalores:
Lafrecuenciaangulares: wo=9.87x10^6rad/s
Lafrecuenciacclicaes: fo=1.57MHz
Laparterealdebesermayoroigualauno:
w
0
2
C1gmR
L
L(R
E
//hib)
1
w
0
2
L[(R
E
//hib)(C
1
+C
2
)2C
1
R
L
]2R
L
Reemplazandovalores: gm9.24x10
3
siemens
Latransconductanciadeltransistor,enpequeaseal,debesermayorqueelvalor
calculadoparaqueseinicienlasoscilaciones.
OSCILADORHARTLEY:
El oscilador Hartley es otro de los osciladores sinusoidales de alta frecuencia ms
conocidos.Acontinuacinsemuestranalgunasversionesdeestecircuito:
ElectrnicaAnalgicaII
209
L
Q
R2
Cb
L
Q
VCC
C
L
CH
R1
C
L
Cb
VCC
Cb
Rb
Fig.2.64
Acontinuacinharemoselanlisisdelqueempleatransformador:
El condensador Cb pone al transistor en base comn y Ce acopla la seal
realimentada.
Apartirdelmodeloequivalentepodemosdeterminarlagananciadebucle:
C Re
Q
gm Vbe
L rx
N2
T1
N1
T1
8 6
7 4
rx Re Cx
Vbe
N2
+
Vbe
-
Cx
Re
N1
C
Fig.2.65
Hemosempleadoelmodelodeparmetroshbridosdeltransistoryasumiremos
que el transformador no tiene prdidas, L es la inductancia del primario y la
relacindeespirases:n=N1/N2.
ElmodeloequivalentedeladerechanospermitehallarT:
Re
gm Vbe
n^2 rx L
r
n^2 Re Cx/n^2
Vbe +
Vbe/n
-
C
C
Fig.2.66
T(s)=Vbe/Vbe
ElectrnicaAnalgicaII
210
Llamaremos: R=n
2
(Re//r)y Ct=C+C/n
2
Luego:
T(s)=(ngmRLs)/[RLCts
2
+Ls+R]
Enelestadoestacionario:
T(jw)=(ngmRL)/[jRLCtw+LjR/w]
AplicandoelcriteriodeBarkhausen:
jwRLCtjR/w=0
(ngmRL)/L>1
Yobtenemoslaexpresinparalafrecuenciadeoscilacin:
wo=[1/(LCt)]
1/2
yelrequisitodeganancia:
n>1/(gmR)
SERIEDEPROBLEMASDEELECTRNICAANALGICAIIEA61
PROBLEMAP2.1.
a) MuestreelesquemacircuitalquepermitahallarT
b) Escriba las expresiones resultantes de la funcin de transferencia sin
realimentacinydeT
Zof
+
VL
-
RC
RE
VCC
RL
RB
Vg
C
Zif
C
Q1
Fig.2.67
ElectrnicaAnalgicaII
211
PROBLEMAP2.2.Enelcircuitomostrado,
a) MuestreelesquemacircuitalquepermitahallarTylafuncindetransferencia
sinrealimentacin.
b) HalleT
c) HalleZiyZif.
Asumaelmodelodeparmetroshbridossimplificadodeltransistor
RL
RS C
VCC
RB
+
vL
-
RC
C
+
vg
-
Q
Rf
Fig.2.68
PROBLEMAP2.3.
a) MuestreelesquemacircuitalquepermitahallarT
b) HalleTsilasalidasetomaenR4
c) HalleZif
Fig.2.69
Hallelagananciadebucle
Fig.2.70
Laformaderealimentacinesserieparalelo.
PROBLEMAP2.7.
a)MuestreelesquemacircuitalquepermitahallarT
b)Hallelaexpresindelagananciadebucle.
c)HallelaexpresindeZof(noconsiderarRL).
R6
R4
+
VL
-
Q1
RL
Vi
Rs
RE
Q3
R3
R7
R2
-VCC
Q4
Q2
R5
R1
+VCC
Fig.2.71
PROBLEMAP2.8.Enelcircuitodelafigura2.72:
a) Qutipodemuestreoyerrorhayenelcircuito?
b) Hallelagananciasinrealimentacin
c) Hallelagananciadebucle
d) Hallelaimpedanciadesalida
Fig.2.72
ElectrnicaAnalgicaII
214
PROBLEMAP2.9.Enelcircuitodelproblema2.4:R
1
=10K,R
2
=5K,R
3
=680K,
R
4
=6K,R
E
=1,2K,Rg=2K,R
L
=1K,
HalleelvalordeRfparaquelagananciadetensinconrealimentacinseael25%
delagananciasinrealimentacin.
Losparmetrosdelosdostransistoresson:hfe=150,hre=0,hie=2K,hoe=0
PROBLEMAP2.11.DiseeunosciladorHartleyparaunafrecuenciade2MHz.
PROBLEMAP2.12.EmpleandoelreguladorintegradoLM723,diseeunregulador
DCparaobtenersalidade12VDC2Aconcontrolproporcional.
PROBLEMAP2.13.EmpleandoelreguladorintegradoLM723,diseeunregulador
DCparaobtenersalidade12VDC2AconcontrolPI.
PROBLEMAP2.14.EmpleandoelreguladorintegradoLM723,diseeunregulador
DCparaobtenersalidade12VDC2AconcontrolPD.
PROBLEMAP2.15.EmpleandoelreguladorintegradoLM723,diseeunregulador
DCparaobtenersalidade12VDC2AconcontrolPID.
PROBLEMAP2.16.EmpleandoelreguladorintegradoLM723,diseeunregulador
DC para obtener salidas de +30 VDC y 30VDC, 2 A con lmite de corriente
ajustable.
Fig.2.73
PROBLEMAP2.18.Elcircuitodelafigura2.74esunposibleoscilador.
a) Podrtrabajar?
b) Encasodequetrabaje,determinelafrecuenciayamplituddeVx.
c) Encasodequenotrabaje,expliqueporquno.
AsumaqueelcontrolautomticodevoltajenocargaaQ2yqueambos
transistoressondesiliciocon>>1
2K7
BT2
100pF
CONTROL
AUTOMATICO
DE VOLTAJE
Iy
1V
100uH
Iy(wo)
12V
Vx(wo)
Q1
+
Vx
-
12V
300uA
10V
2K7 20K
Q2
12V
Fig.2.74
PROBLEMAP2.19.
a) Determinelosparmetroshdelcircuitodelafigura2.75.
b) Sieltransistortuvieralossiguientesparmetroshbridosenemisorcomn:hie
= 1.3 K, hre = 8x10
4
, hfe = 90, hoe = 125x10
6
y R = 22 K Cules son los
valoresdelosparmetrosh?
c) Comparando los parmetros h con los del transistor, Qu conclusiones
obtiene?.
ElectrnicaAnalgicaII
216
I2
I1
Q
+
V2
-
+
V1
-
R
Fig.2.75
PROBLEMAP2.20:Respondalassiguientespreguntas:
a)Porquseemplearealimentacinnegativaenlosamplificadoresdeaudio?
b)Porqularealimentacinnegativatiendeadisminuirelruido?
ElectrnicaAnalgicaII
217
BIBLIOGRAFA
1).CIRCUITOSMICROELECTRONICOS:ANLISISYDISEO
MuhammadRashid
InternationalThomsonEditores
2).MICROELECTRONICA:CIRCUITOSYDISPOSITIVOS
MarkN.Horenstein
PrenticeHallHispanoamricaS.A.
3)ELECTRONICCIRCUITS:DISCRETEANDINTEGRATED
Schilling,DonaldL.
Belove,Charles
McGrawHillKogakusha,Ltd.
4)DISPOSITIVOSYCIRCUITOSELECTRNICOS
Millman,Jacob
Halkias,CristosC.
McGrawHillBookCompany
5).COMMUNICATIONCIRCUITS:ANALYSISANDDESIGN
Clarke,Kenneth
HessT.Donald
AddisonWesleyPublishingCompany
6).INGENIERIADECONTROLMODERNA
KatsuhikoOgata
PrenticeHallHispanoamricaS.A.
7).PROBLEMASDEINGENIERIADECONTROLUTILIZANDOMATLAB
KatsuhikoOgata
PrenticeHallHispanoamricaS.A.
8).ANLISISYDISEODECIRCUITOSELECTRNICOSINTEGRADOS
PaulE.Gray
RobertMeyer
PrenticeHallHispanoamricaS.A.
ElectrnicaAnalgicaII
218
APLICACIONESDECRISTALES
Estavisindeldiseodeosciladoresacristaldepropsitogeneralbasadostanto
en componentes discretos como en compuertas lgicas satisface los
requerimientosdegeneracindefrecuenciasdesdelosKHz200MHz. Por
MartinEcclesAgostode1994
Entre 1MHz y 200 MHz, normalmente son elegidos cristales con corte AT. Ellos
representanelmejorcompromisoentrelaestabilidaddetemperatura,laexactitud
de la frecuencia y la capacidad de corrimiento de frecuencia. Sin embargo, por
encima de los 27 MHz, los cristales AT slo estn disponibles para trabajar en el
mododesobretono.Estaesunarestriccindebidoaquelososciladoresensobre
tonosonmsdifcilesdedisearysonsusceptiblesarespuestasespreas.Fig.1
CAPACITANCIADECARGAYCORRIMIENTODEFRECUENCIA
Cercadelafrecuenciaderesonanciadelcristal,alreducirlacapacidaddecargaen
el dispositivo, se aumentan la salida y la frecuencia, Fig. 2. Adems de la carga
externa, el cristal posee su propia capacidad en paralelo, Co, la cual est
tpicamente entre 3 y 15 pF. Cuando se hacen los clculos, esta capacidad debe
agregarsealadecarga.
2(C
L
+Co)
2
Donde:
C
1
eslacapacidadmotriz,
C
L
eslacapacidaddecargay
Coeslacapacidadenparalelo.
Frecuencia(MHz) MododeVibracin C
1
(fF) Co(pF)
12 fundamental 58 3
24 fundamental 612 3
46.5 fundamental 820 5
6.530 fundamental 1625 6
21150 3ersobretono 125 6
60150 5tosobretono <0.7 6
85210 7mosobretono <0.4 6
Todos los cristales operan con resonancia serie. El trmino resonancia paralelo se
usa a menudo para describir a un cristal diseado para manejar una alta
impedancia de carga a travs de sus terminales. La resonancia serie existe dentro
del cristal, mientras que la resonancia paralelo slo existe como un fenmeno de
medicindelcristal.
EMPLEODECRISTALESDECUARZO
Para que oscile un circuito, debe tener realimentacin positiva y ganancia de lazo
mayorquelaunidad.Sinotroselementossensiblesalafrecuenciaenelcircuitodel
oscilador, el cristal oscilar en su modo fundamental. Se necesitan agregar al
circuito elementos dependientes de la frecuencia para forzar al cristal para que
oscileenunsobretono.
ElectrnicaAnalgicaII
221
CAPTULO3
AMPLIFICADORDIFERENCIAL(A.D.)
3.1.INTRODUCCION:
Uno de los amplificadores ms importantes en Electrnica es el amplificador
diferencial.
Acontinuacinsemuestraunesquemabsicoempleandotransistoresbipolares:
Vs1
C
V2
Rc
Io
VCC
Rb V1
Q2
Vs2
Q1.
C
Rb
Rc
Fig.3.1
Ioesunafuentedecorrienteconstantequedebeofrecerunaaltaimpedanciaala
seal. Si la salida se toma en Vs1 Vs2 respecto a tierra, se dice que la salida es
desbalanceada.
SilasalidasetomaentreVs1yVs2,sedicequelasalidaesbalanceada.
V
1
yV
2
sonlassealesdeentrada.
ElectrnicaAnalgicaII
222
Lasalidadebeserproporcionalaladiferenciadelassealesdeentrada,esdecir:
Vs=Ad(V
1
V
2
)
Adeslagananciaenmododiferencial
La ecuacin anterior corresponde a la respuesta ideal del A.D., sin embargo, los
A.D.realespresentanunasalidadadaporlaecuacinsiguiente:
Vs=Ad(V
1
V
2
)+Ac(V
1
+V
2
)/2
Ac es la ganancia en modo comn y generalmente se busca que sea lo ms
pequeaposible.Idealmentedeberasercero.
Sedefine:
Mododiferencial=Vd=V
1
V
2
Modocomn=Vc=(V
1
+V
2
)/2
Debeindicarsequeelmodocomnnoestformadosolamenteporelpromediode
las seales de entrada, sino tambin por cualquier seal no deseada (ruido,
interferencia, etc.) acoplada a ambas entradas a la vez. Si ello sucede, el
amplificadortenderaeliminarlasdesusalida.
Por lo anterior, podemos decir que este tipo de amplificador tiende a eliminar las
sealesnodeseadasquesepresentenensusentradas.
Paraefectuarelanlisisdelcircuitoseexpresanlassealesdeentradamedianteel
modocomnyelmododiferencial.
V
1
=Vc+Vd/2
V
2
=VcVd/2
Cuando se analiza con pequea seal podemos utilizar los modelos de cuadripolo
lineal del transistor. Cuando se analiza con gran seal, debemos utilizar la
caractersticanolinealdeltransistor(porejemplo,lasecuacionesdeEbersMoll).
FACTORDERECHAZOALMODOCOMUN(CMRR):
EsteesunparmetromuytilparasaberlacalidaddelA.D.Seledefinecomo:
CMRR=|Ad|/|Ac|
ElectrnicaAnalgicaII
223
Tambinseacostumbraexpresarloendecibeles:
CMRRdb=20log(|Ad|/|Ac|)
IdealmenteelCMRRdebeserinfinito.
EnunA.D.realconvienequesealomsaltoposible.
2.2.ANALISISDELAMPLIFICADORDIFERENCIAL
Enelesquemabsicopodemosplantearlassiguientesecuaciones:
iE1+iE2=Io
Adems:
V
1
VBE1=V
2
VBE2
Dedonde:
V
1
V
2
=VBE1VBE2
IC=IES
VBE/VT
IES
VBE1/VT
+IES
VBE2/VT
=Io
Adems:
iE1/iE2=
(VBE1VBE2)/(VT)
Sillamamos:z=(VBE1VBE2)/VT=(V1V2)/VT
Yutilizamoslaspropiedadesdelasproporciones,obtendremos:
iE1=Io/(1+
z
)
iE2=Io/(1+
z
)
ElectrnicaAnalgicaII
224
UtilizandoMATLABpodemosgraficarestasecuaciones:
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
0
0. 1
0. 2
0. 3
0. 4
0. 5
0. 6
0. 7
0. 8
0. 9
1
CURVAS CARACTERISTICAS DEL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
z
C
o
r
r
i
e
n
t
e
ie1
ie2
Io = 1
Io/ 2
Fig.3.2
Podemosobservarque:
1. Cuandonohayseal(z=0)cadatransistorconducelamitaddelacorrienteIo.
2. La mxima corriente que puede conducir un transistor es Io y, por ello,
podemos evitar que llegue a la zona de saturacin, permitiendo que pueda
funcionarvelozmente.
3. Cuandountransistorconduce unacorriente:Io/2+i,elotroconduce Io/2
i para que la suma de ambas corrientes sean iguales a Io. Es decir, si un
transistoraumentasucorriente,elotrolareduceenlamismacantidad.
4. Paravaloresdezcomprendidosenelrango:1z+1,podemosdecirqueel
A.D.tendruncomportamientoaproximadamentelineal
5. Para un valor z = +5, el transistor Q2 conduce prcticamente la corriente Io y
Q1estprcticamenteencorte.Ocurrelocontrarioparaz=5.
6. Lasgrficastienensimetraimparrespectoalnivel:Io/2
ElectrnicaAnalgicaII
225
Lascorrientesdesealnormalizadassondadasporlasexpresines:
ie1/Io=(1/2)(tanh(z/2))
ie2/Io=(1/2)(tanh(z/2))
Nuevamente,empleandoMATLABpodemosgraficarestasecuaciones:
- 5 - 4 - 3 - 2 - 1 0 1 2 3 4 5
- 0 . 5
- 0 . 4
- 0 . 3
- 0 . 2
- 0 . 1
0
0 . 1
0 . 2
0 . 3
0 . 4
0 . 5
C O R R IE N TE S E N M O D O D IF E R E N C IA L
z
Fig.3.3
Conlasecuacionesanteriores,podemosexpresarlascorrientestotalescomo:
iE1=(Io/2)(1+tanh(z/2))
iE2=(Io/2)(1tanh(z/2))
Parapequeaseal(z<<1)podemosexpresarlascorrientestotalescomo:
iE1=(Io/2)+(gin/2)(V1V2)
iE2=(Io/2)(gin/2)(V1V2)
Donde:
gin=conductanciadeentradadeltransistorenpequeaseal
gin=Io/(2V
T
)
Latransconductanciadelamplificadordiferencialparapequeasealesdadapor
laecuacin:
gm=gin/2=Io/(4V
T
)
Sielmododiferencialesunasealsinusoidaldelaforma:
V1V2=Vcos(t)
ElectrnicaAnalgicaII
226
Entonces: z=(V1V2)/VT=(V/VT)cos(t)=xcos(t)
Lacorrientedesealser:
ie1=(Io/2)(tanh[(x/2)(cos(t)]
ie2=(Io/2)(tanh[(x/2)(cos(t)]
DesarrollandoenseriesdeFourierestascorrientes,obtenemossloarmnicas
impares:
ie=(Io)a(2n1)cos[(2n1)(t)]
n=1
ic=(Io)a(2n1)cos[(2n1)(t)]=I1cos(t)+I3cos(3t)+I5cos(5t)+...
n=1
Loscoeficientesdelaserieseobtienendelasiguienteecuacin:
+
a(2n1)=(1/)[0.5*tanh[(x/2)cos()]]cos(n)d
En la siguiente tabla se dan valores de los coeficientes para las tres primeras
armnicas:
Paralaprimeraarmnica:
Gm1(x)=I1/V=(Ioa1(x))/V=[4gmVT]a1(x)/V=gm[4a1(x)/x]
PROBLEMA3.1.SienelcircuitomostradoQ
1
=Q
2
,V
1
=175mVcos(wt),
V
2
= 50mVcos(wt), IES = 10
14
A, Io = 5 mA. Determine la distorsin de tercer
armnicoqueproduceelA.D.AsumaVT=25mV
Q2
RL
RC
Q1
VCC
RC
Io
V2 V1
Fig.3.4
SOLUCION:
Sabemosquex=V/VT=(17550)/25=5.0
Delatablaobtenemosparax=5.0:
a1
(5)
=0.5877
a3
(5)
=0.1214
Ladistorsindetercerarmnicosersimplemente:
D3=a3
(5)
/a1
(5)
=0.1214/0.5877=20.66%
2.3.ANALISISDELAMPLIFICADORDIFERENCIALCONPEQUEASEAL
Enestecasopodemosusarlosmodeloslinealesdeltransistor.
Aplicaremoselmtodoalcircuitodelafigura3.5
ElectrnicaAnalgicaII
228
Vs1
C
V2
Rc
Io
VCC
Rb V1
Q2
Vs2
Q1.
C
Rb
Rc
Fig.3.5
ANALISISENDC:
Obtendremoslasexpresionesdelospuntosdeoperacindelostransistores.
LostransistoresQ1yQ2sonigualesy,debidoaquesusredesdepolarizacinson
iguales,lascorrientesdeemisordeambostransistorestambinserniguales:
I
EQ1
=I
EQ2
=Io/2
Si: >>1 entonces: I
CQ1
=I
CQ2
=Io/2
Conociendolacorrientequeentregalafuentedecorrientepodemosconocerladel
puntodeoperacindecadatransistor.
LatensinDCenlosemisoresdelostransistoreses: V
E
=V
BE
Io(Rb/2)
Acontinuacin: V
CEQ1
=V
CEQ2
=V
CC
IoRc/2V
E
Enestecasolastensionescolectoremisorsonigualesdebidoaquetambinloson
lasresistenciasdecolector.
TRANSFORMACIONDEIMPEDANCIAS:
Este mtodo es aplicable cuando empleamos los modelos simplificados del
transistor bipolar. Para ello, aplicamos los conocimientos de circuitos elctricos y
partimosdelsiguienteesquemabsico,mostradoenlafigura3.6:
ElectrnicaAnalgicaII
229
(1 + hfe)ib
hfe ib
hie
ib
(1 + hfe)ib
ib
+
Ve
-
Ve = (1 + hfe)ib R + V1
hfe ib
+
V1
-
Ve
hie
R
Fig.3.6
LatensinVeenelnudoesdadapor:Ve=(1+hfe)ibR+V1
Esta tensin la podemos representar por una fuente de tensin ideal, como se
muestra en la figura 3.6. A continuacin podemos usar las propiedades de estas
fuentes para luego retroceder al modelo original, separando las ramas, como se
muestraenlafigura3.7:
hie
+
V1
-
hfe ib
hie
ib
(1+hfe)ib/(1+hfe)
hfe ib
R(1+hfe)
Ve
+
Ve
-
Ve
ib
R(1+hfe)/hfe
+
Ve
-
+
V1
-
Fig.3.7
Alreflejarhaciahie,multiplicamoslasresistenciaspor:(1+hfe)ydividimos
lascorrientespor(1+hfe)
Al reflejar hacia la fuente hfe ib, multiplicamos las resistencias por: (1 +
hfe)/hfeydividimoslascorrientespor(1+hfe)/hfe
Estasreglaslaspodemosaplicaracualquiercircuitolineal.
Deellonosvaldremosparaanalizaralamplificadordiferencialyhallarlasganancias
eimpedanciasconpequeaseal.
ElectrnicaAnalgicaII
230
ANALISISENAC:
Obtendremoslasexpresionesdelasgananciaseimpedanciasenmododiferencialy
en modo comn para pequea seal. Utilizaremos el modelo de parmetros
hbridossimplificado.Elcircuitoequivalenteeselmostradoenlafigura3.8
DebidoaqueIoesunafuentedecorrientecontnua,paraseallahacemosceroy
lo que queda es su impedancia para AC. En dicho esquema Z es la impedancia en
ACqueofrecelafuentedecorriente.
V2
Rc
Rb V1
Z
Vs2 Vs1
Rc
hie
hfe ib2
Rb
ib2
hfe ib1
ib1
hie
Fig.3.8
Parasimplificarelcircuitoutilizamoslastcnicasdetransformacindefuentesdel
anlisisdelateoradecircuitos,conloqueresultaelesquemadelafigura3.9:
Rc
ib1
+
V2
-
hfe ib2
Rb
hie
ib2
Vs1 Vs2
hie
hfe ib1
+
V1
-
Rb hfe ib1
Z
Ve
hfe ib2
Rc
Fig.3.9
ElectrnicaAnalgicaII
231
Podemosaplicarahorareflexindeimpedancias:
Haciaelladoizquierdovemoslascorrientesib1y(hfeib1)ypodemosreflejarun
circuitoconhieyotroconlafuente(hfeib),comosemuestraenlafigura3.10:
Rc
ib1
hie(1+hfe)/hfe
+
V2
-
Ve
hfe ib2/(1+hfe)
Rb
hie
ib2/(1+hfe)
+
V2
-
Rb(1+hfe)/hfe
Vs1 Vs2
hfe ib2(hfe/(1+hfe))
hie(1+hfe)
ib2(hfe/(1+hfe))
hfe ib1
+
V1
-
hfe ib1
Rb(1+hfe)
Z(1+hfe)
Ve
Z(1+hfe)/hfe
hfe ib2
Rc
Fig.3.10
Enlafigura3.10vemosqueelcircuitoinferiornonosaportainformacinadicional
y podemos prescindir de l, quedndonos slo con los esquemas de la parte
superior,comosemuestraenlafigura3.11:
ElectrnicaAnalgicaII
232
Rc
ib1
+
V2
-
hfe ib2/(1+hfe)
Rb
hie
ib2/(1+hfe)
Vs1 Vs2
hie(1+hfe)
hfe ib1
+
V1
- Rb(1+hfe)
Z(1+hfe)
Ve
hfe ib2
Rc
Fig.3.11
Hacia el lado derecho de la figura 3.11 vemos las corrientes ib2/(1+hfe) y (hfe
ib2)/(1+hfe) y podemos reflejar nuevamente un circuito hacia la resistencia
hie(1+hfe) y otro con la fuente (hfeib2)/(1+hfe) , como se muestra en la figura
3.12:
Rc
ib1/(1+hfe)
+
V2
-
Rb(1+hfe)
hie(1+hfe)
ib2/(1+hfe)
Vs1 Vs2
hie(1+hfe)
hfe ib1
+
V1
- Rb(1+hfe)
Z(1+hfe)(1+hfe)
Ve
hfe ib2
Rc
Fig.3.12
Rc
Rb
ib2
-
Vd/2
+
Rb
hie
Vs1 Vs2
hie
hfe ib1
+
Vd/2
-
Z(1+hfe)
Ve
+
Vc
-
+
Vc
-
ib1
hfe ib2
Rc
Fig.3.13
Adicionalmente,sehanrepresentadolassealesdeentrada(V1yV2)medianteel
modocomn(Vc)yelmododiferencial(Vd).
Comoelmodeloeslineal,podemosaplicarsuperposicinyhallaremoslaganancia
en modo diferencial haciendo cero la seal en modo comn (Vc = 0); luego
hallaremoslagananciaenmodocomnhaciendocerolasealenmododiferencial
(Vd=0)
Paraelmododiferencial: ib1=Vd/(2hie)
Ib2=Vd/(2hie)
ElectrnicaAnalgicaII
234
1) Acontinuacin: Vs1=hfeRcib1=[(hfeRc)/(2hie)]Vd
Luego: Ad1=hfeRc/2hie
Ad1 es la ganancia en modo diferencial cuando tomamos la salida
desbalanceada en el colector de Q1. Aqu la salida est desfasada 180
respectoalmododiferencial.
2) SitomamoslasalidadesbalanceadaenelcolectordeQ2:
Vs2=hfeRcib2=+[(hfeRc)/(2hie)]Vd
Luego: Ad2=+hfeRc/2hie
Aqu vemos que la salida est en fase con el modo diferencial y Ad2 es la
gananciaen modo diferencialcuandotomamoslasalidadesbalanceadaen
elcolectordeQ2.
3) SitomamoslasalidabalanceadaentreloscolectoresdeQ1yQ2:
Vs1Vs2=hfeRcib1+hfeRcib2=[(2hfeRc)/(2hie)]Vd
Luego: Ad12=hfeRc/hie
AquvemosquelasalidaeseldoblequeenloscasosanterioresyAd12es
la ganancia en modo diferencial cuando tomamos la salida balanceada
entreloscolectoresdeQ1yQ2.
IMPEDANCIADEENTRADAENMODODIFERENCIAL:
Enelcircuitodeentradavemosqueparaelmododiferencial:
Zid=2(Rb//hie)
Paraelmodocomn: ib1=Vc/(hie+2(1+hfe)Z)
Ib2=Vc/(hie+2(1+hfe)Z)
1) Acontinuacin: Vs1=hfeRcib1=[(hfeRc)/(hie+2(1+hfe)Z)Vc
Luego: Ac1=hfeRc/(hie+2(1+hfe)Z)
Ac1 es la ganancia en modo comn cuando tomamos la salida
desbalanceadaenelcolectordeQ1.Vemosquedependeinversamentede
la impedancia en AC de la fuente de corriente. Si esta impedancia es muy
elevada,podemosminimizarlagananciaenmodocomn.
ElectrnicaAnalgicaII
235
2) SitomamoslasalidadesbalanceadaenelcolectordeQ2:
Vs2=hfeRcib2=[(hfeRc)/(hie+2(1+hfe)Z)Vc
Luego: Ac2=hfeRc/(hie+2(1+hfe)Z)
Aquvemosquelasalidaesigualenamplitudysignoqueenelcolectorde
Q1 e, igualmente, si la impedancia es muy elevada, podemos minimizar la
gananciaenmodocomn.
3) SitomamoslasalidabalanceadaentreloscolectoresdeQ1yQ2:
Vs1Vs2=hfeRcib1+hfeRcib2=0
Luego: Ac12=0
Esto significa que tomando la salida en forma balanceada podemos
disminuirmslagananciaenmodocomn(idealmentesehacecero).
IMPEDANCIADEENTRADAENMODOCOMUN:
Enelcircuitodeentradavemosqueparaelmodocomn:
Zic=(Rb//(hie+(1+hfe)Z)
VemosquesideseamostenerunaaltaimpedanciadeentradaenmodocomnRb
debeserelevadoonodebemoscolocarestaresistencia.
PROBLEMA3.2.Enelcircuitodelafigura3.14,halle:
a) Elpuntodeoperacindecadatransistor
b) Lasgananciasenmododiferencialyenmodocomn
c) Lasimpedanciasdeentradaenmododiferencialyenmodocomn.
Asuma:Q1=Q2=Q3con:hie=1K,=hfe=100,V
D
=V
BE
=0.7V,hob=10
6
S
ElectrnicaAnalgicaII
236
D
+ 6 V
100K
Q1
V1
1K5
V2
4K
C es muy grande
Q2
5K 5K
- 6 V
C
C
Q3
100K
C
Fig.3.14
SOLUCION:
a) Anlisis en DC: Obtendremos el punto de operacin de cada transistor.
Empezaremos hallando la corriente de la fuente de corriente formada por
Q3:I
CQ3
=Io
6V
5K
1.5K
Io
Q3
VBB
5K
1.5K
D7
6V
Q3
Io
RB
6V
Fig.3.15
ElectrnicaAnalgicaII
237
ParahallarlacorrienteIohllamoselcircuitotheveninequivalenteparaQ3,
comosemuestraenlafigura3.16.
Latensindetheveninsepuedehallarconlaecuacin:
V
BB
=(6+0.7)/2=2.65V
Dedondeobtenemos:I
CQ3
=Io=2.65/(0.025+1.01(1.5))=1.72mAI
CQ3
=
Io=1.72mA
AMPLIFICADORDIFERENCIALCONFET
Enlafigura3.7semuestraunaversinqueempleaMosfets.Lafuentedecorriente
estformadaporunjfet
ElectrnicaAnalgicaII
238
RD
RG
RD
-VSS
V2
+VDD
Q3
Q2 Q1
RG V1
Fig.3.7
ANALISISENDC:
Obtendremoslasexpresionesdelospuntosdeoperacindelostransistores.
LostransistoresQ1yQ2sonigualesy,debidoaquesusredesdepolarizacinson
iguales, las corrientes de drenador (I
D
) de ambos transistores tambin sern
iguales.SemselJFETQ3trabajaconsucorrienteI
DSS
: Io=I
DSS3
Adems: I
DQ1
=I
DQ2
=Io/2
Conociendolacorrientequeentregalafuentedecorrientepodemosconocerladel
puntodeoperacindecadatransistor.
LatensinDCenlasfuentesdelostransistoreses: V
S
=V
GSQ
Acontinuacin: V
DSQ1
=V
DSQ2
=V
DD
IoR
D
/2V
E
En este caso las tensiones drenadorfuente son iguales debido a que tambin lo
sonlasresistenciasdedrenador.
ANALISISENAC:
Obtendremoslasexpresionesdelasgananciaseimpedanciasenmododiferencialy
en modo comn, para pequea seal. Utilizaremos el modelo de pequea seal y
bajafrecuenciadelfet.Elcircuitoequivalenteeselmostradoenlafigura3.8
ElectrnicaAnalgicaII
239
Endichoesquema,ZeslaimpedanciaenACqueofrecelafuentedecorriente.
Comoelmodeloeslineal,podemosaplicarsuperposicinyhallaremoslaganancia
en modo diferencial haciendo cero la seal en modo comn (Vc = 0); luego
hallaremoslagananciaenmodocomnhaciendocerolasealenmododiferencial
(Vd=0)
RD
Z RG
rds
V2
rds
gm Vgs2 gm Vgs1
- Vgs2 +
RG
+ Vgs1 -
RD
V1
Fig.3.8
-
RD
Z
+
RG
rds
Vd/2
Vs1
rds
gm Vgs2
-
gm Vgs1
- Vgs2 +
+
Vc
+
+
Vs2
RG
+ Vgs1 -
RD
Vc
-
Vd/2
-
Fig.3.9
GANANCIAENMODODIFERENCIAL:(Sehaceceroelmodocomn:Vc=0)
Empleandosimetrapodemosconcluirqueelvoltajeenlosterminalesdefuentees
cero(tierravirtualparaelmododiferencial).
ElectrnicaAnalgicaII
240
Paraelmododiferencial: Vgs1=Vd/2
Vgs2=Vd/2
1) Acontinuacin: Vs1=[gm(R
D
//rds)]Vgs1
Luego: Ad1=gm(R
D
//rds)/2
Ad1 es la ganancia en modo diferencial cuando tomamos la salida
desbalanceadaeneldrenadordeQ1
2) SitomamoslasalidadesbalanceadaeneldrenadordeQ2:
Vs2=[gm(R
D
//rds)]Vgs2
Luego: Ad2=+gm(R
D
//rds)/2
Aqu vemos que la salida est en fase con el modo diferencial y Ad2 es la
gananciaen modo diferencialcuandotomamoslasalidadesbalanceadaen
eldrenadordeQ2.
3) SitomamoslasalidabalanceadaentrelosdrenadoresdeQ1yQ2:
Vs1Vs2=[gm(R
D
//rds)]Vgs1+[gm(R
D
//rds)]Vgs2=gm(R
D
//rds)Vd
Luego: Ad12=gm(R
D
//rds)
AquvemosquelasalidaeseldoblequeenloscasosanterioresyAd12es
la ganancia en modo diferencial cuando tomamos la salida balanceada
entrelosenlosdrenadoresdeQ1yQ2.
IMPEDANCIADEENTRADAENMODODIFERENCIAL:
Enelcircuitodeentradavemosqueparaelmododiferencial:
Zid=2R
G
GANANCIAENMODOCOMUN:(Sehaceceroelmododiferencial:Vd=0)
Empleandosimetrapodemosllegaralcircuitoequivalentedelafigura3.10
RD
2Z RG
RD
RG
-
Vs1
rds
-
2Z
Vc
gm Vgs1
+
gm Vgs2
Vs2
Vc
+
rds
+ Vgs1 - - Vgs2 +
Fig.3.10
ElectrnicaAnalgicaII
241
Paraelmodocomn: Vgs1=Vc[(2Zgmrds)/(2Z+rds+R
D
)]Vgs1
Vgs2=Vc[(2Zgmrds)/(2Z+rds+R
D
)]Vgs2
Dedonde: Vgs1=[(2Z+rds+R
D
)/(2Z(1+)+rds+R
D
)]Vc
Vgs2=[(2Z+rds+R
D
))/(2Z(1+)+rds+R
D
)]Vc
=gmrds
1) Acontinuacin: Vs1=R
D
/(2Z(1+)+rds+R
D
)Vc
Luego: Ac1=R
D
/(2Z(1+)+rds+R
D
)
Ac1 es la ganancia en modo comn cuando tomamos la salida
desbalanceadaeneldrenadordeQ1.Vemosquedependeinversamentede
la impedancia en AC de la fuente de corriente. Si esta impedancia es muy
elevada,podemosminimizarlagananciaenmodocomn.
2) SitomamoslasalidadesbalanceadaenelcolectordeQ2:
Vs2=Vs1=R
D
/(2Z(1+)+rds+R
D
)Vc
Luego: Ac2=R
D
/(2Z(1+)+rds+R
D
)
Aquvemosquelasalidaesigualenamplitudysignoqueeneldrenadorde
Q1 e, igualmente, si la impedancia es muy elevada, podemos minimizar la
gananciaenmodocomn.
3) SitomamoslasalidabalanceadaentrelosdrenadoresdeQ1yQ2:
Vs1Vs2=R
D
/(2Z(1+)+rds+R
D
)Vc+R
D
/(2Z(1+)+rds+R
D
)Vc=
0
Luego: Ac12=0
Esto significa que tomando la salida en forma balanceada podemos
disminuirmslagananciaenmodocomn(idealmentesehacecero).
IMPEDANCIADEENTRADAENMODOCOMUN:
Enelcircuitodeentradavemosqueparaelmodocomn:
Zic=R
G
VemosquesideseamostenerunaaltaimpedanciadeentradaenmodocomnR
G
debeserelevadoonodebemoscolocarestaresistencia.
MULTIPLICADORANALOGICO:
Elcircuitomostradoesunmultiplicadoranalgicode4cuadrantes,conocidocomo
celdadeGilbert.
ElectrnicaAnalgicaII
242
Q4
+
V2
-
Q2
Ik1
+ VL-
Q5
+ VCC
Q1
R
+
V1
-
Q3
Q6
R
Sabemos:
= =
2
1
2 1 1
ln
C
C
T BE BE
I
I
V V V V
PROBLEMASPROPUESTOS
PROBLEMAP3.1.Enelamplificadordiferencialmostrado,halle:
A) lospuntosdeoperacin
B) lagananciadetensin
1k
2k
Q1
1k
Q2
5 mA
+
Vo
-
-10v
+
Vi
-
ElectrnicaAnalgicaII
243
Q1=Q2,SILICIO,hie=1K,hfe=100,hre=0,hoe=0
Laresistenciaenacdelafuentedecorrientees1M
PROBLEMAP3.2.a)MuestreelesquemacircuitalquepermitahallarT
b)Hallelaexpresindelagananciadebucle.
c)HallelaexpresindeZof(noconsiderarRL).
Re
R3
Q6
Rs
Q4
Q1
R2
RL
+
VL
-
R7
R6
-VEE
R5
Vg
R4
Q25
R1
+VCC
0K5
Q3
Q1
2K6
3K
60
1K
3K
60
Q2
1K
+9V
ElectrnicaAnalgicaII
244
PROBLEMA3:Enelsiguientecircuito,determinelaexpresindexdemaneraque
lacorrienteDCporlaresistenciaR
L
seacero.
Q1: V
BE1
,h
FE1
. Q2: V
BE2
,h
FE2
Q1
P
RL
X
R
Rb
R
+VCC
Rb
Re
-VEE
Q2
Paratodoslostransistores:V
BE
=0.7V,h
FE
=100
Q3
50
Q5
50
10K
Q2
100K
10K
1K3
+12V
Q1
2K9
100K
1K3
-VEE
Q4
PROBLEMAP3.7.Enelsiguientecircuito,halle:
a)Elpuntodeoperacindecadatransistor
b)Vo(t);si:Vi(t)=10sen(wt)mV
Asuma:Q1=Q2con:hfb=0.98,hib=10,hfe=100,V
BE
=0.7V
Lasfuentessonideales.
ElectrnicaAnalgicaII
245
Vi(t)
5 mA
Q1 Q2
- 10V
2K
+
Vo(t)
-
PROBLEMAP3.8.Enelsiguientecircuito,halle:
a)Elpuntodeoperacindecadatransistor.
b)Lasgananciasenmododiferencialyenmodocomn.
c)Lasimpedanciasdeentradaenmododiferencialyenmodocomn.
Asuma:Q1=Q2=Q3con:hie=1K,hfe=100,V
BE
=0.7V
V1.
Q3
C
4K
Q2
100K
5K
+6V
V2
Q1
5K
100K
1K5
-6V
D1
PROBLEMAP3.9.Enelsiguientecircuito,halle:
a)Elpuntodeoperacindecadatransistor
b)Lasgananciasenmododiferencialyenmodocomn
c)Lasimpedanciasdeentradaenmododiferencialyenmodocomn.
Asuma:Q1=Q2=Q3=Q4con:hie=1K,hfe=100,V
BE
=0.7V
ElectrnicaAnalgicaII
246
Q3
2K8
2K
Q2
Q3
+12V
Q1
465K 465K
PROBLEMAP3.10.Enelsiguientecircuito,halle:
a)Elpuntodeoperacindecadatransistor
b)Lasgananciasenmododiferencialyenmodocomn
c)Lasimpedanciasdeentradaenmododiferencialyenmodocomn.
Asuma:Q1=Q2=Q3=Q4con:hie=1K,hfe=100,V
BE
=0.7V
i1
4K 2K
Q2
15K
i2
+12V
Q1
2K
15K
-41V
PROBLEMA3.11.SienunA.D.conMOSFET,V1=2sen(wt)+0.5sen(3wt),y
V2=sen(wt)+0.4sen(3wt)ysetiene:Ad(w)=100|180,Ad(3w)=50|210,Ac(w)
=1|180y Ac(3w)=0.2|270. Hallelaexpresin sinusoidaldelvoltaje desealde
salida.
ElectrnicaAnalgicaII
247
PROBLEMA3.12.EnunA.D.setiene:V1=1mvcos(wt)yV2=1mvsen(wt)
Sesabeque:CMRRdb=60dbyAc=1
a)Halleelvoltajedesealdesalida,Vs(t)
b)Suponiendoquelasgananciasdelamplificadornopuedenvariar,dequ
maneraeliminaralasealdesalidaenmodocomn?
PROBLEMA3.15:Enelcircuitomostrado,asumaQ1=Q2=Q3,silicio,=hfe>>1.
Determine:Lospuntosdeoperacin,lasgananciaseimpedanciasdeentradayde
salida.AsumaparaQ3:hob=10
6
s
ElectrnicaAnalgicaII
248
C2
100uF
R8
220K
C3
100uF
RC
1K
R4
220
R5
10K
RC
1K
R9
1K
R1
1K
+ 12 V
R6
4.7K
Q1
2N2222
R3
1K
Q3
2N2222
Q2
2N2222
C1
100uF
R7
220K
R2
100
Vg
PROBLEMA3.16:Respondalassiguientespreguntas:
a)Enquformassepuedereducirelmodocomn?
b)Porquseafirmaqueelruidoespartedelmodocomn?
c)PorquesconvenienteelempleodesalidabalanceadaenunAD?
d)PorqudebeemplearseunafuentedecorrienteconstanteconelA.D.?
e)Aquselellamatierravirtual?
f)Porqunohaytierravirtualconelmodocomn?
g)PorquelA.Dsloproducedistorsinconarmnicosimpares?
h)Paraqusirvelatransconductanciaparagranseal?
i)Cundosedicequeunasealesbalanceada?
ElectrnicaAnalgicaII
249
AMPLIFICADORESOPERACIONALES(OPAMPS)
4.1.INTRODUCCION
La designacin OPAMP originalmente fue adoptada para una serie de
amplificadores de gran rendimiento usados en computadoras analgicas. Estos
amplificadores fueron diseados para realizar operaciones matemticas aplicables
acomputacinanalgica(sumatoria,escalamiento,sustraccin,integracin,etc.)
4.2.SIMBOLODEUNOPAMP
Elsmboloaceptadoparaunopampesuntringuloylasalida,Vo,estrelacionada
conlasentradasV+yVcomosemuestraenlafigura4.1:
V-
-
+
+ SATURACION
- SATURACION
V+ Voffset
Vo
V+ - V-
Vo
Figura4.1 Figura4.2
Vb=V+seaplicaalaentradanoinversorayVa=Valaentradainversora.
ElectrnicaAnalgicaII
250
4.3.EJEMPLODELOPAMPLM741
-
Entrada inversora
A = 1000 A = 200 A = 1
Entrada no inversora
Salida
+
de polarizacin
Fuentes de corriente
Figura4.3
Debidoaqueunamplificadordiferencialtienedosentradas,seevidenciaelhecho
de que la salida esta en fase con una de ellas (entrada no inversora) y desfasada
180gradosconlaotra(entradainversora).
EnlosusostpicosdeunOPAMPseemplealarealimentacin,lacual,deacuerdoal
uso dado, puede ser positiva (si la salida se conecta a la entrada no inversora) o
negativa (si la salida se conecta a la entrada inversora). La red de realimentacin
puede ser pasiva (usando redes R, L, C, RC, etc) o activa (con transistores, Fets,
otrosOPAMP,etc).
Debemostenerclaroelhechoquelavariacindefaseentrelasalidaylasentradas,
como se mencion (0 y 180) es vlida slo para un cierto rango de frecuencias
quevandesdeDChastaundeterminadovalor.Segnseincrementalafrecuencia,
comoencualquieramplificador,hayunavariacindelafaseentrelassalidasylas
entradasporencimaopordebajodesufaseinicial(0paralaentradanoinversora
y 180 para la entrada inversora); de modo que si se utiliza realimentacin
negativa, esta puede convertirse en positiva para ciertas frecuencias e introducir
inestabilidadytendenciaalasoscilaciones.
Esta situacin de variacin de fase con la frecuencia limita el ancho de banda del
OPAMP. Esta situacin puede ser compensada aadiendo una red desfasadora
(generalmente un simple capacitor) a uno de los amplificadores internos
(generalmentealdemayorganancia)oalaentrada.
ElectrnicaAnalgicaII
251
En la mayora de los casos el fabricante suministra terminales externos para la
conexinexteriordelasredescompensadoras.Enotroscasos,lacompensacinse
hace en forma interna (con condensadores integrados al OPAMP). A fin que el
OPAMP responda desde DC, se evita el uso de condensadores de acoplo en el
integrado.Lascapacidadesinternasdeloscomponentesdelintegradosonlasque
limitan el ancho de banda, de modo que la mejor performance de un OPAMP se
presentaenDC.
4.4.REQUISITOSBSICOSDEUNOPAMP
4.5.USOSDELOSOPAMP
Son muy variados y se puede clasificar en dos tipos de aplicaciones: Lineales y no
lineales.
APLICACIONESLINEALES
Entre ellas tenemos: amplificador inversor, no inversor, sumador, restador,
integrador,derivador,convertidordecorrienteatensin,convertidordetensina
ElectrnicaAnalgicaII
252
corriente, filtros activos, adaptador de impedancias, convertidor de impedancias,
amplificador de banda ancha, desfasador, amplificador de audio, regulador de
tensin,amplificadordeinstrumentacin,oscilador,etc.
APLICACIONESNOLINEALES
Entre ellas tenemos: Comparador, comparador con histresis, comparador de
ventana, circuito de muestreo y retencin (Sample & Hold), amplificador
logartmico, amplificador antilogartmico, multiplicador, modulador, demodulador,
rectificador de precisin, elevador al cuadrado, extractor de raz cuadrada,
generadordefunciones,etc.
AMPLIFICADORCONINVERSINCONSIDERANDOALOPAMPIDEAL
En la figura 4.4 se muestra la configuracin bsica. La seal se introduce por la
entrada inversora, es decir, la salida estar desfasada 180 de la entrada. El otro
terminal va a tierra a travs de la resistencia R, cuya misin es mantener
balanceada las dos entradas para DC; es decir, las dos entradas deben `` ver la
mismaresistenciaenDC.ElporqudemantenerbalanceadasenDClasentradasse
debe a que el OPAMP posee un amplificador diferencial de entrada y debe
mantenerseunflujodecorrientedeentrada(enlosBJTeslacorrientedebaseyen
los FET o MOSFET son corrientes de fuga). Por tanto, siendo estas corrientes de
entradacasiiguales,sedebedaruncaminoenDCatierraparareduciralmnimoel
OFFSETdecorriente,elcualgeneraunatensinDCenlasalidadiferentedecero.
ElectrnicaAnalgicaII
253
+VCC
-VCC
Zr
+
Vi
-
Zf
-
+
Ao(w)
1
2
4
3
5
R
Figura4.4
+VCC
-VCC
+
Vo
-
+
Vi
-
Zr
-
+
Ao(w)
1
2
4
3
5
R
+
Vi
-
Zr
Zf
Zf
Figura4.5
Aplicandolosmtodosvistosenanlisisdeamplificadoresconrealimentacin:
ElectrnicaAnalgicaII
254
CLCULODELAGANANCIADELAZOABIERTO:Av
(1)Av=Vo/ViV=0
(2)Ao(w)(V
b
V
a
)=V
0
(3)SilaimpedanciadeentradadelOPAMPesgrande:
r f
f
i a
Z Z
Z
V V
+
= y V
b
=0
(nohaysealenb)
(4)
r f
f
o v
Z Z
Z
w A A
+
= ) ( (4.1)
-
+
R
Zr
+
Vo
-
V-
V+
A(w)
Zf
+
Vi
-
Figura4.6
CLCULODELAGANANCIADEBUCLE:T
ParahallarlagananciadebuclehacemosVi=0ycambiamoselnombrealafuente
derealimentacinVoporVoytendremoselmodelosiguiente:
T=Vo/VVi=0
(5)V
0
=A
0(
w)(VaV
b
)
(6)TeniendoencuentalagranZ
i
delOPAMP
Va=V[Zr/(Zr+Zf) y V
b
=0 (nohaysealenb)
(7)Entonces:T=Vo/V=Ao(w)Zr/(Zr+Zf) (4.2)
ElectrnicaAnalgicaII
255
+
Vi
-
-
+
Zr
R
Zr
+
Vo
-
+
Vo
-
V-
V+
Zf
A(w)
Zf
Figura4.7
CLCULODELAGANANCIACONREALIMENTACIN
r f
f
Z Z
Z
Z Z
Z
L
V
f v
Z A Z
Z w A
A
A
A
A
A
f r
r
r f
f
) 1 (
) (
1 1
0
0
0
0
+ +
=
+
=
+
+
r f
f
f v
Z w A Z
xZ w A
A
) ) ( 1 (
) (
0
0
+ +
= (4.3)
Siademslagananciadelamplificadoresgrande:/(1+A
o
(w))Z
.........
>>Z
f
Entonces:
r
f
f v
Z
Z
A
= (4.4)
Paraquitarlarealimentacinhacemos0lafuenteVoenlaentradayconservamos
losefectosdecarga.
Sabemosque:
Vo=A(w)(VaVb) ....................................................................(4.5)
Adems:
Vb=Vi(Zf/(Zr+Zf))
Va=0(porquenohaysealaplicadaalaentradanoinversora)
Luego:
T(w)=Vo/Vo
Vi=0
Adems:
Vb=Vo(Zr/(Zr+Zf))
Va=0(porquenohaysealaplicadaalaentradanoinversora)
Tenemos:
T(w)=A(w)Zr/(Zf+Zr) ......................................................... (4.7)
Finalmente,
Avf=Av(w)/(1T(w)) ......................................................... (4.8)
Reemplazandoyefectuando:
Avf=A(w)Zf/[Zf+(1+A(w))Zr] . (4.9)
Sisecumple:
(1+A(w))Zr>>ZfyA(w)>>1 ............................................. (4.10)
Entonces:
Avf=Zf/Zr............................................................................ (4.11)
queeslagananciadelamplificadorinversorconOPAMPideal
DISCUSINDELAEXPRESINOBTENIDA:
La expresin anterior nos indica que la ganancia de tensin con realimentacin
puede hacerse independiente de los parmetros del OPAMP y de las desventajas
que ello conlleva, tal como dependencia de la frecuencia, temperatura, etc. En
cambio, ahora bastar con elegir las impedancias externas, Zr y Zf, tan precisas y
estables con las variaciones de las condiciones ambientales como requiera el
diseo.
Pero, para la validez de la ecuacin se han tomado varias suposiciones, las cuales
interpretaremosacontinuacin:
1.Vb=Vi(Zf/(Zr+Zf)) y Va=0
En la figura 4.6 puede verse que estas suposiciones son vlidas slo si la
impedanciadeentradadelOPAMPcumplecon:
ElectrnicaAnalgicaII
257
Zi>>Zr, Zi>>Zfy Zi>>R
Unarelacinde15vecessersuficienteparaaplicacionesdondesepuedaaceptar
unerrordel5%;encasocontrariolarelacindebersermayor.
Zr
+
Zf
Zo
r
a
A(w) (Va - Vb)
RL
-
+
vO
-
b
R
Zi
Figura4.8
2. Paraelclculodelagananciadebuclesesupuso:
Va=Vo(Zr/(Zr+Zf))y Vb=0
De la figura 4.8 se puede ver que estas relaciones slo son vlidas si se
cumplenlasmismasrelacionesqueen(1)
3. Paraobtenerlaexpresin(4.9)sehizolasuposicindeque:
(1+A(w))Zr>>Zf.(4.12)
ElectrnicaAnalgicaII
258
4. UnaobservacinesqueelfabricanteespecificaundeterminadoOPAMPen
cuanto a impedancias en un rango entre el cual vara. Es conveniente
considerar el peor de los casos para la verificacin de las restricciones
anteriormente descritas, considerando la mnima impedancia de entrada
delOPAMP.
ANLISISCONSIDERANDOALOPAMPREALPARAAMPLIFICADORCONINVERSOR
Figura4.9
+
a
-
R
+
O
-
Zf
R
L
Zr
Vo
+
-
b
Vi
Zi +
Zo
[ ]
b a
V V w A ) (
0
ElectrnicaAnalgicaII
259
Elcircuitoquedaelsiguientemodo:
Figura4.10
Porcorrientedemallas
V
i
=(Z
r
+Z
i
+R)I
1
(Z
i
+R)I
2
(4.13)
A
o
(V
b
V
a
)(Z
i
+R)I
1
+
(R+Z
i
+Z
f
+Z
o
)I
1
=0
Pero:V
b
V
a=
Z
i
(I
2
I
1
) (4.14)
Entonces:
0=(A
0
Z
i
+Z
i
R)I
1
+(A
0
Z
i
+R+Z
i
+Z
f
+Z
o
)
I
2
(4.15)
Porelmtododedeterminantes,de(4.13)y(4.15)
) (
) (
) (
0
1
0 0 0
0 0
R Z R Z Z
Z Z Z R Z A R Z Z A
R Z V
Z Z Z R Z A
i i r
f i i i i
i i
f i i
I
+ + +
+ + + + +
+
+ + +
=
) ( ) ( ) ( ) (
) (
0 0 0
0 0
1
R Z R Z Z A Z Z Z R Z A R Z Z
Z Z Z R Z A V
I
i i i f i i i r
f i i i
+ + + + + + + + +
+ + + +
= (4.16)
-
+
Zi
b
Vi
+
-
Zout
R
Zf Zr
Zo
a
Zin
O
[ ]
a b
V V w A ) (
0
1
I
Z
I
ElectrnicaAnalgicaII
260
) (
0 0 1
Z Z Z R Z A
V
I
f i i
i
+ + + +
= (4.17)
) ( ) ( ) ( ) (
0 0 0
R Z R Z Z A Z Z Z R Z A R Z Z
i i i f i i i f
+ + + + + + + + + =
) (
0 0 ( 2
0
R Z Z A
V
I
i i
i
V R Z Z
R Z Z A
i i r
i i
+ +
= =
+ +
+ + (4.18)
GANANCIADETENSIN(A
vf
)DELAMPLIFICADORCONINVERSIN
)) ( ( ) ( ) (
0 0 0 0 1 2 0 0 2 0
Z Z
V
Z A R Z Z A Z
V
I I Z A Z I V
f
i
i i i
i
i
+
+ + +
= + =
)) ( ) ( (
1
0 0 0 0 0
Z Z Z A R Z Z A Z V V
f i i i i
+ + +
Entonces:
+ + +
=
) ( ) ( ) ( (
0 0 0 0
0
Z Z Z w A R Z Z A Z
V
V
f i i i
i
r i i f r O f i
f i i
i
Z Z W A R Z Z Z Z Z Z R Z
Z Z w A R Z Z
V
V
+ + + + + + +
+
=
) ( ) ( ) ( ) (
) ( ) ( ) (
0 0
0 0
0
(4.19)
r i i f r O f i
f i i
i
f v
Z Z W A R Z Z Z Z Z Z R Z
Z Z w A R Z Z
V
V
A
) ( ) ( ) ( ) (
) ( ) ( ) (
0 0
0 0
0
+ + + + + + +
+
= = (4.20)
Simplificaciones:
1. Lascondicionesmsusualesacumplirseenlaprcticason:
i
Z >>>R (a)
i
Z >>>
0
Z (b)
f
Z >>>
0
Z (c)
i
Z >>>
r
Z (d)
Aplicando(a),(b)y(c)ensucesivamentetenemos(4.21)
ElectrnicaAnalgicaII
261
Con(a):
r i i f r O f i
f i i
f v
Z Z w A Z Z Z Z Z Z Z
Z Z w A Z Z
A
) ( ) ( ) (
) ( ) (
0 0
0 0
+ + + + +
=
r i f
i
r
O f
f
f v
Z w A Z Z Z
Z
Z
Z Z
Z A Z
A
) ( ) (
0 0
0 0
+ + + + +
=
Ademscon(b)y(c):
r i f
i
r
f
f
r i f
i
r
f
f
f v
Z A Z Z
Z
Z
Z
Z w A
Z w A Z Z
Z
Z
Z
Z w A
A
0
0
0
0
) ( ) (
) ( ) (
) ( ) (
+ + +
=
+ + +
=
Siadems(c):
r f
f
f v
Z w A Z
Z w A
A
) ) ( 1 (
) ( ) (
0
0
+ +
= (4.21)
2. Siadems(1+
f r
Z Z w A >>> ) ) (
0
(oseaA
o
(w)grande)
Entonces:
r
f
f v
Z
Z
A = (4.22)
Estaltimaecuacinfueobtenidaconsiderandoelamplificadorcomoideal
(verecuacin4.4).
IMPEDANCIADEENTRADA(Zin)PARAELAMPLIFICADORCONINVERSIN
Delafigura(VI7) Zin=
1
I
V
i
Ydelaecuacin(VI14)
i f i
f i
r in
Z w A Z Z Z R
Z Z R Z
Z Z
) ( ) (
) ( ) (
0 0
0
+ + + +
+ +
+ = (4.23)
Simplificaciones
1. Loqueesmsfcildecumplirsees:
Z
i
>>Z
o
; Z
f
>>Z
o
; Z
i
>>>R
ElectrnicaAnalgicaII
262
ConlascualesZinseconvierteen:
f i
f i
r in
Z Z w A
Z Z
Z Z
+ +
+ =
) 1 ) ( (
.
0
2. PerogeneralmenteZ
i>
Z
f;
conmayorrazn(A
o
+1)Z
i
>>
Z
f
Entoncestendremos:
) 1 ) ( (
0
+
+ =
w A
Z
Z Z
f
r in
(4.24)
3. Si(A
0
(w)tiendeainfinito)(tierravirtualdelnodoa)
Entonces: Z
in=
Z
r
(4.25)
Figura(411)
b
Rr
OVo
Zf
If
+
+
-
Zr
a
Ii
Vi
-
Ao(w)
ElectrnicaAnalgicaII
263
a. Comoelnodoaestatierravirtual,entonces:
f
f
r
i
i
Z
V
I
Z
V
I
0
= =
f r
i
f i
Z
V
Z
V
luego I I
0
= =
Dedonde:
r
f
f v
i
Z
Z
A
V
V
= =
0
(4.26)
(VI16)eslaformaclsicayaanteriormenteusandootromtodo
IMPEDANCIADESALIDADELAMPLIFICADORCONINVERSOR(Zout)
En la figura (4.12b) se muestra el Thevenin equivalente hacia la salida del
amplificador.Deestecircuito esevidente quesi RLescero,entoncesla corriente
de cortocircuito que fluir estar determinada solo por la impedancia de salida
Zout.
Esdecir:
0
0
= =
L
out
out
R
I
V
Z (4.27)
DondeVoyafuedeterminado(verecuacin4.11)
LacorrientedesalidaconR
L
igualaceropuedehallarseconlafigura(4.12c)enla
cual se ha reemplazado R
L
por un cortocircuito, por tanto para esa condicin no
existirrealimentacin.
ElectrnicaAnalgicaII
264
FIGURA(412a) FIGURA(412b)
FIGURA(412c)
CLCULODEIout/R
L
=0
R li li Z R Z Z
R Z Z
V V
a b a
r i f
i f
i a
+
=
+ +
+
=
;
) ( //
) ( //
i
i
i
i f
i f r
i
i
a b a
V
R Z
Z
x
R Z Z
R Z Z Z
R Z
Z
V V V .
) (
) (
1
1
+
+
+ +
+
=
+
=
) ( ) (
. .
R Z Z Z R Z Z
Z Z V
V V
i f r i f
i f i
b a
+ + + +
= (4.28)
Pero:
0
0
) ( ) (
0
Z
V V w A
R I
a b
L out
= =
Entonces:
) ( ) ( (
. . . ) (
0
0
0
R Z Z R Z Z Z Z
V Z Z w A
R I
i f i f r
i i f
L out
+ + + +
= = (4.29)
Iou
[ ]
a b
V V w Ao ) (
+
-
Vo
-
a
+
Zo
R
+
L
R
Zr
b
+
Vi
Zf
Iout
O Zi
-
+
L
Zout
O
- R
Vo=Avf
THEVENI
+
R
Vi
Zr
a
b
Zi
O
-
ElectrnicaAnalgicaII
265
De(VI21)y(VI11);tenemos:
)) ( ) ( (
) (
) ( ) ( ) (
) ( ) ( ) (
0
0
0 0 0
0 0
R Z Z R Z Z Z Z
Z Z w A
Z Z A R Z Z Z Z Z Z R Z
Z Z w A R Z Z
Z
i f i f r
f i
r i i f r f i
f i i
out
+ + + +
+ + + + + + +
+
=
[ ]
[ ]
r i i f r f i f i
f i r i f f i i
out
Z Z A R Z Z Z Z Z Z R Z Z Z w A
Z R Z Z R Z Z Z Z Z w A R Z Z
Z
0 0 0 0
0 0 0
) ( ) )( ( ) ) ( (
) ( ) ( ) )( ( ) (
+ + + + + + +
+ + + + + +
=
(4.30)
Simplificando:
r i
i f i f r
out
Z Z w A
R Z Z R Z Z Z Z
Z
) (
) ( ) ( (
0
0
+ + + +
= (4.31)
) (
0
0
w A
Z
Z Z
x Z Z
r
f r
out
+
=
) (
1
0
0
w A
Z
Z
x Z Z
r
f
out
+
= (4.32)
(4.2) AMPLIFICADORSINDISTORSIN
ElectrnicaAnalgicaII
266
Figura(413a) Figura(413b)
Clculodelagananciasinrealimentacin(A
v
)
1. 0
0
0
= = e
e
e
A
i
v
2. PordefinicindelagananciadelOPAMP:
) ( ) (
0
w A e e e
a b
=
3. ConelsupuestodequelaimpedanciadeentradadelOPAMPesalta
0 = =
a i b
e y e e
i a b
e e e = (nohaysealena)
4. 0
0
0
= = e
e
e
A
i
v
(4.33)
i
O
0
b +
Zr
a
+
e
-
R
Zf
-
O
+
b
-
-
Ao(w)
e
-
0
-
0
Zr
+
-
-
Zr
O
f
+
e
+
Z e
i
b
R
e
Ao(w) Z
a
f
ElectrnicaAnalgicaII
267
Figura(414)
ClculodelagananciadeBucle(A
L
)
5. 0
0
0
= =
i L
e
e
e
A
6. ComolaimpedanciadeentradadelOPAMPesalta
0
0
=
+
=
b
r f
r
a
e y
Z Z
Z
e e
Figura(415)
0 0
) ( ) ( ) )( ( e
Z Z
Z
w A e e w A e
r f
r
b a
+
=
) ( ) ( w A
Z Z
Z
A
f r
r
L
+
= (4.34)
-
0
Zr
+
i
e
+
e
a
- -
+
O
R
e
b
Zf
Ao(w)
0
e -
O
+
e
Ao(w)
a
b
-
o
-
+
Zr
Zf
ElectrnicaAnalgicaII
268
GananciaconRealimentacin(Af),de(4.26)y(4.27)
[ ]
[ ]
r f
f r
f r
r
L
v
f
Z w A Z
w A
Z Z
Z Z
Z
w A
w A
A
A
A
1 ) (
) (
) ( 1
) (
1 + +
+ =
+
+
=
=
[ ]
[ ]
r f
f r
f
Z w A Z
Z Z w A
A
1 ) (
) (
+ +
+
=
SiademssuponemosqueA(w)esmuygrande(A(w) )(generalmentepara
frecuenciasbajaslaexpresindeA
f
seconvierteen:
+
= ) (w A
Z
Z Z
A
r
f r
f v
(4.35)Gananciadetensinno
inversoraconZ
i
alta,Z
o
bajayA(w)
grande.
Discusinsobrelarelacin(4.28)
Paralavalidezdelaecuacin(4.28)sehatomadovariassuposiciones:
Unarelacinde15esmsquesuficienteparaaplicacionesdondesequiere
unerrornomayorde6%.
ElectrnicaAnalgicaII
269
2. EnelclculodelagananciadeBucleA
1
,sesupuso
f r
r
a
Z Z
Z
e e
+
=
0
locual
es vlido cuando Z
r
// Z
f
<<<< Z
i
condicin ( 2 ) donde tambin esta
condicindebeverificarseaZ
i
min.
3. Alfindeobtener(4.28)apartirde(4.27)sesupusoZr(1+Z(w))>>>Z
f
,lacual
es la que verdaderamente impone restriccin a Z
f
y por lo tanto a la
gananciadadapor(4.28).
NtesequeunavezelegidoZ
r
<<<Z
i
,elvalordeZ
f
estrestringido(tieneun
mximovalorparaelcualesaproximadamentevlida(4.28)yporlotanto
lagananciatambinloest.
EstarestriccinesmayorconformeA(w)disminuye,oseacuandoaumenta
lafrecuencia.
(VI2B)ANLISISCONSIDERANDOALOPAMPPARAELAMPLIFICADORSIN
INVERSIN
Figura(416)
Zo
R
Zf
-
+
Zi
Vi
Va
L
+
i
Zr
Vb
Vo
-
-
o O +
o
R
) (
0 a b
A
ElectrnicaAnalgicaII
270
A diferencia de OPAMP con inversin, un amplificador operacional sin inversin
con realimentacin, requiere de una entrada diferencial debido a que si se desea
una realimentacin negativa, sta debe introducirse en la entrada negativa
(terminala)ylasealenelterminalb.
Elcircuitoanteriorpuedeponersedelsiguientemodo:
Figura(416)
Porcorrientedemallas:
2 1
) ( I Z I Z Z R V
r f i i
+ + = (4.37)
) )( ( ) (
0 2 0 1 a b f r r
V V w A I Z Z Z I Z O + + + + = (4.38)
Pero:
1
I Z V V
i a b
= (4.39)
Entonces:
) ) ( ) ) ( (
2 0 0 1 1
I Z Z Z Z w A Z I O
f r r
+ + + = (4.40)
Entonces:
Vi
-
Zo
a
V
Zf
+
-
Zi b
Vo
V
R
Zr
O
+
) (
0 a b
A
I1
I2
ElectrnicaAnalgicaII
271
+ +
= =
+ +
+ +
+ +
) (
0
) (
) ( ) (
) (
0
1
0 0
0
Z Z Z V
I
f r i
Z Z Z R
Z Z Z Z A Z
Z
Z Z Z
V
i r i
f r r i
r
f r
i
(4.41)
Donde:
) ) ( ( ) ( ) (
0 0 r i r f r r i
Z w A Z Z Z Z Z Z Z R + + + + + =
) ( ) ( ) ( ) (
0 0 0
w A Z Z Z Z Z Z Z Z Z R
i r f r f r i
+ + + + + + =
) ) ( (
0 2 r i
i
Z Z w A
V
I +
= (4.42)
GananciadeTensindelamplificadorsininversin
Delafigura(4.14)
V
o
=I
2
Z
0
+A
o
(w)Z
i
I
1
Yconlasrelaciones(VI33)(VI34)
+ +
=
+ + +
= =
) ( ) ( ) )( ( ) ) ( (
0 0 0 0 0 0
0
f r i r f r i i r
i
v
Z Z Z w A Z Z Z Z Z w A Z Z w A Z Z
V
V
A
(4.43)
Reemplazando
,obtendremos(4.30):
|
r i f r r f i
f r i r
f v
Z Z w A Z Z Z Z Z Z R Z
Z Z Z w A Z Z
A
) ( ) ( ) )( (
) ( ) (
0 0 0
0 0
+ + + + + +
+ +
=
Simplificaciones:
1. LomscomnenlaprcticaesqueZ
i
,Z
f
>>Z
o,
conlocual:
r i f r r f i
f r i
f v
Z Z w A Z Z Z Z R Z
Z Z Z w A
A
) ( ) )( (
) ( ) (
0
0
+ + + +
+
= (4.44)
ElectrnicaAnalgicaII
272
2. SiademsZ
i
>>Rentonces:
r
f
i
r
r r f
f r
f v
Z
Z
Z
Z w A Z Z
Z Z w A
A
+ + +
+
=
) ( ) (
) )( (
0
0
(4.45)
3. SiZ
i
>>Z
r
entonces
r r f
f r
f v
Z w A Z Z
Z Z w A
A
) ( ) (
) )( (
0
0
+ +
+
= (4.46)
4. Si la ganancia A
o
(w) es tan grande que A
o
(w) Z
r
>> ( Z
f
+ Z
r
) tenemos la
clsicagananciadelAOidealnoinversor
r
f r
f v
Z
Z Z
A = (4.47)
Ganancianoinversora(OPAMP
IDEAL).
Eslamismagananciahalladoen(4.35)porotromtodo.
Impedanciadeentrada(Z
in
)delamplificador,sininversin
1
I
V
Z
i
in
= (4.48)
Dondelarelacin(4.1)
) ( / /
0 1
Z Z Z I V
f r i
+ + =
Reemplanzando
ysimplificando:
0
0 0 0
1
) ( ) ( ) ( ) ( ) (
Z Z Z
w A Z Z Z Z Z Z Z Z Z R
I
V
f r
i r f r f r i
i
+ +
+ + + + + +
=
0
0 0
) ) ( (
Z Z Z
Z w A Z Z Z
Z R Z
f r
i f r
i in
+ +
+ +
+ + = (4.49)
ElectrnicaAnalgicaII
273
Simplificaciones
1. CuandoalterminalZiesdominantesobretodaslasdemsyZoespequea
1
) (
0
+
+ + =
r
f
i
i in
Z
Z
Z w A
Z R Z (4.50)
2. AdemssilagananciaA
o
(w)esgrande
r f
i
in
Z Z
Z w A
Z
/ 1
) (
0
+
= (4.51)
el cual es la impedancia de entrada clsica para el amplificador sin
inversin,considerandoalOPAMPideal
IMPEDANCIADESALIDA(Z
out
)DELAMPLIFICADORSININVERSIN
DelmismomodoqueenelcasodehallarlaZ
out
inversora,tenemos:
0 /
/
0
0
=
=
L
L
out
R I
R V
Z (4.52)
DondeV
o
estdadoenlaecuacin(4.44)
ClculodeI
o
/R
1
=0
Figura(417)
( ) ( )
o
i o
o
a b o
o
Z
I Z w A
Z
w A
I
1
) ( ) (
=
Zf
-
Vo
b
+
a
V
Zr
Zi
O
V R
Zo
-
+
O
[ ]
a b
w A ) (
0
ElectrnicaAnalgicaII
274
Pero:
r f i
i
Z Z Z R
V
I
//
1
+ +
=
Entonces
) ( ) )( (
) (
) ( 0 /
0
0 0
f r f r i
f r
i
i L
Z Z Z Z Z R
Z Z
x
Z
Z
w A V R I
+ + +
+
= = (4.53)
Portantode(VI35)y(VI46)en(VI45)tenemos:
f r f r i
f r
i
r i f r r f i
f r i r
out
Z Z Z Z Z R
Z Z
x
Z
Z w A
Z Z w A Z Z Z Z Z Z x R Z
Z Z Z w A Z Z
Z
+ + +
+
+ + + + + +
+ +
=
) )( (
) (
) (
) ( ) ( ) ( ) (
) ( ) (
0
0
0 0 0
0 0
[ ] [ ]
[ ]
r i f r f r i f r i
f r f r i f r i r
out
Z Z A Z Z Z Z Z Z Z R Z Z Z w A
Z Z Z Z Z R Z Z Z w A Z Z Z
Z
0 0 0 0
0 0 0
) ( ) )( ( ) ( ) (
) )( ( ) ( ) (
+ + + + + + +
+ + + + +
=
(4.54)
O
O
Etapa de
Entrada
1
C
Compensacin
Driver
Fuente de
Polarizacin
+V
-V
O
ElectrnicaAnalgicaII
275
Simplificacin
1. SieltrminoquecontieneA
o
(w)esdominantesobrelosdems
[ ]
r i
f r i f r
out
Z Z w A
Z Z Z R Z Z Z
Z
) (
) )( (
0
0
+ + +
= (4.55)
2. SiademsZiessuficientementegrande
r
f r
out
Z w A
Z Z Z
Z
) (
) (
0
0
+
=
) (
/ 1
0
0
w A
Z Z
Z Z
r f
out
+
= (4.56)
ANLISISDELAMPLIFICADOROPERACIONALA714
DescripcinGeneral
DiagramaEsquemtico
Q3
R11
Q13
O
Q2
(50 )
Q14
R12
Q15
(50K)
Q18
R4
(75K)
O
Q1
(5K)
(45K)
-V
Q17
+V
Q16
R2
Q20
Q19
(1K)
(50 )
Q1
Q11
(1K)
O
O
R1
No
inverting
Q6
R5
Q9
Q5
(39K)
Q8
(25 )
Q7
Q12
O
O
Q4
Q10
O
ElectrnicaAnalgicaII
276
DiagramadeBloques
PRINCIPIODEFUNCIONAMIENTO
EtapadeEntrada
La etapa de entrada consta de un par diferencial trabajando como seguidores
emisivos(Q1yQ2)loscualesexcitanadostransistores(Q3yQ4).
LasalidadiferencialestomadaenelcolectordeQ4yva excitaraldriver.
Q5, Q6 y Q7 forman un espejo de corriente a fin de lograr que la corriente de
colector de Q3 y Q4 sean iguales, y la de Q1 igual a la de Q2 a fin de lograr un
funcionamientosimtrico.
DIVER
Consta de un amplificador CUASI DARLINGTON compuesto por Q16 y Q17 cuya
corrientedepolarizacinessuministradaporQ13.
O
O
Etapa de
Entrada
1
C
Compensacin
Driver
Fuente de
Polarizacin
+V
-V
O
ElectrnicaAnalgicaII
277
ETAPADESALIDA
Constadedosseguidoresemisivos(Q14yQ20)quetrabajaenparalelo,excitados
porlamismafuente(salidadeQ17).LasalidaenemisoresdeQ14yQ20permite
unabajaimpedanciadesalida(R
o
75 ).
CIRCUITOSDEPOLARIZAICNYDESPLAZAMIENTODENIVEL
Los circuitos de polarizacin y desplazamiento de nivel juegan un papel de suma
importanciaenlosamplificadoresoperacionalesporlossiguientesmotivos:
ElniveldeDCenlaentradayenlasalidadebeestaraOVcuandosetrabajen
confuentesdealimentacinsimtricas(VyV).
La polarizacin de las tres etapas del OPAMP debe ser bien estabilizadas a fin
de evitar desplazamientos de nivel de causa de perturbaciones tales como la
temperatura,ligerasdiferenciasentrelasfuentesVyV,resistenciasdecarga,
resistenciasinternasdelasfuentesdesealesyotros,esporestoquesesuele
encontrar OPAMPS son mayor cantidad de transistores ( aunque muchos de
ellos trabajan como diodos ) en el circuito de polarizacin que en las etapas
amplificadorasmismas.
Comoseveenelcircuito,latensinenelcolectordeQ17debeestarcasianivelde
tierra ( en realidad a 0.7v por debajo de l ) ya que se requiere que el nivel de la
salidaestaOV,estoquieredecirquelaentradadeldriverdebeestaraunnivelel
mspordebajodeOVafindequelostransistoresQ16yQ17estnpolarizadosen
suzonaactiva.
ElectrnicaAnalgicaII
278
CIRCUITOSDEPROTECCIN
Q15 y Q19 cumplen la misin de proteger a los transistores de salida y al driver
respectivamente contra las excesivas corrientes que puedan pasar por ellas. Esta
excesiva corriente puede ser debida a varias causas, entre ellas la variacin de las
tensionesdealimentacin,cortocircuitoalasalida,etc.
EncondicionesnormalesQ15yQ19estencortelacadadetensinenR9(25 )
yR11(50)soninsuficientes para hacerlosconducir, perocuandolascorrientes
que circulan por R9 y R11 aumentan por sobre determinado lmite, estos
transistores comienzan a conducir e inhiben ( llevan al corte ) a sus respectivas
etapas mediante sustraccin de la corriente de base de Q14 y Q16
respectivamente.
MISINDEQ18
Como se vio anteriormente en circuitos que trabajan con seales relativamente
grandes,erannecesarioscircuitosdepolarizacinquecompensaranlavariacinde
V
BE
delostransistoresinvolucradoscontralasvariacionesdelatemperaturaQ14y
Q20. La ventaja es que se usa un solo transistor en lugar de los tres transistores
(trabajandocomodiodos)queserequierenparapolarizarlauninbaseemisorde
Q14yQ20.
CAPACITORDECOMPENSACINC1
Para mejorar la respuesta en alta frecuencia del OPAMP y evitar la inestabilidad y
consecuente tendencia a oscilaciones en el circuito se coloca un capacitor de
realimentacin negativa generalmente en la etapa de mayor ganancia ( en este
casoeldriver).
ElectrnicaAnalgicaII
279
OFFSETNUBI
Estos terminales de acceso externo se utilizan, si es necesario para balacear las
corrientes de la etapa de entrada ( por ejemplo colocando un potencimetro
variableen paraleloconR2(oR11 )selogra ajustarlascorrientes de Q4 y Q2( o
Q3yQ1).
Anlisisencontinua
A fin de lograr mejor compresin, lo haremos numricamente sea por ejemplo:
+V=15vyV=15v.Lasfuentesdealimentacindelamplificadoroperacional.
1. Corriente de BIAS principal, esta dado por la corriente que pasa por Q12 y
Q11.
1). Q11yQ12comoDiodos A
k
v
I
BIAS
733
39
7 . 0 7 . 0 30
=
=
dependedeI
c11
Engenerallostransistoresbipolaressecumple:
T BE
V V
ES c
I I
/ +
=
C11
Q12
BIAS
Q10
R4(5K)
I
+15
I
C10
Q13
I
-15
Q11
R5 (39K )
ElectrnicaAnalgicaII
280
=
10
10
733
5
26
c
n c
I
A
L
k
mv
I
=
10
10
733
2 . 5
c
n
c
I
A
L
A
I
Dedonde
=
Es
c
n T BE
I
I
L V V
( ) 1 =
=
comn base en circuito corto en corriente de Ganancia
saturaci de emisor de corriente I
ES
Entonces:
11
10
10
4
BE
C
BE
V
I
R V = +
(2.1)
SiQ10=Q11
10 ES
I =
11 ES
I =
ES
I
Esdecir:
= +
Es
c
n T
c
Es
c
n T
I
I
L V R
I
I
I
L V
11
4
10 10
;dedondeobtenemos:
=
10
11
4
10
c
c
n T c
I
I
L V
R
I
(2.2)
Enestaltimarelacintenemoscomodato
: = = K R A I
C
5 ; 733
4 11
2
1 =
(
2.4)
Conesteprocedimientoseencontr: A I
C
20
10
3. EnlaetapadeentradaporformarQ8yQ9unespejodecorriente,
entonces:
o C C
I I I = =
9 8
A
I
c
2 . 5
10
( )
10
733
C
n
I
A
L
solucin
A 20
10 C
I
Q5
I
(50K)
Q3
o
+15V
o
R2=1K
-15V
Q7
Q8
I
R1=
I
Q9
Q1
Q6
R3
Q2
Q4
1K
C10
Q1
O O
ElectrnicaAnalgicaII
282
4 3 0 10 B B C
I I I I + + = (3.1)
Adems:
4 4
3 3
) 1 (
) 1 (
B E
B E
I I
I I
+ =
+ =
) )( 1 (
4 3 4 3
B B E E
I I I I + + = +
) )( 1 (
4 3 4 3
B B E E
I I I I + + = +
con(3.1)= ] )[ 1 (
10 o C
I I + (3.2)
0 2 1
] [
4 3
I I I I I
E E C C
= = + (3.3)
Luegocon(3.2)
) 1 ( 1
) 1 (
) )( 1 (
10
10
+ +
+
= + =
C
o o C o
I
I I I I
Si:
+
+
=
1
1
1
1
10
0
C
I
I (3.4)
Si:
10 0 C
I I >> A I 20
0
=
Transistores:Q1yQ2: A
I
I I
o
C C
10
2
2 1
= = =
Transistores:Q3yQ4: A I I I I
C C C C
10
2 1 4 3
= = = =
Transistores:Q5yQ6: A I I I
C CQ CQ
10
3 6 5
= = =
Transistores:Q7
LacadadetensinenR1yR2ser: mv A k V
R
10 ) 10 )( 1 (
2
= =
A
k
mv
I
R
2 . 14
50
10 7 . 0
3
=
+
=
ElectrnicaAnalgicaII
283
ComolascorrientesdebasedeQ5yQ6sonmuchomenorE
s
queI
R3
entonces:
A I
C
2 . 14
7
=
4. ETAPADESALIDAYDRIVER(CIRCUITO)
4.1 TransistorQ13comoQ12yQ13:Formanunespejodecorriente
Entonces: A I I I
BIAS C C
733
12 13
= = =
4.2 TransistoresQ16,Q17yQ18:Suponiendodespreciableslascorrientesde
basedeQ14yQ20entonces:
17 16 13 C C C
I I I = = pero
comoQ16yQ17formanunparCASIDARLINGTONentonces:
A I I I I
C C C C
733
13 17 17 16
= <<
-15V
Q13
75K
+15V
R9
50
50K
Q12
45K
Q14
Q16
R12
Q19
Q20
I
Q15
50
Q17
R11
25
BIAS
Q18
ElectrnicaAnalgicaII
284
K
K A
K
I V
I I
C BE
B C
50
) 050 (. 733 . 7 . 0
50
733
50
) 50 (
17
17 16
17
+
+ =
+
+ =
A I
c
30
16
=
4.3. TransistorQ19
mv mA I V
C R
6 . 36 ) 733 . 0 )( 50 ( ) )( 50 (
17
11
= = =
ElcualnoessuficienteparaponerenconduccinauntransistordeSiQ19
estaencorte
4.4 TransistorQ18:Enprimerainstanciasuponemos
A I I
C C
733
13 18
= =
A
K
v
I
R
33 . 9
75
7 . 0
8
= =
A I I I
B R R
24
50
733
33 . 9
18 8 7
= + = + =
A I
C
30 733 . 14 66 . 14
16
+ =
I
R8
R7
I
Q18
CE18
I
C13
I
C18
I
R7
=733 A
45K
75K
R8
ElectrnicaAnalgicaII
285
v I R I R V
R R Q CE
78 . 1
8 7 18
8
= + =
4.5. TransistoresQ14yQ20:TeniendoencuentaqueQ15estaabiertoyQ14
tenemos:
= =
= =
=
+ + + =
BE BE BE
C C C C C BE BE CE
V V V
I I I
Q Q
I I V V V
20 14
20 14 20 14 20 14 18
20 14
) 50 ( ) 25 (
C BE CE
I V V ) 75 ( 2
18
+ =
C
ES
C
T CE
I
I
I
Ln V V ) 75 ( 2
18
+ =
Dedonde:
) 26 ( 2
) ( 75
) 26 ( 2
78 . 1
2
) 75 (
2
18
mv
I
mv
v
V
I
V
V
I
I
Ln
C
T
C
T
CE
ES
C
=
{ mA en I I
I
I
Ln
C C
ES
C
: ) 44 . 1 ( 23 . 34 =
Portanteossuponiendo
{ 20 21 ) 44 . 1 )( 10 ( 23 . 34
10 2
10
: 10
16
= =
mA
mA x
mA
Ln mA I
C
Porlotanto,conbastanteaproximadamentepodemosdecir:
mA I I
C C
20
20 14
= =
TransistorQ15:LacadadetensinenR9es:
mv mA I R V
C R
250 ) 10 )( 25 (
14
9 9
= = =
ElectrnicaAnalgicaII
286
EstatensinestambininsuficienteparahacerconduciraltransistorQ15portanto
encondicionesnormales
Q15estaencorte
CorrientedecolectordeQ14necesariaparadisparaalINHIBIDOR(Q15)
Suponiendoquelatensindebaseemisornecesariaparaqueempieceaconducir
eltransistorsea0.7v.
mA
v
I
C
28
25
7 . 0
14
=
Esta es la mxima corriente que podr circular por Q14, si una mayor corriente
pasaporQ14entoncesQ15noencenderyhardisminuirlacorrientedebasede
Q14pudindolollevaralcorte.
DEFINICIONESDELOSPARMETROSDEUNOPAMPYSUMEDICIN
QUSONLOSPARMETROSDEUNOPAMP?
AscomountransistorounFETtienenparmetrosquedefinensucomportamiento
en determinado circuito, de igual modo, un OPAMP tiene una gran variedad de
parmetrosquedefinensucomportamiento.Generalmente,cadafabricantetiene
supropiosistemadedatossobresuOPAMP;sinembargo,lashojasdedatostienen
dospuntosdbiles:
1.Nomuestrancmorelacionarlosparaunproblemadediseo
2. No describen la gran variedad de aplicaciones para las cuales puede
usarseelOPAMP.
Acontinuacindescribimoslosparmetrosmsimportantes:
1. GANANCIADELAZOABIERTO
EslagananciasinrealimentacindelOPAMP.Estdefinidacomolarelacin
del voltaje de seal de salida y el voltaje de seal entre sus terminales de
entrada. Esta ganancia se suele especificar en DC y generalmente en db.
Adems de ello, el fabricante especifica, mediante curvas, la dependencia
delagananciaconlafrecuencia.
Circuitoparamedicindelaganancia(A):
Secumple: A=Vo/V
Pero: V=V1(Ry/(Rx+Ry))
Luego: A=(Vo/V1)((Rx+Ry)/Ry)
ParapodermedirsindificultadesV1,seeligeRx>>Ry
LafrecuenciadeVindebeestarenlaregindefrecuenciasmediasdeloperacional.
Rydebeserpequeoparaevitarcrearoffsetdecorriente.
Vcc
Variacin de la ganancia con el
voltaje de alimentacin
Variacin de la ganancia con la
frecuencia
105db
Vcc = +/- 15V
Ta = 25 C
A db
300 db
0 db
A(jw) db
30 f(Hz) 3M
110db
Ry
Ri
+
-
OUT
V-
Rf
Rx
+
V1
Vin
Vo
-
ElectrnicaAnalgicaII
288
2.) VOLTAJEDEOFFSETDEENTRADA(E
os,
V
Io
)
(INPUTVOLTAJEOFFSET)
2.1 Se define como el voltaje DC que debe aplicarse en las entradas para
obtenerunvoltajedesalidadeOVDC.Sinsealdeentrada.
ParaunamplificadoridealE
os
escero
.
E
os
eslamayor
fuentedeerrorencircuitosdebajaimpedancia.
2.2.1 Representacin
2.3 E
os
estprincipalmentedeterminadaporeldesbalanceentrelasVBEenla
etapadiferencialdeentrada.
2.4 E
os
variaconlatemperatura,eltiempo,voltajedelafuentedealimentacin
y voltaje de modo comn. Menor problemacausalagradientetrmicaen
losdispositivosestadoslidoquecausandiferenciasdetemperaturaentre
las dos entradas del OPAMP. Si son dos transistores perfectamente
machados con una V
BE
/
T
= 2.4 mv/
0
C causar una E
os
de
aproximadamente
2.5 La variacin de E
os
con la temperatura es
2.6 La variacin de E
os
con el tiempo se especfica a una temperatura cte. (
usualmente25
0
C).
+
-
OUT
Vos
ElectrnicaAnalgicaII
289
CircuitodeMedicindeEos
3. CORRIENTEDEPOLARIZACINDEENTRADA(INPUTBIASCURRENT,I
BIAS
,I
i
)
YCORRIENTEOFFSETDEENTRADA(INPUTOFFSETCURRENT,I
OS
,I)
3.1 I
BIAS
eslacorrienteDCquefluyeencualquieradelosterminalescuandono
haysealdeentrada.EstacorrienteDCesnecesariayaquelostransistores
requieren corriente de base para su funcionamiento para entrada a FET y
MOSFET,estcorrienteesdebida acorrientedeescapeyes normalmente
3040vecesmenosquelacorrientedeBIASdeuntransistor.
3.2 Generalmenteseespecifican:I
BIAS
(+)+I
BIAS
()
2
CorrientesdeBIAS
I
OS
=I
BIAS
()
I
BIAS
(+)
+
=
f I
I
O OS
Z Z
Z
E E
O
Eo
-
+
Zf ZI
O
Temperatura
-1.2mv
E
os
+0.8 mv
25
O
C +70
O
C -5
O
C
ElectrnicaAnalgicaII
290
I
BIASY
I
OS
dependedelatemperatura,tiempo,V
alimentacin
yvoltajedemodo
comn.
Sudependenciaconeltiemposedaaunatemperaturacte.(generalmente
a25
0
C).
3.4 CircuitosdePrueba
I
BIAS
+
=
E
0
-
E
0
R
Abierto S con E es E
I 0
1 /
0
O
-
+
O
Eo
R
I
S
R
E
I
R I E Pero
I I I
abierto S con E es E Donde
R
E E
I
OS
OS
BIAS BIAS OS
BIAS
0
0
) ( ) (
0
//
0
0
//
0 ) (
:
=
=
=
=
+
-
O
O
S
+
2
ElectrnicaAnalgicaII
291
4. IMPEDENCIADEENTRADA:DIFERENCIALZ
d
;MODOCOMNZ
cm
4.1 Z
deslaimpedancia
delazoabiertoentrelosterminalesdeentradadelOPAMPy
es especificado en la regin activa como una resistencia ( R
i
) en paralelo
conunacapacitancia(C
i
).
4.2 Z
cm
es la impedancia vista entre cualquiera de los terminales y tierra,
tambin se especifica como una resistencia en paralelo con una
capacitanciasesuponequeZ
cm
(+)yZ
cm
()sonreales.
4.3 Representacin:
4.4 Unvalortpicodelacapacitanciadeentradaes10p
F
.
)entradasconDarlinton
atransistoreslleganalgunasvecesde50ka500K.
Z
D
Z
cm
Z
cm
+
Eo
O
+
S
R
I
2
O
S
-
R
ElectrnicaAnalgicaII
292
ParaunA.0,conentradaaFET,laZ
cm
sereduceporunfactorde2porcada
10Cdeaumentodetemperatura.
4.6 Circuitodeprueba
DondeE
0
yesE
0
conS
1
ABIERTO
ParaZ
d
EstecircuitodepruebaslodebeusarseparaamplificadoresdebajoZ
d
(entradaa
transistores).
Z
d
=
( E
0
) -
R
G
E
0
- E
0
G
600
S
Eo
I
O
R
O
(10Hz)
-
+
Ein
cm G
cm cm
Z de menos al ser debe R
E E
R E
Z Z Para
10
1
:
/
0 0
0
/
0
=
ElectrnicaAnalgicaII
293
5. INPUTVOLTAJERANGE
5.1 Elmximovoltajedeentradadiferencialeselvoltajemximoabsoluto,el
cual puede aplicarse entre los terminales de entrada sin causar dao al A.
O. ( OBSOLUTE MAXIMUN DIFERENCIAL ). Esto es principalmente funcin
de los voltajes de ruptura de los transistores de entrada y de la disipacin
delajuntura.
5.2 Elmximovoltajedemodocomn(D.C),eselmximovoltajequepueda
aplicarseaambasentradassincausardaoalOPAMP.
5.3 Elvoltajeemodocomntileselmximovoltajequepuedeaplicarseentre
una entrada y tierra y que an permanezca en la regin activa de algunas
veces medida con un medidor de distorsin e incrementando el voltaje de
modo comn hasta que la distorsin armnica alcance un limite arbitrario
[1%a3%].
6. SLEWRATE(S)
Definelamximarazndcambiodelvoltajedesalidaparaunaentrada
quecambiabruscamentedeun.................aotro.
Sedageneralmenteenvol/se.
Paraamplificadoresdecircuitointegrado,estoesunafuncindirectala
compensacincapacitiva.
7. UNITYGAINBANDWIDTH(t)
Eslafrecuenciaalacuallagananciadelazoabiertoseamplificadores1(
odB),estoesparasealespequeasdebidoaqueconellasfrecuencias
no es posible detenerse grandes niveles de voltaje a la salida por la
distorsinproducidaporelSlewRate.
Paraamplificadoresconrespuestasimtricaenambasentradast
puedeobtenerseenambasconfiguraciones.
8. FRECUENCYFORFULLOUTPUT(FULLPOWERRESPONSE):
s,
p
Las caractersticas para pequea seal y gran seal de un A. O. Son
sustantivamentedistintas,engranseallarespuestaesmslentadebidoal
siewratequelimitalasalida.
ElectrnicaAnalgicaII
294
FULLLINEARRESPONSE(Q
2)
Es
lafrecuenciamximaparasalidasindistorsin(con3%a5%de
distorsin).
FULLPEAKRESPONSE
Es la frecuencia para una salida total pico pico normalmente medida con
unaondatriangular.
9. SETTLINGTIME(t
s
)[TiempodeRestablecimiento]
EseltiempoquedemoralasalidadelOPAMPentomarsuvalordeestado
estacionario [ dentro de determinado porcentaje de error ] desde la
aplicacindeunaentradaescaln.
Esta definicin ( t
s
) da el tiempo que tarda el OPAMP para dar una
respuestaprecisaalrespondersegnlarpidavariacindeentrada.
Generalmente(t
s
)seespecificaparamximasalida(RATEOUTPUT)enun
circuitodegananciaunitariayparaunabandadeerrorentre0.1%y0.01%
devalordeE
or
10. OVERLOADRECOVERY(TOL)
Eseltiemporequeridoporunamplificadorpararegresarasureginactivas
despusdehabrseleexcitadohastallevarlocompletamenteasaturacin.
( t
s
)
% ERROR
( 0.1% - 0.01% )
DE E
or
E
or
o
ElectrnicaAnalgicaII
295
Algunasvecesseleestipuladentrodeunporcentajedeerroraligualque
eneltiempoderestablecimiento.
11. CMRR:COMMONMODEREJECTIONRATIO
SERIEDEPROBLEMAS
PROBLEMA1:Unamplificadoroperacionalconganancia:A=10000,esconectado
en la forma mostrada. El OPAMP tiene una impedancia de entrada en modo
diferencialde1M,resistiva.HalleelvoltajedesalidasiVi=1sen(wt)V.
2M
700K
+
Vs
-
1M
-
+
3
2
1
4
1
1
+Vcc
+
Vi
-
-Vcc
A
ElectrnicaAnalgicaII
296
PROBLEMA2:EnelcircuitoconOPAMPmostrado,halle:
a) Laexpresindelvoltajedesalida
b) LaexpresinparahallarR3
uA741
3
2
7
4
6
1
5
+
-
V
+
V
-
OUT
OS1
OS2
L
1 2
+Vcc
R1
C
-Vcc
R2
+
Vo
-
+
Vi
-
R3
f = 60 Hz
T/4
T
+5V
3T/4
-5V
T/2
t
Vo
PROBLEMA4:Enelsiguientecomparadorconhistresis(schmitttrigger),hallelos
voltajesdeentradaalosqueconmutaelcircuito.
ElectrnicaAnalgicaII
297
R1 200K
R1
10K
V1
2 V
-
+
OP-11
3
2
1
4
1
1
+12Vdc
-12Vdc
+
Vi
-
PROBLEMA5:HallelafrecuenciadeoscilacindelcircuitoconOPAMPmostrado:
20K
27K
20K
+
Vs
-
0.1uF
0.1uF 27K
-
+
3
2
1
4
1
1
+Vcc
-Vcc
PROBLEMA7:Enelcircuitomostrado,hallelaimpedanciadeentrada:
R2
Zi
R1
C
+
Vs
-
-
+
3
2
1
4
1
1
+Vcc
+
Vi
-
-Vcc
ElectrnicaAnalgicaII
299
PROBLEMA8:HallelafrecuenciadeoscilacindelcircuitoconOPAMPmostrado:
200K
19K
0.1uF
+
Vs
-
10K 0.1uF
-
+
3
2
1
4
1
1
+12Vdc
10K
-12Vdc
10K 10K
A
0.1uF
PROBLEMA9:ElOPAMPmostradoesrealyensusentradasrequiereunacorriente
de polarizacin Ibias = 10 nA. Cul debe ser el valor de R para que en la salida la
tensinDCseacero(nohayaoffsetdecorriente)?
R
+
Vs
-
+12Vdc
-12Vdc
A
10K
-
+
3
2
1
4
1
1
10K
ElectrnicaAnalgicaII
300
PROBLEMA10:Hallelaexpresindelagananciadetensin.ElOPAMPesideal.
+
Vs
-
+
Vi
-
+VCC
-
+A 1
2
4
3
5
R1
R3 R2
-VCC
R4
PROBLEMA11.Elcircuitomostradoactacomoderivador.Qurequisitosdeben
cumplirsuscomponentesparaquerealicelaoperacinindicada?
+VCC
U5
3
2
7
4
6
1
5
+
-
V
+
V
-
OUT
OS1
OS2
+
Vo
-
C1
C2
R2
+
Vi
-
-VCC
R3
R1
ASUMAQUEELOPAMPESIDEAL
PROBLEMA13:DiseeuncircuitoconOPAMPsquepuedaresolverlasiguiente
ecuacindiferencial:
dVs/dt+3Vs=5
Condicininicial:Ent=0.Vs=0
Vseslasealdesalida
ElectrnicaAnalgicaII
301
PROBLEMA14:Respondalassiguientespreguntas:
a) Porqusepresentaeloffsetenelamplificadoroperacional?
b) Por qu una onda sinusoidal de entrada puede volverse triangular a la
salidadeunOPAMPcuandoelevasufrecuencia?
c) Indique5aplicacioneslinealesy5aplicacionesnolinealesdelOPAMP.
d) QuventajasydesventajastieneelempleodelosdiagramasdeBodepara
elestudiodelarespuestaenfrecuenciadeunamplificador?
e) Dado un circuito amplificador, cmo determinara su respuesta en
frecuenciayanchodebanda?
PROBLEMA 15: El circuito con OPAMP mostrado es un filtro activo formado con
admitancias.Hallelafuncindetransferencia.
+
Vi
-
Y1
-
+
+
Vs
-
Y4
Y3
Y2
PROBLEMA16:EnelcircuitoconOPAMPsiguiente,demuestreque:
Vs=log
10
[((V
2
R
1
)/(V
1
R
2
)]
ElectrnicaAnalgicaII
302
R2
-
+
U2
V1
Q1
20K
20K
R1
-
+
U1
333K
+
Vs
-
333K
Q2
V2
-
+
U3
LM741
ElectrnicaAnalgicaII
303
APLICACIONESLINEALESDELAMPLIFICADOROPERACIONAL
1) AMPLIFICADORINVERSOR:
Enestecasolasealdeentradaseaplicaporlaentradainversora.
-
+
Av
ideal
Vs
R3
V+
R2
Ve
+
R1
-
I1
If
+
V-
-
Perocomolagananciadeunamplificadoroperaconalidealesmuyalta:Av
Sededuce: V0
Ylaentradainversorasecomportaenestecasocomotierravirtual.
Acontinuacinpodemosobtenerlagananciaconrealimentacin:
Adicionalmentepodemosobtenerlaimpedanciadeentradadelcircuito:
Zinf=Ve/I1=R1
NOTA:ElresultadoanteriorpuedesergeneralizadositomamosencuentaqueR1y
R2puedenserreemplazadasporcualquierimpedancia(Z1yZ2respectivamente):
ElectrnicaAnalgicaII
304
Avf=Z2/Z1
Zinf=Z1
2) AMPLIFICADORNOINVERSOR:
Enestecasolasealdeentradaseaplicaporlaentradanoinversora.
Perocomolagananciadeunamplificadoroperaconalidealesmuyalta:Av
Sededuce: V+V0
Ysecumple: V+=V
Laentradadiferencialsecomportaenestecasocomocortocircuitovirtual.
Acontinuacinpodemosobtenerlagananciaconrealimentacin:
Adicionalmentepodemosobtenerlaimpedanciadeentradadelcircuito:
Zinf=R3
-
+
Av
ideal
Vs
R3
V+
Ve
R2
+
R1
-
I1
+
V-
-
If
NOTA:ElresultadoanteriorpuedesergeneralizadositomamosencuentaqueR1y
R2puedenserreemplazadasporcualquierimpedancia(Z1yZ2respectivamente):
Avf=1+Z2/Z1
ElectrnicaAnalgicaII
305
Zinf=Z3
3) SUMADORINVERSORDEENTRADASMULTIPLES:
Acontinuacinsemuestraunsumadorinversorcon3entradas.Losresultados
podrnampliarseamsentradas.
-
+
Av
ideal
Vs
R
V+
I1
V2
V3
Rf
I2
R2
R1
V1
R3
-
I3
+
V-
If
Delcircuitopodemosdecir: If=I1+I2+I3
Laentradainversorasecomportacomotierravirtual:
I1=V1/R1 I2=V2/R2 I3=V3/R3 If=Vs/Rf
Luego: Vs/Rf=V1/R1+V2/R2+V3/R3
Finalmente: Vs=(Rf/R1)V1(Rf/R2)V2(Rf/R3)V3
Enelcasoparticulardequesecumpla: R1=R2=R3=Rf
Obtendremos:Vs=V1V2V3
Esteresultadosepuedegeneralizarparaunmayornmerodeentradas.
Debenotarseque,alestarlaentradainversoraaunpotencialcercanoacero,las
fuentesdeentradanosecarganentres,evitandosedeestamaneraladiafona.
ElectrnicaAnalgicaII
306
4) SUMADORNOINVERSORDEENTRADASMULTIPLES:
Acontinuacinsemuestraelesquemadeuncircuitosumadorsininversin:
+
Vs
-
R1
V2
R4
R2
R3
V1
R5
Rn
V3
-
+
Vn
Estetipodeconfiguracintieneladesventajadequelasgananciasdelasdistintas
entradas no resultan independientes, lo cual es un inconveniente si alguna de las
fuentesdeentradatieneunaimpedanciainternavariableomaldefinida.
+
Vs1
-
R1
R4
R2
R3
V1
R5
Rn
-
+
Dedonde: Vs1=(1+R4/R5)V
1
[(R2//R3//Rn)/(R1+R2//R3//Rn)]
Esteresultadosedebeaqueenestecasonohaytierravirtual.
Enformaanloga,paralasdemstensionesdeentrada:
Vs2=(1+R4/R5)V
2
[(R1//R3//Rn)/(R2+R1//R3//Rn)]
ElectrnicaAnalgicaII
307
Vs3=(1+R4/R5)V
3
[(R1//R2//Rn)/(R3+R1//R2//Rn)]
Vsn=(1+R4/R5)V
n
[(R1//R2//R3)/(Rn+R1//R2//R3)]
Finalmente,Vs=Vs1+Vs2+Vs3+Vsn
Vs = (1 + R4/R5)[((R2//R3//Rn)/(R1 + R2//R3//Rn))V
1
+ ((R1//R3//Rn)/(R2 +
R1//R3//Rn))V
2
+ ((R1//R2//Rn)/(R3 + R1//R2//Rn))V
3
+
((R1//R2//R3)/(Rn+R1//R2//R3))V
n
]
5) SEGUIDORDETENSIN:
Esteesuncasoespecialdelamplifficadornoinversor,enelcualserealimentatoda
lasealdesalida.Seleutilizacomoseparadoroadaptadordeimpedancia
Sienelamplificadornoinversorhacemos: R1 y R20
Obtenemos: Vs=Ve
-
+
Av
ideal
Vs
V+
Ve
-
+
V-
6) INTEGRADORSIMPLE:
Enelsiguientecircuito:
+
Vi
-
+
Vs
-
Z2
-
+
Z1
ElectrnicaAnalgicaII
308
Vs=(Z2/Z1)Vi
SiZ1=R1 y Z2=1/sC
Obtenemos: Vs=(1/RC)Vi/s
Eneldominiodeltiempo: Vs(t)=(1/RC)Vidt
7) DISEODEUNINTEGRADORINVERSOR:
Diseeelsiguientecircuitointegradorparaf=1KHz,Vo=2Vpico,cuandoViesuna
ondacuadradade4voltiospico.
4V
t
R1
R3
+
Vo
-
+12V
-4V
-12V
0
U6
uA741
3
2
7
4
6
1
5
+
-
V
+
V
-
OUT
OS1
OS2
C
R2
+
Vi
-
Lafuncindetransferenciaeneldominiodelafrecuenciaes:
H(s)=(R2/R1)/(1+R2Cs)
Bajoestacondicin,H(s)sesimplificaa:
H(s)=1/(R1Cs)
Luego: sVo(s)=(1/R1C)Vi(s)
Eneldominiodeltiempo:dVo(t)/dt=(1/R1C)Vi(t)
Integrando: Vo t
dVo=(1/R1C)Vi(t)dt
Vo(0) 0
Efectuando:
Vo(t)=(Vi/R1C)t+Vo(0)
Para:0t0.5ms Vi=4voltiosyVo(0)=2voltios
Entonces: Vo(t)=(4/R1C)t+2
Ent=0.5ms: Vo(0.5ms)=2voltios
Paraellodebecumplirse:R1C=0.5ms ..................(2)
ElegimosunvalorcomercialparaC: C=0.1uF
Conlaecuacin(2)calculamosR1: R1=5K
Alavezdebecumplirselacondicin(1),tambinenelestadoestacionario:R2Cw
>>1
w=2(1KHz)
Luego: R2>>1.6K
R2debeser,porlomenos,16K
ElegimosR2=33K
Parareducireloffsetdecorrientedebecumplirse:R3=R1//R2=4.3K
Podemos observar que si la seal de entrada tuviera un nivel de continua, por
ejemplo, de 1 voltio, este nivel aparecer amplificado en la salida a: (1)(33/5) =
6.6 V y la salida triangular variar alrededor de este voltaje (desplazada en 6.6
voltios)
ElectrnicaAnalgicaII
310
8) INTEGRADORDOBLE:
Estecircuitointegradosvecesconunsoloamplificador:
+
Vi
-
+
Vs
-
C2
C1
-
+
C2
R3
R1 R2
AplicandolatransformadadeLaplacehallamoslacorrientequecirculaporR2:
I
R2
=Vi/(R
1
+R
2
+R
1
R
2
C
1
s)
EstacorrientetambincirculaporC2,conloqueelvoltajeenR3sepuedehallar:
V
R3
=I
R2
/(sC
2
)=Vi/((R1+R
2
+R
1
R
2
C
1
s)C
2
s)
AcontinuacinpodemoshallarVs:
Vs=V
R3
(I
R2
V
R3
/R
3
)(1/(sC
2
))
Reemplazandotrminos:
Vs=Vi/((R1+R
2
+R
1
R
2
C
1
s)C
2
s)[Vi/(R1+R
2
+R
1
R
2
C
1
s)+(Vi/R
3
)((R1+R
2
+
R
1
R
2
C
1
s)C
2
2
s
2
)
Simplificando:
( )
2 2
2 3 1 2
1
2
1
2 3
1
2 1
s C R s C R
R
R
R
s C R V
V
i
s
+ +
+
=
Sihacemosquesecumpla: R
1
>>R
2
y R
2
C
1
=2R
3
C
2
Laexpresinsepuedeaproximara:
2 2
2 3 1
s C R R
V
V
i
s
=
ElectrnicaAnalgicaII
311
9) SUSTRACTORBASADOENELMODOCOMUN(Ver.1):
Elesquemasemuestraacontinuacin:
+
Vs
-
R3
V2
V1
R1
R2
-
+
Empleandosuperposicinyaplicandolasfrmulasparaelamplificadorinversory
noinversorobtenemos:
2
1
2
1
1
2
1 V
R
R
V
R
R
V
s
+ =
Comopodemosobservar,conningnvalordeR
1
yR
2
podemosobtenerunasalida
proporcionalaladiferencia:(V
1
V
2
)
10) SUSTRACTORBASADOENELMODOCOMUN(Ver.2):
Conlasiguienteconfiguracinpodemosobtenerunasalidaproporcionala(V
1
V
2
):
+
Vs
-
R1
V2
V1
R1
R2
R2
-
+
Latensinenlaentradanoinversoraes: V
+
=V
1
(R
2
/(R
1
+R
2
))
ElectrnicaAnalgicaII
312
Empleandosuperposicinyaplicandolasfrmulasparaelamplificadorinversory
noinversorobtenemos:
Vs=(1+R
2
/R
1
)V
1
(R
2
/(R
1
+R
2
))(R
2
/R
1
)V
2
Simplificando:
Vs=(R
2
/R
1
)(V
1
V
2
)
11) SUSTRACTORSINEMPLEARMODOCOMUN:
Cuando las seales tienen frecuencias comparables a la de corte del amplificador
operacional,elfactorderechazoalmodocomndisminuye.Esteproblemapuede
evitarseconelsiguientecircuito:
V2
V1
+
Vs
-
R3
+
Vs1
-
R1
R2
R4
R5
-
+
-
+
Vs1=(R
4
/R
3
)V
2
Vs=(R
2
/R
1
)Vs1(R
2
/R
5
)V
1
=(R
2
R
4
/R
1
R
3
)V
2
(R
2
/R
5
)V
1
Sihacemosquesecumpla: R
4
=R
3
y R
1
=R
5
Vs=(R
2
/R
1
)(V
2
V
1
)
12) AMPLIFICADORDEINSTRUMENTACION:
Este tipo de amplificador presenta alta impedancia de entrada, alto rechazo al
modocomnypuedetenergananciaelevadayajustable,porloqueesmuyusado.
Elesquemaeselsiguiente:
ElectrnicaAnalgicaII
313
V2
-
+
+
Vs
-
R3
+
Vs1
-
R4
R1
+
Vs2
-
V1
R4
R1
R2
-
+
R3
-
+
Latensindesalidasepuedehallarconlaecuacindelcircuito10:
( )
1 2
3
4
S S S
V V
R
R
V
LacorrientequecirculaporR
2
es:
2
2 1
2
R
V V
I
R
=
Luego:
+ = + =
2
1
2
2
1
1 1 1 2 1
1
R
R
V
R
R
V V R I V
R S
+ = =
2
1
1
2
1
2 1 2 2 2
1
R
R
V
R
R
V R I V V
R S
Reemplazando:
( )
1 2
2
1
3
4
2
1 V V
R
R
R
R
V
S
ElectrnicaAnalgicaII
314
13) CONVERTIDORESDEIMPEDANCIANEGATIVA:
Sellamaconvertridordeimpedancianegativaaldispositivoquecambiaelsignode
suimpedanciadecargapudiendo,asmismo,modificarsumdulo.
Kn ZL Zin
Donde: Knesnegativo
14) CONVERTIDORDEIMPEDANCIANEGATIVAENTENSIN(Versin1):
Elesquemacorrespondientesemuestraacontinuacin:
R1
Ii
+
Vi
-
+
Vs
-
R2
-
+
ZL
Sabemosque: V
+
=V
=Vi
Luego: Vs=Vi+(R2/R1)Vi
Entonces: Ii=(ViVs)/Z
L
=Vi(11R2/R1)/Z
L
Finalmente:
Zi=Vi/Ii=(R1/R2)Z
L
ElectrnicaAnalgicaII
315
15) CONVERTIDORDEIMPEDANCIANEGATIVAENTENSION(Ver.2):
Elesquemacorrespondientesemuestraacontinuacin:
+
Vi
-
ZL
+
Vs
-
R1
-
+
Ii
R2
Sabemosque: V
=V
+
=Vi
Adems: V
+
=Vi=Vs(Z
L
/(R2+Z
L
))
Dedonde: Vs=Vi(1+R2/Z
L
)
Delcircuito: Vs=ViIiR1
ReemplazandoVs: Vi(1+R2/Z
L
)=ViIiR1
Finalmente:
Zi=Vi/Ii=(R1/R2)Z
L
16) CONVERTIDORDEIMPEDANCIANEGATIVAENCORRIENTE:
Elsiguienteesunesquemadeconvertidordeimpedancianegativaencorriente
mselaborado:
+
Vs2
-
ZL
I1
+
Vi
-
+
Vs1
-
I2
-
+
R
-
+
R R2
+
VL
-
R
Ii
R1
R
Enelesquemaobservamos: Ii=I1+I2
Adems: Vs1=(R/R)Vi=Vi
Tambin: I2=Vi/R e I1=(ViVs2)/R1
ElectrnicaAnalgicaII
316
Lacorrientequerecibeelamplificadordesalidaes: I=Vs1/R
Igualmentesecumple:I=V
L
/R osea: V
L
=IR
Tambin: Vs2=(IV
L
/Z
L
)R2+V
L
=(Vi/R+V
L
/Z
L
)R2+V
L
ReemplazandoV
L
: Vs2=(Vi/RIR/Z
L
)R2IR
ReemplazandoI: Vs2=(Vi/RVs1/Z
L
)R2Vs1
ReemplazandoVs1: Vs2=(Vi/R+Vi/Z
L
)R2+Vi
Acontinuacin: Ii=[Vi((Vi/R+Vi/Z
L
)R2+Vi)]/R1+Vi/R
Finalmente: 1/Zi=1/R(R2/R1)(1/R+1/Z
L
)
17) AMPLIFICADORACOPLADOPARAAC:
EnalgunasaplicacionessenecesitaunamplificadorparaAC,dondelaDCdebeser
bloqueada. Esto puede lograrse con un condensador de acoplo, como se muestra
enelsiguienteesquema:
-
+
R2
+
Vi
-
C
+
Vs
-
R1
Lasalidaesdadapor:
Vs=Vi(R
2
Cs)/(1+R
1
Cs)
Setieneunpoloen: s=1/(R
1
C)
ElectrnicaAnalgicaII
317
18) FUENTEDEALIMENTACINDE12V5ACONREGULADORLM723
R1
2K2
R2
1K
Q2
2N3055
Rsc
0.856
SW
35V
T
SALIDA
+ 12 v
R5
1K
Q1
2N2222
C2
1uF
R4
430
F
7.5A
R3
1K5
R6
220
U1
LM723
10
7
1
2
1
1
6
5
13
4
3
2
VOUT
V-
V
+
V
C
VREF
IN+
COMP
IN-
ISENSE
ILIM
220Vac
15Vac
C3
1nF
P1
10K
C1
3300uF
-
+
B1
10A/200V
SeemplearelpotencimetroP
1
de10Kparapoderajustarlatensinocambiarla
aotrovalorqueserequiera.
LosresultadostericossoncalculadosmedianteelprogramaCircuitMaker2000
La tensin del secundario del transformador ser de 15 Vac. Con este voltaje, a la
salida del filtro C
1
obtendremos una tensin continua de 15.29V 5 A. El rizado
picopicomximoesde7.5V.
R1yR2determinanlagananciadelamplificadoroperacionalinternodelLM723.
R3 , R4 y Rsc determinan la proteccin tipo foldback, mediante la cual, ante un
cortocircuitoenlasalidalacorrientesereduceaunnivelquenoseapeligrosopara
eltransistordepotencia,permitiendoquesudisipacinnoseaexcesiva.
V
+
es el voltaje aplicado en la entrada no inversora del operacional (pin 5),
medianteelpotencimetroP
1
.
Latensindereferenciaqueproduceelintegradoesdeaproximadamente7.15Vy
laentregaporsupin6.EstevoltajeseempleaparaajustarlaentradaV
+
.
Podemoselegirvalorescomercialescontoleranciade5%paraR1yR2,teniendoen
cuentaquenodebensermuychicosparaevitarunconsumodecorrienteexcesivo.
ElectrnicaAnalgicaII
318
Tampoco deben ser muy grandes para que ello no nos impida usar las ecuaciones
delamplificadoroperacionalideal.
Paraobtener12Venlasalidapodemosemplear: R
1
=2.2K y R
2
=
1K
ConestosvalorestendremosqueajustarV
+
3.75V.
Lacorrientemximaqueentregaelcircuitosedeterminaconlasiguienteecuacin:
Imx=Vo(R
3
/R
4
Rsc)+Vs(R
3
+R
4
)/R
4
Rsc
Ennuestrocasoqueremosquelacorrientemximasea5A.
Voeselvoltajedesalida.Ennuestrocasoes12V.
LaecuacinquedeterminaIsceslasiguiente: Isc=Vs(R
3
+R
4
)/RscR
4
Con estas ecuaciones podemos hallar las relaciones que deben cumplir los
componentes:
(R
3
+R
4
)/RscR
4
=1/0.67=1.49 y
0.417=(R
3
/R
4
Rsc)+0.056(R
3
+R
4
)/RscR
4
=(R
3
/R
4
Rsc)+0.056(1.49)
Dedonde: (R
3
/RscR
4
)=0.4170.056(1.49)=0.334
Adems: (R
3
+R
4
)/RscR
4
=1.49
Luego: (R
3
+R
4
)/RscR
4
=0.746/0.375=1.99
Finalmente, R
4
/RscR
4
=1.156=1/Rsc Rsc=0.865
Estevalorderesistenciarequiereconstruirlaconalambredenichromdebidoaque
la potencia que debe disipar es alto [Psc = (0.865) 5
2
= 21.65W] y la cada de
tensin que requiere, tambin [Vsc = 5(0.865) = 4.325V]. Ello obligar a
recalcularla,utilizandounaIscmsalta,paraobtenerunvalormenor.
ElectrnicaAnalgicaII
319
Acontinuacin: R
3
/R
4
=0.29
Paracumplirconestarelacin,elegiremoselvalorcomercial: R
4
=1.5K
Luego: R
3
=430
El siguiente paso es determinar las caractersticas del transistor de potencia
necesario:
Latensinpromediodeentradaes15.29V5Aylatensindesalidaes12V.En
estecaso,eltransistordepotenciadeberdisipar: P=(15.2912)5=16.4W
Duranteuncortocircuito,todoelvoltajelosoportarentransistordepotenciaysu
consumoser: P=(15.29)(1)=15.29W
El siguiente paso ser verificar el circuito en el laboratorio y hacer los ajustes que
pudierarequerir.
ElectrnicaAnalgicaII
320
19) DESFASADOR:
Emplearemos un desfasador con amplificador operacional como el mostrado a
continuacin.El desfasajelo ajustaremosconla resistenciaR3,adems de ajustar
elnivelalvalordeseadoconlaresistenciaR2.
-
+
R2
+
Vi
-
R3
R1
+
Vs
-
C1
Lafuncindetransferenciadelcircuitoeslasiguiente:
H(s)=R2/R1+[R3/(R3+1/sC1)][1+R1/R2]
Parasimplificar,podemosponerlasiguientecondicin:
R1=R2=R3
Entonces: H(s)=[1+R3C1s]/[1+R3C1s]
Enelestadoestacionario: s=jw
Ylamagnitudes: H(jw)=1
Lafasees: F(jw)=1802arctan(wR3C1)
20) FILTROACTIVOPASABAJO:
Los filtros activos se caracterizan por tener la posibilidad de tener una ganancia
mayorquelaunidad,ademsdeseleccionarelrangodefrecuencias.
LatensindesalidalapodemoshallarenfuncindeV
+
empleandolaecuacinde
gananciadelamplificadornoinversor:
Vo=(1+R
2
/R
1
)V
+
=AV
+
A=(1+R
2
/R
1
)
continuacinhallamosVenfuncindeViyVo
EnelnudoV
+
:
(V
+
Vi)/R+sC(V
+
V)=0
Deaqu: V=[(1+RCs)/(ARCs)]VoVi/(RCs)
EnelnudoV:
(VV
+
)Cs+VCs+(VVo)/R=0
Deaqu: V(2RCs+1)=(RCs)V
+
+Vo
ReemplazandoVydespejandolafuncindetransferencia:
A(1+2RCs)
H(s)=
R
2
C
2
s
2
+(3A)RCs+1
ElectrnicaAnalgicaII
322
Factordecalidad: Q=
o
/2=1/(3A)
Relacindeamortiguacin: =/
o
=(3A)/2
PROBLEMA:DiseeelsiguientecircuitocomofiltroButterworthparaobteneruna
frecuenciadecortede100Hz.
Dato:Lospolosnormalizadosson:p1,2=+/j=0.707+/j0.707
V
+
-
C2
R
+
-
R +
VL
-
C1
Vs
Hallamoslafuncindetransferenciadelfiltroapartirdelasecuaciones:
V
+
=V
L
(VsV)/R=(VV
+
)/R+(VV
L
)sC
1
(VV
+
)/R=V
+
sC
2
Luego: 1
H(s)=
(R
2
C
1
C
2
)[s
2
+(2/RC
1
)s+(1/R
2
C
1
C
2
)]
SiP
1
yP2sonlospolos,podemosexpresar:
1 1
H(s)==
(R
2
C
1
C
2
)(s+P
1
)(s+P
2
)(R
2
C
1
C
2
)(s
2
+(P
1
+P
2
)s+P
1
P
2
)
ElectrnicaAnalgicaII
323
Comparando:
P
1
+P
2
=2/RC
1
P
1
P
2
=1/R
2
C
1
C
2
Elfiltronormalizadosecalculaconunafrecuenciaangulardecortede1rad/sy
gananciaigual1.
Larelacindefrecuenciasdecortees:K=2(100)/1=628
Entonces:
(P
1
+P
2
)/K=2=2/KRC
1
(P
1
P
2
)/K
2
=
2
+
2
=1/K
2
R
2
C
1
C
2
Comop1,2=+/j=0.707+/j0.707
Luego:
2(0.707)=2/KRC
1
=1.414 RC
1
=2252us
(0.707)
2
+(0.707)
2
=1=1/K
2
R
2
C
1
C
2
R
2
C
1
C
2
=2.54us
Acontinuacinobtenemos. RC
2
=1126us
Finalmente: C
1
/C
2
=2
Elegimos: C
2
=0.1uF
Seobtiene: C
1
=0.2uF y R=11.26K
Acontinuacinsemuestraelcircuitofinal:
U1
IDEAL
1kHz
V1
-1/1V
C2
0.1uF
C1
0.2uF
R2
11.26k
R1
11.26k
Enelsiguientegrficoseobservalarespuestaenfrecuencia:
ElectrnicaAnalgicaII
324
0.000 Hz 100.0 Hz 200.0 Hz 300.0 Hz 400.0 Hz
1.000 V
0.800 V
0.600 V
0.400 V
0.200 V
0.000 V
A: c1_2
Podemosobservarquelafrecuenciadecorteesten100Hz.
21) FILTROACTIVOPASABANDA:
Este tipo de filtro deja pasar un rango de frecuencias alrededor de una frecuencia
central.
V
C
V+
R
-
+ 3
2
6
R2
Vi
+
Vo
-
C
R1
R
LatensindesalidalapodemoshallarenfuncindeV
+
empleandolaecuacinde
gananciadelamplificadornoinversor:
Vo=(1+R
2
/R
1
)V
+
=AV
+
A=1+R
2
/R
1
AcontinuacinhallamosVenfuncindeViyVo
EnelnudoV
+
:
(V
+
Vi)/R+sC(V
+
V)=0
ElectrnicaAnalgicaII
325
Deaqu: V=(1/A)[(1+RCs)/(RCs)]VoVi/(RCs)
EnelnudoV:
(VV
+
)Cs+(VVi)Cs+(VVo)/R=0
Deaqu: V(2RCs+1)=Vo[(RCs)/A+1]+Vi(RCs)
ReemplazandoVydespejandolafuncindetransferencia:
Vo A[R
2
C
2
s
2
+2RCs+1]
H(s)==
Vi R
2
C
2
s
2
+(3A)RCs+1
frecuencianatural:
o
=1/RC
factordeatenuacin : =(3A)/2RC
Factordecalidad: Q=
o
/2=1/(3A)
Relacindeamortiguacin: =/
o
=(3A)/2
Lafrecuencianaturaldefinelafrecuenciacentraldesintonadelfiltro
Podemoshacermsselectivoalfiltroaumentandosufactordecalidad.Seconsigue
ellocuandoajustamoslagananciadelamplificadoraunvalorcercanoa3.
Elanchodebanda(enradianes/segundo)a3dbsepuedehallarconlarelacin:
BW=2=(3A)/RC
22) SEGUIDORDEVOLTAJEPARAAC:
ElseguidordevoltajeACesusadoparaproveeraltaimpedanciadeentrada,sobre
todo cuando se usa una fuente de seal con alta impedancia de salida y se desea
acoplaraunacargadebajaimpedancia,quepuedesercapacitiva.
Asumimos que C
1
y C
2
poseen reactancias pequeas a todas las frecuencias de
operacin.LasresistenciasR1yR2sonusadasparaproveeracoplamientoRCyun
caminoparalacorrientedebiasenlaentradanoinversora.
ElectrnicaAnalgicaII
326
R1
100K
+
Vs
-
R2
100K
-
+
U3 C1
10 nF
+
Vi
-
C2
2 uF
23) REGULADORLM317:
Esunreguladorvariablecontensindesalidapositiva.
Sudiagramasimplificadoesmostradoacontinuacin:
IN
ADJ
+
+
REFERENCIA
DE VOLTAJE
Vout
R1
+
-
RLIM.
CIRCUITO DE
PROTECCIN
-
-
OUT
P1
VCC
ElectrnicaAnalgicaII
327
SERIEDEPROBLEMAS
PROBLEMA1:Unamplificadoroperacionalconganancia:A=10000,esconectado
en la forma mostrada. El OPAMP tiene una impedancia de entrada en modo
diferencialde1M,resistiva.HalleelvoltajedesalidasiVi=1sen(wt)V.
+
-
700K
+
VL
-
+
Vi
-
2M
A
1M
PROBLEMA2:EnelcircuitoconOPAMPmostrado,halle:
a) Laexpresindelvoltajedesalida
b) LaexpresinparahallarR
3
+
-
L
R3
C
+
VL
-
+
Vi
-
R2
R1
ElectrnicaAnalgicaII
328
PROBLEMA3:HallelafrecuenciadeoscilacindelcircuitoconOPAMPmostrado:
0.1uF
+
-
0.1uF
27K
27K
+
VL
-
20K
20K
PROBLEMA5:Enelcircuitomostrado,hallelaimpedanciadeentrada:
C
+
-
R1
+
VL
-
R2
+
Vi
-
Zi
ElectrnicaAnalgicaII
329
PROBLEMA6:HallelafrecuenciadeoscilacindelcircuitoconOPAMPmostrado:
10K
0.1uF
10K
0.1uF 0.1uF
+
-
10K
+
VL
-
200K 10K
PROBLEMA7:DiseeuncircuitoconOPAMPsquepuedaresolverlasiguiente
ecuacindiferencial:
dVs/dt+3Vs=5
Condicininicial:Ent=0.Vs=0
Vseslasealdesalida
PROBLEMA8:ElOPAMPmostradoesrealyensusentradasrequiereunacorriente
de polarizacin Ibias = 10 nA. Cul debe ser el valor de R para que en la salida la
tensinDCseacero(nohayaoffsetdecorriente)?
+
-
10K
+
Vs
-
R
10K
PROBLEMA9:Hallelaexpresindelagananciadetensin.ElOPAMPesideal.
ElectrnicaAnalgicaII
330
+
Vs
-
+
Vi
-
+VCC
-
+A 1
2
4
3
5
R1
R3 R2
-VCC
R4
PROBLEMA10.Elcircuitomostradoactacomoderivador.Qurequisitosdeben
cumplirsuscomponentesparaquerealicelaoperacinindicada?Asumaqueelop
ampesideal
+
-
C2
R1
+
Vs
-
C1
R3
+
Vi
-
R2
PROBLEMA11:Respondalassiguientespreguntas:
a) Porqusepresentaeloffsetenelamplificadoroperacional?
b) Porquunaondasinusoidaldeentradapuedevolversetriangularalasalida
deunOPAMPcuandoelevasufrecuencia?
c) Indique5aplicacioneslinealesy5aplicacionesnolinealesdelOPAMP.
d) QuventajasydesventajastieneelempleodelosdiagramasdeBodeparael
estudiodelarespuestaenfrecuenciadeunamplificador?
e) Dadouncircuitoamplificador,cmodeterminarasurespuestaenfrecuencia
yanchodebanda?
ElectrnicaAnalgicaII
331
PROBLEMA 12: El circuito con OPAMP mostrado es un filtro activo formado con
admitancias.Hallelafuncindetransferencia.
+
Vi
-
Y1
-
+
+
Vs
-
Y4
Y3
Y2
ElectrnicaAnalgicosII
332
APLICACIONESNOLINEALESDELAMPLIFICADOROPERACIONAL
1) COMPARADORDELAZOABIERTO:
EsteCircuitopuedeserusadoparadetectarlapolaridaddelvoltajedeentrada,del
pasoporcero,convertirunaondadeentradaencuadradaopulsante,comoparte
delconvertidoranalgicodigital(CADoDAC),modulacindeanchodepulsos,etc.
+
-
3
2
6
7
4
VCC
+
Vr
-
Vin
- VCC
+
Vs
-
EnestecasoVINeslasealdeentradayVreslasealdereferencia.
2) COMPARADORCONHISTERESISOSCHMITTTRIGGER:
En el comparador anterior, apenas hay una diferencia e n la entrada, aparece la
salidarespectiva.Enelcomparadorconhistresislasalidasepresentasiempreque
ladiferenciaestfueradeunrango.
ElectrnicaAnalgicosII
333
+
-
3
2
6
7
4
R1
R2
VCC
- VCC
+
Vs
-
Vin
Obsrvesequeelcircuitoemplearealimentacinpositiva.
Cuandolasalidaestennivelalto(VH),elvoltajeenlaentradanoinversora
es:
+
=
+
2 1
1
R R
R
V V
H
Ylasalidaconmutaralnivelbajo(VL)cuandodecumpla:
2 1
1
R R
R
V V
H IN
Cuandolasalidaestennivelbajo(VL),elvoltajeenlaentradanoinversora
es:
+
=
+
2 1
1
R R
R
V V
L
Ylasalidaconmutaralnivelalto(VH)cuandodecumpla:
2 1
1
R R
R
V V
L IN
Como los niveles de referencia son diferentes, habr un rango en el cual la salida
nocambia.
ElectrnicaAnalgicosII
334
Problema:Enelcomparadordeventanamostrado,halle:
a)R
1
paraqueV
L
cambiea+12VcuandoVibaja1V
b)YqueV
L
cambiea12VcuandoVisube4.5V.
Dato:R
2
=26K
R1
+
VL
-
R2
+
Vi
-
+ 12V
3V
+
-
11
10
13
3
1
2
- 12V
a) Paraqueconmute+12V,esnecesarioquelasalidaesten12V
Enestecaso,latensinV
+
es:
+
=
+
K R
R
V
26
12 3
1
1
Entonces:
+
= =
+
K R
R
V
26
12 3 1
1
1
DespejandoR
1
: = = K
K
R 2 . 5
5
26
1
R
1
=5.2K
b) Verificandocuandolasalidaesten+12V:
Enestecasosetiene:
+
+ = =
+
K R
R
V
26
9 3 5 . 4
1
1
DespejandoR
1
: = = K
K
R 2 . 5
5
26
1
Se comprueba que: R
1
= 5.2K es la nico valor que cumple con estos
requisitos.
3) RECTIFICADORDEMEDIAONDADEPRECISION:
Cuando se requiere rectificar seales pequeas, que no podra realizarse con un
rectificadorconvencional,podemosusaralopamp.
ElectrnicaAnalgicosII
335
Elesquemasiguientemuestrauncircuitodeestetipo:
Vin
+
-
3
2
6
R1
D1
R
D2
Enelgrficosiguienteseobservalaformadeondadesalidapara:
R1=1KyR2=2K:
5) AMPLIFICADORLOGARITMICO:
En la siguiente figura se muestra una versin de este circuito. Como su nombre lo
indica,suobjetivoesdarensusalidaellogaritmodelasealdeentrada.
IniciamoselanlisishallandolaexpresindelacorrientedecolectordeQ2:
ElectrnicaAnalgicosII
336
Vin
+
-
3
2
6
D1
R1
+
VL
-
Elvoltajedesalidaesdadopor:
=
O
IN
T
O
D
T L
I R
V
V
I
I
V V
1
ln ln
6) AMPLIFICADORLOGARITMICO(MEJORADO):
+15V Q1
2N2453
VREF = +15V
Q2
R2
1K
SALIDA
P1
10K
R17
R
-15V
+15V
-
+
A2
LF356 3
2
6
71
45
C2
0.1uF
P2
10K
P3
1K
C1
0.1uF
R12 10K
R1
15K
R16
R
I2
-
+
A1
LF356
3
2
6
71
45
C3
15nF
I1
IF
-15V
ElectrnicaAnalgicosII
337
La corriente I
2
es aproximadamente igual a la corriente de colector de Q2 si la
gananciadeltransistoreslosuficientementealta( 50),estenlazonaactiva y
sepuedeexpresarcomo:
( )
1
2 1
2
R
V V V
I
BE BE REF
=
Debidoaquelostransistoressonmuyparecidos,debecumplirse:
V
REF
>>V
BE2
V
BE1
Ypodemosdeciraproximadamente:
1
2
R
V
I
REF
=
LacorrientedecolectordeQ1esaproximadamenteigualalacorrientedesealde
entrada,I
F
LasealqueingresaaloperacionalA2es: V
BE2
V
BE1
ExpresndolasenfuncindeI
F
eI
2
:
V
BE2
V
BE1
=V
T
ln(I
2
/I
ES
)V
T
ln(I
1
/I
ES
)=V
T
ln(I
2
/I
1
)=V
T
ln(V
REF
/R
1
I
F
)
V
BE2
V
BE1
=V
T
ln(R
1
I
F
/V
REF
)
EloperacionalA2estenlaconfiguracindeamplificadornoinversorysusalidaes
dadapor:
Vsalida=[1+R
13
/(R
3
+P
3
)](V
BE2
V
BE1
)
=[V
T
ln(R
1
I
F
/V
REF
)][1+R
13
/(R
3
+P
3
)]
Como:V
REF
=15V y R
1
=15K
Vsalida=[1+R
13
/(R
3
+P
3
)]=[V
T
ln(I
F
)][1+R
13
/(R
3
+P
3
)]
Esdecir,sialasalidalaafectamosporelfactor0.4343,obtendremosellogaritmo
enbase10delasealdeentrada.Estosepuedehacerajustandoelpotencimetro
P
3
ytambinlaresistenciaR
12
ElectrnicaAnalgicosII
338
C
3
se emplea para reducir la respuesta en frecuencia del amplificador al rango de
intersenlasealdeentrada.
7) AMPLIFICADORANTILOGARITMICO:
En la siguiente figura se muestra una versin de este circuito. Como su nombre lo
indica,suobjetivoesdarensusalidaelantilogaritmodelasealdeentrada.
Vin
+
-
3
2
6
R1
D1
+
VL
-
Elvoltajedesalidaesdadopor:
= = =
T
IN
D
V
V
O
VT
V
O D L
I R I R R I V
1 1 1
8) OSCILADORDEONDACUADRADACONOPAMPLM741:
A continuacin se muestra un circuito oscilador de onda cuadrada de baja
frecuenciabasadoenuncomparadorconhistresis:
ElectrnicaAnalgicosII
339
C1
0.33uF
D1
3V9
+
U1
LM741
+
-
Vcc
9V
R5
1k
R4
27k
R3
5.6k
R2
12k
R1
470k
Podemosobservarqueelperododelaoscilacinesaproximadamentede480ms.
Lafrecuenciadeoscilacinesaproximadamente2Hz.
El circuito puede ser empleado como indicador o para verificar la ganancia del
operacional.
ElectrnicaAnalgicosII
340
En el siguiente esquema se muestra un circuito que puede indicar visualmente el
funcionamiento del operacional. Se ha agregado el transistor 2N2222 que trabaja
encorteysaturacin.
BAT.
9 VDC
R5
5K6
LD2
Rojo
R1
1K
Q1
2N2222
R2
470K
R10
1K
Z1
3.9V
R8
10K
LD1
Verde R11
1K
R4
27K R9
100K
R12
1K
-
+
U1
LM741
3
2
6
4
7
R7
1K
D2
1N4004
C1
0.33uF
R3
12K
D6
6.2V
D1
1N4004
SERIEDEPROBLEMAS
PROBLEMA1:Enelsiguientecomparadorconhistresis(schmitttrigger),hallelos
voltajesdeentradaalosqueconmutaelcircuito.
R1 200K
R1
10K
V1
2 V
-
+
OP-11
3
2
1
4
1
1
+12Vdc
-12Vdc
+
Vi
-
PROBLEMA2:EnelcircuitoconOPAMPsiguiente,demuestreque:
Vs=log
10
[((V
2
R
1
)/(V
1
R
2
)]
ElectrnicaAnalgicosII
341
R2
-
+
U2
V1
Q1
20K
20K
R1
-
+
U1
333K
+
Vs
-
333K
Q2
V2
-
+
U3
LM741
f = 60 Hz
T/4
T
+5V
3T/4
-5V
T/2
t
Vo
ElectrnicaAnalgicosII
342
FILTROSACTIVOS
Los filtros son circuitos que dejan pasar frecuencias dentro de un determinado
rango.Fueradeesterango,atenanlassealesosusarmnicas.
TIPOSDEFILTROS:
Podemos clasificarlos segn el rango de frecuencias que dejan pasar. Entre ellos
tenemos:
Filtro pasa bajo: Dejan pasar las frecuencias que estn por debajo de un
determinadovalor(f
L
wL)
H(jw)
wL
w
Filtro pasa alto: Dejan pasar las frecuencias que estn por encima de un
determinadovalor(f
H
wH)
H(jw)
wH
w
Filtropasabanda:Dejanpasarlasfrecuenciasqueestnentreunrangodevalores
(f
L
wL)yf
H
wH))
H(jw)
wL
w
wH
Filtro de rechazo de banda (Notch): Rechazan las frecuencias que estn entre un
rangodevalores(f
L
yf
H
)
ElectrnicaAnalgicosII
343
H(jw)
wH
w
wL
Filtro pasa todo (o desfasador): Dejan pasar todas las frecuencias, pero
producendesfasaje.Seleempleacomodesfasador.
H(jw)
w
w
H(jw)
FAMILIASDEFILTROS:
Lafuncindetransferenciadeunfiltropasabajotienelaformasiguiente:
( )
( )
( ) s D
s N
s H =
N(s)yD(s)sonpolinomiosens
ElectrnicaAnalgicosII
344
Hay muchas familias de filtros. Cada filtro de una familia posee una funcin de
transferencianica.Lalocalizacinycomplejidaddelospolosycerosdelafuncin
detransferenciadefinenporcompletolarespuestadelfiltro.
Lamayorpartedelosrequisitosquedebecumplirunfiltrosesatisfaceneligiendo
cualquieradelassiguientesfamilias:
PROBLEMA1:
a) Normalice el siguiente filtro
activo pasa bajo de primer
orden.
b) Halle sus componentes para
una frecuencia de corte de
200Hz.
R2
C
+
-
+
VL
-
+
Vg
-
R1
ElectrnicaAnalgicosII
345
Solucin:
a) Normaliceelsiguientefiltroactivopasabajodeprimerorden:
Hallamoslafuncindetransferencia: ( )
Cs R
R
R
s H
2
1
2
1+
=
Enelestadoestacionario:
( )
C R
w
R
R
A
w
w
j
A
C jwR
R
R
jw H
c
c
2
1
2
2
1
2
1
1
1
=
=
+
=
+
b) Componentesparaunafrecuenciadecortede200Hz:
Siquisiramosquelafrecuenciadecortefuera200Hz,tendremos:
( )
400
1
1
400 200 2
2
2
=
= = =
C R
C R
w
c
ConestaltimaecuacinelegimosunvalordeR(C)ycalculamoselotro
componente.
Si:R2=10K,entonces: C=79.58nF
ElegimosR1=R2
Larespuestaenfrecuenciasemuestraacontinuacin:
ElectrnicaAnalgicosII
346
Podemos ver que la frecuencia de corte (en el punto de media potencia)
esten200Hz.
Sielegimos:R2=2R1 R1=5K
Larespuestaenfrecuenciasemuestraacontinuacin:
0.000 Hz 100.0 Hz 200.0 Hz 300.0 Hz 400.0 Hz
2.250 V
1.750 V
1.250 V
0.750 V
A: r1_2
Podemosobservarqueapesardehaberelevadolaganancia,lafrecuencia
decortesemantiene.
1) Hallamoslarelacin(K)entrelafrecuenciadecortedelfiltrodeseadoyla
delfiltronormalizado:
( )
64 . 1256
/ 1
/ 200 2
= =
s rad
s rad
K
2) DividimosalcondensadordelfiltronormalizadoporelfactorK:
F
F
C 77 . 795
64 . 1256
1
= =
3) Comolaresistencianormalizadaesmuychica,lamultiplicamosporotro
factor(E)elegidoarbitrariamente,queelevesuvalorydividimosala
capacidadobtenidaporelmismofactorparallegaralosvaloresfinales:
Eligiendo: E=10000
( )
nF
F
C
K E R
58 . 79
10000
77 . 795
10 1
= =
= =
Quesonlosmismosvaloreshalladosanteriormente.
ElectrnicaAnalgicosII
347
POLOSDELOSFILTROSPASABAJONORMALIZADOS:
Lospolosestnindicadosenlaforma:p=j,queindicadospolosconjugados.
5
1.5069
5
0.4749
0.9659 0.2588 1.5735 0.3213 0.3916 0.2590
0.7071 0.7071 1.3836 0.9727 0.2867 0.7077 6
0.2588 0.9659
6
0.9318 1.6640
6
0.1049 0.9667
0.9010 0.4339 1.6130 0.5896 0.3178 0.4341
0.6235 0.7818 1.3797 1.1923 0.2200 0.7823
0.2225 0.9808 0.9104 1.8375 0.0785 0.9755
7
1.000
7
1.6853
7
0.3528
0.9808 0.1951 1.7627 0.2737 0.3058 0.1952
0.8315 0.5556 0.8955 2.0044 0.2592 0.5558
0.5556 0.8315 1.3780 1.3926 0.1732 0.8319
8
0.1951 0.9808
8
1.6419 0.8253
8
0.0608 0.9812
0.9397 0.3420 1.8081 0.5126 0.2622 0.3421
0.7660 0.6428 1.6532 1.0319 0.2137 0.6430
0.5000 0.8660 1.3683 1.5685 0.1395 0.8663
0.1737 0.9848 0.8788 2.1509 0.0484 0.9852
9
1.0000
9
1.8575
9
0.2790
0.9877 0.1564
0.8910 0.4550
0.7071 0.7071
0.4550 0.8910
10
0.1564 0.9877
PROBLEMA2:
a) Normaliceelsiguientefiltroactivopasabajodesegundoordencomofiltro
Butterworth.
b) Diseloparaunafrecuenciadecortede300Hz
ElectrnicaAnalgicosII
348
C1
R2
+
-
V
C2
+
VL
-
+
Vg
-
R1
Solucin:
Hallamoslafuncindetransferencia:
EnelnudoV: ( )( )
L
g
V V sC
R
V V
R
V V
+
+
1
2 1
Tambinsecumple: V
+
=VL
NudoV
+
: ( )
+
+
=
V sC
R
V V
2
2
Deestasecuacionesobtenemoslafuncindetransferencia:
( )
( )
2 1 2 1
2
2
2 1 2 1 2 2 1
1
1
1
C C R R
w
s C C R R s C R R
s H
c
=
+ + +
=
DelatabladelfiltronormalizadoButterworth,
( )
2
2 1
2 1
1
2
1
2
1
2
1
2
1
1
2
1
2
1
2
1
2
1
s s
j s j s
s h
j p j p
+ +
=
+ +
=
= + = L L L L
Comparandoconlafuncindetransferenciaoriginal,quedarnormalizado
sisecumple:
( ) 1 2
2 1 2 1 2 2 1
= = + C C R R C R R L L L
Comotenemos4incgnitasyslo2ecuaciones,podemoshacer:
b) Diseoparaunafrecuenciadecortede300Hz
1) Hallamoslarelacin(K)entrelafrecuenciadecortedelfiltrodeseadoy
ladelfiltronormalizado:
( )
96 . 1884
/ 1
/ 300 2
= =
s rad
s rad
K
2) DividimosalcondensadordelfiltronormalizadoporelfactorK:
= =
= = = =
1 1
13 . 375
96 . 1884
2
2
26 . 750
96 . 1884
2
2 1
2 1
R R
F C F C
L L L
L L L
3) Como las resistencias normalizadas son muy chicas y los
condensadores muy grandes, la multiplicamos por el factor E, que
elevesusvaloresydividimosalascapacidadesobtenidas,porelmismo
factorparallegaralosvaloresfinales:
Eligiendo: E=5600
( )
nF
F
C
nF
F
C
K E R R
67
5600
13 . 375
134
5600
26 . 750
6 . 5 1
2
1
2 1
= =
= =
= = =
Larespuestaenfrecuenciasemuestraacontinuacin:
0.000 Hz 100.0 Hz 200.0 Hz 300.0 Hz 400.0 Hz
1.000 V
0.800 V
0.600 V
0.400 V
A: u1_6
Podemosobservarquelafrecuenciadecortees300Hz.
Estecircuitoloconvertimosapasaalto:
Cambiando las resistencias por capacidades y ponindoles como valores en
faradios,lainversadelvalornormalizadodelaresistencia
Cambiandoloscondensadoresporresistenciasyponindolescomovaloresen
ohmios,lainversadelvalornormalizadodelacapacidad
+
-
Vg 1/0.707
+
VL
-
1F
1/1.4142
1F
+
-
Estefiltroespasaaltoconfrecuenciadecortea1rad/s
Convirtiendoelfiltronormalizadoenelfiltroquequeremos:
1) Hallamoslarelacin(K)entrelafrecuenciadecortedelfiltrodeseadoyladel
filtronormalizado:
( )
64 . 1256
/ 1
/ 200 2
= =
s rad
s rad
K
2) DividimosaloscondensadoresdelfiltronormalizadoporelfactorK:
F
F
C
F
F
C
77 . 795
64 . 1256
1
77 . 795
64 . 1256
1
2
1
= =
= =
ElectrnicaAnalgicosII
351
3) Comolaresistencianormalizadaesmuychica,lamultiplicamosporotrofactor
(E) elegido arbitrariamente, que eleve su valor y dividimos a las capacidades
obtenidasporelmismofactorparallegaralosvaloresfinales:
Eligiendo: E=10000
( )
nF
F
C C
K E R
K E R
58 . 79
10000
77 . 795
14 . 14
707 . 0
1
07 . 7
4142 . 1
1
2 1
2
1
= = =
=
=
=
Finalmenteelfiltropasaaltoes:
+
-
Vg 14.14K
+
VL
-
79.58nF
7.07K
79.58nF
+
-
Larespuestaenfrecuenciaes:
0.000 Hz 100.0 Hz 200.0 Hz 300.0 Hz 400.0 Hz
1.000 V
0.800 V
0.600 V
0.400 V
0.200 V
0.000 V
A: u1_6
Observamosquelafrecuenciadecorteesten200Hz.
ElectrnicaAnalgicosII
352
PROBLEMA 4: Halle la funcin de transferencia del siguiente desfasador (o filtro
pasatodo):
-
+
R2
+
Vi
- R3
R1
+
Vs
-
C1
Solucin:
Lafuncindetransferenciadelcircuitoeslasiguiente:
( )
1
3
3
1
2
1
2
1
1
sC
R
R
R
R
R
R
s H
+
+
+ =
Parasimplificar,podemosponerlasiguientecondicin:
R1=R2=R3
Entonces: ( )
s C R
s C R
sC
R
R
s H
1 3
1 3
1
3
3
1
1
1
2
1
+
+
=
+
+ =
Enelestadoestacionario: s=jw
Ylamagnitudes: ( ) 1 = jw H
Lafasees: ( ) ( )
1 3
arctan 2 180 C wR jw H
o
=
+ =
+ +
continuacinhallamosVenfuncindeViyVo
EnelnudoV
+
:
( ) 0 = +
+
+
V V sC
R
V V
i
Deaqu:
RCs
V
V
ARCs
RCs
V
i
O
+
=
1
EnelnudoV:
( ) 0 =
+ +
+
R
V V
VCs Cs V V
o
Deaqu: ( )
o
V RCsV RCs V + = +
+
2 1
ReemplazandoVydespejandolafuncindetransferencia:
( )
( )
( ) 1 3
2 1
2 2 2
+ +
+
=
RCs A s C R
RCs A
s H
frecuencianatural:
o
=1/RC
factordeatenuacin : =(3A)/2RC
Factordecalidad: Q=
o
/2=1/(3A)
Relacindeamortiguacin: =/
o
=(3A)/2
PROBLEMA6:DiseeelsiguientecircuitocomofiltroButterworthparaobtener
unafrecuenciadecortede100Hz.
Dato:Lospolosnormalizadosson:p1,2=+/j=0.707+/j0.707
ElectrnicaAnalgicosII
354
V
+
-
C2
R
+
-
R +
VL
-
C1
Vs
Hallamoslafuncindetransferenciadelfiltroapartirdelasecuaciones:
( )
s C V
R
V Vs
sC V V
R
V V
R
V Vs
V V
L
L
2
1
+
+
+
+
=
Luego: ( )
+ +
=
2 1
2
1
2
2 1
2
1 2
1
C C R RC
s
s C C R
s H
Sip
1
yp2sonlospolos,podemosexpresar:
( )
( )( ) ( ) [ ]
2 1 2 1
2
2 1
2
2 1
1
2 1 2
1
p p s p p s C C R p s p s C C r
s H
+ + +
=
+ +
=
Comparando:
2 1
2
1
2 1
1
2 1
2
C C R
p p
RC
p p = = + L L L
Elfiltronormalizadosecalculaconunafrecuenciaangulardecortede1rad/sy
gananciaigual1.
Larelacindefrecuenciasdecortees:K=2(100)/1=628
Entonces:
(P
1
+P
2
)/K=2=2/KRC
1
(P
1
P
2
)/K
2
=
2
+
2
=1/K
2
R
2
C
1
C
2
Comop1,2=+/j=0.707+/j0.707
ElectrnicaAnalgicosII
355
Luego:
2(0.707)=2/KRC
1
=1.414 RC
1
=2252us
(0.707)
2
+(0.707)
2
=1=1/K
2
R
2
C
1
C
2
R
2
C
1
C
2
=2.54us
Acontinuacinobtenemos. RC
2
=1126us
Finalmente: C
1
/C
2
=2
Elegimos: C
2
=0.1uF
Seobtiene: C
1
=0.2uF y R=11.26K
Acontinuacinsemuestraelcircuitofinal:
U1
IDEAL
1kHz
V1
-1/1V
C2
0.1uF
C1
0.2uF
R2
11.26k
R1
11.26k
Enelsiguientegrficoseobservalarespuestaenfrecuencia:
0.000 Hz 100.0 Hz 200.0 Hz 300.0 Hz 400.0 Hz
1.000 V
0.800 V
0.600 V
0.400 V
0.200 V
0.000 V
A: c1_2
Podemosobservarquelafrecuenciadecorteesten100Hz.
ElectrnicaAnalgicosII
356
PROBLEMA7:Hallelafuncindetransferenciadelsiguientefiltropasa
banda.
V
C
V+
R
-
+ 3
2
6
R2
Vi
+
Vo
-
C
R1
R
LatensindesalidalapodemoshallarenfuncindeV
+
empleandolaecuacinde
gananciadelamplificadornoinversor:
1
2
1
2
1
1
R
R
A
AV V
R
R
V
O
+ =
=
+ =
+ +
AcontinuacinhallamosVenfuncindeViyVo
EnelnudoV
+
:
( ) 0 = +
+
+
i
i
V V sC
R
V V
Deaqu: 0
1 1
=
=
RCs
V
Vo
RCs
RCs
A
V
i
EnelnudoV:
( ) ( ) 0 =
+ +
+
R
V V
V V Cs V V Cs
o
i i
Deaqu: ( ) RCs V
A
RCs
V RCs V
i o
+
+ = + 1 1 2
ReemplazandoVydespejandolafuncindetransferencia:
( )
( )
( ) 1 3
1 2
2 2 2
2 2 2
+ +
+ +
=
RCs A s C R
RCs s C R A
s H
ElectrnicaAnalgicosII
357
El denominador de la funcin de transferencia se relaciona con la ecuacin
diferencial en el dominio del tiempo y podemos identificar los siguientes
parmetros:
frecuencianatural:
o
=1/RC
factordeatenuacin : =(3A)/2RC
Factordecalidad: Q=
o
/2=1/(3A)
Relacindeamortiguacin: =/
o
=(3A)/2
Lafrecuencianaturaldefinelafrecuenciacentraldesintonadelfiltro.
Podemoshacermsselectivoalfiltroaumentandosufactordecalidad.Seconsigue
ellocuandoajustamoslagananciadelamplificadoraunvalorcercanoa3.
Elanchodebanda(enradianes/segundo)a3dbsepuedehallarconlarelacin:
BW=2=(3A)/RC
ElectrnicaAnalgicosII
358
AMPLIFICADORESOPERACIONALESESPECIALES
1) AMPLIFICADORDETRANSCONDUCTANCIA
Aplicacion del Amplificador Operacional de Transconductancia (OTA) a
AmplificadoresControladosporVoltajeyFiltrosActivos
por
w.grise@moreheadst.edu
DeparmentofIET
MoreheadStateUniversity
Morehead,KY40351
Traduccin:Ing.MoissLeureyros
Abstract
The application of the operational transconductance amplifier (OTA) in the design
of simple amplifiers with voltagecontrollable gain and to the design of firsorder
and secondorder active filters with controllable gains and controllable critical
frequenciesisdemonstrated.Atypicalbiasingschemeisalsoshownsothatreaders
canmoreeasilysetupthecircuitsthemselves.
Introduccin
Este artculo demuestra la utilidad del amplificador operacional de
transconductancia (OTA) como reemplazo del opamp convencional en filtros
activos de primer y segundo orden. Esta es una breve descripcin de lo que debe
conocer un estudiante de tecnologa acerca de los aspectos bsicos de operacin
delOTA,ascomodelusoprcticodelosactualesOTAscomerciales.
Laestructuradeesteartculoeslasiguiente:Primero,seexplicaelfuncionamiento
bsico del OTA, incluyendo la operacin con DC y AC. En esta seccin se
presentarn circuitos simples, como ejemplo, para demostrar las similitudes y
diferenciasentrecircuitosqueusanelOTAyelopampconvencional.Segundo,se
presentan y analizan circuitos de filtros activos con OTA. Se demostrar la riqueza
de posibilidades inherentes a los filtros de segundo orden. Finalmente, la ltima
seccin presentar las consideraciones prcticas que debern tomarse en cuenta
cuandoseuselapresentegeneracindeOTAs.
II. OperacinbsicadelOTA
1. OperacinDC
El OTA es un dispositivo de transconductancia, esto significa que el voltaje de
entrada controla la corriente de salida mediante la transconductancia del
dispositivo, indicada como g
m
. Esto hace del OTA una fuente de corriente
ElectrnicaAnalgicosII
359
controlada por tensin (VCCS), en contraste con el opamp convencional, que es
una fuente de voltaje controlada por voltaje (VCVS). Lo importante y til de la
transconductanciadelOTAesqueesteparmetroescontroladoporunacorriente
externa,lacorrientedebias,I
ABC
,delamplificador,detalformaqueobtenemos:
gm=I
ABC
/(2V
T
)=(20/V)I
ABC
(Ec.1)
,esdadapor:
Io=gm(V
+
V
) (Ec.2)
Fig.1
Enestepunto,debentenerseencuentadosdiferenciasprincipalesentreelOTAy
el opamp convencional. Primero, siendo el OTA una fuente de corriente, su
impedancia de salida es alta, en contraste con la del opamp que es muy baja.
Debido a que una baja impedancia de salida es, a menudo, una caracterstica
deseable en los amplificadores con cargas resistivas, ciertos nuevos OTAs
comerciales, tales como el LM13600 de National Semiconductors, tienen dentro
del chip buffers con impedancia controlada. Segundo, es posible disear circuitos
con OTA que no empleen realimentacin negativa. En otras palabras, en lugar de
ElectrnicaAnalgicosII
360
usarrealimentacinparareducirlasensitividaddeuncircuitoalosparmetrosdel
dispositivo, la transconductancia es tratrada como un parmetro de diseo, as
comolosresistoresycapacitoressontratadosenloscircuitosbasadosenopamp.
2. AnlisisenACyRespuestaenFrecuencia
Muchasdelasdependenciasdelanchodebandayrespuestaenfrecuenciaenlazo
abiertoyenlazocerradodelOTAsonsimilaresalasdelopampconvencional.Para
uncircuitoconrealimentacinnegativa,existeunarelacinmuyimportanteentre
el ancho de banda en lazo cerrado, la corriente de bias del amplificador y la
gananciaenlazocerrado:
BW
CL
=[(20/V)I
ABC
]/[2C
NET
A
CL
(0)](Ec.3)
DondeC
NET
eslasumalacapacidaddelasjunturasdeldispositivoyladesalidadel
OTA y en caso se conecte una capacidad de carga al circuito C
NET
= C
O
+ C
L
. La
ecuacin (3) tiene la interesante consecuencia que ciertos tipos de redes activas,
talescomolosfiltrosactivos,puedentenersusfrecuenciascrticascontroladaspor
lacorrienteexterna,I
ABC
,laque,porsupuesto,puede,asuvez,sercontroladapor
unvoltajeexterno.
III. CircuitosconOTA
1. AmplificadoresdeVoltajeBsicos
Esta seccin discute un subconjunto de amplificadores de voltaje comunes, abos
con o sin realimentacin negativa. Para mayor informacin acerca de la gran
variedad de configuraciones de amplificadores disponibles usando OTA, la
referencia [Geiger85] es muy til. La Figura 2 muestra un amplificador inversor
realizado con un OTA el cual permite no slo ganancia controlable, sino tambin
usa realimentacin negativa para reducir la resistencia de salida. Con ello, la
resistencia de salida ahora se puede controlar mediante la transconductancia. La
gananciadetensinylaimpedanciadesalidasondadaspor:
Vo/Vi=(1gmR
2
)/(1+gmR
1
)(Ec.4)
Zo=(R
1
+R
2
)/(1+gmR
1
)(Ec.5)
ElectrnicaAnalgicosII
361
gm
+
- Vi
R1
Vo
R2
Iabc
Fig.2
Vo/Vi=(R2/R1)(Ec.6)
Zo=(R1+R2)/(gmR1)(Ec.7)
Porsupuesto,laecuacin(6)noesnadamsqueladelamplificadorinversor.Esto
debeesperarsedadoqueunadelaspropiedadesdelarealimentacinnegativaes
lacasicompletadelagananciadelarelacinderealimentacin,slamente.
ElejemplofinaldeunbloquebsicodeamplificadorusandoOTAsemuestraenla
Figura3.EsteesunejemplodeunamplificadorsloconOTA,enelcuallaganancia
devoltajeylaimpedanciadesalidaestndadaspor:
Vo/Vi=(gm1)/(gm
2
)(Ec.8)
Zo=1/(gm
2
)(Ec.9)
+
-
+
-
gm1
gm2
Vi
Vo
Fig.3
Lagananciaylaimpedanciadesalidasoncompletamentefijadasporlascorrientes
externas,sincomponentespasivosexternosexceptolosnecesariosparagenerarla
corrientedeunafuentedetensinestndar.
ElectrnicaAnalgicosII
362
2. FiltrosActivosconOTA
Losfiltrosactivossonaplicacionesestndardelopamp,elcualpuedebeneficiarse
mucho de la controlabilidad del OTA [Geiger85]. La teora bsica y esquemas de
circuitos bsicos de filtros activos con opamps son presentados en muchos libros
detextoenusosobreTecnologaElectrnicaoenprogramasdeIngeniera[Floyd
96 and Sedra91]. Lo que hace al OTA tan atractivo en estos circuitos es su
habilidad para formar filtros con control por voltaje variable (por medio de la
entradaI
ABC
)sobreunconjuntodeparmetrosdefuncionamientoclavedelfiltro.
Un ejemplo muy simple de filtro pasa bajo de primer orden (un polo
correspondiente a una pendiente de caida de 20 dB/decade vs. frecuencia) se
muestraenlaFigura4.Lagananciadevoltajeentodoelrangodefrecuencia,yla
frecuenciadecortea3dBesdadapor:
Vo/Vi=(gm)/(sC+gm)(Ec.10)
f
3db
=gm)/(2C)(Ec.11)
+
-
C
gm
gm2
Vi
Vo
+
-
Fig.4
ElectrnicaAnalgicosII
363
En este circuito el segundo OTA, indicado como "gm2", est configurado como
resistor variable con la tensin. El es el resistor variable que permite cambiar la
frecuenciadecorteenlaecuacin(11).
LaFigura5muestraunfiltrodesegundoordencontresterminalesdecontrolpor
voltaje. Dependiendo de cules dos de los tres terminales son puestos a tierra,
podemosrealizarunfiltropasabajo,pasaalto,pasabandaofiltronotch.Cadauno
de estos filtros tiene una frecuencia de corte o frecuencia central que puede ser
fiada variandola transconductancia,g
m
, delosdosOTA enelcircuito. Estosfiltros
se denominan de frecuencia ajustable y Q constante debido a que mantienen el
valor del Q mientras se varan las frecuencias de corte. La obtencin de las
ecuaciones generales entre el voltaje de salida y los tres terminales de voltaje de
controlseobtienenfcilmente:
Vc
C2
+
-
C1
gm1
+
-
gm2
Va Vb
Vo
Fig.5
Io
1
=gm
1
(V
1
+
V
1
)=gm
1
(VaVo
1
)
Vc
1
=Io
1
X
C1
+Vb=V
2
+
=(Io
1
/sC
1
)+Vb
Io
2
=gm
2
(V
2
+
V
2
)=gm
2
[((Io
1
/sC
1
)+Vb)Vo
1
]
Vo
1
=(Io
2
/sC
2
)+Vc
Luego,sustituyendolasecuacioneshalladasdeIo
1
eIo
2
,obtenemos:
Vo
1
=[gm
1
gm
2
(VaVo
1
)]/(s
2
C
1
C
2
)+(gm
2
/sC
2
)(VbVo1)Vc
gm
1
gm
2
Va+sC
1
gm
2
Vb+s
2
C
1
C
2
Vc
Vo
1
=(Ec.12)
s
2
C
1
C
2
+sC
1
gm
2
+gm
1
gm
2
sonlascorrientesdesalidadelprimerysegundoOTArespectivamente.
ElectrnicaAnalgicosII
364
Un ejemplo de reduccin de la Ecuacin (12) a un tipo de filtro especfico se
obtieneaplicandolassiguientescondiciones:
HacerV
in
=V
A
;V
B
yV
C
atierra.
Hacerg
m1
=g
m2
=g
m
.
DividirtodoporC
1
C
2
tantoennumeradorcomodenominadorparaobtener
unaecuacinestndarbicuadrtica.
Elresultadoeslasiguientefuncindetransferencia:
Vo
1
/Va=(gm
2
/C
1
C
2
)/[s
2
+s(gm/C
2
)+gm
2
/C
1
C
2
(Ec.13)
Estaexpresintienelaformadelcircuitoestndarbicuadrtico[Sedra91]:
Vo
1(s)
/Va
(s)
=(w
o
2
)/[s
2
+s(w
o
/Q)+w
o
2
](Ec.14)
Entonces,elcircuitoconestosvaloresparticularesdelosvoltajesdecontrolesun
filtropasabajoconfrecuenciadecortedadapor:
fo=gm/[2(C
1
C
2
)
1/2
]
(Ec.15))
yunaconstante:Q=(C
2
/C
1
)
1/2
Enresumen,semuestranlassiguientesfuncionesdetransferenciaqueseobtienen
planteandolassiguientescondicionesalosvoltajesdecontrol:
V
in
=Vb;VayVcatierraFiltropasabanda.
V
in
=Vc;VayVbatierraFiltropasaalto.
V
in
=Va=Vc;Vb
atierraFiltronotch.
3. AlgunasCaractersticasNoLinealesdelOTA
Unodelosmayoresinconvenientesdelasprimerasversiones[Harris96,National
95] del OTA fue el limitado rango de excursin del voltaje diferencial de entrada.
Esta afirmacin puede explicarse en, por lo menos, dos formas. Primero, se tiene
una limitada excursin de tensin de entrada en el OTA slo si se emplea en lazo
abierto. En ese caso, si el voltaje diferencial excede alrededor de 25 mV, y la
resistenciadecargaesrelativamentebaja(oseaquelagananciadelazoabiertoes
relativamentebaja),entonces,elcircuitoyanooperarenlazonalineal.Estohace
que la seal de salida sea distorsionada debido a su funcin de transferencia de
tensin no lineal [Sedra91]. Por supuesto, para circuitos que emplean
realimentacin negativa, por ejemplo, que son operados en lazo cerrado, se
mantendrelcomportamientolineal.
ElectrnicaAnalgicosII
365
La segunda forma es que en las versiones ms recientes del OTA, tales como el
CA3280A de Harris, el LM13600 de National Semiconductors, y el NE5517 de
Philips, todos ellos usan diodos de linealizacin internos en el par diferencial de
entradadelOTA.EstohacequelacorrientedesalidadelOTAunafuncinlinealde
la corriente de bias del amplificador en un amplio rango de tensin diferencial de
entrada. La Figura 6 muestra un esquema de polarizacin tpico para un OTA
comercialgenrico.Elvoltajedecontrol,V
CTL
,seempleaparagenerarlacorriente
de polarizacin , I
ABC
, por medio del resistor R
ABC
. Los diodos de linealizacin que
estn incluidos en el chip en los OTAs comerciales indicados arriba, pueden ser
polarizados mediante la fuente de alimentacin positiva, +V
CC
. El anlisis del
circuito de linealizacin y su efecto en la corriente de salida puede hallarse en
[Soclof91] yen varias notas de aplicacin delos principalesfabricantes [National
95,Philips94].
- VCC
Vctl
+
-
Vo
Vin+
Vin-
Rabc
gm
5K
+ VCC
Fig.6
IV. Conclusin
Como conclusin, este artculo ha mostrado cmo el Amplificador Operacional de
Transconductancia (OTA) agrega controlabilidad a un conjunto de circuitos
comnmente construidos con el opamp convencional. En particular, se ha dado
una introduccin a la clase importante de filtros activos controlados por voltaje,
construidos con OTAs. Se ha incluido suficiente material, como seminario, para el
ElectrnicaAnalgicosII
366
estudiante de tecnologa y para que el instructor pueda usar el artculo para
investigacionesposteriores.
Apndice
TablaparaclculodecircuitosbasadosenOTA
Este apndice se encarga de demostrar, para los estudiantes en particular, cmo
usamos el circuito equivalente ideal del OTA para predecir el comportamiento de
circuitos basados en un solo OTA, en el laboratorio. Algunas aproximaciones
sugieren las hechas en el opamp estndar. En particular, el OTA ideal, tal como el
opamp ideal, tiene una resistencia de entrada casi infinita. Esto significa que no
ingresacorrienteenlospinesdeentradadelOTA,tantoinversorcomonoinversor.
Sin embargo, el OTA se usa a menudo en lazo abierto, y entonces es prudente
aprendercmotratarlosdospinesdeentradaindependientemente,dadoqueno
puedeasegurarseuncortocircuitovirtualenmuchasconfiguraciones.
Io=gm(V
+
V
)=gmV
AplicandoKVLalrededordelOTAda:
(ViV
)/R
1
=I
1
=I
2
=(V
Vo)/R
2
Pero: Io=I
1
=I
2
Reemplazandoprimero:Io=I
2
,obtenemos:
(V
Vo)/R
2
=(gmV
)=gmV
Intercambiandotrminos:
V
(1gmR
2
)=Vo;estoda:
V
=Vo/(1gmR
2
)
Luego,eliminandoV
,haciendoI
2
=I
1
ysustituyendoV
:
Vi/R
1
(1/R
1
)[Vo/(1gmR
2
)]=(1/R
2
)[Vo/(1gmR
2
)]Vo/R
2
PasandotodoslostrminosconVoalladoderecho:
Vi=Vo[1/(1gmR
2
)]+(R
1
/R
2
)[gmR
2
=Vo[1+gmR
1
)/(1gmR
2
)]
ElectrnicaAnalgicosII
367
Deestaltimaexpresinobtenemoslagananciadevoltaje:
Vo/Vi=(1gmR
2
)/(1+gmR
1
)
Estocompletalaobtencindelagananciadevoltajeparaesteamplificador.Eluso
repetido de las mismas asunciones nos darn las expresiones correspondientes
paralosdemscircuitosdiscutidosenlaparteprincipaldeltexto.
Referencias
- Floyd, T., Electronic Devices: ConventionalFlow Version, 4th Edition,
Chapter16.PrenticeHall,EnglewoodCliffs,N.J.,1996.
- Geiger, R. L. and SanchezSinencio, Edgar, "ActiveFilter Design using
Operational Transconductance Amplifiers: A Tutorial, " IEEE Circuits and
DevicesMagazine,Vol.1,Number2,pp.2032,March,1985.
- Harris Semiconductor, Application Notes 1174 (1996) and 6668 (1996),
AN1174,AN6668.
- Philips Semiconductor, Product Specification for NE 5517/5517A, "Dual
operationaltransconductanceamplifier",8/31/94.
- National Semiconductor, Application Note, "LM13600 Dual Operational
Transconductance Amplifiers with Linearizing Diodes and Buffers",
February,1995.
- Lenk, John D., Handbook of Practical Electronic Circuits, Chapter 10.
PrenticeHall,Inc.,EnglewoodCliffs,N.J.,1982.
- SanchezSinencio, E., RamirezAngulo, J., LinaresBarranco, B., and
RodriguezVazquez, A., "Operational Transconductance AmplifierBased
Nonlinear Function Syntheses," IEEE JSSC, Vol. 24, No. 6, pp. 15761586,
Dec.1989.
- Sedra, A.S., and Smith, K.C., Microelectronic Circuits, 3rd Ed., Chapter 6.
SaundersCollegePublishing,N.Y.,1991.
- Soclof, Sidney, Design and Applications of Analog Integrated Circuits,
Chapter9.3.PrenticeHall,Inc.,EnglewoodCliffs,N.J.,1991.
ElectrnicaAnalgicosII
368
2) AMPLIFICADORNORTON
A diferencia del operacional convencional, este amplificador recibe corriente y su
salidaesproporcionalaladiferenciadecorrientesdeentrada.
Suconstruccinsebasaenunespejodecorrienteenlaentradayunamplificador
cascode,elcuallepermitetrabajarbienafrecuenciaselevadas.
UnejemplodeestetipodeamplificadoreselLM359deNationalSemiconductor.
Elesquemabsicoeselsiguiente:
Q4
VCC
I
Cc : Condensador de compensacin externo
-
Ip
Q3 Is
Q2
Cc
+
Q6
Entradas
Salida
Q1
Q5
Vpol.
Ip e Is son programables externamente.
Aplicacincomointegradornoinversor:
-
+
Salida Vin
R
C
Cc
ElectrnicaAnalgicosII
369
3) AMPLIFICADORDEAISLAMIENTO
Este tipo de amplificador protege la salida de la entrada y viceversa. Hace que la
salida y la entrada estn aisladas galvnicamente (ausencia de camino directo de
corrienteDC).
En los amplificadores se requiere un CMRR alto, sin embargo hay un lmite del
voltajeenmodocomnquepuedesoportarelcircuito.Comnmente,estevoltaje
mximo no sobrepasa la tensin de la fuente. Si el voltaje en modo comn
sobrepasaelmximo,elcircuitoesdestruido.
Cuandoseusaelamplificadorenunsistemademedicinylareferenciadelaseal
estalejadadelareferenciadelsistemademedicin,seproduceunadiferenciade
potencial entre ambas referencias (lo que se conoce como lazo de tierra) y habr
unflujodecorrientequeproducirunerrordemedicin.
Enaplicacionesdemedicina,senecesitaaislaralpacientedeunaposibledescarga
elctricaporfalladelaparatodemedicin.
Enestoscasossehacenecesarioelusodelamplificadordeaislamiento.
UnejemplodeestoscircuitoseselISO213deBurrBrown.
Acontinuacinsemuestrasusmboloyprincipiodefuncionamiento:
Smbolo
-
+
-
Amp. de ganancia variable
Salida +
Aislamiento
Modulador
de AM
Demodulador
de AM
Salida
Entradas
Oscilador
Tiposdeaislamiento:
Inductivo:Enestecasoelaislamientosehacemediantepequeostransformadores
toroidales.
Ejemplo de este tipo es el ISO213 de Burr Brown que tiene una tensin de
aislamientode3000Veficacesyanchodebandaentre200Hzy1KHz.
OtromodeloeselAD208AYdeAnalogDevices.
Ejemplo de este tipo es el ISO175 de Burr Brown. El ancho de banda llega hasta
85KHz.
Aplicaciones:
Biometra
Controldemotores
Controldetiristores
Eliminacindelazosdetierra
Medidadecorrienteenmotores
Aislamientodesensores(termopares,RTD,puentesdeWheastone,etc.)
Sistemasdeadquisicindedatos.
4) AMPLIFICADORCHOPPER:
Sonamplificadoresdiseadosparaminimizareloffsetyeldrift(derivatrmica)
UnejemplodeestetipodeamplificadoreselAD8551deAnalogDevices.
Acontinuacinsemuestraelmodeloclsico:
ElectrnicaAnalgicosII
371
C2
+
Vi
-
CONTROL DE
INTERRUPTORES
C2
R1
C1
R3
S
Z R2
RL
S
Z +
VL
-
C4
CuandolosinterruptoresestnenlaposicinZ(autocero),loscondensadoresC2y
C3secarganconlosvoltajesoffsetdeentradaydesalidarespectivamente.
CuandolosinterruptoresestnenlaposicinS(muestreo),sehacelaconexinde
ViaVLmediantelarutaR1,R2,C2,amplificador,C2yR3
R1yC1sirvecomounfiltroantialiasing(contraelruidodeconmutacin).
ElcondensadorC4ylacargaRLdebenelegirsedemaneraquelasalidacaigamuy
pocoduranteelautocero.
5) CIRCUITOSDEMUESTREOYRETENCIN:
Son circuitos muy usados para iniciar la digitalizacin de la seal y explotar la
mximavelocidaddeconversindelADC.
Suprincipiodefuncionamientosebasaeninterruptorseguidodeuncondensador
encargado de retener la muestra de la seal y asociados a amplificadores
operacionales.
LosinterruptoresycondensadoressonconstruidosmedianteFET.
ElectrnicaAnalgicosII
372
Salida
Ch
SW
Vin
+
-
+
-
Conrealimentacin:
Salida
Ch
SW
Vin
+
-
+
-
Parmetros:
Tiempodeadquisicin:Eseltiemponecesarioparapasarderetencinamuestreo
dentrodeunmargendeerror.
Tiempodeapertura:Eseltiemponecesarioparaqueelinterruptorabra.
Inyeccindecarga:Carganodeseadaqueapareceenelcondensadorderetencin
producidaporefectoscapacitivosenelinterruptor.
ElectrnicaAnalgicosII
373
CAPTULO4
RESPUESTAENFRECUENCIA
4.1. INTRODUCCION
Hasta ahora hemos considerado que los parmetros de los transistores son
constantes. Sin embargo, en la prctica, esto no es cierto. Dichos parmetros
dependendelospuntosdeoperacin,delatemperatura,delafrecuencia,etc.
La teora de control, junto con los modelos del transistor nos dan todas las
herramientasnecesariasparaestudiarelcomportamientodeloscircuitosalvariar
lafrecuencia.
MATLABesunprogramadeclculo,muypopular,basadoenmatrices,queadems
permiteefectuarprogramacionesycuentaconpaquetesespecializados.
Losprogramasdesimulacinsonmuytilesparaanalizarelcomportamientodeun
circuitoypermitentenerunlaboratoriovirtualconelcualpodemoshacerrpidos
ajusteshastalograrlarespuestadeseada,paraluegopasaralapruebadelcircuito
enellaboratorio.Tambinnossirvencomoherramientadeestudiopuespodemos
verificar nuestros clculos tericos y explorar lo que podra suceder sI se varan
determinadosparmetros.
ElectrnicaAnalgicosII
374
Unodelos mtodos msutilizados para estudiarlarespuestaenfrecuencia de un
amplificadorsonlosDiagramasdeBode(diagramaslogartmicosdelagananciayla
faseenfuncindelafrecuencia).Lafrecuenciaserepresentaenescalalogartmica
ylafaseygananciaenescaladecimal(engradosydecibeles,respectivamente).
Unapendientede20db/dcadaesprcticamenteequivalenteaunapendientede
6db/octava.
5.1. RESPUESTAENFRECUENCIADELOSAMPLIFICADORES
Enlneasgenerales,elestudiodelosamplificadoreseneldominiodelafrecuencia
(alexcitaralamplificadorconsealessinusoidales)sedivideentrespartes:
Unaexcepcineselamplificadoroperacional,quepuederesponderconsumxima
gananciadesdeDC.
RESPUESTAENFRECUENCIASMEDIAS:Enestareginelamplificadoractaconsu
mxima ganancia y sus parmetros pueden considerarse como nmeros reales.
Aqu se utilizan los modelos de baja frecuencia del transistor. Las reactancias
externas pequeas pueden ser consideradas como cortocircuitos y las reactancias
grandescomocircuitosabiertos.
5.2. PUNTOSDEMEDIAPOTENCIAYANCHODEBANDA
ComnmentelasfrecuenciasfL(wL)yfH(wH),anteriormentemencionadas,se
determinan en los puntos en que la seal de salida posee la mitad de la potencia
que tiene en frecuencias medias. Cuando la ganancia se expresa en decibeles, los
puntos de media potencia se determinan restando 3 db a la ganancia en
frecuenciasmedias.
BW=wHwL(usandolafrecuenciaangular) (5.2)
Haycasosenloscualeselanchodebandasedefinecondiferentecriterio,comoes
elcasodelosamplificadoresdevdeo,dondesedeterminarestandoslo1dbala
ganancia en la regin de frecuencias medias debido a que la vista puede detectar
variacionesmspequeasenlosnivelesdeiluminacin
5.3. METODOSDERESPUESTAENFRECUENCIA
Haytresmtodosderepresentacindefuncionesdetransferenciasinusoidales,los
cualesson:
DiagramasdeBode(diagramaslogartmicos)
DiagramapolarodeNyquist
Diagramadellogaritmodelaamplitudenfuncindelafase.
5.3.1.DIAGRAMASDEBODE:
Son diagramas logartmicos que representan la funcin de transferencia en el
estado estacionario con excitacin sinusoidal. Debido a que la funcin de
transferenciaeneldominiodelafrecuenciayenestadoestacionarioconpequea
seal, es un nmero complejo, tendr magnitud y fase, por lo general, ambas
dependientesdelafrecuencia.
La magnitud se expresa en decibeles (db, que es la dcima parte del Bel, una
unidaddepotenciasonora),lafaseengradossexagesimales;ambassegraficanen
escala decimal y la frecuencia se representa en un eje logartmico. El uso de los
ElectrnicaAnalgicosII
376
decibeles para la ganancia facilita la obtencin de los diagramas de sistemas ms
complejos debido a que los productos se convierten en sumas y las divisiones en
restas. Esto a su vez permite tener la representacin de magnitud y fase de
factores elementales para, en base a ellos, obtener las grficas de sistemas ms
complejos.
Por ese motivo estudiaremos primero los cuatro factores bsicos que pueden
intervenirenlafuncindetransferencia:
Sitienesignopositivo,lafaseser0y,siesnegativo,lafaseser180.
Tantolamagnitudcomolafasesonconstantesconlafrecuencia.
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
0
5
1 0
1 5
2 0
2 5
3 0
f ( H z )
A
o
(
d
b
)
F a c t o r G a n a n c i a
Fig.5.1
5.3.12. Factoresintegralesyderivativos:Sondelaforma:
( )
( ) jw jw G
jw
jw G
=
=
1
5.3.121. Paraelfactorintegral:
Lamagnitudendbes: ( ) ( ) w jw G log 20 =
(5.4)
Lafaseesconstante: ( )
0
90 = jw
ElectrnicaAnalgicosII
377
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
- 4 0
- 3 0
- 2 0
- 1 0
0
1 0
2 0
F a c t o r I n t e g r a l
w ( f r e c u e n c i a a n g u l a r )
|
G
(
j
w
)
|
d
b
p e n d i e n t e = - 2 0 d b / d e c
Fig.5.2
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
- 9 1
- 9 0 . 8
- 9 0 . 6
- 9 0 . 4
- 9 0 . 2
- 9 0
- 8 9 . 8
- 8 9 . 6
- 8 9 . 4
- 8 9 . 2
- 8 9
F a s e d e l F a c t o r I n t e g r a l
w ( f r e c u e n c i a a n g u l a r )
F a s e c o n s t a n t e = - 9 0 g r a d o s
Fig.5.3
5.3.122. Paraelfactorderivativo:
Lamagnitudendbes: ( ) ( ) w jw G
db
log 20 =
(5.5)
Lafaseesconstante: ( )
0
90 = jw
ElectrnicaAnalgicosII
378
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
- 2 0
- 1 0
0
1 0
2 0
3 0
4 0
F a c t o r D e r i v a t i v o
w ( f r e c u e n c i a a n g u l a r )
|
G
(
j
w
)
|
d
b
p e n d i e n t e = + 2 0 d b / d e c
Fig.5.4
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
8 9
8 9 . 2
8 9 . 4
8 9 . 6
8 9 . 8
9 0
9 0 . 2
9 0 . 4
9 0 . 6
9 0 . 8
9 1
F a s e d e l F a c t o r D e r i va t i vo
w ( f r e c u e n c i a a n g u l a r )
F
a
s
e F a s e c o n s t a n t e = 9 0 g r a d o s
Fig.5.5
5.3.13)Factoresdeprimerorden:Sondelaforma:
( ) ( )
( )
jwT
jw G
jwT jw G
+
=
+ =
1
1
1
(5.6)
5.3.131)Cerodeprimerorden: ( ) ( ) jwT jw G + = 1
Lamagnitudendbes: ( ) ( ) ( )
2
1 log 10 wT jw G
db
+ =
Lafasees: ( ) ( ) wT jw arctan =
Estas grficas se representan muchas veces por sus asntotas, las que la describen
en forma bastante aproximada, pudindose llegar con bastante precisin a la
ElectrnicaAnalgicosII
379
grficarealhaciendoalgunascorrecciones.EstasasntotasseobtienenparawT<<
1yparawT>>1:
Para:wT<<1,lamagnitudseaproximaa0db;porlotanto,laprimeraasntotaest
representadaporunarectahorizontalen0db.
AmbasasntotasseencuentranenelpuntowT=1,completandolarepresentacin
asinttica.
ElmximoerrorentrelarepresentacinrealylaasintticasepresentaenwT=1.
En este caso el error es de: 3.03db. Este punto equivale al punto de media
potencia.
Unaoctavaantes,elerrores:0.97db
Unaoctavadespuselerrortambines:0.97db
Unadcadaantes,elerrores:0.0432db
Unadcadadespuselerrortambines:0.0432db
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
0
5
1 0
1 5
2 0
2 5
3 0
3 5
4 0
4 5
C e r o d e P r i m e r O r d e n
w ( f r e c u e n c i a a n g u l a r )
|
G
(
jw
)
|d
b
p e n d i e n t e = + 2 0 d b / d e c
C u r v a r e a l
G r a f i c a a s i n t o t i c a
Fig.5.6
ElectrnicaAnalgicosII
380
Fig.5.7
5.3.132)Polodeprimerorden: ( )
jwT
jw G
+
=
1
1
(5.7)
Lamagnitudendbes: ( ) ( ) ( )
2
1 log 10 wT jw G
db
+ =
Lafasees: ( ) ( ) wT jw arctan =
Para:wT<<1,lamagnitudseaproximaa0db;porlotanto,laprimeraasntotaest
representadaporunarectahorizontalen0db.
AmbasasntotasseencuentranenelpuntowT=1,completandolarepresentacin
asinttica.
ElmximoerrorentrelarepresentacinrealylaasintticasepresentaenwT=1.
En este caso, el error es de: 3.03db. Este punto equivale al punto de media
potencia.
Unaoctavaantes,elerrores:0.97db
Unaoctavadespuselerrortambines:0.97db
Unadcadaantes,elerrores:0.0432db
ElectrnicaAnalgicosII
381
Unadcadadespuselerrortambines:0.0432db
1 0
- 2
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
- 4 0
- 3 5
- 3 0
- 2 5
- 2 0
- 1 5
- 1 0
- 5
0
P o l o d e P r i m e r O r d e n
w ( f r e c u e n c i a a n g u l a r )
|
G
(
j
w
)
|
d
b
C u r v a r e a l
G r f i c a a s i n t t i c a
Fig.5.8
Fig.5.9
Acontinuacindamoslatablaconlosfactoresdecorreccinparamagnitudyfase:
wT 0.1 0.5 1 2 10
|G(jw)|db +/0.0432 +/0.97 +/3.03 +/0.97 +/0.0432
Fase +/5.7 +/26.6 +/45 +/63.4 +/84.3
ElectrnicaAnalgicosII
382
5.3.14)Factorescuadrticos:
Sondelaforma:
( )
+ =
2
2 1
n n
w
jw
w
jw
jw G ( )
2
2 1
1
+
=
n n
w
jw
w
jw
jw G
(5.8)
wnrecibeelnombredefrecuencianatural
recibeelnombredefactordeamortiguamiento
Estosfactorestienen3tiposderespuesta:
Cuando>1, larespuestaessobreamortiguadaylasracessonreales.
Cuando=1, la respuesta es crticamente amortiguada y las races son reales e
iguales.
Cuando 0 < > 1, la respuesta es sub amortiguada y las races son complejas y
conjugadas.
La respuesta con que acte depende de los valores de y wn; stos a su vez
dependendelosvaloresdeloscomponentesdelamplificador.
5.3.141)Cerosdesegundoorden: ( )
+ =
2
2 1
n n
w
jw
w
jw
jw G (5.9)
Lamagnitudendbes: ( )
=
2
2
2
2
1 log 10
n n
db
w
w
w
w
jw G
Lafasees:
( )
=
2
1
2
arctan
n
n
w
w
w
w
jw
ElectrnicaAnalgicosII
383
F r e q u e n c y ( r a d / s e c )
P
h
a
s
e
(
d
e
g
)
;
M
a
g
n
it
u
d
e
(
d
B
)
B o d e D i a g r a m s
- 2 0
0
2 0
4 0
M a g n i t u d
w / w n ( f r e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
0
5 0
1 0 0
1 5 0
2 0 0
w / w n ( f r e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
F
a
s
e
F a c t o r d e a m o r t i g u a c i n = 0 . 1
F a c t o r d e a m o r t i g u a c i n = 0 . 1
P e n d i e n t e = 4 0 d b / d e c
Fig.5.10
F requenc y (rad/ s ec )
P
h
a
s
e
(
d
e
g
)
;
M
a
g
n
i
t
u
d
e
(
d
B
)
B ode Di agram s
0
10
20
30
40
50
Magnitud
w/ wn (frec uenc i a angul ar norm al i z ada)
10
-1
10
0
10
1
0
50
100
150
200
w/ wn (frec uenc i a angul ar norm al i z ada)
F
a
s
e
P endi ent e= 40db/ dec
F ac t or de at enuac i n= 1
F ac t or de at enuac i n= 1
Fig.5.11
ElectrnicaAnalgicosII
384
F requenc y (rad/ s ec )
P
h
a
s
e
(
d
e
g
)
;
M
a
g
n
i
t
u
d
e
(
d
B
)
B ode Di agram s
0
2 0
4 0
6 0
8 0
10 0
Ma g n itu d
w/ wn (frec uenc i a angul ar norm al i z ada)
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
0
5 0
10 0
15 0
20 0
w/ wn (frec uenc i a angul ar norm al i z ada)
F
a
s
e
P endi ent e= 40db/ dec
F ac t or de at enuac i n = 5
F ac t or de at enuac i n = 5
Fig.5.12
Observandolasgrficasdecadacaso,podemosdecirque:
Cuandoelsistemaessubamortiguado,apareceunpicoderesonanciaenelcualla
ganancia disminuye, la pendiente en esa regin es ms pronunciada (ms
selectiva),llegandoaunapendientede40db/dcadaparafrecuenciasaltas.
5.3.142)Polosdesegundoorden: ( )
2
2 1
1
+
=
n n
w
jw
w
jw
jw G
ElectrnicaAnalgicosII
385
Lamagnitudendbes: ( )
=
2
2
2
2
1 log 10
n n
db
w
w
w
w
jw G
Lafasees:
( )
=
2
1
2
arctan
n
n
w
w
w
w
jw
Observandolasgrficassiguientesdecadacaso,podemosdecirque:
Cuandoelsistemaessubamortiguado,apareceunpicoderesonanciaenelcualla
ganancia aumenta, la pendiente en esa regin es ms inclinada (ms selectiva),
llegandoaunapendientede40db/dcadaparafrecuenciasaltas.
Elpicoderesonanciasepresentaalafrecuenciaderesonancia
2
2 1 =
n r
Podemosobservarquerexistesloparavaloresde:0<<0.707
Elvalordelpicoderesonanciaesdadopor:
2
1 2
1
=
r
M
vlidoparavaloresdelarelacindeamortiguacin():0<<0.707
Paravaloresde:>0.707entonces:Mr=1
Paravaloresdequeseacercanacero:Mr=tiendeainfinito
Fig.5.13
F r e q u e n c y ( r a d / s e c )
P
h
a
s
e
(
d
e
g
)
;
M
a
g
n
i
t
u
d
e
(
d
B
)
B o d e D i a g r a m s
- 4 0
- 3 0
- 2 0
- 1 0
0
P o l o s d e S e g u n d o O r d e n
w / w n ( f r e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
- 2 0 0
- 1 5 0
- 1 0 0
- 5 0
0
w / w n ( f r e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
F
a
s
e
P e n d i e n t e = - 4 0 d b / d e c
F a c t o r d e a t e n u a c i n = 1
F a c t o r d e a t e n u a c i n = 1
Fig.5.14
ElectrnicaAnalgicosII
387
P
h
a
s
e
(
d
e
g
)
;
M
a
g
n
i
t
u
d
e
(
d
B
)
Bode Diagrams
- 100
-80
-60
-40
-20
0
Polos de Segundo Orden
w/wn (frecuencia angular normalizada)
10
-2
10
-1
10
0
10
1
- 200
- 150
- 100
-50
0
F
a
s
e
Pendient e = -40 db/ dec
Factor de atenuacin = 5
Factor de atenuacin = 5
Fig.5.14
5.5. RESPUESTAENBAJAFRECUENCIA
Estudiaremos el caso de un amplificador en emisor comn como el mostrado a
continuacin:
RL
CE
Vg
Q
RC
+VCC
+
Vo
-
C2
R1
R2 RE
C1
Fig.5.15
Acontinuacinrepresentamosalcircuitoconsumodeloparaseal:
ElectrnicaAnalgicosII
388
C1
CE
Rb
Q
Vg
RC
RE
C2
RL
+
Vo
-
Fig.5.16
Rb=R1//R2
Fig.5.17
PlanteamoslasecuacionesdeKirchoffparaobtenerlafuncindetransferencia:
Enelcircuitodesalida:
( )
( ) s C R R
i s R R h
V
L C
b L C fe
o
2
1 + +
=
Enelcircuitodeentrada:
( )( )
( ) ( ) ( )( ) ( )
b E E ie b E E b E fe
E E b
g
b
R s C R h s C R s C R s C R R h
s C R s C R
V
i
+ + + + + + +
+
=
1 1 1 1 1
1
1 1
1
ElectrnicaAnalgicosII
389
Finalmente:
( )
( )
( ) [ ]
( ) ( )
+ + +
+
+
+ + + + + +
+
=
E E b ie
E fe ie b
E ie
fe
b ie E E
L C
E E
E E ie
L C fe
V
C C R R h
R h h R
C h
h
C R C h C R
s s s C R R
s C R s
C R h
C R R h
s A
1 1 1
2
2
2 2
1 1
1 1 1
1
1
(5.13)
Observamosqueestafuncindetransferenciatiene3ceros:
Dosenelorigen:s=0 y
Unoen:
E E
C R
s
1
=
Unoen:
( )
2
1
C R R
s
L C
+
=
Enestecasopodemosdecirqueelpolodesalidaseobtieneconlaresistenciaque
``veC2cuandolosdemscondensadoressecomportancomocortocircuitosyno
haysealdeentrada.
Los otros dos polos corresponden a un factor de segundo orden. Sin embargo, si
queremos que estos polos sean reales, podemos aplicar el criterio anterior para
determinaraproximadamentelosotrosdospolos:
Segnesto,laresistenciaque``veC
1
es:Rb//hie
Luego,elpoloaproximadoproducidoporC1es:
( )
1
//
1
C h R
s
ie b
=
Al polo introducido por C
E
tambin podemos determinarlo aproximadamente
mediante la resistencia que ``ve dicho condensador cuando los dems se
comportancomocortocircuitoynohaysealdeentrada:
Segnesto,laresistenciaque``veCEes:RE//(hie/(1+hfe))=RE//hib
Luego,elpoloaproximadoproducidoporCEes:
E
fe
ie E
C
h
h R
s
+
=
1
//
1
Dondehibeslaresistenciadeentradadeltransistorenbasecomn.
Supongamosahoraquealafuncindetransferenciaanteriorpodemosfactorizarla
yexpresarlaenlaformasiguiente:
( )
( )
( )
( )
+
= =
2 1
2
1 1 1
1
p
s
p
s
p
s
z
s
s A
s V
s V
s A
E
E
O
i
O
V
Multiplicandoelnumeradoryeldenominadorpor:
3
2 1
s
p p p
E
ydesarrollando
Obtenemosenelestadoestacionario:
( )
( )
( )
3
2 1
2
2 1 2 1 2 1
2 1
1
1 1
jw
p p p
jw
p p p p p p
jw
p p p
z jw
p p p A
s V
s V
s A
E E E E
E
E O
i
O
V
+
+ +
+
+ +
+
+
= =
RL
CE
Vg
Q
RC
+VCC
+
Vo
-
C2
R1
R2 RE
C1
Fig.5.18
Elmodeloparaseal,conlascondicionesdadas,eselsiguiente:
hie
Vg
RC
+
Vo
-
hfe ib
ib
Rb
C1
RL
Fig.5.19
Vo=hfe(RC///RL)ib
ib=(C1s)(Rb//hie)/[hie(Rb//hie)C1s]
Finalmente:
Vo(s) hfe(RC///RL)(Rb//hie)C1s
Av(s)==
Vg(s)hie(1+(Rb//hie)C1s)
ElectrnicaAnalgicosII
392
Podemosverqueapareceunceroenelorigenyunpoloens=1/(Rb//hie)C1
Rb//hieesjustamentelaresistenciaque``veC1cuandolosdemscondensadores
secomportancomocortocircuitoynohaysealdeentrada.
PROBLEMA5.2:Repitaelproblemaanteriorhallandoelpoloyelcerointroducido
porCEcuandoC1yC2secomportancomocortocircuito
Elmodeloparasealenestecasoeselmostradoenelsiguientegrfico.
Igualmente:
Vo=hfe(RC///RL)ib
Adems:
ib=(C1s)(Rb//hie)/[hie(Rb//hie)C1s]
Finalmente:
hie
Vg
RC
+
Vo
-
hfe ib
CE
ib
RE
Rb RL
Fig.5.20
Vo(s)hfe(RC///RL)(1+RECEs)
Av(s)==
Vg(s)hie+(1+hfe)RE+hieRECEs
Vemosquehayunceroen:s=1/RECE y
Unpoloen:s=(hie+(1+hfe)RE)/hieRECE=1/((hib//RE)CE)
Igualmente,podemosdecirqueelpoloseobtienepormediodelaresistenciaque
``ve CE cuando los dems condensadores se comportan como cortocircuito y no
hay seal de entrada. Podemos darnos cuenta fcilmente de ello si usamos el
modelodebasecomnparaeltransistor.
Lo anterior tambin nos da un mtodo de diseo para obtener los valores de los
condensadoresdeacoploybypass.
ElectrnicaAnalgicosII
393
PROBLEMA 5.3: En el circuito mostrado, determine C1, C2 y CE si se quiere una
ganancia igual a 100 en frecuencias medias y una frecuencia de corte inferior de
100Hz.
12Vdc
R1
10K
CE
C1
Rg
1K
RL
10K
Q
2N2222
Vg
RC
2K
C2
RE
820
R2
3k
Fig.5.21
Bajoestascondiciones,cuandoactanC
1
yC
2
,C
E
annoactaypodemoshacerel
siguientemodeloparapequeaseal:
Vg
C2
RC
2K
C1
Q
2N2222
RL
10K
Rg
1K
Rb
2.3k
RE
820
Fig.5.22
ElectrnicaAnalgicosII
394
Considerando para el transistor: hfe = 80 y hie = 1.3K, empleando el modelo
simplificado:
Reemplazandovalores: RC1=2.22K
Entonces:C1=1/2(10)(2.22K)=7.15uF
Podemoselegirelvalorcomercialsuperiormsprximo:C1=10uF
LaresistenciaqueveC2es: RC2= RC+RL=12K
Entonces:C2=1/2(10)(12K)=1.33uF
Podemoselegirelvalorcomercialsuperiormsprximo:C2=2.2uF
AlafrecuenciaqueactaC
E
,C
1
yC
2
yahanactuadoypodemosconsiderarquese
comportan como cortocircuitos. Bajo estas condiciones, podemos hacer el
siguientemodeloparapequeaseal:
Vg
CE
RC
2K
Q
2N2222
RL
10K
Rg
1K
Rb
2.3k
RE
820
Fig.5.23
LaresistenciaqueveCEes: RCE= R
E
//[hib+(Rb//Rg)/(1+hfe)]
Reemplazandovaloresyefectuando:RCE= 820//[49.3]=46.5
Entonces:CE=1/2(100)(46.5)=34.2uF
Podemoselegirelvalorcomercialsuperiormsprximo:CE=39uF
Conestosvalorespodemoshacerunasimulacindelarespuestaenfrecuencia:
ElectrnicaAnalgicosII
395
5.5. CALCULODELARESPUESTAENFRECUENCIAUSANDOMATLAB
Usaremoscomoejemploelcasodeunfiltroactivopasabajocomoelsiguiente:
Vi
C
0.1uF
R1
5.6K C
0.1uF
R1
5.6K
+ 12 V
R
10K
+
Vs
-
-
+
LM741
3
2
6
4
7
R
10K
- 12 V
Fig.5.24
AV(s)=[2(1+2R1Cs)]/[1+R1Cs+R1Cs
2
]
Reemplazandolosvaloresdeloscomponentesobtenemos:
AV(s)=[2+0.00224s)]/[1+0.00056s+0.0000003136s
2
]
Conlafuncindetransferenciayadeterminada,ingresamosalprogramaMATLAB
Cuandoapareceelprompt(>>)deMATLABescribimos:
>>num=[00.002242] <enter>
>>den=[0.00000031360.000561] <enter>
>>bode(num,den) <enter>
>>title(RespuestaenFrecuenciadelFiltroActivoPasabajo) <enter>
Larespuestaenfrecuenciaempleandounsimuladornosdalagrficasiguiente:
ElectrnicaAnalgicosII
396
0.000 Hz 200.0 Hz 400.0 Hz 600.0 Hz 800.0 Hz
4.500 V
3.500 V
2.500 V
1.500 V
0.500 V
-0.500 V
A: u1_6
Fig.5.25
DISEODEFILTROSACTIVOSMEDIANTEAMPLIFICADORESOPERACIONALES
Entrelostiposdefiltrostenemos:
- Filtro pasa bajo: Dejan pasar las frecuencias que estn por debajo de un
determinadovalor(f
L
)
- Filtro pasa alto: Dejan pasar las frecuencias que estn por encima de un
determinadovalor(f
H
)
- Filtropasabanda:Dejanpasarlasfrecuenciasqueestnentreunrangode
valores(f
L
yf
H
)
- Filtro de rechazo de banda (Notch): Rechazan las frecuencias que estn
entreunrangodevalores(f
L
yf
H
)
- Filtro pasa todo (desfasador): Dejan pasar todas las frecuencias, pero
producendesfasaje.Selesempleacomodesfasador.
Lafuncindetransferenciadeunfiltropasabajotienelaformasiguiente:
H(s)=N(s)/D(s)
N(s)yD(s)sonpolinomiosens
Hay muchas familias de filtros pasa bajos. Cada filtro de una familia posee una
funcindetransferencianica.Lalocalizacinycomplejidaddelospolosycerosde
la funcin de transferencia definen por completo la respuesta del filtro. La mayor
partedelosrequisitosquedebecumplirunfiltrosesatisfaceneligiendocualquiera
delassiguientesfamilias:
1)Butterworth:Suspoloscaendentrodeunacircunferenciaderadio1dentrodel
plano complejo. El filtro pasa bajo no tiene ceros. Poseen caractersticas
transitoriasrelativamentebuenas.Surespuestaenfrecuenciaesbastanteplana
y su atenuacin es con pendiente relativamente acentuada. Se pueden disear
concomponentesdevaloresprcticoscontoleranciaspococrticas
ElectrnicaAnalgicosII
397
2) Chebyshev: Presentan una pendiente de atenuacin ms aguda que el
Butterworth, pero, su respuesta no es plana y presenta rizado; adems su
respuesta transitoria no es tan buena como los Butterworth. El filtro pasa bajo
no tiene ceros. La mayor amplitud del rizo hace que la atenuacin sea ms
aguda, pero su respuesta a los transitorios empeora. Sus polos se localizan en
unaelipseenelplanocomplejo.
3) Bessel: Se emplean para la reproduccin fiel de la onda de entrada. Ofrecen,
paraello,unretardoconstanteenlabandapasante.Elfiltropasabajonotiene
ceros. Su respuesta en frecuencia no es tan buena como los de las familias
anteriores,perosusexcelentespropiedadestransitoriaslohacenmuytil.
4) Funcinelptica:Sufuncin detransferenciaposeepolos yceros;esto permite
que su pendiente de atenuacin sea incluso ms aguda que la de la familia
Chebyshev, pero presenta rizado tanto en la banda pasante como en la
rechazada. Sus circuitos son ms complejos, pero requieren menos secciones
paraunaatenuacindada.
Parafacilitareldiseoseempleanfiltrosnormalizados.
Porejemplo,paraunfiltronormalizadoButterworthdesegundoorden(n=2)es:
H(s)=1/[s
2
+1.414s+1]
Lospolosson: s
1
=0.707+j(0.707) y s
2
=0.707j(0.707)
Para el diseo se tienen grficos y tablas normalizados para cada familia, las que
permitencalcularloscomponentesparalatopologaseleccionada
ElectrnicaAnalgicosII
398
PROBLEMA 5.4: Disee un filtro activo pasa bajo de segundo orden, tipo Bessel,
congananciaunitariayfrecuenciadecortede100Hz.
+
Vi
-
R
+
VL
-
-
+
C2
R
V1
C1
Solucin:
Planteamos las ecuaciones de nudo mediante la transformada de La place
considerandoeloperacionalideal:
(ViV
1
)/R=(V
1
V
L
)C
1
s+(V
1
V
L
)/R
Luego: Vi=V
1
(2+RC
1
s)(1+RC
1
s)V
L
Adems: (V
L
V
1
)/R+V
L
C
2
s=0
Luego: V
L
(1+RC
2
s)=V
1
Medianteestasecuacioneshallamoslafuncindetransferencia:
( )
1 2
1
2
2
2 1
2
+ +
=
s RC s C C R
s H
DelastablasparadiseodefiltrostipoBesseldesegundoorden,normalizados,
obtenemos:
Polos: 1.1030j0.6368
Lascapacidadesnormalizadasson: C
1
=0.9060 C
2
=0.68
Lafrecuenciaangulardecortees: wc=2fc=628rad/s
ElegimosunvalorarbitrariodeR: R=43K
HallamoslosvaloresrealesdeC1yC2,demaneraqueseaproximenavalores
comerciales:
0.9060 0.68
C1==33.55nFC2==25.18nF
(628)(43K) (628)(43K)
ElectrnicaAnalgicosII
399
Laatenuacina500Hzser20.4db
PROBLEMA5.5:Diseeunfiltroactivopasabajodesegundoorden,tipoBessel,
congananciaiguala2yfrecuenciadecortede100Hz.
R
+
Vi
-
+
VL
-
-
+
C
R2
R
R1
V1
C
Solucin:
DelastablasparadiseodefiltrostipoBesseldesegundoorden,normalizados,
obtenemos:
Polos: j=1.1030j0.6368
Elegimosunvalorarbitrariodelacapacidad,devalorcomercial: C=27nF
Lafrecuenciadecortees: fc=100Hz
Luego: 1
R
1
==26.67K R
2
==80.16K
4fcC fcC(
2
+
2
)
ACOPLOCONTRANSFORMADORESENBANDAANCHA:
En el siguiente grfico mostramos un transformador con dos arrollamientos. Si
utilizamoslatransformadadeLaPlaceobtenemoslasecuacionesquedescribensu
funcionamiento.Enellasestamosdespreciandolasresistenciasdelosdevanados.
Fig.5.26
ElectrnicaAnalgicosII
400
V1=sLpI1+sMI2
V2=sMI1+sLsI2 (5.15)
Enconsecuencia,todocircuitoquetengalasmismasecuacionesdeltransformador
podrserreemplazadoporl,sinquevarenlastensionesnicorrientes.
Ademssecumpleque:
M=k(LpLs)
1/2
(5.16)
k=Factordeacoplo
Unodesusmodelosmsutilizadossemuestraenlafigura5.27:
Ldp
n:1
IDEAL
rp rs
Lm
rp = resistencia del primario
rs = resistencia del secundario
Ldp = Inductancia de dispersin del primario
Lm = Inductancia de magnetizacin
n = relacin de transformacin
Fig.5.27
Puedeexpresarse:
Ldp=(1k
2
)Lp ; Lm=k
2
Lp y n=k(Lp/Ls)
1/2
(5.17)
Fig.5.28
Rg=resistenciadelafuentedesealdeentrada
R
L
=resistenciadecarga
Podemosobtenerlafuncindetransferencia:
Vo(s) (nR
L
/Ldp)s
H(s)==(5.18)
Vi(s) s
2
+s(Rp/Ldp+Rs/Lm+Rs/Ldp)+RpRs/LdpLm
Observamosque:
Albajarlafrecuencia,lafuncindetransferenciadisminuyedebidoaque
LdpyLmtiendenacomportarsecomocortocircuitos.
Alelevarlafrecuencia,lafuncindetransferenciatambindisminuye
debidoaqueLdpyLmtiendenacomportarsecomocircuitoabierto.
Lafuncindetransferenciatendrunvaloraltosloenlareginde
frecuenciasmedias;enella,Ldptenderacomportarsecomocortocircuito
yLmcomocircuitoabierto.
Enlaregindefrecuenciasmedias,lafuncindetransferenciaseconvierteen:
Vo(s) Rg+rp(nR
L
)
H(s)==
Vi(s) Rg+rp+n
2
(R
L
+rs)
DerivandoH(s)respectoden,eigualandoacero,podemosobtenerelvalorden
quehacemximaaH(s):
n
m
=[(Rg+rp)/(R
L
+rs)]
1/2
(5.19)
ElectrnicaAnalgicosII
402
ReemplazandoenH(s)obtenemos:
R
L
H
m
= (5.20)
2[(Rg+rp)(R
L
+rs)]
1/2
Loanteriorquieredecirquesiqueremosquelatensindesalidaseamximaenla
carga, debemos hacer que la relacin de transformacin sea dada por la ecuacin
5.19.
P
L
T
= (5.21)
P
Lideal
Donde:
P
L
=(V
2
g/2R
L
)(R
2
L
/[4(Rg+rp)(R
L
+rs)]
Y P
Lideal
=(V
2
g/(8Rg))
Reemplazando:
T
=[Rg/(Rg+rp)][R
L
/(R
L
+rs)] (5.22)
Delaexpresinanteriorconcluimosque:
Paraelevarlaeficienciadebecumplirse: Rg>>rp y R
L
>>rs
Comnmente, los fabricantes de transformadores de audio indican los valores de
Rg y R
L
necesarios para que se cumpla esta condicin y, con la ecuacin (5.19)
podemoshallarlarelacindetransformacin.
Laecuacin(5.18)nosmuestraquehayunceroenelorigenydospolos.
Dependiendo de los valores de los parmetros, estos polos pueden ser reales o
complejos:
p
1
=(0.5)[Rp/Ldp+Rs/Lm+Rs/Ldp]+0.5[(Rp/Ldp+Rs/Lm+Rs/Ldp)
2
4
RpRs/LdpLm]
1/2
p
2
=(0.5)[Rp/Ldp+Rs/Lm+Rs/Ldp]0.5[(Rp/Ldp+Rs/Lm+Rs/Ldp)
2
4
RpRs/LdpLm]
1/2
Sinembargo,enlostransformadoresdebandaanchasecumple: Lm>>Ldp
ElectrnicaAnalgicosII
403
Debido a ello, los polos estarn muy alejados uno del otro y podremos obtener
expresionesaproximadasparaellos:
p
1
=(Rp+Rs)/Ldp
p
2
=(Rp//Rs)/Lm
Sisecumple:Rp=Rs y Lm>10Ldp
Entonceslosvaloresaproximadosdelospolostienenunerrordentrodel5%
SisecumpleLm>100Ldp,elerrorbajaal1%paracualquierrelacinentreRpyRs
REDESLINEALESDESEGUNDOORDEN
Estetipoderedesposeendoselementosreactivosyrespondenalasiguiente
ecuacindiferencial:
d
2
y/dt
2
+2dy/dt+
o
2
y=f(t)(5.23)
Lasolucinparat>0esdelaforma:
y(t)=A
1
e
p1t
+A
2
e
p2t
+yss(t)(5.24)
Los trminos: A
1
e
p1t
+ A
2
e
p2t
constituyen la solucin homognea, llamada
tambin respuesta natural o estado transitorio. Si los coeficientes p
1
y p
2
de los
exponentes (denominados polos) son negativos, las exponenciales sern
decrecientesydespusdeuntiempohabrndesaparecido,quedandosloyss(t).
Todo sistema estable debe tener un estado transitorio que desaparezca con el
tiempo. En caso contrario, si p
1
y p
2
son positivos, el estado transitorio nunca
desaparecersino queseincrementar permanentementeconelpasodeltiempo
yelsistemaserinestable
ElectrnicaAnalgicosII
404
Sedenomina: =factordeamortiguacin
o
=frecuencianatural
Sedefinen:
Q=factordecalidad=
o
/2
=relacindeamortiguacin=/
o
BW=anchodebanda=2
Adems: p
1
=+(
2
o
2
)
(5.25)
p
2
=(
2
o
2
)
(5.26)
Cuando:
1. >
o
setieneestadotransitoriosobreamortiguado
Enestecaso,silaredslotieneenergaalmacenadayf(t)=0,lasolucintomala
forma: y(t)=A
1
e
p1t
+A
2
e
p2t
Enelcasoquef(t)seacontinua:f(t)=B,lasolucintomalaforma:
y(t)=A
1
e
p1t
+A
2
e
p2t
+B
2. =
o
setieneestadotransitoriocrticamenteamortiguado
Enestecaso,silaredslotieneenergaalmacenadayf(t)=0,lasolucintomala
forma: y(t)=e
t
(A
1
+A
2
t)
Enelcasoquef(t)seacontinua:f(t)=B,lasolucintomalaforma:
y(t)=e
t
(A
1
+A
2
t)+B
3. <
o
setieneestadotransitoriosubamortiguado
Enestecaso,silaredslotieneenergaalmacenadayf(t)=0,lasolucintomala
forma: y(t)=Ae
t
cos(
d
t+)
Donde:
d
=(
o
2
2
)
d
eslafrecuenciaamortiguada
Enelcasoquef(t)seacontinua:f(t)=B,lasolucintomalaforma:
y(t)=Ae
t
cos(
d
t+)+B
CIRCUITORLCPARALELO
Este circuito se muestra en la figura 5.29 y podemos aplicar los conceptos
anterioresparaentenderelcircuito:
ElectrnicaAnalgicosII
405
I(t)
R
+
Vo
-
C L
Fig.5.29
=1/2RC
o
=(1/LC)
1/2
Q=
o
RC=R(C/L)
1/2
Lospolosresultanteseneldominiodelafrecuenciaresultanser:
p1=+[
2
2
o
]
1/2
=+j[4Q
2
1]
1/2
p2=[
2
2
o
]
1/2
=j[4Q
2
1]
1/2
Podemos ver que para un valor de Q de 5 ms, los polos se pueden aproximar
conlasexpresiones:
p1=+j
o
p2=j
o
CIRCUITOLCYBOBINACONPERDIDAS
Estecircuitosemuestraenlafigura5.30.Lasprdidasdelabobinaserepresentan
medianteunaresistencia,r,enserieconella:
+
Vo
-
I(t)
r
C
L
Fig.5.30
ElectrnicaAnalgicosII
406
Obteniendolaecuacindiferencial:
Aplicandoelmtodode tensiones denodo podemoshallar laecuacin diferencial
paraelvoltajeVo:
d
2
Vo/dt
2
(r/L)dVo/dt+(1/LC)Vo=(r/LC)I+(1/C)dI/dt
=r/2L
o
=(1/LC)
1/2
Q=
o
L/r=(1/r)(L/C)
1/2
es:
Z
L
=r+j
o
L
Suadmitanciaser: Y
L
=1/(r+j
o
L)=r/(r
2
+(
o
L)
2
)j
o
L/(r
2
+(
o
L)
2
)
Laparterealcorrespondeaunaresistenciaequivalenteenparalelocuyovalores:
Req=(r
2
+(
o
L)
2
)/r=(1+Q
2
)r
+
Vo
-
I(t)
r
+
Vo
-
C
Req
I(t) C L L
Fig.5.31
CIRCUITOLCYCONDENSADORCONPERDIDAS
Estecircuitosemuestraenlafigura5.32.Lasprdidasdelabobinaserepresentan
medianteunaresistencia,rc,enserieconella:
ElectrnicaAnalgicosII
407
+
Vo
-
I(t)
r
C
L
Fig.5.32
Obteniendolaecuacindiferencial:
d
2
Vo/dt
2
(r/L)dVo/dt+(1/LC)Vo=(r/LC)I+(1/C)dI/dt
=r/2L
o
=(1/LC)
1/2
Q=
o
L/r=(1/r)(L/C)
1/2
es:
Z
L
=r+j
o
L
Suadmitanciaser: Y
L
=1/(r+j
o
L)=r/(r
2
+(
o
L)
2
)j
o
L/(r
2
+(
o
L)
2
)
Laparterealcorrespondeaunaresistenciaequivalenteenparalelocuyovalores:
Req=(r
2
+(
o
L)
2
)/r=(1+Q
2
)r
Para: Q>10sepuedeaproximar: Req=Q
2
r
Ypodemosusaruncircuitoequivalente,comosemuestraenlafigura5.31:
ElectrnicaAnalgicosII
408
+
Vo
-
I(t)
r
+
Vo
-
C
Req
I(t) C L L
Fig.5.31
CONTROLDEGRAVESYAGUDOS
Acontinuacinsemuestrauncircuitodecontroldetonosparaaudio.Estecontrol
de tonos tiene dos potencimetros que permiten ajustar la presencia de graves y
agudosenunasealdeaudio.
10uF / 16v / NP
1K5
22K
50K
2K2
10K
10nF
56nF 100K
10K
22K
4K7
10K
20K
100K
56nF
2K2
+
-
NE5532
5
6
7
2K2
10nF
100pF
+
-
NE5532
3
2
1
+
2.2uF
10K
Fig.5.32
Seutilizauncircuitointegradodealtasprestacionesparaaudioquecontieneensu
pastilla dos amplificadores operacionales. Se trata del NE5532, el cual se alimenta
con +/ 15V. El potencimetro de 50K a la entrada establece el nivel de entrada o
sensibilidad del sistema. El preset de 20K primeramente debe situarse al centro de
su cursor. Si se presentasen distorsin o deformaciones en el audio disminuir ste
hasta lograr una reproduccin fiel. El potencimetro de 100K ajusta la cantidad de
graves,mientrasqueelde10Khacelomismoconlosagudos.
ElectrnicaAnalgicosII
409
Fig.5.33
Comolaalimentacinessimtricaporelterminal4delintegrado(MarcadoGNDen
laimagendearriba)debeira15Vmientrasqueelterminal8(MarcadocomoVcc)
debe ir a +15V. La masa debe cablearse a 0V, que en integrado no se conecta mas
quealaentradanoinversoradelsegundooperacional(terminal5).
SERIEDEPROBLEMAS
PROBLEMA1:UncircuitoparaleloRLC,comoelmostrado,seusacomofiltro
pasabanda.
C R L
1
2
Z(jw)
Fig.5.32
a) Hallelaexpresindesuimpedanciaenfuncindelafrecuencia.
b) SiR=10k,C=10nfyL=100h,determinesuimpedanciaalasfrecuenciasde:
50KHz,100KHz,160KHz,200KHzy250KHz
c) Hagalosdiagramasdelamagnituddelaimpedanciaydelafaseenfuncinde
lafrecuenciaydeterminesuanchodebanda.
PROBLEMA 2: Un circuito serie RLC, como el mostrado, se usa como filtro pasa
banda.
ElectrnicaAnalgicosII
410
L
1
2
C R
Z(jw)
a) Hallelaexpresindesuimpedanciaenfuncindelafrecuencia.
b) SiR=10k,C=10nfyL=100h,determinesuimpedanciaalasfrecuenciasde:
50KHz,100KHz,160KHz,200KHzy250khz
c) Hagalosdiagramasdelamagnituddelaimpedanciaydelafaseenfuncinde
lafrecuenciaydeterminesuanchodebanda.
PROBLEMA3:Eneltransformadormostradoenlafigura5.28,halle:
a) ElvalordeLsnecesarioparaacoplarunacargade8aunacuentecon3200
enelrangodefrecuenciasmedias...
b) Determine
L
y
H
paraestecaso
c) Laeficienciadeltransformador
PROBLEMA6:Unamplificadortienelasiguientegananciadevoltaje:
Av(s)=(100s)/[(1+s/100)(1+s/1000)]
a) TracelasgrficasdeBodedemagnitudyfaseenfuncindelafrecuencia.
b) Determine el margen de ganancia, el margen de fase y la frecuencia de
transicincuandolagananciasehaceiguala1.
PROBLEMA7:Enelcircuitomostrado,hallelacorrientetotaldedrenador.
Elcircuitotanqueestsintonizadoalafrecuenciawo.
Cual debe ser la frecuencia wm para que el tanque slo deje pasar el rango de
frecuenciaswo+/wm?
ElectrnicaAnalgicosII
411
+10V
+
cos(wo t)
+
cos(wm t)
L
2uH
1
2
C2
10 uF
Idss = 4 mA
Vp = -4V
2V
Q1
JF1033B
1M
C
2.5nF
R
2K
PROBLEMA8:Enelsiguientecircuito,,medianteelanlisiseneldominiodela
frecuencia,determine:
a) Lafrecuenciadecorteinferior(fL)
b) Lafrecuenciadecortesuperior(fH)
c) Elanchodebanda
d) Lagananciaenfrecuenciasmedias
C1
20 pF
Ci
20 pF
gm Vi Co
10 pF Vs
+
Vo
-
+
Vi
-
Rs
1K
Ri
25K
+
gm = 15 mA/V
Ro
10K
RL
10 K
-
PROBLEMA9:DeterminelosDiagramasdeBodedelagananciadebucledeun
amplificadorrealimentado,siesdadapor:
T(jw)=2/(1+jw)**3
Determinetambinelmargendefaseyelmargendeganancia.
PROBLEMA10:DibujelosDiagramasdeBodeasintticosparalafuncinde
transferencia:
H(s)=10/[(1+s/25)(1+s/2500)(1+s/200000)]
PROBLEMA11:Diseeunamplificadorenemisorcomn,comoelmostrado,con
gananciaenfrecuenciasmediascomprendidaentre: 40|Ao|50
Frecuenciadecorteinferior:fL1KHz
ElectrnicaAnalgicosII
412
C2
RE2
RC
CE
C1
R2
R1
Rs
Q
2N2222
Vs RE1
+
Vo
-
RL
2K
VCC
Utiliceeltransistor2N2222(silicio,=100,VT=26mV,ICQ=2mA,VCEQ=5V)
VCC=12Vdc
PROBLEMA12:Diseeunamplificadordedrenajecomn,comoelmostrado,para
obtener una impedancia de entrada en frecuencias medias: Zi 1 M, una
frecuenciadecorteinferior:fL1KHzyunafrecuenciadecortesuperior:fH=50
KHz
DatosdelMOSFET:Cds=1pF,Cgs=10pF,Cgd=10pF,ro=50K,gm=20mA/V,
Paraelpuntodeoperacin:IDQ=2mA,VGSQ=6VyVDSQ=10V
C4
CAP NP
RL
1K Vg
R2
Q
Rs
R1
15 V
C2
Rg
1K
ElectrnicaAnalgicosII
413
PROBLEMA13:Determinelarespuestaenfrecuenciadelsiguientecircuito.Asuma
queelOPAMPsecomportaenformaideal
R2
56.44K
RL
100K C3
CAP NP
Vs
1 Vpico
C1
47 nF
C2
47 nF
R3
28.22K
U7
uA741
3
2
7
4
6
1
5
+
-
V
+
V
-
OUT
OS1
OS2
R1
56.44 K
+ 15V
- 15 V
+
Vi
-
gm = 0.002 s
rds = 50K
Cgs = 2 pF
Cds = 2 pF
Cgd = 0
+
Vo
-
1k
10K
VCC
1uF
100uF
1M
RL
10K
1uF
ElectrnicaAnalgicosII
415
DIAGRAMASDEBODE
RacesnormalizadasparafiltroBesseldesegundoorden:
S1=1.11030+j0.6388 S1=1.11030j0.6388
Funcindetransferencianormalizada:
1
H(s)=
s
2
+2.206s+1.6247
DiagramasdeBode:
Frequency (rad/sec)
P
h
a
s
e
(
d
e
g
)
;
M
a
g
n
i
t
u
d
e
(
d
B
)
Bode Diagrams
-40
-30
-20
-10
0
From: U(1)
10
-1
10
0
10
1
-200
-150
-100
-50
0
T
o
:
Y
(
1
)
ElectrnicaAnalgicosII
416
Circuitodefiltro:
C1
R1
R3
R2
+
Vo
-
+
Vi
-
C2
Funcindetransferencia:
1
H(s)=
(R
1
R
2
C
1
C
2
)s
2
+[R
1
C
1
+R
2
C
2
+R
1
R
2
C
1
/R
3
+R
1
C
2
].s+(1+R
1
/R
3
+R
2
/R
3
)
Luego,si: f
1
=1/R
1
C
1
f
2
=1/R
2
C
2
f
21
=1/R
2
C
1
f
31
=1/R
3
C
1
f
32
=1/R
3
C
2
f
1
f
2
H(s)=
s
2
+[f
1
+f
2
+f
21
+f
32
].s+(f
1
f
2
+f
2
f
31
+f
1
f
32
)
Paralafuncinnormalizada:
[f
1
+f
2
+f
21
+f
32
]=2.206
(f
1
f
2
+f
2
f
31
+f
1
f
32
)=1.6247
Elfactordeescalaes: F=(2x2x10
6
rad/s)/1rad/s=12.57x10
6
Entonces: [f
1
+f
2
+f
21
+f
32
]=2.206x12.57x10
6
=27.72x10
6
Y:
(f
1
f
2
+f
2
f
31
+f
1
f
32
)=1.6247x(12.57x10
6
)
2
=2.57x10
10
Tenemos:
C
2
=1.29nF R
2
=1.27 R
3
=100
Luego:
[1/R
1
C
1
+1/R
2
C
2
+1/R
2
C
1
+1/R
3
C
2
]=2.206x12.57x10
6
=27.72x10
6
Y: (1/(R
1
C
1
R
2
C
2
)+1/(R
2
R
3
C
1
C
2
)+1/R
1
R
3
C
1
C
2
)=2.57x10
10
Resolviendoestasecuacionessehallanlosvaloresde:R
1
yC
1
ElectrnicaAnalgicosII
417
BIBLIOGRAFA
1)MANUALDECIRCUITOSINTEGRADOS:SELECCIN,DISEOYAPLICACIONES
TOMO1
WILLIAMS,ARTHURB.
PrimeraEdicin1992
Colombia
MCGRAWHILL
2)COMMUNICATIONCIRCUITS:ANALYSISANDDESIGN
Clarke,Kenneth
HessT.Donald
AddisonWesleyPublishingCompany
3)INGENIERIADECONTROLMODERNA
KatsuhikoOgata
PrenticeHallHispanoamricaS.A.
4)PROBLEMASDEINGENIERIADECONTROLUTILIZANDOMATLAB
KatsuhikoOgata
PrenticeHallHispanoamricaS.A.