O Silcio

Si, existente em grande quantidade na Terra.

Processo de Czochralski (crescimento de
cristais de Si) para formao de wafersde
silcio.
Facilidade de obteno do SiO
2
(um bom
isolante) a temperaturas mdias na presena
de oxignio.
Propriedades pticas
O silcio muito utilizado para a construo de fotodetectores para a regio visvel
do espectro electromagntico. A absoro pelo Si dependente do comprimento
de onda da luz incidente. Isto dificulta o fabrico de fotodetectores para a
intensidade mas abre a possibilidade de fabricar sensores de cr.
Propriedades pticas
Dopagem p num substrato n, formando um
fotodetector. Dois contactos so abertos na
camada de SiO
2
para n e p.
Propriedades pticas
Absoro ptica dos
semicondutores em
funo do comprimento
de onda.
Si quase transparente
para >1 m
Propriedades mecnicas
Si um excelente material para aplicaes
micromecncias:
-baixa densidade, 2.33x10
3
kg m
-3
-elevado grau de elasticidade (Youngs modulus),
E=164 GPa
-elevado grau de dureza, 11 GPa
-muito boa resistncia fractura, 0.1-0.5 GPa
-sem stress residual
Estruturas 3D em Silcio
Pontes
Pranchas
Frames
Massas slidas
Membranas flexveis
Partes mveis
Engrenagens, rodas dentadas
Propriedades trmicas do silcio
Coeficiente de expanso trmica,
=2.33x10
6
K
-1
Condutividade trmica, 147 WK
-1
m
-1
Materiais usados nas microtecnologias
Materiais compatveis com Si
Si, puro
p-Si, n-Si, dopagem com Boro ou Fsforo
Si Wafer com os cristais orientados nas direces [100], [110], [111]
Polisilciopuro, cristais sem orientao
Poly-p, Poly-n, dopagem com Boro ou Fsforo respectivamente
SiO
2
, isolante, quase transparente luz visvel (n=1.4-1.5), ideal para
membranas finas, exibe stress residual compressivo
Si
3
N
4
, isolante, quase transparente luz visvel (n=2.2-2.5), ideal para
membranas finas, exibe stress residual em tenso.
Al, metal utilizado para as ligaes, bom grau de dureza para
evaporao trmica ou sputtering.
Filmesfinos
Formao de filmes finos (na ordem dos micrmetros ou
menor) de diferentes materiais sobre um wafer de silcio
Estes filmes podem ser formatados e padronizados por
tcnicas litogrficas e tcnicas de corroso dos materiais em
causa
Metais nobres como o Aue a Ag, contaminam os circuitos
de microelecrnica causando falhas, portanto wafers de
silcio com metais nobres tm que ser processados usando
equipamento dedicado apenas a esta tarefa.
Os metais nobres geralmente so padronizados recorrendo
tcnica de lift-off.
Materiais usados nas microtecnologias
Materiais no compatveis com Si
Age Au, muito macios para evaporao, mas com boas propriedades
pticas para a zona do visvel e infra-vermelho respectivamente.
Cu, material de baixa resistividade comparado com o Al. Requer
processo especial para fazer o seu crescimento em wafersde silcio.
TiO
2
, filmes finos para filtros pticos
Stress residual em filmes finos
Condies de deposio (temperatura, presso) dos filmes fazem variar
o stress residual. O LPCVD Si
3
N
4
apresenta stress residual de 0.125-1
GPaconforme a variao de tempeaturae o annealing. Em baixo est
representado o stress residual do LPCVD Poly quando depositado a
diferentes presses e sem annealing.
Oxidao trmica
O
2
O silcio consumido medida que o dixido de
silcio cresce.
O crescimento ocorre em oxignio e/ou vapor a 800-
1200 C
Filmes com ~2um o mximo valor prtico possvel
Silcio Silcio
SiO
2
Oxidao trmica
A oxidao pode ser mascarada com nitreto
de silcio, que evita a difuso do O
2
Silcio
SiO
2
nitreto de silcio
Aspectos da deposio - Compatibilidade
Compatibilidade trmica
A oxidao trmica e os filmes LPCVD so
mutuamente compatveis
A oxidao trmica e o LPCVD no so
compatveis com polmeros (derretem/ardem) e
com a maioria dos metais (formao eutctica,
difuso, contaminao do forno)
Compatibilidade topogrfica
No se pode fazer spin-coat sobre degraus
elevados
Deposio sobre rasgos profundos deixa buracos
Aspectos da deposio - Conformabilidade
Um coating(cobertura) conformal cobre todas as
superfcies com uma pelcula uniforme
Um coatingplanarizador tende a reduzir o degrau
vertical da seco transversal
Um coatingno-conformal deposita mais nas
superfcies do topo do que nas superfcies da base
e/ou laterais
No-conformal
Conformal
Planarizador
Aspectos da corroso - Anisotropia
Corrosivos isotrpicos removem a mesma
taxa em todas as direces
Anisotrpico
mscara
Isotrpico
Aspectos da corroso - Selectividade
A selectividade a relao entre a taxa de
corroso do material alvo e a taxa de
corroso dos outros materiais
A corroso qumica geralmente mais
selectiva do que corroso por plasma
A selectividade para o material da mscara e
para os materiais etch-stopimportante
Mscara
alvo
Etch-stop
Spin Coating
Um liquido viscoso colocado no centro do wafer
O wafer roda entre 1000-5000 RPM, 30 s
Baked(levar ao forno) em pratos quentes 80-500 C,
10-1000s
Aplicao de corrosivos e solventes, secar
Deposio de polmeros, percursores sol-gel
Physical Vapor Deposition- Evaporao
Metais evaporados num cadinho de tungstnio
Alumnio, ouro
Tipicamente para deposio em linha de vista
Vcuo elevado necessrio para evitar a
oxidao, e.g., do alumnio
ndices de Miller
[100]
[010]
[001]
a
b
c
[abc]
[100]
[010]
[001]
a
b
c
[abc]
1/a
1/b
1/c
(abc)
[100]
[010]
[001]
(100)
{100}
(001)
(010)
[100]
[010]
[001]
(110)
(111)
Micromaquinagemdo silcio
Tcnicas para:
moldar e/ou criar padres nos filmes finos que foram
depositados sobre um wafer de silcio
mudar a forma do wafer,
criar microestruturas 3D bsicas.
Tcnicas associadas com a micromaquinagemdo
silcio:
deposio de filmes finos,
remoo de materiais e filmes finos recorrendo
corroso qumica,
remoo de materiais e filmes finos por corroso a seco
(e.g, corroso por plasma)
introduo de impurezas no silcio, modificando as suas
propriedades (i.e, doping).
Micromaquinagem
Um grande nmero de fenmenos fsicos
tm um especial significado escala do
micrmetro comparado com o dispositivo
macroscpico.
Micro-mecnica
partes mveis e engrenagens
Microfluidos
microcanais, microvlvulas
Micro-ptica
hpartes mveis e engrenagens
Micromaquinagem
Micromaquinagemvolmica - Bulkmicromachining
Micromaquinagemsuperficial - Surface
micromachining
Deepreactive ionetching(DRIE)
Outros materiais/processos
Volmica, Superficial, DRIE
Micromaquinagemvolmica envolve a remoo de material
do prprio wafer de silcio
Tipicamente corroso a frio
Tradicionalmente na indstria MEMS
Desenhos artsticos, equipamento barato
Problemas com compatibilidade com IC
Micromaquinagemsuperficial deixa o wafer intacto mas
adiciona/remove camadas adicionais sobre a superfcie do
wafer
Tipicamente corroso com plasma
Filosofia de desenho semelhante do IC, equipamento
relativamente barato
Tambm se colocam questes com compatibilidade com
IC
DRIE (DeepReactive IonEtch) remove substrato mas
assemelha-se micromaquinagemsuperficial
Micromaquinagemvolmica
Muitos dos corrosivos lquidos apresentam uma taxa de
corroso diferente para direces diferentes
<111> etchrate a mais lenta, <100> e <110> mais
rpida
Rpida:lenta pode ser mais de 400:1
KOH, EDP, TMAH so os corrosivos anisotrpicos mais
comuns para o silcio
Corrosivos isotrpicos do silcio
HNA (Hydrofluoricacid+ Nitricacid+ Aceticacid)
HF, cidos ntricos e actico
Duro de utilizar
XeF
2
, BrF
3
Fotolitografianamicromaquinagem
Tcnica usada para definir a forma das
estruturas a micromaquinar
Uso da mesma tcnica que na indstria da
microelectrnica
Em alguns casos usa-se como mscara o
SiO
2
ou Si
3
N
4
em vez de photoresist
Corroso com KOH
Corri PR e alumnio instantaneamente
Mscaras:
SiO2
compressivo
SixNy
tenso
Parylene!
Au?
Corroso qumica em soluo aquosa
xido e nitretoso
pouco corrodos em
solues aquosas de
KOH.
xido pode ser usado
para mscara durante um
curto perodo de tempo
(i.e, para aberturas
superficiais no silcio)
Para longos perodos de
tempo, o nitretoa
melhor mscara porque
corri mais devagar em
solues aquosas de
KOH.
Corroso dependente
da concentrao de
impurezas
Elevados nveis de boro
no silcio reduz
drasticamente a taxa de
corroso.
Elevada concentrao de
boro a dopar o silcio
provoca a paragem da
corroso.
Corroso anisotrpica do silcio
<111>
<100>
Substrato de silcio
54.7
A corroso anisotrpica tem taxas de corroso dependentes das
direces do cristal
Tipicamente, as taxas de corroso so mais lentas para direces
perpendiculares ao plano cristalinos com a maior densidade
Os corrosivos anisotrpicos tipicamente utilizados para o silcio
incluem o Hidrxido de potssio (KOH), o Tetramethyl Ammonium
Hydroxide (TMAH), e o Ethylene Diamine Pyrochatecol (EDP)
Micromaquinagemde Ink J et Nozzles
Microtechnology group, TU Berlin
Cavidades-micromaquinagemvolmica
Corroso anisotrpica com KOH
Corroso com plasma isotrpico
Corroso isotrpica com BrF3
com xido compressivo ainda
visvel
Micromaquinagemvolmica Sensor de presso
Corroso anisotrpica permite
maquinar o silcio com
elevada preciso
Silcio apresenta um elevado
efeito piezoresistivo
Estas propriedades,
combinadas com as
propriedades mecnicas
excepcionais e com um bom
desenvolvimento do processo
de fabrico, torna o silcio o
material ideal para sensores
de preciso
Sensores de presso e
acelermetros foram os
primeiros a serem
Chip do sensor de presso
Sensor de presso encapsulado
desenvolvidos
Micromaquinagemsuperficial
(surface micromachining)
As tcnicas de micromaquinagemsuperficial
constrem a estrutura em camadas de filmes finos
sobre o substrato de silcio ou outro substrato a
servir de base.
Tipicamente so empregues filmes de dois
materiais diferentes
O material da estrutura(quase sempre polisilcio)
O material de sacrifcio(xido).
Ambos os materiais so depositados e formatados.
No final o material de sacrifcio removido por corroso
qumica por soluo aquosa de maneira a obter-se a estrutura
pretendida.
Quanto maior o nmero de camadas, mais complexa a estrutura
e mais difcil se torna o seu fabrico.
Micromaquinagemsuperficial
Deposio da camada de sacrifcio
Obteno de contactos
Deposio da camada estrutural Corroso da camada de sacrifcio
Materiais para micromaquinagem superficial
Estrutura/ sacrifcio/ corrosivo
Polisilcio/ Dixido de Silcio / HF
Dixido de Silcio / Polisilcio/ XeF2
Alumnio/ photoresist/ plasma
Photoresist/ Alumnio / corroso de Al
Alumnio / SCS EDP, TMAH, XeF2
Poly-SiGe poly-SiGe gua DI
Gradientes de stress residual
Mais tenso no topo
Mais compressivo no topo
Medida certa!
Aps recozedura~1000C durante
~60.
Gradientes de stress residual
Um mau dia!
Dobradias
Depositar e padronizar a 2
camada de sacrifcio
Deposio da camada de sacrifcio
Deposio e padronizao da poly
Padronizar contactos
Depositar e padronizar 2 poly
Remover a camada de sacrifcio
Surface micromachining
DRIE
Geometrias sem restrio
Paredes a 90
Elevada relao de aspecto 1:30
Mscara fcil (PR, SiO2)

Receita do processo depende

da geometria
Estruturas DRIE
Actuador electroesttico 2DoF
Actuador em Comb-drive
Actuador trmico
Tcnicas de wafer bonding
Usam-se tcnicas de colagem e adeso para wafers
e/ou dies:
entre wafersmicromaquinadose pequenos dies,
entre dies e substratos,
para formar dispositivos complexos com maior
quantidade de elementos.
muito usado em Multi-Chip-Module, combinando
circuitos, sensores e actuadores num mesmo substrato ou
die.
Micromaquinagem
Um grande nmero de fenmenos fsicos
tm um especial significado escala do
micrmetro comparado com o dispositivo
macroscpico.
Micro-mecnica
partesmveise engrenagens
Microfluidos
microcanais, microvlvulas
Micro-ptica
hpartesmveise engrenagens
Fotolitografianamicromaquinagem
Tcnica usada para definir a forma das
estruturas a micromaquinar
Uso da mesma tcnica que na indstria da
microelectrnica
Em alguns casos usas-secomo mscara o
SiO
2
ou Si
3
N
4
em vez de photoresist
Fotolitografia na micromaquinagem
O photoresist removido deixando a camada de
xido com o padro pretendido
Filme finos (e.g, SiO
2
) depositados sobre um
substrato (e.g, wafer de Si)
O wafer revestido por um polmero que sensvel
luz ultravioleta, chamado photoresist
A luz ultravioleta passa atravs da mscara e corri o
photoresist
O padro da mscara transferido para a
camada do photoresist
luz ultravioleta
desgasta o
polmero
A luz ultravioleta compacta o polmero
O xido no protegido (pelo photoresist)
removido por um qumico
Micromaquinagemdo silcio
tcnicas para:
moldar e/ou criar padres nos filmes finos que foram depositados
sobre um wafer de silcio
mudar a forma do wafer,
criar microestruturas 3D bsicas.
tcnicas associadas com a micromaquinagemdosilcio:
deposiode filmes finos,
remoo de materiaise filmes finos recorrendo corroso qumica,
remoo de materiais e filmes finos por corroso a seco (e.g,
corrosaopor plasma)
introduo de impurezas no silcio, modificando as suas
propriedades(i.e, doping).
Corroso qumica
Quando o photoresist no suficientemente
resistente para suportar a corroso qumica
Um filme fino de material mais resistente (e.g,
xido ou nitrato) depositado e padronizado
usando fotolitografia.
O xido/nitrato ento actua como mscara
quando se da corroso do material pretendido
Quando a corroso do material estcompleta o xido/nitrato que
serviu de mscara removido.
Corroso qumica em soluo aquosa
Remoo de materiais em soluo aquosa qumica
recorrendo a uma base ou cido forte.
Corroso isotrpica
a corroso processa-se em todas as direces e mesma taxa
Corroso anisotrpica
A corroso processa-se a diferentes taxas de corroso em
diferentes direces. Permite a obteno e controlo de vrias
formas.
Alguns compostos qumicos corroem o silcio a taxa diferentes
que dependem da concentrao das impurezas no silcio.
Corroso qumica em soluo aquosa
Qumicos corrosivos
isotrpicos
Disponveis para xido,
nitrato, alumnio,
polisilcio, ouro, e
silcio.
Ataca os materiais
mesma taxa em todas as
direces, corroem
debaixo da mscara
mesma taxa que corroem
ao longo do material.
Na figura o photoresist preto, e o
substrato estrepresentado a
amarelo.
Corroso qumica em soluo aquosa
Qumicos corrosivos
anisotrpicos
Hvrios compostos qumicos no
mercado disponveis para corroer
os diferentes planos do silcio a
diferentes taxas de corroso.
Hidrxido de potssio (KOH)
O mais popular e barato
Condies de segurana mdias
Aberturas em V no silcio, inclinaes
segundo ngulos dependentes da
orientao cristalina do silcio.
Wafer com orientao cristalina [100]
dorigem a inclinaes de 54,7
O uso de waferscom orientaes
cristalinas diferentes [110] produz
aberturas em V e inclinaes a 90-
paredes verticais.
Corroso qumica em soluo aquosa
KOH em RF-chipse wafers[110]
Corroso qumica em soluo aquosa
xido e nitrato so pouco
corrodos em solues
aquosas de KOH.
xido pode ser usado para
mscara durante um curto
perodo de tempo (i.e, para
aberturas superficiais no
silcio)
Para longos perodos de
tempo, o nitrato a melhor
mscara porque corri mais
devagar em solues aquosas
de KOH.
Corroso dependente da
concentrao de impurezas
Elevados nveis de boro no
silcio reduz drasticamente a
taxa de corroso.
Elevada concentrao de boro
a dopar o silcio provoca a
paragem da corroso.
Corroso qumica volmica em soluo
aquosa (Bulk silicon micromachining)
Bulk-silicon micromachining
KOH pode ser usado para obter estruturas com a forma de mesa (a).
Os cantos das estruturas em forma de mesa podem ser corrodos mais do
que o pretendido (b) obtendo-se cantos imperfeitos.
Este problema pode ser resolvido com estruturas de compensao. Tipicamente
a mscara de corroso desenhada de maneira a incluir estas estruturas nos
cantos. Estas estruturas de compensao so desenhadas de maneira a que a
mesa formada obtendo-se cantos a 90.
Bulk-silicon micromachining
Diafragmas em silcio com
a espessura de 50 m
podem ser obtidos em
wafersde Si com a
corroso por KOH.
A espessura controlada
pelo tempo que demora a
corroso, portanto tem um
intervalo de incerteza
associado
Diafragmas mais finos, at20 mde
espessura, podem ser produzidos usando a
dopagem por Boro para fazer parar a
corroso por KOH
A espessura do diafragma dependente da
profundidade qual o Boro difundido
dentro do silcio, neste processo o controlo
mais preciso que o simples controlo da
corroso por tempo.
O diafragma de silcio a estrutura bsica
dos sensores de presso.
Este micro-sensor de presso pode ser
adaptado com uma mesa sobre o diafragma
para servir de acelermetro.
Bulk-silicon micromachining
Bulk-micromachined micro-espectrmetro
sintonizvel para a luz visvel
Tunablemicrospectrometer
Micromaquinagemsuperficial
(surface micromachining)
As tcnicas de micromaquinagemsuperficial
constroiema estrutura em camadas de filmes finos
sobre o substrato de silcio ou outro substrato a
servir de base.
Tipicamente so empregues filmes de dois
materiais diferentes
O material da estrutura(quase sempre polisilcio)
O material de sacrifcio(xido).
Ambos os materiais so depositados e formatados.
No final o material de sacrifcio removido por corroso
qumica por soluo aquosa de maneira a obter-se a estrutura
pretendida.
Quanto maior o nmero de camadas, mais complexa a estrutura
e mais difcil se torna fabric-la.
Surface micromachining
Construo de uma prancha simples usando:
Uma camada de xido depositada na superfcie do wafer.
Uma camada de polisilcioento depositado e padronizado
utilizando tcnicas de RIE.
O wafer ento atacado com um composto que corri a camada de
xido debaixo do polisilcio, libertando-o (b).
Porque o xido no foi todo removido, fica ancorado o wafer ao
polisilciopor uma pequena parte de xido.
Surface micromachining
Uma grande variedade de estruturas fechadas (quartos) podem
ser fabricadas na superfcie do wafer de silcio utilizando as
tcnicas de surface micromachining.
o volume do quarto definido pelo volume da camada de xido que
serve de camada sacrificial (a).
Uma camada de polisilcioento depositada sobre a superfcie do
wafer. (b).
Uma janela aberta no polisilciopor RIE, e o wafer ento submerso
numa soluo aquosa de HF que remove todo o xido (c).
Surface micromachining permite o fabrico de estuturas
complexas; como micro-pinase engrenagens
Surface micromachining
Harmnico Motor
Corroso electroqumica do silcio
Tcnica electroqumica de passivao
Um wafer do tipo p dopado com impurezas do tipo n
usado
A dopagem realizada de forma a que se obtenha uma
juno pn
A juno vai determinar a estrutura pretendida.
Um potencial elctrico aplicado juno durante o
tempo que o wafer submerso na soluo aquosa de
KOH para se iniciar a corroso qumica.
Quando a corroso chega juno uma fina camada de
xido forma-se a qual protege esta regio da corroso
qumica.
Corroso electroqumica do silcio
muitosimilar dopagem com Boropara
parar a corroso qumica (corroso
dependente da concentrao de impurezas).
Asestruturas produzidas so muito parecidas
com aquelas produzidas pela tcnica de paragem
por doping elevado com Boro.
A vantagem deste mtodo necessitar de baixas
concentraes de impurezas.
Este mtodo mais compatvel com o fabrico de
microelectrnica.
Corroso a seco
Reactive Ion Etching (RIE)
Os ies so acelerados contra um material
corroendo-o.
Aberturas profundas com diferentes formas e com
paredes verticais podem ser obtidas com esta tcnica
numa grande variedade de materiais incluindo o
silcio, xido e nitrato.
Ao contrrio da corroso qumica aquosa
anisotrpica, RIE no afectado pela orientao
cristalina do silcio.
Tcnicas de wafer bonding
Usam-se tcnicas de colagem e adeso para wafers
e/ou dies
entre wafersmicromaquinadose pequenos dies,
entredies e substratos,
para formar dispositivos complexos com maior
quantidade de elementos.
muito usado em Multi-Chip-Module, combinando
circuitos, sensores e actuadores num mesmo substrato ou
die.
LIGA
LIGA um acrnimodo nome em alemo para o
processo (Lithographie, Galvanoformung,
Abformung).
LIGA usa litografia, cromagem, e moldagem para
fabricar as micro-estruturas.
capaz de criar com elevada resoluo muito finas
estuturascom alturas de 1 mm ou mais (pilares ou
colunas).
Processo LIGA
usando raios-X (litografia de
raios-X) produz-se padres em
filmes de photoresist muito
espessos:
Os raios-X (precisa-se de uma
fonte de raios-X suave,
synchrotron) passam atravs de
uma mscara especial e de uma
camada espessa de photoresist que
cobre o substrato.
Este photoresist ento revelado
(b).
Processo LIGA
O padro formado ento
metalizado. (c).
Esta estrutura em metal
costuma ser o produto final,
contudo comum produzir
um molde de metal (d).
Este molde pode ento ser
enchido com outro material
como por ex: plstico (e)
para produzir o produto
final neste material (f).
LIGA
O uso do synchrotron torna o processoLIGA
muito caro
Alternativas tm sido desenvolvidas
Um feixe de electres colimado pode ser usado para
fabricar estruturas na ordem dos 100m de altura.
Laser capaz de definir estruturas at vrias centenas
de micrmetros de altura.