CENTRO DE TECNOLOGIA E URBANISMO

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA EL

ETRICA
2ELE050 - INTRODUC

AO
`
A MICROLETR

ONICA
Relat orio VII - Circuitos amplicadores com transistores JFET
Professor: Leonimer Flavio de Melo
Alunos: Jeerson dos Santos Ambr osio
Ricardo Vertuan Santos
Sergio Luiz Sambugari Junior
Relatorio relativo `a disciplina de In-
trodu cao `a Microeletronica.
Experimento(s) realizado(s) em:
30/05/2014.
Turma: 1012.
Londrina, 7 de junho de 2014
Sumario
1 RESUMO 3
2 TEORIA 4
2.1 Transistor JFET - Modelo para pequenos sinais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.2 Curcuito JFET com polariza cao xa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.3 Circuito JFET com divisor de tensao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
3 METODOLOGIA EXPERIMENTAL 7
3.1 MATERIAIS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
3.2 M

ETODOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
3.2.1 Atividade 1 - Circuito amplicador com autopolarizacao . . . . . . . . . . 7
3.2.2 Atividade 2 - Circuito amplicador com polarizacao por divisor de tensao 7
4 RESULTADOS E AN

ALISE DE DADOS 9
4.1 Atividade 1 - ... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
4.2 Atividade 2 - Circuito amplicador com polarizacao por divisor de tensao . . . . 9
5 DISCUSS

OES E CONCLUS

OES 15
REFER

ENCIAS BIBLIOGR

AFICAS 16
1 RESUMO
Neste relatorio serao apresentados os dados referentes `a simula cao de duas formas de pola-
rizacao de transistores JFET, denominadas de conguracao com autopolarizacao e polarizacao
por divisor de tensao.
3
2 TEORIA
A seguir, serao expostos alguns conceitos utilizados e obtidos durante o experimento.
2.1 Transistor JFET - Modelo para pequenos sinais
A analise CA de um circuito que utiliza dispositivos FET requer o desenvolvimento de um
modelo CA de pequeno sinal para o dispositivo. Um dos principais componemtes de modelo
reete o fato de a tensao CA aplicada aos terminais do gate e do source controlar a corrente de
drain. A rela cao entre estas variacoes e denida matematicamente pela equacao 1.
g
m
=
I
D
V
GS
(1)
Este e um dos principais parametros que dene o valor do ganho do circuito para pequenos
sinais. Com o valor de g
m
facilmete podemos calcular o ganho de tensao tendo como base o
circuito equivalente para o JFET visto na gura 1.
Figura 1 - Equivalente CA para o JFET.
2.2 Curcuito JFET com polarizacao xa
O circuito do JFET com polarizacao ca e apresentado na gura 2, e fazendo uso do
equivalente para pequenos sinais da gura 1 podemos redesenhar o circuito para o visto na
gura ??.
Figura 2 - Circuito JFET com autopolariza cao.
4
Figura 3 - Circuito JFET com autopolariza cao com equivalente para o JFET.
Para esta analise de pequenos sinais, os capacitores sao substituidos por um curto e a fonte
de tensao constante e anulada. Feito isso facilmete podemos denir os parametros de interesse
para a analise CA, tais como: a impedancia de entrada Z
i
, impedancia de sada Z
o
e ganho de
tensao A
v
.

Z
i
= R
G
Z
o
= r
d
//R
D
R
D
A
v
= g
m
(r
d
//R
D
) g
m
R
d
(2)
As duas aproxima coes foram feitas considerando r
d
10R
D
.
2.3 Circuito JFET com divisor de tensao
A congura cao com divisor de tensao e mais comum em circuitos com TBJ, mas nada
impede que selam aplicadas aos JFET. O circuito pode ser visto na gura ??.
Figura 4 - Circuito JFET com divisor de tensao.
Fazendo as mesma analise para este circuito, onde as fontes de tensao contnuas foram
substtuidas por um curto-circuito, juntamente com os capacitores. O circuito resultante e
apresentado na gura 5.
5
Figura 5 - Equivalente CA do JFET com divisor de tensao.
Feito isso facilmete podemos denir os parametros de interesse para a analise CA, tais
como: a impedancia de entrada Z
i
, impedancia de sada Z
o
e ganho de tensao A
v
.

Z
i
= R
1
//R
2
Z
o
= r
d
//R
D
R
D
A
v
= g
m
(r
d
//R
D
) g
m
R
d
(3)
Assim como no caso com autopolariza cao, os valores de Z
o
e de A
v
foram aproximados conside-
rando r
d
10R
D
. Atente para o fato de que as esqua coes de Z
o
e de A
v
serem as mesmas. A
unica diferenca e a equacao da impedancia de entrada Z
i
.
6
3 METODOLOGIA EXPERIMENTAL
A seguir, serao apresentados os materiais e os metodos empregados durante o experimento.
3.1 MATERIAIS
Para o desenvolvimento das atividades propostas foram utilizados os equipamentos e com-
ponentes listados abaixo. Como este experimento consistiu em uma simula cao, todos os itens
listados abaixo sao virtuais.
Gerador de fun coes;
Fonte de tensao AC e DC;
Osciloscopio digital;
Transistores J2N5457 (JFET);
Resistores e capacitores variados.
3.2 M

ETODOS
Este experimento consistiu na analise de dois circuitos amplicadores com JFET, com
polariza cao xa e com polarizacao por divisor de tensao.
3.2.1 Atividade 1 - Circuito amplicador com autopolarizacao
Para a realizacao desta atividade foi simulado o circuito visto na gura ??. Primeiramente,
foram encontrados os valores de I
DSS
e V
P
do transistor J2N5457 utilizado. Em seguida, foram
calculados os valores de V
GS
e I
D
quiescente.
3.2.2 Atividade 2 - Circuito amplicador com polariza cao por divisor de tensao
Nesta atividade foi simulado um circuito amplicador com JFET polarizado por divisor de
tensao, mostrado na gura 6.
Figura 6 - Circuito amplicador polarizado por divisor de tensao.
7
Primeiramente, foram encontrados os valores de I
DSS
e V
P
do transistor J2N5457 utilizado.
Em seguida, foram calculados os valores de V
GS
e I
D
quiescente, sendo que:
0, 5 V
P
< V
GS
Q
< 0, 75 V
P
(4)
A partir dos valores quiescentes obtidos, foram encontrados os valores de R2 e R4 utilizados
na simulacao. Para a analise em pequenos sinais, foi considerado um ganho desejado de A
V
=
10.
Apos, foram realizadas simulacoes com diferentes frequencias para o sinal de entrada, e ava-
liado o sinal de sada do circuito, sobre a carga R5 de 1 [M], com rela cao ao ganho. Tambem
foi analisado o ganho do circuito com uma frequencia de entrada de 1 [kHz] e diferentes cargas.
Os resultados obtidos sao mostrados na secao a seguir.
8
4 RESULTADOS E AN

ALISE DE DADOS
Nesta se cao serao apresentados e discutidos os resultados obtidos pelas simulacoes realiza-
das.
4.1 Atividade 1 - ...
...
4.2 Atividade 2 - Circuito amplicador com polarizacao por divisor de tensao
Nesta atividade foi avaliado o circuito da gura 6, um amplicador com polarizacao por
divisor de tensao.
Inicialmente, foram encontrados os valores de I
D
e V
GS
quiescente. Para o transistor JFET
J2N5457, foram encontrados os seguintes valores:

V
P
= 1, 3 [V ],
I
DSS
= 2, 2273 [mA]
(5)
Pedia-se entao, que o valor de V
GS
Q
estivesse entre 0,5 V
P
e 0,75 V
P
, e escolheu-se entao
o valor de V
GS
Q
= -0,9 [V]. Com isso, pode-se calcular o valor de I
D
Q
, considerando R2 = 10
[k], segundo a equa cao:
I
D
Q
=
V
R3
R3
=
V
G
V
GS
Q
R3
= 1, 3228 [mA] (6)
Apos, calculou-se a transcondutancia para pequenos sinais, pela equacao:
g
m
= 2
I
DSS
|V
P
|

1
V
GS
Q
V
P

= 1, 0543 [mS] (7)

Tambem para os calculos de pequenos sinais, considerou-se r
d
>> 10 R
D
, e como o ganho
desejado era 10, calculou-se o valor de R
D
:
R
D
=
A
V
g
m
= 9484 [] (8)
Com todos os parametros do circuito calculados, fez-se entao a simula cao do circuito da
gura 6, para uma entrada senoidal de 300 [mV] de tensao de pico.
Inicialmente, fez-se medicoes das formas de onda de entrada e sada do circuito, sendo a
sada o sinal sobre o resistor de carga R5 = 1 [M], para diferentes frequencias. Os sinais obtidos
sao mostrados abaixo.
9
Figura 7 - Formas de onda de tensao de entrada e sada para f
in
= 10 [Hz].
Figura 8 - Formas de onda de tensao de entrada e sada para f
in
= 100 [Hz].
Figura 9 - Formas de onda de tensao de entrada e sada para f
in
= 1 [kHz].
Figura 10 - Formas de onda de tensao de entrada e sada para f
in
= 100 [kHz].
10
Figura 11 - Formas de onda de tensao de entrada e sada para f
in
= 1 [MHz].
Figura 12 - Formas de onda de tensao de entrada e sada para f
in
= 100 [MHz].
Figura 13 - Formas de onda de tensao de entrada e sada para f
in
= 1 [GHz].
A tabela abaixo mostra o ganho para cada uma das frequencias especicadas.
Tabela 1 - Ganho para diferentes frequencias, com R5 = 1[M]
Frequencia [Hz] 10 100 1k 100k 1M 100M 1G
V
pp
entrada [V] 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6
V
pp
sada [V] 0,5586 4,0907 10,3898 11,0297 11,0127 1,4746 0,9594
Ganho 0,9310 6,8178 17,3163 18,3828 18,3545 2,4577 1,5990

E possvel observar pelas formas de onda e pelos dados na tabela 1 que o circuito ampli-
cador considerado funciona muito bem para frequencias entre 1 [kHz] e 1 [MHz], com o sinal de
sada em oposicao de fase em rela cao ao sinal de entrada, e ganho maior que o esperado. Ja para
frequencias muito baixas e muito elevadas, o circuito amplicador perde suas caractersticas,
11
inserindo um oset indesejado, distorcendo a onda e ate mesmo atenuando o sinal de sada, em
relacao ao sinal de entrada.
Em seguida, fez-se uma breve varredura da carga, variando o valor de resistencia para
uma frequencia de entrada de 100 [kHz], ja vista como otima para este circuito, com a mesma
amplitude de 300 [mV] de tensao de pico. As formas de onda obtidas sao mostradas abaixo.
Figura 14 - Formas de onda de tensao de entrada e sada para R5 = 100 [].
Figura 15 - Formas de onda de tensao de entrada e sada para R5 = 1 [k].
Figura 16 - Formas de onda de tensao de entrada e sada para R5 = 10 [k].
12
Figura 17 - Formas de onda de tensao de entrada e sada para R5 = 100 [k].
Figura 18 - Formas de onda de tensao de entrada e sada para R5 = 1 [M].
Novamente, fez-se uma tabela para mostrar o ganho para cada uma das cargas especicadas.
Tabela 2 - Ganho para diferentes resistencias de carga, com F
in
= 100[kHz]
RL [] 100 1k 10k 100k 1M
V
pp
entrada [V] 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6
V
pp
sada [V] 0,12 1,075 5,75 10,2 11,1
Ganho 0,2 1,7917 9,5833 17 18,5
E, por m, esbocou-se o graco do ganho em funcao das diferentes resistencias de carga.
Figura 19 - Ganho em fun cao da carga R5.
13
Aqui e possvel ver que conforme aumenta-se a resistencia de carga, o circuito amplicador
tem seu ganho aumentado, pois com cargas elevadas, a corrente exigida ao amplicador e menor,
e a tensao sobre a carga aumentada, fato que favorece o desempenho do circuito amplicador
com polarizacao por divisor de tensao.
14
5 DISCUSS

OES E CONCLUS

OES
...
15
Referencias
[1] A. Malvino, Eletronica. Makron Books, 4 ed., 2007.
[2] A. Sedra, Microeletronica. Makron Books, 5 ed., 2010.
[3] R. Boylestad, Dispositvos Eletr onicos e Teoria de Circuitos. Pearson, 11 ed., 2013.
16