316M

Universidade Federal de Minas Gerais
Escola de Engenharia
Programa de Ps-Graduao em Engenharia Eltrica

Projeto de um sistema fotovoltaico autnomo de
suprimento de energia usando tcnica MPPT e controle
digital

Julio Igor Lpez Seguel

Dissertao submetida banca examinadora designada pelo
Colegiado do Programa de Ps-Graduao em Engenharia
Eltrica da Universidade Federal de Minas Gerais, como
parte dos requisitos necessrios obteno do grau de
Mestre em Engenharia Eltrica.

Orientador: Prof. Dr. Seleme Isaac Seleme Junior
Co-orientador: Prof. Dr. Pedro Francisco Donoso Garcia

Belo Horizonte, Agosto de 2009

Dedico este trabajo y todo el esfuerzo puesto en
su desarrollo, a mis seres queridos, por tener la fuerza
para lidiar con la tristeza de nuestra difcil separacin,
en especial a mi gran amor Maribel, a mis hijos Julio,
Lucianno y Sofa, a mis hermanos Jose Luis y Carolina,
a mi padre Luis, a mi ta Yolanda, y a mi querida
abuelita Ana que me acompaa desde el cielo.

Agradecimentos

Agradeo Universidade Federal De Minas Gerais por ter me aceitado no seu Programa
de Ps-Graduao em Engenharia Eltrica.

Aos professores do GEP pela colaborao no desenvolvimento deste trabalho, em
especial ao professor Porfrio Cabaleiro Cortizo, por todo o seu tempo dispensado,
orientao, e grande ajuda prestada no desenvolvimento da bancada experimental.

Aos professores Pedro Donoso Garcia e Isaac Seleme Junior por haver tido sempre uma
excelente disposio para me ajudar nos momentos que precise deles.

Texas Instruments pela sua colaborao no fornecimento do DSP TMS320F2812.

A meus colegas de laboratrio, Douglas, Igor, Helbert e Ruben por a acolhida e bons
momentos compartilhados, que fizeram de minha estada no Brasil ainda mais grata.

Universidad Arturo Prat de Iquique e ao Programa MECESUP do Governo de Chile por
ter financiado esse trabalho.

i
Sumrio

Resumo ...............................................................................................................................iv

Abstract................................................................................................................................vi

Lista de smbolos............................................................................................................... viii

Lista de Abreviaes ......................................................................................................... xiii

Captulo 1: Introduo ......................................................................................................... 1

1.1 Motivao ...................................................................................................................... 1
1.1.1 O caso de Brasil...................................................................................................... 1
1.1.2 O caso de Chile ..................................................................................................... 3
1.3 Objetivos........................................................................................................................ 4
1.3.1 Objetivos gerais ...................................................................................................... 4
1.3.2 Objetivos especficos.............................................................................................. 4

Captulo 2: Elementos de um sistema de gerao de energia eltrica fotovoltaica ............ 6

2.1 Introduo...................................................................................................................... 6
2.2 Sistemas fotovoltaicos isolados..................................................................................... 7
2.3 Painel fotovoltaico.......................................................................................................... 9
2.3.1 Principio de funcionamento de uma clula fotovoltaica de silcio........................... 9
2.3.2 Modelo eltrico equivalente de uma clula fotovoltaica........................................ 12
2.3.3 Caractersticas eltricas dos painis fotovoltaicos ............................................... 14
2.3.4 Efeitos dos fatores meteorolgicos nas caractersticas eltricas dos................... 16
mdulos fotovoltaicos .................................................................................................... 16
2.3.5 Efeito das resistncias instrnsecas nas caractersticas eltricas dos mdulos
fotovoltaicos................................................................................................................... 18
2.4 Conversores Estticos................................................................................................. 19
2.4.1 Conversores Estticos CC-CC ............................................................................. 20
2.5 Baterias........................................................................................................................ 21
2.5.1 Conceitos bsicos de uma bateria de chumbo cido ........................................... 22
2.5.2 Processo de carga................................................................................................ 28
2.5.3 Modelos para uma bateria .................................................................................... 29
2.5.4 Dispositivo de desconexo por Baixa Tenso...................................................... 32
2.5.5 Dispositivo de bloqueio de Corrente Reversa....................................................... 32
2.6 Concluses.................................................................................................................. 33

Captulo 3: Dimensionamento do sistema fotovoltaico...................................................... 35

3.1 Introduo.................................................................................................................... 35
3.2 Determinao do consumo da residncia ................................................................... 36
3.3 Nveis de radiao solar da localidade........................................................................ 36
3.4 Dimensionamento do arranjo fotovoltaico ................................................................... 37
3.5 Dimensionamento do banco de baterias ..................................................................... 40
3.6 Modelo do painel fotovoltaico ...................................................................................... 42
3.7 Escolha da topologia do conversor CC-CC................................................................. 45
3.8 Dimensionamento do conversor Buck ......................................................................... 47
3.8.1 Determinao do indutor ...................................................................................... 49
3.8.2 Calculo fsico do indutor de filtragem.................................................................... 51

ii
3.8.3 Determinao do capacitor de sada do Buck ...................................................... 63
3.8.4 Determinao do capacitor Ci de entrada do Buck .............................................. 65
3.8.5 Determinao do Mosfet....................................................................................... 68
3.8.6 Determinao do diodo do Buck........................................................................... 71
3.8.7 Clculo trmico dos semicondutores.................................................................... 72
3.8.8 Eficincia do conversor Buck................................................................................ 75
3.8.9 Eficincia do conversor para outras topologias .................................................... 76
3.10 Concluses................................................................................................................ 80

Captulo 4: Tcnicas de rastreamento do ponto de mxima potncia............................... 81

4.1 Introduo.................................................................................................................... 81
4.2 Tcnica Tenso constante (CV) .................................................................................. 83
4.3 Tcnica Perturba e Observa (P&O)............................................................................. 92
4.4 Tcnica Condutncia Incremental (IncCond) ............................................................ 100
4.5 Comparao entre as tcnicas .................................................................................. 108
4.6 Resultados da simulao........................................................................................... 111
4.7 Concluses................................................................................................................ 113

Captulo 5: Controle de carga baseado no conversor Buck ............................................ 114

5.1 Introduo.................................................................................................................. 114
5.2 Estratgia de controle do carregador ........................................................................ 116
5.3 Modelagem de conversores estticos ....................................................................... 118
5.3.1 Equaes do espao de estado.......................................................................... 118
5.3.2 Modelagem do conversor Buck .......................................................................... 121
5.4 Projeto dos compensadores analgicos.................................................................... 130
5.4.1 Definio dos tipos de compensadores.............................................................. 131
5.4.2 Projeto da malha de controle de corrente........................................................... 139
5.4.3 Projeto da malha de controle de tenso ............................................................. 144
5.5 Simulaes do sistema contnuo............................................................................... 148
5.6 Discretizao dos compensadores............................................................................ 151
5.7 Concluses................................................................................................................ 156

Captulo 6: Resultados experimentais ............................................................................. 158

6.1 Introduo.................................................................................................................. 158
6.2 Prottipo do carregador de baterias .......................................................................... 158
6.3 Arranjo fotovoltaico.................................................................................................... 160
6.4 Banco de baterias. ..................................................................................................... 161
6.5 Medies das tenses e correntes............................................................................ 162
6.5.1 Medio da tenso e corrente do arranjo fotovoltaico........................................ 162
6.5.2 Medio da tenso e corrente no banco de baterias.......................................... 164
6.6 Algoritmo MPPT implementado em DSP................................................................... 166
6.6.1 Ensaio do desempenho do algoritmo MPPT ...................................................... 169
6.6.2 Resultado dirio.................................................................................................. 171
6.7 Ensaio de carregamento do banco de baterias ......................................................... 174
6.8 Concluses................................................................................................................ 176

Captulo 7: Concluses gerais e propostas de continuidade........................................... 177

Referncias bibliogrficas................................................................................................ 180

Apndice.......................................................................................................................... 186

iii
A) Procedimento de ajuste do painel fotovoltaico............................................................ 186
B) Modelagem do conversor Buck................................................................................... 190
B.1) Modelo mdio do conversor ................................................................................. 190
B.2) Modelo linearizado do conversor Buck ................................................................ 197
C) Modulao por largura de pulso ................................................................................. 201
D) Rotina para simulao do painel implementada em Matlab ....................................... 202
E) Radiao solar horria mdia mensal......................................................................... 203

iv
Resumo

O presente trabalho apresenta o projeto de um carregador de baterias de chumbo cido
para aplicaes em sistemas fotovoltaicos autnomos de baixo consumo de energia, a partir
de um conversor de potncia tipo Buck, com controle digital para o processo de
carregamento por meio de um processador digital de sinais TMS320F2812 de Texas
Instruments.

Para auxiliar o dimensionamento dos componentes do conversor de potncia foi
simulado o arranjo fotovoltaico, ajustados seus parmetros ao de um mdulo comercial, os
resultados obtidos mostraram a concordncia das curvas caractersticas simuladas e
aquelas fornecidas pelo fabricante.

Visando maximizar a energia produzida pelos painis fotovoltaicos utilizada uma
tcnica de rastreamento do ponto de mxima potncia (MPPT - maximum power point
tracking). Para a escolha da tcnica MPPT foi realizado um estudo comparativo das trs
tecnicas mais utilizadas: tenso constante (CV - Constant Voltage), perturbao e
observao (P&O - Perturbation and Observation) e condutncia incremental (IncCond -
Incremental Conductance). A anlise foi feita atravs de simulaes que consideraram
diversas condies de operao do arranjo fotovoltaico.

So propostas baterias eletroqumicas para o armazenamento da energia eltrica
convertida pelos painis fotovoltaicos. Ao analisar as curvas de tenso e de corrente de uma
bateria, percebe-se a necessidade de uma elaborada estratgia de controle para
providenciar o carregamento. Deseja-se carregar completamente as baterias, dentro de
seus limites, o mais rpido possvel j que o perodo dirio de gerao de energia
fotovoltaica limitado. Para garantir o carregamento completo, rpido e seguro das baterias
uma estratgia de controle diferenciada para o conversor Buck apresentada. Na condio
de bateria descarregada, importante que o arranjo de mdulos fotovoltaicos funcione no
ponto de mxima potncia, para aplicar o maior valor de corrente s baterias visando
carreg-las o mais rpido possvel. Quando a tenso da bateria atingir o valor mximo
permitido pelo fabricante (tenso de equalizao), o carregamento deve continuar a tenso
constante com limitao de corrente para evitar danos da bateria pela formao excessiva
de gs.

v
Para o conversor Buck apresentada a tcnica das variveis mdias no espao de
estado para a obteno de um modelo linear, vlido para pequenas variaes em torno do
seu ponto de operao no estado permanente. Com esse modelo foram obtidas as funes
de transferncia necessrias para o projeto dos compensadores analgicos, os quais foram
digitalizados atravs de tcnicas de discretizao visando manter um desempenho
semelhante.

Resultados de simulaes obtidas com o programa Matlab, bem como resultados
experimentais obtidos com um prottipo implementado no laboratrio so usados para testar
o desempenho do carregador, e seus compensadores.

vi
Abstract

This work presents the design and development of a battery charger aiming at
applications in autonomous photovoltaic systems of low energy consumption, using a Buck
type converter with digital control for the loading process based on a digital signal processor
TMS320F2812 from Texas Instruments.

In order help dimensioning the converter components the photovoltaic set was simulated,
its parameters were adjusted according to a commercial module and the results showed
similarity with the characteristic curves provided by the manufacturer.

Aiming at the maximum energy produced by the photovoltaic panels, thus reducing the
charging cycle, a maximum power point tracking MPPT technique was used. In order to
choose the most adequate approach, a comparative study was carried on with the three
most used MPPT techniques: Constant Voltage - CV, Perturbation and Observation P&O
and Incremental Conductance IncCond. The analysis was made based on simulations
which have taken into account varied operation conditions of the photovoltaic set.

Electrochemical batteries are the ones proposed for the converted photovoltaic energy
storage. Through the analysis of the voltage and current curves of such batteries, it is clear
that one needs an elaborated control strategy in order to provide an adequate charging
cycle. It is desired to completely charge the batteries, within its specified limits, as fast as
possible, once the daily generation period is limited. In order to guarantee a complete, fast
and secure charge of the batteries, a differentiated control strategy for the Buck converter is
presented. When starting the charging process with the batteries discharged, it is desired
that the photovoltaic modules operate at their maximum power, so that the batteries will
charge as fast as possible. When the battery voltage reaches the maximum specified value
(equalizing voltage), the charging process must go on with this constant voltage level and
with current limitation in order to avoid damages to the battery due to excessive gas
production.

A linear model for the Buck converter is obtained, based on state space averaged
variables, valid for small signal perturbation around a given operating point. With this model,
transfer functions were obtained, which were used for the design of the analogical
compensators, which were digitalized through appropriate discrete time approaches.

vii
Simulation results obtained using Matlab, as well as experimental tests made in a
prototype developed in laboratory, were carried on in order to validate the project and test
the charger performance.

viii
Lista de smbolos

con
A rea do condutor
e
A rea efetiva da perna central do ncleo.
Skin
A rea do condutor que minimiza o efeito pelicular
isol Skin
A
+
rea do condutor mais a camada de isolamento
total
A rea total ocupada pelos condutores
w
A rea da janela onde situado o enrolamento.
max
B Mxima densidade de fluxo magntico
C Capacitor da sada do Buck
ds
C Capacitncia dreno-source
gd
C Capacitncia gate-dreno do Mosfet
in
C Capacitor da entrada do Buck
iss
C Capacitncia de entrada do Mosfet
gs
C Capacitncia gate-source do Mosfet
oss
C Capacitncia de sada do Mosfet
rss
C Capacitncia de transferncia do Mosfet
D Ciclo de trabalho
min
D Ciclo de trabalho mnimo
G
E Energia do band-gap do material da clula fotovoltaica
f Freqncia de chaveamento
p
f Freqncia de um polo
u
F Fator de ocupao do cobre dentro do carretel.
z
f Freqncia de um zero
G Ganho algoritmo tenso constante
I
G Compensador analgico de corrente
id
G Funo de transferncia do ciclo de trabalho em relao corrente no indutor
iP
G Funo de transferncia corrente de carga em relao corrente no indutor
iPV
G Funo de transferncia tenso de entrada em relao corrente no indutor

ix
MCF
G Funo de transferncia do lao interno de corrente em malha fechada
oi
G Funo de transferncia corrente do indutor em relao tenso de sada
V
G Compensador analgico de tenso
voi
G Funo de transferncia tenso de sada - referncia de corrente
1
H Funo de transferncia do ganho sensor de corrente
2
H Funo de transferncia do ganho sensor de tenso
4 2
SO H cido sulfrico
I Corrente fornecida pelo painel ao circuito externo
BULK
I Corrente de carga profunda
dia
I Consumo dirio de corrente
diaCorr
I Consumo dirio de corrente corrigida
L
I Corrente quiescente do indutor
Lpico
I Corrente pico pelo indutor
Lrms
I Corrente eficaz pelo indutor
max
I Corrente de mxima potncia
O
I Corrente de sada mdia
max O
I Corrente de sada mdia mxima
P
i Perturbao de corrente de carga
ph
I Corrente fotogerada
r
I Corrente de saturao reversa
ref
i Referncia de corrente
rr
I Corrente de saturao reversa na temperatura de referncia
SC
I Corrente de curto-circuito da clula
TC
I Corrente de flutuao
total
I Consumo total de corrente
max
J Mxima densidade de corrente eltrica no cobre do fio
k Constante de Boltzmann
f
K Coeficiente de perdas por correntes parasitas
h
K Coeficiente de perdas por histerese

x
M
K Funo de transferncia do modulador PWM
1
k Fator de tenso,
L Indutncia do Buck
gap
l Comprimento do entreferro
N Nmero de espiras
n Fator de idealidade
condutores
n Nmero de condutores
P
n Nmero de clulas conectadas em paralelo do painel fotovoltaico
S
n Nmero de clulas conectadas em srie do painel fotovoltaico
arranjo
P Potncia fornecida pelo arranjo fotovoltaico
aut
P Potncia autonomia
Pb Chumbo
2
PbO Dixido de chumbo
4
PbSO Sulfato de chumbo
ds
Pc Perdas pelo descarregamento da capacitncia dreno-source do Mosfet
chav
P Perdas de chaveamento do Mosfet
cobre
P Perdas no cobre do indutor
cond
P Perdas de conduo do Mosfet
diodo
P Perdas de conduo do diodo Schottky
min
P Potncia mnima do gerador
Corr
P
min
Potncia mnima do gerador corrigida
mosfet
P Perdas totais no Mosfet
nucleo
P Perdas magnticas no indutor
t
P Perdas totais no semicondutor
q Carga do eltron
CD
R Resistncia trmica de contato entre o semicondutor e o dissipador
cobre
R Resistncia do enrolamento
DA
R Resistncia trmica dissipador-ambiente
) (on ds
r Resistncia dreno-source na conduo do Mosfet

xi
jC
R Resistncia trmica juno-cpsula
L
R Perdas hmicas no indutor
P
R Resistncia intrnseca paralelo do painel fotovoltaico
S
R Resistncia intrnseca srie do painel fotovoltaico
SE
R Resistncia srie equivalente do capacitor
T
r Resistncia de conduo direta do diodo
S Radiao incidente.
SP Nmero de horas de sol pleno
T Temperatura da clula
A
T Temperatura ambiente
a
T Perodo de amostragem das tcnicas MPPT
ca
T Perodo de conexo-desconexo do arranjo fotovoltaico
C
T Temperatura do encapsulamento
D
T Temperatura do dissipador
j
T Temperatura da juno
r
T Temperatura de referncia
S
T Perodo de amostragem
V Tenso fornecida pelo painel ao circuito externo
C
V Tenso quiescente do capacitor
CHGENB
V Valor limite de tenso
e
V Volume magntico efetivo do ncleo
f
V Queda de tenso no diodo na conduo
FLOT
V Tenso de flutuao
i
V Tenso mdia de entrada
max i
V Tenso mdia mxima de entrada
max
V Tenso de mxima potncia
O
V Tenso mdia de sada
OC
V Tenso de circuito aberto
OCH
V Tenso de equalizao

xii
min O
V Tenso mdia mnima de sada
ref
v Referncia de tenso
max ref
V Tenso de referncia de mxima potncia
PV
V Entrada de tenso para a modelagem do conversor
L
W Energia a armazenar no indutor
max L
W Mxima energia a armazenar no indutor
Avano de fase
T
Coeficiente de temperatura da corrente de curto-circuito
Profundidade de penetrao
B Excurso da densidade de fluxo magntico (Tesla).
L
i Ondulao de corrente no indutor
in
Q Variao de carga do capacitor de entrada do Buck
V Tamanho da perturbao das tcnicas P&O e IncCond
cap O
V
,
Ondulao de tenso no capacitor provocada pela variao de carga
RSE O
V
,
Ondulao de tenso provocada pela resistncia srie equivalente
W Faixa de tolerncia algoritmo IncCond.
Eficincia esperada para o conversor Buck
e
Permeabilidade relativa equivalente do ncleo
0
Permeabilidade do ncleo
r
Permeabilidade relativa do ncleo
fio
Resistividade do fio
Retardo devido ao processo de digitalizao

xiii
Lista de Abreviaes

A/D Conversor analgico Digital
AM Air mass
CEPEL Centro de referncia para energia solar e elica
CV Constant Voltage
DSP Digital Signal Processor
ESR Resistncia parasita srie do capacitor do Buck
FF Fator de forma
IEC International Electrotechnical commission
IncCond Incremental Conductance
LRV Load Reconnection Voltage
LVD Load Voltage Disconnection
MPP Ponto de mxima potncia
MPPT Rastreamento do ponto de mxima potncia
NOCT Normal operating cell temperature
P&O Perturbation and Observation
PWM Pulse Width Modulation
STC Standard test condition

1
Captulo 1

Introduo

1.1 Motivao

1.1.1 O caso do Brasil

O constante desenvolvimento do setor industrial mundial, e o aumento na utilizao de
equipamentos eltricos numa diversidade de atividades humanas fizeram com que a
demanda por energia eltrica aumentasse em forma exponencial nas ltimas dcadas. Este
aumento na demanda no foi acompanhado da mesma taxa de investimentos no setor de
gerao de energia eltrica, o que provocou que alguns pases tenham experimentado
muitos problemas no seu sistema energtico [1].

Atualmente a matriz energtica mundial esta composta, em sua grande maioria por
combustveis fsseis. Carvo, petrleo e gs natural so os responsveis por 80% da
gerao mundial de energia [2]. Essa grande dependncia deste tipo de energia provocou,
nas ltimas dcadas, mudanas climticas a nvel global. As emisses de gases poluentes
como o dixido de carbono, resultante da combusto de combustveis de origem fsseis,
tem provocado o aquecimento da atmosfera (efeito estufa). Alem disso, os combustveis
fsseis so fontes de energia no renovveis. As reservas destas fontes de energia vo se
esgotar em algum momento, s resta saber quando.

Estes problemas lograram chamar a ateno da sociedade, assim governos de diversos
pases comearam a desenvolver medidas para tentar parar o aumento indiscriminado do
uso de combustveis fsseis, e incentivar o uso de fontes alternativas renovveis. Um
exemplo o protocolo de Kyoto, o qual obriga a pases desenvolvidos a reduzir as emisses
de gs carbnico em pelo menos 5.2% at o ano 2012, em relao aos nveis alcanados
em 1990. A comunidade cientifica tambm esta contribuindo ativamente soluo do
problema da energia eltrica, por quanto tem sido feito um grande esforo na busca de
formas alternativas e ecologicamente corretas de produzir energia.

Captulo 1 Introduo
2
Dentre as fontes alternativas, se destaca sem dvida a energia solar fotovoltaica, por ser
uma das fontes primrias menos poluentes, alm disso, tambm se destaca por ser uma
fonte silenciosa, modular, necessitar de pouca manuteno, possuir prazos de instalao e
operao muito pequenos [3], provocar impacto ambiental quase nulo e poder ser facilmente
integrada s construes, gerando eletricidade localmente, sem a necessidade de linhas de
transmisso que provocam perdas e alto impacto ambiental.

Porm, os altos custos dos mdulos fotovoltaicos sempre foram o principal problema
desta tecnologia. At a dcada de 70 sua utilizao era restrita a aplicaes bem
especficas, como as espaciais, onde altos oramentos eram empregados. Devido crise
gerada pelo petrleo na dcada de 70 a energia fotovoltaica comeou a receber importantes
investimentos [4], tanto do setor pblico, por meio de programas de incentivos
governamentais, como de empresas privadas que vislumbraram na energia solar
fotovoltaica uma boa oportunidade para investimentos.

Como conseqncia das polticas de investimentos na pesquisa e no desenvolvimento
dos painis fotovoltaicos, a sua produo mundial e a demanda cresceram
consideravelmente, desta forma os custos da gerao fotovoltaica de energia eltrica
diminuram significativamente [5]. Com esta reduo dos custos, os sistemas fotovoltaicos
se tornaram mais acessveis e comearam a ser utilizados principalmente em lugares
remotos e de clima inspito.

Nestes ltimos anos, o governo de Brasil desenvolveu importantes programas para a
disseminao das energias renovveis. Merece destaque o programa PRODEEM
(Programa de Desenvolvimento Energtico de Estados e Municpios), o PROINFA
(Programa de Incentivo as Fontes Alternativas) e o Programa Luz para Todos. Todos estes
programas tm como objetivo final acabar com a excluso eltrica no pas.

No cenrio mundial a maioria dos sistemas fotovoltaicos so conectados rede eltrica
convencional, porm no Brasil os programas governamentais tem priorizado a instalao de
sistemas fotovoltaicos autnomos. Estes sistemas so instalados em comunidades
eletricamente isoladas com o objetivo de utilizar a energia como vetor de desenvolvimento
social e econmico, facilitando o acesso aos servios de sade, educao, abastecimento
de gua e saneamento [6].

Captulo 1 Introduo
3
O Brasil esta situado numa zona de insolao bastante elevada [7], porm a energia
fotovoltaica ainda no bem explorada no pas. O fato que Brasil tenha muitos recursos
hdricos, incentiva a gerao de energia eltrica atravs de grandes usinas hidreltricas.
Contudo, a gerao de energia de forma centralizada, possui suas peculiaridades, uma vez
que geralmente as grandes usinas esto localizadas distante dos centros consumidores,
precisando assim de grandes linhas de transmisso, tornando economicamente invivel
levar energia a comunidades isoladas. Em tais situaes, a energia fotovoltaica assoma
como uma alternativa economicamente mais interessante, quando comparado aos custos
necessrios para a implantao de linhas de transmisso at essas comunidades.

1.1.2 O caso de Chile

Chile possui uma grande variedade de recursos naturais e atravs da produo, adio
de valor e exportao de tais recursos tem surgido como uma economia bem sucedida.
Porm, o Chile tem limitados recursos energticos de origem fssil, possuindo uma
produo interna que esta diminuindo em forma permanente e desprezvel. O pas confia
em excesso nas importaes de combustvel para satisfazer a demanda crescente de
energia, convertendo o pas em um importador nato de energia.

Por outro lado, o Chile dotado de forma abundante com recursos energticos
renovveis: hdricos, geotrmicos, elicos, e solar. Porm, uma avaliao de recursos
energticos renovveis a grande escala no foi conduzida para a elica e a solar, e em
conseqncia, nenhum esforo de planejamento energtico que considere estas fontes
renovveis tem sido at agora considerado. A energia solar raramente utilizada, limitando-
se a painis fotovoltaicos para eletricidade rural, sendo sua contribuio total matriz
energtica desprezvel. O deserto de Atacama na regio norte do pas uma das melhores
regies do mundo para aproveitamento da energia solar, baseados em dados de densidade
de energia obtidos de varias fontes. A avaliao do recurso solar no Chile data dos anos 60,
quando esforos que foram dirigidos pela Universidade Tcnica Federico Santa Maria,
levantaram dados de aproximadamente 70 pirangrafos, e dispositivos Campbell-Stokes,
abrangendo um perodo de 20 anos [55].

Nos ltimos anos a poltica chilena comeou a considerar com maior relevncia a
segurana energtica. A varivel de segurana de subministro a tomado grande
importncia, atingindo um patamar similar ao de nveis de custos. No pode-se ter energia
Captulo 1 Introduo
4
barata que no seja segura. Mas a energia solar no somente um tema de soluo
energtica, pois o desenvolvimento desta energia seria um aspecto muito positivo para
aproveitar as vantagens comparativas que tem Chile, para posicion-lo como lder em
pesquisas em energia solar, pois depois de tudo j conta com um excelente laboratrio de
provas o deserto de Atacama. Este trabalho procura em parte contribuir em esse sentido,
adquirindo conhecimento e experincia que sirvam como ponto de partida em futuras linhas
de pesquisa nesta rea no meu pas.

1.3 Objetivos

1.3.1 Objetivos gerais

Projetar, simular e implementar um carregador de baterias para um sistema
fotovoltaico autnomo de pequena potencia, utilizando um conversor Buck como
interface entre a arranjo fotovoltaico e o banco de baterias.

1.3.2 Objetivos especficos

Descrever e dimensionar os principais elementos que compem um sistema
fotovoltaico isolado de baixa potncia.

Desenvolvimento de uma rotina em Matlab, para a simulao do arranjo fotovoltaico
comercial escolhido para o sistema.

Estudo comparativo das tcnicas MPPT mais utilizadas, visando escolher a mais
eficiente para a produo de energia eltrica no sistema fotovoltaico proposto.

Apresentar uma estratgia de controle para o carregamento do banco de baterias.

Apresentar um modelo matemtico, linearizado, para o conversor Buck, por meio da
tcnica de espao de estados, obtendo-se as funes de transferncias, incluindo
perturbaes na tenso de entrada e de corrente na carga, para auxiliar o projeto das
malhas de controle.

Captulo 1 Introduo
5
Descrever a metodologia de projeto das malhas de realimentao de controle do
conversor Buck e verificar sua dinmica atravs de simulaes.

Implementao do sistema fotovoltaico proposto, incluindo o gerenciamento do
sistema de controle por meio de um processador digital de sinais TMS320F2812 de
Texas Instruments.

6
Captulo 2

Elementos de um sistema de gerao de energia
eltrica fotovoltaica

2.1 Introduo

O Brasil ainda tem um elevado nmero de comunidades sem acesso luz eltrica. Elas
esto localizadas em lugares distantes dos grandes centros urbanos e por essa razo que
os sistemas fotovoltaicos empregados so, na maioria das vezes, sistemas fotovoltaicos
autnomos de potncia reduzida destinados principalmente iluminao, refrigerao e
bombeamento de gua.

Os sistemas fotovoltaicos isolados caracterizam-se por possuir como fonte primria
apenas a energia gerada pelos painis fotovoltaicos. Assim, precisa-se de um sistema de
armazenamento da energia captada, geralmente um banco de baterias, para garantir o
fornecimento de energia durante a noite ou em perodos com baixa incidncia solar. Em
geral um sistema de energia fotovoltaico isolado est composto basicamente por um arranjo
de mdulos fotovoltaicos, um regulador de carga, uma ou mais baterias e, no caso que
existirem cargas que operam com tenso alternada, um conversor elevador e um inversor.

Um sistema fotovoltaico autnomo exige maximizao no aproveitamento da energia
solar e maximizao no armazenamento da energia de reserva, para lograr obter uma
sustentabilidade tcnica e econmica. A baixa eficincia de converso dos mdulos solares
comerciais entre 6 e 16 % [8] e o alto custo de instalao so os maiores obstculos deste
tipo de gerao. Visando aumentar a eficincia do sistema, para reduzir os custos da
energia gerada, necessrio garantir que o sistema opere o maior tempo possvel sobre o
ponto de mxima potncia dos painis. Porm, devido s caractersticas dos painis
fotovoltaicos este ponto varivel e fortemente dependente das condies atmosfricas e a
carga a alimentar [9].

Para garantir o funcionamento dos mdulos fotovoltaicos no ponto de mxima potncia,
mesmo com variaes meteorolgicas e variaes na carga, a utilizao de uma tcnica que
Captulo 2 Elementos de um sistema de gerao de energia eltrica fotovoltaica
7
Painis
Fotovoltaicos
Carregador de
Baterias/MPPT
Banco de
Baterias
Conversor
Elevador
Inversor Carga CA
procure continuamente o ponto de mxima potncia deve ser utilizada. Esses algoritmos de
controle so conhecidos como MPPT (maximum power point tracking) e podem incrementar
a energia produzida entre 15 e 30% [14].

Conhecer as principais caractersticas de um sistema fotovoltaico um dos requisitos
bsicos para o desenvolvimento de trabalhos que busquem o aprimoramento do seu
funcionamento e de seus componentes. Neste captulo se dar uma descrio dos
principais elementos que o compem, dedicando-se um estudo mais aprofundado aos
mdulos fotovoltaicos.

2.2 Sistemas fotovoltaicos isolados

Os sistemas fotovoltaicos isolados podem ser classificados de duas formas [10]:
Sistemas em Srie ou Sistemas em Paralelo, os quais se diferenciam pela forma com que o
sistema de armazenamento de energia empregado.

Em um sistema em srie (Figura 2.1), o banco de baterias colocado em srie com o
fluxo de energia. O carregador de baterias tem a funo de ajustar a tenso para carga das
baterias, alm disso, tambm procura o ponto de mxima potncia dos mdulos
fotovoltaicos. O conversor elevador aumenta a tenso do banco de baterias para o nvel
necessrio na entrada do inversor, de acordo com a tenso C.A desejada na sada do
sistema.

Figura 2.1 Diagrama de blocos de um sistema fotovoltaico isolado srie

Segundo [3], as principais desvantagens de uma configurao srie em sistemas
autnomos com banco de baterias so:

1) Que na configurao srie, toda a energia utilizada pelo sistema circula pelo banco de
baterias, diminuindo a vida til das baterias, o que aumenta os custos de manuteno do
sistema.

2) Nos sistemas fotovoltaicos residenciais, o sistema exigido a ter pelo menos trs
estgios de converso, devido a que as tenses do arranjo de painis fotovoltaicos, do
8
Painis
Fotovoltaicos
Carregador de
Baterias/MPPT
Banco de
Baterias
Conversor
Elevador
Inversor Carga CA
banco de baterias e do barramento CC so geralmente diferentes. Isto afeta
significativamente a eficincia do sistema pelo maior nmero de converses necessrias.

A configurao em paralelo tem como caracterstica principal o emprego do banco de
baterias em paralelo com o fluxo de energia do sistema (Figura 2.2). A diferena nesta
configurao que o conversor que realiza a carga do banco de baterias e o conversor
elevador de tenso no esto em srie com os demais estgios de processamento de
energia.

A reduo do nmero de estgios condicionadores de energia em srie resulta em um
aumento na eficincia global do sistema fotovoltaico [11]. Desta forma, esta configurao
possui algumas vantagens em relao configurao srie, principalmente pelo fato do
banco de baterias, aps estar completamente carregado, pode ser desconectado do
sistema, podendo a carga ser alimentada apenas pela energia gerada pelos painis
fotovoltaicos.

Figura 2.2 Diagrama de blocos de um sistema fotovoltaico isolado em paralelo.

O banco de baterias, nesta configurao, acionado apenas quando a energia gerada
pelos painis fotovoltaicos inferior demanda exigida pela carga, evitando assim cargas e
descargas desnecessrias, que acabam comprometendo a vida til do banco de baterias.

Esta configurao tambm permite um melhor controle da carga do banco de baterias e,
pelo fato de apenas a energia necessria para a recarga das baterias circula, por elas, a sua
vida til aumentada significativamente, comparada ao sistema srie. Alm disso, como a
potncia processada por este conversor durante a carga das baterias e o estgio de
elevao de tenso so diferentes, a freqncia de operao e os componentes
9
(semicondutores) utilizados em cada modo de operao so dimensionados de acordo com
a potncia processada [12], e no para a potncia nominal, como no caso da configurao
srie.

2.3 Painel fotovoltaico

No ano de 1839, Edmond Becquerel observou que a incidncia de luz em um dos
eletrodos de uma clula eletroltica originava uma tenso (e corrente eltrica) e chamou ao
fenmeno efeito fotovoltaico [17]. Posteriormente no ano 1888, Hertz observou que a
incidncia de luz ultravioleta sobre dois eletrodos provocava a ruptura do ar com uma menor
diferena de potencial entre ambos, fez algumas experincias e deduziu que os metais
emitiam cargas negativas, isto , eltrons, pela ao da luz [18].

No ano de 1873, W. Smith observou uma variao na capacidade de conduo do
selnio pelo efeito da luz. A partir desse descobrimento chamado fotocondutividade,
Siemems construiu um fotmetro, que contribuiu divulgao do novo fenmeno. Com o
selnio Fritts fez a primeira clula solar nos anos 80 daquele sculo, com 1% de eficincia
[19]. O desenvolvimento da tecnologia dos semicondutores levou a novos avanos no
campo fotovoltaico e a primeira clula solar de silcio monocristalino, com 6% de eficincia,
foi construida em 1954 por Chapin, Fuller e Pearson [20].

2.3.1 Principio de funcionamento de uma clula fotovoltaica de silcio

A clula solar, tambm conhecida como clula fotovoltaica, o elemento bsico para a
transformao da radiao eletromagntica em energia eltrica e pode ser compreendida
como um dispositivo semicondutor que produz uma corrente eltrica, quando exposta luz.

Um semicondutor a zero Kelvin possui uma banda preenchida por eltrons, chamada de
banda de valncia e uma segunda banda de nvel mais alto que est despopulada, chamada
de banda de conduo. Entre essas duas bandas existe uma banda, que os eltrons no
podem ocupar, chamada de banda proibida (gap). Para que o eltron passe da banda de
valncia para a de conduo, uma quantidade mnima de energia necessria, sendo uma
constante caracterstica para cada material. Desse deslocamento, dois tipos de portadores
de carga so formados: o eltron agora localizado na banda de conduo e uma lacuna
(positiva), onde o eltron se localizava na banda de valncia.

10
Uma propriedade fundamental para as clulas fotovoltaicas a possibilidade de ftons,
na faixa do visvel, com energia suficiente, excitar os eltrons banda de conduo. Esse
efeito, que pode ser observado em semicondutores puros, tambm chamados de
intrnsecos, no garante por si s o funcionamento de clulas fotovoltaicas. Para obt-las
necessrio uma estrutura apropriada, em que os eltrons excitados possam ser coletados,
gerando uma corrente til.

Os elementos pertencentes ao grupo IV da tabela peridica, como o silcio e o germnio,
possuem como principal caracterstica a presena de quatro eltrons de valncia que se
ligam aos vizinhos em ligaes covalentes, formando uma rede cristalina. Ao adicionar
tomos pentavalentes, como o fsforo e o arsnio, haver um eltron em excesso para
formar as ligaes covalentes, ficando fracamente ligado a seu tomo de origem. Nesse
caso, necessita-se de somente uma pequena quantidade de energia para liberar este
eltron para a banda de conduo, algo em torno de 0.02 eV. Diz-se assim que o fsforo
um dopante doador de eltrons e denomina-se dopante N. O cristal dopado chama-se N
(tipo N). Se, por outro lado, forem introduzidos elementos do grupo III da tabela peridica,
como ndio e o boro, haver falta de um eltron para satisfazer as ligaes covalentes com
os tomos de silcio da rede. Essa falta de eltron denominada buraco ou lacuna. O cristal
dopado chamado P (tipo P) e o boro considerado um aceitador de eltrons ou um
dopante P.

Atravs da unio dos cristais do tipo N e P, uma juno PN formada. Na regio da
juno se d uma difuso de eltrons do lado N para P, devido ao elevado gradiente de
concentrao. Esse deslocamento estabelece uma reduo de eltrons do lado N, tornando-
o positivo, e um acmulo de eltrons do lado P, tornando-o negativo. Surge assim um
campo eltrico na regio da juno; esse processo alcana o equilbrio, quando o campo
eltrico forma uma barreira capaz de impedir a passagem dos eltrons livres remanescentes
do lado N. A tenso total atravs da juno denominada de tenso de difuso, cerca de 1
V.

Quando a regio da unio iluminada os ftons com energia igual ou maior ao band-
gap do material semicondutor utilizado podem ser absorvidos e produzirem eltrons livres.
Ou seja que os ftons arrancam eltrons das ligaes covalentes, formando pares eltron-
lacunas que sero acelerados por efeito do campo eltrico em sentidos opostos. Este
fenmeno em essncia, o efeito fotovoltaico. A conseqncia desta separao de carga
a formao de uma diferena de potencial entre as superficies opostas da clula. Esta
tenso chamada tenso de circuito aberto.
11
Contato metlico de base
Silcio dopado tipo p
Juno pn
Silcio dopado tipo n
Contato metlico frontal
Se um condutor conecta ambas faces da clula, quando a mesma iluminada, circular
uma corrente, cuja intensidade proporcional irradincia que incide sobre a clula,
conhecida como corrente de curto circuito. A Figura 2.3 mostra a estrutura bsica desse tipo
de clula.

Figura 2.3. Clula fotovoltaica de silcio cristalino.

Ftons com energia menor que o band-gap no so absorvidos. J os que tm energia
maior podem ser absorvidos, mas o excesso de energia aquece o material ou re-emitido,
ou seja, perdido do ponto de vista da converso em energia eltrica. O espectro da
radiao solar contm ftons com energia variando de 0.5 eV, na faixa de infravermelho, at
2.7 eV, na faixa do ultravioleta, sendo que a faixa da luz visvel vai de cerca de 1.7 eV, para
a luz vermelha, at 2.5 eV, para a azul. O silcio apresenta um band-gap de 1.1 eV.
Conseqentemente, grande parte da energia incidente no aproveitada.

Outros fenmenos tambm influem na eficincia da clula:

O eltron livre liberado pela absoro do fton pode se recombinar com uma lacuna
antes de atingir os contatos eltricos. Esse processo especialmente afetado pela
presena de impurezas, de defeitos na estrutura cristalina ou de interfaces que
facilitam a recombinao;

A resistncia existente tanto no material semicondutor quanto na superfcie de
contato metlica que conecta ao circuito externo diminui a eficincia. Porm,
aument-la, visando reduzir essa resistncia, diminui a rea de absoro de luz.
Logo, h um compromisso entre esses dois fatores;
12
P
R
S
R
D
ph
I
+
_
V
I

A reflexo da radiao incidente prejudica a eficincia. Para evit-la, coberturas
antirefexivas so colocadas sobre as clulas;
A temperatura afeta o funcionamento da clula, reduzindo a eficincia medida que
aumenta. O aumento da temperatura faz com que a banda de energia do material
semicondutor diminua, resultando em um acrscimo da fotocorrente gerada, de
aproximadamente 0.1 %. Entretanto, a tenso de circuito aberto, decresce a uma
taxa de 0.3 % /C, resultando que a potncia gerada diminua em 1 % a cada 2.7 K
de elevao da temperatura [35]

2.3.2 Modelo eltrico equivalente de uma clula fotovoltaica

Para entender o comportamento eletrnico de uma clula fotovoltaica usual criar um
modelo eletricamente equivalente. O circuito mais simples equivalente de uma clula ideal
uma fonte de corrente em paralelo com um diodo, porm uma clula real apresenta perdas.
Algumas dessas perdas so representadas atravs de resistncias inseridas no modelo
eltrico da clula ideal. A resistncia em srie
S
R descreve a queda de tenso atravs de
perdas hmicas do material semicondutor, nos contatos metlicos e no contato do metal
com o semicondutor. A resistncia em paralelo,
P
R , descreve as perdas que surgem
principalmente atravs de perturbaes eltricas entre as partes da frente e de trs da
clula, assim como atravs de perturbaes pontuais na zona de transio PN.

Figura 2.4. Modelo de uma clula fotovoltaica de silcio.

Da Figura 2.4 a fonte de corrente
ph
I representa a corrente gerada a uma determinada
insolao, o diodo D, a juno P-N, I , a corrente fornecida por uma clula solar ao circuito
13
externo, V , a tenso nos terminais de sada de uma clula,
P
R e
S
R , as resistncias
paralelo e srie intrnseca da clula respectivamente.

O equacionamento do circuito da Figura 2.4 conduz expresso para a corrente de
sada da clula (2.1) [13].

( )
P
S T k n
R I V q
r ph
R
R I V
e I I I
S
+
=

+
1
(2.1)

Na qual,
r
I a corrente de saturao reversa da clula, n o fator de idealidade da
juno, q a carga do eltron, k a constante de boltzmann, T o a temperatura da clula.

A corrente de saturao reversa depende da temperatura de acordo com [14]:

(
(
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
=
T T k n
E q
r
rr r
r
G
e
T
T
I I
1 1 3
(2.2)

na qual
r
T uma temperatura de referncia,
rr
I a corrente de saturao reversa na
temperatura
r
T , e
G
E a energia do band-gap do material da clula.

A corrente
ph
I depende da radiao incidente e da temperatura conforme [14]:

( ) | |
1000
S
T T I I
r T SC ph
+ = (2.3)

Na qual
SC
I a corrente de curto-circuito da clula na temperatura e radiao padres,
T
o coeficiente de temperatura da corrente de curto-circuito da clula, e S a radiao
incidente em W/m.

14
2.3.3 Caractersticas eltricas dos painis fotovoltaicos

Uma nica clula fotovoltaica, isoladamente, tem capacidade reduzida de produo de
energia eltrica, tipicamente entre 1 e 2 W, correspondente a uma tenso de 0.5 V e uma
corrente de entre 2 e 4 A. Portanto, para atingir determinados nveis de tenso e corrente,
faz-se necessria a associao de vrias clulas, atravs de ligaes srie e paralelo,
formando os painis fotovoltaicos.

O nmero de clulas em um painel determinado pelas necessidades de tenso e
corrente da carga a alimentar. Normalmente um mdulo fotovoltaico constitudo por cerca
de 33 a 36 clulas ligadas em srie, resultando em tenso suficiente para alimentar uma
bateria de 12V.

A expresso proposta por Gow e Manning [13] descreve a equao para a corrente
fornecida por um mdulo fotovoltaico, conforme:

(
(
(
(
(
(
(
(
=

|
|
.
|
\
|
+
P
P
S
S
T k n
n
R I
n
V
q
S L P
R
n
R I
n
V
e I I n I
P
S
S
1
(2.4)

Onde:

S
n : nmero de clulas conectadas em srie do painel fotovoltaico.
P
n : nmero de clulas conectadas em paralelo do painel fotovoltaico.

Os fabricantes fornecem as especificaes dos principais parmetros de um mdulo
solar considerando a condio padro de teste (standard test condition ou STC), definida
pela norma IEC 61215: 1000 W/m de potncia luminosa incidente total, com uma
distribuio espectral conhecida como massa de ar 1.5 (air mass 1.5 ou AM 1.5) e
temperatura das clulas de 25 C. Estes parmetros so:

15
Corrente de curto-circuito (
SC
I ): o valor mximo da corrente de carga, igual,
portanto, corrente gerada por efeito fotovoltaico.

Tenso de circuito aberto (
OC
V ): o mximo valor da tenso nos terminais do mdulo
fotovoltaico, quando nenhuma carga est conectada a ele.

Ponto de Mxima Potncia (MPP): Para cada ponto na curva I-V, o produto corrente
versus tenso representa a potncia gerada para aquela condio de operao. Em um
mdulo fotovoltaico, para uma dada condio climtica, s existe um ponto na curva I-V
onde a potncia mxima pode ser alcanada. Este ponto corresponde ao produto da tenso
de potncia mxima e corrente de potncia mxima.

Tenso de mxima potncia (
max
V ): corresponde tenso no ponto de mxima
potncia.

Corrente de mxima potncia (
max
I ): corresponde corrente no ponto de mxima
potncia.

Temperatura normal de operao (NOCT): devido a que o mdulo trabalha exposto ao
sol, o fabricante fornece tambm a temperatura de operao normal da clula (normal
operating cell temperature), medida com 800 W/m de potncia luminosa incidente total,
temperatura ambiente de 20 C e vento de 1m/s.

Fator de forma (FF): definido como a relao entre a potncia no MPP e o produto da
corrente de curto-circuito vezes a tenso de circuito aberto. Valores usuais para clulas
solares ficam entre 70 e 80%. Esta uma grandeza que expressa quando a curva
caracterstica se aproxima de um retngulo no diagrama I-V.

Exemplos de curvas caractersticas tpicas I-V e P-V para um mdulo fotovoltaico nas
condies padro de testes, so apresentadas nas Figuras 2.5(a) e 2.5(b) respectivamente.
Pode-se ver que a mxima corrente fornecida pelo mdulo fotovoltaico a de curto circuito
(
SC
I ), porm, neste ponto a potncia fornecida zero, pois a tenso nos terminais de 0 V.
O mesmo ocorre no ponto em que a tenso mxima, o de circuito aberto (
OC
V ), pois nele a
corrente 0 A.

16
0 5 10 15 20 25
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V (V)
I

(
A
)
Vmax Voc
Imax
Isc
SC OC
I V
I V
FF
=
max max
0 5 10 15 20 25
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
V (V)
I

(
A
)
Vmax
Pmax
Mpp
P

(
W
)

(a) (b)

Figura 2.5. (a) Curva I-V tpica de um painel fotovoltaico. (b) Curva P-V tpica de um painel
fotovoltaico.

Percorrendo a curva caracterstica P-V no sentido da tenso crescente observa-se um
aumento linear da potncia fornecida e o mdulo tem o comportamento de uma fonte de
corrente (curva I-V). Inicialmente a corrente permanece quase constante at um ponto de
mxima potncia (MPP) no qual a diminuio exponencial da corrente pesa mais do que o
aumento linear da tenso, fazendo que a potncia diminua rapidamente, e o mdulo passa
se a comportar como uma fonte de tenso

2.3.4 Efeitos dos fatores meteorolgicos nas caractersticas eltricas dos
mdulos fotovoltaicos

As caractersticas eltricas de uma clula fotovoltaica e, portanto, de um painel
fotovoltaico, so influenciadas diretamente por dois fatores climticos: intensidade da
radiao solar e temperatura das clulas. Para o desenvolvimento de uma ferramenta que
simule as caractersticas de corrente e tenso de um mdulo fotovoltaico, o modelo
matemtico utilizado deve observar o comportamento de cada varivel sob condies de
temperatura e radiao solar diferentes das condies padres de testes (radiao solar de
1000 W/m e temperatura de 25 C).

17
0 5 10 15 20
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
(a)
Tenso (V)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

0 5 10 15 20
10
20
30
40
50
(b)
Tenso (V)
P
o
t
n
c
i
a

(
W
)

1000 W/m
800 W/m
600 W/m
1000 W/m
800 W/m
600 W/m
2.3.4.1 Efeito produzido pela radiao Solar

Com a variao da intensidade de radiao solar incidente em um painel fotovoltaico
ocorre uma variao proporcional na corrente gerada por este painel. A tenso de circuito
aberto sofre poucas alteraes com a variao da intensidade luminosa, exceto para os
casos quando a radiao solar muito baixa. Assim, com a diminuio da radiao
incidente ocorre um deslocamento para baixo do ponto de mxima potncia. Um exemplo de
curvas I-V para vrias densidades de potncia luminosa incidente mostrado na Figura
2.6(a) enquanto um exemplo de curvas P-V para vrias densidades de potncia luminosa
incidente mostrado na Figura 2.6(b).

Figura 2.6. Curvas caractersticas de um painel fotovoltaico para vrias densidades de potncia
incidente e temperatura do mdulo igual a 25 C. (a) Curva I-V (b) Curva P-V.

2.3.4.2. Efeito produzido pela temperatura

Ao contrrio do caso anterior, a corrente gerada pelo mdulo fotovoltaico apresenta
poucas variaes com a alterao da temperatura da clula fotovoltaica, porm, com o
aumento da temperatura da clula, a tenso de circuito aberto do mdulo fotovoltaico
apresenta uma diminuio em seus valores muito mais significativa, em conseqncia com
o aumento da temperatura, alm de ocorrer um deslocamento para baixo do ponto de
mxima potncia, este tambm deslocado significativamente esquerda. Um exemplo de
curvas I-V para vrias temperaturas do painel mostrado na Figura 2.7(a), enquanto um
exemplo de curvas P-V para vrias temperaturas do painel apresentado na Figura 2.7(b).
18
0 5 10 15 20
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
(a)
Tenso (V)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

0 5 10 15 20
10
20
30
40
50
(b)
Tenso (V)
P
o
t
n
c
i
a

(
W
)

25 C
45 C
65 C
25 C
45 C
65 C

Figura 2.7. Curvas caractersticas de um painel fotovoltaico para vrias temperaturas e radiao
incidente de 1000 W/m. (a) Curva I-V. (b) Curva P-V.

2.3.5 Efeito das resistncias instrnsecas nas caractersticas eltricas dos
mdulos fotovoltaicos

O valor da resistncia srie intervm na inclinao da curva I-V aps o ponto de mxima
potncia, ou seja, quando o mdulo passa se a comportar como fonte de tenso (Figura
2.8a). O aumento de Rs produze o deslocamento para baixo e para a esquerda do ponto de
mxima potncia na curva P-V do painel (Figura 2.8b). A resistncia paralelo regula a
inclinao antes do ponto de mxima potncia, quando o painel se comporta como fonte de
corrente (Figura 2.9a). Com o aumento de Rp o ponto de mxima potncia deslocado para
baixo na curva P-V (Figura 2.9b).
0 5 10 15 20
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
(a)
Tenso (V)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

0 5 10 15 20
10
20
30
40
50
60
(b)
Tenso (V)
P
o
t
n
c
i
a

(
W
)

Rs=1 mOhm
Rs=10 mOhm
Rs=20 mOhm
Rs =1 mOhm
Rs=10 mOhm
Rs=20 mOhm
Rp = 20 Ohm
Rp = 20 Ohm

Figura 2.8. (a) Efeito de Rs na curva I-V do mdulo. (b) Efeito de Rs na curva P-V do mdulo.
19
0 5 10 15 20
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
(a)
Tenso (V)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

0 5 10 15 20
10
20
30
40
50
60
(b)
Tenso (V)
P
o
t
n
c
i
a

(
W
)

Rp = 20 Ohm
Rp = 5 Ohm
Rp = 1 Ohm
Rp = 20 Ohm
Rp = 5 Ohm
Rp = 1 Ohm
Rs = 1mOhm Rs = 1mOhm

Figura 2.9. (a) Efeito de Rp na curva I-V do mdulo. (b) Efeito de Rp na curva P-V do mdulo.

2.4 Conversores Estticos

Os conversores estticos possuem a tarefa de adequar a potncia eltrica disponvel em
determinados pontos do sistema em alguma outra forma estvel desejada. Atravs de uma
estratgia de comando para abertura e fechamento de suas chaves semicondutoras de
potncia os conversores estticos so capazes de elevar ou abaixar um determinado nvel
de tenso ou corrente contnua, transformar uma tenso alternada em contnua ou uma
tenso contnua em alternada com a amplitude e freqncia desejadas.

Os conversores estticos podem operar no modo tenso ou no modo corrente. No modo
tenso a varivel de controle a tenso de sada e o conversor opera como uma fonte de
tenso. No modo corrente a varivel de controle a corrente de sada e o conversor opera
como uma fonte de corrente equivalente.

Nos sistemas fotovoltaicos utilizam-se basicamente dois tipos de conversores Estticos:
os conversores c.c./c.c. e os conversores c.c./c.a. Como este trabalho considera somente a
adequao da potncia fornecida pelo arranjo fotovoltaico para o carregamento do banco de
baterias (barramento c.c.), sero apresentadas apenas as descries dos conversores
c.c/c.c.

20
2.4.1 Conversores Estticos CC-CC

Os conversores estticos CC-CC so dispositivos que recebem um nvel de tenso ou
de corrente contnua nos seus terminais de entrada e ajustam para um outro valor de tenso
ou de corrente contnua nos terminais de sada de acordo com as exigncias do sistema.
Existem trs topologias bsicas de conversores estticos CC-CC que so: o conversor
abaixador de tenso, tambm denominado na literatura como Step-down ou Buck o
conversor elevador de tenso, tambm conhecido como Step-up ou Boost e o conversor
abaixador-elevador ou Buck-Boost. A Figura 2.10(a) mostra a topologia de um conversor
elevador de tenso a Figura 2.10(b) mostra a topologia de um conversor abaixador de
tenso e a Figura 2.10(c) mostra a topologia de um conversor abaixador-elevador de tenso.
Nessas trs topologias S representa a chave esttica de potncia, D um diodo de
potncia, L um indutor para armazenamento de energia, C um capacitor que atua como
filtro de sada, iL(t) a corrente sobre o indutor, Vi a tenso de entrada e Vo a tenso de
sada fornecida carga R.

Figura 2.10. Topologias bsicas dos conversores estticos CC-CC: (a) conversor Boost. (b) conversor
Buck. (c) conversor Buck-Boost.

Os conversores CC-CC chaveados possuem dois modos de operao de acordo com a
corrente iL(t) que circula pelo indutor L que so: modo de conduo contnua (MCC) onde a
corrente iL(t) sempre maior que zero durante um perodo de chaveamento e modo de
conduo descontnua (MCD) onde a corrente iL(t) zero por alguns instantes do perodo
de chaveamento [47].
S
Vi Vo
D C
L
iL(t)
R
+
_
Vo
C R
+
_
Vi
S
D
L iL(t)
(b)
(c)
Vi
Vo
C
R
+
_
D
iL(t)
L
S
(a)
21
Os conversores estticos CC-CC em um sistema fotovoltaico fazem a ligao dos
painis ao barramento de corrente contnua onde sero conectadas as cargas de corrente
contnua. Os conversores podem exercer dupla funo no sistema fotovoltaico, a principal
adequar o nvel de tenso gerado nos terminais do painel ao nvel de tenso desejado no
barramento CC, possibilitando com isso padronizar a tenso dos equipamentos que sero
conectados ao barramento CC. A outra funo a de seguidor do ponto de mxima
potncia do painel MPPT.

2.5 Baterias

As baterias eletroqumicas so uma importante forma de armazenamento de energia que
pode ser utilizada em sistemas fotovoltaicos, pois elas so capazes de transformar
diretamente energia eltrica em energia potencial qumica e posteriormente converter,
diretamente, a energia potencial qumica em energia eltrica. As baterias, tambm
chamadas de acumuladores eletroqumicos, so classificadas em duas categorias: Um
primeiro grupo das chamadas de baterias primrias e um segundo grupo de baterias
secundrias. Baterias primrias so dispositivos eletroqumicos que, uma vez esgotados os
reagentes que produzem a energia eltrica, so descartadas, pois no podem ser
recarregadas. J as baterias secundrias podem ser regeneradas, ou seja, atravs da
aplicao de uma corrente eltrica em seus terminais pode-se reverter s reaes
responsveis pela gerao de energia eltrica e assim recarregar novamente a bateria. Os
sistemas fotovoltaicos de gerao de energia eltrica utilizam acumuladores secundrios, ou
seja, baterias que podem ser recarregadas. Entre inmeros tipos de baterias secundrias as
mais comuns so as chumbo-cido e as nquel-cdmio [22].

Em comparao com as baterias chumbo-cido as baterias nquel-cdmio tm algumas
vantagens, como ter uma durabilidade maior, ser menos afetadas por sobrecargas, poder
ser totalmente descarregadas no estando sujeitas a sulfatao e no sofrer influencia da
temperatura no seu carregamento [22], alm disso as baterias de nquel-cdmio no sofrem
morte sbita como as baterias de chumbo-cido. Porm as baterias de chumbo cido
possuem um custo muito menor que as baterias de nquel-cdmio. Em geral, seu custo
chega a ser cerca de trs vezes inferior ao das baterias de nquel-cdmio. Este fato tem
determinado sua generalizao e continuidade de uso, razo pela que sero as nicas
analisadas neste trabalho.

22
2.5.1 Conceitos bsicos de uma bateria de chumbo cido

2.5.1.1 Reaes qumicas

A tenso nominal da clula de uma bateria de 2 V, de modo que para se atingir
tenses maiores devem ser acopladas vrias delas em srie. As tenses de baterias mais
comunes so de 12 V, produzindo-se em menor medida de 6 e 24 V. Cada clula esta
composta de uma placa positiva com dixido de chumbo (
2
PbO ), uma placa negativa com
chumbo ( Pb ) e de um eletrlito de cido sulfrico (
4 2
SO H ) dissolvido em gua.

Com os processos de carga e descarga a tenso da bateria aumenta ou diminui, at
atingir determinados valores limites, alm dos quais os componentes se modificam
irreversivelmente. A magnitude do prejuzo nestes casos acumulativa, isto , por menores
que sejam (quando a tenso est fora dos limites) conduziro deteriorao da bateria e
diminuio da sua vida til [38]. Os limites de tenso mais comuns para as clulas de uma
bateria so de 1.75 V, aps um descarregamento completo lento, a 2.2 V, quando est
carregada, para uma temperatura de 25 C [24].

Durante a descarga, na placa negativa um anion que se encontra livre na soluo se
combina com o chumbo da placa, formando sulfato de chumbo (
4
PbSO ) e liberando dois
eltrons, os quais iro placa positiva da bateria atravs da carga ligada a ela, conforme a
reao qumica abaixo [24]:

+ + e PbSO Pb SO 2
4
2
4
(2.5)

J na placa positiva o mesmo anion transforma-se junto com outros dois eltrons e o
dixido de chumbo em sulfato de chumbo mais gua de acordo com [24]:

O H PbSO e H SO Pb
2 4
2
4 2
2 2 4 0 + + + +
+
(2.6)

A gua produzida nesta reao vai diluir o cido sulfrico e, conseqentemente diminuir
a tenso nos plos da bateria. Para produzir a reao inversa uma fonte de eltrons deve
ser ligada placa negativa. Assim o sulfato de chumbo presente nas placas positiva e
negativa retornar a seu estado original, ou seja, formando chumbo na placa negativa e
dixido de chumbo na placa positiva, seguido da formao de cido sulfrico e consumo de
gua. Assim a concentrao de cido aumenta, acrescentando a tenso na bateria. Deste
23
2
PbO
4
PbSO
4 2 2
SO H PbO +
4 2
SO H
O H
2
Pb
4
PbSO
Pb SO H +
4 2
O H
2
4 2
SO H
+
_
Carga
2 e 2 e
2
PbO
4
PbSO
O H PbSO
2 4
+
4 2
SO H
O H
2
Pb
4
PbSO
4 2
PbSO O H +
O H
2
4 2
SO H
+
_
Carregador
2 e 2 e
(a) (b)
Eletrlito
Eletrlito
modo fica claro que a tenso na bateria direitamente proporcional concentrao de cido
sulfrico nela. A expresso abaixo representa a reao global da descarga [24]:

O H PbSO SO H Pb Pb
2 4 4 2 2
2 2 2 0 + + + (2.7)

Todas essas reaes so reversveis, ocorrendo no sentido inverso durante o processo
de recarga [24]. A Figura 2.11 apresenta um esquema simplificado das reaes qumicas
presentes em uma bateria de chumbo cido [39].

Figura 2.11. Diagrama simplificado de uma bateria de chumbo-cido. (a) Processo de descarga. (b)
Processo de carregamento.

2.5.1.2 Capacidade

A capacidade de uma bateria a quantidade de carga eltrica, expressa em Ampre-
hora (Ah). Assim ento a capacidade nominal de uma bateria o nmero total de ampres-
hora que pode ser retirado de uma bateria nova, plenamente carregada, para os valores
especificados de corrente de descarga e tenso de corte. A capacidade nominal definida
para um regime de descarga de 10 horas com corrente constante, temperatura de 25C,
at a tenso final de 1.75 V por clula ou de 10.5 V por bateria (12 V nominal) [22]. Cabe
sinalar que alguns fabricantes definem regime de descarga de 20 horas e temperatura de 20
C [43].

A capacidade tem uma forte dependncia do tempo de descarga, diminuindo (em
relao nominal) quando o tempo muito pequeno, isto quando a corrente de descarga
elevada, ou aumentando quando a corrente pequena, onde, conseqentemente, o
24
20 60 2 4 8 20 30
12
12.6
13.2
13.8
11.4
10.8
10.2
9.6
9
10
Minutos
Horas
tempo
25 C
T
e
n
s
o

n
a

b
a
t
e
r
i
a

(
V
)
I=1C
I=0.6 C I=0.4 C
I=0.2 C
I=0.1 C
C : Capacidade
nominal
tempo para a descarga maior [38]. Como o comportamento das baterias no linear, isto
, quando maior a corrente de descarga menor ser a autonomia e a capacidade, no
correto falar em uma bateria de 100 Ah. Deve-se falar, por exemplo, em uma bateria 100 Ah
padro de descarga 20 horas, com tenso de corte 10.5 V, o que tambm pode ser escrito
como 100Ah C20 Vcorte = 10.5 V. Esta bateria permitir descarga de 100 / 20 = 5A durante
20 horas, quando a bateria ir atingir 10.5 V [43].

A Figura 2.12 ilustra as caractersticas tpicas de descarga de baterias de chumbo cido,
do fabricante Unipower [43] em temperatura ambiente de 25 C a diferentes correntes de
descarga. C indica a capacidade nominal da bateria medida em 20 horas de descarga com
tenso final de 1.75 V por elemento.

Figura 2.12. Perfil de descarga para baterias de chumbo cido, para diferentes valores de corrente de
descarga.

A capacidade de uma bateria tambm influenciada direitamente pela temperatura.
medida que a temperatura ambiente aumenta, a capacidade nominal da bateria tambm
aumenta e vice-versa. A Figura 2.13 mostra os efeitos da temperatura ambiente em relao
capacidade da bateria, para baterias de chumbo cido do fabricante Unipower [43].
Observa-se que h uma curva para cada corrente de descarga, onde a corrente de
descarga dada como um percentual da capacidade C da bateria em ampre-hora, no
padro de descarga de 20 horas.

25
2800
C
a
p
a
c
i
d
a
d
e

d
e

r
e
t
e
n
o

(
%
)
ciclos 2400 2000 1600 1200 800 400 0
0
20
40
60
80
100
120
100%
50%
30% 25% 10%
0
20
40
60
80
100
120
C
a
p
a
c
i
d
a
d
e

d
e

d
i
s
p
o
n
v
e
l

(
%
)
Temperatura (C)
-20 -10 0 10 20 30 40 50
I = 2 C
I = 1 C
I = 0.2 C
I = 0.1 C
C : Capacidade
nominal

Figura 2.13. Efeito da temperatura na capacidade de uma bateria de chumbo cido, para diferentes
valores de corrente de descarga.

2.5.1.3 Profundidade de descarga

A profundidade de descarga indica, em termos percentuais, quanto da capacidade nominal
da bateria foi retirado a partir do estado de plena carga. Por exemplo, a remoo de 25 Ah
de uma bateria de capacidade nominal de 100 Ah resulta em profundidade de descarga de
25%. o valor complementar do estado da carga. Uma maior profundidade de descarga
diminui a capacidade de reteno de carga de uma bateria de chumbo-cido e por tanto sua
vida til. Existem baterias chumbo-cido de baixa profundidade de descarga, empregadas
principalmente em automveis, e baterias de alta profundidade de descarga, que so as
mais indicadas para aplicao nos sistemas fotovoltaicos de gerao de energia eltrica
[22]. A Figura 2.14 mostra um exemplo de curva capacidade de reteno versus vida til
(nmero de ciclos carga-descarga) para diferentes percentagens de profundidade de
descarga para baterias de chumbo cido da marca Unipower [43].

Figura 2.14. Capacidade de reteno em funo do nmero de ciclos para diferentes percentagens
de profundidade de descarga mxima para baterias de chumbo cido.
26
11.6
11.2
12
12.4
12.8
0 20
40
60 80 100
Estado de carga (%)
T
e
n
s
o

d
e

c
i
r
c
u
i
t
o

a
b
e
r
t
o

(
V
)
2.5.1.4 Estado de carga

Capacidade disponvel em uma bateria expressa como percentagem da capacidade
nominal. Por exemplo, se 25 Ah foram retirados de uma bateria de capacidade nominal de
100 Ah, o novo estado da carga de 75%. o valor complementar da profundidade de
descarga. O conhecimento do estado de carga das baterias importante para prevenir os
estados de sobrecarga e sobredescarga e poder administrar adequadamente a capacidade
disponvel.

A tenso de circuito aberto um bom indicador do estado de carga da bateria quando
estas permanecem durante algum tempo em repouso, isto , sem serem carregadas e nem
descarregadas [20]. A Figura 2.15 mostra que a tenso de circuito aberto e o estado de
carga apresentam um comportamento linear.

Figura 2.15. Estado de carga e tenso de circuito aberto de uma bateria.

27
-20 -15 -10 -5 0 5 10 15 20 25 30 35 40
Temperatura do eletrlito (C)
0.8
1.2
1.6
2
2.4
Estado de descarga (%)
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
1,1
1
1.2
1.3
1.4
1.5
F
a
t
o
r

m
u
l
t
i
p
l
i
c
a
d
o
r

d
e

R
i
(b)
(a)
F
a
t
o
r

m
u
l
t
i
p
l
i
c
a
d
o
r

d
e

R
i
2.5.1.5 Resistncia interna

O valor da resistncia interna de uma bateria depende de vrios fatores: do tipo de
construo, do estado de carga, da temperatura e da idade da bateria [43]. A resistncia
interna de uma bateria consiste na soma da resistncia do eletrlito, placas positiva e
negativa, separadores, etc. [23]. O valor desta resistncia direitamente proporcional
relao entre o material ativo e o eletrlito, logo com o aumento da rea da placa, a
resistncia diminui. [37]. Os fabricantes fornecem o valor da resistncia interna
considerando-se a bateria plenamente carregada, a 25C de temperatura do eletrlito. A
Figura 2.16(a) apresenta a variao da resistncia interna em uma bateria em relao a seu
estado de carga. A Figura 2.16(b) mostra a variao da resistncia interna em funo da
temperatura do eletrlito [37].

Figura 2.16. (a) Curva tpica resistncia de uma bateria de chumbo cido em funo de seu estado de
descarga. (b) Curva tpica resistncia de uma bateria de chumbo cido em funo da temperatura do
eletrlito.

28
CHGENB
V
OCH
V
FLOAT
V
BULK
I
TC
I
tempo
C
o
r
r
e
n
t
e

n
a

b
a
t
e
r
i
a

(
A
)
T
e
n
s
o

n
a

b
a
t
e
r
i
a

(
V
)
Regio 1 Regio 2 Regio 3
(Carga profunda) (sobrecarga) (flutuao)
2.5.2 Processo de carga

Providenciar o carregamento completo da bateria exige do controlador uma
elaborada estratgia de controle na qual seja possvel carregar a bateria, dentro de seus
limites, o mais rpido possvel j que o perodo dirio de gerao de energia pelo painel
fotovoltaico limitado. As baterias utilizadas nos sistemas fotovoltaicos operam de forma
cclica, descarregando noite e recarregando durante o dia. O processo de recarga mais
adequado para esses casos o mtodo por tenso constante e limitao de corrente [24].

Para se obter um rpido, seguro e completo processo de carga da bateria chumbo-
cido, alguns fabricantes de baterias recomendam dividir o processo em trs regies [24],
que geralmente so denominadas por: regio 1 de carga profunda (bulk charge), regio 2 de
sobrecarga (over charge) e regio trs de carga de flutuao (float charge). A Figura 2.17
mostra as curvas de corrente e tenso sobre a bateria durante o processo de carga dividido
em trs estgios.

Figura 2.17. Curvas de corrente e tenso nas trs regies do processo de carga de uma bateria de
chumbo cido, com recarga a tenso constante e limitao de corrente.
29
Regio 1: quando a bateria encontra-se completamente descarregada, esta atinge um valor
limite de tenso
CHGENB
V . Nessa condio fornecida uma corrente de recarga constante
BULK
I . Tem-se que evitar uma corrente de recarga muito alta, para no provocar
aquecimento excessivo e desgaste prematuro da bateria. Em geral, essa corrente deve ser
limitada em 40% da capacidade da bateria [23].
BULK
I aplicada at que o valor da tenso
na bateria alcance o valor mximo de sobrecarga de tenso
OCH
V .

Regio 2: nesta regio o controlador regular a tenso da bateria no valor
OCH
V . O fim do
processo de carregamento pode ser detectado quando a corrente de recarga cair a um valor
predeterminado
TC
I e a tenso permanecer em
OCH
V . O valor de
TC
I em torno de 1% da
capacidade da bateria [24].

Regio 3: nesta regio recomendado que a tenso aplicada seja reduzida para
FLOT
V , o
que gera uma corrente de recarga muito pequena, responsvel apenas para compensar a
autodescarga. Essa condio conhecida como flutuao.

Os valores para
CHGENB
V ,
OCH
V e
FLOT
V so fornecidos pelo fabricante e geralmente
correspondem a 10.5 V, 14.4 V e 13.5 V respectivamente, para baterias de chumbo cido de
12 V de tenso nominal [23], [43].

2.5.3 Modelos para uma bateria

Encontrar um modelo eltrico ou matemtico que descreva o comportamento dinmico
de uma bateria no uma tarefa fcil [37], posto que suas reaes qumicas no so
lineares e sofrem a influncia de distintos fatores inter-relacionados, tais como a
temperatura, o estado de carga, os aspectos construtivos, etc. Na literatura so propostos
vrios modelos para simulao de baterias. Entre os propostos, alguns autores optam por
modelos que possibilitem a descrio pormenorizada do comportamento fsico destes
equipamentos [40]. Estes modelos fsicos so, no entanto, inadequados para integrao em
simulaes com outros circuitos eltricos. Para este fim os modelos eltricos de baterias so
mais adequados.

30
Vrios modelos, baseados em componentes eltricos, so propostos, dependendo do
grau de complexidade e das propriedades em estudo na simulao. O modelo mais simples
mostrado na Figura 2.18(a). Ele constitudo por apenas uma resistncia
i
R (que
representa a resistncia interna da bateria) em srie com uma fonte de tenso ideal
O
V (que
representa a tenso de circuito aberto). Este modelo simples e permite uma rpida
integrao com outros circuitos eletrnicos em simulao. Ele apresenta, contudo, uma
demasiada simplicidade para a maioria das aplicaes, pois no permite estudar fenmenos
especficos das baterias tais como a capacidade de carga e de descarga.

A Figura 2.18(b) apresenta uma aproximao de primeira ordem da bateria. O capacitor
b
C representa a capacidade de carga da bateria, o resistor
P
R representa a autodescarga
da bateria e tem um valor muito alto para o caso de baterias de cido-chumbo. Por ltimo, a
resistncia
S
R representa a resistncia interna da bateria. A incluso da malha RC no
modelo j permite representar fenmenos transitrios tanto na carga quanto na descarga.
Mesmo assim, segue sendo um modelo linear equivalente muito simplificado.

A Figura 2.18(c) apresenta o circuito equivalente de Thvenin de uma bateria. Este
modelo permite o estudo do comportamento da tenso em baterias durante o seu ciclo de
vida [41]. Trata-se de um modelo que apresenta como grandezas eltricas, a tenso em
circuito aberto
O
V , a resistncia interna
S
R e a tenso em sobretenso, dada pela
combinao em paralelo da resistncia
P
R e do condensador
b
C . O circuito equivalente de
Thvenin permite verificar quais os principais elementos que condicionam o funcionamento
das baterias, no entanto, a sua utilizao em simulao produz resultados pouco vlidos
uma vez que realiza uma aproximao deficiente dos diferentes parmetros, por considera-
los constantes quando na realidade dependem do estado de carga, da capacidade de
armazenamento da bateria, da taxa de carga e de descarga, e da temperatura ambiente
[42].

O esquema da Figura 2.18(d) apresenta dodos que permitem identificar os
componentes associados carga e descarga da bateria. Neste modelo os componentes
de
1 C
V representam as sobretenses, as resistncias
SC
R e
SD
R a resistncia interna e
P
R
a resistncia associada autodescarga. O condensador
b
C simula a capacidade da bateria.
Este modelo conduz a resultados satisfatrios, contudo necessria a realizao de vrios
31
i
R
S
R
O
V
b
C
P
R
1
C
C
R
1
D
R
1
SC
R
SD
R
P
R
b
C
BAT
V
BAT
V
BAT
V
BAT
I
BAT
I
BAT
I
O
V
b
C
P
R
S
R
BAT
V
BAT
I
(a) (b) (c)
(d)
1 C
V
testes fsicos bateria em estudo para se poder estimar o valor dos diferentes parmetros, o
que nem sempre possvel durante a fase de projeto.

Figura 2.18. Modelos eltricos de uma bateria. (a) Modelo simplificado. (b) Modelo equivalente de
primeira ordem. (c) Modelo Thvenin. (d) Modelo de carga e descarga.

32
2.5.4 Dispositivo de desconexo por Baixa Tenso

Para evitar que ocorra uma descarga profunda, acima da permitida em sistemas que
usam baterias chumbo-cido, os controladores devem possuir o recurso de desconexo da
carga por baixa tenso (LVD do ingls Load Voltage Disconnection) [44]. Este comando
acionado quando a tenso da bateria decresce at um valor predeterminado VLDV,
correspondente ao estado aceitvel de descarga. A bateria volta a ser conectada a carga
quando sua tenso alcana um valor, tambm pr-determinado.

VLRV. O valor de tenso de reconexo da carga (LRV do ingls Load Reconnection
Voltage) corresponde a um estado de carga seguro para a bateria voltar a fornecer energia.
Dependendo da aplicao, os sistemas fotovoltaicos de gerao de energia eltrica devem
ser dimensionados para que o dispositivo LVD seja raramente acionado, somente nos casos
extremos de longos perodos de baixa insolao.

2.5.5 Dispositivo de bloqueio de Corrente Reversa

Nos sistemas fotovoltaicos pode ocorrer a circulao de corrente da bateria para o painel
fotovoltaico, durante os perodos em que o painel no esteja gerando energia, implicando
em perdas de energia pela descarga da bateria. Os controladores de carga de bateria so
capazes de bloquear a circulao desta corrente. Esse bloqueio feito atravs do circuito de
comutao do controlador, que possui chaves unidirecionais ou diodo de bloqueio [22].

33
2.6 Concluses

Devido a sua versatilidade os sistemas fotovoltaicos autnomos representam uma boa
alternativa de fornecimento de energia eltrica em lugares eletricamente isolados. As
pesquisas neste campo so essenciais para torn-los mais eficientes, mais confiveis e
mais acessveis desde o ponto de vista econmico. Assim, conhecer as principais
caractersticas dos sistemas fotovoltaicos essencial para desenvolvimento e
aprimoramento dos elementos que compem os sistemas.

Sistemas fotovoltaicos que incluem banco de baterias eletroqumicas aproveitam melhor
a energia gerada pelos painis, pois podem armazenar o excedente durante os perodos de
alta insolao e baixo consumo para utilizar nos perodos de baixa insolao e alto
consumo. As baterias chumbo-cido so as mais utilizadas pelos sistemas fotovoltaicos,
principalmente pelo seu menor custo em relao aos outros tipos de baterias eletroqumicas.

Um equipamento indispensvel em sistemas fotovoltaicos que utilizam banco de baterias
o controlador de carga. Esta tarefa realizada geralmente por um conversor esttico que
tem a funo de gerenciar o processo de carga da bateria, garantindo seu carregamento
completo de forma adequada. Para as baterias chumbo-cido os controladores de carga
tambm devem monitorar o processo de descarga para evitar que ultrapassem a
profundidade de descarga recomendada pelos fabricantes da bateria.

Neste captulo foram apresentadas as caractersticas mais importantes dos
componentes de um sistema fotovoltaico isolado. Analisaram-se os aspectos mais
relevantes relacionados com os objetivos deste trabalho.

No caso do mdulo fotovoltaico foram apresentados: o seu principio fsico de
funcionamento, o circuito eltrico equivalente e sua expresso matemtica correspondente.
Tambm foram analisados os parmetros intrnsecos e fatores meteorolgicos que
influenciam no comportamento de uma clula fotovoltaica e os efeitos dos mesmos nas
curvas caractersticas I-V e P-V.

Em relao s baterias, foi feito um estudo de seus principais parmetros de operao,
foram apresentados os seus modelos eltricos equivalentes mais utilizados na literatura, e
tambm, foi exposto um mtodo de carregamento para aplicaes fotovoltaicas.

34
Para o regulador de carga foram apresentadas trs topologias bsicas que poderiam ser
utilizados neste projeto (Buck, Boost e Buck-Boost).

35
Captulo 3
Dimensionamento do sistema fotovoltaico

3.1 Introduo

No projeto de um sistema fotovoltaico necessrio conhecer algumas caractersticas
meteorolgicas de onde o sistema ser implementado e o consumo da carga a alimentar,
pois esses dois fatores influem diretamente no correto dimensionamento do sistema.

Em relao s informaes meteorolgicas, estas sero obtidas por meio do banco de
dados de potencial solar do CEPEL (centro de referncia para energia solar e elica) [21].
So consideradas as taxas mdias de insolao da cidade de Arax em Minas Gerais, pois
a localidade com registro solarimtrico localizada a menor distncia de Belo Horizonte,
cidade tomada como referncia para o estudo.

O consumo de energia diria esperada ser definido considerando um sistema
fotovoltaico autnomo de baixa potncia eltrica, destinado basicamente para a iluminao
de uma residncia de baixa renda. De acordo com caso de estudo definido sero
dimensionados todos os componentes do sistema, visando obter um bom casamento entre a
energia fornecida pelo sol e a demanda esperada de energia, requerimento necessrio de
qualquer projeto fotovoltaico [3].

O modelo eltrico do arranjo fotovoltaico comercial ser simulado e utilizado para o
dimensionamento dos componentes de conversor de potncia. Neste ponto ser
apresentado tambm o projeto fsico do indutor.

Finalmente apresentado o critrio para a escolha do tipo de conversor de potncia.
Para o conversor escolhido feita uma anlise do rendimento esperado para diferentes
topologias de conexo do arranjo fotovoltaico e do banco de baterias.
Captulo 3 Dimensionamento do sistema fotovoltaico
36
3.2 Determinao do consumo da residncia

Para determinar o consumo dirio esperado de energia eltrica da residncia, foram
adotados valores de potncias de lmpadas de alta eficincia e aparelhos comerciais de
baixo consumo e tempos de utilizao padro fornecidos por [22]. A Tabela 3.1, mostra que
a carga instalada para a residncia em estudo de 98 (W) e o consumo de energia dirio
corresponde, aproximadamente, a 326 (WH/dia).

Tabela 3.1. Consumo esperado de energia eltrica da residncia.

Cargas Potncia (W) Utilizao (H/dia) Energia (WH/dia)
Lmpada sala 11 4 44
Lmpada quarto 1 8 3 24
Lmpada quarto 2 8 3 24
Lmpada banheiro 8 1 8
Lmpada cozinha 8 3 24
Receptor por satlite 10 4 40
Televisor colorido 14 36 4 144
Aparelho de som 9 2 18
Total 98 (W) 326 (WH/dia)

3.3 Nveis de radiao solar da localidade

Como j foi falado anteriormente, alm do conhecimento do consumo dirio da
residncia e da potncia instalada, outro dado indispensvel para um bom projeto de um
sistema fotovoltaico so os ndices de incidncia de radiao solar na localidade onde o
sistema ser implantado.

O banco de dados do CEPEL fornece os ndices de radiao para trs ngulos
diferentes de instalao dos mdulos solares; para o plano horizontal, para o ngulo no qual
se obtm a maior mdia diria de incidncia solar e para o ngulo que fornece o maior valor
mnimo mensal de radiao solar.

37
Tabela 3.2. Radiao diria mdia mensal (kWh/m) para a cidade de Arax.

Ms Jan Fev Mar Abr Mai Jun Jul Ago Set Out Nov Dez Media
Radiao 5.36 5.25 5.29 4.64 4.44 4.17 4.61 5.06 4.89 5.42 5.33 5.19 4.96

A Tabela 3.2 [21] mostra que a radiao mdia anual para a cidade de Arax
corresponde a 4.96 kWh/m e uma incidncia diria mdia de 4.17 kWh/m para o ms de
junho, ms com a menor incidncia solar durante o ano. importante assinalar que o
sistema fotovoltaico deve garantir o fornecimento de energia durante todos os meses do
ano. Por essa razo, no dimensionamento do sistema fotovoltaico deve-se considerar o
menor ndice de radiao durante o ano.

Tabela 3.3. Radiao diria mdia mensal (kWh/m) para a cidade de Arax para o ngulo
de instalao dos mdulos que fornece o maior mnimo mensal (13 ao Norte geogrfico).

Ms Jan Fev Mar Abr Mai Jun Jul Ago Set Out Nov Dez Media
Radiao 5.10 5.14 5.30 5.01 5.08 4.92 5.41 5.63 5.10 5.38 5.11 4.90 5.17

A Tabela 3.3 mostra os valores da radiao para o plano inclinado a 13 em relao
horizontal e apontado em direo ao norte geogrfico, que , segundo o banco de dados
[21], a condio que maximiza a mdia do ms com menor insolao. Percebe-se que o
ms de menor insolao junho, com uma taxa diria de 4.90 kWh/m. Assim, o projeto de
um sistema fotovoltaico para a cidade de Belo Horizonte deve ser realizado considerando
uma radiao incidente de 4.90 kWh/m.

3.4 Dimensionamento do arranjo fotovoltaico

Para fazer um correto dimensionamento dos painis fotovoltaicos como dos demais
componentes do sistema, importante conhecer, alm das condies de radiao da
localidade na qual o sistema vai-ser implantado e das caractersticas da carga, outros
parmetros tambm importantes. Faz-se necessrio saber quais sero os nveis de tenso
em que o sistema operar e, alm disso, quais sero as perdas estimadas dos componentes
do sistema fotovoltaico.

38
Em relao tenso de operao do sistema, fixa-se esta em 24 Volts, visando reduzir a
corrente c.c., e conseqentemente reduzir a bitola dos cabos eltricos utilizados nas
instalaes do sistema fotovoltaico. O fato de reduzir a corrente circulando pelo sistema tem
um impacto positivo na eficincia deste, por quanto as perdas nos componentes eletrnicos
do conversor c.c./c.c. utilizado para o carregamento do banco de baterias diminuem
consideravelmente como mostrado na Seo 3.8.9 deste captulo. Outro beneficio de se
utilizar uma tenso de 24 Volts a ampla oferta comercial disponvel de dispositivos
inversores que trabalham com essa tenso de entrada.

J para a estimao das perdas na fiao, no banco de bateria, no conversor c.c./c.c., e
no inversor, foram utilizados valores padro sugeridos em [22]. Esses valores so
apresentados na Tabela 3.4. importante mencionar que para o clculo das perdas do
sistema, foram includas tambm as estimadas para um inversor comercial, mesmo que no
seja o objetivo deste trabalho o estudo da etapa de transformao c.c./c.a., faz-se
necessrio consider-las para o dimensionamento do sistema.

O clculo da capacidade mnima de gerao dos mdulos fotovoltaicos determinado
por meio da energia solar acumulada durante o dia, na localidade onde o sistema ser
instalado. Uma forma conveniente de se expressar o valor acumulado desta energia
atravs do nmero de horas do sol pleno. Esta grandeza reflete o nmero de horas em que
a radiao solar deve permanecer constante e igual a 1 kW/m
2
de forma que a energia
resultante seja equivalente energia acumulada durante o dia. Pelas razes expostas na
seo anterior, utiliza-se para o dimensionamento dos painis uma taxa diria de insolao
de 4.9 kWh/m.

Para a cidade de Belo Horizonte, temos que o nmero de horas de sol pleno (SP) :

h
m kW
m kWh
SP 9 . 4
/ 1
/ 9 . 4
2
2
= = (3.1)

Pode-se dizer ento que o valor de 4,9 kWh/m de radiao diria produzido por 4,9
horas de potncia incidente constante e igual a 1000 W/m (condio padro). Assim, os
parmetros adotados para o clculo do arranjo de painis fotovoltaicos e demais
componentes do sistema so apresentados na Tabela 3.4.

39
Tabela 3.4. Parmetros para dimensionamento do sistema fotovoltaico

Carga instalada 98 W
Consumo dirio de energia 326 Wh/dia
Radiao diria mdia mensal 4.9 kW/m
2

Tenso de operao do sistema C.C 24 V
Tenso de sada C.A. 110 V
Eficincia da fiao * 98 %
Eficincia do Banco de Baterias * 95 %
Eficincia do Inversor * 85 %
Eficincia do conversor C.C. * 90 %
* Valor padro sugerido em [22].

Desta forma tem-se a potncia mnima do gerador :

W
h
Wh
P 53 . 66
9 . 4
326
min
= = (3.2)

E a potncia mnima corrigida considerando as perdas :

W P
Corr
41 . 93
) 9 . 0 85 . 0 95 . 0 98 . 0 (
53 . 66
min
=

= (3.3)

Devido a que s condies climticas variam, necessrio que as baterias armazenem
energia suficiente, no s para um perodo noturno, mas tambm para intervalos maiores
com radiao solar abaixo da mdia. Determina-se, ento, que o equipamento deva ter uma
autonomia de 2 dias (de acordo com a resoluo normativa n 83, de 20 de setembro de
2004 da ANEEL, que determina este valor como mnimo para sistemas de baixo consumo
dirio) e que, ao voltar de uma condio de mxima descarga, que ele se recarregue
completamente em 3 dias normais de sol.

Assim a potncia mnima para uma autonomia de 2 dias corrigida segundo [24]:

W P
aut
68 . 155
3
2
1 41 . 93 = |
.
|
\
|
+ = (3.4)
(potncia para 1 dia + potncia extra para carregamento)
40
Diversa a oferta de painis fotovoltaicos encontrados comercialmente, hoje. A escolha
adequada da potncia dos painis ir influenciar diretamente no nmero de painis
necessrios para a gerao exigida pela carga e, logicamente, nos custos do sistema
fotovoltaico. Para o caso de estudo escolhe-se utilizar dois painis de 80 W de potncia
nominal, ligados em srie para fornecer uma tenso de 24 Volts, ficando assim uma
potncia instalada de 160 W em mdulos fotovoltaicos. Escolhe-se o mdulo da marca
Isofoton modelo I-80 NP. As caractersticas eltricas deste painel so apresentadas na
Tabela 3.5.

Tabela 3.5. Ficha tcnica mdulo Isofoton I-80 NP.
Parmetros eltricos (1000 W/m, 25C cell, AM1.5)
Tenso nominal (Vn) 12 V
Potncia mxima (Pmax) 80 Wp 10%
Corrente de curto circuito (Isc) 6.3 A
Tenso de circuito aberto (Voc) 21.6 V
Corrente de mxima potncia (Imax) 5 A
Tenso de mxima potncia (Vmax) 17.2 V
Coeficiente de temperatura de Isc 1.18 mA/K
NOCT (800 W/m, 20C amb, AM 1.5, 1 m/s) 47 C

3.5 Dimensionamento do banco de baterias

Como a energia solar varivel e muito dependente das condies atmosfricas, o
emprego de um sistema de armazenamento que garanta o fornecimento de energia carga
durante a noite ou em perodos com dficit de sol imprescindvel. Nos sistemas
fotovoltaicos autnomos o banco de baterias junto com o arranjo fotovoltaico so os
componentes de maior custo, devido necessidade de manuteno peridica, e menor
vida til das baterias em comparao, por exemplo, com os mdulos fotovoltaicos, o que
aumenta os custos do sistema por reposio de componentes . Assim ento importante
uma boa escolha dos mtodos de carga e descarga das baterias a fim de garantir uma
prolongao da vida til delas. Existe no mercado uma grande variedade de baterias, com
diversas capacidades de armazenamento, estas podem ser arranjadas em srie e/ou
paralelo de acordo aos requerimentos do sistema.

41
100% Profundidade de descarga
C
a
p
a
c
i
d
a
d
e

d
e

r
e
t
e
n
o

(
%
)
0
20
40
60
80
100
120
1400
Nmero de Ciclos
1200 1000 800 600 400 200 0
Para o projeto do banco de baterias, devem tambm ser considerados dois parmetros
importantes; a autonomia do sistema e a profundidade de descarga aceitada para as
baterias.

A autonomia do sistema corresponde ao nmero de dias nos quais a energia
armazenada no banco de baterias suficiente para suprir a demanda sem nenhuma
reposio de energia pelos painis fotovoltaicos [22]. Este parmetro representa a
confiabilidade do sistema fotovoltaico, entretanto o aumento do nmero de dias de
autonomia do sistema acarreta em um aumento direto nos custos do banco de baterias e
conseqentemente do sistema.

Como j foi analisada no Captulo 2, a profundidade de descarga de uma bateria est
relacionada diretamente com a vida til dela. Como pode-se observar na Figura 3.1 [23], a
utilizao de uma profundidade de descarga elevada faz decair significativamente a vida til
da bateria. Assim, para a o projeto do sistema de armazenamento de energia do sistema
fotovoltaico em estudo, ser considerada uma profundidade de descarga de 30%, com o
qual se espera garantir que o sistema de armazenamento de energia funcione como mnimo
por um perodo de dois anos.

Figura 3.1. Curva da capacidade de reteno em funo do nmero de ciclos (carga-descarga) para
vrias profundidades de descarga mxima para baterias de chumbo cido do fabricante Newmax.

42
Assim o consumo dirio de corrente da carga :

Ah
V
Wh
I
dia
58 . 13
24
326
= = (3.5)

E o consumo de corrente corrigido considerando as perdas :

Ah I
diaCorr
06 . 19
) 9 . 0 85 . 0 95 . 0 98 . 0 (
58 . 13
=

= (3.6)

Ento o consumo de corrente total do banco de baterias fica:

Ah
Ah
a desc de ofundidade
dias xAutonomia Ah Consumo
I
total
06 . 127
3 . 0
06 . 19 2
arg . . Pr
] [ ] [
=
= = (3.7)

Escolhem-se para o sistema duas baterias da marca Newmax modelo FNC 121500 de
150 Ah de capacidade e tenso nominal 12 volts cada, as quais sero conectadas em srie
para fornecer a tenso de 24 volts requerida no barramento CC.

3.6 Modelo do painel fotovoltaico

Nesta fase do projeto faz-se necessrio obter um modelo do painel fotovoltaico, que
permita simular seu comportamento. Para a modelagem matemtica do arranjo fotovoltaico,
utilizou-se o mtodo descrito em [15], onde os autores apresentam um procedimento para
se ajustar o comportamento do modelo ao obtido com mdulos comerciais. A proposta
considerada interessante porque no segue a tendncia de simplificar o circuito eltrico
equivalente da clula fotovoltaica, com o conseqente ganho na preciso do modelo, alm
disso, resulta em um modelo computacional de fcil e rpida implementao. A Tabela 3.6
mostra os parmetros calculados para o mdulo monocristalino Isofoton I80-NP. Detalhes
sobre o procedimento de ajuste do modelo so apresentados no apndice A.

43
0 5 10 15 20 25
1
2
3
4
5
6
7
(a)
Tenso (V)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

0 5 10 15 20 25
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
(b)
Tenso (V)
P
o
t
n
c
i
a

(
W
)

1000 W/m
800 W/m
600 W/m
1000 W/m
800 W/m
600 W/m
T=25C T=25C
Tabela 3.6. Parmetros obtidos para o painel fotovoltaico Isofoton I-80 NP

Parmetro Valor
SC
I
6.3 A
OC
V
21.6 V
r
T
298.15 K
rr
I
1.7787e-8
T

1.18 mA/K
n 1.2
P
R 0.46
s
R 7 m
G
E
1.1 eV
k 1.38e-23 J/K
q
1.6e-19 C

As Figuras 3.2(a) e 3.2(b) apresentam as familias de curvas I-V e P-V respectivamente
geradas pelo modelo, para distintos valores de radiao, mantendo a temperatura constante
em 25 C. As Figuras 3.3(a) e 3.3(b) apresentam as familias de curvas I-V e P-V
respectivamente, para distintos valores de temperaturas e com densidade luminosa
incidente constante em 1000 W/m.

Figura 3.2. Curvas geradas para o mdulo Isofoton I80-NP para distintas radiaes e temperatura do
painel igual a 25 C. (a) Curvas I-V. (b) Curvas P-V.

44
0 5 10 15 20 25
1
2
3
4
5
6
7
(a)
Tenso (V)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

0 5 10 15 20 25
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
(b)
Tenso (V)
P
o
t
n
c
i
a

(
W
)

25 C
45 C
65 C
25 C
45 C
65 C
S = 1000 Wm S = 1000 Wm
0 10 20 30 40 50
1
2
3
4
5
6
7
(a)
Tenso (V)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

0 10 20 30 40 50
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
(b)
Tenso (V)
P
o
t
n
c
i
a

(
W
)

1000 W/m
800 W/m
600 W/m
1000 W/m
800 W/m
600 W/m
T=25 C T=25 C

Figura 3.3. Curvas geradas para o mdulo Isofoton I-80 NP para distintas temperaturas e radiao
constante em 1000 W/m. (a) Curvas I-V. (b) Curvas P-V.

As Figuras 3.4(a) e 3.4(b) apresentam as curvas caractersticas I-V e P-V
respectivamente, simuladas para o arranjo de dois painis Isofoton I-80 NP conectados em
srie, considerando variaes na radiao incidente e temperatura constante. Comparado
com apenas um painel, pode-se observar claramente como o arranjo dobra a tenso de
circuito aberto, conseqentemente dobrando tambm a potncia fornecida. Obviamente a
corrente se mantm igual pelo fato de ser uma topologia srie. As Figuras 3.5(a) e 3.5(b)
apresentam as curvas I-V e P-V respectivamente, considerando variaes na temperatura
do painel e radiao constante.

Figura 3.4. Curvas para o arranjo em srie de dois paineis Isofoton I80-NP considerando variaes na
radiao incidente e temperatura de 25 C. (a) Curvas I-V. (b) Curvas P-V.
45
0 10 20 30 40 50
1
2
3
4
5
6
7
(a)
Tenso (V)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

0 10 20 30 40 50
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
(b)
Tenso (V)
P
o
t
n
c
i
a

(
W
)

25 C
45 C
65 C
25 C
45 C
65 C
S = 1000 W/m S = 1000 W/m

Figura 3.5. Curvas para o arranjo em srie de dois paineis Isofoton I80-NP considerando variaes na
temperatura e radiao de 1000 W/m. (a) Curvas I-V. (b) Curvas P-V.

3.7 Escolha da topologia do conversor CC-CC

Atendendo configurao escolhida para o arranjo fotovoltaico (dois painis isofoton I-
80 NP conectados em srie), e a faixa de operao de tenso do banco de baterias (entre
21-28.8V), as topologias mais adequadas para o carregador de baterias seriam a topologia
Buck e a topologia Buck-Boost (atuando s como abaixador de tenso), posto que a tenso
de mxima potncia no arranjo fotovoltaico maior tenso de operao em uma ampla
faixa de radiao incidente (Figura 3.6).

Figura 3.6. Faixa de operao do controlador de carga considerando o arranjo fotovoltaico em srie, e
um banco de duas baterias de chumbo-cido de 12 V em srie, para vrias densidades de radiao
incidente, e 50 C de temperatura nos painis.
0 5 10 15 20 25 30 35 40
50
100
150
Tenso (V)
P
o
t
n
c
i
a

(
W
)

1000 W/m
800 W/m
600 W/m
400 W/m
T = 50 C
Faixa de
operao
MPPT
46
T
O
p
P
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.5 1
D
Boost
Buck
Buck-Boost
Do ponto de vista da facilidade de implementao, o conversor Buck seria o mais
apropriado, uma vez que o conversor Buck-Boost inverte a tenso de sada, o que poderia
levar a um esquema de ligaes mais complexo de analisar e de implementar [48].

Apesar da anlise anterior, que pode representar um fator de escolha vlido, a mesma
no conclusiva. Assim, dada a aplicao para a qual sero utilizados os conversores,
admite-se que uma anlise relativa relao de potncias (
T O
P P ) ser a mais indicada.
Nesta anlise,
O
P representa a potncia sada do conversor e
T
P , a potncia consumida
pelos elementos de comutao, [48]. Para a anlise descrita assume-se que:

A ondulao de corrente desprezada, ou seja, o conversor trabalhara somente em
modo de conduo contnua.

A ondulao na tenso de sada desprezvel.

A tenso de entrada pode variar, o que implica que o ciclo de trabalho deve ser
controlado para manter a tenso sada constante.

Com estes pressupostos, possvel calcular a tenso e corrente de pico no interruptor
permitindo o clculo de
T
P . Conhecendo este valor desenham-se as curvas que relacionam
a potncia nas chaves com a potncia sada relativamente ao ciclo de trabalho. Estas
curvas esto representadas na Figura 3.7 para vrios conversores DC/DC [48]

Figura 3.7. Utilizao da energia em diversos conversores DC/DC.
47
Da Figura 3.7 pode-se concluir que a utilizao dos elementos de comutao em
conversores do tipo Buck bastante boa, desde que a tenso de sada e de entrada sejam
da mesma ordem de grandeza. Pelo contrrio, no conversor Buck-boost os interruptores
apresentam um fraco ndice de utilizao sob o ponto de vista da eficincia energtica,
atingindo um mximo de 25% com ciclo de trabalho de 0.5, ou seja, para situaes em que
a tenso de entrada igual de sada. Assim, uma vez que a eficincia energtica muito
importante para aplicaes fotovoltaicas, a escolha por um conversor Buck considera-se,
para o caso em estudo, a mais adequada.

3.8 Dimensionamento do conversor Buck

Um Buck ideal operando em conduo contnua tem a seguinte relao entre a tenso
de entrada mdia Vi, e a de sada Vo em regime permanente [48]:

i O
V D V = (3.8)

Para o dimensionamento do conversor de potncia foi considerada como condio limite
de mxima potncia disponvel uma radiao incidente de 1000 W/m e uma temperatura
dos mdulos igual a 15 C. Para essa condio de operao tem-se que: Voc = 44.6 V,
Vmax = 35.74 V, Imax = 4.88 A e Pmax = 174.57 W. Todos esses valores podem ser
observados na Figura 3.8.

Figura 3.8. Curvas para o arranjo fotovoltaico considerando como condio limite uma radiao de
1000 W/m e temperatura de 15 C. (a) Curva I-V. (b) Curva P-V.
0 10 20 30 40 50
1
2
3
4
5
6
7
(a)
Tenso (V)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
0 10 20 30 40 50
20
40
60
80
100
120
140
160
180
(b)
Tenso (V)
P
o
t
n
c
i
a

(
W
)
35.74 44.6
174.57
4.88
35.74
48
0.4 0.6 0.8 1
0
50
100
150
(a)
D
P
p
a

(
W
)
0.4 0.6 0.8 1
0
2
4
6
8
10
(b)
D
I
p
a

(
A
)
0.4 0.6 0.8 1
0
2
4
6
8
10
(c)
D
I
o

(
A
)
1000 W/m
600 W/m
15 C
50 C
15 C
50 C
15 C
50 C
1000 W/m
1000 W/m
600 W/m
600 W/m
Sabe-se que a tenso no banco de baterias variar de 21 V (1.75V por clula), quando
ela est descarregada at 28.8 V (2.4 por clula) valor mximo a ser aplicado na recarga.
Assim o menor ciclo de trabalho ocorre quando a tenso no arranjo mxima Vi = 44. 6 V e
no banco mnima Vo = 21V, resultando em:

47 . 0
6 . 44
21
max
min
min
= = =
V
V
V
V
D
i
O
(3.9)

J que a potncia do mdulo depende da tenso nos seus terminais e,
conseqentemente de D, e que no conversor ideal as potncias de entrada e sada so
iguais, a corrente de sada deve seguir a variao de potncia. A Figura 3.9 mostra essa
situao. Nela pode-se ver que a corrente mdia mxima na sada de 8.31 A, o qual
ocorre para um ciclo de trabalho de 0.588 e para uma tenso no banco de baterias de 21 V
(condio que gera as maiores correntes).

A
V
W
V
P
I
O
O
31 . 8
21
57 . 174
min
max
max
= = = (3.10)

Figura 3.9. Curvas de potncia e corrente mdias em funo do ciclo de trabalho, considerando uma
tenso de sada no banco de bateria de 21 V. (a) Potencia mdia no arranjo. (b) Corrente mdia no
arranjo. (c) Corrente mdia no banco de baterias.

49
L
V
tempo
tempo
tempo
L
i
L
i
DT
DT
DT
O i
V V
O
V
T
0
0
0
O
I
L
I
C
I
T
T
( )
8 2
1
2 2 2
1 T i T D DT i
Q
L L

=
(
=
3.8.1 Determinao do indutor

As curvas em regime permanente de tenso e corrente no indutor e da corrente no
capacitor para um conversor Buck so mostradas na Figura 3.10 [48].

Figura 3.10. Curvas de tenso e corrente no indutor e de corrente no capacitor para um conversor
Buck.

Considerando um Buck ideal e desprezando a ondulao (ripple) da tenso de sada, a
ondulao de corrente no indutor de sada pode ser dada pela seguinte relao [48]:

( )
L
D T D V
i
i
L

=
1
(3.11)

Na qual T o perodo de chaveamento e L a indutncia do filtro de sada. Substituindo
a Equao (3.8) em (3.11), obtm-se:

( )
L
D T V
i
O
L

=
1
(3.12)

Assim, para um dado Vo, a ondulao mxima ocorrer quando D for mnimo. No
entanto, o valor mnimo de D depende de Vo de acordo com:

50
21 22 23 24 25 26 27 28
0.23
0.235
0.24
0.245
0.25
0.255
Tenso no banco de baterias (V)
22.3
2
min min
D D
V
V
V
V
D
O
i
O
6 . 44
max
min
= = (3.13)

Isolando-se Vo e substituindo em (3.12), obtm-se:

( )
L
D D T V
i
i
L
2
min min max

= (3.14)

Da Equao (3.14) percebe-se que a mxima ondulao de corrente no indutor se ter
quando
2
min min
D D seja mximo. A Figura 3.11 mostra a curva
2
min min
D D em funo da
tenso no banco de baterias. Nela v-se que para uma tenso no banco de bateria de 22.3
V (ciclo de trabalho D = 0.5 considerando
max i
V = 44.6 V) obtm-se o maior valor para
25 . 0
2
min min
= D D , em conseqncia a maior ondulao de corrente no indutor. Definindo
uma freqncia de chaveamento de 24 kHz para o projeto, e aceitando uma ondulao de
corrente de 10% da mxima corrente mdia de sada
max O
I , obtm-se o filtro de sada
manipulando-se a Equao (3.14):

uH L 558
31 . 8 1 . 0 000 . 24
25 . 0 5 . 44
=

= (3.15)

Figura 3.11. Curva Dmin-Dmin em funo da tenso no banco de baterias para Vimax=44.6 V.

51
3.8.2 Calculo fsico do indutor de filtragem

3.8.2.1 Escolha do Ncleo Apropriado

Com o valor do indutor j calculado para o projeto, preciso fazer o dimensionamento
fsico dele, procurando conseguir que seja funcional, ou seja, que no se sature nas
condies de trabalho. Tambm importante minimizar a adio de no linearidades
prprias do indutor como a indutncia magnetizante, indutncia de disperso, capacitncias
entre enrolamentos, capacitncias entre espiras, etc. A Figura 3.12 mostra um modelo de
um ncleo de ferrite do tipo E-E.

Figura 3.12. Ncleo e carretel do tipo E.

Em [36] define-se o valor do produto
w e
A A necessrio para a construo do indutor
como:

u
Lrms Lpico
w e
F J B
I I L
A A

=
max max
4
10
(3.16)

52
Onde:

e
A : rea efetiva da perna central do ncleo.
w
A : rea da janela onde situado o enrolamento.
u
F : fator de ocupao do cobre dentro do carretel.
max
B : mxima densidade de fluxo magntico [Tesla].
:
max
J mxima densidade de corrente eltrica no cobre do fio [A/cm].
Lpico
I : corrente pico pelo indutor [A].
Lrms
I : corrente eficaz pelo indutor [A].
4
10 : ajuste de unidades para [
4
cm ].

Os fabricantes de ncleos disponibilizam alguns tamanhos e formatos padres de
ncleos e, por este motivo, deve-se selecionar o ncleo com o
w e
A A maior e mais prximo
do calculado [36].

Para o calculo do produto dado por (3.16) necessrio determinar as correntes mximas
de pico e eficaz que iro passar pelo indutor. Da Figura 3.10 pode-se observar que a
corrente de pico no indutor em regime permanente para um conversor Buck dada pela
seguinte expresso:

2
L
o Lpico
i
I I

+ = (3.17)

Substituindo (3.12) em (3.17), obtm-se a expresso da corrente de pico do indutor em
funo do ciclo de trabalho.

( )
L
D T V
I I
O
o Lpico

+ =
2
1
(3.18)

A Figura 3.13 mostra a corrente pico no indutor em funo do ciclo de trabalho, para
uma tenso no banco de baterias de 21 V. Pode-se observar que o maior pico de corrente
no indutor
max Lpico
I corresponde a 8.63 A, o qual ocorre para um ciclo de trabalho de 0.585.

53
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
2
4
6
8
10
D
I
L
p
i
c
o

(
A
)
15 C
50 C
1000 W/m
600 W/m
0.585
8.63

Figura 3.13. Corrente pico no indutor em funo do ciclo de trabalho para Vo = 21 V.

A expresso abaixo apresenta a corrente eficaz no indutor em regime permanente de um
conversor Buck em funo da ondulao de corrente e da corrente mdia dele [24].
Apndice x.

2
2 3
1
1
|
|
.
|
\
|
+ =
O
L
O Lrms
I
i
I I (3.19)

Combinando as Equaes (3.12) e (3.19), obtm-se a expresso (3.20), abaixo, que
representa a corrente eficaz no indutor em funo do ciclo de trabalho. A Figura 3.14 mostra
a simulao da corrente eficaz no indutor considerando uma tenso de sada de 21 V. Nota-
se que o valor mximo igual a 8.31 A para uma razo cclica de 0.588, a mesma que
produz a mxima corrente mdia
max O
I .

( )
2
2
1
3
1
1
|
|
.
|
\
|

+ =
O
O
O Lrms
I L f
D V
I I (3.20)

54
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
2
4
6
8
10
D
I
L
r
m
s

(
A
)
0.588
8.3138
1000 W/m
600 W/m
15 C
50 C
0
0.1
0.5
0.2
0.3
0.4
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0
H (Oe)
B (T)
23 C
80 C

Figura 3.14. Corrente eficaz no indutor em funo do ciclo de trabalho para Vo = 21 V.

Outro parmetro a ser definido a densidade mxima de fluxo magntico do ncleo do
indutor. Segundo [36] os ncleos mais indicados para operao em elevadas freqncias
so os de ferrite, porm, estes apresentam algumas desvantagens em relao s lminas
de ferro silcio, tais como baixa densidade de fluxo de saturao e baixa robustez a choques
mecnicos. A Figura 3.15 mostra a curva de magnetizao da ferrite IP6 [46]. Escolhe-se
como fluxo magntico mximo para o projeto um valor de 0.25 Tesla, pois nessa regio a
curva de magnetizao apresenta um comportamento linear, alm de no ser muito afetada
pela temperatura.

Figura 3.15. Curva de magnetizao ferrite IP6.

55
O valor da densidade de corrente, que indica a capacidade de corrente por unidade de
rea, depende dos condutores utilizados nos enrolamentos. Para o projeto utiliza-se um
valor de densidade mxima de corrente de 300 (A/cm). J para o fator de ocupao se
aceita um valor tpico para a construo de indutores de 0.7 [45], ou seja, que a rea
ocupada pelos enrolamentos ser aproximadamente de 70% da janela. Assim, os valores
para o calculo do produto
w e
A A so: H L 588 = , 7 . 0 =
u
F ,
2
max
/ 300 cm A J = ,
T B 25 . 0
max
= , A I
Lpico
63 . 8
max
= , A I
Lrms
31 . 8 = .

4
4 6
62 . 7
7 . 0 300 25 . 0
10 63 . 8 31 . 8 10 558
cm
x
A A
w e
=

=

(3.21)

Escolhe-se assim o modelo NEE55/28/21 do fabricante Thornton que apresenta o
produto
w e
A A mais prximo ao calculado. As especificaes desse modelo so
apresentadas na Tabela 3.7.

Tabela 3.7. Especificaes do ncleo NEE/55/28/21 do fabricante Thornton.

w e
A A ) ( 85 . 8
4
cm
e
A (rea efetiva do ncleo) ) ( 54 . 3
2
cm
w
A (rea da janela) ) ( 5 . 2
2
cm
e
L (comprimento efetivo do ncleo) ) ( 12 cm
e
l (comprimento mdio de uma espira) ) / ( 6 . 11 espira cm
r
(permeabilidade relativa do ncleo) 1623 sem gap
e
V (volume magntico efetivo do ncleo) ) ( 5 . 42
3
cm
Peso aproximado 109 grms

56

Figura 3.16. Dimenses do ncleo de ferrite NEE-55/28/21 escolhido para o indutor.

3.8.2.2 Nmero de Espiras

O nmero de espiras N obtido diretamente da expresso abaixo[45]:

54 41 . 54
54 . 3 25 . 0
10 63 . 8 10 558
10
4 6
max
4
max
=

=

x
A B
I L
N
e
Lpico
(3.22)

3.8.2.3 Clculo do entreferro

O valor do entreferro
gap
l necessrio para o indutor pode-ser obtida conforme
expresso abaixo [24]:

|
|
.
|
\
|
=
r e
e gap
L l

1 1
(3.23)

Onde:

e
: permeabilidade relativa equivalente do ncleo.
r
: permeabilidade relativa do ncleo.
A permeabilidade relativa do ncleo fornecida pelo fabricante e a permeabilidade
relativa equivalente do ncleo pode-se determinar pela expresso [24]:
57

(max) 0
2
max
2
L
e
e
W
V B

=
(3.24)

Onde:

0
: permeabilidade do ncleo.
e
V : volume magntico efetivo do ncleo.
max L
W : mxima energia a armazenar no indutor.

Para determinar a permeabilidade relativa equivalente do ncleo, necessrio conhecer
a energia armazenada em um indutor. Essa energia dada pela seguinte expresso:

L I W
L L
=
2
2
1
(3.25)

Na qual
L
I a corrente que passa por o indutor. Para um ciclo de trabalho D dado,
L
W
mxima nos picos de
L
I , assim a mxima energia armazenada no indutor ser:

L I W
Lpico L
=
2
max max
2
1
(3.26)

Assim, considerando a corrente de pico mxima do indutor (calculada anteriormente),
obtm-se a mxima energia que vai-ser armazenada no indutor.

] [ 77 . 20 10 558 63 . 8
2
1
2
1
6 2 2
max max
mJ x L I W
Lpico L
= = =

(3.27)

Substituindo (3.27) em (3.24), calcula-se a permeabilidade relativa equivalente:

23 . 56
10 78 . 18 10 4 2
10 42500 * 25 . 0
3 7
9 2
=

=

e
(3.28)

Substituindo
e
L = 120 mm,
r
= 1623 fornecidos pelo fabricante do ncleo (de Tabela
3.7) e
e
=56.23 calculado anteriormente em (3.23), calcula-se o valor do entreferro:
58

) ( 05 . 2
1623
1
23 . 56
1
120 mm l
gap
= |
.
|
\
|
= (3.29)

Tem-se que dizer que o valor calculado referente ao comprimento total do entreferro,
porm, no caso dos ncleos do tipo E-E onde o entreferro normalmente colocado nas
pernas laterais, em cada perna lateral deve existir um entreferro com metade do valor
calculado.

3.8.2.4 Clculo da Bitola dos Condutores

A utilizao de condutores em altas freqncias deve levar em conta o efeito pelicular
(skin efect). sabido que, medida que a freqncia aumenta, a corrente no interior de um
condutor tende se distribuir pela periferia, ou seja, existe maior densidade de corrente nas
bordas e menor na regio central. Esse efeito causa uma reduo na rea efetiva do
condutor. Em outras palavras, o efeito pelicular atua de maneira a limitar a rea mxima do
condutor a ser empregado. O valor da profundidade de penetrao pode ser obtido atravs
da Equao (3.30) [45]. Desta forma, o condutor utilizado no deve possuir um dimetro
superior ao valor 2, onde:
.
f
5 . 7
= (3.30)

Sendo f a freqncia de chaveamento que, para o projeto, foi definida como 24 kHz.
Assim:

) ( 04841 . 0
000 . 24
5 . 7
cm = = (3.31)

De acordo com (3.31), o condutor deveria possuir um dimetro inferior a 2 = 0.096 cm.
A rea do condutor
con
A necessria para o clculo da bitola do fio depende da mxima
densidade de corrente admitida para o condutor e da mxima corrente eficaz que passara
por ele, conforme (3.32) [45].

59
2
2
max
max
0277 . 0
/ 300
31 . 8
cm
cm A
A
J
I
A
Lrms
con
= = = (3.32)

O dimetro correspondente rea dada por (3.32) aproximadamente de 0.187 cm.
Eventualmente se poderia utilizar o fio AWG 13 que possui um dimetro de 0.183 cm, porm
ele no menor a 2 . Sendo assim, necessrio associar condutores em paralelo,
formando o que se conhece por fio Litz, afim de que se possa conduzir a corrente sem
superaquecimento dos fios. O nmero de condutores pode ser calculado da expresso
abaixo [45]:

Skin
con
condutores
A
A
n = (3.33)

Onde
Skin
A corresponde rea do condutor cujo dimetro mximo limitado pelo valor
2 [45]. Tem-se que o fio AWG 19 tem dimetro 0.091cm (menor que cm 096 . 0 2 = ), cuja
rea sem isolamento
Skin
A = 0.006527 cm [47]. Desta forma o nmero de condutores
AWG 19 em paralelos necessrios fica:

4
) ( 006527 . 0
) ( 0271 . 0
2
2
=
cm
cm
n
condutores
(3.34)

Assim, a rea total ocupada pelos condutores pode-se determinar por meio da
expresso seguinte:

isol Skin condutores total
A n N A
+
= (3.35)

Onde
isol Skin
A
+
corresponde rea do condutor mais a camada de isolamento. Para o
modelo AWG 19 essa rea corresponde a 0.007794 cm [47].

) ( 6835 . 1 ) ( 007794 . 0 4 54
2 2
cm cm A
total
= = (3.36)

Assim a rea ocupada pelos condutores corresponde a 67.34% da rea total da janela.

60
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
0.5
1
1.5
2
2.5
3
D
P
c
o
b
r
e

(
w
)
1000 W/m
600 W/m
15 C
50 C
3.8.2.5 Clculo das perdas no indutor

3.8.2.5.1 Clculo das perdas no cobre

As perdas no cobre dependem diretamente da resistncia do enrolamento, que pode ser
facilmente calculada como [45]:

condutores
e fio
cobre
n
N l
R

=

(3.37)

Onde
fio
corresponde resistividade do fio por cm. Para o fio AWG 19 essa
resistividade corresponde a 0.000264 (/cm) para uma temperatura de 20 C [47]. Assim a
resistncia do enrolamento do indutor fica:

=

= m
cm cm
R
cobre
3 . 41
4
54 ) ( 6 . 11 ) / ( 000264 . 0
(3.38)

As perdas no cobre do indutor podem ser aproximadas usando-se a resistncia em
corrente contnua do enrolamento, visto que a ondulao de corrente pequena. Elas so
iguais a:
2
Lrms
cobre cobre
I R P = (3.39)

Na qual
Lrms
I dada pela Equao (3.19).

Figura 3.17. Perdas no cobre em funo do ciclo de trabalho D, para Vo = 21 V.
61
L
V
tempo
tempo
B
DT
DT
O i
V V
O
V
T
0
0
O
B
B
T
3.8.2.5.2 Clculo das perdas magnticas

As perdas magnticas so devidas basicamente histerese e s correntes parasitas.
Em [47] prope-se uma expresso emprica que permite determinar com boa aproximao o
valor das perdas no ncleo. Ela expressa como:

( )
e f h nucleo
V f K f K B P + =
2 4 , 2
(3.40)

Onde:

h
K : coeficiente de perdas por histerese.
f
K : coeficiente de perdas por correntes parasitas.
e
V : volume magntico efetivo do ncleo (
3
cm ).
f : freqncia de operao (Hz).
B : excurso da densidade de fluxo magntico (Tesla).

A Equao (3.40) mostra que as perdas no ncleo aumentam com a freqncia de
operao e com a excurso da densidade de fluxo. Para freqncias inferiores a 40 kHz,
geralmente as perdas no ncleo so desprezadas [47]. As perdas no material magntico
dependem da variao da densidade de fluxo B em cada perodo de chaveamento. A Figura
3.18 mostra o comportamento da densidade de fluxo.

Figura 3.18. Curvas da tenso e da densidade de fluxo no indutor.

A densidade de fluxo relaciona-se com a tenso no indutor da forma mostrada na
seguinte expresso [24]:
62

dt
dB
A N v
e L
= (3.41)

Assim, a excurso da densidade magntica em funo do ciclo de trabalho [24]:

( )
e
A N
T D V
B

=
2
1
0
(3.42)

De forma similar Equao (3.11), pode-se mostrar que a variao de fluxo magntico
mxima para Vo = 23.2 V e D = 0.5. Assim, a mxima excurso do fluxo :

( )
mT B 64 . 12
10 54 . 3 54 2 000 . 24
5 . 0 1 2 . 23
4
=

=

(3.43)

Para ncleos de ferrite do fabricante Thornton tem-se que
5
10 4

=
h
K e
5
10 4

=
f
K
[47]. Desta forma obtm-se a mxima perda magntica como:

( ) mW P
nucleo
4 . 1 5 . 42 24000 10 4 24000 10 4 01264 . 0
2 10 5 4 , 2
max
= + =

(3.44)

O valor obtido para a perda mxima no ncleo do indutor indica que as perdas
magnticas praticamente no tm incidncia na eficincia global do conversor, posto que
so muito menores s perdas provocadas pelo efeito Joule no enrolamento (Figura 3.17) e
as provocadas pelos componentes semicondutores (Figuras 3.24 e 3.25). Logo elas sero
desprezadas para o calculo da eficincia do conversor.

63
tempo
tempo
tempo
RSE i V
L RSE O
=
,
L
i
DT
DT
DT
O
V
T
0
0
0
C
I
T
T
( )
8 2
1
2 2 2
1 T i T D DT i
Q
L L

=
(
=
Componente de Vo
devido ao ESR
Componente de Vo
devido capacitncia
C
T i
V
L
cap O
8
,

=
RSE
V
C
V
3.8.3 Determinao do capacitor de sada do Buck

No capacitor de sada C do conversor Buck circula a componente alternada da corrente
do indutor, enquanto no banco de baterias circula a componente mdia. Como mostrado na
Figura 3.19, a corrente no capacitor
C
I provoca tanto uma variao da carga no capacitor
quanto uma queda de tenso na sua resistncia parasita srie (ESR). Devido a que as
tenses
C
V e
RSE
V encontram-se em quadratura, estas devem ser adicionadas ponto a
ponto para se determinar a forma e os valores exatos da tenso de carga [47].

Figura 3.19. Curvas da corrente e das componentes da ondulao de tenso no capacitor C.

A seguir so dadas as expresses da ondulao de tenso no capacitor provocada pela
variao de carga e a ondulao de tenso provocada pela resistncia srie equivalente,
respectivamente [48]:

f C
i
V
L
cap O

=
8
,
(3.45)

RSE i V
L RSE O
=
,
(3.46)
64
Aceita-se uma ondulao mxima de tenso provocada pela variao de carga de 1% da
tenso mnima da tenso mdia de sada (valor sugerido em [47]). Assim, manipulando a
Equao (3.45), determina-se o valor mnimo da capacitncia do capacitor de sada.

F
f V
i
C
RSE O
L
85 . 19
24000 8 21 01 . 0
31 . 8 1 . 0
8
,
=

=

= (3.47)

J para a ondulao de tenso provocada pela resistncia parasita srie, escolhe-se
tambm que esta seja no mximo de 1% da tenso mnima da tenso mdia de sada.
Desta forma com (3.46) calcula-se a mxima resistncia parasita admissvel.

=
= m
i
V
RSE
L
RSE O
7 . 252
31 . 8 1 . 0
21 01 . 0
,
(3.48)

Segundo [47], na prtica o valor de
RSE
V em geral predominante e pode ser tomado
como o nico responsvel pela ondulao de tenso na carga. Tendo isso em vista,
escolhe-se o capacitor comercial em funo de sua resistncia parasita, menor a 252 m.
A Tabela 3.8 mostra as caractersticas do capacitor comercial escolhido.

Tabela 3.8. Capacitor eletroltico de sada do conversor.
Marca Epcos
Capacitncia 560 uF
Tenso 100 V dc
RSE(max), 10kHz, 20C 230 m

65
Cin
i
tempo
tempo
in in cap i
C Q V /
,
=
(1-D)T
I
( ) I I
O

T
0
0
i
V
T
( ) T D I Q
in
= 1
Componente de Vi devido
variao de carga
(1-D)T
tempo
(1-D)T
( ) ESR I I
O

T
0
O ESR i
I RSE V =
,
Componente de Vi
devido ao ESR
ESR I
tempo
(1-D)T
I
0
T
I
0
O
I
T
i
i Aproximao utilizada
Corrente considerando o ripple em iL
3.8.4 Determinao do capacitor Ci de entrada do Buck

Pode-se considerar que a corrente e a tenso no capacitor de entrada Ci do conversor
Buck apresentem o comportamento mostrado na Figura 3.20. Enquanto o Mosfet no
conduz, a corrente dos mdulos carrega o capacitor. Quando ele conduz, o capacitor
fornece corrente que, somada dos mdulos, igual a iL.

Figura 3.20. Curvas da tenso no capacitor de entrada do Buck e dos componentes da tenso.
Despreza-se o ripple nos indutores dos filtros de entrada e sada.

Da Figura 3.20 pode-se observar que a variao da tenso Vi devida variao de
carga no capacitor de entrada em funo do ciclo de trabalho dada como:

66
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
2
4
6
8
10
x 10
-5
D
600 W/m
1000 W/m
15 C
50 C
Q
i
n
(
c
o
u
l
o
m
b
)
0.575
8.43
( )
in in
in
i
C
T D I
C
Q
V

=
=
1
(3.49)

A Figura 3.21 mostra a simulao feita para a variao de carga
in
Q em funo do
ciclo de trabalho. Para a tenso no banco de baterias de 21V, condio que gera os maiores
valores, observa-se que
in
Q mximo para D=0.575 e igual a 84.34C. Desta forma
,escolhendo a mxima variao da tenso
i
V devido variao de carga igual a 0.5% da
tenso mxima do mdulos, obtm-se o valor para a capacitncia do capacitor de entrada.

F
x
V
Q
C
i
in
in
2 . 378
6 . 44 005 . 0
10 34 . 84
6
=
=

(3.50)

Figura 3.21. Variao de carga Qin em um perodo de chaveamento em funo do ciclo de trabalho
D, para Vo=21 V.

A variao da tenso vi devida queda de tenso na resistncia srie equivalente do
capacitor de entrada aproximada por:

( ) | |
O O RSE i
I RSE I I RSE I RSE V
,
(3.51)

Aceitando uma mxima variao de tenso devido queda na RSE igual a 1,5% da
tenso mxima nos mdulos, obtm-se:

67
=
= m
I
V
RSE
O
RSE i
6 . 53
31 . 8
6 . 44 01 . 0
,
(3.52)

Nota-se que neste caso os picos de variao de tenso coincidem. Entretanto, seus
valores mximos ocorrem para ciclos de trabalho diferentes. A mxima ondulao
provocado pela variao de carga ocorre para um ciclo de trabalho de D=0.575, enquanto
que a mxima ondulao provocada pela resistncia parasita acontece para D=0.588 (o
mesmo que causa a mxima corrente mdia de sada). Assim certamente a ondulao da
tenso de entrada ser menor que 1.5% da tenso mxima dos mdulos.

Da mesma forma que para o capacitor de sada calculado na seo anterior, a escolha
de um valor comercial ser feita em funo de sua RSE, neste caso, menor que 53 m. Na
Tabela 3.9 mostram-se as caractersticas do capacitor comercial escolhido.

Tabela 3.9. Capacitor eletroltico de entrada do conversor.

Marca Epcos
Capacitncia 4700 uF
Tenso 63 V dc
RSE(max), 10kHz, 20C 50 m

68
O
I
ds
i
ds
V
o
t
r
t
on
t
f
t
T t
o
+
O on ds cond
I r V =
) (
i
V
Tempo
ds
V
+
_
ds
i
G
S
D
(a)
(b)
3.8.5 Determinao do Mosfet

Para a escolha do Mosfet, foi realizado um clculo das perdas. Usa-se o modelo
simplificado para o Mosfet como mostrado na Figura 3.22(b). As perdas em um Mosfet,
quando empregado em um conversor esttico, so anlogas s perdas de um transistor
bipolar, ou seja, uma parcela associada s perdas de conduo e outra s perdas pela
comutao.

Figura 3.22. Modelo simplificado do funcionamento do Mosfet, usado no clculo de perdas. (a)
Definio das variveis. (b) Curvas de chaveamento do Mosfet.

De acordo Figura 3.22 as perdas de conduo so dadas pela seguinte expresso:

D I r
T
t
I r P
O on ds
on
O on ds cond
= =
2
) (
2
) (
(3.53)

Onde
) (on ds
r corresponde resistncia dreno-source na conduo.

As perdas de chaveamento so dadas por 2 parcelas. A primeira delas pela potncia
dissipada na subida e descida da corrente id, mostradas na Figura anterior, dada por:

69
G
D
S
ds
C
gd
C
gs
C
( )
f r
i
chav
t t
T
I v
P +
=
2
0
(3.54)
A segunda dada pelo descarregamento da capacitncia dreno-source, Cds

2
2
1
i ds ds
V C
T
Pc
= (3.55)

Alm da capacitncia dreno-source, o Mosfet apresenta mais duas capacitncias, a
capacitncia gate-dreno (Cgd) e a capacitncia gate-source (Cgs), elas so mostradas na
Figura 3.23.

Figura 3.23. Capacitncias presentes em um mosfet.

Os fabricantes no fornecem direitamente estas capacitncias. Eles definem outras trs
capacitncias, elas so: capacitncia de entrada (Ciss), a capacitncia de sada (Coss) e a
capacitncia de transferncia (Crss), com esta informao pode obter-se indiretamente a
capacitncia dreno-source com as relaes a seguir [47]:

gd gs iss
C C C + = (3.56)
gd rss
C C = (3.57)
gd ds oss
C C C + = (3.58)

Assim, as perdas totais no Mosfet em funo da razo cclica so:

( )
2
0
2
2
1
2
i ds f r
i
o ds mosfet
V C
T
t t
T
I v
D I r P
+ +
+ = (3.59)

Depois de testar vrios modelos, foi escolhido o Mosfet IRF540Z da International
Rectifier, pois foi o que apresentou as menores perdas. A Tabela 3.10 apresenta os
70
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
P
e
r
d
a
s

n
o

m
o
s
f
e
t

(
w
)
0.605
1.407
1000 W/m
600 W/m
15 C
50 C
parmetros mais relevantes deste Mosfet para o clculo das perdas, eles foram tirados do
seu catlogo.

Tabela 3.10. Caractersticas eltricas do Mosfet IRF540Z.

DSS
V (Max. Tenso dreno-source)
100 V DC
(max) D
I (Max. Corrente de dreno)
36 A DC
) (on DS
r 26.5m
r
t
51 ns
f
t
39 ns
iss
C
1770 pF
oss
C
180 pF
rss
C
100 pF
ds
C (Calculada)
80 pF

A Figura abaixo mostra as perdas totais em funo da razo cclica para o mosfet
escolhido. A maior perda ocorre para um ciclo de trabalho D=0.605 e corresponde a 1.407
W.

Figura 3.24. Perdas totais no Mosfet em funo do ciclo de trabalho D, para Vo=21 V

71
3.8.6 Determinao do diodo do Buck

Da mesma forma que no caso do Mosfet, o diodo apresenta perdas por conduo e
comutao. Devido ao fato de se utilizar um diodo Schottky neste projeto, as perdas de
chaveamento sero desprezadas. Sendo assim, somente as perdas de conduo sero
consideradas. Elas, em funo do ciclo de trabalho para um conversor Buck so dadas
como [47]:

( )( ) D I r I V P
rms T O f diodo
+ = 1
2
(3.60)

Onde:

T
r : resistncia de conduo direta do diodo
f
V : queda de tenso no diodo na conduo

A mxima corrente mdia que o diodo deve suportar de 8.31 A, que a condio de
mxima potncia fornecida pelo arranjo fotovoltaico usada no projeto do conversor Buck. A
tenso de bloqueio mxima que ter que suportar ser de 44.6 V, que a tenso de circuito
aberto do arranjo para essa condio climtica. Outro parmetro importante na escolha do
diodo tem relao com as perdas: importante que o diodo tenha uma baixa resistncia de
conduo direta. Depois de analisar vrios modelos, escolheu-se o modelo MBR20100CT
da International Rectifier, pois permite cumprir com as especificaes do projeto e foi o que
apresentou as menores perdas. A Tabela 3.11 apresenta os parmetros eltricos mais
relevantes para o diodo escolhido, os dados foram tirados de seu datasheet.

Tabela 3.11 Caractersticas eltricas do diodo MBR20100CT.

) ( AV F
I (Mx. Corrente mdia admissvel)
20 A
R
V (Mx. Tenso reversa admissvel) 100 V
f
V (Mx. Tenso de conduo direta)
0.95 V
T
r (Resistncia de conduo direta) 15.8 m

A Figura 3.25 mostra a simulao para o clculo das perdas para o diodo Schottky em
funo da razo cclica. A maior perda ocorre para um ciclo de trabalho D=0.558 e
corresponde a 3.866 W.
72
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
D
P
e
r
d
a
s

n
o

d
i
o
d
o

(
w
)
1000 W/m
600 W/m
15 C
50 C
0.558
3.86
j
T
C
T
D
T
A
T
t
P
jC
R
CD
R
DA
R

Figura 3.25. Perdas totais no diodo Schottjy em funo do ciclo de trabalho D, para Vo=21 V

3.8.7 Clculo trmico dos semicondutores

O objetivo do clculo trmico de um componente garantir que a temperatura de juno
permanea abaixo do valor mximo permitido, definido pelo fabricante. A degradao de um
semicondutor resulta de reaes qumicas que provocam alteraes na estrutura de silcio
em escala nuclear. Quanto maior a temperatura de trabalho da juno, menor o MTBF
(tempo mdio entre falhas). Geralmente a mxima temperatura de juno para um transistor
igual a 150 C e para um diodo pode alcanar 175 C. A rigor, pode-se afirmar que todo
semicondutor tem uma vida limitada, ou seja, falhar. A mxima temperatura de juno um
compromisso em relao a uma vida til aceitvel [47]. Para o clculo trmico em regime
permanente, considera-se o circuito eltrico equivalente mostrado na Figura 3.26.

Figura 3.26. Circuito eltrico equivalente do circuito trmico para os semicondutores.

73
Onde:

j
T :Temperatura da juno (C)
C
T :Temperatura do encapsulamento (C)
D
T :Temperatura do dissipador (C)
A
T :Temperatura ambiente (C)
jC
R : Resistncia trmica juno-cpsula (C/W)
CD
R : Resistncia trmica de contato entre o semicondutor e o dissipador (C/W)
DA
R : Resistncia trmica dissipador-ambiente (C/W)
t
P : Perdas totais no semicondutor (W)

Assim:

( )
DA CD jC A j
R R R P T T + + = (3.61)

Desse modo a resistncia trmica do dissipador pode ser calculada de acordo seguinte
expresso:

CD jC
t
A j
DA
R R
P
T T
R
= (3.62)

Para estimar a temperatura de juno do dispositivo semicondutor sem utilizar um
dissipador de calor, os fabricantes fornecem a resistncia trmica juno-ambiente (
jA
R ).
Nesse caso a temperatura de juno pode ser calculada diretamente da seguinte equao:

t jA A j
P R T T + = (3.63)

74
3.8.7.1 Determinao do dissipador para o Mosfet

Para o clculo da temperatura de juno do Mosfet, considerou-se uma temperatura
ambiente de 40 (C), e uma resistncia trmica juno-ambiente de 60 (C/W) em
concordncia com seus dados trmicos tirados do seu catlogo, eles so mostrados na
Tabela 3.12. Usando a expresso (3.63), calcula-se a seguir a temperatura da juno.

C P R T T
t jA A j
= + = + = 124 4 . 1 60 40 (3.64)

Tabela 3.12. Parmetros trmicos do Mosfet IRF540Z.

max j
T
175 C
jC
R
1.64 C / W
CD
R
0.5 C / W
jA
R
60 C / W

Embora a temperatura de trabalho calculada para a juno do Mosfet, esteja dentro dos
limites permitidos pelo fabricante, igualmente determina-se o calculo da resistncia trmica
dissipador-ambiente, o objetivo diminuir ainda mais a temperatura de trabalho visando
aumentar a vida til do Mosfet. Escolhe-se como temperatura de trabalho como o 50% de
seu valor mximo permitido por catlogo (Tabela 3.12), ou seja, 87.5 C. Usando a
expresso (3.62) calcula-se a mxima resistncia trmica dissipador-ambiente para o
Mosfet.

W C R
DA
/ 4 . 17 5 . 0 64 . 1
407 . 1
60 5 . 87

= (3.65)

3.8.7.2 Determinao do dissipador para o diodo Schottky

Para o clculo da temperatura de juno do diodo Schottky, considerou-se uma
temperatura ambiente de 40 (C), e uma resistncia trmica juno-ambiente de 50 (C/W)
em concordncia com os dados trmicos do seu catlogo, os quais so mostrados na
75
Tabela 3.13. Usando novamente a expresso (3.63), calcula-se a seguir a temperatura da
juno.

C P R T T
t jA A j
= + = + = 233 86 . 3 50 40 (3.66)

Tabela 3.13. Parmetros trmicos do diodo MBR20100CT.

max j
T
150 C
jC
R
2 C / W
CD
R
0.5 C / W
jA
R
50 C / W

O valor obtido para a temperatura da juno do diodo indica que se precisa de um
dissipador de calor para conseguir baixar a temperatura de trabalho a valores aceitveis
pelo fabricante (Tabela 3.13). Assim, limita-se a temperatura de juno do Schottky a 50%
de o seu valor mximo permitido, para o caso 75 C. Usando a expresso 3.62 calcula-se a
mxima resistncia trmica dissipador-ambiente para o diodo.

W C R
DA
/ 56 . 6 5 . 0 2
86 . 3
40 75

= (3.67)

3.8.8 Eficincia do conversor Buck

Pode-se calcular a eficincia esperada para o conversor Buck combinando as perdas
nos semicondutores (Equaes (3.59) e (3.60)) e no cobre do indutor (Equao (3.39)), de
acordo com a Equao abaixo:

|
|
.
|
\
| + +
=
arranjo
cobre diodo mosfet
P
P P P
1 100 (3.68)

Onde
arranjo
P corresponde potncia fornecida pelo arranjo fotovoltaico. Simula-se,
assim, a curva de eficincia para o conversor Buck em funo da razo cclica mostrada na
Figura 3.27, na qual nota-se que a mnima eficincia esperada maior a 95 %.
76
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
95
95.5
96
96.5
97
97.5
98
98.5
99
D
E
f
i
c
i
n
c
i
a

d
o

c
o
n
v
e
r
s
o
r

(
%
)
1000 W/m
600 W/m
15 C
50 C

Figura 3.27. Eficincia esperada do conversor Buck em funo do ciclo de trabalho, considerando as
perdas nos semicondutores e no cobre do indutor, para Vo=21 V.

3.8.9 Eficincia do conversor para outras topologias

Nesta seo faz-se uma comparao da eficincia esperada do conversor Buck, para
trs formas diferentes de conexo do arranjo fotovoltaico de entrada e do banco de baterias
na sada. Para as simulaes utilizado o modelo eltrico obtido para o painel Isofoton
usado nas sees anteriores.

A primeira topologia a j considera para o projeto nas sees anteriores, ou seja, um
arranjo de dois painis fotovoltaicos conectados em srie entrada do conversor, e duas
baterias tambm conectadas em srie sada do conversor (Figura 3.28), uma segunda
topologia considera dois painis fotovoltaicos conectados em srie e duas baterias
conectadas em paralelo (Figura 3.29), a terceira topologia analisada composta por dois
painis em paralelo e duas baterias tambm em paralelo (Figura 3.30).

Foi considerada como condio meteorolgica uma radiao incidente de 1000 W/m e
uma temperatura dos mdulos de 15 C. Para essa condio climtica so determinadas as
perdas nos componentes do conversor Buck em funo do ciclo de trabalho. As Figuras
3.31, 3.32 e 3.33 apresentam as perdas no Mosfet, no diodo, e no cobre do indutor
respectivamente, para cada topologia mencionada anteriormente.

77
Buck
D
C
+
_
+
_
PV
I
bat
I
PV
V
bat
V
Buck
D
C
+
_
+
_
PV
I
bat
I
PV
V
bat
V
Buck
D
C
+
_
+
_
PV
I
bat
I
PV
V
bat
V

Figura 3.28. Topologia 1: painis fotovoltaicos em srie e baterias em srie.

Figura 3.29. Topologia 2: painis fotovoltaicos em srie e baterias em paralelo.

Figura 3.30. Topologia 3: painis fotovoltaicos em paralelo e baterias em paralelo.

78
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
0
1
2
3
4
5
6
7
D
P
e
r
d
a
s

n
o

m
o
s
f
e
t

(
W
)

Topologia 1
Topologia 2
Topologia 3
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
0
5
10
15
D
P
e
r
d
a
s

n
o

d
i
o
d
o

(
w
)

Topologia 1
Topologia 2
Topologia 3

Figura 3.31. Perdas no diodo do conversor em funo do ciclo de trabalho, para trs topologias.

Figura 3.32. Perdas no Mosfet em funo do ciclo de trabalho, para as trs topologias.

79
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
0
5
10
15
D
P
e
r
d
a
s

n
o

c
o
b
r
e

d
o

i
n
d
u
t
o
r

(
w
)

Topologia 1
Topologia 2
Topologia 3
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
80
85
90
95
100
D
E
f
i
c
i
n
c
i
a

d
o

c
o
n
v
e
r
s
o
r

(
%
)

Topologia 1
Topologia 2
Topologia 3

Figura 3.33. (a) Curva I-V tpica de um painel fotovoltaico. (b) Curva P-V tpica de um painel
fotovoltaico. Figura 6.15. Potncia diria fornecida pelo arranjo fotovoltaico funcionando com o MPPT,
no dia 14 de Agosto de 2009.

Figura 3.34. Eficincia esperada do conversor Buck em funo do ciclo de trabalho, para as trs
topologias.

A Tabela 3.14 apresenta um resumo das perdas mximas por componente do conversor
Buck e a eficincia esperada para cada topologia analisada. Nela pode-se observar que o
diodo Schottky apresentou maiores perdas para a topologia 2, devido basicamente a que
sua dissipao de potncia depende das correntes mdias e eficazes que passam por ele,
que no caso dessa conexo so maiores devido a que a potncia fornecida pelo arranjo tem
que ser transferida para o banco de baterias a um nvel de tenso menor. No caso do
Mosfet apresentou maiores perdas para a topologia 3. As maiores perdas Joule ocorreram
80
para as topologias 2 e 3. Em relao eficincia do conversor a topologia 1 foi a que
apresentou a maior eficincia das trs chegando a um valor mnimo de 95.37 % .

Tabela 3.14. Eficincia esperada do conversor Buck

Pmax Diodo (w) Pmax Mosfet (w) Pmax Indutor (w) Eficincia (%)
Topologia 1 3.866 1.407 2.854 95.37
Topologia 2 14.304 2.814 11.419 83.65
Topologia 3 8.652 4.710 11.417 85.98

3.10 Concluses

Um bom projeto fotovoltaico requer um timo compromisso entre a demanda esperada
de energia e a energia produzida pelos painis fotovoltaicos. Neste captulo foi definida a
demanda esperada de energia para um sistema fotovoltaico autnomo destinado
basicamente para iluminao de uma residncia de baixo consumo eltrico. A partir desse
consumo esperado de energia foi dimensionado o arranjo fotovoltaico e o banco de baterias.
O dimensionamento do sistema foi feito para obter uma autonomia mnima de dois dias e
visando garantir uma vida til das baterias de dois anos como mnimo. Para estimar a
energia solar disponvel na localidade de estudo (Belo Horizonte Minas Gerais), foram
utilizadas as taxas de radiao mdia mensal fornecidas por CEPEL [21].

Foi simulado o circuito eltrico equivalente para o arranjo fotovoltaico e o modelo com
duas resistncias intrnsecas foi escolhido. Este modelo foi utilizado para o
dimensionamento dos componentes do conversor de potncia e ser utilizado tambm no
prximo captulo para a avaliao das tcnicas MPPT, por apresentar resultados bastante
aproximados das curvas caractersticas fornecidas pelo fabricante do modelo comercial
escolhido (apndice A).

Foi avaliada a eficincia esperada do conversor Buck projetado, para esse efeito foram
determinadas as perdas nos dispositivos semicondutores (diodo Schottky e Mosfet) e as
perdas no cobre do indutor. As perdas magnticas no seu ncleo foram desprezadas por ser
muito pequenas comparadas s anteriormente mencionadas. Foi comparada a eficincia
para trs topologias de conexo do arranjo fotovoltaico e do banco de baterias, sendo a
conexo em srie do arranjo e em srie das baterias a que apresentou a melhor eficincia
para este projeto, atingindo uma eficincia mnima acima de 95 %.

81
Captulo 4

Tcnicas de rastreamento do ponto de mxima
potncia

4.1 Introduo

A baixa eficincia de converso das clulas solares e o alto custo de instalao so os
maiores obstculos da gerao de energia eltrica atravs de painis fotovoltaicos. O
mximo aproveitamento da capacidade de energia eltrica de um mdulo solar obtido
quando o mesmo opera sempre no ponto de mxima potncia (MPP), como j foi visto no
Captulo 3 esse ponto varia ao longo do dia, dependendo das condies de irradincia e
temperatura s quais for exposto. Assim, para aumentar a eficincia global do sistema
importante que os painis operem sobre o MPP o maior tempo possvel, para garantir essa
situao, faz-se necessria a utilizao de uma tcnica que procure aquele ponto, mesmo
com variaes meteorolgicas. As tcnicas baseadas nesse principio so chamadas de
tcnicas de rastreamento do ponto de mxima potncia (MPPT - maximum power point
tracking).

Ao longo dos anos vrias tcnicas MPPT foram desenvolvidas. Esses mtodos variam
em complexidade, velocidade de convergncia, sensores requeridos, custo, faixa de
eficincia, implementao em hardware e popularidade entre outros aspectos [25].

Um estudo comparativo entre as principais tcnicas foi apresentado em [25], [26], [27] e
[29]. Os autores destas referncias coincidem em dizer que entre as tcnicas mais utilizadas
esto: tenso constante (CV - Constant Voltage), perturbao e observao (P&O -
Perturbation and Observation) e condutncia incremental (IncCond - Incremental
Conductance).

Neste captulo analisado o funcionamento das tcnicas antes mencionadas. Para cada
uma delas apresentado o marco terico correspondente e tambm so realizadas
simulaes, com fim a avaliar o seu desempenho no sistema fotovoltaico proposto.
Finalmente faz-se uma comparao entre os resultados obtidos para cada tcnica MPPT
Captulo 4 Tcnicas de rastreamento do ponto de mxima potncia
82
visando selecionar a mais adequada para a implementao prtica. Todas as simulaes
foram realizadas no ambiente Simulink de Matlab.

Para simular o arranjo fotovoltaico foi utilizado o bloco programvel Embedded Matlab
Function, no qual foi desenvolvida uma rotina para a soluo numrica da corrente gerada
pelo arranjo (Equao (2.4) do Captulo 2). A Figura 4.1 mostra o esquema em Simulink do
arranjo. O diodo de bloqueio foi simulado como tendo uma queda de tenso de 0.8 V e
resistncia de conduo de 15 m em concordncia com o catlogo do diodo
MBR20100CT. Para o capacitor de sada do painel foi escolhido um valor de 4700 uF. Os
detalhes da rotina do bloco programvel so apresentados no Apndice D.

Figura 4.1 Arranjo fotovoltaico implementado em Simulink

Para a simulao do conversor Buck foram adotados os valores dos componentes
obtidos no seu dimensionamento realizado no Capitulo 3, (Co=560 uF, Rse=230 m, L=558
uH, RL=41 m). Para o diodo Schottky deste conversor foram utilizados os mesmos valores
descritos anteriormente, correspondentes ao MBR20100CT. A chave foi simulada como
tendo uma resistncia de conduo dreno-source igual a 26.5 m, em concordncia com o
catlogo para o Mosfet IRF540Z. Para o PWM foi definida uma freqncia de chaveamento
de 24 kHz e uma amplitude de rampa de 43.2 (tenso de circuito aberto do arranjo para a
condio padro de teste STC).

J para a simulao do banco de baterias, foi utilizado um modelo genrico para baterias
recarregveis de chumbo cido disponvel no pacote Power Systems de Simulink. Os
parmetros usados para cada bateria foram: 12 V de tenso nominal, 150 Ah de capacidade
em concordncia com o dimensionamento feito no Captulo 2. Foi escolhido um estado de
carga inicial (SOC) de 50% para cada bateria. A Figura 4.2 mostra o banco de baterias
implementado.

83
12
150
50
12 V, 150 Ah
12 V, 150 Ah

Figura 4.2 Banco de baterias usado nas simulaes.

Todos os parmetros descritos anteriormente, tanto para o arranjo fotovoltaico quanto
para o conversor de potncia e para o banco de baterias, so mantidos para todas as
simulaes feitas neste captulo. Somente sero modificados os algoritmos MPPT de acordo
ao caso analisado.

4.2 Tcnica Tenso constante (CV)

Esta tcnica baseada no fato de que a tenso de mxima potncia (Vmax) e a tenso
de circuito aberto (Voc) tm aproximadamente uma relao linear independente de qualquer
condio de radiao e temperatura [25], [26], [28], [29].

OC
V k V
1 max
(4.1)

Onde
1
k , chamado fator de tenso, depende das caractersticas do arranjo fotovoltaico
utilizado. O fator de tenso geralmente calculado por meios empricos, determinando
Vmax e Voc para diferentes condies meteorolgicas. Ele varivel e encontra-se
geralmente entre 0.7 e 0.8 [32]. Uma vez determinado
1
k , o valor de Vmax pode ser
encontrado com a Equao (4.1). Para isso preciso desconectar o conversor do arranjo
fotovoltaico periodicamente e medir a tenso de circuito aberto Voc. O valor de Vmax
utilizado como referncia para ser comparado com a medio da tenso do painel (Vpa) e
gerar um sinal de erro que utilizado para ajustar a tenso de controle (Vc), como se pode
observar no fluxograma desta tcnica apresentado na figura 4.3 [26].
84
Ler Vpa(k), Vmax
erro=Vpa(k)- Vmax
Vc=Vc+erro x G
Retorna
Para implementar esta tcnica necessrio o uso de chaves adicionais para
desconectar os painis fotovoltaicos do conversor de potncia para que as aquisies de
Voc possam ser realizadas, o que resulta em uma falta momentnea de energia. Outra
desvantagem desta tcnica o fato de no se poder calcular o novo MPPT at que a
medio de Voc seja realizada novamente. Contudo, a principal desvantagem deste mtodo
a presena de erro em regime permanente, devido a que a relao Voc e Vmax no
constante [28]. Assim, o arranjo fotovoltaico nunca operar exatamente sobre o MPP.
Mesmo que esta tcnica no seja uma verdadeira tcnica MPPT, pode ser adequada em
algumas aplicaes em sistemas fotovoltaicos.

Figura 4.3. Fluxograma da tcnica tenso constante.

Para verificar o funcionamento desta tcnica foi montado o esquema da Figura 4.4.
Neste esquema includa uma segunda chave representada pelo Mosfet T1, cujo objetivo
a desconexo peridica do arranjo do conversor. A resistncia dreno source de T1 foi
definida igual que para o Mosfet do conversor Buck apresentado na Seo 4.1. Para o
controle de chaveamento dos Mosfet foi criado o subsistema Controle chaves, o qual
mostrado na Figura 4.5 (a), dentro dele encontra-se implementado o algoritmo MPPT para
esta tcnica (Figura 4.5 b). O fator de tenso para o algoritmo foi escolhido em 0.8 devido a
que esse valor permanece quase constante numa ampla faixa de radiao incidente como
se mostra na Tabela 4.1, embora, para variaes de temperatura esse valor no tenha sido
o melhor, por ser somente representativo para baixas temperaturas do mdulo fotovoltaico,
como pode se observar na Tabela 4.2.
85

Figura 4.4. Esquema montado para simulao do funcionamento da tcnica Tenso Constante (CV).

(a) (b)

(c)

Figura 4.5. (a) Subsistema Controle Chaves. (b) Subsistema MPPT CV. (c) Subsistema PWM

86
Tabela 4.1. Fator de tenso para o painel Isofoton I80-NP obtido por meio de
simulaes para distintos nveis de radiao incidente e temperatura do mdulo de 25 C.

S (w/m) Vmax (V) Voc (V) K1
1000 17.14 21.6 0.79
900 17.10 21.45 0.79
800 17.03 21.28 0.80
700 16.92 21.08 0.80
600 16.73 20.84 0.80
500 16.43 20.53 0.80
400 15.87 20.11 0.79
300 14.47 19.44 0.74
200 10.41 17.90 0.58
100 5.22 10.43 0.50

Tabela 4.2. Fator de tenso para o painel Isofoton I80-NP obtido por meio de simulaes
para distintos nveis de temperatura do mdulo e radiao incidente de 1000 w/m.

T (C) Vmax (V) Voc (V) K1
10 18.23 22.65 0.80
15 17.87 22.30 0.80
20 17.50 21.95 0.79
25 17.14 21.6 0.79
30 16.78 21.24 0.79
35 16.42 20.89 0.78
40 16.06 20.54 0.78
45 15.70 20.18 0.77
50 15.35 19.83 0.77
60 14.99 19.47 0.76

Neste mtodo existem trs parmetros a serem considerados. O primeiro deles
corresponde ao perodo de amostragem da tenso de circuito aberto (Tca), ou seja, o
intervalo de tempo em que desligado o arranjo fotovoltaico do conversor de potncia. O
segundo o perodo de amostragem (Ta), intervalo de tempo em que a tenso do painel
87
0.05 0.1 0.15 0.2
0
100
200
P
o
t
n
c
i
a

(
w
)
0.05 0.1 0.15 0.2
0
100
200
P
o
t
n
c
i
a

(
w
)
0.05 0.1 0.15 0.2
0
100
200
P
o
t
n
c
i
a

(
w
)
Tempo (seg)
0.46 0.48 0.5
168.2
168.4
168.6
P
o
t
n
c
i
a

(
w
)
Ondulao
0.46 0.48 0.5
167.6
167.8
168
168.2
168.4
168.6
P
o
t
n
c
i
a

(
w
)
0.46 0.48 0.5
167
167.5
168
168.5
P
o
t
n
c
i
a

(
w
)
Tempo (seg)
Ta = 4 ms
Ta = 2 ms
Ta = 0.4 ms
0.29 w
0.65 w
1.05 w
0.16 s
0.081 s
0.0235 s
amostrada em funcionamento normal. O terceiro parmetro corresponde ao ganho G do
algoritmo para esta tcnica. Se o valor de Tca muito pequeno a produo de energia dos
painis ser reduzida pelo aumento na freqncia das perdas momentneas de energia por
desconexo. Se Tca for muito grande o MPP no pode ser seguido de cerca para mudanas
nas condies meteorolgicas. Com relao a Ta e G, percebe-se que ambos por conta
prpria esto relacionados com a velocidade de convergncia e a estabilidade da tcnica.
Para o caso de Ta, uma diminuio de o seu valor permite aumentar a velocidade de
convergncia embora aumente a ondulao de potncia em regime permanente, podendo
chegar instabilidade da tcnica para valores muito pequenos. Para o caso do ganho G,
um aumento de o seu valor aumentar a velocidade de convergncia e acrescentar
tambm a ondulao em regime permanente da potncia de sada do painel, chegando a
ser instvel para ganhos muitos grandes. Fizeram-se simulaes para ajustar os valores de
Ta e G, considerando como entrada para o arranjo a condio padro de teste (STC). As
simulaes mostraram que para um ganho G = 0.1 e um perodo Ta = 2 (ms), atingiu-se
uma boa relao velocidade de convergncia ondulao de potncia. O sistema atingiu o
95 % da mxima potncia disponvel em 81 (ms) com uma ondulao mxima de 0.65 (w). A
Figura 4.6 mostra a potncia fornecida pelo arranjo fotovoltaico para trs valores diferentes
de Ta e mantendo o ganho G constante. A figura 4.7 mostra a potncia fornecida pelo
arranjo para trs valores diferentes do ganho G e mantendo Ta constante.

Figura 4.6. Potncia fornecida pelo arranjo para trs perodos de amostragem Ta diferentes, com
ganho G constante em 0.1.
88
0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4
0
100
200
P
o
t
n
c
i
a

(
w
)
0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4
0
100
200
P
o
t
n
c
i
a

(
w
)
0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4
0
100
200
P
o
t
n
c
i
a

(
w
)
Tempo (seg)
0.46 0.48 0.5
167.5
168
168.5
P
o
t
n
c
i
a

(
w
)
Ondulao
0.46 0.48 0.5
167.5
168
168.5
P
o
t
n
c
i
a

(
w
)
0.46 0.48 0.5
167
167.5
168
168.5
P
o
t
n
c
i
a

(
w
)
Tempo (seg)
G = 0.1
G = 0.5
G = 0.025
0.65 w
0.59 w
1.28 w
0.305 s
0.081 s
0.0238 s

Figura 4.7. Potncia fornecida pelo arranjo fotovoltaico para trs ganhos G diferentes, com perodo de
amostragem Ta constante em 2 (ms).

Para analisar o comportamento da tcnica a mudanas atmosfricas, fizeram-se mais
duas simulaes. Primeiro, manteve-se a temperatura do arranjo fotovoltaico constante em
25 C e variou-se a radiao incidente entre 1000 W/m e 250 W/m em degraus de 250
W/m de acordo figura 4.8a. Aps, manteve-se a radiao incidente constante em 1000
W/m e variou-se a temperatura do arranjo entre 25 C e 55 C em degraus de 10 C de
acordo Figura 4.9a. Para ambas as simulaes utilizou-se os valores de G=0.1 e Ta=2 ms,
j o perodo Tca foi definido em 0.25 segundos visando diminuir o tempo total de simulao.
O intervalo de tempo em que desliga-se a chave T1 definiu-se em 12.5 ms.

Assim, a tenso de circuito aberto amostrada por meio da comutao do Mosfet T1
colocada em srie com o Mosfet T2 do Buck (Figura 4.4). T1 chaveado cada 0.25
segundos e permanece desligado por 12.5 ms ao igual que T2, a corrente da bateria cai a
zero e o arranjo fotovoltaico carrega o capacitor Ci tenso de circuito aberto. Esta
voltagem amostrada e o 80% de seu valor mantido como referncia para o algoritmo de
controle (Figura 4.5b) at o prximo chaveamento de T1.

A Figura 4.8b apresenta a potncia fornecida pelo arranjo para variaes na radiao
incidente a temperatura constante dos mdulos fotovoltaicos. Observa-se que quando a
89
radiao atinge um valor baixo (250 W/m) se reduze muito a eficincia da tcnica (zoom 1),
devido a que o valor do fator de tenso dos painis para essa condio climtica
aproximadamente 0.67, se encontrando longo do valor utilizado na simulao (0.8), porm
consegui-se melhorar a produo de potncia quando atualizada a tenso de referncia,
embora a presena do erro em regime permanente permanece, devido ao fato de que a
tenso de mxima potncia ajustada periodicamente, somente uma boa aproximao da
tenso de mxima potncia real do arranjo fotovoltaico (zoom 1 e 2). A Figura 4.8c mostra a
tenso de sada do arranjo. Pode-se ver como esta tenso tende para a tenso de circuito
aberto periodicamente, e tambm como a mesma oscila ao redor do valor de referncia. Em
quanto Figura 4.8d mostra a evoluo do ciclo de trabalho.

A Figura 4.9b mostra a potncia fornecida pelo arranjo para variaes na sua
temperatura a radiao incidente constante. Observa-se como afetado o rendimento dos
painis quando a temperatura varia bruscamente (zoom 1). Isso se explica basicamente
pelo fato de que o fator de tenso bem sensvel s mudanas de temperatura (Tabela 4.2).
Porm, quando atualizada a tenso de referncia a produo de potncia melhora
significativamente (zoom 1 e 2 ). As Figuras 4.9c e 4.9d apresentam a evoluo da tenso
no arranjo fotovoltaico e do ciclo de trabalho respectivamente.

90
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
0
200
400
600
800
1000
(a)
R
a
d
i
a
o

(
w

/

m
)
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
0
50
100
150
(b)
P
o
t
n
c
i
a

n
o

a
r
r
a
n
j
o

(
w
)
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
10
20
30
40
(c)
T
e
n
s
o

n
o

a
r
r
a
n
j
o

(
v
)

0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
(d)
C
i
c
l
o

d
e

t
r
a
b
a
l
h
o
Tempo (seg)
Tenso no arranjo
Referncia (Vmax)
Potncia
ideal
1 1.1
15
20
1.2 1.25 1.3
60
65
70
Zoom 1
Zoom 2

Figura 4.8. Curvas obtidas para a tcnica CV a temperatura constante de 25C nos painis
fotovoltaicos. (a) Radiao incidente. (b) Potncia fornecida pelo arranjo fotovoltaico. (c) Tenso na
sada do arranjo. (d) Ciclo de trabalho.

91
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
20
30
40
50
60
(a)
T
e
m
p
e
r
a
t
u
r
a

(
C
)
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
0
50
100
150
200
250
(b)
P
o
t
n
c
i
a

n
o

a
r
r
a
n
j
o

(
w
)
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
10
20
30
40
(c)
T
e
n
s
o

n
o

a
r
r
a
n
j
o

(
v
)

0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
(d)
C
i
c
l
o

d
e

t
r
a
b
a
l
h
o
Tempo (seg)
Tenso no arranjo
Referncia (Vmax)
0.7 0.75 0.8
145
150
155
160
Potncia
ideal
0.95 1 1.05
140
145
150
Zoom 1 Zoom 2

Figura 4.9. Curvas obtidas para a tcnica CV a radiao incidente constante de 1000 W/m. (a)
Temperatura nos painis fotovoltaicos. (b) Potncia fornecida pelo arranjo fotovoltaico. (c) Tenso na
sada do arranjo. (d) Ciclo de trabalho.

92
0 10 20 30 40 50
50
100
150
200
V
P
V(k) V(k-1)
P(k)
P(k-1)
P < 0
V < 0
MPP
0 10 20 30 40 50
50
100
150
200
V
P
V(k) V(k-1)
P(k-1)
P(k)
P > 0
V > 0
MPP
0 10 20 30 40 50
50
100
150
200
V
P
V(k-1) V(k)
P(k-1)
P(k)
P > 0
V < 0
MPP
0 10 20 30 40 50
50
100
150
200
V
P
V(k-1) V(k)
P(k-1)
P(k)
P < 0
V > 0
MPP
P P
P P
V
V V
V
(a)
(b)
(c) (d)
4.3 Tcnica Perturba e Observa (P&O)

Esta tcnica usada na maioria dos casos devido a sua fcil implementao. Como o
prprio nome sugere, a tcnica P&O consiste em perturbar a tenso do arranjo solar em
uma dada direo, e observar o comportamento da sua potncia de sada. Se a potncia
aumentar, a perturbao continua na mesma direo, caso contrrio o sistema perturbado
na direo contrria. O processo descrito repetido periodicamente. Percebe-se que o
MPP nunca ser atingido, pois a tcnica estar sempre perturbando a tenso do arranjo
fotovoltaico. Logo, em regime permanente o sistema oscila em torno do MPP desperdiando
um pouco da energia disponvel nos painis. Essa oscilao pode ser minimizada reduzindo
o tamanho da perturbao, porm perturbaes muito pequenas tornam a tcnica lenta para
rastrear o MPP. A Figura 4.10 apresenta os quatro casos possveis como pode evoluir a
potncia em um arranjo fotovoltaico, para uma determinada condio climtica.

Figura 4.10. Casos possveis para a potncia em um painel fotovoltaico.

Existem dois parmetros a serem definidos nesta tcnica. O primeiro o perodo de
amostragem (Ta) que, tal como na tcnica CV, corresponde ao intervalo de tempo em que
93
P > 0
Ler V(k), I(k)
P(k)=V(k)* I(k)
V> 0 V> 0
V(k-1)=V(k)
Retorna
I(k-1)=I(k)
Sim
Sim
Sim No
No
No
Vref = Vref + V Vref = Vref - V Vref = Vref - V Vref = Vref + V
amostrada a tenso do arranjo fotovoltaico e, para o caso da tcnica P&O, tambm da
corrente do arranjo. O segundo o tamanho da perturbao (V) aplicada tenso de
referncia. Com relao a V, tem-se uma limitao prtica que impede a escolha de
perturbaes muito pequenas. Tem-se que evitar que as perturbaes na tenso de
referncia tenham a mesma ordem de grandeza que as oscilaes presentes na tenso de
barramento CC provocadas pelas no linearidades do conversor de potncia e rudos nas
medies [31].

A escolha de um perodo de amostragem pequeno permitiria detectar rapidamente
modificaes nas condies meteorolgicas, rastreando em menor tempo o novo MPP.
Porm, existe uma limitao para o valor mnimo de Ta imposta pela dinmica do conversor
de potncia. O Ta deve ser escolhido como sendo superior ao tempo de estabilizao da
tenso de sada do conversor para evitar instabilidade da tcnica MPPT [31].

Entre as limitaes desta tcnica, citam-se a presena de erro em regime permanente,
resposta dinmica lenta e operao fora do ponto de mxima potncia, caso ocorram
mudanas rpidas na temperatura e na radiao solar [25], [34]. A Figura 4.11 mostra o
fluxograma desta tcnica [26].

Figura 4.11. Fluxograma da tcnica P&O.
94
Para a simulao desta tcnica foi montado em Simulink o esquema da Figura 4.12.
Para desenvolver o algoritmo P&O foi criado o subsistema MPPT P&O que mostrado na
Figura 4.13.
Figura 4.12. Esquema para simulao da tcnica P&O.

Figura 4.13. Subsistema MPPT P&O
95
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
0
50
100
150
P
o
t
n
c
i
a

(
w
)
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
0
50
100
150
P
o
t
n
c
i
a

(
w
)
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
0
50
100
150
P
o
t
n
c
i
a

(
w
)
Tempo (seg)
0.7 0.72 0.74
167.5
168
168.5
P
o
t
n
c
i
a

(
w
)
Ondulao
0.7 0.72 0.74
167.5
168
168.5
P
o
t
n
c
i
a

(
w
)
0.7 0.72 0.74
166
167
168
169
P
o
t
n
c
i
a

(
w
)
Tempo (seg)
0.7 w
0.6 w
2.2 w
0.591 s
0.297 s
0.12 s
V = 0.1 V
V = 0.2 V
V = 0.5 V
Simulou-se a tcnica considerando como entrada para os mdulos fotovoltaicos a
condio padro de teste (STC). As Figuras 4.14 e 4.15 apresentam os resultados obtidos
para a potncia fornecida pelos painis e a tenso de referncia (Vc) do conversor Buck
respectivamente, para trs tamanhos de perturbao de tenso (V) diferentes, com perodo
de amostragem (Ta) constante em 2 ms. Pode-se observar na Figura 4.14 como o aumento
de V produze um aumento tambm da velocidade de convergncia da tcnica embora
acrescenta tambm o ripple de potncia em regime permanente. A Figura 4.15 mostra que
a tenso de referncia (Vrefmax) em regime permanente que faz que o arranjo trabalhe no
ponto de mxima potncia oscila em torno de 31.5 V para os trs casos apresentados.

J as Figuras 4.16 e 4.17 apresentam os resultados para a potncia e a tenso de
referncia respectivamente, para trs perodos de amostragem diferentes e V constante
em 0.2 V. Pode-se ver na Figura 4.16 que a diminuio do perodo de amostragem aumenta
a velocidade de convergncia, porm tende a aumentar tambm a ondulao de potncia
em regime permanente. A Figura 4.17 mostra que a tenso de referncia ao igual que no
caso anterior fica oscilando ao redor de 31.5 V.

Figura 4.14. Potncia fornecida pelo arranjo para trs tamanhos de perturbao da tenso de
referncia, com Ta constante em 2 ms.

96
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
0
10
20
30
T
e
n
s
o
(
v
)
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
0
10
20
30
T
e
n
s
o
(
v
)
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
0
10
20
30
T
e
n
s
o
(
v
)
Tempo (seg)
0.7 0.75 0.8
30
31
32
33
T
e
n
s
o
(
v
)
Ondulao
0.7 0.75 0.8
30
31
32
33
T
e
n
s
o
(
v
)
0.7 0.75 0.8
30
31
32
33
T
e
n
s
o
(
v
)
Tempo (seg)
V = 0.5 V
V = 0.2 V
V = 0.1 V
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
0
50
100
150
P
o
t
n
c
i
a

(
w
)
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
0
50
100
150
P
o
t
n
c
i
a

(
w
)
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
0
50
100
150
P
o
t
n
c
i
a

(
w
)
Tempo (seg)
0.7 0.72 0.74
168
168.2
168.4
168.6
P
o
t
n
c
i
a

(
w
)
Ondulao
0.7 0.72 0.74
167.5
168
168.5
P
o
t
n
c
i
a

(
w
)
0.7 0.72 0.74
164
166
168
170
P
o
t
n
c
i
a

(
w
)
Tempo (seg)
0.3 w
0.6 w
3.3 w
Ta = 0.5 ms
Ta = 4 ms
Ta = 2 ms
0.590 s
0.297 s
0.075 s

Figura 4.15 Tenso de referncia para trs tamanhos de perturbao, com Ta constante em 2 ms.

Figura 4.16. Potncia fornecida pelo arranjo para trs perodos de amostragem com V constante em
0.2 V.
97
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
0
10
20
30
T
e
n
s
o

(
v
)
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
0
10
20
30
T
e
n
s
o

(
v
)
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
0
10
20
30
T
e
n
s
o

(
v
)
Tempo (seg)
0.7 0.75 0.8
30
31
32
33
T
e
n
s
o

(
v
)
Ondulao
0.7 0.75 0.8
30
31
32
33
T
e
n
s
o

(
v
)
0.7 0.75 0.8
30
31
32
33
T
e
n
s
o

(
v
)
Tempo (seg)
Ta = 4 ms
Ta = 2 ms
Ta = 0.5 ms

Figura 4.17. Tenso de referncia para trs perodos de amostragem com V = 0.2 V.

Para avaliar o comportamento da tcnica a mudanas atmosfricas consideraram-se as
mesmas que da Seo 4.2. O tempo de amostragem foi fixado em 2 ms e o tamanho da
perturbao de tenso em 0.2 V, o que corresponde a 0.58% da tenso de mxima potncia
para a condio padro (STC). As Figuras 4.18a, 4.18b, 4.18c, 4.18d e 4.18e, apresentam:
a radiao incidente, a potncia fornecida pelos painis, a tenso de sada do arranjo, a
tenso de referncia do conversor e o ciclo de trabalho respectivamente, considerando a
temperatura no arranjo fotovoltaico constante em 25 C. A Figura 4.18b mostra que, quando
a radiao cai abruptamente de 500 W/m para 250 W/m, a tcnica apresenta uma
convergncia mais lenta (zoom 1), devido a que a variao da tenso de mxima potncia
(Vrefmax) para essa variao de radiao grande, tendo que ser ajustada de 33 V para
25.6 V (figura 4.18c). O mesmo raciocnio pode ser feito para explicar a lenta convergncia
do algoritmo, quando a radiao acrescenta-se de 250 W/m para 500 W/m (zoom 2).

As Figuras 4.19a, 4.19b, 4.19c, 4.19d e 4.19e apresentam: a temperatura nos painis, a
potncia fornecida pelo arranjo, a tenso de sada do arranjo, a tenso de referncia do
conversor e o ciclo de trabalho respectivamente, considerando em todos os casos a
radiao incidente constante em 1000 W/m.

98
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
0
500
1000
R
a
d
i
a
o
(
w

/

m
)
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
0
50
100
150
P
o
t
n
c
i
a

n
o

a
r
r
a
n
j
o

(
w
)

0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
0
10
20
30
40
T
e
n
s
o

n
o

a
r
r
a
n
j
o
(
v
)
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
0
10
20
30
40
T
e
n
s
o

d
e

r
e
f
e
r
n
c
i
a

(
v
)

0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
C
i
c
l
o

d
e

t
r
a
b
a
l
h
o
Tempo (seg)
0.9 0.95 1
16
18
20
22
1.15 1.2 1.25
60
65
70
Potncia
ideal
Zoom 1 Zoom 2
(a)
(b)
(c)
(d)
(e)

Figura 4.18. Curvas obtidas para a tcnica P&O a temperatura constante de 25C nos painis
fotovoltaicos. (a) Radiao incidente. (b) Potncia fornecida pelo arranjo fotovoltaico. (c) Tenso na
sada do arranjo (d) Tenso de referncia. (e) Ciclo de trabalho.

99
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
20
30
40
50
60
T
e
m
p
e
r
a
t
u
r
a
(
C
)
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
140
150
160
170
P
o
t
n
c
i
a

n
o

a
r
r
a
n
j
o
(
w
)
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
0
10
20
30
40
T
e
n
s
o

n
o

a
r
r
a
n
j
o
(
v
)
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
0
10
20
30
40
T
e
n
s
o

d
e

r
e
f
e
r
n
c
i
a
(
v
)
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
C
i
c
l
o

d
e

t
r
a
b
a
l
h
o
Tempo (seg)
0.9 0.92
145
150
Zoom 1
Potncia
ideal
1.151.161.17
152
154
156
158
158
152
150
145
Zoom 2
(a)
(b)
(c)
(d)
(e)

Figura 4.19. Curvas obtidas para a tcnica P&O a radiao incidente constante de 1000 W/m. (a)
Temperatura nos painis. (b) Potncia fornecida pelo arranjo fotovoltaico. (c) Tenso na sada do
arranjo (d) Tenso de referncia. (e) Ciclo de trabalho.

100
4.4 Tcnica Condutncia Incremental (IncCond)

Nesta tcnica a curva Potncia versus Tenso do arranjo de painis fotovoltaicos
utilizada para a busca do MPP. Ela baseia-se nos valores da condutncia instantnea e
incremental do arranjo fotovoltaico. Essas grandezas so obtidas pelas medies de
corrente e tenso do arranjo solar.

A derivada da potncia de arranjo fotovoltaico em relao tenso pode-se escrever da
seguinte forma:

dV
dI
V I
dV
I V d
dV
dP
+ =
=
) (
(4.2)

Dividindo cada membro de (4.2) por V , tem-se:

dV
dI
V
I
dV
dP
V
+ =
1
(4.3)

Como V sempre positivo, o sinal da derivada de potncia em relao tenso igual
a ( ) dV dI V I + , ou seja, soma da condutncia instantnea ( ) V I e a condutncia
incremental ( ) dV dI . Assim esta tcnica permite avaliar em que lado da curva de potncia
o sistema se encontra e tambm consegui identificar quando o sistema est operando no
MPP, pois nessa condio 0 = dV dP e conseqentemente 0 = + dV dI V I . Quando essa
condio atingida no necessrio alterar o ciclo de trabalho do conversor, pois significa
que ele est operando no ponto MPP e a tenso de referncia deve ser mantida. Dessa
forma evita-se o problema de oscilao do ponto de operao em torno do MPP.

A Figura 4.20 mostra as trs regies de operao na que pode-se encontrar a potncia
de sada do arranjo fotovoltaico utilizado (dois painis Isofoton I-80 conectados em srie)
considerando variaes na radiao incidente (S) entre 100 e 1000 w/m e mantendo a
temperatura constante em 25C.

A figura 4.21 mostra o fluxograma de funcionamento desta tcnica. Quando o sistema
est operando no MPP a tenso do arranjo mantida constante, ento V = 0 e a
condutncia incremental no pode ser determinada. Neste caso, evita-se o clculo da
condutncia incremental e apenas a corrente do arranjo avaliada, conforme mostrado no
101
0 10 20 30 40 50
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
Tenso (v)
P
o
t
n
c
i
a

(
w
)
MPP (100 < S < 1000w / m)
Potncia (S = 1000 w / m)
0 >
dV
dP
0 <
dV
dP

lado direito do fluxograma. Para essa condio, se a corrente muda significa que o MPP
mudou assim uma perturbao aplicada ao sistema para que se possa rastrear o novo
MPP.

Figura 4.20. Caracterstica da potncia de sada do arranjo fotovoltaico e suas trs regies de
operao.

Nesta tcnica, como no P&O, preciso definir os parmetros Ta e V. As mesmas
consideraes feitas na Seo 4.3 so vlidas. No entanto, esses no so os nicos
parmetros a serem definidos. Na prtica a expresso 0 = + dV dI V I que indica que o
sistema esteja operando no MPP dificilmente ser satisfeita, devido a rudos na medio,
erros de quantizao e principalmente a discretizao da tenso de referncia [31]. Ento,
necessrio definir uma faixa tolervel (W) em torno de zero onde tal condio pode ser
considerada verdadeira, ou seja, 2 2 W dV dI V I W < + < , sendo assim a tcnica
passa a ter o fluxograma da figura 4.22. Se W muito grande a tenso de referncia vai
estabilizar em um valor muito distante da tenso de referncia de mxima potncia
(Vrefmax), pelo contrrio se W muito pequeno a tenso de referncia ira oscilar em torno
de Vrefmax. Em ambos os casos ocorre uma diminuio da eficincia da tcnica. A busca
de um critrio analtico para a escolha de W complexo [31], de forma que escapa aos
objetivos deste trabalho. Sendo assim, o valor para W para o sistema fotovoltaico foi
obtido por simulao.

102
Ler V(k), I(k)
dV V(k) - V(k-1)
V(k-1)=V(k)
Retorna
I(k-1)=I(k)
Sim
Sim
Sim
No
No
No
Vref = Vref + V Vref = Vref - V Vref = Vref - V Vref = Vref + V
dI I(k) - I(k-1)
dV = 0
dI = 0
dI > 0
Sim
No
No
Sim
V
I
dV
dI
=
V
I
dV
dI
>

Figura 4.21. Fluxograma da tcnica IncCond.

103
Ler V(k), I(k)
dV V(k) - V(k-1)
V(k-1)=V(k)
Retorna
I(k-1)=I(k)
No
Sim
Sim
Sim
No
No
Vref = Vref + V Vref = Vref - V Vref = Vref - V
Vref = Vref + V
dI I(k) - I(k-1)
dV = 0
Sim
No
Sim
2
W
V
I
dV
dI
> + dI = 0
dI > 0
No
2
W
V
I
dV
dI
> +

Figura 4.22. Fluxograma da tcnica IncCond modificado.

O algoritmo desenvolvido para esta tcnica apresentado na Figura 4.23. Ele
representa o fluxograma da tcnica IncCond modificado mostrado na Figura 4.22. Para
ajustar o tamanho de W, realizaram-se simulaes para diferentes valores de W. Nas
simulaes foram mantidos os valores para o tempo de amostragem e o tamanho de
perturbao da seo anterior (Ta = 2 ms, V = 0.2 V), considerando-se como entrada para
o arranjo a condio padro de teste. A Figura 4.24 apresenta os resultados para um valor
muito pequeno da faixa de tolerncia (W = 0.005). Nela comprova-se que a tenso de
referncia fica oscilando em torno de Vrefmax. A Figura 4.25 mostra que para um valor
muito grande da faixa de tolerncia (W =0.15), a tenso de referncia estabelece-se em
um valor distante de Vrefmax. A Figura 4.26 mostra os resultados para W = 0.05, verifica-
se que quando o MPPT atingido, a tenso de referncia fica constante.
104
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
0
5
10
15
20
25
30
35
Tempo (seg)
T
e
n
s
o

(
v
)

Vref
Vref max
31.1

Figura 4.23. Algoritmo MPPT Condutncia Incremental implementado em Simulink.

Figura 4.24. Comportamento do algoritmo IncCond para W=0.005.

105
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
0
5
10
15
20
25
30
35
Tempo (seg)
T
e
n
s
o

(
v
)

Vref
Vref max
31.1
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
0
5
10
15
20
25
30
35
Tempo (seg)
T
e
n
s
o

(
v
)

Vref
Vrefmax
30.4
31.1



A avaliao do comportamento da tcnica a mudanas atmosfricas foi feita
considerando as mesmas condies da seo anterior. O valor escolhido para W=0.045
evita os problemas de oscilao da tenso de referncia para uma grande faixa de radiao
e temperatura, toda vez que atingido o MPP, assim mostrado nas Figuras 4.27c e 4.28c,
a mesma situao pode ser observada nas Figura 4.27d e 4.28d para o ciclo de trabalho.
Mesmo que esta tcnica consiga eliminar as oscilaes na tenso de referncia, elas
permanecem na tenso do arranjo, este fenmeno foi atribudo a erro numrico na
simulao, pois foi comprovado que ao diminuir ainda mais o passo de calculo, aquela
oscilao foi eliminada. As Figuras 4.27c e 4.28c mostram a situao antes comentada. O
fato de reduzir o nvel da ondulao de tenso do arranjo, contribui tambm a ter uma
ondulao menor na potncia fornecida pelo arranjo fotovoltaico (Figuras 4.27b e 4.28b), o
que permite obter uma melhor eficincia na extrao da energia solar, sendo essa a
principal caracterstica desta tcnica.
106
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
0
500
1000
R
a
d
i
a
o

(

w

/

m
)
(a)
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
0
50
100
150
P
o
t
n
c
i
a

n
o

a
r
r
a
n
j
o
(
w
)
(b)
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
0
10
20
30
40
T
e
n
s
o

n
o

a
r
r
a
n
j
o
(
v
)
(c)
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
0
10
20
30
40
T
e
n
s
o

d
e

r
e
f
e
r
n
c
i
a
(
v
)
(d)
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
C
i
c
l
o

d
e

t
r
a
b
a
l
h
o
Tempo (seg)
(e)
0.9 0.95 1
10
15
20
1.15 1.2
60
65
70
Potncia
ideal
Zoom 1 Zoom 2

Figura 4.27. Curvas obtidas para a tcnica condutncia incremental a temperatura constante de 25C.
(a) Radiao incidente. (b) Potncia fornecida pelo arranjo fotovoltaico. (c) Tenso na sada do
arranjo (d) Tenso de referncia. (e) Ciclo de trabalho.

107
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
20
30
40
50
60
T
e
m
p
e
r
a
t
u
r
a
(
C
)

(a)
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
140
150
160
170
P
o
t
n
c
i
a

n
o

a
r
r
a
n
j
o
(
w
)
(b)
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
0
10
20
30
40
T
e
n
s
o

n
o

a
r
r
a
n
j
o
(
v
)
(c)
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
0
10
20
30
40
T
e
n
s
o

d
e

r
e
f
e
r
n
c
i
a
(
v
)
(d)
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
C
i
c
l
o

d
e

t
r
a
b
a
l
h
o
Tempo (seg)
(e)
0.9 1 1.1
145
150
1.15 1.2
152
154
156
158
145
150
152
158
Zoom 1
Zoom 2

Figura 4.28. Curvas obtidas para a tcnica condutncia incremental a radiao incidente constante de
1000 W/m. (a) Temperatura nos painis. (b) Potncia fornecida pelo arranjo fotovoltaico. (c) Tenso
na sada do arranjo (d) Tenso de referncia. (e) Ciclo de trabalho.
108
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
0
500
1000
R
a
d
i
a
o

(
w

/

m
)
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
40
60
T
e
m
p
e
r
a
t
u
r
a
(
C
)
Tempo (seg)
300
700
T
e
m
p
e
r
a
t
u
r
a

(
C
)
35.12
48.62
58.75
4.5 Comparao entre as tcnicas

Nesta seo faz-se uma comparao das tcnicas estudadas neste captulo. Visando
atender condies mais reais de operao do arranjo fotovoltaico, considera-se a
temperatura nele como uma funo da radiao incidente e a temperatura ambiente. A
temperatura da clula pode ser estimada a partir de [33]:

S
NOCT
T T
amb cel
|
.
|
\
|
+ =
800
20
(4.4)

Onde:

NOCT: Temperatura normal de operao das clulas fornecida pelo fabricante.
amb
T : Temperatura ambiente.
S : Radiao incidente.

Usando a Equao (4.4), e considerando NOCT=47 C (para o painel Isofoton I-80, ver
Tabela 3.5) e uma temperatura ambiente de 25 C, estima-se a seguir a temperatura no
arranjo fotovoltaico para trs condies de irradincia diferente:

S = 1000 w/m (Radiao alta)
cel
T = 58.75C.
S = 700 w/m (Radiao mdia)
cel
T = 48.62C.
S = 300 w/m (Radiao baixa)
cel
T = 35.12C.

Figura 4.29. Condies de operao do arranjo fotovoltaico usadas na comparao das tcnicas
MPPT.

109
0.6 0.61 0.62 0.63 0.64 0.65 0.66 0.67 0.68 0.69 0.7
144
145
146
147
Tempo (seg)
P

(
w
)

IncCond
P&O
CV Potncia ideal = 147.06 w
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
0
50
100
150
P
o
t
n
c
i
a

n
o

a
r
r
a
n
j
o

(
w
)
(a)

0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
0
50
100
150
P
o
t
n
c
i
a

n
o

a
r
r
a
n
j
o

(
w
)
(b)

0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
0
50
100
150
P
o
t
n
c
i
a

n
o

a
r
r
a
n
j
o

(
w
)
Tempo (seg)
(c)

CV
P&O
IncCond
=0.110 (s)
=0.340 (s)
=0.340 (s)
Tabela 4.3. Parmetros das tcnicas MPPT usados na simulao.

Tcnica Parmetros
CV G = 0.1
Tca = 0.5 (s)
Ta = 2 (ms)
P&O V = 0.2 V
Ta = 2 (ms)
IncCond W = 0.045
V = 0.2 V
Ta = 2 (ms)

Figura 4.30. Potncia fornecida pelo arranjo fotovoltaico para as tcnicas tenso constante, perturba
e observa e condutncia incremental.

110
0.8 0.81 0.82 0.83 0.84 0.85 0.86 0.87 0.88 0.89 0.9
26.5
27
27.5
28
28.5
Tempo (seg)
P

(
w
)

IncCond
P&O
1.3 1.31 1.32 1.33 1.34 1.35 1.36 1.37 1.38 1.39
98.2
98.4
98.6
98.8
99
99.2
99.4
Tempo (seg)
P

(
w
)

IncCond
P&O
CV
Potncia ideal = 99.26 w
0.6 0.61 0.62 0.63 0.64 0.65 0.66 0.67 0.68 0.69 0.7
144
145
146
147
Tempo (seg)
P

(
w
)

IncCond
P&O

Figura 4.31. Ripple de potncia das tcnicas CV, P&O e IncCond para uma radiao de 1000 W/m e
temperatura de 58.75 C.


111
Tabela 4.4. Radiao 1000 (w/m) e Temperatura 58.75 (C)
Ripple mximo Potncia mdia (w) Eficincia(%)
Tcnica CV 144.20 146.29 145.433 98.89
Tcnica P&O 146.56 147.05 146.970 99.94
Tcnica IncCond 146.74- 147.05 147.032 99.98

Tabela 4.5. Radiao 700 (w/m) e Temperatura 48.62 (C)
Ripple Mximo Potncia mdia (w) Eficincia(%)
Tcnica CV 98.6 99.26 99.124 99.85
Tcnica P&O 98.28 99.26 99.177 99.91
Tcnica IncCond 99.15 99.26 99.238 99.97

Tabela 4.6. Radiao 300 (w/m) e Temperatura 35.12(C)

Ripple mx Potncia mdia (w) Eficincia(%)
Tcnica CV 27.28 28.05 27.693 97.25
Tcnica P&O 28.40 28.47 28.463 99.97
Tcnica IncCond 28.28 28.34 28.316 99.45

A eficincia das tcnicas MPPT foi definida como:

disponvel
sada
P
P
= (4.5)

4.6 Resultados da simulao

Velocidade de convergncia: os resultados da simulao mostraram que os mtodos
P&O e IncCond apresentam velocidades de convergncia similares, sendo elas mais lentas
comparadas com a tcnica CV (Figura 4.30).

Eficincia: a tcnica Tenso Constante mostrou ter uma eficincia menor em todas as
condies de irradincia. O mtodo CV considera a relao
OC
V V k /
max 1
= constante para
112
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
23.9
23.95
24
24.05
24.1
T
e
n
s
o

n
o

b
a
n
c
o

(
V
)
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
0
2
4
6
C
o
r
r
e
n
t
e

d
e

c
a
r
g
a

(
A
)
Tempo (seg)
qualquer condio ambiental, mas como essa relao somente uma aproximao, o
resultado do ajuste de
1
k torna-se impreciso para variaes nas condies ambientais,
aumentando a ondulao de potncia e conseqentemente diminuindo a eficincia da
tcnica. Contudo, esta tcnica apresenta intervalos de potncia zero (Figura 4.30) nos
momentos em que os painis so desligados para obter a leitura da tenso de circuito
aberto necessria para ajustar
1
k , afetando ainda mais a eficincia global da tcnica. Na
comparao da eficincia das tcnicas feita na Tabela 4.4 mostra-se que as tcnicas P&O e
IncCond apresentam eficincias similares, sendo um pouco melhor a IncCond para alta e
mdia irradincia, e P&O para baixa irradincia. A constatao de que a tcnica P&O
apresente melhor eficincia que IncCond para baixa radiao incidente, pode ser explicada
pelo fato de que a faixa de tolerncia (W) utilizada na simulao da tcnica IncCond para
essa condio climtica no ser a mais adequada, forando tenso de referncia a se
estabelecer em um valor distante da tenso de referncia de mxima potncia, diminuindo
assim a extrao de potncia do arranjo fotovoltaico.

A Figura 4.34 mostra a tenso e corrente de recarga no banco de baterias quando
utilizada a tcnica MPPT IncCond. Percebe-se que a tenso de 23.97 V, ao considerar um
estado de carga inicial de 50%.

Figura 4.34. Tenso e corrente na bateria para a tcnica IncCond.

113
4.7 Concluses

Neste captulo foi apresentado um estudo detalhado de trs das tcnicas MPPT mais
utilizadas CV, P&O e IncCond, foram analisados seus parmetros mais importantes,
observadas suas influencias no comportamento de cada mtodo e ajustados visando
maximizar a eficincia na produo da potncia eltrica. A anlise foi feito atravs de
simulaes que consideraram diversas condies de operao do arranjo fotovoltaico.

A tcnica CV mostrou ser a mais ineficiente das trs estudadas, mesmo que sua
eficincia tenha atingido valores entre 97 e 99%. Para a implementao desta tcnica
necessria a incluso de uma segunda chave eletrnica para a desconexo peridica dos
painis, embora somente um sensor seja utilizado para a medio da tenso de circuito
aberto. Esta tcnica fcil de ser desenvolvida podendo se realizar tanto analgica quanto
digitalmente precisando neste ltimo caso de uma baixa capacidade computacional.

A implementao da tcnica P&O em software muito simples, tendo apenas algumas
adies, algumas comparaes e uma multiplicao, podendo ser realizada at em
microcontroladores de baixo custo. J a tcnica IncCond torna-se mais complexa pelo fato
de incorporar no seu algoritmo divises, as quais geralmente no so possveis de resolver
na maioria dos microcontroladores. P&O e IncCond apresentam eficincia similares e acima
do 99% para todas as condies climticas estudadas, sendo IncCond ligeiramente superior
para mdia e alta incidncia de radiao, que a situao onde a utilizao de uma tcnica
MPPT mais relevante.

Tendo em vista de que neste trabalho prope-se utilizar um processador digital de sinais,
para as tarefas de controle do sistema fotovoltaico, as diferenas das tcnicas MPPT em
termos de custo computacional e facilidade de implementao tornam-se irrelevantes.
Dessa forma foi escolhida a tcnica IncCond para ser implementada.

114
Captulo 5

Controle de carga baseado no conversor Buck

5.1 Introduo

O armazenamento de energia em banco de baterias possibilita o estoque do excedente
de energia gerado para posterior reutilizao, o que muito comum nos sistemas
fotovoltaicos, cuja produo de energia dependente de fatores climticos variveis.

O Controlador de Carga de Bateria o equipamento designado para o controle do
processo de carga e descarga da bateria dentro do sistema, garantido um melhor
aproveitamento da energia gerada e maior vida til para as baterias eletroqumicas.

As baterias chumbo-cido, as mais utilizadas em sistemas fotovoltaicos, necessitam de
uma estratgia de controle dos seus processos de carga e descarga para evitar a
degradao de sua matria ativa precocemente e conseqente diminuio da sua vida til
estimada. Assim, durante o processo de carga o controlador deve adequar o fluxo de
energia entregue a bateria de forma a garantir um carregamento completo observando os
limites de tenso, de corrente e de temperatura da bateria. J durante o processo de
descarga o controlador deve evitar que a bateria seja descarregada alm da sua capacidade
de fornecimento de energia.

Neste captulo apresentada uma proposta de estratgia de controle de carga de
bateria, desenvolvida para um sistema fotovoltaico autnomo de baixa potncia, o qual
gerenciado por um processador digital de sinais. O esquema de controle proposto
mostrado na Figura 5.1, nela destaca a aquisio dos valores de tenso e corrente
fornecidos pelo arranjo fotovoltaico necessrios para a implementao do algoritmo MPPT.
Alm disso, necessrio o monitoramento dos valores da tenso e da corrente do banco de
baterias para a estimao do estado de carga deste.
Captulo 5 Controle de carga baseado no conversor Buck
115
Controle digital
(DSP)
PV
I
bat
I
PV
V
bat
V
+
_
+
_
in
C
out
C
1
D
2
D
L
1
T
Rel
Carga
Para o conversor Buck apresentada a tcnica das variveis mdias no espao de
estado [49] para a obteno de um modelo linear, vlido para pequenas variaes em torno
do seu ponto de operao no estado permanente e, a partir dele, so obtidas as funes de
transferncia necessrias para o auxilio do projeto dos compensadores analgicos. J para
o projeto deles apresentada a tcnica do fator k [51].

Tambm apresentada a metodologia para a digitalizao dos compensadores
analgicos. Os compensadores digitais foram obtidos pelo mtodo indireto, ou seja, primeiro
foram projetados os controladores no domnio contnuo, e aps por meio de algum mtodo
de discretizao foram obtidos seus equivalentes digitais visando ter semelhante
desempenho.

Resultados de simulaes obtidas com o programa Matlab, so usados para testar o
desempenho do controle do conversor Buck.

Figura 5.1. Esquema de controle proposto para o carregador de baterias.

116
5.2 Estratgia de controle do carregador

Analisando as curvas da tenso e da corrente de recarga das baterias mostrada na
Figura 2.15, percebe-se a necessidade de estratgias de controle diferenciadas para cada
uma das regies mostradas.

Na primeira regio, toda vez que o banco de baterias esteja descarregado importante
que o arranjo de mdulos fotovoltaicos funcione no ponto de mxima potncia, para aplicar
o maior valor de corrente s baterias visando carreg-las o mais rpido possvel, se for o
caso a corrente de recarga mxima deve ser limitada a uma porcentagem da capacidade
nominal da bateria. O algoritmo MPPT a implementar o de Condutncia Incremental, o
qual foi analisado em detalhe no captulo anterior.

Para a segunda regio prope-se uma estratgia de carga a tenso constante com
limitao de corrente, segundo os fabricantes de baterias este mtodo o mais adequado
para baterias de chumbo cido, pois protege a bateria contra sobrecarga durante o estgio
final de carga em flutuao [23], [43]. Prope-se ento um controle baseado em duas
malhas. Uma malha interna para a limitao da corrente de recarga e uma malha externa
para manter a tenso de referncia constante, esta tenso deve ser igual ao valor de tenso
de equalizao, ou seja, de 28.8 V (2.4 V por clula).

J na terceira regio, deve-se manter a mesma estratgia, mas somente mudar a tenso
de referncia para a de flutuao, ou seja, de 27 V (2.25V por clula). Para evitar uma
descarga profunda, acima da permitida pelo fabricante, o controle ter que atuar sobre um
rel de desconexo da carga, uma vez que a tenso nos terminais do banco seja igual ao
valor mnimo permitido de 21 V. A Figura 5.2 apresenta o fluxograma para a estratgia de
controle proposta.

117
Ler ,
bat
V
bat
I
MPPT
max bat bat
V V

min
>
bat bat
I I
Controle
de tenso
max bat ref
V V

=
max bat bat
V V

min
<
bat bat
I I
Controle
de tenso
float bat ref
V V

=
min
<
bat bat
V V
Ativar rel de
desconexo de
carga
max bat bat
I I

<
Reduzir potncia
de sada do
arranjo
sim
sim
sim
sim
sim
no
no
no
no
max min
< <
bat bat bat
V V V
min
>
bat bat
I I
no

Figura 5.2. Fluxograma da estratgia de controle proposta para o carregador de baterias.

118
5.3 Modelagem de conversores estticos

Os mtodos de modelagem tm como objetivo fornecer uma expresso matemtica que
contenha informaes sobre o comportamento esttico e/ou dinmico do sistema, a partir da
qual seja possvel estudar o sistema e estabelecer-se o compensador desejado.

Os conversores estticos so dispositivos que apresentam um comportamento no
linear. A anlise do seu comportamento dinmico pode-se ser feita atravs de tcnicas de
linearizao para seu funcionamento para pequenas variaes em torno do seu ponto de
operao no estado permanente CC, determinando assim, o modelo dinmico de pequenos
sinais.

Uma tcnica utilizada para linearizao do estgio de potncia de conversores
chaveados operando com controle PWM a de variveis mdias no espao de estado [49].
Por variveis mdias entende-se o valor mdio de cada varivel considerada (normalmente
corrente no indutor e tenso no capacitor), valor mdio calculado a cada perodo de
comutao. Ou seja, o modelo no capaz de representar a ondulao da corrente ou da
tenso, mas representa a evoluo do valor mdio destas variveis. As realimentaes
necessrias operao em malha fechada no devem conter sinais de alta freqncia, ou
seja, devem ser devidamente filtradas, de maneira que o modelo reproduza de maneira fiel o
comportamento do sistema [50]. A continuao apresenta-se de forma resumida a tcnica
da mdia no espao.

5.3.1 Equaes do espao de estado

Para um conversor que possui apenas uma chave e opera em modo de conduo
contnua tm-se dois estados: um correspondente chave conduzindo e o outro quando a
chave est bloqueada. Em cada subintervalo o conversor tem um comportamento contnuo
correspondente ao circuito eltrico que o representa e passvel de descrio por equaes
de estado. Assim o primeiro passo para a determinao do modelo dinmico de pequenos
sinais, a descrio das variveis de estado para cada estado do circuito. Desse modo,
para o intervalo de tempo em que a chave est conduzindo tem-se:

119
u B x A x
1 1
+ = &
u E x C y
1 1
+ = (5.1)

Onde, x o vetor de estados, as variveis de estado so tipicamente elementos
armazenadores de energia, que no caso do conversor Buck so a corrente no indutor e a
tenso no capacitor,
1
A a matriz de estado,
1
B a matriz de entrada, u o vetor de
entrada, y o vetor de sada,
1
C a matriz de sada e
1
E a matriz de transmisso.

J para o intervalo em que a chave est bloqueada, tem-se:

u B x A x
2 2
+ = &
u E x C y
2 2
+ = (5.2)

Onde,
2
A a matriz de estado,
2
B a matriz de entrada,
2
C a matriz de sada e
2
E
a matriz de transmisso, obtidas durante o intervalo onde a chave esta bloqueada.

De (5.1) e (5.2) pode-se obter um modelo baseado na mdia dos estados do circuito em
um perodo de chaveamento [49] dado por:

2 1
) 1 ( A D DA A + =
2 1
) 1 ( B D DB B + =
2 1
) 1 ( C D DC C + =
2 1
) 1 ( E D DE E + = (5.3)

Onde, D corresponde razo cclica em regime permanente no ponto quiescente.

Na hiptese das freqncias naturais do conversor e das constantes de tempo das suas
variveis de entrada serem bem menores do que a freqncia de chaveamento, o modelo
mdio do conversor em equilbrio pode ser descrito por:

BU AX + = 0
EU CX Y + = (5.4)

120
Onde X , U , Y representam ao vetor de estados, vetor de entradas e vetor de sadas
respectivamente em regime permanente no ponto quiescente. Ao resolver a equao (5.4)
pode-se encontrar X e Y , assim:

BU A X
1
=
( ) U E B CA Y + =
1
(5.5)

Desta forma as equaes de estado do modelo de pequeno sinal so [49]:

( ) ( ) | |d U B B X A A u B x A x

2 1 2 1
+ + + = &
( ) ( ) | |d U E E X C C u E x C y

2 1 2 1
+ + + = (5.6)

Onde as grandezas x , u , y e d
correspondem s variaes de pequeno sinal de X ,

U , Y e D respectivamente.

121
C
D
L
1
T
L
R
SE
R
P
I R
PV
V
0
v
+
-
L
i
C
i
O
i
5.3.2 Modelagem do conversor Buck

Para a modelagem do conversor Buck considerado seu funcionamento no modo de
conduo continua. A chave e o diodo so considerados ideais. So includos os efeitos das
perdas hmicas no indutor (
L
R ), e a resistncia srie equivalente do capacitor (
SE
R ). A
tenso fornecida pelo arranjo fotovoltaico para o conversor representada pela fonte de
tenso (
PV
V ). O banco de baterias simulado como uma carga resistiva ( R ), devido a que
o modelo ser orientado basicamente ao projeto de controle. Desde o ponto de vista de
controle a resistncia um caso mais desfavorvel que uma bateria, posto que em uma
resistncia a velocidade de resposta da tenso muito menor que em uma bateria. Se o
compensador a projetar consegue manter a estabilidade do sistema considerando uma
carga resistiva, certamente manter a estabilidade do carregador de baterias proposto.
Tambm considerada como entrada a perturbao na corrente de carga (
P
i ).

Figura 5.3. Circuito do conversor Buck usado na modelagem.

Atendendo ao esquema eltrico, representado na Figura 5.3, as variveis de estado,
sadas e entradas so escolhidas conforme a Tabela 5.1.

122
SE
R
C
P
i
O
i
0
v
R
L
R
L
L
i
PV
V
C
i
+ - + -
-
-
+
+
+
-
Tabela 5.1. Definio das variveis para o modelo de estado

Variveis de estado Entradas Sadas
L
i x =
1

PV
V
O
v y =
1
C
v x =
2

d
L
i y =
2

P
i

Figura 5.4. Circuito para o conversor Buck quando a chave esta conduzindo.

Considera-se a chave conduzindo (Figura 5.4). Aplicando as leis de Kirchhoff obtm-se
as seguintes equaes diferenciais para esse estado:

P
SE
i
R
R x C x
x C x
+
+ =
2 2
2 1
&
& (5.7)
SE L PV
R x C x x L R x V
2 2 1 1
& & + + + = (5.8)

Isolando
1
x& e
2
x& de (5.7) e (5.8) tem-se:

P
SE
SE
SE SE
SE SE L PV
i
R R L
R R
x
R R
R
L
x
R R
R R R R R
L L
V
x
+
|
|
.
|
\
|
+
+
|
|
.
|
\
|
+
+ +
=
) (
1 . ) ( 1
2 1 1
& (5.9)
( ) ( ) ( )
P
SE SE SE
i
R R C
R
x
R R C
x
R R C
R
x
+
+
+

+
=
2 1 2
1
& (5.10)
123
SE
R
C
P
i
O
v
R
L
R
L
L
i
C
i
+ - + -
-
-
+
+
+
-
PV
V
O
i
As sadas para este subintervalo so (apndice B.1):

P
SE
SE
SE SE
SE
i
R R
R R
x
R R
R
x
R R
R R
y
+
+
+
+
+
=
2 1 1
(5.11)
1 2
x y = (5.12)

Reescrevendo (5.9) e (5.10) na forma matricial u B x A x
1 1
+ = & e (5.11) e (5.12) na forma
matricial u E x C y
1 1
+ = tem-se:

(
(
(
(
(
(
+
+
+
(
(
(
(
(
(
+
+
+
+ +
=
(
P
PV
SE
SE
SE
SE SE
SE SE
SE SE L
i
V
R R C
R
R R L
R R
L
x
x
R R C R R C
R
R R L
R
R R L
R R R R R
x
x
) (
0
) (
1
) (
1
) (
) ( ) (
) (
2
1
2
1
&
&
(5.13)

1
A
1
B

(
(
(
(
+
+
(
(
(
(
+ +
=
(
P
PV
SE
SE
SE SE
SE
i
V
R R
R R
x
x
R R
R
R R
R R
y
y
0 0
0
0 1
2
1
2
1
(5.14)

1
C
1
E

Figura 5.5. Circuito para o conversor Buck quando a chave esta bloqueada.

O segundo estado corresponde chave desligada (Figura 5.5). Aplicando as leis de
Kirchhoff obtm-se as equaes diferenciais para esse estado:
124

P
SE
i
R
R x C x
x C x
+
+ =
2 2
2 1
&
& (5.15)

SE L
R x C x x L R x
2 2 1 1
0 & & + + + = (5.16)

Isolando
1
x& e
2
x& de (5.15) e (5.16) tem-se:

P
SE
SE
SE SE
SE SE L
i
R R L
R R
x
R R
R
L
x
R R
R R R R R
L
x
+
|
|
.
|
\
|
+
+
|
|
.
|
\
|
+
+ +
=
) (
1 . ) ( 1
2 1 1
& (5.17)

( ) ( ) ( )
P
SE SE SE
i
R R C
R
x
R R C
x
R R C
R
x
+
+
+

+
=
2 1 2
1
& (5.18)

As sadas para este subintervalo so (apndice B.1):

P
SE
SE
SE SE
SE
i
R R
R R
x
R R
R
x
R R
R R
y
+
+
+
+
+
=
2 1 1
(5.19)
1 2
x y = (5.20)

Reescrevendo (5.17) e (5.18) na forma matricial u B x A x
2 2
+ = & e (5.19) e (5.20) na
forma matricial u E x C y
2 2
+ = tem-se:

(
(
(
(
(
(
+
+
+
(
(
(
(
(
(
+
+
+
+ +
=
(
P
PV
SE
SE
SE
SE SE
SE SE
SE SE L
i
V
R R C
R
R R L
R R
x
x
R R C R R C
R
R R L
R
R R L
R R R R R
x
x
) (
0
) (
0
) (
1
) (
) ( ) (
) (
2
1
2
1
&
&
(5.21)

2
A
2
B

(
(
(
(
+
+
(
(
(
(
+ +
=
(
P
PV
SE
SE
SE SE
SE
i
V
R R
R R
x
x
R R
R
R R
R R
y
y
0 0
0
0 1
2
1
2
1
(5.22)

2
C
2
E
125
Substituindo as matrizes
1
A ,
2
A
1
B
2
B
1
C
2
C
1
E
2
E em (5.3) e (5.6) chega-se
expresso (5.23) que descreve o modelo linearizado do conversor Buck.

(
(
(
(
(
(
(
(
+
+
+
(
(
(
(
(
(
+
+
+
+ +
=
(
P
PV
SE
SE
SE PV
SE SE
SE SE
SE SE L
i
d
V
R R C
R
R R L
R R
L
V
L
D
x
x
R R C R R C
R
R R L
R
R R L
R R R R R
x
x
) (
0 0
) (
) (
1
) (
) ( ) (
) (
2
1
2
1
&
&
(5.23)

(
(
(
(
(
(
+
(
(
(
(
+ +
=
(
P
PV
SE
SE
SE SE
SE
i
d
V
R R
R R
x
x
R R
R
R R
R R
y
y
0 0 0
0 0
0 1
2
1
2
1
(5.24)

O vetor de estados no ponto quiescente se obtm substituindo as matrizes mdias
em (5.5).

(
(
(
(
(
+
+
+
=
(
=
(
=
R R
R R i DV
R R
R i DV
V
I
X
X
X
L
L P PV
L
P PV
C
L
) (
2
1
(5.25)

Uma vez que j se tem o modelo linearizado do conversor, podem ser determinadas as
funes de transferncias para o projeto dos compensadores. Quando o banco de baterias
esteja nas regies 2 e 3 de sua condio de carga (Figura 2.15) um controle em cascata de
duas malhas ser utilizado, uma malha interna de corrente e uma malha externa de tenso.
A Figura 5.6 mostra a configurao de controle proposta, nela percebe-se a necessidade de
conhecer as funes de transferncia ) (s G
id
que relaciona o ciclo de trabalho com a
corrente no indutor e ) (s G
oi
que relaciona a corrente do indutor com a tenso de sada,
adicionalmente so consideradas tambm ) (s G
iPV
e ) (s G
iP
que representam as
perturbaes de pequeno sinal da tenso de entrada e da corrente de carga
respectivamente sobre a corrente do indutor.

126
) (s G
I
) (s G
id
M
V
1
) (s G
iPV
) (
1
s H
) (
s V
PV
) (
s i
P
d
) (
0
s v
) (s v
ref
e
v
co
v
Malha de corrente
PWM
+
+
+
_
+
) (s G
oi
) (s G
V
_
+
) (
2
s H
Malha de tenso
) (s G
ip
) (
s i
L
Conversor Buck

Figura 5.6. Diagrama de blocos de controle proposto para as regies 2 e 3 do estado de carga do
banco de baterias.

O modelo linearizado do conversor apresenta trs entradas, logo as variveis de estado
podem ser representadas pela superposio da contribuio de cada entrada em forma
independente. Para o caso deste trabalho a varivel de estado de interes a corrente no
indutor. A equao 5.26 mostra a corrente no indutor em funo das entradas.

) (
) ( ) (
) ( ) (
) ( ) (
s i s G s d s G s V s G s i
P iP id PV iPV L
+ + = (5.26)

Onde:

) (
) (
) ( s V s i s G
PV L iPV
= (com 0 ) (
= s d e 0 ) (
= s i
P
) (5.27)

) (
) (
) ( s d s i s G
L id
= (com 0 ) (
= s V
PV
e 0 ) (
= s i
P
) (5.28)

) (
) (
) ( s i s i s G
P L iP
= (com 0 ) (
= s V
PV
e 0 ) (
= s d ) (5.29)

127
As funes de transferncia
iPV
G ,
id
G ,
iP
G ,
oi
G foram determinadas em concordncia
com o procedimento descrito na seo anterior, elas so mostradas (5.30), (5.31), (5.32),
(5.33) respectivamente. O detalhe da obteno de aquelas funes apresentado no
apndice (B.2).

R R L RCR CR R CR R s R R LC s
D C DR CRD s
s V
s i
s G
L SE SE L L SE
SE
PV
L
iPV
+ + + + + + +
+ +
= =
) ( ) (
) (
) (
) (
) (
2
(5.30)

V V C R CR s
s d
s i
s G
L SE SE L L SE
PV PV SE L
id
+ + + + + + +
+ +
= =
) ( ) (
) (
) (
) (
) (
2
(5.31)

R CV sR
s i
s i
s G
L SE SE L L SE
PV SE
P
L
iP
+ + + + + + +

= =
) ( ) ( ) (
) (
) (
2
(5.32)

1 ) (
) 1 (
) (
) (
) (
0
+ +
+
= =
SE
SE
L
oi
R R Cs
sCR R
s i
s v
s G (5.33)

Foi simulado com o pacote Power Systems de Matlab o circuito chaveado do conversor
representado na Figura 5.3, e comparado com o modelo linearizado de pequeno sinal
obtido, visando comprovar a validade deste. A chave e o diodo Schottky foram considerados
como ideais. Os valores para os componentes passivos foram escolhidos da seguinte forma:
L = 560 uH,
L
R = 0.04 , C = 220 uF, Rse = 230 m. A tenso fornecida pelo arranjo
fotovoltaico
PV
V =35 V, a fonte de corrente
P
i =0 A. A resistncia que simula o consumo do
banco de bateria foi determinada da seguinte maneira: para o caso em que a condio
climtica seja a padro (1000 W/m a 25C) a potncia fornecida pelo arranjo fotovoltaico
ser de aproximadamente 160 W, a tenso no banco de baterias no momento em que
atuem as malhas de controle ser de 28.8 V, considerando que toda a potncia transferida
pelos painis ao banco (Buck ideal) pode-se estimar uma resistncia de carga equivalente
como R=Vbat/P =28.8/160 5.

128
Ao substituir os valores definidos para os componentes e entradas em (5.25) se obtm
os valores para o ponto quiescente:

A I
L
76 . 5 = (5.34)
V V
C
8 . 28 = (5.35)
8294 . 0 = D (5.36)

Ao Substituir os valores dos componentes e entradas e do ciclo de trabalho em regime
permanente em (5.30), (5.31), (5.32) e (5.33) tem-se:

04 . 5 000859 . 0 10 443 . 6
8294 . 0 0009544 . 0
) (
) (
) (
2 7
+ +
+
= =

s s x
s
s V
s i
s G
PV
L
iPV
(5.37)

04 . 5 000859 . 0 10 443 . 6
35 04027 . 0
) (
) (
) (
2 7
+ +
+
= =

s s x
s
s d
s i
s G
L
id
(5.38)

04 . 5 000859 . 0 10 443 . 6
5 000253 . 0
) (
) (
) (
2 7
+ +

= =

s s x
s
s i
s i
s G
P
L
ip
(5.39)

1 001151 . 0
5 000253 . 0
) (
) (
) (
0
0
+
+
= =
s
s
s i
s v
s G
L
i
(5.40)

A Figura 5.7 apresenta o resultado da simulao para a tenso na sada do conversor
em resposta a um degrau de 10% na tenso fornecida pelo arranjo fotovoltaico. So
mostrados simultaneamente o modelo chaveado e o modelo mdio. A figura 5.8 mostra a
mesma comparao para o comportamento da corrente no indutor a um degrau de 10% na
corrente de carga. J a figura 5.9 mostra a comparao para o comportamento da tenso na
sada a um degrau de 10% no ciclo de trabalho. Os resultados obtidos para os trs casos
analisados mostram que o modelo linearizado apresenta um comportamento satisfatrio,
toda vez que para pequenas variaes nas entradas do conversor, o modelo conseguiu
representar o valor mdio do modelo chaveado. Sendo assim este modelo ser utilizado na
seguinte seo para o projeto dos compensadores.
129
0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
0
1
2
3
4
5
6
7
8
A
m
p
e
r
Tempo (seg)

Circuito chaveado
Modelo linearizado
0.0352 0.0353 0.0354
4.5
5
5.5
6
V
o
l
t
s
Tempo (seg)

5. 76
0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
28
29
30
31
32
33
34
V
o
l
t
s
Tempo (seg)

Circuito chaveado
Modelo linearizado
0.0352 0.0353 0.0354
31.6
31.8
V
o
l
t
s
Tempo (seg)

28. 8

Figura 5.7. Tenso na sada do conversor: resposta a um degrau de 10% da tenso de entrada.
Circuito com chaveamento e modelo linearizado.

Figura 5.8. Corrente no indutor: resposta a um degrau de 10% da corrente na carga. Circuito com
chaveamento e modelo linearizado.

130
0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
28
29
30
31
32
33
34
V
o
l
t
s
Tempo (seg)

Circuito chaveado
Modelo linearizado
0.0352 0.0353 0.0354
31.6
31.8
V
o
l
t
s
Tempo (seg)
28. 8

Figura 5.9. Tenso na sada do conversor: resposta a um degrau de 10% do ciclo de trabalho.
Circuito com chaveamento e modelo linearizado.

5.4 Projeto dos compensadores analgicos

Para o projeto dos compensadores anlogos, foi escolhida uma metodologia proposta
por Venable em 1983 [51]. O ponto de partida a resposta em freqncia do conversor,
modelado a partir do valor mdio das variveis. O mtodo introduz trs conceitos: o avano
de fase como nica varivel de importncia para a estabilidade, o fator k como um
conveniente mtodo para a definio de o avano de fase e a forma da curva do ganho de
Bode, e o conceito da figura de mrito para avaliar o relativo desempenho de vrios tipos de
compensadores. O fator k uma ferramenta matemtica que possibilita a sntese de malhas
de realimentao de controle atravs de amplificadores operacionais para obter o
cruzamento de freqncia e a margem de fase desejada. Independente do tipo de
controlador escolhido, o fator k uma medida da reduo do ganho em baixas freqncias e
do aumento de ganho em altas freqncias, o que se faz controlando a alocao dos plos
e zeros do controlador, em relao freqncia de cruzamento do sistema [50].

131
+
-
1
C
1
R
i
v
o
v
5.4.1 Definio dos tipos de compensadores

Definem-se trs tipos bsicos de compensadores, em funo do nmero de plos e
zeros de sua respectiva funo de transferncia e, principalmente, em funo de sua
caracterstica de defasagem.

5.4.1.1 Compensador tipo 1

Este circuito apresenta um plo na origem, o que significa uma defasagem constante de
-90 (ou -270 incluindo os -180 provocados pela realimentao negativa do compensador) e
uma razo de atenuao constante de - 20 dB/dec como pode-ser observado na Figura
5.11.

Figura 5.10. Compensador tipo 1.

A funo de transferncia e mostrada a seguir:

s C R s v
s v
i
o
1 1
1
) (
) (
= (5.41)

A freqncia do corte para este compensador :

1 1
2
1
C R
f
c
= (5.42)

132
+
-
1
C
2
R
2
C
1
R
o
v
i
v
Ganho (dB)
-20 dB/dec
-90
0
Fase (graus)
0
Fase
Ganho
Avano

Figura 5.11. Diagrama de bode para o compensador tipo 1.


Este compensador apresenta um zero e dois plos, sendo um deles na origem (devido
ao integrador). A defasagem sofre um crescimento entre -90 e 0. O compensador tipo 2
oferece uma melhor resposta dinmica em comparao com a lenta resposta do
compensador tipo 1. Um par zero plo introduzido para dar uma faixa de freqncia
onde o ganho fica constante, nesta regio introduzido o avano de fase. A regio de
ganho constante ocorre entre as freqncias
z
f e
2 p
f como se pode observar na Figura
5.13. A Figura 5.12 mostra o circuito para este compensador.

133
Ganho (dB)
-20 dB/dec
-20 dB/dec
Ganho
Fase
-90
0
z
f
2 p
f
Fase (graus)
Avano
Sua funo de transferncia :

) (
1
) (
) (
2 1 2 2 1 1
2 1
C C sR C C sR
R sC
s v
s v
i
o
+ +
+
= (5.43)

A freqncia do zero :

1 2
2
1
C R
f
z
= (5.44)

A freqncia do plo distinto de zero :

2 1 2
2 1
2
2 C C R
C C
f
p
+
= (5.45)


134
-
+
i
v
o
v
1
C
2
R
2
C
1
R
3
R
3
C

Este compensador apresenta um plo na origem e dois pares de zero plo. A Figura
5.15 mostra o diagrama de bode para este compensador, nela pode-se observar como o
ganho para baixas freqncias decresce a -20 dB/dec devido ao plo na origem, o ganho
permanece constante entre a freqncia dos zeros
1 z
f e
2 z
f . Aps de
2 z
f o efeito do
segundo zero faz que o ganho aumente a razo de 20 dB/dec at na proximidade de
2 p
f .
Aps de
2 p
f o ganho fica constante pela influncia deste plo at a proximidade de
3 p
f .
Aps desta freqncia o ganho decresce novamente a razo de -20 dB/dec. Para um melhor
desempenho deste controlador, em malha fechada, a freqncia de corte deve ocorrer entre
2 z
f e
2 p
f . A Figura 5.14 mostra o circuito para este compensador.


Sua funo de transferncia :

) 1 )( (
) 1 )( 1 (
) (
) (
3 3 2 1 2 2 1 1
1 3 3 3 2 1
s C R C C sR C C sR
s R C s R C R sC
s v
s v
i
o
+ + +
+ + +
= (5.46)

Os zeros para este compensador so:

1 2
1
2
1
C R
f
z
= (5.47)

3 3 1
2
) ( 2
1
C R R
f
z
+
=
(5.48)
135
Ganho (dB)
-20 dB/dec
90
Fase (graus)
0
-90
1 z
f
2 z
f
3 p
f
2 p
f
+20 dB/dec -20 dB/dec
Ganho
Fase
0
Avano
J seus plos diferentes de zero so:

2 1 2
2 1
2
2 C C R
C C
f
P
+
= (5.49)

3 3
3
2
1
C R
f
P
= (5.50)


136
Ganho (dB)
freq
freq
freq
c
f
c
f
c
f
k
k
k
f
c
c
kf
k
f
c
k f
c
k
k
G
G
G
0
0
0
-20 dB/dec
K = 1
Referncia tipo 1
Referncia tipo 1
Ganho (dB)
Ganho (dB)
(a)
(b)
(c)

Figura 5.16. Curvas caractersticas de Bode. (a) Compensador tipo 1, (b) Compensador tipo 2, (c)
Compensador tipo 3, em relao ao fator k.

Para um circuito do tipo 1, k vale sempre 1 devido falta total de avano de fase, ou ao
correspondente aumento o diminuio do ganho. Para o tipo 2, o zero colocado um fator
k abaixo de
c
f , enquanto o plo fica um fator k acima de
c
f . No tipo 3, um zero duplo
est alocado um fator k abaixo de
c
f , e o plo (duplo), k acima de
c
f . Sendo
c
f a
mdia geomtrica entre as alocaes dos zeros e plos, o pico do avano de fase ocorrer
na freqncia de corte, o que melhora a margem de fase [50]. A Figura 5.16 mostra as
curvas de Bode para os trs tipos de compensadores, em relao ao fator k.
137
amplamente conhecido que o avano de fase total para uma funo de transferncia
dada pela soma das contribuies individuais do avano provocado por cada zero e plo.

Assim o avano de fase para o caso do compensador tipo 2 (um zero na freqncia
k f
c
/ e um plo a uma freqncia k f
c
) dado por:

) / 1 ( tan ) ( tan
1 1
k k

= (5.51)

Utilizando relaes trigonomtricas pode-se isolar o fator k em funo do avano de fase
para o compensador tipo 2 [51].

|
.
|
\
|
+ = 45
2
tg k (5.52)

Para o caso do compensador tipo 3 (dois zeros juntos a uma freqncia k f / e dois
plos juntos a uma freqncia k f
c
) o avano de fase :

) / 1 ( tan 2 ) ( tan 2
1 1
k k

= (5.53)

Utilizando relaes trigonomtricas pode-se isolar o fator k em funo do avano de fase
para o compensador tipo 3 [51].

2
45
4
(
|
.
|
\
|
+ =

tg k (5.54)

A sntese para o projeto do compensador detalhada a seguir [50], [51], [52].

Passo 1) Traar o diagrama de Bode do conversor.

Passo 2) Escolha da freqncia de corte (em malha fechada) desejada. Quanto maior
esta freqncia, melhor a resposta dinmica do sistema. No entanto, para evitar os
efeitos do chaveamento sobre o sinal de controle, tal freqncia deve ser inferior a 1/5
da freqncia de operao da fonte.

138
Passo 3) Escolha da margem de fase desejada. Entre 30 e 90, 60 um bom
compromisso.

Passo 4) Determinao do ganho do compensador (G) necessrio para que se obtenha
a freqncia de corte desejada. Conhecida a freqncia de corte e o ganho do sistema
(em malha aberta), o ganho do controlador deve ser tal que leve, nesta freqncia, a um
ganho unitrio em malha fechada.

Passo 5) Determine o avano de fase requerido, de acordo seguinte equao:

= 90 P M (5.55)

Onde M representa a margem de fase desejada e P a defasagem provocada pelo
sistema.

Passo 6) Escolha o tipo de compensador. Escolha compensador tipo 1 quando o avano
de fase no requerido, escolha tipo 2 quando o avano de fase requerido menor a
90, escolha tipo 3 quando a avano de fase maior a 90 e menor que 180.

Passo 7) Calcule o fator k. O fator k pode ser obtido das equaes j indicadas (5.52)
ou (5.54). A alocao dos zeros e plos determinar os componentes, de acordo com as
equaes mostradas a seguir:

Para o tipo 1:

1
1
2
1
R G f
C
c

=
(5.56)

Para o tipo 2:

1
2
2
1
R k G f
C
c

=
(5.57)

) 1 (
2
2 1
= k C C (5.58)

139
1
2
2 C f
k
R

=
(5.59)

Para o tipo 3:

1
2
2
1
R G f
C
c

=
(5.60)

) 1 (
2 1
= k C C (5.61)

1
2
2 C f
k
R
c

=
(5.62)

1
1
3
=
k
R
R (5.63)

k R f
C
c

=
3
3
2
1
(5.64)

5.4.2 Projeto da malha de controle de corrente

Como mostrada na Figura 5.6 a malha de controle de corrente proposta para o
conversor Buck esta composta pela funo de transferncia da corrente do indutor em
relao razo cclica ) (s G
id
, a funo de transferncia do sensor de corrente ) (
1
s H que
definida como uma constante com o objetivo de adequar a corrente de sada ao patamar da
referncia de corrente, a funo de transferncia do controlador de corrente ) (s G
I
a
determinar nesta seo e pela funo de transferncia do modulador ) (s K
M
por largura de
pulso PWM (Pulse Wide Modulation) cuja funo de transferncia dada por (5.65). O
desenvolvimento matemtico da funo pode ser visto com mais detalhe no apndice C.

M
M
V
s K
1
) ( = (5.65)

140
0
10
20
30
40
M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
-90
-45
0
45
P
h
a
s
e

(
d
e
g
)
Bode Diagram
Frequency (Hz)
Freqncia (Hz)
F
a
s
e

(
g
r
a
u
s
)
M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
A metodologia adotada no projeto da malha de realimentao de controle de corrente
para o conversor Buck baseada no fator k apresentado na seo anterior. A sntese do
projeto para o compensador de corrente mostrada a seguir:

Passo 1: Diagrama de Bode da funo de transferncia da corrente do indutor em
relao ao ciclo de trabalho ) (s G
id
sem o controlador, esta funo j foi determinada
anteriormente e corresponde expresso (5.38). A Figura 5.17 mostra o diagrama de Bode
para aquela funo.

Figura 5.17. Diagrama de bode da funo de transferncia Gid(s)

Passo 2: A freqncia de corte em malha fechada escolhida como 1/5 da freqncia
de chaveamento ou seja 4800 Hz.

Passo 3: A margem de fase adotada ser de M = 60.

Passo 4: A funo de transferncia de malha aberta sem controlador dada por a
expresso (5.66).

) ( ) ( ) (
1
s H s K s G
M id
(5.66)

141
-40
-30
-20
-10
0
M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
-90
-45
0
45
P
h
a
s
e

(
d
e
g
)
Bode Diagram
Frequency (Hz)
-33.6 dB
4800 Hz
-89
4800 Hz
Freqncia (Hz)
F
a
s
e

(
g
r
a
u
s
)
M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
Considerado:

10
1
) ( = s K
M
(Ganho do modulador PWM) (5.67)

10
1
) (
1
= s H (Ganho do sensor de corrente) (5.68)

Tem-se:

04 . 5 000859 . 0 10 443 . 6
35 . 0 0004027 . 0
) ( ) ( ) (
2 7
1
+ +
+
=

s s
s
s H s K s G
M id
(5.69)

A Figura 5.18 mostra o diagrama de Bode da funo de transferncia da expresso
(5.69), nela pode-se ver que para a freqncia de corte escolhida o sistema apresenta um
ganho de -33.6 dB (0.0209 Vezes), assim, o compensador deve ter um ganho de 33.6 dB (G
= 47.85 vezes).

Figura 5.18. Diagrama de Bode da funo de transferncia de malha aberta
) ( ) ( ) (
1
s H s K s G
M id

.
142
Passo 5: A figura 5.18 mostra que a defasagem provocada pelo sistema na freqncia
de corte de P = -89. Logo o avano de fase necessrio calculado a seguir usando a
expresso (5.55).

= = 59 90 ) 09 . 89 ( 60 (5.70)

Passo 6: como o avano de fase necessrio menor que 90 escolhe-se usar o
compensador tipo 2.

Passo7: o fator k calculado a seguir usando a expresso (5.52).

6178 . 3 45
2
59
= |
.
|
\
|
+
= tg k (5.71)

Arbitrando um valor para
1
R de 10 k e usando as expresses (5.57), (5.58) e (5.59)
so determinados os valores dos componentes para o compensador de corrente.

pF C 146 . 19
10000 6178 . 3 85 . 47 4800 2
1
2
=

=
(5.72)

pF C 146 . 231 ) 1 6178 . 3 ( 10 146 . 19
2 12
1
= =

(5.73)

=

=

k R 27 . 518
10 146 . 231 4800 2
6178 . 3
12
2
(5.74)

Substituindo (5.72), (5.73) e (5.74) em (5.43) determina-se a funo de transferncia do
compensador tipo 2 da malha de corrente.

s s
s
s G
I
+
+
=
6 2 11
10 506 . 2 10 297 . 2
00012 . 0 1
) ( (5.75)

A figura 5.19 apresenta o diagrama de Bode para: o compensador projetado tipo 2
( ) (s G
I
), o sistema sem compensao ( ) ( ) ( ) (
1
s H s K s G
M id
) e o sistema compensado em
malha aberta ( ) ( ) ( ) ( ) (
1
s H s K s G s G
M id I
).

143
-100
-50
0
50
100
150

M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
10
6
-180
-90
0
90
P
h
a
s
e

(
d
e
g
)
Bode Diagram
Gm = Inf dB (at Inf Hz) , Pm = 60 deg (at 4.8e+003 Hz)
Frequency (Hz)
No compensado
Compensador tipo 2
Compensado malha aberta
Freqncia (Hz)
F
a
s
e

(
g
r
a
u
s
)
M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)

Figura 5.19. Diagramas de Bode para a malha de corrente: o sistema no compensado, o
compensador tipo 2 e o sistema compensado.

A anlise do diagrama anterior permite verificar que todas as especificaes
estabelecidas so cumpridas: freqncia de corte de 4.8 kHz e margem de fase de 60.
ainda possvel verificar que o sistema apresenta um ganho elevado para baixas freqncias
(68 dB) o que lhe confere boa regulao DC e imunidade a perturbaes de baixas
freqncias na sada.

A margem de fase ainda mantida entre 3 kHz e 6 kHz, pelo que perturbaes que
levem a variaes na freqncia de corte tero pouco impacto na resposta do sistema e,
como tal, na sua estabilidade.

144
) (
0
s v
) (s v
ref
) (s G
oi ) (s G
V
_
+
) (
2
s H
Malha de tenso
) ( ) ( ) ( ) ( 1
) ( ) ( ) ( ) (
1
1
s G s H s K s G
s G s H s K s G
id M I
id M I
+

) (
s i
L
) (s G
MC
) (s i
ref
5.4.3 Projeto da malha de controle de tenso

A malha de tenso esta composta pela funo de transferncia do compensador ) (s G
V
,
a funo de transferncia da tenso na carga em relao corrente no indutor ) (s G
oi
, a
funo de transferncia do sensor de tenso ) (
2
s H que definida como uma constante
para adequar a tenso de sada ao patamar da referncia de tenso, e a funo ) (s G
MCF

que representa ao lao interno de corrente em malha fechada (5.76). A Figura 5.20 mostra o
diagrama de blocos para a malha de tenso.

Figura 5.20. Diagrama de blocos da malha de tenso

) ( ) ( ) ( ) ( 1
) ( ) ( ) ( ) (
) (
1
1
s G s H s K s G
s G s H s K s G
s G
id M I
id M I
MCF
+

= (5.76)

A funo de transferncia que relaciona a tenso de sada ) (s v
O
com a referncia de
corrente ) (s i
ref
se obtm multiplicando ) (s G
MCF
com ) (s G
oi
. Assim:

) ( ) ( ) ( ) ( 1
) ( ) ( ) ( ) ( ) (
) (
) (
) (
1
1
s G s H s K s G
s G s G s H s K s G
s i
s v
s G
id M I
oi id M I
ref
O
voi
+

= = (5.77)

Substituindo (5.69), (5.75) e (5.40) em (5.77) obtm-se a funo de transferncia
) (s G
voi
.
16 13 2 9 3 5 4
18 14 2 9
10 365 . 2 10 09 . 3 10 418 . 3 10 104 . 1
10 183 . 1 10 017 . 2 10 178 . 7
) (
+ + + +
+ +
=
s s s s
s s
s G
voi
(5.78)

145
-40
-20
0
20
40
M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
-180
-135
-90
-45
0
P
h
a
s
e

(
d
e
g
)
Bode Diagram
Frequency (Hz)
Freqncia (Hz)
F
a
s
e

(
g
r
a
u
s
)
M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
adotada a metodologia do fator K para o projeto do controlador da malha de tenso. A
sntese do projeto para o compensador de tenso mostrada a seguir:

Passo 1: Diagrama de Bode da funo de transferncia da tenso na carga em relao
referncia de corrente ) (s G
voi
sem o controlador. A Figura 5.21 mostra o diagrama de Bode
para aquela funo.

5.21. Diagrama de bode da funo de transferncia Gvoi(s).

Passo 2: A freqncia de corte em malha fechada escolhida como 1/25 da freqncia
de chaveamento ou seja 960 Hz.

Passo 3: A margem de fase adotada para esta malha ser de M = 60.

Passo 4: A funo de transferncia de malha aberta sem controlador dada por a
expresso (5.79).

) ( ) (
2
s H s G
voi
(5.79)

Considerado:
146
-60
-40
-20
0
20
M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
-180
-135
-90
-45
0
P
h
a
s
e

(
d
e
g
)
Bode Diagram
Frequency (Hz)
Freqncia (Hz)
F
a
s
e

(
g
r
a
u
s
)
M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
-1.91 dB
960 Hz
960 Hz
-68.7

10
1
) (
2
= s H (Ganho do sensor de tenso) (5.80)

Tem-se:

16 13 2 9 3 5 4
17 13 2 8
2
10 365 . 2 10 09 . 3 10 418 . 3 10 104 . 1
10 183 . 1 10 017 . 2 10 178 . 7
) ( ) (
+ + + +
+ +
=
s s s s
s s
s H s G
voi
(5.81)

A Figura 5.22 mostra o diagrama de Bode da funo de transferncia da expresso
(5.81), nela pode-se ver que para a freqncia de corte escolhida para esta malha o sistema
apresenta um ganho de -1.91 dB (0.8024 Vezes), assim, o compensador deve ter um ganho
de 1.91 dB (G = 1.24 vezes).

Figura 5.22 Diagrama de Bode da funo de transferncia de malha aberta
) ( ) (
2
s H s G
voi

.

Passo 5: A figura 5.22 mostra que a defasagem provocada pelo sistema na freqncia
de corte de P = -68.7. O avano de fase necessrio calculado a seguir usando a
expresso (5.55).

147
= = 7 . 38 90 ) 7 . 68 ( 60 (5.82)

Passo 6: como o avano de fase necessrio menor que 90 escolhe-se usar o
compensador tipo 2.

Passo7: o fator k calculado a seguir usando a expresso (5.52).

0796 . 2 45
2
7 . 38
= |
.
|
\
|
+
= tg k (5.83)

Arbitrando um valor para
1
R de 10 k e usando as expresses (5.57), (5.58) e (5.59) so
determinados os valores dos componentes para o compensador de tenso.

F C
t

396 . 6
10000 0796 . 2 24 . 1 960 2
1
2
=

= (5.84)

F C 268 . 21 ) 1 0796 . 2 ( 10 396 . 6
2 9
1
= =

(5.85)

=

=

k R 211 . 16
10 268 . 21 960 2
0796 . 2
9
2
(5.86)

Substituindo (5.84), (5.85) e (5.86) em (5.43) determina-se a funo de transferncia do
compensador tipo 2 para a malha de tenso.

s s
s
s G
V
+
+
=

0002766 . 0 10 205 . 2
0003448 . 0 1
) (
2 8
(5.87)
148
-100
-50
0
50
100

M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
-270
-180
-90
0

P
h
a
s
e

(
d
e
g
)
Bode Diagram
Gm = 23 dB (at 6.56e+003 Hz) , Pm = 60 deg (at 960 Hz)
Frequency (Hz)
No Compensado
Compensador tipo 2
Compensado malha aberta
Freqncia (Hz)
F
a
s
e

(
g
r
a
u
s
)
M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
A figura 5.23 apresenta o diagrama de Bode para: o compensador projetado tipo 2
( ) (s G
V
), o sistema sem compensao ( ) ( ) (
2
s H s G
voi
) e o sistema compensado em malha
aberta ( ) ( ) ( ) (
2
s H s G s G
voi V
).

Figura 5.23. Diagramas de Bode para a malha de tenso: o sistema no compensado, o
compensador tipo 2 e o sistema compensado.

A Figura 5.23 mostra que as especificaes impostas para o lao de controle de tenso
foram cumpridas: banda passante de 960 Hz e margem de fase de 60. Verifica-se tambm
que o sistema apresenta um ganho elevado para baixas freqncias (65 dB).
5.5 Simulaes do sistema contnuo

Para observar o desempenho dos compensadores foi simulado o sistema em malha
fechada, o esquema implementado em Simulink de Matlab mostrado na Figura 5.24. A
Figura 5.25 mostra o comportamento transitrio da tenso na carga ) (t v
o
e a corrente no
indutor ) (t i
L
para uma variao na resistncia de carga do 20% (de 5 para 4). A Figura
5.26 mostra as mesmas variveis para uma variao na tenso de entrada de 20% (de 35 V
para 42 V). A Figura 5.27 mostra a mesmas variveis para uma variao na tenso de
referncia, mudando esta de 28.8 V (tenso de equalizao) para 27 V (tenso de
flutuao).
149
0.028 0.0285 0.029 0.0295 0.03 0.0305 0.031 0.0315 0.032 0.0325 0.033
5
6
7
8
I
L

(
A
)
0.028 0.0285 0.029 0.0295 0.03 0.0305 0.031 0.0315 0.032 0.0325 0.033
27
28
29
30
V
o

(
V
)
Tempo (seg)

Figura 5.24. Esquema implementado em Matlab para a simulao das malhas de controle do
conversor Buck.

Figura 5.25. Formas de onda para vo(t) e iL(t) a um degrau na resistncia de carga de 20%.

150
0.028 0.0285 0.029 0.0295 0.03 0.0305 0.031 0.0315 0.032 0.0325 0.033
5
5.5
6
6.5
7
I
L

(
A
)
0.028 0.0285 0.029 0.0295 0.03 0.0305 0.031 0.0315 0.032 0.0325 0.033
28
28.5
29
29.5
V
o

(
V
)
Tempo (seg)
0.028 0.0285 0.029 0.0295 0.03 0.0305 0.031 0.0315 0.032 0.0325 0.033
3
4
5
6
7
8
I
L

(
A
)
0.028 0.0285 0.029 0.0295 0.03 0.0305 0.031 0.0315 0.032 0.0325 0.033
24
26
28
30
V
o

(
V
)
Tempo (seg)

Figura 5.26. Formas de onda para vo(t) e iL(t) a um degrau na tenso de entrada de 20%.

Figura 5.27. Formas de onda para vo(t) e iL(t) a um degrau na referncia de 28.8 V para 27 V.
151
ref
y
) (s G
c
_
+
) (s H
SH
) (s H
y
Compensador Conversor
Amostrador - Retentor
5.6 Discretizao dos compensadores

Atualmente, um dos modos mais utilizados industrialmente para projetar um controlador
digital consiste em projetar o controlador no domnio contnuo, e aps utilizar um mtodo de
discretizao para obter semelhante desempenho [52].

A Figura 5.28, representa um sistema de controle realimentado, nela ) (s H representa
ao conversor de potncia, ) (s G
c
o compensador e ) (s H
SH
representa o retardo devido ao
processo de digitalizao, aquele tempo pode-ser expressado como:

s
e
S T
S
=
1
(5.88)

Onde,
S
T representa o perodo de amostragem. Quando o tempo de amostragem
suficientemente grande, pode ser aproximado como:

s
T
s
e
s
S T
S
2
1
1 1
+
=
=

(5.89)

Figura 5.28. Sistema de controle discreto realimentado.

Depois que o termo que representa ao tempo de amostragem linearizado, um mtodo
padro como o do diagrama de Bode pode ser usado para projetar o compensador ) (s G
c
.
Uma vez que ) (s G
c
foi projetado, ele pode ser discretizado por algum mtodo de
discretizao. A tabela 5.2 apresenta vrios mtodos de discretizao comumente utilizados
[52].

152
Tabela 5.2. Mtodos de discretizao.

Mtodo de transformao Domnio s Domnio Z
Backward Euler s
s
T
z
1
1

Transformao Bilinear s
1
1
1
1 2
z
z
T
s

Resposta Invariante ao Degrau s
)
`

) (
1
s G
s
e
c
s T
S

O mtodo de Backward Euler fcil de implementar, mas no preserva a resposta ao
impulso e em freqncia do controlador anlogo. O mtodo de Transformao Bilinear,
tambm chamado como Tustin ou Rgua Trapezoidal, mapeia o semiplano esquerdo s ao
interior do circulo unitrio no plano Z, portanto no apresenta o fenmeno de Aliasing. A
caracterstica mais atrativa deste mtodo que preserva as propriedades de ganho e fase
do compensador abaixo de 1/10 da freqncia de amostragem. O mtodo de Resposta
Invariante ao Degrau mantm a resposta ao Degrau, mas no preserva a resposta ao
impulso e freqncia.

Atualmente para a discretizao de um sistema, existem ferramentas computacionais
que realizam aquela operao. Neste trabalho se optou por aquelas presentes em Matlab.
Assim foi utilizado o comando c2d o qual possui 4 diferentes mtodos para discretizar.
Transformao Bilinear (tustin), Resposta Invariante ao Degrau (zoh), Resposta Invariante
ao Impulso (imp) e Interpolao Linear (foh). Foram testados os quatro mtodos para cada
compensador projetado. O critrio para a escolha do mtodo baseou-se na resposta em
freqncia. Aquele que conservou melhor as propriedades de fase e ganho foi escolhido.

Para o compensador de corrente a melhor resposta se obteve com o mtodo da
Transformao Bilinear. A Figura 5.29 mostra os diagramas de Bode para o compensador
de corrente analgico ) (s G
I
e o compensador de corrente discretizado ) (z G
I
, nela pode-se
observar que as curvas de ganho para ambos compensadores ficaram praticamente iguais
at os 12 kHz (metade da freqncia de chaveamento), embora as curvas de fase
apresentem uma notria divergncia aps dos 5200 Hz, isto no representa um problema
posto que se especificou uma banda passante para essa malha de 4800 Hz. Em (5.90) se
153
-300
-200
-100
0
100
M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)

10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
10
6
-90
-60
-30
P
h
a
s
e

(
d
e
g
)
Bode Diagram
Frequency (Hz)
GI(s)
GI(z)
Freqncia (Hz)
F
a
s
e

(
g
r
a
u
s
)
M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
mostra o compensador discretizado e em (5.91) sua equao de diferencias
correspondente.
) (
) (
389 . 0 611 . 0
47 . 27 55 . 11 02 . 39
) (
2
2
z e
z v
z z
z z
z G
I
C
I
=

+
= (5.90)

1
3 2 3 2 1
] 2 [ ] 1 [ ] 2 [ ] 1 [ ] [
] [
B
n v B n v B n e A n e A n e A
n v
C C I I I
C
+ + + +
= (5.91)

Onde:

] [n v
C
corresponde tenso de controle e ] [n e
I
ao erro da malha de corrente.

02 . 39
1
= A
55 . 11
2
= A
47 . 27
3
= A
1
1
= B
611 . 0
2
= B
389 . 0
3
= B

Figura 5.29. Diagramas de Bode para o compensador de corrente analgico e discreto.
154
Para o compensador de tenso a melhor resposta se obteve com o mtodo da
Interpolao Linear. A Figura 5.30 mostra os diagramas de Bode para o compensador de
tenso analgico ) (s G
V
e o compensador de tenso discretizado ) (z G
V
, aquela figura
mostra que a curva de ganho do compensador discreto mantm as propriedades do
compensador analgico at os 2500 Hz. No caso da curva de fase, o compensador discreto
conservou as propriedades da verso analgica at os 4500 Hz. Em ambos os casos a
resposta pode-se considerar satisfatria, posto que a banda passante projetada para essa
malha foi de 960 Hz. Em (5.92) se mostra o compensador discretizado e em (5.93) sua
equao de diferencias correspondente.

) (
) (
5929 . 0 593 . 1
2227 . 0 003165 . 0 2872 . 0
) (
2
2
z e
z ref
z z
z z
z G
V
I
V
=
+

= (5.92)

1
3 2 3 2 1
] 2 [ ] 1 [ ] 2 [ ] 1 [ ] [
] [
D
n ref D n ref D n e C n e C n e C
n ref
I I V V V
I
+ + + +
= (5.93)

Onde:

] [n ref
I
corresponde referncia de corrente e ] [n e
V
ao erro da malha de tenso.

2872 . 0
1
= C
003165 . 0
2
= C
2227 . 0
3
= C
1
1
= D
593 . 1
2
= D
5929 . 0
3
= D

155
-40
-20
0
20
40
M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)

10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
-90
-45
0
P
h
a
s
e

(
d
e
g
)
Bode Diagram
Frequency (Hz)
Gv(s)
Gv(z)
Freqncia (Hz)
F
a
s
e

(
g
r
a
u
s
)
M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
4 5 6 7 8 9 10 11 12
x 10
-3
25
25.5
26
26.5
27
27.5
28
28.5
29
29.5
30
Tempo (seg)
V
o

(
V
)

Sistema continuo
Sistema discreto

Figura 5.30. Diagramas de Bode para o compensador de tenso analgico e discreto.

A Figura 5.31 apresenta a resposta da tenso de sada do modelo mdio linearizado e
de seu equivalente discreto em malha fechada a um degrau na referncia de entrada de
28.8 V para 27 V, percebe-se um aumento do overshoot de 13% para 20 % do sistema
discretizado em relao ao sistema continuo, mesmo assim considera-se aceitvel para os
propsitos deste trabalho.

Figura 5.31. Resposta ao degrau na referncia do sistema continuo e discreto.
156
5.7 Concluses

Sistemas de gerao de energia que dependem de fatores naturais aleatrios, como os
sistemas fotovoltaicos, necessitam em muitas de suas aplicaes de dispositivos para o
armazenamento de energia, para que possam aproveitar de forma mais eficiente a energia
gerada, e no caso de sistemas isolados terem uma maior autonomia. As baterias
eletroqumicas so capazes de armazenar diretamente a energia eltrica sobre a forma de
energia qumica e, posteriormente transform-la, tambm diretamente, em energia eltrica.
As baterias chumbo-cido so as mais utilizadas nos sistemas fotovoltaicos.

Neste captulo foi apresentada uma estratgia de controle para o processo de carga do
banco de baterias. Devido necessidade de aproveitar ao mximo a energia disponvel no
arranjo fotovoltaico, e visando tambm garantir um carregamento rpido das baterias, dentro
dos limites de tenso e corrente permitidos pelo fabricante, foi proposta uma estratgia de
controle diferenciada. Toda vez que as baterias estejam descarregadas, o arranjo
fotovoltaico dever funcionar no ponto de mxima potncia. Para o caso em que o banco de
baterias atinge a tenso de equalizao, o conversor Buck ter que continuar fornecendo
carga a tenso constante ( tenso de equalizao) para evitar a produo excessiva de
gs e evitar a diminuio da vida til do banco. Para esse estgio foi desenvolvido um
controle de tenso com limitao de corrente composto por duas malhas em cascata, uma
interna para o controle de corrente e uma externa para o controle de tenso.

O conversor Buck foi linearizado atravs da tcnica do modelo mdio no espao de
estado, a partir dele, foram obtidas as funes de transferncia necessrias para o auxilio
do projeto dos compensadores. Os controladores foram projetados usando a tcnica do fator
k proposta por Venable [51].

O analise feito das curvas de Bode de ganho e fase para as malhas compensadas,
mostraram que as especificaes de margem de fase e banda passante impostas para cada
uma delas foram cumpridas, 60 e 4800 Hz no caso do lao de corrente e 60 e 960 Hz no
caso do lao de tenso. Ainda foi possvel verificar que o sistema apresentou um ganho
elevado para baixas freqncias em ambas as malhas de controle, 68 dB para a malha de
corrente e 65 dB para a malha de tenso, o que lhe confere ao sistema boa regulao DC e
imunidade a perturbaes de baixas freqncias. Para testar o desempenho dos
compensadores, foram feitas simulaes do sistema em malha fechada, elas mostraram que
o conversor Buck apresenta uma rpida resposta transitria s variaes na tenso de
entrada, na corrente de carga e na referncia de tenso.
157
Devido ao fato que o sistema de controle ser implementado em um processador digital
de sinais, foi necessrio fazer a digitalizao dos compensadores analgicos. O critrio
usado para a escolha do mtodo de discretizao baseou-se na resposta em freqncia. As
curvas de ganho e fase de Bode foram utilizadas para o analise dos controladores digitais.
Para o caso do compensador de corrente, a tcnica que melhor preservou as propriedades
de resposta em freqncia, foi a Transformao Bilinear, pois, manteve as propriedades de
ganho e fase do compensador anlogo de corrente pelo menos at a freqncia de corte
(4800 Hz). Em relao ao compensador anlogo de tenso, a tcnica da Interpolao
Linear foi a escolhida, o compensador preservou as propriedades de fase e ganho at pelo
menos a freqncia de corte (960 Hz).

158
Captulo 6
Resultados experimentais

6.1 Introduo

Neste captulo apresentado o prottipo do carregador de baterias para aplicaes
fotovoltaicas implementado em laboratrio. feita uma breve descrio de seus principais
circuitos.

Visando verificar seu desempenho vrios ensaios experimentais foram feitos, os
resultados obtidos so mostrados e analisados.

6.2 Prottipo do carregador de baterias

O prottipo implementado divide-se em 3 circuitos principais, uma placa de medio,
uma placa de condicionamento de sinais e controle, e uma placa de comando.

A placa de medio de corrente esta composta basicamente por resistores Shunt para
as medies de corrente do arranjo fotovoltaico e o banco de baterias, um diodo Schotky
como dispositivo de bloqueio de corrente reversa para os mdulos fotovoltaicos, e um rel
atuando como dispositivo de desconexo por baixa tenso nas baterias. A Figura 6.1 mostra
a placa de medio implementada.

Figura 6.1 Placa de medio.
Captulo 6 Resultados experimentais
159
A placa de condicionamento de sinais e controle tem como componente principal um
DSP TMS320F2812 de Texas Instruments, no qual foi implementado o algoritmo MPPT e os
compensadores digitais projetados para o controle de carga de bateria, outras tarefas
realizadas por ele so a gerao do sinal PWM para comandar o conversor Buck, a
aquisio atravs de seus canais de converso A/D das variveis de interesse, o
armazenamento dessas variveis em memria para uma posterior anlise.

Nesta placa tambm se encontram implementados os divisores de tenso para as
medies de tenso do arranjo fotovoltaico e do banco de baterias.

Amplificadores operacionais so usados para a funo de adequao dos nveis de
tenso das grandezas fsicas medidas a valores tolerveis pelo conversor A/D do DSP,
que para o usado neste trabalho vai de 0 e 3 V. Sendo assim foi utilizado o amplificador
operacional OPA4358 que tem a caracterstica de ser unipolar aceitando uma tenso de
alimentao de 2.1 a 5.5 V.

Para a adaptao do nvel lgico 1 do PWM gerado pelo DSP (3.3 V) para 5 V
necessrios para comandar o driver do conversor Buck, foi utilizado uma porta lgica com
sada a coletor aberto (74LS06D). A Figura 6.2 mostra a placa implementada para o
condicionamento de sinais e controle.

Figura 6.2 Placa de condicionamento e controle.

A placa de comando esta composta principalmente pelo conversor Buck projetado. Para
o acionamento da chave semicondutora do conversor foi utilizado o circuito integrado
HCPL316J. Este driver tem a caracterstica de opto acoplamento com deteco e
realimentao de estado de falta. Sendo assim este circuito integrado utilizado como
proteo para a chave eletrnica. Se, enquanto o circuito de comando estiver aplicando um
160
sinal para habilitar a conduo do Mosfet, sua tenso entre dreno e source exceder um
determinado limiar, o comando interrompido e o Mosfet recebe um sinal para bloquear a
conduo. O HCPL-316J monitora a tenso entre dreno e source atravs de seu pino
DESAT. Quando esta tenso exceder 7 V, a conduo bloqueada e o CI precisa ser
reinicializado para retornar a seu funcionamento normal. A figura 6.3 mostra a placa de
comando implementada.

.

Figura 6.3 Placa de comando.

6.3 Arranjo fotovoltaico

Em relao ao arranjo fotovoltaico, importante mencionar que se modificou o projeto
inicial que consistia de um arranjo de dois painis conectados em srie. Esta modificao foi
necessria devido basicamente discordncia entre os valores medidos de
OC
V e os
valores fornecidos pelo fabricante.

O valor de
OC
V foi monitorado por vrios dias com distintas condies climticas (cu
claro, cu com poucas nuvens, cu nublado) atingindo valores para qualquer condio
menores que 37 V. Assim a mxima tenso de mxima potncia poderia se estimar por
cerca de 29 V (aproximadamente 80% de
OC
V ), ficando muito prximo regio de tenso de
operao do banco de baterias, o que poderia baixo certas circunstncias de operao
provocar que a tenso de mxima potncia seja menor que a tenso no banco de baterias
diminuindo consideravelmente a eficincia do algoritmo MPPT, forando aos painis
fotovoltaicos a trabalhar mesma tenso do banco de baterias e conseqentemente saindo
do PMP.

161
Sendo assim foi acrescentado mais um painel em srie. Ficando para os testes
experimentais um arranjo fotovoltaico composto por trs painis Isofoton de 80 W de
potencia nominal conectados em srie (Figura 6.4).

Figura 6.4 Arranjo fotovoltaico usado nos testes experimentais.

6.4 Banco de baterias.

O banco de baterias usado nos ensaios esteve composto por duas baterias Unipower
de chumbo cido de 12 V e 18 AH, conectadas em srie. Cuja mxima corrente de carga
permitida de 6.4 A (40% da capacidade nominal). A Figura 6.5 Mostra o banco de baterias
usado nos testes experimentais.

Figura 6.5 Banco de baterias usado nos testes experimentais.

162
+
_
PV
V
1 O
V
OPA 4348
1
R
2
R
OPA 4348
3
R
4
R
1 sh
R
PV
I
+
_
2 O
V
1
2
6.5 Medies das tenses e correntes

Para as medies de corrente foram usados resistores de pequeno valor (Shunt) como
sensores de corrente, j para as medies de tenso foram utilizados divisores de tenso.
Para o calculo dos ganhos dos amplificadores operacionais foram usadas resistncias de
1% de tolerncia.

6.5.1 Medio da tenso e corrente do arranjo fotovoltaico

A Figura 6.6 mostra o esquema implementado para as medies de tenso e corrente
nos mdulos fotovoltaicos.

Figura 6.6 Medies de tenso e corrente do arranjo fotovoltaico

A tenso de sada do amplificador operacional 1 representa a tenso fornecida pelo
arranjo fotovoltaico e pode-ser calculada pela seguinte expresso:

PV O
V
R R
R
V
|
|
.
|
\
|
+
=
2 1
1
1
(6.1)

163
Definindo = K R 62 . 5
1
e = K R 1 . 115
2
, calcula a seguir o fundo de escala para a
tenso do arranjo fotovoltaico.

V V
R
R R
V
O PV
5 . 64 3
62 . 5
1 . 115 62 . 5
1
1
2 1
= |
.
|
\
| +
=
|
|
.
|
\
| +
= (6.2)

A tenso de sada do amplificador operacional 2 representa corrente no arranjo
fotovoltaico, ela pode-ser calculada pela seguinte expresso:

PV sh O
I R
R
R
V
|
|
.
|
\
|
=
1
3
4
2
(6.3)

Arbitrando = K R 53 . 9
3
e = K R 3 . 38
4
, e usando 3 resistncias de 0.33 (5 W) em
paralelo como resistncia shunt, tem-se = 11 . 0
1 sh
R . Assim calcula a seguir o fundo de
escala para a corrente do arranjo fotovoltaico.

A
R
V
R
R
I
sh
O
PV
78 . 6
11 . 0
3
3 . 38
53 . 9
1
2
4
3
= |
.
|
\
|
=
|
|
.
|
\
|
= (6.4)

164
+
_
Bat
V
5
R
6
R
2 sh
R
Bat
I
7
R
8
R
OPA 4348
OPA 4348
4
3
3 O
V
4 O
V
REF
V
6.5.2 Medio da tenso e corrente no banco de baterias

A figura 6.7 mostra o circuito implementado para as medies de tenso e corrente do
banco de baterias.

Figura 6.7 Medies de tenso e corrente do banco de baterias.

A tenso de sada do amplificador operacional 3 representa a tenso no banco de
baterias mais a queda de tenso na resistncia shunt inserida para a medio de corrente.

2
6 5
5
3 sh Bat Bat O
R I V
R R
R
V
|
|
.
|
\
|
+
= (6.5)

Sendo assim para obter o valor real da tenso no banco, se fez a subtrao do valor de
tenso obtida na sada do amplificador operacional e a queda de tenso na resistncia shunt
na prpria rotina de controle implementada no DSP. Considerando a observao feita
anteriormente, a tenso no banco de baterias pode ser dada pela seguinte expresso.

Bat O
V
R R
R
V
|
|
.
|
\
|
+
=
6 5
5
3
(compensao por software) (6.6)

165
Definindo = K R 2 . 10
5
e = K R 100
6
, calcula a seguir o fundo de escala para a tenso
do arranjo fotovoltaico.

V V
R
R R
V
O Bat
4 . 32 3
2 . 10
100 2 . 10
3
5
6 5
= |
.
|
\
| +
=
|
|
.
|
\
| +
= (6.7)

A tenso de sada do amplificador operacional 4 representa a corrente no banco de
baterias. Como esta corrente pode ser negativa (no caso da carga) e positiva (no caso da
descarrega) necessrio fazer um deslocamento da escala de tenso. Isto se consegue
com a configurao no inversora do amplificador operacional 4. O clculo da tenso de
referncia (
REF
V ) mostrada a seguir:

A sada do amplificador operacional 4 :

7
8
2
7
8
4
1
R
R
R I V
R
R
V
sh Bat REF O
+
|
|
.
|
\
|
+ = (6.8)

Precisa-se que na metade da escala ( V V
O
5 . 1
4
= ) a corrente na bateria seja nula
( A I
Bat
0 = ). Substituindo aqueles valores em (6.8) tem-se:

REF
V
R
R
|
|
.
|
\
|
+ =
7
8
1 5 . 1 (6.9)

Arbitrando = K R 6 . 86
8
e = K R 2 . 43
7
, tem-se:

V V
REF
5 . 0
) 2 1 (
5 . 1
=
+
= (6.10)

Substituindo os valores de
7
R ,
8
R ,
2 sh
R e
REF
V em (6.8) obtm-se a equao para o
calculo do fundo de escala para a corrente no banco de baterias.

| | 5 . 1 54 . 4
4
=
O bat
V I (6.11)

166
Para V V
O
3
4
= obtm-se a leitura mxima de corrente.

| | A I
bat
8 . 6 5 . 1 3 54 . 4 = = (6.12)
Para V V
O
0
4
= obtm-se a leitura mnima de corrente.

| | A I
bat
8 . 6 5 . 1 0 54 . 4 = = (6.13)

6.6 Algoritmo MPPT implementado em DSP

O algoritmo para o rastreamento do ponto de mxima potncia implementado no DSP foi
o Condutncia Incremental analisado no captulo 4. Na implementao desta tcnica alm
da faixa de tolerncia W, onde a condio 0 / / = + dV dI V I considerada verdadeira,
foram includas mais duas faixas de tolerncia, It e Vt, para as comparaes 0 = dI e
0 = dV respectivamente, devido a que na pratica aquelas condies so difceis de
acontecer por causa de rudos nas medies e erros de quantizao no processo de
digitalizao de aquelas variveis. A Figura 6.8 apresenta o fluxograma modificado utilizado
na implementao em DSP desta tcnica. A Tabela 6.1 apresenta o ajuste feito de seus
parmetros.

Tabela 6.1. Parmetros usados na implementao em DSP do algoritmo Condutncia
Incremental

Parmetro Ajuste
V 0.35 V
Ta 5 (ms)
W 0.005
t
I
0.001
t
V

0.001

167
Ler V(k), I(k)
dV V(k) - V(k-1)
V(k-1)=V(k)
Retorna
I(k-1)=I(k)
No
Sim
Sim
Sim
No
No
Vref = Vref + V Vref = Vref - V Vref = Vref - V
Vref = Vref + V
dI I(k) - I(k-1)
Sim
No
Sim
2
W
V
I
dV
dI
> +
No
2
W
V
I
dV
dI
> +
dV < V
t
dI > I
t
dI < - I
t

Figura 6.8. Fluxograma modificado do algoritmo Condutncia Incremental implementado em DSP.

Para observar o desempenho do algoritmo MPPT, o banco de baterias foi substitudo por
uma carga resistiva, visando evitar que as baterias limitem a potncia fornecida pelos
painis na condio de operao de baterias carregadas. O valor da resistncia de carga
teve que ser escolhido tendo algumas consideraes importantes explicadas a seguir.

Em um painel fotovoltaico ligado a uma carga resistiva, o ponto de trabalho obtm-se da
interseo da curva V-I do painel e a reta de carga conectada a ele. Assim o painel
fornecera a mxima potncia quando a reta de carga coincida com o ponto de mxima
potncia. A Figura 6.9 mostra essa situao.

168
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
0
2
4
6
8
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Tenso (V)
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
0
50
100
150
200
Tenso (V)
P
o
t
n
c
i
a

(
W
)
otima
R
MMP
max
V
max
I
OC
V
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
SC
I
MMP
0 10 20 30 40 50 60 70
0
2
4
6
8
Tenso (V)
0 10 20 30 40 50 60 70
0
50
100
150
200
250
Tenso (V)
46
4.97
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
P
o
t
n
c
i
a

(
W
)
MMP
MMP

Figura 6.9. Interseo da reta de carga com a curva I-V de um painel fotovoltaico.

Considerando o modelo do painel fotovoltaico desenvolvido no captulo 3, foi feita uma
simulao do arranjo fotovoltaico utilizado nos testes experimentais (3 painis conectados
em srie), considerando uma condio climtica de 1000 (W/m) de radiao incidente e 50
C de temperatura dos mdulos. A seguinte figura mostra os resultados obtidos da
simulao.

Figura 6.10. Simulao das curvas I-V e P-V do arranjo fotovoltaico usado nos ensaios, considerando
uma radiao incidente de 1000 (W/m) e 50 C de temperatura.
169
Da Figura 6.10 V V 46
max
= e A I 97 . 4
max
= , assim estimou-se a resistncia de carga que
faz os painis trabalhar sobre o MPP para essa condio climtica especfica.

= = = 25 . 9
97 . 4
46
max
max
A
V
I
V
R
otima
(6.14)

Por outro lado tem-se que a resistncia de entrada do conversor Buck (
i
R )
(Considerando condies ideais) em funo da resistncia de sada (
O
R ) e seu ciclo de
trabalho (D) vm dada pela seguinte equao:

2
D
R
R
O
i
= (6.15)

Da equao (6.15), desprende-se que o conversor Buck apresenta uma incapacidade
para refletir em sua entrada impedncias menores que a de carga, portanto a impedncia de
carga ligada sada do conversor Buck tm que ser menor que
otima
R para que o algoritmo
MPPT consiga ajustar o ciclo de trabalho necessrio para fazer
tima i
R R = para uma
determinada condio meteorolgica. Visando cumprir com a condio anteriormente
exposta foi montada uma resistncia de carga de 3.9 .

6.6.1 Ensaio do desempenho do algoritmo MPPT

Para verificar o desempenho do MPPT foi adotada a seguinte estratgia. Se a irradincia
permanecer aproximadamente constante durante um intervalo suficiente de tempo (alguns
poucos segundos), algo fcil de acontecer em dias de cu claro, pode-se variar em forma de
rampa a tenso do painel (variando o ciclo de trabalho), manter bloqueado o algoritmo
MPPT, e armazenar os dados relativos potncia fornecida, para com eles determinar qual
a mxima conseguida para essa condio climtica. Aps o trmino desta rampa libera-se
o algoritmo MPPT e permite-se que este varie o ciclo de trabalho livremente, procurando o
ponto de mxima potncia anteriormente encontrado. O procedimento adotado
interessante pois permite avaliar no apenas o erro em regime permanente e oscilaes em
torno do ponto de mxima potncia do algoritmo, como tambm comparar o tempo de
resposta (o tempo necessrio para o algoritmo estabilizar prximo a uma determinada
potncia)
170
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
0
50
100
150
200
250
Tempo (seg)
P
o
t
n
c
i
a

(
W
)
Hora: 11:45 Dia: 16 - 08 - 2009
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
0
20
40
60
80
100
Tempo (seg)
C
i
c
l
o

d
e

t
r
a
b
a
l
h
o

(
%
)
1.5 2 2.5 3 3.5
239
243
Zoom
MPP =242.65
De acordo ao mtodo descrito acima foram realizadas duas experincias para avaliar o
desempenho do MPPT, elas foram executadas em horrios distintos visando ter dois nveis
de radiao bem diferentes. As Figuras 6.11 e 6.12 apresentam os resultados experimentais
obtidos para a evoluo da potncia fornecida pelo arranjo fotovoltaico e o ciclo de trabalho.
Os resultados apresentados em ambas as figuras mostram que, ao contrario das simulaes
feitas no captulo 4, o mtodo da Condutncia incremental oscila sim em torno do ponto de
mxima potncia. Estas oscilaes na prtica so naturais, pois trata-se de um sistema real,
com rudos nas medies e oscilaes na corrente e na tenso. No caso de uma radiao
incidente alta (Figura 6.11) a potncia apresentou oscilaes menores que 3 W. A eficincia
da tcnica para essa condio climtica foi de 99.48%. Para o caso de uma radiao
incidente media (Figura 6.12) a potncia apresentou oscilaes menores que 2 W. A
eficincia do algoritmo para essa condio climtica foi de 99.51%. Em relao ao tempo de
resposta, fica evidente que o algoritmo demora mais em atingir um patamar maior de
potncia (radiao alta), devido a que nessa situao ele precisa fazer um nmero maior de
iteraes, posto que o tamanho do incremento o decremento do ciclo de trabalho
constante.

Figura 6.11. Curvas da potncia no arranjo fotovoltaico e ciclo de trabalho obtido experimentalmente
com a atuao do algoritmo MPPT condutncia incremental, para uma condio de radiao alta.

171
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
0
50
100
150
Tempo (seg)
P
o
t
n
c
i
a

(
W
)
Hora: 15:15 Dia: 16 - 08 - 2009
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
0
20
40
60
80
100
Tempo (seg)
C
i
c
l
o

d
e

t
r
a
b
a
l
h
o

(
%
)
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
124.5
127.5
Zoom
MPP =126.96

Figura 6.12. Curvas da potncia no arranjo fotovoltaico e ciclo de trabalho obtido experimentalmente
com a atuao do algoritmo MPPT condutncia incremental, para uma condio de radiao media.

6.6.2 Resultado dirio

O funcionamento da tcnica MPPT foi monitorado diariamente. Foram coletados os
dados da potncia fornecida pelo arranjo fotovoltaico a intervalos de 1 minuto. Comeando
desde as 06:00 at as 17:00 horas.

O resultado do dia 09 de Agosto mostrado na Figura 6.13, este dia especialmente
interessante porque o cu permaneceu claro durante o dia todo, a curva de potncia obtida
concordante em forma com a curva tpica de radiao total incidente para um dia de cu
claro mostrada na Figura E.1. O resultado do dia 13 de Agosto apresentado na Figura
6.14, em aquele dia o cu permaneceu claro na maior parte do dia, com a presena de
nuvens entre as 08:40 e 9:45 horas aproximadamente, percebe-se o efeito do
sombreamento dos mdulos na reduo da potncia fornecida. O resultado do dia 14 de
Agosto apresentado na Figura 6.15, percebe-se a presena de nuvens entre as 11:20 e
14:30 horas aproximadamente. A Figura 6.16 mostra o resultado do dia 17 de Agosto, dia
com grande presena de nuvens o dia todo.
172
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
0
50
100
150
200
250
Tempo (Horas)
P
o
t
n
c
i
a

(
W
)
07:00 08:00 09:00 10:00 12:00 11:00 13:00 14:00 15:00 16:00 17:00 06:00
Dia: 13-08-2009
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
0
50
100
150
200
250
Tempo (Horas)
P
o
t
n
c
i
a

(
W
)
Dia: 09-08-2009
07:00 08:00 09:00 10:00 12:00 11:00 13:00 14:00 15:00 16:00 17:00 06:00

Figura 6.13. Potncia diria fornecida pelo arranjo fotovoltaico funcionando com o MPPT, no dia 09
de Agosto de 2009.

de Agosto de 2009.

173
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
0
50
100
150
200
250
Tempo (Horas)
P
o
t
n
c
i
a

a
r
r
a
n
j
o

(
W
)
07:00 08:00 09:00 10:00 12:00 11:00 13:00 14:00 15:00 16:00 17:00 06:00
Dia: 14-08-2009
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
0
50
100
150
200
250
Tempo (Horas)
P
o
t
n
c
i
a

(
W
)
07:00 08:00 09:00 10:00 12:00 11:00 13:00 14:00 15:00 16:00 17:00 06:00
Dia: 17-08-2009

de Agosto de 2009.

de Agosto de 2009.

174
6.7 Ensaio de carregamento do banco de baterias

O ensaio para validar o funcionamento da estratgia de controle de carga de bateria foi
feito o dia 08 de Agosto de 2009, o dia apresentou condies de cu claro sem a presena
de nuvens durante o transcurso do ensaio. As baterias ao comear o teste tinham uma
tenso de circuito aberto de 11.7 V e 11.8 V, logo de permanecer em repouso por vrias
horas, ou seja, sem serem submetidas a carga nem descarga, o que equivale a
aproximadamente um estado de carga de 15 % e 20% respectivamente (ver Figura 2.15).
Foram coletados os dados para a potncia no arranjo, a corrente de recarga e a tenso no
banco de baterias a intervalos de 30 segundos entre as 10 e 17 horas.

A Figura 6.18 apresenta as curvas obtidas no ensaio. Nela pode-se observar que na
condio de baterias descarregadas atua o algoritmo MPPT tentando levar aos painis ao
seu ponto de mxima potncia, nessa situao a corrente de carga permanece constante
em aproximadamente 6.35 A, e a tenso comea aumentar, encontrando-se a bateria na
regio de carga profunda. Percebe-se tambm que a potncia fornecida pelo painel continua
aumentando na medida em que transcorre a manh. Quando a tenso atinge o valor
V V
bat
8 . 28
max
=
, a estratgia de controle muda para carregamento a tenso constante,

nessa condio a corrente de carga comea a diminuir, encontrando-se a bateria na regio
de carga a tenso constante. A potncia nos mdulos fotovoltaicos diminui na medida em
que a potncia requerida pelo banco de baterias para o carregamento se reduz. Quando a
corrente cair para mA I
bat
450
min
=
(2.5% da capacidade nominal definido para este

trabalho) a bateria ingressa regio de flutuao e a referncia de tenso modificada para
V V
float bat
27 =
, tenso responsvel apenas para evitar a autodescarga.

Figura 6.17. Ensaio de carregamento do banco de baterias.
175
0 1 2 3 4 5 6 7
0
50
100
150
200
250
P
o
t
n
c
i
a

a
r
r
a
n
j
o

(
W
)
0 1 2 3 4 5 6 7
0
2
4
6
8
C
o
r
r
e
n
t
e

d
e

c
a
r
g
a

(
A
)
0 1 2 3 4 5 6 7
10
15
20
25
30
T
e
n
s
o

n
o

b
a
n
c
o

(
V
)
Tempo (Horas)
10:00 11:00 12:00 13:00 14:00 15:00 16:00 17:00
10:00 11:00 12:00 13:00 14:00 15:00 16:00 17:00
10:00 11:00 12:00 13:00 14:00 15:00 16:00 17:00
28.8
27 V
MPPT
(Sobrecarga)
(Flutuao)
Controle de tenso
Dia: 08-08-2009
(Carga profunda)

Figura 6.18. Curvas obtidas no ensaio para o carregamento do banco de baterias.

176
6.8 Concluses

Este captulo apresentou os principais resultados experimentais obtidos para o sistema
fotovoltaico implementado.

A montagem do prottipo em laboratrio para o carregador de baterias possibilitou a
observao e a comprovao do funcionamento do conversor Buck como controlador de
carga, e a sua viabilidade tcnica para a implementao.

O algoritmo MPPT condutncia incremental foi implementado e testado para diferentes
condies de radiao incidente. Os resultados experimentais permitem concluir que a
tcnica apresentou um desempenho satisfatrio, pois conseguiu levar ao arranjo fotovoltaico
muito prximo do seu ponto de mxima potncia, possibilitando um melhor aproveitamento
da energia solar disponvel. Porm foi comprovado que pequenas oscilaes em torno do
MPP esto presentes, atribudos a rudo nas medies de corrente e tenso no arranjo
fotovoltaico, cujo efeito negativo no desempenho do algoritmo no foi o suficientemente
suprimido pelos ajustes das bandas de tolerncias utilizadas nos testes. Contudo o
algoritmo apresentou uma eficincia maior a 99% nas provas realizadas, em concordncia
com as simulaes feitas no Captulo 4.

luz dos resultados experimentais obtidos foi possvel validar a estratgia global de
controle digital diferenciado de carga de baterias para sistemas fotovoltaicos autnomos
proposta neste trabalho, pois ela garantiu o carregamento rpido completo e seguro do
banco de baterias, desde que as condies climticas assim o permitiram, respeitando ainda
seus limites de operao de tenso e corrente.

177
Captulo 7
Concluses gerais e propostas de continuidade

Nesta dissertao de mestrado foi apresentado o projeto e implementao de um
carregador de baterias para aplicao em sistemas fotovoltaicos autnomos de reduzida
potncia, cujo gerenciamento de controle de carga feito digitalmente por um DSP.

Tendo em vista o alto custo da energia fotovoltaica e as limitaes inerentes ao processo
fotovoltaico de converso da energia, optou-se por trabalhar no aumento da eficincia do
sistema. Para isso foi dado foco em um aspecto fundamental, como o procurar maximizar
a produo de energia eltrica nos painis fotovoltaicos, atravs de uma tcnica de
rastreamento do ponto de mxima potncia. Dos trs algoritmos MPPT estudados (CV,
IncCond e P&O) foi escolhido o de Condutncia Incremental para sua implementao
prtica, pois foi o que melhor eficincia apresentou nas simulaes realizadas. O
desempenho mostrado nos testes experimentais validam a tcnica, chegando a uma
eficincia acima de 99%.

Um outro aspecto relevante abordado neste trabalho teve relao com a maximizao
do processo de carga de uma bateria de chumbo cido, para esse objetivo foi necessrio
fazer um estudo da sua dinmica visando entender seu funcionamento e o mtodo mais
adequado para recarreg-la. Assim foi proposto um controle de carga diferenciado, visando
por uma parte fazer o carregamento o mais rpido possvel tentando maximizar o
aproveitamento da disponibilidade de energia solar (atuao do MPPT), e por outra parte
respeitar os limites de operao de tenso e corrente das baterias (atuao do controle de
tenso), contribuindo assim a evitar uma diminuio da vida til do banco por um
inadequado processo de carga-descarga. Os testes experimentais demonstraram que a
estratgia funciona e cumpre com os requerimentos anteriormente mencionados.

Em relao ao estagio de controle de tenso foi proposta uma configurao de duas
malhas em cascata, uma interna para a limitao da corrente de carga e outra externa para
a regulao de tenso do banco de baterias, utilizando a tcnica do fator k, uma
metodologia amplamente utilizada para projetar controladores analgicos para conversores
estticos. Para o auxilio do projeto dos compensadores foi obtido um modelo linear de
Captulo 7-Concluses gerais
178
pequenos sinais do conversor Buck, usando a tcnica das variveis mdias no espao de
estado.

Para a obteno dos compensadores digitais foram aplicados mtodos de discretizao
s funes de transferncia dos compensadores. Contatou-se que o projeto de controle
usando inicialmente a anlise no plano s e posteriormente levando as equaes obtidas
para o plano z, para finalmente obter as equaes de diferena, vantajosa no sentido de
se utilizar os conhecimentos previamente adquiridos. Isto faz com que os projetos realizados
utilizando tcnicas analgicas possam ser facilmente transladadas para o controle digital
sem muito esforo adicional. No entanto, na anlise dos diagramas de Bode dos
compensadores analgicos e seus equivalentes digitalizados, foi demonstrado que esta
analogia vlida somente para uma determinada faixa de freqncia, que depende da
freqncia de amostragem e da banda passante definida para o sistema. Os resultados
experimentais para o estagio de controle de tenso do banco de baterias foram satisfatrios
e validam a metodologia utilizada.

Este trabalho apresentou tambm uma metodologia para o dimensionamento de todos
os componentes de um sistema fotovoltaico isolado de potncia reduzida, a qual poder ser
adotada para projetar outros sistemas de maior potncia. Neste ponto teve vital importncia
a simulao do arranjo fotovoltaico, pois permitiu estimar as condies de operao na que
estaria submetido o conversor para diferentes condies climticas, permitindo o adequado
projeto dele. Embora o modelo obtido para o painel fotovoltaico resultou-se adequar muito
bem s curvas caractersticas I-V, P-V fornecidas pelo fabricante, as medies realizadas da
tenso de circuito aberto, no mostraram uma boa correlao com as apresentadas pelo
fabricante, sendo estas ltimas maiores s medidas, o que produziria baixo certas condies
de operao que a tenso de mxima potncia (relacionada diretamente com a tenso de
circuito aberto) seja menor tenso no banco de baterias, o que comprometeria a eficincia
da tcnica MPPT, obrigando ao arranjo fotovoltaico a operar tenso do banco e
conseqentemente saindo-se do ponto de mxima potncia. Desta forma foi modificado o
projeto inicial do arranjo, ficando este finalmente composto por trs mdulos conectados em
srie. Os resultados experimentais mostraram que este inconveniente foi solucionado
satisfatoriamente, desde que a tenso de mxima potncia sempre foi maior tenso no
banco, permitindo a atuao do MPPT quando foi requerido.

Para comprovar experimentalmente o funcionamento do carregador de baterias
proposto, foi implementado no laboratrio de eletrnica de potncia um prottipo, talvez esta
seja a maior contribuio deste trabalho. Com a bancada experimental desenvolvida, h
Captulo 7-Concluses gerais
179
agora uma infinidade de possibilidades de aproveitamentos e estudos possveis. A
continuao so sugeridos alguns.

Implementar outras tcnicas MPPT presentes na literatura, incluindo medies de
radiao incidente e temperatura nos painis para aquelas que dependem delas e
confrontar seus desempenhos.

O ajuste dos parmetros do algoritmo condutncia incremental foi ajustado
experimentalmente neste trabalho. Assim um estudo de uma metodologia para a
determinao desses parmetros considera-se interessante.

Uma questo que o autor lamenta no ter feito, um estudo do rendimento do
sistema fotovoltaico implementado, e a comparao com as outras topologias de
conexo painis baterias, simuladas no captulo 3.

Estudo do ganho de potncia produzida pelos painis, atuando com o algoritmo
MPPT comparado com um simples controlador de tenso.

180
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186
Apndice

A) Procedimento de ajuste do painel fotovoltaico

A expresso para a corrente fornecida pela clula (A.1), no se pode resolver
algebricamente, devido a que a corrente I no pode ser isolada. Alm disso, devem ser
consideradas a radiao e a temperatura como parmetros de entrada.

( )
P
S T k n
R I V q
r ph
R
R I V
e I I I
S
+
=

+
1
(A.1)
Onde:

V : Tenso nos terminais de sada da clula.
I : Corrente fornecida por uma clula.
ph
I : Fotocorrente.
r
I : Corrente de saturao reversa da clula.
P
R : Resistncia paralelo intrnseca da clula.
S
R : Resistncia srie intrnseca da clula.
n : Fator de idealidade da juno.
T : Temperatura ambiente (K).
q : Carga do eltron C x
19
10 6 . 1

.
k : Constante de Boltzmann K J x / 10 38 . 1
23

Os valores de
ph
I e
r
I so calculados por (A.2) e (A.3) respectivamente extradas de
[14].
(
(
|
|
.
|
\
|

|
|
.
|
\
|
=
T T k n
E q
r
rr r
r
G
e
T
T
I I
1 1 3
(A.2)

( ) | |
1000
sun
r SC ph
P
T T I I + = (A.3)
Apndice
187
Onde:

SC
I : Corrente de curto-circuito da clula.
: Coefciente de temperatura da corrente de curto-circuito da clula.
r
T : Temperatura de referncia.
sun
P : Radiao incidente.
rr
I : Corrente de saturao reversa na temperatura de referncia.
G
E : Energia do band-gap do silcio 1.1 (eV)

A nica incgnita que fica por ser calculada
rr
I , as demais so estimadas ou obtidas
do catlogo do fabricante. Sabe-se que quando 0 = I , a tenso de circuito aberto por clula
igual tenso fornecida pelo painel ( V Voc = ). Adotando este ponto da curva I-V e
fazendo a temperatura ambiente igual temperatura de referncia (
r
T T = ), obtem-se a
relao (A.4) para
rr
I .

1
r
OC
T k n
V q
P
OC
SC
rr
e
R
V
I
I (A.4)

Para a soluo da equao (A.1) escolhe-se o mtodo de Newton-Raphson. A equao
(A.5) mostra o mtodo em notao matemtica.

) ( '
) (
1
n
n
n n
x f
x f
x x =
+
(A.5)

Onde:

n : n-sima iterao do algoritmo
) (
n
x f : funo f evaluada em
n
x
) ( '
n
x f : derivada da funo f evaluada em
n
x
Apndice
188
preciso modificar a equao (A.1) para a implementao do algoritmo. A expresso
(A.6) mostra essa modificao.

( )
P
S
T k n
R I V q
r ph
R
R I V
e I I I I f
S
+
+ =

+
1 ) (
(A.6)

A derivada de (1.6) mostrada em (1.7)

( )
P
S S
T k n
R I V q
r
R
R
T k n
R q
e I I f
S
=

+
1 ) ( '
(A.7)

A varivel I , inicia-se com valor 0 e utilizada num processo iterativo que aproxima a
equao (A.1) de sua raiz. Os parmetros ainda no definidos so fixados de acordo as
recomendaes tiradas de [16]

2 . 1 = n
< m R
S
10
< 20
P
R

Para ajustar as resistncias intrnsecas do mdulo faz-se uma rutina em Matlab, a
partir do programa determina-se que as resistncias parasitas so = 46 . 0
P
R e
= m R
S
7 . O procedimento para chegar a esses valores descrito a seguir:

1) Fixa-se o valor de
P
R em 20.
2) Comeando com
S
R em 1 m, vai-se aumentando o valor da resistncia srie, at
que a curva I-V fornecida pelo fabricante fique com a mesma pendiente aps o MPP.
3) Reduz-se o valor de
P
R at que a potncia seja igual ao do MPP.
4) Conferir que na curva P-V o valor de tenso no MPP coincida com o valor do
catlogo, de ocorrer isso, conclui-se o processo.
5) Se a tenso no for a desejada, deslocar o MPP para a esquerda aumentando
P
R
e
S
R ou deslocar para a direita diminuindo
P
R e
S
R .

Apndice
189
0 5 10 15 20 25
1
2
3
4
5
6
7
Tensao (V)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

I-V (15C)
I-V (25C)
I-V (35C)
I-V (45C)
I-V (55C)
I-V (65C)
A Figura A.1 mostra as famlias de curvas I-V para o painel isofoton I-80 NP fornecidas
pelo fabricante [53] para uma radiao incidente de 1000 W/m e distintas temperaturas. A
Figura A.2 mostra as mesmas curvas para as mesmas condies climticas obtidas a partir
do modelo gerado. Pode-se verificar a adequao do modelo s curvas do fabricante.

Figura A.1. Famlia de curvas I-V para o painel Isofoton I-80 tiradas do seu datasheet.

Figura A.2. Famlia de curvas I-V geradas pelo modelo.
Apndice
190
C
D
L
1
T
L
R
SE
R
P
I R
PV
V
0
v
+
-
L
i
C
i
O
i
SE
R
C
P
i
O
i
0
v
R
L
R
L
L
i
PV
V
C
i
+ - + -
-
-
+
+
+
-
B) Modelagem do conversor Buck

B.1) Modelo mdio do conversor

A Figura B.1 mostra o circuito eltrico do conversor Buck utilizado na obteno do seu
modelo linear. Nele foram considerados a chave e o diodo como dispositivos ideais.
Tambm foram includos os efeitos das perdas hmicas no indutor (
L
R ), e a resistncia
srie equivalente do capacitor (
SE
R ). A tenso fornecida pelo arranjo fotovoltaico para o
conversor representada pela fonte de tenso (
PV
V ). O banco de baterias simulado como
uma carga resistiva ( R ). Tambm foi modelada a perturbao na corrente de carga (
P
i ).

Figura B.1. Circuito do conversor Buck usado na modelagem.

Figura B.2. Circuito para o conversor Buck quando a chave esta conduzindo.
Apndice
191
SE
R
C
P
i
O
v
R
L
R
L
L
i
C
i
+ - + -
-
-
+
+
+
-
PV
V
O
i

Figura B.3. Circuito para o conversor Buck quando a chave esta bloqueada.

Atendendo ao esquema eltrico, representado na Figura B.1, as variveis de estado,
sadas e entradas so escolhidas conforme a Tabela B.1.

Tabela B.1. Definio das variveis para o modelo de estado

Variveis de estado Entradas Sadas
L
i x =
1

PV
V
O
v y =
1
C
v x =
2

d
L
i y =
2

P
i

Considera-se a chave conduzindo (Figura B.2). Aplicando a lei de Kirchhoff das
correntes tem-se:

P O
i i x C x + =
2 1
& (B.1)

Onde:

R
v
i
O
O
= (B.2)

Substituindo (B.2) em (B.1) tem-se:
Apndice
192

P
i
R
v
x C x + =
0
2 1
& (B.3)

Onde:

SE
R x C x v
2 2 0
& + = (B.4)


P
SE
i
R
R x C x
x C x
+
+ =
2 2
2 1
&
& (B.5)

Isolando
2
x& de (B.5) tem-se:

( ) ( ) ( )
P
SE SE SE
i
R R C
R
x
R R C
x
R R C
R
x
+
+
+

+
=
2 1 2
1
& (B.6)

Aplicando a lei de Kirchhoff de tenso tem-se:

SE L PV
R x C x x L R x V
2 2 1 1
& & + + + = (B.7)


( ) ( ) ( )
|
|
.
|
\
|
+
+
+

+
+ + + =
P
SE SE SE
SE L PV
i
R R C
R
x
R R C
x
R R C
R
CR x x L R x V
2 1 2 1 1
1
& (B.8)

Isolando
1
x& de (B.8) tem-se:

P
SE
SE
SE SE
SE SE L PV
i
R R L
R R
x
R R
R
L
x
R R
R R R R R
L L
V
x
+
|
|
.
|
\
|
+
+
|
|
.
|
\
|
+
+ +
=
) (
1 . ) ( 1
2 1 1
& (B.9)

As sadas para este subintervalo so:

Apndice
193
2 2 0 1
x R x C v y
SE
+ = = & (B.10)

1 2
x i y
L
= = (B.11)


2 2 1 1
) ( ) (
1
) (
x i
R R C
R
x
R R C
x
R R C
R
CR y
P
SE SE SE
SE
+
(
+
+
+

+
= (B.12)

Ordenando (B.12) tem-se:

P
SE
SE
SE SE
SE
i
R R
R R
x
R R
R
x
R R
R R
y
+
+
+
+
+
=
2 1 1
(B.13)

Reescrevendo (B.6) e (B.9) na forma matricial u B x A x
1 1
+ = & e (B.11) e (B.13) na forma
matricial u E x C y
1 1
+ = tem-se:

(
(
(
(
(
(
+
+
+
(
(
(
(
(
(
+
+
+
+ +
=
(
P
PV
SE
SE
SE
SE SE
SE SE
SE SE L
i
V
R R C
R
R R L
R R
L
x
x
R R C R R C
R
R R L
R
R R L
R R R R R
x
x
) (
0
) (
1
) (
1
) (
) ( ) (
) (
2
1
2
1
&
&
(B.14)

1
A
1
B

(
(
(
(
+
+
(
(
(
(
+ +
=
(
P
PV
SE
SE
SE SE
SE
i
V
R R
R R
x
x
R R
R
R R
R R
y
y
0 0
0
0 1
2
1
2
1
(B.15)

1
C
1
E

O segundo estado corresponde chave desligada (Figura B.3). Aplicando a lei de
Kirchhoff da corrente tem-se:

P O
i i x C x + =
2 1
& (B.16)
Apndice
194
Onde:

R
v
i
O
O
= (B.17)


P
i
R
v
x C x + =
0
2 1
& (B.18)

Onde:

SE
R x C x v
2 2 0
& + = (B.19)


P
SE
i
R
R x C x
x C x
+
+ =
2 2
2 1
&
& (B.20)

Isolando
2
x& de (B.20) tem-se:

( ) ( ) ( )
P
SE SE SE
i
R R C
R
x
R R C
x
R R C
R
x
+
+
+

+
=
2 1 2
1
& (B.21)

Aplicando a lei de Kirchhoff de tenso tem-se:

SE L
R x C x x L R x
2 2 1 1
0 & & + + + = (B.22)


( ) ( ) ( )
|
|
.
|
\
|
+
+
+

+
+ + + =
P
SE SE SE
SE L
i
R R C
R
x
R R C
x
R R C
R
CR x x L R x
2 1 2 1 1
1
0 & (B.23)

Isolando
1
x& de (B.23) tem-se:

Apndice
195
P
SE
SE
SE SE
SE SE L
i
R R L
R R
x
R R
R
L
x
R R
R R R R R
L
x
+
|
|
.
|
\
|
+
+
|
|
.
|
\
|
+
+ +
=
) (
1 . ) ( 1
2 1 1
& (B.24)

As sadas para este subintervalo so:

2 2 0 1
x R x C v y
SE
+ = = & (B.25)

1 2
x i y
L
= = (B.26)


2 2 1 1
) ( ) (
1
) (
x i
R R C
R
x
R R C
x
R R C
R
CR y
P
SE SE SE
SE
+
(
+
+
+

+
= (B.27)

Ordenando (B.27) tem-se:

P
SE
SE
SE SE
SE
i
R R
R R
x
R R
R
x
R R
R R
y
+
+
+
+
+
=
2 1 1
(B.28)

Reescrevendo (B.21) e (B.24) na forma matricial u B x A x
2 2
+ = & e (B.26) e (B.28) na
forma matricial u E x C y
2 2
+ = tem-se:

(
(
(
(
(
(
+
+
+
(
(
(
(
(
(
+
+
+
+ +
=
(
P
PV
SE
SE
SE
SE SE
SE SE
SE SE L
i
V
R R C
R
R R L
R R
x
x
R R C R R C
R
R R L
R
R R L
R R R R R
x
x
) (
0
) (
0
) (
1
) (
) ( ) (
) (
2
1
2
1
&
&
(B.29)

2
A
2
B

(
(
(
(
+
+
(
(
(
(
+ +
=
(
P
PV
SE
SE
SE SE
SE
i
V
R R
R R
x
x
R R
R
R R
R R
y
y
0 0
0
0 1
2
1
2
1
(B.30)

2
C
2
E

Apndice
196
As matrizes mdias se determinam da seguinte forma [49]:

2 1
) 1 ( A D DA A + = (B.31)
2 1
) 1 ( B D DB B + = (B.32)
2 1
) 1 ( C D DC C + = (B.33)
2 1
) 1 ( E D DE E + = (B.34)

Substituindo
1
A ,
2
A ,
1
B ,
2
B ,
1
C ,
2
C ,
1
E ,
2
E em (B.31), (B.32), (B.33) e (B.34) obtm-
se o modelo mdio do conversor Buck.

(
(
(
(
(
(
+
+
+
(
(
(
(
(
(
+
+
+
+ +
=
(
P
PV
SE
SE
SE
SE SE
SE SE
SE SE L
i
V
R R C
R
R R L
R R
L
D
x
x
R R C R R C
R
R R L
R
R R L
R R R R R
x
x
) (
0
) (
) (
1
) (
) ( ) (
) (
2
1
2
1
&
&
(B.35)

A B

(
(
(
(
+
+
(
(
(
(
+ +
=
(
P
PV
SE
SE
SE SE
SE
i
V
R R
R R
x
x
R R
R
R R
R R
y
y
0 0
0
0 1
2
1
2
1
(B.36)

C D

O vetor de estados no ponto quiescente pode-ser determinado da seguinte forma [49]:

BU A X
1
= (B.37)

Substituindo as matrizes A e B em (B.37) tem-se que o vetor no ponto quiescente :

(
(
(
(
(
+
+
+
=
(
=
(
=
R R
R R i DV
R R
R i DV
V
I
X
X
X
L
L P PV
L
P PV
C
L
) (
2
1
(B.38)
Apndice
197
B.2) Modelo linearizado do conversor Buck

As equaes de estado do modelo para pequeno sinal podem ser determinadas da
seguinte maneira [49].

( ) ( ) | |d U B B X A A u B x A x

2 1 2 1
+ + + = & (B.39)

( ) ( ) | |d U E E X C C u E x C y

2 1 2 1
+ + + = (B.40)

Ao substituir as matrizes A,
1
A ,
2
A , B ,
1
B ,
2
B , C ,
1
C ,
2
C , E ,
1
E ,
2
E em (B.39) tem-
se:

P
SE
SE PV
PV
SE SE
SE SE L
i
R R L
R R
d
L
V
V
L
D
x
R R L
R
x
R R L
R R R R R
x

) (

) (
) (
) (
2 1 1

+
+ +
+

+
+ +
= & (B.41)

P
SE SE SE
i
R R C
R
x
R R C
x
R R C
R
x

) (
) (
1
) (
2 1 2

+
+
+

+
= & (B.42)

As equaes (B.41) e (B.42) podem ser reescritas na forma matricial mostrada a seguir:

) (
) (
) (
t u B t x A t x + = & (B.43)

Onde A
, B
podem ser definidas como as matrizes mdias para o modelo de pequeno

sinal.

Aplicando a transformada de Laplace equao (B.43) tem-se:

) (
) (
) ( s u B s x A s x s + = (B.44)

Assim:

( ) B A I s
s u
s x
s G

) (
) (
) (
1
= =

(B.45)

A matriz ) (
s G pode ser definida como a matriz de transferncia de pequeno sinal.

Apndice
198

(
(
(
=
(
= =
) (
) (
) (

) (
) (
) ( ) (
) (
23 22 21
13 12 11
s i
s d
s V
G G G
G G G
s v
s i
s u s G s x
P
PV
C
L
(B.46)

Onde:

0 ) (
0 ) (
11
) (
) (
) (
) (
=
=
= =
s i
s d
PV
L
iPV
P
s V
s i
s G s G (B.47)

0 ) (
0 ) (
12
) (
) (
) (
) (
=
=
= =
s i
s V
L
id
P
PV
s d
s i
s G s G (B.48)

0 ) (
0 ) (
13
) (
) (
) (
) (
=
=
= =
s d
s V
P
L
iP
PV
s i
s i
s G s G (B.49)

0 ) (
0 ) (
21
) (
) (
) (
) (
=
=
= =
s i
s d
PV
C
vPV
P
s V
s v
s G s G (B.50)

0 ) (
0 ) (
22
) (
) (
) (
) (
=
=
= =
s i
s V
C
vd
P
PV
s d
s v
s G s G (B.51)

0 ) (
0 ) (
23
) (
) (
) (
) (
=
=
= =
s d
s V
P
C
vP
PV
s i
s v
s G s G (B.52)

Reescrevendo as equaes (B.41) e (B.42) na forma matricial ) (
) (
) (
t u B t x A t x + = & tem-
se:

Apndice
199
(
(
(
(
(
(
(
(
+
+
+
(
(
(
(
(
(
+
+
+
+ +
=
(
P
PV
SE
SE
SE PV
SE SE
SE SE
SE SE L
i
d
V
R R C
R
R R L
R R
L
V
L
D
x
x
R R C R R C
R
R R L
R
R R L
R R R R R
x
x
) (
0 0
) (
) (
1
) (
) ( ) (
) (
2
1
2
1
&
&
(B.53)

A

Com o auxilio de uma rotina feita em Matlab utilizando variveis simblicas foi
desenvolvida a expresso (B.45) os resultados so mostrados a continuao:

D C DR CRD s
s G
L SE SE L L SE
SE
iPV
+ + + + + + +
+ +
=
) ( ) (
) (
) (
2
(B.54)

V V C R CR s
s G
L SE SE L L SE
PV PV SE
id
+ + + + + + +
+ +
=
) ( ) (
) (
) (
2
(B.55)

R CR sR
s G
L SE SE L L SE
SE
iP
+ + + + + + +

=
) ( ) (
) (
2
(B.56)

RD
s G
L SE SE L L SE
vPV
+ + + + + + +
=
) ( ) (
) (
2
(B.57)

R V
s G
L SE SE L L SE
PV
vd
+ + + + + + +
=
) ( ) (
) (
2
(B.58)

L R R
s G
L SE SE L L SE
L
vP
+ + + + + + +
+
=
) ( ) (
) (
) (
2
(B.59)

Para a determinao da funo de transferncia que relaciona a corrente no indutor com
a tenso de sada, foi considerada a entrada
P
i nulo, assim de (B.36) a tenso na sada
pode ser escrita como:

C
SE
L
SE
SE
O
v
R R
R
i
R R
R R
v
+
+
+
= (B.60)
Apndice
200
Em termos de
C
v a tenso na sada :

SE
R x C x v
2 2 0
& + = (B.61)

Aplicando a transformada de Laplace a (B.61) tem-se:

SE C C
R s Csv s v s v ) ( ) ( ) (
0
+ = (B.62)

Isolando
C
v de (B.62) tem-se:

1
) (
) (
+
=
s CR
s v
s v
SE
O
C
(B.63)

Substituindo (B.63) em (B.60) se obtm a funo de transferncia ) ( ) ( s i s v
L O
.

1 ) (
) 1 (
) (
) (
) (
0
+ +
+
= =
SE
SE
L
oi
R R Cs
sCR R
s i
s v
s G (B.64)

Apndice
201
) (t d
M
V
0
) (t v
c
0
s
dT
s
T
s
T 2
t
t
) (t v
c
) (t v
saw
+
) (t d
(a) (b)
-
C) Modulao por largura de pulso

O circuito PWM quem converte o sinal de referncia no sinal de comando (razo
cclica ) (t d ), este sinal de comando obtido, de modo analgico, pela comparao de um
sinal de controle ) (t v
c
(modulante) com uma onda peridica (portadora), como pode ser por
exemplo uma onda dente de serra ) (t v
saw
. Na Figura C.1 pode se observar que o ciclo de
trabalho uma funo linear do sinal de controle, ou seja:

M
c
V
t v
t d
) (
) ( = (C.1)

Onde
M
V corresponde amplitude da onda portadora. Aplicando a transformada de
Laplace a (C.1) obtm-se a funo de transferncia do circuito PWM.

M c
V s v
s d 1
) (
) (
= (C.2)

Figura C.1 (a) Esquema para um modulador PWM. (b) Formas de onda do circuito PWM.

Apndice
202
D) Rotina para simulao do painel implementada em Matlab

function Ipa=Pv(Vpa,S,T)

%ajuste da caracterstica I-V

Rs=0.007;
Rp=0.46;
Ms=2; %Nmero de mdulos em srie
Mp=1; %Nmero de mdulos em paralelo

%dados da ficha tcnica do painel

Ns=36; %clulas em srie no mdulo
Voc=21.6; %tenso de circuito aberto
Voc=Voc/Ns;
Isc=6.3; %Corrente de curto circuito por clula
a=1.18e-3; %Coeficiente de temperatura de Isc (A/C)

%constantes

n=1.2; %fator de idealidade
k=1.38e-23; %constante de boltzmann
q=1.6e-19; %carga do eltron
EG=1.1; %Energia da banda proibida
Tr=273+25; %Temperatura de referncia, 298K

%clculos

T=273+T;
Vt=n*k*T/q;
V=Vpa/Ns/Ms;
Iph=(Isc+a*(T-Tr))*S/1000;
Irr=(Isc-Voc/Rp)/(exp(q*Voc/n/k/Tr)-1);
Ir=Irr*(T/Tr)^3*exp(q*EG/n/k*(1/Tr-1/T));

I=0;
for j=1:5;
I=I-(Iph-I-Ir*(exp((V+I*Rs)/Vt)-1)-(V+I*Rs)...
/Rp)/(-1-Ir*exp((V+I*Rs)/Vt)*Rs/Vt-Rs/Rp);
end

Ipa=I*Mp; %Sada de corrente

Apndice
203
R
a
d
i
a
o

(
W
/
m
)
200
400
600
800
06:00
18:00
Hora solar
E) Radiao solar horria mdia mensal

Os piranometros so os instrumentos que fazem a medio de radiao solar incidente
na superfcie da terra. Em geral muito difcil fazer uma predio da atenuao atmosfrica,
precisada para estimar a radiao solar futura, devido a que a adequada informao
meteorolgica raramente disponvel. Em lugar de intentar predizer o desempenho futuro
de um processo solar, usa-se os dados passados dos nvel de radiao para a localidade
em questo, ou de uma localidade de clima parecido que fique perto dela.

Os dados de radiao solar so utilizados de varias formas e para distintos propsitos. A
informao disponvel mais detalhada a radiao direta e difusa em uma superfcie
horizontal, por hora, a qual muito importante para a simulao de processos solares.
Existe poucos dados de radiao numa superfcie inclinada, o em faixas de tempo mais
curtos. Os dados dirios esto geralmente disponvel, e so utilizados para estimar a
radiao horria. A radiao solar mdia mensal numa superfcie horizontal podem ser
usados por alguns mtodos na projeo de processos solares. Porm como os processos
geralmente so no lineares em relao radiao solar, podem ocorrer grandes erros, se
essas no linearidades, no so consideradas. Em tais casos utiliza-se mtodos estatsticos
para trabalhar os dados. A Figura E.1 mostra a curva tpica de radiao solar total incidente
sobre uma superfcie horizontal para um dia de cu claro, tirada de [54].

Figura E.1. Curva tpica de radiao solar total sobre uma superfcie horizontal para um dia de cu
claro [54].

Apndice
204
Para estimar a radiao mdia horria incidente e seus componentes direta e difusa
existem vrios mtodos na literatura, neste trabalho foi utilizado o mtodo proposto por
Collares Pereira [54]. A continuao mostra-se um exemplo de clculo da radiao solar
total mdia mensal em funo da hora solar, no plano horizontal, entre as 10 e 11 horas
para o ms de Janeiro em Belo Horizonte. Segundo Collares Pereira a radiao solar
horria mdia mensal total (difusa mais direta) no plano horizontal pode ser estimada pela
seguinte equao.

H
sen
b a
I
S
S
S
S
t

(
(
(
(
|
.
|
\
|
+
=
) cos(
360
2
) (
) cos( ) cos(
24
)) cos( (

(E.1)

Onde:

H : radiao diria media mensal (MJ/mH).
: hora angular. (15 por hora)
S
: hora angular do pr do sol do ms a calcular.

As constantes a e b so dadas por:

) 60 ( 5016 . 0 409 . 0 + =
S
sen a (E.2)
) 60 ( 4767 . 0 6609 . 0 =
S
sen b (E.3)

Para este exemplo:

75 . 99 =
S
(pr do sol para dia meio em Janeiro ou 18.39 P.M) (tabela E.2)
96 . 18 = H (tabela E.2)

Para o ngulo que representa a faixa de 10 a 11 horas se utiliza o correspondente ao
valor mdio dessa hora, ou seja, para 10:30 corresponde 5 . 22 = , (valores negativos
correspondem a horrios antes do meio dia). Substituindo
S
em (E.1) e (E.2) tem-se:

7297 . 0 ) 60 75 . 99 ( 5016 . 0 409 . 0 = + = sen a (E.4)
3560 . 0 ) 60 75 . 99 ( 4767 . 0 6609 . 0 = = sen b (E.5)
Apndice
205
Substituindo a , b ,
S
, e H em (E.1) determina-se a radiao solar horria mdia
mensal.

96 . 18
) 75 . 99 cos(
360
75 . 99 2
) 75 . 99 (
) 75 . 99 cos( ) 5 . 22 cos(
24
)] 5 . 22 cos( 3560 . 0 7297 . 0 [
(
(
(
(
|
.
|
\
|
+
=
sen
I
t
(E.6)

) ( 2574 . 2 96 . 18 1190 . 0
2
H m MJ I
t
= = (E.7)

) / ( 627 ) ( 3600 / ) ( 10 2574 . 2
2 2 6
m W seg m J I
t
= = (E.8)

Na Tabela E.1 so apresentados os valores de radiao solar horria mdia mensal
calculados para o ms de Agosto para Belo Horizonte, usando a mesma metodologia do
exemplo anteriormente apresentado. A Figura E.2 apresenta os mesmos dados
graficamente.

Tabela E.1. Distribuio da radiao solar horria mdia mensal no plano horizontal para
Belo Horizonte no ms de Agosto.

Horrio It (W/m)
6-7 23.33
7-8 152.52
8-9 300.58
9-10 444.02
10-11 558.47
11-12 623.33
12-13 626.52
13-14 567.47
14-15 457.16
15-16 315.55
16-17 166.86
17-18 34.027

Apndice
206
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
0
100
200
300
400
500
600
700
Tempo (Horas)
R
a
d
i
a
o

(
W
/
m
)
06:30 07:30 08:30 09:30 11:30 10:30 12:30 13:30 14:30 15:30 16:30 17:30

Figura E.2. Distribuio da radiao solar horria mdia mensal no plano horizontal para Belo
Horizonte no ms de Agosto.

Tabela E.2. Condies meteorolgicas para a cidade de Belo Horizonte, dados em base
mdia mensal.

Ms
S
(Pr do sol) () H (MJ/mH)
Jan 99.75 18.96
Feb 96.00 17.77
Mar 91.75 18.62
Abr 87.75 16.49
Mai 84.50 14.53
Jun 83.00 14.52
Jul 83.50 15.99
Ago 86.25 15.50
Set 90.50 16.32
Out 95.75 19.32
Nov 98.50 18.43
Dec 100.50 17.15

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Universidade Federal de Minas Gerais

4.3 Tcnica Perturba e Observa (P&O)

correspondem s variaes de pequeno sinal de X ,

, a estratgia de controle muda para carregamento a tenso constante,

(2.5% da capacidade nominal definido para este

, tenso responsvel apenas para evitar a autodescarga.

podem ser definidas como as matrizes mdias para o modelo de pequeno

s G pode ser definida como a matriz de transferncia de pequeno sinal.

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