UNIVERSIDAD DE PAMPLONA

FACULTAD DE CIENCIAS B

ASICAS
DEPARTAMENTO DE F

ISICA Y GEOLOG

IA
PROGRAMA F

ISICA
ESTRUCTURA DE BANDAS DE CRISTALES TIPO DIAMANTE
Y ZINC BLENDA CON EL M

ETODO
TIGHT BINDING
Presentado por:
JES

US DAVID RAM

IREZ NI

NO
Director:
Mgs. LUIS ALBERTO GUALDRON S

ANCHEZ
Pamplona, Enero del 2013.

INDICE GENERAL
1 M

ETODO DE TIGHT BINDING O L.C.A.O. PARA LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE SE-
MICONDUCTORES 1
1.1 N umero cu antico principal (n) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.2 Numero cu antico azimutal (l) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.2.1 Orbitales tipos s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.2.2 Orbitales tipos p . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.2.3 Orbitales tipos d . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.2.4 Orbitales tipos f . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.3 N umero cu antico magn etico (m
l
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.4 N umero cu antico de spin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.5 ESTRUCTURA DE BANDAS BASADA EN EL M

ETODO DEL TIGHT BINDING . . 15
1.6 CALCULANDOLOS TERMINOS MATRICIALES PARALAESTRUCTURADIAMAN-
TE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.6.1 ELEMENTOS DE LA DIAGONAL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
1
M

ETODO DE TIGHT BINDING O L.C.A.O. PARA LA
ESTRUCTURA DE BANDAS DE SEMICONDUCTORES
En un atomo de hidrogeno, o en general en un atomo o ion con un solo electron, el electron
se mueve en un campo esferico y centrado en el n ucleo cuyo potencial es:
V =
Ze
2
4
0
r
(1.1)
Donde Z es el n umero at omico y r es la distancia entre el n ucleo y el electr on, entonces la
ecuaci on de Schr odinger para un atomo mono electr onico queda de la siguiente manera

h
2
8
2
m
e

Ze
2
4
0
r
= E (1.2)
La soluci on de la ecuaci on de Schr odinger para el atomo de hidr ogeno en coordenadas esfericas
da como resultado un conjunto de funciones de onda con sus correspondientes energas.

n,l,m
l
= R
n,l
(r)
l,m
l
()
m
l
() (1.3)
M

ETODO DE TIGHT BINDING O L.C.A.O. PARA LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE SEMICONDUCTORES 2
Estas funciones describen el comportamiento de los orbitales. Cada orbital posee una distri-
buci on especca de densidad electr onica en el espacio dada por su densidad de probabilidad.
Por tanto, cada orbital tiene una energa diferente.
La mecanica cu antica emplea cuatro n umeros cu anticos, n, l, m
l
y m
s
, para describir un
orbital, los n umeros cu anticos permiten determinar la energa que tiene un electron y predecir
el espacio alrededor del n ucleo en el cual el electron puede encontrarse, se puede decir entonces
que cada electron se puede identicar por la cantidad de energa que posee, se emplean cuatro
n umeros cu anticos para cuanticar el estado energetico y el espacio probable donde se puede
encontrar un electron.
1.1 N umero cu antico principal (n)
El n umero cuantico principal indica el nivel de energa, estos niveles de energa toman valores
de n = 1, 2, 3, . . . siendo n umeros enteros positivos. A medida que aumenta el n umero cu antico
principal, la energa de dicho nivel aumenta es decir que la energa del electron en dicho nivel
es mas grande y por lo tanto esta menos ligado al n ucleo, para que un electron pase de un
nivel menor energa a un nivel mayor, este electr on necesita ganar energa y para pasar de
un nivel de mayor energa a un nivel de menor energa debe perder energa.
1.2 Numero cu antico azimutal (l)
El n umero cu antico secundario o azimutal indica los subniveles de energa, teniendo en cuenta
que por cada nivel de energa van a existir cierto n umero de subniveles de energa que van
a tomar los valores desde 0 hasta n 1. El valor de l para un orbital dado generalmente
se designa con las letras s, p, d y f, que corresponden a los valores de l = 0, 1, 2 y 3. Este
n umero cu antico dene la forma del orbital.
1.2.1. Orbitales tipos s
Los orbitales s tienen simetra esferica alrededor del n ucleo atomico donde el electr on pasa la
mayor parte del tiempo, y se presenta cuando el n umero cuantico l = 0. Los primeros electro-
nes de cada nivel de energa se encuentran en una region donde la probabilidad electronica
se representa mediante un orbital s. Estos orbitales se designan como 1s, 2s, 3s y as sucesi-
vamente. Cabe se nalar tambien que, al aumentar el n umero cuantico principal n, aumenta la
M

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probabilidad de que el electr on este lejos del n ucleo. Es decir, el tama no del orbital aumenta
al aumentar n, es por esta raz on que el orbital 2s es mas grande que el orbital 1s
Figura 1.1: Representaci on de los orbitales 1s, 2s y 3s.
1.2.2. Orbitales tipos p
La forma geometrica de los orbitales p es la de dos esferas achatadas hacia el punto de
contacto (el n ucleo atomico) y orientadas seg un los ejes de coordenadas. En funci on de los
valores que puede tomar el tercer n umero cu antico m
l
(-1, 0 y 1) se obtienen los tres orbitales
p simetricos respecto a los ejes x, z e y. Analogamente al caso anterior, en los orbitales p al
incrementarse el valor del n umero cu antico principal la probabilidad de encontrar al electron
se hace peque na, cuando el electron se aleja del n ucleo atomico. Cada orbital puede alojar
unicamente dos electrones con espn opuesto, un subnivel p, con sus tres orbitales p
x
p
y
p
z
puede alojar un maximo de seis electrones.
M

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Figura 1.2: Representaci on de los tres orbitales p.
1.2.3. Orbitales tipos d
El orbital tipo d tiene una forma mas diversa: cuatro de ellos tienen forma de 4 l obulos de
signos alternados (dos planos nodales, en diferentes orientaciones del espacio), y el ultimo es
un doble lobulo rodeado por un anillo (un doble cono nodal. se presenta cuando el n umero
cu antico l = 2.)
Figura 1.3: Representaciones de los cinco orbitales d.
M

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1.2.4. Orbitales tipos f
Los orbitales f tienen formas a un mas ex oticas, que se pueden derivar de a nadir un plano
nodal a las formas de los orbitales d. Se presentan cuando el n umero cuantico l = 3.
Figura 1.4: Siete tipos de orbitales f.
1.3 N umero cu antico magn etico (m
l
)
Puede tener valores enteros entre l y l, lo que Incluye cero, m = 2l + 1. Este n umero
cu antico describe la orientacion que pueden tener los orbitales dentro de un mismo subnivel
cuando se somete el atomo a un campo magnetico
1.4 N umero cu antico de spin
Se representa con m
s
, dene el giro del electro sobre s mismo que se denomina spn, se debe
terne en cuenta que el electron no solo gira alrededor del n ucleo sino que gira sobre s mismo,
para el caso del electron el n umero cu antico de spn es de +1/2 o 1/2.
Se sabe bien que los atomos dentro de los s olidos cristalinos estan distribuidos de mane-
ra peri odica y separados unos de otros, dicha separacion entre los atomos es denominada
M

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constante de red ya que es propia de cada solido cristalino, estos atomos son descritos por
medio de una funci on de onda, las funciones de onda asociadas a cada uno de estos atomos
se superponen con las funciones de onda de los atomos m as cercanos, esto quiere decir que se
forman funciones de onda moleculares en el s olido mediante combinaci on lineal de funciones
de onda at omicas.
El punto de entrada para llevar a cabo un analisis cualitativo del metodo de combinaci on
lineal de orbitales atomicos sera tomar el atomo m as sencillo de todos, el atomo de hidrogeno,
con el cual se forma la molecula m as sencilla de todas, la molecula de hidr ogeno (H2).
En las explicaciones que ser an dadas a continuaci on, no hay que perder de vista el hecho de
que en un atomo solitario de hidrogeno todos los orbitales (1s, 2s, 2px, 2py, 2pz, 3s, etc.)
conviven simult aneamente al mismo tiempo, traslap andose entre s pero de alguna manera
curiosa manteniendose separados desde el punto de vista energetico
Figura 1.5: Orbitales 1s, 2s, 3s y 2p conviviendo en un mismo atomo
La primera suposici on consistira en imaginar que las nubes de probabilidad que representan
el lugar en donde hay mayores probabilidades de encontrar al electron de un atomo en su
estado fundamental (1s), nubes de probabilidad de aspecto esferico, se traslapande alguna
manera al formarse una molecula dando origen a una nube de probabilidad nueva que es
compartida por ambos atomos.
Esta descripci on es parcialmente correcta, porque de hecho se forman no una sino dos nubes
de probabilidad al unir dos capas que representan el estado fundamental, de las cuales solo
una de ellas contribuye a la union de enlace de los atomos de hidrogeno para formar una
M

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molecula. Ello se debe a que si se acercan dos atomos de hidr ogeno hay dos formas en las
que las funciones de onda que corresponden al electron situado en torno al n ucleo se pueden
sumar; la primera de ellas corresponde a la conguracion simetrica.
Figura 1.6: Conguraci on sim etrica de dos orbitales at omicos
Puesto que la probabilidad de encontrar al electr on en cierta region innitesimal de volumen
es proporcional no a la funci on de onda
s
sino al cuadrado de la funci on de onda [
s
[
2
, en la
gura derecha de arriba se tiene gracado el cuadrado de la funci on de onda combinada
s
que aparece mostrada en la gura izquierda. Como puede verse, existe una region intermedia
compartida por ambas nubes electr onicas que facilita la uni on de ambos atomos de hidr ogeno.
Este es el tipo de uni on que corresponde a un orbital com un enlazante.
La otra forma en la que las funciones de onda que corresponden al electron situado en torno
al n ucleo se pueden sumar corresponde a la conguraci on anti-simetrica y es la siguiente (en
la gura izquierda las lneas punteadas corresponden a las funciones de onda individuales
?
1
y
2
de cada atomo mientras que la lnea solida corresponde a la diferencia
A
de las
funciones de onda, que resulta ser una funci on de onda anti simetrica con respecto a la lnea
vertical central que separa a las funciones de onda individuales):
Figura 1.7: Conguraci on anti sim etrica de dos orbitales at omicos
M

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De nueva cuenta, puesto que la probabilidad de encontrar al electron en cierta regi on innite-
simal de volumen es proporcional no a la funci on de onda sino al cuadrado de la funcion de
onda [[
2
, en la gura derecha se tiene gracado el cuadrado de la funcion de onda combinada
mostrada en la gura izquierda. Como puede verse, para este tipo de orbital combinado no se
tiene una region intermedia que sea compartida por ambas nubes electronicas que facilite la
uni on de ambos atomos de hidrogeno. Este es el tipo de union que corresponde a un orbital
com un anti-enlazante.
El nombre dado a este tipo de orbital puede ser enga noso porque puede causar la impresion de
que se trata de un orbital que se opone a la uni on de ambos atomos de hidr ogeno haciendolos
repelerse mutuamente, lo cual no es del todo cierto. Simplemente se trata de un orbital que
no proporciona una region com un que pueda servir como puente de enlace para que ambos
atomos de hidrogeno puedan compartir sus electrones. No hay que perder de vista el hecho de
que las representaciones gracas tanto de la conguracion simetrica como de la conguraci on
anti simetrica son proyecciones de algo que ocurre en tres dimensiones.
(a) conguraci on anti sim etrica en tres dimen-
siones
(b) conguraci on sim etrica en tres dimensiones.
Figura 1.8: Conguraciones sim etrica y anti sim etrica de combinaci on de orbitales at omicos.
Al igual que las nubes de probabilidad de los diversos estados energeticos de un atomo soli-
tario de hidrogeno conviven simultaneamente compartiendo el espacio que tienen en com un
alrededor del n ucleo at omico, las dos nubes de probabilidad enlace molecular, simetrico y
anti simetrica, conviven simultaneamente al mismo tiempo la una con la otra. Visualizando
la nube de probabilidad simetrica y anti simetrica que une ambos atomos de la siguiente
manera:
M

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(a) Nube de probabilidad sim etrica de dos ato-
mos
(b) Nube de probabilidad anti sim etrica de dos atomos
Figura 1.9: Nubes de probabilidad sim etrica y anti sim etrica de dos atomos
Desde el punto de vista energetico, puesto que dos atomos de hidrogenos son iguales, al
irse acercando dos atomos de hidr ogeno sus orbitales esfericos ofrecen una oportunidad a
los electrones de cualquiera de ambos de poderse ubicar en cualquiera de los atomos. Como
resultado del acercamiento, los orbitales van dejando de ser esfericos al irse compartiendo las
nubes de probabilidad, y los niveles energeticos se van desdoblando formando as un enlace
molecular com un a ambos. El enlace molecular mediante el cual dos atomos de hidrogeno se
unen para formar una molecula de hidrogeno es designado con la letra griega que equivale a
la letra latina sa partir de la cual se forman y hablamos por lo tanto de un enlace molecular
sigma.
Como ya se dijo, desde el punto de vista energetico, lo que ocurre es que los dos orbitales
at omicos 1s que vienen de cada uno de los atomos de hidrogeno se combinan para formar un
orbital enlazante
1s
y un orbital anti enlazante

1s
.
M

ETODO DE TIGHT BINDING O L.C.A.O. PARA LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE SEMICONDUCTORES 10
Figura 1.10: orbital enlazante
1s
y un orbital anti enlazante

1s
En virtud de que la letra griega sigma es el equivalente fonetico de la letra latina s, es
f acil recordar que: Dos orbitales at omicos s forman un orbital molecular sigma .
El proceso de union descrito para un atomo de hidr ogeno es igualmente v alido para atomos
poli electronicos, en cuyo caso no s olo las funciones de onda de los orbitales at omicos s se
pueden combinar para formar una funcion de onda que corresponde a un orbital molecular
, tambien los orbitales at omicos p por tener iguales niveles energeticos se pueden combinar
para formar enlaces moleculares. En virtud de que la letra griega pi () es el equivalente
fonetico de la letra latina p , es facil recordar que: Dos orbitales atomicos p pueden formar
un orbital molecular pi ()cuando hay una superposicion paralela de orbitales, ademas de
poder formar un orbital molecular sigma () cuando hay una traslape cabeza-cabeza. Sin
embargo, no es posible formar un enlace entre un orbital at omico tipo s de un atomo y el
orbital atomico tipo p de otro atomo cuando este ultimo es perpendicular al eje inter nuclear
entre ambos atomos.
La siguiente gura nos muestra el por que esto no es posible:
M

ETODO DE TIGHT BINDING O L.C.A.O. PARA LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE SEMICONDUCTORES 11
Figura 1.11: Instancia de cero traslape entre dos orbitales moleculares
Como puede verse, un orbital atomico tipo s no puede formar un orbital molecular con el
orbital atomico tipo p
x
o p
y
o p
z
de otro atomo cuando sea perpendicular al eje inter nuclear
entre ambos atomos. La integral de traslape que nos mide la densidad de probabilidad del
enlace molecular entre ambos atomos es igual a cero en virtud de que la contribucion positiva
de una mitad del orbital p a la funci on de onda com un es compensada por una contribucion
negativa debida a la otra mitad del mismo orbital p. Como lo indica la gura, una situaci on
de este tipo es conocida como una instancia de cero traslape.
De cualquier modo, de vez en cuando un orbital atomico tipo s puede formar un orbital
molecular con uno de los lobulos de otro orbital at omico tipo p siempre y cuando el eje del
orbital tipo p coincida con el eje inter nuclear que hay entre ambos atomos, en cuyo caso el
orbital molecular que se forma se dene como un enlace de tipo sigma ():
Figura 1.12: Orbital at omico tipo s formando un orbital molecular con uno de los l obulos de otro orbital
at omico tipo p
M

ETODO DE TIGHT BINDING O L.C.A.O. PARA LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE SEMICONDUCTORES 12
En virtud de que, el orbital molecular formado con dos orbitales atomicos tipo s puede
ser confundido con el orbital molecular formado con un orbital atomico tipo s y un orbital
at omico tipo p, se suele para la formaci on de enlaces moleculares: distinguir ambos orbitales
sigma escribiendo el primero como (s) y el segundo como (sp).
Puesto que el nivel energetico correspondiente al n umero cu antico principal n = 1 carece de
orbitales atomicos p, tenemos que irnos al siguiente nivel energetico superior que corresponde
a n = 2 para poder obtener enlaces moleculares tipo . Si vamos acercando dos atomos, uno
por la izquierda y el otro por la derecha, los niveles de energa correspondientes a cada uno
de ellos se va desdoblando de la siguiente manera
Con los ejes z de las coordenadas de cada atomo alineados, cuando acercamos dos orbitales
tipo p
x
estos formar an un orbital molecular enlazante
x
como lo muestra la siguiente gura:
Figura 1.13: diagrama de orbital molecular
Como puede verse en el diagrama de arriba que es tpico de lo que conocemos como un
diagrama de orbital molecular, al acercarse los niveles 2s estos se desdoblan formando un
orbital enlazante
2s
y un orbital anti enlazante

2s
Por su parte, al acercarse los niveles 2p,
estos tambien se desdoblan formando seis orbitales en total, tres de ellos enlazante y tres de
ellos anti enlazante. Uno de ellos es un orbital molecular sigma
2p
y el otro de ellos es un
orbital sigma molecular

2p
. Este tipo de orbitales moleculares sigma, formados a partir de
orbitales moleculares p, son los que se forman con los orbitales p que estan alineados ambos
horizontalmente como el siguiente orbital molecular sigma enlazante
2
p y como el siguiente
orbital molecular sigma anti enlazante

2
p:
M

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(a) Orbital molecular sigma enlazante 2p (b) Orbital molecular sigma anti enlazante 2p
Figura 1.14: orbitales sigma 2p
Nos faltan los otros orbitales tipos p que no hemos cubiertos; son los siguientes (la gura de
la izquierda representa un orbital tipo p
x
mientras que la gura de la derecha representa un
orbital tipo p
y
):
Figura 1.15: Orbital tipo p
x
y tipo p
y
Con los ejes z de las coordenadas de cada atomo alineados, cuando acercamos dos orbitales
tipo p
x
estos formaran un orbital molecular enlazante
x
.
M

ETODO DE TIGHT BINDING O L.C.A.O. PARA LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE SEMICONDUCTORES 14
Figura 1.16: orbitales moleculares enlazantes
2px
as como un orbital anti enlazante

x
. Del mismo modo, los dos orbitales tipo p
y
formar an
un orbital enlazante
y
y un orbital anti enlazante

y
. En la siguiente gura tenemos los
orbitales moleculares posibles a partir de los orbitales atomicos p, tanto enlazantes como anti
enlazantes:
Figura 1.17: orbitales moleculares y
Obviamente, si acercamos el orbital tipo p de un atomo al orbital tipo p de otro atomo de
forma tal que ambos orbitales sean perpendiculares, no habr a formacion de enlace molecular
alguno al tenerse una situacion de cero traslape:
M

ETODO DE TIGHT BINDING O L.C.A.O. PARA LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE SEMICONDUCTORES 15
Figura 1.18: cero traslape entre orbitales p de dos atomos cuando son perpendiculares
1.5 ESTRUCTURA DE BANDAS BASADA EN EL M

ETODO DEL TIGHT
BINDING
En el modelo de enlace fuerte o L.C.A.O. o Tight Binding la situaci on se invierte, en este
caso se asume que la energa potencial de la red periodica es muy grande comparada con la
energa cinetica de los electrones as que los electrones se encuentran fuertemente ligados a
las n ucleos at omicos.
Para el caso del metodo L.C.A.O. las funciones de onda de los electrones ya no son ondas
planas sino que se comportan como orbitales atomicos. Es decir, se espera que las funciones
de onda de atomos adyacentes en la red se superpongan de tal forma que la estructura de
bandas est a estrechamente relacionada con las funciones de onda y las energas discretas de
los electrones en los atomos aislados.
La posicion de un atomo en la celda primitiva denotada por j es descompuesta en r
j
l = R
j
+r
l
donde R
j
describe la posici on de la j-esima celda primitiva de la red de Bravais y r
l
es la
posicion del atomo l dentro de la celda primitiva. Debido a que la estructura de la red
cristalina es peri odica, se pueden escribir las funciones de onda atomicas por medio del
teorema de Bloch.
M

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[
m

k
=
1

exp
_
ir
j

k
_
[
m

l
(r r
j

l
) (1.4)

mlk
[ =
1

j
exp
_
ir
jl

k
_

ml
(r r
jl
)[ (1.5)
Las cuales son funciones de onda en un espacio de Hilbert que son funciones de cuadrado
integrable
_

[
m

k
[
2
dx < (1.6)
Y que cumplen con la condici on de normalizaci on de donde N es el n umero de celdas unitarias
primitivas en el cristal, las funciones de onda moleculares se pueden escribir como combinaci on
lineal de los orbitales atomicos
[
k
=

,l

C
m

l
[
m

k
(1.7)
Para calcular los valores propios de H, se opera
k
con el Operador Hamiltoniano.

H [
k
= E
k
[
k
(1.8)
Reemplazando
k

,l

C
m

l
[
m

k
= E
k

,l

C
m

l
[
m

k
(1.9)
multiplicando a ambos lados por
mlk
[
M

ETODO DE TIGHT BINDING O L.C.A.O. PARA LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE SEMICONDUCTORES 17

mlk
[

H

,l

C
m

l
[
m

k
= E
k

,l

C
m

l

mlk

m

k
(1.10)

,l

C
m

mlk

H
m

k
_
= E
k

,l

C
m

l

mlk

m

k
(1.11)
para simplicar la notaci on se har an las siguientes sustituciones
1
ml,m

l
=
_

mlk

H
m

k
_
Elementos de la matriz (1.12)
o
ml,m

l
=
mlk

m

k
Par ametro de Solapamiento (1.13)
reemplazando las ecuaciones (1.13) y (1.12) en la ecuacion (1.11)

,l

C
m

l
1
ml,m

l
= E
k

,l

C
m

l
o
ml,m

l
(1.14)

,l

(1
ml,m

l
E
k
o
ml,m

l
) C
m

l
= 0 (1.15)
Reemplazando (1.4) y (1.5) en (1.13) se obtiene
o
ml,m

l
=
mlk

m

k
(1.16)
=
1

N
1

exp
_
i (r
j

l
r
jl
)

k
_

ml

m

l
(1.17)
=
1
N

exp
_
i (r
j

l
r
jl
)

k
_

ml

m

l
(1.18)
=

j
exp
_
i (r
jl
r
jl
)

k
_

ml

m

l
(1.19)
Los estados
ml
son ortonormales, obteniedo que
M

ETODO DE TIGHT BINDING O L.C.A.O. PARA LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE SEMICONDUCTORES 18

ml

m

l
=
m

l

ml
= 0 (1.20)

ml

ml
=
m

l

m

l
= 1 (1.21)
por lo que se obtiene que
o
ml,m

l
=
mm

ll
=
_
1 si m = m

y l = l

0 si m ,= m

y l ,= l

(1.22)
reemplazando la ecuacion (1.22) en la ecuaci on (1.15)

,l

(1
ml,m

l
E
k

mm

ll
) C
m

l
= 0 (1.23)
Ahora se toma la expresion de los elementos matriciales y se reemplazan los valores de
mlk
y
m

k
1
ml,m

l
=
_

mlk

H
m

k
_
(1.24)
=
1

N
1

exp
_
i (r
j

l
r
jl
)

k
_ _

ml

H
m

_
(1.25)
=
1
N

exp
_
i (r
j

l
r
jl
)

k
_ _

ml

H
m

_
(1.26)
=

j
exp
_
i
_

k
__ _

ml

H
m

_
(1.27)
La expresi on (1.27) se reere a los elementos de la matriz, se incluiran unicamente los orbitales
s
2
y p
6
. Se despreciara el acoplamiento spin-orbita. Los dos orbitales atomicos de simetra s
para los dos atomos en la celda unitaria ser an denotados por S1 Y S2, respectivamente. De
manera an aloga, los orbitales at omicos de simetra p ser an denotados por: X1, X2, Y 1, Y 2,
Z1 y Z2, respectivamente. En la sumatoria de la ecuacion (1.27), m representa los orbitales
s, p
x
, p
y
y p
z
.
M

ETODO DE TIGHT BINDING O L.C.A.O. PARA LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE SEMICONDUCTORES 19
En lugar de sumar sobre todas las celdas unitarias en el cristal, se sumara sobre los vecinos m as
cercanos solamente. En la estructura diamante y Zinc-Blenda esto signica que j ser a sumado
sobre los cuatro vecinos m as cercanos ( = 1 hasta = 4).
Dicho de esta manera, los elementos matriciales de (1.27) constituyen una matriz de 8 8,
se evidencia que las dimensiones de la matriz dependen solamente del n umero de funciones
base mas no de n umero de vecinos incluidos.
1.6 CALCULANDO LOS TERMINOS MATRICIALES PARA LA ESTRUCTURA
DIAMANTE
La gura 1.19 representa la celda unitaria de la estructura tipo diamante y sus primeros
vecinos
Figura 1.19: Primeros vecinos para la estructura c ubica tipo Diamante.
Para el caso de la estructura tipo diamante se tiene:

d
1
= (1, 1, 1)
_
a
4
_
;

d
2
= (1, 1, 1)
_
a
4
_
;

d
3
= (1, 1, 1)
_
a
4
_
;

d
4
= (1, 1, 1)
_
a
4
_
M

ETODO DE TIGHT BINDING O L.C.A.O. PARA LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE SEMICONDUCTORES 20
donde a es el parametro de red y el vector de onda esta dado por

k =
2
a
(k
1
, k
2
, k
3
)
Los elementos matriciales para la estructura tipo diamante estan dados por
1
s1,s2
=
_
exp
_
i

k

d
1
_
+ exp
_
i

k

d
2
_
+ exp
_
i

k

d
3
_
+ exp
_
i

k

d
4
__ _
s1

H s2
_
= 4
_
cos
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
_
i sen
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
__ _
s1

H s2
_
=
_
cos
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
_
i sen
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
__
. .
G
1
4
_
s1

H s2
_
. .
Vss
= V
ss
(
1
1
s1,x1
= 1
s1,y1
= 1
s1,z1
= 0 Debido a la simetria de los orbitales s y p en cada atomo
1
s1,x2
=
_
exp
_
i

k

d
1
_
+ exp
_
i

k

d
2
_
exp
_
i

k

d
3
_
exp
_
i

k

d
4
__ _
s1

H x2
_
= 4
_
cos
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
_
+ i sen
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
__ _
s1

H x2
_
=
_
cos
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
_
+ i sen
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
__
. .
G
2
4
_
s1

H x2
_
. .
Vsp
= V
sp
(
2
M

ETODO DE TIGHT BINDING O L.C.A.O. PARA LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE SEMICONDUCTORES 21
1
s1,y2
=
_
exp
_
i

k

d
1
_
exp
_
i

k

d
2
_
+ exp
_
i

k

d
3
_
exp
_
i

k

d
4
__ _
s1

H y2
_
= 4
_
sen
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
_
+ i cos
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
__ _
s1

H y2
_
=
_
sen
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
_
+ i cos
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
__
. .
G
3
4
_
s1

H y2
_
. .
Vsp
= V
sp
(
3
1
s1,z2
=
_
exp
_
i

k

d
1
_
exp
_
i

k

d
2
_
exp
_
i

k

d
3
_
+ exp
_
i

k

d
4
__ _
s1

H z2
_
= 4
_
sen
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
_
+ i cos
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
__ _
s1

H z2
_
=
_
sen
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
_
+ i cos
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
__
. .
G
4
4
_
s1

H z2
_
. .
Vsp
= V
sp
(
4
1
x1,s1
= 1
y1,s1
= 1
z1,s1
= 0 Debido a la simetria de los orbitales s y p en cada atomo
1
s2,s1
= 1
s1,s2

= V
ss
(
1

1
x2,s1
= 1
s1,x2

= V
sp
(
2

1
y2,s1
= 1
s1,y2

= V
sp
(
3

1
z2,s1
= 1
s1,z2

= V
sp
(
4

1
x1,s2
=
_
exp
_
i

k

d
1
_
+ exp
_
i

k

d
2
_
exp
_
i

k

d
3
_
exp
_
i

k

d
4
__ _
x1

H s2
_
= 4
_
cos
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
_
+ i sen
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
__ _
x1

H s2
_
=
_
cos
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
_
+ i sen
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
__
. .
G
2
4
_
x1

H s2
_
. .
Vsp
= V
sp
(
2
M

ETODO DE TIGHT BINDING O L.C.A.O. PARA LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE SEMICONDUCTORES 22
1
y1,s2
=
_
exp
_
i

k

d
1
_
exp
_
i

k

d
2
_
+ exp
_
i

k

d
3
_
exp
_
i

k

d
4
__ _
y1

H s2
_
= 4
_
sen
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
_
+ i cos
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
__ _
y1

H s2
_
=
_
sen
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
_
+ i cos
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
__
. .
G
3
4
_
y1

H s2
_
. .
Vsp
= V
sp
(
3
1
z1,s2
=
_
exp
_
i

k

d
1
_
exp
_
i

k

d
2
_
exp
_
i

k

d
3
_
+ exp
_
i

k

d
4
__ _
z1

H s2
_
= 4
_
sen
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
_
+ i cos
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
__ _
z1

H s2
_
=
_
sen
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
_
+ i cos
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
__
. .
G
4
4
_
z1

H s2
_
. .
Vsp
= V
sp
(
4
1
x2,s2
= 1
y2,s2
= 1
z2,s2
= 0 Debido a la simetria de los orbitales s y p en cada atomo
1
s2,x1
= 1
x1,s2

= V
sp
(
2

1
s2,y1
= 1
y1,s2

= V
sp
(
3

1
s2,z1
= 1
z1,s2

= V
sp
(
4

1
x1,x2
=
_
exp
_
i

k

d
1
_
+ exp
_
i

k

d
2
_
+ exp
_
i

k

d
3
_
+ exp
_
i

k

d
4
__ _
x1

H x2
_
= 4
_
cos
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
_
i sen
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
__ _
x1

H x2
_
=
_
cos
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
_
i sen
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
__
. .
G
1
4
_
x1

H x2
_
. .
Vxx
= V
xx
(
1
M

ETODO DE TIGHT BINDING O L.C.A.O. PARA LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE SEMICONDUCTORES 23
1
x1,y2
=
_
exp
_
i

k

d
1
_
exp
_
i

k

d
2
_
exp
_
i

k

d
3
_
+ exp
_
i

k

d
4
__ _
x1

H y2
_
= 4
_
sen
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
_
+ i cos
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
__ _
x1

H y2
_
=
_
sen
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
_
+ i cos
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
__
. .
G
4
4
_
x1

H y2
_
. .
Vxy
= V
xy
(
4
1
x1,z2
=
_
exp
_
i

k

d
1
_
exp
_
i

k

d
2
_
+ exp
_
i

k

d
3
_
exp
_
i

k

d
4
__ _
x1

H z2
_
= 4
_
sen
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
_
+ i cos
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
__ _
x1

H z2
_
=
_
sen
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
_
+ i cos
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
__
. .
G
3
4
_
x1

H z2
_
. .
Vxy
= V
xy
(
3
1
x1,y1
= 1
x1,z1
= 1
y1,x1
= 1
z1,x1
= 0
1
x2,x1
= 1
x1,x2

= V
xx
(
1

1
y2,x1
= 1
x1,y2

= V
xy
(
4

1
z2,x1
= 1
x1,z2

= V
xy
(
3

1
y1,x2
=
_
exp
_
i

k

d
1
_
exp
_
i

k

d
2
_
exp
_
i

k

d
3
_
+ exp
_
i

k

d
4
__ _
y1

H x2
_
= 4
_
sen
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
_
+ i cos
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
__ _
y1

H x2
_
=
_
sen
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
_
+ i cos
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
__
. .
G
4
4
_
y1

H x2
_
. .
Vxy
= V
xy
(
4
M

ETODO DE TIGHT BINDING O L.C.A.O. PARA LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE SEMICONDUCTORES 24
1
y1,y2
=
_
exp
_
i

k

d
1
_
+ exp
_
i

k

d
2
_
+ exp
_
i

k

d
3
_
+ exp
_
i

k

d
4
__ _
y1

H y2
_
= 4
_
cos
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
_
i sen
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
__ _
y1

H y2
_
=
_
cos
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
_
i sen
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
__
. .
G
1
4
_
y1

H y2
_
. .
Vxx
= V
xx
(
1
1
y1,z2
=
_
exp
_
i

k

d
1
_
+ exp
_
i

k

d
2
_
exp
_
i

k

d
3
_
exp
_
i

k

d
4
__ _
y1

H z2
_
= 4
_
cos
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
_
+ i sen
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
__ _
y1

H z2
_
=
_
cos
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
_
+ i sen
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
__
. .
G
2
4
_
y1

H z2
_
. .
Vxy
= V
xy
(
2
1
y1,z1
= 1
z1,y1
= 0
1
x2,y1
= 1
y1,x2

= V
xy
(
4

1
y2,y1
= 1
y1,y2

= V
xx
(
1

1
z2,y1
= 1
y1,z2

= V
xy
(
2

1
z1,x2
=
_
exp
_
i

k

d
1
_
exp
_
i

k

d
2
_
+ exp
_
i

k

d
3
_
exp
_
i

k

d
4
__ _
z1

H x2
_
= 4
_
sen
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
_
+ i cos
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
__ _
z1

H x2
_
=
_
sen
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
_
+ i cos
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
__
. .
G
3
4
_
z1

H x2
_
. .
Vxy
= V
xy
(
3
M

ETODO DE TIGHT BINDING O L.C.A.O. PARA LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE SEMICONDUCTORES 25
1
z1,y2
=
_
exp
_
i

k

d
1
_
+ exp
_
i

k

d
2
_
exp
_
i

k

d
3
_
exp
_
i

k

d
4
__ _
z1

H y2
_
= 4
_
cos
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
_
+ i sen
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
__ _
z1

H y2
_
=
_
cos
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
_
+ i sen
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
__
. .
G
2
4
_
z1

H y2
_
. .
Vxy
= V
xy
(
2
1
z1,z2
=
_
exp
_
i

k

d
1
_
+ exp
_
i

k

d
2
_
+ exp
_
i

k

d
3
_
+ exp
_
i

k

d
4
__ _
z1

H z2
_
= 4
_
cos
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
_
i sen
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
__ _
z1

H z2
_
=
_
cos
_
k
1

2
_
cos
_
k
2

2
_
cos
_
k
3

2
_
i sen
_
k
1

2
_
sen
_
k
2

2
_
sen
_
k
3

2
__
. .
G
1
4
_
z1

H z2
_
. .
Vxx
= V
xx
(
1
1
x2,z1
= 1
z1,x2

= V
xy
(
3

1
y2,z1
= 1
z1,y2

= V
xy
(
2

1
z2,z1
= 1
z1,z2

= V
xx
(
1

1
x2,y2
= 1
x2,z2
= 1
y2,x2
= 1
z2,x2
= 1
y2,z2
= 1
z2,y2
= 0
1.6.1. ELEMENTOS DE LA DIAGONAL
Tomando la expresi on dada por la ecuaci on (1.23)

,l

(1
ml,m

l
E
k

mm

ll
) C
m

l
= 0

,l

(1
ml,m

l
E
k

mm

ll
) = 0
M

ETODO DE TIGHT BINDING O L.C.A.O. PARA LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE SEMICONDUCTORES 26
Para los elementos de la diagonal
mm

ll
= 1, por lo tanto los elementos de la diagonal son
los elementos 1
ml,m

l
E
k
, pero a su vez:
1
ml,m

l
=

j
exp
_
i
_

k
__ _

ml

H
m

_
pero en este caso d

= 0, entonces los elementos de la diagonal estan dados por

1
ml,m

l
=
_

ml

H
m

_
E
k
1
s1,s1
=
_
s1

H s1
_
E
k
= E
s
E
k
1
s2,s2
=
_
s2

H s2
_
E
k
= E
s
E
k
1
x1,x1
=
_
x1

H x1
_
E
k
= E
p
E
k
1
x2,x2
=
_
x2

H x2
_
E
k
= E
p
E
k
1
y1,y1
=
_
y1

H y1
_
E
k
= E
p
E
k
1
y2,y2
=
_
y2

H y2
_
E
k
= E
p
E
k
1
z1,z1
=
_
z1

H z1
_
E
k
= E
p
E
k
1
z2,z2
=
_
z2

H z2
_
E
k
= E
p
E
k
M

ETODO DE TIGHT BINDING O L.C.A.O. PARA LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE SEMICONDUCTORES 27
Tabla 1.1: Matriz para las bandas s y p en la estructura diamante con la aproximaci on de combinaci on lineal
de orbitales at omicos.
s1 s2 x1 y1 z1 x2 y2 z2
s1 E
s
E
k
V
ss
(
1
0 0 0 V
sp
(
2
V
sp
(
3
V
sp
(
4
s2 V
ss
(
1

E
s
E
k
V
sp
(
2

V
sp
(
3

V
sp
(
4

0 0 0
x1 0 V
sp
(
2
E
p
E
k
0 0 V
xx
(
1
V
xy
(
4
V
xy
(
3
y1 0 V
sp
(
3
0 E
p
E
k
0 V
xy
(
4
V
xx
(
1
V
xy
(
2
z1 0 V
sp
(
4
0 0 E
p
E
k
V
xy
(
3
V
xy
(
2
V
xx
(
1
x2 V
sp
(
2

0 V
xx
(
1

V
xy
(
4

V
xy
(
3

E
p
E
k
0 0
y2 V
sp
(
3

0 V
xy
(
4

V
xx
(
1

V
xy
(
2

0 E
p
E
k
0
z2 V
sp
(
4

0 V
xy
(
3

V
xy
(
2

V
xx
(
1

0 0 E
p
E
k
Para cada valor del vector de onda k se encuentran 8 valores propios de energa de la matriz
Hamiltoniana, dando lugar a la estructura de bandas de cada elemento. En la Figura (1.20)
se presenta la estructura de bandas para el Silicio (Si) y en la Figura (1.21) la estructura
correspondiente al Arseniuro de Galio (GaAs) calculadas por el metodo del tight Binding. En
el eje horizontal se colocan los vectores de onda k, a lo largo de algunos caminos de simetra
en la primera zona de Brillouin, y en el eje vertical los valores de energa (en eV).
M

ETODO DE TIGHT BINDING O L.C.A.O. PARA LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE SEMICONDUCTORES 28
Figura 1.20: Estructura de bandas para el Silicio (Si).
Figura 1.21: Estructura de bandas para Arseniuro de Galio (GaAs).
De las 8 bandas que resultan, 4 est an ocupadas por los electrones de valencia de cada atomo
M

ETODO DE TIGHT BINDING O L.C.A.O. PARA LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE SEMICONDUCTORES 29
de Si o GaAs. Por ello la banda de valencia (BV) esta conformada por las 4 primeras bandas,
de abajo hacia arriba. En el borde superior de la BV se ha colocado el cero de las energas.
Las 4 bandas restantes conforman la banda de conduccion (BC). En la estructura de bandas
de Si, el punto de m as alta simetra en la primera zona de Brillouin es el punto . Se observa
que partiendo de el hacia el punto X, el n umero de simetras que obedece k disminuye,
dando lugar al desdoblamiento de las bandas. En el punto , en el borde superior de la BV,
se encuentra un triplete, pero en el camino X las bandas se desdoblan, en un doblete y
un singlete, destruyendose el triplete; esto signica que se pierde la simetra. El valor del
gap de energa que se encontr o para el caso del silicio es de 1.19 eV, el cual es un valor
muy cercano a los valores reportados por la literatura especializada Chadi and Cohen[?],
Evarestov[?], Streetman, Ben G. Sanjay Banerjee[?] y Diego A. Rasero, Tomas S. Suarez,
Rosbel A. Jimenez, Jairo Arbey Rodrguez [?]
Para el caso del Arseniuro de Galio, se encontr o que el extremo maximo y el extremo mnimo
de las bandas de conduccion y de valencia ocurren en el punto , por lo cual se deduce que
es un semiconductor de banda de gap directa. La parte baja de la banda de conduccion
est a construida unicamente de estados tipo s mientras que la parte alta de la banda de
valencia esta armada solamente de orbitales tipo p. Se ha tenido cuidado en ajustar el gap
de energa y los demas puntos de simetra de la zona de Brillouin. El valor del gap de energa
que se encontro es de 1.494 eV, el cual es acorde con los encontrados en la literatura [?] [?]
[?] [?], y que adem as concuerdan con la naturaleza del material.
(a) Bandas de valencia obtenida en el Presente
Trabajo
(b) Banda de valencia obtenida por Chadi and Cohen
[?]
Figura 1.22: Comparaci on de las bandas de valencia para el GaAs obtenidas por Chadi and Cohen 1.22(b) y las
obtenidas en el presente trabajo 1.22(a)
M

ETODO DE TIGHT BINDING O L.C.A.O. PARA LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE SEMICONDUCTORES 30
(a) Bandas de valencia obtenida en el Presente
Trabajo
(b) Banda de valencia obtenida por Chadi and
Cohen [?]
Figura 1.23: Comparaci on de las bandas de valencia para el Si obtenidas por Chadi and Cohen 1.23(b) y las
obtenidas en el presente trabajo 1.23(a)
Se puede observar gr acamente que las curvas dadas por Chadi and Cohen[?] de la banda
de valencia para el Si y el GaAs son muy similares a las obtenidas en el presente trabajo,
manejando la escala de la energa en eV se percibe que coinciden la mayora de los valores
en los cortes con los puntos de alta simetra, al igual que la forma como se desdoblan cada
una de las bandas.
Tabla 1.2: FASES DE LA INVESTIGACI

ON Y DE LA EVALUACI

ON
Fases de la Investigaci on Fases de la Evaluaci on
Denici on del Problema. Denici on del Problema.
Planteamiento de la hip ote-
sis.
Planicaci on: Dise no, tecni-
cas, intrumentos, tiempos,
agentes, destinatarios.
Planicaci on: Dise no, tecnicas, intrumentos,
tiempos, agentes, destinatarios.
Ejecuci on: recogida, analisis
y tratamiento de los datos.
Ejecuci on: recogida, analisis y tratamiento de
los datos.
Informe, descripci on y con-
clusiones.
Informe, descripcion y conclusiones.
Valoracion del objeto evaluado.
Toma de decisiones.